2026-700002

特許第７６９９５２４号発明「ニッケル粉、それを含む導電性組成物及び導電膜」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第７６９９５２４号の請求項１～１０に係る特許を維持する。

理 由 第１ 手続の経緯 本件の特許第７６９９５２４号（以下「本件特許」という。）の請求項１～１０に係る特許についての出願（特願２０２１－１８２８３０号。以下「本願」という。）は、令和 ３年１１月 ９日の出願であって、令和 ７年 ６月１９日にその特許権の設定登録がされ、同年同月２７日に特許掲載公報が発行され、その後、令和 ７年１２月２４日に、その請求項１～１０（全請求項）に係る特許について、特許異議申立人である中井 博（以下「申立人」という。）により特許異議の申立てがされたものである。 第２ 本件特許発明 本件特許の特許請求の範囲の請求項１～１０に係る発明は、本願の願書に添付した特許請求の範囲の請求項１～１０に記載された事項により特定される次のとおりのものである。なお、以下において、本願の請求項１～１０に係る発明をそれぞれ「本件特許発明１」～「本件特許発明１０」といい、総称して、「本件特許発明」という。また、本願の願書に添付した明細書を「本件特許明細書」という。 「 【請求項１】 残留磁化が７．０Ａ・ｍ２／ｋｇ以上であり、 レーザー回折散乱式粒度分布測定法による累積体積５０容量％における体積累積粒径Ｄ５０（μｍ）が１．０μｍ以上５．０μｍ以下であり、 ＪＩＳ Ｚ２５１２に準拠して測定されたタップ密度ＴＤ（ｇ／ｃｍ３）が１．５ｇ／ｃｍ３以上３．５ｇ／ｃｍ３以下であり、 ＢＥＴ比表面積をＳＳＡ（ｍ２／ｇ）としたとき、ＳＳＡ×ＴＤ／Ｄ５０で定義される値が０．５以上である、ニッケル粉。 【請求項２】 残留磁化が１０Ａ・ｍ２／ｋｇ以上である、請求項１に記載のニッケル粉。 【請求項３】 飽和磁化が１０Ａ・ｍ２／ｋｇ以上である、請求項１又は２に記載のニッケル粉。 【請求項４】 保磁力が１０ｋＡ／ｍ以上３０ｋＡ／ｍ以下である、請求項１ないし３のいずれか一項に記載のニッケル粉。 【請求項５】 前記Ｄ５０が１．５μｍ以上５．０μｍ以下である、請求項１ないし４のいずれか一項に記載のニッケル粉。 【請求項６】 前記ＳＳＡが１．０ｍ２／ｇ以上３．０ｍ２／ｇ以下である、請求項１ないし５のいずれか一項に記載のニッケル粉。 【請求項７】 前記ＳＳＡあたりの酸素含有量が０．５質量％／（ｍ２／ｇ）以下である、請求項１ないし６のいずれか一項に記載のニッケル粉。 【請求項８】 ＪＩＳ Ｚ２５０４に準拠して測定された見掛密度ＡＤが１．０ｇ／ｃｍ３以上２．５ｇ／ｃｍ３以下であり、 前記ＴＤに対する、前記ＡＤの比であるＡＤ／ＴＤの値が０．７３以上０．９３以下である、請求項１ないし７のいずれか一項に記載のニッケル粉。 【請求項９】 請求項１ないし８のいずれか一項に記載のニッケル粉及び有機溶媒を含む導電性組成物。 【請求項１０】 請求項９に記載の導電性組成物の乾燥体からなる導電膜。」 第３ 申立理由の概要 申立人は、証拠方法として、甲第１号証（以下「甲１」という。）を提出し（下記３参照。）、以下の理由により、本件特許の請求項１～１０に係る特許は取り消されるべきものである旨主張している。 １ 申立理由１（サポート要件） 本件特許発明１は、残留磁化、体積累積粒径、タップ密度ＴＤ及びＳＳＡ×ＴＤ／Ｄ５０の４つのパラメータを発明特定事項とするものであるところ、これらのパラメータを満たすもの全てが、薄膜化が容易であり、導電性の高い導電膜を形成するという効果を奏するとの心証を得るには、本件特許明細書に所望の効果を示す実施例が２つと、所望の効果を示さない比較例が２つ記載されているに過ぎないため、実施例が十分ではなく、また、他に本件特許明細書の記載及び当該技術分野の技術常識に照らして、上述の４つのパラメータを満足する種々のパラメータの組み合わせのすべてが上記効果を奏するものとの確証が得られるものではなく、上記パラメータがどのようにして導き出されたか、その根拠、理由が不明である。 よって、本件特許発明１と、本件特許発明１を引用する本件特許発明２～１０については、特許請求の範囲の記載が、特許法第３６条第６項第１号に適合するものではないから、同発明に係る特許は、同法第１１３条第４号に該当し、取り消されるべきものである。 ２ 申立理由２（新規性）、申立理由３（進歩性） 本件特許発明１～１０は、甲１に記載された発明であり、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができないものであり、また、甲１に記載された発明に基いて、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、同発明に係る特許は、同法第１１３条第２号に該当し、取り消されるべきものである。 ３ 証拠方法 甲１：特開２０２０－２０４０５２号公報 第４ 当合議体の判断 以下に述べるとおり、当合議体は、上記第３のいずれの申立理由によっても、本件特許の請求項１～１０に係る特許を取り消すことができないと判断する。（下線は当合議体が付した。以下、同様。） １ 申立理由１（サポート要件）について （１）本件特許明細書の段落【０００６】によれば、本件特許発明が解決しようとする課題（以下、単に「課題」という。）は、「薄膜化が容易で且つ導電性の高い導電膜の形成に適したニッケル粒子を提供すること」であると認められる。 （２）本件特許明細書の段落【０００７】、【０００８】によれば、上記（１）に記載の課題は、残留磁化が７．０Ａ・ｍ２／ｋｇ以上であり、レーザー回折散乱式粒度分布測定法による累積体積５０容量％における体積累積粒径Ｄ５０（μｍ）が１．０μｍ以上５．０μｍ以下であり、ＪＩＳ Ｚ２５１２に準拠して測定されたタップ密度ＴＤ（ｇ／ｃｍ３）が１．５ｇ／ｃｍ３以上３．５ｇ／ｃｍ３以下であり、ＢＥＴ比表面積をＳＳＡ（ｍ２／ｇ）としたとき、ＳＳＡ×ＴＤ／Ｄ５０で定義される値が０．５以上である、ニッケル粉を提供することによって解決することができるとされている。 （３）上記（２）に記載の解決手段によって、上記（１）に記載の課題を解決し得る効果が得られることの説明については、本件特許明細書に次のように記載されている。 ア「本発明のニッケル粉の磁気特性について詳述すると、残留磁化が７．０Ａ・ｍ２／ｋｇ以上であることが、導電性組成物の導電性を高め得る点から好ましく、この利点を一層顕著なものとする観点から、残留磁化は７Ａ・ｍ２／ｋｇ以上２０Ａ・ｍ２／ｋｇ以下であることが好ましく、８Ａ・ｍ２／ｋｇ以上１８Ａ・ｍ２／ｋｇ以下であることが更に好ましく、９Ａ・ｍ２／ｋｇ以上１５Ａ・ｍ２／ｋｇ以下であることが一層好ましい。」（段落【００１２】） イ「本発明のニッケル粉は、磁性の配向性が高いことに加えて、所定の範囲の嵩密度を有することが好ましい。換言すれば粒子の充填性の高いものであることが好ましい。その結果、本発明のニッケル粉は、これを樹脂や有機溶媒に添加して導電性組成物となした場合に、該導電性組成物から形成される導電膜に高い導電性を付与できる。この利点を一層顕著なものとする観点から、本発明のニッケル粉は、そのタップ密度ＴＤが１．５ｇ／ｃｍ３以上３．５ｇ／ｃｍ３以下であることが好ましい。このようなタップ密度ＴＤを有するニッケル粉は、タップ密度ＴＤが３．５ｇ／ｃｍ３よりも大きなニッケル粉と比較して、これを比較的少ない添加量で用いても、高い導電性を樹脂等に付与することができる。この観点から、タップ密度ＴＤは１．６ｇ／ｃｍ３以上３．０ｇ／ｃｍ３以下であることが更に好ましく、１．７ｇ／ｃｍ３以上２．５ｇ／ｃｍ３以下であることが一層好ましい。このようなタップ密度ＴＤを有するニッケル粉は、後述する製造方法によって好適に製造される。 本明細書においてタップ密度ＴＤとはＪＩＳ Ｚ２５１２に準拠して測定された値のことである。」（段落【００１３】） ウ「本発明のニッケル粉が上述した磁気特性及びタップ密度ＴＤを有するようにするためには、該ニッケル粉を構成するニッケル粒子の粒子サイズを適切に制御することが有利である。また、導電膜を薄膜化し且つ導電膜の表面を平滑にする観点からもニッケル粒子の粒子サイズを適切に制御することが有利である。これらの観点から、ニッケル粒子は、レーザー回折散乱式粒度分布測定法による累積体積５０容量％における体積累積粒径Ｄ５０が１．０μｍ以上５．０μｍ以下であることが好ましく、１．５μｍ以上５．０μｍ以下であることが更に好ましく、２．０μｍ以上４．５μｍ以下であることが一層好ましい。」（段落【００１４】） エ「本発明のニッケル粉においては、上述のＳＳＡと、タップ密度ＴＤと、粒径Ｄ５０とが特定の関係を満たすと、導電膜に一層高い導電性を付与できるので好ましい。具体的には、ＳＳＡ×ＴＤ／Ｄ５０で定義される値が０．５以上であることが好ましく、０．７以上であることが更に好ましく、０．９以上であることが一層好ましい。また、ＳＳＡ×ＴＤ／Ｄ５０の上限は、同じく導電膜に一層高い導電性を付与する観点から１０．０以下であることが好ましく、３．０以下であることが更に好ましく、２．０以下であることが一層好ましい。」（段落【００１９】） オ してみると、「残留磁化」、「レーザー回折散乱式粒度分布測定法による累積体積５０容量％における体積累積粒径Ｄ５０（μｍ）」、「ＪＩＳ Ｚ２５１２に準拠して測定されたタップ密度ＴＤ（ｇ／ｃｍ３）」、「ＢＥＴ比表面積をＳＳＡ（ｍ２／ｇ）としたとき、ＳＳＡ×ＴＤ／Ｄ５０で定義される値」を所定の数値範囲を限定することで、以下のような効果が得られることが説明されており、当該数値範囲を充足するニッケル粉であれば、上記（１）に記載の課題を解決できることを当業者が認識できるものといえる。 （ア）残留磁化が７．０Ａ・ｍ２／ｋｇ以上であれば、「導電性組成物の導電性を高め」られる。 （イ）レーザー回折散乱式粒度分布測定法による累積体積５０容量％における体積累積粒径Ｄ５０（μｍ）が１．０μｍ以上５．０μｍ以下であれば、「本発明のニッケル粉が上述した磁気特性及びタップ密度ＴＤを有」し、また、「導電膜を薄膜化し且つ導電膜の表面を平滑」にできる。 （ウ）ＪＩＳ Ｚ２５１２に準拠して測定されたタップ密度ＴＤ（ｇ／ｃｍ３）が１．５ｇ／ｃｍ３以上３．５ｇ／ｃｍ３以下であれば、「本発明のニッケル粉は、これを樹脂や有機溶媒に添加して導電性組成物となした場合に、該導電性組成物から形成される導電膜に高い導電性を付与でき」、かつ、「タップ密度ＴＤが３．５ｇ／ｃｍ３よりも大きなニッケル粉と比較して、これを比較的少ない添加量で用いても、高い導電性を樹脂等に付与することができ」る。 （エ）ＢＥＴ比表面積をＳＳＡ（ｍ２／ｇ）としたとき、ＳＳＡ×ＴＤ／Ｄ５０で定義される値が０．５以上であれば、「導電膜に一層高い導電性を付与できる」。 （４）上記（３）を踏まえると、（２）に記載の解決手段によって課題を解決できることを当業者が認識できると認められる。 そして、本件特許発明１と、本件特許発明１を引用する本件特許発明２～１０は、上記（２）に記載の解決手段を備えているから、本件特許の特許請求の範囲の請求項１～１０に記載された発明は、発明の詳細な説明に記載された発明で、発明の詳細な説明の記載により当業者が当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものである。 （５）ア なお、申立人は、特許異議申立書の第１１頁において、「本件発明は、残留磁化、体積累積粒径、タップ密度ＴＤ及びＳＳＡ×ＴＤ／Ｄ５０の四つのパラメータを構成要件であることにより、上記所望の性能を有するニッケル粉が得られるというのであるところ、少なくとも、本件発明の範囲が残留磁化、体積累積粒径、タップ密度ＴＤ及びＳＳＡ×ＴＤ／Ｄ５０を基準として画されるということが、出願時において、具体例の開示がなくとも当業者に理解できるものであったことを認めるに足りる証拠がない。」と主張している。 イ しかしながら、上記（３）のとおり、薄膜化が容易で且つ導電性の高い導電膜の形成に適したニッケル粒子が提供できることは、たとえ具体例の開示がなくとも、当業者であれば十分理解できることといえる。 ウ そして、申立人は、特許異議申立書の第１０～１３頁において、上記（３）の効果が得られることの説明に疑義を生じさせるような具体的な証拠や技術常識を提示しているわけではなく、本件特許明細書に記載された効果の説明について疑義は認められないものと判断する。 エ さらに、本件特許明細書の【表１】には、実施例１～２と比較例１～２を提示して、請求項１に記載の数値範囲を満たす範囲で、実際に製造したニッケル粒子が、導電膜が薄く、導電膜の比抵抗が低いことについて、具体例による裏付けも行われている。 オ よって、申立人の主張は採用しない。 カ なお、申立人は、特許異議申立書の第１２～１３頁において、「ＳＳＡ×ＴＤ／Ｄ５０の上限値が無限大であるということがサポートされているものとは認められない。」と主張している。 キ しかしながら、これらの変数が、物質の計測値であることから、技術常識を鑑みるに、ＳＳＡ、ＴＤは無限大になり得ないし、Ｄ５０は無限小になり得ず、ＳＳＡ×ＴＤ／Ｄ５０が無限大になることはあり得ない。 ク さらに、ＳＳＡ×ＴＤ／Ｄ５０が、実施例より極めて大きな値を取ったとしても、上記（１）に記載の課題を解決できないといえるほどの根拠は存在しない。 ケ よって、申立人の主張は採用しない。 （６）申立理由１についてのまとめ 以上のとおり、本件特許の特許請求の範囲の記載は、本件特許発明１～１０について、特許法第３６条第６項第１号に適合するものであるから、申立理由１によっては、同発明に係る特許を取り消すことはできない。 ２ 申立理由２（新規性）、申立理由３（進歩性）について （１）甲１に記載された発明 本願の出願前に公知となった甲１（発明の名称：樹枝状ニッケル結晶粒子およびその製造方法）の段落【００５０】～【００６７】、図１～３の記載を総合勘案し、特に、実施例５に着目すると、甲１には、次の発明が記載されていると認められる。 「陽極板としてニッケル板（縦：１３０ｍｍ、横：８０ｍｍ、厚さ：２ｍｍ）、陰極板としてステンレス鋼板（材質：ＳＵＳ３０４、縦：１００ｍｍ、横：６７ｍｍ、厚さ：０．３ｍｍ）を用い、 電解液として塩化ニッケルをイオン交換水に溶解させた溶液を用い、塩化ニッケルの濃度が１５ｇ／Ｌに調整され、塩化アンモニウムの濃度が３５ｇ／Ｌに調整され、ｐＨが７に調整された電解液を用い、 電解槽（１Ｌ容のビーカー）に電解液１Ｌを入れ、当該電解液に陽極板および陰極板を浸漬し、陽極板と陰極板との電極間距離を５ｃｍに調節し、 電解液の液温を５０℃に調節し、電流密度３０Ａ／ｄｍ2にて直流電流を１０分間通電することにより、陰極の表面に樹枝状ニッケル結晶粒子を析出させ、 陰極の表面で析出した樹枝状ニッケル結晶粒子をスクレーパーで削ぎ落して回収し、水洗した後、熱風乾燥機で７０℃にて乾燥させることにより得られた樹枝状ニッケル結晶粒子。」 （以下「甲１発明」という。） （２）本件特許発明１について ア 甲１発明との対比・判断 （ア）本件特許発明１と甲１発明との対比 ａ 甲１発明の「樹枝状ニッケル結晶粒子」は、本件特許発明１の「ニッケル粉」に相当する。 ｂ そうすると、本件特許発明１と甲１発明とは、 「ニッケル粉。」 である点で一致し、次の点で相違する。 ＜相違点１＞ 本件特許発明１では、「残留磁化が７．０Ａ・ｍ２／ｋｇ以上であ」るのに対し、甲１発明では、残留磁化が不明である点。 ＜相違点２＞ 本件特許発明１では、「レーザー回折散乱式粒度分布測定法による累積体積５０容量％における体積累積粒径Ｄ５０（μｍ）が１．０μｍ以上５．０μｍ以下であ」るのに対し、甲１発明では、累積体積５０容量％における体積累積粒径Ｄ５０（μｍ）が不明である点。 ＜相違点３＞ 本件特許発明１では、「ＪＩＳ Ｚ２５１２に準拠して測定されたタップ密度ＴＤ（ｇ／ｃｍ３）が１．５ｇ／ｃｍ３以上３．５ｇ／ｃｍ３以下であ」るのに対し、甲１発明では、タップ密度ＴＤ（ｇ／ｃｍ３）が不明である点。 ＜相違点４＞ 本件特許発明１では、「ＢＥＴ比表面積をＳＳＡ（ｍ２／ｇ）としたとき、ＳＳＡ×ＴＤ／Ｄ５０で定義される値が０．５以上である」のに対し、甲１発明では、ＳＳＡ×ＴＤ／Ｄ５０で定義される値が不明である点。 （イ）相違点についての検討 ａ 事案に鑑み、まず、上記相違点１について検討する。 （ａ）甲１では、樹枝状ニッケル結晶粒子の残留磁化について何ら記載がない。 そして、本願出願時の技術常識を考慮しても、甲１発明に係る「樹枝状ニッケル結晶粒子」の残留磁化は不明であると言わざるを得ない。 また、下記（ウ）に記載のとおり、甲１に記載の「樹枝状ニッケル結晶粒子」と、本件特許発明１の「ニッケル粉」の原料である「デンドライド粉」は、その製造条件が同一であるともいえない。 したがって、上記相違点１は実質的な相違点である。 （ｂ）次に上記相違点１の容易想到性について検討する。 甲１では、樹枝状ニッケル結晶粒子の残留磁化について何ら記載がなく、本願出願時の技術常識から、甲１発明において、製造条件を調整して、樹枝状ニッケル結晶粒子の残留磁化を７．０Ａ・ｍ２／ｋｇ以上とする動機付けがあるとはいえない。 よって、甲１発明において、上記相違点１に係る特定事項を備えさせることは、当業者が容易になし得たこととはいえない。 （ウ）ａ 申立人は、上記相違点１について、特許異議申立書の第１４～１７頁において、甲１に記載の「樹枝状ニッケル結晶粒子」と、本件特許発明１の「ニッケル粉」の原料である「デンドライド粉」は、その製造条件が同一であるから、物としても同一のものであり、よって、「デンドライド粉」を粉砕しただけのものである「ニッケル粉」も、「樹枝状ニッケル結晶粒子」と同一の残留磁化を有すると主張している。 ｂ この点、甲１の段落【００１３】～【００２２】には、ニッケルイオン源、電流密度、ニッケルイオンの濃度、電解液のpH、錯化剤、錯化剤の濃度、電解液の温度等の樹枝状ニッケル結晶粒子の製造条件が記載されており、この製造条件の一部が、本願特許明細書の段落【００３７】～【００４３】に記載された、本件特許発明１のニッケル粉の材料であるデンドライド粉の製造条件と重なることは理解できるものの、全てが同一であるとはいえず、重ならない部分が存在することが明らかである。 ｃ 加えて、甲１の段落【００２１】には、陽極や陰極の材料として、ステンレス鋼、銅、ニッケル、コバルト、白金などの金属が列挙されているが、本願特許明細書の段落【００３６】には、アノードとして、例えば、ＤＳＥなどの電解に対して不溶性のものを用いることが記載されており、本件特許発明１のニッケル粉の材料であるデンドライド粉の製造方法と甲１に記載の樹枝状ニッケル結晶粒子の製造方法とは、少なくともアノードの材質で相違する。 そして、アノードの材質によって、析出する樹枝状ニッケル結晶粒子の不純物含有量、結晶構造、粒径分布、表面状態などが変化することが技術常識であり、アノードの材質の違いが、残留磁化に影響を与えることは自明であるから、甲１に記載の樹枝状ニッケル結晶粒子と本件特許発明１のニッケル粉の材料であるデンドライド粉の残留磁化が同一となるとは限らない。 ｄ さらに、甲１には、樹枝状ニッケル結晶粒子の残留磁化について何ら記載がないことから、ニッケルイオン源、電流密度、ニッケルイオンの濃度、電解液のpH、錯化剤、錯化剤の濃度、電解液の温度等の樹枝状ニッケル結晶粒子の製造条件の範囲から、具体的に適切な条件を選択し、樹枝状ニッケル結晶粒子の残留磁化を７．０Ａ・ｍ２／ｋｇ以上とする動機付けがあるとはいえないし、また、残留磁化を７．０Ａ・ｍ２／ｋｇ以上とするようにアノードの材質を変更する動機づけがあるともいえない。 ｅ してみると、甲１に記載の「樹枝状ニッケル結晶粒子」と、本件特許発明１の「ニッケル粉」の原料である「デンドライド粉」は、製造条件が完全に同一でない以上、物として同一のものであるとはいえず、甲１に記載の「樹枝状ニッケル結晶粒子」と、本件特許発明１の「ニッケル粉」も同一の残留磁化を持つとはいえない。 また、甲１に記載の「樹枝状ニッケル結晶粒子」を、本件特許発明１の「ニッケル粉」、及び「デンドライド粉」と同一の残留磁化を持つように、製造条件を調整することは、当業者が容易になし得る事項であるともいえない。 ｆ よって、申立人の主張は採用しない。 （エ）小括 よって、上記相違点２～４について検討するまでもなく、本件特許発明１は、甲１に記載された発明であるとはいえず、また、甲１に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 （３）本件特許発明２～１０について ア 甲１発明との対比・判断 （ア）上記（２）アの検討結果を踏まえて、本件特許発明２～１０と甲１発明とを対比すると、両者は少なくとも、上記相違点１と同様の点で相違する。 そして、相違点１については、上記（２）ア（イ）、（ウ）で検討したとおりであるから、甲１発明において、上記相違点１に係る特定事項は実質的な相違点であり、かつ、当該特定事項を備えようとする動機付けがあるとはいえない。 以上によれば、甲１発明において、上記相違点１に係る特定事項を備えさせることは、当業者が容易になし得たこととはいえない。 （イ）小括 したがって、その余の点について検討するまでもなく、本件特許発明２～１０は、甲１に記載された発明であるとはいえず、また、甲１に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 （４）申立理由２、３についてのまとめ 以上のとおり、本件特許発明１～１０は、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができないものであるとはいえないし、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるとはいえないから、申立理由２、３によっては、同発明に係る特許を取り消すことはできない。 第５ むすび 以上のとおり、申立人による特許異議の申立ての理由によっては、本件特許の請求項１～１０に係る特許を取り消すことはできない。 また、他に本件特許の請求項１～１０に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり決定する。