2017-700530

特許第６０３４６００号発明「有機電界発光素子」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

【結　論】 特許６０３４６００号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１－１３〕について訂正することを認める。 特許６０３４６００号の請求項１、２、４ないし１３に係る特許を維持する。 特許６０３４６００号の請求項３についての異議申立てを却下する。

【理　由】 第１　手続の経緯 特許第６０３４６００号の請求項１～１３に係る発明についての出願は、平成２４年６月１２日に特許出願され、平成２８年１１月４日にその発明について特許の設定登録がされ、その後、その特許について、平成２９年５月２９日付けで特許異議申立人安岡重典により特許異議の申立てがなされ、平成２９年８月２日付けで取消理由が通知され、その指定期間内である同年１１月７日に意見書の提出及び訂正請求がなされ、同年１２月１４日に特許異議申立人安岡重典から意見書が提出され、平成３０年１月１７日付けで取消理由（決定の予告）を通知し、同年４月２３日付けで意見書が提出されたものである。 第２　訂正の適否 １　訂正の内容 本件訂正請求による訂正の内容は、以下のとおりである。 （１）訂正事項１ 請求項１に「Ｅ１（ＬＵＭＯ）＞Ｅ２（ＬＵＭＯ）」と記載されているのを、「Ｅ１（ＬＵＭＯ）＞Ｅ２（ＬＵＭＯ）＋０．５ｅＶ」に訂正する。 （２）訂正事項２ 請求項３を削除する。 （３）訂正事項３ 請求項４に「請求項１～３のいずれか一項」と記載されているのを、「請求項１または２」に訂正する。 （４）訂正事項４ 請求項５に「請求項１～４のいずれか一項」と記載されているのを、「請求項１、２、４のいずれか一項」に訂正する。 （５）訂正事項５ 請求項６に「請求項１～５のいずれか一項」と記載されているのを、「請求項１、２、４、５のいずれか一項」に訂正する。 （６）訂正事項６ 請求項７に「請求項１～６のいずれか一項」と記載されているのを、「請求項１、２、４～６のいずれか一項」に訂正する。 （７）訂正事項７ 請求項８に「請求項１～７のいずれか一項」と記載されているのを、「請求項１、２、４～７のいずれか一項」に訂正する。 （８）訂正事項８ 請求項９に「請求項１～８のいずれか一項」と記載されているのを、「請求項１、２、４～８のいずれか一項」に訂正する。 （９）訂正事項９ 請求項１１に「請求項１～１０のいずれか一項」と記載されているのを、「請求項１、２、４～１０のいずれか一項」に訂正する。 （１０）訂正事項１０ 請求項１２に「請求項１～１０のいずれか一項」と記載されているのを、「請求項１、２、４～１０のいずれか一項」に訂正する。 （１１）訂正事項１１ 請求項１３に「請求項１～１０のいずれか一項」と記載されているのを、「請求項１、２、４～１０のいずれか一項」に訂正する。 ２　訂正の目的の適否 （１）訂正事項１は、特許請求の範囲の請求項１における「ＬＵＭＯのエネルギーＥ１（ＬＵＭＯ）」の下限を、「Ｅ２（ＬＵＭＯ）」から、「Ｅ２（ＬＵＭＯ）＋０．５ｅＶ」へ減縮するものといえる。 したがって、訂正事項１は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる事項を目的とするものといえる。 （２）訂正事項２は、特許請求の範囲の請求項３を削除するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる事項を目的とするものといえる。 （３）訂正事項３～１１は、いずれも、引用請求項から請求項３を除くものであって、訂正事項２との整合を図るものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第３号に掲げる事項を目的とするものといえる。 ３　新規事項の有無 （１）訂正事項１について 願書に添付した明細書の段落【００３８】には、「第１正孔輸送層に含まれる材料のＬＵＭＯのエネルギーＥ１（ＬＵＭＯ）と、第２正孔輸送層に含まれる材料のＬＵＭＯのエネルギーＥ２（ＬＵＭＯ）とが、Ｅ１（ＬＵＭＯ）＞Ｅ２（ＬＵＭＯ）＋０．４ｅＶを満たすことがより好ましく、Ｅ１（ＬＵＭＯ）＞Ｅ２（ＬＵＭＯ）＋０．５ｅＶを満たすことが更に好ましい。」（下線は当審で付与した。）との記載がある。当該記載に基づけば、訂正事項１は、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内においてされたものといえる。 （２）訂正事項２～１１について 訂正事項２は、請求項を削除するものであり、訂正事項３～１１は、いずれも、訂正事項２との整合を図るものである。訂正事項２～１１が、願書に添付した明細書又は特許請求の範囲に記載した事項の範囲内においてなされたものであることは明らかである。 （３）以上のとおりであるから、訂正事項１～１１は、いずれも、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合する。 ４　一群の請求項及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否 訂正事項１は、「ＬＵＭＯのエネルギーＥ１（ＬＵＭＯ）」の範囲を減縮するものであって、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。また、訂正事項２は、請求項を削除するものであり、訂正事項３～１１は、いずれも、訂正事項２との整合を図るものであるから、これらの訂正事項も、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 また、訂正前の請求項１～１３は、請求項２～１３が訂正請求の対象である請求項１の記載を引用する関係にあるから、訂正前において一群の請求項に該当するものである。したがって、これら訂正は一群の請求項ごとに請求されたものであるから、特許法第１２０条の５第４項の規定に適合する。 ５　むすび 以上のとおり、訂正請求による訂正事項１～１１は、いずれも、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号及び第３号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第９項で準用する同法第１２６条第４項ないし第６項の規定に適合するので、当該訂正を認める。 第３　取消理由についての判断 １　訂正請求項１ないし１３に係る発明 上記訂正請求により訂正された本件特許の請求項１ないし１３に係る発明は、以下のとおりのものである。 「【請求項１】 陽極と、正孔注入層と、該正孔注入層に直接接合している第１正孔輸送層と、第２正孔輸送層と、発光層と、陰極と、をこの順に有する有機電界発光素子であって、 該正孔注入層は最低空軌道（ＬＵＭＯ）のエネルギーが－４．０ｅＶよりも小さい材料を含み、かつ、該第１正孔輸送層に含まれる材料のＬＵＭＯのエネルギーＥ１（ＬＵＭＯ）と、該第２正孔輸送層に含まれる材料のＬＵＭＯのエネルギーＥ２（ＬＵＭＯ）とが、Ｅ１（ＬＵＭＯ）＞Ｅ２（ＬＵＭＯ）＋０．５ｅＶを満たす有機電界発光素子。 【請求項２】 前記第１正孔輸送層が下記一般式（１）～（３）のいずれかで表される材料の少なくとも１種を含む、請求項１に記載の有機電界発光素子。 【化１】 上記一般式（１）～（３）中、Ｍは下記構造を表す。ＭがＸと結合する場合は、Ｍは結合するＸの数だけ下記構造のベンゼン環から水素原子を除いた構造を表す。 【化２】 （Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、それぞれ独立して、アルキル基、シクロアルキル基、シリル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基及びアリールチオ基のいずれかを表す。Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、それぞれ結合して環を形成してもよい。） Ｘは、それぞれ独立して、下記構造のいずれかを表す。 【化３】 （Ｒ４及びＲ５は、それぞれ独立して、アルキル基、シクロアルキル基、シリル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基及びアリールチオ基のいずれかを表す。Ｒ４及びＲ５が結合して環を形成してもよい。） ｎは０以上の整数を表す。 【請求項３】（削除） 【請求項４】 前記第２正孔輸送層が下記一般式（４）又は（５）で表される材料の少なくとも１種を含む、請求項１または２に記載の有機電界発光素子。 【化４】 上記一般式（４）および（５）中、 Ａｒ１及びＡｒ２は、それぞれ独立して、アリール基を表す。Ａｒ１及びＡｒ２のアリール基は、アルキル基、アリール基又はアミノ基で置換されていてもよい。 Ａｒ３は、アルキル基又はアリール基で置換されたアミノ基を表す。Ａｒ３のアミノ基に置換するアリール基は、更にアルキル基、アリール基又はアミノ基で置換されていてもよく、Ａｒ３のアミノ基に置換するアルキル基又はアリール基は、Ａｒ３のアミノ基に置換する他のアルキル基又はアリール基と結合して環を形成してもよい。 Ｚは、下記構造のいずれかを表す。 【化５】 （Ｒ６～Ｒ８は、それぞれ独立して、アルキル基又はアリール基を表す。Ｒ６～Ｒ８のアリール基は、アルキル基、アリール基又はアミノ基で置換されていてもよい。） 【請求項５】 前記正孔注入層に含まれる、ＬＵＭＯのエネルギーが－４．０ｅＶよりも小さい材料が、下記一般式（Ａ）で表される材料である、請求項１、２、４のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。 【化６】 ここでＲｐｉはπ電子を４個以上含む有機基を示し、jは１～８の整数を示す。 【請求項６】 前記第１正孔輸送層の膜厚が３～３０ｎｍである、請求項１、２、４、５のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。 【請求項７】 前記第２正孔輸送層の膜厚が３～３０ｎｍである、請求項１、２、４～６のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。 【請求項８】 前記発光層と前記陰極との間に、更に電子輸送層を有する、請求項１、２、４～７のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。 【請求項９】 前記発光層は発光性ドーパントとホスト材料とを含有し、該発光性ドーパントが燐光発光材料である、請求項１、２、４～８のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。 【請求項１０】 前記燐光発光材料がイリジウム系錯体である、請求項９に記載の有機電界発光素子。 【請求項１１】 請求項１、２、４～１０のいずれか一項に記載の有機電界発光素子を用いた発光装置。 【請求項１２】 請求項１、２、４～１０のいずれか一項に記載の有機電界発光素子を用いた表示装置。 【請求項１３】 請求項１、２、４～１０のいずれか一項に記載の有機電界発光素子を用いた照明装置。」（以下、それぞれ「本件特許発明１」、「本件特許発明２」、「本件特許発明４」～「本件特許発明１３」という。） ２　証拠について 特許異議申立人安岡重典により提示された証拠は以下のとおりである。 甲第１号証．特表２００７－５１８２２０号公報 甲第２号証．特開２００８－９８６１５号公報 甲第３号証．特開２００９－２００４９３号公報 甲第４号証．特表２０１２－５０２４８５号公報 甲第５号証．特開２００９－９９９６７号公報 甲第６号証．米国特許出願公開第２０１１／０２９７９２５号明細書 甲第７号証．Yong-Ki Kim 外２名, Energy level alignment at a charge generation interface between 4,4'-bis(N-phenyl-1- naphthylamino)biphenyl and 1,4,5,8,9,11- hexaazatriphenylene-hexacarbonitrile, APPLIED PHYSICS LETTERS, vol.94, p.063305-1～063305-3, 2009 ３　取消理由の概要 訂正後の請求項１、２、４～１３に係る特許に対して、平成３０年１月１７日付けで特許権者に通知した取消理由（以下、「本件取消理由」という。）の要旨は、次のとおりである。 本件特許発明１、２、４～１３は、当業者が甲第１号証に記載された発明及び甲第２～７号証に記載された事項に基づいて容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、本件特許発明１、２、４～１３に係る特許は取り消されるべきものである。 ４　引用刊行物の記載事項及び引用発明 （１）甲第１号証 ア　本件取消理由に引用され、本件特許の出願前の平成１９年７月５日に頒布された刊行物である甲第１号証（特表２００７－５１８２２０号公報）には、図面とともに、以下の事項が記載されている。（なお、以下の下線は合議体が引用発明の認定等に用いた箇所を示すために付与したものである。他方、甲第１号証に付されていた下線を省略している。以下同様。） （ア）　「【００２５】 有機発光素子 有機発光素子は、正極、負極及び前記正極と負極との間に位置するｐ型有機物層を備える。前記ｐ型有機物層は、正孔注入層、正孔輸送層、または発光層を備える。前記有機発光素子はまた、前記ｐ型正孔注入層と負極との間に位置する少なくとも一つの有機物層をさらに備えうる。前記有機発光素子が複数の有機物層を備える場合、前記有機物層は、同じ物質または異なる物質で形成されうる。図３は、本発明の例示的な一具現例による有機発光素子を表す。 【００２６】 図３を参照すれば、有機発光素子は、基板３１、基板３１上の正極３２、正極３２上に位置し、正極３２から正孔を受けるｐ型正孔注入層（ＨＩＬ：Ｈｏｌｅ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ）３３、ＨＩＬ ３３上に位置し、発光層（ＥＭＬ：Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｌａｙｅｒ）３５に正孔を伝達する正孔輸送層（ＨＴＬ：Ｈｏｌｅ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｎｇ Ｌａｙｅｒ）３４、ＨＴＬ ３４上に位置し、正孔及び電子を利用して発光するＥＭＬ ３５、ＥＭＬ ３５上に位置し、負極３７からの電子をＥＭＬ ３５に輸送する電子輸送層（ＥＴＬ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｎｇ Ｌａｙｅｒ）３６及びＥＴＬ ３６上に位置する負極３７を備えうる。ＨＴＬ ３４、ＥＭＬ ３５、及びＥＴＬ ３６は、同じ有機物質でまたは異なる有機物質で形成されうる。 【００２７】 本発明の例示的な他の具現例によれば、有機発光素子は、基板３１、基板３１上に位置する正極３２、正極３２上に位置するｐ型ＨＴＬ ３４、ＨＴＬ ３４上に位置するＥＭＬ ３５、ＥＭＬ ３５上に位置するＥＴＬ ３６及びＥＴＬ ３６上に位置する負極３７を含みうる。ＥＭＬ ３５及びＥＴＬ ３６は、同じ有機物質でまたは異なる有機物質で形成されうる。 【００２８】 本発明の例示的なさらに他の具現例によれば、有機発光素子は、基板３１、基板３１上の正極３２、正極３２上に位置するｐ型ＥＭＬ ３５、ＥＭＬ ３５上に位置するＥＴＬ ３６及びＥＴＬ ３６上に位置する負極３７を備えうる。ＥＴＬ ３６は、有機物質で形成されうる。 【００２９】 図３を再び参照すれば、正極３２は、正孔をＨＩＬ ３３、ＨＴＬ ３４、またはＥＭＬ ３５に正孔を輸送し、導電層３２ａ及びｎ型有機物層３２ｂを備える。導電層３２ａは、金属、金属酸化物、または導電性ポリマーで形成される。ｎ型有機物層３２ｂのＬＵＭＯエネルギー準位と導電層３２ａのフェルミエネルギー準位とのエネルギー差は、約２ｅＶ以下であり、望ましくは、約１ｅＶ以下である。ｎ型有機物層３２ｂのＬＵＭＯエネルギー準位とｐ型ＨＩＬ３３のＨＯＭＯエネルギー準位とのエネルギー差は、約１ｅＶ以下であり、望ましくは、約０.５ｅＶ以下である。ＮＰ接合が正極３２のｎ型有機物層３２ｂとｐ型ＨＩＬ ３３との間で形成される。」 （合議体注：図３は以下の図である。） （イ）　「【００３２】 図４は、有機発光素子の理想的なエネルギー準位を示す。このエネルギー準位で、正極及び負極からそれぞれ正孔及び電子を注入するためのエネルギー損失が最小化される。図５は、本発明の例示的な一具現例による有機発光素子のエネルギー準位を示す。 【００３３】 図５を参照すれば、本発明の他の例示的な具現例による有機発光素子は、導電層及びｎ型有機物層（図３参照）を有する正極、ｐ型ＨＩＬ、ＨＴＬ、ＥＭＬ、ＥＴＬ及び負極を備える。前記正極のｎ型有機物層のＬＵＭＯエネルギー準位と前記正極の導電層のフェルミエネルギー準位とのエネルギー差は、約２ｅＶ以下であり、また、前記正極のｎ型有機物層のＬＵＭＯエネルギー準位とｐ型ＨＩＬのＨＯＭＯエネルギー準位とのエネルギー差は、約１ｅＶ以下である。正孔／電子注入または抽出のためのエネルギー障壁が前記正極のｎ型有機物層によって低くなったため、前記正極のｎ型有機物層のＬＵＭＯエネルギー準位及び前記ｐ型ＨＩＬのＨＯＭＯエネルギー準位を利用して、正孔は、正極からＥＭＬに容易に輸送される。」 （合議体注：図５は以下の図である。） （ウ）　「【００３８】 正極 正極は、ＨＩＬ、ＨＴＬまたはＥＭＬのようなｐ型有機物層内に正孔を注入する。前記正極は、導電層とｎ型有機物層とを備える。前記導電層は、金属、金属酸化物または導電性ポリマーを含む。前記導電性ポリマーは、導電性ポリマーを含みうる。 【００３９】 前記ｎ型有機物層は、ｐ型有機物層に正孔注入のためのエネルギー障壁を低めるため、前記導電層は、多様な導電性物質で形成されうる。例えば、前記導電層は、約３.５ないし５.５ｅＶのフェルミエネルギー準位を有する。例示的な導電性物質の例は、炭素、アルミニウム、バナジウム、クロム、銅、亜鉛、銀、金、その他の金属及びこれらの合金；酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化スズ、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ：インジウム Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、酸化インジウム亜鉛及びその他のこれと類似した酸化金属；ＺｎＯ：Ａｌ及びＳｎＯ２：Ｓｂのような酸化物と金属との混合物がある。有機発光素子が前面発光型である場合には、前記導電層として透明物質だけでなく、光反射率に優れた不透明物質も使われうる。背面発光型の有機発光素子の場合には、前記導電層として透明物質でなければならず、もし、不透明物質が使われる場合には、透明になるほどと薄膜に形成されねばならない。」 （エ）　「【００４０】 ｎ型有機物層が前記導電層とｐ型有機物層との間に位置し、低電界で正孔をｐ型有機物層に注入する。ｎ型有機物層は、前記正極のｎ型有機物層のＬＵＭＯエネルギー準位と前記正極の導電層のフェルミエネルギー準位とのエネルギー差が約２ｅＶ以下であり、前記ｎ型有機物層のＬＵＭＯエネルギー準位と前記ｐ型有機物層のＨＯＭＯエネルギー準位とのエネルギー差が約１ｅＶ以下となるように選択される。 【００４１】 前記ｎ型有機物層は、例えば、約４ないし７ｅＶのＬＵＭＯエネルギー準位及び約１０－８ｃｍ２／Ｖｓないし約１ｃｍ２／Ｖｓ、望ましくは、約１０－６ｃｍ２／Ｖｓないし約１０－２ｃｍ２／Ｖｓの電子移動度を有する。電子移動度が約１０－８ｃｍ２／Ｖｓ未満であれば、ｎ型有機物層からｐ型有機物層に正孔を注入し難い。電子移動度が約１ｃｍ２／Ｖｓを超えれば、このような物質は、非結晶性ではなく、結晶性である。このような結晶性有機物は、有機発光素子に適用し難い。 【００４２】 前記ｎ型有機物層は、真空蒸着または溶液プロセスで形成されうる。前記ｎ型有機物は、これに限定されるものではないが、２,３,５,６－テトラフルオロ－７,７,８,８－テトラシアノキノジメタン（Ｆ４ＴＣＮＱ）、フッ素置換の３,４,９,１０－ぺリレンテトラカルボン酸二無水物（ＰＴＣＤＡ）、シアノ置換のＰＴＣＤＡ、ナフタレンテトラカルボン酸二無水物（ＮＴＣＤＡ）、フッ素置換のＮＴＣＤＡ、シアノ置換のＮＴＣＤＡまたはヘキサニトリルヘキサアザトリフェニレン（ＨＡＴ）を含む。」 （オ）　「【００４３】 ＨＩＬまたはＨＴＬ ＨＩＬまたはＨＴＬは、正極と負極との間に位置するｐ型有機物層で形成されうる。前記ｐ型ＨＩＬまたはｐ型ＨＴＬと前記ｎ型有機物層とは、ＮＰ接合を形成するので、このＮＰ接合で形成された正孔は、前記ｐ型ＨＩＬまたはｐ型ＨＴＬを通じてＥＭＬに輸送される。 【００４４】 前記ｐ型ＨＩＬまたはｐ型ＨＴＬのＨＯＭＯエネルギー準位は、例えば、前記ｎ型有機物層のＬＵＭＯエネルギー準位に対して約１ｅＶ以下のエネルギー差、望ましくは、約０.５ｅＶのエネルギー差を有する。前記ｐ型ＨＩＬまたはｐ型ＨＴＬは、アリールアミン系化合物、導電性ポリマー、または共役部分と非共役部分とが共にあるブロック共重合体を含むが、これに限定されるものではない。」 （カ）　「【００６５】 前記ＨＡＴをガラス表面に蒸着して形成された有機物を利用して、他のＵＶ－ＶＩＳスペクトルを得、吸収エッジを分析した結果、約３.２６ｅＶのバンドギャップを有することが分かった。したがって、ＨＡＴのＬＵＭＯは、約６.５４ｅＶの値を有することが分かる。この値は、ＨＡＴ物質のエキシトン結合エネルギーによって変化されうる。約６.５４ｅＶのＨＯＭＯエネルギーは、約６.０２ｅＶのフェルミ準位より大きい値であるので、ＬＵＭＯ準位がフェルミ準位よりさらに小さな値を有するためには、エキシトン結合エネルギーが約０.５２ｅＶ以上でなければならない。有機物のエキシトン結合エネルギーは、通常、約０.５ｅＶないし約１ｅＶの値を有するので、前記ＨＡＴのＬＵＭＯ準位は、約５.５４ないし６.０２ｅＶの値を有する。」 （キ）　「【００６８】 前記ＩＴＯ電極上に約１００Åの厚さのＨＡＴを熱真空蒸着してＩＴＯ導電層及びＨＡＴ ｎ型有機物層を有する正極を形成した。次いで、約１５００Åの厚さの４,４’－ビス［Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－フェニルアミノ］ビフェニル（ＮＰＢ）及び約５００Åの厚さのアルミニウムを順次に真空蒸着して、それぞれｐ型ＨＴＬ及び負極を形成して“素子Ａ”を製作した。前記有機物及びアルミニウムの蒸着速度は、それぞれ０.４～０.７Å／ｓｅｃ、及び２Å／ｓｅｃであった。前記蒸着時の真空度は、約２Ｘ１０－７ないし５Ｘ１０－８ｔｏｒｒであった。」 （ク）　「【００７３】 蒸溜水洗浄が終われば、イソプロピルアルコール、アセトン、メタノール溶剤の順序で超音波洗浄して乾燥させた。前記ガラス基板上に約５００Åの厚さのＡｌを真空蒸着し、前記Ａｌ導電層上に約１００Åの厚さのＨＡＴ ｎ型有機物層を熱真空蒸着してＡｌ導電層及びＨＡＴ ｎ型有機物層を有する正極を形成した。次いで、約１５００Åの厚さの４,４’－ビス［Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－フェニルアミノ］ビフェニル（ＮＰＢ）及び約５００Åの厚さのアルミニウムを順次に熱真空蒸着して、それぞれｐ型ＨＴＬ及び負極を形成した。」 （ケ）　「【００７８】 前記ＩＴＯ上に約５００Åの厚さのＨＡＴを熱真空蒸着してＩＴＯ導電層及びＨＡＴ ｎ型有機物層を有する透明正極を形成した。ＨＡＴのＨＯＭＯエネルギー準位は、約９.７８ｅＶであった。次いで、約４００Åの厚さ及び約５.４ｅＶのＨＯＭＯ準位を有する４,４’－ビス［Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－フェニルアミノ］ビフェニル（ＮＰＢ）を真空蒸着して、ｐ型ＨＴＬを形成した。前記ｐ型ＨＴＬ上に約５.７ｅＶのＨＯＭＯ準位を有するＡｌｑ３を約３００Åの厚さに真空蒸着して、ＥＭＬを形成させた。」 （コ）　「【００８８】 次いで、約６００Åの厚さ及び約５.４６ｅＶのＨＯＭＯ準位を有する４,４’－ビス［Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－フェニルアミノ］ビフェニル（ＮＰＢ）を真空蒸着してｐ型ＨＴＬを形成した。前記ｐ型ＨＴＬ上に約５.６２ｅＶのＨＯＭＯ準位及び約３００Åの厚さのＡｌｑ３を真空蒸着して電子輸送及びＥＭＬを形成させた。前記電子輸送及びＥＭＬ上に約１２Åの厚さのＬｉＦ薄膜と約２５００Åの厚さのＡｌとを順次に真空蒸着して負極を形成した。」 （サ）　「【００９８】 次いで、約４００Åの厚さ及び約５.４６ｅＶのＨＯＭＯエネルギー準位を有する４,４’－ビス［Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－フェニルアミノ］ビフェニル（ＮＰＢ）を真空蒸着して、ｐ型ＨＴＬを形成した。前記ｐ型ＨＴＬ上に約５.６２ｅＶのＨＯＭＯ準位及び約５００Åの厚さのＡｌｑ３を真空蒸着して、電子輸送及びＥＭＬを形成させた。前記電子輸送及びＥＭＬ上に約１２Åの厚さのＬｉＦ薄膜と約２５００Åの厚さのＡｌとを順次に真空蒸着して負極を形成した。」 イ　上記記載事項（イ）から、甲第１号証には次の技術事項が示されている。 甲第１号証の図５には、ｎ型有機物層、正孔注入層（ＨＩＬ）、正孔輸送層（ＨＴＬ）、発光層（ＥＭＬ）、電子輸送層（ＥＴＬ）のそれぞれのＬＵＭＯ及びＨＯＭＯのエネルギー準位の関係が示されており、正孔注入層のＬＵＭＯのエネルギー準位が正孔輸送層のＬＵＭＯのエネルギー準位よりも高いことが図示されている。 記載事項（イ）の「図４は、有機発光素子の理想的なエネルギー準位を示す。このエネルギー準位で、正極及び負極からそれぞれ正孔及び電子を注入するためのエネルギー損失が最小化される。図５は、本発明の例示的な一具現例による有機発光素子のエネルギー準位を示す。」との記載に基づけば、甲第１号証には、「正極及び負極からそれぞれ正孔及び電子を注入するためのエネルギー損失を最小化するために、正孔注入層のＬＵＭＯのエネルギー準位が正孔輸送層のＬＵＭＯのエネルギー準位よりも高いことを含む、ｎ型有機物層、正孔注入層（ＨＩＬ）、正孔輸送層（ＨＴＬ）、発光層（ＥＭＬ）、電子輸送層（ＥＴＬ）のそれぞれのＬＵＭＯ及びＨＯＭＯのエネルギー準位の関係を満たすこと」が開示されているといえる。 ウ　以上の記載事項（ア）、（ウ）、（エ）及び上記技術事項に基づけば、甲第１号証には、以下の発明が記載されていると認められる。 「基板３１、基板３１上の導電層３２ａ及びｎ型有機物層３２ｂを備える正極３２、正極３２上に位置し、正極３２から正孔を受けるｐ型正孔注入層（ＨＩＬ：Ｈｏｌｅ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ）３３、ＨＩＬ ３３上に位置し、発光層（ＥＭＬ：Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｌａｙｅｒ）３５に正孔を伝達する正孔輸送層（ＨＴＬ：Ｈｏｌｅ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｎｇ Ｌａｙｅｒ）３４、ＨＴＬ ３４上に位置し、正孔及び電子を利用して発光するＥＭＬ ３５、ＥＭＬ ３５上に位置し、負極３７からの電子をＥＭＬ ３５に輸送する電子輸送層（ＥＴＬ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｎｇ Ｌａｙｅｒ）３６及びＥＴＬ ３６上に位置する負極３７を備え、ｎ型有機物層３２ｂのＬＵＭＯエネルギー準位と導電層３２ａのフェルミエネルギー準位とのエネルギー差は、約２ｅＶ以下であり、正極及び負極からそれぞれ正孔及び電子を注入するためのエネルギー損失を最小化するために、正孔注入層のＬＵＭＯのエネルギー準位が正孔輸送層のＬＵＭＯのエネルギー準位よりも高いことを含む、ｎ型有機物層、正孔注入層（ＨＩＬ）、正孔輸送層（ＨＴＬ）、発光層（ＥＭＬ）、電子輸送層（ＥＴＬ）のそれぞれのＬＵＭＯ及びＨＯＭＯのエネルギー準位の関係を満たし、導電層は、約３.５ないし５.５ｅＶのフェルミエネルギー準位を有し、ｎ型有機物層が前記導電層とｐ型有機物層との間に位置し、低電界で正孔を正孔注入層、正孔輸送層、発光層を備えるｐ型有機物層に注入し、約４ないし７ｅＶのＬＵＭＯエネルギー準位を有する有機発光素子。」（以下、「引用発明」という。） （２）甲第２号証 本件取消理由に引用され、本件特許の出願前の平成２０年４月２４日に頒布された刊行物である甲第２号証（特開２００８－９８６１５号公報）には、図面とともに、以下の事項が記載されている。 ア　「【背景技術】 【０００２】 有機材料は、有機薄膜トランジスタ（ＯＴＦＴ）や有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）、光起電力ダイオード、液晶ディスプレイなどの電子デバイスに広く使用されている。ＯＬＥＤディスプレイを構成するＯＬＥＤなどの有機光活性電子デバイスは、典型的な場合、アノード、正孔輸送層、エミッタ層、電子輸送層、およびカソードからなる。正孔輸送層は、典型的な場合、アノードからエミッタ層のホストまでの注入を高めるのに使用される単一の材料である。エミッタ層は、通常、ドーパントおよびホストからなる。あるいはエミッタ層は、光を放出するホスト、即ち個別のドーパントを必要としないホストを使用して作製することができる。」 イ　「【発明が解決しようとする課題】 【０００５】 色、寿命、および動作電圧を含めた、ＯＬＥＤデバイスの特性を改善する材料および構造の必要が依然として存在している。」 ウ　「【００５０】 ４．第１の正孔輸送層 第１の正孔輸送層に用いられる正孔輸送材料の例は、例えば非特許文献２にまとめられている。正孔輸送小分子とポリマーとの両方を使用することができる。一般に使用される正孔輸送分子には、４，４’，４”－トリス（Ｎ，Ｎ－ジフェニル－アミノ）－トリフェニルアミン（ＴＤＡＴＡ）；４，４’，４”－トリス（Ｎ－３－メチルフェニル－Ｎ－フェニル－アミノ）－トリフェニルアミン（ＭＴＤＡＴＡ）；Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－Ｎ，Ｎ’－ビス（３－メチルフェニル）－［１，１’－ビフェニル］－４，４’－ジアミン（ＴＰＤ）；４，４’－ビス（カルバゾール－９－イル）ビフェニル（ＣＢＰ）；１，３－ビス（カルバゾール－９－イル）ベンゼン（ｍＣＰ）；１，１－ビス［（ジ－４－トリルアミノ）フェニル］シクロヘキサン（ＴＡＰＣ）；Ｎ，Ｎ’－ビス（４－メチルフェニル）－Ｎ，Ｎ’－ビス（４－エチルフェニル）－［１，１’－（３，３’－ジメチル）ビフェニル］－４，４’－ジアミン（ＥＴＰＤ）；テトラキス－（３－メチルフェニル）－Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－２，５－フェニレンジアミン（ＰＤＡ）；α－フェニル－４－Ｎ，Ｎ－ジフェニルアミノスチレン（ＴＰＳ）；ｐ－（ジエチルアミノ）ベンズアルデヒドジフェニルヒドラゾン（ＤＥＨ）；トリフェニルアミン（ＴＰＡ）；ビス［４－（Ｎ，Ｎ－ジエチルアミノ）－２－メチルフェニル］（４－メチルフェニル）メタン（ＭＰＭＰ）；１－フェニル－３－［ｐ－（ジエチルアミノ）スチリル］－５－［ｐ－（ジエチルアミノ）フェニル］ピラゾリン（ＰＰＰまたはＤＥＡＳＰ）；１，２－トランス－ビス（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）シクロブタン（ＤＣＺＢ）；Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラキス（４－メチルフェニル）－（１，１’－ビフェニル）－４，４’－ジアミン（ＴＴＢ）；Ｎ，Ｎ’－ビス（ナフタレン－１－イル）－Ｎ，Ｎ’－ビス－（フェニル）ベンジジン（α－ＮＰＢ）；および銅フタロシアニンなどのポルフィリン化合物が含まれるが、これらに限定するものではない。一般に使用される正孔輸送ポリマーには、ポリビニルカルバゾール、（フェニルメチル）ポリシラン、ポリ（ジオキシチオフェン）、ポリアニリン、およびポリピロールが含まれるが、これらに限定するものではない。上述のような正孔輸送分子を、ポリスチレンやポリカーボネートなどのポリマーにドープすることにより、正孔輸送ポリマーを得ることも可能である。」 エ　「【００６９】 いくつかの実施形態では、第２の正孔輸送材料が、下記の化合物から選択される。 【００７０】 【化５】 」 オ　「【００７２】 ６．光活性材料 いくつかの実施形態では、光活性材料がエレクトロルミネセンスであり、赤、緑、および青の発光色を有する材料から選択される。エレクトロルミネセンス材料には、小分子有機蛍光化合物、蛍光および燐光金属錯体、複合ポリマー、およびこれらの混合物が含まれる。蛍光化合物の例には、ピレン、ペリレン、ルブレン、クマリン、これらの誘導体、およびこれらの混合物が含まれるが、これらに限定するものではない。金属錯体の例には、トリス（８－ヒドロキシキノラート）アルミニウム（Ａｌｑ３）などの金属キレートオキシノイド化合物；Ｐｅｔｒｏｖ他の特許文献８と、特許文献９および１０に開示されているような、フェニルピリジン、フェニルキノリン、またはフェニルピリミジン配位子を有するイリジウムの錯体や、例えば特許文献１１、１２、および１３に記載されているような有機金属錯体、およびこれらの混合物などの、シクロメタル化イリジウムおよび白金エレクトロルミネセンス化合物が含まれるが、これらに限定するものではない。電荷担持ホスト材料および金属錯体を含むエレクトロルミネセンス放出層が、Ｔｈｏｍｐｓｏｎ他による特許文献１４と、ＢｕｒｒｏｗｓおよびＴｈｏｍｐｓｏｎによる特許文献１５および１６に記載されている。複合ポリマーの例には、ポリ（フェニレンビニレン）、ポリフルオレン、ポリ（スピロビフルオレン）、ポリチオフェン、ポリ（ｐ－フェニレン）、これらのコポリマー、およびこれらの混合物が含まれるが、これらに限定するものではない。 【００７３】 いくつかの実施形態では、ＥＬ材料が、ホスト材料と共に存在する。いくつかの実施形態では、ホストが電荷担持材料である。ＥＬ／ホスト系では、ＥＬ材料を、小分子またはポリマーにすることができ、ホストは独立に、小分子またはポリマーにすることができる。 【００７４】 いくつかの実施形態では、ＥＬ材料が、イリジウムのシクロメタル化錯体である。いくつかの実施形態では、錯体は、フェニルピリジン、フェニルキノリン、およびフェニルイソキノリンから選択された２つの配位子を有し、第３の配位子は、β－ジエノレートである。配位子は、置換されていなくてもよく、あるいは、Ｆ、Ｄ、アルキル、ＣＮ、またはアリール基で置換されていてもよい。」 カ　「【０１０１】 いくつかの実施形態では、種々の層が下記の範囲の厚さ（単位：Å）を有する：アノード、５００～５０００Å、いくつかの実施形態では１０００～２０００Å；第１の正孔輸送層、５０～２０００Å、いくつかの実施形態では１００～１０００Å；第２の正孔輸送層、１０～２０００Å、いくつかの実施形態では５０～２００Å；光活性層、１０～２０００Å、いくつかの実施形態では１００～１０００Å；任意選択の電子輸送層、５０～２０００Å、いくつかの実施形態では１００～１０００Å；カソード、２００～１００００Å、いくつか実施形態では３００～５０００Å。デバイスにおける電子－正孔再結合ゾーンの位置、したがってデバイスの発光スペクトルは、各層の相対的な厚さに影響される可能性がある。したがって電子輸送層の厚さは、電子－正孔再結合ゾーンが発光層内にあるように選択すべきである。層の厚さの望ましい比は、使用される材料の性質そのものに左右されることになる。」 （３）甲第３号証 本件取消理由に引用され、本件特許の出願前の平成２１年９月３日に頒布された刊行物である甲第３号証（特開２００９－２００４９３号公報）には、図面とともに、以下の事項が記載されている。 ア　「【技術分野】 【０００１】 本発明は、有機発光素子に関する。 （中略） 【発明が解決しようとする課題】 【０００４】 かかる有機発光素子は、多様な長所を有するにもかかわらず、製品に適用し難い。その最も大きな理由は、適正な信頼性を示す寿命特性が得られないという問題である。 【０００５】 そこで本発明は、寿命特性を向上させた有機発光素子を提供することを目的とする。 【課題を解決するための手段】 【０００６】 本発明は、基板と、前記基板上に形成された第１電極及び第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に形成された発光層と、前記発光層と前記第１電極との間に形成された有機層と、前記発光層と前記有機層との間に形成され、前記有機層より低いＬＵＭＯ（Ｌｏｗｅｓｔ Ｕｎｏｃｃｕｐｉｅｄ Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｏｒｂｉｔａｌ、最低非占有分子軌道）レベルを有する電子阻止層とを備える有機発光素子を提供する。 【０００７】 また本発明は、基板と、第１電極と、第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に形成された発光層と、前記第１電極と前記発光層との間に形成された複数の有機層と、前記複数の有機層間に形成された電子阻止層とを備える有機発光素子を提供する。 【発明の効果】 【０００８】 本発明による有機発光素子は、発光層と第１電極との間に有機層を具備し、前記発光層と有機層との間に電子阻止層を具備する。従って、発光層を通過した過剰電子が有機層に移動することを防止し、有機発光素子の寿命特性を向上させることができる。 （中略） 【発明を実施するための形態】 【００１０】 以下、図面を参照しつつ、本発明についてさらに詳細に説明する。 【００１１】 図１は、本発明による有機発光素子の一実施形態の構造を、概略的に図示した断面図である。本実施形態では、基板、前記基板上に形成される第１電極及び第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に形成される発光層とを有し、発光層と第１電極との間に配置された２つの有機層間に電子阻止層が挿入された構造である。具体的には、前記２つの有機層は、第１有機層（正孔注入層）および第２有機層（正孔輸送層）である。 （中略） 【００１８】 前記第１有機層（正孔注入層）の上部に、電子阻止層が配置される。電子阻止層は、前記第１有機層より低い最低非占有分子軌道（ＬＵＭＯ）のレベルを有する。従って、発光層を通過した過剰電子のトラップとして作用する。さらに具体的には、前記電子阻止層は、発光層を通過した過剰電子が第１有機層に移動することを最大限に防止し、寿命低下を抑制できる。」 合議体注：図１は以下のとおりである。 イ　「【００４２】 場合によって、前記発光層は、発光層ホストに発光ドーパントをさらに付加して調製されうる。蛍光発光型ホストの材料としては、例えば、トリス（８－ヒドロキシ－キノリナート）アルミニウム（Ａｌｑ３）、９，１０－ジ（ナフト－２－イル）アントラセン（ＡＮＤ）、３－ｔｅｒｔ－ブチル－９，１０－ジ（ナフト－２－イル）アントラセン（ＴＢＡＤＮ）、４，４’－ビス（２，２－ジフェニル－エテン－１－イル）－４，４’－ジメチルフェニル（ＤＰＶＢｉ）、４，４’－ビス（２，２－ジフェニル－エテン－１－イル）－４，４’－ジメチルフェニル（ｐ－ＤＭＤＰＶＢｉ）、ｔｅｒｔ（９，９－ジアリールフルオレン）ｓ（ＴＤＡＦ）、２－（９，９’－スピロビフルオレン－２－イル）－９，９’－スピロビフルオレン（ＢＳＤＦ）、２，７－ビス（９，９’－スピロビフルオレン－２－イル）－９，９’－スピロビフルオレン（ＴＳＤＦ）、ビス（９，９－ジアリールフルオレン）ｓ（ＢＤＡＦ）、４，４’－ビス（２，２－ジフェニル－エテン－１－イル）－４，４’－ジ－（ｔｅｒｔ－ブチル）フェニル（ｐ－ＴＤＰＶＢｉ）などが挙げられる。リン光型ホストの材料としては、例えば、１，３－ビス（カルバゾール－９－イル）ベンゼン（ｍＣＰ）、１，３，５－トリス（カルバゾール－９－イル）ベンゼン（ｔＣＰ）、４，４’，４”－トリス（カルバゾール－９－イル）トリフェニルアミン（ＴｃＴａ）、４，４’－ビス（カルバゾール－９－イル）ビフェニル（ＣＢＰ）、４，４’－ビス（９－カルバゾリル）－２，２’－ジメチル－ビフェニル（ＣＢＤＰ）、４，４’－ビス（カルバゾール－９－イル）－９，９－ジメチル－フルオレン（ＤＭＦＬ－ＣＢＰ）、４，４’－ビス（カルバゾール－９－イル）－９，９－ビス（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール）フルオレン（ＦＬ－４ＣＢＰ）、４，４’－ビス（カルバゾール－９－イル）－９，９－ジ－トリル－フルオレン（ＤＰＦＬ－ＣＢＰ）、９，９－ビス（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール）フルオレン（ＦＬ－２ＣＢＰ）などが用いられうる。 【００４３】 前記ドーパントとしては、例えば、ＰＱＩｒ、ＰＱＩｒ（ａｃａｃ）、ＰＱ２Ｉｒ（ａｃａｃ）、ＰＩＱＩｒ（ａｃａｃ）（ＰＱ：２－フェニルキノリン、ａｃａｃ：アセチルアセトネート）など、公知の材料が用いられうる。ドーパントの含有量は、発光層形成材料によって可変的であるが、一般的に、発光層の形成材料（ホストとドーパントとの総質量）１００質量部を基準として、３０ないし８０質量部であることが好ましい。ドーパントの含有量が前記範囲を外れると、有機発光素子の発光特性が低下する場合がある。」 ウ　「【００５１】 以上で述べたように、発光層と有機層との間、より好ましくは、第1電極と発光層との間に形成される第１有機層（正孔注入層）と第２有機層（正孔輸送層）との間に電子阻止層を具備する有機発光素子の構造によれば、前記電子阻止層が前記第１有機層（正孔注入層）より低いＬＵＭＯレベルを有することによって、電子をトラップする役割を行える。従って、発光層を通過した過剰電流が第１有機層（正孔注入層）に移動することを防止し、寿命特性を改善できる。」 エ　「【００５５】 図２を参照すれば、第１電極と発光層との間に、正孔輸送層を複数層で形成する。すなわち、第１電極上に第１有機層（第１正孔輸送層）を形成し、第１有機層（第１正孔輸送層）上に第２有機層（第２正孔輸送層）をさらに形成する。そして、前記第１有機層（第１正孔輸送層）と前記第２有機層（第２正孔輸送層）との間に、電子阻止層を配置する。 【００５６】 前記電子阻止層は、前記第１有機層（第１正孔輸送層）より低いＬＵＭＯレベルを有することによって、発光層を通過した過剰電流が第１正孔輸送層に移動することを防止できる。」 オ　「【００７１】 前記ガラス基板の上部に、はじめに正孔注入層として、ｍ－ＭＴＤＡＴＡを真空蒸着し、５００Å厚に形成した。正孔注入層のＬＵＭＯレベルは、約－２．１ｅＶであった。次に、電子阻止層としてＣ６０を真空蒸着し、５０Å厚さに形成した。電子阻止層のＬＵＭＯレベルは、およそ－４．４ｅＶであった。次に、正孔輸送層として、α－ＮＰＤを真空蒸着して２００Å厚に形成した。正孔輸層層のＬＵＭＯレベルは、およそ－２．４ｅＶであった。次に、発光層として、リン光ホストであるＣＢＰと、ドーパントであるＰＱ２Ｉｒ（ａｃａｃ）とを４００Å厚に形成した。そして電子輸送層として、Ａｌｑ３を３００Å厚に蒸着した後、前記電子輸送層の上部に電子注入層として、ＬｉＦを５Å厚に蒸着した。その後、第２電極としてカソード電極を、Ａｌを使用して１，０００Å厚に真空蒸着することによって、有機発光素子を作製した。」 （４）甲第４号証 本件取消理由に引用され、本件特許の出願前の平成２４年１月２６日に頒布された刊行物である甲第４号証（特表２０１２－５０２４８５号公報）には、図面とともに、以下の事項が記載されている。 ア　「【００２６】 第１有機発光層が４ｎｍから６ｎｍの厚みを有し、阻止層が１２－１８ｎｍの厚みを有し、正孔輸送層が１２－１８ｎｍの厚みを有することが好ましい。他の好ましい範囲は、第１有機発光層が４ｎｍから１０ｎｍの厚みを有し、阻止層が１２－３７ｎｍの厚みを有し、正孔輸送層が１２－３７ｎｍの厚みを有するものである。」 イ　「【００３１】 図１は有機発光装置１００を示す。図は必然的に原寸どおりに描かれていない。装置１００は、基板１１０、アノード１１５、正孔注入層１２０、正孔輸送層１２５、電子阻止層１３０、発光層１３５、正孔阻止層１４０、電子輸送層１４５、電子注入層１５０、保護層１５５、及びカソード１６０を含んでよい。カソード１６０は第１の導電層１６２及び第２の導電層１６４を有する複合カソードである。装置１００は記載された層を順次堆積することによって作製されてよい。これらの様々な層の性質及び機能、並びに材料の例は、参照によって組み込まれる米国特許第７，２７９，７０４号明細書カラム６－１０においてより詳細に記述される。 （中略） 【００３７】 本発明の実施形態により作製された装置は、フラットパネルディスプレイ、コンピュータモニター、テレビ、看板、内部又は外部照明及び／又は信号のライト、ヘッドアップディスプレイ、完全に透明なディスプレイ、フレキシブルディスプレイ、レーザプリンター、電話、携帯電話、携帯情報端末（ＰＤＡ）、ラップトップコンピュータ、デジタルカメラ、カムコーダ、ビューファインダ、マイクロディスプレイ、車両、大面積壁、劇場又はスタジアムスクリーン、又は標識を含む幅広い消費者製品に組み込まれてよい。パッシブマトリックス及びアクティブマトリックスを含む様々な制御機構が本発明により作製された装置を制御するのに使用されてよい。多くの装置が人間に快適である温度範囲、１８℃から３０℃等、及びより好ましくは室温（２０～２５℃）、における使用を意図される。」 ウ　「【００５４】 好ましくは、第１有機発光層３６２は、４００ｎｍ－５００ｎｍの間の波長で可視スペクトル内にピーク発光波長を有し、かつ第１有機発光層内で１５－３５ｗｔ％の濃度を有する第１燐光材料、及び第１燐光材料の三重項エネルギーと比較して少なくとも０．２ｅＶ、かつ１．０ｅＶを超えない程度に大きい三重項エネルギーを有する第１ホスト材料を含む。第１ホストの三重項エネルギーが低いことによって、第１燐光材料から第１ホスト材料への望ましくない三重項の移動が起こり得る。ホストの三重項エネルギーが高いと、望ましくない低い導電性を有する層をもたらし得る。第１燐光発光材料の濃度は、多くの装置と比較して比較的高い。しかしながら、この特別な装置の構造において、第１燐光発光材料の濃度が高ければ、装置内での電荷移動機構に影響することによって、装置の性能に好ましく寄与する。ドーパント濃度が高いことによって、層内の正孔輸送が可能になり、再結合領域を広げ得る。燐光ドーパント濃度が高いことによって、ドーパント分子の性能が発光効率の障害にならないことをも確実にする。３５％を超える濃度において、濃度消光が問題になり得る。１５％未満の濃度において、この特別の構造では、望ましくないことに層３６２において正孔輸送が抑制され得る。」 エ　「【００５８】 第２有機発光層。この濃度は、第２燐光材料が高い正孔伝導率で第２有機発光層を横切って第１有機発光層に正孔を輸送することを可能にする。低い濃度では、そのような輸送は起こらない場合があり、又は起こる場合があるが、正孔伝導率は低い。高い濃度において、電荷バランスが影響を受ける場合があり、また装置効率が低減される。すなわち、濃度が高いことによって、層の正孔輸送能が、正孔が発光層を漏れ出る点まで増加させ得る。化合物Ｂが、第２燐光材料として用いられて良い材料の好ましい例である。他に使用されてよい材料として、下記表３に列記される、必要とされるピーク発光波長を有する材料が挙げられる 本発明が作用するかについては、どのような理論にも拘束されることなく、１００ｌｍ／ｗａｔｔを超える装置を含む、非常に優れた出力効率の理由の一つが、双方の層が高い正孔伝導性を有する、二重有機発光層３６０の使用にあると考えられる。第１有機発光層３６２内の高い正孔伝導性は、第１燐光材料に対して濃度１５－３５ｗｔ％を用いることによって実行される。正孔伝導性が高いことによって、第１有機発光層３６２と第２有機発光層３６１との間の界面から正孔が容易に移動され、再結合領域を拡大し、特に界面近傍での、高濃度の再結合領域に関する問題を低減する。第２有機発光層３６１内の高い正孔伝導率は、第２燐光材料に対して１５－３５ｗｔ％の濃度を用いることによって実現される。二重発光層３６０のアノード側にある第２有機発光層３６１内の正孔伝導は、正孔がアノードから第１有機発光層３６２と第２有機発光層３６１との間の界面近傍の再結合領域に達することを可能にする。燐光有機発光装置の発光層内で使用されるホスト・ドーパント結合における正孔輸送は、一般的にドーパント分子上で起こる。上述の濃度において、優れた正孔伝導性が幅広い燐光ドーパント及びそのようなドーパントに対するホストに関する結果であることが期待される。以下の表３は、そのようなホスト及びドーパントの多くの例を提供する。また、そのような高濃度のドーパントを使用することなく、１５ｗｔ％未満のドーパント濃度において高い正孔伝導率を有するホストとドーパントとの特別な組み合わせを選択することによって、高い正孔伝導性、及びそれに対応する優れた結果を実現することも可能だろう。 【００５９】 第３燐光材料は、第２有機発光層内で０．１－３ｗｔ％の濃度を有する。第３燐光材料は、そもそも赤色光を発光するために存在し、装置の所定のＣＩＥ及びＣＲＩに寄与する。低濃度においては、赤色光を十分に放出しない場合がある。第３燐光材料の発光が赤色光の発光であること、及び／又は３ｗｔ％を超える濃度における濃度消光のためである。化合物Ｃは、第３燐光材料として使用され得る材料の好ましい例である。使用され得る他の材料として、必要とされるピーク発光波長を有する、以下の表３に列記される材料が挙げられる。」 オ　「【００６３】 図３に記載される構造において、阻止層３５０が１２－１８ｎｍの厚みを持ち、正孔輸送層３４０が１２－１８ｎｍの厚みを持つことが好ましい。他の好ましい厚みは、阻止層３５０が１２－３７ｎｍの厚みを持ち、正孔輸送層３４０が１２－３７ｎｍの厚みを持つことである。これらの厚みは、各層が意図される機能を果たすことを可能にする程度に十分大きいが、装置を横切る電圧降下に不必要に影響する程には厚くない。さらに、図３に説明される層のみを含む構造に関して、注入層が一般的に非常に薄いので、正孔輸送層３４０と阻止層３５０との全厚みは、アノード３２０と二重発光層３６０との間の距離の殆どに関与する。記載された厚みの範囲は光学キャビティ効果を上手く利用するのに有効である。」 カ　「【００７８】 化合物は本発明において使用するために以下のように名前が付けられる。 （中略） 【００８０】 【化３】 【００８１】 【化４】 【００８２】 【化５】 【００８３】 【化６】 」 キ　「【０１０１】 本明細書に記載される材料に加えて、及び／又は組み合わせて、多くの正孔注入層、正孔輸送材料、ホスト材料、ドーパント材料、エキシトン／正孔阻止層材料、電子輸送及び電子注入材料が、ＯＬＥＤに使用されてよい。本明細書に開示される材料と組み合わせてＯＬＥＤ内で使用されてよい材料の非制限的な例は、下記表３に列記される。表３は材料の非制限的分類を記述する。 【０１０２】 【表３ａ】 【０１０３】 【表３ｂ】 【０１０４】 【表３ｃ】 【０１０５】 【表３ｄ】 【０１０６】 【表３ｅ】 【０１０７】 【表３ｆ】 【０１０８】 【表３ｇ】 【０１０９】 【表３ｈ】 【０１１０】 【表３ｉ】 【０１１１】 【表３ｊ】 【０１１２】 【表３ｋ】 【０１１３】 【表３ｌ】 【０１１４】 【表３ｍ】 」 （５）甲第５号証 本件取消理由に引用され、本件特許の出願前の平成２１年５月７日に頒布された刊行物である甲第５号証（特開２００９－９９９６７号公報）には、図面とともに、以下の事項が記載されている。 ア　「【０００５】 そのエレクトロルミネッセンスを利用した発光素子は、発光性の物質が有機化合物であるか、無機化合物であるかによって大別できるが、本発明は、発光性の物質に有機化合物を用いるものである。その場合、発光素子に電圧を印加することにより、一対の電極から電子および正孔がそれぞれ発光性の有機化合物を含む層に注入され、電流が流れる。そして、それらキャリア（電子および正孔）が再結合することにより、発光性の有機化合物が励起状態を形成し、その励起状態が基底状態に戻る際に発光する。」 イ　「【００５２】 第１の正孔輸送層である第２の層１１２、および第２の正孔輸送層第３の層１１３は、正孔輸送性の高い物質を含む層である。正孔輸送性の高い物質としては、例えば低分子の有機化合物であるＮＰＢ（またはα－ＮＰＤ）、ＴＰＤ、４，４’－ビス［Ｎ－（９，９－ジメチルフルオレン－２－イル）－Ｎ－フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＦＬＤＰＢｉ）、４，４’－ビス［Ｎ－（スピロ－９，９’－ビフルオレン－２－イル）－Ｎ―フェニルアミノ］－１，１’－ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）などの芳香族アミン化合物、４，４’－ジ（Ｎ－カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、２，７－ジ（Ｎ－カルバゾリル）－スピロ－９，９’－ビフルオレン（略称：ＳＦＤＣｚ）、４，４’，４’’－トリス［Ｎ－（３－メチルフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、Ｎ－［４－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル］－Ｎ－フェニル－スピロ－９，９’－ビフルオレン－２－アミン（略称：ＹＧＡＳＦ）、Ｎ，Ｎ’－ビス［４－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル－Ｎ，Ｎ’－ジフェニルビフェニル－４，４’－ジアミン（略称：ＹＧＡＢＰ）、１，３，５－トリ（Ｎ－カルバゾリル）ベンゼン（略称：ＴＣｚＢ）、４，４’，４’’－トリス（Ｎ－カルバゾリル）トリフェニルアミン（略称：ＴＣＴＡ）、４，４’－ビス（Ｎ－｛４－［Ｎ’－（３－メチルフェニル）－Ｎ’－フェニルアミノ］フェニル｝－Ｎ－フェニルアミノ）ビフェニル（略称：ＤＮＴＰＤ）や、高分子化合物であるＰＶＫ、ＰＶＴＰＡ、ＰＴＰＤＭＡ、Ｐｏｌｙ－ＴＰＤを用いることができる。」 ウ　「【０１８０】 なお、本実施の形態で示した発光装置（アクティブマトリクス型、パッシブマトリクス型）は、いずれも本発明の発光効率の高い発光素子を用いて形成されることから、消費電力が低減された発光装置を得ることができる。」 エ　「【０１８４】 図１１（Ｂ）は本発明に係るコンピュータであり、本体９２０１、筐体９２０２、表示部９２０３、キーボード９２０４、外部接続ポート９２０５、ポインティングデバイス９２０６等を含む。このコンピュータにおいて、表示部９２０３には、本発明の発光装置を適用することができる。本発明の発光装置は、高い発光効率が得られるという特徴を有していることから、本発明の発光装置を適用することで消費電力の低減されたコンピュータを得ることができる。」 オ　「【０１８８】 また、本発明の発光装置は、照明装置として用いることもできる。図１２は、本発明の発光装置をバックライトとして用いた液晶表示装置の一例である。図１２に示した液晶表示装置は、筐体１２０１、液晶層１２０２、バックライト１２０３、筐体１２０４を有し、液晶層１２０２は、ドライバＩＣ１２０５と接続されている。また、バックライト１２０３は、本発明の発光装置が用いられおり、端子１２０６により、電流が供給されている。」 カ　「【０１９９】 次に、抵抗加熱を用いた蒸着法により、第１の層１５１１上にＮ－［４－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル］－Ｎ－フェニル－スピロ－９，９’－ビフルオレン－２－アミン（略称：ＹＧＡＳＦ）を１０ｎｍの膜厚となるように成膜し、正孔輸送層である第２の層１５１２を形成した。 【０２００】 次に、抵抗加熱を用いた蒸着法により、第２の層１５１２上に、４，４’－ビス［Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）を２０ｎｍの膜厚となるように成膜し、正孔輸送層である第３の層１５１３を形成した。」 キ　「【０２３６】 次に、抵抗加熱を用いた蒸着法により、第１の層１６１１上にＮ－［４－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル］－Ｎ－フェニル－スピロ－９，９’－ビフルオレン－２－アミン（略称：ＹＧＡＳＦ）を１０ｎｍの膜厚となるように成膜し、正孔輸送層である第２の層１６１２を形成した。」 ク　「【０２７７】 次に、抵抗加熱を用いた蒸着法により、第２の層１６１２上に、４，４’－ビス［Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）を２０ｎｍの膜厚となるように成膜し、正孔輸送層である第３の層１６１３を形成した。」 （６）甲第６号証 本件取消理由に引用され、本件特許の出願前の２０１１年１２月８日に頒布された刊行物である甲第６号証（米国特許出願公開第２０１１／０２９７９２５号明細書）には、以下の事項が記載されている。 ア　「[0055] In general, all further materials as employed in accordance with the prior art in organic electroluminescent devices can also be employed in combination with the compounds of the formulae (1) to (6). The emitting layer here may comprise fluorescent and/or phosphorescent dopants, preferably in each case in combination with a matrix material (host material).」 下線部の翻訳文 「ここで、発光層は蛍光及び／又は燐光ドーパントを、好ましくは各々の場合にマトリックス材料（ホスト材料）と組み合わせて含んでいてもよい。」 イ　「[0060] Suitable phosphorescent compounds are, in particular, compounds which emit light, preferably in the visible region, on suitable excitation and in addition contain at least one atom having an atomic number of greater than 20, preferably greater than 38 and less than 84, particularly preferably greater than 56 and less than 80. The phosphorescent emitters used are preferably compounds which contain copper, molybdenum, tungsten, rhenium, ruthenium, osmium, rhodium, iridium, palladium, platinum, silver, gold or europium, in particular compounds which contain iridium or platinum. For the purposes of the present application, all luminescent metal complexes which contain the above-mentioned metal are referred to as phosphorescent compounds.」 下線部の翻訳文 「用いる燐光発光体は好ましくは・・・イリジウム化合物・・・である。」 ウ　「[0065] Suitable hole-transport or hole-injection materials are furthermore, for example, the materials indicated in the following table.」 翻訳文 「好適な正孔輸送材料または正孔注入材料はさらに、たとえば、以下の表に示した材料である。」 （合議体注：段落［００６５］の上記記載に続く表中には、以下の構造式が含まれている。） エ　「[0083] In Examples 3 to 8 below, the results for various OLEDs are presented. Glass plates coated with structured ITO (indium-tin oxide) form the substrates of the OLEDs. For improved processing, 20 nm of PEDOT (spin-coated from water; purchased from H. C. Starck, Goslar, Germany; poly-(3,4-ethylenedioxy-2,5-thiophene)) are applied to the substrate. The OLEDs consist of the following layer sequence: substrate/PEDOT 20 nm/hole-injection layer (HIL) 5 nm/hole-transport layer (HTL-1) 20 nm/hole-transport layer (HTL-2) 20 nm/emission layer (EML) 30 nm/electron-transport layer (ETL) 20 nm and finally a cathode.」 下線部の翻訳文 「ＯＬＥＤは以下の層の順序からなる：基板／ＰＥＤＯＴ　２０ｎｍ／正孔注入層（ＨＩＬ）５ｎｍ／正孔輸送層（ＨＴＬ－１）２０ｎｍ／正孔輸送層（ＨＴＬ－２）２０ｎｍ／発光層（ＥＭＬ）３０ｎｍ／電子輸送層（ＥＴＬ）２０ｎｍおよび最後にカソード。」 （７）甲第７号証 本件取消理由に引用され、本件特許の出願前の２００９年に頒布された刊行物である甲第７号証（Yong-Ki Kim 外２名, Energy level alignment at a charge generation interface between 4,4'-bis(N-phenyl-1-naphthylamino)biphenyl and 1,4,5,8,9,11-hexaazatriphenylene-hexacarbonitrile, APPLIED PHYSICS LETTERS, vol.94, pp.063305-1～063305-3, 2009）には、図面とともに、以下の事項が記載されている。 ア　「In summary, we studied the molecular energy level alignment between HAT-CN and NPB using UPS. While the work function of a 20 nm thick HAT-CN film deposited on Au is about 6.1 eV, it remained a good conducting molecular layer. Our data also clearly indicate that the LUMO of HAT-CN is very close to the Fermi level and the HOMO of NPB is located only about 0.3 eV below Fermi level at this molecular interface. This arrangement allows the electrons from the NPB HOMO to be easily excited to the HAT-CN LUMO, forming a charge carrier generation interface. A detailed energy level alignment diagram at the interface was constructed.」(第063305-3頁左欄第１３行～同頁右欄第８行) 翻訳文 「まとめると、ＨＡＴ－ＣＮとＮＰＢとの間での分子エネルギーレベルアライメントを、ＵＰＳを使用して検討した。Ａｕに蒸着された２０ｎｍ厚のＨＡＴ－ＣＮ薄膜の仕事関数が約６．１ｅＶであるが、ＨＡＴ－ＣＮ薄膜は、良好な導電性分子層のままであった。筆者らのデータはまた、ＨＡＴ－ＣＮのＬＵＭＯがフェルミ準位に非常に近く、ＮＰＢのＨＯＭＯがこの分子界面でのフェルミ準位よりもほんの約０．３ｅＶ低く位置することを明瞭に示している。このアライメントにより、ＮＰＢのＨＯＭＯからの電子がＨＡＴ－ＣＮのＬＵＭＯに容易に励起され、電荷キャリア生成界面を形成することが可能となる。この界面での詳細なエネルギーレベルアライメントダイアグラムが構築された。」 ５　本件取消理由に対する判断 （１）本件特許発明１ ア　対比 本件特許発明１と引用発明とを対比する。 （ア）引用発明の「有機発光素子」が有する「導電層３２ａ」、「正孔輸送層３４」、「発光層３５」、「負極３７」は、その有機発光素子における配置及び機能に基づけば、それぞれ、本件特許発明１の「有機電界発光素子」が有する「陽極」、「第２正孔輸送層」、「発光層」、「陰極」に相当するといえる。 （イ）引用発明の「ｎ型有機物層３２ｂ」は、導電層とｐ型正孔輸送層との間に位置し、「低電界で正孔をｐ型有機物層に注入」する機能を有することから、本件特許発明１の「正孔注入層」に相当する。 （ウ）引用発明の「ｐ型正孔注入層３３」は、技術的にみて、ｎ型有機物層との界面から正孔輸送層へ正孔を輸送するものといえるから、本件特許発明１の「正孔注入層に直接接合している第１正孔輸送層」に相当する。 （エ）引用発明は、「有機発光素子」であって、「導電層３２ａ」、「ｎ型有機物層３２ｂ」、「ｐ型正孔注入層３３」、「正孔輸送層３４」、「発光層３５」、「負極３７」が、この順に配置されることから、本件特許発明１の「陽極と、正孔注入層と、該正孔注入層に直接接合している第１正孔輸送層と、第２正孔輸送層と、発光層と、陰極と、をこの順に有する有機電界発光素子」とする要件を満たしている。 （オ）上記（ア）～（エ）に基づけば、本件特許発明１と引用発明とは、 「陽極と、正孔注入層と、該正孔注入層に直接接合している第１正孔輸送層と、第２正孔輸送層と、発光層と、陰極と、をこの順に有する有機電界発光素子。」である点で一致し、以下の点で相違する。 ［相違点１］本件特許発明１の正孔注入層が、「最低空軌道（ＬＵＭＯ）のエネルギーが－４．０ｅＶよりも小さい材料を含」むのに対し、引用発明のｎ型有機物層３２ｂが、約４ないし７ｅＶのＬＵＭＯエネルギー準位を有するとされる点。 ［相違点２］本件特許発明１では、「該第１正孔輸送層に含まれる材料のＬＵＭＯのエネルギーＥ１（ＬＵＭＯ）と、該第２正孔輸送層に含まれる材料のＬＵＭＯのエネルギーＥ２（ＬＵＭＯ）とが、Ｅ１（ＬＵＭＯ）＞Ｅ２（ＬＵＭＯ）＋０．５ｅＶを満たす」のに対し、引用発明では、ｐ型正孔注入層３３のＬＵＭＯのエネルギー準位が正孔輸送層３４のＬＵＭＯのエネルギー準位よりも高いとされるものの、正孔輸送層３４のＬＵＭＯのエネルギー準位＋０．５ｅＶよりも高いとは特定されていない点。 イ　判断 事案に鑑みて、［相違点２］について検討する。 本件特許の明細書の段落【０１１２】～【０１２７】に記載された各実施例のうち、実施例３は、本件特許発明１の構成を全て具備するものである。これに対し、実施例８は、上記［相違点２］に係る構成を除く本件特許発明１の構成を具備するものである。そして、両者は、上記［相違点２］に係る構成を除いて、全く同じ構成を具備するものである（段落【０１２３】表３）。そうしてみると、上記［相違点２］に係る本件特許発明１の構成によってもたらされる効果の違いは、実施例３と実施例８との効果の比較により理解できると考えられるところ、実施例３の初期耐久性を示すＬＴ９０の値は１２００時間であるのに対し、実施例８の初期耐久性を示すＬＴ９０の値は３５０時間にとどまる（段落【０１２６】表４）。このような初期耐久性の違いは、甲第１号証～甲第７号証の記載からは予測することができない効果である。 また、甲第３号証の記載事項ウ及び記載事項エには、過剰電流が正孔輸送層に移動することを防止することで、有機発光素子の寿命特性を改善できることが記載されている。しかしながら、そのために採用された甲第３号証に記載の課題解決手段は、過剰電子をトラップする電子阻止層を設ける（記載事項ア）というものであるから、本件特許発明１のものとは異なる。 そうしてみると、仮に、引用発明に甲第３号証に記載された技術事項を適用したとしても、本件特許発明１の上記［相違点２］に係る構成とはならない。 ウ　むすび 以上のとおり、本件特許発明１は、当業者が甲第１号証に記載された発明及び甲第２号証～甲第７号証に記載された事項に基づいて容易に発明をすることができたものであるということができない。 （２）本件特許発明２、４～１３ 本件特許発明２、４～１３は、いずれも、前記［相違点２］に係る、本件特許発明１の「該第１正孔輸送層に含まれる材料のＬＵＭＯのエネルギーＥ１（ＬＵＭＯ）と、該第２正孔輸送層に含まれる材料のＬＵＭＯのエネルギーＥ２（ＬＵＭＯ）とが、Ｅ１（ＬＵＭＯ）＞Ｅ２（ＬＵＭＯ）＋０．５ｅＶを満たす」とする要件を具備するものである。そうすると、本件特許発明２，４～１３は、本件特許発明１と同じ理由により、当業者が甲第１号証に記載された発明及び甲第２号証～甲第７号証に記載された事項に基づいて容易に発明をすることができたものであるということができない。 ５　取消理由通知において採用しなかった特許異議申立理由に対する判断 特許異議申立人安岡重典は、本件特許発明が発明の効果を奏するにあたり、特許請求の範囲の記載により特定される要件以外に必要不可欠な要件があるとし、本件特許の明細書の発明の詳細な説明及び特許請求の範囲にはその要件について記載がないから、本件特許発明について当業者が実施できる程度に明確かつ十分に記載しているとは言えず、発明が明確に記載されていないと主張している。 しかしながら、特許請求の範囲の記載により特定される要件以外に必要不可欠な要件があるとする事情を見いだすことはできず、この点において特許請求の範囲の記載が不明確とはいえず、発明の詳細な説明が当業者が実施できる程度に明確かつ十分に記載されたものではないとはいえない。 よって、上記特許異議申立人の主張には理由がない。 ６　むすび 以上のとおりであるから、取消理由通知に記載された取消理由及び特許異議申立書に記載した特許異議申立理由によっては、本件請求項１、２、４～１３に係る特許を取り消すことはできない。 また、他に本件請求項１、２、４～１３に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 また、本件請求項３に係る特許は、訂正により削除されたため、本件特許の請求項３に対して特許異議申立人がした特許異議申立てについては、対象となる請求項が存在しない。 よって、結論のとおり決定する。