2016-007264

特願２０１１－２５３３０２「環状化合物、その製造方法、感放射線性組成物及びレジストパターン形成方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年　６月　６日出願公開、特開２０１３－１０７８４１〕について、次のとおり審決する。

【結　論】 本件審判の請求は、成り立たない。

【理　由】 第１　手続の経緯の概要 本願は、平成２３年１１月１８日を出願日とする出願であって、出願後の手続の経緯の概要は次のとおりである。 平成２７年　６月１６日付け　拒絶理由通知 同年　８月　４日　　　意見書・手続補正書の提出 平成２８年　２月２９日付け　拒絶査定 同年　５月１８日　　　拒絶査定不服審判の請求・手続補正書の提　　　　　　　　　　　　　　　出 同年１０月　４日　　　上申書の提出 第２　平成２８年５月１８日付けの手続補正の補正の却下の決定 ［補正の却下の決定の結論］ 平成２８年５月１８日付けの手続補正を却下する。 ［理由］ １　補正の内容 平成２８年５月１８日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は、平成２７年８月４日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１の 「　　【請求項１】 分子量５００～５０００の、式（５）で示されることを特徴とする環状化合物。 【化１】 式（５）中、Ｒ1は、それぞれ独立して、水素原子、シアノ基、ニトロ基、複素環基、ハロゲン原子、置換もしくは無置換の炭素数１～２０の直鎖状脂肪族炭化水素基、置換もしくは無置換の炭素数３～２０の分岐状脂肪族炭化水素基、置換もしくは無置換の炭素数３～２０の環状脂肪族炭化水素基、置換もしくは無置換の炭素数６～２０のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１～２０のアルキルシリル基又は置換もしくは無置換の炭素数２～２０のアルケニル基であり、Ｒ3は水素原子または炭素数１～４のアルキル基であり、Ｒ4は、それぞれ独立して、シアノ基、ニトロ基、複素環基、ハロゲン原子、置換もしくは無置換の炭素数１～２０の直鎖状脂肪族炭化水素基、置換もしくは無置換の炭素数３～２０の分岐状脂肪族炭化水素基、置換もしくは無置換の炭素数３～２０の環状脂肪族炭化水素基、置換もしくは無置換の炭素数６～２０のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１～２０のアルコキシ基又は置換もしくは無置換の炭素数１～２０のアルキルシリル基であり、ｐは０～５の整数である。」 との記載を、 「　　【請求項１】 分子量５００～５０００の、式（５）で示されることを特徴とする環状化合物。 【化１】 式（５）中、Ｒ1は、水素原子であり、Ｒ3は水素原子または炭素数１～４のアルキル基であり、Ｒ4は、それぞれ独立して、シアノ基、ニトロ基、複素環基、ハロゲン原子、置換もしくは無置換の炭素数１～２０の直鎖状脂肪族炭化水素基、置換もしくは無置換の炭素数３～２０の分岐状脂肪族炭化水素基、置換もしくは無置換の炭素数６～２０のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１～２０のアルコキシ基又は置換もしくは無置換の炭素数１～２０のアルキルシリル基であり、ｐは０～５の整数である。」 と補正することを含むものである。 ２　補正の適否 （１）補正の目的 上記補正は、本件補正前に、Ｒ1について「それぞれ独立して、水素原子、シアノ基、ニトロ基、複素環基、ハロゲン原子、置換もしくは無置換の炭素数１～２０の直鎖状脂肪族炭化水素基、置換もしくは無置換の炭素数３～２０の分岐状脂肪族炭化水素基、置換もしくは無置換の炭素数３～２０の環状脂肪族炭化水素基、置換もしくは無置換の炭素数６～２０のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１～２０のアルキルシリル基又は置換もしくは無置換の炭素数２～２０のアルケニル基」であったのを、「水素原子」に、Ｒ4について「それぞれ独立して、シアノ基、ニトロ基、複素環基、ハロゲン原子、置換もしくは無置換の炭素数１～２０の直鎖状脂肪族炭化水素基、置換もしくは無置換の炭素数３～２０の分岐状脂肪族炭化水素基、置換もしくは無置換の炭素数３～２０の環状脂肪族炭化水素基、置換もしくは無置換の炭素数６～２０のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１～２０のアルコキシ基又は置換もしくは無置換の炭素数１～２０のアルキルシリル基」であったのを、「それぞれ独立して、シアノ基、ニトロ基、複素環基、ハロゲン原子、置換もしくは無置換の炭素数１～２０の直鎖状脂肪族炭化水素基、置換もしくは無置換の炭素数３～２０の分岐状脂肪族炭化水素基、置換もしくは無置換の炭素数６～２０のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１～２０のアルコキシ基又は置換もしくは無置換の炭素数１～２０のアルキルシリル基」にそれぞれ限定するものである。 そして、本件補正の前後において、発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題は同一である。 したがって、上記補正は、特許法第１７条の２第５項第２号に規定される特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。 そこで、本件補正後の請求項１に記載されている事項により特定される発明（以下「本件補正後発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か（特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するか否か）について検討する。 （２）独立特許要件について ア　引用刊行物 刊行物１：国際公開第２０１１／１１８７２６号（原査定の拒絶理由に引用された引用文献１） イ　引用刊行物の記載事項 刊行物１には、以下の記載がある。 １ａ）「フェノール性水酸基を１分子中に２個以上有し、フェノール性水酸基のオルト位にヒドロキシメチル基、及びアルコキシメチル基よりなる群から選択される１種以上の置換基を１分子中に１個以上有する分子量４００～２５００のフェノール性化合物（Ａ）を含有するネガ型レジスト組成物であって、当該ネガ型レジスト組成物の全固形分中における前記フェノール性化合物（Ａ）の含有量が７０重量％以上である、ネガ型レジスト組成物。」（請求項１） １ｂ）「[0136]＜合成例１＞ １０重量％水酸化カリウム水溶液２０ｍＬとエタノール２０ｍＬからなる溶液に、下記化学式（１０）で表されるフェノール性化合物（母核化合物：Ｐｒｅ－１）（ＴＥＰ－ＢＯＣＰ：旭有機材工業株式会社）５．８ｇ（１０ｍｍｏｌ）を加え、室温で攪拌、溶解した。この溶液に３７％ホルマリン水溶液１４．０ｍＬ（１６０ｍｍｏＬ）を室温下でゆっくりと加えた。更に、窒素雰囲気下、４０℃で２４時間攪拌した後、ビーカー中の水２００ｍＬに投入した。これを氷浴にて冷却しながら２．０ｗｔ％酢酸水溶液をｐＨ５．０になるまでゆっくりと加えた。析出物をろ別し、十分に水洗浄した後、乾燥し、ヒドロキシメチル基の数が４～８個導入されたフェノール性化合物の混合物（Ａ－０１Ｍ）を得た。精製は、高速液体クロマトグラフィーにて行い、下記化学式（１１）で表されるフェノール性化合物１（Ａ－０１）を４．８ｇ得た。 得られたフェノール性化合物１（Ａ－０１）の構造確認は、１Ｈ‐ＮＭＲスペクトル及びＭＡＬＤＩ－ＴＯＦ　ＭＳより行った。ガラス転移温度は、示差走査熱量測定より求めた。分析結果を表１に示す。 [0137][化15] [0138][化16] 」 １ｃ）「[0154]＜合成例１０＞ 窒素雰囲気下、３００ｍＬ三口フラスコ中、レゾルシノール１１．０ｇ（０．１ｍｏｌ）をエタノール４００ｍＬに溶解した。これにベンズアルデヒド１０．２ｍＬ（０．１ｍｏｌ）を加え、次いで、濃塩酸２０ｍＬをゆっくりと滴下し、７５℃で１２時間反応させた。反応後、反応溶液を氷浴にて冷却し、析出した結晶をろ別後、中性になるまで蒸留水で洗浄、乾燥し、淡黄色の下記化学式（２１）で表されるフェノール性化合物（Ｐｒｅ－１０）を９．２ｇ得た。 前記合成例１において、フェノール性化合物（Ｐｒｅ－１）を用いる代わりに、下記化学式（２１）で表されるフェノール性化合物（Ｐｒｅ－１０）０．８ｇ（１ｍｍｏｌ）を用い、３７％ホルマリン水溶液の添加量を０．７ｍＬ（８ｍｍｏＬ）、反応温度を５℃に変更した以外は、合成例１と同様にして、下記化学式（２２）で表されるフェノール性化合物１０（Ａ－１０）を合成した。その結果、薄黄色の化合物を０．７ｇ得た。 得られたフェノール性化合物１０（Ａ－１０）の構造確認は、１Ｈ‐ＮＭＲスペクトル及びＭＡＬＤＩ－ＴＯＦ　ＭＳより行った。ガラス転移温度は、示差走査熱量測定より求めた。分析結果を表２に示す。 [0155] [化26] [0156][化27] 」 １ｄ）「[0175][表1] [0176][表2] [0177]＜フェノール性化合物の溶剤溶解性の評価＞ 上記合成例１～１５で得られたフェノール性化合物（Ａ－０１～Ａ－１５）と、比較フェノール性化合物（ＣＡ－０１、ＣＡ－０２）を代表的な下記レジスト用溶剤に２３℃で１ｗｔ％の濃度、又は５ｗｔ％の濃度になるよう加え、攪拌を行った。２３℃で５ｗｔ％の濃度でパターン形成材料が溶解したものを◎、１ｗｔ％の濃度でパターン形成材料が溶解したものを○、不溶であったものを×として評価した。なお、結果を表３に示す。 （Ｄ）－１　：　プロピレングリコールモノメチルエーテル （Ｄ）－２　：　プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート （Ｄ）－３　：　シクロペンタノン [0178][表3] [0179]　表３に示されるように、本発明で用いられるフェノール性化合物（Ａ－０１～Ａ－１５）は、レジスト用溶剤に対する溶解性に優れていることが明らかにされた。一方、比較フェノール性化合物（ＣＡ－０１、ＣＡ－０２）は、特定の溶剤にしか溶けないことが明らかにされた。 [0180]［実施例Ｉシリーズ：化学増幅型ネガ型レジスト組成物］ （実施例Ｉ－１～Ｉ－４０及び比較例Ｉ－１～Ｉ－４） フェノール性化合物（Ａ）、酸発生剤（Ｂ）、塩基性化合物（Ｃ）、及び有機溶剤（Ｄ）、並びに実施例Ｉ－３３においては本発明に係るフェノール性化合物（Ａ）に加えて、フェノール性化合物（Ａ）とは異なるフェノール性化合物（Ｐｒｅ－１）を、表４に記載の配合量で均一溶液にし、各試料溶液を０．１μｍのテフロン（登録商標）フィルターでろ過して、実施例Ｉ－１～Ｉ－４０のネガ型レジスト組成物を調製した。実施例Ｉ－９においては、合成例１で得られたフェノール性化合物の混合物（Ａ－０１Ｍ）を用いた。 [0181]　比較例Ｉ－１では、フェノール性水酸基のオルト位にヒドロキシメチル基を有しないフェノール性化合物（Ｐｒｅ－１）をフェノール性化合物として用い、架橋剤としてフェノール性水酸基のオルト位にヒドロキシメチル基を有する比較フェノール性化合物（ＣＡ－０１）を用いた。当該、フェノール性化合物（Ｐｒｅ－１）、比較フェノール性化合物（ＣＡ－０１）、酸発生剤（Ｂ）、塩基性化合物（Ｃ）、及び有機溶剤（Ｄ）を、表４に記載の配合量で均一溶液にし、各試料溶液を０．１μｍのテフロン（登録商標）フィルターでろ過して、比較例Ｉ－１のネガ型レジスト組成物を調製した。　比較例Ｉ－２では、実施例Ｉ－１において、フェノール性化合物（Ａ）を用いる代わりに、フェノール性水酸基のオルト位にヒドロキシメチル基を有するが、分子量が３４８である比較フェノール性化合物（ＣＡ－０１）を用いた以外は実施例Ｉ－１と同様にして比較例Ｉ－２のネガ型レジスト組成物を調製した。 比較例Ｉ－３では、実施例Ｉ－１において、フェノール性化合物（Ａ）を用いる代わりに、フェノール性水酸基のオルト位にヒドロキシメチル基を有するが、重量平均分子量が２８６０である比較フェノール性化合物（ＣＡ－０２）を用いた以外は実施例Ｉ－１と同様にして比較例Ｉ－３のネガ型レジスト組成物を調製した。 比較例Ｉ－４では、比較例Ｉ－１と同様に、フェノール性水酸基のオルト位にヒドロキシメチル基を有しないフェノール性化合物（Ｐｒｅ－１）をフェノール性化合物として用い、架橋剤として本発明に係るフェノール性化合物（Ａ）を少量用いて、表４に記載の配合量で比較例Ｉ－１と同様にしてネガ型レジスト組成物を調製した。 [0182]　なお、表４中の略号は以下の意味を有する。 （Ｂ）－１　：　トリフェニルスルホニウムトリフルオロメチルスルホネート （Ｂ）－２　：　ジフェニル－２，４，６－トリメチルフェニルスルホニウムｐ－トルエンスルホナート （Ｂ）－３　：　トリフェニルスルホニウムシクロヘキサフルオロプロパン－１，３－ビス（スルホニル）イミド （Ｂ）－４　：　ジフェニルヨードニウムｐ－トルエンスルホナート （Ｃ）－１　：　トリ－ｎ－オクチルアミン （Ｃ）－２　：　トリベンジルアミン （Ｃ）－３　：　２，４，５‐トリフェニルイミダゾール （Ｄ）－１　：　プロピレングリコールモノメチルエーテル （Ｄ）－２　：　プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート （Ｄ）－３　：　シクロペンタノン 現像液　：　テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液 [0183] [表4] [0184]＜レジストパターンの作成及び評価方法＞ 上記実施例Ｉ－１～Ｉ－４０及び比較例Ｉ－１～Ｉ－４で得られたレジスト組成物を用いて、以下に示す方法でレジストパターンを作成し、評価を行った。なお、結果を表５に示す。 [0185]（１）レジストの塗布 各レジスト組成物を、６インチシリコン基板上にスピンナーを用いて、均一に塗布し、１００℃で６０秒間プリベーク処理（ＰＡＢ）を行い、膜厚５０ｎｍのレジスト膜を形成した。良好なレジスト膜が形成されたものを○、はじきなどにより良好な膜形成が困難であったものを×とした。 [0186]（２）レジストパターンの作成 上記の各レジスト膜に対し、電子線描画装置（加速電圧１００ＫｅＶ）を用いて描画を行った。描画終了後、１００℃で６０秒間ベーク処理（ＰＥＢ）を施した後、ＴＭＡＨ水溶液（２３℃）で６０秒間現像処理し、純水にて６０秒間リンス処理を行い、ラインアンドスペース（Ｌ／Ｓ）パターンを形成した。 [0187]（３）評価方法 〔感度、解像力、ラインエッジラフネス〕 感度及びラインエッジラフネス（ＬＥＲ）は、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）（ホロン社製）により測定した。感度は１００ｎｍのＬ／Ｓパターンが１：１に形成される最少照射量を感度としてμＣ／ｃｍ２単位で測定した。また、その照射量における限界解像力（ライン及びスペースが分離解像）を解像力とした。ＬＥＲは、１００ｎｍのＬ／Ｓパターンの長手方向のエッジ０．７μｍの範囲について、ライン幅を５００ポイント測定し、標準偏差を求め、３σを算出した。 [0188] [表5] [0189]＜結果のまとめ＞ レジスト基質に架橋性基を導入した、レジスト基質兼架橋剤のフェノール性化合物（Ａ）を７０重量％以上用いた実施例Ｉ－１～Ｉ－４０のレジスト組成物では、従来のように、レジスト基質と架橋剤を混合した比較例Ｉ－１や比較例Ｉ－４と比較して、レジスト膜が均一となりラインエッジラフネス（ＬＥＲ）が低下（改善）することが明らかにされた。 ・・・ [0190]　また、・・・。 また、実施例Ｉ－２３及びＩ－２４、並びに、実施例Ｉ－２６及びＩ－２７を比較すると、溶解性の高い溶媒（プロピレングリコールモノメチルエーテル）で調製した実施例Ｉ－２３、実施例Ｉ－２６の方が、それぞれＬＥＲがより低くなることが明らかにされた。」 ウ　引用刊行物に記載された発明 刊行物１には、 で表される化合物の合成例、分析結果、溶剤溶解性、該化合物を用いた化学増幅型ネガ型レジスト組成物、該組成物を用いたレジストパターン及びその評価についての記載がある（摘示１ａ～１ｄ）から、刊行物１には、化学式（２２）で表される化合物が製造方法を伴って記載されているといえ、該化合物の分子量は９１２．９７と記載されている（摘示１ｄ、表２、合成例１０の欄参照）。 したがって、刊行物１には、 「分子量９１２．９７の化学式 で表される化合物」の発明（以下「引用発明」という。また、引用発明の化合物を「引用化合物」という。）が記載されているといえる。 エ　対比・判断 本件補正後発明と引用発明とを対比する。 引用化合物は、本件補正後発明の式（５）において、Ｒ１＝Ｒ３＝水素原子、ｐ＝０である化合物に相当する。また、引用化合物の分子量は９１２．９７であり、本件補正後発明の分子量５００～５０００に該当する。 してみると、本件補正後発明と引用発明とは、 「分子量５００～５０００の、式（５）で示されることを特徴とする環状化合物。 【化１】 式（５）中、Ｒ1は、水素原子であり、Ｒ3は水素原子または炭素数１～４のアルキル基であり、Ｒ4は、それぞれ独立して、シアノ基、ニトロ基、複素環基、ハロゲン原子、置換もしくは無置換の炭素数１～２０の直鎖状脂肪族炭化水素基、置換もしくは無置換の炭素数３～２０の分岐状脂肪族炭化水素基、置換もしくは無置換の炭素数６～２０のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１～２０のアルコキシ基又は置換もしくは無置換の炭素数１～２０のアルキルシリル基であり、ｐは０～５の整数である。」である点で一致し、相違する点はない。 したがって、本件補正後発明は、刊行物１に記載された発明である。 オ　独立特許要件についてのまとめ 以上のとおりであるから、本件補正後発明は、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができるものでなく、特許出願の際独立して特許を受けることができるものではない。 （３）補正の適否についてのまとめ したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反する。 ３　まとめ 以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 第３　本願発明 上記第２のとおり、平成２８年５月１８日付けの手続補正は却下されたのので、本願の請求項１～１５に係る発明は、平成２７年８月４日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１～１５に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、請求項１に係る発明（以下「本願発明」ともいう。）は以下のとおりである。 「分子量５００～５０００の、式（５）で示されることを特徴とする環状化合物。 【化１】 式（５）中、Ｒ1は、それぞれ独立して、水素原子、シアノ基、ニトロ基、複素環基、ハロゲン原子、置換もしくは無置換の炭素数１～２０の直鎖状脂肪族炭化水素基、置換もしくは無置換の炭素数３～２０の分岐状脂肪族炭化水素基、置換もしくは無置換の炭素数３～２０の環状脂肪族炭化水素基、置換もしくは無置換の炭素数６～２０のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１～２０のアルキルシリル基又は置換もしくは無置換の炭素数２～２０のアルケニル基であり、Ｒ3は水素原子または炭素数１～４のアルキル基であり、Ｒ4は、それぞれ独立して、シアノ基、ニトロ基、複素環基、ハロゲン原子、置換もしくは無置換の炭素数１～２０の直鎖状脂肪族炭化水素基、置換もしくは無置換の炭素数３～２０の分岐状脂肪族炭化水素基、置換もしくは無置換の炭素数３～２０の環状脂肪族炭化水素基、置換もしくは無置換の炭素数６～２０のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１～２０のアルコキシ基又は置換もしくは無置換の炭素数１～２０のアルキルシリル基であり、ｐは０～５の整数である。」 第４　原査定の拒絶理由 原査定の拒絶理由のうち理由１は次のとおりである。 「１．（新規性）この出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。」 また、拒絶理由通知書に、理由１についての具体的な指摘事項、刊行物について以下の記載がある。 「●理由１、２について ・請求項　　　１～１８ ・引用文献等　１ ・備考 引用文献１（合成例１０、１１、特許請求の範囲等）には、レジスト組成物に含有させて用いるフェノール性化合物として、本願式（１）に該当する化合物が記載されている。 したがって、本願上記請求項に係る発明は、引用文献１に記載された発明である。」 「　　　　　　　　　　　＜引用文献等一覧＞ １.国際公開第２０１１／１１８７２６号」 第５　当審の判断 当審は、原査定の拒絶理由のとおり、本願発明は、引用文献１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができないと判断する。 その理由は以下のとおりである。 １　引用刊行物 刊行物１：国際公開第２０１１／１１８７２６号（原査定の拒絶理由に引用された引用文献１） ２　引用刊行物の記載 刊行物１には、上記第２の２の（２）のイで示したとおりの記載がある。 ３　引用刊行物に記載された発明 刊行物１には、上記第２の２の（２）のウで示したとおりの以下の発明（引用発明、該発明の化合物は引用化合物）が記載されていると認める。 「分子量９１２．９７の化学式 で表される化合物」 ４　対比・判断 本願発明と引用発明とを対比する。 引用化合物は、本願発明の式（５）において、Ｒ１＝Ｒ３＝水素原子、ｐ＝０である化合物に相当する。また、引用化合物の分子量は９１２．９７であり、本願発明の分子量５００～５０００に該当する。 してみると、本願発明と引用発明とは、 「分子量５００～５０００の、式（５）で示されることを特徴とする環状化合物。 【化１】 式（５）中、Ｒ1は、それぞれ独立して、水素原子、シアノ基、ニトロ基、複素環基、ハロゲン原子、置換もしくは無置換の炭素数１～２０の直鎖状脂肪族炭化水素基、置換もしくは無置換の炭素数３～２０の分岐状脂肪族炭化水素基、置換もしくは無置換の炭素数３～２０の環状脂肪族炭化水素基、置換もしくは無置換の炭素数６～２０のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１～２０のアルキルシリル基又は置換もしくは無置換の炭素数２～２０のアルケニル基であり、Ｒ3は水素原子または炭素数１～４のアルキル基であり、Ｒ4は、それぞれ独立して、シアノ基、ニトロ基、複素環基、ハロゲン原子、置換もしくは無置換の炭素数１～２０の直鎖状脂肪族炭化水素基、置換もしくは無置換の炭素数３～２０の分岐状脂肪族炭化水素基、置換もしくは無置換の炭素数３～２０の環状脂肪族炭化水素基、置換もしくは無置換の炭素数６～２０のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１～２０のアルコキシ基又は置換もしくは無置換の炭素数１～２０のアルキルシリル基であり、ｐは０～５の整数である。」である点で一致し、相違する点はない。 したがって、本願発明は、刊行物１に記載された発明である。よって、本願発明は、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。 ５　平成２８年１０月４日付けの上申書について 審判請求人は、平成２８年１０月４日付けの上申書において、 「５．減縮補正案について 上述したように、審判請求人は、審判請求時の補正により、本願発明は進歩性を有するものの、依然として新規性違反及び拡大先願についての拒絶理由が解消していないものと思料します。 そのため、補正を行う機会をいただけるのであれば、上記拒絶理由を解消するべく、本願請求項１における式（５）の化合物中のｐについて、「０～５の整数」から「１～５の整数」へと減縮する補正を考えております。ご検討の程、お願い申し上げます。」 と記載している。 しかしながら、刊行物１に記載の合成例１０に記載の化合物又は化学式（２２）に記載の化合物に基づいて請求項１に係る発明の新規性が否定されることは、平成２７年６月１６日付けの拒絶理由通知、平成２８年２月２９日付けの拒絶査定のいずれにおいても指摘されており、すでに二度の補正の機会があったこと、また、拒絶査定不服審判において請求人が補正をすることができるのは、審判請求と同時に補正をする場合を除いては、審判合議体において，拒絶査定と異なる理由で拒絶すべき旨の審決をしようとする場合に限られるのであって、補正案の記載された上申書を提出したからといって、審判合議体において、請求人の提出した補正案の記載された上申書の内容を、当然に審理の対象として手続を進めなければならないものではないと考えられること（知財高裁平成２２年（行ケ）１０１９０号参照）に鑑みれば、請求人が提出した補正案を記載した上申書に基づいて補正の機会を与える必要はないと判断する。 第６　むすび 以上のとおり、本願発明は、刊行物１に記載された発明であり、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができないから、その余の点を検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。 よって、結論のとおり審決する。