2024-014184

特願２０２１－ １２４５６「光電気モジュール」拒絶査定不服審判事件〔令和４年８月９日出願公開、特開２０２２－１１５７２３〕について、次のとおり審決する。

結 論 本件審判の請求は、成り立たない。

理 由 第１ 手続の経緯 本願は、令和３年１月２８日の出願であって、その手続の経緯の概略は、次のとおりである。 令和６年 ２月１９日付け：拒絶理由通知書 同年 ４月２５日 ：意見書、手続補正書の提出 同年 ６月 ３日付け：拒絶査定（以下「原査定」という。） （同月 ６日 ：原査定の謄本の送達） 同年 ９月 ４日 ：審判請求書、手続補正書の提出 同月２６日付け：前置報告書 令和７年 １月 ８日 ：上申書の提出 第２ 令和６年９月４日にされた手続補正についての補正の却下の決定 ［補正の却下の決定の結論］ 令和６年９月４日にされた手続補正を却下する。 ［補正の却下の決定の理由］ １ 本件補正前後の請求項１の記載 令和６年９月４日にされた手続補正（以下「本件補正」という。）は、特許請求の範囲の補正をするものであり、本件補正により、次の(１)に示す本件補正前（令和６年４月２５日にされた手続補正後のものをいう。以下同じ。）の特許請求の範囲の請求項１の記載は、後記(２)に示す本件補正後の特許請求の範囲の請求項１の記載に補正された。下線は補正前後の補正箇所を示す。 (１) 本件補正前 「【請求項１】 基板の一方の面上に電子回路および前記電子回路によって駆動される光回路が搭載された光電気混載デバイスであって、前記基板の前記一方の面と同じ側の第１面および前記第１面と反対側の第２面を有し、前記第１面に前記電子回路との電気入出力部および前記光回路との光入出力部が配置され、前記基板の前記一方の面と反対側の他方の面が前記第２面をなす、光電気混載デバイスと、 前記光電気混載デバイスの前記第１面側に配置されたインターフェイス基板であって、前記電気入出力部に結合された電気配線と、前記光入出力部に結合された光配線と、前記電気配線に接続されるとともに外部の電気配線に接続可能な電気インターフェイスと、前記光配線に接続されるとともに外部の光配線に接続可能な光インターフェイスと、を備えるインターフェイス基板と、 前記光電気混載デバイスの前記第２面に接して配置された放熱部材と、 を備える光電気モジュール。」 (２) 本件補正後 「【請求項１】 基板の一方の面上に電子回路および前記電子回路によって駆動される光回路が実装された光電気混載デバイスであって、前記基板の前記一方の面と同じ側の第１面および前記第１面と反対側の第２面を有し、前記第１面に前記電子回路との電気入出力部および前記光回路との光入出力部が配置され、前記基板の前記一方の面と反対側の他方の面が前記第２面をなす、光電気混載デバイスと、 前記光電気混載デバイスの前記第１面側に配置されたインターフェイス基板であって、前記電気入出力部に結合された電気配線と、前記光入出力部に結合された光配線と、前記電気配線に接続されるとともに外部の電気配線に接続可能な電気インターフェイスと、前記光配線に接続されるとともに外部の光配線に接続可能な光インターフェイスと、を備えるインターフェイス基板と、 前記光電気混載デバイスの前記第２面に接して配置された放熱部材と、 を備える光電気モジュール。」 ２ 本件補正の目的 (１) 本件補正による請求項１の補正事項（補正事項Ａ） 本件補正により次のアに示す本件補正前の請求項１の記載は、イに示す本件補正後の請求項１の記載に補正された。下線は、補正により変更された部分に係る対応する記載を示す。以下、当該補正事項を「補正事項Ａ」といい、ア及びイの記載をそれぞれ「本件補正前の技術事項Ａの記載）」及び「本件補正後の技術事項Ａの記載）」という。 ア 本件補正前の記載（本件補正前の技術事項Ａの記載） 「基板の一方の面上に電子回路および前記電子回路によって駆動される光回路が搭載された光電気混載デバイス」 イ 本件補正後の記載（本件補正前の技術事項Ａの記載） 「基板の一方の面上に電子回路および前記電子回路によって駆動される光回路が実装された光電気混載デバイス」 (２) 本件補正の目的について 前記補正事項Ａに係る補正が、特許法１７条の２第５項の規定に適合するものであるか否かについて検討する。 ア 技術常識（「搭載」及び「実装」という用語の意味） (ア) 「搭載」及び「実装」の用語の意味について、技術常識に係る文献として、例えば、日本規格協会、「JIS C 61191-2:2020、プリント配線板実装－第２部：部門規格－表面実装はんだ付け要求事項、2020」（以下「ＪＩＳ規格文書」という。）を参照すると、次のとおり記載されている（下線は合議体による。）。 「５ 部品の表面実装 ５．１ 一般事項 この箇条は，基板表面に搭載して機械又は手作業によってはんだ付けする部品（表面実装用に設計した部品及び表面実装技術を適用する挿入部品を含む。）を対象とする。」 (イ) 前記(ア)に摘記したＪＩＳ規格文書の記載によると、出願時、プリント配線基板を用いた電気回路分野において、「搭載」及び「実装」という用語は、次のａ及びｂに示す意味であると理解できる。 ａ 「搭載」 電子部品をプリント配線板の表面に物理的に配置する行為 ｂ 「実装」 電子部品をプリント配線板の表面に配置して取り付ける一連の工程全体 イ 発明の詳細な説明の記載 (ア) 本願明細書の発明の詳細な説明の記載のうち、補正事項Ａに関連する記載としては、次の記載がある。 「【０００１】 本発明は、光電気モジュールに関し、特に、光電気モジュールにおける実装構造に関する。 【背景技術】 【０００２】 電子部品および光部品が多数搭載された光電気モジュール（例えば特許文献１、２参照）において、伝送信号の高速化に伴い、各部品からの発熱が増加の一途をたどっている。」 「【００１１】 また、本発明の他の一態様は、上記一態様において、前記光結合部は、前記インターフェイス基板に内蔵またはその表面に搭載されたミラーである、光電気モジュールである。」 「【００１９】 基板１０２の表面には更に、半導体レーザ１０３およびドライバＩＣ１０８が実装される。半導体レーザ１０３は、その出射光が第１光導波路１０５へ入射するように第１光導波路１０５の一方の端部に近接して配置される。ドライバＩＣ１０８は、ドライバＩＣ１０８側の電気端子（不図示）と基板１０２側の電気配線１０９ｂとを電気的に接続する接続電極１１５（例えばボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）等）を用いて、基板１０２上に実装される。ドライバＩＣ１０８は、電気配線１０９ｂを介して半導体レーザ１０３、光変調器１０４、およびビア１０９ａに接続されており、ビア１０９ａから入力された電気信号に基づいて半導体レーザ１０３および光変調器１０４を駆動するように構成される。」 「【００２４】 受光素子１１０は、例えば、シリコンフォトニクス技術を用いて基板１０２の表面に直接形成することもできるし、あるいは別途作製したチップ型の受光素子１１０を基板１０２上に実装してもよい。受光素子１１０は、電気配線１０９ｂを介してドライバＩＣ１０８に接続される。ドライバＩＣ１０８は、受光素子１１０から出力される光電変換された電流信号をＩＶ（電流電圧）変換するためのトランスインピーダンスアンプ（ＴＩＡ）であってもよい。」 (イ) 前記(ア)に摘記した本願明細書の発明の詳細な説明の記載を参酌すると、前記ア(イ)に示した「搭載」及び「実装」の意味で用いられていることが理解できる。そして、審判請求書において補正の根拠とされた本願明細書の【００１９】の記載において、「実装」を「搭載」に変更したとしても、意味は変わらない。 これらの点も踏まえると、本件補正前の技術事項Ａと本件補正後の技術事項Ａとの間に、実質的な差違は認められない。 ウ 審判請求書における主張 請求人は、審判請求書において、前記イ(イ)のとおり本件補正が特許法１７条の２第３項の規定に適合することの根拠は示しているものの、本件補正の目的については説明をしていない。 エ 本件補正の目的のまとめ 以上のとおりであるから、「搭載」という用語を「実装」に補正する補正事項Ａは、「請求項に記載した発明を特定するために必要な事項を限定するもの」に該当するとはいえず、特許法１７条の２第５項２号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」を目的とするものに該当しない。 また、補正事項Ａが、特許法１７条の２第５項１号、３号及び４号にそれぞれ掲げる「請求項の削除」、「誤記の訂正」及び「明りようでない記載の釈明（拒絶理由通知に係る拒絶の理由に示す事項についてするものに限る。）」のいずれにも該当しないことは明らかである。 そうすると、補正事項Ａにより請求項１についてする補正は、特許法１７条の２第５項各号に掲げるいずれを目的とするものにも該当しなから、本件補正による請求項１についてする補正は、特許法１７条の２第５項の規定に適合しない。 ３ 独立特許要件違反について 本件補正により請求項１についてする補正が特許法１７条の２第５項２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正に該当するとした場合についても念のため検討する。 この場合、本件補正後の請求項１に記載されている事項により特定される発明（以下「本件補正発明」という。）は、特許法１７条の２第６項において準用する同法１２６条７項の規定に適合することが必要である、すなわち、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであることが必要があるところ、後記の第３における検討において「搭載」を「実装」と読み替えることにより、本件補正発明には進歩性が認められず、特許法２９条２項の規定に違反するとの結論が得られることから、本件補正発明は特許出願の際独立して特許を受けることができるものではない。 よって、本件補正により請求項１についてする補正が特許法１７条の２第５項２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正に該当するとしたとしても、本件補正は、特許法１７条の２第６項において準用する同法１２６条７項の規定に適合しない。 ４ 本件補正の却下の決定の理由のむすび 前記２(２)のとおり、本件補正は、特許法１７条の２第５項の規定に違反するものであるから、同法１５９条１項において読み替えて準用する同法５３条１項の規定により却下されるべきものである。 また、本件補正による請求項１についてする補正が特許法１７条の２第５項２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正に該当するとしても、本件補正は、同法１７条の２第６項において準用する同法１２６条７項の規定に違反するから、同法１５９条１項において読み替えて準用する同法５３条１項の規定により却下すべきものである。 よって、前記補正の却下の決定の結論のとおり決定する。 第３ 本願発明について １ 本願発明の認定等 (１) 本願発明の認定と分説 本件補正は、前記第２のとおり却下したので、本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、本件補正前の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項（前記第２の１(１)参照）により特定されるとおりのものである。 ここで、検討の便宜上、本願発明の構成を次のとおり構成Ｘと構成Ａから構成Ｃまでに分説する。また、参考図として、本願の【図１】及び【図３】に部材名を記入したものを掲載する。 ＜本願発明の分説＞ Ａ 基板の一方の面上に電子回路および前記電子回路によって駆動される光回路が搭載された光電気混載デバイスであって、 Ａ１ 前記基板の前記一方の面と同じ側の第１面および前記第１面と反対側の第２面を有し、 Ａ２ 前記第１面に前記電子回路との電気入出力部および前記光回路との光入出力部が配置され Ａ３ 前記基板の前記一方の面と反対側の他方の面が前記第２面をなす、光電気混載デバイスと、 Ｂ 前記光電気混載デバイスの前記第１面側に配置されたインターフェイス基板であって、 Ｂ１ 前記電気入出力部に結合された電気配線と、 Ｂ２ 前記光入出力部に結合された光配線と、 Ｂ３ 前記電気配線に接続されるとともに外部の電気配線に接続可能な電気インターフェイスと、 Ｂ４ 前記光配線に接続されるとともに外部の光配線に接続可能な光インターフェイスと、を備えるインターフェイス基板と、 Ｃ 前記光電気混載デバイスの前記第２面に接して配置された放熱部材と、を備える Ｘ 光電気モジュール。 ＜参考図(【図１】)＞ ［図：0001433692000001.jpg］ ＜参考図(【図３】)＞ ［図：0001433692000002.jpg］ (２) 課題・作用効果等に関連する明細書の発明の詳細な説明の記載 本願明細書の発明の詳細な説明の記載のうち、発明が解決しようとする課題及び作用効果等に関連する記載を抜粋すると、次の記載がある（下線は合議体による。）。 ア 【技術分野】、【背景技術】、【発明の概要】等 「【技術分野】 【０００１】 本発明は、光電気モジュールに関し、特に、光電気モジュールにおける実装構造に関する。 【背景技術】 【０００２】 電子部品および光部品が多数搭載された光電気モジュール（例えば特許文献１、２参照）において、伝送信号の高速化に伴い、各部品からの発熱が増加の一途をたどっている。 【先行技術文献】 【特許文献】 【０００３】 【特許文献１】国際公開第２０１５／０１２２１３号 【特許文献２】国際公開第２０１４／１５６９６２号 【発明の概要】 【発明が解決しようとする課題】 【０００４】 本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであり、その目的の１つは、冷却を効率的に行うことが可能な光電気モジュールを提供することにある。 【課題を解決するための手段】 【０００５】 上述した課題を解決するために、本発明の一態様は、電子回路および前記電子回路によって駆動される光回路を備えた光電気混載デバイスであって、第１面および前記第１面と反対側の第２面を有し、前記第１面に前記電子回路との電気入出力部および前記光回路との光入出力部が配置された光電気混載デバイスと、前記光電気混載デバイスの前記第１面側に配置されたインターフェイス基板であって、前記電気入出力部に結合された電気配線と、前記光入出力部に結合された光配線と、前記電気配線に接続されるとともに外部の電気配線に接続可能な電気インターフェイスと、前記光配線に接続されるとともに外部の光配線に接続可能な光インターフェイスと、を備えるインターフェイス基板と、前記光電気混載デバイスの前記第２面に接して配置された放熱部材と、を備える光電気モジュールである。 …（中略）… 【発明の効果】 【００１４】 本発明によれば、光電気モジュールを効率的に冷却することが可能である。」 イ 【発明を実施するための形態】 「【００１７】 図１は、本発明の実施形態に係る光電気モジュールを構成する要素の１つである光電気混載デバイス１００の断面構成図である。光電気混載デバイス１００は、基板１０２、半導体レーザ１０３、光変調器１０４、第１光導波路１０５、第２光導波路１０６、グレーティングカプラ１０７、ドライバＩＣ１０８、および電気配線１０９を備える。電気配線１０９は、光電気混載デバイス１００の第１面１００Ａ（図１において上側の面）と基板１０２の表面とを導通するためのビア１０９ａと、基板１０２の表面上に形成された電気配線１０９ｂとを含む。図１は光電気混載デバイス１００をその断面方向から見た図であるため１組の半導体レーザ１０３、光変調器１０４、第１光導波路１０５、第２光導波路１０６、グレーティングカプラ１０７、および電気配線１０９しか描かれていないが、複数組の半導体レーザ１０３、光変調器１０４、第１光導波路１０５、第２光導波路１０６、グレーティングカプラ１０７、および電気配線１０９が、図１における断面と垂直な方向に配列されていてもよい。また、光電気混載デバイス１００は、複数のドライバＩＣ１０８を備えていてもよい。 …（中略）… 【００２７】 図３は、本発明の実施形態に係る光電気モジュール１０の断面構成図である。光電気モジュール１０は、図１を参照して説明した光電気混載デバイス１００と、インターフェイス基板２００と、放熱部材３００とを備える。光電気モジュール１０は、図１の光電気混載デバイス１００の代わりに、図２を参照して説明した光電気混載デバイス１０１、あるいは、図１のデバイス１００と図２のデバイス１０１の両方の構成を統合することにより光送受信機能を有する光電気混載デバイスを備えてもよい。なお、以下では、光電気モジュール１０が図１の光電気混載デバイス１００を備えている構成に関して説明する。 …（中略）… 【００３０】 図３の光電気モジュール１０において、光電気混載デバイス１００は、その第１面１００Ａをインターフェイス基板２００側に向けて、インターフェイス基板２００に実装される（フリップチップ実装）。図１を参照して前述したように、光電気混載デバイス１００の第１面１００Ａには、ビア１０９ａの端部と第２光導波路１０６の端部が位置している。光電気混載デバイス１００のビア１０９ａは、例えばＢＧＡ等の接続電極２５０を介して、インターフェイス基板２００の表面に露出した電気配線２０２に接続される。また、第２光導波路１０６は、光結合部２０３ａを介してインターフェイス基板２００の光配線２０３と光学的に接続される。 …（中略）… 【００３２】 上記のように、光電気混載デバイス１００はインターフェイス基板２００にフリップチップ実装されており、そのため、光電気混載デバイス１００の第２面１００Ｂ（すなわち光電気混載デバイス１００を構成している基板１０２の裏面であって段差のない平坦な面）は、インターフェイス基板２００と反対側に向けられている。この光電気混載デバイス１００の第２面１００Ｂに、放熱部材３００が配置される。放熱部材３００は、その放熱面（図３において上側の面）が大きな表面積を有するような形状を備えた金属（銅やアルミニウム）またはセラミック製の部材（ヒートシンク）である。放熱部材３００は、その光電気混載デバイス１００側の面（図３において下側の面）が平坦面として構成され、この平坦面が光電気混載デバイス１００の第２面１００Ｂ（すなわち基板１０２の平坦な裏面）に密接している。両者の接触面の間に、熱伝導性の高いグリースまたは接着剤が設けられてもよい。 【００３３】 本実施形態の光電気モジュール１０では、放熱部材３００が光電気混載デバイス１００の第２面１００Ｂと広い面積で（すなわち基板１０２の裏面全面と）接触していることにより、光電気混載デバイス１００内の電子回路・光回路（例えばドライバＩＣ１０８および半導体レーザ１０３）やその他の発熱部品において発生した熱が、効率良く放熱部材３００に伝達される。そのため、放熱部材３００を介して光電気混載デバイス１００からの熱をより大量に放熱することができ、光電気モジュール１０の冷却性能を高めることができる。」 ２ 原査定における拒絶の理由の概要 原査定の本願発明に対する拒絶の理由のうち理由２（進歩性の欠如）の要旨は、次のとおりである。 理由２（進歩性の欠如） 本願発明は、出願前に発行された特開２００６－２７００３７号公報（以下「引用文献１」という。）に記載された発明に基づいて、出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。 ３ 各引用文献の記載事項並びに引用発明及び技術常識Ａの認定 (１) 引用文献１の記載事項及び引用発明の認定 ア 引用文献１に記載された事項 原査定の拒絶の理由において引用された文献であって、本願の出願前に発行された文献である引用文献１（特開２００６－２７００３７号公報）には、次の記載がある（合議体により、引用発明の認定に直接用いる記載に下線を付した。また、図は、対応する記載の近くに挿入して示した。）。 (ア) 【発明の開示】等（【０００１】～【００２４】） 「【技術分野】 【０００１】 本発明は、シリコン基板上に複数個のＩＣ（Integrated Circuit）素子やＬＳＩ（LargeScalIntegration）素子或いはメモリ素子等の半導体回路素子や電子部品或いは光学素子等の実装部品を搭載するとともに配線層を有するハイブリットモジュール及びその製造方法並びに上述したハイブリットモジュールを配線基板に実装してなるハイブリット回路装置に関する。 【背景技術】 【０００２】 例えば、パーソナルコンピュータ、携帯電話機、ビデオレコーダ或いはオーディオ機器等の各種の電子機器には、各種のＩＣ素子やＬＳＩ素子或いはメモリ素子等の半導体回路素子や電子部品が備えられている。電子機器においては、例えば同一機能を奏する上述した半導体回路素子や電子部品等を配線層を形成したベース基板に搭載することによってハイブリット化したいわゆるハイブリットモジュールが備えられている。 【０００３】 ハイブリットモジュールは、電子機器の小型化や多機能化或いは高機能化の対応に基づいてシリコン基板等により多くの実装部品が搭載されるとともに、高密度実装化や小型軽量化等が図られている。例えば、特許文献１或いは特許文献２には、多数個の実装部品をそれぞれの入出力部形成面が互いに同一面を形成するようにして樹脂基体内に封装するとともに、この樹脂基体の主面上に配線層を形成したハイブリットモジュールが開示されている。かかるハイブリットモジュールおいては、各実装部品上にも配線層を介して他の部品実装を可能として薄型化を図りながら高密度実装化を実現する。 【０００４】 一方、電子機器等においては、一般にボード内に搭載された各実装部品間の信号伝送が配線層に形成された配線パターンによって行われる。電子機器等においては、さらなる高速処理化が求められているが、配線パターンによる電気的な信号伝送では配線パターンの微細化の限界、配線パターン内で発生するＣＲ（Capacitance-Resistance）時定数による信号伝送の遅延、ＥＭＩ（Electromagnetic Interference）やＥＭＣ（Electromagnetic Compability）或いは各配線パターン間のクロストーク等の問題によりその対応が極めて困難である。 【０００５】 電子機器等においては、上述した電気信号の伝送構造による問題を解決してさらなる高速化や多機能、高機能化等を実現する対応として、光学信号伝送路（光学バス）や光学インターコネクション等の光学部品を備える光学信号伝送構造の採用が検討されている。光学信号伝送構造は、各機器間や各機器に搭載されたボード間、或いは各ボード内の実装部品間における比較的短距離の信号伝送を行う場合に好適である。光学信号伝送構造は、実装部品を実装した配線基板に光学信号伝送路を形成し、この光学信号伝送路を伝送路として光学信号を高速かつ大容量で伝送することを可能とする。光学素子混載ハイブリットモジュールについては、例えば特許文献３に開示されている。 【０００６】 【特許文献１】特開平７-７１３４号公報 【特許文献２】特開２０００-１０６４１７公報 【特許文献３】特開２００４-１９３２２１公報 【発明が解決しようとする課題】 【０００７】 上述した特許文献１や特許文献２に開示されたハイブリットモジュールは、基部に支持された基部シート上に半導体チップや機能ディバイス等の複数個の実装部品を並べて搭載し、これら実装部品を封止するようにして基部シート上に樹脂によって基板体を形成して構成する。かかるハイブリットモジュールにおいては、各実装部品の接点パッドが略同一面を構成することで回路基板等に対して各実装部品を一括して接続することが可能であるとともに、基板体を最大外形寸法の実装部品に合わせて研磨されることによって全体として薄型化が図られるようになる。 【０００８】 しかしながら、かかるハイブリットモジュールにおいては、複数個の実装部品を樹脂によって形成した基板体によって封止した構造であることから、樹脂が硬化する際に硬化収縮が生じて基板体に大きな寸法変化が生じてしまう。ハイブリットモジュールにおいては、このために基板体に大きな反り等の現象が生じることによって、各実装部品の接続パッドが回路基板側の実装用ランドに対して位置がズレてしまったり接続部位において断線が発生する等により実装精度が悪くなるといった問題があった。また、ハイブリットモジュールにおいては、各実装部品の外周部に熱変形による応力によってクラックが生じることで、実装強度の低下や水分の滲入による内部ショートや錆発生等が生じて信頼性が低下するといった問題もあった。 【０００９】 一方、ハイブリットモジュールにおいては、上述した特許文献２に開示されるように光学信号伝送構造を備えることによってさらなる高速化や多機能、高機能化等が図られる。ハイブリットモジュールにおいては、高速処理化や高容量化が図られたＬＳＩ素子等から入出力される電気的信号を、半導体レーザや発光ダイオード或いはフォトディテクタ等の光学素子によって光学的信号に変換する。したがって、ハイブリットモジュールにおいては、電気的信号伝送構造とともに光学信号伝送構造を混載した電気・光信号混載型ハイブリットモジュールも提供されている。 【００１０】 電気・光混載型ハイブリットモジュールにおいては、光学信号伝送構造を介することによる信号伝達の高速化に伴い、電気的信号伝送構造における上述したＣＲ時定数による信号伝送の遅延、ＥＭＩノイズやＥＭＣ等の低減による低寄生容量化の対応が極めて重要となる。また、電気・光混載型ハイブリットモジュールにおいては、光学部品が電気・光変換動作を行う際に熱を発生し、混載した電気部品の特性に影響を及ぼす虞もある。 【００１１】 したがって、電気・光混載型ハイブリットモジュールにおいては、一般に光学部品や光学信号伝送路を配線層の主面上や回路基板等に対して別工程によって実装していた。電気・光混載型ハイブリットモジュールにおいては、電気部品と光学部品とを別工程によって実装することによって、実装工程が複雑かつ低効率となるとともに歩留まりも低下するといった問題があった。電気・光混載型ハイブリットモジュールにおいては、電気部品と光学部品との個別実装によってこれら部品間を接続する電気配線パターンも必要となり、その接続容量が低寄生容量化の実現を困難とさせる。 【００１２】 したがって、本発明は、多数個の実装部品を薄型化を図りかつ実装精度や実装効率或いは信頼性の向上を図って実装し、また電気的信号伝送機能と光学信号伝送機能とにより情報信号等の高速・高容量伝送化を図るハイブリットモジュール及びその製造方法並びにハイブリット回路装置を提供することを目的とする。 …（中略）… 【発明の効果】 【００２４】 本発明によれば、シリコン基板に形成した部品装填開口部内に入出力部形成面が主面と略同一面を構成するようにして実装部品を封止層によって埋め込んだ状態で一体化するとともにシリコン基板の主面上に各実装部品と電気的に接続される配線層を形成してハイブリットモジュールを構成する。したがって、本発明によれば、小型化と薄型化とが図られるとともに各実装部品と配線層とを最短で接続して寄生容量を低減したハイブリットモジュールを得ることが可能となる。本発明によれば、熱等の影響による寸法や形状変化がほとんど生じないシリコン基板をベース基板とすることによって、各実装部品が高精度に位置決めされて一体化されるとともに配線層との間において断線等の発生を抑制した高精度のハイブリットモジュールを得ることが可能となる。本発明によれば、シリコン基板が各実装部品や配線層の電源部やグランド部としても機能するとともに良好な放熱作用も奏することから、安定した機能動作が奏されて信頼性の向上を図ったハイブリットモジュールを得ることが可能となる。本発明によれば、電気信号の伝送系と光学信号の伝送系とを混載することによって、情報信号等の高速・高容量化を図って伝送することが可能となる。」 (イ) 【発明を実施するための最良の形態】（【００２５】～【００６１】 「【発明を実施するための最良の形態】 【００２５】 以下、本発明の実施の形態として図面に示したハイブリットモジュール１及びこのハイブリットモジュール１を搭載したハイブリット回路装置２について説明する。ハイブリットモジュール１は、図１に示すように、複数個の実装部品４Ａ、４Ｄ（以下、個別に説明する場合を除いて実装部品４と総称する。）を埋め込んだシリコン基板３を挟むようにして、第１主面３Ａに配線層５を形成するとともに第２主面３Ｂに放熱プレート６を接合した積層体によって構成される。ハイブリットモジュール１は、詳細を後述するように実装部品４の厚みよりもやや大きな厚みとなるまで研磨したシリコン基板３を用いることによって薄型化が図られる。 【図１】 ［図：0001433692000003.jpg］ 【００２６】 ハイブリットモジュール１は、図２に示すように配線層５を実装面として詳細を後述するベース基板部７上に搭載されることによってハイブリット回路装置２を構成する。ハイブリット回路装置２は、ベース基板部７がマザーボードやインタポーザ等に実装され、例えばパーソナルコンピュータや携帯電話機或いは各種の電子機器に備えられる。ハイブリット回路装置２は、ハイブリットモジュール１を備えることによって、電気的な制御信号やデータ信号の授受或いは電源供給を行う電気配線構造と光学的な制御信号やデータ信号の授受を行う光学配線構造とを備え、制御信号やデータ信号等を高速化かつ高容量化を図って処理する。 【図２】 ［図：0001433692000004.jpg］ 【００２７】 ハイブリットモジュール１は、互いに関連動作を行う例えば第１ＬＳＩ４Ａや第２ＬＳＩ４Ｂ或いは半導体素子４Ｃ等の電子部品と光学素子４Ｄ等の実装部品４をシリコン基板３に実装する。第１ＬＳＩ４Ａや第２ＬＳＩ４Ｂは、詳細を省略するが高速処理化や高容量化が図られた多ピン構成のＬＳＩである。半導体素子４Ｃは、例えば半導体メモリや各種の半導体ディバイス或いはデカップリングコンデンサ等の電子部品である。光学素子４Ｄは、第１ＬＳＩ４Ａや第２ＬＳＩ４Ｂ或いは半導体素子４Ｃによって制御されて光学信号を出射する例えば半導体レーザや発光ダイオード等の発光素子或いはフォトディテクタ等の受光素子である。なお、光学素子４Ｄは、発光機能と受光機能とを備えた複合の光学素子であってもよいことは勿論である。 【００２８】 ハイブリットモジュール１は、後述するようにこれら実装部品４がシリコン基板３に形成した第１部品装填開口部８Ａ乃至第４部品装填開口部８Ｄ（以下、個別に説明する場合を除いて部品装填開口部８と総称する。）内にそれぞれ装填され、第１封止樹脂層９Ａ乃至第４封止樹脂層９Ｄ（以下、個別に説明する場合を除いて封止樹脂層９と総称する。）に埋め込まれてシリコン基板３と一体化される。なお、ハイブリットモジュール１は、代表的な実装部品４をそれぞれ１個ずつ示したが、それぞれ所定の個数が備えられるようにしてもよいことは勿論である。 【００２９】 実装部品４は、それぞれの第１主面１０Ａ～１０Ｄ（以下、個別に説明する場合を除いて入出力部形成面１０と総称する。）に詳細を省略する電気信号を入出力する所定個数の入出力パッド１１Ａ～１１Ｄ（以下、個別に説明する場合を除いて入出力パッド１１と総称する。）を形成して入出力部形成面１０を構成する。実装部品４は、上述したように異なる種類（異なる特性）の部品であることから、それぞれが大きさを異にするとともに仕様も異にしている。 【００３０】 実装部品４は、後述するようにそれぞれの入出力部形成面１０を装填面として相対する部品装填開口部８内に装填される。実装部品４は、入出力部形成面１０と対向する第２主面１２Ａ～１２Ｄ（以下、個別に説明する場合を除いて底面１２と総称する。）側に放熱プレート６が積層される。なお、光学素子４Ｄには、入出力部形成面１０Ｄに、入出力パッド１１Ｄとともに光学信号を出射する出射部或いは光学信号を受光する受光部からなる光学信号入出力部１３が設けられている。 【００３１】 ハイブリットモジュール１は、例えば第１ＬＳＩ４Ａや第２ＬＳＩ４Ｂ或いは光学素子４Ｄのように熱を発生させる実装部品４が封止樹脂層９によってシリコン基板３に埋め込まれる。ハイブリットモジュール１は、これらの実装部品４からの発生熱を放熱プレート６に効率よく伝達して放熱を行うために、必要に応じて実装部品４にそれぞれ個別放熱プレート１４Ａ、１４Ｂ、１４Ｄ（以下、個別に説明する場合を除いて個別放熱プレート１４と総称する。）が設けられている。 …（中略）… 【００３３】 シリコン基板３には、詳細を後述するエッチング処理を施して、それぞれ厚み方向に貫通して第１主面３Ａと第２主面３Ｂとに開口するとともに相対する実装部品４を内部に装填するに足る開口寸法を有する上述した部品装填開口部８が形成される。シリコン基板３は、上述したように予め所定の厚みまで研磨して薄型化されていることから、各部品装填開口部８を効率よくかつ高精度に形成することが可能である。なお、シリコン基板３は、第２主面３Ｂ側から所定の深さまで部品装填開口部８に対応した凹部を形成した状態で底面に研磨処理を施すことにより、部品装填開口部８を貫通させて第１主面３Ａを形成するようにしてもよい。 …（中略）… 【００３８】 ハイブリットモジュール１は、実装部品４を被覆するようにしてシリコン基板３の第１主面３Ａ上に配線層５が積層形成される。配線層５は、一般的な多層配線技術によって形成され、第１絶縁樹脂層１７Ａと第２絶縁樹脂層１７Ｂ（以下、個別に説明する場合を除いて絶縁樹脂層１７と総称する。）、第１配線パターン１８Ａと第２配線パターン１８Ｂ（以下、個別に説明する場合を除いて配線パターン１８と総称する。）、それぞれ多数個の第１ビア１９Ａと第２ビア１９Ｂ（以下、個別に説明する場合を除いてビア１９と総称する。）等によって構成される。配線層５は、配線パターン１８やビア１９が銅めっき処理を施した銅パターンによって形成される。配線層５には、ベース基板部７への実装面となる表面５Ａの適宜の位置に多数個のバンプ２０が設けられている。なお、配線層５は、絶縁樹脂層１７に２層の配線パターン１８を形成したが、１層若しくはさらに多層の配線パターン１８を形成するようにしてもよいことは勿論である。 【００３９】 配線層５は、絶縁層１７が、絶縁樹脂材として感光性の光透過性を有する絶縁樹脂、例えばエポキシ系樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル系樹脂、ポリオレフィン系樹脂或いはゴム系樹脂が用いられて形成される。絶縁層１７は、絶縁樹脂として高周波特性に優れた光透過性を有するベンゾシクロブテン樹脂を用いるようにしてもよい。 【００４０】 配線層５には、第１絶縁樹脂層１７Ａに第１ビア１９Ａと第１配線パターン１８Ａとが形成されるとともに、第２絶縁樹脂層１７Ｂに第２ビア１９Ｂと第２配線パターン１８Ｂとが形成される。配線層５は、後述するように第１絶縁樹脂層１７Ａ内に実装部品４の入出力パッド１１や導電層１６をそれぞれ外方に臨ませて形成した多数個の第１ビアホール２１Ａに導電処理を施して第１ビア１９Ａを形成し、これら第１ビア１９Ａを介して入出力パッド１１や導電層１６と第１配線パターン１８Ａとを直接接続させる。 【００４１】 配線層５は、第１絶縁樹脂層１７Ａ上に第１配線パターン１８Ａを被覆して第２絶縁樹脂層１７Ｂが形成される。配線層５は、第２絶縁樹脂層１７Ｂ内に第１配線パターン１８Ａのランドをそれぞれ外方に臨ませて形成した多数個の第２ビアホール２１Ｂに導電処理を施して第２ビア１９Ｂが形成される。配線層５は、第２ビア１９Ｂを介して第１配線パターン１８Ａと第２配線パターン１８Ｂとを直接接続させる。 …（中略）… 【００４４】 配線層５は、上述したように光透過性を有する絶縁樹脂によって絶縁層１７を形成することにより、この絶縁層１７を光学素子４Ｄに対する光学信号伝送路として構成する。すなわち、配線層５は、光学素子４Ｄの光学信号入出力部１３と対向する部位が、絶縁層１７中に厚み方向の全域に亘って配線パターン１８が形成されない部位とされて光学信号伝送路５Ｂを構成する。 【００４５】 配線層５は、図１に矢印で示すように、光学素子４Ｄの光学信号入出力部１３から出射される光学信号が、この光学信号伝送路５Ｂを透過して表面５Ａから出射されるようにする。また、配線層５は、表面５Ａから入射される光学信号が、光学信号伝送路５Ｂを透過して光学素子４Ｄの光学信号入出力部１３で受光されるようにする。なお、ハイブリットモジュール１は、配線層５の一部を光学信号伝送路５Ｂとして構成したが、より効率的な光学信号の伝送を行うために、光学素子４Ｄの光学信号入出力部１３に対向して透明な樹脂材によって形成された導光部材を芯材としてクラッド材によって被覆した光導波路部材を設けるようにしてもよい。 【００４６】 バンプ２０は、第２配線パターン１８Ｂのランド上に、例えば金めっき等により所定の高さを有して形成され、ハイブリットモジュール１がベース基板部７上にフリップチップ実装されることによって図２に示したハイブリット回路装置２を製造する。なお、バンプ２０は、ハイブリットモジュール１のベース基板部７に対する実装方法によって適宜の構造が採用され、第２配線パターン１８Ｂのランド上に設けられる例えば半田ボールや金属ボール等であってもよい。 【００４７】 放熱プレート６は、軽量で熱伝導率が大きな金属プレート、例えば銅プレートやアルミプレート等の金属プレートやシリコンプレートによって形成され、シリコン基板３の第２主面３Ｂの全面に接着層２２によって接合される。放熱プレート６は、上述したようにシリコン基板３の第２主面３Ｂや実装部品４に接合した個別放熱プレート１４が研磨処理を施されて平坦化されていることから、全面に亘って密着した状態で接合されて効率的な熱伝導が行われるようになる。 …（中略）… 【００４９】 なお、ハイブリットモジュール１においては、実装部品４に個別放熱プレート１４を接合するとともにシリコン基板３に放熱プレート６を接合して実装部品４から発生する熱の放熱構造を構成したが、実装部品４からの発生熱がさほど大きくない場合には特に設ける必要も無い。また、ハイブリットモジュール１は、ベース基板部７に実装されてハイブリット回路装置２を構成した状態において、図2に示すように放熱プレート６にヒートスプレッダー２３を接合してさらに効率的な放熱が行われるようにしてもよい。 …（中略）… 【００５３】 以上のように構成されたハイブリットモジュール１は、図２に示すように配線層５の表面５Ａを実装面として、バンプ２０を相対するベース配線基板２５のランドと位置決めされて接合されることによって他の電子部品２４とともにベース基板部７上に実装されてハイブリット回路装置２を構成する。なお、ハイブリット回路装置２は、同図に示すようにベース基板部７に２個のハイブリットモジュール１Ａ、１Ｂを実装するとともにハイブリットモジュール１Ａ側にヒートスプレッダー２３を接合したものを示したが、ハイブリットモジュール１を１個或いはさらに多数個を実装しかつ多数個の電子部品２４を実装して構成するようにしてもよい。 【００５４】 ハイブリット回路装置２は、ベース基板部７が、従来周知の多層配線基板技術によって製作したベース配線基板２５に光導波路部材２６を搭載して構成される。ベース配線基板２５は、例えばガラスエポキシ等の有機基板やセラミック等の無機基板等を基材として絶縁層を介してベース配線層を構成する多層の配線パターンを形成するとともに、各層の配線パターン間をビアによって層間接続して構成する。ベース配線基板２５は、例えばプリプレグを介して両面基板を接合する等の適宜の多層配線基板技術によって製作される。 【００５５】 ベース配線基板２５には、詳細を省略するが最上層の配線パターンにハイブリットモジュール１Ａ、１Ｂや電子部品２４を実装するランドが形成されており、これら実装部品を各層の配線パターンによって電気的に接続する。ベース配線基板２５には、ハイブリットモジュール１に対して電源を供給する比較的大きな面積を有する電源パターン或いはグランドパターンが形成され、ハイブリットモジュール１に対してレギュレーションの高い電源供給を行う。 【００５６】 ハイブリット回路装置２は、例えば第１ハイブリットモジュール１Ａ側に光学素子４Ｄとして発光素子を備えるとともに、第２ハイブリットモジュール１Ｂ側に光学素子４Ｄとして受光素子を備える。ハイブリット回路装置２は、ベース配線基板２５の配線パターンによって第１ハイブリットモジュール１Ａと第２ハイブリットモジュール１Ｂとの間で電気信号の授受が行われるようにするとともに、第２ハイブリットモジュール１Ｂ側の光学素子４Ｄから出射された光学信号が第１ハイブリットモジュール１Ａ側の光学素子４Ｄによって受光されて授受が行われるようにする。なお、ハイブリット回路装置２は、ベース配線基板２５の底面側に多数個の電極パッドが形成されており、これら電極パッドにバンプを設けて図示しないマザーボード等に実装されるようにする。 【００５７】 ベース配線基板２５には、ハイブリットモジュール１を実装する主面に絶縁保護層２７が形成されている。ベース配線基板２５は、ハイブリットモジュール１の上述したバンプ２０に対応して絶縁保護層２７に形成した開口部に臨んで配線パターンに多数のランドが形成される。ベース配線基板２５には、ハイブリットモジュール１が位置決めされて組み付けられ、バンプ２０が相対する開口部からランド上に接合される。なお、絶縁保護層２７は、後述するようにハイブリットモジュール１の光学素子４Ｄと光導波路部材２１とを光学的に接続することから、光透過性を有する絶縁樹脂材によって形成される。 【００５８】 ベース基板部７には、ベース配線基板２５の絶縁層内に、隣り合って実装されたハイブリットモジュール１Ａ、１Ｂとに跨って対向するようにして光導波路部材２６が設けられている。光導波路部材２６は、周知のようにポリイミド樹脂、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、ポリオレフィン樹脂或いはゴム系樹脂等の光透過性を有する樹脂によって形成された導光材を、光屈折率を異にするクラッド層によって封装して構成される。光導波路部材２６は、光学信号を２次元的或いは３次元的に封じ込めた状態で伝送する光閉じ込め型光導波路を構成する。 【００５９】 光導波路部材２６は、詳細を省略するが入射部や出射部を構成する両端部がそれぞれ４５°にカットされたミラー面として構成され、内部を導光された光学信号の光路を９０°変換する。光導波路部材２６は、ベース基板部７にハイブリットモジュール１Ａ、１Ｂが実装された状態において、両端部がそれぞれの配線層５の光学信号伝送路５Ｂ、換言すれば光学素子４Ｄの光学信号入出力部１３と対向される。したがって、光導波路部材２６は、例えばハイブリットモジュール１Ａの光学素子（発光素子）４Ｄから出射された光学信号を一端部から入射させて内部を導光し、他端側から出射させてハイブリットモジュール１Ｂ側の光学素子（受光素子）４Ｄに受光させるようにする。 【００６０】 以上のように構成されたハイブリット回路装置２は、上述したように小型かつ薄型であり高密度実装化による多機能化や高機能化を図ることが可能な高精度で安定した動作を行うハイブリットモジュール１をベース基板部７に搭載して構成される。ハイブリット回路装置２は、ハイブリットモジュール１がシリコン基板３をベース基板とすることによって熱等による変形の発生が抑制されることで、ベース基板部７との接続部位において断線やクラックの発生が抑制されて信頼性の向上が図られる。 【００６１】 ハイブリット回路装置２は、ベース基板部７に搭載したハイブリットモジュール１Ａ、１Ｂが、それぞれ第１ＬＳＩ４Ａや第２ＬＳＩ４Ｂ或いは半導体素子４Ｃ等の電子部品と光学素子４Ｄとを配線層５を介して精密かつ最短で電気的に接続されることで全体として低寄生容量化が図られており、また各ハイブリットモジュール１Ａ、１Ｂとの間において光学素子４Ｄと光導波路部材２１とを介して光学信号を高速かつ高容量化をはかった伝送されるようにする。」 イ 引用発明の認定 前記アに摘記した引用文献１の記載事項を総合すると、引用文献１には、第１の実施の形態（図１及び図２）のハイブリット回路装置２に係る次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。認定の根拠となる記載箇所を括弧内に示した。なお、【００６１】における「光導波路部材２１」は「光導波路部材２６」の明らかな誤記であるため、「光導波路部材２６」の記載に修正した。参考図として、引用文献１の【図１】及び【図２】に部材名を記入したものを掲載する。 ＜引用発明＞ 「ハイブリットモジュール１を搭載したハイブリット回路装置２であって、（【００２５】） ハイブリットモジュール１は、複数個の実装部品４Ａ、４Ｄ（実装部品４と総称する。）を埋め込んだシリコン基板３を挟むようにして、第１主面３Ａに配線層５を形成するとともに第２主面３Ｂに放熱プレート６を接合した積層体によって構成されたものであり、(【００２５】) ハイブリット回路装置２は、ベース基板部７がマザーボードやインタポーザ等に実装されるものであり、（【００２６】） ハイブリットモジュール１は、互いに関連動作を行う、第１ＬＳＩ４Ａや第２ＬＳＩ４Ｂ或いは半導体素子４Ｃ等の電子部品と光学素子４Ｄ等の実装部品４をシリコン基板３に実装したものであり、（【００２７】） 光学素子４Ｄは、第１ＬＳＩ４Ａや第２ＬＳＩ４Ｂ或いは半導体素子４Ｃによって制御されて光学信号を出射する例えば半導体レーザや発光ダイオード等の発光素子或いはフォトディテクタ等の受光素子であり、(【００２７】) ハイブリットモジュール１は、実装部品４がシリコン基板３に形成した第１部品装填開口部８Ａ乃至第４部品装填開口部８Ｄ（以下、個別に説明する場合を除いて部品装填開口部８と総称する。）内にそれぞれ装填され、第１封止樹脂層９Ａ乃至第４封止樹脂層９Ｄ（以下、個別に説明する場合を除いて封止樹脂層９と総称する。）に埋め込まれてシリコン基板３と一体化されたものであり、（【００２８】） 実装部品４は、それぞれの第１主面１０Ａ～１０Ｄ（入出力部形成面１０と総称する。）に電気信号を入出力する所定個数の入出力パッド１１Ａ～１１Ｄ（入出力パッド１１と総称する。）を形成して入出力部形成面１０を構成し、(【００２９】) 光学素子４Ｄには、入出力部形成面１０Ｄに、入出力パッド１１Ｄとともに光学信号を出射する出射部或いは光学信号を受光する受光部からなる光学信号入出力部１３が設けられており、(【００３０】) 部品装填開口部８は、シリコン基板３の厚み方向に貫通して第１主面３Ａと第２主面３Ｂとに開口するとともに相対する実装部品４を内部に装填するに足る開口寸法を有するものであり、（【００３３】） ハイブリットモジュール１は、実装部品４を被覆するようにしてシリコン基板３の第１主面３Ａ上に配線層５が積層形成され、(【００３８】) 配線層５には、ベース基板部７への実装面となる表面５Ａの適宜の位置に多数個のバンプ２０が設けられ、(【００３８】) 配線層５は、光学素子４Ｄの光学信号入出力部１３と対向する部位が、光学信号伝送路５Ｂを構成し、(【００４４】) ハイブリットモジュール１がベース基板部７上にフリップチップ実装されることによってハイブリット回路装置２を製造し、(【００４６】) ハイブリットモジュール１は、配線層５の表面５Ａを実装面として、バンプ２０を相対するベース配線基板２５のランドと位置決めされて接合されることによってベース基板部７上に実装されてハイブリット回路装置２を構成し、(【００５３】) ハイブリット回路装置２は、ベース基板部７が、ベース配線基板２５に光導波路部材２６を搭載して構成され、(【００５４】) ベース配線基板２５は、ベース配線層を構成する多層の配線パターンを形成し、(【００５４】) ベース配線基板２５には、ハイブリットモジュール１に対して電源を供給する比較的大きな面積を有する電源パターン或いはグランドパターンが形成され、ハイブリットモジュール１に対してレギュレーションの高い電源供給を行い、(【００５５】) 光導波路部材２６は、ベース基板部７にハイブリットモジュール１Ａ、１Ｂが実装された状態において、両端部がそれぞれの配線層５の光学信号伝送路５Ｂ、換言すれば光学素子４Ｄの光学信号入出力部１３と対向され、(【００５９】) ハイブリット回路装置２は、各ハイブリットモジュール１Ａ、１Ｂとの間において光学素子４Ｄと光導波路部材２６とを介して光学信号を高速かつ高容量化をはかった伝送されるようにし、(【００６１】) ハイブリットモジュール１を搭載したハイブリット回路装置２。」 ＜参考図（【図１】）＞ ［図：0001433692000005.jpg］ ＜参考図（【図２】）＞ ［図：0001433692000006.jpg］ (２) 引用文献３、４の記載事項及び技術常識Ａの認定 ア 引用文献３、４の記載事項 (ア) 引用文献３の記載事項 当審において新たに引用する文献であって、本願明細書の【０００３】において【特許文献２】として引用された文献である本願出願前に発行された国際公開第２０１４／１５６９６２号（以下「引用文献３」という。)には、次の事項が記載されている（なお、引用文献の参照番号を審査と審判において共通のものとするため、「引用文献２」と表記せず、「引用文献３」の表記とした。）。 「技術分野 [0001] 本発明は、インターポーザ、ＡＯＣ（Active Optical Cable）基板等のデータ伝送用のモジュールに組み込まれる信号変換素子として使用されるのに好適な、電気信号を光信号に、光信号を電気信号に変換する光電気混載デバイス及びその製造方法に関する。」 「発明が解決しようとする課題 …（中略）… [0010] また、光電気混載デバイスに関しては、基板上に搭載された電子部品の湿度や水分に対する信頼性を確保するために、例えば、ガラス製のカバーで基板上の電子部品の全体を覆って封止することが考えられる。…(後略)」 「[0054] 図１Ａは、光送受信タイプの光電気混載デバイス１００の透視模式図であり、実際は５×５ｍｍ程度のスケールを有するものである。シリコン基板１０２内には、不図示の光導波路、受光器、光変調器等がシリコンフォトニクス技術を用いて形成されており、シリコン基板１０２上には、光変調の制御やレーザダイオード１１２の制御を行うドライバＩＣや受光信号の増幅等を行うレシーバＩＣを含むＩＣ回路１０４や不図示の電気配線等が設けられており、シリコン基板（光回路基板）１０２、ＩＣ回路１０４、電気配線等により光電気混載基板を形成している。封止構造１０６は、例えば、ガラス材料で作成されており、シリコン基板１０２の光信号の入出力を担う特定部分を除き、シリコン基板１０２を覆っている。また、封止構造１０６は、部材の表裏を貫通する複数の孔を備え、該孔内に導電ピン１０８が嵌合されているとともに、該導電ピン１０８の表面頂部には半田バンプ１１０が形成されている。 ［図：0001433692000007.jpg］ …（中略）… [0060] 図３及び図４は、光電気混載デバイス内部の断面構造を説明するための模式図であり、図３は、光送信部分の断面構造を示すもの、図４は、光受信部分の断面構造を示すものである。 ［図：0001433692000008.jpg］ ［図：0001433692000009.jpg］ [0061] 光送信部分の断面構造を示す図３に基づき、光信号送信の際の作動態様を説明する。半導体レーザ３２６からの出力光は、不図示のスポットサイズ変換器、光導波路３１２を介して光変調器３１４に入力され、光変調器３１４により変調された光信号が出力される。該変調された光信号は、光導波路３１２を介してグレーティングカプラ３１６に到達し、該グレーティングカプラ３１６で回折により光軸が変換されて、光導波路３１８を介して外部に出力される。なお、導電ピン３２０及び電気配線３２２を介して外部より与えられる電気信号は、光変調器３１４及び半導体レーザ３２６を制御するドライバＩＣ３２４に入力され、変調制御信号（電気信号）として、電気配線３２２を介して光変調器３１４に供給されるものである。なお、光導波路３１２、光変調器３１４、グレーティングカプラ３１６等は、シリコン基板３１０内に、シリコンフォトニクスト技術により作成されるものである。 …（中略）… [0115]＜第１実施形態＞ 図２９は、第１実施形態に係る光電気混載デバイス２９１００の断面構成図である。同図において、基板２９１１０の上部には、光硬化性樹脂からなる光導波路コア２９１２０が、基板２９１１０に対して斜めに立設して（基板２９１１０の法線ｎから数度傾いた方向に沿って延在して）形成されている。光導波路コア２９１２０の基板２９１１０側の端部２９１２０２は、基板２９１１０上に形成又は実装された不図示の光素子（光回路等）と光学的に結合される。この光素子としては、光導波路、発光素子、又は受光素子を例示することができる。光導波路コア２９１２０の周囲は、クラッド層２９１３０としての樹脂によって覆われている。光導波路コア２９１２０の上側（基板２９１１０と反対側）の端部２９１２０４は、クラッド層２９１３０上に設置された不図示の光素子（光ファイバ等）と光学的に結合される。 ［図：0001433692000010.jpg］ 」 (イ) 引用文献４の記載事項 当審において新たに引用する文献であって、本願明細書の【０００３】において【特許文献１】として引用された本願出願前に発行された文献である国際公開第２０１５／０１２２１３号（以下「引用文献４」という。）には、次の事項が記載されている。 「技術分野 [0001] 本発明は、光電気混載基板に設けた光送信機または光送受信機の送信部に関し、更に特定すれば、このような光送信機または光送受信機の送信部のうち、半導体レーザの配置および光導波路の配設に特徴を有する光集積回路に関するものである。」 「[0021] 図３に示すように、本実施形態による光送信機用の集積回路２００は、光電気混載基板上に、１以上のチャンネルでレーザ光を出射する単チャンネルまたは多チャンネル型の半導体レーザ１０、チャンネルごとにスポットサイズ変換器２０を介して半導体レーザ１０から光学的に結合され、レーザ光を主に横方向に伝搬する光導波路３０、光導波路３０にそれぞれ結合され、レーザ光を２以上の入力光に分岐する光カプラ４ａを備える光分岐部４０ａ、各光分岐部に設けられた２以上の光出力端子にそれぞれ結合され入力光を変調して光信号を生成する光変調器６、光変調器６にそれぞれ結合され光変調器から伝搬される光信号を外部に出力する光信号出力部８０ａを備える。 …（中略）… [0032] 図６は、本発明の実施形態による光送信機用の光集積回路の断面図を示す。図６を用いて光信号送信の際の作動態様を説明する。光出力部側に設けた半導体レーザ１０からのレーザ光は、スポットサイズ変換器２０、光導波路３０、導電ピン９ａ側に設けた光分岐部４０ａ等を介して光変調器６に入力され（（ｉ）～（ｉｉｉ））、光変調器６で変調された光信号を出力する（ｉｖ）。変調された光信号は、光導波路を介してグレーティング・カプラ８ｂに到達し、このグレーティング・カプラ８ｂで回折により光軸が変換されて、光ピン８ａを介して外部に出力される（ｖ）。なお、導電ピン９ａを通じて外部より入力される電気信号は、光変調器６及び半導体レーザ１０を制御するドライバＩＣ５０に入力され（（Ｉ）～（ＩＩ））、変調制御信号（電気信号）として、電気配線を介して光変調器６に供給される（ＩＩＩ）。 ［図：0001433692000011.jpg］ 」 イ 技術常識Ａの認定 前記アに摘記した引用文献３、４の記載事項に例示されるとおり、次の技術事項は、本願出願前における技術常識（以下「技術常識Ａ」という。）であると認められる。 ＜技術常識Ａ＞ 「光電気混載デバイスにおいて、基板の一方の面上にドライバＩＣ及びドライバＩＣにより駆動されるレーザを搭載又は実装すること。」 ４ 対比 (１) 対比分析 以下、本願発明の構成ごとに、本願発明と引用発明を対比する。 ア 構成Ａの観点（光電気混載デバイス） (ア) 構成Ａは、「基板の一方の面上に電子回路および前記電子回路によって駆動される光回路が搭載された光電気混載デバイス」を備えることである。 (イ) 引用発明における「互いに関連動作を行う、第１ＬＳＩ４Ａや第２ＬＳＩ４Ｂ或いは半導体素子４Ｃ等の電子部品」（【００２７】）は、本願発明における「電子回路」に相当する。 (ウ) 本願明細書の【００３３】には「(前略)…光電気混載デバイス１００内の電子回路・光回路（例えばドライバＩＣ１０８および半導体レーザ１０３）…(後略)」との記載があり、本願発明における「光回路」には、半導体レーザが包摂されることが理解される。 この点を踏まえると、引用発明においては「光学素子４Ｄは、第１ＬＳＩ４Ａや第２ＬＳＩ４Ｂ或いは半導体素子４Ｃによって制御されて光学信号を出射する例えば半導体レーザ」（【００２７】）であることから、引用発明における「光学素子４Ｄ」は、本願発明における「前記電子回路によって駆動される光回路」に相当する。 (エ)ａ 引用発明における「ハイブリットモジュール１」の「シリコン基板３」は、「互いに関連動作を行う、第１ＬＳＩ４Ａや第２ＬＳＩ４Ｂ或いは半導体素子４Ｃ等の電子部品と光学素子４Ｄ等の実装部品４をシリコン基板３に実装したものであ［る］」（【００２７】）ことから、前記（イ）及び(ウ)を踏まえると、本願発明における「電子回路および前記電子回路によって駆動される光回路が搭載された」「基板」に相当する。 ｂ その一方で、「電子回路および前記電子回路によって駆動される光回路」を「基板」に「搭載」する態様が、本願発明においては、「基板の一方の面上に」搭載するのに対して、引用発明においては、「実装部品４がシリコン基板３に形成した部品装填開口部８内にそれぞれ装填され、封止樹脂層９に埋め込まれてシリコン基板３と一体化されたものであり」、「部品装填開口部８は、シリコン基板３の厚み方向に貫通して第１主面３Ａ（「基板の一方の面」に相当する。）と第２主面３Ｂとに開口するとともに相対する実装部品４を内部に装填するに足る開口寸法を有するものであ［る］」点において相違する。 (オ) (イ)～(エ)の検討結果を踏まえると、引用発明における「ハイブリットモジュール１」は、本願発明における「光電気混載デバイス」に相当する。 (カ) 以上の検討結果をまとめると、構成Ａの観点における本願発明の引用発明との一致点及び相違点は、それぞれ次のａ及びｂに示すとおりである。 ａ 構成Ａの観点における一致点 「基板に電子回路および前記電子回路によって駆動される光回路が搭載された光電気混載デバイス」を備える点。 ｂ 構成Ａの観点における相違点 「電子回路および前記電子回路によって駆動される光回路」を「基板」に搭載する態様が、 本願発明においては、「基板の一方の面上に」搭載するのに対して、 引用発明においては、「実装部品４がシリコン基板３に形成した部品装填開口部８内にそれぞれ装填され、封止樹脂層９に埋め込まれてシリコン基板３と一体化されたものであり」、「部品装填開口部８は、シリコン基板３の厚み方向に貫通して第１主面３Ａ（「基板の一方の面」に相当する。）と第２主面３Ｂとに開口するとともに相対する実装部品４を内部に装填するに足る開口寸法を有するものであ［る］」点。 イ 構成Ａ１の観点（第１面と第２面） (ア) 構成Ａ１は、「光電気混載デバイス」が「前記基板の前記一方の面と同じ側の第１面および前記第１面と反対側の第２面を有［する］」ことである。 (イ) 引用発明においては、「ハイブリットモジュール１は、複数個の実装部品４Ａ、４Ｄ（実装部品４と総称する。）を埋め込んだシリコン基板３を挟むようにして、第１主面３Ａに配線層５を形成するとともに第２主面３Ｂに放熱プレート６を接合した積層体によって構成されたものであ［る］。」(【００２５】) そして、引用発明においては、「ハイブリットモジュール１は、配線層５の表面５Ａを実装面として、バンプ２０を相対するベース配線基板２５のランドと位置決めされて接合されることによってベース基板部７上に実装されてハイブリット回路装置２を構成［する］。」(【００５３】) (ウ) 引用発明における「第１主面３Ａ」が本願発明における「基板の一方の面」に相当することを踏まえると（前記ア(カ)ｂ参照）、引用発明における「配線層５」の「ベース基板部７への実装面となる表面５Ａ」は、本願発明における「第１の面」に相当する。 そして、引用発明における「ハイブリットモジュール１」の「放熱プレート６を接合した」「第２主面３Ｂ」は、本願発明における「第２面」に相当する。 (エ) 前記(イ)及び(ウ)の検討結果をまとめると、本願発明は、引用発明と、構成Ａ１の観点である次の点において一致する。 「光電気混載デバイス」が「前記基板の前記一方の面と同じ側の第１面および前記第１面と反対側の第２面を有［する］」点。 ウ 構成Ａ２の観点（電気入出力部と光入出力部） (ア) 構成Ａ２は、「光電気混載デバイス」は「前記第１面に前記電子回路との電気入出力部および前記光回路との光入出力部が配置され［る］」ことである。 (イ) 引用発明においては、「ハイブリットモジュール１は、配線層５の表面５Ａを実装面として、バンプ２０を相対するベース配線基板２５のランドと位置決めされて接合されることによってベース基板部７上に実装されてハイブリット回路装置２を構成［する］」（【００５３】）ものであり、引用発明における「配線層５」の「ベース基板部７への実装面となる表面５Ａ」は、本願発明における「第１の面」に相当すること（前記イ(ウ)参照）を踏まえると、引用発明における「ハイブリットモジュール装置１」（「光電気混載デバイス」に相当する。）における「配線層５の表面５Ａ」に「設けられ」た「バンプ２０」は、「前記第１面に」「配置され［た］」「前記電子回路との電気入出力部」に相当する。 (ウ)ａ 引用発明においては、「光学素子４Ｄには、入出力部形成面１０Ｄに」「光学信号を出射する出射部或いは光学信号を受光する受光部からなる光学信号入出力部１３が設けられ」、「配線層５は、光学素子４Ｄの光学信号入出力部１３と対向する部位が、光学信号伝送路５Ｂを構成[する]」。 ｂ また、引用発明において、「ハイブリット回路装置２」の「ベース基板部７には、光導波路部材２６が設けられ」「光導波路部材２６は、ベース基板部７にハイブリットモジュール１Ａ、１Ｂが実装された状態において」「光学素子４Ｄの光学信号入出力部１３と対向され［る］」。 ｃ そうすると、引用発明における「ハイブリットモジュール装置１」（「光電気混載デバイス」に相当する。）が、本願発明における「第１面に」「配置され［た］」「前記光回路との光入出力部」に相当する構成を備えることは、明らかである。 (エ) 以上の検討結果をまとめると、本願発明は、引用発明と、構成Ａ２の観点である次の点において一致する。 「光電気混載デバイス」は「前記第１面に前記電子回路との電気入出力部および前記光回路との光入出力部が配置され［る］」点。 エ 構成Ａ３の観点（第２面） (ア) 構成Ａ３は、「光電気混載デバイス」において「前記基板の前記一方の面と反対側の他方の面が前記第２面をなす」ことである。 (イ) 前記イで検討したとおり、引用発明における「第１主面３Ａ」が本願発明における「基板の一方の面」に相当し、これと反対側の、引用発明における「ハイブリットモジュール１」の「放熱プレート６を接合した」「第２主面３Ｂ」は、本願発明における「第２面」に相当する。 (ウ) そうすると、本願発明は、引用発明と、構成Ａ３の観点である次の点において一致する。 「光電気混載デバイス」において、「前記基板の前記一方の面と反対側の他方の面が前記第２面をなす」点。 オ 構成Ｂの観点（インターフェイス基板） (ア) 構成Ｂは、「前記光電気混載デバイスの前記第１面側に配置されたインターフェイス基板」を備えることである。 (イ)ａ 引用発明においては、「ハイブリットモジュール１を搭載したハイブリット回路装置２であって、」（【００２５】）「ハイブリット回路装置２は、ベース基板部７がマザーボードやインタポーザ等に実装されるものであ［る］」（【００２６】）ことから、引用発明における「ベース基板部７」は、本願発明でいうところの「インターフェイス基板」であるといえる。 ｂ そして、引用発明においては、「ハイブリットモジュール１がベース基板部７上にフリップチップ実装されることによってハイブリット回路装置２を製造［する］」ものであり、「ハイブリットモジュール１」（「光電気混載デバイス」に相当する。）の「配線層５」の「表面５Ａ」（「第１面」に相当する。）は、「ベース基板部７への実装面となる」のであるから、引用発明における「ベース基板部７」は、本願発明の「前記光電気混載デバイスの前記第１面側に配置されたインターフェイス基板」に相当する。 (ウ) したがって、本願発明は、引用発明と、構成Ｂの観点である次の点において一致する。 「前記光電気混載デバイスの前記第１面側に配置されたインターフェイス基板」を備える点。 カ 構成Ｂ１の観点（電気配線） (ア) 構成Ｂ１は、「インターフェイス基板」が「前記電気入出力部に結合された電気配線」を備えることである。 (イ)ａ 引用発明における「ベース基板部７」の「ベース配線基板２５」は、「ベース配線層を構成する多層の配線パターンを形成し」(【００５４】)、「ハイブリットモジュール１は、配線層５の表面５Ａを実装面として、バンプ２０を相対するベース配線基板２５のランドと位置決めされて接合されることによってベース基板部７上に実装されてハイブリット回路装置２を構成［する］」(【００５３】)のであるから、引用発明の「ベース配線基板２５」に「形成」された「配線パターン」は、「ベース配線基板２５のランド」を介して、「ハイブリットモジュール１」の「バンプ２０」に電気的に接続されることは明らかである。 ｂ そうすると、引用発明の「ベース配線基板２５」に「形成」された「配線パターン」は、本願発明の「インターフェイス基板」の備える「前記電気入出力部に結合された電気配線」に相当する。 (ウ) したがって、本願発明は引用発明と、構成Ｂ１の観点である次の点において一致する。 「インターフェイス基板」が「前記電気入出力部に結合された電気配線」を備える点。 キ 構成Ｂ２の観点（インターフェイス基板） (ア) 構成Ｂ２は、「インターフェイス基板」が「前記光入出力部に結合された光配線」を備えることである。 (イ) 引用発明において「ベース基板部７」は「ベース配線基板２５に光導波路部材２６を搭載して構成され」（【００５４】）、「光導波路部材２６は、ベース基板部７にハイブリットモジュール１Ａ、１Ｂが実装された状態において」「端部が」「光学素子４Ｄの光学信号入出力部１３と対向され［る］」(【００５９】)ことから、前記ウ(ウ)の検討結果も踏まえると、引用発明における「光導波路部材２６」は、本願発明における「前記光入出力部に結合された光配線」に相当する。 (ウ) したがって、本願発明は、引用発明と、構成Ｂ２の観点である次の点において一致する。 「インターフェイス基板」が「前光入出力部に結合された光配線」を備える点。 ク 構成Ｂ３の観点（インターフェイス基板） (ア) 構成Ｂ３は、「インターフェイス基板」が「電気配線に接続されるとともに外部の電気配線に接続可能な電気インターフェイス」を備えることである。 (イ) 引用発明において、「ベース基板部７」の「ベース配線基板２５は、ベース配線層を構成する多層の配線パターンを形成し、ベース配線基板２５には、ハイブリットモジュール１に対して電源を供給する比較的大きな面積を有する電源パターン或いはグランドパターンが形成され、ハイブリットモジュール１に対してレギュレーションの高い電源供給を行［う］」（【００５５】）ものであり、「配線パターン」が、電源供給を行うために外部の電気配線に接続されること、及び、接続のために電気的なインターフェイスを備えることは、明らかである。 (ウ) したがって、本願発明は、引用発明と、構成Ｂ３の観点である次の点において一致する。 「インターフェイス基板」が「電気配線に接続されるとともに外部の電気配線に接続可能な電気インターフェイス」を備える点。 ケ 構成Ｂ４の観点（インターフェイス基板） (ア) 構成Ｂ４は、「インターフェイス基板」が「前記光配線に接続されるとともに外部の光配線に接続可能な光インターフェイス」を備えることである。 (イ)ａ 引用発明の「ハイブリット回路装置２」は、「各ハイブリットモジュール１Ａ、１Ｂとの間において光学素子４Ｄと光導波路部材２６とを介して光学信号を高速かつ高容量化をはかった伝送されるように［する］」（【００６１】）ものである。 ｂ そうすると、一方のハイブリットモジュールから発した光学信号は、ベース基板部７の光導波路部材２６を介して、外部の素子に伝送されるものといえる。 ｃ そして、外部の素子への伝送のために、「外部の光配線に接続可能な光インターフェイス」を備えることは明らかである。 (ウ) したがって、本願発明は、引用発明と、構成Ｂ４の観点である次の点において一致する。 「インターフェイス基板」が「前記光配線に接続されるとともに外部の光配線に接続可能な光インターフェイス」を備える点。 コ 構成Ｃの観点（放熱部材） (ア) 構成Ｃは、「前記光電気混載デバイスの前記第２面に接して配置された放熱部材」を備えることである。 (イ) 引用発明における「ハイブリットモジュール１」（「光電気混載デバイス」に相当する。）の「第２主面３Ｂ」（「第２面」に相当する。（前記イ(ウ)参照））に「接合［されれた］」「放熱プレート６」は、本願発明における「前記光電気混載デバイスの前記第２面に接して配置された放熱部材」に相当する。 (ウ) したがって、本願発明は、引用発明と、構成Ｃの観点である次の点において一致する。 「前記光電気混載デバイスの前記第２面に接して配置された放熱部材」を備える点。 サ 構成Ｘの観点（光電気モジュール） (ア) 構成Ｘは、「光電気モジュール」に係る発明であることを特定するものである。 (イ) 引用発明の「ハイブリット回路装置２」は、次のａ及びｂを備えることから、本願発明にいうところの「光電気モジュール」であるといえる。 ａ 「基板」に「電子回路および前記電子回路によって駆動される光回路」が搭載された「光電気混載デバイス」に相当する「ハイブリットモジュール１」（前記ア参照） ｂ 「前記光電気混載デバイスの第１面側に配置されたインターフェイス基板」に相当する「ベース基板部７」（前記オ参照） (ウ) したがって、本願発明と引用発明は、「光電気モジュール」の発明である点において一致する。 (２) 一致点及び相違点 前記(１)ア～サの対比分析の結果をまとめると、本願発明の引用発明との一致点及び相違点は、それぞれ次のア及びイに示すとおりである。 ア 一致点 「基板に電子回路および前記電子回路によって駆動される光回路が搭載された光電気混載デバイスであって、前記基板の前記一方の面と同じ側の第１面および前記第１面と反対側の第２面を有し、前記第１面に前記電子回路との電気入出力部および前記光回路との光入出力部が配置され、前記基板の前記一方の面と反対側の他方の面が前記第２面をなす、光電気混載デバイスと、 前記光電気混載デバイスの前記第１面側に配置されたインターフェイス基板であって、前記電気入出力部に結合された電気配線と、前記光入出力部に結合された光配線と、前記電気配線に接続されるとともに外部の電気配線に接続可能な電気インターフェイスと、前記光配線に接続されるとともに外部の光配線に接続可能な光インターフェイスと、を備えるインターフェイス基板と、 前記光電気混載デバイスの前記第２面に接して配置された放熱部材と、を備える 光電気モジュール」の発明である点。 イ 相違点 「電子回路および前記電子回路によって駆動される光回路」を「基板」に搭載する態様が、 本願発明においては、「基板の一方の面上に」搭載するのに対して、 引用発明においては、「実装部品４がシリコン基板３に形成した部品装填開口部８内にそれぞれ装填され、封止樹脂層９に埋め込まれてシリコン基板３と一体化されたものであり」、「部品装填開口部８は、シリコン基板３の厚み方向に貫通して第１主面３Ａ（「基板の一方の面」に相当する。）と第２主面３Ｂとに開口するとともに相対する実装部品４を内部に装填するに足る開口寸法を有するものであ［る］」点。 ５ 判断 (１) 本願発明の想到容易性について 前記３(２)イにおいて技術常識Ａとして認定したとおり、「光電気混載デバイスにおいて、基板の一方の面上にドライバＩＣ及びドライバＩＣにより駆動されるレーザを搭載又は実装すること」は、技術常識であって、光電気混載デバイスにおける電子回路又は光素子の実装態様としてよく知られた選択肢である。 そうすると、引用発明の「ハイブリット回路装置２」に搭載された「ハイブリットモジュール１」における、電子回路および前記電子回路によって駆動される光回路を基板に搭載する態様として、「実装部品４がシリコン基板３に形成した部品装填開口部８内にそれぞれ装填され、封止樹脂層９に埋め込まれてシリコン基板３と一体化されたものであり」、「部品装填開口部８は、シリコン基板３の厚み方向に貫通して第１主面３Ａ（「基板の一方の面」に相当する。）と第２主面３Ｂとに開口するとともに相対する実装部品４を内部に装填するに足る開口寸法を有するものであ［る］」という実装態様に代えて、技術常識Ａを採用して、前記相違点に係る本願発明の構成を備えるようにすることは、当業者には自明の設計変更にすぎない。 そして、本願発明の効果としては、本願発明の構成が奏するものとして、当業者が予測することが困難な効果であって、かつ、格別顕著な効果を認めることはできない。 したがって、本願発明は、引用発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 (２) 請求人の主張について 請求人は、審判請求書において、引用文献１には、基板の一方の面に電子回路および光回路が実装され他方の面に放熱部材が接している構成は、開示も示唆もされていない旨主張している。 しかしながら、基板の一方の面に電子回路及び光回路が実装された光電気混載デバイスは、前記３(２)イにおいて技術常識Ａとして認定したとおり本願出願時における技術常識である。そして、かかる技術常識を引用発明の「ハイブリット回路装置２」に搭載された「ハイブリットモジュール１」における電子回路又は光素子の実装態様に適用して前記相違点に係る本願発明の構成を備えるようにすることが当業者には自明の設計変更であることは、前記(１)において検討したとおりであるから、請求人の主張は前記(１)の結論を左右するものではない。 第４ むすび 以上検討のとおり、本願発明は、特許法２９条２項の規定により、特許を受けることができない。 したがって、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。 よって、結論のとおり審決する。