2022-018324

特願２０２１－１０２５４０「銅／セラミックス接合体、及び、絶縁回路基板」拒絶査定不服審判事件〔令和 ３年１０月１４日出願公開、特開２０２１－１６５２２７〕について、次のとおり審決する。

結 論 本件審判の請求は、成り立たない。

理 由 第１ 手続の経緯 本願は、令和２年１０月６日（優先権主張 令和元年１２月１２日）の出願である特願２０２０－１６９０８６号（以下、「原出願」という。）の一部を、特許法第４４条第１項の規定により、令和３年６月２１日に新たな特許出願としたものであって、その手続の経緯は、概略、以下のとおりである。 令和３年 ７月 ８日 ：手続補正書及び上申書の提出 令和４年 ６月 ３日付け：拒絶理由通知書 同年 ７月１９日 ：意見書の提出 同年 ８月１５日付け：拒絶査定 同年１１月１５日 ：審判請求書、手続補正書の提出 令和５年１０月１８日付け：拒絶理由通知書 同年１２月１１日 ：意見書、手続補正書、手続補足書の提出 （ただし手続補足書の受付は令和５年１２月 １２日） 令和６年 ３月１９日付け：審尋 同年 ５月２３日 ：回答書、手続補足書の提出 第２ 本願発明 本願の請求項１～６に係る発明は、令和５年１２月１１日に提出された手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１～６に記載された事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりである。 「【請求項１】 銅又は銅合金からなる銅部材と、アルミニウム含有セラミックスからなるセラミックス部材とが接合されてなる銅／セラミックス接合体であって、 前記銅部材と前記セラミックス部材との接合界面においては、前記セラミックス部材側に、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｈｆから選択される１種又は２種以上の活性金属の化合物を含む活性金属化合物層が形成されており、 この活性金属化合物層においては、活性金属化合物の粒界にＡｌ，ＣｕおよびＡｇが存在しており、 前記銅部材と前記セラミックス部材との接合界面から前記銅部材側へ１０μｍから５０μｍまでの領域における最大押し込み硬さが７０ｍｇｆ／μｍ２以上１１２ｍｇｆ／μｍ２以下の範囲内とされていることを特徴とする銅／セラミックス接合体。」 第３ 当審の拒絶理由及び審尋の概要 １ 令和５年１０月１８日付けで当審が通知した拒絶理由の概要は、以下のとおりである。 理由１：（実施可能要件）この出願は、発明の詳細な説明の記載が、下記の点で特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない。 記 本願明細書の発明の詳細な説明の記載からは、「温度積分値」の求め方を理解することができないから、当業者は、本願発明に係る「銅／セラミックス接合体」を製造することができない。 すなわち、本願明細書の発明の詳細な説明の段落【００３６】～【００４３】の記載（下記第４の２）からみれば、本願発明に係る「銅／セラミックス接合体」は、積層工程Ｓ０１、低温保持工程Ｓ０２、加熱工程Ｓ０３及び冷却工程Ｓ０４の各工程により製造されるものであるが、前記段落【００３６】～【００４３】には、低温保持工程Ｓ０２及び加熱工程Ｓ０３における「温度積分値」の求め方が記載されていないし、そのほかに、発明の詳細な説明に前記「温度積分値」の求め方が記載されるものでもない。更に、前記「温度積分値」の求め方が、本願の原出願の出願日当時の技術常識であるということもできないから、前記「温度積分値」の求め方を理解できない。 すると、当業者は、「温度積分値」を３０℃・ｈ以上４００℃・ｈ以下の範囲内とする前記低温保持工程Ｓ０２、及び、「温度積分値」を７２℃・ｈ以上２００℃・ｈ以下の範囲内、好ましくは７２℃・ｈ以上１５０℃・ｈ以下の範囲内とする前記加熱工程Ｓ０３を実施することができないから、本願発明に係る「銅／セラミックス接合体」を製造することができない。 更に、請求人が令和３年７月８日に提出した上申書の主張（下記第４の４（１））を参酌しても、低温保持工程Ｓ０２及び加熱工程Ｓ０３における「温度積分値」の求め方は明らかでないから、当業者が本願発明に係る「銅／セラミックス接合体」及び「絶縁回路基板」を製造することができないことに変わりはないので、本願明細書の発明の詳細な説明の記載は実施可能要件を満たさない。 ２ 令和６年３月１９日付けで当審が通知した審尋の概要は、以下のとおりである。 請求人は、令和５年１２月１１日に提出した意見書において、概略、下記第４の４（２）に記載された事項を主張している。 ところが、本願明細書の発明の詳細な説明の段落【００３８】には、「温度積分値」が（実際の保持温度－ＣｕとＡｌの共晶点温度）×保持時間で計算されることは記載も示唆もされていないし、同段落【００３９】（ただし段落【００３９】は令和４年１１月１５日に提出された手続補正書により補正されたもの。）にも、「温度積分値」が（実際の加熱温度－ＡｇとＣｕの共晶点温度）×保持時間で計算されることは記載も示唆もされていないから、加熱工程Ｓ０３における「温度積分値」が（実際の加熱温度－ＡｇとＣｕの共晶点温度）×保持時間で計算されること、及び、低温保持工程Ｓ０２における「温度積分値」が（実際の保持温度－ＣｕとＡｌの共晶点温度）×保持時間で計算されることが明らかであるとはいえないし、更に、請求人は、このことが原出願の出願日当時の技術常識であることを裏付ける証拠も提出していない。 このため、請求人の前記意見書における主張によっても、低温保持工程Ｓ０２における「温度積分値」が（実際の保持温度－ＣｕとＡｌの共晶点温度）×保持時間で計算されること、及び、加熱工程Ｓ０３における「温度積分値」が（実際の加熱温度－ＡｇとＣｕの共晶点温度）×保持時間で計算されることが明らかであるとはいえないので、このことが明らかであるといえる理由を証拠を挙げて明示されたい。 第４ 当審の拒絶理由及び審尋についての判断 １ はじめに 前記第３の１及び２の当審の拒絶理由及び審尋の概要は、本願明細書の発明の詳細な説明の記載からは「温度積分値」の求め方を理解することができないから、当業者は本願発明に係る「銅／セラミックス接合体」を製造することができないので、発明の詳細な説明の記載は実施可能要件を満たさない、というものである。 以下、これについて検討する。 ２ 本願明細書の記載事項 本願明細書の発明の詳細な説明には、以下の記載がある（当審注：下線は当審が付与した。）。 「【００３６】 以下に、本実施形態に係る絶縁回路基板１０の製造方法について、図７及び図８を参照して説明する。 【００３７】 （積層工程Ｓ０１） まず、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）からなるセラミックス基板１１を準備し、図８に示すように、回路層１２となる銅板２２とセラミックス基板１１との間、及び、金属層１３となる銅板２３とセラミックス基板１１との間に、接合材としてＡｇ－Ｔｉ系ろう材（Ａｇ－Ｃｕ－Ｔｉ系ろう材）２４を配設する。 なお、Ａｇ－Ｔｉ系ろう材（Ａｇ－Ｃｕ－Ｔｉ系ろう材）２４としては、例えば、Ｃｕを０ｍａｓｓ％以上３２ｍａｓｓ％以下の範囲内、活性金属であるＴｉを０．５ｍａｓｓ％以上２０ｍａｓｓ％以下の範囲で含み、残部がＡｇ及び不可避不純物とされた組成のものを用いることが好ましい。また、Ａｇ－Ｔｉ系ろう材（Ａｇ－Ｃｕ－Ｔｉ系ろう材）２４の厚さは、２μｍ以上１０μｍ以下の範囲内とすることが好ましい。 【００３８】 （低温保持工程Ｓ０２） 次に、セラミックス基板１１及び銅板２２，２３を積層方向に加圧した状態で、真空またはアルゴン雰囲気の加熱炉内に装入して加熱して保持する。 ここで、低温保持工程Ｓ０２における保持温度は、ＣｕとＡｌの共晶点温度以上、かつ、ＡｇとＣｕの共晶点温度未満の温度範囲とされている。また、この低温保持工程Ｓ０２において、上述の保持温度における温度積分値は、３０℃・ｈ以上４００℃・ｈ以下の範囲内とする。 また、低温保持工程Ｓ０２における加圧荷重は、０．０９８ＭＰａ以上２．９４ＭＰａ以下の範囲内とすることが好ましい。 【００３９】 （加熱工程Ｓ０３） 次に、銅板２２、２３とセラミックス基板１１とを加圧した状態で、真空雰囲気の加熱炉内で加熱し、Ａｇ－Ｔｉ系ろう材（Ａｇ－Ｃｕ－Ｔｉ系ろう材）２４を溶融する。 ここで、加熱工程Ｓ０３における加熱温度は、ＡｇとＣｕの共晶点温度以上８５０℃以下の範囲内とされている。なお、この加熱温度を低く抑えることにより、活性金属化合物層４１における活性金属化合物粒子の最大粒子径を小さく抑えることが可能となる。加熱温度の上限は８４５℃以下とすることが好ましく、８３５℃以下とすることがより好ましく、８２５℃以下とすることがさらに好ましい。 また、この加熱工程Ｓ０３において、上述の加熱温度における温度積分値は、７２℃・ｈ以上２００℃・ｈ以下の範囲内とする。好ましくは、７２℃・ｈ以上１５０℃・ｈ以下の範囲内とするとよい。 また、この加熱工程Ｓ０３における加圧荷重は、０．０４９ＭＰａ以上２．９４ＭＰａ以下の範囲内とする。 【００４０】 （冷却工程Ｓ０４） そして、加熱工程Ｓ０３の後、冷却を行うことにより、溶融したＡｇ－Ｔｉ系ろう材（Ａｇ－Ｃｕ－Ｔｉ系ろう材）２４を凝固させる。 なお、この冷却工程Ｓ０４における冷却速度は、特に限定はないが、２℃／ｍｉｎ以上１０℃／ｍｉｎ以下の範囲内とすることが好ましい。 【００４１】 上述の低温保持工程Ｓ０２においては、ＣｕとＡｌの共晶点温度以上に保持することから、図９Ａに示すように、銅板２２，２３及びＡｇ－Ｔｉ系ろう材（Ａｇ－Ｃｕ－Ｔｉ系ろう材）２４中のＣｕと、ＡｌＮからなるセラミックス基板１１とＴｉとの反応によって生じたＡｌとが共晶反応して共晶液相が発生する。この共晶液相中において、Ａｇ－Ｔｉ系ろう材（Ａｇ－Ｃｕ－Ｔｉ系ろう材）２４中のＴｉとセラミックス基板１１中のＮ（窒素）とが反応してＴｉＮが生成する。これにより、図９Ａ（ａ）、図９Ａ（ｂ）、図９Ａ（ｃ）の順でセラミックス基板１１の表面が侵食される形で、ＴｉＮからなる活性金属化合物層４１が形成される。 【００４２】 そして、図９Ｂに示すように、活性金属化合物層４１において、活性金属化合物（本実施形態ではＴｉＮ）の粒界には共晶液相が存在しており、この共晶液相を拡散のパスとして、セラミックス基板１１側のＡｌ及びＡｇ－Ｔｉ系ろう材（Ａｇ－Ｃｕ－Ｔｉ系ろう材）２４のＡｇ，Ｃｕ，Ｔｉが互いに拡散し、セラミックス基板１１の界面反応が促進されることになる。 その結果、活性金属化合物（本実施形態ではＴｉＮ）の粒界にＡｌ及びＣｕ，Ａｇは、が凝集して存在することになる。 【００４３】 以上のように、積層工程Ｓ０１と、低温保持工程Ｓ０２と、加熱工程Ｓ０３と、冷却工程Ｓ０４とによって、セラミックス基板１１と銅板２２，２３が接合され、本実施形態である絶縁回路基板１０が製造されることになる。」 ただし、段落【００３９】は令和４年１１月１５日に提出された手続補正書により補正されたものである。 ３ 実施可能要件についての判断 （１） 前記２の発明の詳細な説明の記載によれば、本願発明に係る「銅／セラミックス接合体」は、積層工程Ｓ０１、低温保持工程Ｓ０２、加熱工程Ｓ０３及び冷却工程Ｓ０４の工程によってセラミックス基板１１と銅板２２，２３が接合されて製造されるものであって（段落【００４３】）、前記低温保持工程Ｓ０２における保持温度は、ＣｕとＡｌの共晶点温度以上、かつ、ＡｇとＣｕの共晶点温度未満の温度範囲とされ、また、前記低温保持工程Ｓ０２において「温度積分値」を３０℃・ｈ以上４００℃・ｈ以下の範囲内とするものであり（段落【００３８】）、前記加熱工程Ｓ０３における加熱温度は、ＡｇとＣｕの共晶点温度以上８５０℃以下の範囲内とされ、前記加熱工程Ｓ０３において「温度積分値」を７２℃・ｈ以上２００℃・ｈ以下の範囲内、好ましくは７２℃・ｈ以上１５０℃・ｈ以下の範囲内とするとよいものである（段落【００３９】）。 （２） ところが、前記発明の詳細な説明には、低温保持工程Ｓ０２及び加熱工程Ｓ０３における「温度積分値」の求め方が記載されていないし、そのほかに、発明の詳細な説明に前記「温度積分値」の求め方が記載されるものでもない。更に、前記「温度積分値」の求め方が、原出願の出願日当時の技術常識であるということもできないから、前記「温度積分値」の求め方を理解できない。 すると、当業者は、「温度積分値」を３０℃・ｈ以上４００℃・ｈ以下の範囲内とする前記低温保持工程Ｓ０２、及び、「温度積分値」を７２℃・ｈ以上２００℃・ｈ以下の範囲内、好ましくは７２℃・ｈ以上１５０℃・ｈ以下の範囲内とする前記加熱工程Ｓ０３を実施することができないから、本願発明に係る「銅／セラミックス接合体」を製造することができないので、本願明細書の発明の詳細な説明の記載は、実施可能要件を満たさない。 ４ 請求人の主張の概要 本願発明に係る「銅／セラミックス接合体」を製造する際の「温度積分値」の求め方に関する請求人の主張の概要は、令和３年７月８日に提出した上申書、当審による令和５年１０月１８日付け拒絶理由通知書に応答して同年１２月１１日に提出した意見書、及び、当審による令和６年３月１９日付け審尋に応答して同年５月２３日に提出した回答書に記載された、以下のとおりのものといえる。 （１） 令和３年７月８日提出の上申書の記載事項 令和３年７月８日に提出した上申書（【上申の内容】３．（１）２段落３行～８行）には、「温度積分値」の求め方について、以下の記載がある。 「ここで、加熱工程における温度積分値については、「加熱工程Ｓ０３における加熱温度は、ＡｇとＣｕの共晶点温度以上８５０℃以下の範囲内とされている。（中略） また、この加熱工程Ｓ０３において、上述の加熱温度における温度積分値は、４℃・ｈ以上２００℃・ｈ以下の範囲内とする。」（本件分割出願明細書段落番号００３９参照）。と記載されております。よって、温度積分値は、（加熱温度－７８３℃（ＡｇとＣｕの共晶点温度））×保持時間で計算されるものとであります。」 （２） 令和５年１２月１１日提出の意見書の記載事項 令和５年１２月１１日に提出した意見書（【意見の内容】〔３〕２段落～５段落）には、「温度積分値」の求め方について、以下の記載がある。 「ここで、加熱工程Ｓ０３における「温度積分値」については、本願明細書の段落番号００３９に「銅板２２，２３とセラミックス基板１１とを加圧した状態で、真空雰囲気の加熱炉内で加熱し、（中略）加熱工程Ｓ０３における加熱温度は、ＡｇとＣｕの共晶点温度以上８５０℃以下の範囲内とされている。（中略）この加熱工程Ｓ０３において、上述の加熱温度における温度積分値は、７２℃・ｈ以上２００℃・ｈ以下の範囲内とする。」と記載されております。 この記載から、加熱工程Ｓ０３における温度積分値は、加熱温度（ＡｇとＣｕの共晶点温度以上８５０℃以下の範囲内）における温度積分値となり、（実際の加熱温度－ＡｇとＣｕの共晶点温度）×保持時間で計算されるものとなることは明らかです。そして、ＡｇとＣｕの共晶点温度が７８３℃であることは、参考文献１に記載されているように、本願の原出願の出願当時の技術常識であります。 また、低温保持工程Ｓ０２における「温度積分値」については、本願明細書の段落番号００３８に「セラミックス基板１１及び銅板２２，２３を積層方向に加圧した状態で、真空またはアルゴン雰囲気の加熱炉内に装入して加熱して保持する。ここで、低温保持工程Ｓ０２における保持温度は、ＣｕとＡｌの共晶点温度以上、かつ、ＡｇとＣｕの共晶点温度未満の温度範囲とされている。また、この低温保持工程Ｓ０２において、上述の保持温度における温度積分値は、３０℃・ｈ以上４００℃・ｈ以下の範囲内とする。」と記載されております。 この記載から、低温保持工程Ｓ０２における温度積分値は、保持温度（ＣｕとＡｌの共晶点温度以上、かつ、ＡｇとＣｕの共晶点温度未満の温度範囲）における温度積分値となり、（実際の保持温度－ＣｕとＡｌの共晶点温度）×保持時間で計算されるものとなることは明らかです。そして、ＣｕとＡｌの共晶点温度が５４８℃であることは、参考文献２に記載されているように、本願の原出願の出願当時の技術常識であります。」 （３） 令和６年５月２３日提出の回答書の記載事項 令和５年１２月１１日に提出した回答書（【回答事項】（１）２段落～４段落）には、「温度積分値」の求め方について、以下の記載がある。 「ここで、本願明細書の段落〔００３８〕には、「低温保持工程Ｓ０２における保持温度は、ＣｕとＡｌの共晶点温度以上、かつ、ＡｇとＣｕの共晶点温度未満の温度範囲」と記載され、「低温保持工程Ｓ０２において、上述の保持温度における温度積分値」と記載されております。これらの記載から、低温保持工程Ｓ０２の温度積分値は、「上述の保持温度」である「ＣｕとＡｌの共晶点温度以上、かつ、ＡｇとＣｕの共晶点温度未満の温度範囲」における温度積分値となります。すなわち、低温保持工程Ｓ０２における実際の温度が、この保持温度の範囲内である時間と実際の温度とから、温度積分値が算出されることになります。なお、温度積分値については、その単位が［℃・ｈ］であることから、積分の概念から「温度積分値」は温度曲線［℃］を時間［ｈ］に関して積分したものであることは明らかであります。また、低温保持工程Ｓ０２の温度範囲が「ＣｕとＡｌの共晶点温度以上、かつ、ＡｇとＣｕの共晶点温度未満の温度範囲」となっていることから、実際の温度を用いた積分を得るためには、温度範囲の下端である（ＣｕとＡｌの共晶点温度）から実際の温度についての温度範囲についてであることが一義的に決定されます。また、積分区間の下端（保持開始時間）と上端（保持終了時間）は、上述の低温保持工程の定義から一義的に決定されることになります。 同様に、本願明細書の段落〔００３９〕には、「加熱工程Ｓ０３における加熱温度は、ＡｇとＣｕの共晶点温度以上、かつ、８５０℃以下の範囲内」と記載され、「加熱工程Ｓ０３において、上述の加熱温度における温度積分値」と記載されております。これらの記載から、加熱工程Ｓ０３の温度積分値は、「上述の加熱温度」である「ＡｇとＣｕの共晶点温度以上、かつ、８５０℃以下の範囲内」における温度積分値となります。すなわち、低温保持工程Ｓ０３における実際の温度が、この加熱温度の範囲内である時間と実際の温度とから、温度積分値が算出されることになります。なお、温度積分値については、その単位が［℃・ｈ］であることから、積分の概念から「温度積分値」は温度曲線［℃］を時間［ｈ］に関して積分したものであることは明らかであります。また、加熱工程Ｓ０３の温度範囲が「ＡｇとＣｕの共晶点温度以上、かつ、８５０℃以下の範囲内」となっていることから、実際の温度を用いた積分を得るためには、温度範囲の下端である（ＡｇとＣｕの共晶点温度）から実際の温度についての温度範囲についてであることが一義的に決定されます。また、積分区間の下端（加熱開始時間）と上端（加熱終了時間）は、上述の加熱工程の定義から一義的に決定されることになります。 よって、本願明細書の記載から、「低温保持工程Ｓ０２における「温度積分値」が（実際の温度－ＣｕとＡｌの共晶点温度）×保持時間で計算される」および「加熱工程Ｓ０３における「温度積分値」が（実際の加熱温度－ＡｇとＣｕの共晶点温度）×保持時間で計算される」ことになります。」 ５ 請求人の主張についての判断 （１） 前記４（１）～（３）の記載によれば、「温度積分値」の求め方に関する請求人の主張は、総じて、本願明細書の発明の詳細な説明の段落【００３８】～【００３９】の記載、前記「温度積分値」の単位が［℃・ｈ］であること、及び、積分の概念から、低温保持工程Ｓ０２における「温度積分値」が（実際の温度－ＣｕとＡｌの共晶点温度）×保持時間で計算され、加熱工程Ｓ０３における「温度積分値」が（実際の加熱温度－ＡｇとＣｕの共晶点温度）×保持時間で計算されることは明らかである旨をいうものといえる。 （２） ところが、前記２によれば、本願明細書の発明の詳細な説明の段落【００３８】には、前記低温保持工程Ｓ０２における保持温度がＣｕとＡｌの共晶点温度以上、かつ、ＡｇとＣｕの共晶点温度未満の温度範囲とされること、及び、「温度積分値」を３０℃・ｈ以上４００℃・ｈ以下の範囲内とすることが記載されているにすぎない。 そして、前記低温保持工程Ｓ０２における保持温度がＣｕとＡｌの共晶点温度以上、かつ、ＡｇとＣｕの共晶点温度未満の温度範囲とされることは、単に、前記低温保持工程Ｓ０２における保持温度を開示するにとどまり、「温度積分値」が（実際の温度－ＣｕとＡｌの共晶点温度）×保持時間で計算されることを開示するものではないし、「温度積分値」を３０℃・ｈ以上４００℃・ｈ以下の範囲内とすることも、単に「温度積分値」の範囲を開示するにとどまり、「温度積分値」が（実際の温度－ＣｕとＡｌの共晶点温度）×保持時間で計算されることを開示するものではないから、前記段落【００３８】の記載から、低温保持工程Ｓ０２における「温度積分値」が（実際の温度－ＣｕとＡｌの共晶点温度）×保持時間で計算されることが明らかであるということはできない。 また、積分の一般的な解釈についてみると、積分とは、「関数の表す曲線とｘ座標軸上の一定区間とで囲まれる面積を、或る極限値として求めること。」（広辞苑第４版第１刷，１９９１年１１月１５日，株式会社岩波書店，１４３５ページ）である。 そして、「ＣｕとＡｌの共晶点温度」は、５４８℃に定まる一定温度なのであって、前記「関数の表す曲線」及び「ｘ座標軸上の一定区間」のいずれにも相当しないから、「温度積分値」の単位が「℃・ｈ」であることと前記積分の一般的な解釈に基づいて「温度積分値」を計算しても、当該計算に「ＣｕとＡｌの共晶点温度」が入り込む余地はないので、前記低温保持工程Ｓ０２における「温度積分値」が（実際の温度－ＣｕとＡｌの共晶点温度）×保持時間で計算されることが明らかであるとはいえない。 そうすると、前記段落【００３８】の記載、「温度積分値」の単位が「℃・ｈ」であること、及び積分の一般的な解釈から、前記低温保持工程Ｓ０２における「温度積分値」が（実際の温度－ＣｕとＡｌの共晶点温度）×保持時間で計算されることは、明らかであるとはいえないし、このことを裏付ける証拠もないから、出願時の技術常識であるともいえない。 同様に、前記２によれば、段落【００３９】には、前記加熱工程Ｓ０３における加熱温度がＡｇとＣｕの共晶点温度以上８５０℃以下の範囲内とされ、「温度積分値」を７２℃・ｈ以上２００℃・ｈ以下の範囲内、好ましくは７２℃・ｈ以上１５０℃・ｈ以下の範囲内とするとよいことが記載されているにすぎないから、前記段落【００３９】の記載、「温度積分値」の単位が「℃・ｈ」であること、及び積分の一般的な解釈から、前記加熱工程Ｓ０３における「温度積分値」が（実際の加熱温度－ＡｇとＣｕの共晶点温度）×保持時間で計算されることは、明らかであるとはいえないし、このことを裏付ける証拠もないから、出願時の技術常識であるともいえない。 （３） 前記（２）によれば、本願明細書の発明の詳細な説明の段落【００３８】～【００３９】の記載、前記「温度積分値」の単位が［℃・ｈ］であること、及び、積分の概念から、前記低温保持工程Ｓ０２における「温度積分値」が（実際の温度－ＣｕとＡｌの共晶点温度）×保持時間で計算され、前記加熱工程Ｓ０３における「温度積分値」が（実際の加熱温度－ＡｇとＣｕの共晶点温度）×保持時間で計算されることが明らかであるとはいえないから、前記（１）の請求人の主張は採用し得ない。 したがって、請求人の主張によっても、前記「温度積分値」の求め方を理解できないことに変わりはないので、本願明細書の発明の詳細な説明の記載は実施可能要件を満たさない。 ６ まとめ 以上によれば、本願明細書の発明の詳細な説明の記載及び出願時の技術常識からは「温度積分値」の求め方を理解することができないから、当業者は、過度の試行錯誤を要することなく、本願発明に係る「銅／セラミックス接合体」を製造し、使用することができない。 したがって、本願明細書の発明の詳細な説明は、本願発明を当業者が実施できる程度に明確かつ十分に記載したものとはいえないから、実施可能要件を満たさない。 第５ むすび 以上のとおり、本願は、発明の詳細な説明の記載が特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていないから、同法第４９条第４号に該当するので、拒絶されるべきものである。 よって、結論のとおり審決する。