2020-003426

第２ 本件却下決定の適否

請求人は、本件却下決定に対して不服を申し立てているので、以下、本件却下決定の適否を判断する。

１ 本件却下決定の理由の概要

本件第２補正によりなされた本願の願書に添付された明細書の【００１６】・【００１７】・【００１９】についての補正は、本願の願書に最初に添付された明細書、特許請求の範囲又は図面（以下「当初明細書等」という。）において、ドライエッチングがＢｒＣｌ３とＡｒを使用するという記載と、ＢＣｌ３とＡｒを使用するという記載とが混在しているものを、ＢｒＣｌ３とＡｒを使用するという記載に統一するものである。

しかしながら、不整合記載を解消する補正は、矛盾する二以上の記載のうちいずれが正しいかが「当初明細書等の記載から、当業者にとって明らかな場合」に許されるところ、ＢｒＣｌ３とＢＣｌ３はいずれも化学式が知られている化合物であり、当初明細書等においても、ＢｒＣｌ３とＢＣｌ３は同程度の頻度で出てくるものであって、いずれが正しいかが当初明細書等の記載から明らかであるとはいえない。

したがって、上記補正は、当初明細書等に記載した事項の範囲内においてしたものでないから、本件第２補正は特許法第１７条の２第３項の規定に違反する。

よって、本件第２補正は、特許法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。

２ 本件第２補正の内容

本件第２補正は、本件第２補正前の本願の願書に添付された明細書、特許請求の範囲又は図面のうち、請求項１・【０００５】・【０００６】・【００１６】・【００１７】・【００１９】・【００２２】・【００２８】・【００３８】・【００４４】について、Ａｒとともに使用される物質を、「ＢＣｌ３」から「ＢｒＣｌ３」へ補正するものである。

３ 当初明細書等の記載

当初明細書等には次の記載がある。

（１）「【特許請求の範囲】」、

「撮像に使用される光検出器アレイ（１００）であって、

ＩｎＡｓＳｂから形成された第１の光検出器、

ＩｎＡｓＳｂから形成された第２の光検出器、並びに

前記第１の光検出器と前記第２の光検出器との間に、ＢｒＣｌ３及びＡｒを使用して形成されたトレンチ（２００）

を備える光検出器アレイ。」（【請求項１】）、

「光検出器のアレイを作る方法であって、

隣接し合う光検出器の間に画定された少なくとも１つのトレンチ（２００）を含む、ＩｎＡｓＳｂから形成された前記光検出器のアレイのパターン（３０２）を受容すること、並びに

ＢｒＣｌ３及びＡｒを含むプラズマを用いて前記少なくとも１つのトレンチをドライエッチングすること

を含む方法。」（【請求項７】）

（２）「【技術分野】」、

「本開示の分野は、概してドライエッチングに関し、具体的には、光検出器のドライエッチングのための方法及びシステムに関する。」（【０００１】）

（３）「【背景技術】」、

「一般的に、光検出器は、様々なカメラシステムにおいて、光を検出するために使用される。光検出器は、一連のセンサ、又は、互いに電気的に絶縁された一連のセンサによって形成される焦点面アレイ（ＦＰＡ）を含む。センサを互いに絶縁する形式の一つは、エッチングを手段とするものであり、かかるエッチングでは、センサの間にトレンチを作成するよう材料が除去される。ウェットエッチングプロセスは等方性処理であり、かかる処理によって、材料を除去するために溶液（例えば酸又は基礎液）が使用される。ドライエッチングプロセスは異方性処理であり、かかる処理では、材料はプラズマへの曝露の後に除去される。いくつかの既知のウェットエッチングプロセスでは、酸性溶液がトレンチ内をラテラルにエッチングし、画素単位の光応答の減少（すなわち曲線因子の低減）の原因となる。いくつかの既知のドライエッチングプロセスでは、強腐食の中で、画素単位の光応答を減少させるか、又は暗電流を増加させる有機化合物が形成され、低感度の画像が提供されるに至る。」（【０００２】）、

「したがって、実施の際に画素単位の光応答を減少させないエッチング方法の開発が必要である。」（【０００３】）

（４）「【発明の概要】」、

「一態様では、光検出器のアレイを作る方法が提供される。方法は、隣接し合う光検出器の間に画定された少なくとも１つのトレンチを含む、ＩｎＡｓＳｂから形成された光検出器のアレイのパターンを受容すること、及び、ＢｒＣｌ３及びＡｒを含むプラズマを用いて少なくとも１つのトレンチをドライエッチングすることを含む。」（【０００４】）、

「別の態様では、光検出器アレイを使用した撮像方法が提供される。方法は、光検出器アレイを提供すること、及び、光検出器アレイの第１の光検出器と光検出器アレイの第２の光検出器によって波長を受容することを含み、第１の光検出器と第２の光検出器の間にはトレンチが形成され、トレンチは、ＢｒＣｌ３とＡｒを使用するドライエッチングによって形成される。」（【０００５】）、

「更に別の態様では、撮像に使用するための光検出器アレイが提供される。光検出器アレイは、ＩｎＡｓＳｂから形成された第１の光検出器、ＩｎＡｓＳｂから形成された第２の光検出器、及び、第１の光検出器と第２の光検出器の間に形成されたトレンチを含み、トレンチは、ＢｒＣｌ３とＡｒを使用して形成される。」（【０００６】）

（５）「【発明を実施するための形態】」、

「本明細書で記述されるシステム及び方法により、ＩｎＡｓＳｂに基づく光検出器のドライエッチングが可能になる。本明細書で使用されているように、「ドライエッチング」又は「エッチング」という用語は、材料を移動させ、又は取り除く反応性ガスであるイオンあるいはプラズマへの曝露による、材料の除去を表す。」（【０００９】）、

「図１は例示的な光検出器アレイ１００の斜視図である。例示的な実施形態では、光検出器アレイ１００は、半導体基板上に形成された光検出器のアレイ又はセンサ１０２を備える。センサ１０２は、ドライエッチングプロセスによって形成されたトレンチ１０４によって隔てられる。一実施形態では、光検出器１００は、幅２７ｕｍの１６のセンサを備える。代替的には、光検出器アレイ１００は、本明細書に記述されるような、撮像を促進する任意のサイズ及び形状を有する、任意の数のセンサを備えることが可能である。センサ１０２は、ＩｎＡｓＳｂを含む材料から形成され、センサ１０２が２つの波長を検出するように、デュアルバンド容量内で作動するよう構成されることがある。一実施形態では、光検出器アレイ１００は、赤外線撮像装置に組み込まれるよう構成される。」（【００１０】）、

「図２は、図１に示す光検出器アレイ１００に使用されることがあるトレンチ２００の斜視図を示したものであり、図３は、図２に示すトレンチ２００の代替的な斜視図である。例示的な実施形態では、トレンチ２００は、光検出器アレイ１００のような光検出器アレイ内に作成された空隙である。トレンチ２００は、光検出器アレイ１００の材料をエッチングによって除くことで作成される。一実施形態では、トレンチ２００は、第１光吸収層２０４、バリア層２０６及び第２光吸収層２０８をエッチングするか、又は除去して、層２０４、２０６及び２０８を備えた、分離した台形状部（ｍｅｓａ）２０７と２０９を形成する。第１光吸収層２０４及び第２光吸収層２０８は、ＩｎＡｓＳｂを含む。（【００１１】）、

「例示的な実施形態では、層２０４、２０６及び２０８を含むがそれだけに限定されない光検出器アレイ１００の材料が、エッチングによって除かれ、少なくとも部分的には第１側壁部２１０、第２側壁部２１２及び基底部２１４によって画定された、第１側壁部２１０と第２側壁部２１２の間に伸びるトレンチ２００を形成する。一実施形態では、トレンチ２００は６ｕｍの深さ及び６．５ｕｍの幅を有する。側壁部２１０及び２１２は、トレンチ２００がＵ型を形成するように、滑らかに直立する。代替的には、トレンチ２００は、本明細書に記述されるような、撮像を促進する任意のサイズ又は形状を有する可能性がある。例示的な実施形態では、トレンチ２００は、隣接する光検出器又はセンサが互いに電気的に絶縁されるような、サイズ及び形状となる。」（【００１２】）、

「トレンチ２００は、側壁部２１０と２１２が誘電マスク２０２の下を削り取らないように形成される。つまり、トレンチ２００は、マスク２０２とトレンチの中心線２１６との間に延在する距離２１４が、距離２１８のような、側壁部２１０と中心線２１６との間のどの距離とも少なくとも等しいか、又はかかる距離よりも大きくなるように形成される。同様に、マスク２０２とトレンチの中心線２１６との間に延在する距離２２０は、距離２２２のような、側壁部２１２と中心線２１６との間のどの距離とも少なくとも等しいか、又はかかる距離よりも大きくなる。」（【００１３】）、

「図４は、図２及び図３に示すトレンチ２００をドライエッチングする例示的な方法のフローチャート３００である。例示的な実施形態では、ＩｎＡｓＳｂから形成された光検出器のアレイのパターンが受容される３０２。受容されたパターン３０２は、図２に示すトレンチ２００のような、隣接する光検出器を隔てる複数のトレンチを含む。一実施形態では、トレンチの幅は１～５ｕｍとなる。代替的には、トレンチは、任意の量あってもよく、本明細書に記述されるような、撮像を促進するサイズを有しうる。」（【００１４】）、

「一実施形態では、受容されたパターン３０２は、プラズマ化学気相蒸着（ＰＥＣＶＤ）を使用して、誘電ハードマスクをＩｎＡｓＳｂ上に堆積させることを含む。一実施形態では、ハードマスクはＳｉ０２を含み、１７５°Ｃで堆積する。代替的には、ハードマスクは、任意の材料を用いて、任意の温度で堆積しうる。フォトリソグラフィが、ハードマスク上で光検出器のアレイのパターンを画定するよう実行され、ハードマスクはエッチングされる。一実施形態では、ハードマスクは、ＣＦ４プラズマを使用してエッチングされる。パターンがハードマスクに転写されると、フォトレジストは除去される。一実施形態では、フォトレジストは、ＡＺ４００Ｔストリッパ及び超音波を使用して除去される。代替的には、フォトレジストは、本明細書に記述されるような、トレンチの形成を促進する任意のやり方において除去されうる。ハードマスクにおけるパターンを含むＩｎＡｓＳｂは、ドライエッチング用の担体に乗せられたグリースである。一実施形態では、担体は４インチのシリコン（Ｓｉ）キャリアである。」（【００１５】）、

「例示的な実施形態では、ＩｎＡｓＳｂから形成された光検出器のアレイのパターンが受容された３０２後、受容されたパターン３０２に内包されるトレンチのドライエッチングを実行するため、光検出器は真空チャンバ内に配置される３０４。ガスのプラズマが、トレンチをエッチングするために、真空内に導入される３０６。一実施形態では、プラズマは、ＢＣｌ３とＡｒを含む。いくつかの実施形態では、１～１００ｓｓｃｍの範囲内のＢＣｌ３が使用され、１～１００ｓｃｃｍの範囲内のＡｒが使用される。代替的には、本明細書に記述されるような、エッチングを促進する任意の分量のＢＣｌ３及びＡｒが使用されうる。トレンチのエッチングが行われる前に、イオンが反応性になるように、プラズマはイオン化される３０６。いくつかの実施形態では、プラズマは、ＲＦ信号を使用してイオン化される３０６。代替的には、本明細書に記述されるような、エッチングを促進する任意のやり方において、プラズマはイオン化されうる。」（【００１６】）、

「プラズマがイオン化された３０６後に、プラズマは、材料がエッチングによって除かれるように加速される３１０。例示的な実施形態では、ＢＣｌ３はＩｎ、Ｇａ、Ａｌ、Ａｓ及びＳｂの原子に反応して、Ｃｌ合成物を形成する。Ａｒイオンは、化学エッチング製品（例えばＣｌ合成物）を機械的にスパッタリングして、化学エッチング製品の脱離を引き起こすよう構成される。一実施形態では、ＢＣｌ３に加えてＡｒイオンも、トレンチの一部を化学的にエッチンングする。ＢＣｌ３とＡｒを使用することで、結果として、光検出器が滑らかな側壁部を有し、光検出器の下を削り取ることが防止されるようなエッチングを行うことが可能になる。」（【００１５】）、

「いくつかの実施形態では、トレンチのエッチングは調整される３１２。一実施形態では、バイアス出力及び／又は圧力を調整することで、エッチングの速度が調整される。バイアス出力はイオンの運動量を制御し、圧力は、イオンの平均自由行程を変化させることで、イオンのスピードに影響を与える。そのため、バイアス出力及び／又は圧力は、エッチングの速度に影響を与える。例示的な実施形態では、バイアス電圧は１０～３００Ｖの範囲内であり、圧力は１～２０ｍＴの範囲内である。代替的には、バイアス出力は任意の電圧であってもよく、圧力は、本明細書に記述されるような、エッチングを促進する任意の圧力でありうる。一実施形態では、圧力が増大して、光検出器の台形状部の基部で形状を改善し、かつ、圧力が減少して、光検出器の台形状部の上で形状を改善する。本明細書で使用されているように、「形状」とは、台形状部の表面の垂直度と祖度のうち、少なくとも１つを表す。本明細書で使用されているように、「祖度」とは、表面の水平面からの逸脱を表す。いくつかの実行形態では、「祖度」又は「粗面」は、一又は複数のひび割れ、凸部、あるいは穴を有する表面を含む。同様に、「滑らか」又は「滑らかさ」とは、欠陥（例えばひび割れ、凸部及び穴）がなく、祖度を免れた表面を表す。したがって、いくつかの実行形態では、形状を改善することは、台形状部の表面の垂直度と祖度のうち、少なくとも１つを変造することを含む可能性がある。」（【００１８】）、

「いくつかの実施形態では、エッチングは、ＩＣＰ出力の変更によって調整される３１２。ＩＣＰ出力の増大により、光検出器の側壁部の基部で形状が改善される。同様に、エッチングに使用されるプラズマのガス比も、側壁部の形状を改善するために調整されることがある。一実施形態では、ＡｒのＢＣｌ３に対する比率を増加させて、光検出器の側壁部で滑らかなエッチングを実現する。例示的な実施形態では、エッチングに使用されるＩＣＰ出力は、１００～１２００Ｗの範囲内である。代替的には、本明細書に記述されるような、エッチングを促進する任意のＩＣＰ出力及びガス比が使用されうる。一実施形態では、光検出器の側壁部の勾配を変更し、又は決定するために、温度が調整される。真空中の温度が上昇するにつれ、光検出器の側壁部はより垂直度を増す。光検出器の下を削り取ることがないように、光検出器の間にトレンチが作成されることに注目されたい。」（【００１８】）、

「本開示の一態様によると、光検出器アレイ１００は、撮像における使用のために提供され、前記光検出器アレイは、ＩｎＡｓＳｂから形成された第１の光検出器、ＩｎＡｓＳｂから形成された第２の光検出器、及び、第１の光検出器と第２の光検出器の間に形成されたトレンチ２００を含み、トレンチは、ＢｒＣｌ３とＡｒを使用して形成される。」（【００２２】）、

「本開示の一態様によると、光検出器のアレイを作る方法が提供され、前記方法は、隣接し合う光検出器の間に画定された少なくとも１つのトレンチ２００を含む、ＩｎＡｓＳｂから形成された光検出器のアレイのパターン３０２を受容すること、及び、ＢｒＣｌ３及びＡｒを含むプラズマを用いて少なくとも１つのトレンチをドライエッチングすることを含む。」（【００２８】）、

「本開示の一態様によると、光検出アレイを使用して撮像する方法が提供され、前記方法は、光検出器アレイを提供すること、及び、光検出器アレイの第１の光検出器と光検出器アレイの第２の光検出器によって波長を受容することを含み、第１の光検出器と第２の光検出器の間にはトレンチ２００が形成され、トレンチ２００は、ＢｒＣｌ３とＡｒを使用するドライエッチングによって形成される。」（【００３８】）、

「少なくともいくつかの既知のエッチングシステムと比較して、本明細書で記述されるシステム及び方法は、光検出器の下を削り取ることを防止し、かつ／又は排除するよう、光検出器アレイに内包されるトレンチをドライエッチングすることを可能にするものである。光検出器の下を削り取らずにトレンチを形成することで、高感度の画像を提供する画素単位の光応答の変形が防止される。本明細書で記述されるシステム及び方法はまた、隣接した光検出器を電気的に絶縁するトレンチを作成し、光検出器が滑らかに直立する側壁部を備えたまま、その一方で電気的性能を保持することも可能にする。大面積機器の低バイアス動作も、本明細書で記述される方法及びシステムを使用することで実現される。」（【００４２】）

４ 当審の判断

（１）明細書、特許請求の範囲又は図面について補正をするときは、願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてしなければならないところ（特許法第１７条の２第３項）、「明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項」とは、当業者によって、願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面の全ての記載を総合することにより導かれる技術的事項であり、補正が、このようにして導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入しないものであるときは、当該補正は、願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてしたものということができる。

（２）当初明細書等に記載されている技術的事項の認定

上記３で認定した当初明細書等の記載によれば、当初明細書等には、次の技術的事項が記載されていると認められる。

ア 本開示の分野は、概してドライエッチングに関し、具体的には、光検出器のドライエッチングのための方法及びシステムに関する。（【０００１】）

イ 一般的に、光検出器は、様々なカメラシステムにおいて、光を検出するために使用される。光検出器は、一連のセンサ、又は、互いに電気的に絶縁された一連のセンサによって形成される焦点面アレイを含む。センサを互いに絶縁する形式の一つは、エッチングを手段とするものであり、センサの間にトレンチを作成するよう材料が除去される。

ウェットエッチングプロセスは等方性処理である一方、ドライエッチングプロセスは異方性処理であり、後者の処理では、材料はプラズマへの曝露の後に除去される。いくつかの既知のウェットエッチングプロセスでは、酸性溶液がトレンチ内をラテラルにエッチングし、画素単位の光応答の減少（すなわち曲線因子の低減）の原因となる。いくつかの既知のドライエッチングプロセスでは、強腐食の中で、画素単位の光応答を減少させるか、又は暗電流を増加させる有機化合物が形成され、低感度の画像が提供されるに至る。

したがって、実施の際に画素単位の光応答を減少させないエッチング方法の開発が必要である。（【０００２】・【０００３】）

ウ 本明細書で記述されるシステム及び方法により、ＩｎＡｓＳｂに基づく光検出器のドライエッチングが可能になる。（【０００９】）

エ 光検出器のアレイを作る方法は、隣接し合う光検出器の間に画定された少なくとも１つのトレンチを含む、ＩｎＡｓＳｂから形成された光検出器のアレイのパターンを受容すること、及び、ＢｒＣｌ３及びＡｒを含むプラズマを用いて少なくとも１つのトレンチをドライエッチングすることを含む。

光検出器アレイを使用した撮像方法は、光検出器アレイを提供すること、及び、光検出器アレイの第１の光検出器と光検出器アレイの第２の光検出器によって波長を受容することを含み、第１の光検出器と第２の光検出器の間にはトレンチが形成され、トレンチは、ＢｒＣｌ３とＡｒを使用するドライエッチングによって形成される。

撮像に使用するための光検出器アレイは、ＩｎＡｓＳｂから形成された第１の光検出器、ＩｎＡｓＳｂから形成された第２の光検出器、及び、第１の光検出器と第２の光検出器の間に形成されたトレンチを含み、トレンチは、ＢｒＣｌ３とＡｒを使用して形成される。（【請求項１】・【請求項７】・【０００４】～【０００６】）

オ トレンチのドライエッチングを実行するため、光検出器は真空チャンバ内に配置され、ガスのプラズマが、トレンチをエッチングするために、真空内に導入される。一実施形態では、プラズマは、ＢＣｌ３とＡｒを含む。いくつかの実施形態では、１～１００ｓｓｃｍの範囲内のＢＣｌ３が使用され、１～１００ｓｃｃｍの範囲内のＡｒが使用される。代替的には、エッチングを促進する任意の分量のＢＣｌ３及びＡｒが使用されうる。トレンチのエッチングが行われる前に、イオンが反応性になるように、プラズマはイオン化される。プラズマがイオン化された後に、プラズマは、材料がエッチングによって除かれるように加速される。例示的な実施形態では、ＢＣｌ３はＩｎ、Ｇａ、Ａｌ、Ａｓ及びＳｂの原子に反応して、Ｃｌ合成物を形成する。Ａｒイオンは、化学エッチング製品（例えばＣｌ合成物）を機械的にスパッタリングして、化学エッチング製品の脱離を引き起こすよう構成される。一実施形態では、ＢＣｌ３に加えてＡｒイオンも、トレンチの一部を化学的にエッチングする。ＢＣｌ３とＡｒを使用することで、結果として、光検出器が滑らかな側壁部を有し、光検出器の下を削り取ることが防止されるようなエッチングを行うことが可能になる。エッチングに使用されるプラズマのガス比は、側壁部の形状を改善するために調整されることがあり、一実施形態では、ＡｒのＢＣｌ３に対する比率を増加させて、光検出器の側壁部で滑らかなエッチングを実現する。（【００１６】・【００１７】・【００１９】）

カ 本開示の一態様によると、光検出器アレイ１００は、撮像における使用のために提供され、前記光検出器アレイは、ＩｎＡｓＳｂから形成された第１の光検出器、ＩｎＡｓＳｂから形成された第２の光検出器、及び、第１の光検出器と第２の光検出器の間に形成されたトレンチ２００を含み、トレンチは、ＢｒＣｌ３とＡｒを使用して形成される。

本開示の一態様によると、光検出器のアレイを作る方法が提供され、前記方法は、隣接し合う光検出器の間に画定された少なくとも１つのトレンチ２００を含む、ＩｎＡｓＳｂから形成された光検出器のアレイのパターン３０２を受容すること、及び、ＢｒＣｌ３及びＡｒを含むプラズマを用いて少なくとも１つのトレンチをドライエッチングすることを含む。

本開示の一態様によると、光検出アレイを使用して撮像する方法が提供され、前記方法は、光検出器アレイを提供すること、及び、光検出器アレイの第１の光検出器と光検出器アレイの第２の光検出器によって波長を受容することを含み、第１の光検出器と第２の光検出器の間にはトレンチ２００が形成され、トレンチ２００は、ＢｒＣｌ３とＡｒを使用するドライエッチングによって形成される。（【００２２】・【００２８】・【００３８】）

キ 少なくともいくつかの既知のエッチングシステムと比較して、本明細書で記述されるシステム及び方法は、光検出器の下を削り取ることを防止し、かつ／又は排除するよう、光検出器アレイに内包されるトレンチをドライエッチングすることを可能にするものである。光検出器の下を削り取らずにトレンチを形成することで、高感度の画像を提供する画素単位の光応答の変形が防止される。

本明細書で記述されるシステム及び方法はまた、隣接した光検出器を電気的に絶縁するトレンチを作成し、光検出器が滑らかに直立する側壁部を備えたまま、その一方で電気的性能を保持することも可能にする。

大面積機器の低バイアス動作も、本明細書で記述される方法及びシステムを使用することで実現される。（【００４２】）

ク 当初明細書等には、ドライエッチングプロセスの具体的条件を明らかにした実施例は記載されていない。

（３）判断

ア 上記（２）で認定した技術的事項によれば、当初明細書等には、ＩｎＡｓＳｂに基づく光検出器において、隣接し合う光検出器の間に画定された少なくとも１つのトレンチをドライエッチングによって形成する際に、ＢｒＣｌ３及びＡｒを含むプラズマを用いるとする技術的事項（以下「ＢｒＣｌ３技術的事項」という。上記（２）エ及びカ）と、そのような際に、ＢＣｌ３及びＡｒを含むプラズマを用いるとする技術的事項（以下「ＢＣｌ３技術的事項」という。上記（２）オ）の双方が記載してあると認められる。

他方、当初明細書等においては、請求項等ではＢｒＣｌ３技術的事項が記載されている（上記（２）エ）一方、当初明細書等に記載された発明の技術的原理の説明ではＢＣｌ３技術的事項が記載されている（上記（２）オ）。そして、当初明細書等の記載（上記（１））によれば、ＢｒＣｌ３技術的事項に係る「ＢｒＣｌ３」の文言が記載されている回数である８回（請求項１・請求項７・【０００４】・【０００５】・【０００６】・【００２２】・【００２８】・【００３８】）とＢＣｌ３技術的事項に係る「ＢＣｌ３」の文言が記載されている回数である７回（【００１６】・【００１７】・【００１９】）とは、ほぼ同じである。

このように、当初明細書等においては、請求項等における記載と発明の技術的原理の説明における記載との間に齟齬があることから、当業者は、当初明細書等において、これら２つの技術的事項の双方が記載されているのではなく、いずれか一方が誤りであることを認識するといえる。しかしながら、当初明細書等においては、両技術的事項が記載されている回数がほぼ同じであり、実施例の記載もなく（上記（２）ク）、これら２つの技術的事項のうちいずれが正しく、いずれが誤りであるのかを明らかにする技術常識を示す証拠もない。

そうすると、当初明細書等の記載においては、これら２つの技術的事項のうちいずれが正しく、いずれが誤りであるのかは不明であったといえる。

イ 他方、上記２によれば、本件第２補正により、ＢＣｌ３技術的事項に係る記載は全て削除され、ＢｒＣｌ３技術的事項のみが記載されることになったことになる。

ウ 上記ア及びイによれば、本件第２補正は、当初明細書等の記載において、ＢｒＣｌ３技術的事項とＢＣｌ３技術的事項のうちいずれが正しいのかが不明であったのを、ＢｒＣｌ３技術的事項が正しいことを明らかにしたものである。

したがって、本件第２補正は、当初明細書等の全ての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入しないものとはいえないというべきである。

エ これに対し、請求人は、次のとおり主張するが、いずれも採用できない。

（ア）請求人は、当初明細書等がＢｒＣｌ３技術的事項を意図していることは、本願の優先権主張の基礎出願である米国出願１３／９１９５４１が特許されたときの特許請求の範囲（米国特許第８９４１１４５号明細書参照。）を考慮すれば明らかである旨主張する。

しかしながら、新規事項追加の有無の判断に用いる資料は、当初明細書等の記載であって、当該米国出願が特許されたときの記載が上記ウの判断を左右することはない。

（イ）請求人は、ＢＣｌ３は化合物半導体のエッチングに最も一般的に使用されるガスの１つであるのに対し、本願に係る発明は、実際にＢｒＣｌ３を合成してエッチングに使用し、ＢＣｌ３と比較して改善された結果をみつけたことが、この発明の焦点である旨主張する。

しかしながら、当初明細書等にはそのような記載はないから、請求人の主張は、当初明細書等の記載に基づかないものである。

（ウ）請求人は、ＢＣｌ３は化合物半導体のエッチングに最も一般的に使用されるガスの１つであるから、この点からもＢｒＣｌ３が正当である旨を主張する。

しかしながら、ＢＣｌ３が最も一般的に使用されるガスの１つであるということは、むしろ、ＢＣｌ３技術的事項が正しいとの事情にもなり得ることであるし、また、ＢＣｌ３技術的事項（すなわち、ＩｎＡｓＳｂに基づく光検出器において、隣接し合う光検出器の間に画定された少なくとも１つのトレンチをドライエッチングによって形成する際に、ＢＣｌ３及びＡｒを含むプラズマを用いるとする技術的事項）が技術常識であったことを示す証拠もないから、請求人が主張する事情をもって、ＢｒＣｌ３技術的事項が正しいと結論づけることはできない。

オ したがって、本件第２補正は、当初明細書等に記載した事項の範囲内においてしたものとはいえないから、特許法第１７条の２第３項の規定に違反するものである。

５ 本件却下決定の適否の小括

以上のとおりであるから、本件第２補正を却下した本件却下決定は適法である。

第３ 本願発明についての判断

１ 本願発明の認定

上記第２のとおり、本件却下決定は適法であるから、本願の請求項に係る発明は、平成３０年１２月５日に提出された手続補正書により補正された特許請求の範囲に記載されたとおりのものであると認められるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。

「光検出器のアレイを作る方法であって、

隣接し合う光検出器の間に画定された少なくとも１つのトレンチ（２００）を含む、ＩｎＡｓＳｂから形成された前記光検出器のアレイを提供すること、並びに

ＢＣｌ３及びＡｒを含むプラズマを用いて前記少なくとも１つのトレンチをドライエッチングすること

を含む方法。」

２ 原査定の拒絶の理由の概要

原査定は、本件第２補正が却下された後に、本願を平成３１年３月２６日付け拒絶理由通知書に通知した理由によって拒絶したものであり、その理由は、以下の内容を含むものである。

（１）平成３０年１２月５日に提出した手続補正書でした補正（本件第１補正）は、当初明細書等に記載した事項の範囲内においてしたものではないから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていない。

（２）請求項１に係る発明（本願発明）は、その優先日前に日本国内又は外国において、頒布された刊行物である又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった下記の文献に記載された発明に基いて、その優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規程により特許を受けることができない。

＜引用文献等一覧＞

１．特開２０１０－４１０１１号公報

２．特表２０１３－５１０４４２号公報

３．特表２００８－５１０３０３号公報

４．特開平９－１７１９９０号公報

５．特開平１０－２７７８３号公報

３ 本件第１補正の新規事項追加について

（１）本件第１補正の内容

本件第１補正は、当初明細書等の請求項１・【０００５】・【０００６】・【００２２】・【００２８】・【００３８】において、Ａｒとともに使用される物質が「ＢｒＣｌ３」とされていたのを、「ＢＣｌ３」に補正すること、当初明細書等の請求項７（Ａｒとともに使用される物質が「ＢｒＣｌ３」であることを特定するものである。）を削除すること、当初明細書等の【００４４】において、「ＢｒＣｌ３及びＡｒ」を使用する旨の記載を追加すること、を含むものである。

（２）判断

ア 上記第２の４（３）アで説示したとおり、当初明細書等の記載においては、ＢｒＣｌ３技術的事項とＢＣｌ３技術的事項のうち、いずれが正しく、いずれが誤りであるのかは不明であった。

他方、上記（１）によれば、本件第１補正により、本願の願書に添付された明細書、特許請求の範囲又は図面には、【０００４】に記載されているＢｒＣｌ３技術的事項を除き、ＢＣｌ３技術的事項が記載されることになる。そうすると、本件第１補正により、当初明細書等においては存在していた、請求項等における記載と発明の技術的原理の説明における記載との間の齟齬（上記第２の４（３）ア）が解消されるとともに、ＢＣｌ３技術的事項に係る「ＢＣｌ３」の文言が記載されている回数である１５回（請求項１・【０００５】・【０００６】・【００１６】・【００１７】・【００１９】・【００２２】・【００２８】・【００３８】・【００４４】）が、ＢｒＣｌ３技術的事項に係る「ＢｒＣｌ３」の文言が記載されている回数である１回（【０００４】）を大きく越えたことになる。そして、ＢＣｌ３技術的事項が誤りであるとの技術常識を示す証拠もない。

したがって、本件第１補正により、当業者は、ＢｒＣｌ３技術的事項に係る記載が誤記であり、ＢＣｌ３技術的事項が正しいことを認識するものといえる。

ウ 上記イによれば、本件第１補正は、当初明細書等の記載において、ＢｒＣｌ３技術的事項とＢＣｌ３技術的事項のうちいずれが正しいのかが不明であったのを、ＢＣｌ３技術的事項が正しいことを明らかにしたものといえる。

したがって、本件第１補正は、当初明細書等の全ての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入しないものとはいえないというべきである。

よって、本件第１補正は、当初明細書等に記載した事項の範囲内においてしたものとはいえないから、特許法第１７条の２第３項の規定に違反するものである。

４ 進歩性欠如について

（１）引用文献に記載された発明の認定

ア 原査定が引用した特開２０１０－４１０１１号公報（以下「引用文献１」という。）には、次の記載がある（下線は当審が付した。）。

（ア）「以下、図面を参照して、本発明に係る好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明において、可能な場合には、同一要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。図１は、実施形態に係る光検出装置１の断面構成を示す図である。光検出装置１は、化合物半導体基板２と、複数の光検出素子４とを備える。化合物半導体基板２は、例えば、半絶縁性のＧａＡｓ基板であり、０．３～１ｍｍ程度の厚みを有する。複数の光検出素子４は、化合物半導体基板２の主面２ａに設けられている。光検出素子４は、ＩｎＳｂ化合物半導体層であり、１～５μｍ程度の厚みを有する。複数の光検出素子４は、分離溝５によって互に分離（絶縁）されているが、複数の電極１６を介して電気的に直列接続されている。所定方向（複数の光検出素子４が直列接続されている方向）に延びる光検出素子４の長さは５～２０μｍ程度であり、一の分離溝５を挟んでこの方向に隣接する二つの光検出素子４の間隔（分離溝５の幅）は１～３μｍ程度である。光検出素子４は、第１の表面４ａ及び第２の表面４ｂを有し、第１の表面４ａが化合物半導体基板２の主面２ａに接合している。第２の表面４ｂは、第１の表面４ａの反対側にある。主面２ａと第１の表面４ａとは、化合物半導体基板２と光検出素子４との接合面であり、第２の表面４ｂは、光検出素子４の主面である。」（【０００８】）、

［図：0001380278000001.jpg］

「光検出素子４は、光検出領域６、第１の領域８、第２の領域１０及び第３の領域１２を有する。光検出領域６は、光検出素子４内に埋め込まれている。光検出領域６は、第１の表面４ａと第２の表面４ｂとの間に設けられている。光検出領域６は、光検出素子４において第１の領域８及び第２の領域１０や第３の領域１２を含まない領域であり、入射光を光電変換する。光検出領域６は、例えば、ｉ型のＩｎＳｂ化合物半導体から成り、５×１０１５～１×１０１７ｃｍ－３程度のキャリア濃度を有する。第１の領域８は、光検出素子４内に埋め込まれている。第１の領域８は、第１の表面４ａと第２の表面４ｂとの間に設けられている。第１の領域８は、光検出素子４の第２の表面４ｂの一部から光検出素子４の内側に延びている（光検出素子４の内側に厚みを有する）。第１の領域８は、ｎ型不純物半導体領域（第１不純物半導体領域）であり、１×１０１７～１×１０１９ｃｍ－３程度のキャリア濃度を有する。」（【０００９】）、

「第２の領域１０は、光検出素子４内に埋め込まれている。第２の領域１０は、第１の表面４ａと第２の表面４ｂとの間に設けられている。第２の領域１０は、光検出素子４の第２の表面４ｂの一部から光検出素子４の内側に延びている（光検出素子４の内側に厚みを有する）。第２の領域１０は、ｐ型不純物半導体領域（第２不純物半導体領域）であり、１×１０１７～１×１０１９ｃｍ－３程度のキャリア濃度を有する。第１の領域８と第２の領域１０とは離隔して設けられている。」（【００１０】）、

「また、第２の領域１０は、分離溝５に面している。すなわち、分離溝５の側壁の一部又は全部は、第２の領域１０に属している。光検出素子４が複数（例えば二つ）の分離溝５に隣接している場合、光検出素子４は、隣接する複数の分離溝５のうち一の分離溝５に面する一の第２の領域１０を有していればよいが、複数の分離溝５の全てにそれぞれ面する複数の第２の領域１０を有していてもよい。なお、第１の領域８がｐ型不純物半導体領域（第２不純物半導体領域）であり、第２の領域１０がｎ型不純物半導体領域（第１不純物半導体領域）であってもよい。」（【００１１】）、

「第３の領域１２は、光検出素子４内に埋め込まれている。第３の領域１２は、光検出素子４の第１の表面４ａから光検出素子４の内側に延びている（光検出素子４の内側に厚みを有する）。すなわち、第３の領域１２は、化合物半導体基板２に接合している。第３の領域１２は、第１の表面４ａの全領域にわたって形成されている。第３の領域１２は、ｐ型不純物半導体領域であり、１×１０１７～１×１０１９ｃｍ－３程度のキャリア濃度を有する。第３の領域１２は、第１の領域８及び第２の領域１０と離隔して設けられている。半絶縁性ＧａＡｓを材料とする化合物半導体基板２上に特性の良い高抵抗ＩｎＳｂ層を光吸収層として直接に設けるのは困難なので、まず不純物を含んだ低抵抗なＩｎＳｂ層から成る第３の領域１２をバッファ層として化合物半導体基板２上に直接設け、この第３の領域１２上に、特性の良い高抵抗のＩｎＳｂ層から成る光吸収層として光検出領域６を設けている。なお、第２の領域１０と第３の領域１２とはつながっていても（第２の領域１０と第３の領域１２とは連続した領域として形成されていても）よい。」（【００１２】。当審注：「半絶縁性ＧａＡｓを材料とする化合物半導体基板１２上に特性の良い・・・」中の「化合物半導体基板１２」は、「化合物半導体基板２」の明らかな誤記であるので、誤記を正した上で認定した。）、

「光検出装置１は、保護膜１４と、複数の電極１６とを更に備える。保護膜１４は、ＳｉＮやＳｉＯ等を含む。保護膜１４は、光検出素子４の第２の表面４ｂを覆い、分離溝５の内側（分離溝５の側壁及び底壁）を覆う。複数の光検出素子４のそれぞれに対し、二つのコンタクトホール（コンタクトホール１４ａ及びコンタクトホール１４ｂ）が保護膜１４に設けられている。コンタクトホール１４ａは、第１の領域８上に設けられており、コンタクトホール１４ｂは、第２の領域１０上に設けられている。複数の電極１６は、複数の光検出素子４を電気的に直列接続するためのものであり、互に分離されている。電極１６は、保護膜１４上等に設けられている。電極１６は、Ｔｉ／Ａｕ又はＴｉ／Ｐｔ／Ａｕを含み、分離溝５の深さ（又は、上記の光検出素子４の厚み）以上の厚みを有し、保護膜１４を除く分離溝５内を満たしている（分離溝５内は電極１６によって充填されている）。電極１６は、コンタクトホール１４ａを介して第１の領域８に電気的に接続している。電極１６は、コンタクトホール１４ｂを介して第２の領域１０に電気的に接続している。そして、電極１６は、分離溝５を挟んで互に隣接する二つの光検出素子４の一方の第１の領域８（コンタクトホール１４ａ）から、この分離溝５を介して他方の第２の領域１０（コンタクトホール１４ｂ）に延びている。すなわち、電極１６は、分離溝５を挟んで隣接している二つの光検出素子４のうち一方の光検出素子４の第１の領域８と、他方の光検出素子４の第２の領域１０とを電気的に接続する。このように、電極１６が、分離溝５を挟んで隣接している二つの光検出素子４のうち一方の光検出素子４の第１の領域８と、他方の光検出素子４の第２の領域１０とを電気的に接続することによって、複数の光検出素子４を電気的に直列接続している。（【００１３】）、

「以上説明したように、光検出素子４は、第１の表面４ａと第２の表面４ｂとの間に、ｉ型の光検出領域６と、例えばｐ型の第１の領域８と、例えばｎ型の第２の領域１０とを有する。このように、光検出装置１は、ｉ型の光検出領域６と、ｐ型の第１の領域８と、ｎ型の第２の領域１０とが光検出素子４の二つの面の間に設けられており、ｐ型の第１の領域８に接続された電極１６とｎ型の第２の領域１０に接続された電極１６とが共に光検出素子４の主面である第２の表面４ｂに設けられたプレーナ型の構成を有している。更に、複数の光検出素子４のそれぞれは、単に分離溝５によって互に分離されている。以上のように、光検出装置１は比較的簡易な構成を有する。また、第２の領域１０（第１又は第２不純物半導体領域）は、分離溝５に面しているので、低抵抗な不純物半導体領域に分離溝を形成するため、光検出領域６からの拡散電流が低減される。また、電極１６は、分離溝５の深さ以上の厚みを有しているので、分離溝５上において十分な強度を確保できる。従って、分離溝５上や分離溝５の近傍における電極１６の破損等の発生が低減される。また、電極１６は、保護膜１４を除く分離溝５内を満たしている（分離溝５内は電極１６によって充填されている）。従って、分離溝５上や分離溝５の近傍における電極１６の破損等の発生が十分に低減される。」（【００１４】）、

「次に、光検出装置１の製造方法について説明する。まず、化合物半導体基板２を用意し、化合物半導体基板２の主面２ａ上に、ＭＢＥ（分子線エピタキシー）法やＭＯＶＰＥ（有機金属気相エピタキシー）法等を用いて第３の領域１２となる１×１０１７～１×１０１９ｃｍ－３程度のキャリア濃度を有するＩｎＳｂ層を０．５～１μｍ程度形成し、更にその上に光吸収層６となるように０．５～２μｍ程度の厚みとなるまでＩｎＳｂ化合物半導体層（５×１０１５～１×１０１７ｃｍ－３程度のキャリア濃度）をエピタキシャル成長させる（第１工程）。第１工程の次に、このＩｎＳｂ化合物半導体層内に、複数の第１及び第２不純物半導体領域を、拡散法やイオン注入法等を用いて形成する（第２工程）。具体的に説明すると、第１及び第２不純物半導体領域は、拡散法やイオン注入法等を用いて、ｎ型ドーパント又はｐ型ドーパントを、ＩｎＳｂ化合物半導体層の主面（化合物半導体基板２に接合する面の反対側にあるＩｎＳｂ化合物半導体層の面）からＩｎＳｂ化合物半導体層内に注入することによって得られる。第１及び第２不純物半導体領域は、所定の方向（具体的には、複数の光検出素子４が後に直列接続される方向）に交互に配置されるように形成される。」（【００１５】。当審注：末文の１つ前の文中、「・・・ＩｎＳｂ化合物半導体層内に注入することにって得られる」は、「・・・ＩｎＳｂ化合物半導体層内に注入することによって得られる」の明らかな誤記であるので、誤記を正した上で認定した。）、

「第２工程の次に、ウエットエッチングまたは、ドライエッチング等を用いて、上記所定の方向に沿って等間隔に複数の分離溝５をＩｎＳｂ化合物半導体層に設ける（第３工程）。これによって、ＩｎＳｂ化合物半導体層が複数の光検出素子４に分割される。よって、複数の光検出素子４のそれぞれは、分離溝５によって互に分離される。第３工程の次に、光検出素子４上等に保護膜１４を形成する（第４工程）。具体的に説明すると、保護膜１４は、光検出素子４の第２の表面４ｂと、分離溝５の内側（分離溝５の側壁及び底壁）とを覆うように形成される。」（【００１６】）、

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「第４工程の次に、クエン酸＋過酸化水素や塩酸＋過酸化水素等の酸によるウエットエッチング又はＩＣＰエッチングやイオンミリングなどのドライエッチング等を用いて、複数のコンタクトホール１４ａ及びコンタクトホール１４ｂを、保護膜１４に形成する（第５工程）。具体的に説明すると、第１の領域８上にコンタクトホール１４ａを形成し、第２の領域１０上にコンタクトホール１４ｂを形成する。コンタクトホール１４ａ及びコンタクトホール１４ｂが形成されたことによって、第１の領域８の表面の一部と、第２の領域１０の表面の一部とが露出される。」（【００１７】）、

「第５工程の次に、電極１６を保護膜１４上等に形成する（第６工程）。具体的に説明すると、保護膜１４上（分離溝５内を含む）と、コンタクトホール１４ａ内及びコンタクトホール１４ｂ内とに、Ｔｉ／Ａｕ又はＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ等の金属材料の金属膜を抵抗加熱やＥＢなどで蒸着する。コンタクトホール１４ａ内、コンタクトホール１４ｂ内及び分離溝５内は、この金属膜の金属材料によって充填される。このようにして形成された金属膜は、コンタクトホール１４ａ及びコンタクトホール１４ｂを介して、第１の領域８及び第２の領域１０に電気的に接続される。このような抵抗加熱やＥＢなどの蒸着の後、リフトオフ法等を用いて、上記金属膜を複数の電極１６に分割する。」（【００１８】）、

「上記の実施例においては、光吸収領域（光検出領域６）としてＩｎＳｂを用いた５μｍ程度前後の波長帯の光検出素子について述べているが、これに限らない。例えば、この光吸収領域（光検出領域６）としてＩｎＡｓｘＳｂ１－ｘを用いることにより、１０μｍ程度前後の波長帯の光検出素子としてもよい。」（【００１９】）

（イ）【００１９】には、「光吸収領域（光検出領域６）としてＩｎＳｂを用いた５μｍ程度前後の波長帯の光検出素子」に係る態様（以下「ＩｎＳｂ態様」という。）と、「光吸収領域（光検出領域６）としてＩｎＡｓｘＳｂ１－ｘを用いることにより、１０μｍ程度前後の波長帯の光検出素子とし」た態様（以下「ＩｎＡｓＳｂ態様」という。）とが記載されているところ、これらのうち、ＩｎＡｓＳｂ態様の製造方法について、引用文献１にいかなる構成が記載されているのかを検討する。

ａ まず、【００１９】によれば、ＩｎＡｓＳｂ態様は、ＩｎＳｂ態様における「光吸収領域（光検出領域６）」の「ＩｎＳｂ」を「ＩｎＡｓｘＳｂ１－ｘ」に置換したものであることがわかる。

そうすると、ＩｎＡｓＳｂ態様では、「第２工程」（【００１５】）及び「第３工程」（【００１６】）における「ＩｎＳｂ化合物半導体層」（この層が「光吸収層６」となる。【００１５】参照。）が「ＩｎＡｓｘＳｂ１－ｘ化合物半導体層」に置換されていると認められる。

ｂ 次に、ＩｎＡｓＳｂ態様では、「第１工程」（【００１５】）における「第３の領域１２」となる「ＩｎＳｂ層」がどうなっているのかは、引用文献１に明記がない。

他方、【００１２】の「半絶縁性ＧａＡｓを材料とする化合物半導体基板２上に特性の良い高抵抗ＩｎＳｂ層を光吸収層として直接に設けるのは困難なので、まず不純物を含んだ低抵抗なＩｎＳｂ層から成る第３の領域１２をバッファ層として化合物半導体基板２上に直接設け、この第３の領域１２上に、特性の良い高抵抗のＩｎＳｂ層から成る光吸収層として光検出領域６を設けている。」の記載によれば、ＩｎＳｂ態様では、「第３の領域１２」となる「ＩｎＳｂ層」が「バッファ層」として用いられていることがわかる。そして、ＩｎＡｓＳｂ態様では、当該記載中の「特性の良い高抵抗ＩｎＳｂ層」が「ＩｎＡｓｘＳｂ１－ｘ化合物半導体層」に置換されることになるといえるから、第３の領域１２であるバッファ層上には当該「ＩｎＡｓｘＳｂ１－ｘ化合物半導体層」が設けられていることになる。しかるに、バッファ層とその上に設けられた層とを同様の組成の層から構成することは技術常識である。

そうすると、ＩｎＡｓＳｂ態様では、「第３の領域１２」である「ＩｎＳｂ層」が「ＩｎＡｓｘＳｂ１－ｘ層」に置換されていることが、引用文献１に記載されているに等しいと認められる。

イ 上記アによれば、引用文献１には、ＩｎＡｓＳｂ態様、すなわち、「光吸収領域（光検出領域６）としてＩｎＡｓｘＳｂ１－ｘを用いることにより、１０μｍ程度前後の波長帯の光検出素子とし」た態様の製造方法について、次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。なお、引用発明１の認定に用いた段落番号等を参考までに括弧内に付してある。

「光検出装置１の製造方法であって、

化合物半導体基板２を用意し、化合物半導体基板２の主面２ａ上に、ＭＢＥ（分子線エピタキシー）法やＭＯＶＰＥ（有機金属気相エピタキシー）法等を用いて第３の領域１２となる１×１０１７～１×１０１９ｃｍ－３程度のキャリア濃度を有するＩｎＡｓｘＳｂ１－ｘ層を０．５～１μｍ程度形成し、更にその上に光吸収層６となるように０．５～２μｍ程度の厚みとなるまでＩｎＡｓｘＳｂ１－ｘ化合物半導体層（５×１０１５～１×１０１７ｃｍ－３程度のキャリア濃度）をエピタキシャル成長させる第１工程と、（【００１５】、上記ア（イ）ｂ）

第１工程の次に、このＩｎＡｓｘＳｂ１－ｘ化合物半導体層内に、複数の第１及び第２不純物半導体領域を、拡散法やイオン注入法等を用いて形成し、第１及び第２不純物半導体領域は、所定の方向に交互に配置されるように形成される、第２工程と、（【００１５】、上記ア（イ）ａ）、

第２工程の次に、ドライエッチングを用いて、上記所定の方向に沿って等間隔に複数の分離溝５をＩｎＡｓｘＳｂ１－ｘ化合物半導体層に設け、これによって、ＩｎＡｓｘＳｂ１－ｘ化合物半導体層が複数の光検出素子４に分割される、第３工程と、（【００１６】、上記ア（イ）ａ）

を含み、

第３の領域１２は、光検出素子４内に埋め込まれており、（【００１２】）

光吸収領域（光検出領域６）としてＩｎＡｓｘＳｂ１－ｘを用いることにより、１０μｍ程度前後の波長帯の光検出素子とした、（【００１９】）

光検出装置１の製造方法。」

（２）対比

本願発明と引用発明１とを対比する。

ア 本願発明の「光検出器のアレイを作る方法であって、」との特定事項について

（ア）引用発明１の「光検出素子４」は、本願発明の「光検出器」に相当する。

（イ）引用発明１は、「光検出装置１の製造方法」であって、「ＩｎＡｓｘＳｂ１－ｘ化合物半導体層が複数の光検出素子４に分割される、第３工程」を備えるものであるから、本願発明でいう「光検出器のアレイを作る方法」であるといえる。

（ウ）よって、引用発明１は、本願発明の上記特定事項を備える。

イ 本願発明の「隣接し合う光検出器の間に画定された少なくとも１つのトレンチ（２００）を含む、ＩｎＡｓＳｂから形成された前記光検出器のアレイを提供すること、」との特定事項について

（ア）引用発明１の「複数の分離溝５」は、本願発明の「少なくとも１つのトレンチ」に相当する。

（イ）引用発明１は、「上記所定の方向に沿って等間隔に複数の分離溝５をＩｎＡｓｘＳｂ１－ｘ化合物半導体層に設け、これによって、ＩｎＡｓｘＳｂ１－ｘ化合物半導体層が複数の光検出素子４に分割される」ものであるから、上記「複数の分離溝５」は、本願発明１でいう「隣接し合う光検出器の間に画定された」ものといえる。

（ウ）引用発明１は、「光吸収領域（光検出領域６）としてＩｎＡｓｘＳｂ１－ｘを用いる」ものであるとともに、「光検出素子４内に埋め込まれ」た「第３の領域１２」が「ＩｎＡｓｘＳｂ１－ｘ層」からなるから、引用発明１の「光検出素子４」（本願発明の「光検出器」に相当。）は、本願発明でいう「ＩｎＡｓＳｂから形成された」ものといえる。

（エ）よって、引用発明１は、本願発明の上記特定事項を備える。

ウ 本願発明の「並びに ＢＣｌ３及びＡｒを含むプラズマを用いて前記少なくとも１つのトレンチをドライエッチングすること」との特定事項について

（ア）引用発明１は、第２工程の次に、ドライエッチングを用いて、上記所定の方向に沿って等間隔に複数の分離溝５をＩｎＡｓｘＳｂ１－ｘ化合物半導体層に設け」るものであるから、本願発明でいう「前記少なくとも１つのトレンチをドライエッチングする」との特定事項を備える。

（イ）しかしながら、引用発明１は、「ドライエッチング」を「ＢＣｌ３及びＡｒを含むプラズマを用いて」するとの特定事項を備えない。

エ 本願発明の「を含む方法。」との特定事項について

上記アによれば、引用発明１は、本願発明の上記特定事項を備える。

（３）一致点及び相違点の認定

上記（２）によれば、本願発明と引用発明１とは、

「光検出器のアレイを作る方法であって、

隣接し合う光検出器の間に画定された少なくとも１つのトレンチ（２００）を含む、ＩｎＡｓＳｂから形成された前記光検出器のアレイを提供すること、並びに

前記少なくとも１つのトレンチをドライエッチングすること

を含む方法。」である点で一致し、次の点で相違する。

［相違点］

前記少なくとも１つのトレンチについてのドライエッチングを、本願発明は「ＢＣｌ３及びＡｒを含むプラズマを用いて」するのに対し、引用発明１はそうではない点。

（４）相違点の判断

ア 半導体のドライエッチングをＢＣｌ３及びＡｒを含むプラズマを用いて行うことは周知技術である（例えば、特表２０１３－５１０４４２号公報の【０００４】、特表２００８－５１０３０３号公報の【００１５】・図２、特開平９－１７１９９０号公報の【００１９】～【００２３】、特開平１０－２７７８３号公報の【００１５】・【００１６】を参照。いずれも原査定が提示したものである。）。

そうすると、引用発明１において、前記少なくとも１つのトレンチについてのドライエッチングを、ＢＣｌ３及びＡｒを含むプラズマを用いて行うようにして、相違点に係る構成とすることは、当業者が適宜なし得たことである。

イ なお、仮に、上記（１）ア（イ）ｂにおいて、ＩｎＡｓＳｂ態様では、「第３の領域１２」である「ＩｎＳｂ層」が「ＩｎＡｓｘＳｂ１－ｘ層」に置換されたものであることが、引用文献１に記載されているに等しいとまでいえないとすると、本願発明と引用発明１とは、「前記検出器のアレイ」が、本願発明は「ＩｎＡｓＳｂから形成され」ているのに対し、引用発明１はそうであるのか不明である点でも相違する。

しかしながら、上記（１）ア（イ）ｂで説示したことによれば、引用発明１の「第３の領域１２」として、「ＩｎＡｓｘＳｂ１－ｘ層」ないし「ＩｎＡｓＳｂ層」を採用して、当該相違点に係る構成とすることは、当業者が適宜なし得たことといえる。

ウ 相違点のようにしたことによる効果は、格別とはいえないものである。

エ したがって、本願発明は、引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。

第４ むすび

以上のとおり、本件第１補正は、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしておらず、また、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。

よって、結論のとおり審決する。