2023-011015

特願２０１８－１８８３７４「光源一体型光センシングシステム、及びそれを含む電子機器」拒絶査定不服審判事件〔令和 元年 ５月１６日出願公開、特開２０１９－ ７５５５７〕について、次のとおり審決する。

結 論 本件審判の請求は、成り立たない。

理 由 第１ 手続の経緯 本願は、平成３０年１０月３日（優先権主張 平成２９年１０月１１日（以下「優先日」という。） 韓国）の出願であって、その手続の経緯の概略は、次のとおりである。 令和４年 ７月２５日付け：拒絶理由通知書 同年１０月２８日 ：意見書、手続補正書の提出 令和５年 ２月１７日付け：拒絶査定（以下「原査定」という。） （同年 ３月 ７日 ：原査定の謄本の送達） 同年 ７月 ３日 ：審判請求書、手続補正書の提出 同年 ９月２１日付け：前置報告書 同年１１月１５日 ：上申書の提出 令和６年 ８月３０日付け：令和５年７月３日提出の手続補正書によりされた補正の却下の決定 同日付け：拒絶理由通知書 同年１１月１４日 ：意見書、手続補正書の提出 第２ 本願発明 本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、令和６年１１月１４日に提出された手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるものであると認められるところ、その請求項１の記載は、次のとおりである。 「【請求項１】 基板と、 前記基板上に位置し、第１光軸を有するように配列された複数の発光素子と、 前記基板上に位置し、前記第１光軸と平行な第２光軸を有するように配列された複数の受光素子と、を含み、 前記発光素子の下に設けられた層と前記受光素子とは、前記基板上に形成された前記受光素子をなす受光物質層を共通に含むとともに、前記発光素子は前記受光物質層の一部領域上に形成された発光物質層をさらに含む光センシングシステム。」 第３ 当審において通知した拒絶の理由の概要 本願発明は、令和６年１１月１４日に提出された手続補正書による補正前の請求項１に係る発明（令和４年１０月２８日に提出された手続補正書による補正後のもの）を補正したものであるところ、当審において令和６年８月３０日付け拒絶理由通知書で当該補正前の請求項１に係る発明に対して通知した拒絶の理由（以下「当審拒絶理由」という。）の概要は、次の概要の理由４を含むものである。 理由４（進歩性）この出願の請求項１に係る発明は、その優先日前に日本国内又は外国において、頒布された刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明である引用文献２に記載された発明及び周知技術に基いて、その優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。 記 ＜引用文献一覧＞ ２．特開平８－２８８５４０号公報 第４ 当合議体の判断 当合議体は、以下に示すとおり、本願発明は、引用文献２に記載された発明及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない、と判断する。 １ 引用文献２に記載された事項及び引用発明等の認定 (１) 引用文献２に記載された事項 当審拒絶理由で引用され、本願の優先日前に発行された前記引用文献２（特開平８－２８８５４０号公報）には、以下の事項が記載されている。下線は当合議体が付したものである。 ア 請求項１ 「【請求項１】基板上に、受光素子群と面発光レーザ群とが空間的に分離した状態で、かつモノリシックに配列されていることを特徴とする並列発光／受光アレイ一体化素子。」 イ 産業上の利用分野 「【０００１】 【産業上の利用分野】本発明は、一つの基板上に受光素子群と面発光レーザ群とをモノリシックに集積化した並列発光／受光アレイ一体化素子に関するものである。」 ウ 発明が解決しようとする課題及び課題を解決するための手段 「【０００３】 【発明が解決しようとする課題】本発明は、図２に示すように、基板１上の同一チップ７上に、面発光レーザ１０および面型受光素子９をアレイ化して集積し、さらに駆動・受信回路８をモノリシックに集積した構成の素子であり、低コストで、よりコンパクトで、かつ作製の手間の少ない光インターコネクション用の発光／受光アレイ一体化素子を提供することを目的とする。 【０００４】 【課題を解決するための手段】前記課題を解決するために、本発明の請求項１の並列発光／受光アレイ一体化素子は、基板上に、受光素子群と面発光レーザ群とが空間的に分離した状態で、かつモノリシックに配列されていることを特徴とする。」 エ 実施例２ 「【００１７】（実施例２）図４（ａ），（ｂ）は、本発明の第２の実施例を説明する図である。本実施例は、受光素子としてＭＳＭ３３を用いているものである。本実施例では、図４（ａ）に示すように、半絶縁性ＧａＡｓ基板３６を用い、ｉ－ＧａＡｓ層３４を結晶成長し、ＩｎＧａＰ層３９を成長後、引き続き、ｐ－Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ａｓ／ＡｌＡｓ多層膜からなる第一の光反射層４０、活性層を含む光学波長ｍλ（λは発振波長）のスペーサ層３７、ｎ－Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ａｓ／ＡｌＡｓ多層膜からなる第二の光反射層４２を結晶成長する。次に、チップサイズ３ｍｍ角の半分の面積をｉ－ＧａＡｓ層３４の上部までエッチングにより除去し、素子径２０μｍ、間隔が２５０μｍとなるように、レジスト／ＳｉＯ2からなるマスクを面発光レーザ上に形成する。引き続き、加速電圧３８０および８０ｋｅＶ、ドーズ量２×１０14ｃｍ-3でＨ+イオン注入、および素子間分離のために、加速電圧８０ｋｅＶ、ドーズ量２×１０14ｃｍ-3で、Ｏ+イオン注入を行い、イオン注入領域３８を形成する。マスク剥離後、ＭＳＭ３３に対応するように、Ａｕからなる櫛型電極をｉ－ＧａＡｓ層３４上に形成し、ＡＲコート３２を形成した後、ｎ電極３１とするＡｕＺｎ／Ｎｉ／Ａｕと、Ｃｒ／Ａｕよりなる電極３５と、ｐ電極４１とするＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕを形成し、水素雰囲気中４１５℃で５分間アニールする。 【００１８】駆動・受信回路４３は、ＭＳＭフォトダイオードと同様に、ｉ－ＧａＡｓ層３４を用い、ＦＥＴ（トランジスタ）および抵抗等で回路を構築する。 【００１９】図４（ｂ）は、発光および受光素子部を説明するための回路図である。アース端子４５の取り出しは、図４（ａ）に明らかなように、面発光レーザアレイ４４は第一の光反射層４０上の電極４１から、ＭＳＭフォトダイオードアレイ４６はｉ－ＧａＡｓ層上の電極３５から、それぞれ行っている。 【００２０】このようにして作製された並列発光／受光アレイ一体化素子は、前述した第１および第２の実施例と同様な効果が確認された。」 「 ［図：0001425018000001.jpg］ 」 オ 符号の説明 「【符号の説明】 ・・・（中略）・・・ ３１ Ａｕよりなる電極 ３２ ＡＲコート ３３ ＭＳＭ受光素子 ３４ ｉ－ＧａＡｓ層 ３５ アース電極 ３６ 半絶縁性ＧａＡｓ基板 ３７ 活性層を含む光学波長ｍλのスペーサ層 ３８ イオン注入領域 ３９ ＩｎＧａＰ層 ４０ 第一の光反射層 ４１ アース電極 ４２ 第二の光反射層 ４３ トランジスタ（ＦＥＴ）および抵抗等からなる駆動・受信回路 ４４ 面発光レーザアレイ ４５ アース端子 ４６ ＭＳＭフォトダイオードアレイ ・・・（後略）・・・」 (２) 引用文献２に記載された事項から当業者が把握できる事項 ア 図４において、４４は面発光レーザアレイを、４０は第一の光反射層を、３７は活性層を含む光学波長ｍλのスペーサ層を、４２は第二の光反射層を、それぞれ示すところ（【符号の説明】）、当業者は、第一の光反射層４０、活性層を含むスペーサ層３７及び第二の光反射層４２により面発光レーザを構成することを把握することができる。 イ 図４において、４４は面発光レーザアレイを、４６はＭＳＭフォトダイオードアレイをそれぞれ示すところ（【符号の説明】）、図４には面発光レーザアレイ４４を構成する面発光レーザから上向きに伸びる矢印が、ＭＳＭフォトダイオードアレイ４６を構成するＭＳＭフォトダイオードに向かう下向きの矢印がそれぞれ図示されており、これらの矢印が光の向きを表すことは明らかである。そして、面発光レーザアレイ４４を構成する面発光レーザの上面と、ＭＳＭフォトダイオードアレイ４６を構成するＭＳＭフォトダイオードの上面は、いずれもこれらの矢印と略垂直であることが見て取れることから、当業者は、面発光レーザアレイ４４の光軸とＭＳＭフォトダイオードアレイ４６の光軸は平行であることを把握することができる。 (３) 引用発明の認定 前記(１)に摘記した引用文献２の記載事項及び前記(２)で認定した引用文献２の記載事項から当業者が把握できる事項を総合すると、引用文献２には、実施例２（図４）の実施形態に係る並列発光／受光アレイ一体化素子について、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる（引用発明等の認定に用いた箇所の段落番号等を参考までに括弧内に付してある。）。 ＜引用発明＞ 「基板上に、受光素子群と面発光レーザ群とが空間的に分離した状態で、かつモノリシックに配列されている並列発光／受光アレイ一体化素子であって、（【請求項１】） 受光素子としてＭＳＭ３３を用い、 半絶縁性ＧａＡｓ基板３６を用い、ｉ－ＧａＡｓ層３４を結晶成長し、ＩｎＧａＰ層３９を成長後、引き続き、第一の光反射層４０、活性層を含むスペーサ層３７、第二の光反射層４２を結晶成長し、次に、チップサイズ３ｍｍ角の半分の面積をｉ－ＧａＡｓ層３４の上部までエッチングにより除去し、マスクを面発光レーザ上に形成し、引き続き、イオン注入領域３８を形成し、マスク剥離後、ＭＳＭ３３に対応するように、Ａｕからなる櫛型電極をｉ－ＧａＡｓ層３４上に形成し、（【００１７】） 第一の光反射層４０、活性層を含むスペーサ層３７及び第二の光反射層４２により面発光レーザを構成し、（前記(２)ア） 面発光レーザアレイ４４の光軸とＭＳＭフォトダイオードアレイ４６の光軸は平行である、（前記(２)イ） 並列発光／受光アレイ一体化素子」 ２ 対比 (１) 対比分析 本願発明と引用発明を対比する。 ア 本願発明の「光センシングシステム」との発明特定事項について (ア) 引用発明の「並列発光／受光アレイ一体化素子」は、光を使ったシステムであるといえるから、本願発明の「光センシングシステム」と、引用発明の「並列発光／受光アレイ一体化素子」は、「光」「システム」である点で共通する。 (イ) 一方で、本願発明は、光「センシング」システムであるのに対して、引用発明は、「並列発光／受光アレイ一体化素子」であって、センシングのためのシステムであるかどうか不明である点で相違する。 イ 本願発明の「基板と、」「を含み、」との発明特定事項について 引用発明の「基板」である「半絶縁性ＧａＡｓ基板３６」は、本願発明の「基板」に相当する。 したがって、本願発明と引用発明は、「基板と、」「を含［む］」点で一致する。 ウ 本願発明の「前記基板上に位置し、第１光軸を有するように配列された複数の発光素子と、」「を含み、」との発明特定事項について (ア) 引用発明の「面発光レーザ」及び「面発光レーザ群」である「面発光レーザアレイ４４」はそれぞれ、本願発明の「発光素子」及び「複数の発光素子」に相当する。 (イ) 引用発明の「面発光レーザ群」は、「基板上に」「配列されている」ものである。また、引用発明の「面発光レーザ群」は、「光軸」を有し、当該「光軸」は、本願発明の「第１光軸」に相当する。したがって、引用発明の「面発光レーザ群」は、本願発明でいう「前記基板上に位置し、第１光軸を有するように配列された」ものである。 (ウ) したがって、本願発明と引用発明は、「前記基板上に位置し、第１光軸を有するように配列された複数の発光素子と、」「を含［む］」点で一致する。 エ 本願発明の「前記基板上に位置し、前記第１光軸と平行な第２光軸を有するように配列された複数の受光素子と、」「を含み、」との発明特定事項について (ア) 引用発明には「受光素子群」と「ＭＳＭフォトダイオードアレイ４６」が特定されているところ、「受光素子としてＭＳＭ３３を用い」るものであることから、当該「ＭＳＭフォトダイオードアレイ４６」は当該「受光素子群」と同じものを意味していることになる。そして、引用発明の「受光素子」である「ＭＳＭ３３」及び「受光素子群」である「ＭＳＭフォトダイオードアレイ４６」はそれぞれ、本願発明の「受光素子」及び「複数の受光素子」に相当する。 (イ) 引用発明の「ＭＳＭフォトダイオードアレイ４６の光軸」は、本願発明の「第２光軸」に相当する。そして、引用発明の「受光素子群」は、「基板上に」「配列されている」ものであり、「ＭＳＭフォトダイオードアレイ４６の光軸」は、「面発光レーザアレイ４４の光軸」と「平行である」から、前記ウ(イ)も踏まえると、本願発明でいう「前記基板上に位置し、前記第１光軸と平行な第２光軸を有するように配列された」ものである。 (ウ) したがって、本願発明と引用発明は、「前記基板上に位置し、前記第１光軸と平行な第２光軸を有するように配列された複数の受光素子と、」「を含［む］」点で一致する。 オ 本願発明の「前記発光素子の下に設けられた層と前記受光素子とは、前記基板上に形成された前記受光素子をなす受光物質層を共通に含むとともに、」との発明特定事項について (ア) 引用発明の「受光素子」である「ＭＳＭ３３」は、引用発明における「ＭＳＭ３３に対応するように、Ａｕからなる櫛型電極をｉ－ＧａＡｓ層３４上に形成」することという事項からみて、「Ａｕからなる櫛型電極」が一対の電極からなり、「Ａｕからなる櫛型電極」の一方の電極という金属（Ｍｅｔａｌの「Ｍ」）、「ｉ－ＧａＡｓ層３４」という半導体（Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒの「Ｓ」）及び「Ａｕからなる櫛型電極」の他方の電極という金属（Ｍｅｔａｌの「Ｍ」）がこの順に接触して構成されたものであること、並びに、当該「ｉ－ＧａＡｓ層３４」は、半導体の層を構成しているところ、ＭＳＭ素子における半導体層がキャリア発生層として光吸収の機能を持つものであることは、いずれも、ＭＳＭ型受光素子の構造についての技術常識（必要であれば、特開２０１０－９２９３２号公報の【００１０】～【００１１】及び【図６】、特開２００６－２２２３４３号公報の【００２０】～【００２３】、【図１】～【図２】参照。）に照らして明らかであるから、当該「ｉ－ＧａＡｓ層３４」を構成する「ｉ－ＧａＡｓ」は受光物質であるといえる。そうすると、引用発明の「ｉ－ＧａＡｓ層３４」は、本願発明の「受光物質層」に相当するとともに、引用発明の「受光素子」である「ＭＳＭ３３」は、本願発明でいう「受光物質層」を「含む」ものである。 (イ) 引用発明は、「ｉ－ＧａＡｓ層３４を結晶成長し、ＩｎＧａＰ層３９を成長後、引き続き、第一の光反射層４０、活性層を含むスペーサ層３７、第二の光反射層４２を結晶成長［する］」ものであって、「第一の光反射層４０、活性層を含むスペーサ層３７及び第二の光反射層４２により面発光レーザを構成［する］」ものである。そうすると、前記ウ(ア)も踏まえると、引用発明の「ｉ－ＧａＡｓ層３４」は、本願発明の「前記発光素子の下に設けられた層」に相当するとともに、前記(ア)を踏まえると、本願発明でいう「受光物質層」「を含む」ものであるといえる。 (ウ) 引用発明は、「半絶縁性ＧａＡｓ基板３６を用い、ｉ－ＧａＡｓ層３４を結晶成長［する］」ものであるから、引用発明の「ｉ－ＧａＡｓ層３４」は、前記イも踏まえると、本願発明でいう「前記基板上に形成された」ものである。 (エ) したがって、本願発明と引用発明は、「前記発光素子の下に設けられた層と前記受光素子とは、前記基板上に形成された」「受光物質層を共通に含む」点で共通する。 (オ) 一方で、受光物質層について、本願発明は、「前記受光素子をなす」ものであるのに対して、引用発明は、「ｉ－ＧａＡｓ層３４」は、「ＭＳＭ３３」の半導体層を構成するものであるが、本願発明でいう「前記受光素子をなす」といえるかどうか不明である点で一応相違する。 カ 本願発明の「前記発光素子は前記受光物質層の一部領域上に形成された発光物質層をさらに含む」との発明特定事項について (ア) 引用発明の「活性層を含むスペーサ層３７」は、「面発光レーザを構成［する］」層であるところ、面発光レーザにおいては活性層が発光することは文献を挙げるまでもない技術常識であるから、引用発明の「活性層」は、本願発明の「発光物質層」に相当するとともに、本願発明でいう「前記発光素子」が「含む」ものである。 (イ) 引用発明は、「ｉ－ＧａＡｓ層３４を結晶成長し、ＩｎＧａＰ層３９を成長後、引き続き、第一の光反射層４０、活性層を含むスペーサ層３７、第二の光反射層４２を結晶成長し、次に、チップサイズ３ｍｍ角の半分の面積をｉ－ＧａＡｓ層３４の上部までエッチングにより除去［する］」ものであるところ、当該除去された部分には活性層を含むスペーサ層は形成されていないことになるから、「面発光レーザ」の「活性層」は、「ｉ－ＧａＡｓ層３４」の上であって、その一部領域上に形成されるものであるといえるのであり、そのため、当該「活性層」は、前記オ(ア)も踏まえると、本願発明でいう「前記受光物質層の一部領域上に形成された」ものであるといえる。 (ウ) したがって、本願発明と引用発明は、「前記発光素子は前記受光物質層の一部領域上に形成された発光物質層をさらに含む」点で一致する。 (２) 一致点及び相違点の認定 前記(１)から、本願発明と引用発明との一致点及び相違点は、次のとおりである。 ＜一致点＞ 「基板と、 前記基板上に位置し、第１光軸を有するように配列された複数の発光素子と、 前記基板上に位置し、前記第１光軸と平行な第２光軸を有するように配列された複数の受光素子と、を含み、 前記発光素子の下に設けられた層と前記受光素子とは、前記基板上に形成された受光物質層を共通に含むとともに、前記発光素子は前記受光物質層の一部領域上に形成された発光物質層をさらに含む光システム」である点。 ＜相違点１＞ 光システムについて、本願発明は、光「センシング」システムであるのに対して、引用発明は、「並列発光／受光アレイ一体化素子」であって、光センシングのためのシステムであるかどうか不明である点。 ＜相違点２＞ 受光物質層について、本願発明は、「前記受光素子をなす」ものであるのに対して、引用発明は、「ｉ－ＧａＡｓ層３４」は、「ＭＳＭ３３」の半導体層を構成するものであるが、本願発明でいう「前記受光素子をなす」といえるかどうか不明である点。 ３ 判断 (１) 相違点についての検討 前記相違点について検討する。 ア 相違点１について 発光及び受光アレイ素子の用途として、光センシングシステムは例示するまでもなく周知技術であるから、引用発明の「並列発光／受光アレイ一体化素子」を光センシングシステムに用いて、相違点１に係る本願発明の構成とすることは、当業者が適宜なし得たことである。 イ 相違点２について (ア) まず、本願発明の「受光物質層」が「前記受光素子をなす」ことの意味について検討すると、その文言に照らせば、受光物質層が受光素子そのものである必要があるようにも解される一方で、「受光物質層」のみで「受光素子」を実現することが技術常識に照らして通常とはいえないことから、受光物質層が受光素子の一部をなしていれば足りると解する余地もあり、より具体的にいえば、例えばＰＩＮ構造の受光素子を想定した場合、受光物質層が実際に受光するＩ層を含めば足りるのか、ＰＩＮ構造の全ての層を含む必要があるのか、受光素子に必要な電極構造も含む必要があるのか、などが判然としない。 そこで本願の明細書及び図面（以下「本願明細書等」という。）の記載を参酌すると、本願明細書等には「受光物質層」が「前記受光素子をなす」との記載そのものは存在せず、受光物質層について、次の記載がある。 ａ 「光センシングシステム１０００’は、基板１００、基板１００上に形成された受光物質層３００、受光物質層３００の一部領域上に形成された発光素子２２１を含む。受光物質層３００の領域は、受光領域ＲＡと非受光領域ＮＲＡとを含み、受光領域ＲＡは、受光素子３２１とも称される。」（【００５４】） ｂ 「受光物質層３００は、基板１００上に、半導体工程を介しても形成される。受光物質層３００は、ＩＩＩ－Ｖ族半導体化合物、ＩＩ－ＶＩ族半導体化合物またはＩＶ族半導体物質を含んでもよく、基板１００上に、直接一体型にも形成される。受光物質層３００は、フォトダイオードを具現するようにも構成される。・・・（中略）・・・図面には、受光物質層３００が３層に図示されているが、それは例示的なものであり、それに限定されるものではない。受光物質層３００は、半導体物質以外に、光信号を電気的信号として検出するための電極構造を含んでもよい。」（【００５６】） ｃ 「受光物質層３００の領域は、受光領域ＲＡと非受光領域ＮＲＡとを含む。非受光領域ＮＲＡと受光領域ＲＡは、同一半導体物質を含む。受光領域ＲＡは、外部から入射された光を電気信号に変化させて出力することができる領域であり、非受光領域ＮＲＡは、その上に、発光素子２２１が形成されるように設けられ、外部から入射された光Ｌ２を電気信号として出力しない領域である。受光領域ＲＡと非受光領域ＮＲＡは、電気信号の出力のための電極構造の有無で差がある。例えば、受光領域ＲＡには、電気信号出力のための電極（図示せず）が含まれ、非受光領域ＮＲＡは、そのような電極が含まれないようにも形成される。ただし、それに限定されるものではなく、例えば、受光領域ＲＡと非受光領域ＮＲＡは、同一電極構造を含むが、外部回路との連結において、非受光領域ＮＲＡの電極は、外部回路と連結されないように構成される方式も可能である。」（【００５７】） 前記ａの記載によれば、受光物質層は、受光領域と非受光領域を含んでよく、受光領域が受光素子であるとされる一方で、前記ｃの記載によれば、受光物質層の非受光領域は電極が含まれないように形成されたり、非受光領域の電極が外部回路と連結されないように構成されたりするとされている。そして、電極や外部回路との連結がなければ受光素子としては機能しないことから、本願発明の「受光物質層」が「前記受光素子をなす」ことの意味は、その受光領域が電極や外部回路を付加することにより受光素子として機能すれば足りると解するのが相当である。このように解することは、前記ｂに記載されるように、受光物質層が半導体工程を介して形成されることや、前記ｃに記載されるように、非受光領域と受光領域は、同一半導体物質を含むこととも整合する。 (イ)ａ 前記(ア)を引用発明についてみると、前記２(１)オ(ア)で説示したとおり、引用発明の「ｉ－ＧａＡｓ層３４」は、「受光素子」である「ＭＳＭ３３」の半導体層を構成し、キャリア発生層として光吸収の機能を持つものであり、Ａｕからなる一対の櫛型電極をｉ－ＧａＡｓ層３４上に形成することにより受光素子であるＭＳＭ３３として機能するものであるから、相違点２に係る本願発明でいう「受光素子をなす」ものであるといえる。 したがって、相違点２は実質的な相違点ではない。 ｂ 仮に、本願発明の「受光物質層」が「前記受光素子をなす」ことの意味を、前記(ア)ｂで摘記した本願明細書等の【００５６】の記載のように、受光物質層の受光領域がなす受光素子がフォトダイオードによって構成されるもの、特に、３層（例えば【００４９】のＰ型、Ｉ型、Ｎ型に具現された複数層）で構成されるものと解したとしても、以下に示すとおり、相違点２に係る本願発明の構成は、当業者が容易に想到し得たものである。 すなわち、例えば引用文献２の【請求項３】にも記載されているとおり、受光素子としてＰＩＮ型フォトダイオードを用いることは周知技術であるから、図４に係る引用発明の「ＭＳＭ３３」に代えて、ＰＩＮ型フォトダイオードを用いることは、当業者が容易になし得たことであり、その場合には、ＭＳＭ３３のｉ－ＧａＡｓ層３４をＰ層／Ｉ層／Ｎ層からなる３層構造に置き換えるのが最も自然であり、「面発光レーザ」の「活性層」は、Ｐ層／Ｉ層／Ｎ層からなる３層構造の上であって、その一部領域上に形成されるものとなる。 ウ 総合検討 相違点１～２を総合的に勘案しても、本願発明の奏する効果は、引用発明も奏するものか、又は、本願発明の構成が奏するものとして、引用発明及び周知技術からは予測困難な効果であり、かつ、格別顕著な効果であるとはいえないものにすぎない。 (２) 請求人の主張について 請求人は、引用発明においては、ｉ－ＧａＡｓ層３４の上に、ＭＳＭ３３が形成されており、ｉ－ＧａＡｓ層３４はＭＳＭ３３の構成要素（一部）ではないこと、そもそもｉ－ＧａＡｓ層３４は単層の半導体に過ぎず、イントリンシックなＳｉ半導体（シリコン結晶）と同様に、それ自体だけでは受光素子として機能しないことを根拠として、引用発明は、本願発明の「前記発光素子の下に設けられた層と前記受光素子とは、前記基板上に形成された前記受光素子をなす受光物質層を共通に含むとともに、前記発光素子は前記受光物質層の一部領域上に形成された発光物質層をさらに含む」という構成を備えていない旨を主張している。 請求人が、引用発明においては、ｉ－ＧａＡｓ層３４の上にＭＳＭ３３が形成されていると主張する根拠は、引用文献２の図４において、「ＭＳＭ」を意味する図面番号の「３３」がｉ－ＧａＡｓ層３４の上にある構造のみを指していると解することにあると考えられるが、引用文献２の【００１７】の「ＭＳＭ３３に対応するように、Ａｕからなる櫛型電極をｉ－ＧａＡｓ層３４上に形成し、ＡＲコート３２を形成した後」との記載からみて、上記の構造は、櫛形電極とＡＲコート３２のみからなるものであり、ＭＳＭ３３そのものではないと解される。そして、前記２(１)オ(ア)で説示したとおり、「ＭＳＭ３３」は、「Ａｕからなる櫛型電極」の一方の電極という金属（Ｍｅｔａｌの「Ｍ」）、「ｉ－ＧａＡｓ層３４」という半導体（Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒの「Ｓ」）及び「Ａｕからなる櫛型電極」の他方の電極という金属（Ｍｅｔａｌの「Ｍ」）がこの順に接触して構成されたものと解すべきであり、このことは、そのように解さないと、「ｉ－ＧａＡｓ層３４」を設ける技術的意味を理解できないことからも首肯できる。そのため、ｉ－ＧａＡｓ層３４はＭＳＭ３３の構成要素（一部）ではないとの請求人の主張は失当である。 また、ｉ－ＧａＡｓ層３４は、それ自体だけでは受光素子として機能しないものではあるが、本願発明において、「受光物質層」が「前記受光素子をなす」ことの意味は、その受光領域が電極や外部回路を付加することにより受光素子として機能すれば足りると解されること、引用発明の「ｉ－ＧａＡｓ層３４」は、Ａｕからなる一対の櫛型電極をｉ－ＧａＡｓ層３４上に形成することにより受光素子であるＭＳＭ３３として機能するものであるから、本願発明でいう「受光素子をなす」ものであるといえることは、前記(１)イ(イ)で説示したとおりであり、ｉ－ＧａＡｓ層３４が、それ自体だけでは受光素子として機能しないことは、前記(１)イの説示を左右しない。 請求人はまた、本願発明は、発光素子が形成される領域以外の領域が受光素子となるため、素子面積を最大化でき素子の位置精度を向上できるという格別な効果を奏する旨、自己整合的な方法で発光素子及び受光素子を同時に形成することは、当業者にとって容易になし得る技術的思想を超える旨を主張するが、これらの点は本願明細書等には記載されておらず、以下に示すとおり本願明細書等の記載から推認できるものでもない。すなわち、本願発明の一態様であると解される本願明細書等の【図４Ａ】を見ると、その上に発光素子２２１が形成される受光物質層３００の非受光領域ＮＲＡと、その上に発光素子２２１が形成されない受光物質層３００の受光領域ＲＡ（３２１）は、所定の間隔をもって配置されていることが図示されているところ、このように非受光領域ＮＲＡと受光領域ＲＡ（３２１）が所定の間隔をもって配置されている形態は、請求人の主張する「自己整合的な方法で発光素子及び受光素子を同時に形成」するものとはいえないし、「発光素子が形成される領域以外の領域」が全て「受光素子となる」（「素子面積を最大化でき素子の位置精度を向上できる」との主張から見て、その旨の主張と解される。）ともいえないことから、請求人の主張は、請求項の記載に基づくものとして本願明細書等の記載から推認できるものではない。 したがって、請求人の主張は採用できない。 ４ 小括 以上検討のとおり、本願発明は、引用発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 第５ むすび 以上のとおり、本願発明は、特許法２９条２項の規定により、特許を受けることができない。 したがって、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。 よって、結論のとおり審決する。