2017-018632

特願２０１５－１６６４５２「多層シードパターンインダクタ、その製造方法及びその実装基板」拒絶査定不服審判事件〔平成２８年　５月　９日出願公開、特開２０１６－　７２６１５〕について、次のとおり審決する。

【結　論】 本件審判の請求は、成り立たない。

【理　由】 第１　手続の経緯 本願は、平成２７年８月２６日（パリ条約による優先権主張　２０１４年９月２２日　韓国（ＫＲ））を出願日とする特許出願であって、平成２８年１０月２８日付け拒絶理由通知に対して平成２９年２月８日付けで意見書の提出及び手続補正がなされたが、同年８月１０日付けで拒絶査定がなされた。これに対し、同年１２月１４日付けで拒絶査定不服審判の請求及び手続補正がなされ、平成３０年１２月１１日付け当審の拒絶理由通知に対して平成３１年３月１８日付けで意見書の提出がなされたものである。 第２　本願発明 本願の請求項１ないし４に係る発明は、平成２９年１２月１４日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし３０に記載された事項により特定されるものであるところ、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。 「磁性材料を含む磁性体本体と、 前記磁性体本体の内部に埋め込まれた内部コイル部と を含み、 前記内部コイル部は、シードパターン、及び前記シードパターン上に配置された表面メッキ層を含み、 前記シードパターンは、複数層で形成され、前記表面メッキ層は前記シードパターンのうちそれぞれのシードパターンの表面上に形成される、多層シードパターンインダクタ。」 第３　平成３０年１２月１１日付け当審の拒絶理由通知の概要 この出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前日本国内において頒布された下記の引用文献に記載された発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 ・請求項１－８、１０－２０、２８－３０について、引用文献１及び２ ・請求項９、２１－２４について、引用文献１乃至３ ・請求項２５について、引用文献１乃至４ ・請求項２６、２７について、引用文献１乃至３または引用文献１乃至４ 引用文献１　特開２００１－２６７１６６号公報 引用文献２　特開２００４－２５３６８４号公報 引用文献３　特開２０１４－０１１４６７号公報 引用文献４　特開２０１４－１７０９２４号公報 第４　引用文献 １　引用文献１に記載された発明 引用文献１には、「平面コイルの製造方法、平面コイルおよびトランス」について、以下の事項が記載されている。なお、下線部は当審で付与した。 ア．「【０００３】 ところで、平面コイルとしては、幅が細くかつ厚い、いわゆるハイアスペクト導体線条が狭い間隔で配列したものが要求されるようになってきている。導体線条をハイアスペクトパターンとすることにより、直流抵抗が小さくなる。本出願人は、細幅で厚い、断面マッシュルーム状のハイアスペクト導体線条を有する平面コイルおよびその製造方法を、特開平１１－２０４３３７号および特開平１１－２０４３６１号公報で提案している。」 イ．「【００１３】 【課題を解決するための手段】 上記目的は、下記（１）～（１０）の本発明によって達成される。 （１）絶縁基板に下地導体層を形成する下地導体層形成工程、前記下地導体層の表面が螺旋状に露出するようにレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程、前記下地導体層を下地として電気めっきを行うことにより、断面がほぼ矩形の中心導体を形成する第１の電気めっき工程、前記レジストパターンを剥離するレジストパターン剥離工程、前記中心導体を下地として電気めっきを行うことにより表面導体層を形成し、前記中心導体とこれを被覆する前記表面導体層とからなるコイル導体線条を完成させる第２の電気めっき工程を有する平面コイルの製造方法。・・・（以下、中略）・・・ 【００１４】【作用および効果】 本発明では、図１（Ｃ）に示すように、まず、第１の電気めっき工程において、レジストパターン１１を利用することにより、断面がほぼ矩形の中心導体４１を形成する。次いで、図１（Ｅ）に示すように、第２の電気めっき工程において中心導体４１を下地として表面導体層４２を形成し、コイル導体線条４を完成させる。これにより、以下に示す効果が実現する。 【００１５】 本発明では、中心導体４１の断面形状がほぼ矩形となるので、第２の電気めっき工程において中心導体４１の角部に電界が集中する。そのため、最終的に得られるコイル導体線条４の断面が矩形に近くなり、その結果、コイル導体線条の占積率が高くなる。例えば、コイル導体線条が最も密に配列されている領域においては、占積率を７０％以上とすることができ、９０％以上とすることもできる。 【００１６】 本発明では、コイル導体線条４の例えば１／３以上の厚さまで中心導体４１を形成し、レジストパターンを除去して隣り合う中心導体４１間に溝を設けた後、この溝を埋めるように表面導体層４２を等方性ないし異方性成長させる。したがって、上記特開平１１－２０４３６１号公報に記載された方法に比べ、コイル導体線条のアスペクト比が同じであっても、異方性成長する導体の厚さは小さい。前述したように、異方性成長の度合いはめっき条件およびコイルのパターンに影響されるが、本発明では異方性成長する導体の厚さがコイル導体線条の全厚に比べ小さいため、コイル導体線条の断面形状および寸法ならびに隣り合うコイル導体線条間の距離が、めっき条件およびコイルのパターンに影響されにくい。したがって、製造条件のマージンが広くなる。また、大面積の絶縁基板を使って多数の平面コイルを同時に形成することが可能となる。また、１つの平面コイル内においてコイル導体線条の配列密度が一定でない場合でも、コイル導体線条の厚さをほぼ一定にできる。 【００１７】また、隣り合う中心導体４１間に存在する溝の幅および中心導体４１の寸法精度はレジストパターン１１のパターニング精度で決定され、レジストパターンの寸法精度はフォトマスクの寸法精度とほぼ同じとなる。そのため、前記溝および中心導体４１の寸法精度は極めて正確である。したがって、この点からも、コイル導体線条の断面形状および寸法ならびに隣り合うコイル導体線条間の距離を正確にできる。 【００１８】 また、本発明では、隣り合うコイル導体線条間の距離を正確に制御できるので、この距離が小さくなるように設計しても、生産時にコイル導体線条同士の接触によるショートが生じにくい。したがって、コイル導体線条の占積率を高くすることができる。 【００１９】 なお、本発明は、隣り合うコイル導体線条間の距離が大きい場合も有効である。例えば、ターン数の少ない高周波用コイルでは、線間距離が一般的に大きいため、上記第２の電気めっき工程において表面導体層の成長は等方的となる。しかし、本発明では、従来の製法において使用する下地導体層よりも厚い中心導体をあらかじめ形成しておくため、表面導体層が等方的に成長した場合でも、最終的に得られるコイル導体線条のアスペクト比は、従来の製法において等方的に成長した場合より高くなる。コイル導体線条の周囲長が同じ場合において高周波用コイルのＱ値を高くするためには、コイル導体線条を貫く磁束を少なくすればよいので、アスペクト比を高くできる本発明は、Ｑ値向上に有効である。」 上記アによれば、引用文献１に記載された発明は、直流抵抗を小さくするために平面コイルの導体線条をハイアスペクトパターンとすることを前提としているものである。 上記イによれば、平面コイル（導体線条４）は、まず断面ほぼ矩形の中心導体４１をめっきにより形成し、当該中心導体４１を下地として当該中心導体４１を被覆する表面導体層４２をめっきにより等方性ないし異方性成長させて形成するものである。 上記アないしイの記載事項及び図面を総合勘案すると、引用文献１には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。 「めっきにより形成した、中心導体、及び当該中心導体を下地として当該中心導体を被覆する表面導体層からなるハイアスペクトパターンの平面コイル。」 ２　引用文献２に記載された技術事項 引用文献２には、「高密度インダクタおよびその製造方法」について、以下の事項が記載されている。なお、下線部は当審で付与した。 ア．「【００４２】 図１ａは、本実施の形態に係る高密度インダクタの背面側斜視図であり、図１ｂは、図１ａに示す同インダクタのＡＡ断面図であり、図２は、図１ｂにおける要部拡大図である。これらの図に示すように、本実施の形態に係る高密度インダクタ２０は、当該インダクタ２０の中央部分に配置されたコイル２２と、当該コイル２２を封止するためのコア部材とを有している。またインダクタ２０の背面側には一対の接続用端子２４、２６が設けられており、図示しないプリント基板等への表面実装を可能にしている。 【００４３】 ここでコイル２２は、配線層２８をその厚み方向に複数積層させた形態からなり（本実施の形態においては４段）高いアスペクト比を達成するとともに、内径から外径に至るまで一定のピッチになるよう渦巻状に形成されている。なおこのようなコイル２２は半導体等の製造に用いられる薄膜プロセスによって形成することが可能である。以下、前記薄膜プロセスを用いてコイル２２を形成する手順を説明する。 【００４４】 図３ａ～図３ｏは、コイルを形成するための第１の方法を示す製造工程図である。まず図３ａに示すように、コイル２２を形成するための土台となる基板３０の表面に絶縁層３２を形成し、次いで図３ｂに示すように前記絶縁層３２の上層に後述するメッキ析出用の下地電極膜３４を蒸着またはスパッタ等によって堆積させる。そして下地電極膜３４を形成させた後は、図３ｃに示すように前記下地電極膜３４の上層にレジスト（感光性樹脂）３６を一定の厚みで塗布する。なお前記レジスト３６の塗布厚みはコイル２２を構成する各配線層２８に対応する寸法に設定すればよく、さらに塗布厚みを一定にする目的から、前記レジスト３６をスピンコートによって塗布することが望ましい。 【００４５】 このようにレジスト３６を一定の厚みで塗布した後は、このレジスト３６の表面にステッパ装置等によって紫外線を照射し、その後フォトエッチングによってコイル２２の平面形状となる溝部３８をレジスト３６に形成する。この状態を図３ｄに示す。その後、基板３０をメッキ液に浸漬させるとともに、前記下地電極膜３４を片側電極として電圧を印加すれば、図３ｅに示すように下地電極膜３４が底部に露出する溝部３８にはメッキが析出され、前記溝部３８はメッキ部材４０によって埋められる。そして溝部３８がメッキ部材４０によって埋められた後、溝部３８を形成するレジスト３６を除去すれば、コイル２２の平面形状を有した配線層２８が形成される。 【００４６】 次いで配線層２８の上層に新たな配線層を形成する手順を説明する。なお本実施の形態では、積層される配線層は全て同一の厚みに設定されることから同一の番号を付与して説明を行うものとする。 【００４７】 まず図３ｇに示すように、基板３０に最下層となる配線層２８を形成した後は、再び下地電極膜３４の上層にレジスト３６を図３ｃと同様に塗布する。なお図３ｃと異なるのはレジスト３６の塗布高さであり、図３ｇにおいてはレジスト３６の膜厚を配線層２８を２段に積層させた際の高さに対応するように設定すればよい。こうしてレジスト３６をあらかじめ設定した高さまで塗布した後は、図３ｄ～図３ｆと同様、図３ｈ～図３ｊに示すように、フォトエッチングによって溝部３８が形成されたレジスト３６を用いて新たな配線層２８（２層目）を形成すればよい。 【００４８】 こうして新たな配線層２８を形成した後は、図３ｋに示すように新たにレジストを塗布し、その高さは配線層２８を３段に積層させた際の高さに対応するように設定すればよく、そして図３ｄ～図３ｆや、図３ｈ～図３ｊと同様、図３ｌから図３ｍに示すように、フォトエッチングによって溝部３８が形成されたレジスト３６を用いて新たな配線層２８（３層目）を形成すればよく、さらに図３ｎに示すようにレジスト３６の除去後は、図３ｏに示すように露出する下地電極膜３４をエッチング等で除去すればよい。」 イ．「【００６９】 まず図５ａに示すように、基板３０上に上述した方法を用いてコイル２２を形成した後は、前記基板３０を切断し前記コイル２２が一列に配置されたコイルバー４６を形成する。ここで基板３０からコイルバー４６を切り出した状態を図５ｂに示すとともに、図６ａに、コイルバー４６上に形成されたコイル２２単体の拡大図を示す。 【００７０】 そして基板３０からコイルバー４６を切り出した後は、図５ｃおよび図６ｂに示すように、コイルバー４６を裏返すとともに、当該コイルバー４６の下方に配置されたコア部材の一部となる（切り出し前の）Ｅコア４８に対しコイル２２を挿入する。ここで前記Ｅコア４８は、透磁率の高いフェライトで構成されており、その中央部にはコイル２２を取り込むだけの内径および深さを備えた凹部５０が形成されるとともに、当該凹部５０の中央部には、コイル２２の中央部を挿通できるだけの外径を有したボス５２が形成されている。なおボス５２の外径は、コイル２２に発生する磁束５３が十分通過できるだけの径に設定される（磁束経路は図１ｂを参照）。 【００７１】 そしてこのように形成されたＥコア４８内にコイル２２を挿入する際、前記凹部５０内に熱硬化性の接着剤をあらかじめ充填させておき、この充填された前記接着剤の中に前記コイル２２を浸漬させるようにする。当該コイル２２を接着剤に浸漬させるようコイルバー４６をＥコア４８に貼り合わせた状態を図５ｄおよび図６ｃに示す。そしてコイルバー４６をＥコア４８に貼り合わせた状態で真空加熱を行えば、接着剤中の気泡を外部に抜き出すことができるとともに前記接着剤を硬化させることが可能になる。 【００７２】 前記接着剤を硬化させ、コイルバー４６をＥコア４８に貼り合わせた後は、図５ｅおよび図６ｄに示すように基板３０の背面側から研磨を行い、コイル２２の端面を露出させる。そして研磨によりコイル２２の端面を露出させた後は、図５ｆおよび図６ｅに示すようにコイル２２の端面が露出する研磨面に絶縁部材を塗布し、スペーサ層５４を形成するとともに、このスペーサ層５４にエッチング等によってコイル２２の両端部に該当する位置に穴５６を形成する。 【００７３】 スペーサ層５４に穴５６を形成した後は、当該穴５６から露出するコイル２２の端面にニッケルメッキ等を施し、酸化被膜の発生を防止する。そしてこの上層に図５ｇおよび図６ｆに示すように半田ボール５８を搭載し、その後リフロー工程を通過させることで前記半田ボール５８を溶融させ、溶融後の半田によって穴５６を埋め、電極取出部を形成する。 【００７４】 このようにスペーサ層５４に形成された穴５６に半田を埋め込み、コイル２２への導通を図った後は、図５ｈおよび図６ｇに示すように、Ｅコア４８と同様、コア部材を構成するフェライト製のカバー６０をスペーサ層５４の上層に貼り合わせる。なおカバー６０に形成された一対の窪み６２は、その端面から半田が埋め込まれた穴５６に達するまでの寸法（図６ｇのＣ寸法を参照）に設定されている。なお、この窪み６２の内側はあらかじめメッキやスパッタ等でＣｕ／Ｎｉあるいは半田などの金属膜を付けておく。そして図５ｉおよび図６ｈに示すように、前記窪み６０に半田を埋め込み、リフロー工程に投入することで接続用端子２４、２６を形成し、Ｅコア４８とカバー５８とによって封止されたコイル２２への電気的導通を図れるようにし、その後は図５ｊに示すようにカッター等によって個片化を行い、本発明に係る高密度インダクタ２０を形成する。」 上記ア及びイの記載事項及び図面を総合勘案すると、引用文献２には、以下２つの技術事項が記載されている。 ・「複数のメッキ部材からなる配線層を積層して高アスペクト比のコイルを形成する」こと。 ・「コイルをコア部材（フェライトＥコアとフェライト製カバー）で封止する」こと。 第５　対比・判断 １　本願発明と引用発明との対比 引用発明の「中心導体」は、めっきにより形成され、表面導体層の下地となるのものであるから、本願発明の「シードパターン」に相当する。 また、引用発明の「表面導体層」は、めっきにより形成され、中心導体（本願発明の「シードパターン」に相当）を被覆するものであるから、本願発明の「シードパターン上に配置された表面メッキ層」に相当する。 そして、引用発明の「平面コイル」は、上記のとおり本願発明の「シードパターン」及び「表面メッキ層」に相当する構成を備えているから、本願発明の「コイル部」に相当する。但し、コイル部について、本願発明は「磁性体本体内部に埋め込まれ」ている「内部」コイルであるのに対し、引用発明はそもそも「磁性体本体」の特定がなく、該磁性体本体内部に埋め込まれている「内部」コイルについての特定もない点で相違する。 更に、引用発明の「平面コイル」は、上記のとおり本願発明の「シードパターン」に相当する「中心導体」を備えているから、本願発明の「シードパターンインダクタ」に相当する。但し、シードパターンインダクタについて、本願発明のシードパターンが「多層」であるのに対し、引用発明はその旨の特定がない点で相違する。また、本願発明の「表面メッキ層」が「シードパターンのうちそれぞれのシードパターンの表面上に形成される」のに対し、引用発明はその旨の特定がない点でも相違する。 ＜一致点＞ 「コイル部は、シードパターン、及び前記シードパターン上に配置された表面メッキ層を含み、 前記表面メッキ層は前記シードパターンの表面上に形成される、シードパターンインダクタ。」 ＜相違点１＞ 本願発明は「磁性材料を含む磁性体本体」を含むのに対し、引用発明はその旨の特定がない。 ＜相違点２＞ コイル部について、本願発明は「磁性体本体内部に埋め込まれ」ている「内部」コイルであるのに対し、引用発明はその旨の特定がない。 ＜相違点３＞ シードパターンについて、本願発明は「多層」であるのに対し、引用発明はその旨の特定がない。 ＜相違点４＞ 本願発明の「表面メッキ層」が「シードパターンのうちそれぞれのシードパターンの表面上に形成される」のに対し、引用発明はその旨の特定がない。 ２　相違点についての判断 （１）相違点１及び相違点２についての判断 インダクタにおいてコア（磁性体）を使用するか否かは、当該インダクタの所望の特性に応じて当業者が選択し得ることである。そして、引用発明は、ハイアスペクトパターンのコイルを形成することが目的であるから、コア（磁性体）の使用が制限されるものではない。よって、引用発明においてコア（磁性体）を使用して相違点１の構成にすることは、当業者が適宜なし得た事項である。 また、コイルを磁性体本体に埋め込むことは、例えば引用文献２（上記「第４」の「２」を参照）に記載されているように、インダクタの構成として普通に行われていることである。よって、引用発明において相違点２の構成を採用することは、当業者が容易になし得たことである。 （２）相違点３及び相違点４についての判断 引用文献２（上記「第４」の「２」を参照）には、複数のメッキ部材からなる配線層を積層して高アスペクト比のコイルを形成することが記載されている。引用発明及び引用文献２に記載された発明は、共にメッキによって形成された配線について高アスペクト比を得るためのものであるから、引用発明において（めっきにより形成した）中心導体を形成するにあたり、所定の厚み（アスペクト比）を得るために、引用文献２に記載された技術事項を採用し相違点３の構成にすることは、当業者が容易になし得たことである。 そして、結果的に複数の中心導体の周囲に表面導体層が形成される構成となるから、相違点４の構成も当業者が容易になし得たことである。 そして、本願発明の作用効果も、引用発明及び引用文献２に記載された技術事項から当業者が容易に予測できる範囲のものである。 ３　審判請求人の主張 審判請求人は、平成３１年３月１８日付けで意見書において以下の主張をしている。 「拒絶理由通知において、引用文献１に記載の発明（以下、「引用発明１」と記載する）におけるレジストを用いた中心導体の形成過程に、引用文献２に記載の発明（以下、「引用発明２」と記載する）の、レジストを用いて薄膜形成プロセスを繰り返してコイルを形成する過程を適用することにより、当業者が本願発明を容易に想到できるとしている。 しかしながら、引用発明１の上記過程においては、コイルパターンそのものではなく、本願のシード電極に相当する中心導体を形成する。これに対して、引用発明２の上記過程ではコイルパターンそのものが形成される。このような相違に因り、主引用発明である引用発明１に、副引用発明である引用発明２を適用するには、下記の通りの阻害要因がある。 引用発明１によると、レジストを用いて形成した中心導体を電気めっきにより成長させることにより、ハイアスペクトなコイル導体線条を形成する。ここで、電気めっきによる中心導体の成長は、中心導体の厚さ方向（基板と交差する方向）だけではなく、幅方向（基板と平行な方向）にも生じる。このため、中心導体相互の間には、成長するコイル導体線条が隣接するコイル導体線条に短絡しないように、成長を見越した間隙を設ける必要がある。引用発明１においては、中心導体を形成する場合のレジストパターンの幅が、中心導体相互の間隙の幅に対応する。 引用発明２は、レジストを用いて、それ自体がコイルとなる配線層を形成する。そして、コイルパターンは、高密度化のために線間ピッチを狭くすることが求められる。このため、引用発明２の方法では、レジストパターンの幅がコイルの線間の間隙の幅に対応するので、配線層を形成する場合のレジストパターンの幅は、より狭くすることが求められる。このような引用発明２を引用発明１に適用した場合、引用発明２により形成された線間ピッチの狭い配線層を、引用発明１に従って電気めっきにより成長させることになるので、コイルパターンの短絡が生じる。従って、引用発明１に引用発明２を適用すると、引用発明１の目的を達成することができなくなる。 上記の通り、主引用例である引用発明１に、副引用発明である引用発明２を適用した場合、コイルとして機能する導体パターンが形成されなくなるので、引用発明２を引用発明１に適用することには阻害要因がある。」 そこで、上記主張について検討をする。 引用発明の「中心導体」は確かに導体そのもののではなく導体の一部を構成するものであるが、引用文献２の「配線層」と同様にメッキからなり、アスペクト比の向上を課題にしているものであるところ、当該「中心導体」を高く積層してみても結果的に導体全体のアスペクト比は向上されるのだから、引用発明に引用文献２に記載された技術事項を適用することに阻害要因はない。 ここで、審判請求人は、「引用発明２を引用発明１に適用した場合、・・・コイルパターンの短絡が生じる。」旨を主張しており、要は「引用発明２は・・・高密度化のために線間ピッチを狭くすることが求められる。」点から推測しているものと認められるが、引用文献２に記載された技術事項は（物の発明である本願発明との対比からして）メッキからなるコイルパターンを積層することであって、工程で使用される「レジストパターンの幅」そのものを引用発明に適用するわけではない。なお、短絡しない程度にレジストパターンの幅（線間ピッチ）を調整することは、当業者であれば当然に行うことであるを付記しておく。 よって、審判請求人の主張について採用できる点は見当たらない。 第６　むすび 以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、引用文献１及び引用文献２の記載に基づき当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 したがって、本願は、その余の請求項について論及するまでもなく拒絶すべきものである。 よって、結論のとおり審決する。