2017-700165

特許第５９７６１８６号発明「１２００℃膜抵抗体」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

【結　論】 特許第５９７６１８６号の請求項１ないし２０に係る特許を維持する。

【理　由】 第１　手続の経緯 特許第５９７６１８６号（以下、「本件特許」という。）の請求項１ないし２０に係る特許についての出願は、平成２０年９月２９日（パリ条約による優先権主張　外国庁受理　２００７年９月２８日（以下、「優先日」という。）　独国）に出願した特願２００８－２４９６９２号の一部を、平成２６年３月４日に新たな特許出願とした特願２０１４－０４１７２１号の一部を、さらに平成２７年１０月２０日に新たな特許出願としたものであって、平成２８年７月２９日に特許権の設定登録がされ、平成２９年２月２３日にその特許に対して、特許異議申立人平林恭子により特許異議の申立てがなされたものである。 第２　本件特許発明 本件特許の請求項１ないし２０の特許に係る発明は、それぞれ、その特許請求の範囲の請求項１ないし２０に記載された次のとおりのものである（以下、請求項１、・・・・・・、２０の特許に係る発明を、それぞれ、「本件特許発明１」、・・・・・・、「本件特許発明２０」という。）。 「【請求項１】 白金抵抗膜パターンを金属酸化物基板上に堆積させ、前記抵抗膜パターン上にセラミック中間層を設ける、高温センサの製造方法において、 ガラスセラミックにより該セラミック中間層上に自立するセラミックカバーを結合するか、又は前記セラミック中間層の全面にガラスセラミックを取り付け、 その際、前記セラミック中間層上に前記自立するセラミックカバーを結合する前記ガラスセラミックは温度依存性のカチオン捕捉材（ゲッタ）であるか、または前記セラミック中間層の全面に取り付けられている前記ガラスセラミックは温度依存性のカチオン捕捉材（ゲッタ）であることを特徴とする、高温センサの製造方法。 【請求項２】 前記自立するセラミックカバーをセラミック中間層の全面に結合することを特徴とする、請求項１記載の方法。 【請求項３】 前記セラミック中間層上に前記自立するセラミックカバーを結合する前記ガラスセラミック、または前記セラミック中間層の全面に取り付けられている前記ガラスセラミックを前記セラミック中間層を越えて抵抗膜パターンのカソードにまで設けることを特徴とする、請求項１または２記載の方法。 【請求項４】 前記セラミック中間層上に前記自立するセラミックカバーを結合する前記ガラスセラミック、または前記セラミック中間層の全面に取り付けられている前記ガラスセラミックは７５０℃を越えると導電性であるか又はイオン伝導性であることを特徴とする、請求項１から３までのいずれか１項に記載の方法。 【請求項５】 前記自立するセラミックカバーを金属でドープされたガラスセラミックで結合し、前記ガラスセラミックは前記セラミック中間層を越えて抵抗膜パターンのカソードにまで設けられることを特徴とする、請求項１から４までのいずれか１項に記載の方法。 【請求項６】 前記セラミック中間層上に前記自立するセラミックカバーを結合する前記ガラスセラミック、または前記セラミック中間層の全面に取り付けられている前記ガラスセラミックは、温度依存性のカチオン捕捉材（ゲッタ）であり、７５０℃を越えて初めて作用することを特徴とする、請求項１から５までのいずれか１項記載の方法。 【請求項７】 抵抗膜のためのコンタクトフィールド（パッド）を前記セラミック中間層で覆わず、前記セラミック中間層を設けた後でかつ前記セラミックカバーを結合する前に端子線を前記コンタクトフィールドに接続することを特徴とする、請求項１から６までのいずれか１項記載の方法。 【請求項８】 前記セラミック中間層を、ＰＶＤ（物理蒸着）、ＩＡＤ（イオンアシスト蒸着）、ＩＢＡＤ（イオンビームアシスト蒸着）、ＰＩＡＤ（プラズマイオンアシスト蒸着）、ＣＶＤ（化学蒸着）又はマグネトロンスパッタ法による薄膜法で設ける、請求項１から７までのいずれか１項記載の方法。 【請求項９】 エピタキシャル法によりサファイアに堆積されたＰｔ抵抗構造を、セラミック中間層で被覆し、該セラミック中間層上に、石英ガラスセラミックを結合するか、又はセラミックカバーを石英ガラスセラミックで結合する、請求項１から８までのいずれか１項記載の方法。 【請求項１０】 前記セラミック中間層が、Ａｌ2Ｏ3からなる薄膜として設けられる、請求項１から９までのいずれか１項記載の方法。 【請求項１１】 セラミック中間層が、パッシベーション層又は拡散バリアである、請求項１から１０までのいずれか１項記載の方法。 【請求項１２】 金属酸化物基板上にコンタクトパッドと前記パッドに接続するＰｔ抵抗膜パターンとを備え、前記抵抗膜パターン上にセラミック中間層を備え、かつ前記セラミック中間層の全面に取り付けられるガラスセラミックを備えている高温センサチップにおいて、前記ガラスセラミックは温度依存性のカチオン捕捉材（ゲッタ）であることを特徴とする、高温センサチップ。 【請求項１３】 前記ガラスセラミックは石英ガラスセラミックであることを特徴とする、請求項１２記載の高温センサチップ。 【請求項１４】 前記ガラスセラミックはセラミック中間層を越えてカソードにまで延在することを特徴とする、請求項１２または１３記載の高温センサチップ。 【請求項１５】 高温センサチップは配線された膜抵抗体であることを特徴とする、請求項１２から１４までのいずれか１項記載の高温センサチップ。 【請求項１６】 前記セラミック中間層により覆われていない抵抗膜のためのコンタクトパッドが、それぞれ端子線と接続されていることを特徴とする、請求項１５記載の高温センサチップ。 【請求項１７】 電気絶縁性表面を有する金属酸化物基板と、前記表面に配置された白金測定抵抗体とからなり、電気端子と、前記白金測定抵抗体を覆うが前記電気端子を覆っていない、前記電気絶縁性セラミック中間層とを有し、その際、前記電気絶縁性セラミック中間層はガラスセラミック又は金属でドープされたガラスセラミックで被覆されていて、前記ガラスセラミック又は金属でドープされたガラスセラミックは８５０℃以上で高くても１メガオーム／スクエアの抵抗率を有し、かつ温度依存性のカチオン捕捉材（ゲッタ）である、請求項１２から１６までのいずれか１項記載の高温センサチップ。 【請求項１８】 前記セラミック中間層が、Ａｌ2Ｏ3又はＭｇＯ又はＴａ2Ｏ5を含む、請求項１７記載の高温センサチップ。 【請求項１９】 前記セラミック中間層が、Ａｌ2Ｏ3からなる薄膜である、請求項１２から１８までのいずれか１項記載の高温センサチップ。 【請求項２０】 前記セラミック中間層が、パッシベーション層又は拡散バリアである、請求項１２から１９までのいずれか１項記載の高温センサチップ。」 第３　申立理由の概要 理由１　特許異議申立人は、本件特許発明１ないし２０は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たさないので、同法第１１３条第４号により取り消されるべきである旨主張している。 理由２　特許異議申立人は、本件特許発明１ないし２０は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たさないので、同法第１１３条第４号により取り消されるべきである旨主張している。 理由３ １ （１）特許異議申立人は、主たる証拠として甲第１号証及び従たる証拠として甲第３号証ないし甲第５号証を提出し、請求項１、３、４、６、８、１０－１２、１４、１５、１８－２０に係る特許は第２９条第２項の規定に違反してなされたものであるため、同法第１１３条第２号により取り消されるべきである旨主張している。 （２）特許異議申立人は、主たる証拠として甲第２号証及び従たる証拠として甲第３号証ないし甲第５号証を提出し、請求項１、３、４、６、８、１０－１２、１４、１５、１８－２０に係る特許は第２９条第２項の規定に違反してなされたものであるため、同法第１１３条第２号により取り消されるべきである旨主張している。 ２　特許異議申立人は、主たる証拠として甲第１号証及び従たる証拠として甲第３号証ないし甲第５号証を提出し、請求項２，７に係る特許は第２９条第２項の規定に違反してなされたものであるため、同法第１１３条第２号により取り消されるべきである旨主張している。 ３ （１）特許異議申立人は、主たる証拠として甲第１号証及び従たる証拠として甲第２号証ないし甲第７号証を提出し、請求項９に係る特許は第２９条第２項の規定に違反してなされたものであるため、同法第１１３条第２号により取り消されるべきである旨主張している。 （２）特許異議申立人は、主たる証拠として甲第２号証及び従たる証拠として甲第３号証ないし甲第７号証を提出し、請求項９に係る特許は第２９条第２項の規定に違反してなされたものであるため、同法第１１３条第２号により取り消されるべきである旨主張している。 ４ （１）特許異議申立人は、主たる証拠として甲第１号証及び従たる証拠として甲第２号証ないし甲第５号証を提出し、請求項１３、１６に係る特許は第２９条第２項の規定に違反してなされたものであるため、同法第１１３条第２号により取り消されるべきである旨主張している。 （２）特許異議申立人は、主たる証拠として甲第２号証及び従たる証拠として甲第３号証ないし甲第５号証を提出し、請求項１３、１６に係る特許は第２９条第２項の規定に違反してなされたものであるため、同法第１１３条第２号により取り消されるべきである旨主張している。 ＜証拠方法＞ 甲第１号証：特表２００３－５１７５７４号公報 甲第２号証：特表２００２－５３５６１０号公報 甲第３号証：特開２００１－５８８４９号公報 甲第４号証：特開平９－１８８５４４号公報 甲第５号証：特開２００１－１０８４３号公報 甲第６号証：特開昭６１－１８１１０４号公報 甲第７号証：特開平１０－２６５５９号公報 第４　理由１について １　異議申立人は、異議申立書第１４頁第２５行～第１５頁１２行において、 「本件特許発明１，１２では、「ガラスセラミックは温度依存性のカチオン捕捉材（ゲッタ）である」と規定されている。しかし、特許請求の範囲の記載から、この「ガラスセラミック」が、全体がゲッタであるものなのか、一部がゲッタで構成されているものなのか不明である。 すなわち、上記規定は、文言上は「ガラスセラミック全体がゲッタである」と解釈されるものの、本件の明細書では、例えば段落００５３に「石英ガラスセラミックからなるパッシベーション層１０」と記載されているように、「ガラスセラミック」が石英ガラスセラミックであることが明記されている。石英ガラスは、カチオン捕捉機能を奏さないと考えられることから、明細書の記載からは「ガラスセラミック全体がゲッタである」とは解釈されず、上記特許請求の範囲における文言上の解釈とは矛盾する。 このため、「温度依存性のカチオン捕捉材（ゲッタ）であるガラスセラミックがどのような状態のものを示すのか不明瞭であり、当業者であっても本件特許発明１，１２を認識することができない。」 と主張している。 しかし、本件明細書の段落【００５３】に「図１の場合には、測定抵抗体として利用される抵抗膜３は薄膜としてサファイア１の平坦な表面上に存在する。・・・（中略）・・・前記抵抗膜３は、その基板１とは反対側に拡散遮断膜７が中間層７として設けられていて、前記拡散遮断膜７は石英ガラスセラミックからなるパッシベーション層１０で覆われている。」と記載されているとおり、本件明細書の段落【００５３】の記載は、図１の「サファイア上に端子面を備えた測定抵抗体の展開図」（本件明細書の段落【００４５】）を説明したものであって、「ガラスセラミック」が「温度依存性のカチオン捕捉材（ゲッタ）であること」の技術的内容を説明したものではない。 よって、特許請求の範囲の請求項１、１２の「ガラスセラミックは温度依存性のカチオン捕捉材（ゲッタ）である」との記載は、本件明細書の段落【００５３】の「石英ガラスセラミックからなるパッシベーション層１０で覆われている。」との記載と何ら矛盾するものではない。 よって、異議申立人の主張は採用できない。 また、異議申立人の主張は、本件特許発明１、１２における「温度依存性のカチオン捕捉材（ゲッタ）」が、「ガラスセラミック」の「全部」または「一部」のどちらか一方のみを意味していることを前提としているが、そのような前提が成り立つ根拠は見いだせないから、異議申立人の主張は理由がない。 ２　異議申立人は、異議申立書第１５頁第１３～１８行において、 「また、「温度依存性のカチオン捕捉材」について、「温度依存性」の指すものが不明瞭である。「温度依存性のカチオン捕捉材」は、「温度変化に伴って何らかの性質（パラメータ、機能等）が変化するカチオン捕捉材」と推量されるが、この性質がどのようなものなのか、特許請求の範囲の記載、及び明細書の記載から不明である。そのため、当業者であっても本件特許発明１，１２を認識することができない。」 と主張している。 しかし、本件特許発明１、１２は、それぞれ「高温センサの製造方法」、「高温センサチップ」に係る発明であるから、本件特許発明１、１２における「温度依存性のカチオン捕捉材（ゲッタ）であること」とは、「カチオン捕捉材（ゲッタ）」として機能が「温度依存性」を有し、「高温」において「カチオン捕捉材（ゲッタ）」として機能する意味であることは、明らかである。 よって、異議申立人の主張は採用できない。 ３　したがって、本件特許発明１，１２及びこれらを引用する本件特許発明２－１１，１３－２０は、特許法第３６条６項２号に規定する要件を満たしているから、特許法第１１３条第４号により取り消すことはできない。 第５　理由２について １　異議申立人は、異議申立書第１６頁第９～１９行において、 「本件特許発明１，１２では、「ガラスセラミックは温度依存性のカチオン捕捉材（ゲッタ）である」と規定されている。 しかし、本件の明細書の「課題を解決する手段」には、上記ゲッタとして、「酸化ジルコニウム」のみが記載され（段落００１８、００２０参照）、その他のゲッタは開示されていない。また、本件の明細書の実施の形態（段落００４６以降）には、ゲッタをガラスセラミックとして使用すること自体が記載されていない。 したがって、本件の明細書には、酸化ジルコニウム以外のゲッタを用いても、７５０℃～１２００℃の適用領域内でセンサのドリフトが低下され、かつ有利に電流接続に関して敏感でないセンサを提供できることが、何ら示されていない。」 と主張している。 しかしながら、本件明細書の発明の詳細な説明には、「金属でドープされたガラスセラミック又はガラスセラミックを使用し、前記ガラスセラミックは７５０℃より高くでは導電性であるか又はイオン伝導性であり、その際、場合により金属でドープされた前記ガラスセラミックは前記抵抗膜を覆うセラミック膜上で、前記セラミック膜を越えて前記抵抗膜のカソードと結合されている。このように、カソードポテンシャルを備えるか又は接地されたガラスセラミックは、カチオンがＰｔ測定抵抗体へ移行することを防止する。」（段落【００１６】）、「前記カチオン捕捉材は、有利に酸化ジルコニウムを有する。」（段落【００１８】）、「セラミック状又はガラス状のイオン捕捉材が使用される。酸化ジルコニウムが有利な材料である。」（段落【００２０】）、「特に高品質なガラスセラミックは、ガラス成分として石英ガラスを有し、これは白金でドープされている。」（段落【００２６】）、「金属、特に白金でドープされたガラスセラミック１０上にセラミックプレート１１が結合される。」（段落【００５６】）、「金属でドープされたガラスセラミック１０で覆われている。」（段落【００５７】）と記載されている。 よって、本件特許発明１，１２の「ガラスセラミックは温度依存性のカチオン捕捉材（ゲッタ）」について、 本件明細書の発明の詳細な説明には、「ゲッタをガラスセラミックとして使用すること」、及び、その例としては、「酸化ジルコニウムを有する」もののみではなく、「白金でドープされたガラスセラミック」が示されているので、本件特許発明１，１２は、発明の詳細な説明に記載された発明である。 ２　異議申立人は、異議申立書第１６頁第２０～２３行において、 「さらに、上述したように、「温度依存性のカチオン捕捉材」には、「温度によって何らかの性質が変化し、カチオンを捕捉する素材」が全て含まれ得る。このような全ての素材が上記課題を解決できる証拠についても本件の明細書には開示されていない。」 と主張している。 しかし、本件特許発明１、１２における「温度依存性のカチオン捕捉材（ゲッタ）であること」とは、「カチオン捕捉材（ゲッタ）」として機能が「温度依存性」を有し、「高温」において「カチオン捕捉材（ゲッタ）」として機能するという意味であるから、「温度依存性のカチオン捕捉材（ゲッタ）」により、「高温」において、白金にとって有害なカチオンが「カチオン捕捉材（ゲッタ）」により補足され、高温におけるセンサの安定性を得るという課題が達成できることは明らかである。 よって、異議申立人の主張は採用できない。 ３　異議申立人は、異議申立書第１６頁第２４～２６行において、 「以上より、本件の明細書には、ゲッタとして酸化ジルコニウムのみが開示されており、本件特許発明１，１２の範囲まで、発明の詳細な説明に開示された内容を拡張ないし一般化できるとはいえない。」 と主張している。 しかしながら、上記「１」に記載したように、本件明細書の発明の詳細な説明には、「温度依存性のカチオン捕捉材（ゲッタ）」として機能する「ガラスセラミック」について、「特に高品質なガラスセラミックは、ガラス成分として石英ガラスを有し、これは白金でドープされている。」（段落【００２６】）、「金属、特に白金でドープされたガラスセラミック１０上にセラミックプレート１１が結合される。」（段落【００５６】）、「金属でドープされたガラスセラミック１０で覆われている。」（段落【００５７】）と記載されているから、本件明細書の発明の詳細な説明には、「ゲッタとして酸化ジルコニウムのみが開示されて」いるわけではない。 よって、異議申立人の主張は理由がない。 ４　したがって、本件特許発明１，１２及びこれらを引用する本件特許発明２－１１，１３－２０は、特許法第３６条６項１号に規定する要件を満たしているから、特許法第１１３条第４号により取り消すことはできない。 第６　理由３について １　甲第１号証～甲第７号証の記載事項 （１）甲第１号証には、以下のように記載されている。（下線は、当審で付与したものである。以下同様。） ａ　「【０００１】 ［技術分野］ 本発明は、温度依存性抵抗の製造方法および電気的温度センサに関し、特定すると、白金を含む（含白金）温度依存性抵抗であって、電気絶縁性材料より成る表面をもつキャリヤ上に抵抗層を厚膜として被着して成る温度依存性抵抗の製造方法ならびにそれを使用した電気的温度センサに関する」（第６頁） ｂ　「【０００９】 好ましい実施形態においては、抵抗層をセラミック塊好ましくはアルミ酸化物上に被着し、ついでこれに拡散障壁ないし不動態層としてセラミック塊（同様にアルミニウム酸化物）で遮蔽被覆する。その際、抵抗層は焼成セラミックサブストレート上に被着してもよいが、その際には、抵抗層の構造体の幾何形態が変動しないという利点が得られる。拡散障壁は、好ましくは中間層として被着されるのがよい。」（第７頁） ｃ　「【００３０】 ［発明の好ましい態様］ 以下、図面を参照して本願発明を好ましい具体例について説明する。 図１の構成に従うと、測定用抵抗として働く抵抗層１がアルミニウム酸化物より成るセラミックサブストレート２の平坦な表面上に厚膜として設けられている。抵抗層１は、例えばDE 40 26 061 C1またはEP 0 471 138 B1 から周知のように、接続接触面５、６をもつ蛇行形態として構成されている。接続接触面は抵抗層と同じ材料から成る。抵抗層１は、そのサブストレートと反対側に中間層１０としての拡散遮断層を備えており、そして拡散遮断層それ自体はガラスより成る不動態層３で遮蔽被覆されている。白金を含む抵抗層１の繊細な構造体は、ガラス不動態層により、環境の大気による毒作用に抗して有効に保護される。このような多層構造で、白金を含む抵抗層１に対して非常に有害な珪素イオンは抑制される。珪素イオンは、高温度において白金を物理的拡散により非常に迅速に汚染し、そのためそれから生ずる白金合金の温度／抵抗関数に劇的に影響し、その結果温度測定のための抵抗層１の耐高温度性がもはや賦与されなくなる。中間層ないし拡散障壁１０として作用し第１の熱力学的に安定でかつ純粋なアルミ酸化物層により、珪素イオンその他の白金に毒作用を及ぼす物質ないしイオンの侵入は阻止され、したがって例えば蛇行状に構成された抵抗層は汚染から保護される。中間層ないし拡散障壁１０の被着は、物理的蒸着により達成される。アルミ酸化物層は、純粋のアルミ酸化物（Ａｌ２Ｏ３）の非常に安定な層が抵抗層１の白金構造体を遮断被覆するような方法で過化学量論的に被着される。ガラスから成り珪素イオンを含む不動態層３は、活性の白金抵抗層と全然接触しないから、外部の汚染要素に対する機械的保護手段としての抵抗層１の遮断被覆がそれにより保証される。」（第１３頁～第１４頁） ｄ　「【図１】 セラミック基板上に接続面をもつ測定用抵抗を示す断面図で、抵抗が蛇行状構造体として構成され、拡散遮断層および不動態層により遮蔽被覆された状態を示す図である。」（第１７頁） ｅ　図１から、測定用抵抗がチップ状であること、不動態層３が接続接触面５及び６に接触していることが見て取れる。（第１８頁） したがって、上記の記載事項を総合すると、甲第１号証には、次の発明（以下、「甲１発明」という。）が記載されていると認められる（括弧内は、甲第１号証の記載箇所を示す。）。 「測定用抵抗として働く白金を含む抵抗層１がアルミニウム酸化物より成るセラミックサブストレート２の平坦な表面上に厚膜として設けられており、 白金を含む抵抗層１は、接続接触面５、６をもつ蛇行形態として構成され、サブストレートと反対側に中間層１０としての拡散遮断層を備えており、 拡散遮断層それ自体はガラスより成る不動態層３で遮蔽被覆されており、 中間層ないし拡散障壁１０として作用し第１の熱力学的に安定でかつ純粋なアルミ酸化物層により、高温度において白金を物理的拡散により非常に迅速に汚染する珪素イオン、その他の物質ないしイオンの侵入は阻止される（【００３０】）、 電気的温度センサチップ（【０００１】、【図１】）。」 （２）甲第２号証には、以下のように記載されている。 ａ　「【０００１】 本発明は、プラチナ温度センサおよびその製造方法に関し、特にセラミック基板上に温度検出のために用いられるプラチナ薄膜抵抗体が設けられたプラチナ温度センサに関する。」 ｂ　「【０００２】 図２は公知のプラチナ温度センサを示す。このプラチナ温度センサにおいては、プラチナ薄膜抵抗体２が、通常は酸化アルミニウムまたはアルミナ(Al2O3) からなるセラミック基板４の上に設けられている。プラチナ薄膜抵抗体２が形成されている領域内には、セラミック基板４の表面上に保護グレーズ(protective glaze ) ６が設けられている。このプラチナ層、即ち通常はプラチナ薄膜抵抗体２が曲折状に形成されているプラチナ層は、さらに接続部８を持つようにパターン化されている。この接続部８には、センサの信号を受け取るためのリード線１０が電気的に導通接続されている。また、リード線１０を固定するため、グレーズ（glaze)１２が設けられている。」 ｃ　「【００１０】 本発明が提供するプラチナ温度センサは、セラミック基板と、そのセラミック基板の主面に設けられたプラチナ薄膜抵抗体とを備える。保護中間層は、セラミック基板の主面上に少なくともプラチナ薄膜抵抗体が設けられた領域を全て覆うように蒸着されたセラミック層と、その蒸着されたセラミック層の上に設けられた焼結セラミックペースト層(sintered ceramic paste layer)とを備える。この保護中間層の上には、保護グレーズが設けられる。」 ｄ　「【００１５】 図１に示された本発明に係る実施例に見られるように、セラミック基板４の上に配置されパターン化されたプラチナ層は、プラチナ薄膜抵抗体２と接続部８とで構成されている。プラチナ層の上にはアルミナ層(Al2O3 layer) １４が蒸着されている。この層１４は、上記プラチナ薄膜抵抗体２を全て覆うように蒸着されている。この蒸着された層１４の上にはさらなる層１６が配置されるが、この層１６は、例えばスクリーン印刷法により設けられ、中間段階まで焼結されたセラミックペーストによって形成されたものである。この層１６は、先に蒸着形成されたアルミナ層を補強する役割を果たす。その後、層１６の上には、プラチナ膜抵抗体２が周囲から気密状態でシールされるような状態で、グレーズ（glaze)１８が設けられる。 【００１６】 図１に示された本発明に係るプラチナ温度センサを製造するため、まず最初に、パターン化されたプラチナ膜層が配置されたセラミック基板４の表面上で、少なくともプラチナ膜抵抗体２の領域内に、アルミナ層１４が蒸着される。この層１４は次に、スクリーン印刷法を利用したセラミックペーストにより補強される。その後、セラミックペーストは望ましくは中間段階まで焼結される。蒸着されたアルミナ層１４の厚みは、１～３μｍの範囲内、望ましくは約１．５μｍである。上述のように、約１０～３０μｍの厚みのセラミックペーストによる中間層の補強は、８００℃を越える高温においても信頼性のある封止性を実現するために実行される。このセラミックペーストは、例えばアルミナ, 酸化マグネシウム(MgO), 二酸化珪素(SiO2)等、複数のセラミックパウダーと石英パウダー(quartz powder) との混合物によって構成することができる。」 したがって、上記の記載事項を総合すると、甲第２号証には、次の発明（以下、「甲２発明」という。）が記載されていると認められる（括弧内は、甲第２号証の記載箇所を示す。）。 「セラミック基板４の上に配置されパターン化されたプラチナ層は、プラチナ薄膜抵抗体２と接続部８とで構成されており（【００１５】）、 プラチナ薄膜抵抗体が設けられた領域を全て覆うように蒸着されたセラミック層（【００１０】）であるアルミナ層(Al2O3 layer) １４が蒸着されており（【００１５】）、 層１４の上に、セラミックペーストによって形成された層１６が配置され、 層１６の上には、グレーズ（glaze)１８が設けられ（【００１５】）、 セラミックペーストによる中間層の補強は、高温においても信頼性のある封止性を実現するために実行され、セラミックペーストは、複数のセラミックパウダーと石英パウダー(quartz powder) との混合物によって構成された（【００１６】）、 プラチナ温度センサ（【０００１】）。」 （３）甲第３号証には、以下のように記載されている。 ａ　「【請求項１】下記酸化物基準の質量百分率表示で、実質的に Ｂ2Ｏ3 ５～３５％、 ＳｉＯ2 ０．５～３０％、 ＢａＯ ２５～７５％、 Ａｌ2Ｏ3 ０．５～１３％、 ＳｎＯ2 ０～２％、 ＣｅＯ2 ０～２％、 ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ ０～１０％、 ＺｎＯ ０～２０％、 ＴｉＯ2 ０～５％、 ＺｒＯ2 ０～５％、 Ｌｉ2Ｏ ０～５％、 Ｎａ2Ｏ ０～５％、 Ｋ2Ｏ ０～５％、 からなるバリウムホウケイ酸ガラス。」 ｂ　「【００２０】ＴｉＯ2、ＺｒＯ2はいずれも必須ではないが、化学的耐久性を高くするためにそれぞれ５％まで含有してもよい。５％超ではガラス溶解時に失透するおそれがある。好ましくはそれぞれ３％以下、より好ましくは２％以下である。」 （４）甲第４号証には、以下のように記載されている。 ａ　「【請求項１】重量％表示で実質的に、 ＺｎＯ １５～５５、 Ｐ2 Ｏ5 ３０～７５、 Ｌｉ2 Ｏ＋Ｎａ2 Ｏ＋Ｋ2 Ｏ ０～２．８、 Ａｌ2 Ｏ3 ０．１～５、 ＳｎＯ2 ＋ＴｉＯ2 ＋ＺｒＯ2 ０．１～２、 Ｂｉ2 Ｏ3 ０～３０、 ＳｉＯ2 ０～５、 Ｂ2 Ｏ3 ０～１０、 Ｖ2 Ｏ5 ＋Ｔｌ2 Ｏ3 ０～５、 Ｆ ０～２、 からなることを特徴とするガラス組成物。」 ｂ　「【００１２】ＳｎＯ2 、ＴｉＯ2 、ＺｒＯ2 ；化学的耐候性向上のために少なくとも１種を必須成分とする。合量で０．１％より少ないと効果が少ない。一方、合量で２％を超えると軟化点が高くなりすぎ好ましくない。望ましくは合量で０．５～１．５％である。」 （５）甲第５号証には、以下のように記載されている。 ａ　「【請求項１】 酸化物基準のモル％で表して、 Ｐ2Ｏ5 ２０～４５％、 ＳｎＯ ４５～７５％、 ＷＯ3 ０．５～１０％、 ＭｇＯ ０～１０％、 ＣａＯ ０～１０％、 ＳｒＯ ０～１０％、 ＢａＯ ０～１０％、 ＳｉＯ2 ０～ ５％、 Ｂ2Ｏ3 ０～ ５％、 Ａｌ2Ｏ3 ０～ ５％、 ＺｒＯ2 ０．１～ ５％、 Ｎｂ2Ｏ5 ０．１～１０％の組成からなることを特徴とする結晶性低融点ガラス。」 ｂ　「【００２２】ＺｒＯ2成分は、ガラスの結晶化を促進させる効果があるが、その量が０．１％未満では、その効果が充分ではなく、５％を超えると結晶化傾向が大きくなりすぎ、封着時にガラスが充分に流動しなくなる。」 （６）甲第６号証には、以下のように記載されている。 「まず、アルミナ、サファイヤ等の絶縁基板１の表面に、スパッタリング法、イオンブレーティング法によって、白金膜２を数千オングストロームないし数ミクロン付着する（第２図）。その上にフォトレジストパターン３を形成した後（第３図スパッタエツチング法によって、白金膜２をパターニングする（第４図）。フォトレジストを除去したのち、１０００　°Ｃ付近の高温で大気中熱処理を行ない、トリミングによる抵抗調整、リード線４の溶接を行なう（第５図）。最後に、スパッタリング法又はイオンブレーティング法で、酸化アルミニウム膜５を数千オングストロームないし数ミクロン付着する（第１図）。」（第２頁右下欄第９行～第３頁左上欄第１行） （７）甲第７号証には、以下のように記載されている。 ａ　「【００２５】具体的に実験結果を説明すると、マグネトロンスパッタリング法によって絶縁物上に白金薄膜を成膜する際、スパッタリング中の絶縁物の温度を変え、同じ膜厚(０．１２μｍ)で、(１００)面方位と(１１１)面方位の強度が異なる白金測温抵抗体を作成し、ＴＣＲを測定した。その測定結果を下記表１に示す。」 ｂ　「【００４４】比較例として、絶縁物にサファイア基板とアルミナ基板とを用い、上述のマグネトロンスパッタリングの条件と同じ条件で白金薄膜を成膜し、パターニングによって白金測温抵抗体を形成してＴＣＲの値を測定した。その結果を下記表４、表５に示す。」 ２　対比・判断 （１）本件特許発明１２について ア　甲第１号証を主たる証拠とした場合 （ア）対比 本件特許発明１２と甲１発明を対比する。 ａ　甲１発明の「アルミニウム酸化膜より成るセラミックサブストレート２」、「接続接触面５、６」は、それぞれ、本件特許発明１２の「金属酸化物基板」、「コンタクトパッド」に相当する。 ｂ　甲１発明の「接続接触面５、６をもつ蛇行形態として構成され」た「白金を含む抵抗層１」は、本件特許発明１２の「コンタクトパッドと前記パッドに接続するＰｔ抵抗膜パターン」に相当するので、 甲１発明の「アルミニウム酸化物より成るセラミックサブストレート２の」「表面上に」「接続接触面５、６をもつ蛇行形態として構成され」た「白金を含む抵抗層１」は、本件特許発明１２の「金属酸化物基板上に」備えられる「コンタクトパッドと前記パッドに接続するＰｔ抵抗膜パターン」に相当する。 ｃ　甲第１号証の「抵抗層をセラミック塊好ましくはアルミ酸化物上に被着し、ついでこれに拡散障壁ないし不動態層としてセラミック塊（同様にアルミニウム酸化物）で遮蔽被覆する。」（上記「１　（１）ｂ」）の記載を参酌すると、甲１発明の「中間層ないし拡散障壁１０として作用」する「アルミ酸化物層」は、「セラミック」といえるので、 甲１発明の「白金を含む抵抗層１」が「サブストレートと反対側に中間層１０としての拡散遮断層を備え」ることは、本件特許発明１２の「前記抵抗膜パターン上にセラミック中間層を備え」ることに相当する。 ｄ　甲１発明において、「高温度において白金を物理的拡散により非常に迅速に汚染する珪素イオン、その他の物質ないしイオンの侵入は阻止される」ので、甲１発明は、高温での使用を想定しているといえ、甲１発明の「電気的温度センサチップ」は、本件特許発明１２の「高温センサチップ」に相当する。 そして、甲１発明の「ガラスより成る不動態層３」に対応する本件特許発明１２の「ガラスセラミック」について、本件明細書の発明の詳細な説明に「セラミック状又はガラス状のイオン捕捉材」（段落【００２０】）、「特に高品質なガラスセラミックは、ガラス成分として石英ガラスを有し、これは白金でドープされている。」（段落【００２６】）と記載されていることを踏まえると、 甲１発明の「拡散遮断層」を「遮蔽被覆」する「ガラスより成る不動態層３」を備えている「電気的温度センサチップ」と、本件特許発明１２の「前記セラミック中間層の全面に取り付けられるガラスセラミックを備えている高温センサチップ」とは、「前記セラミック中間層の全面に取り付けられるガラスを備えている高温センサチップ」である点で共通する。 したがって、本件特許発明１２と甲１発明とは、次の一致点、相違点を有する。 （一致点） 「金属酸化物基板上にコンタクトパッドと前記パッドに接続するＰｔ抵抗膜パターンとを備え、 前記抵抗膜パターン上にセラミック中間層を備え、 かつ前記セラミック中間層の全面に取り付けられるガラスを備えている高温センサチップ。」 （相違点） セラミック中間層の全面に取り付けられる「ガラス」が、本件特許発明１２は、「温度依存性のカチオン捕捉材（ゲッタ）である」「ガラスセラミック」であるのに対して、甲１発明は、このような特定がない点。 （イ）判断 相違点について検討する。 甲１発明は、「拡散遮断層」を「遮蔽被覆」する「ガラスより成る不動態層３」を備えているが、「ガラス」が、温度依存性のカチオン捕捉材（ゲッタ）であることは特定されておらず、甲第１号証にも、そのような記載は無い。 甲第３号証及び甲第４号証には、化学的耐久性を高くするためにガラスに、酸化ジルコニウムを添加すること、甲第５号証には、ガラスの結晶化を促進させるために、酸化ジルコニウムを添加することが記載されている（上記「１　（３）」～「１　（５）」）。 この点に関して、異議申立人は、「一方で、電子部品に用いられるガラスセラミックに対し、化学的耐性を高めるために本件の明細書においてゲッタとされている酸化ジルコニウムを添加することは、甲第３号証ないし甲第５号証に記載された周知技術に過ぎない。」（異議申立書第２７頁第２０～２３行）と主張している。 しかし、本件特許発明１２の「温度依存性のカチオン捕捉材（ゲッタ）」は、本件明細書の発明の詳細な説明に「前記ガラスセラミックは７５０℃より高くでは導電性であるか又はイオン伝導性であり、・・・前記抵抗膜のカソードと結合されている。このように、カソードポテンシャルを備えるか又は接地されたガラスセラミックは、カチオンがＰｔ測定抵抗体へ移行することを防止する。」（段落【００１６】）とされるのもであり、甲１発明において、化学的耐性を高めるために酸化ジルコニウムを添加したからといって、これにより直ちに、甲１発明における「不動態層３」が温度依存性のカチオン捕捉材として機能することにはならない。 さらに、甲１発明では、不動態層３により、拡散遮断層を露出することなく遮蔽被覆する為に、不動態層３は、接続接触面５と６の両方に接触して配置されている（上記「１　（１）ｅ」）のであるから、不動態層３を導電性とすることはそもそも想定されておらず、甲１発明の「不動態層３」を、高温で導電性となるものとし、さらにカソードポテンシャルを備えるか又は接地として「温度依存性のカチオン捕捉材（ゲッタ）」とすることは、当業者が容易になし得たことであるとはいえない。 また、甲第３号証ないし甲第５号証にも、温度依存性のカチオン捕捉材（ゲッタ）であるガラスセラミックは記載されていない。 したがって、本件特許発明１２は、本件の優先日前に当業者が甲１発明及び甲第３号証ないし甲第５号証に記載された技術に基づいて、容易になし得たものとすることができない。 イ　甲第２号証を主たる証拠とした場合 （ア）対比 本件特許発明１２と甲２発明を対比する。 ａ　プラチナ温度センサにおいては、通常は酸化アルミニウムまたはアルミナ(Al2O3) からなるセラミック基板４を用いるので（上記「１（２）ｂ」）、甲２発明の「セラミック基板４」は、本件特許発明１２の「金属酸化物基板」に相当し、甲２発明の「接続部８」は、本件特許発明１２の「パッド」に相当する。 ｂ　甲２発明の「プラチナ薄膜抵抗体２と接続部８とで構成され」た「パターン化されたプラチナ層」は、本件特許発明１２の「コンタクトパッドと前記パッドに接続するＰｔ抵抗膜パターン」に相当するので、 甲２発明の「セラミック基板４の上に配置され」た「プラチナ薄膜抵抗体２と接続部８とで構成され」た「パターン化されたプラチナ層」は、本件特許発明１２の「金属酸化物基板上に」備えられる「コンタクトパッドと前記パッドに接続するＰｔ抵抗膜パターン」に相当する。 ｃ　甲２発明の「プラチナ薄膜抵抗体が設けられた領域を全て覆うように蒸着されたセラミック層」は、本件特許発明１２の「前記抵抗膜パターン上に」備えられる「セラミック中間層」に相当する。 ｄ　甲２発明の「セラミックペーストによる中間層の補強は、高温においても信頼性のある封止性を実現するために実行され」るので、甲２発明の「プラチナ温度センサ」は、高温での使用を想定している。 そして、甲２発明の「セラミックペーストによって形成された層１６」に対応する本件特許発明１２の「ガラスセラミック」について、本件明細書の発明の詳細な説明に「石英ガラスセラミック１０のセラミック成分及び石英ガラス成分」（段落【００５４】）と記載されていることを踏まえると、 甲２発明の「層１４の上に、」「複数のセラミックパウダーと石英パウダー(quartz powder) との混合物によって構成された」「セラミックペーストによって形成された層１６が配置され」た「プラチナ温度センサ」と、本件特許発明１２の「かつ前記セラミック中間層の全面に取り付けられるガラスセラミックを備えている高温センサチップ」とは、「かつ前記セラミック中間層に取り付けられるガラスセラミックを備えている高温センサ」である点で共通する。 したがって、本件特許発明１２と甲２発明とは、次の一致点、相違点を有する。 （一致点） 「金属酸化物基板上にコンタクトパッドと前記パッドに接続するＰｔ抵抗膜パターンとを備え、 前記抵抗膜パターン上にセラミック中間層を備え、 かつ前記セラミック中間層に取り付けられるガラスセラミックを備えている高温センサ」 （相違点１） 本件特許発明１２は、「ガラスセラミック」が「導前記セラミック中間層の全面に取り付けられる」のに対して、甲２発明は、「層１４の上に、セラミックペーストによって形成された層１６が配置され」ているが、「セラミックペーストによって形成された層１６」が、「層１４」の全面に取り付けられることが特定されていない点。 （相違点２） 「ガラスセラミック」が、本件特許発明１２は、「温度依存性のカチオン捕捉材（ゲッタ）である」「ガラスセラミック」であるのに対して、甲２発明の「セラミックペーストによって形成された層１６」は、このような特定がない点。 （相違点３） 本件特許発明１２は、「高温センサチップ」であるのに対して、甲２発明は、高温での使用を想定している「プラチナ温度センサ」ではあるが、高温センサチップであることが特定されていない点。 （イ）判断 事案に鑑み、相違点２について検討する。 甲２発明は、「複数のセラミックパウダーと石英パウダー(quartz powder) との混合物によって構成され」た「セラミックペーストによって形成された層１６」を備えているが、「セラミックペーストによって形成された層１６」が、温度依存性のカチオン捕捉材（ゲッタ）であることは特定されておらず、甲第２号証にも、そのような記載は無い。 甲第３号証及び甲第４号証には、化学的耐久性を高くするためにガラスに、酸化ジルコニウムを添加すること、甲第５号証には、ガラスの結晶化を促進させるために、酸化ジルコニウムを添加することが記載されている（上記「１　（３）」～「１　（５）」）。 この点に関して、異議申立人は、「一方で、電子部品に用いられるガラスセラミックに対し、化学的耐性を高めるために本件の明細書においてゲッタとされている酸化ジルコニウムを添加することは、甲第３号証ないし甲第５号証に記載された周知技術に過ぎない。」（異議申立書第２７頁第２０～２３行）と主張している。 しかし、本件特許発明１２の「温度依存性のカチオン捕捉材（ゲッタ）」は、本件明細書の発明の詳細な説明に「前記ガラスセラミックは７５０℃より高くでは導電性であるか又はイオン伝導性であり、・・・前記抵抗膜のカソードと結合されている。このように、カソードポテンシャルを備えるか又は接地されたガラスセラミックは、カチオンがＰｔ測定抵抗体へ移行することを防止する。」（段落【００１６】）とされるのもであり、甲２発明において、化学的耐性を高めるために酸化ジルコニウムを添加したからといって、これにより直ちに、甲２発明における「セラミックペーストによって形成された層１６」が温度依存性のカチオン捕捉材として機能することにはならない。 さらに、甲２発明では、セラミックペーストによって形成された層１６は、層１４の上に配置されており、プラチナ薄膜抵抗体２の接続部８と電気的に接続されていないのであるから、セラミックペーストによって形成された層１６を導電性とすることはそもそも想定されておらず、甲２発明の「セラミックペーストによって形成された層１６」を、高温で導電性となるものとし、さらにカソードポテンシャルを備えるか又は接地して「温度依存性のカチオン捕捉材（ゲッタ）」とすることは、当業者が容易になし得たことであるとはいえない。 また、甲第３号証ないし甲第５号証にも、温度依存性のカチオン捕捉材（ゲッタ）は記載されていない。 したがって、本件特許発明１２は、本件の優先日前に当業者が甲２発明及び甲第３号証ないし甲第５号証に記載された技術に基づいて、容易になし得たものとすることができない。 ウ　小括 よって、本件特許発明１２は、本件の優先日前に当業者が、甲１発明及び甲第３号証ないし甲第５号証に記載された技術に基づいて、容易になし得たものとすることができず、また、甲２発明及び甲第３号証ないし甲第５号証に記載された技術に基づいて、容易になし得たものとすることができない。 （２）本件特許発明１４、１５及び１８ないし２０について 本件特許発明１２を直接又は間接的に引用する本件特許発明１４、１５及び１８ないし２０は、本件特許発明１２をさらに減縮したものであるから、上記本件特許発明１２についての判断と同様の理由により、本件の優先日前に当業者が、甲１発明及び甲第３号証ないし甲第５号証に記載された技術に基づいて、容易になし得たものとすることができず、また、甲２発明及び甲第３号証ないし甲第５号証に記載された技術に基づいて、容易になし得たものとすることができない。 （３）本件特許発明１について 本件特許発明１と甲１発明又は甲２発明を対比すると、甲１発明又は甲２発明のいずれも、「温度依存性のカチオン捕捉材（ゲッタ）である」「ガラスセラミック」を有していない。 この点は、本件特許発明１２と甲１発明を対比した際の相違点（上記「（１）ア（ア）」）、又は本件特許発明１２と甲２発明を対比した際の相違点２（上記「（１）イ（ア）」）と同様であるので、 本件特許発明１は、本件の優先日前に当業者が、甲１発明及び甲第３号証ないし甲第５号証に記載された技術に基づいて、容易になし得たものとすることができず、また、甲２発明及び甲第３号証ないし甲第５号証に記載された技術に基づいて、容易になし得たものとすることができない。 （４）本件特許発明２及び７について 本件特許発明１を直接又は間接的に引用する本件特許発明２及び７は、本件特許発明１をさらに減縮したものであるから、上記本件特許発明１についての判断と同様の理由により、本件の優先日前に当業者が、甲１発明及び甲第３号証ないし甲第５号証に記載された技術に基づいて、容易になし得たものとすることができない。 （５）本件特許発明３，４，６，８，１０及び１１について 本件特許発明１を直接又は間接的に引用する本件特許発明３，４，６，８，１０及び１１は、本件特許発明１をさらに減縮したものであるから、上記本件特許発明１についての判断と同様の理由により、本件の優先日前に当業者が、甲１発明及び甲第３号証ないし甲第５号証に記載された技術に基づいて、容易になし得たものとすることができず、また、甲２発明及び甲第３号証ないし甲第５号証に記載された技術に基づいて、容易になし得たものとすることができない。 （６）本件特許発明９について ア　甲第１号証を主たる証拠とした場合 本件特許発明９と甲１発明を対比すると、甲１発明は、「温度依存性のカチオン捕捉材（ゲッタ）である」「ガラスセラミック」を有していない。 この点は、本件特許発明１２と甲１発明を対比した際の相違点（上記「（１）ア（ア）」）と同様であり、また、甲第２号証、甲第６号証及び甲第７号証にも記載されていないので、 本件特許発明９は、本件の優先日前に当業者が甲１発明及び甲第２号証ないし甲第７号証に記載された技術に基づいて、容易になし得たものとすることができない。 イ　甲第２号証を主たる証拠とした場合 本件特許発明９と甲２発明を対比すると、甲２発明は、「温度依存性のカチオン捕捉材（ゲッタ）である」「ガラスセラミック」を有していない。 この点は、本件特許発明１２と甲２発明を対比した際の相違点２（上記「（１）イ（ア）」）と同様であり、また、甲第６号証及び甲第７号証にも記載されていないので、 本件特許発明９は、本件の優先日前に当業者が甲２発明及び甲第３号証ないし甲第７号証に記載された技術に基づいて、容易になし得たものとすることができない。 （７）本件特許発明１３について ア　甲第１号証を主たる証拠とした場合 本件特許発明１３と甲１発明を対比すると、甲１発明は、「温度依存性のカチオン捕捉材（ゲッタ）である」「ガラスセラミック」を有していない。 この点は、本件特許発明１２と甲１発明を対比した際の相違点（上記「（１）ア（ア）」）と同様であり、また、甲第２号証にも記載されていないので、 本件特許発明１３は、本件の優先日前に当業者が甲１発明及び甲第２号証ないし甲第５号証に記載された技術に基づいて、容易になし得たものとすることができない。 イ　甲第２号証を主たる証拠とした場合 本件特許発明１３と甲２発明を対比すると、甲２発明は、「温度依存性のカチオン捕捉材（ゲッタ）である」「ガラスセラミック」を有していない。 この点は、本件特許発明１２と甲２発明を対比した際の相違点２（上記「（１）イ（ア）」）と同様であるので、 本件特許発明１３は、本件の優先日前に当業者が甲２発明及び甲第３号証ないし甲第５号証に記載された技術に基づいて、容易になし得たものとすることができない。 （８）本件特許発明１６について ア　甲第１号証を主たる証拠とした場合 本件特許発明１６と甲１発明を対比すると、甲１発明は、「温度依存性のカチオン捕捉材（ゲッタ）である」「ガラスセラミック」を有してない。 この点は、本件特許発明１２と甲１発明を対比した際の相違点（上記「（１）ア（ア）」）と同様であり、また、甲第２号証にも記載されていないので、 本件特許発明１６は、本件の優先日前に当業者が甲１発明及び甲第２号証ないし甲第５号証に記載された技術に基づいて、容易になし得たものとすることができない。 イ　甲第２号証を主たる証拠とした場合 本件特許発明１６と甲２発明を対比すると、甲２発明は、「温度依存性のカチオン捕捉材（ゲッタ）である」「ガラスセラミック」を有していない。 この点は、本件特許発明１２と甲２発明を対比した際の相違点２（上記「（１）イ（ア）」）と同様であるので、 本件特許発明１６は、本件の優先日前に当業者が甲２発明及び甲第３号証ないし甲第５号証に記載された技術に基づいて、容易になし得たものとすることができない。 ３　まとめ 以上のとおりであるから、本件特許発明１ないし４、６ないし１６及び１８ないし２０は、いずれも、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであるということができず、同法第１１３条第２号により取り消すことができない。 第７　むすび したがって、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、請求項１ないし２０に係る特許を取り消すことはできない。 また、他に請求項１ないし２０に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり決定する。