2021-007363

第２　原査定の概要

原査定（令和３年３月１５日付け拒絶査定）の概要は，本願の請求項１～８，１０～１９に係る発明は，本願の優先権主張日前に日本国内又は外国において，頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった以下の引用例１に記載された発明及び引用例１～２に記載された技術的事項に基づいて，その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下，「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない，というものである。

引用例一覧

１．国際公開第２０１５／０２５５００号

２．特開２０１５－１０９３１５号公報

第３　本願発明

本願の請求項１～１７に係る発明（以下，それぞれ「本願発明１」～「本願発明１７」という。）は，令和３年６月７日提出の手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１～１７に記載された事項により特定される発明であり，そのうちの本願発明１は以下のとおりの発明である。

「【請求項１】

基板と，接触抵抗低減層と，還元抑制層と，ショットキー電極層と，金属酸化物半導体層とをこの順に有し，

前記ショットキー電極層が，Ｐｄ，Ｍｏ，Ｐｔ，Ｉｒ，Ｒｕ，Ｎｉ，Ｗ，Ｃｒ，Ｒｅ，Ｔｅ，Ｔｃ，Ｍｎ，Ｏｓ，Ｆｅ，Ｒｈ及びＣｏから選択される１以上の金属の酸化物を含み，

前記ショットキー電極層の厚さが，２０ｎｍ以上である積層体。」

本願発明２～１７は，本願発明１を減縮した発明である。

第４　引用例の記載と引用発明

１．引用例１について

（１）引用例１の記載

原査定の拒絶の理由に引用された引用例１（国際公開第２０１５／０２５５００号）には，次の記載がある。（下線は当審により付加した。以下同じ。）

「[０００１] 　本発明は，整流特性を有する酸化物半導体基板及びショットキーバリアダイオード素子に関する。」

「[００３０] 　本発明のショットキーバリアダイオード素子を構成する酸化物半導体層，ショットキー電極層，オーミック電極層等は，例えば，実施例に記載するように，安価で量産性に優れた方法である従来公知のスパッタ成膜法等により形成することができる。

また，ショットキー電極を形成する電極層と酸化物半導体層の界面は，ショットキー電極スパッタ工程で酸素を導入して反応性スパッタを行い，１０ｎｍ以下の薄い酸化膜を積層してもよい。」

「[００７２] 実施例７

抵抗率０．０２Ω・ｃｍのｎ型Ｓｉ基板（４インチφ）を用意した。このＳｉウェハーをスパッタリング装置（島津製作所製：ＨＳＭ５５２）に装着し，円形状のエリアマスクを用いて，Ｔｉを１５ｎｍ，Ｐｄを５０ｎｍの順にスパッタ成膜した。エリアマスクを交換後，Ｇａ２Ｏ３：ＳｎＯ２＝９９．９：０．１ｗｔ％の焼結体ターゲットを用い，ＲＦ１００Ｗ，Ａｒ１００％の条件で，Ｇａ２Ｏ３：ＳｎＯ２を２００ｎｍの膜厚でスパッタ成膜した。次にこの構造体をホットプレートに載せて，空気中，３００℃，１時間の条件でアニール処理した。」

（２）引用発明１

上記（１）によれば，引用例１には次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されているものと認められる。

「ｎ型Ｓｉ基板上に，Ｔｉ，Ｐｄ，Ｇａ２Ｏ３：ＳｎＯ２酸化物半導体層を順に積層し，かつ，ＰｄとＧａ２Ｏ３：ＳｎＯ２酸化物半導体層の界面に膜厚１０ｎｍ以下の酸化Ｐｄが積層された構造を有するショットキーダイオード素子。」

２．引用例２の記載

原査定の拒絶の理由に引用された引用例２（特開２０１５－１０９３１５号公報）には，次の記載がある。

「【０００１】

本発明は，薄膜トランジスタ，その製造方法，酸化物半導体層，表示装置及び半導体装置に関する。特に，自己整合型トップゲート構造であり，チャネルとして酸化物半導体層を有した薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）などに関する。」

「【００４７】

（酸化物半導体層）

酸化物半導体層３０は，絶縁性の基板２１上に形成されており，ソース領域２２，チャネル領域２３及びドレイン領域２４を有している。

この酸化物半導体層３０は，Ｉｎ，Ｇａ，Ｚｎ及びＳｎの少なくとも一つの元素を含んでいる。」

「【００６８】

さらに，薄膜トランジスタ１は，酸化物半導体層３０が１０ｎｍを超える膜厚を有し，フロントチャネル領域２３１の平均水素原子濃度ＨρＦＣが，１０１７ｃｍ-３以上１０２２ｃｍ-３以下であるとよい。

水素は，酸化物半導体層３０中で電子の散乱源になることは無く，ドナーとして働くことから，移動度を低下させることなくキャリア濃度を高めることができる。したがって，フロントチャネル領域２３１の広がり抵抗の平均値ＳＲＦＣが上昇し，ＴＦＴとして駆動した際に高移動度が実現する。

また，キャリア濃度が上昇することから酸化物半導体層３０中に存在するトラップ準位が満たされ，ゲートバイアスに対する経時劣化である信頼性劣化が改善される。

なお，フロントチャネル領域２３１の平均水素原子濃度ＨρＦＣが，１０１７ｃｍ-３未満とすると，キャリア濃度が低くＴＦＴが駆動しないおそれがある。また，キャリア濃度の上限値は高ければ高いほど良いが，酸化物半導体層３０中に存在できるキャリア濃度の上限は１０２２ｃｍ-３である。

また，酸化物半導体層３０中の平均水素原子濃度は，二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ）によって確認できる。」

第５　対比・判断

１．本願発明１について

（１）本願発明１と引用発明１の対比

本願発明１と引用発明１を対比する。

ア　引用発明１における「ｎ型Ｓｉ基板」「Ｇａ２Ｏ３：ＳｎＯ２酸化物半導体層」及び「ショットキーダイオード素子」は，本願発明１における「基板」，「金属酸化物半導体層」及び「積層体」にそれぞれ相当する。

イ　引用発明１の「酸化Ｐｄ」は，「ＰｄとＧａ２Ｏ３：ＳｎＯ２酸化物半導体層の界面」に積層されているから，「Ｇａ２Ｏ３：ＳｎＯ２酸化物半導体層」に接合されたＰｄの酸化物であり，本願発明１における「ショットキー電極層」に相当する。そして，本願発明１と引用発明１は，ともに「前記ショットキー電極層が，Ｐｄ，Ｍｏ，Ｐｔ，Ｉｒ，Ｒｕ，Ｎｉ，Ｗ，Ｃｒ，Ｒｅ，Ｔｅ，Ｔｃ，Ｍｎ，Ｏｓ，Ｆｅ，Ｒｈ及びＣｏから選択される１以上の金属の酸化物を含み」との点で一致する。

ウ　引用例１の段落００７２の記載から，引用発明１における「Ｔｉ」は「ｎ型Ｓｉ基板」上に直接スパッタ成膜され，その上にＰｄがスパッタ成膜された層であるといえる。一方，本願明細書の段落００５５には，「接触抵抗低減層は，下地となる基板とショットキー電極金属の相互作用を防止する役割を担う。また，ショットキー電極の下地基板への密着性を改善し，ショットキー電極の表面平滑性を向上させる役割を担う。」と記載され，段落００５７には，「接触抵抗低減層としては，Ｔｉ，Ｍｏ，Ａｇ，Ｉｎ，Ａｌ，Ｗ，Ｃｏ及びＮｉから選択される１以上の金属，その合金又はそのシリサイドを用いることができる。」と記載されている。そうすると，引用発明１における「Ｔｉ」は，本願発明１における「接触抵抗低減層」に相当する。

エ　引用発明１において，「ＰｄとＧａ２Ｏ３：ＳｎＯ２酸化物半導体層の界面」に「酸化Ｐｄ」が積層されていることから，引用発明１の「Ｐｄ」が「酸化Ｐｄ」と接する層であることは明らかである。ここで，上記イのとおり，引用発明１の「酸化Ｐｄ」は本願発明１の「ショットキー電極層」に相当する。

一方，本願明細書の段落００５９には，「還元抑制層は，ショットキー電極層の還元を防止する層」であると記載され，段落００６１には，還元抑制層として，「ショットキー電極層を構成する金属酸化物の金属を用いると好ましい。」と記載され，同段落には「還元抑制層とショットキー電極層の組み合わせ（還元抑制層／ショットキー電極層）としては，例えば，Ｐｄ／酸化パラジウム，Ｐｔ／酸化白金，Ｉｒ／酸化イリジウム，Ｒｕ／酸化ルテニウム等が挙げられる。」と記載されている。また，段落００８４には，実施例２の構成として「接触抵抗低減層の成膜に続き，還元抑制層としてＰｄを２０ｎｍ成膜した他は実施例１と同様にして素子を作製した。・・・得られた素子（Ｓｉ／Ｔｉ／Ｐｄ／酸化パラジウム／ＩＧＺＯ／Ｍｏ）について，実施例１と同様に評価した。」（段落００８４）と記載されている。

そうすると，引用発明１における「Ｐｄ」は，本願明細書の「還元抑制層」に関する記載において説明されたのと同一の積層位置にある同一の材料層，すなわち「Ｐｄ／酸化パラジウム」を構成する「Ｐｄ」層であり，当然に還元を防止する作用を有するものといえる。したがって，引用発明１における「Ｐｄ」は，本願発明１における「還元抑制層」に相当する。

オ　上記ア～エから，本願発明１と引用発明１は，ともに「基板と，接触抵抗低減層と，還元抑制層と，ショットキー電極層と，金属酸化物半導体層とをこの順に有し」ている点で一致する。

以上によれば，本願発明１と引用発明１の一致点及び相違点は以下のとおりである。

＜一致点＞

「基板と，接触抵抗低減層と，還元抑制層と，ショットキー電極層と，金属酸化物半導体層とをこの順に有し，

前記ショットキー電極層が，Ｐｄ，Ｍｏ，Ｐｔ，Ｉｒ，Ｒｕ，Ｎｉ，Ｗ，Ｃｒ，Ｒｅ，Ｔｅ，Ｔｃ，Ｍｎ，Ｏｓ，Ｆｅ，Ｒｈ及びＣｏから選択される１以上の金属の酸化物を含む，積層体。」

＜相違点＞

本願発明１は「前記ショットキー電極層の厚さが，２０ｎｍ以上である」のに対し，引用発明１では，「酸化Ｐｄ層」が「膜厚１０ｎｍ以下」である点。

（２）相違点についての判断

引用例１には，反応性スパッタにより酸化膜を１０ｎｍよりも厚く形成することについて記載も示唆もされていない。

引用例２には，ＴＦＴに用いられる「Ｉｎ，Ｇａ，Ｚｎ及びＳｎの少なくとも一つの元素を含んでいる」酸化物半導体層について，「１０ｎｍを超える膜厚を有し，フロントチャネル領域２３１の平均水素原子濃度ＨρＦＣが，１０１７ｃｍ-３以上１０２２ｃｍ-３以下であるとよい。」との記載はあるものの，金属酸化物で構成されたショットキー電極層の厚さを２０ｎｍ以上とすることについては，記載も示唆もされていない。

したがって，上記相違点に係る本願発明１を想到することは，引用発明１及び引用例１～２に記載された技術的事項に基づいて当業者が容易になし得たことではない。

２．本願発明２～１７について

本願発明２～１７は本願発明１と同じ技術的事項を備える発明であるから，本願発明１と同じ理由により，当業者であっても，引用発明１及び引用例１～２に記載された技術的事項に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。

第６　原査定について

審判請求時の補正により，本願発明１～１７は「前記ショットキー電極層の厚さが，２０ｎｍ以上である」という事項を有するものとなっており，当業者であっても，拒絶査定において引用された引用例１～２に基づいて，容易に発明できたものとはいえない。

したがって，原査定を維持することはできない。

第７　結言

以上のとおり，原査定の理由によっては，本願を拒絶することはできない。

また，他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。

よって，結論のとおり審決する。