2021-000885

第２ 本願発明

本願の請求項１～１７に係る発明は，令和３年１１月９日に提出の手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１～１７に記載された事項により特定されるものであり，そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願発明１」という。）は，以下のとおりのものと認められる。

「【請求項１】

少なくとも１つの上部コンタクトパッド（４４，４６，４８，５０，５２，５４）をその上面（５６，５８，６０）に配置されて有するパワーデバイスと，

前記パワーデバイスの前記上面（５６，５８，６０）に結合された誘電体層（７４），

前記誘電体層（７４）を貫通して形成されたビア（７８）を通って延在する金属相互接続部（８４，８６）を有し，前記パワーデバイスの前記少なくとも１つの上部コンタクトパッド（４４，４６，４８，５０，５２，５４）に電気的に結合された金属被覆層（８０），および

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前記金属相互接続部（８４）に結合された銅のワイヤボンド（１００）

を含むパワーオーバーレイ（ＰＯＬ）相互接続層（８８）と，

前記金属被覆層（８０）に直接結合された少なくとも２つの銅のワイヤボンド（９６，９８）と

を備え，

前記金属相互接続部（８６）が，前記少なくとも２つの銅のワイヤボンド（９６，９８）のそれぞれの銅のワイヤボンドと，前記少なくとも１つの上部コンタクトパッドのうちの１つの上部コンタクトパッド（４６）の間に電流に対する並行経路を形成し，

前記２つの銅のワイヤボンド（９６，９８）の各接触表面（１３０，１３２）の下のＰＯＬ相互接続層（８８）の部分（１２２，１２４）がそれぞれ，少なくとも２つの金属相互接続部（８６）の部分を含み，

前記２つの銅のワイヤボンド（９６，９８）は前記銅のワイヤボンド（１００）よりも厚肉で提供される，

ＰＯＬ構造体（９０，９２，９４）。」

第３ 当審拒絶理由の概要

当審による令和３年８月４日付け拒絶理由通知書の拒絶の理由のうち理由１（以下「当審拒絶理由」という）は，この出願の請求項１に係る発明は，本願の優先日前に日本国内又は外国において頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった下記の引用例１～３に記載された発明に基づいて，また，請求項２～１２，１７～１８，２０～２１に係る発明は，下記の引用例１～６に記載された発明に基づいて，その優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有するもの（以下「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない，というものである。

引用例１．特開２００６－１６５５１５号公報

引用例２．特開２０１３－１１８３１０号公報

引用例３．特開２０１３－２４３１６６号公報

引用例４．特開２０１４－９９６０６号公報

引用例５．特開２００２－７６１９０号公報

引用例６．特開２００５－７９４６２号公報

第４ 引用例の記載と引用発明１

１．引用例１の記載

当審拒絶理由で引用された刊行物である引用例１（特開２００６－１６５５１５号公報）には，次の記載がある。（下線は当審による。以下同じ。）

「【００１６】

以下，添付図面を参照しつつ，本発明の実施例を説明する。

（第１の実施形態）

図１（ａ）は本発明の第1の実施例による半導体装置Ｈ１を模式的に示す図である。また，図１（ｂ）は，図１（ａ）の破線で囲ったＡ部の拡大図で，第１の実施例の作用を示す図である。

【００１７】

半導体装置Ｈ１は，シリコン基板１に形成された複数のパワー素子ユニットセル，例えばＬＤＭＯＳ（Lateral Diffused MOS）ユニットセルにおいては，ゲート，ソース，ドレインそれぞれを独立に引き出し，並列接続することにより構成されている。図１（ａ）に示すように，複数のユニットセルのソース，ドレインのそれぞれからコンタクト孔を介して接続する引き出し配線２が設けられている。このソース，ドレインのそれぞれに接続された引き出し配線２は，層間絶縁層３に形成したヴィア孔を介してソース，ドレインのそれぞれ並列接続された集電電極４が設けられている。尚，図１（ａ）では，ソースもしくはドレインのどちらか一方の引き出し線２同士を並列する集電電極４が，模式的に示されている。

【００１８】

集電電極４上には層間保護膜５が形成されている。層間保護膜５には，複数個の開口部５ｋが隣接して配置され，隣接する開口部５ｋ間には層間保護膜５による衝撃吸収梁５ｈが形成されている。また，層間保護膜５上には，集電電極４と同一材料からなり，複数個の開口部５ｋを介して，集電電極４に接続する厚膜電極６が設けられている。さらに，電極６を被覆する最終保護膜７がシリコン基板１上の最表面に形成され，前記厚膜電極６へボンディングワイヤ９を接続するために，複数個の開口部５ｋの上方において，最終保護膜７が開口されている。最終保護膜７はポリイミド樹脂膜からなり，最終保護膜７の膜厚は，厚膜電極６の膜厚より厚いことが望ましい。」

「【００２２】

上記ように，本発明により半導体装置Ｈ１によれば，ボンディングワイヤ９の接続時に，集電電極４より下層にあるパワー素子形成領域へのボンディング衝撃の伝播が抑止され，パワー素子領域での不具合発生を抑止することができる。また，上記半導体装置Ｈ１における構造は，厚膜電極６が最終保護膜７で被覆され，ボンディングを行うのに必要な最終保護膜７の領域が開口されてなる構造である。このため，プローブ動作時の接蝕性に関わる問題もなく，また，ボンディング時にボンディングワイヤ９と厚膜電極６表面が直接接着するため接合強度の劣化も生じない。加えて，衝撃吸収梁５ｈを厚膜電極６と集電電極４により包み込む構造となっているため，ボンディング衝撃を緩和・吸収する際に前記衝撃吸収梁５ｈが破損したとしても，厚膜電極６と集電電極４は初期から電気的に接続されており，電極間短絡等の不具合は発生しないフェールセーフ的な構造となっている。」

引用例１の図１として，以下の図面が示されている。

［図：0001386708000001.jpg］

２．摘記の整理

以上の摘記によれば，引用例１には次の事項が記載されているものと理解できる。

ア シリコン基板１に形成された複数のパワー素子ユニットセルのゲート，ソース，ドレインそれぞれを独立に引き出し，並列接続することにより構成されている半導体装置Ｈ１。（段落００１７）

イ シリコン基板１上に，複数のパワー素子ユニットセルのソース，ドレインのそれぞれに接続された引き出し配線２が設けられ，引き出し配線２上に層間絶縁膜３が設けられること。（段落００１７，図１（ａ））

ウ 層間絶縁膜３に形成したヴィア孔を介して上記ソース，ドレインのそれぞれの引き出し配線２同士を並列接続する集電電極４が設けられること。（段落００１７，図１）

エ 集電電極４上に，層間保護膜５が形成され，層間保護膜５には，複数個の開口部５ｋが隣接して配置されること。（段落００１８，図１（ａ））

オ 層間保護膜５上に，複数個の開口部５ｋを介して集電電極４に接続する厚膜電極６が設けられること。（段落００１８，図１（ａ），（ｂ））

カ 集電電極４よりも下層にパワー素子領域を有すること。（段落００２２）

キ 上記イ～ウから，上記カの「パワー素子領域」は，「シリコン基板１に形成された複数のパワー素子ユニットセル」，「引き出し配線２」及び「層間絶縁膜３」から構成されていることが理解できる。

ク 図１（ａ）（ｂ）から，厚膜電極６の一部が複数の開口部５ｋを充填していること，厚膜電極６にボンディングワイヤ９が２本接続されていること，厚膜電極６とボンディングワイヤ９の接触面が複数個の開口部５ｋを含んでいることが見て取れる。

３．引用発明１

上記２．ア～クの事項から，引用例１には次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されているものと認められる。

「シリコン基板１に形成された複数のパワー素子ユニットセルのゲート，ソース，ドレインそれぞれを独立に引き出し，並列接続することにより構成されている半導体装置Ｈ１であって，

シリコン基板１上に，複数のパワー素子ユニットセルのソース，ドレインのそれぞれに接続された引き出し配線２が設けられ，

引き出し配線２上に層間絶縁膜３が設けられ，

上記複数のパワー素子ユニットセル，引き出し配線２及び層間絶縁膜３によりパワー素子領域が構成され，

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層間絶縁膜３に形成したヴィア孔を介して上記ソース，ドレインのそれぞれの引き出し配線２同士を並列接続する集電電極４が設けられ，

集電電極４上に，複数個の開口部５ｋが隣接して配置された層間保護膜が形成され，

層間保護膜５上に，複数個の開口部５ｋを介して集電電極４に接続する厚膜電極６が設けられ，

厚膜電極６の一部は複数の開口部５ｋを充填しており，

厚膜電極６にはボンディングワイヤ９が２本接続されており，

厚膜電極６とボンディングワイヤ９の接触面が複数個の開口部５ｋを含んでいる，

半導体装置Ｈ１。」

４．引用例２～３の記載と周知技術１

（１）引用例２の記載

当審拒絶理由で引用された刊行物である引用例２（特開２０１３－１１８３１０号公報）には，次の記載がある。

「【０００２】

例えば，１アンペア程度以上の大電流を流すパワーデバイスなどの半導体装置について，その半導体装置が含むチップと半導体装置が有する外部端子との接続は，アセンブリ製造コストが安く，構造的な自由度が高いことから，ワイヤボンディング接続がよく用いられている。チップが有するチップパッドの材としては，アルミニウム（以下アルミまたはＡｌと表記することあり）または銅（以下Ｃｕと表記することあり）が用いられるのが一般的である。チップパッドの主材がアルミの場合，チップパッド上に更に銅の金属膜を施し，その銅の金属膜の上に，アルミまたは銅（好ましくは銅）のワイヤでワイヤボンディングする構造が使用されている。他方，チップパッドの主材が銅である場合，その層の金属膜の上に，銅のワイヤでボンディングする。つまり，チップパッドの材およびワイヤボンディングの材は，一般的にＣｕが主成分として使われている。

【０００３】

Ｃｕは，他の金属と比べ，電気抵抗率が例えばアルミよりも低く，大電流（１アンペア以上）または大消費電力（≧１～１００Ｗ）を流すことも可能で，更にコストが安いというメリットがあるからである。」

（２）引用例３の記載

当審拒絶理由で引用された刊行物である引用例３（特開２０１３－２４３１６６号公報）には，次の記載がある

「【０００１】

本発明は半導体装置及びその製造方法，特にパワー半導体素子等で銅線を用いてワイヤボンディングする半導体装置に関する。」

「【０００４】

一方，近年，非特許文献１に示されるように，熱伝導率，電気伝導率等において有利となる銅線を用いてワイヤボンディングすることが提案され，半導体素子の電極表面に形成されたアルミニウム材や銅材に対して銅線を接続することが行われる。一般的に，この銅線には，細径線と太径線があり，細径線の場合は７５μｍ未満の銅線を用いて，ボールボンディング技術によって配線され，このときの半導体素子の電極表面にはアルミニウム材が使用される。また，太径線の場合は７５μｍ以上の銅線を用いて，ウエッジボンディング技術によって配線され，このときの半導体素子の電極表面には銅材が適用される。」

（３）周知技術１

上記（１）（２）によれば，本願の優先日前に次の技術（以下「周知技術１」という）が周知であったものと認められる。

（周知技術１）パワーデバイスにおいて銅のボンディングワイヤを用いること。

第５ 対比

１．本願発明１と引用発明１の対比

本願発明１と引用発明１とを対比すると次のようになる。

ア 本願明細書の段落００２０によれば，本願発明１の「上部コンタクトパッド（４４，４６，４８，５０，５２，５４）」は，「各半導体デバイス３８，４０，４２内の内部接点への導電経路を提供する」ものである。

一方，引用発明１の「集電電極４」は，「シリコン基板１上に形成された複数のパワー素子ユニットセル」のソース，ドレインのそれぞれに接続された「引き出し配線２同士を並列接続する」ものであり，「引き出し配線２上に設けられた層間絶縁膜に形成したヴィア孔を介して」上記「引き出し配線２」と接続されるものである。

そうすると，引用発明１の「集電電極４」は本願発明１の「上部コンタクトパッド（４６）」に相当する。

イ 引用発明１の「集電電極４」は「層間絶縁膜３に形成したヴィア孔を介して」「引き出し配線２」と接続されるものであり，当該「層間絶縁膜３」は「複数のパワー素子ユニットセル」及び「引き出し配線２」上にあってそれらと共に「パワー素子領域」を構成するものであるから，引用発明１の「集電電極４」は「パワー素子領域」の上面に配置されていると理解できる。

そうすると，引用発明１における「パワー素子領域」は本願発明１における「パワーデバイス」に相当し，両者は「少なくとも１つの上部コンタクトパッド（４６）をその上面（５６）に配置されて有するパワーデバイス」を備える点で共通する。

ウ 引用発明１の「層間保護膜５」は，「集電電極４」上に形成されたものであり，上記イのとおり，当該「集電電極４」は「パワー素子領域」上面に配置されている。そうすると，引用発明１における「層間保護膜５」は本願発明１の「誘電体層（７４）」に相当し，両者は共に「前記パワーデバイスの前記上面（５６）に結合された誘電体層（７４）」である点で共通する。

エ 引用発明１の「厚膜電極６」は，「層間保護膜５」に形成された「複数個の開口部５ｋを介して集電電極４に接続」するものであり，上記「厚膜電極６」の一部が「複数の開口部５ｋを充填」するものである。そうすると，引用発明１における「厚膜電極６」及び「複数の開口部５ｋ」は本願発明１における「金属被覆層（８０）」及び「ビア（７８）」に相当し，引用発明１における「厚膜電極６」のうち「複数の開口部５ｋを充填」している部分が，本願発明１における「金属相互接続部（８６）」に相当する。そして，本願発明１と引用発明１は，「前記誘電体層（７４）を貫通して形成されたビア（７８）を通って延在する金属相互接続部（８６）を有し，前記パワーデバイスの前記少なくとも１つの上部コンタクトパッド（４６）に電気的に結合された金属被覆層（８０）」を有する点で共通する。

オ 上記ウ，エによれば，本願発明１と引用発明１は，「前記パワーデバイスの前記上面（５６）に結合された誘電体層（７４）」及び「前記誘電体層（７４）を貫通して形成されたビア（７８）を通って延在する金属相互接続部（８６）を有し，前記パワーデバイスの前記少なくとも１つの上部コンタクトパッド（４６）に電気的に結合された金属被覆層（８０）」を含む「パワーオーバーレイ（ＰＯＬ）相互接続層（８８）」を有する点で共通する。

カ 引用発明１における「厚膜電極６」には「ボンディングワイヤ９が２本接続」されているから，本願発明１と引用発明１は，「前記金属被覆層（８０）に直接結合された少なくとも２つのワイヤボンド（９６，９８）」を有する点で共通する。

キ 引用発明１は，「厚膜電極６」と「集電電極４」が「複数の開口部５ｋ」に充填された「厚膜電極６の一部」により接続され，厚膜電極６にはボンディングワイヤ９が２本接続」されているものであるから，本願発明１と引用発明１は，「前記金属相互接続部（８６）が，前記少なくとも２つのワイヤボンド（９６，９８）のそれぞれのワイヤボンドと，前記少なくとも１つの上部コンタクトパッドのうちの１つの上部コンタクトパッド（４６）の間に電流に対する並行経路を形成」している点で共通する。

ク 引用発明１は「厚膜電極６とボンディングワイヤ９の接触面が複数個の開口部５ｋを含んでいる」ものであるから，本願発明１と引用発明１は，「前記２つのワイヤボンド（９６，９８）の各接触表面（１３０，１３２）の下のＰＯＬ相互接続層（８８）の部分（１２２，１２４）がそれぞれ，少なくとも２つの金属相互接続部（８６）の部分を含み」との点で共通する。

ケ 上記ア～クを総合すると，引用発明１の「半導体装置Ｈ１」は本願発明１の「ＰＯＬ構造体（９０）」に対応する。

２．一致点及び相違点

上記１．ア～ケによれば，本願発明１と引用発明１の一致点及び相違点は以下のとおりである。

＜一致点＞

「少なくとも１つの上部コンタクトパッド（４６）をその上面（５６）に配置されて有するパワーデバイスと，

前記パワーデバイスの前記上面（５６）に結合された誘電体層（７４），

前記誘電体層（７４）を貫通して形成されたビア（７８）を通って延在する金属相互接続部（８６）を有し，前記パワーデバイスの前記少なくとも１つの上部コンタクトパッド（４６）に電気的に結合された金属被覆層（８０）

を含むパワーオーバーレイ（ＰＯＬ）相互接続層（８８）と，

前記金属被覆層（８０）に直接結合された少なくとも２つのワイヤボンド（９６，９８）と

を備え，

前記金属相互接続部（８６）が，前記少なくとも２つのワイヤボンド（９６，９８）のそれぞれのワイヤボンドと，前記少なくとも１つの上部コンタクトパッドのうちの１つの上部コンタクトパッド（４６）の間に電流に対する並行経路を形成し，

前記２つのワイヤボンド（９６，９８）の各接触表面（１３０，１３２）の下のＰＯＬ相互接続層（８８）の部分（１２２，１２４）がそれぞれ，少なくとも２つの金属相互接続部（８６）の部分を含む，

ＰＯＬ構造体（９０）。」

＜相違点１＞

本願発明１では，「前記金属被覆層（８０）に直接結合された少なくとも２つのワイヤボンド（９６，９８）」が「銅のワイヤボンド」であるのに対し，引用発明１ではそのように特定されていない点。

＜相違点２＞

本願発明１では，「前記誘電体層（７４）を貫通して形成されたビア（７８）を通って延在する金属相互接続部（８４）を有し，前記パワーデバイスの前記少なくとも１つの上部コンタクトパッド（４４）に電気的に結合された金属被覆層（８０）」及び「前記金属相互接続部（８４）に結合された銅のワイヤボンド（１００）」を備えるのに対し，引用発明１では，それらを備えることが特定されていない点。

＜相違点３＞

本願発明１では，「前記２つの銅のワイヤボンド（９６，９８）は前記銅のワイヤボンド（１００）よりも厚肉で提供される」のに対し，引用発明１では，ワイヤボンドの肉厚について特定されていない点。

＜相違点４＞

本願発明１では，「上部コンタクトパッド（４８，５０，５２，５４）」及び「パワーデバイスの上面（５８，６０）」を備える「ＰＯＬ構造体（９２，９４）」が特定されているのに対し，引用発明１では，「ＰＯＬ構造体（９０）」に対応する１つの半導体装置Ｈ１しか特定されておらず，上記のような複数の構造体が特定されていない点。

第６ 相違点についての判断

１．相違点１について

上記第４の４．（３）に周知技術１として示したとおり，パワーデバイスにおいて銅のボンディングワイヤを用いることは当業者の周知技術であるから，引用発明１において上記相違点１に係る本願発明１の構成とすることは当業者が容易になし得たことである。

２．相違点２について

引用発明１の「半導体装置Ｈ１」は「シリコン基板１に形成された複数のパワー素子ユニットセルのゲート，ソース，ドレインそれぞれを独立に引き出し，並列接続することにより構成されている半導体装置Ｈ１」であり，引用発明１の「ゲート」についても「ソース，ドレイン」と同様の構成，すなわち，ゲートのそれぞれに接続された引き出し配線，引き出し配線上に設けられた層間絶縁膜，層間絶縁膜に形成したヴィア孔を介してゲートのそれぞれの引き出し配線同士を並列接続する集電電極が設けられていると理解できる。

また，ゲートをソース，ドレインと同様にワイヤボンディングにより引き出すことは慣用手段であるから，ゲートについてもソース，ドレインと同様に，ボンディング衝撃の下層への伝播抑止のため，集電電極上に層間保護膜が形成され，層間保護膜の開口部を介して集電電極に接続する厚膜電極が設けられ，厚膜電極にボンディングワイヤが接続された構成を有することが示唆されているといえる。その際，ゲートのボンディングワイヤに銅のボンディングワイヤを用いることは，上記周知技術１に照らし当業者が適宜なし得たことである。

そうすると，引用発明１において上記相違点２に係る本願発明１の構成を備えるようにすることは，当業者が容易になし得たことである。

３．相違点３について

ソース，ドレインに接続するボンディングワイヤをゲートに接続するボンディングワイヤよりも太くすることは，以下の周知例１～３に示すように，パワー半導体デバイスの技術分野における当業者の周知技術であるから，引用発明１において上記相違点３に係る本願発明１の構成とすることは，上記周知技術に照らし当業者が容易になし得たことである。

本願の優先日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった上記周知例１には，次の記載がある。

「【００２３】

本実施形態１では，本発明を縦型パワートランジスタ（半導体装置）１に適用した例について説明する。即ち，第１電極としてドレイン（Ｄ）電極，第２電極としてソース（Ｓ）電極，制御電極としてゲート（Ｇ）電極となる電界効果トランジスタを組み込んだ半導体チップが，半導体装置１に組み込まれている。

・・・

【００２７】

ゲートリード６のリードポスト６ａとゲート電極パッド１２を接続するワイヤ１５は直径が，例えば，１２５μｍと細いＡｌ線である。ソースリード５のリードポスト５ａとソース電極パッド１１は複数本のワイヤ１４で接続されている。図では２本になっているが，オン抵抗を低減するためにさらに多くてもよい。このワイヤ１４は直径が３００～５００μｍ程度，例えば５００μｍとなり，ワイヤ１５に比較して太い。このワイヤ１５もＡｌ線である。また，オン抵抗の低減を図るため，ワイヤ１４の接続長さは５ｍｍ以内となっている。また，いずれのワイヤも超音波によくこすり付けによって接続される。従って，半導体チップ７の主面の電極パッドにワイヤボンディングを行うときは，ワイヤを保持するボンディングツールが一段高い位置にあるリードポストに接触しないようにして行う必要がある。」

本願の優先日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった上記周知例２には，次の記載がある。

【０００６】

限られた資源・エネルギーを効率的に活用するため電子装置（半導体装置）の低消費電力化が求められ，パワーデバイスとしてＳｉ（シリコン）より低損失な炭化ケイ素（ＳｉＣ）や窒化ガリウム（ＧａＮ）等のワイドギャップ半導体の開発が進んでいる。・・・（以下略）・・・」

「【０１１４】

半導体パッケージ２４の組み立てのワイヤボンディング工程では，まず，ＳｉＣチップ１の主面１ａの最表面がＮｉ／Ａｕ膜またはＡｇ膜等の貴金属めっき膜で構成されたソース電極２と，Ａｇめっき２７が施されたソースリード９のソースボンドパッド８間を，ＡｇワイヤもしくはＡｇ膜等の貴金属めっき膜が施された太い銅ワイヤ２５を用いて，超音波ボンディングによって結線する。

【０１１５】

さらに，最表面がＮｉ／Ａｕ膜またはＡｇ膜等の貴金属めっき膜で構成されたゲート電極３と，Ａｇめっき２７が施されたゲートリード１１のゲートボンドパッド１０間を，ＡｇワイヤもしくはＡｇ膜等の貴金属めっき膜が施された，銅ワイヤ２５より細い銅ワイヤ２６を用いて，超音波ボンディングによって結線する。」

本願の優先日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった上記周知例３には，次の記載がある。

「【００３１】ここで，ＭＯＳＦＥＴのゲート電流は，パワーＭＯＳＦＥＴと言えどもソース電流に比較すると電流量が十分に小さいため，ゲート用内側ワイヤ４１及びゲート用外側ワイヤ４３は，第１ボンディングワイヤ３１，第２ボンディングワイヤ３３，第３ボンディングワイヤ３５及び第４ボンディングワイヤ３７よりも線径が細くても良い。例えば直径２０～２００μｍのアルミニウム（Ａｌ）線又は金（Ａｕ）線を，ゲート用内側ワイヤ４１及びゲート用外側ワイヤ４３として用いることが可能である。・・・

【００３２】これに対して，パワーＭＯＳＦＥＴのソース電流は，大きな電流が流れるため配線材としても電流容量の大きいことが要求される。そこで，本発明の第１の実施の形態では，上記の通り，半導体チップ５のソース用第１及び第２チップ側パッド５１，５２とソース用第１及び第２リード側パッド６１，６３との間を４本のボンディングワイヤ３１，３３，３５，３７により接続している。・・・また，この４本のボンディングワイヤ３１，３３，３５，３７は，定格電流２０ＡクラスのパワーＭＯＳＦＥＴの場合は，例えば，その直径が２００μｍ～４００μｍのアルミニウム線又は２０?６０μｍの金線を用いることが好ましい。・・・（以下略）・・・」

４．相違点４について

基板上に同一パターンの構造を複数形成した後，個片に切断して複数個の構造体を得ることは，半導体デバイスの技術分野における慣用手段であるから，引用発明１において上記相違点４に係る本願発明１の構成とすることは，当業者が普通に行うことである。

５．小括

したがって，本願発明１は，引用例２～３及び周知例１～３に示される周知技術に照らし，引用発明１に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。

第７ 結言

以上のとおり，本願の請求項１に係る発明は，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができないものであるから，本願は，他の請求項に係る発明について検討するまでもなく，拒絶をすべきものである。

よって，結論のとおり審決する。