2021-017549

特願２０１９－５３１９２６「半導体構成素子を製造する方法」拒絶査定不服審判事件〔平成３０年 ６月２１日国際公開、ＷＯ２０１８／１０９１９３、令和 ２年 １月２３日国内公表、特表２０２０－５０２７９６〕について、次のとおり審決する。

結 論 本件審判の請求は、成り立たない。

理 由 第１ 手続の経緯 本願は、２０１７年（平成２９年）１２月１５日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２０１６年（平成２８年）１２月１６日 独国）を国際出願日とする出願であって、その手続の経緯は以下のとおりである。 令和元年 ７月１１日 ：国際出願翻訳文提出書の提出 令和２年 ９月２３日付け：拒絶理由通知書 令和３年 ２月１９日 ：意見書、手続補正書の提出 令和３年 ８月３１日付け：拒絶査定 令和３年１２月２０日 ：審判請求書、手続補正書の提出 令和４年 ６月２０日 ：上申書の提出 第２ 令和３年１２月２０日にされた手続補正についての補正の却下の決定 ［補正の却下の決定の結論］ 令和３年１２月２０日にされた手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。 ［理由］ １ 本件補正について（補正の内容） （１）本件補正後の特許請求の範囲の記載 本件補正により、特許請求の範囲の請求項１の記載は、次のとおり補正された。（下線部は、補正箇所である。） 「半導体構成素子（１０）を製造する方法であって、 －第１の横方向熱膨張係数を有する補助支持体（４０）を、半導体本体（２０）の第１の側（２７）に被着させるステップと、 －第２の横方向熱膨張係数を有する接続支持体（６０）を、前記補助支持体（４０）とは反対側の、前記半導体本体（２０）の第２の側（２８）に被着させるステップと、を含み、 前記接続支持体（６０）は、集積回路を有し、 －前記半導体本体（２０）は、前記補助支持体（４０）とは異なる成長基板（３０）上で成長し、 －前記第１および第２の横方向熱膨張係数は、ほぼ等しく －前記成長基板（３０）は、前記補助支持体（４０）の被着前に除去され、 －前記成長基板（３０）は、前記半導体本体（２０）の成長中に当該半導体本体（２０）の前記第１の側（２７）に配置されており、 －前記成長基板（３０）は、前記補助支持体（４０）の被着前に前記半導体本体（２０）の第１の側（２７）から除去される、半導体構成素子（１０）を製造する方法。」 （２）本件補正前の特許請求の範囲 本件補正前の、令和３年２月１９日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１の記載は次のとおりである。 「半導体構成素子（１０）を製造する方法であって、 －第１の横方向熱膨張係数を有する補助支持体（４０）を、半導体本体（２０）の第１の側（２７）に被着させるステップと、 －第２の横方向熱膨張係数を有する接続支持体（６０）を、前記補助支持体（４０）とは反対側の、前記半導体本体（２０）の第２の側（２８）に被着させるステップと、を含み、 －前記半導体本体（２０）は、前記補助支持体（４０）とは異なる成長基板（３０）上で成長し、 －前記第１および第２の横方向熱膨張係数は、最大で５０％異なり、 －前記成長基板（３０）は、前記補助支持体（４０）の被着前に除去される、半導体構成素子（１０）を製造する方法。」 ２ 補正の適否 本件補正は、本件補正前の請求項１に記載された発明を特定するために必要な事項である「接続支持体（６０）」について、「集積回路を有し」と限定し、「第１の横方向熱膨張係数」と「第２の横方向熱膨張係数」の関係について、「最大で５０％異なり」とあったものを「ほぼ等しく」とし、「補助支持体（４０）」が被着される半導体本体（２０）の「第１の側（２７）」について、「前記成長基板（３０）は、前記半導体本体（２０）の成長中に当該半導体本体（２０）の前記第１の側（２７）に配置されており、前記成長基板（３０）は、前記補助支持体（４０）の被着前に前記半導体本体（２０）の第１の側（２７）から除去される」と、「成長基板（３０）」が配置される側であることを限定するものであり、補正前の請求項１に記載された発明と補正後の請求項１に記載される発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるから、特許法１７条の２第５項２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。 そこで、本件補正後の請求項１に記載される発明（以下「本件補正発明」という。）が同条第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか（特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか）について、以下、検討する。 （１）本件補正発明 本件補正発明は、上記１（１）に記載したとおりのものである。 （２）引用文献の記載事項 ア 原査定の拒絶の理由で引用された本願の優先日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった引用文献である、特開２００２－２６１３３５号公報（以下「引用文献」という。）には、図面とともに、次の記載がある。 「【請求項９】 複数の発光素子が配列され所要の画像信号に対応して画像を表示する画像表示装置の製造方法において、所要の配線をマトリクス状に配設した配線用基板を用意すると共に、個別のチップに分離された一個の素子占有面積が２５μｍ２以上で１００００μｍ２以下とされる複数の発光素子を用意し、該発光素子を前記配線に接続するように実装して画像表示装置を構成することを特徴とする画像表示装置の製造方法。 【請求項１０】 所要の素子形成用基板上に半導体層を積層し、該半導体層に前記複数の発光素子を並べて形成した後、各発光素子毎に分離し、その分離した各発光素子を前記配線用基板に実装することを特徴とする請求項９記載の画像表示装置の製造方法。」 「【００２７】図１は第１の実施例の画像表示装置の要部のレイアウトを示す図であり、図１では垂直水平方向に２画素分ずつの要部を図示している。本実施例の画像表示装置では、配線用基板１の主面上に水平方向に延在された複数本のアドレス線ＡＤＤ０、ＡＤＤ１が形成され、さらに図示しない層間絶縁膜を介して垂直方向に延在された複数本のデータ線ＤＬＲ０～ＤＬＢ１が形成されている。配線用基板１は例えばガラス基板や、合成樹脂又は絶縁層で被覆された金属基板、或いはシリコン基板等の半導体製造に汎用な基板であり、アドレス線やデータ線を求められる精度で形成可能な基板であればどのような基板であっても良い。」 「【０１５８】例６ 本例は２回転写用基板を用いて実装する例であり、本例を図５０乃至図５４を参照しながら説明する。 【０１５９】図５０に示すように、成長用基板３３６上には発光素子を構成するように、下地成長層３３２上に六角錐状の結晶成長層３３３が形成され、結晶成長層３３３上にはｐ電極３３４が下地成長層３３２上には更にｎ電極が形成され、ｐ電極３３４と高さを同程度とするためのバンプ３３５が形成されている。成長用基板３３６上には発光素子は配線用基板の電極ピッチに合わせて離間している。この成長用基板３３６は転写用基板３３０と対向するように保持され、成長用基板３３６の裏面からレーザー光を照射することで、発光素子は素子ごと分離され、転写用基板３３０に転写される。転写用基板３３０にはこの時シリコーン樹脂などからなる転写材３３１が形成されていて、この転写材３３１により、発光素子は素子ごとに保持される。 【０１６０】次に、図５１に示すように、Ｇａ層の除去により、転写用基板３３０に光取出し面が外側となる形で保持され、さらに図５２に示すように、転写材３４０が上面に塗布された第２の転写用基板３４１が貼り合わせられる。この場合において、転写材３４０は例えば紫外線硬化型粘着材であり、第２の転写用基板３４１はガラスもしくは石英ガラスである。 【０１６１】次に、最初の転写用基板３３０が剥がされることで、図５３に示すように、発光素子は第２の転写用基板３４１に転写される。 【０１６２】そして図５４に示すように、配線用基板３４２の主面には電極層３４３、３４４が所要のピッチで形成されているところで、第２の転写用基板３４１と配線用基板３４２が対向して保持された、配線用基板の電極ピッチに合わせてレーザービームが照射される。成長用基板３２８の裏面からレーザー光を照射することで、転写材３４０のアブレーションにより発光素子は素子ごと分離され、配線用基板３４２に保持される。この転写はレーザービームの照射が電極ピッチに合わせた選択的なものであるために、成長用基板３２８上の全部の発光素子が分離するわけではなく、配線用基板の電極ピッチに合わせた単色の素子だけが確実に転写される。この工程を他の波長の素子に対して繰り返し、配線用基板３４２上の接着剤３４５を硬化させて画像表示装置が完成する。なお、転写材３４０のアブレーションの残さが発光素子裏面に付着しているときは洗浄もしくは研磨の工程を付加する。」 「図１ ［図：0001397626000001.jpg］ 」 「図５０ ［図：0001397626000002.jpg］ 」 「図５１ ［図：0001397626000003.jpg］ 」 「図５２ ［図：0001397626000004.jpg］ 」 「図５３ ［図：0001397626000005.jpg］ 」 「図５４ ［図：0001397626000006.jpg］ 」 イ 上記アの【請求項１０】及び【０１５９】より、「素子形成用基板」は、「成長用基板３３６」であると認められる。 ウ 以上より、引用文献には、例６（図５０～５４）に係る２回転写用基板を用いて複数の発光素子を配線用基板に実装する次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。なお、参考までに、引用発明の認定に用いた引用文献の記載等に係る段落番号等を括弧内に付してある。 また、上記アの【０１６２】には、「成長用基板３２８の裏面からレーザー光を照射することで、転写材３４０のアブレーションにより発光素子は素子ごと分離され、配線用基板３４２に保持される」と記載されているところ、「転写材３４０」は「第２の転写用基板３４１」の上面に塗布されたものである（【０１６０】）ことを踏まえると、上記記載中の「成長用基板３２８」が、「第２の転写用基板３４１」の誤記であることは明らかであるから、そのように認めて、引用発明を認定する。 ＜引用発明＞ 「複数の発光素子が配列され所要の画像信号に対応して画像を表示する画像表示装置の製造方法において、 所要の配線をマトリクス状に配設した配線用基板を用意すると共に、個別のチップに分離された一個の素子占有面積が２５μｍ２以上で１００００μｍ２以下とされる複数の発光素子を用意し、該発光素子を前記配線に接続するように実装して画像表示装置を構成し、（【請求項９】） 所要の素子形成用基板上に半導体層を積層し、該半導体層に前記複数の発光素子を並べて形成した後、各発光素子毎に分離し、その分離した各発光素子を前記配線用基板に実装し、（【請求項１０】） 配線用基板は、ガラス基板や、合成樹脂又は絶縁層で被覆された金属基板、或いはシリコン基板等の半導体製造に汎用な基板であり、（【００２７】） 素子形成用基板は、成長用基板３３６であり、（上記イ） 成長用基板３３６上には発光素子を構成するように、下地成長層３３２上に六角錐状の結晶成長層３３３が形成され、 成長用基板３３６は転写用基板３３０と対向するように保持され、 成長用基板３３６の裏面からレーザー光を照射することで、発光素子は素子ごと分離され、転写用基板３３０に転写され、転写用基板３３０に光取出し面が外側となる形で保持され、（【０１５９】・【０１６０】） 転写材３４０が上面に塗布された第２の転写用基板３４１が貼り合わせられ、第２の転写用基板３４１はガラスもしくは石英ガラスであり、（【０１６０】） 最初の転写用基板３３０が剥がされることで、発光素子は第２の転写用基板３４１に転写され、（【０１６１】） 第２の転写用基板３４１と配線用基板３４２が対向して保持され、 第２の転写用基板３４１の裏面からレーザー光を照射することで、転写材３４０のアブレーションにより発光素子は素子ごと分離され、配線用基板に保持される、（【０１６２】） 画像表示装置の製造方法。（【請求項９】・【請求項１０】）」 （３）本件補正発明と引用発明の対比・判断 ア 対比（一致点及び相違点） 本件補正発明と引用発明とを対比すると、以下のとおりである。 （ア）本件補正発明の「第１の横方向熱膨張係数を有する補助支持体（４０）を、半導体本体（２０）の第１の側（２７）に被着させるステップ」との特定事項について 引用発明の「発光素子」は、「所要の素子形成用基板上に半導体層を積層し、該半導体層に前記複数の発光素子を並べて形成した」ものであり、「成長用基板３３６の裏面からレーザー光を照射することで、」「素子ごと分離され、転写用基板３３０に転写され」、「転写用基板３３０に光取出し面が外側となる形で保持され」る。そして、当該「転写用基板３３０」に、「転写材３４０が上面に塗布された第２の転写用基板３４１が貼り合わせられ」、「最初の転写用基板３３０が剥がされることで」、当該「発光素子」は、「第２の転写用基板３４１に転写され」ている。 そうすると、引用発明の「第２の転写用基板３４１」及び「発光素子」は、本件補正発明の「補助支持体（４０）」及び「半導体本体（２０）」に相当するといえ、上記の工程に照らせば、発光素子の素子形成用基板側（以下「形成基板側」という。）が、本件補正発明の「第１の側（２７）」に相当し、引用発明は、本件補正発明の「補助支持体（４０）を、半導体本体（２０）の第１の側（２７）に被着させるステップ」を備えるといえる。また、引用発明の「第２の転写用基板３４１」は、所定の横方向熱膨張係数を有するものであるから、当該「第２の転写用基板３４１の横方向熱膨張係数」は、本件補正発明の「第１の横方向熱膨張係数」に相当するといえる。 よって、引用発明は、本件補正発明の上記特定事項を備えている。 （イ）本件補正発明の「第２の横方向熱膨張係数を有する接続支持体（６０）を、前記補助支持体（４０）とは反対側の、前記半導体本体（２０）の第２の側（２８）に被着させるステップ」との特定事項について 引用発明は、「第２の転写用基板３４１と配線用基板３４２が対向して保持され」、「第２の転写用基板３４１の裏面からレーザー光を照射することで、転写材３４０のアブレーションにより発光素子は素子ごと分離され、配線用基板３４２に保持される」との工程を備えている。 そうすると、引用発明の「配線用基板３４２」は、本件補正発明の「接続支持体（６０）」に相当し、「形成基板側」と反対の側が、本件補正発明の「第２の側（２８）」に相当し、引用発明は、本件補正発明の「接続支持体（６０）を、前記補助支持体（４０）とは反対側の、前記半導体本体（２０）の第２の側（２８）に被着させるステップ」を備えるといえる。また、引用発明の「配線用基板３４２」は、所定の横方向熱膨張係数を有するものであるから、当該「配線用基板３４２の横方向熱膨張係数」は、本件補正発明の「第２の横方向熱膨張係数」に相当するといえる。 よって、引用発明は、本件補正発明の上記特定事項を備えている。 （ウ）本件補正発明の「前記接続支持体（６０）は、集積回路を有し」との特定事項について 引用発明の「配線用基板３４２」は、集積回路を有しているか否か特定されてはいない。 （エ）本件補正発明の「前記半導体本体（２０）は、前記補助支持体（４０）とは異なる成長基板（３０）上で成長し」との特定事項について 引用発明の「発光素子」は、「所要の素子形成用基板上に半導体層を積層し、該半導体層に前記複数の発光素子を並べて形成」しており、当該「素子形成用基板」は「成長用基板３３６」であるから、引用発明の「素子形成用基板（成長用基板３３６）」は、本件補正発明の「成長基板（３０）」に相当し、引用発明の「前記半導体本体（２０）」は、「第２の転写用基板３４１」と異なる「成長用基板３３６」上で成長したものといえる。 よって、引用発明は、本件補正発明の上記特定事項を満たしている。 （オ）本件補正発明の「前記第１および第２の横方向熱膨張係数は、ほぼ等しく」との特定事項について 引用発明の「第２の転写用基板３４１」と「配線用基板３４２」との横方向熱膨張係数の関係は特定されていない。 （カ）本件補正発明の「前記成長基板（３０）は、前記補助支持体（４０）の被着前に除去され」、「前記成長基板（３０）は、前記半導体本体（２０）の成長中に当該半導体本体（２０）の前記第１の側（２７）に配置されており」及び「前記成長基板（３０）は、前記補助支持体（４０）の被着前に前記半導体本体（２０）の第１の側（２７）から除去される」との特定事項について 引用発明は、「成長用基板３３６上には発光素子を構成するように、下地成長層３３２上に六角錐状の結晶成長層３３３が形成され」との工程を備えており、引用発明の「素子形成用基板（成長用基板３３６）」は、「形成基板側」に配置されている。当該工程を踏まえると、引用発明は、「転写用基板３３０」を介した２回転写により、「発光素子」の「成長用基板３３６」が除去された側（形成基板側）に「第２の転写用基板３４１」が貼り合わせられるものと理解できる。 そうすると、引用発明の「素子形成用基板（成長用基板３３６）」は、「発光素子」の形成中に「発光素子」の「形成基板側」に配置されており、「第２の転写用基板３４１」の貼り合わせ前に除去されるものといえる。 よって、引用発明は、本件補正発明の上記特定事項を満たしている。 （キ）本件補正発明の「半導体構成素子（１０）を製造する方法」との特定事項について 引用発明は、「画像表示装置の製造方法」であるから、引用発明と本件補正発明の上記特定事項とは、「物品を製造する方法」である点で一致する。 （ク）以上のことから、本件補正発明と引用発明との一致点及び相違点は、次のとおりである。 ＜一致点＞ 「物品を製造する方法であって、 －第１の横方向熱膨張係数を有する補助支持体（４０）を、半導体本体（２０）の第１の側（２７）に被着させるステップと、 －第２の横方向熱膨張係数を有する接続支持体（６０）を、前記補助支持体（４０）とは反対側の、前記半導体本体（２０）の第２の側（２８）に被着させるステップと、を含み、 －前記半導体本体（２０）は、前記補助支持体（４０）とは異なる成長基板（３０）上で成長し、 －前記成長基板（３０）は、前記補助支持体（４０）の被着前に除去され、 －前記成長基板（３０）は、前記半導体本体（２０）の成長中に当該半導体本体（２０）の前記第１の側（２７）に配置されており、 －前記成長基板（３０）は、前記補助支持体（４０）の被着前に前記半導体本体（２０）の第１の側（２７）から除去される、物品を製造する方法。」 ＜相違点１＞ 「前記接続支持体（６０）」について、本件補正発明は、「集積回路」を有しているのに対し、引用発明は、当該構成について特定されていない点。 ＜相違点２＞ 「横方向熱膨張係数」について、本件補正発明は、「前記第１および第２の横方向熱膨張係数は、ほぼ等しく」と特定するのに対し、引用発明は、当該構成について特定されていない点。 ＜相違点３＞ 「物品」について、本件補正発明は、「半導体構成素子（１０）」であるのに対し、引用発明は、「画像表示装置」である点。 イ 相違点についての判断 （ア）相違点１について 引用発明は「複数の発光素子が配列され所要の画像信号に対応して画像を表示する画像表示装置」の製造方法であるところ、発光素子を配列する基板が、当該発光素子を駆動するために「集積回路」を有することは周知技術（例えば、特表２０１５－５２４６２３号公報の【００２４】、特開２００７－２６６５９３号公報の【０００４】、特開２００１－２６７５７８号公報の【００１１】参照）であり、引用発明により製造される画像表示装置が駆動回路を備えていることは明らかであるから、引用発明に当該周知技術を適用し、引用発明の「配線用基板３４２」が「集積回路」を有するよう構成することは、当業者が容易になし得たことといえる。 （イ）相違点２について 引用発明の「第２の転写用基板３４１」は「ガラスもしくは石英ガラス」であり、「配線用基板」は「ガラス基板や、合成樹脂又は絶縁層で被覆された金属基板、或いはシリコン基板等の半導体製造に汎用な基板」である。そうすると、引用発明は、「第２の転写用基板３４１」及び「配線用基板」として、両者が「ガラス」であるものを含むものである。 よって、上記相違点２は実質的な相違とは認められない。 仮に、そこまではいえないとしても、転写工程における各基板の熱膨張係数をほぼ等しくすることにより、製造工程中の熱変化による影響を抑制することは周知技術（例えば、特開平１１－２５０７９５号公報の【００４５】、特開２００３－１６２２３１号公報の【００２２】、特開２０１２－２３０９６９号公報の【００６８】参照）であるところ、引用発明も複数の発光素子を転写して配列するものであるから、引用発明が、製造工程中の熱変化による影響との課題を有していることは明らかであり、引用発明に当該周知技術を適用する動機はあるといえる。 よって、引用発明に当該周知技術を適用し、引用発明の「第２の転写用基板３４１」及び「配線用基板」の横方向熱膨張係数をほぼ等しく構成して、相違点２に係る本件補正発明の構成とすることは、当業者であれば容易になし得たことといえる。 （ウ）相違点３について 引用発明は、「画像表示装置の製造方法」であるところ、当該「画像表示装置」は、「複数の発光素子」が「配線用基板３４２に保持される」ものであり、当該「発光素子」は、「素子形成用基板上に半導体層を積層し、該半導体層に前記複数の発光素子を並べて形成した」ものであるから、半導体の発光素子であると理解できる。 そうすると、引用発明により製造される「画像表示装置」は、複数の半導体発光素子を配線用基板に保持したものと解されるから、半導体構成の物品ということに差し障りはない。そして、そのような物品を「装置」と呼ぶか「素子」と呼ぶかは、単に呼称の問題にすぎないものと解される。 よって、相違点３に係る本件補正発明の構成は、実質的な相違ではない。 （エ）本件補正発明の効果について そして、これらの相違点を総合的に勘案しても、本件補正発明の奏する作用効果は、引用発明及び周知技術に記載された技術の奏する作用効果から予測される範囲内のものにすぎず、格別顕著なものということはできない。 （オ）請求人の主張について 請求人は、審判請求書及び上申書にて、ガラス基板に集積回路を組み込んだ先行技術は存在せず、特開２００７－２６６５９３号公報には、集積回路を内蔵したガラス基板は記載されていない旨主張している。 しかしながら、本件補正発明は、「前記接続支持体（６０）は、集積回路を有し」と特定するものであり、ガラス板上にＴＦＴが形成された基板は、当該特定事項を満たすものと解される。このことは、本願の発明の詳細な説明に「本方法の少なくとも１つの実施形態によれば、接続支持体は集積回路を有する。例えば、接続支持体は、シリコン基板上もしくはその内部に電子制御機器を有することができる」（【００３２】）と記載されており、当該「シリコン基板上もしくはその内部」との記載は、上記の理解に沿うものといえる。 よって、請求人の上記主張は、本件補正発明に特定される構成に基づかない主張であり、上記判断を左右するものではない。 ウ 小括 したがって、本件補正発明は、引用発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 ３ 本件補正についてのむすび 以上より、本件補正は、特許法１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 よって、上記補正の却下の決定の結論のとおり決定する。 第３ 本願発明について １ 本願発明 令和３年１２月２０日にされた手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、令和３年２月１９日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１～１７に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、その請求項１に記載された事項により特定される、前記第２［理由］１（２）に記載のとおりのものである。 ２ 原査定の拒絶の理由 原査定の拒絶の理由は、以下の理由により特許を受けることができない、というものを含むものである。 （１）（明確性要件違反）この出願は、請求項１の「第１および第２の横方向熱膨張係数は、最大で５０％異なり」との記載が明確でないから、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。 （２）（新規性欠如）この出願の請求項１に係る発明は、その出願の優先日前に日本国内又は外国において、頒布された刊行物である又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった下記の文献に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。 （３）（進歩性欠如）この出願の請求項１に係る発明は、その出願の優先日前に日本国内又は外国において、頒布された刊行物である又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった下記の文献に記載された発明に基いて、その出願の優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 特開２００２－２６１３３５号公報 ３ 判断 （１）理由１（明確性要件違反）について 本願の請求項１には、「第１および第２の横方向熱膨張係数は、最大で５０％異なり」と記載されているところ、第１および第２の横方向熱膨張係数のとりうる範囲が不明である。 例えば、「第１の横方向熱膨張係数」を「１．０」とする。その上で、（ｉ）「第１の横方向熱膨張係数」を基準とすると、「最大で５０％異な」る「第２の横方向熱膨張係数」は、「０．５～１．５」（（１．０×０．５）／１．０～（１．０×１．５）／１．０）となり、（ｉｉ）「第２の横方向熱膨張係数」を基準とすると、「最大で５０％異な」る「第２の横方向熱膨張係数」は、「０．６７～２」（１．０／（１．０×１．５）～１．０／（１．０×０．５））となる。このように、第１および第２の横方向熱膨張係数のどちらを基準にするかによって、第１および第２の横方向熱膨張係数のとりうる範囲が変わってくるため、第１および第２の横方向熱膨張係数のとりうる範囲がわからず不明である。 よって、本願発明は、明確でない。 （２）理由２（新規性欠如）及び理由３（進歩性欠如）について ア 引用文献の記載事項 原査定の拒絶の理由で引用された引用文献（特開２００２－２６１３３５号公報）の記載事項は、前記第２の［理由］２（２）に記載したとおりである。 イ 対比・判断 本願発明は、前記第２の［理由］２で検討した本件補正発明から、（ｉ）「接続支持体（６０）」に係る「集積回路を有し」との限定事項を削除し、（ｉｉ）「第１および第２の横方向熱膨張係数」について、「ほぼ等しく」を「最大で５０％異なり」とし、（ｉｉｉ）半導体本体（２０）の「第１の側（２７）」に係る「－前記成長基板（３０）は、前記半導体本体（２０）の成長中に当該半導体本体（２０）の前記第１の側（２７）に配置されており、－前記成長基板（３０）は、前記補助支持体（４０）の被着前に前記半導体本体（２０）の第１の側（２７）から除去される」との限定事項を削除したものである。 そうすると、本願発明の発明特定事項を全て含み、さらに当該発明特定事項を限定したものに相当する本件補正発明が、上記第２の［理由］２（３）に記載したとおり、引用発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、引用発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 また、上記第２の［理由］２（３）を参酌して、本願発明と引用発明とを対比すると、両者に実質的な相違は認められないから、本願発明は、引用文献に記載された発明である。 よって、本願発明は、引用文献に記載された発明であると供に、引用発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 第４ むすび 以上のとおり、本願発明は、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許法第２９条第１項の規定により特許を受けることができず、特許法２９条第２項及び特許法第３６条第６項第２号の規定により特許を受けることができないから、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。 よって、結論のとおり審決する。