2016-010522

特願２０１４－　９４４１７「合成ダイヤモンド製造のためのマイクロ波プラズマ反応器及び基板」拒絶査定不服審判事件〔平成２６年７月３１日出願公開、特開２０１４－１３９１３７〕について、次のとおり審決する。

【結　論】 本件審判の請求は、成り立たない。

【理　由】 １　手続の経緯 本願は、２０１１年１２月１４日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２０１０年１２月２３日、英国（ＧＢ）、２０１１年２月３日、米国（ＵＳ））を国際出願日とする特願２０１３－５４５１９７号の一部を平成２６年５月１日に新たに特許出願したものであって、平成２７年６月２６日付けで拒絶理由が通知され、同年１０月１日に意見書が提出され、平成２８年３月８日付けで拒絶査定がされ、同年７月１２日に拒絶査定不服審判が請求され、さらに、平成２９年５月１９日付けで当審からの拒絶理由が通知され、同年８月１７日に意見書が提出されたものである。 ２　本願発明 本願の請求項１～１５に係る発明は、願書に添付された特許請求の範囲の請求項１～１５に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明は、次のとおりである。 「【請求項１】 マイクロ波プラズマ反応器に用いられる基板であって、前記基板は、 ＣＶＤダイヤモンドを成長させるべき平坦な成長面及び前記成長面と反対側の平坦な支持面を備えた炭化物形成耐熱金属の円筒形ディスクを含み、 前記円筒形ディスクは、８０ｍｍ以上の直径を有し、 前記成長面は、１００μｍ以下の平坦度ばらつきを有し、 前記支持面は、１００μｍ以下の平坦度ばらつきを有する、基板。」 ３　当審で通知した拒絶理由の概要 当審で通知した平成２９年５月１９日付けの拒絶理由の概要は、次のとおりである。 （１）本願の請求項１に記載された「平坦度ばらつき」が明確でなく、請求項１～１５に係る発明が明確といえないから、本願の特許請求の範囲の記載は特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。（以下、「明確性要件違反」という。） （２）本願の請求項１～１５に係る発明は、発明の詳細な説明の記載により当業者が当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものとはいえず、また、その記載や示唆がなくとも当業者が本願出願時の技術常識に照らし当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものでもなく、発明の詳細な説明に記載された発明であるとはいえないから、本願の特許請求の範囲の記載は特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。（以下、「サポート要件違反」という。） ４　明確性要件違反の検討 （１）請求項１～１５について ア　請求項１に記載された「平坦度ばらつき」に関して、発明の詳細な説明には、「平坦度ばらつき」の定義が記載されていないし、また、「平坦度ばらつき」の定義が技術常識であるともいえない。 そして、「平坦度」との用語に関連し、ＪＩＳ　Ｂ　０６２１に規定する「平面度」（平面形状の幾何学的に正しい平面からの狂いの大きさ）、基板の全厚みのばらつき（ＴＴＶ：total thicknesss variation やＧＢＩＲ：global backsurface-referenced ideal plane/range）、反りの大きさ、表面粗さなどの多様な物理量が知られているところ、「平坦度」がいずれかの物理量を示していると仮定しても、「平坦度ばらつき」が何に対するばらつきを示すものなのか明確でない。 したがって、請求項１に係る発明及びこれを引用する請求項２～１５に係る発明は明確でない。 イ　請求人は、「請求項１に記載された「平坦度ばらつき」の定義は、当業者には明らかである。即ち、「平坦度ばらつき」が幾何学的に完全な平面からのずれのばらつきを意味していることは当業者には明らかである。ここで、「全体の厚さ」のばらつきは、「平坦度ばらつき」ではない。例えば、凸型の表面は一様な厚さを有していたとしても平坦ではない。このように、「平坦度」が、表面が完全な平面からどれだけ外れているかを規定するものであることは明らかである。従って、本願請求項１記載の発明は明確であり、本願の特許法第３６条第６項第２号違反は解消されたものと思料する。」ことを主張している（平成２９年８月１７日付けの意見書の「（３）特許法第３６条第６項第２号違反について」参照）。 しかしながら、請求人の主張するように、「平坦度」が、表面が幾何学的に完全な平面からどれだけ外れているかを規定するものであるとしても、請求項１に記載された「平坦度ばらつき」は依然として明確であるといえない。 すなわち、「平坦度」が、幾何学的に完全な平面からの狂いの大きさを示す、ＪＩＳ　Ｂ　０６２１の「平面度」と同様なものであると仮定すると、ＪＩＳ　Ｂ　０６２１の「平面度」は、「平面形体を幾何学的平行二平面で挟んだとき、平行二平面の間隔が最小となる場合の、二平面の間隔」で定義されるものであり、１つの基板表面（基板成長面又は基板支持面）に対する「平坦度」は、１つの値しか存在しないことになるから、「平坦度」に「ばらつき」は存在しないことになる。 また、１つの基板表面の複数箇所で「平坦度」である幾何学的に完全な平面からずれが測定され、これらのずれのばらつきが「平坦度ばらつき」であると仮定しても、当該測定箇所の選択について、発明の詳細な説明に記載されていないし、技術常識といえない以上、当該ばらつきを測定できないため、「平坦度ばらつき」がいかなるものであるか明らかといえない。しかも、このように定義した「平坦度ばらつき」は、１つの基板表面の複数の測定箇所の「平坦度」のばらつき、すなわち、幾何学的に完全な平面からのずれの一様さを特定するものになって、個々の「平坦度」の大小と無関係なものになるから、「平坦度ばらつき」は、基板表面の平坦性の程度を示すものにならない。 したがって、請求人の主張は採用できない。 ５　サポート要件違反の検討 （１）請求項１～９について ア　発明の詳細な説明の段落【００４７】～【００５３】には、図３に示された「基板温度制御システムを含むプラズマ反応器」について記載されている。 「【図３】 」 また、発明の詳細な説明の段落【００１２】、【００１５】、【００４２】～【００５３】、【００６０】、【００６１】の記載によれば、本願発明の解決しようとする課題は、基板（５）の支持面（２２）と冷却した基板ホルダ（４）の支持面（２０）との間にガス隙間（１８）を設けて、ガス隙間（１８）に中央ガス隙間キャビティを画定し、中央ガス隙間キャビティに留まるガスにより、ガス隙間（１８）の熱伝導率を変更し、ＣＶＤダイヤモンド成長中の基板の成長面周辺温度を中央領域温度より低くなるように制御するＣＶＤダイヤモンドウェーハを製造する方法において、直径８０ｍｍ以上の基板を用いた場合に、基板の端から端までにおける非一様なＣＶＤダイヤモンド成長、ＣＶＤダイヤモンド成長中における基板からのＣＶＤダイヤモンドウェーハの層状剥離並びにＣＶＤダイヤモンドウェーハの成長後の冷却の際の亀裂発生開始及び伝搬という問題が依然として存在することを改善することといえる。 そして、請求項１に係る発明が、発明の詳細な説明に記載された発明であるというためには、請求項１に係る発明が、発明の詳細な説明に記載されており、発明の詳細な説明の記載により、当業者が上記課題を解決できると認識できる範囲のものであることを要する。 そこで検討するに、上記４の明確性要件で検討したように、発明の詳細な説明には、請求項１に記載された「平坦度ばらつき」を有する基板について実質的に記載されているとはいえない。 また、発明の詳細な説明には、「基板の後面の僅かな平坦度のばらつきの結果として、ガス隙間の高さの僅かなばらつきが生じ、この結果、基板全体にわたって冷却度の差が生じるということが判明した。ガス隙間高さのばらつきにより生じる温度のばらつきの結果として、ＣＶＤダイヤモンド成長後の冷却時にＣＶＤダイヤモンドに応力のばらつきが生じ、それにより、ダイヤモンドウェーハが少なくとも成長段階の一部分において亀裂が生じる場合があり、その結果歩留りが減少する。」（段落【００６１】）、「これは、例えば、供給業者により提供される基板の後面を更に処理して基板ホルダの支持面のプロフィールと相補する極めて正確に定められたプロフィールを有するようにすることによって達成できる。例えば、基板ホルダの支持面が平坦である場合、基板ホルダ（当審注：「基板」の誤記と認められる。）の後面は、これは極めて正確に平坦であるように処理されるべきである。」（段落【００６３】）と記載されており、これら記載によれば、基板（５）の支持面（２２）と冷却した基板ホルダ（４）の支持面（２０）との間にガス隙間（１８）を設けて、ガス隙間（１８）に中央ガス隙間キャビティを画定し、中央ガス隙間キャビティに留まるガスにより、ガス隙間（１８）の熱伝導率を変更し、ＣＶＤダイヤモンド成長中の基板の成長面周辺温度を中央領域温度より低くなるように制御するＣＶＤダイヤモンドウェーハを製造する方法において、基板ホルダ（４）の平坦な支持面（２０）に対して、基板（５）の支持面（２２）を平坦にして、ガス隙間（１８）の高さのばらつきを抑えて、基板全体にわたっての冷却度のばらつきを抑えることで、上記課題を解決しているともいえるが、この実施形態では、ガス隙間を形成する基板ホルダの特定なしに、請求項１に係る発明の「基板」のみで上記課題を解決できないことは明らかである。 さらに、基板ホルダとのガス隙間を介して冷却することなく、基板の支持面を平坦にすることのみで、ＣＶＤダイヤモンド形成時の基板の温度分布を調整できることが技術常識であるといえないから、請求項１に係る発明の「基板」のみで上記課題を解決できるとはいえない。 そうしてみると、請求項１に係る発明は、発明の詳細な説明の記載により当業者が当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものとはいえず、また、その記載や示唆がなくとも当業者が本願出願時の技術常識に照らし当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものでもない。 また、請求項２～９に係る発明についても、上記で検討としたことと同様に、発明の詳細な説明の記載により当業者が当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものとはいえず、また、その記載や示唆がなくとも当業者が本願出願時の技術常識に照らし当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものでもない。 したがって、請求項１～９に係る発明は発明の詳細な説明に記載された発明であるとはいえない。 イ　請求人は、「本願明細書段落００８０には、「上述したような基板は、化学気相成長により合成ダイヤモンド膜を製造する方法、特に本発明の第１の観点に従って説明したマイクロ波プラズマ反応器を利用する方法に用いられるのに有利であることが判明した。しかしながら、原理的には、基板を他形式のＣＶＤダイヤモンド反応器にも利用できる。」との記載がある（下線は出願人による）。この記載から明らかなように、本願発明の「基板」は、請求項１に記載されている構成以外の構成がないとしても効果があり、「基板」のみで本願発明の技術課題が解決可能であることは明らかである。」ことを主張している（平成２９年　８月１７日付けの意見書の「（４）特許法第３６条第６項第１号違反について」の「ａ．」参照）。 しかしながら、上記段落【００８０】の記載は、マイクロ波プラズマＣＶＤ以外のＣＶＤ形式の反応器にも利用できることが記載されているのみであり、上記アで検討した基板ホルダを利用しないことは記載されていない。 仮に、上記段落【００８０】に、上記アで検討した基板ホルダを利用しないことが記載されているとしても、そのような場合に、本願請求項１に記載された「基板」にダイヤモンド膜を成長することで、上記アで検討した技術課題を解決できることは、発明の詳細な説明に記載も示唆もなされていないし、また、そのようなことが自明なことであるともいえない。 よって、出願人の主張は採用できない。 （２）請求項１０～１５について ア　請求項１０に係る発明は、「請求項１～９のうちずれか一に記載の基板」を用いた「化学気相成長法を用いて合成ダイヤモンド材料を製造する方法」において、「前記基板の前記成長面上に」「少なくとも８０ｍｍの直径を有する多結晶ダイヤモンドウェーハを形成するよう」に「合成ダイヤモンド材料を成長させる」こと、及び、「前記多結晶ダイヤモンドウェーハは、少なくとも中央領域上に実質的に亀裂のない自立型多結晶ダイヤモンドウェーハを生じさせるよう前記化学気相成長法を完了させた後、冷却時に前記基板から自然発生的に層状に剥離され、前記中央領域は、前記自立型多結晶ダイヤモンドウェーハの面積全体の少なくとも７０％を占め、前記中央領域には、前記自立型多結晶ダイヤモンドウェーハの主要外側フェースの両方と交差すると共に長さ２ｍｍ超にわたって延びる亀裂が存在しない」ことが特定されている。 しかしながら、請求項１０に係る発明は、基板（５）の支持面（２２）と冷却した基板ホルダ（４）の支持面（２０）との間にガス隙間（１８）を設けて、ガス隙間（１８）に中央ガス隙間キャビティを画定し、中央ガス隙間キャビティに留まるガスにより、ガス隙間（１８）の熱伝導率を変更し、ＣＶＤダイヤモンド成長中の基板の成長面周辺温度を中央領域温度より低くなるように制御することも、基板ホルダ（４）の平坦な支持面（２０）に対して、基板（５）の支持面（２２）を平坦にして、ガス隙間（１８）の高さのばらつきを抑えることも特定されておらず、上記（１）アで検討した課題解決手段を特定していない。 したがって、請求項１０に係る発明は、発明の詳細な説明の記載により当業者が当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものとはいえず、また、その記載や示唆がなくとも当業者が本願出願時の技術常識に照らし当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものでもない。 また、請求項１１～１５に係る発明についても、上記で検討したことと同様に、発明の詳細な説明の記載により当業者が当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものとはいえず、また、その記載や示唆がなくとも当業者が本願出願時の技術常識に照らし当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものでもない。 イ　請求人は、「上記のように本願発明の「基板」は、それのみで本願発明の技術課題が解決可能なものである。加えて、非常に平坦な「基板」を使用している本願発明において、本願請求項１０記載の発明の目的に対し「ガス隙間」は本質的なものではなく、本願請求項１０の記載により本願発明の課題解決手段は特定されている。」ことを主張している（平成２９年　８月１７日付けの意見書の「（４）特許法第３６条第６項第１号違反について」の「ｃ．」参照）。 しかしながら、上記（１）イで検討したように、本願発明の「基板」のみで本願発明の技術課題が解決可能であるといえないから、出願人の主張は採用できない。 ５　むすび 以上のとおり、本願は、特許請求の範囲の記載が特許法第３６条第６項第１号及び第２号に規定する要件を満たしていないから、拒絶すべきものである。 よって、結論のとおり審決する。