2022-007320

第１ 手続の経緯

本願は、２０１８年（平成３０年）６月１日（優先権主張 平成２９年６月８日）を国際出願日とする出願であって、令和３年７月８日付けで拒絶理由通知がされ、同年９月１３日付けで意見書が提出されるとともに手続補正がされ、令和４年２月２１日付けで拒絶査定（原査定）がされ、これに対し、同年５月１６日に拒絶査定不服審判の請求がされると同時に手続補正がされたものである。

第２ 原査定の理由の概要

原査定（令和４年２月２１日付け拒絶査定）の理由の概要は次のとおりである。

本願の請求項１、２、６に係る発明は、以下の引用文献１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができないか、以下の引用文献１、６に記載された発明に基づいて、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下、「当業者」という。）が容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。

また、本願の請求項３～５に係る発明は、以下の引用文献１～６に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。

引用文献等一覧

１．特開平０５－２４７６７３号公報

２．特開昭５７－０４９２３５号公報

３．特開昭５５－１３８８３４号公報

４．特開２０００－２０８４８８号公報

５．特開平０５－１５２２５５号公報

６．特開２０１７－０５０５２９号公報

第３ 本願発明

本願請求項１～３に係る発明（以下、それぞれ「本願発明１」～「本願発明３」という。）は、令和４年５月１６日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１～３に記載された事項により特定される発明であり、本願発明１は以下のとおりの発明である。

「【請求項１】

積層されたシリコン酸化物層とシリコン窒化物層とを有する積層膜を備える被処理体を、炭素、臭素、及びフッ素からなるハロゲン化炭素化合物を含有するエッチングガスにより処理して、前記シリコン酸化物層と前記シリコン窒化物層との両方をエッチングするエッチング工程を備え、

前記ハロゲン化炭素化合物がジブロモジフルオロメタンであり、

前記エッチングガスが酸素ガスを含有せず、

前記エッチング工程においては、前記エッチングガスをプラズマ化して得られるプラズマガスを用いてエッチングし、

前記シリコン酸化物層のエッチング速度に対する前記シリコン窒化物層のエッチング速度の比を０．９以上１．２未満とするエッチング方法。」

なお、本願発明２、３は、本願発明１を減縮した発明である。

第４ 引用文献、引用発明等

１ 引用文献１について

（１）原査定の拒絶の理由に引用された引用文献１（特開平０５－２４７６７３号公報）には、次の事項が記載されている（下線は当審が付した。以下、同じ。）。

「【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、例えば半導体素子における酸化膜および窒化膜のエッチング方法に関するものである。」

「【０００５】

【発明が解決しようとする課題】・・・

【０００７】この発明は上記事情に鑑みなされたもので、その目的は、酸化膜や窒化膜を基板に対して高選択比でエッチングすることができ、異方性が良好であり、さらにマイクロローディング効果、すなわちエッチング径が小さくなるとエッチング深さが減少する効果を抑制することができる酸化物部分および窒化物部分を含む被処理体のエッチング方法を提供することにある。」

「【０００８】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するために、この発明の酸化物部分又は窒化物部分を有する被処理体のエッチング方法は、処理容器内に酸化物部分又は窒化物部分を有する被処理体を装入する工程と、処理容器内においてハロゲン元素を含むガスのプラズマにより被処理体の酸化物部分又は窒化物部分をエッチングする工程とを具備し、前記プラズマの雰囲気に酸化数４未満の炭素（Ｃ）と酸素（Ｏ）とを含むガスを存在させることを特徴とするものである。」

「【００１１】ハロゲン元素を含むガスとしては、ＣＨＦ3、ＣＢｒＦ3のようなフレオンガス、ＳＦ6、ＮＦ3及びＦ2など、フッ素を含むガスを好適に用いることができる。また、同様に、塩素（Ｃｌ）、臭素（Ｂｒ）、ヨウ素（Ｉ）など他のハロゲン元素を含むガスを用いることもできる。」

「【００３５】また、エッチング加工する膜としては、ＳｉＯ2等の酸化膜単独のみならず、ＳｉＮ膜等の窒化膜単独にも適用でき、ＳｉＯ2とＳｉＮとの積層膜、さらにＳｉＯＮ膜にも適用し得る。さらに、Ｓｉ以外の酸化膜および窒化膜についても適用可能であり、例えばＴａ2Ｏ5、ＴｉＯ2、ＴｉＮに適用可能である。」

（２）上記（１）によれば、引用文献１には、以下の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。

「ハロゲン元素を含むガスのプラズマにより被処理体の酸化物部分又は窒化物部分をエッチングする工程を具備し、

前記プラズマの雰囲気に酸化数４未満の炭素（Ｃ）と酸素（Ｏ）とを含むガスを存在させ、

ハロゲン元素を含むガスとしてＣＢｒＦ3を好適に用いることができ、

被処理体は、ＳｉＯ2とＳｉＮとの積層膜についても適用可能である、エッチング方法。」

２ 引用文献２について

（１）原査定の拒絶の理由に引用された引用文献２（特開昭５７－０４９２３５号公報）には、次の事項が記載されている

ア 「この既知の方法では、Ｓｉ３Ｎ４がＳｉＯ２よりもごく僅かしか速い速度でエツチ（腐蝕）され、除去されないことが欠点である。従つてこの方法を使用し、Ｓｉ基板にＳｉＯ２層を保護層として設け、Ｓｉ３Ｎ４層をマスクを用いてエツチする場合にはＳｉＯ２層を比較的厚くする必要がある。この理由によつてこの既知の方法はＬＯＣＯＳ法によつてフィールド酸化物を堆積させたＳｉ３Ｎ４酸化マスクを製造する如き実際上の用途には適さない。本発明はこのような欠点を解決することをその目的とする。

この目的を達成するため弗素以外のハロゲンを含むガス化合物の１ないし１５体積％を混合ガスに加える。弗素以外のハロゲンを含有する少量の化合物を加えることによりＳｉ３Ｎ４はＳｉＯ２よりも少なくとも５倍の速さでエツチ（腐蝕）され除去される。このためＳｉ基板上に設けたＳｉ３Ｎ４層に対しＳｉＯ２の保護層を持つたマスクをエツチングするのに本発明を使用すると、保護層のＳｉＯ２層を比較的に薄くすることができる。」（２ページ右上欄１１行～左下欄９行）

イ 「実施例II

第６図はＣＦ４と５体積％のＯ２を有し、さらに図の関数として示した量のＣＦ３Ｂｒをこの混合ガスに加えたガス中で約６５Ｐａの圧力で形成したプラズマ組成によつてＳｉ３Ｎ４とＳｉＯ２がエツチされる速度を示すものである。ＣＦ３Ｂｒを添加しない場合には、Ｓｉ３Ｎ４はＳｉＯ２よりも約２倍の速さでエツチされる。少量のＣＦ３Ｂｒ（２ないし８体積％）を加えるとこの比は約１０倍となる。１０体積％以上のより多い量のＣＦ３Ｂｒを加えるとエツチング速度の比は再び減少し、とくにＳｉ３Ｎ４のエツチング速度は低い値に減少する。ＣＦ３Ｂｒの代わりに他のＢｒ化合物、例えばＣＦ２Ｂｒ２，ＨＢｒ，Ｂｒ２，ＢｒＦ３，ＢｒＦ５等をＣＦ４とＯ２との混合物に加えてもほぼ同等の結果が得られる。しかしながらＣＦ３Ｂｒは取扱いの容易の点、および腐蝕性の低いこと、並びに有毒でない点で最も好適である。」（３ページ右下欄７行～４ページ左上欄３行）

ウ 「

［図：0001396944000001.jpg］

」

３ 引用文献３について

（１）原査定の拒絶の理由に引用された引用文献３（特開昭５５－１３８８３４号公報）には、次の事項が記載されている。

ア 「本発明の目的は，したがって，ＳｉＯ２下地の上に被着されたＳｉなどの，一般に弗化物が揮発性の物質の層をアンダカットなしに選択的にエッチングすることを可能にするドライ・エッチング方法を提案することである。」（３ページ左上欄１２～１６行）

イ 「ＣＦ４，Ｃ２Ｆ６ガスとＢｒ２，Ｉ２ガスの混合ガスと同様な効果を示すことが期待されるガスとして，ＣＢｒＦ３，ＣＢｒ２Ｆ２，ＣＩＦ３，ＣＩ２Ｆ２のように，弗化炭素ＣｎＦｍの弗素の一部がＢｒもしくはＩに置換された形の分子構造を有するガスが挙げられる。」（４ページ左上欄４～８行）

ウ 「第４図は，エッチング・テーブル材として石英ガラスを使用し，ＣＢｒＦ３の流量１５ｃｃ／ｍｉｎ，高周波電力５０Ｗで得られた単結晶Ｓｉ，多結晶シリコン，Ｓｉ３Ｎ４，ホトレジストＡＺ１３５０Ｊ，およびＳｉＯ２についてのＣＢｒＦ３ガス圧とエッチ速度の関係を，第５図はガス圧を０．０３Ｔｏｒｒに固定し２００ｍｍφの電極を使用し，同じＣＢｒＦ３流量で，第４図と同じ物質について，高周波電力とエッチ速度の関係を示す。図から明らかな通り，５０Ｗ（０．１６Ｗ／ｃｍ２）のような比較的小さな高周波電力においても，Ｓｉは７００Å／ｍｉｎ以上のエッチ速度を示した。また，ＳｉのＳｉＯ２に対するエッチ速度比はＳｉ：ＳｉＯ２＝６：１以上であった。さらに，Ｓｉ３Ｎ４も能率よくエッチングされ，Ｓｉ３Ｎ４：ＳｉＯ２＝４：１以上のエッチ速度比が得られた。」（４ページ左上欄下から２行～右上欄１４行）

「

［図：0001396944000002.jpg］

」

「

［図：0001396944000003.jpg］

」

４ 引用文献４について

（１）原査定の拒絶の理由に引用された引用文献４（特開２０００－２０８４８８号公報）には、次の事項が記載されている

「【００２７】上記の炭化水素もしくは炭化水素の臭素化物の代わりに、各種の置換基を有する誘導体を使用することも可能である。炭化水素の誘導体は、その分子中に臭素原子を含まない限り、他の臭素原子を含むガスと組み合わせて使用する。炭化水素の臭素化物の誘導体として、例えば、酸素やフッ素を含んだ臭化カルボニル（ＣＯＢr２、沸点-8～-6℃) 、ジブロモジフルオロメタン（ＣＢr2Ｆ2、沸点24.5℃) 等も下地や被エッチング物質に適する範囲で使用可能である。これらの炭化水素の臭素化物の誘導体は、ＣＢr2 結合を分子内に有するため、それ単独で使用してＢr ／Ｃ比の高い堆積物を生成する事が可能である。しかしもちろん、他の物質と組み合わせて堆積物生成反応を起こさせることも可能である。特に臭化カルボニルは、酸素原子を離脱して＞ＣＢr2 を生成することにより、高い反応性を得ることができる。」

「【００４０】また、上記実施例の他に、シリコン酸化膜エッチングに対して本発明を適用することもできる。この場合は、エッチング装置として平行平板型反応性イオンエッチング装置（ＲＩＥ）を用いた。ガス系としては、従来技術のＣＦ4／ＣＨＦ3／Ａr ／ＣＯ＝１０／１５／２８５／１００sccm、に対して、本発明は、ＣＦ4／ＣＨＦ3／Ａr ／ＣＯ／ＣＨ2=ＣＨＢr ＝２０／１５／２８５／１５０／３０sccmを用いる。この場合、主たるエッチング種は、ＣＦ4、ＣＨＦ3から発生したＦおよびＣＦx ラジカルである。一般的に酸化膜エッチングの反応は、

Ｓi Ｏ2＋ＣＦ4 → Ｓi Ｆ4＋ＣＯ2

で表される。このように、Ｓi はフッ素と結合し、酸素はカーボンと結合することによってエッチング反応が進行する。本実施例の酸化膜エッチングガス雰囲気は、メインエッチングガスであるＣＦ4およびＣＨＦ3と、ＣＢrxを生成するための、アルケン類炭化水素の臭素化物であるＸとを含む。」

５ 引用文献５について

（１）原査定の拒絶の理由に引用された引用文献５（特開平０５－１５２２５５号公報）には、次の事項が記載されている

「【００１５】本願の第３の発明にかかるドライエッチング方法は、被エッチング基板の温度を室温以下に制御し、一般式ＣxＢｒyＦz（ただしｘ，ｙ，ｚは原子数を示す自然数であり、ｘ≧２，ｙ＋ｚ≦２ｘの条件を満足する。）で表されるブロモフルオロカーボン化合物を含むエッチング・ガスを用いて酸化シリコン系材料層をエッチングすることを特徴とする。」

「【００３１】実施例２

本実施例は、本願の第２の発明をコンタクト・ホール加工に適用し、ブロモペンタフルオロエタン（Ｃ2ＢｒＦ5）を用いてＳｉＯ2層間絶縁膜をエッチングした例である。本実施例で使用したウェハは、図２（ａ）に示したものと同じである。このウェハをマグネトロンＲＩＥ装置にセットし、一例として下記の条件でＳｉＯ 2 層間絶縁膜１３のエッチングを行った。」

「【００４４】さらに、被エッチング材料層は上述のＳｉＯ2に限られるものではなく、ＰＳＧ，ＢＳＧ，ＢＰＳＧ，ＡｓＳＧ，ＡｓＰＳＧ，ＡｓＢＳＧ，ＳｉＮ等であっても良い。」

６ 引用文献６について

（１）原査定の拒絶の理由に引用された引用文献６（特開２０１７－０５０５２９号公報）には、次の事項が記載されている

「【０００４】

そこで、非特許文献２に示されるように、ｐ－ＳｉとＳｉＯｘからなる積層膜に代えて、窒化シリコン（以下ＳｉＮと呼ぶ）とＳｉＯｘからなる積層膜を用いたＮＡＮＤフラッシュメモリも検討されている。その場合の作製方法の一例では、図１（ａ）のように、基板４の上にＳｉＮ層１とＳｉＯｘ層２からなる交互積層膜を予め作製し、図１（ｂ）のように、該層に対して垂直方向に貫通孔５をエッチング加工により作製する。その後、図示していないが、ＳｉＮ層を除去し、ゲートを形成する工程などを行う。」

「【００１２】

ところで、特許文献２の実施例からもわかるとおり、１，３，３，３－テトラフルオロプロペン、添加ガス、及び不活性ガスからなるエッチングガスでは、ＳｉＮのエッチング速度がＳｉＯｘのエッチング速度に対して１．２倍程度大きい。この特性は、前述のＣＦ系ガスのみを用いた場合に生じるＳｉＮ層でのエッチング速度の低下によるエッチング形状異常を防ぐ点では効果的であるが、アスペクト比２０を超えるような極めて大きなアスペクト比を持つ貫通孔を形成するための積層膜の深掘りエッチングに対しては、新たなエッチング形状異常の原因となりうる。というのも、本発明者らが十分なエッチング速度とイオンの直進性を得る為、相対的に大きな電力およびイオンエネルギーを与えて実施したところ、該エッチングガスの分解が過剰に進行したためか、ＳｉＮ層のエッチングがＳｉＯｘ層のエッチングに比べて過剰に大きくなり、その比は最大で２．０倍以上に達し、異方性エッチングに加えて、ＳｉＮ層の等方的なエッチングが進行してしまうことがわかった。

【００１３】

ＳｉＮを構成するＳｉ－Ｎ結合は、ＳｉＯｘを構成するＳｉ－Ｏ結合に比べて結合エネルギーが弱いことが知られている。そのため、ＳｉＯｘはバイアス電圧の印加によりイオンエネルギーが高まった状態でなければ、エッチングはほとんど進行しない。一方、ＳｉＮは、Ｈ原子とＦ原子を含むエッチングガスを用いてエッチングした場合、バイアス電圧の印加がなくとも比較的容易にエッチングが進行する。そのため、前述の高アスペクト比のエッチングを実施した際にＳｉＮが選択的に水平方向にも等方的にエッチングされてしまったものと考えられる。また、構造上、ＳｉＯｘ層上にＳｉＮ層が存在する場合があり、そのような場合には、該層に対して垂直方向へのＳｉＯｘエッチング速度よりも、むしろ該層に対して水平方向のＳｉＮエッチング速度が大きくなる。その結果、図２に示すように、ＳｉＮ層の水平方向のＳｉＮエッチングが過剰に発生する。

【００１４】

この水平方向のＳｉＮエッチングが過剰に発生するメカニズムは以下のように考察される。通常のエッチングプロセス中には、ホール内にＳｉＮを異方的にも等方的にもエッチングするポテンシャルを持った活性種が常に存在し、そこにバイアス電圧によって加速されたイオンが加わることにより等方的なエッチングに加えて異方的なエッチングが優勢になる。しかし、下層のＳｉＯｘ層が露出した場合には、該層に対して垂直方向にＳｉＮが存在していないため、前述のＳｉＮに対する活性種は、異方的なエッチングに寄与することができず、全て水平方向への等方的なエッチングに寄与することになると考えられる。

そのため、ＳｉＯｘ層を貫通して下層のＳｉＮ層が露出している場合に比べて、ＳｉＮ層の水平方向への等方的なエッチングが加速的に進行してしまったものと考えられる。

【００１５】

上記のＳｉＮ層の水平方向への過剰なエッチングが発生した場合、積層構造に予期せぬ空隙を形成することになり構造の崩壊につながる。そのため、ＳｉＮのエッチング速度に対するＳｉＯｘのエッチング速度比（ＳｉＮ／ＳｉＯｘ比）を低下させ、ＳｉＮ層の水平方向への過剰なエッチングを抑制する必要があった。具体的には、ＳｉＮのエッチング速度に対するＳｉＯｘのエッチング速度比（ＳｉＮ／ＳｉＯｘ比）を０．９０～１．５の間で任意に制御するドライエッチング方法が望まれていた。」

第５ 対比・判断

１ 本願発明１について

（１）対比

本願発明１と引用発明とを対比する。

ア 引用発明の「積層膜」の「ＳｉＯ2」と「ＳｉＮ」とは、それぞれ、ＳｉＯ2層とＳｉＮ層であるといえるから、引用発明の「ＳｉＯ2」、「ＳｉＮ」、「ＳｉＯ2とＳｉＮとの積層膜」は、それぞれ、本願発明１の「シリコン酸化物層」、「シリコン窒化物層」、「積層されたシリコン酸化物層とシリコン窒化物層とを有する積層膜」に相当し、引用発明の「ＳｉＯ2とＳｉＮとの積層膜を有する被処理体」は、本願発明１の「積層されたシリコン酸化物層とシリコン窒化物層とを有する積層膜を備える被処理体」に相当する。

イ 引用発明の「ハロゲン元素を含むガス」は、「ＣＢｒＦ3を好適に用いることができる」から、炭素、臭素、及びフッ素からなるハロゲン化炭素化合物であるといえる。

したがって、引用発明の「ハロゲン元素を含むガス」は、本願発明１の「炭素、臭素、及びフッ素からなるハロゲン化炭素化合物を含有するエッチングガス」に相当する。

ウ 引用発明は、「ハロゲン元素を含むガスのプラズマにより被処理体の酸化物部分又は窒化物部分をエッチングする」ものであり、「被処理体は、ＳｉＯ2とＳｉＮとの積層膜についても適用可能である」から、ＳｉＯ2とＳｉＮとの両方をエッチングするものである。

そうすると、上記ア及びイの検討を参酌すれば、引用発明の「ハロゲン元素を含むガスのプラズマにより被処理体の酸化物部分又は窒化物部分をエッチングする工程」は、本願発明１の「積層されたシリコン酸化物層とシリコン窒化物層とを有する積層膜を備える被処理体を、炭素、臭素、及びフッ素からなるハロゲン化炭素化合物を含有するエッチングガスにより処理して、前記シリコン酸化物層と前記シリコン窒化物層との両方をエッチングするエッチング工程」に相当する。

エ 引用発明においては、エッチングガスとして「ハロゲン元素を含むガス」の他に「前記プラズマの雰囲気に酸化数４未満の炭素（Ｃ）と酸素（Ｏ）とを含むガスを存在させ」るものであるところ、引用文献１には、エッチングガスとして、酸素ガスを含ませることは記載されていない。

したがって、引用発明と本願発明１とは、「前記エッチングガスが酸素ガスを含有せず」との点で一致する。

オ 引用発明の「ハロゲン元素を含むガスのプラズマによりＳｉＯ2とＳｉＮとの積層膜を有する被処理体をエッチングする工程」は、エッチングガスをプラズマ化して得られるプラズマガスを用いてエッチングしているといえるから、本願発明１の「前記エッチング工程においては、前記エッチングガスをプラズマ化して得られるプラズマガスを用いてエッチングする」に相当する。

カ 以上から、本願発明１と引用発明との間には、次の一致点、相違点があるといえる。

＜一致点＞

「積層されたシリコン酸化物層とシリコン窒化物層とを有する積層膜を備える被処理体を、炭素、臭素、及びフッ素からなるハロゲン化炭素化合物を含有するエッチングガスにより処理して、前記シリコン酸化物層と前記シリコン窒化物層との両方をエッチングするエッチング工程を備え、

前記エッチングガスが酸素ガスを含有せず、

前記エッチング工程においては、前記エッチングガスをプラズマ化して得られるプラズマガスを用いてエッチングするエッチング方法。」

＜相違点＞

（２）相違点についての判断

ア 相違点１について

（ア）引用文献１の【０００７】（上記第４ １（１））の記載によれば、引用発明が解決しようとする課題は、酸化膜や窒化膜を基板に対して高選択比でエッチングすることができ、異方性が良好である、酸化物部分および窒化物部分を含む被処理体のエッチング方法を提供することであり、上記「異方性が良好である」ということは、酸化膜（ＳｉＯ2）と窒化膜（ＳｉＮ）のエッチング速度を同等にしようとするものであるといえる。

（イ）引用文献２の上記第４ ２（１）イの実施例IIには、ＣＦ４と５体積％のＯ２を有し、ＣＦ３Ｂｒをこの混合ガスに加えたガス中で約６５Ｐａの圧力で形成したプラズマ組成によってＳｉ３Ｎ４とＳｉＯ２がエッチされること、及び、ＣＦ３Ｂｒの代わりにＣＦ２Ｂｒ２（ジブロモジフルオロメタン）をＣＦ４とＯ２との混合物に加えてもほぼ同等の結果が得られることが記載されている。

しかし、引用文献２の上記第４ ２（１）アには、既知の方法では、Ｓｉ３Ｎ４がＳｉＯ２よりもごく僅かしか速い速度でエッチ（腐蝕）され、除去されないことが欠点であり、本発明はこのような欠点を解決することをその目的とすること、この目的を達成するため弗素以外のハロゲンを含むガス化合物の１ないし１５体積％を混合ガスに加えること、及び、弗素以外のハロゲンを含有する少量の化合物を加えることによりＳｉ３Ｎ４はＳｉＯ２よりも少なくとも５倍の速さでエッチ（腐蝕）され除去されることが記載されている。

そうすると、引用文献２に記載された発明は、Ｓｉ３Ｎ４をＳｉＯ２よりも速い速度でエッチングするものであり、引用発明のように、ＳｉＯ2とＳｉＮのエッチング速度を同等にしようとするものではない。

（ウ）引用文献３の上記第４ ３（１）イには、ＣＦ４、Ｃ２Ｆ６ガスとＢｒ２、Ｉ２ガスの混合ガスと同様な効果を示すことが期待されるガスとして、ＣＢｒＦ３、ＣＢｒ２Ｆ２（ジブロモジフルオロメタン）が挙げられることが記載されている。

しかし、引用文献３の上記第４ ３（１）ウには、エッチング・テーブル材として石英ガラスを使用し、ＣＢｒＦ３の流量１５ｃｃ／ｍｉｎ、高周波電力５０ＷでＳｉ３Ｎ４及びＳｉＯ２についてエッチングし、又は、ガス圧を０．０３Ｔｏｒｒに固定し２００ｍｍφの電極を使用し、同じＣＢｒＦ３流量で、同じ物質についてエッチングすると、Ｓｉ３Ｎ４：ＳｉＯ２＝４：１以上のエッチ速度比が得られたことが記載されている。

そうすると、引用文献３に記載された発明も、Ｓｉ３Ｎ４をＳｉＯ２よりも速い速度でエッチングするものであり、引用発明のように、ＳｉＯ2とＳｉＮのエッチング速度を同等にしようとするものではない。

（エ）引用文献４（上記第４ ４（１））の【００２７】には、炭化水素の臭素化物の誘導体として、ジブロモジフルオロメタン（ＣＢr2Ｆ2 ) も下地や被エッチング物質に適する範囲で使用可能であること、【００４０】には、シリコン酸化膜エッチングに対して適用できることが記載されている。

しかし、引用文献４には、ジブロモジフルオロメタン（ＣＢr2Ｆ2 )をＳｉＯ2とＳｉＮとの積層膜のエッチングに適用できることは記載されていない。

（オ）上記（イ）及び（ウ）によれば、引用文献２、３には、エッチングガスとしてＣＢｒＦ３とＣＢｒ２Ｆ２（ジブロモジフルオロメタン）とは同様の効果が得られることは記載されているものの、引用文献２、３に記載された発明は、いずれも、Ｓｉ３Ｎ４をＳｉＯ２よりも速い速度でエッチングするものであり、引用発明のように、ＳｉＯ2とＳｉＮのエッチング速度を同等にしようとするものではない。

また、上記（エ）によれば、引用文献４には、ジブロモジフルオロメタン（ＣＢr2Ｆ2 )をシリコン酸化膜のエッチングに適用できることは記載されているものの、ＳｉＯ2とＳｉＮとの積層膜のエッチングに適用できることは記載されていない。

したがって、引用発明に引用文献２～４に記載された発明を適用する動機付けがあるとはいえない。

（カ）また、引用文献５、６には、相違点１に係る本願発明１の構成については、何ら記載も示唆もされていない。

（キ）以上のとおりであるから、引用発明に引用発明２～引用文献６に記載された発明を適用し、相違点１に係る本願発明１の構成とすることは、当業者が容易に想到し得たものとはいえない。

イ 小括

よって、相違点２について判断するまでもなく、本願発明１は、引用文献１及び引用文献２～６に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものではない。

２ 本願発明２、３について

本願発明２、３は、本願発明１を減縮した発明であり、いずれも上記相違点１に係る本願発明１の構成を有しているから、本願発明１と同様の理由により、本願発明２、３は、引用文献１及び引用文献２～６に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明できたものではない。

第６ 原査定について

審判請求時の補正により、本願発明１～３は、いずれも上記相違点１に係る本願発明１の構成を有するものとなっており、上記第５で検討したとおり、本願発明１～３は、引用文献１及び引用文献２～６に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明できたものではないから、原査定の理由を維持することはできない。

第７ むすび

以上のとおり、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。

また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。

よって、結論のとおり審決する。