2022-012767

特願２０１７－１４９０５９「半導体装置、及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成３１年 ２月２１日出願公開、特開２０１９－ ２９５５６〕について、次のとおり審決する。

結 論 本件審判の請求は、成り立たない。

理 由 第１ 手続の経緯 本願は、平成２９年８月１日の出願であって、その手続の経緯は以下のとおりである。 令和 ３年１０月１８日付け：拒絶理由通知 令和 ３年１２月１７日 ：意見書、手続補正書の提出 令和 ４年 ５月１２日付け：拒絶査定（原査定） 令和 ４年 ８月１５日 ：審判請求書、手続補正書の提出 第２ 令和４年８月１５日にされた手続補正についての補正の却下の決定 ［補正の却下の決定の結論］ 令和４年８月１５日にされた手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。 ［理由］ １ 本件補正について（補正の内容） 本件補正は、補正前の、令和３年１２月１７日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１～３５を補正して、補正後の請求項１～３５とするとともに、明細書の記載を補正するものであり、そのうちの補正前後の特許請求の範囲の請求項１の記載は、以下のとおりである。（下線は、補正箇所を示すために当審で付した。） （本件補正前） 「【請求項１】 半導体チップと、 前記半導体チップを覆う封止材と、 平面視で前記半導体チップよりも面積が大きい再配線層と、を備え、 前記封止材は、硬化したエポキシ樹脂を含み、 前記再配線層の層間絶縁膜の１３３Ｗ、５０Ｐａの条件で３分間処理の酸素プラズマ処理時の処理前後の膜厚を測定することにより算出されるエッチングレートが、０．０５ミクロン／分以上であることを特徴とする半導体装置。」 （本件補正後） 「【請求項１】 半導体チップと、 前記半導体チップを覆う封止材と、 平面視で前記半導体チップよりも面積が大きい再配線層と、を備え、 前記封止材は、硬化したエポキシ樹脂を含み、 神港精機社製のＥＸＡＭ装置を用いて１３３Ｗ、５０Ｐａの条件で３分間処理の酸素プラズマ処理時の処理前後の膜厚を測定することにより算出される、前記再配線層の層間絶縁膜のエッチングレートが、０．０５ミクロン／分以上であることを特徴とする半導体装置。」 ２ 本件補正の適否 （１）補正事項 請求項１に関する本件補正の内容は、次のとおりである。 ［補正事項１］ 補正前の請求項１に記載の「前記再配線層の層間絶縁膜の１３３Ｗ、５０Ｐａの条件で３分間処理の酸素プラズマ処理時の処理前後の膜厚を測定することにより算出されるエッチングレート」を、「神港精機社製のＥＸＡＭ装置を用いて１３３Ｗ、５０Ｐａの条件で３分間処理の酸素プラズマ処理時の処理前後の膜厚を測定することにより算出される、前記再配線層の層間絶縁膜のエッチングレート」とすること。 （２）補正の目的の適否について ア 補正事項１について 補正事項１は、補正前の請求項１に記載された発明の発明特定事項である「前記再配線層の層間絶縁膜」の「酸素プラズマ処理」について、「神港精機社製のＥＸＡＭ装置を用いて」という構成を追加して、「前記再配線層の層間絶縁膜」の「酸素プラズマ処理」を限定する補正であり、補正前の請求項１に記載された発明と補正後の請求項１に記載される発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一である。 したがって、補正事項１は、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。 イ 上記のとおり、本件補正は、特許請求の範囲の減縮を目的とする補正事項１を含むものであるから、本件補正後の請求項１に記載される発明（以下「本件補正発明」という。）が同条第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか（特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか）について、以下、検討する。 （３）独立特許要件について 特許法第３６条第６項第２号に規定する要件（特許請求の範囲の記載不備）について ア 前記１（本件補正後）に記載のとおり、本件補正後の請求項１には、「神港精機社製のＥＸＡＭ装置を用いて１３３Ｗ、５０Ｐａの条件で３分間処理の酸素プラズマ処理時の処理前後の膜厚を測定することにより算出される、前記再配線層の層間絶縁膜のエッチングレートが、０．０５ミクロン／分以上である」と記載されている。 イ 本件補正後の請求項１において、「神港精機社製のＥＸＡＭ装置を用いて」と特定しているものの、当該装置におけるプラズマ処理の温度が１つに決まっていると認めるに足る証拠はないから、この特定により、プラズマ処理の温度が特定されたということはできない。 また、気体の状態方程式ＰＶ＝ｎＲＴ（Ｐ：圧力、Ｖ：体積、ｎ：気体のモル数、Ｒ：気体定数、Ｔ：温度）から、反応ガス（酸素ガス）濃度（＝ｎ／Ｖ）は圧力と温度に依存するといえるところ、仮に、当該装置におけるプラズマ処理を行う空間の容積（Ｖ：体積）が分かったとしても、プラズマ処理の温度が特定されたといえないので、反応ガス（酸素ガス）濃度が特定されたということもできない。 そして、本件補正後の請求項１に記載の「神港精機社製のＥＸＡＭ装置」は、下記の周知例１に記載のとおり、多目的プラズマエッチング装置であって、多目的である以上様々な処理が可能であり、請求項１において、「神港精機社製のＥＸＡＭ装置」を用いて、「１３３Ｗ、５０Ｐａの条件で３分間処理の酸素プラズマ処理」という記載により、電力［Ｗ］と圧力［Ｐａ］と処理時間［分］の数値範囲を特定しているが、例えば、プラズマ処理の温度、プラズマモード、反応ガス濃度等によって、プラズマ処理結果が異なることが明らかである。 そうすると、この「神港精機社製のＥＸＡＭ装置」用いて、「１３３Ｗ、５０Ｐａの条件で３分間」の酸素プラズマ処理を行った結果が、常に一定の品質、組成等を確保することが明確であるとはいえない。 周知例１：https://www.shinko-seiki.com/products/187/ https://premium.ipros.jp/shinko-seiki/catalog/detail/503291/ ウ したがって、本件補正発明は、明確ではなく、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていないため、特許出願の際独立して特許を受けることができない。 ３ むすび 以上のとおりであるから、補正事項１を含む本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合しないので、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 よって、上記補正の却下の決定の結論のとおり決定する。 第３ 本願発明について １ 本願発明 本件補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、令和３年１２月１７日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１～３５に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、その請求項１に記載された事項により特定される、前記第２［理由］１（本件補正前）に記載のとおりのものである。 ２ 原査定の拒絶の理由 原査定の拒絶の理由は、Ｃ．（明確性）この出願は、特許請求の範囲の記載が、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない、というものを含む。 ３ 判断（理由Ｃ．（明確性）について） 前記第２［理由］１（本件補正前）に記載のとおり、本願発明は、「前記再配線層の層間絶縁膜の１３３Ｗ、５０Ｐａの条件で３分間処理の酸素プラズマ処理時の処理前後の膜厚を測定することにより算出されるエッチングレート」との発明特定事項を含むものであるところ、「１３３Ｗ、５０Ｐａの条件で３分間処理の酸素プラズマ処理」という記載により、電力［Ｗ］と圧力［Ｐａ］と処理時間［分］の数値範囲を特定しているが、例えば、プラズマ処理の温度、反応ガス濃度等によって、プラズマ処理結果が異なることが明らかである。 そうすると、「１３３Ｗ、５０Ｐａの条件で３分間処理の酸素プラズマ処理」の結果が、常に一定の品質、組成等を確保することが明確であるとはいえない。 したがって、本願発明は、明確ではない。 第４ むすび 以上のとおり、本願は、特許請求の範囲の記載が特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていないから、拒絶すべきものである。 よって、結論のとおり審決する。