2017-018864

特願２０１３－１８３４４２「半導体装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２７年　３月　２日出願公開、特開２０１５－　４１７６４〕について、次のとおり審決する。

【結　論】 本件審判の請求は、成り立たない。

【理　由】 第１　手続の経緯 本願は、平成２５年８月２０日の出願であって、平成２９年４月１４日付けで拒絶理由が通知され、同年６月４日に意見書が提出されたが、同年８月３０日付けで拒絶査定がなされ、それに対して、同年１２月４日に拒絶査定不服審判が請求されると同時に手続補正書が提出された。 第２　平成２９年１２月４日に提出された手続補正書による補正についての却下の決定 ［補正の却下の決定の結論］ 平成２９年１２月４日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）を却下する。 ［理由］ １　本件補正の内容 本件補正は、補正前の特許請求の範囲の請求項１～１３を、補正後の特許請求の範囲の請求項１～９と補正するとともに明細書を補正するものであり、補正前後の請求項１は、それぞれ次のとおりである。 （補正前） 「【請求項１】 基板上にＩＩＩ族窒化物半導体、もしくは、ＩＩ－ＶＩ族化合物半導体を形成し、ソース電極及びドレイン電極の間に信号入力のためのゲート電極を夫々設けてある電界効果型トランジスタにおける半導体装置にあって、動作活性層と基板との間に結晶欠陥低減のための緩衝層（バッファ層）を形成してなる半導体装置。」 （補正後） 「【請求項１】 基板上にＩＩＩ族窒化物半導体を形成し、ソース電極及びドレイン電極の間に信号入力のためのゲート電極を夫々設けてある電界効果型トランジスタにおける半導体装置にあって、動作活性層と基板との間に結晶欠陥低減のための緩衝層（バッファ層）を形成してなる半導体装置。」 ２　本件補正についての検討 （１）本件補正は、請求項１についての補正（以下「補正事項１」という。）を含むものであり、当該補正事項１は、補正前の請求項１について、基板上に形成する「ＩＩＩ族窒化物半導体、もしくは、ＩＩ－ＶＩ族化合物半導体」を、「ＩＩＩ族窒化物半導体」に限定する補正であって、補正前の発明と補正後の発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一である特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。 したがって、当該補正事項１は、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。 そして、本件補正は、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含むものであるから、補正後における特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか）について、以下において検討する。 （２）独立特許要件について ア　本件補正後の発明 本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）は、上記「１　本件補正の内容」の「（補正後）」に記載したとおりである。 イ　引用例の記載と引用発明 （ア）引用例１：特開２００８－１８６９５２号公報 原査定の拒絶の理由で引用された、本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開２００８－１８６９５２号公報（以下「引用例１」という。）には、図とともに次の記載がある（下線は、当審による。以下、同じ。）。 ａ　「【技術分野】 【０００１】 本発明は、半導体基板及び半導体装置に関し、特に、ＩＩＩ族窒化物系半導体やＩＩ－ＶＩ族化合物半導体結晶成長に用いる半導体基板及び半導体装置に関する。」 ｂ　「【背景技術】 【０００２】 ＧａＮデバイスに適用するＩＩＩ－Ｖ族窒化物系半導体をエピタキシャル成長させる場合、高品質、安価なホモエピタキシャル成長層基板が存在しないため、異種基板を用いたヘテロエピタキシャル成長により、ＧａＮデバイス用のＩＩＩ－Ｖ族窒化物系半導体エピタキシャル成長層を形成している。 【０００３】 ＧａＮ系半導体の場合、異種基板部材には、サファイア（α―Ａｌ2Ｏ3）、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）、シリコン（Ｓｉ）などが用いられているが、いずれも格子不整合が大きい。このため、格子不整合を緩和するために、基板部材とエピタキシャル成長層との間に、バッファ構造などを形成するなどの様々な工夫を行って、異種基板を形成している。」 ｃ　「【００１９】 [第１の実施の形態] （ＩＩＩ－Ｖ族窒化物系半導体基板構造） （構成例１） 本発明の第１の実施形態に係る半導体基板（２ａ，２ｂ）の構成例１は、図１に示すように、基板部材１１と、基板部材１１上に形成された酸化ハフニウム、酸化ジルコニウムから選ばれる層から形成されるバッファ層（３ａ，３ｂ）と、バッファ層（３ａ，３ｂ）上に配置されるＩＩＩ族窒化物系半導体層３０とを備える。 …（略）… 【００２１】 基板部材１１は、シリコン、サファイア（α―Ａｌ2Ｏ3）、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）の内、いずれかで形成されるが、これらに限定されるものではなく、ＧａＡｓ，ＧａＰなどのＩＩＩ－Ｖ族化合物、ＭｇＯ、ＺｎＯ、ＬｉＧａＯ2、ＡｌＮ、ＩｎＮ、３Ｃ－ＳｉＣなどを適用することもできる。 …（略）… 【００２３】 （製造方法） （ａ）例えば、基板部材１１としてシリコンを用いる場合、基板部材１１の上に酸化ハフニウム、酸化ジルコニウムなどの材料からなるバッファ層（３ａ，３ｂ）を…（略）… 【００２５】 シリコンの格子定数は、５．４３１Åであり、シリコンを基板部材１１として使用した時、（１１１）面にＩＩＩ族窒化物系半導体層３０が形成されると、シリコンの格子間隔は、√２／２倍となり、基板部材１１とＩＩＩ族窒化物系半導体層３０との格子不整合は１７％程度となる。 【００２６】 酸化ハフニウムの格子定数は、ａ＝５．１７２Å，ｂ＝５．２９５Åであり、シリコンの結晶格子に近く、高品質な酸化ハフニウムからなるバッファ層３ａが得られる。又、酸化ハフニウムの格子定数は、シリコンの格子定数よりもやや小さいが、ＩＩＩ族窒化物系半導体層３０の格子定数よりも大きい。酸化ハフニウムとＩＩＩ族窒化物系半導体層３０との格子不整合は１４％程度となり、酸化ハフニウムの結晶性膜をバッファ層（３ａ）として基板部材１１とＩＩＩ族窒化物系半導体層３０との間に介在させた方が、基板部材とＩＩＩ族窒化物系半導体層３０との格子不整合が小さくなる。その結果、高品質のＩＩＩ族窒化物系半導体層３０が得られる。 …（略）… 【００６６】 （構成例４） 本発明の第１の実施形態に係る半導体基板（２ｇ）の別の構成例４は、図４に示すように、半導体基板（２ｇ）において、基板部材１１と、基板部材１１上に形成された酸化ハフニウム，酸化ジルコニウム，或いは酸化ハフニウムジルコニウムからなるバッファ層６０と、バッファ層６０上に配置される周知のＩＩＩ族窒化物系バッファ層７０と、ＩＩＩ族窒化物系バッファ層７０上に配置され、デバイス形成層として機能するＩＩＩ族窒化物系半導体層３０とを備える。バッファ層（３ｇ）は、酸化ハフニウム，酸化ジルコニウム，或いは酸化ハフニウムジルコニウムからなるバッファ層６０とＩＩＩ族窒化物系バッファ層７０で構成される。 【００６７】 基板部材１１は、シリコン、サファイア（α―Ａｌ2Ｏ3）、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）の内、いずれかで形成されるが、これらに限定されるものではなく、ＧａＡｓ，ＧａＰなどのＩＩＩ－Ｖ族化合物、ＭｇＯ、ＺｎＯ、ＬｉＧａＯ2、ＡｌＮ、ＩｎＮ、３Ｃ－ＳｉＣなどを適用することもできる。 …（略）… 【００７９】 酸化ハフニウム、酸化ジルコニウム、或いは酸化ハフニウムジルコニウムを含む結晶性膜をバッファ層６０として基板部材１１とＩＩＩ族窒化物系半導体層３０との間に介在させた方が、基板部材とＩＩＩ族窒化物系半導体層３０との格子不整合が小さくなる。その結果、高品質のＩＩＩ族窒化物系半導体層３０が得られる。」 ｄ　「【０１５０】 ［第３の実施形態］ （ＩＩＩ族窒化物系半導体基板構造を備える半導体装置） 本発明の第３の実施形態に係る半導体装置の構成は、第１の実施の形態におけるいずれかの構成例の半導体基板（２ａ～２ｇ）上に配置され，ＩＩＩ族窒化物系半導体層３０とヘテロ接合を形成し，ＩＩＩ族窒化物系半導体層３０よりもバンドギャップの広いＩＩＩ族窒化物系半導体バリア層３４と、ＩＩＩ族窒化物系半導体バリア層３４上に配置され，ＩＩＩ族窒化物系半導体バリア層３４とオーミック接触するソース電極３５及びドレイン電極３６と、ソース電極３５及びドレイン電極３６間のＩＩＩ族窒化物系半導体バリア層３４上に配置されるゲート電極３７を備える。 【０１５１】 即ち、ＩＩＩ族窒化物系半導体層３０とＩＩＩ族窒化物系半導体バリア層３４とでデバイス形成層を形成している。 【０１５２】 図９の構成例では、基板部材１１と、基板部材１１上に形成され，例えば、酸化ハフニウム層からなるバッファ層６０と、バッファ層６０上に配置され，例えば、ＧａＮ系バッファ層からなるＩＩＩ族窒化物系バッファ層７０と、ＩＩＩ族窒化物系バッファ層７０上に配置され，例えば、ＧａＮ層からなるＩＩＩ族窒化物系半導体層３０と、ＩＩＩ族窒化物系半導体層３０とヘテロ接合を形成し，ＧａＮ層よりもバンドギャップの広いＡｌＧａＮバリア層３４と、ＡｌＧａＮバリア層３４上に配置され、ＡｌＧａＮバリア層３４とオーミック接触するソース電極３５及びドレイン電極３６と、ソース電極３５及びドレイン電極３６間のＡｌＧａＮバリア層３４上に配置されるゲート電極３７を備える。 【０１５３】 ゲート電極３７は、ＡｌＧａＮバリア層３４とショットキーコンタクトを形成する。ゲート電極３７直下のＡｌＧａＮバリア層３４には、ショットキーバリアが形成される。ＧａＮ層からなるＩＩＩ族窒化物系半導体層３０は電子走行層として機能し、ＡｌＧａＮバリア層３４は電子供給層として機能し、ＡｌＧａＮバリア層３４とＩＩＩ族窒化物系半導体層３０との界面近傍に形成される２次元ガス（２ＤＥＧ）におけるキャリアの導通状態を、ゲート電極３７に印加するゲート電圧によって、ショットキーバリアを制御することによって、半導体装置を制御している。 【０１５４】 尚、ゲート電極３７は、ＡｌＧａＮバリア層３４上に絶縁膜を介して配置することによって、ＡｌＧａＮバリア層３４との間にＭＩＳ構造を形成してもよい。この場合には、ショットキーゲートの代りに、ＭＩＳゲートによるソース／ドレイン間導通キャリアの制御が行われる。 【０１５５】 図９の構造において、基板部材１１と、基板部材１１上に配置され，酸化ハフニウム層によって構成されるバッファ層６０と、バッファ層６０上に配置され，ＧａＮ系バッファ層によって構成されるＩＩＩ族窒化物系バッファ層７０と、ＩＩＩ族窒化物系バッファ層７０上に配置され，ＧａＮ層によって構成されるＩＩＩ族窒化物系半導体層３０からなる構成が、本発明の第１の実施の形態に係る半導体基板に相当している。具体的には、図４に示すように、バッファ層（３ｇ）を有する本発明の第１の実施形態に係る半導体基板（２ｇ）の構成例４に対応している。 【０１５６】 本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置に適用される半導体基板の構造は、上記構成例４に限定されるものではなく、本発明の第１の実施の形態において開示された図１乃至図４に示される構成例１乃至構成例４をすべて適用可能である。 …（略）… 【０１６３】 或いは、図４に示す構成例４のように、基板部材１１／バッファ層６０／ＩＩＩ族窒化物系バッファ層７０／ＩＩＩ族窒化物系半導体層３０からなる半導体基板を備えていてもよい。 【０１６４】 基板部材１１は、シリコン、サファイア（α―Ａｌ2Ｏ3）、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）の内、いずれかで形成されるが、これらに限定されるものではなく、ＧａＡｓ，ＧａＰなどのＩＩＩ－Ｖ族化合物、ＭｇＯ、ＺｎＯ、ＬｉＧａＯ2、ＡｌＮ、ＩｎＮ、３Ｃ－ＳｉＣなどを適用することもできる。 …（略）… 【０１６９】 本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置によれば、ＩＩＩ族窒化物系半導体材料のエピタキシャル成長において高品質化と安定化を実現する半導体基板を適用することによって、高周波特性に優れた半導体装置を提供することができる。」 ｅ　「【０１７０】 ［第４の実施形態］ （ＩＩ－ＶＩ族化合物半導体基板構造を備える半導体装置） 本発明の第４の実施形態に係る半導体装置の構成は、第２の実施の形態におけるいずれかの構成例の半導体基板（２ｈ～２ｎ）上に配置され，ＩＩ―ＶＩ族化合物半導体層４０とヘテロ接合を形成し，ＩＩ―ＶＩ族化合物半導体層４０よりもバンドギャップの広いＩＩ―ＶＩ族化合物半導体バリア層４４と、ＩＩ―ＶＩ族化合物半導体バリア層４４上に配置され，ＩＩ―ＶＩ族化合物半導体バリア層４４とオーミック接触するソース電極４５及びドレイン電極４６と、ソース電極４５及びドレイン電極４６間のＩＩ―ＶＩ族化合物半導体バリア層４４上に配置されるゲート電極４７を備える。 【０１７１】 即ち、ＩＩ―ＶＩ族化合物半導体層４０とＩＩ―ＶＩ族化合物半導体バリア層４４とでデバイス形成層を形成している。 【０１７２】 図１０の構成例では、基板部材１１と、基板部材１１上に形成され，例えば酸化ハフニウム層からなるバッファ層６０と、バッファ層６０上に配置され，例えば、ＺｎＯ系バッファ層からなるＩＩ―ＶＩ族化合物半導体バッファ層８０と、ＩＩ―ＶＩ族化合物半導体バッファ層８０上に配置され，例えば、ＺｎＯ層からなるＩＩ―ＶＩ族化合物半導体層４０と、ＩＩ―ＶＩ族化合物半導体層４０上に配置され，ＩＩ―ＶＩ族化合物半導体層４０とヘテロ接合を形成し，ＩＩ―ＶＩ族化合物半導体層４０よりもバンドギャップの広いＺｎＭｇＯバリア層４４と、ＺｎＭｇＯバリア層４４上に配置され，ＺｎＭｇＯバリア層４４とオーミック接触するソース電極４５及びドレイン電極４６と、ソース電極４５及びドレイン電極４６間のＺｎＭｇＯバリア層４４上に配置されるゲート電極４７を備える。 【０１７３】 ゲート電極４７は、ＺｎＭｇＯバリア層４４とショットキーコンタクトを形成する。ゲート電極４７直下のＺｎＭｇＯバリア層４４には、ショットキーバリアが形成される。ＩＩ―ＶＩ族化合物半導体層４０は電子走行層として機能し、ＺｎＭｇＯバリア層４４は電子供給層として機能し、ＺｎＭｇＯバリア層４４とＩＩ―ＶＩ族化合物半導体層４０との界面近傍に形成される２次元ガス（２ＤＥＧ）におけるキャリアの導通状態を、ゲート電極４７に印加するゲート電圧によって、ショットキーバリアを制御することによって、半導体装置を制御している。」 （イ）引用発明 上記「（ア）引用例１」の摘記事項ｄによれば、引用例１には、図９に示される第３の実施形態に係る半導体装置として、以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。 「半導体装置であって、 基板部材１１と、基板部材１１上に形成され、酸化ハフニウム層からなるバッファ層６０と、バッファ層６０上に配置され、ＧａＮ系バッファ層からなるＩＩＩ族窒化物系バッファ層７０と、ＩＩＩ族窒化物系バッファ層７０上に配置され、ＧａＮ層からなるＩＩＩ族窒化物系半導体層３０と、ＩＩＩ族窒化物系半導体層３０とヘテロ接合を形成し、ＧａＮ層よりもバンドギャップの広いＡｌＧａＮバリア層３４と、ＡｌＧａＮバリア層３４上に配置され、ＡｌＧａＮバリア層３４とオーミック接触するソース電極３５及びドレイン電極３６と、ソース電極３５及びドレイン電極３６間のＡｌＧａＮバリア層３４上に配置されるゲート電極３７を備え、 基板部材１１は、シリコン、サファイア（α―Ａｌ2Ｏ3）、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）の内、いずれかで形成され、 ゲート電極３７直下のＡｌＧａＮバリア層３４には、ショットキーバリアが形成され、ＧａＮ層からなるＩＩＩ族窒化物系半導体層３０は電子走行層として機能し、ＡｌＧａＮバリア層３４は電子供給層として機能し、ＡｌＧａＮバリア層３４とＩＩＩ族窒化物系半導体層３０との界面近傍に形成される２次元ガス（２ＤＥＧ）におけるキャリアの導通状態を、ゲート電極３７に印加するゲート電圧によって、ショットキーバリアを制御することによって、当該半導体装置を制御している、半導体装置。」 ウ　対比・判断 （ア）本願補正発明と引用発明を対比する。 ａ　引用発明の「基板部材１１」は、本願補正発明の「基板」に相当する。 また、引用発明の「『ＧａＮ層からなるＩＩＩ族窒化物系半導体層３０』と、『ＩＩＩ族窒化物系半導体層３０とヘテロ接合を形成し、ＧａＮ層よりもバンドギャップの広いＡｌＧａＮバリア層３４』」は、本願補正発明の「ＩＩＩ族窒化物半導体」に相当する。 ｂ　引用発明の半導体装置は、「ゲート電極３７直下のＡｌＧａＮバリア層３４には、ショットキーバリアが形成され、ＧａＮ層からなるＩＩＩ族窒化物系半導体層３０は電子走行層として機能し、ＡｌＧａＮバリア層３４は電子供給層として機能し、ＡｌＧａＮバリア層３４とＩＩＩ族窒化物系半導体層３０との界面近傍に形成される２次元ガス（２ＤＥＧ）におけるキャリアの導通状態を、ゲート電極３７に印加するゲート電圧によって、ショットキーバリアを制御することによって、当該半導体装置を制御している」ものであるから、引用発明において、半導体装置は「電界効果型トランジスタ」であり、ゲート電極３７は「信号入力のため」のゲート電極であることは明らかである。 また、引用発明は、「ソース電極３５及びドレイン電極３６間」のゲート電極３７を備えるものである。 よって、本願補正発明と引用発明とは、「ソース電極及びドレイン電極の間に信号入力のためのゲート電極を夫々設けてある電界効果型トランジスタにおける半導体装置」である点で一致する。 ｃ　引用発明は、「ゲート電極３７直下のＡｌＧａＮバリア層３４には、ショットキーバリアが形成され、ＧａＮ層からなるＩＩＩ族窒化物系半導体層３０は電子走行層として機能し、ＡｌＧａＮバリア層３４は電子供給層として機能し、ＡｌＧａＮバリア層３４とＩＩＩ族窒化物系半導体層３０との界面近傍に形成される２次元ガス（２ＤＥＧ）におけるキャリアの導通状態を、ゲート電極３７に印加するゲート電圧によって、ショットキーバリアを制御することによって、当該半導体装置を制御している」ものであるから、引用発明の「『ＩＩＩ族窒化物系バッファ層７０上に配置され、ＧａＮ層からなるＩＩＩ族窒化物系半導体層３０』と、『ＩＩＩ族窒化物系半導体層３０とヘテロ接合を形成し、ＧａＮ層よりもバンドギャップの広いＡｌＧａＮバリア層３４』」は、本願補正発明の「動作活性層」に相当する。 ｄ　引用発明の「基板部材１１上に形成され、酸化ハフニウム層からなるバッファ層６０と、バッファ層６０上に配置され、ＧａＮ系バッファ層からなるＩＩＩ族窒化物系バッファ層７０」は、本願補正発明の「緩衝層（バッファ層）」に相当する。 また、上記「イ（ア）引用例１」の摘記事項ｂ、ｃを参照すると、引用例１の段落【０００３】には、【背景技術】として、ＩＩＩ族窒化物系半導体（ＧａＮ系半導体）と異種基板部材とは、格子不整合が大きいため、格子不整合を緩和するために、基板部材とエピタキシャル成長層との間に、バッファ構造などを形成するなどの様々な工夫を行っている旨が記載されており、段落【００２６】、【００７９】には実施の形態１に係る半導体基板の構成例１においても、構成例４においても、所定のバッファ層（３ａ、６０）を介在させた方が、基板部材とＩＩＩ族窒化物系半導体層３０との格子不整合が小さくなり、その結果、高品質のＩＩＩ族窒化物系半導体層３０が得られる旨が記載されている。 また、窒化物系薄膜のＳｉ基板、サファイア基板、ＳｉＣ基板上への成長は、窒化物系半導体結晶の格子定数と基板の格子定数とが大きく異なるため、窒化物系半導体薄膜中に欠陥が導入され、その膜特性を低下させることが問題となるので、基板と窒化物系薄膜との間に所定のバッファ層を設けて、該薄膜中の欠陥を少なくすることは技術常識であり、例えば、下記の周知例１及び２に記載されている。 一方、引用発明は、「基板部材１１と、基板部材１１上に形成され、酸化ハフニウム層からなるバッファ層６０と、バッファ層６０上に配置され、ＧａＮ系バッファ層からなるＩＩＩ族窒化物系バッファ層７０と、ＩＩＩ族窒化物系バッファ層７０上に配置され、ＧａＮ層からなるＩＩＩ族窒化物系半導体層３０と、ＩＩＩ族窒化物系半導体層３０とヘテロ接合を形成し、ＧａＮ層よりもバンドギャップの広いＡｌＧａＮバリア層３４」を備え、「基板部材１１は、シリコン、サファイア（α―Ａｌ2Ｏ3）、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）の内、いずれかで形成され」るものであるところ、上記の引用例１の摘記事項から、バッファ層を介在させて、格子不整合が小さくなり、高品質のＩＩＩ族窒化物系半導体層３０が得られるものであるといえるから、引用発明において、バッファ層（バッファ層６０とＩＩＩ族窒化物系バッファ層７０）は、「結晶欠陥低減のためのバッファ層」であるといえる。 （ａ）周知例１：特開２００４－２９６７１７号公報 「【０００２】 【従来の技術】 従来から窒化物系半導体は、青色発光素子やパワー系および高周波電子素子用の材料として注目されてきた。特にサファイア基板上に形成された窒化物薄膜を用いた青色発光素子はすでに実用化されている。窒化物系薄膜の成長については、サファイア基板に限らず、シリコン基板など様々な基板上への成長も試みられている。しかしながら、窒化物系半導体結晶の格子定数と基板（サファイアまたはシリコン）の格子定数とが大きく異なるため、窒化物系半導体薄膜中に欠陥が導入され、その膜特性を低下させることが問題となっている。この問題に関して、基板と窒化物系薄膜との間にバッファ層を設けて、該薄膜中の欠陥を少なくすることが検討されてきており、特に、窒化物系薄膜の膜特性に大きな影響を与えるためにバッファ層が非常に重要となってきた。 【０００３】 例えば、ＩｎＧａＮ膜、ＡｌＧａＮ膜、あるいは組成の異なるＡｌａＧａ１－ａＮ（０≦ａ≦１）の薄膜を積層した多層膜をバッファ層として用いることにより、その上に形成される窒化物系半導体薄膜の結晶欠陥を改善できることが開示されている（特許文献１参照）。 【０００４】 さらに、基板上あるいはＡｌｂＧａ１－ｂＮ（０≦ｂ≦１）バッファ層上に、ＡｌＮ層とＧａＮ層とを交互に成長させた多層膜層を導入することにより、その上に成長する窒化物半導体の結晶性を向上できることが提案されている（特許文献２参照）。 【０００５】 また、ＡｌＧａＮ層とＩｎＧａＮ層とを交互に複数回積層したバッファ層、またはＡｌＮ層とＩｎＧａＮ層とを交互に複数回積層したバッファ層を設けることにより、歪みの発生を防止し、その上にクラックのない良好なＧａＮ系半導体層が形成できることが開示されている（特許文献３参照）。 【０００６】 さらに、高温で成長させたＧａＮ層中に、中間層として低温で成長させたＡｌＮを挿入することにより、その上に形成するＧａＮ系薄膜の結晶欠陥が改善できることが報告されている（非特許文献１参照）。」 「【００２２】 図１は、本発明の第１の実施形態の積層体を示した断面図である。図１中、符号１は基板、２はバッファ層、３は第１窒化物系半導体層を示している。 【００２３】 本発明に用いられる基板１は、Ｓｉ基板、ＧａＡｓ基板、サファイア基板、ＳｉＣ基板、ＺｎＯ基板、ＭｇＯ基板等が通常用いられる。中でもＳｉ基板は、低コストで、大口径化も可能であり、最も好ましく用いられる。 …（略）… 【００２５】 本発明のバッファ層２は、第１のＩＩＩ族窒化物（ＸＮ）層２ａおよび第２のＩＩＩ族窒化物（ＺＮ）層２ｃが交互に成長している多層膜において、ＸＮ／ＺＮおよびＺＮ／ＸＮのそれぞれの界面に、ＸαＺ１－αＮ（０＜α＜１、好ましくは０．３≦α≦０．７、より好ましくは０．４≦α≦０．６）からなる混晶層２ｂが挿入された積層体からなっている。すなわち、本発明のバッファ層２は、ＸＮ／ＸαＺ１－αＮ／ＺＮ／ＸαＺ１－αＮの４層構造を１周期として構成される。バッファ層２は、該４層構造を１つまたは複数有して構成されていてもよく、図１には、２つの該４層構造を有するバッファ層２を示した。 【００２６】 ＸおよびＺは、ＸとＺとが異なる元素であることを条件として、Ａｌ、ＧａおよびＩｎからなる群から選択される。すなわち、（Ｘ，Ｚ）の組合せは、（Ａｌ，Ｇａ）、（Ａｌ，Ｉｎ）、（Ｉｎ，Ｇａ）のいずれかである。例えば、Ｘ＝ＡｌおよびＺ＝Ｇａの場合には、ＡｌＮ／ＧａＮおよびＧａＮ／ＡｌＮのそれぞれの界面にＡｌＧａＮ混晶層を挿入して、ＡｌＮ／ＡｌＧａＮ／ＧａＮ／ＡｌＧａＮなる積層構造をとる。この際に、ＡｌＧａＮ結晶の格子定数は、ＡｌＮ結晶の格子定数とＧａＮ結晶の格子定数との中間の値を採る。したがって、ＡｌＮ／ＡｌＧａＮ界面およびＧａＮ／ＡｌＧａＮ界面における格子定数の差は、ＡｌＮ／ＧａＮ界面における格子定数の差よりも小さくなり、これによって各界面における原子配列の乱れが抑制され、平坦でかつ結晶欠陥の少ない窒化物系半導体層が得られる。（Ｘ，Ｚ）の他の組合せについても同様である。」 （ｂ）周知例２：特開２００５－５６５７号公報 「【０００１】 【ＧａＮ系高周波、高速デバイスの特徴】 ＧａＮ（窒化ガリウム）を初めとする広いバンド帯幅を用いた高周波デバイスは、ＧａＡｓ（ひ化ガリウム）やＳｉ（シリコン）結晶を用いた高周波デバイスよりも、数多くの有利な特性を持っている。この理由は、ＧａＮ系結晶が持つ物性パラメーターが多くの利点を持っているからである。 例えば、ＧａＮのバンドギャップがＳｉ結晶，やＧａＡｓ結晶と比べて３倍程広いことから、その広さに関連して、絶縁破壊電界が約１桁大きくなり、Ｓｉ，ＧａＡｓ，系高周波デバイスよりも高耐圧化が可能なる。その結果、高い電圧を印加して、高電流を流すことが可能となり、高出力化に適している。また比誘電率が１／３程小さいことから、ＧａＮ系高周波デバイスはより高周波動作に向いている。また電子飽和速度が３倍大きいことから、ＧａＮ系デバイスは高周波動作、高出力動作に適している。また熱伝導度がＧａＡｓに比べて３倍大きいことから、熱抵抗が小さくなり、その結果、熱放散がよく大出力化に向いている。 上記のことをまとめると、ＧａＮ系高周波デバイスは、高出力、高効率、高直線性、高利得性、対環境性、に優れている。 【０００２】 【従来技術の問題点】 しかし、生産性、低価格化には問題がある。それは、基板材料として、格子整合したＧａＮバルク結晶の大面積化は困難であり、高額となる、またほぼＧａＮ結晶と格子整合したＳｉＣ結晶は昇華法等の結晶成長で作成されるため、結晶基板ウエハは、やはり高額となる。大面積が得られるサファイヤ結晶基板も大面積が得られるが、高額であるとともに、ＧａＮとの結晶格子整合性が１３％もあり、サファイヤ（Ａｌ２Ｏ３）結晶基板上にエピタキシャル結晶成長した結晶層に結晶欠陥が導入されて、デバイス特性が著しく低下する原因となる。 【０００３】 【解決策の従来からある問題点】 そこで、ＧａＮ系デバイス結晶に、大面積でかつ生産性が高く、ＳｉＣ、やサファイヤ結晶基板に比べて低価格なシリコン結晶基板を用いることにができれば、大幅な大面積化、低価格化をはかることができる。しかしながら、シリコン結晶とＧａＮ結晶とは、サファイヤ結晶同様に、約１４％程の格子不整合性があるため、シリコン結晶基板上にエピタキシャル結晶成長した結晶成長層には多くの結晶欠陥の導入による結晶特性の劣化、あるいは、エピタキシャル結晶成長後に結晶格子不整合による界面歪にともなう結晶基板が“反る“現象が表れる。 【０００４】 【従来の問題点の解決策】 しかし、本特許のＢＰ結晶層をバッファー結晶成長層として、シリコン結晶基板とエピタキシャル結晶動作層間に導入することにより、エピタキシャル結晶動作層中に結晶格子不整合性に伴う結晶欠陥密度が大幅に低減できる、動作層結晶特性が大幅に改善されること、あるいは、結晶成長後の基板の“反り”が全くな事が判明した。その結果、デバイスの高周波特性も、サファイヤやＳｉＣ結晶基板を用いたよりも大幅に改善可能な事が判明した。」 （イ）上記（ア）のａないしｄを勘案すると、本願補正発明と引用発明とは、 「基板上にＩＩＩ族窒化物半導体を形成し、ソース電極及びドレイン電極の間に信号入力のためのゲート電極を夫々設けてある電界効果型トランジスタにおける半導体装置にあって、動作活性層と基板との間に結晶欠陥低減のための緩衝層（バッファ層）を形成してなる半導体装置。」である点で一致し、相違する点はない。 したがって、本願補正発明の構成はすべて引用例１に示されているものであって、本願補正発明は引用発明であることとなる。 よって、本願補正発明は、引用例１に記載された発明であり、特許法第２９条第１項第３号に規定する発明に該当するから、特許出願の際独立して特許を受けることができない。 エ　独立特許要件についてのまとめ 本件補正は、補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合しない。 ３　補正の却下の決定についてのむすび 以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合しないものであるから、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 第３　本願発明について １　本願発明 本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１～１３に係る発明は、出願当初の明細書、特許請求の範囲、及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１～１３に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、その請求項１に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、上記「第２　１　本件補正の内容」の「（補正前）」に記載したとおりである。 ２　引用例の記載と引用発明 原査定の拒絶の理由で引用された、本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開２００８－１８６９５２号公報（引用例１、再掲）には、上記「第２　２（２）イ（ア）引用例１」に記載した事項が記載されており、引用例１には上記「第２　２（２）イ（イ）引用発明」に記載したとおりの引用発明が記載されている。 ３　対比 本願発明と引用発明とを対比する。 （１）引用発明の「基板部材１１」は、本願発明の「基板」に相当する。 また、引用発明の「『ＧａＮ層からなるＩＩＩ族窒化物系半導体層３０』と、『ＩＩＩ族窒化物系半導体層３０とヘテロ接合を形成し、ＧａＮ層よりもバンドギャップの広いＡｌＧａＮバリア層３４』」は、本願発明の「ＩＩＩ族窒化物半導体」に相当するから、本願発明と引用発明とは、「基板上にＩＩＩ族窒化物半導体を形成」する点で共通する。 （２）さらに、上記「第２　２（２）ウ（ア）」のｂないしｄを勘案すると、本願発明と引用発明の一致点及び相違点は次のとおりである。 ＜一致点＞ 「基板上にＩＩＩ族窒化物半導体を形成し、ソース電極及びドレイン電極の間に信号入力のためのゲート電極を夫々設けてある電界効果型トランジスタにおける半導体装置にあって、動作活性層と基板との間に結晶欠陥低減のための緩衝層（バッファ層）を形成してなる半導体装置。」 ＜相違点＞ 基板上に形成した半導体について、本願発明では、「ＩＩＩ族窒化物半導体、もしくは、ＩＩ－ＶＩ族化合物半導体」であるのに対し、引用発明では、「『ＧａＮ層からなるＩＩＩ族窒化物系半導体層３０』と、『ＩＩＩ族窒化物系半導体層３０とヘテロ接合を形成し、ＧａＮ層よりもバンドギャップの広いＡｌＧａＮバリア層３４』」であり、本願発明のような特定はなされていない点。 ４　判断 上記相違点について検討する。 上記「第２　２（２）イ（ア）引用例１」の摘記事項ｅを参照すると、引用例１には、基板部材１１と、ＩＩ―ＶＩ族化合物半導体層４０と、ＩＩ―ＶＩ族化合物半導体層４０上に配置され，ＩＩ―ＶＩ族化合物半導体層４０とヘテロ接合を形成し，ＩＩ―ＶＩ族化合物半導体層４０よりもバンドギャップの広いＺｎＭｇＯバリア層４４とを備える構成例が開示されている。 したがって、引用発明において、基板上に形成した半導体層として、「『ＧａＮ層からなるＩＩＩ族窒化物系半導体層３０』と、『ＩＩＩ族窒化物系半導体層３０とヘテロ接合を形成し、ＧａＮ層よりもバンドギャップの広いＡｌＧａＮバリア層３４』」を、「『ＧａＮ層からなるＩＩＩ族窒化物系半導体層３０と、ＩＩＩ族窒化物系半導体層３０とヘテロ接合を形成し、ＧａＮ層よりもバンドギャップの広いＡｌＧａＮバリア層３４』、もしくは、『ＩＩ―ＶＩ族化合物半導体層４０と、ＩＩ―ＶＩ族化合物半導体層４０上に配置され，ＩＩ―ＶＩ族化合物半導体層４０とヘテロ接合を形成し，ＩＩ―ＶＩ族化合物半導体層４０よりもバンドギャップの広いＺｎＭｇＯバリア層４４』」とすること、すなわち、「ＩＩＩ族窒化物半導体、もしくは、ＩＩ－ＶＩ族化合物半導体」とすることは、当業者であれば適宜なし得たことである。 よって、引用発明において、引用例１に記載の技術上記相違点に係る本願発明の構成を採用することは適宜なし得たことである。 よって、本願発明は、引用発明及び引用例１に記載の技術に基づいて、当業者が容易に発明することができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 第４　むすび 以上のとおりであるから、本願は他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、拒絶をすべきものである。 よって、結論のとおり審決する。