2021-002573

第２ 原査定の概要

原査定の概要は次のとおりである。

理由１ 本願請求項１，２に係る発明は，以下の引用文献Ａに記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明であるから，特許法第２９条第１項第３号に該当し，特許を受けることができない。

理由２ 本願請求項１－９に係る発明は，以下の引用文献Ａ－Ｄに記載された発明に基いて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下，「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。

引用文献Ａ 特開２００５－０７２０９７号公報

引用文献Ｂ 特開２０１２－２０８２５７号公報（引用文献３）

引用文献Ｃ 特開２０１４－０３３０５２号公報（引用文献２）

引用文献Ｄ 特開２０１５－０２９０５４号公報（引用文献５）

第３ 当審拒絶理由の概要

当審拒絶理由の概要は次のとおりである。

理由１ 本願請求項１－７に係る発明は，以下の引用文献１－５に記載された発明に基いて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。

理由２ この出願は，特許請求の範囲の請求項２の記載が，特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。

引用文献１ 特開２０１３－０３３８６４号公報

引用文献２ 特開２０１４－０３３０５２号公報

引用文献３ 特開２０１２－２０８２５７号公報

引用文献４ 特開２００７－２４０８５４号公報

引用文献５ 特開２０１５－０２９０５４号公報

第４ 本願発明

本願請求項１－６に係る発明（以下，それぞれ「本願発明１」－「本願発明６」という。）は，令和 ３年 ９月 ７日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１－６に記載された事項により特定される発明であり，本願発明１は，以下のとおりの発明である。

「 【請求項１】

光入射面である第１面と前記第1面と反対側の第２面とを有する基板と，

前記基板に設けられた，入射光を光電変換する光電変換領域と，

前記基板の前記第１面側で，断面視において前記基板の一部の領域と第１の絶縁膜とが交互に設けられた第１層と，

続きを表示（全15行）

前記第１層の前記光入射面側と接するように設けられた第２層と，

前記光電変換領域を覆い，かつ，前記第２層の前記光入射面の上方に設けられた第３層と，

前記光電変換領域と前記光電変換領域に隣接する他の光電変換領域との間に設けられたトレンチとを有し，

前記第２層は，前記第１の絶縁膜のみを有し，

前記第３層は，第２の絶縁膜を有し，

前記基板の屈折率は，前記第１の絶縁膜の屈折率よりも大きく，

前記第１の絶縁膜の屈折率は，前記第２の絶縁膜の屈折率よりも大きく，

前記第１の絶縁膜は固定電荷を有する膜であり，

前記トレンチは，前記半導体基板に設けられた複数の各画素を取り囲むように設けられ，

前記基板の一部の領域の断面視における幅は，前記第１面から前記第２面に向かうにつれて段階的に，または徐々に大きくなる

固体撮像装置。」

なお，本願発明２－６は，本願発明１の全ての構成を含む発明である。

第５ 引用文献，引用発明等

１ 引用文献１について

（１）前置報告書において引用され，当審拒絶理由に引用された引用文献１（特開２０１３－０３３８６４号公報）には，図面とともに次の事項が記載されている。（当審注：下線は，参考のために当審で付与したものである。以下同様である。）

「【発明を実施するための形態】

【００４０】

本技術は，固体撮像素子において，単結晶からなる半導体基板による界面では屈折率差が比較的大きく，光が反射することにより発生する光の損失が大きいことに着目し，半導体基板の表面に，半導体基板の結晶の面方位に沿うエッチング特性を利用し，画素毎に大きさの異なる微細な突起群からなる凹凸構造を形成するものである。以下，本技術の実施の形態を説明する。

【００４１】

続きを表示（全30行）

［固体撮像素子の構成］

本技術の第１実施形態に係る固体撮像素子１の構成について，図１を用いて説明する。本実施形態に係る固体撮像素子１は，ＣＭＯＳ（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）型の固体撮像素子である。固体撮像素子１は，単結晶シリコンからなる半導体基板２を有する。固体撮像素子１は，半導体基板２の平面視において，画素領域３と，画素領域３の周囲に設けられる周辺回路領域とを有する。

【００４２】

画素領域３は，半導体基板２に設けられる撮像領域であり，所定の配列で設けられる複数の画素５を有する。画素５は，半導体基板２に形成される。本実施形態では，複数の画素５の配列として，複数の画素５が画素領域３において平面的に行列状に配置される，一般的な正方格子配列が採用される。この場合，複数の画素５は，例えば矩形状の画素領域３に沿って，縦方向（垂直方向）・横方向（水平方向）に２次元行列状に配置される。

【００４３】

画素領域３は，各画素５における光電変換により信号電荷の生成，増幅，および読み出しを行う有効画素領域と，黒レベルの基準となる光学的黒を出力する光学的黒レベル領域とを有する。通常，光学的黒レベル領域は，有効画素領域の外周に形成される。

【００４４】

画素５は，光電変換機能を有する受光部としてのフォトダイオード６と，複数のＭＯＳトランジスタ７とを有する。フォトダイオード６は，受光面を有し，その受光面に入射した光の光量（強度）に応じた量の信号電荷を生成する。フォトダイオード６は，半導体基板２の厚さ方向の全域にわたるように形成される。

【００４５】

本実施形態では，フォトダイオード６は，第１導電型としてのｎ型半導体領域８と，半導体基板２の表裏両面に臨むように形成される第２導電型としてのｐ型半導体領域９とを有し，ｐｎ接合型のフォトダイオードとして構成される。フォトダイオード６が有するｐ型半導体領域９は，暗電流抑制のための正孔電荷蓄積領域を兼ねる。画素５は，複数のＭＯＳトランジスタ７として，例えばフォトダイオード６により生成された信号電荷の増幅，転送，選択，およびリセットをそれぞれ受け持つトランジスタを有する。

【００４６】

ＭＯＳトランジスタ７は，図示せぬソース・ドレイン領域と，ゲート電極１０とを有する。ＭＯＳトランジスタ７のソース・ドレイン領域は，半導体基板２の一方の板面側である表面２ａ側に形成されたｐ型半導体ウェル領域１１においてｎ型の領域として形成される。ゲート電極１０は，ＭＯＳトランジスタ７のソース・ドレイン領域の両領域間における半導体基板２の表面２ａ上にゲート絶縁膜を介して形成される。このようにフォトダイオード６およびＭＯＳトランジスタ７からなる各画素５は，素子分離領域１２により分離される。素子分離領域１２は，ｐ型半導体領域として形成され，接地される。

【００４７】

以上のように，本実施形態の固体撮像素子１においては，半導体基板２は，単結晶シリコンからなり，光電変換機能を有する受光部としてのフォトダイオード６を含む画素５が複数配列される画素領域３を有する。なお，半導体基板２の材料としては，単結晶シリコンに限定されず，固体撮像素子を構成する半導体基板の材料として適用可能な単結晶の半導体材料であればよい。

【００４８】

また，固体撮像素子１において，上記のとおり画素領域３の周囲に設けられる周辺回路領域には，固体撮像素子１を動作させるための種々の回路が配置される。周辺回路領域に配置される回路には，垂直方向および水平方向の各方向で画素を選択するための垂直走査回路および水平走査回路，各画素５からの出力信号の処理を行う信号処理回路，信号処理回路から順次供給される信号に対して所定の信号処理を行って出力する出力回路，これらの回路の動作の基準となるクロック信号や制御信号を生成し，各回路を制御する制御回路等含まれる。

【００４９】

本実施形態の固体撮像素子１は，いわゆる裏面照射型のＣＭＯＳ固体撮像素子である。このため，半導体基板２の表面２ａ上には，積層配線層１３が設けられる。積層配線層１３は，層間絶縁膜１４を介して積層される複数の配線１５を有する。層間絶縁膜１４は，例えば，二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）により形成されるシリコン酸化膜により構成される。複数の配線１５は，例えば異なる金属により形成され，層間に形成されるプラグ等を介して互いに接続される。なお，本実施形態において半導体基板２の一方の板面側に設けられる配線層は，複数の配線を有する積層配線層１３であるが，これに限定されず，単層構造の配線層であってもよい。

【００５０】

一方，半導体基板２の他方の板面である裏面２ｂ上には，反射防止膜２０が設けられている。反射防止膜２０は，シリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）等の無機膜として形成される。反射防止膜２０上には，保護用のパシベーション膜１６が設けられている。パシベーション膜１６は，平坦化された膜であり，光透過性を有する。パシベーション膜１６は，例えばシリコン酸化膜（ＳｉＯ２膜）等の無機膜として形成される。なお，半導体基板２とパシベーション膜１６との間には，反射防止膜として機能する絶縁膜等が適宜設けられる。

【００５１】

パシベーション膜１６上には，カラーフィルタ層１７が設けられる。カラーフィルタ層１７は，画素領域３に配列される各画素５に対応して設けられるカラーフィルタ１８に区分される。つまり，カラーフィルタ層１７は，各画素５を構成するフォトダイオード６毎に複数のカラーフィルタ１８に区分される。本実施形態の固体撮像素子１では，各カラーフィルタ１８は，赤色（Ｒ），緑色（Ｇ），および青色（Ｂ）のいずれかの色のフィルタ部分であり，各色の成分の光を透過させる。各色のカラーフィルタ１８は，いわゆるオンチップカラーフィルタであり，複数の画素５の配列に従って形成される。このように，本実施形態の固体撮像素子１は，半導体基板２のフォトダイオード６により受光される光が入射する側，つまり表面側にて画素５毎に設けられるカラーフィルタ１８を備える。

【００５２】

カラーフィルタ層１７上には，複数のマイクロレンズ１９が設けられる。マイクロレンズ１９は，いわゆるオンチップマイクロレンズであり，画素５を構成するフォトダイオード６に対応して，画素５毎に形成される。したがって，複数のマイクロレンズ１９は，画素５と同様に例えば平面的に行列状に配置される。マイクロレンズ１９は，外部からの入射光を，対応する画素５のフォトダイオード６に集光する。マイクロレンズ１９は，例えば，ＳｉＮ（窒化シリコン）等の無機材料により構成される。

【００５３】

以上のように，本実施形態の固体撮像素子１は，半導体基板２に対して，積層配線層１３が設けられる表面２ａ側と反対側である裏面２ｂ側に，カラーフィルタ層１７およびマイクロレンズ１９が設けられる裏面照射型の構造を有する。つまり，固体撮像素子１においては，積層配線層１３とカラーフィルタ層１７とは，半導体基板２に対して互いに異なる板面側に設けられており，半導体基板２に対して光が入射する裏面２ｂ側と反対側の表面２ａ側に，積層配線層１３が設けられる。」

「【００５６】

［反射防止構造］

以上のような構成を備える本実施形態の固体撮像素子１は，入射光の反射を防止するための反射防止構造として，半導体基板２における光が入射する側の表面（板面）に，微細な突起による反射防止構造，いわゆるモスアイ構造を有する。固体撮像素子１においては，単結晶シリコンからなる半導体基板２による界面では，他の積層構造における界面よりも屈折率差が比較的大きく，光が反射することにより発生する光の損失が大きい。そこで，本実施形態の固体撮像素子１においては，半導体基板２の光が入射する側の表面に，微細な突起群からなる反射防止構造が設けられている。

【００５７】

続きを表示（全11行）

図１および図２に示すように，本実施形態の固体撮像素子１においては，半導体基板２は，光が入射する側の表面である裏面２ｂに，画素５毎に所定のピッチで配列される微細な角錐状の突起３１による凹凸構造３０を有する。図２に示すように，本実施形態では，凹凸構造３０を構成する突起３１は，四角錐形状を有する。つまり，凹凸構造３０を構成する突起３１は，順ピラミッド型，つまり光が入射する側（図１において上側）に凸のピラミッド型の形状を有する。

【００５８】

図２は，半導体基板２の裏面２ｂの一部を表す半導体基板２の一部拡大平面図である。凹凸構造３０は，半導体基板２の裏面２ｂに設けられることから，図２は，凹凸構造３０の平面視を表す。図２には，行列状に配置される複数の画素５の配列における２行２列の４個の画素５の境界部分が示されている。

【００５９】

図２に示すように，四角錐形状の突起３１は，平面視形状（四角錐形状における底面の形状に相当する形状）が正方形ないし矩形状となり，その平面視形状が行列状に配置される複数の画素５の配列に沿うように配列された状態で設けられる。つまり，凹凸構造３０を構成する突起３１は，その平面視形状の外形をなす辺が，２次元行列状に配置される複数の画素５の配列における縦方向（垂直方向）・横方向（水平方向）に沿うように設けられる。

【００６０】

突起３１群により構成される凹凸構造３０は，画素領域３に配列される画素５毎に設けられる。図２に示すように，凹凸構造３０を構成する複数の突起３１は，画素領域３に配列される各画素５において矩形状に区画される凹凸領域３２に設けられる。各画素５における凹凸領域３２は，平面視で対応する画素５のフォトダイオード６が存在する範囲を含む領域である。突起３１群は，各画素５の凹凸領域３２において，縦方向および横方向に隣接した状態で隙間なく画素５の配列に沿って行列状に配置される。」

「【００７６】

［画素間分離構造］

次に，本実施形態の固体撮像素子１が有する画素間分離構造について説明する。本実施形態の固体撮像素子１は，半導体基板２の光が入射する側の表面（裏面２ｂ）に，画素間分離構造として機能する形状部分を有する。

【００７７】

続きを表示（全17行）

具体的には，図１から図４に示すように，本実施形態の固体撮像素子１においては，半導体基板２は，互いに隣り合う画素５間に，凹凸構造３０の突起３１を形成する面と平行な面からなる直線状の溝部４０を有する。この半導体基板２において画素５間に設けられる溝部４０が，画素間分離構造として機能する。

【００７８】

溝部４０は，半導体基板２の裏面２ｂ部分において，行列状に配置される画素５間の境界に沿って格子状に設けられる。溝部４０は，画素５間の境界に沿う格子状の形状において，縦方向の溝部４０と横方向の溝部４０との交点部分以外の主な部分は，断面視でＶ字状となるＶ字溝として形成される（図３，図４参照）。溝部４０は，半導体基板２の板面に沿う方向に対して傾斜する一対の斜面４１により形成され，縦方向および横方向の各方向については断面形状を共通にする。

【００７９】

溝部４０を形成する斜面４１は，凹凸構造３０の突起３１を形成する面に対して平行な面として形成される。具体的には，図３を用いて説明すると，溝部４０を形成する一対の斜面４１のうち一方の（図３において左側の）斜面４１ａは，凹凸構造３０を構成する突起３１において四角錐形状を形成する右側の三角形状の斜面３１ａと平行な面として形成される。同様にして，溝部４０を形成する斜面のうち他方の（図３において右側の）斜面４１ｂは，凹凸構造３０を構成する突起３１において四角錐形状を形成する右側の三角形状の斜面３１ｂと平行な面として形成される。これら溝部４０を形成する斜面４１（４１ａ，４１ｂ），および突起３１を形成する斜面３１ａ，３１ｂは，単結晶シリコンからなる半導体基板２の面方位に従って得られる面である。

【００８０】

また，溝部４０の幅の寸法（図２，符号ｗ１参照）は，基本的にはどの色の画素５における凹凸構造３０を構成する突起３１群の配列におけるピッチよりも大きい。ただし，溝部４０の幅の寸法と凹凸構造３０の突起３１群の配列におけるピッチとの大小関係は，本実施形態に限定されるものではない。また，本実施形態では，縦方向（垂直方向）および横方向（水平方向）の各方向に配される溝部４０の幅の寸法は互いに等しいとする。

【００８１】

以上のような画素間分離構造を有する本実施形態の固体撮像素子１によれば，画素５間の境界に沿って設けられる溝部４０が，互いに隣り合う画素５間における掘り込み部分となり，ある画素５についてその画素５に隣接する画素５からの斜め光の入射を阻止することができ，混色を抑制することができる。

【００８２】

ここで，混色とは，互いに異なる色の画素５が隣接する画素５間の境界部分において，一方の色の画素５に対応するカラーフィルタ１８に入射した光の一部が，斜め光として他方の色の画素５のフォトダイオード６に入射する現象である。混色は，固体撮像素子１における感度や画質のムラを生じさせる原因ともなる。こうした混色による問題は，固体撮像素子１における微細化や画素数の増大等にともなって顕著となる。

【００８３】

そこで，本実施形態の固体撮像素子１によれば，画素５間に設けられる溝部４０により，隣接する画素５からの斜め光を阻止することができ，混色を抑制することができる。このように混色を抑制する観点からは，溝部４０の深さ，つまり互いに隣接する画素５間の半導体基板２の掘り込みの深さは深い方が好ましい。すなわち，溝部４０の深さが深いほど，高い混色防止効果が得られる。一方，溝部４０の深さが深くなると，半導体基板２の面方位の関係から，光電変換を行うシリコン層，つまりフォトダイオード６としての層部分の領域を確保することが困難となる。このため，溝部４０の深さ，つまり隣接画素間の半導体基板２の掘り込み量は，固体撮像素子１において要求される感度と，混色防止効果を得るための色分離性能とに基づいて，適切な量に決定される。」

「【０１４８】

［第２実施形態］

本技術の第２実施形態について説明する。なお，変形例の適用を含めて第１実施形態と共通する部分については，同一の符号を用いる等して適宜説明を省略する。本実施形態に係る固体撮像素子は，半導体基板２の裏面２ｂ側に設けられる凹凸構造３０が二層構造となっている点で，第１実施形態の固体撮像素子１と異なる。つまり，第１実施形態の固体撮像素子１が備えるモスアイ構造としての凹凸構造３０が単層構造であるのに対し，本実施形態の固体撮像素子は，モスアイ構造が多層化（二層化）されている

【０１４９】

続きを表示（全15行）

図１２に示すように，本実施形態の固体撮像素子１Ａにおいては，半導体基板２の裏面２ｂ上に設けられる反射防止膜２０が省略されており，半導体基板２の裏面２ｂ上にはパシベーション膜１６が設けられている。そして，本実施形態の固体撮像素子１Ａは，半導体基板２と，半導体基板２において凹凸構造３０が形成される裏面２ｂに設けられるパシベーション膜１６との間に，中間膜５０を備える。中間膜５０は，半導体基板２に形成される凹凸構造３０が二層構造となるように，均一な膜厚で成膜される。したがって，中間膜５０は，上述したように半導体基板２の裏面２ｂ側を被覆するように，析出面２ｘからなる凹凸形状に倣って均一的に形成される。

【０１５０】

本実施形態では，図１２に示すように，中間膜５０は，凹凸構造３０と溝部４０とを含む半導体基板２の裏面２ｂ側に全体的に形成されている。ただし，中間膜５０は，半導体基板２の裏面２ｂ側において少なくとも凹凸構造３０が形成される部分に設けられればよい。つまり，中間膜５０は，半導体基板２の裏面２ｂ側に対して，少なくとも凹凸構造３０を覆い，凹凸構造３０を二層構造とするように形成されればよい。

【０１５１】

中間膜５０は，半導体基板２とパシベーション膜１６との中間屈折率材料からなる。中間膜５０は，半導体基板２の屈折率よりも低く，かつパシベーション膜１６の屈折率よりも高い屈折率の膜である。本実施形態の場合，半導体基板２を構成する単結晶シリコンの屈折率は４程度であり，パシベーション膜１６の材料として例示されるシリコン酸化膜（ＳｉＯ２膜）の屈折率は１．５程度であることから，中間膜５０は，これらの屈折率の間の値をとる屈折率の材料により成膜される。

【０１５２】

中間膜５０の材料としては，例えば，酸化ハフニウム（ＨｆＯ２），酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３），酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５），酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２），酸化チタン（ＴｉＯ２）等が挙げられる。また，中間膜５０は，例えば，シリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）やシリコン酸窒化膜（ＳｉＯＮ膜）やシリコン炭窒化膜（ＳｉＣＮ膜）や炭素含有シリコン酸化膜（ＳｉＯＣ膜）やシリコン炭化膜（ＳｉＣ膜）等であってもよい。ただし，中間膜５０としては，ここに例示したものに限られず，上述したような中間屈折率材料からなる膜であれば，適宜周知の膜種を採用することができる。また，中間膜５０は，例えば，ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法，スパッタリング法，原子層蒸着法等により成膜される。

【０１５３】

このように，本実施形態の固体撮像素子１Ａにおいては，半導体基板２とパシベーション膜１６との間に，中間屈折率材料からなる中間膜５０が設けられ，凹凸構造３０が二層構造とされている。なお，本実施形態では，半導体基板２に対して凹凸構造３０が設けられる裏面２ｂ側にパシベーション膜１６が設けられることから中間膜５０は半導体基板２とパシベーション膜１６との間に設けられているが，半導体基板２の裏面２ｂ側に設けられる層構造によって，半導体基板２との間に中間膜５０を介装させる層は異なる。

【０１５４】

すなわち，中間膜５０は，半導体基板２とこの半導体基板２に対して凹凸構造３０が存在する側，つまり本実施形態の場合裏面２ｂ側に設けられる積層構造を構成する膜のうち最も半導体基板２側の膜との間に設けられる。本実施形態の場合，半導体基板２の裏面２ｂ側に設けられる積層構造を構成する膜のうち最も半導体基板２側の膜は，パシベーション膜１６である。なお，固体撮像素子１の変形例（図６）の場合は，上記の積層構造を構成する膜のうち最も半導体基板２側の膜は，カラーフィルタ層１７となり，中間膜５０は，半導体基板２とカラーフィルタ層１７との間に設けられる。」

「【０１６０】

また，半導体基板２の裏面２ｂ側に形成される中間膜５０は，負の固定電荷を有する膜として形成することもできる。この場合も，中間膜５０は，例えば，酸化ハフニウム（ＨｆＯ２），酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３），酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５），酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２），酸化チタン（ＴｉＯ２）等の材料が用いられ，ＣＶＤ法等により成膜される。このように，中間膜５０が負の固定電荷を有する膜として成膜されることで，次のような作用効果を得ることができる。

【０１６１】

半導体基板２の表面には，固体撮像素子１Ａの製造工程において，自然酸化膜が形成される場合がある。この場合，半導体基板２の表面に形成される自然酸化膜は，単結晶シリコンが大気中の酸素と反応して形成されるものであり，ＳｉＯ２膜となる。このように半導体基板２の表面に自然酸化膜としてのＳｉＯ２膜が形成されると，中間膜５０は，半導体基板２に対してＳｉＯ２膜を介して存在することになる。

【０１６２】

このように中間膜５０が自然酸化膜を介して半導体基板２上に存在する構成においては，中間膜５０が負の固定電荷を有する膜である場合，半導体基板２と中間膜５０との間の自然酸化膜が，界面準位を下げる膜として機能する。具体的には，負の固定電荷を有する膜としての中間膜５０の膜中の負の固定電荷により，自然酸化膜であるＳｉＯ２膜を介して，半導体基板２内にてフォトダイオード６として構成される受光部の表面に電界が加わる。この受光部の表面に電界が加わることにより，受光部の表面にホール（正孔）が誘起され，受光部と自然酸化膜との間にホールを蓄積するピニング層が形成される。

【０１６３】

これにより，半導体基板２に形成される受光部と，界面準位を下げる膜として機能する自然酸化膜との間の界面において界面準位により発生する暗電流が抑制される。詳細には，受光部と自然酸化膜との界面から発生する電子が抑制され，しかもその界面から発生した電子は，ホールが多数存在するピニング層における流動によって消滅する。このため，受光部と自然酸化膜との界面から発生する電子による暗電流が受光部で検知されることが防止されるので，界面準位に起因する暗電流が抑制される。

【０１６４】

このように，本実施形態の固体撮像素子１Ａにおいて，中間膜５０を負の固定電荷を有する膜として成膜することにより，反射防止の効果に加え，暗電流を抑制する効果を得ることができる。暗電流は，いわゆる白点の原因となるため，暗電流の抑制は，白点を抑制することが可能となる。」

「

［図：0001386775000001.jpg］

」

「

［図：0001386775000002.jpg］

」

「

［図：0001386775000003.jpg］

」

「

［図：0001386775000004.jpg］

」

「

［図：0001386775000005.jpg］

」

（２）引用文献１に記載されている事項を検討する。

ア 引用文献１の段落００４１－００５３及び図１には，単結晶シリコンからなる半導体基板２を有し，半導体基板２には撮像領域であり所定の配列で設けられる複数の画素５を有する画素領域３が設けられ，画素５は光電変換機能を有する受光部としてのフォトダイオード６を有し，半導体基板２の表面２ａ側と反対側 である光が入射する裏面２ｂ上に，反射防止膜２０が設けられ，反射防止膜２０は，シリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）等の無機膜として形成され，反射防止膜２０上には，保護用のパシベーション膜１６が設けられ，パシベーション膜１６は，シリコン酸化膜（ＳｉＯ２膜）等の無機膜として形成されている固体撮像素子１が記載されている。

イ 引用文献１の段落００５７－００６０及び図１，２には，固体撮像素子１において，半導体基板２の裏面２ｂに，画素５毎に所定のピッチで配列される微細な角錐状の突起３１による凹凸構造３０を有する点が記載されている。

ウ 引用文献１の段落００７６－００８３及び図１－４には，半導体基板２の裏面２ｂ部分において，互いに隣り合う画素５間に，行列状に配置される画素５間の境界に沿って格子状に，画素間分離構造として機能する溝部４０が設けられる点が記載されている。

（３）以上から，引用文献１には，次の発明（以下，「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。

「 単結晶シリコンからなる半導体基板２を有し，

半導体基板２には撮像領域である画素５を有する画素領域３が設けられ，

画素５は光電変換機能を有する受光部としてのフォトダイオード６を有し，

半導体基板２の表面２ａ側と反対側である光が入射する裏面２ｂ上に，反射防止膜２０が設けられ，反射防止膜２０は，シリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）等の無機膜として形成され，

反射防止膜２０上には，保護用のパシベーション膜１６が設けられ，パシベーション膜１６は，シリコン酸化膜（ＳｉＯ２膜）等の無機膜として形成され，

半導体基板２の裏面２ｂに，画素５毎に所定のピッチで配列される微細な角錐状の突起３１による凹凸構造３０を有し，

半導体基板２の裏面２ｂ部分において，互いに隣り合う画素５間に，行列状に配置される画素５間の境界に沿って格子状に，画素間分離構造として機能する溝部４０が設けられた

固体撮像素子１。」

２ 引用文献２について

（１）原査定の拒絶の理由に引用され，当審拒絶理由に引用された引用文献２（特開２０１４－０３３０５２号公報）には，図面とともに次の事項が記載されている。

「【００２０】

層間絶縁膜３０３はその屈折率が１．３～１．６で，ＳｉＮ膜３０４はその屈折率が２．０であり，Ｐウェル層３０６のＳｉ層の屈折率は４．０である。層間絶縁膜３０３とＰウェル層３０６との間の屈折率差からそれらの間にＳｉＮ膜３０４の屈折率が２．０を介在させることにより入射光の反射防止機能をＳｉＮ膜３０４に発揮させている。」

「【００６７】

（実施形態２）

上記実施形態１では，各受光部３の上方に反射防止用の高屈折率のシリコンカーバイド膜８が設けられた場合について説明したが，本実施形態２では，シリコンカーバイド膜８の代わりに，後述のシリコンカーバイド膜８Ａおよびその上の窒化シリコンまたは酸窒化シリコン膜１３を設けて屈折率を順次変化させて反射防止を図る場合について説明する。

【００６８】

続きを表示（全17行）

図２は，本発明の実施形態２における固体撮像素子の要部構成例を模式的に示す縦断面図である。なお，図２では，図１の構成部材と同一の作用効果を奏する部材には同一の符号を付して説明する。

【００６９】

図２において，本実施形態２の固体撮像素子１Ａは，シリコン基板のＰウェル層２の表面側に，入射光を光電変換して撮像する複数のフォトダイオードとしての複数の受光部３が２次元状でマトリクス状に配設されている。隣接する各受光部３間のＰウェル層２の表面上には，絶縁膜４を介して各画素の電荷読出用の回路素子を含む配線回路５が配設されている。各配線回路５上を埋め込むように層間絶縁膜６が配設されている。

【００７０】

Ｐウェル層２の裏面側には，絶縁膜７を介して反射防止および光透過用のシリコンカーバイド膜８Ａ（ＳｉＣ膜）が形成され，その上に窒化シリコン膜または酸窒化シリコン膜１３が形成されている。シリコンカーバイド膜８Ａと窒化シリコンまたは酸窒化シリコン膜１３との合計の膜厚は３０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の厚さに形成される。したがって，本実施形態２のシリコンカーバイド膜８Ａの膜厚は，上記実施形態１のシリコンカーバイド膜８の膜厚に比べて薄く構成することができる。要するに，上記実施形態１のシリコンカーバイド膜８の膜厚の３０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の厚さのうちの一部を窒化シリコンまたは酸窒化シリコン膜１３に充てることができる。シリコンカーバイド膜８Ａと窒化シリコンまたは酸窒化シリコン膜１３との合計膜厚は，上記実施形態１のシリコンカーバイド膜８の膜厚に比べて厚くなることはない。

【００７１】

その上に平坦化膜９を介して所定色配列（例えばベイヤ配列）のカラーフィルタ１０，さらに，その上に平坦化膜１１を介して，各受光部３に対して入射光を集光させるマイクロレンズ１２を各受光部３毎に対応して形成している。

【００７２】

シリコンカーバイド膜８Ａ（ＳｉＣ膜）は，屈折率が２．６５で，その厚さを反射防止用に調整して形成されている。シリコンカーバイド膜８Ａの屈折率２．６５は，窒化シリコン膜（ＳｉＮ膜）の２．０や酸窒化シリコン膜（ＳｉＯＮ）の１．９５程度と比べて圧倒的に屈折率が高い。

【００７３】

シリコンカーバイド膜８Ａ上でシリコンカーバイド膜８Ａに接する状態で窒化シリコン膜（ＳｉＮ膜）または酸窒化シリコン膜１３（ＳｉＯＮ膜）が形成されている。これによって，下から上に，屈折率の高いシリコン，シリコンカーバイド，窒化シリコン膜または酸窒化シリコンの各膜材料の順番に形成されている。これによって，窒化シリコン膜の屈折率２．０または酸窒化シリコン膜の屈折率１．９５からシリコンカーバイド膜８Ａの屈折率２．６５を介してシリコン基板の屈折率４．０に屈折率が順次軽減されて変化する。この屈折率変化が急峻なところで起こる界面反射を抑えることができて，シリコンカーバイド膜８Ａおよび窒化シリコン膜または酸窒化シリコン膜１３によってシリコン基板への光透過性を向上させることができる。要するに，上下の各層で屈折率変化が大きいほど反射光が増えて光透過性が悪化することになる。

【００７４】

以上により，本実施形態２によれば，入射光を光電変換して撮像する複数の受光部３が２次元状に配設された固体撮像素子１Ａにおいて，複数の受光部３のそれぞれの直上を含む上方に，反射防止用のシリコンカーバイド膜８Ａが第１透明絶縁膜として形成され シリコンカーバイド膜８Ａ上に接触するように窒化シリコン膜または酸窒化シリコン膜１３を形成し，シリコンカーバイド膜８Ａと，窒化シリコン膜または酸窒化シリコン膜１３の合計の膜厚が３０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の厚さに形成されている。これによって，シリコン基板までの屈折率をさらに細かく段階的に変えることができて，より反射を抑制して高受光感度とすることができる。」

「

［図：0001386775000006.jpg］

」

３ 引用文献３について

（１）原査定の拒絶の理由に引用され，当審拒絶理由に引用された引用文献３（特開２０１２－２０８２５７号公報）には，図面とともに次の事項が記載されている。

「【０１００】

〈実施例２〉

図９に示すように，媒体３からなる層Ａ，層Ｂの凹凸構造として，２段に重なった四角柱状の凸形微細構造４が２次元に配列された構造であり，以下のような条件に設定した。

【０１０１】

続きを表示（全25行）

媒体３の屈折率NC：１．４６

層Ａ：媒体３で形成された，周期：２００ｎｍ，高さ：１１０ｎｍ，幅：１１４ｎｍの凸状の構造と空気によって形成（有効屈折率Neff_1：１．１５）

層Ｂ：媒体３で形成された，周期：２００ｎｍ，高さ：１１０ｎｍ，幅：１７４ｎｍの凸状の構造と空気によって形成（有効屈折率Neff_2：１．３５）

【０１０２】

図１９は，実施例２における反射率の算出結果を示す図である。

【０１０３】

〈実施例３〉

図１０に示すように，媒体２（＝媒体３）からなる層Ａ，層Ｂの凹凸構造として，２段に重なった四角柱状の凸形微細構造４が２次元に配列された構造であり，以下のような条件に設定した。

【０１０４】

媒体３を媒体２と同じ媒体で形成した。屈折率NC：１．５０

層Ａ：媒体２で形成された，周期：２００ｎｍ，高さ：１１０ｎｍ，幅：１１０ｎｍの凸状の構造と空気によって形成（有効屈折率Neff_1：１．１５）

層Ｂ：媒体２で形成された，周期：２００ｎｍ，高さ：１００ｎｍ，幅：１６７ｎｍの凸状の構造と空気によって形成（有効屈折率Neff_2：１．３５）

【０１０５】

図２０は，実施例３における反射率の算出結果を示す図である。

【０１０６】

〈実施例４〉

図１１に示すように，媒体２（＝媒体３）からなる層Ａ，層Ｂの凹凸構造として，２段に重なった四角柱のホール（凹形微細構造４ａ）が２次元に配列された構造であり，以下のような条件に設定した。

【０１０７】

媒体３を媒体２と同じ媒体で形成した。屈折率NC：１．５０

層Ａ：媒体２で形成された，周期：２００ｎｍ，高さ：１２０ｎｍ，幅：１７９ｎｍの凹状の構造と空気によって形成（有効屈折率Neff_1：１．１０）

層Ｂ：媒体２で形成された，周期：２００ｎｍ，高さ：１００ｎｍ，幅：１１０ｎｍの凹状の構造と空気によって形成（有効屈折率Neff_2：１．３５）」

「

［図：0001386775000007.jpg］

」

「

［図：0001386775000008.jpg］

」

「

［図：0001386775000009.jpg］

」

４ 引用文献４について

（１）当審拒絶理由に引用された引用文献４（特開２００７－２４０８５４号公報）には，図面とともに次の事項が記載されている。

「【発明を実施するための最良の形態】

【０００８】

本発明の反射防止構造体は，透明パネル等の基材の基礎面上に，可視光線の波長（最小波長：３８０ｎｍ）よりも小さいピッチで多数の微細凸部（微細構造）を配列させたものであり，図１～図３に示すように，微細凸部が，円又はこの円に内接する多角形の平面形状を有し且つ頂部に向けて平面形状の面積が漸次減少する多段構造を成している。

【０００９】

続きを表示（全11行）

図１（ａ）（ｂ）に示す微細凸部Ａ１は，平面形状が円であって，頂部に向けて面積が漸次減少する円形の各段を同心状に備えており，図１（ｃ）に示すように，基礎面上に六方細密配列のパターンで設けてある。

【００１０】

図２（ａ）（ｂ）に示す微細凸部Ａ２は，平面形状が矩形であって，頂部に向けて面積が漸次減少する矩形の各段を同心状に備えており，図２（ｃ）（ｄ）に示すように，基礎面上に正方配列や六方細密配列のパターンで隙間無く設けてある。

【００１１】

図３（ａ）（ｂ）に示す微細凸部Ａ３は，平面形状が三角形であって，頂部に向けて面積が漸次減少する三角形の各段を同心状に備えており，図３（ｃ）に示すように，基礎面上に隙間無く設けてある。

【００１２】

上記構成を備えた反射防止構造体は，微細凸部（微細構造）Ａ１?Ａ３が階段状を成していることから，当該反射防止構造体を成形するための成形型を作製する際には，電子線描画装置などにより垂直に掘り進むのみで微細凸部Ａ１?Ａ３に対応した階段状の微細凹部（反転した微細構造）を形成することができる。よって，斜面を有する微細凹凸を備えた従来のものに比べて，成形型を容易に作製することが可能となる。」

「【００３７】

さらに，反射防止成形品は，上記のように成形型を用いて製造するほかに，図４に示すように，リソグラフィーによって微細凸部（微細構造）を形成する製造方法も採用し得る。

【００３８】

すなわち，図４（ａ）に示す基材１に，図４（ｂ）に示すように微細凸部となるレジスト膜２を塗布し，その後，図４（ｃ）に示すように，レジスト膜２の部分に電子線Ｅにより所定のパターンを描画するのに続いて，図４（ｄ）に示す如くイオンエッチングＩを行なうことで，図４（ｅ）に示すように，階段状の微細凸部Ａを有する反射防止成形品Ｓを得ることができるほか，電子線硬化性又は電子線分解性のレジスト膜を採用すると共に，所望の形状に電子線を照射できるマスクを用い，段階的にレジスト膜を硬化又は分解して，硬化していない部分を除去する方法で反射防止成形品Ｓを得ることができる。」

「

［図：0001386775000010.jpg］

」

「

［図：0001386775000011.jpg］

」

「

［図：0001386775000012.jpg］

」

「

［図：0001386775000013.jpg］

」

５ その他の文献

（１）原査定の拒絶の理由に引用された引用文献Ａ（特開２００５－０７２０９７号公報）には，図面とともに次の事項が記載されている。

「【発明を実施するための最良の形態】

【００３１】

以下，図面を参照して，本発明の実施の形態を説明する。

【００３２】

続きを表示（全27行）

先ず，本発明の固体撮像素子の一実施の形態を，図１に示す拡大断面図と共に説明する。

本実施の形態の固体撮像装置１００は，例えば，高純度の単結晶シリコン（Ｓｉ）を主要材料とするＮ型のシリコン半導体基板１内に，Ｐ型の第１の半導体ウェル層２が形成され，半導体基板１の表面側には，光電変換部３を構成する例えばＮ型の半導体領域（所謂電荷蓄積領域）４からなるフォトダイオードが形成される。

光電変換部３列の一方の側には，垂直ＣＣＤ部６を構成するＮ型の転送チャネル領域７が形成され，Ｎ型の転送チャネル領域７の下には，Ｐ型の第２の半導体ウェル領域８が形成されている。 光電変換部３の他方の側には，水平方向に隣り合う画素間を分離するための画素分離領域，即ち，高濃度のＰ型のチャネルストップ領域９が形成されている。光電変換部３と垂直ＣＣＤ部６との間には，光電変換部３に蓄積された信号電荷を垂直ＣＣＤ部６に読み出すための，トランスファーゲート部１０が形成されている。

【００３３】

半導体基板１の表面上には，光電変換部３の材質（例えば半導体基板１の単結晶シリコンに所定の不純物を注入してなる材質）とは異なった材質の，例えばシリコン酸化膜またはシリコン窒化膜からなる絶縁膜１１が形成されている。この絶縁膜１１上には，トランスファーゲート部１０，Ｎ型の転送チャネル領域７及びチャネルストップ領域９上に，例えば多結晶シリコン層よりなる転送電極１２が形成されている。そして，転送チャネル領域７，転送電極１２とにより垂直転ＣＣＤ部６が構成される。この転送電極１２上には層間絶縁膜１３を介して例えばアルミニウムやタングステンのような金属材料からなる遮光膜１４が形成される。

また，遮光膜１４上には，全面を覆って透明なシリコン酸化膜（例えばＰＳＧ）からなるカバー膜（パッシべーション膜）１５が形成されている。そして，このカバー膜１５上に平坦化膜１６，さらにはカラーフィルタ（図示せず）を介して，光電変換部１３と対応する位置に，オンチップレンズ１７が形成されている。

【００３４】

ここで，絶縁膜１１と光電変換部３との界面には，半導体基板１の厚さ方向に深部へと向かうにつれて，絶縁膜１１を構成するシリコン酸化膜に対する半導体基板１を構成する単結晶シリコンの比率が徐々に（連続量的に）高くなって行くような凹凸部（フォトニック結晶）１８が形成されている。即ち，Ｎ型の半導体領域４の表面に凹凸部１８が形成されている。

【００３５】

凹凸部１８は，図２に平面図及び図３に拡大斜視図を示すように，その長手方向が，半導体基板１の平坦な主面に対して平行に寝かされて配置され，例えば三角柱状に形成されている。

この三角柱状の凹凸部１８を構成している複数の三角柱のピッチの寸法Ｄ（隣り合った三角柱同士のピッチの寸法Ｄ）は，固体撮像装置の撮像対象として設定されている光の最長波長以下，さらに望ましくは最短波長以下に設定することができる。また，さらに望ましくは，設定されている光の最短波長の１／２～１／５の範囲に設定することもできる。

このようなピッチの寸法Ｄに設定することにより，凹凸部１８内における入射光に対する媒質の内の屈折率は連続的に変動する（即ち，入射光の波長に依存した凹凸部１８中の屈折率が連続的に変動する）。

例えば，撮像対象として設定されている光が可視光である場合は，可視光領域は一般に約４００ｎｍ～約７００ｎｍ程度の範囲であるので，隣り合った三角柱どうしのピッチの寸法Ｄとしては，例えばその最短波長よりも短い３００ｎｍに設定される。

【００３６】

また，三角柱状の凹凸部１８は，その長手方向（稜線）が，垂直ＣＣＤ部６や転送電極１２の長手方向（信号電荷の転送方向）に対してほぼ平行に揃うように形成されており，入射光の互いに直交するＰ偏光成分とＳ偏光成分のような２つの偏光成分のうち，例えば，スミアやクロストーク，さらには混色のようなノイズ成分となる無効電荷を発生させる要因となる度合いの高い偏光成分（Ｐ偏向成分）の光電変換部３への入射光量を減少させることができ，また，スミアを発生させる要因となる度合いの低い光の偏光成分（Ｓ偏向成分）の反射をさらに確実に低減し，相対的にスミアを発生させる要因となる度合いの低い光の透過率を向上することができる構成となっている。

【００３７】

このように，スミアの発生要因となる度合いの低い光の透過率を向上させる一方，スミアの発生要因となる度合いの高い光の透過率は向上させないようにしているので，入射光全体の光量の増大に対して相対的にスミアの発生要因となる光量が減少することとなり，その結果，光電変換部３の全受光量におけるノイズの要因となる光の相対的な割合を低減させて，実質的なＳ／Ｎ比の改善を達成することができる。

尚，図２中，光電変換部３において，実線は凹凸部１８を構成している三角柱の底辺を表しており，一点鎖線はその三角柱の頂辺（稜線）を表している。

【００３８】

また，このような構成の三角柱状の凹凸部１８が，半導体基板１の表面（界面）に形成された場合，基本的に単結晶シリコン（Ｓｉ）からなる光電変換部３と，その上の例えばシリコン酸化膜（ＳｉＯ2）からなる絶縁膜１１との界面における，実質的な屈折率が，その三角柱の稜線から半導体基板１の底部側へと徐々に変化して行く構成となる。

即ち，図４Ａ及び図４Ｂに示すように，単結晶シリコン（Ｓｉ）の屈折率ｎ（Ｓｉ）とシリコン酸化膜の屈折率ｎ（ＳｉＯ2）とを比較すると，ｎ（ＳｉＯ２）＜ｎ（Ｓｉ）であるので，三角柱の稜線から半導体基板１の底部側へと（入射光の進入経路で外部から光電変換部３の深部へと向かうにつれて）実質的な屈折率が連続的に単調増加して行く構成となる。

【００３９】

これにより，従来の一般的な固体撮像装置の場合のように，光電変換部の表面と絶縁膜との界面が平坦に形成されて，その界面で断続的に（離散量的に）屈折率が変化している構成と比較して，光電変換部の表面と絶縁膜との界面における入射光の反射を大幅に低減することができる。従って，光電変換部３への最終的な入射光量を増大させて，光電変換部３の感度を向上することが可能となる。」

「

［図：0001386775000014.jpg］

」

「

［図：0001386775000015.jpg］

」

「

［図：0001386775000016.jpg］

」

「

［図：0001386775000017.jpg］

」

「

［図：0001386775000018.jpg］

」

第６ 対比・判断

１ 本願発明１について

ア 本願発明１と引用発明とを対比する。

（ア）引用発明の「裏面２ｂ」，「表面２ａ」，「半導体基板２」が，それぞれ，本願発明１の「第１面」，「第２面」，「基板」に対応する。

そして，引用発明の「画素領域３」は，「光電変換機能を有する受光部としてのフォトダイオード６」を有する「画素５」を有するから，本願発明１の「入射光を光電変換する光電変換領域」に相当する。

（イ）引用発明の「反射防止膜２０」は，「シリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）等の無機膜」であり，絶縁膜であることは明らかであるから，本願発明１の「第１の絶縁膜」に対応する。

ここで，引用文献１の図１を参照すると，引用発明の「反射防止膜２０」には，「反射防止膜２０」と「凹凸構造３０」とが接する部分に，断面視で，「凹凸構造３０」の「突起３１」とその間の「反射防止膜２０」とが交互に設けられている層と，その上に接するように設けられた「反射防止膜２０」のみが設けられている層が存在すると認められる。

そして，引用発明の該「突起３１とその間の反射防止膜２０とが交互に設けられている層」が，本願発明１の「断面視において前記基板の一部の領域と第１の絶縁膜とが交互に設けられた第１層」に対応し，引用発明の該「反射防止膜２０のみが設けられている層」が，本願発明１の「前記第１層の前記光入射面側と接するように設けられた第２層」に対応し，両者は「前記第２層は，前記第１の絶縁膜のみを有」する点で一致する。

（ウ）引用発明の「パシベーション膜１６」は，引用文献１の図１を参照すると，「反射防止膜２０」の上に，「半導体基板２」の全面に設けられているから，本願発明１の「第３層」と，「前記光電変換領域を覆い，かつ，前記第２層の前記光入射面の上方に設けられ」ている点で一致する。

また，引用発明の「パシベーション膜１６」は，「シリコン酸化膜（ＳｉＯ２膜）等の無機膜」であり，絶縁膜であることは明らかであるから，本願発明１の「第３層」と「第２の絶縁膜を有する」点でも一致する。

（エ）引用発明の「溝部４０」は，「互いに隣り合う画素５間に，行列状に配置される画素５間の境界に沿って格子状」に設けられているから，本願発明１の「前記光電変換領域と前記光電変換領域に隣接する他の光電変換領域との間に設けられたトレンチ」に相当し，両者は「前記半導体基板に設けられた複数の各画素を取り囲むように設けられ」ている点でも一致することは明らかである。

（オ）引用発明の「半導体基板２」における「凹凸構造３０」は，「角錐状の突起３１」を有し，ここで，引用文献１の図１も参照すると，「凹凸構造３０」の断面視における幅は，「裏面２ｂ」から「表面２ａ」に向かうにつれて徐々に大きくなっているから，引用発明の「半導体基板２」と本願発明１の「基板」とは，「前記基板の一部の領域の断面視における幅は，前記第１面から前記第２面に向かうにつれて段階的に，または徐々に大きくなる」点で一致する。

イ 以上から，本願発明１と引用発明とは，以下の点で一致し，また，以下の点で相違する。

＜一致点＞

「 光入射面である第１面と前記第1面と反対側の第２面とを有する基板と，

前記基板に設けられた，入射光を光電変換する光電変換領域と，

前記基板の前記第１面側で，断面視において前記基板の一部の領域と第１の絶縁膜とが交互に設けられた第１層と，

前記第１層の前記光入射面側と接するように設けられた第２層と，

続きを表示（全11行）

前記光電変換領域を覆い，かつ，前記第２層の前記光入射面の上方に設けられた第３層と，

前記光電変換領域と前記光電変換領域に隣接する他の光電変換領域との間に設けられたトレンチとを有し，

前記第２層は，前記第１の絶縁膜のみを有し，

前記第３層は，第２の絶縁膜を有し，

前記トレンチは，前記半導体基板に設けられた複数の各画素を取り囲むように設けられ，

前記基板の一部の領域の断面視における幅は，前記第１面から前記第２面に向かうにつれて徐々に大きくなる

固体撮像装置。」

＜相違点１＞

本願発明１は「前記基板の屈折率は，前記第１の絶縁膜の屈折率よりも大きく」，「前記第１の絶縁膜の屈折率は，前記第２の絶縁膜の屈折率よりも大きく」と特定されているのに対し，引用発明は，そのように特定されていない点。

＜相違点２＞

本願発明１は「前記第１の絶縁膜は固定電荷を有する膜であ」ると特定されているのに対し，引用発明は，そのように特定されていない点。

＜相違点３＞

「前記基板の一部の領域の断面視における幅」に関して，本願発明１は「前記第１面から前記第２面に向かうにつれて段階的に，または徐々に大きくなる」と特定されているのに対し，引用発明は，段階的に大きくなる点について特定されていない点。

（３）相違点についての判断

ア 相違点２について

事案に鑑みて上記相違点２について先に検討する。

（ア）引用発明の「反射防止膜２０」は「シリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）等の無機膜」ではあるが，「固定電荷を有する膜」とすることは記載されていない。

ここで，引用文献１の段落０１４８－０１５４等には，「半導体基板２とこの半導体基板２に対して凹凸構造３０が存在する側，つまり本実施形態の場合裏面２ｂ側に設けられる積層構造を構成する膜のうち最も半導体基板２側の膜との間に」「中間膜５０」を設ける点が，また，段落０１６０－０１６４等には，「中間膜５０」を「負の固定電荷を有する膜として形成する」点が記載されている。

しかしながら，該「中間膜５０」は，引用文献１の段落０１５０に「半導体基板２の裏面２ｂ側に対して，少なくとも凹凸構造３０を覆い，凹凸構造３０を二層構造とするように形成されればよい。」と記載されるように，「凹凸構造３０」を二層構造とするために設けられるものである。

すると，この構成を引用発明に適用しても，「半導体基板２」と「反射防止膜２０」との間に「中間膜５０」を設けることになり，「反射防止膜２０」を「中間膜５０」に置き換えて「第１の絶縁膜」とする動機もあるとはいえず，本願発明１の相違点２に係る構成に至らない。

（イ）そして，上記相違点２に係る本願発明１の構成は，上記引用文献２－５，Ａにも記載されておらず，また，本願の優先日において当該技術分野における周知技術であるともいえない。

イ したがって，他の相違点について判断するまでもなく，本願発明１は，当業者であっても引用発明及び引用文献２－５，Ａに基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。

２ 本願発明２－６について

本願発明２－６は，本願発明１の全ての構成要素を備える従属請求項であり，上記相違点２に係る本願発明１と同一の構成を備えるものであるから，本願発明１と同じ理由により，当業者であっても，引用発明及び引用文献２－５，Ａに基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。

第７ 原査定について

１ 理由１，２について

令和 ３年 ９月 ７日付けの手続補正により，本願発明１－６は，上記「第６ 対比・判断」における相違点２に係る構成を有するものとなった。

すると，本願発明１－６は，引用文献Ａに記載の発明とはいえない。

そして，上記「第６ 対比・判断」で検討したように，本願発明１－６は，当業者であっても，原査定における引用文献Ａ，３，２，５に基づいて，容易に発明できたものとはいえない。

したがって，原査定の理由１，２を維持することはできない。

第８ 当審拒絶理由について

１ 理由１について

令和 ３年 ９月 ７日付けの手続補正により，本願発明１－６は，上記「第６ 対比・判断」における相違点２に係る構成を有するものとなった。

そして，上記「第６ 対比・判断」で検討したように，本願発明１－６は，当業者であっても，当審拒絶理由における引用発明及び引用文献２－５に基づいて，容易に発明できたものとはいえない。

したがって，当審拒絶理由の理由１を維持することはできない。

２ 理由２について

令和 ３年 ９月 ７日付けの手続補正により，請求項２が削除されたことにより，当審拒絶理由の理由２は解消した。

第９ むすび

以上のとおり，原査定の理由及び当審拒絶理由によっては，本願を拒絶することはできない。

また，他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。

よって，結論のとおり審決する。