2025-390073

特許第７３２５０６７号に関する訂正審判事件について、次のとおり審決する。

結 論 特許第７３２５０６７号の特許請求の範囲を本件審判請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔８～１４〕について訂正することを認める。

理 由 第１ 手続の経緯 本件訂正審判に係る特許第７３２５０６７号（以下、「本件特許」という。）は、令和２年１０月２８日（優先権主張 令和元年１０月３０日）を国際出願日とする出願であって、令和５年８月３日に特許権の設定登録（請求項の数１４）がされ、その後、令和７年６月２日に本件訂正審判の請求がされたものである。 第２ 請求の趣旨 本件訂正審判の請求の趣旨は、本件特許の特許請求の範囲を本件審判請求書に添付した訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項８～１４について訂正することを求めるものである。 第３ 訂正の内容 本件訂正審判の請求に係る訂正（以下、「本件訂正」という。）の内容は、次のとおりである。（下線は訂正箇所を示すために当審において付した。） １ 訂正事項１ 特許請求の範囲の請求項８において、 「前記回路ウェルは、前記半導体基板に形成された第２導電型の第７半導体層と、前記第７半導体層と接する第２導電型の第８半導体層とで構成され、・・・」との記載を、 「前記回路ウェルは、前記半導体基板に形成された第１導電型の第７半導体層と、前記第７半導体層と接する第１導電型の第８半導体層とで構成され、・・・」に訂正する。 ２ 訂正事項２ 特許請求の範囲の請求項１０において、 「前記第１領域は、前記第１半導体層との接合面近傍で、隣接する前記ＡＰＤと反対側に張り出して延びる第２導電型の第１０半導体層をさらに有している、・・・」との記載を、 「前記第１領域は、前記第１半導体層との接合面近傍で、隣接する前記ＡＰＤと反対側に張り出して延びる第１導電型の第１０半導体層をさらに有している、・・・」に訂正する。 第４ 当審の判断 １ 一群の請求項について 訂正前の請求項８～１４について、請求項９～１４は、それぞれ請求項８を直接的又は間接的に引用しているものであって、訂正事項１により訂正される請求項８に連動して訂正されるものである。また、請求項１１～１４は、それぞれ請求項１０を直接的又は間接的に引用しているものであって、訂正事項２により訂正される請求項１０に連動して訂正されるものである。 したがって、訂正前の請求項８～１４に対応する訂正後の請求項〔８～１４〕は、特許法第１２６条第３項に規定する一群の請求項である。 ２ 訂正事項１について （１）訂正の目的 請求人は、訂正事項１について、誤記の訂正を目的とするものであると主張するところ、「誤記の訂正」とは、本来その意であることが明細書、特許請求の範囲又は図面の記載などから明らかな内容の字句、語句に正すことをいい、訂正前の記載が当然に訂正後の記載と同一の意味を表示するものと客観的に認められるものでなければならないと解される。 したがって、以下、それを前提に検討する。（なお、訂正事項２も同じ。） ア 本件特許の願書に最初に添付した明細書の記載 本件特許の願書に最初に添付した明細書（以下、単に「明細書」という。）には、次の記載がある。（下線は当審において付した。以下同様。） （ア）「【００２３】 図３に示すように、基板１１０は、第１半導体層１０と第２半導体層１１とで構成される。第１半導体層１０は、ｐ型の単結晶シリコン基板で、少なくとも一部がエピタキシャル成長法により形成されていてもよく、第２半導体層１１は、第１半導体層１０の上面に形成されたｐ型エピタキシャル層である。第２半導体層１１のｐ型不純物濃度は、第１半導体層１０のｐ型不純物濃度よりも低くなるように設定されている。 【００２４】 なお、本願明細書において、各半導体層の導電型として、ｎ型を「第１導電型」、ｐ型を「第２導電型」と呼ぶことがある。ただし、その逆となる場合、例えば、ｎ型を「第２導電型」と呼ぶ場合もあることに留意する必要がある。また、本願明細書において、不純物濃度とは、実効的な不純物濃度を指し、同じ領域に異なる導電型の不純物の両者が存在する場合には、その差分を指す。 【００２５】 ＡＰＤ３１は、第１半導体層１０と第４半導体層２１とで主に構成されている。第４半導体層２１は、ｎ型の半導体層であり、図示しないレジストマスクパターンを用いて、第１主面Ｓ１からｎ型不純物をイオン注入等により基板１１０の内部に導入することにより形成される。また、第１半導体層１０と第４半導体層２１との接合界面及びその近傍には、アバランシェ増倍領域３３が形成される。」 （イ）「【００２８】 第１領域３２は、第１半導体層１０と第５半導体層２２とで主に構成されている。第５半導体層２２は、ｎ型の半導体層であり、第４半導体層２１を形成するのと同様の方法により形成される。また、第１半導体層１０と第５半導体層２２との接合界面及びその近傍には、アバランシェ増倍領域３４が形成される。本実施形態では、第４半導体層２１と第５半導体層２２とは、固体撮像素子１００の製造工程中に同時に形成される例を示している。このため、第４半導体層２１のｎ型不純物濃度と第５半導体層２２のｎ型不純物濃度とは同じであってもよいが、必ずしも同一工程で形成する必要はなく、異なる濃度でもよい。」 （ウ）「【０１２８】 Ｎウェル２６は、ｎ型の第７半導体層２４と、第７半導体層２４と接するｎ型の第８半導体層２５とで構成されており、第８半導体層２５のｎ型不純物濃度は第７半導体層２４のｎ型不純物濃度よりも低くなるように設定されている。また、図１４及び図１５から明らかなように、第１主面Ｓ１を基準として、第５半導体層２２の深さと、第７半導体層２４の深さとが同じになるように設定されている。また、第５半導体層２２のｎ型不純物濃度と、第７半導体層２４のｎ型不純物濃度とが同じになるように設定されている。また、Ｎウェル２６にはウェル電圧Ｖ２３が印加されている。」 （エ）以上によれば、本件特許の明細書には、もっぱら、第１半導体層１０の導電型がｐ型（第２導電型）であり、第４半導体層２１、第５半導体層２２、第７半導体層２４及び第８半導体層２５の導電型がｎ型（第１導電型）である実施形態が記載されている。 イ 本件特許の設定登録時の特許請求の範囲の記載 本件特許の設定登録時の特許請求の範囲には、次の記載がある。 （ア）「【請求項１】 少なくとも２以上のアバランシェフォトダイオード（ＡＰＤ）が半導体基板に形成された光検出器であって、 平面視において、前記ＡＰＤの外側に第１領域が配置され、 隣接する前記ＡＰＤ及び前記第１領域の間は分離領域によって分離され、 前記ＡＰＤは、前記半導体基板に含まれる第２導電型の第１半導体層と、前記第１半導体層に接する第１導電型の第４半導体層とで構成され、 前記第１領域は、前記第１半導体層と、前記第１半導体層に接する第１導電型の第５半導体層とで構成され、 前記ＡＰＤの前記第４半導体層には第１の電圧が印加され、前記第１領域の前記第５半導体層には第２の電圧が印加され、 前記第１の電圧は、前記第２の電圧よりも高く、 前記ＡＰＤに印加される第１逆バイアスと前記第１領域に印加される第２逆バイアスとの差は、前記分離領域と前記第１領域とのポテンシャルの差分よりも小さく、 前記分離領域は、前記半導体基板の第１主面において少なくとも一部が空乏化しており、 前記分離領域には、前記分離領域に接続されるコンタクトが配置されず、また、前記分離領域の表面から内部に向かうトレンチが形成されていない、光検出器。」 （イ）「【請求項６】 前記光検出器は、さらに画素回路領域を備え、 前記画素回路領域は、回路ウェルを有しており、 前記回路ウェルと前記第１半導体層との間のブレークダウン電圧の絶対値は、前記ＡＰＤのブレークダウン電圧の絶対値よりも大きい、請求項１ないし５のいずれか１項に記載の光検出器。」 （ウ）「【請求項８】 前記回路ウェルは、前記半導体基板に形成された第２導電型の第７半導体層と、前記第７半導体層と接する第２導電型の第８半導体層とで構成され、 前記第５半導体層の不純物濃度は、前記第７半導体層の不純物濃度と同じであり、 前記半導体基板の第１主面を基準として、前記第５半導体層の深さは、前記第７半導体層の深さと同じである、請求項６に記載の光検出器。」 ウ 判断 （ア）上記ア（エ）で述べたとおり、本件特許の明細書には、第４半導体層２１、第５半導体層２２、第７半導体層２４及び第８半導体層２５の導電型が、いずれもｎ型（第１導電型）であり、ｐ型（第２導電型）である第１半導体層１０とは異なる導電型であることが記載されているものの、第７半導体層２４及び第８半導体層２５が、第４半導体層２１及び第５半導体層２２と異なる導電型であることや、第１半導体層１０と同じ導電型であることは記載されていない。 これに対し、上記イ（ア）及び（ウ）のとおり、本件特許の設定登録時の特許請求の範囲には、請求項１において「第２導電型の第１半導体層」、「第１導電型の第４半導体層」及び「第１導電型の第５半導体層」と記載され、請求項１を間接的に引用する請求項８において「第２導電型の第７半導体層」及び「第２導電型の第８半導体層」と記載されているように、「第７半導体層」及び「第８半導体層」が「第４半導体層」及び「第５半導体層」と異なる導電型であって、「第１半導体層」と同じ導電型であることが発明特定事項とされており、上述の本件特許の明細書の記載と矛盾していることが理解できる。 したがって、本件特許の明細書の記載によれば、本件特許の設定登録時の請求項８において、「第２導電型の第７半導体層」及び「第２導電型の第８半導体層」と記載されているのは誤りであって、正しくは「第１導電型の第７半導体層」及び「第１導電型の第８半導体層」であることは明らかである。 （イ）また、上記イ（イ）のとおり、本件特許の設定登録時の特許請求の範囲には、請求項６において「前記画素回路領域は、回路ウェルを有しており、前記回路ウェルと前記第１半導体層との間のブレークダウン電圧の絶対値は、前記ＡＰＤのブレークダウン電圧の絶対値よりも大きい」と記載されているところ、当該記載における「ブレークダウン」が、異なる導電型をもつ２つの領域間に生じる現象であることは技術常識である。 そうすると、本件特許の設定登録時の請求項６において、「回路ウェル」と「第１半導体層」とは、異なる導電型でなければならないものである。 これに対し、上記イ（ウ）のとおり、本件特許の設定登録時の特許請求の範囲には、請求項８において「前記回路ウェルは、前記半導体基板に形成された第２導電型の第７半導体層と、前記第７半導体層と接する第２導電型の第８半導体層とで構成され」ると記載されているように、「回路ウェル」が「第２導電型」であることを特定するものであって、請求項１で特定された「第２導電型」の「第１半導体層」と同じ導電型であることを特定するものであるから、上述の技術常識と矛盾していることが理解できる。 したがって、上記イ（ア）～（ウ）の記載及び技術常識によれば、本件特許の設定登録時の請求項８において、「第２導電型の第７半導体層」及び「第２導電型の第８半導体層」と記載されているのは誤りであって、正しくは「第１導電型の第７半導体層」及び「第１導電型の第８半導体層」であることは明らかである。 （ウ）以上によれば、本件特許の設定登録時の請求項８において、「第２導電型の第７半導体層」及び「第２導電型の第８半導体層」と記載されているのは誤記であって、正しくは「第１導電型の第７半導体層」及び「第１導電型の第８半導体層」であることが明らかであり、訂正事項１は、特許請求の範囲の明らかな誤記を本来の意に正す訂正である（請求項８に連動して訂正される請求項９～１４も同じ。）。 エ 小括 以上のとおり、訂正事項１は、特許法第１２６条第１項ただし書第２号に掲げる誤記の訂正を目的とするものである。 （２）願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であることについて 訂正事項１は、上記（１）のとおり、特許請求の範囲の明らかな誤記を本来の意に正す訂正であるから、願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてしたものであるといえる。 よって、訂正事項１は、特許法第１２６条第５項の規定に適合する。 （３）実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正でないことについて 訂正事項１は、上記（１）のとおり、特許請求の範囲の明らかな誤記を本来の意に正す訂正であるから、訂正の前後で特許請求の範囲に記載された発明の拡張又は変更はなく、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当しない。 よって、訂正事項１は、特許法第１２６条第６項の規定に適合する。 （４）独立特許要件について 訂正事項１は、上記（１）のとおり、特許請求の範囲の明らかな誤記を本来の意に正す訂正であって、訂正事項１による訂正後の特許請求の範囲の請求項８及び請求項８を引用する請求項９～１４に係る発明が、特許出願の際に独立して特許を受けることができないとする理由はない。 よって、訂正事項１は、特許法第１２６条第７項の規定に適合する。 （５）小括 以上のとおり、訂正事項１は、特許法第１２６条第１項ただし書第２号に掲げる事項を目的とするものであって、かつ、同条第５項ないし第７項の規定に適合する。 ３ 訂正事項２について （１）訂正の目的 ア 本件特許の明細書の記載 本件特許の明細書には、次の記載がある。 （ア）「【０１４７】 図１８に示すように、画素アレイ部１２０の最外周に位置する枠状領域３２ａでは、第５半導体層２２と第１半導体層１０との間にｎ型の第１０半導体層２７が設けられている。」 （イ）上記（ア）及び上記２（１）ア（エ）によれば、本件特許の明細書には、もっぱら、第１半導体層１０がｐ型（第２導電型）であり、第４半導体層２１、第５半導体層２２、第７半導体層２４、第８半導体層２５及び第１０半導体層２７の導電型がｎ型（第１導電型）である実施形態が記載されている。 イ 本件特許の設定登録時の特許請求の範囲の記載 本件特許の設定登録時の特許請求の範囲には、上記２（１）イ（ア）及び（ウ）の記載に加えて、次の記載がある。 （ア）「【請求項１０】 前記第１領域は、前記第１半導体層との接合面近傍で、隣接する前記ＡＰＤと反対側に張り出して延びる第２導電型の第１０半導体層をさらに有している、請求項１ないし９のいずれか１項に記載の光検出器。」 ウ 判断 上記ア（イ）で述べたとおり、本件特許の明細書には、第４半導体層２１、第５半導体層２２、第７半導体層２４、第８半導体層２５及び第１０半導体層２７の導電型が、いずれもｎ型（第１導電型）であり、ｐ型（第２導電型）である第１半導体層１０とは異なる導電型であることが記載されているものの、第１０半導体層２７が、第４半導体層２１、第５半導体層２２、第７半導体層２４及び第８半導体層２５と異なる導電型であることや、第１半導体層１０と同じ導電型であることは記載されていない。 これに対し、上記イ（ア）及び上記２（１）イ（ア）のとおり、本件特許の設定登録時の特許請求の範囲には、請求項１０において「第２導電型の第１０半導体層」と記載されているように、「第１０半導体層」が「第４半導体層」及び「第５半導体層」と異なる導電型であって、「第１半導体層」と同じ導電型であることが発明特定事項とされており、上述の本件特許の明細書の記載と矛盾していることが理解できる。 また、上記２（１）ウ（ウ）のとおり、本件特許の設定登録時の請求項８において「第２導電型の第７半導体層」及び「第２導電型の第８半導体層」と記載されているのは誤記であって、正しくは「第１導電型の第７半導体層」及び「第１導電型の第８半導体層」であることが明らかであるから、請求項１０に記載された「第２導電型の第１０半導体層」が「第１導電型の第７半導体層」及び「第１導電型の第８半導体層」と異なる導電型であることは、上述の本件特許の明細書の記載と矛盾していることが理解できる。 そうすると、本件特許の設定登録時の請求項１０において、「第２導電型の第１０半導体層」と記載されているのは誤記であって、正しくは「第１導電型の第１０半導体層」であることが明らかであり、訂正事項２は、特許請求の範囲の明らかな誤記を本来の意に正す訂正である（請求項１０に連動して訂正される請求項１１～１５も同じ。）。 エ 小括 以上によれば、訂正事項２は、特許法第１２６条第１項ただし書第２号に掲げる誤記の訂正を目的とするものである。 （２）願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であることについて 訂正事項２は、上記（１）のとおり、特許請求の範囲の明らかな誤記を本来の意に正す訂正であるから、願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてしたものであるといえる。 よって、訂正事項２は、特許法第１２６条第５項の規定に適合する。 （３）実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正でないことについて 訂正事項２は、上記（１）のとおり、特許請求の範囲の明らかな誤記を本来の意に正す訂正であるから、訂正の前後で特許請求の範囲に記載された発明の拡張又は変更はなく、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当しない。 よって、訂正事項２は、特許法第１２６条第６項の規定に適合する。 （４）独立特許要件について 訂正事項２は、上記（１）のとおり、特許請求の範囲の明らかな誤記を本来の意に正す訂正であって、訂正事項２による訂正後の特許請求の範囲の請求項１０及び請求項１０を引用する請求項１１～１４に係る発明が、特許出願の際に独立して特許を受けることができないとする理由はない。 よって、訂正事項２は、特許法第１２６条第７項の規定に適合する。 （５）小括 以上のとおり、訂正事項２は、特許法第１２６条第１項ただし書第２号に掲げる事項を目的とするものであって、かつ、同条第５項ないし第７項の規定に適合する。 第５ むすび 以上の次第であるから、訂正事項１及び２に係る本件訂正は、特許法第１２６条第１項ただし書第２号に掲げる事項を目的とするものであって、かつ、同条第５項ないし第７項の規定に適合する。 よって、結論のとおり審決する。