2022-012280

特願２０１８－１６２６３１「発光素子」拒絶査定不服審判事件〔平成３１年 ３月２８日出願公開、特開２０１９－ ５０３７１〕について、次のとおり審決する。

結 論 本件審判の請求は、成り立たない。

理 由 第１ 事案の概要 １ 手続等の経緯 特願２０１８－１６２６３１号（以下「本件出願」という。）は、平成３０年８月３１日を出願日（先の出願に基づく優先権主張 平成２９年９月６日）とする特許出願であって、その手続等の経緯の概要は、以下のとおりである。 令和３年１２月 ２日付け：拒絶理由通知書 令和４年 ２月 ７日提出：意見書 令和４年 ２月 ７日提出：手続補正書 令和４年 ３月 ３日付け：拒絶理由通知書 令和４年 ４月２０日提出：意見書 令和４年 ５月１０日付け：拒絶査定（以下「原査定」という。） 令和４年 ８月 ５日提出：審判請求書 令和４年 ８月 ５日提出：手続補正書 第２ 補正の却下の決定 ［補正の却下の決定の結論］ 令和４年８月５日にした手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。 ［理由］ １ 本件補正の内容 (1) 本件補正前の特許請求の範囲 本件補正前である、令和４年２月７日に提出した手続補正書による手続補正後の特許請求の範囲の請求項１の記載は、次のとおりである。 「 陽極と、陰極と、陽極及び陰極の間に設けられた第１の有機層及び第２の有機層と、を有する発光素子であって、 前記第１の有機層が、要件(i)及び要件(ii)の少なくとも一方を満たす遷移金属を含まない低分子化合物と、デンドロンを有する燐光発光性遷移金属錯体とを含有する層であり、 前記第２の有機層が、架橋基を有する構成単位を含む高分子化合物の架橋体を含有する層であり、 前記高分子化合物を構成する全構成単位の分子量の合計をＸ1とし、前記高分子化合物を構成する全構成単位が有する架橋基の数の合計をＹ1としたとき、（Ｙ1×１０００）／Ｘ1の値が０．２５以上である、前記発光素子。 （i）最低三重項励起状態のエネルギー準位と最低一重項励起状態のエネルギー準位との差の絶対値が０．２５ｅＶ未満である。 （ii）式（Ｔ－１）で表される。 【化１】 ［図：0001407170000001.jpg］ ［式中、 ｎT1は、０以上５以下の整数を表す。ｎT1が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。 ｎT2は、１以上１０以下の整数を表す。 ＡｒT1は、置換アミノ基又は１価の複素環基を表し、該１価の複素環基は、環内に二重結合を有さない窒素原子を含み、且つ、環内に＝Ｎ－で表される基、－Ｃ（＝Ｏ）－で表される基、－Ｓ（＝Ｏ）－で表される基、及び、－Ｓ（＝Ｏ）２－で表される基を含まない１価の複素環基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。ＡｒT1が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。 ＬT1は、アルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基、２価の複素環基、－ＮＲT1'－で表される基、酸素原子又は硫黄原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＲT1'は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＬT1が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。 ＡｒT2は、芳香族炭化水素基又は複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。 但し、ＡｒT1のすべてが置換アミノ基、又は、式（Ｔ１－１Ａ）で表される基である場合、ＡｒT2は、環内に＝Ｎ－で表される基を２個以上含む単環の複素環基、環内に－Ｃ（＝Ｏ）－で表される基、－Ｓ（＝Ｏ）－で表される基、－Ｓ（＝Ｏ）２－で表される基及び＝Ｎ－で表される基からなる群より選ばれる少なくとも１つを含む縮合環の複素環基、又は、電子求引性基若しくは環内に－Ｃ（＝Ｏ）－で表される基を含む芳香族炭化水素基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。］ 【化２】 ［図：0001407170000002.jpg］ ［式中、 ＸT1は、単結合、酸素原子、硫黄原子、－Ｎ(ＲXT1)－で表される基、又は、－Ｃ(ＲXT1')２－で表される基を表す。ＲXT1及びＲXT1'は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、置換アミノ基、ハロゲン原子又はシアノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲXT1'は、同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。 ＲT1、ＲT2、ＲT3、ＲT4、ＲT5、ＲT6、ＲT7及びＲT8は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、置換アミノ基、ハロゲン原子又はシアノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］」 (2) 本件補正後の特許請求の範囲 本件補正後の特許請求の範囲の請求項１の記載は、次のとおりである。なお、下線は補正箇所を示す。 「陽極と、陰極と、陽極及び陰極の間に設けられた第１の有機層及び第２の有機層と、を有する発光素子であって、 前記第１の有機層が、要件(i)及び要件(ii)の少なくとも一方を満たす遷移金属を含まない低分子化合物と、デンドロンを有する燐光発光性遷移金属錯体とを含有する層であり、 前記第２の有機層が、架橋基を有する構成単位と、式（Ｘ）で表される構成単位及び式（Ｙ）で表される構成単位のうち少なくとも一方と、からなる高分子化合物の架橋体を含有する層であり、 前記高分子化合物を構成する全構成単位の分子量の合計をＸ1とし、前記高分子化合物を構成する全構成単位が有する架橋基の数の合計をＹ1としたとき、（Ｙ1×１０００）／Ｘ1の値が０．２５以上であり、 前記デンドロンが、式（Ｄ－Ａ）又は式（Ｄ－Ｂ）で表される基であり、 前記デンドロンを有する燐光発光性遷移金属錯体が、式（１）で表される金属錯体である、 前記発光素子。 （i）最低三重項励起状態のエネルギー準位と最低一重項励起状態のエネルギー準位との差の絶対値が０．２５ｅＶ未満である。 （ii）式（Ｔ－１）で表される。 【化１】 ［図：0001407170000003.jpg］ ［式中、 ｎT1は、０以上５以下の整数を表す。ｎT1が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。 ｎT2は、１以上１０以下の整数を表す。 ＡｒT1は、置換アミノ基又は１価の複素環基を表し、該１価の複素環基は、環内に二重結合を有さない窒素原子を含み、且つ、環内に＝Ｎ－で表される基、－Ｃ（＝Ｏ）－で表される基、－Ｓ（＝Ｏ）－で表される基、及び、－Ｓ（＝Ｏ）２－で表される基を含まない１価の複素環基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。ＡｒT1が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。 ＬT1は、アルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基、２価の複素環基、－ＮＲT1'－で表される基、酸素原子又は硫黄原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＲT1'は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＬT1が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。 ＡｒT2は、芳香族炭化水素基又は複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。 但し、ＡｒT1のすべてが置換アミノ基、又は、式（Ｔ１－１Ａ）で表される基である場合、ＡｒT2は、環内に＝Ｎ－で表される基を２個以上含む単環の複素環基、環内に－Ｃ（＝Ｏ）－で表される基、－Ｓ（＝Ｏ）－で表される基、－Ｓ（＝Ｏ）２－で表される基及び＝Ｎ－で表される基からなる群より選ばれる少なくとも１つを含む縮合環の複素環基、又は、電子求引性基若しくは環内に－Ｃ（＝Ｏ）－で表される基を含む芳香族炭化水素基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。］ 【化２】 ［図：0001407170000004.jpg］ ［式中、 ＸT1は、単結合、酸素原子、硫黄原子、－Ｎ(ＲXT1)－で表される基、又は、－Ｃ(ＲXT1')２－で表される基を表す。ＲXT1及びＲXT1'は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、置換アミノ基、ハロゲン原子又はシアノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲXT1'は、同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。 ＲT1、ＲT2、ＲT3、ＲT4、ＲT5、ＲT6、ＲT7及びＲT8は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、置換アミノ基、ハロゲン原子又はシアノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］ 【化３】 ［図：0001407170000005.jpg］ ［式中、 ａX1及びａX2は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。 ＡｒX1及びＡｒX3は、それぞれ独立に、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。 ＡｒX2及びＡｒX4は、それぞれ独立に、アリーレン基、２価の複素環基、又は、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＡｒX2及びＡｒX4が複数存在する場合、 それらは同一でも異なっていてもよい。 ＲX1～ＲX3は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＲX2及びＲX3が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］ 【化４】 ［図：0001407170000006.jpg］ ［式中、ＡｒY1は、アリーレン基、２価の複素環基、又は、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］ 【化５】 ［図：0001407170000007.jpg］ ［式中、 ｍDA1、ｍDA2及びｍDA3は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。 ＧDAは、芳香族炭化水素基又は複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。 ＡｒDA1、ＡｒDA2及びＡｒDA3は、それぞれ独立に、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＡｒDA1、ＡｒDA2及びＡｒDA3が複数ある場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。 ＴDAは、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＴDAは、同一でも異なっていてもよい。］ 【化６】 ［図：0001407170000008.jpg］ ［式中、 ｍDA1、ｍDA2、ｍDA3、ｍDA4、ｍDA5、ｍDA6及びｍDA7は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。 ＧDAは、芳香族炭化水素基又は複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＧDAは、同一でも異なっていてもよい。 ＡｒDA1、ＡｒDA2、ＡｒDA3、ＡｒDA4、ＡｒDA5、ＡｒDA6及びＡｒDA7は、それぞれ独立に、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＡｒDA1、ＡｒDA2、ＡｒDA3、ＡｒDA4、ＡｒDA5、ＡｒDA6及びＡｒDA7が複数ある場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。 ＴDAは、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＴDAは、同一でも異なっていてもよい。］ 【化７】 ［図：0001407170000009.jpg］ ［式中、 Ｍは、ルテニウム原子、ロジウム原子、パラジウム原子、イリジウム原子又は白金原子を表す。 ｎ1は１以上の整数を表し、ｎ2は０以上の整数を表す。但し、Ｍがルテニウム原子、ロジウム原子又はイリジウム原子の場合、ｎ1＋ｎ2は３であり、Ｍがパラジウム原子又は白金原子の場合、ｎ1＋ｎ2は２である。 Ｅ1及びＥ2は、それぞれ独立に、炭素原子又は窒素原子を表す。但し、Ｅ1及びＥ2の少なくとも一方は炭素原子である。Ｅ1及びＥ2が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。 環Ｌ1は、６員の芳香族複素環を表し、該環は置換基を有していてもよい。該置換基が複数存在する場合、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。環Ｌ1が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。 環Ｌ2は、芳香族炭化水素環又は芳香族複素環を表し、これらの環は置換基を有していてもよい。該置換基が複数存在する場合、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。環Ｌ2が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。 環Ｌ1が有していてもよい置換基と、環Ｌ2が有していてもよい置換基とは、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。 環Ｌ1及び環Ｌ2のうちの少なくとも一つは、デンドロンを有する。 Ａ1－Ｇ1－Ａ2は、アニオン性の２座配位子を表す。Ａ1及びＡ2は、それぞれ独立に、炭素原子、酸素原子又は窒素原子を表し、これらの原子は環を構成する原子であってもよい。Ｇ1は、単結合、又は、Ａ1及びＡ2とともに２座配位子を構成する原子団を表す。Ａ1－Ｇ1－Ａ2が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］ (3) 本件補正について ア 本件補正は、補正前の請求項１において、 （A） 本件補正前の請求項１に係る発明を特定するために必要な事項である「架橋基を有する構成単位を含む高分子化合物」を、「架橋基を有する構成単位と、式（Ｘ）で表される構成単位及び式（Ｙ）で表される構成単位のうち少なくとも一方と、からなる」「高分子化合物」に限定し、 （B） 本件補正前の請求項１に係る発明を特定するために必要な事項である「デンドロン」を、「式（Ｄ－Ａ）又は式（Ｄ－Ｂ）で表される基であ」るもの（（当合議体注：「式（Ｄ－Ａ）」及び「式（Ｄ－Ｂ）」の再掲は省略する。以下、他の構造式も同様に再掲を省略することがある。）に限定し、 （C） 本件補正前の請求項１に係る発明を特定するために必要な事項である「デンドロンを有する燐光発光性遷移金属錯体」を、「式（１）で表される金属錯体である」ものに限定する、補正事項を含むものである。 ここで、補正事項（A）は、本件出願の出願当初の明細書の【０２６０】～【０２６２】、【０２８３】等の記載、補正事項（B）は、同【００１５】（最後の２行）～【００１７】、【００５１】等の記載、補正事項（C）は、同【００１２】（最後の２行）～【００１３】、【００８１】等の記載にそれぞれ基づくものである。 さらに、本件補正前の請求項１に係る発明と、本件補正後の請求項１に係る発明の、産業上の利用分野及び解決しようとする課題は同一である（本件出願の明細書の【０００１】及び【０００５】）。 イ してみると、本件補正は、特許法１７条の２第３項の規定に適合するものであり、また、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる事項（特許請求の範囲の減縮）を目的とするものに該当する。 ウ そこで、本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本件補正後発明」という。）が同条第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか（特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか）について、以下検討する。 ２ 独立特許要件（進歩性）についての判断 (1) 引用文献１の記載 原査定の拒絶の理由１（進歩性）において引用された特開２０１６－１１１３５５号公報（以下「引用文献１」という。）は、先の出願前に日本国内又は外国において電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明が記載されたものであるところ、そこには以下の記載がある。なお、下線は当合議体が付したものであり、引用発明の認定や判断等に活用した箇所を示す。 ア 「【発明の詳細な説明】 【技術分野】 【０００１】 本発明は、発光素子に関する。 ・・・略・・・ 【発明の概要】 【発明が解決しようとする課題】 【０００７】 ・・・略・・・そこで、本発明は、電力効率に優れる発光素子を提供することを目的とする。 【課題を解決するための手段】 【０００８】 本発明の一側面は、以下の発光素子に関する。 一側面は、以下の発光素子に関する。 【０００９】 陽極と、 陰極と、 前記陽極及び前記陰極の間に設けられた第１の有機層と、 前記陽極及び前記第１の有機層の間に設けられた第２の有機層とを有する発光素子であって、 前記第１の有機層が、燐光発光性化合物を含み、 前記第２の有機層が、１種又は２種以上の高分子化合物が配合された高分子組成物から形成される高分子硬化物を含み、 前記高分子化合物の少なくとも１種が、架橋基を有し、 前記高分子化合物の少なくとも１種が、燐光発光性構成単位を含み、 前記高分子化合物を構成する各単量体単位について、全単量体単位の総モルに対するその単量体単位のモル比Ｃとその単量体単位の分子量Ｍとを乗じた値ｘ、及び、前記モル比Ｃとその単量体単位が有する前記架橋基の数ｎとを乗じた値ｙを求めたとき、前記ｘの総和Ｘ１及び前記ｙの総和Ｙ１から計算される（Ｙ１×１０００）／Ｘ１の値が、０．６以上である、発光素子。 【発明の効果】 【００１０】 本発明によれば、電力効率に優れる発光素子を提供することができる。 【発明を実施するための形態】 ・・・略・・・ 【００６３】 「架橋基」とは、加熱処理、紫外線照射処理、ラジカル反応等に供することにより、新たな結合を生成することが可能な基であり、好ましくは、架橋基Ａ群の式（ＸＬ－１）、（ＸＬ－２）、（ＸＬ－３）、（ＸＬ－４）、（ＸＬ－５）、（ＸＬ－６）、（ＸＬ－７）、（ＸＬ－８）、（ＸＬ－９）、（ＸＬ－１０）、（ＸＬ－１１）、（ＸＬ－１２）、（ＸＬ－１３）、（ＸＬ－１４）、（ＸＬ－１５）、（ＸＬ－１６）又は（ＸＬ－１７）で表される架橋基（以下、場合により「式（ＸＬ－１）～（ＬＸ－１７）で表される基」という。）である。 【００６４】 【化１２】 ［図：0001407170000010.jpg］ 【００６５】 式中、ＲＸＬは、メチレン基、酸素原子又は硫黄原子を表し、ｎＸＬは、０～５の整数を表す。ＲＸＬが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよく、ｎＸＬが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。＊は結合位置を表す。これらの架橋性基は置換基を有していてもよい。 ・・・略・・・ 【００６７】 ＜発光素子＞ 次に、本発明の一実施形態に係る発光素子について説明する。 【００６８】 本実施形態に係る発光素子は、陽極と、陰極と、陽極及び陰極の間に設けられた第１の有機層と、陽極及び第１の有機層の間に設けられた第２の有機層とを有する。第１の有機層は、燐光発光性化合物を用いて形成される層であり、第２の有機層は、１種又は２種以上の高分子化合物が配合された高分子組成物を用いて形成される層である。高分子化合物の少なくとも１種は、架橋基を有する（具体的には、高分子化合物の少なくとも１種は、架橋基を有する架橋性構成単位を含む）。また、高分子化合物の少なくとも１種は、燐光発光性構成単位を含む。また、高分子化合物を構成する各単量体単位について、全単量体単位の総モルに対するその単量体単位のモル比Ｃとその単量体単位の分子量Ｍとを乗じた値ｘ、及び、モル比Ｃとその単量体単位が有する架橋基の数ｎとを乗じた値ｙを求めたとき、ｘの総和Ｘ１及びｙの総和Ｙ１から計算される（Ｙ１×１０００）／Ｘ１の値は、０．６以上である。 ・・・略・・・ 【００７３】 第２の有機層を塗布法により形成する場合、後述する第２の有機層用のインクを用いることが好ましい。第２の有機層を形成後、加熱又は光照射することで、高分子組成物に含有される架橋性高分子化合物を架橋させて、高分子組成物を硬化させることができる。 高分子組成物が硬化された状態で、第２の有機層に含有されている場合、第２の有機層は溶媒に対して実質的に不溶化されている。そのため、該第２の有機層は、発光素子の積層化に好適に使用することができる。 ・・・略・・・ 【００７７】 ＜第１の有機層＞ 第１の有機層は、１種以上の燐光発光性化合物を用いて形成される層である。 【００７８】 ［燐光発光性化合物］ 燐光発光性化合物は、燐光発光性を有する化合物である。燐光発光性化合物としては、室温で高い発光量子収率を有するものを好適に用いることができる。 【００７９】 燐光発光性化合物としては、例えば、式（１）で表される燐光発光性化合物が挙げられる。 【００８０】 【化１３】 ［図：0001407170000011.jpg］ 【００８１】 式中、 Ｍは、ルテニウム原子、ロジウム原子、パラジウム原子、イリジウム原子又は白金原子を表す。 ｎ１は１～３の整数を表し、ｎ２は０～２の整数を表し、ｎ１＋ｎ２は２又は３である。Ｍがルテニウム原子、ロジウム原子又はイリジウム原子の場合、ｎ１＋ｎ２は３であり、Ｍがパラジウム原子又は白金原子の場合、ｎ１＋ｎ２は２である。 Ｅ１及びＥ２は、それぞれ独立に、炭素原子又は窒素原子を表す。但し、Ｅ１及びＥ２の少なくとも一方は炭素原子である。Ｅ１及びＥ２が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。 環Ｒ１は、５員環又は６員環の芳香族複素環を表し、これらの環は置換基を有していてもよい。該置換基が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する原子と共に環を形成していてもよい。環Ｒ１が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。但し、環Ｒ１が６員環の芳香族複素環である場合、Ｅ１は炭素原子である。 環Ｒ２は、５員環若しくは６員環の芳香族炭素環、又は、５員環若しくは６員環の芳香族複素環を表し、これらの環は置換基を有していてもよい。該置換基が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する原子と共に環を形成していてもよい。環Ｒ２が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。但し、環Ｒ２が６員環の芳香族複素環である場合、Ｅ２は炭素原子である。 環Ｒ１が有していてもよい置換基と、環Ｒ２が有していてもよい置換基とは、互いに結合して、それぞれが結合する原子と共に環を形成していてもよい。 Ａ１－Ｇ１－Ａ２は、アニオン性の２座配位子を表す。Ａ１及びＡ２は、それぞれ独立に、炭素原子、酸素原子又は窒素原子を表し、これらの原子は環を構成する原子であってもよい。Ｇ１は、単結合、又は、Ａ１及びＡ２と共に２座配位子を構成する原子団を表す。Ａ１－Ｇ１－Ａ２が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。 【００８２】 式（１）で表される燐光発光性化合物は、中心金属であるＭと、添え字ｎ１でその数を規定されている配位子と、添え字ｎ２でその数を規定されている配位子とから構成されている。 【００８３】 Ｍがルテニウム原子、ロジウム原子又はイリジウム原子の場合、ｎ１は２又は３であることが好ましく、３であることがより好ましい。 ・・・略・・・ 【００８８】 環Ｒ１及び環Ｒ２が有していてもよい置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、ハロゲン原子又はデンドロンが好ましく、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基、ハロゲン原子又はデンドロンがより好ましく、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、ハロゲン原子又はデンドロンがさらに好ましく、これらの基はさらに置換基を有していてもよい。 ・・・略・・・ 【００９３】 式（１）で表される燐光発光性化合物としては、式（１－Ａ）で表される燐光発光性化合物又は式（１－Ｂ）で表される燐光発光性化合物を好適に用いることができる。 【００９４】 【化１６】 ［図：0001407170000012.jpg］ 【００９５】 式中、 Ｍ、ｎ１、ｎ２、Ｅ１及びＡ１－Ｇ１－Ａ２は、それぞれ式（１）におけるＭ、ｎ１、ｎ２、Ｅ１及びＡ１－Ｇ１－Ａ２と同じ意味を表す。 Ｅ１１Ａ、Ｅ１２Ａ、Ｅ１３Ａ、Ｅ２１Ａ、Ｅ２２Ａ、Ｅ２３Ａ及びＥ２４Ａは、それぞれ独立に、窒素原子又は炭素原子を表す。Ｅ１１Ａ、Ｅ１２Ａ、Ｅ１３Ａ、Ｅ２１Ａ、Ｅ２２Ａ、Ｅ２３Ａ及びＥ２４Ａが複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｅ１１Ａ、Ｅ１２Ａ及びＥ１３Ａが窒素原子の場合、Ｒ１１Ａ、Ｒ１２Ａ及びＲ１３Ａは、存在しても存在しなくてもよい。Ｅ２１Ａ、Ｅ２２Ａ、Ｅ２３Ａ及びＥ２４Ａが窒素原子の場合、Ｒ２１Ａ、Ｒ２２Ａ、Ｒ２３Ａ及びＲ２４Ａは、存在しない。 Ｒ１１Ａ、Ｒ１２Ａ、Ｒ１３Ａ、Ｒ２１Ａ、Ｒ２２Ａ、Ｒ２３Ａ及びＲ２４Ａは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、置換アミノ基又はハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ１１Ａ、Ｒ１２Ａ、Ｒ１３Ａ、Ｒ２１Ａ、Ｒ２２Ａ、Ｒ２３Ａ及びＲ２４Ａが複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｒ１１ＡとＲ１２Ａ、Ｒ１２ＡとＲ１３Ａ、Ｒ１１ＡとＲ２１Ａ、Ｒ２１ＡとＲ２２Ａ、Ｒ２２ＡとＲ２３Ａ、及び、Ｒ２３ＡとＲ２４Ａは、それぞれ結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。 環Ｌ１Ａは、窒素原子、Ｅ１、Ｅ１１Ａ、Ｅ１２Ａ及びＥ１３Ａとで構成されるトリアゾール環又はイミダゾール環を表す。 環Ｌ２Ａは、２つの炭素原子、Ｅ２１Ａ、Ｅ２２Ａ、Ｅ２３Ａ及びＥ２４Ａとで構成されるベンゼン環、ピリジン環又はピリミジン環を表す。 【００９６】 【化１７】 ［図：0001407170000013.jpg］ 【００９７】 式中、 Ｍ、ｎ１、ｎ２及びＡ１－Ｇ１－Ａ２は、それぞれ式（１）におけるＭ、ｎ１、ｎ２及びＡ１－Ｇ１－Ａ２と同じ意味を表す。 Ｅ１１Ｂ、Ｅ１２Ｂ、Ｅ１３Ｂ、Ｅ１４Ｂ、Ｅ２１Ｂ、Ｅ２２Ｂ、Ｅ２３Ｂ及びＥ２４Ｂは、それぞれ独立に、窒素原子又は炭素原子を表す。Ｅ１１Ｂ、Ｅ１２Ｂ、Ｅ１３Ｂ、Ｅ１４Ｂ、Ｅ２１Ｂ、Ｅ２２Ｂ、Ｅ２３Ｂ及びＥ２４Ｂが複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｅ１１Ｂ、Ｅ１２Ｂ、Ｅ１３Ｂ、Ｅ１４Ｂ、Ｅ２１Ｂ、Ｅ２２Ｂ、Ｅ２３Ｂ及びＥ２４Ｂが窒素原子の場合、Ｒ１１Ｂ、Ｒ１２Ｂ、Ｒ１３Ｂ、Ｒ１４Ｂ、Ｒ２１Ｂ、Ｒ２２Ｂ、Ｒ２３Ｂ及びＲ２４Ｂは、存在しない。 Ｒ１１Ｂ、Ｒ１２Ｂ、Ｒ１３Ｂ、Ｒ１４Ｂ、Ｒ２１Ｂ、Ｒ２２Ｂ、Ｒ２３Ｂ及びＲ２４Ｂは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、ハロゲン原子又は置換アミノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ１１Ｂ、Ｒ１２Ｂ、Ｒ１３Ｂ、Ｒ１４Ｂ、Ｒ２１Ｂ、Ｒ２２Ｂ、Ｒ２３Ｂ及びＲ２４Ｂが複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｒ１１ＢとＲ１２Ｂ、Ｒ１２ＢとＲ１３Ｂ、Ｒ１３ＢとＲ１４Ｂ、Ｒ１１ＢとＲ２１Ｂ、Ｒ２１ＢとＲ２２Ｂ、Ｒ２２ＢとＲ２３Ｂ、及び、Ｒ２３ＢとＲ２４Ｂは、それぞれ結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。 環Ｌ１Ｂは、窒素原子、炭素原子、Ｅ１１Ｂ、Ｅ１２Ｂ、Ｅ１３Ｂ及びＥ１４Ｂとで構成されるピリジン環又はピリミジン環を表す。 環Ｌ２Ｂは、２つの炭素原子、Ｅ２１Ｂ、Ｅ２２Ｂ、Ｅ２３Ｂ及びＥ２４Ｂとで構成されるベンゼン環、ピリジン環又はピリミジン環を表す。 【００９８】 以下、式（１－Ａ）で表される燐光発光性化合物及び式（１－Ｂ）で表される燐光発光性化合物について詳述する。 【００９９】 ［式（１－Ａ）で表される燐光発光性化合物］ ・・・略・・・ 【０１１３】 Ｒ１１Ａ、Ｒ１２Ａ、Ｒ１３Ａ、Ｒ２１Ａ、Ｒ２２Ａ、Ｒ２３Ａ及びＲ２４Ａがアリール基、１価の複素環基又は置換アミノ基である場合、発光素子の電力効率がより優れるので、デンドロンであることが好ましい。 【０１１４】 「デンドロン」とは、原子又は環を分岐点とする規則的な樹枝状分岐構造（即ち、デンドリマー構造）を有する基を意味する。 ・・・略・・・ 【０１１５】 デンドロンとしては、式（Ｄ－Ａ）又は（Ｄ－Ｂ）で表される基が好ましい。 【０１１６】 【化１８】 ［図：0001407170000014.jpg］ 【０１１７】 式中、 ｍＤＡ１、ｍＤＡ２及びｍＤＡ３は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。 ＧＤＡは、窒素原子、芳香族炭化水素基又は複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。 ＡｒＤＡ１、ＡｒＤＡ２及びＡｒＤＡ３は、それぞれ独立に、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＡｒＤＡ１、ＡｒＤＡ２及びＡｒＤＡ３が複数ある場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。 ＴＤＡは、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＴＤＡは、同一でも異なっていてもよい。 なお、＊は結合位置を表す。 ・・・略・・・ 【０１３１】 式（Ｄ－Ａ）で表される基は、好ましくは式（Ｄ－Ａ１）、（Ｄ－Ａ２）又は（Ｄ－Ａ３）で表される基（以下、場合により「式（Ｄ－Ａ１）～（Ｄ－Ａ３）で表される基」という。）である。 【０１３２】 【化２３】 ［図：0001407170000015.jpg］ 【０１３３】 式中、 Ｒｐ１、Ｒｐ２及びＲｐ３は、それぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基又はハロゲン原子を表す。Ｒｐ１及びＲｐ２が複数ある場合、それらはそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。 ｎｐ１は、０～５の整数を表し、ｎｐ２は０～３の整数を表し、ｎｐ３は０又は１を表す。複数あるｎｐ１は、同一でも異なっていてもよい。 ・・・略・・・ 【０１４９】 ［式（１－Ｂ）で表される燐光発光性化合物］ 式（１－Ｂ）で表される燐光発光性化合物は、中心金属であるＭと、添え字ｎ１でその数を規定されている配位子と、添え字ｎ２でその数を規定されている配位子とから構成されている。 ・・・略・・・ 【０１５４】 Ｒ１１Ｂ、Ｒ１２Ｂ、Ｒ１３Ｂ及びＲ１４Ｂがアリール基、１価の複素環基又は置換アミノ基である場合、Ｒ１１Ｂ又はＲ１３Ｂがアリール基、１価の複素環基又は置換アミノ基であることがより好ましく、Ｒ１１Ｂがアリール基、１価の複素環基又は置換アミノ基であることがより好ましい。これらの基は、発光素子の電力効率がより優れるので、デンドロンであることが好ましい。デンドロンの例示及び好ましい態様としては、式（１－Ａ）で表される燐光発光性化合物におけるデンドロンの例示及び好ましい態様と同じものが挙げられる。 ・・・略・・・ 【０１５９】 Ｒ２１Ｂ、Ｒ２２Ｂ、Ｒ２３Ｂ、及びＲ２４Ｂがアリール基、１価の複素環基又は置換アミノ基である場合、発光素子の電力効率がより優れるので、デンドロンであることが好ましい。デンドロンの例示及び好ましい態様としては、式（１－Ａ）で表される燐光発光性化合物におけるデンドロンの例示及び好ましい態様と同じものが挙げられる。 ・・・略・・・ 【０１６６】 式（１－Ｂ）で表される燐光発光性化合物としては、例えば、下記で表される燐光発光性化合物が挙げられる。 ・・・略・・・ 【０１６８】 【化３３】 ［図：0001407170000016.jpg］ ・・・略・・・ 【０１７１】 ［ホスト材料］ 本実施形態に係る発光素子の電力効率が優れるため、本実施形態に係る発光素子の第１の有機層は、少なくとも１種の燐光発光性化合物と、正孔注入性、正孔輸送性、電子注入性及び電子輸送性からなる群から選ばれる少なくとも１つの機能を有するホスト材料とを含有する組成物を用いて形成される層であることが好ましい。該組成物において、ホスト材料は、１種単独で含有されていても、２種以上含有されていてもよい。 ・・・略・・・ 【０１７４】 ホスト材料の有する最低励起三重項状態（Ｔ１）は、本実施形態に係る発光素子の電力効率が優れるので、第１の有機層の形成に用いられる燐光発光性化合物の有するＴ１と同等のエネルギー準位、又は、より高いエネルギー準位であることが好ましい。 ・・・略・・・ 【０１７６】 ホスト材料は、低分子化合物と高分子化合物とに分類される。 【０１７７】 ［低分子ホスト］ ホスト材料として好ましい低分子化合物（以下、「低分子ホスト」という。）に関して以下に説明する。低分子ホストは、上記ホスト材料のうち、分子量分布を有さず、分子量が１×１０４以下の化合物である。 【０１７８】 低分子ホストは、好ましくは、式（Ｈ－１）で表される化合物である。 【０１７９】 【化３５】 ［図：0001407170000017.jpg］ 式中、 ＡｒＨ１及びＡｒＨ２は、それぞれ独立に、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。 ｎＨ１及びｎＨ２は、それぞれ独立に、０又は１を表す。ｎＨ１が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。ｎＨ２が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。 ｎＨ３は、０以上の整数を表す。 ＬＨ１は、アリーレン基、２価の複素環基、又は、－［Ｃ（ＲＨ１１）２］ｎＨ１１－で表される基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＬＨ１が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。 ｎＨ１１は、１～１０の整数を表す。ＲＨ１１は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲＨ１１は、同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。 ＬＨ２は、－Ｎ（－ＬＨ２１－ＲＨ２１）－で表される基を表す。ＬＨ２が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。 ＬＨ２１は、単結合、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＲＨ２１は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。 【０１８１】 ＡｒＨ１及びＡｒＨ２は、フェニル基、フルオレニル基、スピロビフルオレニル基、ピリジル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、キノリニル基、イソキノリニル基、チエニル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフリル基、ジベンゾフリル基、ピロリル基、インドリル基、アザインドリル基、カルバゾリル基、アザカルバゾリル基、ジアザカルバゾリル基、フェノキサジニル基又はフェノチアジニル基であることが好ましく、フェニル基、スピロビフルオレニル基、ピリジル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、ジベンゾチエニル基、ジベンゾフリル基、カルバゾリル基又はアザカルバゾリル基であることがより好ましく、フェニル基、ピリジル基、カルバゾリル基又はアザカルバゾリル基であることが更に好ましく、上記式（ＴＤＡ－１）又は（ＴＤＡ－３）で表される基であることが特に好ましく、上記式（ＴＤＡ－３）で表される基であることがとりわけ好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。 【０１８２】 ＡｒＨ１及びＡｒＨ２が有していてもよい置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基が好ましく、アルキル基、シクロアルコキシ基、アルコキシ基又はシクロアルコキシ基がより好ましく、アルキル基又はシクロアルコキシ基が更に好ましく、これらの基は更に置換基を有していてもよい。 【０１８３】 ｎＨ１は、好ましくは１である。ｎＨ２は、好ましくは０である。 【０１８４】 ｎＨ３は、通常、０～１０の整数であり、好ましくは０～５の整数であり、更に好ましくは１～３の整数であり、特に好ましくは１である。 【０１８５】 ｎＨ１１は、好ましくは１～５の整数であり、より好ましく１～３の整数であり、更に好ましく１である。 【０１８６】 ＲＨ１１は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基であることが好ましく、水素原子、アルキル基又はシクロアルキル基であることがより好ましく、水素原子又はアルキル基であることが更に好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。 【０１８７】 ＬＨ１は、アリーレン基又は２価の複素環基であることが好ましい。 ・・・略・・・ 【０２０３】 ［高分子ホスト］ ホスト材料として好ましい高分子化合物（以下、「高分子ホスト」という。）に関して以下に説明する。高分子ホストは、上記ホスト材料のうち、分子量分布を有し、ポリスチレン換算の数平均分子量が１×１０３～１×１０８の重合体である。 【０２０４】 高分子ホストとしては、例えば、後述の正孔輸送材料である高分子化合物、後述の電子輸送材料である高分子化合物が挙げられる。 【０２０５】 高分子ホストは、好ましくは、式（Ｙ）で表される構成単位を含む高分子化合物である。 【０２０６】 【化４１】 ［図：0001407170000018.jpg］ 【０２０７】 式中、ＡｒＹ１は、アリーレン基、２価の複素環基、又は、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。 ・・・略・・・ 【０２６４】 高分子ホストは、正孔輸送性が優れるので、更に、下記式（Ｘ）で表される構成単位を含むことが好ましい。 【０２６５】 【化６４】 ［図：0001407170000019.jpg］ 【０２６６】 式中、 ａＸ１及びａＸ２は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。 ＡｒＸ１及びＡｒＸ３は、それぞれ独立に、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。 ＡｒＸ２及びＡｒＸ４は、それぞれ独立に、アリーレン基、２価の複素環基、又は、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＡｒＸ２及びＡｒＸ４が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。 ＲＸ１、ＲＸ２及びＲＸ３は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＲＸ２及びＲＸ３が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。 【０２６７】 ａＸ１は、本実施形態に係る発光素子の輝度寿命がより優れるので、好ましくは２以下であり、より好ましくは１である。 【０２６８】 ａＸ２は、本実施形態に係る発光素子の輝度寿命がより優れるので、好ましくは２以下であり、より好ましくは０である。 【０２６９】 ＲＸ１、ＲＸ２及びＲＸ３は、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基であり、より好ましくはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。 【０２７０】 ＡｒＸ１及びＡｒＸ３で表されるアリーレン基は、より好ましくは式（Ａ－１）又は（Ａ－９）で表される基であり、更に好ましくは式（Ａ－１）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。 ・・・略・・・ 【０２７９】 式（Ｘ）で表される構成単位は、好ましくは式（Ｘ－１）、（Ｘ－２）、（Ｘ－３）、（Ｘ－４）、（Ｘ－５）、（Ｘ－６）又は（Ｘ－７）で表される構成単位（以下、場合により「式（Ｘ－１）～（Ｘ－７）で表される構成単位」という。）であり、より好ましくは式（Ｘ－１）～（Ｘ－６）で表される構成単位であり、更に好ましくは式（Ｘ－３）～（Ｘ－６）で表される構成単位である。 ・・・略・・・ 【０２８２】 【化６７】 ［図：0001407170000020.jpg］ ・・・略・・・ 【０２８４】 式中、ＲＸ４及びＲＸ５は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、ハロゲン原子、１価の複素環基又はシアノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲＸ４は、同一でも異なっていてもよい。複数存在するＲＸ５は、同一でも異なっていてもよく、隣接するＲＸ５同士は互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよい。 ・・・略・・・ 【０３３１】 ＜第２の有機層＞ 第２の有機層は、１種又は２種以上の高分子化合物が配合された高分子組成物を用いて形成される層である。上記高分子化合物の少なくとも１種は、架橋基を有する高分子化合物（具体的には、上記高分子化合物の少なくとも１種は、架橋基を有する構成単位を含む高分子化合物）（以下、「架橋性高分子化合物」ともいう。）である。また、上記高分子化合物の少なくとも１種は、燐光発光性構成単位を含む高分子化合物（以下、「燐光発光性高分子化合物」ともいう。）である。第２の有機層は、好ましくは、上記高分子組成物から形成される高分子硬化物を含む。 【０３３２】 本実施形態においては、一種の高分子化合物が、燐光発光性構成単位及び架橋基の両方を有していてもよい（具体的には、一種の高分子化合物が、燐光発光性構成単位、及び、架橋基を有する構成単位の両方を含んでいてもよい）。すなわち、上記高分子化合物は、燐光発光性構成単位及び架橋基を有する高分子化合物（具体的には、燐光発光性構成単位、及び、架橋基を有する構成単位を含む高分子化合物）（以下、「架橋性燐光発光性高分子化合物」ともいう。）を含むものであってよい。 【０３３３】 また、本実施形態においては、異なる高分子化合物が、それぞれ燐光発光性構成単位及び架橋基を有していてもよい（具体的には、異なる高分子化合物が、それぞれ燐光発光性構成単位、及び、架橋基を有する構成単位を含んでいてもよい）。すなわち、上記高分子化合物は、燐光発光性高分子化合物、及び、架橋性高分子化合物の２種を少なくとも含むものであってもよい。 【０３３４】 好適な一態様において、高分子化合物（架橋性高分子化合物を含む１種又は２種以上の高分子化合物）は、高分子化合物を構成する各単量体単位について、全単量体単位の総モルに対するその単量体単位のモル比Ｃとその単量体単位の分子量Ｍとを乗じた値ｘ、及び、モル比Ｃとその単量体単位が有する架橋基の数ｎとを乗じた値ｙを求めたとき、ｘの総和Ｘ１及びｙの総和Ｙ１から計算される（Ｙ１×１０００）／Ｘ１の値が、０．６以上となる。 【０３３５】 第２の有機層が、一種の高分子化合物（架橋性燐光発光性高分子化合物）を用いて形成される層である場合、一種の高分子化合物を構成する各単量体単位について、一種の高分子化合物を構成する全単量体単位の総モルに対するその単量体単位のモル比Ｃとその単量体単位の分子量Ｍとを乗じた値ｘ、及び、モル比Ｃとその単量体単位が有する架橋基の数ｎとを乗じた値ｙを求めたとき、ｘの総和Ｘ１及びｙの総和Ｙ１から計算される（Ｙ１×１０００）／Ｘ１の値が、０．６以上となる。 【０３３６】 第２の有機層が、二種以上の高分子化合物（架橋性高分子化合物、及び、燐光発光性高分子化合物を含む二種以上の高分子化合物）が配合された高分子組成物を用いて形成される層である場合、各高分子化合物について求めた（Ｙ１×１０００）／Ｘ１の値の加重平均（二種以上の高分子化合物の配合量比からの平均値）が、０．６以上となる。 【０３３７】 第２の有機層が、架橋基を有する架橋性高分子化合物と、架橋基を有さない高分子化合物（具体的には、燐光発光性高分子化合物）とが配合された高分子組成物を用いて形成される層である場合、架橋基を有さない高分子化合物としては、例えば、式（Ｙ）で表される構成単位及び式（Ｘ）で表される構成単位からなる群から選ばれる少なくとも一種の構成単位を含む高分子化合物が挙げられる。 【０３３８】 ［架橋性高分子化合物］ 架橋性高分子化合物は、本実施形態に係る発光素子の電力効率が優れるので、架橋基Ａ群から選ばれる少なくとも１種の架橋基を有する高分子化合物であることが好ましい。 【０３３９】 架橋基Ａ群から選ばれる架橋基としては、本実施形態に係る発光素子の電力効率がより優れるので、・・・略・・・更に好ましくは、式（ＸＬ－１）又は（ＸＬ－１７）で表される架橋基である。 【０３４０】 架橋性高分子化合物は、架橋基を有する構成単位（以下、「架橋構成単位」ともいう。）を有する。架橋構成単位は、後述する式（２）又は（３）で表される構成単位であることが好ましいが、下記式で表される構成単位であってもよい。 ・・・略・・・ 【０３４２】 架橋性高分子化合物は、架橋基Ａ群から選ばれる少なくとも一種の架橋基を有する架橋構成単位を有することが好ましく、該架橋構成単位は、式（２）で表される構成単位又は式（３）で表される構成単位であることが好ましい。 【０３４３】 【化７５】 ［図：0001407170000021.jpg］ 【０３４４】 式中、 ｎＡは０～５の整数を表し、ｎは１又は２を表す。 Ａｒ１は、芳香族炭化水素基又は複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。 ＬＡは、アルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基、２価の複素環基、－ＮＲ’－で表される基、酸素原子又は硫黄原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ’は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＬＡが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。 Ｘは、架橋基Ａ群から選ばれる架橋基を表す。Ｘが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。 【０３４５】 ｎＡは、本実施形態に係る発光素子の電力効率が優れるため、好ましくは０又は１であり、より好ましくは０である。 【０３４６】 ｎは、本実施形態に係る発光素子の電力効率が優れるので、好ましくは２である。 【０３４７】 Ａｒ１は、本実施形態に係る発光素子の電力効率が優れるので、好ましくは置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基である。 【０３４８】 Ａｒ１で表される芳香族炭化水素基において、芳香環を構成する炭素原子の数は、通常６～６０であり、好ましくは６～３０であり、より好ましくは６～１８である。 【０３４９】 Ａｒ１で表される芳香族炭化水素基のｎ個の置換基を除いたアリーレン基部分は、好ましくは式（Ａ－１）～（Ａ－２０）で表される基であり、より好ましくは式（Ａ－１）、（Ａ－２）、（Ａ－６）～（Ａ－１０）、（Ａ－１９）又は（Ａ－２０）で表される基であり、さらに好ましくは、式（Ａ－１）、（Ａ－２）、（Ａ－７）、（Ａ－９）又は（Ａ－１９）で表される基である。これらの基は置換基を有していてもよい。 【０３５０】 Ａｒ１で表される複素環基において、複素環及び複素環と縮環した環を構成する炭素原子の数は、通常２～６０であり、好ましくは３～２０であり、より好ましくは４～１５である。 【０３５１】 Ａｒ１で表される複素環基のｎ個の置換基を除いた２価の複素環基部分は、好ましくは式（ＡＡ－１）～（ＡＡ－３４）で表される基である。 【０３５２】 Ａｒ１で表される芳香族炭化水素基及び複素環基は置換基を有していてもよい。芳香族炭化水素基及び複素環基が有していてもよい置換基としては、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、ハロゲン原子、１価の複素環基及びシアノ基が挙げられる。 【０３５３】 ＬＡで表されるアルキレン基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常１～１０であり、好ましくは１～５であり、より好ましくは１～３である。ＬＡで表されるシクロアルキレン基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３～１０である。 【０３５４】 ＬＡで表されるアルキレン基としては、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ヘキシレン基、オクチレン基が挙げられる。ＬＡで表されるアルキレン基は、置換基を有していてもよく、該置換基としては、例えば、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、ハロゲン原子及びシアノ基が挙げられる。 【０３５５】 ＬＡで表されるシクロアルキレン基としては、例えば、シクロヘキシレン基、シクロペンチレンが挙げられる。ＬＡで表されるシクロアルキレン基は、置換基を有していてもよく、該置換基としては、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、ハロゲン原子及びシアノ基が挙げられる。 【０３５６】 ＬＡで表されるアリール基は、置換基を有していてもよい。アリール基としては、ｏ－フェニレン、ｍ－フェニレン、ｐ－フェニレンが挙げられる。アリール基が有してもよい置換基としては、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、ハロゲン原子、シアノ基及び架橋基Ａ群から選ばれる架橋基が挙げられる。 【０３５７】 ＬＡは、架橋基含有高分子化合物の合成が容易になるため、好ましくは、フェニレン基又はメチレン基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。 【０３５８】 Ｘで表される架橋基の好ましい範囲、より好ましい範囲及び更に好ましい範囲は、前述の架橋基Ａ群から選ばれる架橋基の好ましい範囲、より好ましい範囲及び更に好ましい範囲と同じである。 【０３５９】 式（２）で表される構成単位は、架橋基含有高分子化合物中に、１種のみ含まれていてもよく、２種以上含まれていてもよい。 【０３６０】 【化７６】 ［図：0001407170000022.jpg］ ・・・略・・・ 【０３７５】 Ｘ’で表される架橋基の好ましい範囲、より好ましい範囲及び更に好ましい範囲は、前述の架橋基Ａ群から選ばれる架橋基の好ましい範囲、より好ましい範囲及び更に好ましい範囲と同じである。 【０３７６】 式（３）で表される構成単位は、架橋性高分子化合物中に、１種のみ含まれていてもよく、２種以上含まれていてもよい。 【０３７７】 式（２）で表される構成単位としては、例えば、式（２－１）、（２－２）・・・略・・・（２－３０）又は（２－３１）で表される構成単位（以下、場合により「式（２－１）～（２－３１）で表される構成単位」という。）が挙げられる。式（３）で表される構成単位としては、例えば、式（３－１）、（３－２）、（３－３）・・・略・・・で表される構成単位・・・略・・・が挙げられる。 ・・・略・・・ 【０３７８】 これらの中でも、架橋性高分子化合物の架橋性が優れるため、・・・略・・・特に好ましくは、式（２－１）～（２－９）、（２－２０）、（２－２７）、（２－３０）又は（２－３１）で表される構成単位である。 ・・・略・・・ 【０３７９】 【化７７】 ・・・略・・・ ［図：0001407170000023.jpg］ ・・・略・・・ 【０３８０】 【化７８】 ・・・略・・・ ［図：0001407170000024.jpg］ ・・・略・・・ ［図：0001407170000025.jpg］ ・・・略・・・ ［図：0001407170000026.jpg］ 【０３８１】 【化７９】 ・・・略・・・ ［図：0001407170000027.jpg］ ・・・略・・・ 【０３８２】 架橋性高分子化合物は、正孔輸送性が優れるので、式（Ｘ）で表される構成単位をさらに含むことが好ましい。 【０３８３】 架橋性高分子化合物が含んでいてもよい式（Ｘ）で表される構成単位の定義及び例は、前述の高分子ホストが含んでいてもよい式（Ｘ）で表される構成単位の定義及び例と同じである。 ・・・略・・・ 【０３８６】 架橋性高分子化合物は、式（Ｙ）で表される構成単位をさらに含んでいてもよい。 【０３８７】 架橋性高分子化合物が含んでいてもよい式（Ｙ）で表される構成単位の定義及び例は、前述の高分子ホストが含んでいてもよい式（Ｙ）で表される構成単位の定義及び例と同じである。 ・・・略・・・ 【０４０５】 ［燐光発光性高分子化合物］ 燐光発光性高分子化合物は、燐光発光性構成単位を含む高分子化合物である。燐光発光性構成単位とは、燐光発光性化合物から、該化合物を構成する炭素原子又はヘテロ原子に直接結合する水素原子を取り除いてなる基を含む構成単位をいう。燐光発光性化合物としては、例えば、上述した第１の有機層の形成に用いられる燐光発光性化合物が挙げられる。 ・・・略・・・ 【０５３０】 燐光発光性高分子化合物は、式（Ｘ）で表される構成単位を更に含んでいてもよい。また、燐光発光性高分子化合物は、式（Ｙ）で表される構成単位及び／又は式（Ｙ１２）で表される構成単位を更に含んでいてもよい。 【０５３１】 燐光発光性高分子化合物における式（Ｘ）で表される構成単位及び式（Ｙ１２）で表される構成単位の例示、好ましい態様及び含有量は、上述の架橋性高分子化合物における各構成単位と同じである。 【０５３２】 燐光発光性高分子化合物は、ブロック共重合体、ランダム共重合体、交互共重合体、グラフト共重合体のいずれであってもよいし、その他の態様であってもよいが、複数種の原料モノマーを共重合してなる共重合体であることが好ましい。 【０５３３】 一態様において、燐光発光性高分子化合物は、少なくとも燐光発光性構成単位を有する第１のブロックと、燐光発光性構成単位を有しない第２のブロックと、を含有していてよい。例えば、第１のブロックは、燐光発光性構成単位と他の構成単位の１種以上とが共重合したブロックであってよい。また、第２のブロックは、燐光発光性構成単位以外の他の構成単位が重合したブロックであってよく、他の構成単位の２種以上が共重合したブロックであってよい。この態様では、第１のブロックと第２のブロックとに構成単位の位置を分けることで、隣接させることが好ましくない構成単位を同じ高分子化合物中に含有させることができる。 ・・・略・・・ 【０５４３】 ［高分子化合物の製造方法］ 第２の有機層の形成に用いられる高分子化合物は、前述の高分子ホストの製造方法と同様の方法で製造することができる。 【０５４４】 ［架橋基の平均数］ 第２の有機層は、架橋基を有する架橋性高分子化合物を含む１種又は２種以上の高分子化合物が配合された高分子組成物を用いて形成される。本実施形態では、第２の有機層の形成に用いられる高分子化合物における架橋基の平均数を示す指標を、以下の方法で求めることができる。 【０５４５】 まず、高分子化合物を構成する各単量体単位について、全単量体単位の総モルに対するその単量体単位のモル比Ｃとその単量体単位の分子量Ｍとを乗じた値ｘ、及び、モル比Ｃとその単量体単位が有する架橋基の数ｎとを乗じた値ｙを求める。次いで、各単量体単位について求めたｘの総和をＸ１、各単量体単位について求めたｙの総和をＹ１とする。 【０５４６】 このとき、（Ｙ１×１０００）／Ｘ１の値は、高分子化合物の分子量１０００あたりの架橋基の平均数とほぼ等しい値となり、高分子化合物における架橋基の平均数を示す指標として有効に用いることができる。以下、場合により（Ｙ１×１０００）／Ｘ１の値を「分子量１０００あたりの架橋基の平均数」という。 【０５４７】 具体的な架橋基の平均数の算出方法を、下記実施例１で用いた高分子化合物Ｐ１で詳細に説明する。 【０５４８】 高分子化合物Ｐ１は、単量体である化合物ＭＭ１、化合物ＭＭ２、化合物ＭＭ３及び化合物ＭＭ４から形成される単量体単位を有する。全単量体の総モルに対する比率は、化合物ＭＭ１が０．４０、化合物ＭＭ２が０．１０、化合物ＭＭ３が０．４７、化合物ＭＭ４が０．０３である。また、化合物ＭＭ１から形成される単量体単位の分子量は７７６．４５、化合物ＭＭ２から形成される単量体単位の分子量は２４０．２０、化合物ＭＭ３から形成される単量体単位の分子量は７５０．５１、化合物ＭＭ４から形成される単量体単位の分子量は１６８２．７７である。また、化合物ＭＭ１が有する架橋基の数は２、化合物ＭＭ２が有する架橋基の数は２、化合物ＭＭ３が有する架橋基の数は０、化合物ＭＭ４が有する架橋基の数は０である。 【０５４９】 よって、Ｘ１は、以下のとおり求められる。 （０．４０×７７６．４５）＋（０．１０×２４０．２０）＋（０．４７×７５０．５１）＋（０．０３×１６８２．７７）＝７３７．８２ 【０５５０】 また、Ｙ１は、以下のとおり求められる。 （０．４０×２）＋（０．１０×２）＋（０．４７×０）＋（０．０３×０）＝１．００ 【０５５１】 よって、分子量１０００あたりの架橋基の平均数は、以下のとおり求められる。 （１．００×１０００）／７３７．８２＝１．３６ 【０５５２】 高分子組成物が、高分子化合物として２種以上の高分子化合物を含む場合、（Ｙ１×１０００）／Ｘ１の値は、各高分子化合物を構成する単量体単位に基づいて求められる。また、各高分子化合物について（Ｙ１×１０００）／Ｘ１の値を求め、各高分子化合物の配合量比から、高分子化合物全体の（Ｙ１×１０００）／Ｘ１の値を求めることができる。 【０５５３】 具体的な算出方法を、下記実施例２の高分子化合物Ｐ１及び高分子化合物Ｐ２を９０：１０の比で配合した場合について説明する。 【０５５４】 高分子化合物Ｐ１における分子量１０００あたりの架橋基の平均数は、１．３６である。 【０５５５】 高分子化合物Ｐ２は、単量体である化合物ＭＭ１、化合物ＭＭ２、化合物ＭＭ５、化合物ＭＭ３及び化合物ＭＭ４から形成される単量体単位を有する。全単量体の総モルに対する比率は、化合物ＭＭ１が０．０５、化合物ＭＭ２が０．０５、化合物ＭＭ５が０．４０、化合物ＭＭ３が０．４７、化合物ＭＭ４が０．０３である。また、・・・略・・・化合物ＭＭ５から形成される単量体単位の分子量は２４４．２３・・・略・・・である。また、・・・略・・・化合物ＭＭ５が有する架橋基の数は０・・・略・・・である。 【０５５６】 よって、Ｘ１は、以下のとおり求められる。 （０．０５×７７６．４５）＋（０．０５×２４０．２０）＋（０．４０×２４４．２３）＋（０．４７×７５０．５１）＋（０．０３×１６８２．７７）＝５５１．７５ 【０５５７】 また、Ｙ１は、以下のとおり求められる。 （０．０５×２）＋（０．０５×２）＋（０．４０×０）＋（０．４７×０）＋（０．０３×０）＝０．２０ 【０５５８】 よって、分子量１０００あたりの架橋基の平均数は、以下のとおり求められる。 （０．２０×１０００）／５５１．７５＝０．３６ 【０５５９】 高分子化合物Ｐ１及び高分子化合物Ｐ２を９０：１０の比で配合した場合の高分子化合物全体の（Ｙ１×１０００）／Ｘ１の値は、以下のとおり求められる。 （１．３６×０．９）＋（０．３６×０．１）＝１．２６ 【０５６０】 本実施形態において、分子量１０００あたりの架橋基の平均数は、好ましくは０．７以上であり、より好ましくは０．８以上であり、さらに好ましくは１．０以上であり、１．１以上であることが一層好ましく、１．２以上であることが特に好ましい。架橋基の平均数が増えることによって、架橋性高分子化合物により緻密な膜が形成され、第２の有機層の電荷輸送性及び／又は第２の有機層から第１の有機層への電荷注入が改善されると考えられる。 【０５６１】 また、本実施形態において、分子量１０００あたりの架橋基の平均数は、例えば１０以下であってよく、３以下であってもよい。架橋基の平均数をこの範囲とすることで、本実施形態に係る発光素子の輝度寿命が優れるという効果が奏される。 【０５６２】 ［第２の有機層の組成物］ 第２の有機層は、上記高分子化合物と、正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料、発光材料、酸化防止剤及び溶媒からなる群から選ばれる少なくとも１種の材料とを含有する組成物（以下、「第２の有機層の組成物」ともいう。）を用いて形成される層であってもよい。 【０５６３】 例えば、第２の有機層は、第２の有機層の組成物を硬化させた硬化物を含む層であってよい。第２の有機層の組成物は、例えば、高分子化合物中の架橋基を架橋することによって硬化することができる。」 イ 「【実施例】 【０６３７】 以下、実施例により本発明をより具体的に説明するが、本発明は実施例に限定されるものではない。 ・・・略・・・ 【０６４２】 （１）燐光発光性化合物 ・・・略・・・ 【０６４４】 ＜１－２＞燐光発光性化合物２ 燐光発光性化合物２として、下記化合物をＬｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｃｏｒｐ社より購入した。 【０６４５】 【化１１３】 ［図：0001407170000028.jpg］ 【０６４６】 ＜１－３＞燐光発光性化合物３ 燐光発光性化合物３は、特開２００６－１８８６７３号公報に記載の方法に従って合成した。 【０６４７】 【化１１４】 ［図：0001407170000029.jpg］ ・・・略・・・ 【０６５０】 ＜１－５＞燐光発光性化合物５ ・・・略・・・ 【０６５１】 【化１１６】 ［図：0001407170000030.jpg］ ・・・略・・・ 【０６５４】 （２）高分子化合物 ・・・略・・・ 【０６９０】 ＜２－１０＞高分子化合物Ｐ１の合成 以下の工程１～４により、高分子化合物Ｐ１を合成した。 【０６９１】 【化１２６】 ［図：0001407170000031.jpg］ 【０６９２】 （工程１）反応容器内を不活性ガス雰囲気とした後、化合物ＭＭ１（０．８１９３３ｇ）、国際公開第２０１３／１４６８０６号に記載の化合物ＭＭ２（０．０９９０７ｇ）、国際公開第２００５／０４９５４６号に記載の化合物ＭＭ３（０．８６２１５ｇ）、国際公開第２００９／１５７４２４号に記載の化合物ＭＭ４（０．１１２９０ｇ）、ジクロロビス（トリス－ｏ－メトキシフェニルホスフィン）パラジウム（１．７６ｍｇ）及びトルエン（３４ｍＬ）を加え、１０５℃に加熱した。 【０６９３】 （工程２）反応液に、２０重量％水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液（６．７ｍＬ）を滴下し、６時間還流させた。 【０６９４】 （工程３）反応後、そこに、フェニルボロン酸（４８．８ｍｇ）及びジクロロビス（トリス－ｏ－メトキシフェニルホスフィン）パラジウム（０．８８ｍｇ）を加え、１４．５時間還流させた。 【０６９５】 （工程４）その後、そこに、ジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液を加え、８０℃で２時間撹拌した。冷却後、得られた反応液を、水で２回、３重量％酢酸水溶液で２回、水で２回洗浄し、得られた溶液をメタノールに滴下したところ、沈澱が生じた。得られた沈殿物をトルエンに溶解させ、アルミナカラム、シリカゲルカラムの順番で通すことにより精製した。得られた溶液をメタノールに滴下し、撹拌した後、得られた沈殿物をろ取し、乾燥させることにより、高分子化合物Ｐ１を１．２２ｇ得た。 【０６９６】 高分子化合物Ｐ１のポリスチレン換算の数平均分子量は３．０×１０４であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量は２．７×１０５であった。 【０６９７】 高分子化合物Ｐ１は、仕込み原料の量から求めた理論値では、化合物ＭＭ１から形成される構成単位と、化合物ＭＭ２から形成される構成単位と、化合物ＭＭ３から形成される構成単位と、化合物ＭＭ４から形成される構成単位とを、４０：１０：４７：３のモル比で含む共重合体である。高分子化合物Ｐ１について、上述の方法で計算した分子量１０００あたりの架橋基の平均数は１．３６であった。 ・・・略・・・ 【０７２２】 ＜２－１６＞高分子化合物Ｐ３の合成 以下の方法により、高分子化合物Ｐ３を合成した。 【０７２３】 【化１３２】 ［図：0001407170000032.jpg］ 【０７２４】 上記高分子化合物Ｐ１の合成における（工程１）を、下記（工程１－３）に変更したこと以外は、上記高分子化合物Ｐ１の合成と同様の方法により、高分子化合物Ｐ３を１．１９ｇ得た。 【０７２５】 （工程１－３）反応容器内を不活性ガス雰囲気とした後、化合物ＭＭ６（０．８０４１９ｇ）、国際公開第２０１３／１９１０８８号に記載の化合物ＭＭ７（０．１１０８８ｇ）、化合物ＭＭ３（０．８６２１３ｇ）、化合物ＭＭ４（０．１１２８８ｇ）、ジクロロビス（トリス－ｏ－メトキシフェニルホスフィン）パラジウム（０．８８ｍｇ）及びトルエン（３４ｍＬ）を加え、１０５℃に加熱した。 【０７２６】 高分子化合物Ｐ３のポリスチレン換算の数平均分子量は３．０×１０４であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量は２．０×１０５であった。 【０７２７】 高分子化合物Ｐ３は、仕込み原料の量から求めた理論値では、化合物ＭＭ６から形成される構成単位と、化合物ＭＭ７から形成される構成単位と、化合物ＭＭ３から形成される構成単位と、化合物ＭＭ４から形成される構成単位とを、４０：１０：４７：３のモル比で含む共重合体である。高分子化合物Ｐ３について、上述の方法で計算した分子量１０００あたりの架橋基の平均数は０．８２であった。 【０７２８】 ＜２－１７＞高分子化合物Ｐ４の合成 以下の方法により、高分子化合物Ｐ４を合成した。 【０７２９】 【化１３３】 ［図：0001407170000033.jpg］ 【０７３０】 上記高分子化合物Ｐ１の合成における（工程１）を下記（工程１－４）に変更し、（工程２）を下記（工程２－４）に変更し、（工程３）を下記（工程３－４）に変更したこと以外は、上記高分子化合物Ｐ１の合成と同様の方法により、高分子化合物Ｐ４を２．０１ｇ得た。 【０７３１】 （工程１－４）反応容器内を不活性ガス雰囲気とした後、特開２０１１－１７４０６２号公報に記載の化合物ＭＭ１２（０．２７２８１ｇ）、化合物ＭＭ３（０．３７４１８ｇ）、化合物ＭＭ４（０．１６９２９ｇ）、ジクロロビス（トリス－ｏ－メトキシフェニルホスフィン）パラジウム（０．４４ｍｇ）及びトルエン（３１ｍＬ）を加え、１０５℃に加熱した。 【０７３２】 （工程２－４）反応液に、２０重量％水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液（１０．０ｍＬ）を滴下し、３．５時間還流させた後、化合物ＭＭ１（０．９２５３８ｇ）、化合物ＭＭ７（０．１６６３７ｇ）、化合物ＭＭ３（０．９１９０４ｇ）、ジクロロビス（トリス－ｏ－メトキシフェニルホスフィン）パラジウム（０．８８ｍｇ）及びトルエン（１３ｍＬ）を加え、さらに、６時間還流させた。 【０７３３】 （工程３－４）反応後、そこに、フェニルボロン酸（７３．２ｍｇ）及びジクロロビス（トリス－ｏ－メトキシフェニルホスフィン）パラジウム（１．３２ｍｇ）を加え、１４．５時間還流させた。 【０７３４】 高分子化合物Ｐ４のポリスチレン換算の数平均分子量は３．３×１０４であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量は１．７×１０５であった。 【０７３５】 高分子化合物Ｐ４は、仕込み原料の量から求めた理論値では、化合物ＭＭ１２から形成される構成単位と、化合物ＭＭ１から形成される構成単位と、化合物ＭＭ７から形成される構成単位と、化合物ＭＭ３から形成される構成単位と、化合物ＭＭ４から形成される構成単位とを、１０：３０：１０：４７：３のモル比で含む共重合体である。高分子化合物Ｐ４について、上述の方法で計算した分子量１０００あたりの架橋基の平均数は１．０９であった。 【０７３６】 ＜２－１８＞高分子化合物Ｐ５の合成 以下の方法により、高分子化合物Ｐ５を合成した。 【０７３７】 【化１３４】 ［図：0001407170000034.jpg］ 【０７３８】 上記高分子化合物Ｐ１の合成における（工程１）を下記（工程１－５）に変更し、（工程２）を下記（工程２－５）に変更し、（工程３）を下記（工程３－５）に変更したこと以外は、上記高分子化合物Ｐ１の合成と同様の方法により、高分子化合物Ｐ５を１．２６ｇ得た。 【０７３９】 （工程１－５）反応容器内を不活性ガス雰囲気とした後、化合物ＭＭ１（１．２３５９６ｇ）、化合物ＭＭ２（０．１４８４９ｇ）、特開２００７－５１１６３６号公報に記載の化合物ＭＭ１３（０．６０９８１ｇ）、化合物ＭＭ４（０．１６８５１ｇ）、ジクロロビス（トリス－ｏ－メトキシフェニルホスフィン）パラジウム（２．６４ｍｇ）及びトルエン（３１ｍＬ）を加え、１０５℃に加熱した。 【０７４０】 （工程２－５）反応液に、１６重量％水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液（２０．７ｍＬ）を滴下し、６時間還流させた。 【０７４１】 （工程３－５）反応後、そこに、フェニルボロン酸（７３．２ｍｇ）及びジクロロビス（トリス－ｏ－メトキシフェニルホスフィン）パラジウム（１．３２ｍｇ）を加え、１４．５時間還流させた。 【０７４２】 高分子化合物Ｐ５のポリスチレン換算の数平均分子量は３．７×１０４であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量は１．７×１０５であった。 【０７４３】 高分子化合物Ｐ５は、仕込み原料の量から求めた理論値では、化合物ＭＭ１から形成される構成単位と、化合物ＭＭ２から形成される構成単位と、化合物ＭＭ１３から形成される構成単位と、化合物ＭＭ４から形成される構成単位とを、４０：１０：４７：３のモル比で含む共重合体である。高分子化合物Ｐ５について、上述の方法で計算した分子量１０００あたりの架橋基の平均数は２．８７であった。 ・・・略・・・ 【０７５６】 （３）その他の高分子化合物 ・・・略・・・ 【０７６７】 ＜３－３＞高分子化合物Ｅ３の合成 ・・・略・・・ 【０７６８】 高分子化合物Ｅ３は、理論上では、下記で表される構成単位からなる共重合体である。 【０７６９】 【化１３７】 ［図：0001407170000035.jpg］ ・・・略・・・ 【０７７５】 ［実施例１］発光素子１の作製と評価 ・・・略・・・ 【０７７７】 （発光層の形成） トルエンに、２，８－ｄｉ（９Ｈ－ｃａｒｂａｚｏｌ－９－ｙｌ）ｄｉｂｅｎｚｏ［ｂ，ｄ］ｔｈｉｏｐｈｅｎｅ（ＤＣｚＤＢＴ）（Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｃｏｒｐ社製）及び燐光発光性化合物１（ＤＣｚＤＢＴ／燐光発光性化合物１＝７５重量％／２５重量％）を２．０重量％の濃度で溶解させた。得られたトルエン溶液を用いて、正孔輸送層の上にスピンコート法により７５ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、１３０℃、１０分間加熱させることにより発光層を形成した。 【０７７８】 【化１３９】 ［図：0001407170000036.jpg］ ・・・略・・・ 【０８１２】 ［実施例１０］発光素子１０の作製と評価 （陽極及び正孔注入層の形成） ガラス基板にスパッタ法により４５ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けることにより陽極を形成した。該陽極上に、ポリチオフェン・スルホン酸系の正孔注入剤であるＡＱ－１２００（Ｐｌｅｘｔｒｏｎｉｃｓ社製）をスピンコート法により３５ｎｍの厚さで成膜し、大気雰囲気下において、ホットプレート上で１７０℃、１５分間加熱することにより正孔注入層を形成した。 【０８１３】 （正孔輸送層の形成） キシレンに、高分子化合物Ｐ１を０．７重量％の濃度で溶解させた。得られたキシレン溶液を用いて、正孔注入層の上にスピンコート法により２０ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、ホットプレート上で１８０℃、６０分間加熱させることにより正孔輸送層を形成した。 【０８１４】 （発光層の形成） トルエンに、２，８－ｄｉ（９Ｈ－ｃａｒｂａｚｏｌ－９－ｙｌ）ｄｉｂｅｎｚｏ［ｂ，ｄ］ｔｈｉｏｐｈｅｎｅ（ＤＣｚＤＢＴ）（Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｃｏｒｐ社製）、燐光発光性化合物２及び燐光発光性化合物３（ＤＣｚＤＢＴ／燐光発光性化合物２／燐光発光性化合物３＝７４重量％／２５重量％／１重量％）を２．０重量％の濃度で溶解させた。得られたトルエン溶液を用いて、正孔輸送層の上にスピンコート法により７５ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、１３０℃、１０分間加熱させることにより発光層を形成した。 【０８１５】 （電子輸送層の形成） ２，２，３，３，４，４，５，５－オクタフルオロ－１－ペンタノールに、高分子化合物Ｅ３を０．２５重量％の濃度で溶解させた。得られた２，２，３，３，４，４，５，５－オクタフルオロ－１－ペンタノール溶液を用いて、発光層の上にスピンコート法により１０ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、１３０℃、１０分加熱させることにより電子輸送層を形成した。 【０８１６】 （陰極の形成） 電子輸送層を（当合議体注：「電子輸送層の」における「の」は、「を」の誤記と認められる。）形成した基板を蒸着機内において、１．０×１０－４Ｐａ以下にまで減圧した後、陰極として、発光層の上にフッ化ナトリウムを約４ｎｍ、次いで、フッ化ナトリウム層の上にアルミニウムを約８０ｎｍ蒸着した。蒸着後、ガラス基板を用いて封止することにより、発光素子１０を作製した。 【０８１７】 （発光光素子の評価） 発光素子１０に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。駆動電圧が６．１［Ｖ］の時に１０００ｃｄ／ｍ２を示し、電力効率は１９．１ｌｍ／Ｗ、色度座標（ｘ，ｙ）は（０．４３，０．４７）であった。 【０８１８】 ［実施例１１］発光素子１１の作製と評価 （発光素子の作製） 高分子化合物Ｐ１に代えて、高分子化合物Ｐ３を用いたこと以外は、実施例１０と同様にして発光素子１１を作製した。 【０８１９】 （発光素子の評価） 発光素子１１に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。駆動電圧が５．２［Ｖ］の時に１０００ｃｄ／ｍ２を示し、電力効率は２１．６ｌｍ／Ｗ、色度座標（ｘ，ｙ）は（０．４４，０．４５）であった。 【０８２０】 ［実施例１２］発光素子１２の作製と評価 （発光素子の作製） 高分子化合物Ｐ１に代えて、高分子化合物Ｐ４を用いたこと以外は、実施例１０と同様にして発光素子１２を作製した。 【０８２１】 （発光素子の評価） 発光素子１２に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。駆動電圧が５．４［Ｖ］の時に１０００ｃｄ／ｍ２を示し、電力効率は１８．５ｌｍ／Ｗ、色度座標（ｘ，ｙ）は（０．４８，０．４４）であった。 ・・・略・・・ 【０８２４】 実施例１０～１２及び比較例４の結果を表６に示す。 【０８２５】 【表６】 ［図：0001407170000037.jpg］ ・・・略・・・ 【０８５７】 ［実施例１７］発光素子１７の作製と評価 （陽極及び正孔注入層の形成） ガラス基板にスパッタ法により４５ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けることにより陽極を形成した。該陽極上に、ポリチオフェン・スルホン酸系の正孔注入剤であるＡＱ－１２００（Ｐｌｅｘｔｒｏｎｉｃｓ社製）をスピンコート法により３５ｎｍの厚さで成膜し、大気雰囲気下において、ホットプレート上で１７０℃、１５分間加熱することにより正孔注入層を形成した。 【０８５８】 （正孔輸送層の形成） キシレンに、高分子化合物Ｐ１を０．７重量％の濃度で溶解させた。得られたキシレン溶液を用いて、正孔注入層の上にスピンコート法により２０ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、ホットプレート上で１８０℃、６０分間加熱させることにより正孔輸送層を形成した。 【０８５９】 （発光層の形成） トルエンに、２，８－ジ（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）ジベンゾ［ｂ，ｄ］チオフェン（ＤＣｚＤＢＴ）（Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｃｏｒｐ社製）、燐光発光性化合物５（ＤＣｚＤＢＴ／燐光発光性化合物５＝７５重量％／２５重量％）を２．０重量％の濃度で溶解させた。得られたトルエン溶液を用いて、正孔輸送層の上にスピンコート法により７５ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、１３０℃、１０分間加熱させることにより発光層を形成した。 【０８６０】 （電子輸送層の形成） ２，２，３，３，４，４，５，５－オクタフルオロ－１－ペンタノールに、高分子化合物Ｅ３を０．２５重量％の濃度で溶解させた。得られた２，２，３，３，４，４，５，５－オクタフルオロ－１－ペンタノール溶液を用いて、発光層の上にスピンコート法により１０ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、１３０℃、１０分加熱させることにより電子輸送層を形成した。 【０８６１】 （陰極の形成） 電子輸送層を（当合議体注：「電子輸送層の」における「の」は、「を」の誤記と認められる。）形成した基板を蒸着機内において、１．０×１０－４Ｐａ以下にまで減圧した後、陰極として、発光層の上にフッ化ナトリウムを約４ｎｍ、次いで、フッ化ナトリウム層の上にアルミニウムを約８０ｎｍ蒸着した。蒸着後、ガラス基板を用いて封止することにより、発光素子１７を作製した。 【０８６２】 （発光素子の評価） 発光素子１７に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。駆動電圧が３．２［Ｖ］の時に１０００ｃｄ／ｍ２を示し、電力効率は３８．９ｌｍ／Ｗ、色度座標（ｘ，ｙ）は（０．５５，０．４０）であった。 【０８６３】 ［実施例１８］発光素子１８の作製と評価 （発光素子の作製） 高分子化合物Ｐ１に代えて、高分子化合物Ｐ５を用いたこと以外は、実施例１７と同様にして発光素子１８を作製した。 【０８６４】 （発光素子の評価） 発光素子１８に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。駆動電圧が４．１［Ｖ］の時に１０００ｃｄ／ｍ２を示し、電力効率は２８．３ｌｍ／Ｗ、色度座標（ｘ，ｙ）は（０．４４，０．３８）であった。 ・・・略・・・ 【０８６７】 実施例１７～１８及び比較例８の結果を表１０に示す。 【０８６８】 【表１０】 ［図：0001407170000038.jpg］ 」 (2) 引用文献１に記載された発明（引用発明１） 上記(1)の引用文献１の記載（【０５４５】～【０５４６】、【０５４８】～【０５５１】、【０６４５】、【０６４７】、【０６９１】、【０６９７】、【０７６８】～【０７６９】、【０７７８】、【０８１２】～【０８１７】等）からみて、引用文献１には、「実施例１０」において作製され、評価された「発光素子１０」に係る発明として、次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されているものと認められる。 「 ガラス基板にスパッタ法により４５ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けることにより陽極を形成し、該陽極上に、ポリチオフェン・スルホン酸系の正孔注入剤であるＡＱ－１２００（Ｐｌｅｘｔｒｏｎｉｃｓ社製）をスピンコート法により３５ｎｍの厚さで成膜し、大気雰囲気下において、ホットプレート上で１７０℃、１５分間加熱することにより正孔注入層を形成し、（【０８１２】） キシレンに、高分子化合物Ｐ１を０．７重量％の濃度で溶解させ、得られたキシレン溶液を用いて、正孔注入層の上にスピンコート法により２０ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、ホットプレート上で１８０℃、６０分間加熱させることにより正孔輸送層を形成し、（【０８１３】） トルエンに、２，８－ｄｉ（９Ｈ－ｃａｒｂａｚｏｌ－９－ｙｌ）ｄｉｂｅｎｚｏ［ｂ，ｄ］ｔｈｉｏｐｈｅｎｅ（ＤＣｚＤＢＴ）（Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｃｏｒｐ社製）、燐光発光性化合物２及び燐光発光性化合物３（ＤＣｚＤＢＴ／燐光発光性化合物２／燐光発光性化合物３＝７４重量％／２５重量％／１重量％）を２．０重量％の濃度で溶解させ、得られたトルエン溶液を用いて、正孔輸送層の上にスピンコート法により７５ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、１３０℃、１０分間加熱させることにより発光層を形成し、（【０８１４】） ２，２，３，３，４，４，５，５－オクタフルオロ－１－ペンタノールに、高分子化合物Ｅ３を０．２５重量％の濃度で溶解させ、得られた２，２，３，３，４，４，５，５－オクタフルオロ－１－ペンタノール溶液を用いて、発光層の上にスピンコート法により１０ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、１３０℃、１０分加熱させることにより電子輸送層を形成し、（【０８１５】） 電子輸送層を形成した基板を蒸着機内において、１．０×１０－４Ｐａ以下にまで減圧した後、陰極として、発光層の上にフッ化ナトリウムを約４ｎｍ、次いで、フッ化ナトリウム層の上にアルミニウムを約８０ｎｍ蒸着し、蒸着後、ガラス基板を用いて封止することにより作製した、発光素子１０であって、（【０８１６】） 発光素子１０に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測され、駆動電圧が６．１［Ｖ］の時に１０００ｃｄ／ｍ２を示し、電力効率は１９．１ｌｍ／Ｗ、色度座標（ｘ，ｙ）は（０．４３，０．４７）であり、（【０８１７】） 高分子化合物Ｐ１は、理論値では、化合物ＭＭ１から形成される構成単位と、化合物ＭＭ２から形成される構成単位と、化合物ＭＭ３から形成される構成単位と、化合物ＭＭ４から形成される構成単位とを、４０：１０：４７：３のモル比で含む共重合体であり、ＭＭ１、ＭＭ２、ＭＭ３及びＭＭ４はそれぞれ以下のものであり、（【０６９７】） ［図：0001407170000039.jpg］ （【０６９１】） 高分子化合物Ｐ１を構成する各単量体単位について、全単量体単位の総モルに対するその単量体単位のモル比Ｃとその単量体単位の分子量Ｍとを乗じた値ｘ、及び、モル比Ｃとその単量体単位が有する架橋基の数ｎとを乗じた値ｙを求め、次いで、各単量体単位について求めたｘの総和をＸ１、各単量体単位について求めたｙの総和をＹ１とした時、化合物ＭＭ１から形成される単量体単位の分子量は７７６．４５、化合物ＭＭ２から形成される単量体単位の分子量は２４０．２０、化合物ＭＭ３から形成される単量体単位の分子量は７５０．５１、化合物ＭＭ４から形成される単量体単位の分子量は１６８２．７７であり、化合物ＭＭ１が有する架橋基の数は２、化合物ＭＭ２が有する架橋基の数は２、化合物ＭＭ３が有する架橋基の数は０、化合物ＭＭ４が有する架橋基の数は０であり、（Ｙ１×１０００）／Ｘ１から計算した、分子量１０００あたりの架橋基の平均数は１．３６であり、（【０５４５】～【０５４６】、【０５４８】～【０５５１】、【０６９７】） ２，８－ｄｉ（９Ｈ－ｃａｒｂａｚｏｌ－９－ｙｌ）ｄｉｂｅｎｚｏ［ｂ，ｄ］ｔｈｉｏｐｈｅｎｅ（ＤＣｚＤＢＴ）（Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｃｏｒｐ社製）、燐光発光性化合物２、燐光発光性化合物３及び高分子化合物Ｅ３は、それぞれ、 ［図：0001407170000040.jpg］ 、（【０７７８】） ［図：0001407170000041.jpg］ 、（【０６４５】） ［図：0001407170000042.jpg］ 、（【０６４７】） ［図：0001407170000043.jpg］ 高分子化合物Ｅ３である、（【０７６８】） 発光素子１０。」 (3) 対比 本件補正後発明と引用発明１とを対比する。 ア 低分子化合物、燐光発光性遷移金属錯体、第１の有機層 （ア） 引用発明１の「発光層」の製造工程からみて、引用発明１の「発光層」は、「ＤＣｚＤＢＴ」及び「燐光発光性化合物３」を含有する。 （イ） 引用発明１の「ＤＣｚＤＢＴ」の分子量は、その構造式より、５１４．６４程度であり、引用発明１の「ＤＣｚＤＢＴ」は、遷移金属を含まない。 ここで、本件出願の明細書の【００２９】によれば、「低分子化合物」とは、「分子量分布を有さず、分子量が１×１０４以下の化合物を意味する」から、引用発明１の「ＤＣｚＤＢＴ」と本件補正後発明の「低分子化合物」とは、「遷移金属を含まない低分子化合物」である点で共通する。 （ウ） 引用発明１の「発光層」の「燐光発光性化合物３」は、その名称及び構造式からみて、デンドロンを有する、「燐光発光性」の遷移金属（Ｉｒ）錯体である（「デンドロン」については、引用文献１の【０１１４】や本件出願の明細書【００４９】等参照）。 また、引用発明１の「燐光発光性化合物３」が有するデンドロンは、本件補正後発明の「式（Ｄ－Ａ）」において、「０以上の整数を表す」「ｍDA1」及び「ｍDA2」をそれぞれ「０」とし、「ＧDA」を「芳香族炭化水素基」とし、「ＴDA」を「置換基」を有する「アリール基」としたものに該当する。 さらに、引用発明１の「燐光発光性化合物３」は、本件補正後発明の「式（１）」の式中において、「Ｍ」を「イリジウム原子」とし、「Ｍが」「イリジウム原子の場合」は、「ｎ1＋ｎ2は３であ」るところ、「ｎ1」を「３」、「ｎ2」を「０」とし（この場合、「Ａ1－Ｇ1－Ａ2」は存在しないことになる。）、３つの「Ｅ1及びＥ2」を「炭素原子」とし、３つの「環Ｌ1」を、（炭素原子１個が窒素原子に置き換わった）「６員の芳香族複素環」とし、３つの「環Ｌ2」を、「デンドロン」を「置換基」として有する「芳香族炭化水素環」としたものに該当する。 そうすると、引用発明１の「燐光発光性化合物３」は、本件補正後発明の、「デンドロンを有する」とされる、「燐光発光性遷移金属錯体」に相当する。 また、引用発明１は、本件補正後発明の、「前記デンドロンが、式（Ｄ－Ａ）又は式（Ｄ－Ｂ）で表される基であり」及び「前記デンドロンを有する燐光発光性遷移金属錯体が、式（１）で表される金属錯体である」との構成を具備する。 （エ） 引用発明１の「発光層」を構成する各材料の構造式からみて、引用発明１の「発光層」は、有機層ということができる。 そうすると、上記（ア）～（ウ）より、引用発明１の「発光層」は、本件補正後発明の「第１の有機層」に相当する。また、引用発明１と本件補正後発明は、「前記第１の有機層が」、「遷移金属を含まない低分子化合物と、デンドロンを有する燐光発光性遷移金属錯体とを含有する層であ」る点で共通する。 イ 架橋基を有する構成単位、式（Ｘ）で表される構成単位、第２の有機層 （ア） 引用発明１の「正孔輸送層」は、「キシレンに、高分子化合物Ｐ１を」「溶解させ、得られたキシレン溶液を用いて、」「正孔注入層の上に」「２０ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、ホットプレート上で１８０℃、６０分間加熱させることにより」「形成し」たものである。 （イ） また、引用発明１の「高分子化合物Ｐ１」は、以下に示す「化合物ＭＭ１から形成される構成単位と、化合物ＭＭ２から形成される構成単位と、化合物ＭＭ３から形成される構成単位と、化合物ＭＭ４から形成される構成単位とを、４０：１０：４７：３のモル比で含む共重合体」であり、「化合物ＭＭ１が有する架橋基の数は２、化合物ＭＭ２が有する架橋基の数は２、化合物ＭＭ３が有する架橋基の数は０、化合物ＭＭ４が有する架橋基の数は０であ」る。 ［図：0001407170000044.jpg］ （ウ） 上記（イ）より、引用発明１の「化合物ＭＭ１から形成される構成単位」及び「化合物ＭＭ２から形成される構成単位」は、本件補正後発明の「架橋基を有する構成単位」に相当する。 また、「ＭＭ３」の構造式からみて、引用発明１の「化合物ＭＭ３から形成される構成単位」は、本件補正後発明の「式（Ｘ）で表される構成単位」において、「式（Ｘ）」中、「ａX2」を「０」（この場合、「ＡｒX4」及び「ＲX3」は存在しない）、「ａX1」を「１」とし、「ＡｒX1及びＡｒX3」をそれぞれ「アリーレン基」とし、「ＡｒX2」を「置換基」を有する「アリーレン基」とし、「ＲX1」及び「ＲX2」をそれぞれ「アリール基」としたものに該当する。 そうすると、引用発明１の「化合物ＭＭ３から形成される構成単位」は、本件補正後発明の「式（Ｘ）で表される構成単位」に相当する。 してみると、引用発明１の「高分子化合物Ｐ１」と本件補正後発明の「高分子化合物」とは、「架橋基を有する構成単位と、式（Ｘ）で表される構成単位及び式（Ｙ）で表される構成単位のうち少なくとも一方と」を含有する「高分子化合物」である点で共通する。 （エ） 引用発明１の「架橋基」は、「加熱処理、紫外線照射処理、ラジカル反応等に供することにより、新たな結合を生成することが可能な基」であり、「加熱又は光照射することで、高分子組成物に含有される架橋性高分子化合物を架橋させて、高分子組成物を硬化させることができる」ものである（引用文献１【００６３】及び【００７３】参照）。 また、引用発明１の「高分子化合物Ｐ１」に含まれる「化合物ＭＭ１が有する架橋基の数は２、化合物ＭＭ２が有する架橋基の数は２」であり、「分子量１０００あたりの架橋基の平均数は１．３６であ」るところ、引用文献１の【０５６０】には、「分子量１０００あたりの架橋基の平均数は、・・・略・・・１．２以上であることが特に好ましい。架橋基の平均数が増えることによって、架橋性高分子化合物により緻密な膜が形成され、第２の有機層の電荷輸送性及び／又は第２の有機層から第１の有機層への電荷注入が改善されると考えられる。」と記載されている。 上記「正孔輸送層」形成時の加熱条件（「ホットプレート上で１８０℃、６０分間加熱」）からみて、引用発明１の「正孔輸送層」は、「化合物ＭＭ１から形成される構成単位と、化合物ＭＭ２から形成される構成単位と、化合物ＭＭ３から形成される構成単位と、化合物ＭＭ４から形成される構成単位とを」「含む共重合体」である「高分子化合物Ｐ１」が、「化合物ＭＭ１が有する架橋基」及び「化合物ＭＭ２が有する架橋基」が「架橋」した層、すなわち、架橋体を含有する層であるといえる。 （オ） （Ｙ１×１０００）／Ｘ１の値 引用発明１は、「高分子化合物Ｐ１を構成する各単量体単位について、全単量体単位の総モルに対するその単量体単位のモル比Ｃとその単量体単位の分子量Ｍとを乗じた値ｘ、及び、モル比Ｃとその単量体単位が有する架橋基の数ｎとを乗じた値ｙを求め、次いで、各単量体単位について求めたｘの総和をＸ１、各単量体単位について求めたｙの総和をＹ１とした時」、「化合物ＭＭ１が有する架橋基の数は２、化合物ＭＭ２が有する架橋基の数は２、化合物ＭＭ３が有する架橋基の数は０、化合物ＭＭ４が有する架橋基の数は０であり」、「（Ｙ１×１０００）／Ｘ１」「は１．３６であ」る。 「Ｘ１」、「Ｙ１」及び「（Ｙ１×１０００）／Ｘ１」に関する上記定義によれば、引用発明１の「高分子化合物Ｐ１」の「Ｘ１」、「Ｙ１」及び「（Ｙ１×１０００）／Ｘ１」は、本件補正後発明の「高分子化合物」の「Ｘ１」、「Ｙ１」及び「（Ｙ１×１０００）／Ｘ１」に相当する（本件出願明細書の【０３２８】～【０３２９】の記載からも理解される。）。 そうすると、引用発明１は、本件補正後発明の、「前記高分子化合物を構成する全構成単位の分子量の合計をＸ１とし、前記高分子化合物を構成する全構成単位が有する架橋基の数の合計をＹ1としたとき、（Ｙ1×１０００）／Ｘ1の値が０．２５以上であり」との構成を具備するといえる。 （カ） 引用発明１の「正孔輸送層」を構成する各材料の構造式からみて、引用発明１の「正孔輸送層」は、有機層である。 そうすると、上記（ア）～（オ）より、引用発明１の「正孔輸送層」は、本件補正後発明の「第２の有機層」に相当する。また、引用発明１と、本件補正後発明は、「前記第２の有機層が、架橋基を有する構成単位と、式（Ｘ）で表される構成単位及び式（Ｙ）で表される構成単位のうち少なくとも一方と」を含有する「高分子化合物の架橋体を含有する層であ」る点において共通する。 エ 陽極、陰極 引用発明１の「陽極」は、本件補正後発明の「陽極」に相当する。 引用発明１の、「陰極として」、「発光層の上に」「蒸着し」た「フッ化ナトリウム層」及び「フッ化ナトリウム層の上に」「蒸着し」た「アルミニウム」は、本件補正後発明の「陰極」に相当する。 オ 発光素子 上記ア～エより、引用発明１の「発光素子１０」は、本件補正後発明の「発光素子」に相当する。 また、引用発明１の上記製造工程から理解される積層構造からみて、引用発明１の「発光素子１０」は、本件補正後発明の「発光素子」の、「陽極と、陰極と、陽極及び陰極の間に設けられた第１の有機層及び第２の有機層と、を有する」との構成を具備する。 (4) 一致点及び相違点 上記(3)の対比結果を踏まえると、本件補正後発明と引用発明１は、 「陽極と、陰極と、陽極及び陰極の間に設けられた第１の有機層及び第２の有機層と、を有する発光素子であって、 前記第１の有機層が、遷移金属を含まない低分子化合物と、デンドロンを有する燐光発光性遷移金属錯体とを含有する層であり、 前記第２の有機層が、架橋基を有する構成単位と、式（Ｘ）で表される構成単位及び式（Ｙ）で表される構成単位のうち少なくとも一方と、を含有する高分子化合物の架橋体を含有する層であり、 前記高分子化合物を構成する全構成単位の分子量の合計をＸ1とし、前記高分子化合物を構成する全構成単位が有する架橋基の数の合計をＹ1としたとき、（Ｙ1×１０００）／Ｘ1の値が０．２５以上であり、 前記デンドロンが、式（Ｄ－Ａ）又は式（Ｄ－Ｂ）で表される基であり、 前記デンドロンを有する燐光発光性遷移金属錯体が、式（１）で表される金属錯体である、 前記発光素子。 【化３】 ［図：0001407170000045.jpg］ ［式中、 ａX1及びａX2は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。 ＡｒX1及びＡｒX3は、それぞれ独立に、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。 ＡｒX2及びＡｒX4は、それぞれ独立に、アリーレン基、２価の複素環基、又は、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＡｒX2及びＡｒX4が複数存在する場合、 それらは同一でも異なっていてもよい。 ＲX1～ＲX3は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＲX2及びＲX3が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］ 【化４】 ［図：0001407170000046.jpg］ ［式中、ＡｒY1は、アリーレン基、２価の複素環基、又は、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］ 【化５】 ［図：0001407170000047.jpg］ ［式中、 ｍDA1、ｍDA2及びｍDA3は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。 ＧDAは、芳香族炭化水素基又は複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。 ＡｒDA1、ＡｒDA2及びＡｒDA3は、それぞれ独立に、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＡｒDA1、ＡｒDA2及びＡｒDA3が複数ある場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。 ＴDAは、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＴDAは、同一でも異なっていてもよい。］ 【化６】 ［図：0001407170000048.jpg］ ［式中、 ｍDA1、ｍDA2、ｍDA3、ｍDA4、ｍDA5、ｍDA6及びｍDA7は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。 ＧDAは、芳香族炭化水素基又は複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＧDAは、同一でも異なっていてもよい。 ＡｒDA1、ＡｒDA2、ＡｒDA3、ＡｒDA4、ＡｒDA5、ＡｒDA6及びＡｒDA7は、それぞれ独立に、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＡｒDA1、ＡｒDA2、ＡｒDA3、ＡｒDA4、ＡｒDA5、ＡｒDA6及びＡｒDA7が複数ある場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。 ＴDAは、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＴDAは、同一でも異なっていてもよい。］ 【化７】 ［図：0001407170000049.jpg］ ［式中、 Ｍは、ルテニウム原子、ロジウム原子、パラジウム原子、イリジウム原子又は白金原子を表す。 ｎ1は１以上の整数を表し、ｎ2は０以上の整数を表す。但し、Ｍがルテニウム原子、ロジウム原子又はイリジウム原子の場合、ｎ1＋ｎ2は３であり、Ｍがパラジウム原子又は白金原子の場合、ｎ1＋ｎ2は２である。 Ｅ1及びＥ2は、それぞれ独立に、炭素原子又は窒素原子を表す。但し、Ｅ1及びＥ2の少なくとも一方は炭素原子である。Ｅ1及びＥ2が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。 環Ｌ1は、６員の芳香族複素環を表し、該環は置換基を有していてもよい。該置換基が複数存在する場合、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。環Ｌ1が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。 環Ｌ2は、芳香族炭化水素環又は芳香族複素環を表し、これらの環は置換基を有していてもよい。該置換基が複数存在する場合、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。環Ｌ2が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。 環Ｌ1が有していてもよい置換基と、環Ｌ2が有していてもよい置換基とは、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。 環Ｌ1及び環Ｌ2のうちの少なくとも一つは、デンドロンを有する。 Ａ1－Ｇ1－Ａ2は、アニオン性の２座配位子を表す。Ａ1及びＡ2は、それぞれ独立に、炭素原子、酸素原子又は窒素原子を表し、これらの原子は環を構成する原子であってもよい。Ｇ1は、単結合、又は、Ａ1及びＡ2とともに２座配位子を構成する原子団を表す。Ａ1－Ｇ1－Ａ2が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］」である点で一致し、以下の点で相違する。 （相違点１－１） 「遷移金属を含まない低分子化合物」が、本件補正後発明においては、「要件(i)及び要件(ii)の少なくとも一方を満たす」のに対して、引用発明１においては、「ＤＣｚＤＢＴ」が、「要件(i)及び要件(ii)の少なくとも一方を満たす」かどうか不明である点。 （相違点１－２） 「高分子化合物」が、本件補正後発明においては、「架橋基を有する構成単位と」「式（Ｘ）で表される構成単位及び式（Ｙ）で表される構成単位のうち少なくとも一方と」「からなる」のに対して、引用発明１においては、「高分子化合物Ｐ１」が、「化合物ＭＭ１から形成される構成単位」、「化合物ＭＭ２から形成される構成単位」（「架橋基を有する構成単位」）と、「化合物ＭＭ３から形成される構成単位」（「式（Ｘ）で表される構成単位」）と、「化合物ＭＭ４から形成される構成単位」と「からなる」ものである点。 (5) 判断 ア 相違点１－１について 相違点１－１について検討する。 （ア） 原査定の拒絶の理由１（進歩性）において引用された国際公開２０１７／１１９２０３号（以下「引用文献２」という。特に、請求項１、５、［０００６］（消光物質に励起子のエネルギーが移動し易いこと）、［００４８］～［００５３］（生成した消光物質へのエネルギー移動速度（Ｋｑ）を抑制することについて、コアシェル型ドーパントの利点（Ｋｑの抑制）と欠点（ホスト１４からコア部１１へのキャリア、及び励起子のエネルギーの移動までもが抑制されてしまうこと、ホスト１４上でのキャリアの再結合確率が高くなり、生成したホスト１４上の励起子のエネルギーがホスト１４上で失活しやすく、薄膜の発光寿命が短くなること等）について）、［００５５］（発光性金属錯体について）、［００５９］～［００６１］（発光中心であるコア部と消光物質との間に物理的距離を設ける構造について）、［００６７］～［００７１］、［００７９］～［００８０］、［００８６］～［００９０］（発光性金属錯体に構造部分について）、［００９１］（ホストについて）、［００９６］～［００９９］（ホストとして、最低三重項励起状態の準位と最低一重項励起状態の準位との間隔が小さく、両状態の間で逆項間交差現象を発現するＴＡＤＦを用いる場合（図５参照）及び具体的な材料Ｈ－４～Ｈ－７について）、各実施例（Ｈ－４～Ｈ－７について）等参照。）には、消光物質からコア部へ物理的な距離を設けることができるコアシェル型ドーパントにおいては、ホストからコア部へのキャリア、及び励起子のエネルギーの移動が抑制される、生成したホスト上の励起子のエネルギーがホスト上で失活しやすく薄膜の発光寿命が短くなる、との問題があるところ、最低三重項励起状態の準位と最低一重項励起状態の準位との間隔（ΔＥｓｔ）が小さく逆項間交差を示す熱活性型遅延蛍光（ＴＡＤＦ）を示す化合物をフェルスター型ホストとして採用すること（課題解決手段）によって上記課題を解決したことが記載されている。 そして、引用文献２の［００９９］には、ΔＥｓｔが小さく逆項間交差を示す熱活性型遅延蛍光（ＴＡＤＦ）を示す化合物の具体例として、 ［図：0001407170000050.jpg］ 、 ［図：0001407170000051.jpg］ 、 ［図：0001407170000052.jpg］ 、 が具体的に開示されている。 ここで、「Ｈ－７」は、「ＤＩＣ－ＴＲＺ」と略され、ΔＥｓｔ＝０．０６ｅＶであること、「Ｈ－６」は、「Ｃｚ２ＢＰ」と略され、ΔＥｓｔ＝０．２１ｅＶであることは、先の出願時における当業者の技術常識である。 また、ΔＥｓｔが小さい「Ｈ－４」及び「Ｈ－５」の置換基「Ｒ」の「～」部分を最も単純な直接結合としたものは、それぞれ「４ＣｚＩＰＮ」及び「２ＣｚＰＮ」としてよく知られ、そのΔＥｓｔがそれぞれ０．０８３ｅＶ及び０．０９ｅＶであることも、先の出願時における当業者の技術常識である（各材料のΔＥｓｔについて、例えば、「４ＣｚＩＰＮ」（Ｈ－４）に関しては、Chihaya Adachi 他，Highly efficient organic light-emitting diodes from delayed fluorescence，NATURE，Vol.492，13 December 2012，ｐ.234－238（他補足資料２頁）（特に、２３４頁右欄４行～１９行、２３４頁Ｆｉｇ１（ａ，ｂ）、２３８頁Ｆｉｇ４（ｄ）等）、「４ＣｚＩＰＮ」（Ｈ－４）、「２ＣｚＰＮ」（Ｈ－５）及び「Ｃｚ２ＢＰ」（Ｈ－６）に関しては、Ye Tao 他，Thermally Activated Delayed Fluorescence Materials Towards the Breakthrough of Organoelectronics，ADVANCED MATERAIALS，Vol.26，2014，p.7931－7958（特に、７９３９頁「Table２」のＴＡＤＦ「４５」、「４４」、「８２」の「ΔＥｓｔ／ｅＶ」欄、７９４６頁「Figure13a」「４５」、「４４」、７９５２頁「Scheme7」「８２」等）、「ＤＩＣ－ＴＲＺ」（Ｈ－７）に関しては、Dongdong Zhang 他，High-Efficiency Fluorescent Organic Light-Emitting Devices Using Sensitizing Hosts with a Small Singlet-Triplet Exchange Energy，ADVANCED MATERIALS，Vol.26，2014，p.5050－5055（特に、５０５１頁右欄７～９行、同頁「Figure 2」「a」「DIC-TRZ」）等）を参照。「Ｈ－７」のΔＥｓｔについては、本件出願の明細書の【０３７６】【化８２】の「化合物Ｈ５」、【０３９０】【表４】（「実施例Ｄ20」の「化合物H5」の「ΔＥｓｔ」「０．０６６」）等からも確認できる。）。 （イ） また、引用発明１の「燐光発光性化合物３」は、デンドロン（樹状構造）の配位子を有するものであるところ、当該デンドロン構造（樹状構造）は、引用文献２の「コアシェル型ドーパント」（［0067］～［0075］（特に［0074］）、請求項５等に記載の第２実施形態に係る発光性金属錯体）と同様、金属錯体（コア）を取り囲む嵩高い分子構造に起因して、ドーパントとホストとの物理的距離が大きくなるから、引用文献１及び２に接した当業者は、引用発明１の「燐光発光性化合物３」（ドーパントに対応）においても、上記（ア）で述べた問題（ホストとからゲストへのエネルギーの移動が抑制されるという問題）が生じることを直ちに理解する。また、電力効率に優れる発光素子を提供すること（引用文献１の【０００７】参照。）を課題とする引用発明１においても、発光寿命が長いことは好ましい特性である（例えば、引用文献１の【０５６１】には、分子量１０００あたりの架橋基の平均数を所定の範囲とすることにより、「発光素子の輝度寿命が優れるという効果が奏される。」ことが記載されている。）。 してみると、引用発明１において、引用文献２の上記（ア）の課題解決手段（下線部）を心得た当業者が、長い発光寿命が得られるように、フェルスター型ホストとして、引用文献２に具体的に示された、ΔＥｓｔが小さいＨ－７（ΔＥｓｔ＝０．０６ｅＶ）、Ｈ－６（ΔＥｓｔ＝０．２１ｅＶ）、置換基「Ｒ」の「～」部分を直接結合とした「Ｈ－４」（４ＣｚＩＰＮ、ΔＥｓｔ＝０．０８３ｅＶ）、あるいは、置換基「Ｒ」の「～」部分を直接結合とした「Ｈ－５」（２ＣｚＰＮ、ΔＥｓｔ＝０．０９ｅＶ）で表されるＴＡＤＦ材料を採用して、相違点１－１に係る、本件補正後発明の、要件(i)（最低三重項励起状態のエネルギー準位と最低一重項励起状態のエネルギー準位との差の絶対値が０．２５ｅＶ未満である。）を満たす構成とすることは、当業者が容易に想到し得たことである。 さらに、要件（ii）の充足性については、次のとおりである。 「Ｈ－６」は、本件補正後発明の要件（ii）の式（Ｔ－１）において、「ｎT1」を「０」（この場合、「ＬT1」は存在しない。）、「ｎT2」を「２」、２つの「ＡｒT1」（の全てを）を「式（Ｔ１－１Ａ）で表される基」とし、「ＡｒT2」を、「電子求引性基」（「－Ｃ（＝Ｏ）－」）「を含む芳香族炭化水素基」としたものに対応するから、上記のようにＨ－７あるいはＨ－６で表されるＴＡＤＦを示す化合物を採用した引用発明１は、相違点１－１に係る本件補正後発明の、要件(i)（最低三重項励起状態のエネルギー準位と最低一重項励起状態のエネルギー準位との差の絶対値が０．２５ｅＶ未満である。）及び要件(ii)（式（Ｔ－１）で表される。）の少なくとも一方を満たす構成を具備することとなる。 同様に、置換基「Ｒ」の「～」部分を直接結合とした「Ｈ－４」（４ＣｚＩＰＮ）は、同要件（ii）において、「ｎT1」を「０」、「ｎT2」を「４」、４つの「ＡｒT1」（全て）を、「環内に二重結合を有さない窒素原子を含み、且つ、環内に＝Ｎ－で表される基、－Ｃ（＝Ｏ）－で表される基、－Ｓ（＝Ｏ）－で表される基、及び、－Ｓ（＝Ｏ）２－で表される基を含まない１価の複素環基」であって、「式（Ｔ１－１Ａ）で表される基」とし、「ＡｒT2」を、「置換基」として電子吸引性の２つのシアノ基（－ＣＮ）を有する「芳香族炭化水素基」とし、「ＡｒT1のすべてが」「式（Ｔ１－１Ａ）で表される基である場合」において、「ＡｒT2」を、「電子求引性基」「を含む芳香族炭化水素基」としたものに対応し、 置換基「Ｒ」の「～」部分を直接結合とした「Ｈ－５」（２ＣｚＰＮ）は、同要件（ii）において、「ｎT1」を「０」、「ｎT2」を「２」、２つの「ＡｒT1」を、「環内に二重結合を有さない窒素原子を含み、且つ、環内に＝Ｎ－で表される基、－Ｃ（＝Ｏ）－で表される基、－Ｓ（＝Ｏ）－で表される基、及び、－Ｓ（＝Ｏ）２－で表される基を含まない１価の複素環基」であって、「式（Ｔ１－１Ａ）で表される基」とし、「ＡｒT2」を、「置換基」として電子吸引性の２つのシアノ基を有する「芳香族炭化水素」とし、「ＡｒT1のすべてが」「式（Ｔ１－１Ａ）で表される基である場合」において、「ＡｒT2」を、「電子求引性基」「を含む芳香族炭化水素基」としたものに対応するから、上記のようにＨ－４あるいはＨ－５の置換基「Ｒ」の「～」部分を直接結合としたＴＡＤＦを示す化合物を採用した引用発明１は、同要件(i)及び要件(ii)の少なくとも一方を満たす構成を具備することとなる。 （ウ） 小括 以上のとおりであるから、引用発明１において、引用文献２に記載された技術に基づき、相違点１－１に係る本件補正後発明の構成とすることは、当業者が容易に想到し得たことである。 イ 相違点１－２について 相違点１－２について検討する。 ここで、相違点１－２に係る、本件補正後発明における、「高分子化合物」が、「架橋基を有する構成単位と」「式（Ｘ）で表される構成単位及び式（Ｙ）で表される構成単位のうち少なくとも一方と」「からなる」における「からなる」とは、「高分子化合物」が、「架橋基を有する構成単位と」「式（Ｘ）で表される構成単位及び式（Ｙ）で表される構成単位のうち少なくとも一方と」、のみからなること、すなわち、上記「高分子化合物」が上記３種（あるいは２種）の構成単位のみを含み、それ以外の構成単位を含まないこと、を通常意味すると解される（審判請求書の「（４）本願発明と引用発明との対比」における、請求人の、「引用文献１に記載されている高分子化合物はいずれも、燐光発光性構成単位を含む高分子化合物であり、本願の「架橋基を有する構成単位と、式（Ｘ）で表される構成単位及び式（Ｙ）で表される構成単位のうち少なくとも一方と、からなる高分子化合物」に相当しません。」との主張も、上記の解釈に基づいている。）から、以下においては、「～からなる」を上記通常の意味に解して検討を行う。 （ア） 引用発明１の「高分子化合物Ｐ１」について、引用文献１には、次の記載がある。 （A）「第２の有機層は、１種又は２種以上の高分子化合物が配合された高分子組成物を用いて形成される層である。」、「上記高分子化合物の少なくとも１種は、架橋基を有する高分子化合物（具体的には、上記高分子化合物の少なくとも１種は、架橋基を有する構成単位を含む高分子化合物）（以下、「架橋性高分子化合物」ともいう。）である。」、「上記高分子化合物の少なくとも１種は、燐光発光性構成単位を含む高分子化合物（以下、「燐光発光性高分子化合物」ともいう。）である。」（【０３３１】） （B）「上記高分子化合物は、燐光発光性高分子化合物、及び、架橋性高分子化合物の２種を少なくとも含むものであってもよい。」（【０３３３】） （C）「第２の有機層が、二種以上の高分子化合物・・・略・・・が配合された高分子組成物を用いて形成される層である場合、各高分子化合物について求めた（Ｙ１×１０００）／Ｘ１の値の加重平均（二種以上の高分子化合物の配合量比からの平均値）が、０．６以上となる。」（【０３３６】） （D）「第２の有機層が、架橋基を有する架橋性高分子化合物と、架橋基を有さない高分子化合物（具体的には、燐光発光性高分子化合物）とが配合された高分子組成物を用いて形成される層である場合、架橋基を有さない高分子化合物としては、例えば、式（Ｙ）で表される構成単位及び式（Ｘ）で表される構成単位からなる群から選ばれる少なくとも一種の構成単位を含む高分子化合物が挙げられる。」（【０３３７】） （E）「架橋性高分子化合物は、正孔輸送性が優れるので、式（Ｘ）で表される構成単位をさらに含むことが好ましい。」（【０３８２】） ここで、式（Ｘ）及び式（Ｙ）は、それぞれ、引用文献１の【０２６４】～【０２７０】、及び、【０２０５】～【０２０７】に記載されたものである。 （イ） 引用文献１の上記（ア）（A）～（C）及び（E）の各記載からみて、引用文献１には、「正孔輸送層」（「第２の有機層」）を、「架橋性高分子化合物」と、「架橋基を有さない高分子化合物（具体的には、燐光発光性高分子化合物）」との２種の高分子化合物が配合された高分子組成物を用いて形成された層とすること、２種の高分子化合物とした場合には、「各高分子化合物について求めた（Ｙ１×１０００）／Ｘ１の値の加重平均（二種以上の高分子化合物の配合量比からの平均値）」を「０．６以上」とすることが記載ないし示唆されているといえる。 そうすると、引用発明１において、上記記載ないし示唆に基づき、「高分子化合物Ｐ１」に替えて、（架橋基の数が２の）「化合物ＭＭ１から形成される構成単位」と、（架橋基の数が２の）「化合物ＭＭ２から形成される構成単位」（「架橋基を有する構成単位」）と、（架橋基の数が０の）「化合物ＭＭ３から形成される構成単位」（「式（Ｘ）で表される構成単位」）のみからなる共重合体からなる架橋性高分子化合物（１）（上記（ア）（E））と、（架橋基の数が０の）「化合物ＭＭ３から形成される構成単位」（「式（Ｘ）で表される構成単位」）と、「化合物ＭＭ４から形成される構成単位」を含む共重合体（以下「燐光発光性高分子化合物（２）」という。）からなる「２種」の高分子化合物を採用してなる高分子組成物を用いて、成膜・加熱処理し、「正孔輸送層」を形成すること、その際、上記（ア）（C)に基づいて、「正孔輸送層」全体に含まれるＭＭ１～ＭＭ４の構成単位のモル比（４０：１０：４７：３）をある程度維持しつつ、「各高分子化合物について求めた（Ｙ１×１０００）／Ｘ１の値の加重平均（二種以上の高分子化合物の配合量比からの平均値）」として、０．６以上（上記(C)）に調整することは、当業者が容易に想到し得たことである。 そして、上記構成とした引用発明１の「正孔輸送層」は、 （Ｉ）「化合物ＭＭ１から形成される構成単位」及び「化合物ＭＭ２から形成される構成単位」（以上「架橋基を有する構成単位」）と、「化合物ＭＭ３から形成される構成単位」（「式（Ｘ）で表される構成単位」）（のみ）からなる「架橋性高分子化合物（１）」の架橋体と、 （ＩＩ）（架橋反応に関与しない）「化合物ＭＭ３から形成される構成単位」（「式（Ｘ）で表される構成単位」）と「化合物ＭＭ４から形成される構成単位」の共重合体からなる「架橋基を有さない燐光発光性高分子化合物（２）」とを含有することとなり、上記（Ｉ）の「架橋性高分子化合物（１）」の架橋体は、架橋基を有する構成単位と、式（Ｘ）で表される構成単位とからなる、ということができ、「正孔輸送層」は、上記（ＩＩ）の「架橋基を有さない燐光発光性高分子化合物（２）」と、上記（Ｉ）の「架橋性高分子化合物（１）」の架橋体を含有する層である、という構成を備えたものとなる。 したがって、引用文献１の上記（ア）の各記載に接した当業者が、引用発明１の「高分子化合物Ｐ１」を、相違点１－２に係る本件補正後発明の構成を具備するものとすることは容易に想到し得たことである。 なお、「高分子化合物Ｐ１」についての上記材料変更の結果、引用発明１における「（Ｙ1×１０００）／Ｘ1」の値が変動し得るが、引用文献１の【００６８】や上記（ア）（C）の記載からみて、当業者が前記値が「０．２５」を下回るような材料変更（上記(3)イ（オ）で「一致点」とした点が相違点となるような材料変更）を行うことはない。 （ウ） 小括 以上のとおりであるから、引用発明１において、引用文献１の記載に基づき、相違点１－２に係る本件補正後発明の構成とすることは、当業者が容易に想到し得たことである。 ウ 本件補正後発明の効果について 本件補正後発明の発光効率が優れる発光素子を提供することができる（【００２３】）との効果は、先の出願時、本件補正後発明の構成が奏するものとして当業者が予測することができたものであり、当該構成から当業者が予測することができた範囲の効果を超える顕著なものではない。 エ 審判請求書における請求人の主張について （ア） 請求人は、審判請求書の「３．本願発明が特許されるべき理由において」「（４）本願発明と引用発明との対比」において、「引用文献１には、本願の「第２の有機層が、架橋基を有する構成単位と、式（Ｘ）で表される構成単位及び式（Ｙ）で表される構成単位のうち少なくとも一方と、からなる高分子化合物の架橋体を含有する層である」という構成（以下、「構成Ａ」という）について記載も示唆もありません。」、「引用文献１に記載されているＤＣｚＤＢＴは、本願の要件(ii)を満たしません。また、引用文献１に記載されているＤＣｚＤＢＴは、最低三重項励起状態のエネルギー準位と最低一重項励起状態のエネルギー準位との差の絶対値（△Ｅｓｔ）が０．２９７ｅＶであるため、本願の要件(i)を満たしません。」、「引用文献１には、「第１の有機層が、要件(i)及び要件(ii)の少なくとも一方を満たす遷移金属を含まない低分子化合物と、デンドロンを有する燐光発光性遷移金属錯体とを含有する層である」という構成（以下、「構成Ｂ」という）について記載も示唆もありません。」と主張し、 同「（４－１）構成Ａ」において、「引用文献１及び引用文献２のいずれにも、本願の構成Ａについて記載も示唆もないことから、たとえ当業者であっても、引用文献１及び引用文献２に基づいて、本願の構成Ａを導くことはできません。」と主張し、 同「（４－２）構成Ｂ」において、「引用文献２の実施例７には、ホスト（Ｈ－７）が記載されており、このホスト（Ｈ－７）は、△ＥＳＴが０．２５ｅＶ以下である、遷移金属を含まない低分子化合物に相当します。」、「しかし、引用発明１の課題は、電力効率に優れる発光素子を提供すること（［０００７］）であるのに対して、引用発明２の課題は、発光寿命の長い薄膜、及び有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することであり（［００１４］）、課題の共通性がありません。」、「発光素子の分野において、電力効率と発光寿命とは必ずしも比例関係にあるわけではないこと、すなわち、発光寿命に優れるからといって、電力効率に優れるとは限らないということ、そして、電力効率に優れるからといって、発光寿命に優れるとは限らないということは、当業者にとって技術常識です。」、「したがって、引用発明１と引用発明２とは課題の共通性がなく、当業者が、電力効率に関する引用発明１と、発光寿命に関する引用発明２とを組み合わせる動機付けがありません。」、「本願発明の課題は、発光効率が優れる発光素子を提供することである（［０００５］）が、引用文献２の実施例では、ホスト（Ｈ－７）以外のホストも用いられており、ホスト（Ｈ－７）が他のホストと比較し、発光効率の向上に関連するとは読み取れず、当業者がホスト（Ｈ－７）に着目する動機付けがありません。」、「よって、引用文献２の実施例にホスト（Ｈ－７）が記載されているからといって、当業者がホスト（Ｈ－７）を引用発明１に適用することは容易であるというのは、後知恵であると考えます。」、「以上より、たとえ当業者であっても、引用文献１及び引用文献２に基づいて、本願の構成Ｂを導くことはできません。」と主張し、 同「（４－３）効果」において、「本願発明は、上記構成Ａ及び構成Ｂを有することにより、発光効率が優れるという顕著な効果が得られることは、本願明細書の実施例より明らかです（表３～表８）。」、「以上より、本願発明は、引用文献１及び引用文献２からは容易に想到することができず、本願発明の効果は、引用文献１及び引用文献２からは予測できない顕著な効果であることから、引用文献１及び引用文献２に対して進歩性を有します。」と主張する。 （イ） しかしながら、構成Ａについては、上記イにおいて相違点１－２について述べたとおりであり、請求人の主張を採用することはできない。 また、構成Ｂについて、上記アにおいて相違点１－１について述べたとおり、引用文献１及び２に接した当業者であれば、引用発明１のデンドロン構造を有する「燐光発光性化合物３」においても、上記ア（ア）で述べた問題（ホストとからゲストへのエネルギーの移動が抑制されるという問題）が生じることに気付くといえ、また、電力効率に優れる発光素子を提供することを課題とする引用発明１においても、発光寿命（半減寿命）が長いことは望まれる特性であるから、引用文献２の上記ア（ア）の課題解決手段を心得た当業者が、長い発光寿命が得られるように、引用発明１において、フェルスター型ホストとして、引用文献２に具体例として開示されたＨ－７等のΔＥｓｔが小さいＴＡＤＦ材料に着目し、これを採用することは、容易になし得たことである。そして、電力効率に優れる引用発明１に、引用文献２の技術を採用すれば、ホストからゲストへ効率的にエネルギーが移動すること、発光寿命（半減寿命）が長くなることが予測、期待でき、発光効率が優れた発光素子となることは、当業者であれば予測可能なものであって、格別、顕著なものではない。 以上のとおりであるから、請求人の主張を採用することはできない。 オ 引用文献１の実施例１０以外に係る発光素子に基づく発明を主引用発明とした場合 （ア）実施例１１及び１２に基づいて主引用発明を認定した場合 各構成材料からみて、実施例１１及び１２（【０８１８】～【０８２１】、【０８２５】【表６】）に係る発光素子の発明を主引用発明としても判断は上記(5)と同様である。 （イ）実施例１７及び１８に基づいて主引用発明を認定した場合 引用文献１の【０８５７】～【０８６２】、【０８６８】【表１０】には、例えば、「実施例１７」に係る「発光素子１７」の発明（以下「引用発明１７」という。）が記載されているところ、引用発明１７の「正孔輸送層」は「高分子化合物Ｐ１」（架橋基の平均数は１．３６）を、「発光層」は「ＤＣｚＤＢＴ／燐光発光性化合物５（７５／２５）」をそれぞれ含む（当合議体注：「燐光発光性化合物５」は、上記２(1)イ（【０６５１】）で摘記したとおりである。）。 ここで、本件補正後発明と引用発明１７とは、上記相違点１－１及び相違点１－２に加えて、「燐光性発光化合物５」（本件補正後発明の「デンドロンを有する燐光発光性遷移金属錯体」に相当）が、本件補正後発明の「デンドロンを有する燐光発光性遷移金属錯体」の要件を満たさない点で新たに相違する。 しかしながら、引用文献１に記載された発光素子の「第１の有機層に含まれる」「燐光発光性化合物」は、式（１－Ｂ）で表される化合物（「燐光発光性化合物５」が該当）に限らず、式（１－Ａ）で表される化合物も想定されているのであって（引用文献１の請求項８、【００９３】～【００９７】等参照。）、当該新たな相違点は当業者が適宜なし得る材料選択の範囲内の事項といえる。 また、実施例１８（【０８６３】～【０８６４】、【０８６８】【表１０】）に係る発光素子１８に係る発明を主引用発明としても結論は同様である。 (6) まとめ 本件補正後発明は、引用文献１に記載された発明及び引用文献２に記載された技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法２９条２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 ３ 補正の却下の決定のむすび 本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 よって、前記［補正の却下の決定の結論］に記載のとおり、決定する。 第３ 本願発明について １ 本願発明 以上のとおり、本件補正は却下されたので、本件出願の請求項に係る発明は、令和４年２月７日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１６に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、上記「第２」［理由］１(1)に記載のとおりのものである。 ２ 原査定の拒絶の理由 原査定の拒絶の理由は、概略、理由１（進歩性）本願発明は、先の出願前に日本国内又は外国において電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基づいて、先の出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない、というものである。 （引用文献等一覧） 引用文献１：特開２０１６－１１１３５５号公報 引用文献２：国際公開第２０１７／１１９２０３号 （当合議体注：引用文献１は主引用例であり、引用文献２は、副引用例である。） ３ 理由１（特許法第２９条第２項（進歩性））について (1) 引用文献１及び引用発明 引用文献１の記載及び引用発明は、前記「第２」［理由］２(1)及び(2)に記載したとおりである。 (2) 対比及び判断 本願発明は、前記「第２」［理由］２で検討した本件補正後発明から、同１(3)アで述べた限定事項を除いたものである。また、本願発明の構成を全て具備し、これにさらに限定を付したものに相当する本件補正後発明は、前記「第２」［理由］２(3)～(6)で述べたとおり、引用文献１に記載された発明及び引用文献２に記載された技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 そうしてみると、本願発明は、前記「第２」［理由］２(3)～(6)で述べた理由と同様の理由により、引用文献１に記載された発明及び引用文献２に記載された技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 第４ むすび 本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本件出願は拒絶されるべきものである。 よって、結論のとおり審決する。