2023-700668

特許第７１９７５０６号発明「シリコンドリフト型放射線検出器及び放射線検出装置」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第７１９７５０６号「シリコンドリフト型放射線検出器及び放射線検出装置」の明細書及び特許請求の範囲を、訂正請求書に添付された訂正明細書及び訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項［１～６］、［７～１４］、１５、１６、１７、１８、１９について訂正することを認める。 特許第７１９７５０６号の請求項７～１１、１３～１９に係る特許を維持する。 特許第７１９７５０６号の請求項１～６に係る特許についての特許異議の申立てを却下する。

理 由 第１ 手続の経緯 特許第７１９７５０６号（以下「本件特許」という。）の請求項１～１４に係る特許についての出願は、２０１８年（平成３０年）１２月１４日（優先権主張 ２０１７年（平成２９年）１２月１５日、以下「優先日」という。）を国際出願日とする出願であって、令和４年１２月１９日にその特許権の設定登録がされ、令和４年１２月２７日に特許掲載公報が発行された。 本件特許異議の申立ての経緯は、次のとおりである。 令和 ５年 ６月２７日（受付日）：特許異議申立人伊東沙織（以下「申立人」という。）による請求項１～１１、１３～１４に係る特許に対する特許異議の申立て 同年 ９月２２日付け ：取消理由通知書 同年１１月２７日（受付日）：特許権者による意見書及び訂正請求書（以下、この訂正請求書を「本件訂正請求書」といい、本件訂正請求書による訂正を「本件訂正」という。）の提出 なお、当合議体は、申立人に対し、本件訂正に係る請求について、相当の期間を指定して意見書を提出する機会を与えたが、その期間内に申立人からは何らの応答もなかった。 第２ 本件訂正の適否 １ 本件訂正の内容 本件訂正の内容は、次のとおりである。下線は訂正箇所を示す。 （１）訂正事項１（請求項１） 請求項１を削除する。 （２）訂正事項２（請求項２） 請求項２を削除する。 （３）訂正事項３（請求項３） 請求項３を削除する。 （４）訂正事項４（請求項４） 請求項４を削除する。 （５）訂正事項５（請求項５） 請求項５を削除する。 （６）訂正事項６（請求項６） 請求項６を削除する。 （７－１）訂正事項７－１（請求項７） 訂正前の請求項７に、 「ハウジングと、 該ハウジングの内側に配置された請求項１乃至６のいずれか一つに記載のシリコンドリフト型放射線検出素子とを備え、 前記ハウジングは、塞がれていない開口部を有し、 前記シリコンドリフト型放射線検出素子は、前記開口部に対向する表面を有し、 該表面の上に遮光膜が設けられていること を特徴とするシリコンドリフト型放射線検出器。」 と記載されているうち、請求項１を引用するものについて、 「ハウジングと、 該ハウジングの内側に配置されたシリコンドリフト型放射線検出素子とを備え、 前記ハウジングは、塞がれていない開口部を有し、 前記シリコンドリフト型放射線検出素子は、前記開口部に対向しており放射線が入射する表面を有し、 該表面上に直接又は他の膜を介して遮光膜が設けられており、 前記表面は前記開口部よりも大きく、 前記ハウジングは、前記開口部の縁を含み、前記表面の一部に重なった重なり部分を有し、 前記重なり部分は、前記表面に接着部材を介して接着されていること を特徴とするシリコンドリフト型放射線検出器。」と訂正する（請求項７を直接的又は間接的に引用する請求項９～１４も同様に訂正する。）。 （７－２）訂正事項７－２（請求項１５） 訂正前の請求項７に、 「ハウジングと、 該ハウジングの内側に配置された請求項１乃至６のいずれか一つに記載のシリコンドリフト型放射線検出素子とを備え、 前記ハウジングは、塞がれていない開口部を有し、 前記シリコンドリフト型放射線検出素子は、前記開口部に対向する表面を有し、 該表面の上に遮光膜が設けられていること を特徴とするシリコンドリフト型放射線検出器。」 と記載されているうち、請求項２を引用するものについて、 「ハウジングと、 該ハウジングの内側に配置されたシリコンドリフト型放射線検出素子とを備え、 前記ハウジングは、塞がれていない開口部を有し、 前記シリコンドリフト型放射線検出素子は、前記開口部に対向しており放射線が入射する表面を有し、 該表面上に直接又は他の膜を介して遮光膜が設けられており、 前記遮光膜は、前記表面に入射する光の量を０．１％未満に減少させ、 前記表面は前記開口部よりも大きく、 前記ハウジングは、前記開口部の縁を含み、前記表面の一部に重なった重なり部分を有し、 前記重なり部分は、前記表面に接着部材を介して接着されていること を特徴とするシリコンドリフト型放射線検出器。」と記載し、新たに請求項１５とする。 （７－３）訂正事項７－３（請求項１６） 訂正前の請求項７に、 「ハウジングと、 該ハウジングの内側に配置された請求項１乃至６のいずれか一つに記載のシリコンドリフト型放射線検出素子とを備え、 前記ハウジングは、塞がれていない開口部を有し、 前記シリコンドリフト型放射線検出素子は、前記開口部に対向する表面を有し、 該表面の上に遮光膜が設けられていること を特徴とするシリコンドリフト型放射線検出器。」 と記載されているうち、請求項３を引用するものについて、 「ハウジングと、 該ハウジングの内側に配置されたシリコンドリフト型放射線検出素子とを備え、 前記ハウジングは、塞がれていない開口部を有し、 前記シリコンドリフト型放射線検出素子は、前記開口部に対向しており放射線が入射する表面を有し、 該表面上に直接又は他の膜を介して遮光膜が設けられており、 前記遮光膜は、厚さ５０ｎｍ超５００ｎｍ未満の金属膜であり、 前記表面は前記開口部よりも大きく、 前記ハウジングは、前記開口部の縁を含み、前記表面の一部に重なった重なり部分を有し、 前記重なり部分は、前記表面に接着部材を介して接着されていること を特徴とするシリコンドリフト型放射線検出器。」と記載し、新たに請求項１６とする。 （７－４）訂正事項７－４（請求項１７） 訂正前の請求項７に、 「ハウジングと、 該ハウジングの内側に配置された請求項１乃至６のいずれか一つに記載のシリコンドリフト型放射線検出素子とを備え、 前記ハウジングは、塞がれていない開口部を有し、 前記シリコンドリフト型放射線検出素子は、前記開口部に対向する表面を有し、 該表面の上に遮光膜が設けられていること を特徴とするシリコンドリフト型放射線検出器。」 と記載されているうち、請求項４を引用するものについて、 「ハウジングと、 該ハウジングの内側に配置されたシリコンドリフト型放射線検出素子とを備え、 前記ハウジングは、塞がれていない開口部を有し、 前記シリコンドリフト型放射線検出素子は、前記開口部に対向しており放射線が入射する表面を有し、 該表面上に直接又は他の膜を介して遮光膜が設けられており、 前記遮光膜は、カーボン膜であり、 前記表面は前記開口部よりも大きく、 前記ハウジングは、前記開口部の縁を含み、前記表面の一部に重なった重なり部分を有し、 前記重なり部分は、前記表面に接着部材を介して接着されていること を特徴とするシリコンドリフト型放射線検出器。」と記載し、新たに請求項１７とする。 （７－５）訂正事項７－５（請求項１８） 訂正前の請求項７に、 「ハウジングと、 該ハウジングの内側に配置された請求項１乃至６のいずれか一つに記載のシリコンドリフト型放射線検出素子とを備え、 前記ハウジングは、塞がれていない開口部を有し、 前記シリコンドリフト型放射線検出素子は、前記開口部に対向する表面を有し、 該表面の上に遮光膜が設けられていること を特徴とするシリコンドリフト型放射線検出器。」 と記載されているうち、請求項５を引用するものについて、 「ハウジングと、 該ハウジングの内側に配置されたシリコンドリフト型放射線検出素子とを備え、 前記ハウジングは、塞がれていない開口部を有し、 前記シリコンドリフト型放射線検出素子は、前記開口部に対向しており放射線が入射する表面を有し、 該表面上に直接又は他の膜を介して遮光膜が設けられており、 前記表面とは逆側にある裏面に設けられ、放射線の入射によって発生する電荷が流入し、前記電荷に応じた信号を出力する信号出力電極と、 前記表面に設けられており、電圧を印加される第１電極と、 前記裏面に設けられ、前記信号出力電極を囲んでおり、前記信号出力電極からの距離が互いに異なる複数の第２電極とを更に備え、 前記表面は前記開口部よりも大きく、 前記ハウジングは、前記開口部の縁を含み、前記表面の一部に重なった重なり部分を有し、 前記重なり部分は、前記表面に接着部材を介して接着されており、 前記第２電極は、前記裏面に沿った一の方向の長さが前記裏面に沿った他の方向の長さよりも長い形状を有し、 前記信号出力電極は、前記一の方向に沿って並んでおり互いに接続された複数の電極からなること を特徴とするシリコンドリフト型放射線検出器。」と記載し、新たに請求項１８とする。 （７－６）訂正事項７－６（請求項１９） 訂正前の請求項７に、 「ハウジングと、 該ハウジングの内側に配置された請求項１乃至６のいずれか一つに記載のシリコンドリフト型放射線検出素子とを備え、 前記ハウジングは、塞がれていない開口部を有し、 前記シリコンドリフト型放射線検出素子は、前記開口部に対向する表面を有し、 該表面の上に遮光膜が設けられていること を特徴とするシリコンドリフト型放射線検出器。」 と記載されているうち、請求項６を引用するものについて、 「ハウジングと、 該ハウジングの内側に配置されたシリコンドリフト型放射線検出素子とを備え、 前記ハウジングは、塞がれていない開口部を有し、 前記シリコンドリフト型放射線検出素子は、前記開口部に対向しており放射線が入射する表面を有し、 該表面上に直接又は他の膜を介して遮光膜が設けられており、 前記表面とは逆側にある裏面に設けられ、放射線の入射によって発生する電荷が流入し、前記電荷に応じた信号を出力する信号出力電極と、 前記表面に設けられており、電圧を印加される第１電極と、 前記裏面に設けられ、前記信号出力電極を囲んでおり、前記信号出力電極からの距離が互いに異なる複数の第２電極とを更に備え、 前記表面は前記開口部よりも大きく、 前記ハウジングは、前記開口部の縁を含み、前記表面の一部に重なった重なり部分を有し、 前記重なり部分は、前記表面に接着部材を介して接着されており、 前記第２電極は、前記裏面に沿った一の方向の長さが前記裏面に沿った他の方向の長さよりも長い形状を有し、 前記信号出力電極は、前記裏面に設けられており前記一の方向に沿って延伸した導電線を含んでいること を特徴とするシリコンドリフト型放射線検出器。」と記載し、新たに請求項１９とする。 （８）訂正事項８（請求項８） 訂正前の請求項８に、 「ハウジングと、 該ハウジングの内側に配置されたシリコンドリフト型放射線検出素子とを備え、 前記ハウジングは、塞がれていない開口部を有し、 前記シリコンドリフト型放射線検出素子は、前記開口部に対向しており放射線が入射する表面を有し、 該表面の上に遮光膜が設けられていること を特徴とするシリコンドリフト型放射線検出器。」 と記載されているのを、 「ハウジングと、 該ハウジングの内側に配置されたシリコンドリフト型放射線検出素子とを備え、 前記ハウジングは、塞がれていない開口部を有し、 前記シリコンドリフト型放射線検出素子は、前記開口部に対向しており放射線が入射する表面を有し、 該表面の上に遮光膜が設けられており、 前記表面は前記開口部よりも大きく、 前記ハウジングは、前記開口部の縁を含み、前記表面の一部に重なった重なり部分を有し、 前記重なり部分は、前記表面に接着部材を介して接着されていること を特徴とするシリコンドリフト型放射線検出器。」と訂正する（請求項８を直接的又は間接的に引用する請求項９～１４も同様に訂正する。）。 （９）訂正事項９（発明の名称） 訂正前の明細書の発明の名称に、 「シリコンドリフト型放射線検出素子、シリコンドリフト型放射線検出器及び放射線検出装置」 と記載されているのを、 「シリコンドリフト型放射線検出器及び放射線検出装置」と訂正する。 （１０）訂正事項１０（【０００１】） 訂正前の明細書の【０００１】に、 「本発明は、シリコンドリフト型放射線検出素子、シリコンドリフト型放射線検出器及び放射線検出装置に関する。」 と記載されているのを、 「本発明は、シリコンドリフト型放射線検出器及び放射線検出装置に関する。」と訂正する。 （１１）訂正事項１１（【０００７】） 訂正前の明細書の【０００７】に 「本発明は、斯かる事情に鑑みてなされたものであって、その目的とするところは、放射線の検出効率及び低エネルギーの放射線の検出感度を向上させたシリコンドリフト型放射線検出素子、シリコンドリフト型放射線検出器及び放射線検出装置を提供することにある。」 と記載されているのを、 「本発明は、斯かる事情に鑑みてなされたものであって、その目的とするところは、放射線の検出効率及び低エネルギーの放射線の検出感度を向上させたシリコンドリフト型放射線検出器及び放射線検出装置を提供することにある。」と訂正する。 （１２）訂正事項１２（【０００８】～【００１９】） 訂正前の明細書の【０００８】～【００１９】を削除する。 （１３）一群の請求項及び別の訂正単位としての求めについて 本件訂正は、一群の請求項である訂正後の請求項１～１９について請求されたものである。また、明細書に係る訂正は、一群の請求項である訂正後の請求項１～１９について請求されたものである。 そして、特許権者は、訂正後の請求項７～１４並びに訂正後の請求項１５、１６、１７、１８及び１９について、当該各請求項に係る訂正が認められる場合には、一群の請求項の他の訂正後の請求項とは別の訂正単位として扱われることを求めている。 ２ 訂正の目的の適否、新規事項の有無、特許請求の範囲の拡張・変更の存否、独立特許要件の有無 （１）訂正事項１～６ ア 訂正の目的の適否 訂正事項１～６は、それぞれ、訂正前の請求項１～６を削除するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。 イ 新規事項の有無 訂正事項１～６は、前記アのとおりのものであるから、新規事項を追加するものではない。 ウ 特許請求の範囲の拡張・変更の存否 上記ア及びイに照らせば、訂正事項１～６は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 エ 独立特許要件の有無 訂正事項１～６に係る訂正後の請求項１～６は、特許異議の申立てがされている請求項であるから、当該訂正事項に対しては、いわゆる独立特許要件は課されない。 オ 小括 よって、訂正事項１～６は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる事項を目的とし、同法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合するものであり、同法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する同法第１２６条第７項に規定する要件は課されない。 （２－１）訂正事項７－１ ア 訂正の目的の適否 訂正事項７－１は以下の内容からなる。 （ｉ）訂正前の請求項７は請求項１～６のいずれかの記載を引用していたところ、そのうち請求項１の記載を引用するものに限定する訂正。 （ｉｉ）上記（ｉ）に加えて、請求項間の引用関係を解消して、独立形式請求項である訂正後の請求項７とする訂正。 （ｉｉｉ）上記（ｉ）に伴い、「前記シリコンドリフト型放射線検出素子」が、「前記開口部に対向する表面を有し、該表面の上に遮光膜が設けられている」ことと、「放射線が入射する表面上に直接に又は他の膜を介して遮光膜が設けられている」ことの双方が特定されたことになることから、冗長な記載を整理して、「前記開口部に対向しており放射線が入射する表面を有し、該表面上に直接又は他の膜を介して遮光膜が設けられて」いることにする訂正。 （ｉｖ）訂正前の請求項７に特定されていた「ハウジング」、「（ハウジングの）開口部」及び「（シリコンドリフト型放射線検出素子の）表面」の関係について、「前記表面は前記開口部よりも大きく、前記ハウジングは、前記開口部の縁を含み、前記表面の一部に重なった重なり部分を有し、前記重なり部分は、前記表面に接着部材を介して接着されていること」を限定する訂正。 上記（ｉ）及び（ｉｖ）の訂正は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。 上記（ｉｉ）の訂正は、請求項間の引用関係の解消を目的とするものである。 上記（ｉｉｉ）の訂正は、明瞭でない記載の釈明を目的とするものである。 イ 新規事項の有無 （ア）上記（ｉ）～（ｉｉｉ）の訂正について 上記（ｉ）～（ｉｉｉ）の訂正によって、新たな技術的事項が導入されることはない。 （イ）上記（ｉｖ）の訂正について 上記（ｉｖ）の訂正に係る事項は、本件特許の設定登録時の明細書、特許請求の範囲又は図面（以下「本件明細書等」という。）の「表面１１１は、開口部１３１よりも大きい。カバー１３の一部分は、放射線検出素子１１の表面１１１に対向する視点から表面１１１に直交する方向に見た場合、表面１１１の一部に重なっている。カバー１３の中で表面１１１の一部に重なっている部分を重なり部分１３２とする。重なり部分１３２は、開口部１３１の縁を含んでいる。重なり部分１３２は、放射線検出素子１１の表面１１１に、接着部材１６２を介して接着されている。」（【００４５】）、及び図３（下図参照）の記載に照らして、新規事項を追加するものではない。 ［図：0001411316000001.jpg］ ウ 特許請求の範囲の拡張・変更の存否 上記ア及びイに照らせば、訂正事項７－１は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 エ 独立特許要件の有無 訂正事項７－１に係る訂正後の請求項７及びそれを直接的又は間接的に引用する訂正後の請求項９～１４のうち、訂正後の請求項１２以外の請求項は、特許異議の申立てがされている請求項であるから、当該請求項についての訂正事項に対しては、いわゆる独立特許要件は課されない。 他方、訂正後の請求項１２は、特許異議の申立てがされていない請求項であるところ、当該請求項に係る訂正事項は、特許請求の範囲の減縮を目的とする上記（ｉ）及び（ｉｖ）の訂正を含むことから、訂正後の請求項７を直接的又は間接的に引用する訂正後の請求項１２に係る訂正については、いわゆる独立特許要件が課されることになる。しかるに、後記第６の１（３）のとおり、訂正後の請求項１２に係る発明は甲９に記載された発明に基づいて進歩性を欠如するものではなく、また、他に、特許出願の際独立して特許を受けることができない理由を発見しないことから、当該訂正事項は、独立特許要件を満たしている。 オ 小括 よって、訂正事項７－１は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号、第３号及び第４号に掲げる事項を目的とし、同法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合するものであり、同法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する同法第１２６条第７項に規定する要件は課されないか、又は同項の規定に適合する。 （２－２）訂正事項７－２～７－６ ア 訂正の目的の適否 訂正事項７－２～７－６は以下の内容からなる。 （ｉ）訂正前の請求項７は請求項１～６のいずれかの記載を引用していたところ、それぞれ、そのうち請求項２～６の記載を引用するものに限定する訂正。 （ｉｉ）上記（ｉ）に加えて、請求項間の引用関係を解消して、それぞれ、独立形式請求項である訂正後の請求項１５～１９を新たに追加する訂正。 （ｉｉｉ）上記（ｉ）に伴って、訂正事項７－１の（ｉｉｉ）と同じ。 （ｉｖ）上記（ｉ）に加えて、訂正事項７－１の（ｉｖ）と同じ。 上記（ｉ）及び（ｉｖ）の訂正は、特許請求の範囲の減縮の目的とするものである。 上記（ｉｉ）の訂正は、請求項間の引用関係の解消を目的とするものである。 上記（ｉｉｉ）の訂正は、明瞭でない記載の釈明を目的とするものである。 イ 新規事項の有無 訂正事項７－１における判断と同じとなる。 ウ 特許請求の範囲の拡張・変更の存否 訂正事項７－１における判断と同じとなる。 エ 独立特許要件の有無 訂正事項７－２～７－６に係る訂正後の請求項１５～１９は、特許異議の申立てがされている請求項であるから、当該訂正事項に対しては、いわゆる独立特許要件は課されない。 オ 小括 よって、訂正事項７－２～７－６は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号、第３号及び第４号に掲げる事項を目的とし、同法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項及び第６項に適合するものであり、同法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する同法第１２６条第７項に規定する要件は課されない。 （３）訂正事項８ ア 訂正の目的の適否 訂正事項８は以下の内容からなる。 訂正前の請求項８に特定されていた「ハウジング」、「（ハウジングの）開口部」及び「（シリコンドリフト型放射線検出素子の）表面」の関係について、訂正事項７－１の（ｉｖ）と同じ。 上記の訂正は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。 イ 新規事項の有無 訂正事項７－１の（ｉｖ）における判断と同じとなる。 ウ 特許請求の範囲の拡張・変更の存否 訂正事項７－１の（ｉｖ）における判断と同じとなる。 エ 独立特許要件の有無 訂正事項８に係る訂正後の請求項８及びそれを直接的又は間接的に引用する訂正後の請求項９～１４のうち、訂正後の請求項１２以外の請求項は、特許異議の申立てがされている請求項であるから、当該請求項についての訂正事項に対しては、いわゆる独立特許要件は課されない。 他方、訂正後の請求項１２は、特許異議の申立てがされていない請求項であるところ、当該請求項に係る訂正事項は、特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正を含むことから、訂正後の請求項８を直接的又は間接的に引用する訂正後の請求項１２に係る訂正については、いわゆる独立特許要件が課されることになる。しかるに、後記第６の１（３）のとおり、訂正後の請求項１２に係る発明は甲９に記載された発明に基づいて進歩性を欠如するものではなく、また、他に、特許出願の際独立して特許を受けることができない理由を発見しないことから、当該訂正事項は、独立特許要件を満たしている。 オ 小括 よって、訂正事項８は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号及び第４号に掲げる事項を目的とし、同法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項及び第６項に適合するものであり、同法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する同法第１２６条第７項に規定する要件は課されないか、又は同項の規定に適合する。 （４）訂正事項９～１２ 訂正事項９～１２は、訂正事項１～６により、「シリコンドリフト型放射線検出素子」の発明に係る請求項１～６が削除されたことに伴って、明細書の記載を特許請求の範囲の記載と整合させるためにしたものであって、明瞭でない記載の釈明を目的とするものである。 また、訂正事項９～１２は、本件明細書等に記載した事項の範囲内においてするものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。 また、訂正事項９～１２は、上記のとおり、明瞭でない記載の釈明を目的とするものであり、特許請求の範囲の減縮並びに誤記及び誤訳の訂正のいずれをも目的とするものではないから、いわゆる独立特許要件は課されない。 よって、訂正事項９～１２は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第３号に掲げる事項を目的とし、同法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項及び第６項に適合するものであり、同法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する同法第１２６条第７項に規定する要件は課されない。 ３ 訂正の適否についての判断の小括 以上のとおり、本件訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号、第３号又は第４号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第９項で準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合し、同法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する同法第１２６条第７項に規定する要件は課されないか、又は同項の規定に適合する。 そして、前記１（１３）のとおり、特許権者は、訂正後の請求項７～１４並びに訂正後の請求項１５、１６、１７、１８及び１９について、当該各請求項に係る訂正が認められる場合には、一群の請求項の他の請求項とは別の訂正単位として扱われることを求めている。 よって、明細書及び特許請求の範囲を、本件訂正請求書に添付された訂正明細書及び訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項［１～６］、［７～１４］、１５、１６、１７、１８、１９について訂正することを認める。 第３ 訂正後の本件発明 前記第２によれば、本件特許の請求項１～１９に係る発明（以下、それぞれ、「本件発明１」～「本件発明１９」といい、削除された請求項に係る発明を除き、これらを総称して「本件発明」ということがある。）は、本件訂正後の請求項１～１９に記載されたとおりの以下のものである。 「【本件発明１】（削除） 【本件発明２】（削除） 【本件発明３】（削除） 【本件発明４】（削除） 【本件発明５】（削除） 【本件発明６】（削除） 【本件発明７】 ハウジングと、 該ハウジングの内側に配置されたシリコンドリフト型放射線検出素子とを備え、 前記ハウジングは、塞がれていない開口部を有し、 前記シリコンドリフト型放射線検出素子は、前記開口部に対向しており放射線が入射する表面を有し、 該表面上に直接に又は他の膜を介して遮光膜が設けられており、 前記表面は前記開口部よりも大きく、 前記ハウジングは、前記開口部の縁を含み、前記表面の一部に重なった重なり部分を有し、 前記重なり部分は、前記表面に接着部材を介して接着されていること を特徴とするシリコンドリフト型放射線検出器。 【本件発明８】 ハウジングと、 該ハウジングの内側に配置されたシリコンドリフト型放射線検出素子とを備え、 前記ハウジングは、塞がれていない開口部を有し、 前記シリコンドリフト型放射線検出素子は、前記開口部に対向しており放射線が入射する表面を有し、 該表面の上に遮光膜が設けられており、 前記表面は前記開口部よりも大きく、 前記ハウジングは、前記開口部の縁を含み、前記表面の一部に重なった重なり部分を有し、 前記重なり部分は、前記表面に接着部材を介して接着されていること を特徴とするシリコンドリフト型放射線検出器。 【本件発明９】 前記表面は前記開口部よりも大きく、 前記ハウジングは、前記開口部の縁を含み、前記表面の一部に重なった重なり部分を有し、 前記表面内で前記重なり部分が重なった部分で囲まれた部分は、前記遮光膜で覆われていること を特徴とする請求項７又は８に記載のシリコンドリフト型放射線検出器。 【本件発明１０】 前記シリコンドリフト型放射線検出素子を冷却する冷却部を備えておらず、 前記ハウジングは気密されていないこと を特徴とする請求項７乃至９のいずれか一つに記載のシリコンドリフト型放射線検出器。 【本件発明１１】 前記表面に対向する位置に窓材が設けられていないこと を特徴とする請求項７乃至１０のいずれか一つに記載のシリコンドリフト型放射線検出器。 【本件発明１２】 前記ハウジングと前記シリコンドリフト型放射線検出素子との間の隙間に充填された充填物を更に備えること を特徴とする請求項７乃至１１のいずれか一つに記載のシリコンドリフト型放射線検出器。 【本件発明１３】 請求項７乃至１２のいずれか一つに記載のシリコンドリフト型放射線検出器と、 該シリコンドリフト型放射線検出器が検出した放射線のスペクトルを生成するスペクトル生成部と を備えることを特徴とする放射線検出装置。 【本件発明１４】 試料へ放射線を照射する照射部と、 前記試料から発生した放射線を検出する請求項７乃至１２のいずれか一つに記載のシリコンドリフト型放射線検出器と、 該シリコンドリフト型放射線検出器が検出した放射線のスペクトルを生成するスペクトル生成部と、 該スペクトル生成部が生成したスペクトルを表示する表示部と を備えることを特徴とする放射線検出装置。 【本件発明１５】 ハウジングと、 該ハウジングの内側に配置されたシリコンドリフト型放射線検出素子とを備え、 前記ハウジングは、塞がれていない開口部を有し、 前記シリコンドリフト型放射線検出素子は、前記開口部に対向しており放射線が入射する表面を有し、 該表面上に直接に又は他の膜を介して遮光膜が設けられており、 前記遮光膜は、前記表面に入射する光の量を０．１％未満に減少させ、 前記表面は前記開口部よりも大きく、 前記ハウジングは、前記開口部の縁を含み、前記表面の一部に重なった重なり部分を有し、 前記重なり部分は、前記表面に接着部材を介して接着されていること を特徴とするシリコンドリフト型放射線検出器。 【本件発明１６】 ハウジングと、 該ハウジングの内側に配置されたシリコンドリフト型放射線検出素子とを備え、 前記ハウジングは、塞がれていない開口部を有し、 前記シリコンドリフト型放射線検出素子は、前記開口部に対向しており放射線が入射する表面を有し、 該表面上に直接に又は他の膜を介して遮光膜が設けられており、 前記遮光膜は、厚さ５０ｎｍ超５００ｎｍ未満の金属膜であり、 前記表面は前記開口部よりも大きく、 前記ハウジングは、前記開口部の縁を含み、前記表面の一部に重なった重なり部分を有し、 前記重なり部分は、前記表面に接着部材を介して接着されていること を特徴とするシリコンドリフト型放射線検出器。 【本件発明１７】 ハウジングと、 該ハウジングの内側に配置されたシリコンドリフト型放射線検出素子とを備え、 前記ハウジングは、塞がれていない開口部を有し、 前記シリコンドリフト型放射線検出素子は、前記開口部に対向しており放射線が入射する表面を有し、 該表面上に直接に又は他の膜を介して遮光膜が設けられており、 前記遮光膜は、カーボン膜であり、 前記表面は前記開口部よりも大きく、 前記ハウジングは、前記開口部の縁を含み、前記表面の一部に重なった重なり部分を有し、 前記重なり部分は、前記表面に接着部材を介して接着されていること を特徴とするシリコンドリフト型放射線検出器。 【本件発明１８】 ハウジングと、 該ハウジングの内側に配置されたシリコンドリフト型放射線検出素子とを備え、 前記ハウジングは、塞がれていない開口部を有し、 前記シリコンドリフト型放射線検出素子は、前記開口部に対向しており放射線が入射する表面を有し、 該表面上に直接に又は他の膜を介して遮光膜が設けられており、 前記表面とは逆側にある裏面に設けられ、放射線の入射によって発生する電荷が流入し、前記電荷に応じた信号を出力する信号出力電極と、 前記表面に設けられており、電圧を印加される第１電極と、 前記裏面に設けられ、前記信号出力電極を囲んでおり、前記信号出力電極からの距離が互いに異なる複数の第２電極とを更に備え、 前記表面は前記開口部よりも大きく、 前記ハウジングは、前記開口部の縁を含み、前記表面の一部に重なった重なり部分を有し、 前記重なり部分は、前記表面に接着部材を介して接着されており、 前記第２電極は、前記裏面に沿った一の方向の長さが前記裏面に沿った他の方向の長さよりも長い形状を有し、 前記信号出力電極は、前記一の方向に沿って並んでおり互いに接続された複数の電極からなること を特徴とするシリコンドリフト型放射線検出器。 【本件発明１９】 ハウジングと、 該ハウジングの内側に配置されたシリコンドリフト型放射線検出素子とを備え、 前記ハウジングは、塞がれていない開口部を有し、 前記シリコンドリフト型放射線検出素子は、前記開口部に対向しており放射線が入射する表面を有し、 該表面上に直接に又は他の膜を介して遮光膜が設けられており、 前記表面とは逆側にある裏面に設けられ、放射線の入射によって発生する電荷が流入し、前記電荷に応じた信号を出力する信号出力電極と、 前記表面に設けられており、電圧を印加される第１電極と、 前記裏面に設けられ、前記信号出力電極を囲んでおり、前記信号出力電極からの距離が互いに異なる複数の第２電極とを更に備え、 前記表面は前記開口部よりも大きく、 前記ハウジングは、前記開口部の縁を含み、前記表面の一部に重なった重なり部分を有し、 前記重なり部分は、前記表面に接着部材を介して接着されており、 前記第２電極は、前記裏面に沿った一の方向の長さが前記裏面に沿った他の方向の長さよりも長い形状を有し、 前記信号出力電極は、前記裏面に設けられており前記一の方向に沿って延伸した導電線を含んでいること を特徴とするシリコンドリフト型放射線検出器。」 第４ 取消理由通知書に記載した取消理由の概要 本件特許の登録時の請求項１～１４に係る特許に対して、当合議体が特許権者に通知した取消理由通知書（以下、単に「取消理由通知書」という。）に係る取消理由の概要は、次のとおりである。 １ サポート要件違反 本件特許の登録時の請求項１～１１、１３、１４に係る特許は、特許請求の範囲の記載が不備のため、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない出願に対してされたものである。 ２ 新規性欠如 本件特許の登録時の請求項１～３に係る発明は、その優先日前に日本国内または外国において頒布された刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明である、甲第１号証～甲第３号証のそれぞれに記載された発明であり、又は、本件特許の登録時の請求項１～３、７、８、１１に係る発明は、その優先日前に日本国内または外国において頒布された刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明である、甲第９号証に記載された発明であるから、当該各請求項に係る特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものである。 ３ 進歩性欠如 本件特許の登録時の請求項１～３に係る発明は、その優先日前に日本国内または外国において頒布された刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明である、甲第１号証～甲第３号証のそれぞれに記載された発明に基いて、又は、本件特許の登録時の請求項１～３、７、８、１１、１３、１４に係る発明は、その優先日前に日本国内または外国において頒布された刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明である、甲第９号証に記載された発明及び周知技術に基いて、その優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、当該各請求項に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。 第５ 当事者が提出した証拠 以下、「第」及び「号証」を略して表記する。 １ 申立人が提出した証拠 甲１：米国特許出願公開第２０１２／０３１３１９５号明細書 甲２：独国特許出願公開第１０２０１２０１２２９６号明細書 甲３：M.Bautz et al.,”Directly-deposited blocking filters for high-performance silicon X-ray detectors” Proceedings of SPIE, Vol.9905 99054C (2016) 甲４：米国特許出願公開第２０１２／００２５０８９号明細書 甲５：米国特許第４３５４１０４号明細書 甲６：米国特許出願公開第２００８／０１６４４１２号明細書 甲７：米国特許出願公開第２０１７／０１８４７３４号明細書 甲８：米国特許出願公開第２００８／０１５６９９６号明細書 甲９：Anderhaltz et al,, ”Windowless Silicon Drift Detector” Microsc. Microanal., 17(Suppl2), p.620,621 (2011) 甲１０：米国特許出願公開第２００８／０２１２７３９号明細書 甲１１：米国特許第６３３７８９７号明細書 甲１２：米国特許出願公開第２０１２／０２８８０５８号明細書 ２ 特許権者が提出した証拠 なし 第６ 当合議体の判断 当合議体は、本件発明７～１１、１３～１９に係る特許は、取消理由通知書に記載した取消理由（以下、単に「取消理由」という。）及び申立人が申し立てた特許異議申立理由によっては、取り消すことはできないと判断する。その理由は以下のとおりである。 １ 取消理由についての判断 （１）サポート要件違反について ア 取消理由は、本件特許の登録時の請求項１～１１、１３、１４に記載された発明について、本件明細書等には、（ｉ）放射線検出器が窓材を有する窓を備えていないこと（【００６１】）、（ｉｉ）放射線検出器の表面は、カバーの重なり部分が重なった部分で囲まれた部分が遮光膜に覆われていること（【００６０】）、（ｉｉｉ）カバーの重なり部分は、放射線検出素子の表面に接着部材を介して接着されていること（【００４５】）が記載されており、当業者であれば、このような構成であれば、遮光膜を設けることによって窓材を存在しなくてもよいようにできる（【００６０】）とともに、放射線検出素子を試料に近づけることができる距離が、カバーの厚みと接着部材の厚みとを併せた値になって小さくなることから、本件明細書等に記載された発明が解決しようとする課題、つまり、従来技術の放射線検出器においては、ハウジングの気密状態を維持するためにハウジング及び窓材にある程度の大きさが必要であり、放射線検出器全体の大きさが大きくなるため、放射線検出素子を試料に近づけることができる距離には下限があり、また、気密状態を維持するためには窓材にはある程度の厚みが必要であるため、低エネルギーの放射線が窓材を透過する透過率が低くなっていたという課題を解決できることを認識できるといえる一方、当該請求項１～１１、１３、１４の記載は、放射線検出素子を試料に近づけることができる距離を小さくするための構成を反映していないから、当該各請求項に記載された発明は、当業者が本件課題を解決できると認識できる範囲のものとはいえないことを説示するものである。 これに対し、本件訂正により、本件発明が、いずれも、上記（ｉ）～（ｉｉｉ）に係る構成を備えることが明らかにされたことから、取消理由は解消した。 イ 取消理由は、本件特許の登録時の請求項４に記載された発明についてサポート要件違反を説示するものであったが、本件訂正により、当該請求項４は削除されたことから、取消理由は解消した。 （２）新規性欠如及び進歩性欠如について 前記第４の２及び３のとおり、取消理由は、（ｉ）登録時の請求項１～３に係る発明に対して、甲１～３のそれぞれに記載された発明に基づく新規性欠如及び進歩性欠如、並びに（ｉｉ）登録時の請求項１～３、７、８、１１、１３、１４に係る発明に対して、甲９に記載された発明に基づく新規性欠如又は進歩性欠如からなるところ、前記第２のとおり、請求項１～３は本件訂正により削除されたことから、（ｉ）の取消理由は解消した。 そこで、以下、（ｉｉ）について判断する。 なお、本件発明１２に係る特許については、特許異議の申立ての対象外であるが、前記第２の２（２－１）エ及び同（３）エにおいて独立特許要件の有無を検討する便宜上、この中で判断を示すこととする。 ア 甲９に記載された事項及び甲９に記載された発明 （ア）甲９に記載された事項 甲９には、以下の事項が記載されている（なお、甲９の翻訳文を記載し、括弧内に原文の対応箇所を示す。また、下線は当合議体が付した。以下同様。）。 「ウィンドウレスシリコンドリフト検出器」（表題） 「ウィンドウレスＥＤＳ検出器は、液体窒素冷却のリチウムドリフト型シリコン検出器［１］とシリコンドリフト検出器（ＳＤＤ；［２］）として、最近ＴＥＭで使用されている。ＳＤＤは比較的控えめな熱電冷却方式で、検出器を数分で冷却でき、ＴＥＭを換気する際には急速に暖めることができるため、現代のウィンドウレスＥＤＳ用途に適している。」（第１段落） 「試料と検出器の間に従来のウィンドウがない場合、透過率の向上が計算でき、プロットすることができる。図１のウィンドウレス検出器には、試料からの発光の影響を低減するための遮光体が含まれている。この遮光体は超薄型窓（ＳＵＴＷ； Ｍｏｘｔｅｋ ＡＰ３．３）よりもかなり薄く、Ｘ線の透過率をさらに低下させるサポートグリッドを必要としない。図１に示す最も顕著な吸収端は、炭素（０．２８ｋｅＶ）、遮光体内の酸素（０．５３ｋｅＶ）、遮光体とＳＵＴＷの両方に使用されているアルミニウムコーティングによるわずかな減少（１．５６ｋｅＶ）である。」（第２段落） （イ）甲９から読み取れる事項 ａ 前記（ア）によれば、甲９には、ウィンドウレスシリコンドリフト検出器において、試料からの発光の影響を低減するための遮光体が含まれ、この遮光体はＸ線透過率をさらに低減させるサポートグリッドを必要としないものであり、アルミウムコーティングが使用されていることが記載されていることから、次の技術的事項が記載されていると認められる。 （ａ）「ウィンドウレスシリコンドリフト検出器において、試料からの発光の影響を低減するためのものであって、アルミニウムコーティングからなる遮光体を用いること。」 （ｂ）「ウィンドウレスシリコンドリフト検出器は、Ｘ線を検出対象とすること。」 ｂ 甲９に記載されたウィンドウレスシリコンドリフト検出器が、Ｘ線が入射する表面を有するシリコンドリフト検出素子と、それを覆うハウジングと、を有すること、及び、回路等と組み合わせて放射線検出装置を構成すること、は技術常識に照らして明らかである。 （ウ）甲９に記載された発明 前記（１）を踏まえると、甲９には、ウィンドウレスシリコンドリフト検出器についての次の発明（以下「甲９発明」という。）が記載されていると認められる（なお、括弧内は、認定の根拠とした箇所を示す。）。 ＜甲９発明＞ 「検出器と試料の間に従来のウィンドウがないものであって、（第２段落） 試料からの発光の影響を低減するためのアルミニウムコーティングからなる遮光体と、（前記（イ）ａ（ａ）） Ｘ線が入射する表面を有するシリコンドリフト検出素子と、 前記シリコンドリフト検出素子を覆うハウジングと、 を備えたものであって、（前記（イ）ｂ） Ｘ線を検出対象とする、（前記（イ）ａ（ｂ）） ウィンドウレスシリコンドリフト検出器。（表題）」 イ 本件発明７～１９に対する判断 （ア）本件発明７について ａ 対比 （ａ）本件発明７の「シリコンドリフト型放射線検出器。」との特定事項について 甲９発明の「Ｘ線」は、本件発明７の「放射線」に相当する。そうすると、甲９発明の「Ｘ線を検出対象とする」「ウィンドウレスシリコンドリフト検出器」は、本件発明７の「シリコンドリフト型放射線検出器」に相当する。 よって、本件発明７と甲９発明は、「シリコンドリフト型放射線検出器」の発明である点において一致する。 （ｂ）本件発明７の「ハウジングと、」との特定事項について 甲９発明の「ハウジング」は、本件発明７の「ハウジング」に相当する。 よって、甲９発明は、本件発明７の上記特定事項を備えている。 （ｃ）本件発明７の「該ハウジングの内側に配置されたシリコンドリフト型放射線検出素子とを備え、」との特定事項について 甲９発明は「Ｘ線を検出対象とする」ところ、甲９発明の「シリコンドリフト検出素子」は、「Ｘ線が入射する表面を有する」ことからみても、Ｘ線を検出する素子であることは明らかである。そうすると、甲９発明の「シリコンドリフト検出素子」は、本件発明７の「シリコンドリフト型放射線検出素子」に相当する。 そして、甲９発明は、「前記シリコンドリフト検出素子を覆うハウジング」を備えるところ、「シリコンドリフト検出素子」が「ハウジング」の内側に配置されることは明らかであり、このことは、本件発明７において、「シリコンドリフト型放射線検出素子」が「該ハウジングの内側に配置され［る］」ことに相当する。 よって、甲９発明は、本件発明７の上記特定事項を備えている。 （ｄ）本件発明７の「前記ハウジングは、塞がれていない開口部を有し、」との特定事項について 甲９発明は、「ハウジング」を備え、「検出器と試料の間に従来のウィンドウがない」ものであるところ、ハウジングにおける当該「ウィンドウがない」ところは、本件発明７の「塞がれていない開口部」に相当するといえる。 よって、甲９発明は、本件発明７の上記特定事項を備えている。 （ｅ）本件発明７の「前記シリコンドリフト型放射線検出素子は、前記開口部に対向しており放射線が入射する表面を有し、」との特定事項について 甲９発明の「シリコンドリフト検出素子」が有する「Ｘ線が入射する表面」は、本件発明７の「放射線が入射する表面」に相当する。 また、甲９発明は、「検出器と試料の間に従来のウィンドウがない」ものであるから、「シリコンドリフト検出素子」の「Ｘ線が入射する表面」が、「ウィンドウがない」ところに対向して配置されることは明らかであり、前記（ｄ）を踏まえると、前記「Ｘ線が入射する表面」が、「ウィンドウがない」ところ、すなわちハウジングの開口部に対向しているといえる。そして、このことは、本件発明７の「放射線が入射する表面」が「前記開口部に対向して［いる］」ことに相当する。 よって、甲９発明は、本件発明７の上記特定事項を備えている。 （ｆ）本件発明７の「該表面上に直接に又は他の膜を介して遮光膜が設けられており、」との特定事項について 甲９発明の「遮光体」は、「アルミニウムコーティングからなる」ものであるから、膜状のものと認められる。したがって、甲９発明の「遮光体」は、本件発明７の「遮光膜」に相当する。 そうすると、本件発明７と甲９発明とは、「遮光膜が設けられて［いる］点で共通する。 他方、「遮光膜」が設けられる構成において、本件発明７は「該表面上に直接に又は他の膜を介して」設けられているのに対して、甲９発明は、そうであるか不明である。 （ｇ）本件発明７の「前記表面は前記開口部よりも大きく、前記ハウジングは、前記開口部の縁を含み、前記表面の一部に重なった重なり部分を有し、前記重なり部分は、前記表面に接着部材を介して接着されていること」との特定事項について 甲９発明は、検出器と試料の間に従来のウィンドウがなく、ハウジングと、Ｘ線が入射する表面を有するシリコンドリフト検出素子とを備えるものの、ハウジングとシリコンドリフト検出素子の関係が、「前記表面は前記開口部よりも大きく、前記ハウジングは、前記開口部の縁を含み、前記表面の一部に重なった重なり部分を有し、前記重なり部分は、前記表面に接着部材を介して接着されている」ものであるかは不明である。 ｂ 一致点及び相違点の認定 前記ａを踏まえると、本件発明７と甲９発明とは、以下の点で一致し、以下の点で相違する。 ＜一致点＞ 「ハウジングと、 該ハウジングの内側に配置されたシリコンドリフト型放射線検出素子とを備え、 前記ハウジングは、塞がれていない開口部を有し、 前記シリコンドリフト型放射線検出素子は、前記開口部に対向しており放射線が入射する表面を有し、 遮光膜が設けられている、 シリコンドリフト型放射線検出器。」 ＜相違点１＞ 「遮光膜」が設けられる構成において、本件発明７は「放射線が入射する表面」「上に直接に又は他の膜を介して」であるのに対して、甲９発明は、そうであるのか不明である点。 ＜相違点２＞ ハウジング（の開口部）とシリコンドリフト型放射線検出素子（の表面）の関係について、本件発明７は「前記表面は前記開口部よりも大きく、前記ハウジングは、前記開口部の縁を含み、前記表面の一部に重なった重なり部分を有し、前記重なり部分は、前記表面に接着部材を介して接着されている」のに対して、甲９発明は、そうであるのか不明である点。 ｃ 相違点の判断 事案に鑑み、相違点２について判断する。 前記ア（ア）及び（イ）のとおり、甲９の記載からは、ウィンドウレスシリコンドリフト検出器において、Ｘ線が入射する表面を有するシリコンドリフト検出素子と、前記シリコンドリフト検出素子を覆うハウジングとを備えること、及び、検出器と試料の間に従来のウィンドウがないことを読み取ることができる。 しかしながら、相違点２に係る構成は、申立人が提示した甲１～１２のいずれにも記載も示唆もされていない。また、甲９発明において、相違点２に係る構成を採用する動機付けもない。 そして、本件発明７は、相違点２に係る構成を備えることにより、放射線検出素子を試料に近づけることができる距離が、カバーの厚みと接着部材の厚みとを併せた値になって小さくなり、したがって、低エネルギーの放射線の検出感度が向上するという、格別な効果を奏するものと認められる。 また、甲９のその余の記載をみても、上記の判断を左右するものはない。 したがって、その他の相違点について検討するまでもなく、本件発明７は、甲９に記載された発明及び甲１～１２に記載された技術的事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 ｄ 本件発明７についての小括 本件発明７は、甲９に記載された発明及び甲１～１２に記載された技術的事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 （イ）本件発明８について ａ 対比並びに一致点及び相違点の認定 本件発明８と甲９発明とは、前記（ア）と同様に対比すると、前記（ア）ｂで認定した本件発明７と甲９発明との一致点で一致し、次の点で相違する。 ＜相違点３＞ 「遮光膜」が設けられる構成において、本件発明８は「放射線が入射する表面」「の上に」設けられるのに対して、甲９発明は、そうであるのか不明である点。 ＜相違点４＞ 相違点２と同じ。 ｂ 相違点の判断 本件発明８は、相違点４に係る構成を備えるところ、前記（ア）ｃと同様の理由で、甲９に記載された発明及び甲１～１２に記載された技術的事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 （ウ）本件発明９～１４について 本件発明９～１４は、本件発明７又は８を直接的ないし間接的に引用するものであって、いずれも、前記相違点２又は４を含むから、前記（ア）ｃ又は（イ）ｂと同様の理由で、甲９に記載された発明及び甲１～１２に記載された技術的事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 （エ）本件発明１５～１９について 本件発明１５～１９は、いずれも、本件発明７の発明特定事項を含み、さらに限定したものであって、前記相違点２を含むから、前記（ア）ｃと同様の理由で、甲９に記載された発明及び甲１～１２に記載された技術的事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 （オ）甲９に記載された発明に基づく新規性及び進歩性欠如についてのまとめ 前記（ア）～（エ）のとおり、本件発明７～１９は、甲９に記載された発明及び甲１～１２に記載された技術的事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 （３）取消理由についての判断の小括 以上のとおりであるから、本件発明７～１１、１３～１９についての特許は、取消理由によっては取り消すことができない。 また、本件発明１２は、甲９に記載された発明に基づいて新規性及び進歩性を欠如するものではない。 ２ 取消理由通知書において採用しなかった特許異議申立理由についての判断 申立人は、上記の特許異議申立理由として、（ｉ）本件特許の登録時の請求項１～６に係る発明に対して、甲１～４、７の少なくとも一つを主引用例とする新規性欠如又は進歩性欠如、（ｉｉ）本件特許の登録時の請求項７～１１、１３及び１４に係る発明に対して、甲８、１０～１２の少なくとも一つを主引用例とする進歩性欠如を主張する。 しかるところ、（ｉ）については、前記第２のとおり、請求項１～６が本件訂正により削除されたことから、解消した。 そこで、以下、（ｉｉ）について判断する。 （１）甲８を主引用例とする進歩性欠如について 甲８には、図６において、放射線検出システム１０１における筐体１０３の内部に放射線検出器モジュール１０９が設けられ、筐体１０３の内部環境を真空とすること（［００４２］）、及び、放射線検出器モジュール１０９を形成するシリコンドリフト検出器（ＳＤＤ）は、真空中でウィンドウレスで動作できること（［００４４］）が記載されていることから、放射線検出器モジュール１０９をウィンドウレスにすることを読み取ることができる。 しかしながら、甲８には、放射線検出器モジュール１０９をウィンドウレスにするにあたり、シリコンドリフト検出器及びハウジングをどのように構成するかについて具体的な記載はなく、前記相違点２及び４に係る本件発明の構成（前記１（２）イ（ア）ｂ及び（イ）ａ）は記載も示唆もされていない。申立人が提出する他の証拠についても同様である。 そうすると、本件発明７～１１、１３～１９と甲８に記載された発明とは、少なくとも、前記相違点２又は４と同じ点で相違するから、前記１（２）イ（ア）ｃ又は同（イ）ｂと同様の理由で、本件発明７～１１、１３～１９は、甲８に記載された発明及び甲１～１２に記載された技術的事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 （２）甲１０及び１１のいずれかを主引用例とする進歩性欠如について 甲１０（図３等において、Ｘ線検出器５の内部に、半導体検出素子１２が、Ｘ線の入射窓に検出面１２ａを向けて設置されている。また、Ｘ線検出器５の手前に、Ｘ線入射孔１３を有する入射側コリメータ１４が設置されている。）及び甲１１（図７Ａ及び図８において、ＳＳＤ４３が、平板状の第２のコリメータ４０に取り付けられている。）は、いずれも、「シリコンドリフト検出素子を覆うハウジング」に設けられた「開口」を記載するものではなく、前記相違点２及び４に係る構成（前記１（２）イ（ア）ｂ及び同（イ）ａ）は記載も示唆もされていない。申立人が提出する他の証拠についても同様である。 そうすると、本件発明７～１１、１３～１９と甲１０及び１１に記載された発明とは、少なくとも、前記相違点２又は４と同じ点で相違するから、前記１（２）イ（ア）ｃ又は同（イ）ｂと同様の理由で、本件発明７～１１、１３～１９は、甲１０及び１１のいずれかに記載された発明及び甲１～１２に記載された技術的事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 （３）甲１２を主引用例とする進歩性欠如について ア 甲１２に記載された事項 甲１２には、以下の事項が記載されている（なお、甲１２の翻訳文を記載し、括弧内に原文の対応箇所を示す。また、翻訳文は、甲１２の日本語ファミリ文献である特開２０１２－２５５７６９号公報の記載に基づくものである。）。 （ア）［００６０］及び図３ 「［００６０］図３は、当該実施形態に係る複合Ｘ線分析装置１の蛍光Ｘ線検出器７の先端の形状を表す模式図である。蛍光Ｘ線検出器７の外径は２０ｍｍであり、その先端に受光部１２を有している。ここで、蛍光Ｘ線検出器７がＳＤＤである場合、受光部１２は、複数のリング形状の電極が設けられる円形状の平面である。試料１００の蛍光Ｘ線測定を行う場合、試料１００が放射する蛍光Ｘ線を検出する感度が最大となるように、蛍光Ｘ線検出器７が複合Ｘ線分析装置１に配置されている。受光部１２で受光される蛍光Ｘ線の受光感度を最大にする蛍光Ｘ線の入射方向を、蛍光Ｘ線検出器７の光軸と定義すると、蛍光Ｘ線検出器７の光軸が、試料１００の中心部を貫いているのが望ましい。なお、受光部１２が受光できる蛍光Ｘ線の量をより多くするために、受光部１２の中心より光軸が受光部１２の受光面に垂直に延伸しているのが一般的であるが、必ずしもこれに限定されない。さらに、試料１００が放射する蛍光Ｘ線を検出する感度をより高くするよう、受光部１２が試料１００により近接するよう、蛍光Ｘ線検出器７が配置されるのが望ましい。」 「 ［図：0001411316000002.jpg］ 」 （イ）［００８０］～［００８４］、図６、７ 「［００８０］図６は、当該実施形態に係る複合Ｘ線分析装置１の蛍光Ｘ線検出器７の先端の形状を表す模式図である。蛍光Ｘ線検出器７は、図６に示す通り、Ｘ線遮蔽体１３をさらに備えている。Ｘ線遮蔽体１３の形状は、蛍光Ｘ線検出器７の本体側が中空円柱をしており、先端側が中空の円錐台形状であり、先端には円形の開口部がある。すなわち、Ｘ線遮蔽体１３は、中空円柱形状により、蛍光Ｘ線検出器７の受光部１２の周縁を囲っている。また、Ｘ線遮蔽体１３の先端側がテーパー状になっており、先端に近づくにつれて、断面の半径が徐々に小さくなっていく構造となっている。Ｘ線遮蔽体１３は、ビームストッパ８からの蛍光Ｘ線を遮蔽する材質であれば何でもよく、ここでは、ステンレススチールからなるとしているが、一般的な金属であってもよい。また、必要に応じて鉛が含まれていてもよい。 ［００８１］図７は、当該実施形態に係る複合Ｘ線分析装置１の蛍光Ｘ線検出器７の配置を示す模式図である。蛍光Ｘ線検出器７の本体部の外径は２０ｍｍであり、Ｘ線遮蔽体１３の中空円柱部分の外径は１２ｍｍであり、受光部１２からＸ線遮蔽体１３の先端までの距離は２０ｍｍである。Ｘ線遮蔽体１３の先端から試料１００までの距離Ｌ１は２ｍｍである。 ［００８２］光学系３のコリメータから試料１００に入射するＸ線の光軸上に、順に、試料１００と、ビームストッパ８が配置されている。コリメータの外径は１３ｍｍである。図７に示す通り、ビームストッパ８に、Ｘ線のダイレクトビームが照射される位置に鉛によって形成されているコア部１１が備えられており、コア部１１をホルダーが支持している。すなわち、コア部１１は、ビームストッパ８におけるＸ線のダイレクトビームが直接照射される部分である。試料１００に入射するするＸ線のダイレクトビームをコア部１１にある鉛が吸収することにより、ビームストッパ８のコア部１１はＸ線のダイレクトビームを遮蔽している。試料１００とビームストッパ８のコア部１１の距離Ｌ２は、１１ｍｍである。なお、ここでは、ビームストッパ８は、鉛によって形成されているコア部１１を備えるとしたが、ビームストッパ８はこれに限定されることはなく、たとえば、鉛合金によって形成される一体型であってもよい。この場合であっても、本発明に係るＸ線遮蔽体１３は、一体型のビームストッパにおけるＸ線のダイレクトビームが直接照射される部分が放射する蛍光Ｘ線を遮蔽する。 ・・・中略・・・ ［００８３］図７に示す蛍光Ｘ線検出器７は、試料１００が放射する蛍光Ｘ線を検出するのに、適した位置に配置されている。Ｘ線のダイレクトビームが試料１００に照射する領域の中心部を、蛍光Ｘ線検出器７の光軸が貫いているのが望ましい。蛍光Ｘ線検出器７の光軸は、受光部１２の中心から受光部１２の平面に対して垂直に延伸しているので、試料１００が受光部１２へ放射する蛍光Ｘ線ＸＬ１の中心は、受光部１２の中心に到達する。図には、試料１００が受光部１２へ放射する蛍光Ｘ線ＸＬ１の中心が波線で示されている。 ［００８４］これに対して、Ｘ線遮蔽体１３の一部は、受光部１２とビームストッパ８との間に配置されており、Ｘ線遮蔽体１３は、ビームストッパ８が受光部１２へ放射する蛍光Ｘ線を遮蔽している。とくに、Ｘ線遮蔽体１３は、コア部１１が受光部１２へ放射する蛍光Ｘ線ＸＬ２を遮蔽している。図には、コア部１１が受光部１２へ放射する蛍光Ｘ線ＸＬ２の中心が波線で示されている。もしもＸ線遮蔽体１３が存在していなければ、ビームストッパ８が受光部１２へ放射する蛍光Ｘ線が受光部１２に到達するところ、Ｘ線遮蔽体１３が存在していることにより、ビームストッパ８が受光部１２へ放射する蛍光Ｘ線が、とくにコア部１１が受光部１２へ放射する蛍光Ｘ線ＸＬ２が、Ｘ線遮蔽体１３により遮蔽されている。」 「 ［図：0001411316000003.jpg］ 」 「 ［図：0001411316000004.jpg］ 」 イ 甲１２に記載された発明 （ア）前記ア（ア）によれば、甲１２には、図３に係る蛍光Ｘ線検出器（以下「図３蛍光Ｘ線検出器」という。）について、 「ＳＤＤ（シリコンドリフト検出器）である蛍光Ｘ線検出器７であって、 外径が２０ｍｍであり、その先端に受光部１２を有しており、 受光部１２は、複数のリング形状の電極が設けられる円形状の平面である、（［００６０］） 蛍光Ｘ線検出器７。」の発明が記載されていると認められる。 （イ）また、前記ア（イ）によれば、同じく甲１２には、図７に係る蛍光Ｘ線検出器（以下「図７蛍光Ｘ線検出器」という。）について、 「蛍光Ｘ線検出器７であって、 Ｘ線遮蔽体１３を備えており、Ｘ線遮蔽体１３の形状は、蛍光Ｘ線検出器７の本体側が中空円柱をしており、先端側が中空の円錐台形状であり、先端には円形の開口部があり、すなわち、Ｘ線遮蔽体１３は、中空円柱形状により、蛍光Ｘ線検出器７の受光部１２の周縁を囲っており、（［００８０］） その本体部の外径は２０ｍｍであり、Ｘ線遮蔽体１３の中空円柱部分の外径は１２ｍｍであり、受光部１２からＸ線遮蔽体１３の先端までの距離は２０ｍｍであり、（［００８１］） 蛍光Ｘ線検出器７の光軸は、受光部１２の中心から受光部１２の平面に対して垂直に延伸しているので、試料１００が受光部１２へ放射する蛍光Ｘ線ＸＬ１の中心は、受光部１２の中心に到達する、（［００８３］） 蛍光Ｘ線検出器７。」の発明が記載されていると認められる。 ウ 対比・判断 甲１２に記載された図３蛍光Ｘ線検出器及び図７蛍光Ｘ線検出器に係る発明は前記イで認定したとおりであるところ、これらは、本件発明の「シリコンドリフト型放射線検出器」に係るものであって、本件発明の「ハウジング」に相当する構成を備えているとみる余地はある。 しかしながら、図３蛍光Ｘ線検出器に係る発明では、シリコンドリフト型放射線検出素子をハウジングにどのように設けるかについて、具体的な記載はなく、前記相違点２及び４に係る本件発明の構成（前記１（２）イ（ア）ｂ及び（イ）ａ）は記載も示唆もされていない。また、図７蛍光Ｘ線検出器に係る発明では、Ｘ線遮蔽体１３が、中空円柱形状により、蛍光Ｘ線検出器７の受光部１２の周縁を囲っているものであることが記載されているにとどまり、当該発明が、相違点２及び４に係る本件発明の構成を備えているとはいえない。そして、これらの発明から出発した当業者が、前記相違点２又は４に係る構成を採用する動機付けもない。 また、甲１２のその余の記載をみても、上記の判断を左右するものはない。 そうすると、本件発明７～１１、１３～１９は、前記１（１）イ（ア）ｃ又は同（イ）ｂと同様の理由で、甲１２に記載された発明及び甲１～１２に記載された技術的事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 （４）取消理由通知書において採用しなかった特許異議申立理由についての判断の小括 以上のとおりであるから、本件発明７～１１、１３～１９についての特許は、取消理由通知書において採用しなかった特許異議申立理由によっては取り消すことができない。 第７ むすび 以上のとおり、本件発明７～１１、１３～１９に係る特許は、取消理由通知書に記載した取消理由及び特許異議申立理由によっては取り消すことはできない。 また、他に本件発明７～１１、１３～１９に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 請求項１～６に係る特許は本件訂正により削除され、当該各請求項１～６に係る申立ては、その対象が存在しないものとなったため、特許法第１２０条の８第１項で準用する同法第１３５条の規定により却下する。 よって、結論のとおり決定する。