2016-004266

特願２０１３－５３９８４０「多接合型太陽電池に関してＩｎＰ格子定数を有する広バンドギャップのタイプＩＩトンネル接合」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年　５月２４日国際公開、ＷＯ２０１２／０６７７１５、平成２５年１１月２８日国内公表、特表２０１３－５４３２７８〕について、次のとおり審決する。

【結　論】 本件審判の請求は、成り立たない。

【理　由】 第１　手続の経緯 本願は、２０１１年（平成２３年）９月２３日（パリ条約による優先権主張　２０１０年（平成２２年）１１月１９日（以下、「優先日」という。）米国）を国際出願日とする出願であって、その手続の経緯は以下のとおりである。 平成２６年　９月２２日　　　手続補正書の提出 平成２７年　５月１５日付け　拒絶理由の通知 平成２７年　８月　６日　　　意見書、手続補正書の提出 平成２７年１１月１６日付け　拒絶査定（同年同月２４日送達） 平成２８年　３月２２日　　　審判請求、手続補正書の提出 平成２８年　５月２６日付け　前置報告 平成２８年　８月　５日　　　上申書の提出 第２　平成２８年３月２２日付け手続補正についての補正の却下の決定 ［結論］ 平成２８年３月２２日付け手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。 ［理由］ １　補正の内容 本件補正は、特許請求の範囲を補正するものであり、そのうち特許請求の範囲の請求項１について、本件補正前（平成２７年８月６日付けの手続補正書）の請求項１に、 「トンネル接合であって、 ｐドープトンネル層と、 ｎドープトンネル層と、を備え、 当該トンネル接合は、ＩｎＰ格子定数を有し、 前記ｐドープトンネル層は、ｐドープＡｌ（Ｇａ）ＩｎＡｓ材料であり、 前記ｎドープトンネル層は、ＩｎＰ，ＧａＩｎＰＡｓ，ＡｌＡｓＳｂ，ＡｌＩｎＡｓＳｂ，及びＡｌＩｎＰＡｓから成るグループから選択されるｎドープ材料であり、 前記ｐドープトンネル層及び前記ｎドープトンネル層は、１ｘ１０１９／ｃｍ３～１ｘ１０２０／ｃｍ３のドープ濃度を有する、トンネル接合。」 とあったものを、 「トンネル接合であって、 ｐドープトンネル層と、 ｎドープトンネル層と、を備え、 当該トンネル接合は、ＩｎＰ格子定数を有し、 前記ｐドープトンネル層は、ｐドープＡｌ（Ｇａ）ＩｎＡｓ材料であり、 前記ｎドープトンネル層は、ＩｎＰ，ＧａＩｎＰＡｓ，ＡｌＡｓＳｂ，ＡｌＩｎＡｓＳｂ，及びＡｌＩｎＰＡｓから成るグループから選択されるｎドープ材料であり、 前記ｐドープトンネル層及び前記ｎドープトンネル層は、１ｘ１０１９／ｃｍ３～１ｘ１０２０／ｃｍ３のドープ濃度を有し、 前記ｐドープトンネル層は、１．２５ｅＶ以上のバンドギャップを有し、前記ｎドープトンネル層は、１．３５ｅＶ以上のバンドギャップを有する、トンネル接合。」 と補正することを含むものである（なお、下線は補正箇所を示すために請求人が付したものである。）。 ２　補正の適否 補正前の「ｐドープトンネル層」及び「ｎドープトンネル層」について、「前記ｐドープトンネル層は、１．２５ｅＶ以上のバンドギャップを有し、前記ｎドープトンネル層は、１．３５ｅＶ以上のバンドギャップを有する」と限定する補正は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。 そこで、補正後の請求項１に記載された発明（以下、「本件補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かについて以下に検討する。 （１）本件補正発明 本件補正発明は、上記１に本件補正後の請求項１として記載されたとおりのものである。 （２）引用例の記載事項、引用発明、技術事項 ア　引用例の記載事項 原査定の拒絶の理由で引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である「Ｙ．Ｇｕ，Ｈｉｇｈ－ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ　ＩｎＰ　ｂａｓｅｄ　ｆｏｕｒ－ｊｕｎｃｔｉｏｎ　ｓｏｌａｒ　ｃｅｌｌｓ，１６ＴＨ　ＡＮＮＵＡＬ　ＭＥＥＴＩＮＧ　ＯＦ　ＴＨＥ　ＩＥＥＥ　ＬＡＳＥＲＳ　＆　ＥＬＥＣＴＲＯ－ＯＰＴＩＣＳ　ＳＯＣＩＥＴＹ　（ＬＥＯＳ　２００３），米国，ＩＥＥＥ，２００３年１０月２６日，Ｖ２，ｐｐ．９２７－９２８」には、図面とともに、次の記載がある。また、原文の引用の後に日本語訳（当審訳）を記載する（下線は当審で付したものである。）。 （ア）「In the paper, ternary and quaternary alloys between III-V compounds AlAsSb(l.9leV), AlInAs(l.5eV),AlGaInAs(l.0eV) and InGaAs(0.75eV) material system, which are lattice matched to InP substrate, is proposed for multi junction solar cells of high efficiency. 」（第９２７頁本文　第３行～５行） （本紙では、ＩＩＩ－Ｖ族化合物であるＡｌＡｓＳｂ（１．９１ｅＶ）、ＡｌＩｎＡｓ（１．５ｅＶ）、ＡｌＧａＩｎＡｓ（１．０ｅＶ）とＩｎＧａＡｓ（０．７５ｅＶ）材料系との間がＩｎＰ基板に格子整合された三元または四元の合金が、高効率の多接合型太陽電池のために提案されている。） （イ）「Fig. 1(a) shows the basic structure of the proposed four-junction solar cells. Doping level and thickness of each solar cell epitaxial layers are modeled and optimized to obtain maximal theoretical efficiency.」（第９２７頁本文第９行～１０行） （図１（ａ）は、提案された４接合太陽電池の基本構造を示している。各太陽電池のエピタキシャル層のドーピングレベルおよび厚さは、最大の理論的効率を得るためにモデル化されて最適化される。 ） （ウ） 「 」 （第９２７頁図１（ａ）） （エ） 「 」（第９２８頁図４（左図）） （オ）「Figure 4: the structure and I-V curve of tunnel junction. X: 0.2V/Div, Y: 0.2mA/Div; R=4.76x102 O・cm2,Jp=36.8A/cm2」（第９２８頁図４注釈） (図4:　トンネル接合の構造と I-V曲線 X: 0.2V/Div, Y: 0.2mA/Div; R=4.76x102 O・cm2,Jp=36.8A/cm2） （カ）「And we also demonstrated a working tunnel device, which Jp is 36.8A/cm2 and the series resistance is 4.76x10-2O・cm2 . 」（第９２８頁図４下本文　第４行～５行） （また、Ｊｐが３６．８Ａ／ｃｍ２で直列抵抗が４．７×１０－２Ｏ・ｃｍ２のトンネルデバイスの動作を説明した。） イ　引用発明 図１の記載から、「ｐ＋＋－Ｂａｎｄｇａｐ＞１．９１ｅＶ」の層及び「ｎ＋＋－Ｂａｎｄｇａｐ＞１．９１ｅＶ」の層からなるトンネル接合を介して接合される多接合型太陽電池が見て取れる。これらのことから、引用例には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。 「「ｐ＋＋－Ｂａｎｄｇａｐ＞１．９１ｅＶ」の層及び「ｎ＋＋－Ｂａｎｄｇａｐ＞１．９１ｅＶ」の層からなるトンネル接合を介して接合され、ＩｎＰ基板に格子整合された多接合型太陽電池。」 ウ　技術事項 また、引用例には、トンネルデバイスの動作を説明する図である図４から、「ｐ＋－ＡｌＩｎＡｓ］の層及び「ｎ＋－ＩｎＰ」の層からなるトンネル接合において、それぞれの層について、「１ｅ１９」である、つまり「ドープ濃度が１×１０１９／ｃｍ３」のものが用いられたことが見て取れる。よって、引用例には、次の技術事項が記載されていると認められる。 「「ｐ＋－ＡｌＩｎＡｓ］の層及び「ｎ＋－ＩｎＰ」の層からなるトンネル接合において、それぞれの層について、「ドープ濃度が１×１０１９／ｃｍ３」のものが用いられた。」 （３）対比 ア　本件補正発明と引用発明とを対比する。 引用発明の「ｐ＋＋－Ｂａｎｄｇａｐ＞１．９１ｅＶ」の層及び「ｎ＋＋－Ｂａｎｄｇａｐ＞１．９１ｅＶ」の層は、それぞれ本件補正発明の「ｐドープトンネル層」及び「ｎドープトンネル層」に相当し、また、引用発明の「Ｂａｎｄｇａｐ＞１．９１ｅＶ」は、バンドギャップが１．９１ｅＶより大きいことを意味するから、引用発明の「ｐ＋＋－Ｂａｎｄｇａｐ＞１．９１ｅＶ」の層及び「ｎ＋＋－Ｂａｎｄｇａｐ＞１．９１ｅＶ」の層からなるトンネル接合を介して接合され、ＩｎＰ基板に格子整合され」ていることは、本件補正発明の「当該トンネル接合は、ＩｎＰ格子定数を有し」、「前記ｐドープトンネル層は、１．２５ｅＶ以上のバンドギャップを有し、前記ｎドープトンネル層は、１．３５ｅＶ以上のバンドギャップを有する」ことに相当する。 イ　以上のことから、本件補正発明と引用発明の一致点及び相違点は、次のとおりである。 （ア）一致点 「トンネル接合であって、 ｐドープトンネル層と、 ｎドープトンネル層と、を備え、 当該トンネル接合は、ＩｎＰ格子定数を有し、 前記ｐドープトンネル層は、１．２５ｅＶ以上のバンドギャップを有し、前記ｎドープトンネル層は、１．３５ｅＶ以上のバンドギャップを有する、トンネル接合。」 （イ）相違点 本件補正発明は「前記ｐドープトンネル層は、ｐドープＡｌ（Ｇａ）ＩｎＡｓ材料であり、前記ｎドープトンネル層は、ＩｎＰ，ＧａＩｎＰＡｓ，ＡｌＡｓＳｂ，ＡｌＩｎＡｓＳｂ，及びＡｌＩｎＰＡｓから成るグループから選択されるｎドープ材料であり、前記ｐドープトンネル層及び前記ｎドープトンネル層は、１ｘ１０１９／ｃｍ３～１ｘ１０２０／ｃｍ３のドープ濃度を有し」ているのに対し、引用発明は層の材料及びドープ濃度が特定されていない点。 （４）判断 以下、相違点を検討する。 引用例のトンネルデバイスの動作を説明する図である図４には、「「ｐ＋－ＡｌＩｎＡｓ］の層及び「ｎ＋－ＩｎＰ」の層からなるトンネル接合において、それぞれの層について、「ドープ濃度が１×１０１９／ｃｍ３」のものが用いられた」との技術事項が記載されている。 してみると、引用発明の多接合型太陽電池のトンネル接合である「ｐ＋＋－Ｂａｎｄｇａｐ＞１．９１ｅＶ」の層及び「ｎ＋＋－Ｂａｎｄｇａｐ＞１．９１ｅＶ」の層の材料として、「ＡｌＩｎＡｓ］及び「ＩｎＰ」を用いることに困難性は見いだせない。 また、トンネルデバイスの動作を説明する際に用いた「ｐ＋－ＡｌＩｎＡｓ］の層及び「ｎ＋－ＩｎＰ」の層の「ドープ濃度が１×１０１９／ｃｍ３」であることに鑑みるに、引用発明の「ｐ＋＋」の層及び「ｎ＋＋」の層のドープ濃度は、「＋」の数が多い分「１×１０１９／ｃｍ３」よりも高濃度であるといえる。してみると、引用発明において、「ｐ＋＋－Ｂａｎｄｇａｐ＞１．９１ｅＶ」の層及び「ｎ＋＋－Ｂａｎｄｇａｐ＞１．９１ｅＶ」の層の材料として、「ＡｌＩｎＡｓ］及び「ＩｎＰ」を用い、１ｘ１０１９／ｃｍ３よりも高濃度のドープ濃度とすることは、当業者が適宜なし得ることである。そして、ドープ濃度の上限値については、当業者が適宜設定し得る設計事項であるから、ドープ濃度を「１ｘ１０１９／ｃｍ３～１ｘ１０２０／ｃｍ３」と設定することに格別の困難性はない。 そして、本件補正発明の奏する作用効果は、引用発明及び引用例に記載された技術事項の奏する作用効果から予測される範囲内のものにすぎず、格別顕著なものということはできない。 したがって、本件補正発明は、引用発明及び引用例に記載された技術事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法２９条２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 （５）　本件補正についてのむすび したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 第３　本願発明について １　本願発明 平成２８年３月２２日付けの手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成２７年８月６日付けの手続補正書の特許請求の範囲の請求項１ないし１６に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、前記第２の［理由］１に本件補正前の請求項１として記載されたとおりのものである。 ２　引用例の記載事項、引用発明、技術事項 原査定の拒絶の理由で引用された引用例に記載された引用発明及び技術事項は、前記第２の［理由］２（２）に記載したとおりである。 ３　対比、判断 本願発明は、前記第２の［理由］２で検討した本件補正発明から、「前記ｐドープトンネル層は、１．２５ｅＶ以上のバンドギャップを有し、前記ｎドープトンネル層は、１．３５ｅＶ以上のバンドギャップを有する」との限定を削除したものである。 そうすると、本願発明の発明特定事項を全て含み、さらに他の事項を付加したものに相当する本件補正発明が、前記第２の［理由］２（３）（４）に記載したとおり、引用発明及び引用例に記載された技術事項に基づいて、容易に想到し得ることであるから、本願発明も、同様の理由により、引用発明及び引用例に記載された技術事項に基づいて、当業者が容易に発明することができたものである。 ４　むすび 以上のとおり、本願発明は、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができないから、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。 よって、結論のとおり審決する。