2024-700073

特許第７３２１８１８号発明「シンチレータユニット、及び放射線検出器」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第７３２１８１８号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１、２〕、３～４９について訂正することを認める。 特許第７３２１８１８号の請求項１、２、１０、１１に係る特許を取り消す。 特許第７３２１８１８号の請求項３～９、１２～４９に係る特許を維持する。

理 由 第１ 手続の経緯 特許第７３２１８１８号（以下「本件特許」という。）の請求項１～８に係る特許についての出願は、令和元年７月３１日に出願され、令和５年７月２８日にその特許権の設定登録がされ、令和５年８月７日に特許掲載公報が発行された。その特許についての本件特許異議の申立ての経緯は、次のとおりである。 令和６年 １月３０日付け：特許異議申立人 寺澤 佳奈美（以下「申立人」という。）による特許異議の申立て 同年 ４月１２日付け：取消理由通知書（以下、この通知書に係る取 消理由を「第１次取消理由」という。） 同年 ６月１３日 ：特許権者による訂正請求書及び意見書の提出 同年 ６月２７日付け：手続補正指令書（方式） 同年 ７月１０日 ：訂正請求書及び意見書についての手続補正書 （方式）の提出 同年 ８月２８日付け：申立人による意見書の提出 同年１０月３１日付け：取消理由通知書（決定の予告。以下、この通 知書に係る取消理由を「第２次取消理由」と いう。） なお、当審において、第２次取消理由を通知し、期間を指定して意見書を提出する機会を与えたが、特許権者からは応答がなかった。 第２ 訂正の適否についての判断 １ 訂正の内容について 令和６年７月１０日に提出された手続補正書（方式）により補正された令和６年６月１３日付け訂正請求書による訂正（以下「本件訂正」という。）は、本件特許の登録時の願書に添付した特許請求の範囲の請求項１～８（以下、それぞれ「訂正前請求項１」～「訂正前請求項８」という。）を、次のとおりの請求項１～４９（以下、それぞれ「訂正後請求項１」～「訂正後請求項４９」という。）に訂正するものである（下線は、訂正箇所を示すものとして当合議体が付した。）。 ここで、本件訂正は、訂正請求書の記載によれば、訂正の対象となる訂正前請求項１～８に係る訂正事項をそれぞれ訂正事項１～８としているが、本項においてはこれらの訂正事項を次のように整理し直して検討を行う。 訂正事項１：訂正前請求項２に係る訂正事項。 訂正事項２：「前記低屈折率層の膜厚が３００ｎｍ以上５μｍ以下である」ことを発明特定事項として追加する訂正事項。 訂正事項３：「前記シンチレータで発生する光を反射することで光取り出し面に前記光を進行させる反射層を含」むことを発明特定事項として追加する訂正事項。 訂正事項４：訂正前請求項５～７を独立形式とする訂正事項。 なお、本件訂正は、一群の請求項である訂正後請求項１～７、９～４９と、訂正後請求項８について請求されたものであるが、訂正後請求項３～７、９～４９については別の訂正単位とする求めがなされている。 以下、本件特許の登録時の願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面を「本件明細書等」といい、本件訂正後の願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面を「本件訂正後明細書等」という。 （１） 訂正事項１（訂正前請求項２に係る訂正） 訂正前請求項２において、「前記柱状結晶の延伸方向の先端部と接着層との間に前記低屈折率層を有する請求項１に記載のシンチレータユニット」であった記載を、「前記柱状結晶の延伸方向の先端部と前記接着層との間に前記低屈折率層を有することを特徴とする請求項１に記載のシンチレータユニット」に訂正する。 （２） 訂正事項２ ア 訂正事項２－１（訂正前請求項１に係る訂正） 訂正前請求項１において、「を有することを特徴とする」であった記載を、「を有し、 前記低屈折率層の膜厚が３００ｎｍ以上５μｍ以下であることを特徴とする」に訂正する。 訂正前請求項１の記載を直接的に引用する訂正前請求項２についても同様に訂正する。 イ 訂正事項２－２（訂正後請求項１０及び１１に係る訂正） 上記（１）及び上記アの訂正をした上で、訂正前請求項１の記載を引用する訂正前請求項４を独立形式として訂正後請求項１０に訂正するとともに、訂正前請求項１及び２の記載を引用する訂正前請求項４を独立形式として訂正後請求項１１に訂正する。 （３） 訂正事項３ ア 訂正事項３－１（訂正後請求項３及び９に係る訂正） 訂正前請求項３において、「前記支持体の少なくとも一部が、反射層、又は光吸収層を含む請求項１又は２に記載のシンチレータユニット。」であった記載を、「前記支持体の少なくとも一部が、前記シンチレータで発生する光を反射することで光取り出し面に前記光を進行させる反射層を含むことを特徴とするシンチレータユニット。」に訂正し、上記（１）の訂正をした上で、訂正前請求項１の記載を引用する訂正前請求項３を独立形式として訂正後請求項３に訂正するとともに、訂正前請求項１及び２の記載を引用する訂正前請求項３を独立形式として訂正後請求項９に訂正する。 イ 訂正事項３－２（訂正後請求項４及び１２に係る訂正） 訂正前請求項４において、「前記接着層が、光散乱粒子とバインダ樹脂を含有する散乱層を含む請求項１乃至３のいずれか１項に記載のシンチレータユニット。」であった記載を、「前記支持体の少なくとも一部が、前記シンチレータで発生する光を反射することで光取り出し面に前記光を進行させる反射層を含み、前記接着層が、光散乱粒子とバインダ樹脂を含有する散乱層を含むことを特徴とするシンチレータユニット。」に訂正し、上記（１）の訂正をした上で、訂正前請求項１及び３の記載を引用する訂正前請求項４を独立形式として訂正後請求項４に訂正するとともに、訂正前請求項１、２及び３の記載を引用する訂正前請求項４を独立形式として訂正後請求項１２に訂正する。 ウ 訂正事項３－３（訂正後請求項８に係る訂正） 訂正前請求項８において、「前記検出部が、前記シンチレータを介して前記低屈折率層と対向していることを特徴とする放射線検出器。」であった記載を、「前記支持体の少なくとも一部が、前記シンチレータで発生する光を反射することで光取り出し面に前記光を進行させる反射層を含み、前記検出部が、前記シンチレータを介して前記低屈折率層と対向していることを特徴とする放射線検出器。」に訂正する。 （４） 訂正事項４ ア 訂正事項４－１（訂正後請求項５～７に係る訂正） 訂正前請求項１の記載を直接的に引用する訂正前請求項５を独立形式として訂正後請求項５に訂正し、訂正前請求項１の記載を直接的に引用する訂正前請求項６を独立形式として訂正後請求項６に訂正し、訂正前請求項１の記載を直接的に引用する訂正前請求項７を独立形式として訂正後請求項７に訂正する。 イ 訂正事項４－２（訂正後請求項１４、１６、１８、２１、２３、２５、２８、３０、３２、３４、３６、３８、４０、４２、４４、４６、４８に係る訂正後請求項１３～４９に係る訂正）及び訂正事項４－３（訂正後請求項１３、１５、１７、１９、２０、２２、２４、２６、２７、２９、３１、３３、３５，３７，３９、４１、４３、４５、４７、４９に係る訂正） 上記（１）の訂正をした上で、訂正前請求項１の記載を間接的に引用する訂正前請求項５を独立形式として訂正後請求項１３～１９に訂正し、訂正前請求項１の記載を間接的に引用する訂正前請求項６を独立形式として訂正後請求項２０～２６に訂正し、訂正前請求項１の記載を間接的に引用する訂正前請求項７を独立形式として訂正後請求項２７～４９に訂正する。 詳細には、以下のような訂正を行うものである。 上記（１）の訂正をした上で、訂正前請求項１及び２の記載を引用する訂正前請求項５を独立形式として訂正後請求項１３に訂正する。 訂正前請求項１及び３の記載を引用する訂正前請求項５を独立形式として訂正後請求項１４に訂正する。 上記（１）の訂正をした上で、訂正前請求項１、２及び３の記載を引用する訂正前請求項５を独立形式として訂正後請求項１５に訂正する。 訂正前請求項１及び４の記載を引用する訂正前請求項５を独立形式として訂正後請求項１６に訂正する。 上記（１）の訂正をした上で、訂正前請求項１、２及び４の記載を引用する訂正前請求項５を独立形式として訂正後請求項１７に訂正する。 訂正前請求項１、３及び４の記載を引用する訂正前請求項５を独立形式として訂正後請求項１８に訂正する。 上記（１）の訂正をした上で、訂正前請求項１、２、３及び４の記載を引用する訂正前請求項５を独立形式として訂正後請求項１９に訂正する。 上記（１）の訂正をした上で、訂正前請求項１及び２の記載を引用する訂正前請求項６を独立形式として訂正後請求項２０に訂正する。 訂正前請求項１及び３の記載を引用する訂正前請求項６を独立形式として訂正後請求項２１に訂正する。 上記（１）の訂正をした上で、訂正前請求項１、２及び３の記載を引用する訂正前請求項６を独立形式として訂正後請求項２２に訂正する。 訂正前請求項１及び４の記載を引用する訂正前請求項６を独立形式として訂正後請求項２３に訂正する。 上記（１）の訂正をした上で、訂正前請求項１、２及び４の記載を引用する訂正前請求項６を独立形式として訂正後請求項２４に訂正する。 訂正前請求項１、３及び４の記載を引用する訂正前請求項６を独立形式として訂正後請求項２５に訂正する。 上記（１）の訂正をした上で、訂正前請求項１、２、３及び４の記載を引用する訂正前請求項６を独立形式として訂正後請求項２６に訂正する。 上記（１）の訂正をした上で、訂正前請求項１及び２の記載を引用する訂正前請求項７を独立形式として訂正後請求項２７に訂正する。 訂正前請求項１及び３の記載を引用する訂正前請求項７を独立形式として訂正後請求項２８に訂正する。 上記（１）の訂正をした上で、訂正前請求項１、２及び３の記載を引用する訂正前請求項７を独立形式として訂正後請求項２９に訂正する。 訂正前請求項１及び４の記載を引用する訂正前請求項７を独立形式として訂正後請求項３０に訂正する。 上記（１）の訂正をした上で、訂正前請求項１、２及び４の記載を引用する訂正前請求項７を独立形式として訂正後請求項３１に訂正する。 訂正前請求項１、３及び４の記載を引用する訂正前請求項７を独立形式として訂正後請求項３２に訂正する。 上記（１）の訂正をした上で、訂正前請求項１、２、３及び４の記載を引用する訂正前請求項７を独立形式として訂正後請求項３３に訂正する。 訂正前請求項１及び５の記載を引用する訂正前請求項７を独立形式として訂正後請求項３４に訂正する。 上記（１）の訂正をした上で、訂正前請求項１、２及び５の記載を引用する訂正前請求項７を独立形式として訂正後請求項３５に訂正する。 訂正前請求項１、３及び５の記載を引用する訂正前請求項７を独立形式として訂正後請求項３６に訂正する。 上記（１）の訂正をした上で、訂正前請求項１、２、３及び５の記載を引用する訂正前請求項７を独立形式として訂正後請求項３７に訂正する。 訂正前請求項１、４及び５の記載を引用する訂正前請求項７を独立形式として訂正後請求項３８に訂正する。 上記（１）の訂正をした上で、訂正前請求項１、２、４及び５の記載を引用する訂正前請求項７を独立形式として訂正後請求項３９に訂正する。 訂正前請求項１、３、４及び５の記載を引用する訂正前請求項７を独立形式として訂正後請求項４０に訂正する。 上記（１）の訂正をした上で、訂正前請求項１、２、３、４及び５の記載を引用する訂正前請求項７を独立形式として訂正後請求項４１に訂正する。 訂正前請求項１及び６の記載を引用する訂正前請求項７を独立形式として訂正後請求項４２に訂正する。 上記（１）の訂正をした上で、訂正前請求項１、２及び６の記載を引用する訂正前請求項７を独立形式として訂正後請求項４３に訂正する。 訂正前請求項１、３及び６の記載を引用する訂正前請求項７を独立形式として訂正後請求項４４に訂正する。 上記（１）の訂正をした上で、訂正前請求項１、２、３及び６の記載を引用する訂正前請求項７を独立形式として訂正後請求項４５に訂正する。 訂正前請求項１、４及び６の記載を引用する訂正前請求項７を独立形式として訂正後請求項４６に訂正する。 上記（１）の訂正をした上で、訂正前請求項１、２、４及び６の記載を引用する訂正前請求項７を独立形式として訂正後請求項４７に訂正する。 訂正前請求項１、３、４及び６の記載を引用する訂正前請求項７を独立形式として訂正後請求項４８に訂正する。 上記（１）の訂正をした上で、訂正前請求項１、２、３、４及び６の記載を引用する訂正前請求項７を独立形式として訂正後請求項４９に訂正する。 ２ 訂正の目的の適否、新規事項の有無、特許請求の範囲の拡張・変更の存否 （１） 訂正事項１ ア 訂正の目的について 訂正前請求項２における「接着層」を「前記接着層」とする訂正は、訂正前請求項２がその記載を引用する訂正前請求項１に既出の「接着層」との関係が不明確であったところ、これを明確にするものであるから、明瞭でない記載の釈明を目的とするものである。 また、訂正前請求項２における「を有する請求項１に記載のシンチレータユニット。」を「を有することを特徴とする請求項１に記載のシンチレータユニット。」とする訂正は、訂正前請求項２がその記載を引用する訂正前請求項１における「ことを特徴とするシンチレータユニット。」と記載を整合させるものであって、明瞭でない記載の釈明を目的とするものである。 イ 願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であるか否かについて 上記アに照らせば、訂正事項１は、本件明細書等に記載した事項の範囲内で訂正を行うものである。 ウ 実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更する訂正ではないか否かについて 訂正事項１は、上記ア及びイに照らせば、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものには該当しない。 （２） 訂正事項２ ア 訂正事項２－１（訂正後請求項１に係る訂正） （ア） 訂正の目的について 訂正前請求項１における訂正事項２－１は、「低屈折率層」に関して「膜厚が３００ｎｍ以上５μｍ以下であ」るとの限定を付加するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。 （イ） 願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であるか否かについて 訂正事項２－１は、本件明細書等の段落【００３６】の「［低屈折率層１０４］図１及び２に示す本発明の構成において、低屈折率層１０４の厚さＴ１は、３００ｎｍ以上５μｍ以下であることが好ましい。」との記載に照らして、本件明細書等に記載した事項の範囲内の訂正である。 （ウ） 実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更する訂正ではないか否かについて 訂正事項２－１は、上記（ア）及び（イ）に照らせば、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものには該当しない。 イ 訂正事項２－２（訂正後請求項１０及び１１に係る訂正） 訂正事項２－２のうち、上記アの訂正をする訂正事項を訂正事項２－２Ａといい、上記（１）の訂正をする訂正事項を訂正事項２－２Ｂといい、訂正前請求項１の記載を引用する訂正前請求項４を独立形式として訂正後請求項１０に訂正するとともに、訂正前請求項１、２の記載を引用する訂正前請求項４を独立形式として訂正後請求項１１に訂正する訂正事項を訂正事項２－２Ｃという。 （ア） 訂正の目的について 訂正事項２－２Ａは、上記ア（ア）で検討したとおり特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、訂正事項２－２Ｂは、上記（１）アで検討したとおり明瞭でない記載の釈明を目的とするものであり、訂正事項２－２Ｃは、引用形式であった請求項を独立形式の請求項にするための訂正であるから、請求項間の引用関係の解消を目的とするものである。 （イ） 願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であるか否かについて 訂正事項２－２Ａ、Ｂは、上記ア（イ）及び上記（１）イで検討したとおり、本件明細書等に記載した事項の範囲内で訂正を行うものである。また、訂正事項２－２Ｃは、上記（ア）で述べたとおり、引用形式で記載されていた請求項を独立形式で記載した請求項に変更するものであり、本件明細書等に記載した事項の範囲内で訂正を行うものである。 （ウ） 実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更する訂正ではないか否かについて 訂正事項２－２は、上記（ア）及び（イ）に照らせば、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものには該当しない。 （３） 訂正事項３ ア 訂正事項３－１（訂正後請求項３及び９に係る訂正） 訂正事項３－１のうち、訂正前請求項３において、「前記支持体の少なくとも一部が、反射層、又は光吸収層を含む請求項１又は２に記載のシンチレータユニット。」であった記載を、「前記支持体の少なくとも一部が、前記シンチレータで発生する光を反射することで光取り出し面に前記光を進行させる反射層を含むことを特徴とするシンチレータユニット。」に訂正する訂正事項を訂正事項３－１Ａといい、上記（１）の訂正をする訂正事項を訂正事項３－１Ｂといい、訂正前請求項１の記載を引用する訂正前請求項３を独立形式として訂正後請求項３に訂正するとともに、訂正前請求項１及び２の記載を引用する訂正前請求項３を独立形式として訂正後請求項９に訂正する訂正事項を訂正事項３－１Ｃという。 （ア） 訂正の目的について 訂正事項３－１Ａは、訂正前の「反射層、又は光吸収層」を「前記シンチレータで発生する光を反射することで光取り出し面に前記光を進行させる反射層」と限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、訂正事項３－１Ｂは、上記（１）アで検討したとおり明瞭でない記載の釈明を目的とするものであり、訂正事項３－１Ｃは、引用形式であった請求項を独立形式の請求項にするための訂正であるから、請求項間の引用関係の解消を目的とするものである。 （イ） 願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であるか否かについて 訂正事項３－１Ａは、本件明細書等の段落【００２７】の「支持体１０１の少なくとも一部は、反射層、又は光吸収層を含むことが好ましい。支持体１０１が光を反射する反射層を含むと、接着層にまで漏れ出た光が反射して再びシンチレータ内にもどって光取り出し面へ進行するため、検出される光が増え、放射線に対する感度を高めることができる。」との記載に照らして、本件明細書等に記載した事項の範囲内で訂正を行うものである。 訂正事項３－１Ｂは、上記（１）イで検討したとおり、本件明細書等に記載した事項の範囲内で訂正を行うものである。また、訂正事項３－１Ｃは、引用形式で記載されていた請求項を独立形式で記載した請求項に変更するものであり、本件明細書等に記載した事項の範囲内で訂正を行うものである。 （ウ） 実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更する訂正ではないか否かについて 訂正事項３－１は、上記（ア）及び（イ）に照らせば、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものには該当しない。 イ 訂正事項３－２（訂正後請求項４及び１２に係る訂正） 訂正事項３－２のうち、訂正前請求項４において、「前記接着層が、光散乱粒子とバインダ樹脂を含有する散乱層を含む請求項１乃至３のいずれか１項に記載のシンチレータユニット。」であった記載を、「前記支持体の少なくとも一部が、前記シンチレータで発生する光を反射することで光取り出し面に前記光を進行させる反射層を含み、前記接着層が、光散乱粒子とバインダ樹脂を含有する散乱層を含むことを特徴とするシンチレータユニット。」に訂正する訂正事項を訂正事項３－２Ａといい、上記（１）の訂正をする訂正事項を訂正事項３－２Ｂといい、訂正前請求項１及び３の記載を引用する訂正前請求項４を独立形式として訂正後請求項４に訂正するとともに、訂正前請求項１、２及び３の記載を引用する訂正前請求項４を独立形式として訂正後請求項１２に訂正する訂正事項を訂正事項３－２Ｃという。 （ア） 訂正の目的について 訂正事項３－２Ａは、訂正前の「支持体」を「前記支持体の少なくとも一部が、前記シンチレータで発生する光を反射することで光取り出し面に前記光を進行させる反射層を含［む］」と限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、訂正事項３－２Ｂは、上記（１）アで検討したとおり明瞭でない記載の釈明を目的とするものであり、訂正事項３－２Ｃは、引用形式であった請求項を独立形式の請求項にするための訂正であるから、請求項間の引用関係の解消を目的とするものである。 （イ） 願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であるか否かについて 訂正事項３－２Ａは、上記アで検討した訂正事項３－１Ａと同じ訂正であるから、上記ア（イ）で検討したのと同様の理由により、本件明細書等に記載した事項の範囲内で訂正を行うものである。 訂正事項３－２Ｂは、上記（１）イで検討したとおり、本件明細書等に記載した事項の範囲内で訂正を行うものである。また、訂正事項３－２Ｃは、引用形式で記載されていた請求項を独立形式で記載した請求項に変更するものであり、本件明細書等に記載した事項の範囲内で訂正を行うものである。 （ウ） 実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更する訂正ではないか否かについて 訂正事項３－２は、上記（ア）及び（イ）に照らせば、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものには該当しない。 ウ 訂正事項３－３（訂正後請求項８に係る訂正） 訂正事項３－３は、上記アで検討した訂正事項３－１Ａと同じ訂正であるから、上記アで検討したのと同様の理由により、訂正要件を満たすものである。 （４） 訂正事項４ ア 訂正事項４－１及び４－２（訂正後請求項５～７、１４、１６、１８、２１、２３、２５、２８、３０、３２、３４、３６、３８、４０、４２、４４、４６、４８に係る訂正） （ア） 訂正の目的について 訂正事項４－１及び４－２は、いずれも、引用形式であった請求項を独立形式の請求項にするための訂正であるから、請求項間の引用関係の解消を目的とするものである。 （イ） 願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であるか否かについて 訂正事項４－１及び４－２は、上記（ア）で述べたとおり、引用形式で記載されていた請求項を独立形式で記載した請求項に変更するものであり、本件明細書等に記載した事項の範囲内で訂正を行うものである。 （ウ） 実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更する訂正ではないか否かについて 訂正事項４－１及び４－２は、上記ア及びイにも照らせば、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものには該当しない。 イ 訂正事項４－３（訂正後請求項１３、１５、１７、１９、２０、２２、２４、２６、２７、２９、３１、３３、３５，３７，３９、４１、４３、４５、４７、４９に係る訂正） 訂正事項４－３のうち、その記載を引用する訂正前請求項２に関する訂正事項１の訂正を訂正事項４－３Ａといい、訂正前請求項１、２の記載を直接的又は間接的に引用する訂正前請求項５を独立形式として訂正後請求項１３、１５、１７、１９に訂正し、訂正前請求項１、２の記載を直接的又は間接的に引用する訂正前請求項６を独立形式として訂正後請求項２０、２２、２４、２６に訂正し、訂正前請求項１、２の記載を直接的又は間接的に引用する訂正前請求項７を独立形式として訂正後請求項２７、２９、３１、３３、３５，３７，３９、４１、４３、４５、４７、４９に訂正する訂正事項を訂正事項４－３Ｂという。 （ア） 訂正の目的について 訂正事項４－３Ａは、上記（１）アで検討したとおり明瞭でない記載の釈明を目的とするものであり、訂正事項４－３Ｂは、引用形式であった請求項を独立形式の請求項にするための訂正であるから、 請求項間の引用関係の解消を目的とするものである。 （イ） 願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であるか否かについて 訂正事項４－３Ａは、上記（１）イで検討したとおり、本件明細書等に記載した事項の範囲内で訂正を行うものである。また、訂正事項４－３Ｂは、上記（ア）で述べたとおり、引用形式で記載されていた請求項を独立形式で記載した請求項に変更するものであり、本件明細書等に記載した事項の範囲内で訂正を行うものである。 （ウ） 実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更する訂正ではないか否かについて 訂正事項４－３は、上記（ア）及び（イ）に照らせば、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものには該当しない。 ３ 訂正の適否についての判断の小括 以上のとおり、本件訂正は、訂正要件を満たすものである。そして、前記１のとおり、特許権者は、訂正後請求項３～７、９～４９については別の訂正単位として扱われることを求めている。 よって、特許請求の範囲を、訂正請求書に添付した訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１、２〕、３～４９について訂正することを認める。 第３ 本件発明 本件訂正後の請求項１～４９に係る発明（以下、それぞれ、「本件発明１」～「本件発明４９」といい、これらを総称して「本件発明」という。）は、次のとおりのものである 【請求項１】 シンチレータと支持体との間に接着層を備えるシンチレータユニットであって、 前記シンチレータと前記接着層との間に前記接着層よりも屈折率の低い低屈折率層を有し、 前記低屈折率層の膜厚が３００ｎｍ以上５μｍ以下であることを特徴とするシンチレータユニット。 【請求項２】 前記シンチレータが、複数の柱状結晶を含み、 前記柱状結晶の延伸方向の先端部と前記接着層との間に前記低屈折率層を有することを特徴とする請求項１に記載のシンチレータユニット。 【請求項３】 シンチレータと支持体との間に接着層を備えるシンチレータユニットであって、 前記シンチレータと前記接着層との間に前記接着層よりも屈折率の低い低屈折率層を有し、 前記支持体の少なくとも一部が、前記シンチレータで発生する光を反射することで光取り出し面に前記光を進行させる反射層を含むことを特徴とするシンチレータユニット。 【請求項４】 シンチレータと支持体との間に接着層を備えるシンチレータユニットであって、 前記シンチレータと前記接着層との間に前記接着層よりも屈折率の低い低屈折率層を有し、 前記支持体の少なくとも一部が、前記シンチレータで発生する光を反射することで光取り出し面に前記光を進行させる反射層を含み、 前記接着層が、光散乱粒子とバインダ樹脂を含有する散乱層を含むことを特徴とするシンチレータユニット。 【請求項５】 シンチレータと支持体との間に接着層を備えるシンチレータユニットであって、 前記シンチレータと前記接着層との間に前記接着層よりも屈折率の低い低屈折率層を有し、 前記低屈折率層が、二酸化ケイ素を含むことを特徴とするシンチレータユニット。 【請求項６】 シンチレータと支持体との間に接着層を備えるシンチレータユニットであって、 前記シンチレータと前記接着層との間に前記接着層よりも屈折率の低い低屈折率層を有し、 前記低屈折率層が、中空粒子を含むことを特徴とするシンチレータユニット。 【請求項７】 シンチレータと支持体との間に接着層を備えるシンチレータユニットであって、 前記シンチレータと前記接着層との間に前記接着層よりも屈折率の低い低屈折率層を有し、 前記低屈折率層の空隙率が、６０．０％以上９５．０％以下であることを特徴とするシンチレータユニット。 【請求項８】 シンチレータと支持体との間に接着層を備えるシンチレータユニットと、前記シンチレータから発生した光を検出する検出部とを備える放射線検出器であって、 前記シンチレータユニットが、前記シンチレータと前記接着層との間に前記接着層よりも屈折率の低い低屈折率層を有し、 前記支持体の少なくとも一部が、前記シンチレータで発生する光を反射することで光取り出し面に前記光を進行させる反射層を含み、 前記検出部が、前記シンチレータを介して前記低屈折率層と対向していることを特徴とする放射線検出器。 【請求項９】 シンチレータと支持体との間に接着層を備えるシンチレータユニットであって、 前記シンチレータと前記接着層との間に前記接着層よりも屈折率の低い低屈折率層を有し、 前記シンチレータが、複数の柱状結晶を含み、 前記柱状結晶の延伸方向の先端部と前記接着層との間に前記低屈折率層を有し、 前記支持体の少なくとも一部が、前記シンチレータで発生する光を反射することで光取り出し面に前記光を進行させる反射層を含むことを特徴とするシンチレータユニット。 【請求項１０】 シンチレータと支持体との間に接着層を備えるシンチレータユニットであって、 前記シンチレータと前記接着層との間に前記接着層よりも屈折率の低い低屈折率層を有し、 前記低屈折率層の膜厚が３００ｎｍ以上５μｍ以下であり、 前記接着層が、光散乱粒子とバインダ樹脂を含有する散乱層を含むことを特徴とするシンチレータユニット。 【請求項１１】 シンチレータと支持体との間に接着層を備えるシンチレータユニットであって、 前記シンチレータと前記接着層との間に前記接着層よりも屈折率の低い低屈折率層を有し、 前記低屈折率層の膜厚が３００ｎｍ以上５μｍ以下であり、 前記シンチレータが、複数の柱状結晶を含み、 前記柱状結晶の延伸方向の先端部と前記接着層との間に前記低屈折率層を有し、 前記接着層が、光散乱粒子とバインダ樹脂を含有する散乱層を含むことを特徴とするシンチレータユニット。 【請求項１２】 シンチレータと支持体との間に接着層を備えるシンチレータユニットであって、 前記シンチレータと前記接着層との間に前記接着層よりも屈折率の低い低屈折率層を有し、 前記シンチレータが、複数の柱状結晶を含み、 前記柱状結晶の延伸方向の先端部と前記接着層との間に前記低屈折率層を有し、 前記支持体の少なくとも一部が、前記シンチレータで発生する光を反射することで光取り出し面に前記光を進行させる反射層を含み、 前記接着層が、光散乱粒子とバインダ樹脂を含有する散乱層を含むことを特徴とするシンチレータユニット。 【請求項１３】 シンチレータと支持体との間に接着層を備えるシンチレータユニットであって、 前記シンチレータと前記接着層との間に前記接着層よりも屈折率の低い低屈折率層を有し、 前記シンチレータが、複数の柱状結晶を含み、 前記柱状結晶の延伸方向の先端部と前記接着層との間に前記低屈折率層を有し、 前記低屈折率層が、二酸化ケイ素を含むことを特徴とするシンチレータユニット。 【請求項１４】 シンチレータと支持体との間に接着層を備えるシンチレータユニットであって、 前記シンチレータと前記接着層との間に前記接着層よりも屈折率の低い低屈折率層を有し、 前記支持体の少なくとも一部が、反射層、又は光吸収層を含み、 前記低屈折率層が、二酸化ケイ素を含むことを特徴とするシンチレータユニット。 【請求項１５】 シンチレータと支持体との間に接着層を備えるシンチレータユニットであって、 前記シンチレータと前記接着層との間に前記接着層よりも屈折率の低い低屈折率層を有し、 前記シンチレータが、複数の柱状結晶を含み、 前記柱状結晶の延伸方向の先端部と前記接着層との間に前記低屈折率層を有し、 前記支持体の少なくとも一部が、反射層、又は光吸収層を含み、 前記低屈折率層が、二酸化ケイ素を含むことを特徴とするシンチレータユニット。 【請求項１６】 シンチレータと支持体との間に接着層を備えるシンチレータユニットであって、 前記シンチレータと前記接着層との間に前記接着層よりも屈折率の低い低屈折率層を有し、 前記接着層が、光散乱粒子とバインダ樹脂を含有する散乱層を含み、 前記低屈折率層が、二酸化ケイ素を含むことを特徴とするシンチレータユニット。 【請求項１７】 シンチレータと支持体との間に接着層を備えるシンチレータユニットであって、 前記シンチレータと前記接着層との間に前記接着層よりも屈折率の低い低屈折率層を有し、 前記シンチレータが、複数の柱状結晶を含み、 前記柱状結晶の延伸方向の先端部と前記接着層との間に前記低屈折率層を有し、 前記接着層が、光散乱粒子とバインダ樹脂を含有する散乱層を含み、 前記低屈折率層が、二酸化ケイ素を含むことを特徴とするシンチレータユニット。 【請求項１８】 シンチレータと支持体との間に接着層を備えるシンチレータユニットであって、 前記シンチレータと前記接着層との間に前記接着層よりも屈折率の低い低屈折率層を有し、 前記支持体の少なくとも一部が、反射層、又は光吸収層を含み、 前記接着層が、光散乱粒子とバインダ樹脂を含有する散乱層を含み、 前記低屈折率層が、二酸化ケイ素を含むことを特徴とするシンチレータユニット。 【請求項１９】 シンチレータと支持体との間に接着層を備えるシンチレータユニットであって、 前記シンチレータと前記接着層との間に前記接着層よりも屈折率の低い低屈折率層を有し、 前記シンチレータが、複数の柱状結晶を含み、 前記柱状結晶の延伸方向の先端部と前記接着層との間に前記低屈折率層を有し、 前記支持体の少なくとも一部が、反射層、又は光吸収層を含み、 前記接着層が、光散乱粒子とバインダ樹脂を含有する散乱層を含み、 前記低屈折率層が、二酸化ケイ素を含むことを特徴とするシンチレータユニット。 【請求項２０】 シンチレータと支持体との間に接着層を備えるシンチレータユニットであって、 前記シンチレータと前記接着層との間に前記接着層よりも屈折率の低い低屈折率層を有し、 前記シンチレータが、複数の柱状結晶を含み、 前記柱状結晶の延伸方向の先端部と前記接着層との間に前記低屈折率層を有し、 前記低屈折率層が、中空粒子を含むことを特徴とするシンチレータユニット。 【請求項２１】 シンチレータと支持体との間に接着層を備えるシンチレータユニットであって、 前記シンチレータと前記接着層との間に前記接着層よりも屈折率の低い低屈折率層を有し、 前記支持体の少なくとも一部が、反射層、又は光吸収層を含み、 前記低屈折率層が、中空粒子を含むことを特徴とするシンチレータユニット。 【請求項２２】 シンチレータと支持体との間に接着層を備えるシンチレータユニットであって、 前記シンチレータと前記接着層との間に前記接着層よりも屈折率の低い低屈折率層を有し、 前記シンチレータが、複数の柱状結晶を含み、 前記柱状結晶の延伸方向の先端部と前記接着層との間に前記低屈折率層を有し、 前記支持体の少なくとも一部が、反射層、又は光吸収層を含み、 前記低屈折率層が、中空粒子を含むことを特徴とするシンチレータユニット。 【請求項２３】 シンチレータと支持体との間に接着層を備えるシンチレータユニットであって、 前記シンチレータと前記接着層との間に前記接着層よりも屈折率の低い低屈折率層を有し、 前記接着層が、光散乱粒子とバインダ樹脂を含有する散乱層を含み、 前記低屈折率層が、中空粒子を含むことを特徴とするシンチレータユニット。 【請求項２４】 シンチレータと支持体との間に接着層を備えるシンチレータユニットであって、 前記シンチレータと前記接着層との間に前記接着層よりも屈折率の低い低屈折率層を有し、 前記シンチレータが、複数の柱状結晶を含み、 前記柱状結晶の延伸方向の先端部と前記接着層との間に前記低屈折率層を有し、 前記接着層が、光散乱粒子とバインダ樹脂を含有する散乱層を含み、 前記低屈折率層が、中空粒子を含むことを特徴とするシンチレータユニット。 【請求項２５】 シンチレータと支持体との間に接着層を備えるシンチレータユニットであって、 前記シンチレータと前記接着層との間に前記接着層よりも屈折率の低い低屈折率層を有し、 前記支持体の少なくとも一部が、反射層、又は光吸収層を含み、 前記接着層が、光散乱粒子とバインダ樹脂を含有する散乱層を含み、 前記低屈折率層が、中空粒子を含むことを特徴とするシンチレータユニット。 【請求項２６】 シンチレータと支持体との間に接着層を備えるシンチレータユニットであって、 前記シンチレータと前記接着層との間に前記接着層よりも屈折率の低い低屈折率層を有し、 前記シンチレータが、複数の柱状結晶を含み、 前記柱状結晶の延伸方向の先端部と前記接着層との間に前記低屈折率層を有し、 前記支持体の少なくとも一部が、反射層、又は光吸収層を含み、 前記接着層が、光散乱粒子とバインダ樹脂を含有する散乱層を含み、 前記低屈折率層が、中空粒子を含むことを特徴とするシンチレータユニット。 【請求項２７】 シンチレータと支持体との間に接着層を備えるシンチレータユニットであって、 前記シンチレータと前記接着層との間に前記接着層よりも屈折率の低い低屈折率層を有し、 前記シンチレータが、複数の柱状結晶を含み、 前記柱状結晶の延伸方向の先端部と前記接着層との間に前記低屈折率層を有し、 前記低屈折率層の空隙率が、６０．０％以上９５．０％以下であることを特徴とするシンチレータユニット。 【請求項２８】 シンチレータと支持体との間に接着層を備えるシンチレータユニットであって、 前記シンチレータと前記接着層との間に前記接着層よりも屈折率の低い低屈折率層を有し、 前記支持体の少なくとも一部が、反射層、又は光吸収層を含み、 前記低屈折率層の空隙率が、６０．０％以上９５．０％以下であることを特徴とするシンチレータユニット。 【請求項２９】 シンチレータと支持体との間に接着層を備えるシンチレータユニットであって、 前記シンチレータと前記接着層との間に前記接着層よりも屈折率の低い低屈折率層を有し、 前記シンチレータが、複数の柱状結晶を含み、 前記柱状結晶の延伸方向の先端部と前記接着層との間に前記低屈折率層を有し、 前記支持体の少なくとも一部が、反射層、又は光吸収層を含み、 前記低屈折率層の空隙率が、６０．０％以上９５．０％以下であることを特徴とするシンチレータユニット。 【請求項３０】 シンチレータと支持体との間に接着層を備えるシンチレータユニットであって、 前記シンチレータと前記接着層との間に前記接着層よりも屈折率の低い低屈折率層を有し、 前記接着層が、光散乱粒子とバインダ樹脂を含有する散乱層を含み、 前記低屈折率層の空隙率が、６０．０％以上９５．０％以下であることを特徴とするシンチレータユニット。 【請求項３１】 シンチレータと支持体との間に接着層を備えるシンチレータユニットであって、 前記シンチレータと前記接着層との間に前記接着層よりも屈折率の低い低屈折率層を有し、 前記シンチレータが、複数の柱状結晶を含み、 前記柱状結晶の延伸方向の先端部と前記接着層との間に前記低屈折率層を有し、 前記接着層が、光散乱粒子とバインダ樹脂を含有する散乱層を含み、 前記低屈折率層の空隙率が、６０．０％以上９５．０％以下であることを特徴とするシンチレータユニット。 【請求項３２】 シンチレータと支持体との間に接着層を備えるシンチレータユニットであって、 前記シンチレータと前記接着層との間に前記接着層よりも屈折率の低い低屈折率層を有し、 前記支持体の少なくとも一部が、反射層、又は光吸収層を含み、 前記接着層が、光散乱粒子とバインダ樹脂を含有する散乱層を含み、 前記低屈折率層の空隙率が、６０．０％以上９５．０％以下であることを特徴とするシンチレータユニット。 【請求項３３】 シンチレータと支持体との間に接着層を備えるシンチレータユニットであって、 前記シンチレータと前記接着層との間に前記接着層よりも屈折率の低い低屈折率層を有し、 前記シンチレータが、複数の柱状結晶を含み、 前記柱状結晶の延伸方向の先端部と前記接着層との間に前記低屈折率層を有し、 前記支持体の少なくとも一部が、反射層、又は光吸収層を含み、 前記接着層が、光散乱粒子とバインダ樹脂を含有する散乱層を含み、 前記低屈折率層の空隙率が、６０．０％以上９５．０％以下であることを特徴とするシンチレータユニット。 【請求項３４】 シンチレータと支持体との間に接着層を備えるシンチレータユニットであって、 前記シンチレータと前記接着層との間に前記接着層よりも屈折率の低い低屈折率層を有し、 前記低屈折率層が、二酸化ケイ素を含み、 前記低屈折率層の空隙率が、６０．０％以上９５．０％以下であることを特徴とするシンチレータユニット。 【請求項３５】 シンチレータと支持体との間に接着層を備えるシンチレータユニットであって、 前記シンチレータと前記接着層との間に前記接着層よりも屈折率の低い低屈折率層を有し、 前記シンチレータが、複数の柱状結晶を含み、 前記柱状結晶の延伸方向の先端部と前記接着層との間に前記低屈折率層を有し、 前記低屈折率層が、二酸化ケイ素を含み、 前記低屈折率層の空隙率が、６０．０％以上９５．０％以下であることを特徴とするシンチレータユニット。 【請求項３６】 シンチレータと支持体との間に接着層を備えるシンチレータユニットであって、 前記シンチレータと前記接着層との間に前記接着層よりも屈折率の低い低屈折率層を有し、 前記支持体の少なくとも一部が、反射層、又は光吸収層を含み、 前記低屈折率層が、二酸化ケイ素を含み、 前記低屈折率層の空隙率が、６０．０％以上９５．０％以下であることを特徴とするシンチレータユニット。 【請求項３７】 シンチレータと支持体との間に接着層を備えるシンチレータユニットであって、 前記シンチレータと前記接着層との間に前記接着層よりも屈折率の低い低屈折率層を有し、 前記シンチレータが、複数の柱状結晶を含み、 前記柱状結晶の延伸方向の先端部と前記接着層との間に前記低屈折率層を有し、 前記支持体の少なくとも一部が、反射層、又は光吸収層を含み、 前記低屈折率層が、二酸化ケイ素を含み、 前記低屈折率層の空隙率が、６０．０％以上９５．０％以下であることを特徴とするシンチレータユニット。 【請求項３８】 シンチレータと支持体との間に接着層を備えるシンチレータユニットであって、 前記シンチレータと前記接着層との間に前記接着層よりも屈折率の低い低屈折率層を有し、 前記接着層が、光散乱粒子とバインダ樹脂を含有する散乱層を含み、 前記低屈折率層が、二酸化ケイ素を含み、 前記低屈折率層の空隙率が、６０．０％以上９５．０％以下であることを特徴とするシンチレータユニット。 【請求項３９】 シンチレータと支持体との間に接着層を備えるシンチレータユニットであって、 前記シンチレータと前記接着層との間に前記接着層よりも屈折率の低い低屈折率層を有し、 前記シンチレータが、複数の柱状結晶を含み、 前記柱状結晶の延伸方向の先端部と前記接着層との間に前記低屈折率層を有し、 前記接着層が、光散乱粒子とバインダ樹脂を含有する散乱層を含み、 前記低屈折率層が、二酸化ケイ素を含み、 前記低屈折率層の空隙率が、６０．０％以上９５．０％以下であることを特徴とするシンチレータユニット。 【請求項４０】 シンチレータと支持体との間に接着層を備えるシンチレータユニットであって、 前記シンチレータと前記接着層との間に前記接着層よりも屈折率の低い低屈折率層を有し、 前記支持体の少なくとも一部が、反射層、又は光吸収層を含み、 前記接着層が、光散乱粒子とバインダ樹脂を含有する散乱層を含み、 前記低屈折率層が、二酸化ケイ素を含み、 前記低屈折率層の空隙率が、６０．０％以上９５．０％以下であることを特徴とするシンチレータユニット。 【請求項４１】 シンチレータと支持体との間に接着層を備えるシンチレータユニットであって、 前記シンチレータと前記接着層との間に前記接着層よりも屈折率の低い低屈折率層を有し、 前記シンチレータが、複数の柱状結晶を含み、 前記柱状結晶の延伸方向の先端部と前記接着層との間に前記低屈折率層を有し、 前記支持体の少なくとも一部が、反射層、又は光吸収層を含み、 前記接着層が、光散乱粒子とバインダ樹脂を含有する散乱層を含み、 前記低屈折率層が、二酸化ケイ素を含み、 前記低屈折率層の空隙率が、６０．０％以上９５．０％以下であることを特徴とするシンチレータユニット。 【請求項４２】 シンチレータと支持体との間に接着層を備えるシンチレータユニットであって、 前記シンチレータと前記接着層との間に前記接着層よりも屈折率の低い低屈折率層を有し、 前記低屈折率層が、中空粒子を含み、 前記低屈折率層の空隙率が、６０．０％以上９５．０％以下であることを特徴とするシンチレータユニット。 【請求項４３】 シンチレータと支持体との間に接着層を備えるシンチレータユニットであって、 前記シンチレータと前記接着層との間に前記接着層よりも屈折率の低い低屈折率層を有し、 前記シンチレータが、複数の柱状結晶を含み、 前記柱状結晶の延伸方向の先端部と前記接着層との間に前記低屈折率層を有し、 前記低屈折率層が、中空粒子を含み、 前記低屈折率層の空隙率が、６０．０％以上９５．０％以下であることを特徴とするシンチレータユニット。 【請求項４４】 シンチレータと支持体との間に接着層を備えるシンチレータユニットであって、 前記シンチレータと前記接着層との間に前記接着層よりも屈折率の低い低屈折率層を有し、 前記支持体の少なくとも一部が、反射層、又は光吸収層を含み、 前記低屈折率層が、中空粒子を含み、 前記低屈折率層の空隙率が、６０．０％以上９５．０％以下であることを特徴とするシンチレータユニット。 【請求項４５】 シンチレータと支持体との間に接着層を備えるシンチレータユニットであって、 前記シンチレータと前記接着層との間に前記接着層よりも屈折率の低い低屈折率層を有し、 前記シンチレータが、複数の柱状結晶を含み、 前記柱状結晶の延伸方向の先端部と前記接着層との間に前記低屈折率層を有し、 前記支持体の少なくとも一部が、反射層、又は光吸収層を含み、 前記低屈折率層が、中空粒子を含み、 前記低屈折率層の空隙率が、６０．０％以上９５．０％以下であることを特徴とするシンチレータユニット。 【請求項４６】 シンチレータと支持体との間に接着層を備えるシンチレータユニットであって、 前記シンチレータと前記接着層との間に前記接着層よりも屈折率の低い低屈折率層を有し、 前記接着層が、光散乱粒子とバインダ樹脂を含有する散乱層を含み、 前記低屈折率層が、中空粒子を含み、 前記低屈折率層の空隙率が、６０．０％以上９５．０％以下であることを特徴とするシンチレータユニット。 【請求項４７】 シンチレータと支持体との間に接着層を備えるシンチレータユニットであって、 前記シンチレータと前記接着層との間に前記接着層よりも屈折率の低い低屈折率層を有し、 前記シンチレータが、複数の柱状結晶を含み、 前記柱状結晶の延伸方向の先端部と前記接着層との間に前記低屈折率層を有し、 前記接着層が、光散乱粒子とバインダ樹脂を含有する散乱層を含み、 前記低屈折率層が、中空粒子を含み、 前記低屈折率層の空隙率が、６０．０％以上９５．０％以下であることを特徴とするシンチレータユニット。 【請求項４８】 シンチレータと支持体との間に接着層を備えるシンチレータユニットであって、 前記シンチレータと前記接着層との間に前記接着層よりも屈折率の低い低屈折率層を有し、 前記支持体の少なくとも一部が、反射層、又は光吸収層を含み、 前記接着層が、光散乱粒子とバインダ樹脂を含有する散乱層を含み、 前記低屈折率層が、中空粒子を含み、 前記低屈折率層の空隙率が、６０．０％以上９５．０％以下であることを特徴とするシンチレータユニット。 【請求項４９】 シンチレータと支持体との間に接着層を備えるシンチレータユニットであって、 前記シンチレータと前記接着層との間に前記接着層よりも屈折率の低い低屈折率層を有し、 前記シンチレータが、複数の柱状結晶を含み、 前記柱状結晶の延伸方向の先端部と前記接着層との間に前記低屈折率層を有し、 前記支持体の少なくとも一部が、反射層、又は光吸収層を含み、 前記接着層が、光散乱粒子とバインダ樹脂を含有する散乱層を含み、 前記低屈折率層が、中空粒子を含み、 前記低屈折率層の空隙率が、６０．０％以上９５．０％以下であることを特徴とするシンチレータユニット。 第４ 第２次取消理由及び第１次取消理由の要旨並びに申立人が提出した証拠について １ 本件訂正後の請求項１、２、１０、１１に係る特許に対して、当審において特許権者に通知した第２次取消理由の要旨は、次のとおりである（なお、その余の請求項に係る特許に対しては、第２次取消理由は通知されていない。）。以下、証拠番号の「第」及び「号証」は略して表記する。また、以下に掲げる証拠及び参考文献は、いずれも、本願の出願前に日本国内若しくは外国において発行されたものである。 （進歩性） 本件訂正後の請求項１、２、１０、１１に係る発明は、甲１又は甲１０に記載された発明及び周知技術並びに必要に応じて甲４に記載された技術的事項に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、当該各請求項に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。 ２ 本件特許の登録時の請求項１～４、８に係る特許に対して、当審において特許権者に通知した第１次取消理由の要旨は、次のとおりである。 （１）理由１（新規性） 本件特許の登録時の請求項１、２、３及び８に係る発明は、甲１又は甲１０に記載された発明であって、特許法第２９条第１項第３号に該当するから、当該各請求項に係る特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものである。 （２）理由２（進歩性） 本件特許の登録時の請求項１、２、３、４及び８に係る発明は、甲１又は甲１０に記載された発明及び必要に応じて甲４に記載された技術的事項に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、当該各請求項に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。 ３ 申立人が提出した証拠 申立人が提出した証拠は、次のとおりである。なお、特許権者は証拠を提出していない。 甲１：特許第２６８０２２８公報 甲２：キヤノンオプトロン株式会社のウェブサイト中の「事業内容」の下の「蒸着材料」の下の「製品一覧」のウェブページ URL:https://optron.canon/ja/evaporation/productlist.html 甲３：ザ・ダウ・ケミカル・カンパニー（ＤＯＷ）社のウェブサイト中の「各種サポート」の下の「テクニカルデータシート」のウェブページ中の「各種サポート」の下の「テクニカルデータシート」ウェブページ中の「ＳＹＬＧＡＲＤＴＭ １８４Ｓｉｌｉｃｏｎｅ Ｅｌａｓｔｏｍｅｒテクニカルデータシート」 URL:https://www.dow.com/ja-jp/document-viewer.html?docPath=/content/dam/dcc/documents/11/11-3184-42-sylgard-184-elastomer.pdf 甲４：特開２００９－２５２５８号公報 甲５：特開２０００－１８０５５５号公報 甲６：再公表特許第２０１３／０８０５６５号 甲７：特開２０１７－１６１４０７号公報 甲８：Ｆｉｌｍｅｔｒｉｃｓ社のウェブサイト中の「製品技術」の下の「屈折率一覧表」のうち「アルミニウム屈折率」のウェブページ URL:http://www.filmetricsinc.jp/refractive-index-database/Al/Aluminium-%E3%82%A2%E3%83%AB%E3%83%9F%E3%83%8B%E3%82%A6%E3%83%A0 甲９：特開２０１８－３６１９８号公報 甲１０：特開２０１２－１２７６９８号公報 甲１１：華陽物産株式会社のウェブサイト中の「技術情報」内の「プラスチック物性一覧表（熱可塑性）」のウェブページ中の「ＰＤＦカタログ：プラスチック物性一覧表（熱可塑性）」 URL:https://www.kayo-corp.co.jp/common/pdf/pla_propertylist01.pdf 参考文献１：特開２００６－２５８６１８号公報 参考文献２：特開２０１７－１２２７３３号公報 参考文献３：特開２００３－７５５９２号公報 参考文献４：特開２０１６－１７２９２８号公報 第５ 第２次取消理由に対する当審の判断 当審において、第２次取消理由を通知し、期間を指定して意見書を提出する機会を与えたが、特許権者からは応答がなかった。 そして、第２次取消理由は妥当なものと認められるので、本件発明１、２、１０、１１に係る特許は、以下に示すとおり、第２次取消理由によって取り消すべきものである。 １ 甲号証に記載された事項及び甲号証に記載された発明等 （１） 甲１の記載内容及び甲１発明の認定 ア 甲１の記載内容 甲１には次の記載がある（下線は当合議体が付した。以下同じ。）。 「【０００２】 【産業上の利用分野】この発明は、放射線作像（イメージング）システムに関し、特にこのようなシステムに用いる光検出器と結合したシンチレータに関する。」 「【００１１】 【具体的な構成】図面はこの発明の放射線イメージング装置の断面図である。この放射線イメージング装置１０は、基板１５の上に配置された光検出器配列２０と、光検出器配列の上に配置されたシンチレータ３０と、シンチレータの上に配置された光反射層５２および水分シール層５４を有する防湿バリヤ５０とを備える。光検出器配列２０は処理回路８０に接続され、処理回路８０は電気信号をディスプレーおよび分析装置９０に適切な形態に処理する。」 「【００１３】シンチレータ３０は、光検出器配列２０に隣接して配置され、かつそれに光学的に結合されている。ここで、「光検出器配列２０に光学的に結合されている」とは、これら２つの配列を、シンチレータからの光学的光子がすぐに光検出器に入るように配設することを、意味する。光結合は、シンチレータから光検出器への光子の効率よい移送を助ける材料の別の層（図示せず）を含んでもよい。シンチレータ３０は、図示のように、複数の個別のシンチレータ素子３２に分割するのが有利であるが、あるいは、シンチレータ材料の単一の実質的に均質なブロック（図示せず）としてもよい。シンチレータ素子３２は、シンチレータ材料の大きなブロックからダイシングまたは切断しても、蒸着またはスパッタリングなどの既知の方法により個別に柱状構造に成長または堆積してもよい。堆積工程後のシンチレータの表面はでこぼこである、すなわち突起をもっていてもよい。シンチレータ３０は、光検出器配列２０の上に直接成長または堆積しても、あるいは個別に形成した後、光検出器配列２０と位置合わせし接合してもよい。シンチレータ素子３２を、光検出器配列２０の配置に実質的に一致する配列に配設する。シンチレータは、第１端または表面３４と、それとは反対側の第２端または表面３６とを有し、第１表面３４を通ってＸ線またはγ線の入射放射線７０が入り、第２表面３６を通って光子が隣接する光検出器配列２０に通過する。シンチレータ３０を形成するのに用いる材料はヨウ化セシウムが代表的であるが、他の既知のシンチレータ材料から構成してもよい。 【００１４】この発明によれば、防湿バリヤ５０が少なくともシンチレータ配列３０の頂部に配置され、シンチレータ３０の第１表面３４に延在して、シンチレータをイメージング装置１０の周囲の雰囲気中に存在する水分からシールする。特に、シンチレータ素子３２を柱状構造に堆積した場合のように、シンチレータの第１表面３４が粗い、すなわちでこぼこな形状を持つ場合には、シンチレータの第１表面３４上に薄膜層４０を配置するのが有利である。薄膜層４０はシンチレータのでこぼこな表面によく付着し、一方防湿バリヤ５０が付着できる安定な表面、すなわちしっかりした十分に滑らかな表面を与える。薄膜層４０は、極めて薄いのが代表的で、たとえば厚さ約２００－６００オングストロームで、ニトロセルロース、ポリ（ｐ－キシレン）またはオルガノポリシロキサン－ポリカーボネートなどの有機材料から形成するか、あるいはクリオライト（ｋｒｙｏｌｉｔｅ）などの無機材料から形成する。薄膜層４０は、通常の方法で、たとえば水浴槽の上に薄層を形成し、その層を所定の位置に移すことにより、形成することができる。」 「【００１６】図に示すように、防湿バリヤ５０は光反射層５２と水分シール層５４とからなる。光反射層５２は、銀、金、アルミニウムなどの高反射率金属から作るのが有利であるが、多層誘電体ミラーとして形成してもよい。金属反射層の厚さは約１００－２０００オングストロームの範囲とするのが好適である。銀は化学的に反応性であるので、層５２を２つ以上の構成層５２Ａ、５２Ｂから形成するのが好ましく、この場合、下層５２Ａを銀とするのが好ましく、上層５２Ｂを金または同様の反応性の低い金属とするのがよい。反射層５２が多層誘電体ミラーである場合、隣接する構成層を屈折率がいちじるしく異なる材料から形成する。たとえば、これらの構成層を、屈折率約１．４５の二酸化けい素および屈折率約２．６の酸化チタンから形成するのが有利である。あるいはまた、チタニアの代わりに酸化タンタルを用いることができる。気相から薄膜として堆積することのできる適当な屈折率の他の材料を、代わりに用いてもよい。誘電体ミラーの設計は当業者によく知られており、層の厚さおよび数は反射すべき波長の範囲によって決まる。このようなミラーは約１０－２０層とするのがよい。 【００１７】水分シール層５４はシンチレータ３０の上に配置され、少なくとも光反射層５２の上に延在する。水分シール層５４は、シンチレータ３０の外端、つまり側壁３８のまわりに、第１表面３４から第２表面３６までのシンチレータの長さに沿って延在するのが好ましい。光検出器配列２０の上に配置された包囲壁５８が、シンチレータの外端３８にほぼ平行に延びている。包囲壁５８は、水分シール層５４（少なくとも最初に塗工されたとき液体形態にあり、塗工後に硬質状態に硬化する）をシンチレータ側壁３８に対して保持する作用をなす。たとえば、包囲壁５８を、シンチレータの外端のまわりに設けたエポキシのビードまたはダムとすることができるが、これに限らない。こうしてシンチレータを封入して、シンチレータ材料が装置１０のまわりの周囲環境または雰囲気中に存在する湿気にさらされる位置を最小限に抑える。シンチレータ３０を光検出器配列２０に光結合することにより形成される界面は、結果として、シンチレータ配列を界面に沿って湿気からシールすることになる。 【００１８】水分シール層５４は、ＧＥ社のＳｉｌｉｃｏｎｅ Ｇｅｌ ＲＴＶ６１５７やＤｏｗＣｏｒｎｉｎｇ社のＳｙｌｇａｒｄなどのシリコーンポッティング材、または実質的に水分不透過性であり、この構造内でシール層がさらされる放射線束にたいして反応性でない同様の材料、とするのが好ましい。シール層５４の厚さを約０．２５－１ｍｍとするのが代表的である。 【００１９】放射線透過窓６０を防湿バリヤ５０の頂部表面に重ねて、水分シール層５４の上に硬化した保護表面を設ける。図に示すように、窓６０は包囲壁５８に接触しているので、装置１０の構造的強度を増すことができる。あるいは、窓６０を水分シール層５４の頂面だけに配置してもよい。窓を装置上に設けるには、水分シール層５４を光反射層５２に被着した後、窓６０を装置の上に配置するか、あるいは、まず水分シール層５４を窓６０に被着し、つぎに水分シール層５４が硬化し終る前にその窓を装置１０の上に配置してもよい。窓６０の製造に用いるのに好適な放射線透過性材料としては、石英ガラス、アルミニウム、酸化アルミニウムセラミック、ベリリウムなどがある。 【００２０】作動にあたっては、装置１０をここで対象としている入射放射線７０の通路内に配置する。放射線はＸ線、γ線またはシンチレータおよび光検出器を用いて検出可能な他の放射線で、これが窓６０、防湿バリア５０、薄膜層４０を通過して、シンチレータ３０に入り、そこでシンチレータ材料と相互作用して、吸収される。相互作用の結果として、光学的光子が多かれ少なかれランダムな方向に放出される。シンチレータ３０の第１表面３４に向かって発生する光子や、シンチレータの壁にぶつかってその方向に反射された光子は、薄膜層を通過するが、光反射層５２で反射されてシンチレータ中に戻される。こうして光子はシンチレータの第２方面３６に差し向けられ、ここで光子はシンチレータから外に出て、シンチレータに隣接して装着された光検出器に入る。光検出器は、入射放射線のエネルギーレベルに対応する電気信号を発生し、その信号を処理回路８０で処理する。回路８０はイメージング兼分析装置９０に連結されており、イメージング兼分析装置９０は処理回路８０に発生した電気信号に応答する。」（なお【００１９】の「水分バリヤ５０」は、「防湿バリヤ５０」の明らかな誤記であるから誤記を正して摘記した。） 【図１】 ［図：0001425727000001.jpg］ イ 甲１発明の認定 上記アによれば、甲１には、図１で示される放射線イメージング装置に関して、次の発明（以下「甲１発明」という。）が記載されていると認められる（なお、参考までに、引用発明の認定に用いた甲１の記載に係る段落番号等を括弧内に付してある。以下同じ。）。 「基板１５の上に配置された光検出器配列２０と、光検出器配列の上に配置されたシンチレータ３０と、前記シンチレータ３０の上に配置された光反射層５２および水分シール層５４を有する防湿バリヤ５０とを備える放射線イメージング装置１０における光検出器配列の上に配置される構造であって、（【００１１】） 前記シンチレータ３０は、第１端または表面３４と、それとは反対側の第２端または表面３６とを有し、第１表面３４を通ってＸ線またはγ線の入射放射線７０が入り、第２表面３６を通って光子が隣接する光検出器配列２０に通過し、前記シンチレータ３０を形成するのに用いる材料はヨウ化セシウムであり、（【００１３】） 前記防湿バリヤ５０は、少なくともシンチレータ３０の頂部に配置され、シンチレータ素子３２を柱状構造に堆積した場合のように、シンチレータの第１表面３４が粗い、すなわちでこぼこな形状を持つ場合には、シンチレータの第１表面３４上に薄膜層４０を配置し、前記薄膜層４０は、防湿バリヤ５０が付着できる安定な表面を与え、クリオライト（ｋｒｙｏｌｉｔｅ）から形成され、（【００１４】） 前記光反射層５２は、アルミニウムから作られ、（【００１６】）、 前記水分シール層５４はシンチレータ３０の上に配置され、少なくとも光反射層５２の上に延在し、（【００１７】） 前記水分シール層は、ＧＥ社のＳｉｌｉｃｏｎｅ Ｇｅｌ ＲＴＶ６１５７やＤｏｗ Ｃｏｒｎｉｎｇ社のＳｙｌｇａｒｄなどのシリコーンポッティング材から形成し、（【００１８】） 放射線透過窓６０を前記防湿バリヤ５０の頂部表面に重ねて、前記水分シール層５４の上に硬化した保護表面を設け、窓を装置上に設けるには、まず前記水分シール層５４を前記放射線透過窓６０に被着し、つぎに前記水分シール層５４が硬化し終る前にその放射線透過窓６０を放射線イメージング装置１０の上に配置し、前記放射線透過窓６０の製造に用いる放射線透過性材料は、石英ガラス、アルミニウム、酸化アルミニウムセラミック、ベリリウムであり、（【００１９】） 前記シンチレータ３０の第１表面３４に向かって発生する光子や、シンチレータの壁にぶつかってその方向に反射された光子は、薄膜層を通過するが、光反射層５２で反射されてシンチレータ中に戻され、前記光子はシンチレータから外に出て、シンチレータに隣接して装着された光検出器に入る、（【００２０】） 放射線イメージング装置１０における光検出器配列の上に配置される構造。」 （２） 甲１０の記載内容及び甲１０発明の認定 ア 甲１０の記載内容 甲１０には次の記載がある。 「【技術分野】 【０００１】 本発明は放射線検出装置およびその製造方法に関する。」 「【０００８】 以下、添付の図面を参照しつつ本発明の実施形態について説明する。まず、図１を用いて本実施形態に係る放射線検出装置１００の構造を説明する。放射線検出装置１００はセンサパネル１１０、接着層１２０、シンチレータ層１３０、反射層１４０、および保護層１５０を備えうる。センサパネル１１０は、絶縁基板１１１、無機絶縁層１１２、有機絶縁層１１３、無機絶縁層１１４、スイッチ素子１１５、電極１１６、および光電変換素子１１７を備えうる。ガラスや樹脂などの絶縁基板１１１の上にスイッチ素子１１５が配置され、スイッチ素子１１５を覆うようにＳｉＮやＳｉＯなどの無機絶縁層１１２が配置され、さらにその上に有機絶縁層１１３が配置される。有機絶縁層１１３の上に可視光を電気信号に変換する光電変換素子１１７が配置され、光電変換素子１１７を覆うようにＳｉＮやＳｉＯなどの無機絶縁層１１４が配置される。スイッチ素子１１５と光電変換素子１１７とはタングステン等の電極１１６を介して接続される。複数の光電変換素子１１７によって光電変換部１１８が構成されうる。 【０００９】 センサパネル１１０の光電変換部１１８を覆う位置に、接着層１２０を介してシンチレータ層１３０が配置される。シンチレータ層１３０は例えば蛍光体の柱状結晶１３１の集合体により構成される。シンチレータ層１３０は入射した放射線を可視光に変換可能である。シンチレータ層１３０を覆うように、反射層１４０が配置される。反射層１４０はシンチレータ層１３０により放射線から変換された可視光を反射して光電変換部１１８へ導く。さらに、反射層１４０を覆うように、保護層１５０が配置される。保護層１５０はシンチレータ層１３０の耐湿性を高める。本実施形態に係る放射線検出装置１００は、後述する方法で製造することによって、接着層１２０が柱状結晶１３１の柱間に入り込んでいる。これによって、柱状結晶１３１とセンサパネル１１０との密着力を向上することが可能となる。 【００１０】 続いて、図２を用いて本実施形態に係る放射線検出装置１００の製造方法の例を説明する。図２（ａ）に示されるように、まず、基台２００の上に真空蒸着法等によりＣｓＩやＮａＩ等にタリウムやナトリウムをドープして蛍光体の柱状結晶１３１の集合体を形成する。蒸着温度は例えば２００℃以上とする。基台２００の材料には蛍光体の蒸着が可能な材料の中から、柱状結晶１３１との密着力が弱く、柱状結晶１３１を基台２００から容易に剥離可能な材料となるものを選択する。このような材料として、例えば金属、金属箔、樹脂、テフロン（登録商標）等がある。金属として、アルミニウム、クロム、チタン、窒化チタン、タングステン、モリブデン、またはこれらのうちの２種類以上の合金を用いうる。また、樹脂として、ＰＥＴ、ポリイミド、パリレン、ポリ尿素、蒸着ポリイミド、ホットメルト樹脂等を用いうる。 【００１１】 次に、図２（ｂ）に示されるように、柱状結晶１３１の集合体を覆うように、反射層１４０と保護層１５０とが形成される。反射層１４０および保護層１５０は、真空蒸着法やスパッタ法等により形成してもよいし、シート等を柱状結晶１３１の集合体に貼り合わせてもよい。また、反射層１４０と保護層１５０とを貼りあわせてから柱状結晶１３１の集合体に貼り合せてもよい。反射層１４０は、例えばアルミニウム、クロム、チタン、窒化チタン、タングステン、モリブデン、またはこれらの２種類以上の合金等を用いて形成されうる。保護層１５０は、例えばＰＥＴ、ポリイミド、パリレン、ポリ尿素、蒸着ポリイミド、ホットメルト樹脂、アクリル、またはこれらの２種類以上の積層構造等を用いて形成されうる。また、保護層１５０は、ＰＥＴ、アルミニウム、およびホットメルト樹脂の積層構造等を用いて形成されうる。」 ［図：0001425727000002.jpg］ イ 甲１０発明の認定 上記アによれば、甲１０には、図１で示される放射線検出装置に関して、次の発明（以下「甲１０発明」という。）が記載されていると認められる。 「センサパネル１１０、接着層１２０、シンチレータ層１３０、反射層１４０、および保護層１５０を備える放射線検出装置１００におけるシンチレータ層１３０、反射層１４０および保護層１５０からなる構造であって、（【０００８】） 前記シンチレータ層１３０は蛍光体の柱状結晶１３１の集合体により構成され、シンチレータ層１３０を覆うように、反射層１４０が形成され、前記反射層１４０はシンチレータ層１３０により放射線から変換された可視光を反射して光電変換部１１８へ導き、さらに、前記反射層１４０を覆うように、前記保護層１５０が配置され、保護層１５０はシンチレータ層１３０の耐湿性を高め、（【０００９】） 前記蛍光体の柱状結晶１３１の集合体は、ＣｓＩやＮａＩ等にタリウムやナトリウムをドープして形成され、（【００１０】） 前記柱状結晶１３１の集合体を覆うように、反射層１４０と保護層１５０とが形成され、前記反射層１４０と前記保護層１５０とを貼りあわせてから前記柱状結晶１３１の集合体に貼り合せ、前記反射層１４０は、アルミニウムを用いて形成され、前記保護層１５０は、ＰＥＴ、アルミニウム、およびホットメルト樹脂の積層構造を用いて形成される、（【００１１】） 構造。」 （３） 甲４の記載内容及び甲４に記載された技術的事項の認定 ア 甲４の記載内容 甲４には次の記載がある。 「【００２９】 次に、図１には、Ｘ線検出器１１の一部の断面図を示す。」 「【００３２】 また、蛍光変換膜１４上には、周辺部が光電変換基板１３に密着して蛍光変換膜１４を密閉する光反射層３３が積層形成されている。この光反射層３３は、透明かつ粘着性を有する粘着物質３４と、この粘着物質３４より屈折率が高い無機物質３５の粉末との混合体によって構成されている。粘着物質３４は、粘着性を有する粘着性ゲルによって構成されており、流動性が少なく、蛍光変換膜１４の柱状結晶３０間に浸透することはない。また、無機物質３５の粉末は、蛍光変換膜１４で変換された可視光の利用効率を高めるもので、反射特性に優れた例えば金属物質によって構成されている。」 「【００３５】 このＸ線検出器１１では、蛍光変換膜１４上に形成する光反射層３３により、水分遮断性を確保して蛍光変換膜１４の劣化を防止できるとともに、蛍光変換膜１４で変換された可視光の利用効率を改善できる。しかも、粘着物質３４で構成された光反射層３３は蛍光変換膜１４の内部へ浸透しない。これらによって、Ｘ線検出器１１のＸ線解像度を改善できる。 【００３６】 また、光反射層３３上には、保護フィルム３８を粘着させて積層形成することができる。この保護フィルム３８を、アルミニウムを主成分とする金属物質で構成した場合、水分遮断性をより向上できる。」 イ 甲４に記載された技術的事項の認定 上記アによれば、甲４には、次の技術的事項（以下「甲４に記載された技術的事項」という。）が記載されていると認められる。 「Ｘ線検出器において、（【００２９】） 蛍光変換膜上には、蛍光変換膜を密閉する光反射層が積層形成されており、この光反射層は、透明かつ粘着性を有する粘着物質と、この粘着物質より屈折率が高い無機物質の粉末との混合体によって構成されているおり、無機物質の粉末は、蛍光変換膜で変換された可視光の利用効率を高めるもので、反射特性に優れた例えば金属物質によって構成されており、（【００３２】） 蛍光変換膜上に形成する光反射層により、水分遮断性を確保して蛍光変換膜の劣化を防止でき、（【００３５】） 光反射層上には、保護フィルムを粘着させて積層形成すること。（【００３６】）」 ２ 対比・判断 （１） 本件発明１について ア 甲１発明を主引用発明とした場合 （ア） 対比 ａ 本件発明１の「シンチレータと支持体との間に接着層を備えるシンチレータユニットであって」との特定事項について 甲１発明の「放射線イメージング装置１０における光検出器配列２０の上に配置される構造」は、「シンチレータ３０」、「防湿バリヤ５０」及び「放射線透過窓６０」を備える構造であるから、本件発明１の「シンチレータユニット」に相当する。 甲１発明の「シンチレータ３０」は、本件発明１の「シンチレータ」に相当する。 甲１発明の「防湿バリヤ５０の頂部表面に重ねて、前記水分シール層５４の上に硬化した保護表面を設け［る］」「放射線透過窓６０」は、当該「硬化した保護表面」で「シンチレータ３０」を支持するものであるといえるから、本件発明１の「支持体」に相当する。 甲１発明は、「窓を装置上に設けるには、まず、前記水分シール層５４を前記放射線透過窓６０に被着し、つぎに前記水分シール層５４が硬化し終る前にその放射線透過窓６０を放射線イメージング装置１０の上に配置」するものであるところ、その「水分シール層５４」は、硬化することにより放射線透過窓６０を放射線イメージング装置に接着する機能を有する層であると解されるから、本件発明１の「シンチレータと支持体との間」に備えられる「接着層」に相当する。 したがって、甲１発明は、本件発明１の上記特定事項を満たす。 ｂ 本件発明１の「前記シンチレータと前記接着層との間に前記接着層よりも屈折率の低い低屈折率層を有する」との特定事項について （ａ） 本件発明１の「屈折率」の意味から検討すると、本件発明１の技術的意義は、シンチレータから接着層への光の漏れを抑制する（【０００９】）という課題を解決するために、シンチレータと接着層との間に接着層よりも屈折率の低い低屈折率層を有するという手段を採用する（【００１０】）ことにより、シンチレータと低屈折率層との界面で、全反射が生じやすくなり、シンチレータからの光が反射されやすくなって、シンチレータから接着層に光が漏れにくくなる（【００１４】・【００１５】）ということにあると認められる。ここで、屈折率が波長に依存することが技術常識である。 そうすると、本件発明１の「屈折率」は、シンチレータからの光の波長に対応したものとして観念すべきものであり、典型的には、そのピーク波長付近に対応したものとして観念するものと解するのが相当である。 （ｂ） 以上を甲１発明についてみると、甲１発明の「シンチレータ３０」は「シンチレータ３０を形成するのに用いる材料はヨウ化セシウムであ［る］」ところ、ヨウ化セシウム（ＣｓＩ）の発光スペクトルは３５０～７００ｎｍでピーク波長は５５０ｎｍであることは本件特許出願時の技術常識である。そうすると、甲１発明において本件発明１の「低屈折率層」に相当する層が存在するといえるためには、その層が「シンチレータ３０」と「水分シール層５４」（本件発明１の「接着層」）との間に存在していることに加えて、その層の５５０ｎｍ付近における屈折率が「水分シール層５４」の５５０ｎｍ付近の屈折率よりも低いことを要し、かつ、それで足りることになる。 そこで、まず、甲１発明の「水分シール層５４」の５５０ｎｍ付近の屈折率をみると、少なくとも１．４を超えるものであると認められる。すなわち、当該「水分シール層５４」は、「ＧＥ社のＳｉｌｉｃｏｎｅ Ｇｅｌ ＲＴＶ６１５７やＤｏｗ Ｃｏｒｎｉｎｇ社のＳｙｌｇａｒｄなどのシリコーンポッティング材」とされるものであるところ、ダウケミカルカンパニーのＳＹＬＧＡＲＤＴＭ１８４ Ｓｉｌｉｃｏｎｅ Ｅｌａｓｔｏｍｅｒ（ポッティング材）の波長５８９ｎｍ（上記説示のとおり、ヨウ化セシウム（ＣｓＩ）の発光スペクトル３５０～７００ｎｍの範囲内でピーク波長５５０ｎｍ近傍にあるといえる。）での屈折率は１．４１１８である（甲３参照。なお、甲３が本件特許出願前に発行された文献であるかどうかは不明であるが、屈折率は物性値であるから、甲３の発行日に関わらず、甲１発明のＤｏｗ Ｃｏｒｎｉｎｇ社のＳｙｌｇａｒｄの屈折率は甲３に記載されている値と同じ値であると認められる。）。また、ＧＥ社のＳｉｌｉｃｏｎｅ Ｇｅｌ ＲＴＶ６１５７（ポッティング材）に関して、同社のＲＴＶ６１５（ＲＴＶ６１５７と同様のポッティング材）の波長５８７．６ｎｍでの屈折率は１．４３０３である (URL:https://refractiveindex.info/?shelf=organic&book=polydimethylsiloxane&page=Schneider-RTV615参照）。なお、同ＵＲＬの内容が本件特許出願前に公開されていたかどうかは不明であるが、屈折率は物性値であるから、同ＵＲＬの内容の公開日に関わらず、甲１発明のＧＥ社のＳｉｌｉｃｏｎｅ Ｇｅｌ ＲＴＶ６１５７（ポッティング材）の屈折率は同ＵＲＬに開示されている値と同程度の値であり、少なくとも１．４を越えると認められる。）。 このように、甲１発明の「水分シール層５４」の５５０ｎｍ付近の屈折率は、少なくとも１．４を超えるものであるところ、以下（ｃ）のとおり、甲１発明の「光反射層５２」は、「シンチレータ３０」と「水分シール層５４」との間に存在し、５５０ｎｍ付近の屈折率は、１．４未満であることから、本件発明１の「低屈折率層」に相当するといえる。 （ｃ） 甲１発明は、「前記シンチレータ３０の上に配置された光反射層５２および水分シール層５４を有する防湿バリヤ５０」を備え、「水分シール層５４はシンチレータ３０の上に配置され、少なくとも光反射層５２の上に延在［する］」ものであることを踏まえると、甲１発明の「光反射層５２」は、甲１発明の「構造」が、「シンチレータ３０」と「水分シール層５４」の間に有する層であるといえる。 さらに、甲１発明の「光反射層５２」は「アルミニウムから作られ［る］」ところ、アルミニウムの波長５００～６００ｎｍでの屈折率は０．８～１．２である（甲８参照。なお、甲８が本件特許出願前に発行された文献であるかどうかは不明であるが、屈折率は物性値であるから、甲８の発行日に関わらず、甲１発明のアルミニウムの屈折率は甲８に記載されている値と同じ値であると認められる。）。したがって、甲１発明の「光反射層５２」の屈折率は、「ヨウ化セシウム」で形成される「シンチレータ３０」の発光波長のピーク波長付近（５５０ｎｍ付近）において、「水分シール層５４」の屈折率よりも低いといえる。 そのため、甲１発明の「光反射層５２」は、本件発明１の「低屈折率層」に相当する。 （ｄ） したがって、甲１発明は、本件発明１の上記特定事項を満たす。 （イ） 一致点・相違点 以上によれば、本件発明１と甲１発明の一致点及び相違点は次のとおりである。 ＜一致点Ａ－１＞ 「シンチレータと支持体との間に接着層を備えるシンチレータユニットであって、 前記シンチレータと前記接着層との間に前記接着層よりも屈折率の低い低屈折率層を有するシンチレータユニット」である点。 ＜相違点Ａ－１＞ 低屈折率層の膜厚が、本件発明１は「３００ｎｍ以上５μｍ以下である」のに対し、甲１発明は「光反射層５２」の膜厚が特定されない点。 （ウ） 判断 甲１発明の「光反射層５２」の厚さについて甲１には、「金属反射層の厚さは約１００－２０００オングストロームの範囲とするのが好適である。」（【００１６】）と記載されているが、厚さを約１００－２０００オングストロームの範囲とすることの特段の技術上の意義は記載されていない。そして、甲１発明の「光反射層５２」は、「前記シンチレータ３０の第１表面３４に向かって発生する光子や、シンチレータの壁にぶつかってその方向に反射された光子」であって、「薄膜層を通過する」光子が、光反射層５２で「反射されてシンチレータ中に戻され」るためのものであることを勘案すれば、当業者は、「光反射層５２」の厚さは、光子を反射する機能を奏する範囲で適宜選択され得るものであることを理解する。 そして、甲１発明の「光反射層５２」はアルミニウムからなるところ、甲１発明の「光反射層５２」と同様に、材料としてヨウ化セシウムを用いたシンチレータの上に配置されたアルミニウムからなる光反射層の厚みとしては、０．３～５μｍの範囲に含まれるものが本件特許出願時の周知技術であるから（例えば、参考文献１（特開２００６－２５８６１８号公報）の【００４１】「上記金属膜としては、Ａｌ，Ａｇ，Ｃｒ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｔｉ，Ｍｇ，Ｒｈ，Ｐｔ，Ａｕ等の金属膜が挙げられる。特に好ましいのはＡｇ、Ａｌ膜であり、さらに好ましくはＡｇ膜である。・・・金属膜の厚さは０．０１～３μｍが好ましい。」、参考文献２（特開２０１７－１２２７３３号公報）の【００７３】・【００７６】・【００７７】「本発明に係る放射線画像変換パネル１０は、・・・上記支持体１１及びシンチレータ層１２の間に、反射層１３・・・を有していてもよい。反射層１３として用いることができる材質・・・としては、アルミニウム（Ａｌ）・・・が挙げられる。・・・反射層の膜厚については、付着方法にもよるが、真空蒸着の場合は通常５０ｎｍ～４００ｎｍ、スパッタ蒸着の場合は通常２０ｎｍ～２００ｎｍである。」、参考文献３（特開２００３－７５５９２号公報）の【００７３】「つぎに、スパッタ法等で絶縁層１０２上に反射層１０３となるアルミニウム薄膜を約３００ｎｍの厚さで成膜する。」を参照。）、甲１発明において、アルミニウムからなる「光反射層５２」を０．３～５μｍの範囲の適宜の厚みとすることは当業者が容易になし得たことである。 （エ） 作用効果について 本件発明１のシンチレータと支持体から接着層への光漏れを防止できるという作用効果（本件訂正後明細書等【００１２】）や、低屈折率層の厚さを５μｍ以下とすることにより解像度の低下を防止できること（本件訂正後明細書等【００３６】）は、本件発明１の構成が奏するものとして、甲１発明及び周知技術から当業者が予測し得た事項にすぎない。なお、低屈折率層の厚さを３００ｎｍ以上とすることにより全反射効率を十分に高めることができること（本件訂正後明細書等【００３６】）については、本件発明１では低屈折率層における反射が全反射であることは特定されていないから、本件発明１の構成が奏するものとはいえない。 （オ） 小括 以上のとおりであるから、本件発明１は、甲１発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 イ 甲１０発明を主引用発明とした場合 （ア） 対比 ａ 本件発明１の「シンチレータと支持体との間に接着層を備えるシンチレータユニットであって」との特定事項について 甲１０発明の「シンチレータ層１３０、反射層１４０および保護層１５０からなる構造」は、本件発明１の「シンチレータユニット」に相当する。 甲１０発明の「シンチレータ層１３０」は、本件発明１の「シンチレータ」に相当する。 甲１０発明の「ＰＥＴ、アルミニウム、およびホットメルト樹脂の積層構造等を用いて形成される」「保護層１５０」における「ＰＥＴ、アルミニウム」は、「シンチレータ層１３０」を支持するものであるといえるから、本件発明１の「支持体」に相当する。 甲１０発明の「保護層１５０」は、「ＰＥＴ、アルミニウム、およびホットメルト樹脂の積層構造を用いて形成される」ところ、「前記反射層１４０と前記保護層１５０とを貼りあわせてから前記柱状結晶１３１の集合体に貼り合せ［る］」から、ホットメルト樹脂により反射層１４０と保護層１５０のＰＥＴ、アルミニウムとが貼りあわせられるものと認められる。そうすると、「ホットメルト樹脂」は、反射層１４０とＰＥＴ、アルミニウムとを接着する層であるといえるから、本件発明１の「接着層」に相当する。そして、ホットメルト樹脂はシンチレータ層３０と（反射層１４０を介して）ＰＥＴ、アルミニウムの間に備えられるものである。 したがって、甲１０発明は、本件発明１の上記特定事項を満たす。 ｂ 本件発明１の「前記シンチレータと前記接着層との間に前記接着層よりも屈折率の低い低屈折率層を有する」との特定事項について （ａ） 本件発明１の「屈折率」は、シンチレータからの光の波長に対応したものとして観念すべきものであり、典型的には、そのピーク波長付近に対応したものとして観念するものと解するのが相当であることは前記ア（ア）ｂ（ａ）で説示したとおりである。 これを甲１０発明についてみると、甲１０発明の「シンチレータ層１３０」は「ＣｓＩにタリウムやナトリウムをドープして蛍光体の柱状結晶１３１の集合体を形成するものであ［る］」ところ、ヨウ化セシウム（ＣｓＩ）の発光スペクトルは３５０～７００ｎｍでピーク波長は５５０ｎｍであることは本件特許出願時の技術常識であることも前記ア（ア）ｂ（ｂ）で説示したとおりである。そうすると、甲１０発明において本件発明１の「低屈折率層」に相当する層が存在するといえるためには、その層が「シンチレータ層１３０」と「ホットメルト樹脂」（本件発明１の「接着層」）との間に存在していることに加えて、その層の５５０ｎｍ付近における屈折率が「ホットメルト樹脂」の５５０ｎｍ付近の屈折率よりも低いことを要し、かつ、それで足りることになる。そこで、これらの点について以下で検討する。 （ｂ） 甲１０発明は、「シンチレータ層１３０を覆うように、反射層１４０が形成され」、「前記反射層１４０を覆うように、前記保護層１５０が配置され［る］」から、「シンチレータ層１３０」、「反射層１４０」及び「保護層１５０」の順に配置されていると解される。 したがって、甲１０発明の「シンチレータ層１３０、反射層１４０および保護層１５０からなる構造」は、「シンチレータ層１３０」と「保護層１５０」の一部である「ホットメルト樹脂」との間に、「反射層１４０」を有するといえる。 （ｃ） 甲１０発明の「ホットメルト樹脂」としてポリプロピレン等の樹脂が周知の部材であるところ、例えばポリプロピレンの波長５８９ｎｍ（上記説示のとおり、ヨウ化セシウム（ＣｓＩ）の発光スペクトル３５０～７００ｎｍの範囲内でピーク波長５５０ｎｍ近傍であるといえる。なお、樹脂の屈折率は通常Ｄ線（５８９ｎｍ）における値が用いられることが技術常識である。）での屈折率は、１．４９である（甲１１参照。なお、甲１１が本件特許出願前に発行された文献であるかどうかは不明であるが、屈折率は物性値であるから、甲１１の発行日に関わらず、ポリプロピレンの屈折率は甲１１に記載されている値と同じ値であると認められる）。そして、ホットメルト樹脂として用いられる樹脂材料の類似性に鑑みれば、ホットメルト樹脂の５８９ｎｍにおける屈折率は一般に、少なくとも１．２よりは大きいものと認められる。 さらに、甲１０発明の「反射層１４０」は、「アルミニウムを用いて形成され［る］」ところ、アルミニウムの波長５００～６００ｎｍでの屈折率は０．８～１．２である（甲８参照。前記ア（ア）ｂ（ｃ）も参照。）。 そうすると、甲１０発明の「反射層１４０」の屈折率は、ヨウ化セシウム（ＣｓＩ）で形成される「シンチレータ層１３０」の発光波長のピーク波長（５５０ｎｍ）付近において、一般に１．２よりは大きい「ホットメルト樹脂」の屈折率よりも低いと解される。 （ｄ） したがって、甲１０発明の「反射層１４０」は、本件発明１のシンチレータユニットが「前記シンチレータと前記接着層との間」に有する「前記接着層よりも屈折率の低い低屈折率層」に相当するから、甲１０発明は、本件発明１の上記特定事項を満たす。 （イ） 一致点・相違点 以上によれば、本件発明１と甲１０発明の、一致点及び相違点は次のとおりである。 ＜一致点Ｂ－１＞ 「シンチレータと支持体との間に接着層を備えるシンチレータユニットであって、 前記シンチレータと前記接着層との間に前記接着層よりも屈折率の低い低屈折率層を有するシンチレータユニット」である点。 ＜相違点Ｂ－１＞ 低屈折率層の膜厚が、本件発明１は「３００ｎｍ以上５μｍ以下である」のに対し、甲１０発明は「反射層１４０」の膜厚が特定されない点。 （ウ） 判断 甲１０発明の「反射層１４０」の厚さについて甲１０には特段の記載がなく、甲１０発明を実施するに際しては、その具体的な厚みを定める必要があるところ、甲１０発明の「反射層１４０」は、「シンチレータ層１３０により放射線から変換された可視光を反射」するためのものであることを勘案すれば、当業者は、「反射層１４０」の厚さは、可視光を反射する機能を奏する範囲で適宜選択され得るものであると理解する。 そして、甲１０発明の「反射層１４０」はアルミニウムからなるところ、甲１０発明の「反射層１４０」と同様に、材料としてＣｓＩを用いたシンチレータの上に配置されたアルミニウムからなる光反射層の厚みとしては、０．３～５μｍの範囲に含まれるものが本件特許出願当時に周知技術であったから（上記ア（ウ）参照）、甲１０発明において、アルミニウムからなる「反射層１４０」を０．３～５μｍの範囲の適宜の厚みとすることは当業者が容易になし得たことである。 （エ） 作用効果について 本件発明１のシンチレータと支持体から接着層への光漏れを防止できるという作用効果（本件訂正後明細書等【００１２】）や、低屈折率層の厚さを５μｍ以下とすることにより解像度の低下を防止できること（本件訂正後明細書等【００３６】）は、本件発明１の構成が奏するものとして、甲１０発明及び上記の周知技術から当業者が予測し得た事項にすぎない。なお、低屈折率層の厚さを３００ｎｍ以上とすることにより全反射効率を十分に高めることができること（本件訂正後明細書等【００３６】）については、本件発明１では低屈折率層における反射が全反射であることは特定されていないから、本件発明１の構成が奏するものとはいえない。 （オ） 小括 上記のとおりであるから、本件発明１は、甲１０発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 （２） 本件発明２について ア 甲１発明を主引用発明とした場合 甲１発明は、「シンチレータ素子３２を柱状構造に堆積した場合のように、シンチレータの第１表面３４が粗い、すなわちでこぼこな形状を持つ場合には、シンチレータの第１表面３４上に薄膜層４０を配置［する］」ことから、甲１発明は、本件発明２で追加的に特定された事項を満たす。 したがって、本件発明２は、甲１発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 イ 甲１０発明を主引用発明とした場合 甲１０発明の「シンチレータ層１３０」は「蛍光体の柱状結晶１３１の集合体により構成され［る］」から、甲１０発明は、本件発明２で追加的に特定された事項を満たす。 したがって、本件発明２は、甲１０発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 （３） 本件発明１０について ア 甲１発明を主引用発明とした場合 （ア） 対比、一致点・相違点 前記（１）ア（ア）の本件発明１と甲１発明の対比と同様にして、本件発明１０と甲１発明を対比すると、本件発明１０と甲１発明の一致点及び相違点は次のとおりである。 ＜一致点Ａ－２＞ 「シンチレータと支持体との間に接着層を備えるシンチレータユニットであって、 前記シンチレータと前記接着層との間に前記接着層よりも屈折率の低い低屈折率層を有するシンチレータユニット」である点。 ＜相違点Ａ－２＞ 低屈折率層の膜厚が、本件発明１０は「３００ｎｍ以上５μｍ以下である」のに対し、甲１発明は「光反射層５２」の膜厚が特定されない点。 ＜相違点Ａ－３＞ 接着層が、本件発明１０は「光散乱粒子とバインダ樹脂を含有する散乱層を含む」のに対し、甲１発明は「前記水分シール層は、ＧＥ社のＳｉｌｉｃｏｎｅ Ｇｅｌ ＲＴＶ６１５７やＤｏｗ Ｃｏｒｎｉｎｇ社のＳｙｌｇａｒｄなどのシリコーンポッティング材から形成」する点。 （イ） 判断 ａ 相違点Ａ－２について 相違点Ａ－２は、本件発明１と甲１発明の相違点Ａ－１と同様であり、前記（１）ア（ウ）で検討したとおり、甲１発明において、アルミニウムからなる「光反射層５２」を０．３～５μｍの範囲の適宜の厚みとすることは当業者が容易になし得たことである。 ｂ 相違点Ａ－３について 甲４には、甲４に記載された技術的事項が記載されているところ、甲４に記載された技術的事項の「光反射層」と甲１発明の「水分シール層」は、いずれも水分シール及び接着層として機能する層であるから、甲１発明において、可視光の利用効率を高めるために甲４に記載された技術的事項を適用して、「水分シール層５４」の「シリコーンポッティング材」に「反射特性に優れた金属物質によって構成」されている「無機物質の粉末」を混合することは、当業者が容易に想到し得たことである。 このとき、当該「無機物質の粉末」、「シリコーンポッティング材」及び「水分シール層５４」が、本件発明１０の「光散乱粒子」、「バインダ樹脂」及び「散乱層」にそれぞれ相当するから、本件発明１０の「前記接着層が、光散乱粒子とバインダ樹脂を含有する散乱層を含む」との構成を満たすこととなる。 （ウ） 小括 したがって、本件発明１０は、甲１発明、甲４に記載された技術的事項及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 イ 甲１０発明を主引用発明とした場合 （ア） 対比、一致点・相違点 前記（１）イ（ア）の本件発明１と甲１０発明の対比と同様にして、本件発明１０と甲１０発明を対比すると、本件発明１０と甲１０発明の一致点及び相違点は次のとおりである。 ＜一致点Ｂ－２＞ 「シンチレータと支持体との間に接着層を備えるシンチレータユニットであって、 前記シンチレータと前記接着層との間に前記接着層よりも屈折率の低い低屈折率層を有するシンチレータユニット」である点。 ＜相違点Ｂ－２＞ 低屈折率層の膜厚が、本件発明１０は「３００ｎｍ以上５μｍ以下である」のに対し、甲１０発明は「反射層１４０」の膜厚が特定されない点。 ＜相違点Ｂ－３＞ 接着層が、本件発明１０は「光散乱粒子とバインダ樹脂を含有する散乱層を含む」のに対し、甲１０発明は「ホットメルト樹脂」である点。 （イ） 判断 ａ 相違点Ｂ－２について 相違点Ｂ－２は、本件発明１と甲１０発明の相違点Ｂ－１と同様であり、前記（１）イ（ウ）で検討したとおり、甲１０発明において、アルミニウムからなる「反射層１４０」を０．３～５μｍの範囲の適宜の厚みとすることは当業者が容易になし得たことである。 ｂ 相違点Ｂ－３について 甲４には、甲４に記載された技術的事項が記載されているところ、甲４に記載された技術的事項の「光反射層」と甲１０発明の「ホットメルト樹脂」の層は、いずれも水分シール及び接着層として機能する層であるから、甲１０発明において、可視光の利用効率を高めるために甲４に記載された技術的事項を適用して、「ホットメルト樹脂」に「反射特性に優れた金属物質によって構成」されている「無機物質の粉末」を混合することは、当業者が容易に想到し得たことである。 このとき、当該「無機物質の粉末」、「ホットメルト樹脂」、「ホットメルト樹脂」の層が、本件発明１０の「光散乱粒子」、「バインダ樹脂」及び「散乱層」にそれぞれ相当するから、本件発明１０の「前記接着層が、光散乱粒子とバインダ樹脂を含有する散乱層を含む」との構成を満たすこととなる。 （ウ） 小括 したがって、本件発明１０は、甲１０発明、甲４に記載された技術的事項及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 （４） 本件発明１１について ア 甲１発明を主引用発明とした場合 （ア） 対比、一致点・相違点 前記（１）ア（ア）の本件発明１と甲１発明の対比と同様にして、本件発明１１と甲１発明を対比して、さらに、前記（２）アの本件発明２についての検討を踏まえると、本件発明１１と甲１発明の一致点及び相違点は次のとおりである。 ＜一致点Ａ－３＞ 「シンチレータと支持体との間に接着層を備えるシンチレータユニットであって、 前記シンチレータと前記接着層との間に前記接着層よりも屈折率の低い低屈折率層を有し、 前記シンチレータが、複数の柱状結晶を含み、 前記柱状結晶の延伸方向の先端部と前記接着層との間に前記低屈折率層を有するシンチレータユニット」である点。 ＜相違点Ａ－４＞ 低屈折率層の膜厚が、本件発明１１は「３００ｎｍ以上５μｍ以下である」のに対し、甲１発明は「光反射層５２」の膜厚が特定されない点。 ＜相違点Ａ－５＞ 接着層が、本件発明１１は「光散乱粒子とバインダ樹脂を含有する散乱層を含む」のに対し、甲１発明は「水分シール層５４は、ＧＥ社のＳｉｌｉｃｏｎｅ Ｇｅｌ ＲＴＶ６１５７やＤｏｗ Ｃｏｒｎｉｎｇ社のＳｙｌｇａｒｄなどのシリコーンポッティング材から形成」する点。 （イ） 判断 ａ 相違点Ａ－４について 相違点Ａ－４は、本件発明１と甲１発明の相違点Ａ－１と同様であり、前記（１）ア（ウ）で検討したとおり、甲１発明において、アルミニウムからなる「光反射層５２」を０．３～５μｍの範囲の適宜の厚みとすることは当業者が容易になし得たことである。 ｂ 相違点Ａ－５について 相違点Ａ－５は、本件発明１０と甲１発明の相違点Ａ－３と同様であり、前記（３）ア（イ）ｂで検討した理由により、甲１発明に甲４に記載された技術的事項を適用することにより当業者が容易になし得たことである。 （ウ） 小括 したがって、本件発明１１は、甲１発明、甲４に記載された技術的事項及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 イ 甲１０発明を主引用発明とした場合 （ア） 対比、一致点・相違点 前記（１）イ（ア）の本件発明１と甲１０発明の対比と同様にして、本件発明１１と甲１０発明を対比して、さらに、前記（２）イの本件発明２についての検討を踏まえると、本件発明１１と甲１０発明の一致点及び相違点は次のとおりである。 ＜一致点Ｂ－３＞ 「シンチレータと支持体との間に接着層を備えるシンチレータユニットであって、 前記シンチレータと前記接着層との間に前記接着層よりも屈折率の低い低屈折率層を有し、 前記シンチレータが、複数の柱状結晶を含み、 前記柱状結晶の延伸方向の先端部と前記接着層との間に前記低屈折率層を有するシンチレータユニット」である点。 ＜相違点Ｂ－４＞ 低屈折率層の膜厚が、本件発明１１は「３００ｎｍ以上５μｍ以下である」のに対し、甲１０発明は「反射層１４０」の膜厚が特定されない点。 ＜相違点Ｂ－５＞ 接着層が、本件発明１１は「光散乱粒子とバインダ樹脂を含有する散乱層を含む」のに対し、甲１０発明は「ホットメルト樹脂」である点。 （イ） 判断 ａ 相違点Ｂ－４について 相違点Ｂ－４は、本件発明１と甲１０発明の相違点Ｂ－１と同様であり、前記（１）イ（ウ）で検討したとおり、甲１０発明において、アルミニウムからなる「反射層１４０」を０．３～５μｍの範囲の適宜の厚みとすることは当業者が容易になし得たことである。 ｂ 相違点Ｂ－５について 相違点Ｂ－５は、本件発明１０と甲１０発明の相違点Ｂ－３と同様であり、前記（３）イ（イ）ｂで検討した理由により、甲１０発明に甲４に記載された技術的事項を適用することにより当業者が容易になし得たことである。 （ウ） 小括 したがって、本件発明１１は、甲１０発明、甲４に記載された技術的事項及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 （５） 第２次取消理由に対する当審の判断の小括 以上検討のとおり、本件発明１、２、１０、１１に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであるから、取り消すべきものである。 第６ 第１次取消理由（第２次取消理由に係るものを除く。）に対する当審の判断 第１次取消理由は、本件特許の登録時の請求項１、２、３及び８に係る発明に対する新規性欠如、本件特許の登録時の請求項１、２、３、４及び８に係る発明に対する進歩性欠如であるところ、当該請求項１、２、３、４、８に係る発明は、本件訂正により本件発明１～４、８～１２に訂正された。このうち、本件発明１、２、１０、１１に対する当審の判断は、前記第５に示したとおりである。 そこで、本件発明３、４、８、９、１２の新規性及び進歩性について検討すると、以下に示すとおり、本件発明３、４、８、９、１２は、甲１に記載された発明又は甲１０に記載された発明ではなく、また、本件発明３、４、８、９、１２は、甲１に記載された発明及び甲１～１１、参考文献１～４に記載された技術的事項に基づいて、又は甲１０に記載された発明及び甲１～１１、参考文献１～４に記載された技術的事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 １ 甲号証に記載された事項及び甲号証に記載された発明等 甲号証に記載された事項及び甲１、１０に記載された発明等は、前記第５の１に記載したとおりである。 ２ 対比・判断 （１） 本件発明３、４、８、９、１２について 本件発明３、４、８、９、１２はいずれも、「前記シンチレータと前記接着層との間に前記接着層よりも屈折率の低い低屈折率層を有［する］」こと、及び「前記支持体の少なくとも一部が、前記シンチレータで発生する光を反射することで光取り出し面に前記光を進行させる反射層を含［む］」ことを発明特定事項として有するものであるところ、事案に鑑みこれらの発明についてまとめて検討する。 ア 甲１を主引用例とした場合 （ア） 対比、一致点・相違点 前記第５の２（１）ア（ア）の本件発明１と甲１発明の対比と同様にして、本件発明３、４、８、９、１２と甲１発明を対比すると、本件発明３、４、８、９、１２と甲１発明は少なくとも次の一致点Ａ－４で一致し、少なくとも次の相違点Ａ－６において相違する。 ＜一致点Ａ－４＞ 「シンチレータと支持体との間に接着層を備えるシンチレータユニットであって、 前記シンチレータと前記接着層との間に前記接着層よりも屈折率の低い低屈折率層を有するシンチレータユニット」である点。 ＜相違点Ａ－６＞ 本件発明３、４、８、９、１２は「前記支持体の少なくとも一部が、前記シンチレータで発生する光を反射することで光取り出し面に前記光を進行させる反射層を含［む］」のに対し、本件発明３、４、８、９、１２の「支持体」に相当する甲１発明の「放射線透過窓６０」は、当該「放射線透過窓６０の製造に用いる放射線透過性材料は、石英ガラス、アルミニウム、酸化アルミニウムセラミック、ベリリウム」であって、「シンチレータ３０の第１表面３４に向かって発生する光子や、シンチレータの壁にぶつかってその方向に反射された光子は、薄膜層を通過するが、光反射層５２で反射されてシンチレータ中に戻され、前記光子はシンチレータから外に出て、シンチレータに隣接して装着された光検出器に入る」点。 （イ） 判断 前記第５の２（１）ア（ア）の本件発明１と甲１発明の対比を踏まえると、本件発明３、４、８、９、１２の「支持体」及び「低屈折率層」に相当する甲１発明の構成は、それぞれ「放射線透過窓６０」及び「光反射層５２」となり、また、「光取り出し面」に相当する甲１発明の構成は、「シンチレータ」の「第２表面３６」となることから、甲１発明から出発した当業者が相違点Ａ－６に係る本件発明３、４、８、９、１２の構成に至るためには、「放射線透過窓６０」に「反射層」を設けるとともに、この「反射層」が「前記シンチレータで発生する光を反射する」ものであることを要するといえる。また、そうである以上、甲１発明の「光反射層５２」に入射した後の光が「放射線透過窓６０」に至ることも要することになる。 しかしながら、甲１発明の当該「光反射層５２」は「アルミニウム」から作られているものであり、これは「高反射率金属」である（甲１の【００１６】）ことから、当該「光反射層５２」に入射した後の光が「放射線透過窓６０」に至るとは直ちには言えない。そうすると、「放射線透過窓６０」に何らかの反射機能がある構造が存在するとしても、その構造が「前記シンチレータで発生する光を反射する」とも言い難い。そして、当該「光反射層５２」は、シンチレータからの光を反射させるものであるから、わざわざ光がこれを透過するようにすることは想定し得ず、また、当業者にとって容易であるとはいえないから、当該構造を「前記シンチレータで発生する光を反射する」ものとすることの動機付けもない。 甲１の他の記載及び甲２～甲１１、参考文献１～４の記載をみても、上記判断を左右するものはない。 なお、甲１には、「光反射層５２」を多層誘電体ミラーとして形成することも記載されているが（【００１６】）、前記一致点Ａ－４の「前記シンチレータと前記接着層との間に前記接着層よりも屈折率の低い低屈折率層を有する」ことは、甲１において「前記光反射層５２は、アルミニウムから作られ［る］」ことを前提としたものであり（前記第５の２（１）ア（ア）ｂ参照。）、「光反射層５２」を多層誘電体ミラーで形成した場合について、「前記シンチレータと前記接着層との間に前記接着層よりも屈折率の低い低屈折率層を有する」との構成を備えることや、当該構成とすることを当業者が容易になし得たことであることを裏付ける証拠はない。 したがって、甲１発明から出発した当業者が、甲１～１１及び参考文献１～４の記載に基づいて、相違点Ａ－６に係る本件発明３、４、８、９、１２の構成に容易に至るとはいえない。 （ウ） 申立人の主張について ａ 申立人は、甲１には放射線透過窓６０の製造に用いる放射線透過性材料としてアルミニウムが記載されており、アルミニウムが光の反射性の高い金属であることは技術常識である旨を主張している。 しかしながら、甲１の放射線透過窓６０の製造に用いる放射線透過性材料としてアルミニウムを採用する場合のように、「放射線透過窓６０」に何らかの反射機能がある構造が存在するとしても、その構造が「前記シンチレータで発生する光を反射する」とは言い難く、当該構造を「前記シンチレータで発生する光を反射する」ものとすることの動機付けもないことは前記（イ）で検討したとおりである。 ｂ 申立人はまた、令和６年８月２９日提出の意見書において、参考文献２及び参考文献４を示しつつ、放射検出装置の分野において、光反射層の外層にさらに反射機能を有する層を設ける構成とすることは周知技術である旨主張する。 しかしながら、参考文献２、４に開示されるアルミニウム等で構成される層は、外光の侵入を防ぐために設けられる遮光層であって、「前記シンチレータで発生する光を反射する」ものとはいえないし、前記（イ）で検討したのと同様の理由により、当該アルミニウム等で構成される層を「前記シンチレータで発生する光を反射する」ものとすることの動機付けもない。 ｃ また、前記（イ）における検討は、甲１発明の「前記光反射層５２」が本件発明の「低屈折率層」に相当することを前提としたものであるところ、申立人は、甲１発明の「薄膜層４０」が本件発明の「接着層よりも屈折率の低い低屈折率層」に相当することも主張している。 しかしながら、その場合についても、「放射線透過窓６０」に何らかの反射機能がある構造が存在するとしても、その構造が「前記シンチレータで発生する光を反射する」とは言い難く、当該構造を「前記シンチレータで発生する光を反射する」ものとすることの動機付けもないことは、前記(イ)で検討したのと同様である。 ｄ したがって、前記申立人の主張は採用できない。 （エ） 小括 そして、甲１に記載されたいずれの発明を引用発明として認定しても、前記説示を左右するものはない。 以上によれば、本件発明３、４、８、９、１２は、甲１に記載された発明ではない。また、本件発明３、４、８、９、１２は、甲１に記載された発明及び甲１～甲１１、参考文献１～４に記載された技術的事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 イ 甲１０を主引用例とした場合 （ア） 対比、一致点・相違点 前記第５の２（１）イ（ア）の本件発明１と甲１０発明の対比と同様にして、本件発明３、４、８、９、１２と甲１０発明を対比すると、本件発明３、４、８、９、１２と甲１０発明は少なくとも次の一致点Ｂ－４で一致し、少なくとも次の相違点Ｂ－６において相違する。 ＜一致点Ｂ－４＞ 「シンチレータと支持体との間に接着層を備えるシンチレータユニットであって、 前記シンチレータと前記接着層との間に前記接着層よりも屈折率の低い低屈折率層を有するシンチレータユニット。」 ＜相違点Ｂ－６＞ 本件発明３は「前記支持体の少なくとも一部が、前記シンチレータで発生する光を反射することで光取り出し面に前記光を進行させる反射層を含む」のに対し、本件発明３、４、８、９、１２の「支持体」に相当する甲１０発明の「ＰＥＴ、アルミニウム、およびホットメルト樹脂の積層構造等を用いて形成される」「保護層１５０」は、「ＰＥＴ、アルミニウムおよびホットメルト樹脂の積層構造を用いて形成され」、「反射層１４０」が「シンチレータ層１３０により放射線から変換された可視光を反射して光電変換部１１８へ導き、さらに、前記反射層１４０を覆うように、前記保護層１５０が配置され［る」］点。 （イ） 判断 前記第５の２（１）イ（ア）の本件発明１と甲１０発明の対比を踏まえると、本件発明３、４、８、９、１２の「支持体」及び「低屈折率層」に相当する甲１０発明の構成は、「ＰＥＴ、アルミニウム、およびホットメルト樹脂の積層構造等を用いて形成される」「保護層１５０」における「ＰＥＴ、アルミニウム」及び「反射層１４０」となり、また、「光取り出し面」に相当する甲１０発明の構成は、「シンチレータ層１３０」の「センサパネル１１０」側の面となることから、甲１０発明から出発した当業者が相違点Ｂ－６に係る本件発明３、４、８、９、１２の構成に至るためには、「ＰＥＴ、アルミニウム、およびホットメルト樹脂の積層構造等を用いて形成される」「保護層１５０」における「ＰＥＴ、アルミニウム」に「反射層」を設けるとともに、この「反射層」が「前記シンチレータで発生する光を反射する」ものであることを要するといえること、また、そうである以上、甲１０発明の「反射層１４０」に入射した後の光が「ＰＥＴ、アルミニウム、およびホットメルト樹脂の積層構造等を用いて形成される」「保護層１５０」における「ＰＥＴ、アルミニウム」に至ることも要することになることは、前記ア（イ）で本件発明３、４、８、９、１２と甲１発明の相違点Ａ－６について説示したのと同様である。 そして、前記ア（イ）で検討したのと同様の理由により、甲１０発明において、「反射層１４０」を光が透過するようにすることは想定し得ず、また、当業者にとって容易であるとはいえないから、「保護層１５０」を「前記シンチレータで発生する光を反射する」反射層を含むものとすることの動機付けもない。 甲１０の他の記載及び甲１～甲９、甲１１、参考文献１～４の記載をみても、上記判断を左右するものはない。 したがって、甲１０発明から出発した当業者が、甲１～１１及び参考文献１～４の記載に基づいて、相違点Ｂ－６に係る本件発明３、４、８、９、１２の構成に容易に至るとはいえない。 （ウ） 申立人の主張について 申立人は令和６年８月２９日提出の意見書において、前記ア（ウ）と同様の旨主張しているが、前記ア（ウ）で説示したとおりであって、前記申立人の主張は採用できない。 （エ） 小括 そして、甲１０に記載されたいずれの発明を引用発明として認定しても、前記説示を左右するものはない。 以上によれば、本件発明３、４、８、９、１２は、甲１０に記載された発明ではない。また、本件発明３、４、８、９、１２は、甲１０に記載された発明及び甲１～甲１１、参考文献１～４に記載された技術的事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 （２） 第１次取消理由（第２次取消理由に係るものを除く。）に対する当審の判断の小括 以上検討のとおり、本件発明３、４、８、９、１２に対する第１次取消理由は理由がない（なお、第２次取消理由では、本件発明３、４、８、９、１２に対する取消理由を通知していない。）。 第７ 第１次取消理由及び第２次取消理由において採用しなかった特許異議申立理由についての判断 第１次取消理由及び第２次取消理由において採用しなかった特許異議申立理由は、本件特許の登録時の請求項５～７に係る発明に対する進歩性欠如であるところ、当該請求項５～７に係る発明は、本件訂正により本件発明５～７、１３～４９に訂正された。そこで、本件発明５～７、１３～４９の進歩性について検討すると、以下に示すとおり、本件発明５～７、１３～４９は、甲１に記載された発明及び甲１～１１、参考文献１～４に記載された技術的事項に基づいて、又は甲１０に記載された発明及び甲１～１１、参考文献１～４に記載された技術的事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 １ 甲号証に記載された事項及び甲号証に記載された発明等 甲号証に記載された事項及び甲号証に記載された発明等は、前記第５の１に記載したとおりである。 ２ 対比・判断 （１） 本件発明５、１３～１９、３４～４１について 本件発明５、１３～１９、３４～４１はいずれも、「前記シンチレータと前記接着層との間に前記接着層よりも屈折率の低い低屈折率層を有［する］」こと、及び「前記低屈折率層が、二酸化ケイ素を含［む］」ことを発明特定事項として有するものであるところ、事案に鑑みこれらの発明についてまとめて検討する。 ア 甲１を主引用例とした場合 （ア） 対比、一致点・相違点 前記第５の２（１）ア（ア）の本件発明１と甲１発明の対比と同様にして、本件発明５、１３～１９、３４～４１と甲１発明を対比すると、本件発明５、１３～１９、３４～４１と甲１発明は少なくとも次の一致点Ａ－５で一致し、少なくとも次の相違点Ａ－７において相違する。 ＜一致点Ａ－５＞ 「シンチレータと支持体との間に接着層を備えるシンチレータユニットであって、 前記シンチレータと前記接着層との間に前記接着層よりも屈折率の低い低屈折率層を有するシンチレータユニット。」 ＜相違点Ａ－７＞ 本件発明５、１３～１９、３４～４１は「前記低屈折率層が、二酸化ケイ素を含［む］」のに対し、本件発明１の「低屈折率層」に相当する甲１発明の「光反射層５２」は「アルミニウムから作られ」る点。 （イ） 判断 前記第５の２（１）ア（ア）の本件発明１と甲１発明の対比を踏まえると、本件発明５、１３～１９、３４～４１の「低屈折率層」に相当する甲１発明の構成は「アルミニウムから作られ［る］」「光反射層５２」となるところ、甲１発明から出発した当業者が相違点Ａ－７に係る本件発明５、１３～１９、３４～４１の構成に至るためには、「アルミニウムから作られ［る］」「光反射層５２」が「二酸化ケイ素を含む」ものであることを要するといえる。しかしながら、甲１発明の「アルミニウムから作られ［る］」「光反射層５２」を「二酸化ケイ素を含む」ものとすることを当業者が容易になし得たことであることを裏付ける証拠はなく、また、このようにする動機もない。 甲１の他の記載及び甲２～甲１１、参考文献１～４の記載をみても、上記判断を左右するものはない。この点、甲１に「光反射層５２」を多層誘電体ミラーとして形成することも記載されていることについては、前記第６の２（１）ア（イ）で説示したとおりである。 したがって、甲１発明から出発した当業者が、甲１～１１及び参考文献１～４の記載に基づいて、相違点Ａ－７に係る本件発明５、１３～１９、３４～４１の構成に容易に至るとはいえない。 （ウ） 申立人の主張について 申立人は特許異議申立書において、甲７には反射層１３が二酸化ケイ素を含む拡散反射層を備えることが、甲９には反射層が二酸化ケイ素等の光散乱粒子を含むことが、それぞれ記載されており、シンチレータからの光を反射する光反射層に二酸化ケイ素を含有させることは本件出願時において周知技術であった旨主張しているが、甲７、甲９はいずれも、甲１発明のような、アルミニウムから作られる光反射層を「二酸化ケイ素」を含むものとすることを開示するものではない。仮に申立人の主張を、「アルミニウムから作られ［る］」「光反射層５２」に代えて、あるいは、加えて、二酸化ケイ素を含む拡散反射層を備えるようにすることは当業者が容易になし得たことであるとの主張と解したとしても、そのような「光反射層５２」の屈折率はもはや、前記第５の２（１）ア（ア）ｂ（ｃ）で説示したアルミニウムの屈折率（０．８～１．２）とは異なることとなり、「前記接着層よりも屈折率の低い低屈折率層」ものであるかどうかは不明というほかないし、そのようにすることが当業者が容易に想到し得たことであるとの証拠も示されていない。 また、前記（イ）における検討は、甲１発明の「前記光反射層５２」が本件発明５、１３～１９、３４～４１の「低屈折率層」に相当することを前提としたものであるところ、申立人は特許異議申立書において、甲１発明の「薄膜層４０」が本件発明５、１３～１９、３４～４１の「接着層よりも屈折率の低い低屈折率層」に相当すること、及び、甲７に記載されている「シンチレータからの光を反射させる光反射層に二酸化ケイ素を含有させる」との技術的事項に基づいて、甲１発明の「薄膜層４０」に二酸化ケイ素を含有させることは容易であった旨主張している。しかしながら、甲１発明の「薄膜層４０」は、「十分に滑らかな表面を与える」ものであって、「極めて薄いのが代表的で、たとえば厚さ約２００－６００オングストローム」（甲１【００１３】）であり、反射を目的として設けられた層ではないから、甲１発明に甲７に記載された技術的事項を適用して、「薄膜層４０」と別途に二酸化ケイ素を含有させた反射層を設けることは考えられるとしても、「薄膜層４０」に二酸化ケイ素を含有させて反射層とすることの動機はないし、甲１発明の「薄膜層４０」が滑らかな表面で極めて薄いものであることを勘案すれば、ここに反射層として機能する程度の大きさの二酸化ケイ素を含有させると滑らかな表面で極めて薄いものとすることが困難になるおそれがあるため、そのようにすることには阻害要因があるといえる。したがって、甲１発明の「薄膜層４０」を本件発明５、１３～１９、３４～４１の「接着層よりも屈折率の低い低屈折率層」に相当させたとしても、本件発明５、１３～１９、３４～４１は、甲１発明及び甲１～１１、参考文献１～４に記載された技術的事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 （エ） 小括 そして、甲１に記載されたいずれの発明を引用発明として認定しても、前記説示を左右するものはない。 以上によれば、本件発明５、１３～１９、３４～４１は、甲１に記載された発明及び甲１～甲１１、参考文献１～４に記載された技術的事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 イ 甲１０を主引用例とした場合 （ア） 対比、一致点・相違点 前記第５の２（１）イ（ア）の本件発明１と甲１０発明の対比と同様にして、本件発明５、１３～１９、３４～４１と甲１発明を対比すると、本件発明５、１３～１９、３４～４１と甲１０発明は少なくとも次の一致点Ｂ－５で一致し、少なくとも次の相違点Ｂ－７において相違する。 ＜一致点Ｂ－５＞ 「シンチレータと支持体との間に接着層を備えるシンチレータユニットであって、 前記シンチレータと前記接着層との間に前記接着層よりも屈折率の低い低屈折率層を有するシンチレータユニット。」 ＜相違点Ｂ－７＞ 本件発明５、１３～１９、３４～４１は「前記低屈折率層が、二酸化ケイ素を含む」のに対し、本件発明１の「低屈折率層」に相当する甲１０発明の「反射層１４０」は、「アルミニウムを用いて形成され」る点。 （イ） 判断 前記第５の２（１）イ（ア）の本件発明１と甲１０発明の対比を踏まえると、本件発明５、１３～１９、３４～４１の「低屈折率層」に相当する甲１０発明の構成は「アルミニウム等を用いて形成され［る］」「反射層１４０」となるところ、甲１０発明から出発した当業者が相違点Ｂ－７に係る本件発明５、１３～１９、３４～４１の構成に至るためには、「アルミニウムを用いて形成され［る］」「反射層１４０」が「二酸化ケイ素を含む」ものであることを要するといえる。しかしながら、甲１０発明の「アルミニウムを用いて形成され［る］」「反射層１４０」を「二酸化ケイ素を含む」ものとすることを当業者が容易になし得たことであることを裏付ける証拠はなく、また、このようにする動機もない。 甲１０の他の記載及び甲１～甲９、甲１１、参考文献１～４の記載をみても、上記判断を左右するものはない。 したがって、甲１０発明から出発した当業者が、甲１～１１及び参考文献１～４の記載に基づいて、相違点Ｂ－７に係る本件発明５、１３～１９、３４～４１の構成に容易に至るとはいえない。 （ウ） 申立人の主張について 申立人は特許異議申立書において、甲７には反射層１３が二酸化ケイ素を含む拡散反射層を備えることが、甲９には反射層が二酸化ケイ素等の光散乱粒子を含むことが記載されており、シンチレータからの光を反射する光反射層に二酸化ケイ素を含有させることは本件出願時において周知技術であった旨主張しているが、これに対する判断は前記ア（ウ）で説示したのと同様である。 （エ） 小括 そして、甲１０に記載されたいずれの発明を引用発明として認定しても、前記説示を左右するものはない。 以上によれば、本件発明５、１３～１９、３４～４１は、甲１０に記載された発明及び甲１～甲１１、参考文献１～４に記載された技術的事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 （２） 本件発明６、２０～２６、４２～４９について 本件発明６、２０～２６、４２～４９はいずれも、「前記シンチレータと前記接着層との間に前記接着層よりも屈折率の低い低屈折率層を有［する］」こと、及び「前記低屈折率層が、中空粒子を含む」ことを発明特定事項として有するものであるところ、事案に鑑みこれらの発明についてまとめて検討する。 ア 甲１を主引用例とした場合 （ア） 対比、一致点・相違点 前記第５の２（１）ア（ア）の本件発明１と甲１発明の対比と同様にして、本件発明６、２０～２６、４２～４９と甲１発明を対比すると、本件発明６、２０～２６、４２～４９と甲１発明は少なくとも次の一致点Ａ－６で一致し、少なくとも次の相違点Ａ－８において相違する。 ＜一致点Ａ－６＞ 「シンチレータと支持体との間に接着層を備えるシンチレータユニットであって、 前記シンチレータと前記接着層との間に前記接着層よりも屈折率の低い低屈折率層を有するシンチレータユニット。」 ＜相違点Ａ－８＞ 本件発明６、２０～２６、４２～４９は「前記低屈折率層が、中空粒子を含む」のに対し、本件発明６の「低屈折率層」に相当する甲１発明の「光反射層５２」は「アルミニウムから作られ」る点。 （イ） 判断 前記第５の２（１）ア（ア）の本件発明１と甲１発明の対比を踏まえると、本件発明６、２０～２６、４２～４９の「低屈折率層」に相当する甲１発明の構成は「アルミニウムから作られ［る］」「光反射層５２」となるところ、甲１発明から出発した当業者が相違点Ａ－８に係る本件発明６、２０～２６、４２～４９の構成に至るためには、「アルミニウムから作られ［る］」「光反射層５２」が「中空粒子を含む」ものであることを要するといえる。しかしながら、甲１発明の「アルミニウムから作られ［る］」「光反射層５２」を「中空粒子を含む」ものとすることを当業者が容易になし得たことであることを裏付ける証拠はなく、また、このようにする動機もない。 甲１の他の記載及び甲２～甲１１、参考文献１～４の記載をみても、上記判断を左右するものはない。この点、甲１に「光反射層５２」を多層誘電体ミラーとして形成することも記載されていることについては、前記第６の２（１）ア（イ）で説示したとおりである。 したがって、甲１発明から出発した当業者が、甲１～１１及び参考文献１～４の記載に基づいて、相違点Ａ－８に係る本件発明６、２０～２６、４２～４９の構成に容易に至るとはいえない。 （ウ） 申立人の主張について 申立人は特許異議申立書において、甲７には反射層１３が中空粒子を含む拡散反射層を備えることが記載されており、シンチレータからの光を反射する光反射層に中空粒子を含有させることは本件出願時において公知技術であった旨主張しているが、これに対する判断は、前記（１）ア（ウ）で説示したのと同様である。 また、前記（イ）における検討は、甲１発明の「前記光反射層５２」が本件発明６、２０～２６、４２～４９の「低屈折率層」に相当することを前提としたものであるところ、申立人は特許異議申立書において、甲１発明の「薄膜層４０」が本件発明６、２０～２６、４２～４９の「接着層よりも屈折率の低い低屈折率層」に相当すること、及び、甲７に記載されている「シンチレータからの光を反射させる光反射層に中空粒子を含有させる」との技術的事項に基づいて、甲１発明の「薄膜層４０」に中空粒子を含有させることは容易であった旨主張しているが、これに対する判断も前記（１）ア（ウ）で説示したのと同様である。したがって、甲１発明の「薄膜層４０」を本件発明６、２０～２６、４２～４９の「接着層よりも屈折率の低い低屈折率層」に相当させたとしても、本件発明６、２０～２６、４２～４９は、甲１発明及び甲１～１１、参考文献１～４に記載された技術的事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 （エ） 小括 そして、甲１に記載されたいずれの発明を引用発明として認定しても、前記説示を左右するものはない。 以上によれば、本件発明６、２０～２６、４２～４９は、甲１に記載された発明及び甲１～甲１１、参考文献１～４に記載された技術的事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 イ 甲１０を主引用例とした場合 （ア） 対比、一致点・相違点 前記第５の２（１）イ（ア）の本件発明１と甲１０発明の対比と同様にして、本件発明６、２０～２６、４２～４９と甲１０発明を対比すると、本件発明６、２０～２６、４２～４９と甲１０発明は少なくとも次の一致点Ｂ－６で一致し、少なくとも次の相違点Ｂ－８において相違する。 ＜一致点Ｂ－６＞ 「シンチレータと支持体との間に接着層を備えるシンチレータユニットであって、 前記シンチレータと前記接着層との間に前記接着層よりも屈折率の低い低屈折率層を有するシンチレータユニット。」 ＜相違点Ｂ－８＞ 本件発明６、２０～２６、４２～４９は「前記低屈折率層が、中空粒子を含む」のに対し、本件発明６の「低屈折率層」に相当する甲１０発明の「反射層１４０」は「アルミニウムを用いて形成され」る点。 （イ） 判断 前記第５の２（１）イ（ア）の本件発明１と甲１０発明の対比を踏まえると、本件発明６、２０～２６、４２～４９の「低屈折率層」に相当する甲１０発明の構成は「アルミニウムを用いて形成され［る］」「反射層１４０」であるところ、甲１０発明から出発した当業者が相違点Ｂ－８に係る本件発明６、２０～２６、４２～４９の構成に至るためには、「アルミニウムを用いて形成され［る］」「反射層１４０」が「中空粒子を含む」ものであることを要するといえる。しかしながら、甲１０発明の「アルミニウムを用いて形成され［る］」「反射層１４０」を「中空粒子を含む」ものとすることを当業者が容易になし得たことであることを裏付ける証拠はなく、また、このようにする動機もない。 甲１０の他の記載及び甲１～甲９、甲１１、参考文献１～４の記載をみても、上記判断を左右するものはない。 したがって、甲１０発明から出発した当業者が、甲１～１１及び参考文献１～４の記載に基づいて、相違点Ｂ－８に係る本件発明６、２０～２６、４２～４９の構成に容易に至るとはいえない。 （ウ） 申立人の主張について 申立人は特許異議申立書において、甲７には反射層１３が中空粒子を含む拡散反射層を備えることが記載されており、シンチレータからの光を反射する光反射層に中空粒子を含有させることは本件出願時において公知技術であった旨主張しているが、これに対する判断は、前記（１）ア（ウ）で説示したのと同様である。 （エ） 小括 そして、甲１０に記載されたいずれの発明を引用発明として認定しても、前記説示を左右するものはない。 以上によれば、本件発明６、２０～２６、４２～４９は、甲１０に記載された発明及び甲１～甲１１、参考文献１～４に記載された技術的事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 （３） 本件発明７、２７～４９について 本件発明７、２７～４９はいずれも、「前記シンチレータと前記接着層との間に前記接着層よりも屈折率の低い低屈折率層を有［する］」こと、及び「前記低屈折率層の空隙率が、６０．０％以上９５．０％以下である」ことを発明特定事項として有するものであるところ、事案に鑑みこれらの発明についてまとめて検討する。なお、本件発明４２～４９については前記（２）でも検討済みであるが、改めて検討する。 ア 甲１を主引用例とした場合 （ア） 対比、一致点・相違点 前記第５の２（１）ア（ア）の本件発明１と甲１発明の対比と同様にして、本件発明７、２７～４９と甲１発明を対比すると、本件発明７、２７～４９と甲１発明は少なくとも次の一致点Ａ－７で一致し、少なくとも次の相違点Ａ－９において相違する。 ＜一致点Ａ－７＞ 「シンチレータと支持体との間に接着層を備えるシンチレータユニットであって、 前記シンチレータと前記接着層との間に前記接着層よりも屈折率の低い低屈折率層を有するシンチレータユニット。」 ＜相違点Ａ－９＞ 本件発明７、２７～４９は「前記低屈折率層の空隙率が、６０．０％以上９５．０％以下である」のに対し、本件発明７の「低屈折率層」に相当する甲１発明の「光反射層５２」は「アルミニウムから作られ」る点。 （イ） 判断 前記第５の２（１）ア（ア）の本件発明１と甲１発明の対比を踏まえると、本件発明７、２４～２９の「低屈折率層」に相当する甲１発明の構成は「アルミニウムから作られ［る］」「光反射層５２」となるところ、甲１発明から出発した当業者が相違点Ａ－９に係る本件発明７、２７～４９の構成に至るためには、「アルミニウムから作られ［る］」「光反射層５２」が「空隙率が、６０．０％以上９５．０％以下である」ものであることを要するといえる。しかしながら、甲１発明の「アルミニウムから作られ［る］」「光反射層５２」を「空隙率が、６０．０％以上９５．０％以下である」ものとすることを当業者が容易になし得たことであることを裏付ける証拠はなく、また、このようにする動機もない。 甲１の他の記載及び甲２～甲１１、参考文献１～４の記載をみても、上記判断を左右するものはない。この点、甲１に「光反射層５２」を多層誘電体ミラーとして形成することも記載されていることについては、前記第６の２（１）ア（イ）で説示したとおりである。 したがって、甲１発明から出発した当業者が、甲１～１１及び参考文献１～４の記載に基づいて、相違点Ａ－９に係る本件発明７、２７～４９の構成に容易に至るとはいえない。 （ウ） 申立人の主張について 申立人は特許異議申立書において、甲７には反射層１３が空隙を含む拡散反射層を備えることが、甲９には反射層が空隙を含むことが記載されており、シンチレータからの光を反射する光反射層に空隙を含有させることは本件出願時において周知技術であった旨主張しているが、これに対する判断は、前記（１）ア（ウ）で説示したのと同様である。 また、前記（イ）における検討は、甲１発明の「前記光反射層５２」が本件発明７、２７～４９の「低屈折率層」に相当することを前提としたものであるところ、申立人は特許異議申立書において、甲１発明の「薄膜層４０」が本件発明７、２７～４９の「接着層よりも屈折率の低い低屈折率層」に相当すること、及び、甲７に記載されている「シンチレータからの光を反射させる光反射層に空隙を含有させる」との技術的事項に基づいて、甲１発明の「薄膜層４０」に空隙を含ませることは容易であった旨主張しているが、これに対する判断も前記（１）ア（ウ）で説示したのと同様である。 （エ） 小括 そして、甲１に記載されたいずれの発明を引用発明として認定しても、前記説示を左右するものはない。 以上によれば、本件発明７、２７～４９は、甲１に記載された発明及び甲１～甲１１、参考文献１～４に記載された技術的事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 イ 甲１０を主引用例とした場合 （ア） 対比、一致点・相違点 前記第５の２（１）イ（ア）の本件発明１と甲１０発明の対比と同様にして、本件発明７、２７～４９と甲１０発明を対比すると、本件発明７、２７～４９と甲１０発明は少なくとも次の一致点Ｂ－７で一致し、少なくとも次の相違点Ｂ－９において相違する。 ＜一致点Ｂ－７＞ 「シンチレータと支持体との間に接着層を備えるシンチレータユニットであって、 前記シンチレータと前記接着層との間に前記接着層よりも屈折率の低い低屈折率層を有するシンチレータユニット。」 ＜相違点Ｂ－９＞ 本件発明７、２７～４９は「前記低屈折率層の空隙率が、６０．０％以上９５．０％以下である」のに対し、本件発明７の「低屈折率層」に相当する甲１０発明の「反射層１４０」は「アルミニウムを用いて形成され」る点。 （イ） 判断 前記第５の２（１）イ（ア）の本件発明１と甲１０発明の対比を踏まえると、本件発明７、２７～４９の「低屈折率層」に相当する甲１０発明の構成は「アルミニウムから作られ［る］」「反射層１４０」であるところ、甲１０発明から出発した当業者が相違点Ｂ－９に係る本件発明７、２７～４９の構成に至るためには、「アルミニウムを用いて形成され［る］」「反射層１４０」が「空隙率が、６０．０％以上９５．０％以下である」ものであることを要するといえる。しかしながら、甲１０発明の「アルミニウムを用いて形成され［る］」「反射層１４０」を「空隙率が、６０．０％以上９５．０％以下である」ものとすることを当業者が容易になし得たことであることを裏付ける証拠はなく、また、このようにする動機もない。 甲１０の他の記載及び甲１～甲９、甲１１、参考文献１～４の記載をみても、上記判断を左右するものはない。 したがって、甲１０発明から出発した当業者が、甲１～１１及び参考文献１～４の記載に基づいて、相違点Ｂ－９に係る本件発明７、２７～４９の構成に容易に至るとはいえない。 （ウ） 申立人の主張について 申立人は特許異議申立書において、甲７には反射層１３が空隙を含む拡散反射層を備えることが、甲９には反射層が空隙を含むことが記載されており、シンチレータからの光を反射する光反射層に空隙を含ませることは本件出願時において周知技術であった旨主張しているが、これに対する判断は前記（１）ア（ウ）で説示したのと同様である。 （エ） 小括 そして、甲１０に記載されたいずれの発明を引用発明として認定しても、前記説示を左右するものはない。 以上によれば、本件発明７、２７～４９は、甲１０に記載された発明及び甲１～甲１１、参考文献１～４に記載された技術的事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 （４） 第１次取消理由及び第２次取消理由において採用しなかった特許異議申立理由についての判断の小括 以上検討のとおり、本件発明５～７、１３～４９に対する特許異議申立理由は理由がない。 第８ まとめ 以上のとおり、本件発明１、２、１０及び１１についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであるから、これらの発明についての特許は特許法第１１３条第２号に該当し、取り消されるべきものである。 また、第１次取消理由及び特許異議申立理由によっては、本件発明３～９、１２～４９についての特許を取り消すことができない。また、他に本件発明３～９、１２～４９についての特許を取り消すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり決定する。