2023-012075

特願２０２１－５５８２１２「静電容量式センサ、静電容量検出方法、及び、静電容量検出プログラム」拒絶査定不服審判事件〔令和 ３年 ５月２７日国際公開、ＷＯ２０２１／１００３４８、請求項の数（１２）〕について、次のとおり審決する。

結 論 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。

理 由 第１ 手続の経緯 本願は、２０２０年（令和２年）１０月７日（優先権主張 令和元年１１月１９日）を国際出願日とする出願であって、その手続の経緯は、概略、以下のとおりである。 令和４年１０月２８日付け：拒絶理由通知 令和５年 １月 ４日 ：意見書の提出 令和５年 ４月２０日付け：拒絶査定（原査定） 令和５年 ７月１９日 ：審判請求書、手続補正書の提出 第２ 原査定の概要 原査定の概要は、次のとおりである。 １．（進歩性）この出願の請求項１ないし１３に係る発明は、下記の引用文献１および２に記載された発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下、「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 記 １．特開２０１５－１４１５５７号公報 ２．国際公開第２０１８／１９３７１１号 第３ 本願発明 本願請求項１ないし１２に係る発明（以下、それぞれ「本願発明１」ないし「本願発明１２」という。）は、令和５年７月１９日に提出された手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１２に記載された事項により特定される、次のとおりの発明である。 「【請求項１】 検出電極を有するセンサ部と、 前記センサ部の検出電極の静電容量値を検出する静電容量検出部と、 前記静電容量値と基準値との差分値を計算する差分値計算部と、 前記差分値に対してフィルタパラメータを用いて時間方向のフィルタ処理を施すことによりフィルタ計算値を計算するフィルタ計算部と、 前記フィルタ計算部により計算されたフィルタ計算値に基づいて前記センサ部周辺の状態を判定する判定部とを有する静電容量式センサであって、 前記差分値計算部により計算された差分値に基づいて前記フィルタパラメータを計算するフィルタパラメータ計算部を備え、 前記フィルタパラメータ計算部は、前記差分値計算部により計算された差分値が大きいほど、応答時間が短くなるように前記フィルタパラメータを計算することを特徴とする静電容量式センサ。 【請求項２】 前記静電容量検出部により検出された静電容量値に基づいて前記基準値を取得する基準値取得部をさらに含む、請求項１記載の静電容量式センサ。 【請求項３】 前記基準値取得部は、前記センサ部の検出電極に検出対象が近接していない場合の静電容量値を前記基準値として取得する、請求項２記載の静電容量式センサ。 【請求項４】 前記判定部は、前記フィルタ計算部により計算されたフィルタ計算値に基づいて前記検出電極と検出対象との近接度合いを判定する、請求項１乃至３のいずれか１項記載の静電容量式センサ。 【請求項５】 前記判定部は、前記フィルタ計算部により計算されたフィルタ計算値が予め決められた第１閾値以上の場合に検出対象がタッチ状態であると判定し、前記フィルタ計算値が前記第１閾値未満であるとともに予め決められた第２閾値以上の場合に前記検出対象がホバー状態であると判定し、前記フィルタ計算値が前記第２閾値未満の場合に近接無し状態であると判定する、請求項１乃至４のいずれか１項記載の静電容量式センサ。 【請求項６】 前記フィルタ計算部は、指数移動平均を用いた時間方向のフィルタ処理を施すことにより前記フィルタ計算値を計算する、請求項１乃至５のいずれか１項記載の静電容量式センサ。 【請求項７】 前記フィルタ計算部は、単純移動平均を用いた時間方向のフィルタ処理を施すことによりフィルタ計算値を計算する、請求項１乃至５のいずれか１項記載の静電容量式センサ。 【請求項８】 前記フィルタパラメータ計算部は、前記差分値計算部により計算された差分値が大きいほど、前記フィルタパラメータを大きくする、請求項６記載の静電容量式センサ。 【請求項９】 前記フィルタパラメータ計算部は、前記差分値計算部により計算された差分値が大きいほど、前記フィルタパラメータを小さくする、請求項７記載の静電容量式センサ。 【請求項１０】 前記フィルタパラメータ計算部は、前記フィルタパラメータを計算する際に、あらかじめ定められた範囲内に前記フィルタパラメータが収まるように計算する、請求項１乃至９のいずれか１項記載の静電容量式センサ。 【請求項１１】 検出電極を有するセンサ部の検出電極の静電容量値を検出する静電容量検出ステップと、 前記静電容量値と基準値との差分値を計算する差分値計算ステップと、 前記差分値に対してフィルタパラメータを用いて時間方向のフィルタ処理を施すことによりフィルタ計算値を計算するフィルタ計算ステップと、 前記フィルタ計算ステップにより計算されたフィルタ計算値に基づいて前記センサ部周辺の状態を判定する判定ステップとを有する静電容量検出方法であって、 前記差分値計算ステップにより計算された差分値に基づいて前記フィルタパラメータを計算するフィルタパラメータ計算ステップをさらに備え、 前記フィルタパラメータ計算ステップは、前記差分値計算ステップで計算された差分値が大きいほど、応答時間が短くなるように前記フィルタパラメータを計算するステップであることを特徴とする静電容量検出方法。 【請求項１２】 検出電極を有するセンサ部の検出電極の静電容量値を検出する静電容量検出ステップと、 前記静電容量値と基準値との差分値を計算する差分値計算ステップと、 前記差分値に対してフィルタパラメータを用いて時間方向のフィルタ処理を施すことによりフィルタ計算値を計算するフィルタ計算ステップと、 前記フィルタ計算ステップにより計算されたフィルタ計算値に基づいて前記センサ部周辺の状態を判定する判定ステップとを有する処理をコンピュータに実行させる静電容量検出プログラムであって、 前記差分値計算ステップにより計算された差分値に基づいて前記フィルタパラメータを計算するフィルタパラメータ計算ステップをさらに前記コンピュータに実行させ、 前記フィルタパラメータ計算ステップは、前記差分値計算ステップで計算された差分値が大きいほど、応答時間が短くなるように前記フィルタパラメータを計算するステップであることを特徴とする、静電容量検出プログラム。」 第４ 引用文献 １ 引用文献１および引用発明 （１）引用文献１の記載事項 原査定の拒絶理由に引用された引用文献１（特開２０１５－１４１５５７号公報）には、次の事項が記載されている（下線は、当審が付加した。以下同様。）。 ア 「【技術分野】 【０００１】 本発明は、コンピュータやスマートフォン等の情報機器において情報の入力に用いられる入力装置に係り、特に、指やペンなどの物体が操作面に近接した領域を特定し、その特定した領域に基づいて情報を入力する入力装置に関するものである。 【背景技術】 【０００２】 ノートブック型ＰＣがタブレット端末、スマートフォンなどの情報機器の入力インターフェースとして、指やペンなどの物体の接触位置を検出するセンサを備えたタッチパッドやタッチパネルなどの装置が広く普及している。物体の接触位置を検出するセンサには、抵抗膜方式や静電容量方式など種々のタイプが存在するが、近年では、複数の接触箇所を検出する「マルチタッチ」への対応が可能な静電容量方式のセンサの採用が増加している。 【０００３】 一般的な静電容量方式のセンサでは、格子状に配置された複数の電極において電極間の静電容量（相互容量）や電極とグランドとの間の静電容量（自己容量）が検出される。下記の特許文献１に記載される静電容量式タッチセンサは、Ｘ方向に沿って配線された複数のＸ電極と、Ｙ方向に沿って配線された複数のＹ電極を有する（図１）。指などの操作体がＸ電極（Ｙ電極）に近づくと、操作体とＸ電極（Ｙ電極）との間に静電結合が形成され、Ｘ電極（Ｙ電極）の静電容量が増加する。各Ｘ電極，Ｙ電極における静電容量を監視することにより、操作体の近接位置を検出することができる。 【先行技術文献】 【特許文献】 【０００４】 【特許文献１】 特開２０１２－１９８６０７号公報 【発明の概要】 【発明が解決しようとする課題】 【０００５】 上述した特許文献１に記載される入力装置では、対象座標及び対象座標の前後に取得された所定数の座標をもとに移動平均を行い、その平均値を補正座標に設定することによりノイズの除去が行われる。このようなノイズ除去を実施することにより、ノイズの多い環境下であっても座標のふらつき等が抑えられ、誤動作を生じ難くすることができる。しかしながら、センサの出力信号に対して移動平均などのノイズ除去処理を行うと、高域成分が減衰してしまうため、センサの入力に対する応答が遅くなる。特許文献１に記載される入力装置では、ノイズの少ない環境でも、ノイズの多い環境と同様なノイズ除去処理が行われるため、ノイズ除去処理による遅延が大きいという問題がある。 【０００６】 本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、ノイズの多い環境下ではノイズの影響を軽減できるとともに、ノイズの少ない環境下では応答遅延を少なくすることができる入力装置を提供することにある。」 イ 図１ ［図：0001411095000001.jpg］ ウ 「【００１９】 ＜第１の実施形態＞ 以下、本発明の第１の実施形態に係る入力装置について図面を参照しながら説明する。 図１は、第１の実施形態に係る入力装置の構成の一例を示す図である。図１に示す入力装置は、センサ部１０と、処理部２０と、記憶部３０と、インターフェース部４０を有する。 本実施形態に係る入力装置は、センサ部１０に指やペンなどの物体を近接させることによって、その近接位置に応じた情報を入力する装置である。なお、本明細書における「近接」とは、接触した状態で近くにあることと、接触しない状態で近くにあることを両方含む。 【００２０】 ［センサ部１０］ センサ部１０は、操作面に分布した複数の検出位置において、指やペンなどの物体の近接状態をそれぞれ検出する。例えばセンサ部１０は、物体の近接に応じて静電容量が変化するキャパシタ（容量性センサ素子）１２がマトリクス状に形成されたセンサマトリクス１１と、キャパシタ１２の静電容量に応じた検出データを生成する検出データ生成部１３と、キャパシタ１２に駆動電圧を印加する駆動部１４を有する。 【００２１】 センサマトリクス１１は、縦方向に延在した複数の駆動電極Ｌxと、横方向に延在した複数の検出電極Ｌyを備える。複数の駆動電極Ｌxは横方向へ平行に並び、複数の検出電極Ｌyは縦方向へ平行に並ぶ。複数の駆動電極Ｌxと複数の検出電極Ｌyが格子状に交差しており、互いに絶縁されている。駆動電極Ｌxと検出電極Ｌyの交差部付近に、容量性センサ素子としてのキャパシタ１２が形成される。なお、図１の例では電極（Ｌx，Ｌy）の形状が短冊状に描かれているが、他の任意の形状（ダイヤモンドパターンなど）でもよい。 【００２２】 駆動部１４は、センサマトリクス１１の各キャパシタ１２に駆動電圧を印加する回路である。具体的には、駆動部１４は、処理部２０の制御に従って、複数の駆動電極ＬXから順番に一の駆動電極Ｌxを選択し、当該選択した一の駆動電極Ｌxの電位を周期的に変化させる。駆動電極Ｌxの電位が所定の範囲で変化することにより、この駆動電極Ｌxと検出電極Ｌyとの交差点付近に形成されたキャパシタ１２に印加される駆動電圧が所定の範囲で変化し、キャパシタ１２において充電や放電が生じる。 【００２３】 検出データ生成部１３は、駆動部１４による駆動電圧の印加に伴ってキャパシタ１２が充電又は放電される際に各検出電極Ｌyにおいて伝送される電荷に応じた検出データを生成する。すなわち、検出データ生成部１３は、駆動部１４の駆動電圧の周期的な変化と同期したタイミングで、各検出電極Ｌyにおいて伝送される電荷をサンプリングし、そのサンプリングの結果に応じた検出データを生成する。 【００２４】 例えば、検出データ生成部１３は、キャパシタ１２の静電容量に応じた電圧を出力する静電容量－電圧変換回路（ＣＶ変換回路）と、ＣＶ変換回路の出力信号をデジタル信号に変換し、検出データとして出力するアナログ－デジタル変換回路（ＡＤ変換回路）を有する。 ＣＶ変換回路は、駆動部１４の駆動電圧が周期的に変化してキャパシタ１２が充電又は放電される度に、処理部２０の制御に従って、検出電極Ｌyにおいて伝送される電荷をサンプリングする。具体的には、ＣＶ変換回路は、検出電極Ｌyにおいて正又は負の電荷が伝送される度に、この電荷若しくはこれに比例した電荷を参照用のキャパシタに移送し、参照用のキャパシタに発生する電圧に応じた信号を出力する。例えば、ＣＶ変換回路は、検出電極Ｌyにおいて周期的に伝送される電荷若しくはこれに比例した電荷の積算値や平均値に応じた信号を出力する。ＡＤ変換回路は、処理部２０の制御に従って、ＣＶ変換回路の出力信号を所定の周期でデジタル信号に変換し、検出データとして出力する。 【００２５】 なお、上述の例において示したセンサ部１０は、電極間（Ｌx，Ｌy）に生じる静電容量（相互容量）を容量性センサ素子として利用し、その静電容量の変化によって物体の近接を検出するものであるが、この例に限らず、他の種々の方式によって物体の近接を検出してもよい。例えば、センサ部１０は、物体の接近によって電極とグランドの間に生じる静電容量（自己容量）を検出する方式でもよい。自己容量を検出する方式の場合、検出電極に駆動電圧が印加される。 【００２６】 ［処理部２０］ 処理部２０は、入力装置の全体的な動作を制御する回路であり、例えば、記憶部３０に格納されるプログラムの命令コードに従って処理を行うＣＰＵや、特定の機能を実現するロジック回路を含んで構成される。処理部２０の処理は、全てＣＰＵにおいてプログラムに基づいて実現してもよいし、その一部若しくは全部をロジック回路で実現してもよい。 【００２７】 図１の例において、処理部２０は、センサ制御部２１と、ノイズ量算出部２２と、フィルタ部２４と、位置データ算出部２５と、サンプリング周波数選択部２６を有する。 【００２８】 センサ制御部２１は、駆動部１４における駆動電極Ｌxの選択と駆動電圧の発生、並びに、検出データ生成部１３における電荷のサンプリングと検出データの生成が適切に行われるように、これらの回路を制御する。 【００２９】 センサ制御部２１は、位置データ算出部２５において位置データの算出に用いられる検出データを生成する場合（メインスキャン）、複数の駆動電極Ｌxから順番に一の駆動電極Ｌxを選択し、当該選択した一の駆動電極Ｌxと検出電極Ｌyとが形成するキャパシタ１２に駆動電圧を印加するように駆動部１４を制御する。 この場合、センサ制御部２１は、サンプリング周波数選択部２６によって選択された一定のサンプリング周波数で駆動電圧を変化させるように駆動部１４を制御する。また、センサ制御部２１は、駆動電圧の変化と同期したタイミングで各検出電極Ｌyにおいて伝送される電荷をサンプリングし、当該サンプリングの結果に応じた各検出電極Ｌyの検出データを生成するように検出データ生成部１３を制御する。 【００３０】 他方、センサ制御部２１は、ノイズ量算出部２２おいて一の瞬時ノイズ量ＮDFの算出に用いられる複数の検出データを生成する場合（ノイズスキャン）、検出電極Ｌyへのノイズの入力がなければ検出電極Ｌyにおいて伝送される電荷がほぼ同一になるように、複数の検出データの各々を生成する際の駆動部１４における駆動電圧の印加条件を設定する。これにより、複数の検出データに生じた差異に基づいて、検出電極Ｌyに入力されたノイズの大きさを算出することが可能となる。 【００３１】 具体的には、センサ制御部２１は、ノイズ量算出部２２おいて一の瞬時ノイズ量ＮDFの算出に用いられる複数の検出データを生成する場合、複数の駆動電極Ｌxの少なくとも一部と検出電極Ｌyとが形成する複数のキャパシタ１２に共通の駆動電圧を印加するように駆動部１４を制御する。この場合の駆動電圧は、検出データ生成部１３と同じサンプリング周波数で変化させてもよいし、一定に保ってもよい。あるいは、センサ制御部２１は、複数の駆動電極Ｌxの少なくとも一部をフローティング状態にしてもよい。 センサ制御部２１は、上述した駆動部１４の制御と並行して、検出データ生成部１３の制御も行う。すなわち、センサ制御部２１は、各検出電極Ｌyにおいて伝送される電荷を一定の周波数でサンプリングし、当該サンプリングの結果に応じた検出データを各検出電極Ｌyについて生成するように検出データ生成部１３を制御する。 【００３２】 また、センサ制御部２１は、瞬時ノイズ量ＮDFの算出に用いられる各検出電極Ｌyの検出データを生成する上述した動作を、所定の複数のサンプリング周波数についてそれぞれ複数回行うように、検出データ生成部１３を制御する。これにより、各検出電極Ｌyの瞬時ノイズ量ＮDFの算出に必要な検出データが、複数のサンプリング周波数についてそれぞれ生成される。 【００３３】 更に、センサ制御部２１は、位置データ算出部２５において位置データの算出に用いられる検出データを周期ＴREPORTごとに生成するとともに、ノイズ量算出部２２において一の瞬時ノイズ量ＮDFの算出に用いられる複数の検出データを生成する動作を周期ＴREPORTごとに少なくとも１回行うように駆動部１４及び検出データ生成部１３を制御する。 【００３４】 ノイズ量算出部２２は、センサ部１０において生成された検出データに含まれるノイズ量を算出する。具体的には、ノイズ量算出部２２は、瞬時ノイズ量算出部２２１とノイズ量平均化部２２２を有する。 【００３５】 瞬時ノイズ量算出部２２１は、センサ部１０においてノイズ量の算出用に生成された複数の検出データに基づいて、それらの差異に応じた瞬時ノイズ量ＮDFを算出する。例えば、２つの検出データが生成される場合、瞬時ノイズ量算出部２２１は、２つの検出データの差の絶対値を瞬時ノイズ量ＮDFとして算出する。また、３以上の検出データが生成される場合、瞬時ノイズ量算出部２２１は、複数の検出データにおける最大値と最小値との差の絶対値や、複数の検出データのばらつきを示す統計量（分散、標準偏差など）を瞬時ノイズ量ＮDFとして算出してもよい。 【００３６】 瞬時ノイズ量算出部２２１は、センサ部１０に設けられた複数の検出電極Ｌyの各々について瞬時ノイズ量ＮDFの算出用に複数の検出データが生成されると、上述した複数の検出データの差異に応じた瞬時ノイズ量ＮDFの算出を検出電極Ｌyごとに行う。そして、瞬時ノイズ量算出部２２１は、複数の検出電極Ｌyについて算出した複数の瞬時ノイズ量ＮDFのうち、最も値の大きい瞬時ノイズ量（ＮDFＭＡＸ）を、瞬時ノイズ量の算出結果として選択する。 【００３７】 また、瞬時ノイズ量算出部２２１は、複数のサンプリング周波数についてそれぞれノイズ量算出用の各検出電極Ｌyの検出データが生成されると、上述した瞬時ノイズ量ＮDFの算出をサンプリング周波数ごとに行う。 【００３８】 ノイズ量平均化部２２２は、瞬時ノイズ量算出部２２１において繰り返し算出される瞬時ノイズ量（ＮDFＭＡＸ）に平均化処理を施す。例えば、ノイズ量平均化部２２２は、瞬時ノイズ量算出部２２１において算出された一連の所定数の瞬時ノイズ量（ＮDFＭＡＸ）を積算し、平均化されたノイズ量ＮVとして出力する。なお、瞬時ノイズ量ＮDFの平均化の方法は、単純な積算に限らず、任意の平均化処理によって行ってもよい。例えば、所定数の瞬時ノイズ量ＮDFを積算した結果に対して、更に適当な平均化処理（加重平均など）を施してもよい。 【００３９】 フィルタ部２４は、センサ部１０から出力される位置データ算出用の検出データに含まれるノイズを、ローパスフィルタ処理によって減衰させる。これにより、検出データに含まれる高い周波数のノイズ成分が低減される。 【００４０】 また、フィルタ部２４は、ノイズ量算出部２２において算出されたノイズ量ＮVに応じて、ローパスフィルタ処理におけるノイズの減衰特性を変更する。すなわち、フィルタ部２４は、ノイズ量ＮVが大きいほどノイズの減衰量が大きくなり、ノイズ量ＮVが小さいほどノイズの減衰量が小さくなるように、ローパスフィルタ処理におけるノイズの減衰特性を変更する。具体的には、フィルタ部２４は、ノイズ量ＮVが大きいほどカットオフ周波数が低くなり、ノイズ量ＮVが小さいほどカットオフ周波数が高くなるように、ローパスフィルタ処理の減衰特性を変更する。 フィルタ部２４は、例えば次の式で表されるローパスフィルタ処理を行う。 【００４１】 ［図：0001411095000002.jpg］ 【００４２】 式（１）において、「ＳＤ」はローパスフィルタ処理の対象とする検出データ（対象値）を示し、「Ｋ」は係数を示し、「ＦＳＤOLD」はローパスフィルタ処理の直近の処理結果を示し、「ＦＳＤNEW」はローパスフィルタ処理の新たな処理結果を示す。式（１）によれば、フィルタ部２４は、検出データＳＤに重み係数「１／Ｋ」を乗じて得た値と、ローパスフィルタ処理の直近の処理結果ＦＳＤOLDに重み係数「（Ｋ－１）／Ｋ」を乗じて得た値とを加算することにより、ローパスフィルタ処理の新たな処理結果ＦＳＤNEWを算出する。 【００４３】 フィルタ部２４は、式（１）における係数Ｋを、ノイズ量算出部２２において算出されたノイズ量ＮVに応じて変更する。すなわち、フィルタ部２４は、ノイズ量ＮVが大きくなるほど係数Ｋを増大させ、ノイズ量ＮVが小さくなるほど係数Ｋを減少させる。例えばフィルタ部２４は、適当な比例定数αによって、係数Ｋをノイズ量ＮVに比例して変化させる。この場合、係数Ｋは次の式で表される。 【００４４】 ［図：0001411095000003.jpg］ 【００４５】 式（１），式（２）によれば、ノイズ量ＮVが大きくなるほど、検出データＳＤの重み係数「１／Ｋ」に対して直近の処理結果ＦＳＤOLDの重み係数「（Ｋ－１）／Ｋ」が相対的に増大するため、カットオフ周波数が低域にシフトして、ノイズの減衰量が大きくなる。また、ノイズ量ＮVが小さくなるほど、検出データＳＤの重み係数「１／Ｋ」に対して直近の処理結果ＦＳＤOLDの重み係数「（Ｋ－１）／Ｋ」が相対的に減少するため、カットオフ周波数が高域にシフトし、ノイズの減衰量が小さくなる。 【００４６】 位置データ算出部２５は、センサ部１０から出力される複数の検出位置における検出データに基づいて、物体の近接位置を示す位置データを算出する。例えば、位置データ算出部２５は、センサ部１０の検出結果に基づいて、操作面上の各位置において物体が近接しているか否かを示す２次元データを生成し、記憶部３０に格納する。位置データ算出部２５は、この２次元データに基づいて、物体が近接している操作面上の領域を特定し、その領域の位置を示す座標（例えば領域の重心の座標）を位置データとして算出する。 【００４７】 サンプリング周波数選択部２６は、所定の複数のサンプリング周波数についてそれぞれノイズ量算出部２２により算出されたノイズ量ＮVに応じて、ノイズが相対的に最も小さいサンプリング周波数を選択する。サンプリング周波数選択部２６において低ノイズのサンプリング周波数が選択されると、フィルタ部２４は、当該選択されたサンプリング周波数について算出されたノイズ量ＮVに応じて、ローパスフィルタ処理の減衰特性の変更を行う。また、センサ制御部２１は、位置データ算出部２５において位置データの算出に用いられる検出データを生成する場合（メインスキャン）、当該選択されたサンプリング周波数で駆動電圧を変化させるように、駆動部１４を制御する。 【００４８】 ［記憶部３０］ 記憶部３０は、処理部２０において処理に使用される定数データや変数データを記憶する。処理部２０がＣＰＵを含む場合、記憶部３０はそのＣＰＵにおいて実行されるプログラムを記憶してもよい。記憶部３０は、例えば、ＤＲＡＭやＳＲＡＭなどの揮発性メモリ、フラッシュメモリなどの不揮発性メモリを含んで構成される。 【００４９】 ［インターフェース部４０］ インターフェース部４０は、入力装置と他の制御装置（入力装置を搭載する情報機器のコントロール用ＩＣなど）との間でデータをやり取りするための回路である。処理部２０は、記憶部３０に記憶される情報（物体の位置データ、物体数など）をインターフェース部４０から図示しない制御装置へ出力する。」 エ 「【００７４】 サンプリング周波数選択部２６においてメインスキャン用の新しいサンプリング周波数が選択されると、フィルタ部２４は、ローパスフィルタ処理の減衰特性に関わる係数を、当該選択されたサンプリング周波数についてノイズ量算出部２２が算出したノイズ量ＮVに基づいて新たに設定する（ＳＴ１４５）。例えばフィルタ部２４は、式（１）におけるローパスフィルタ処理の係数Ｋを、式（２）における「Ｋ＝α・ＮV」の関係により、ノイズ量ＮVに基づいて新たに設定する。」 オ 図８ ［図：0001411095000004.jpg］ カ 「【００８０】 図８は、式（１）に示すローパスフィルタ処理の係数Ｋと応答遅延及びノイズ低減効果との関係を示す図である。図８において、曲線ＣＶ１は応答遅延（フィルタ処理後の検出データが規定値の９０％に達するまでの周期）を示し、曲線ＣＶ２は検出データのノイズ（標準偏差σ）の低減効果を示す。図８において示すように、式（１）に示すローパスフィルタ処理では、係数Ｋを大きくするほどノイズ低減効果が向上するが、応答遅延も増大してしまう。」 （２）引用発明 上記（１）の、特に下線を付加した記載に着目すると、引用文献１には、以下の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。 「センサ部１０と、処理部２０と、記憶部３０と、インターフェース部４０を有する入力装置であって、センサ部１０に指やペンなどの物体を近接させることによって、その近接位置に応じた情報を入力する装置であり、 センサ部１０は、物体の近接に応じて静電容量が変化するキャパシタ（容量性センサ素子）１２がマトリクス状に形成されたセンサマトリクス１１と、キャパシタ１２の静電容量に応じた検出データを生成する検出データ生成部１３等を有しており、 センサマトリクス１１は、縦方向に延在した複数の駆動電極Ｌxと、横方向に延在した複数の検出電極Ｌyを備えており、 検出データ生成部１３は、駆動部１４の駆動電圧の周期的な変化と同期したタイミングで、各検出電極Ｌyにおいて伝送される電荷をサンプリングし、そのサンプリングの結果に応じた検出データを生成しており、 センサ部１０は、電極間（Ｌx，Ｌy）に生じる静電容量（相互容量）を容量性センサ素子として利用し、その静電容量の変化によって物体の近接を検出するものであり、 処理部２０は、センサ制御部２１と、ノイズ量算出部２２と、フィルタ部２４と、位置データ算出部２５と、サンプリング周波数選択部２６を有しており、 ノイズ量算出部２２は、センサ部１０において生成された検出データに含まれるノイズ量を算出するものであり、ノイズ量算出部２２は、瞬時ノイズ量算出部２２１とノイズ量平均化部２２２を有しており、瞬時ノイズ量算出部２２１は、２つの検出データの差の絶対値を瞬時ノイズ量ＮDFとして算出し、ノイズ量平均化部２２２は、瞬時ノイズ量算出部２２１において算出された一連の所定数の瞬時ノイズ量（ＮDFＭＡＸ）を積算し、平均化されたノイズ量ＮVとして出力しており、 フィルタ部２４は、センサ部１０から出力される位置データ算出用の検出データに含まれるノイズを、ローパスフィルタ処理によって減衰させるものであり、これにより、検出データに含まれる高い周波数のノイズ成分が低減され、 フィルタ部２４は、検出データＳＤに重み係数「１／Ｋ」を乗じて得た値と、ローパスフィルタ処理の直近の処理結果ＦＳＤOLDに重み係数「（Ｋ－１）／Ｋ」を乗じて得た値とを加算することにより、ローパスフィルタ処理の新たな処理結果ＦＳＤNEWを算出するものであり、 位置データ算出部２５は、センサ部１０の検出結果に基づいて、操作面上の各位置において物体が近接しているか否かを示す２次元データを生成し、この２次元データに基づいて、物体が近接している操作面上の領域を特定し、その領域の位置を示す座標（例えば領域の重心の座標）を位置データとして算出するものであり、 フィルタ部２４は、ノイズ量算出部２２において算出されたノイズ量ＮVに応じて、ローパスフィルタ処理におけるノイズの減衰特性を変更しており、フィルタ部２４は、ローパスフィルタ処理の減衰特性に関わる係数Ｋを、式「Ｋ＝α・ＮV」の関係により、ノイズ量ＮVに基づいて新たに設定しており、 ローパスフィルタ処理の係数Ｋと応答遅延及びノイズ低減効果との関係において、ローパスフィルタ処理では、係数Ｋを大きくするほどノイズ低減効果が向上するが、応答遅延も増大する 入力装置。」 ２ 引用文献２ 原査定の拒絶理由において、引用された引用文献２（国際公開第２０１８／１９３７１１号）には、次の事項が記載されている。 ア 「技術分野 [0001] 本発明は、タッチセンサ式電子デバイスとその制御技術に関する。 背景技術 [0002] 近年、携帯端末、タブレット端末、ノート型パーソナルコンピュータ（ＰＣ）など、タッチパネル式のユーザインターフェースが普及している。タッチセンサには種々の方式があるが、このうち静電容量方式は、操作面に接触または近接するユーザの指先等による静電容量の変化に基づいて、入力操作を検出する。タッチセンサ式表面の他に非接触検出手段を設けてタッチ位置と非接触位置を同時および／または交互に判定する構成が知られている（たとえば、特許文献１参照）。また、タッチセンサ用の電極ペアに加えて近接センサ用の電極ペアを設けて、ユーザがディスプレイパネルに近接したことを検出する方法が提案されている（たとえば、特許文献２参照）。 先行技術文献 特許文献 [0003] 特許文献１：特表２０１５－５０５３９３号公報 特許文献２：特許第５６３２８５４号（国際公開第２０１１／０５５５３４号） 発明の概要 発明が解決しようとする課題 [0004] 上述した公知の構成では、タッチ検出用のセンサとは別に、近接状態または非接触位置を検出するための手段が設けられており、構成が複雑かつコストが高くなる。一般に、同一のセンサで近接状態とタッチ状態を検出する場合、１回のセンス時間を時分割して、近接センスとタッチセンスを交互に行うことが考えられる。この場合、駆動及びセンシングのサイクルごとに近接状態の検出動作とタッチ状態の検出動作が交互に行われる。このような時分割方式では、信号対雑音比（Ｓ／Ｎ比）が悪化しやすい近接センスの回数が限られ、検出精度を高く維持することが難しい。 [0005] 本発明は、同一のセンサ手段で近接状態とタッチ状態を検出し、近接状態とタッチ状態の双方を精度良く検出することのできるタッチセンサ式電子デバイスとその制御方法を提供することを目的とする。」 イ 図１ ［図：0001411095000005.jpg］ ウ 「[0011] 図１は、実施形態のタッチセンサ式電子デバイスの基本的な動作を説明する図である。ユーザは指９０などの操作体を用いて、操作面１１１から入力動作を行う。操作面１１１は、スマートフォンやタブレット等の携帯端末、車載ナビゲーション装置、ＡＴＭ、家電などに用いられるタッチパネルの表面である。タッチパネルはタッチセンサ方式のユーザインターフェースであり、抵抗膜方式、赤外線方式、超音波方式など種々の方式があるが、実施形態では静電容量方式のタッチセンサを用いる。静電容量方式のセンサは、操作体の接触または近接による静電容量の変化に基づいて接触位置または近接位置を検出するものである。」 エ 図２ ［図：0001411095000006.jpg］ オ 「[0012] 図２は、静電容量方式のセンサにおける静電容量の変化を説明する図である。Ｘ方向に延びる電極Ｌｘと、Ｙ方向に延びる電極Ｌｙの交差点において、電極Ｌｘと電極Ｌｙの間に静電容量Ｃｓが生成され、容量性のセンサ素子１２が形成される。互いに直交する複数の電極Ｌｘと複数の電極Ｌｙを用いる場合、複数のセンサ素子がマトリクス状に形成される。一方の電極、たとえば電極Ｌｘを駆動電極として用い、他方の電極、たとえば電極Ｌｙを検出電極として用いることができる。電極Ｌｘに周期的に変化する電圧を印加することでセンサ素子１２の電位が変化し、充放電が起きる。電極Ｌｙで電荷量を検出することでセンサ素子１２における静電容量が検出される。 [0013] 図２（ａ）は、操作パネル１１の近傍に操作体が存在せず、タッチも近接状態も検出されていない状態を示す。操作体が近接しておらずタッチも近接も検出されない区間を、実施例では「非検出区間」と呼ぶ。非検出区間での静電容量Ｃｓは容量変化を算出するための基準となるが、環境の変化に応じて静電容量Ｃｓ自体が変動する。そのため、静電容量様式のセンサの駆動及びセンシングのサイクルで各センサ素子１２の静電容量Ｃｓが検出され、検出値に基づいて基準値が更新される。この基準値は「ベースライン」とも呼ばれる。 [0014] 図２（ｂ）のように、指９０が操作パネル１１の操作面１１１に接触している状態を「タッチ」と呼ぶ。指９０と電極Ｌｙとの間の容量結合により、センサ素子１２の静電容量Ｃｓが大きく変化（増大）する。これに対し、図２（ｃ）では指９０は操作パネル１１の操作面１１１に近接しているが接触していない。以下の実施形態では、指９０などの操作体が操作パネル１１に近接して浮遊している状態を「ホバー（hover）」と呼ぶ。本明細書及び特許請求の範囲で「近接」というときは、「ホバー」状態を指すものとする。ホバーのときも、指９０と電極Ｌｙの間の容量結合によりセンサ素子１２の静電容量Ｃｓが変化する。ホバー時には空気層が介在するので、その静電容量の変化量はタッチの静電容量の変化量と比較して小さい。したがって、異なるレベルの閾値を設定することで、同じセンサマトリクスを用いてホバーとタッチを検出することができる。 [0015] 図１に戻って、タッチセンサ式電子デバイスの立ち上げ時、あるいは電源投入時に静電容量方式のセンサを駆動して、ホバーの検出とタッチの検出を交互に行い、各センサ素子で基準値（ベースライン）の更新を行っておく。ホバーとタッチの各々について駆動及びセンシングのサイクルを所定回数繰り返して静電容量の基準値を現在の値に設定した後、タッチ検出動作をオフにする。 [0016] ＜区間Ａ＞ 区間Ａは、ホバーもタッチも検出されない「非検出区間」である。実施形態の特徴として、区間Ａで静電容量の変化量がホバー検出の閾値Ｔｈ１に達するまでは、もっぱらホバーの検出動作が行われ、タッチ検出の動作は停止されている。区間Ａで、ホバーの駆動／センス動作のたびにホバー用の基準値は更新され、更新後の基準値を用いて各センサ素子の静電容量の変化量が計算される。ホバー用の基準値は、「特許請求の範囲」に記載される「第１の基準値」に対応し、操作体がタッチ検出区間にもホバー検出区間にもないときの静電容量を指す。この間、タッチ検出の動作は停止されており、タッチ用の基準値はセンサの立ち上げ時に設定された値に固定されている。１つのサイクル内でホバー検出だけが行われているので、単位時間当たりのホバー検出の回数を増やすことができ、ホバーの検出精度を上げることができる。特に、１サイクル内でホバーの検出データを平均化することができるので、ホバー検出のＳ／Ｎ比を上げて検出距離を伸ばすことができる。１つのサイクルをホバー検出だけに使用できるので、ホバーの検出タイミングを早めることができる。 [0017] ＜区間Ｂ＞ 静電容量の変化量が閾値Ｔｈ１に達したら、「ホバー」の検出が出力されるとともに、タッチ検出の動作がオンになる。ホバー検出後、タッチが検出されるまでの区間Ｂを「ホバー検出区間」とする。タッチ検出の動作がオンにされたことで、タッチ用の基準値の更新が開始される。タッチ用の基準値は、「特許請求の範囲」に記載される「第２の基準値」に対応し、操作体が操作面１１１に触れていないがホバー検出領域にあるときの静電容量を指す。タッチ用の基準値がタッチ検出の閾値Ｔｈ２に達したら、「タッチ」の検出が出力される。ホバーの検出により、ホバー用の基準値の更新は停止されるが、ホバー検出の動作は継続される。基準値の更新を停止することで、指９０などの操作体が同じ位置にあるにもかかわらず基準値が変わって別の検出結果が出力されることを防止できる。 [0018] 区間Ｂでは、タッチ動作とホバー動作の両方が行われている。区間Ｂでは、操作体が速やかに操作面１１１まで移動する場合と、操作体がタッチに至らない状態で操作面１１１の近傍をさまよう場合があり得る。後者は、ユーザがアイコン等の所望の入力項目を探している、あるいはどの入力項目を選択するか迷っている等の場合である。このため、ホバー検出動作とタッチ検出動作の両方をオンにし、正確なタッチ検出のためにタッチ用の基準値を更新する。タッチ検出が必要になった時点で、初期設定で固定されていた基準値から今回の駆動／センスサイクルのための基準値に更新され、動作切り替えのための特別な処理は不要である。 [0019] ＜区間Ｃ＞ 静電容量の変化量が、閾値Ｔｈ１よりも大きい閾値Ｔｈ２に達したら、「タッチ」の検出が出力されるとともに、ホバー動作が停止される。タッチの検出からタッチリリースの検出までの区間Ｃは、もっぱらタッチが検出される「タッチ検出区間」である。タッチが検出されたことにより、タッチ用の基準値の更新が停止される。ホバー用の基準値はホバー検出直後の値に固定されたままである。これにより、タッチ中に基準値が変動することによる誤検出を防止する。区間Ｃでは、ホバー検出が実施されず１サイクルをタッチの検出だけに用いることができるので、細かいタイミングでタッチ検出を行うことができる。 [0020] ＜区間Ｄ＞ タッチ検出後、静電容量の変化量がタッチリリース検出用の閾値Ｔｈ３よりも小さくなったら、「タッチリリース」が出力される。これと同時に、ホバー検出動作がオンになり、かつタッチ用の基準値の更新が再開される。ここで、「タッチリリース」とは、指等の操作体がいったん操作面１１１に接触したあとに、接触面から離れることを意味し、「特許請求の範囲」に記載される「接触のリリース」と同義である。タッチリリースの検出からホバーリリースの検出までの区間Ｄは、ホバー状態が検出されている「ホバー検出区間」である。ホバー動作に関して基準値の変動による誤検出がなされることを防止するため、ホバー用の基準値は固定されている。 [0021] タッチリリース検出用の閾値Ｔｈ３は、タッチ検出の閾値Ｔｈ２よりも小さく、ホバー検出の閾値Ｔｈ１よりも大きい。区間Ｄでは指９０などの操作体がそのまま操作面１１１から離れていく場合と、操作面１１１に戻る場合があり得えるので、１つの駆動／センスサイクル内でタッチ検出動作とホバー検出動作が行われる。今回のサイクルでのタッチ検出のためにタッチ用の基準値は更新され、動作切り替えのための特別な処理は不要である。 [0022] ＜区間Ｅ＞ 静電容量の変化量が、ホバーリリース検出のための閾値Ｔｈ４よりも小さくなったら、「ホバーリリース」を出力するとともに、タッチ検出動作をオフにして、ホバー用の基準値の更新を再開する。タッチ検出動作のオフにともなって、タッチ用の基準時の更新も停止される。「ホバーリリース」とは、ホバー検出領域内に存在していた操作体が、ホバー検出領域の外部に離れることを意味し、「特許請求の範囲」に記載される「近接のリリース」と同義である。ホバーリリースの検出後は、指９０などの操作体は操作面１１１に近接しておらず、区間Ｅは「非検出区間」となる。 [0023] ホバーリリース検出用の閾値Ｔｈ４は、タッチリリース検出量の閾値Ｔｈ３よりも小さく、かつ、ホバー検出用の閾値Ｔｈ１よりも小さい。静電容量の変化量が次に閾値Ｔｈ１よりも大きくなるまでは「非検出区間」が続き、区間Ｅでは、もっぱらホバー検出が行われる。１つのサイクル内でホバー検出だけが行われているので、単位時間当たりのホバー検出動作の回数が増え、ホバーの検出精度を上げることができる。特に、検出データを平均化することで、ホバー検出のＳ／Ｎ比を上げて検出距離を伸ばすことができる。また、１つのサイクルをホバー検出だけに使用できるので、ホバーの検出タイミングを早めることができる。」 カ 図３ ［図：0001411095000007.jpg］ キ 「[0024] 図３は、図１の動作の前提となるタッチとホバーの検出方式を説明する図である。図３（Ａ）はタッチ検出動作時のデータ収集方式、図３（Ｂ）はホバー検出動作時のデータ収集方式である。静電容量方式のセンサを用いた操作パネル１１で、検出点１５はマトリクス状に配置されている。マトリクス状の検出点１５は、図２のＸ方向に延びる複数の電極Ｌｘと、Ｙ方向に延びる複数の電極Ｌｙの交点に対応し、各検出点１５に容量性のセンサ素子１２が形成される。図３（Ａ）のタッチ検出モードでは、各検出点１５で独立してデータが採取される。この例では１２×１６点でデータ、すなわち静電容量が採取される。各検出点での静電容量の変化量を求めるための基準値は、非検出の状態で各検出点に設定された基準値である。 [0025] 図３（Ｂ）のホバー検出モードでは、複数の検出点１５をまとめて所定の面積の領域１７を形成し、領域１７ごとに駆動及びセンシングを行う。この構成例によると、４×３点のデータを採取するだけでよく、ホバー検出モードでの駆動／センス回数は、タッチ検出モードでの駆動／センス回数の１／１６になる。ホバー状態では、ユーザの指先または操作体は操作パネルの表面から一定の範囲内で離隔しているため、指先でカバーされる領域が広くなり、図３（Ｂ）のような一括検出が有効である。 [0026] ホバー検出での静電容量の変化量の算出の基準となる基準値は、領域１７ごとに設定される。領域１７の数は、検出点１５の数と比較して格段に少なくなり、操作面の全面を駆動／センスする速度、換言すると単位時間あたりの検出レートが大幅に向上する。各領域１７の検出値としては、領域１７に含まれる検出点（センサ素子）の検出値の平均値を用いてもよい。ホバーの検出レートが上がることで平滑化処理が可能になり、Ｓ／Ｎ比を改善して検出距離を伸ばすことができる。また、領域１７ごとにホバー状態を検出することで、操作パネル上でユーザが狙いとするポイントを絞り込むことができる。 [0027] 図１でホバー検出動作が行われるときは図３（Ｂ）の方式で駆動と検出が行われ、タッチ検出動作が行われるときは図３（Ａ）の方式で駆動と検出が行われる。特に、区間Ａと区間Ｅでは、もっぱらホバー検出動作が行われ、１サイクルの時間全体をホバー検出で占有して検出レートを上げることができる。区間Ｃは、もっぱらタッチ検出動作が行われ、１サイクルの時間全体をタッチ検出で占有することができる。操作画面全体のタッチ検出にかかる時間が短縮され、細かいタイミングでタッチ位置を検出することができる。区間Ｂと区間Ｄでは、ホバー検出動作とタッチ検出動作が交互に（たとえば時分割で）行われるが、ホバー検出のサイクルがタッチ検出のサイクルと比較して格段に短く、ホバー検出の回数を増やすことができる。」 第５ 対比・判断 １ 本願発明１ （１）対比 本願発明１と引用発明とを対比すると、次のことが認められる。 ア 引用発明は、「センサ部１０」等「を有する入力装置であって、センサ部１０に指やペンなどの物体を近接させることによって、その近接位置に応じた情報を入力する装置であり、」「センサ部１０は、物体の近接に応じて静電容量が変化するキャパシタ（容量性センサ素子）１２がマトリクス状に形成されたセンサマトリクス１１と、キャパシタ１２の静電容量に応じた検出データを生成する検出データ生成部１３等を有しており、センサマトリクス１１は、縦方向に延在した複数の駆動電極Ｌxと、横方向に延在した複数の検出電極Ｌyを備えており、」「センサ部１０は、電極間（Ｌx，Ｌy）に生じる静電容量（相互容量）を容量性センサ素子として利用し、その静電容量の変化によって物体の近接を検出するものであ」るとされている。 ここで、引用発明の「縦方向に延在した複数の駆動電極Ｌxと、横方向に延在した複数の検出電極Ｌyを備え」た「センサマトリクス１１」は、本願発明１の「検出電極を有するセンサ部」に相当する。 また、引用発明の「キャパシタ１２」（「電極間（Ｌx，Ｌy）に生じる静電容量（相互容量）を容量性センサ素子として利用」）「の静電容量に応じた検出データを生成する検出データ生成部１３」は、本願発明１の「前記センサ部の検出電極の静電容量値を検出する静電容量検出部」に相当する。 さらに、引用発明の「静電容量の変化によって物体の近接を検出する」「センサ部１０」等「を有する入力装置」は、本願発明１の「静電容量式センサ」に対応する。 したがって、本願発明１と引用発明とは、「検出電極を有するセンサ部と、前記センサ部の検出電極の静電容量値を検出する静電容量検出部と、」「とを有する静電容量式センサ」である点で共通しているといえる。 イ 引用発明において、「フィルタ部２４は、センサ部１０から出力される位置データ算出用の検出データに含まれるノイズを、ローパスフィルタ処理によって減衰させるものであり、これにより、検出データに含まれる高い周波数のノイズ成分が低減され、フィルタ部２４は、検出データＳＤに重み係数「１／Ｋ」を乗じて得た値と、ローパスフィルタ処理の直近の処理結果ＦＳＤOLDに重み係数「（Ｋ－１）／Ｋ」を乗じて得た値とを加算することにより、ローパスフィルタ処理の新たな処理結果ＦＳＤNEWを算出するものであり、フィルタ部２４は、ノイズ量算出部２２において算出されたノイズ量ＮVに応じて、ローパスフィルタ処理におけるノイズの減衰特性を変更しており、フィルタ部２４は、ローパスフィルタ処理の減衰特性に関わる係数Ｋを、式「Ｋ＝α・ＮV」の関係により、ノイズ量ＮVに基づいて新たに設定しており、ローパスフィルタ処理の係数Ｋと応答遅延及びノイズ低減効果との関係において、ローパスフィルタ処理では、係数Ｋを大きくするほどノイズ低減効果が向上するが、応答遅延も増大する」とされている。 ここで、引用発明の「ローパスフィルタ処理の係数Ｋ」は、本願発明１の「フィルタパラメータ」に対応し、引用発明の「フィルタ部２４は、検出データＳＤに重み係数「１／Ｋ」を乗じて得た値と、ローパスフィルタ処理の直近の処理結果ＦＳＤOLDに重み係数「（Ｋ－１）／Ｋ」を乗じて得た値とを加算することにより、ローパスフィルタ処理の新たな処理結果ＦＳＤNEWを算出する」ことは、本願発明１の「フィルタパラメータを用いて時間方向のフィルタ処理を施すことによりフィルタ計算値を計算する」ことに対応するといえる。 したがって、本願発明１と引用発明とは、「フィルタパラメータを用いて時間方向のフィルタ処理を施すことによりフィルタ計算値を計算するフィルタ計算部」「を有する」点で共通しているといえる。 ウ 引用発明において、「位置データ算出部２５は、センサ部１０の検出結果に基づいて、操作面上の各位置において物体が近接しているか否かを示す２次元データを生成し、この２次元データに基づいて、物体が近接している操作面上の領域を特定し、その領域の位置を示す座標（例えば領域の重心の座標）を位置データとして算出するものであ」るとされている。 ここで、引用発明において、「センサ部１０の検出結果」は、上記イで述べたように、「検出データＳＤに重み係数「１／Ｋ」を乗じて得た値と、ローパスフィルタ処理の直近の処理結果ＦＳＤOLDに重み係数「（Ｋ－１）／Ｋ」を乗じて得た値とを加算することにより、ローパスフィルタ処理の新たな処理結果ＦＳＤNEWを算出」したものであり、本願発明１の「前記フィルタ計算部により計算されたフィルタ計算値」に対応するといえる。 また、引用発明において、「操作面上の各位置において物体が近接しているか否かを示す２次元データを生成し、この２次元データに基づいて、物体が近接している操作面上の領域を特定し、その領域の位置を示す座標（例えば領域の重心の座標）を位置データとして算出する」ことは、本願発明１の「センサ部周辺の状態を判定する」ことに対応するといえる。 したがって、本願発明１と引用発明とは、「前記フィルタ計算部により計算されたフィルタ計算値に基づいて前記センサ部周辺の状態を判定する判定部とを有する」点で共通しているといえる。 エ 引用発明において、「フィルタ部２４は、ローパスフィルタ処理の減衰特性に関わる係数Ｋを、式「Ｋ＝α・ＮV」の関係により、ノイズ量ＮVに基づいて新たに設定しており、ローパスフィルタ処理の係数Ｋと応答遅延及びノイズ低減効果との関係において、ローパスフィルタ処理では、係数Ｋを大きくするほどノイズ低減効果が向上するが、応答遅延も増大する」とされている。 ここで、引用発明において、「ローパスフィルタ処理の減衰特性に関わる係数Ｋを、式「Ｋ＝α・ＮV」の関係により、ノイズ量ＮVに基づいて新たに設定」することは、本願発明１の「フィルタパラメータを計算する」に対応するから、引用発明も、本願発明１と同様に、「フィルタパラメータを計算するフィルタパラメータ計算部を備え」ているといえる。 また、引用発明において、「ローパスフィルタ処理では、係数Ｋを大きくするほどノイズ低減効果が向上するが、応答遅延も増大する」から、逆に、「係数Ｋ」を小さくすることで、「応答遅延」（応答時間）が短くなることは、当業者にとって明らかであるといえる。 したがって、本願発明１と引用発明とは、「前記フィルタパラメータを計算するフィルタパラメータ計算部を備え、前記フィルタパラメータ計算部は、」「応答時間が短くなるように前記フィルタパラメータを計算する」点で共通しているといえる。 （２）一致点・相違点 本願発明１と、引用発明とは、以下アの点で一致し、以下イの点で相違する。 ア 一致点 「検出電極を有するセンサ部と、 前記センサ部の検出電極の静電容量値を検出する静電容量検出部と、 フィルタパラメータを用いて時間方向のフィルタ処理を施すことによりフィルタ計算値を計算するフィルタ計算部と、 前記フィルタ計算部により計算されたフィルタ計算値に基づいて前記センサ部周辺の状態を判定する判定部とを有する静電容量式センサであって、 前記フィルタパラメータを計算するフィルタパラメータ計算部を備え、 前記フィルタパラメータ計算部は、応答時間が短くなるように前記フィルタパラメータを計算する静電容量式センサ。」 イ 相違点 本願発明１では、「静電容量値と基準値との差分値を計算する差分値計算部」「を有」しており、「前記差分値計算部により計算された差分値に基づいて前記フィルタパラメータを計算」しているのに対し、引用発明では、静電容量値と基準値との差分値を計算する差分値計算部を有しておらず、一連の所定数の瞬時ノイズ量（ＮDFＭＡＸ）を積算して平均化されたノイズ量ＮVに基づいてフィルタパラメータを計算している点。 （３）相違点についての判断 本願発明１の上記相違点に関して、上記第４の２で摘記したように、引用文献２には、静電容量と基準値との差分により、「ホバー」状態や、「タッチ」状態を検出し、ホバー検出の際には、１つのサイクル内でホバー検出だけが行われているので、単位時間当たりのホバー検出動作の回数が増え、ホバーの検出精度を上げることができ、検出データを平均化することで、ホバー検出のＳ／Ｎ比を上げて検出距離を伸ばすことができる旨の記載がある。 ここで、「静電容量と基準値との差分により、「ホバー」状態や、「タッチ」状態を検出」することは、本願発明１の「静電容量値と基準値との差分値を計算する」ことに対応するといえるから、引用文献２には、上記相違点に係る構成の内「静電容量値と基準値との差分値を計算する差分値計算部」に対応する構成が開示されているといえる。 しかし、引用文献２には、上記相違点に係る構成の内「差分値計算部により計算された差分値に基づいて前記フィルタパラメータを計算」することについての開示も示唆もない。 よって、上記相違点に係る構成の内「静電容量値と基準値との差分値」「に基づいて前記フィルタパラメータを計算」する構成は、引用文献１および２のいずれも、記載も示唆もなく、また、当該技術が本願の優先日前に周知であったとも認められない。 したがって、引用発明および引用文献２に記載の事項に基づいて、当業者は本願発明１の相違点に係る構成を容易に想到することができない。 ２ 本願発明２ないし１０ 本願発明２ないし１０は、いずれも、本願発明１を減縮したものであって、本願発明１と同一の構成を備えるものであるから、上記１で述べた本願発明１と同じ理由により、引用発明および引用文献２に記載の事項に基づいて、当業者は本願発明１の相違点に係る構成を容易に発明できたものであるとはいえない。 ３ 本願発明１１および１２ 本願発明１１は、本願発明１の発明のカテゴリを、単に、「静電容量式センサ」から、「静電容量検出方法」の発明へと変更したものであり、本願発明１２は、「静電容量式センサ」から、「静電容量検出プログラム」の発明へと変更したものであるから、本願発明１１および１２は、いずれも、本願発明１と同様に、上記相違点と同様の構成を備えるものであるから、上記１で述べた本願発明１と同様の理由により、引用発明および引用文献２に記載の事項に基づいて、当業者は本願発明１の相違点に係る構成を容易に発明できたものであるとはいえない。 第６ 原査定について 上記第５の１（３）、２および３で述べたように、本願発明１ないし１２はいずれも、引用発明および引用文献２に記載の事項に基づいて、当業者は本願発明１の相違点に係る構成を容易に発明できたものであるとはいえないから、原査定の拒絶の理由（進歩性）は、解消している。 よって、原査定の理由は、維持することはできない。 第７ むすび 以上のとおり、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。 また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり審決する。