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特願２０１３－１９８５５５「炭化珪素半導体装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２７年　４月　９日出願公開、特開２０１５－　６５３１６〕について、次のとおり審決する。

【結　論】 本件審判の請求は、成り立たない。

【理　由】 第１　手続の経緯 本願は，平成２５年９月２５日の出願であって，その手続の経緯は以下のとおりである。 平成２９年　１月１３日付け　拒絶理由通知 平成２９年　３月１３日　　　意見書・手続補正 平成２９年　８月２４日付け　拒絶査定 平成２９年１１月２７日　　　審判請求・手続補正 平成３０年　９月　４日付け　拒絶理由通知 平成３０年１０月１６日　　　意見書 平成３０年１１月３０日付け　拒絶理由通知（以下，その理由を「当審拒絶理由」という。） そして，当審拒絶理由を通知し，期間を指定して意見書を提出する機会を与えたが，請求人からは何らの応答もない。 第２　本願発明 本願の請求項１に係る発明（以下，「本願発明」という。）は，審判請求と同時に補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項で特定される次のとおりのものと認める。 「【請求項１】 第１の主面と前記第１の主面の反対側に位置する第２の主面とを有する炭化珪素基板を準備する工程と， 前記第１の主面へ不純物をドーピングすることにより，前記炭化珪素基板内にドーピング領域を形成する工程と， 前記第１の主面における前記ドーピング領域上に第１の保護膜を形成する工程と， 前記第１の保護膜が形成された状態でアニールを行なうことにより，前記ドーピング領域に含まれる前記不純物を活性化する工程と，を備え， 前記第１の保護膜を形成する工程は，金属元素の濃度が５μｇ／ｋｇ以下である前記第１の保護膜となるべき樹脂材料を前記第１の主面上に塗布する工程を含み， 前記金属元素は，ナトリウムであり， 前記樹脂材料は，フォトレジストである，炭化珪素半導体装置の製造方法。」 第３　当審拒絶理由 当審拒絶理由は，本願の請求項１－３に係る発明は，その出願前日本国内又は外国において，頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない，というものである。 ＜引用文献等一覧＞ 引用文献１　特開２００９－００４５７２号公報 引用文献２　林，”レジストおよびレジスト塗膜中の金属不純物分析(ICP-MS)”，The TRC News，東レリサーチセンター，No.115(May 2012)，３３－３４頁 引用文献３　特開２００９－０６５１１２号公報 第４　引用文献及び引用発明 １　引用文献１の記載 （１）引用文献１ 当審拒絶理由で引用された引用文献１には，図面とともに次の記載がある。（下線は当審において付加した。以下同じ。） 「【技術分野】 【０００１】 本発明は，炭化珪素（以下，ＳｉＣという）中に不純物をドーピングしたのち，活性化熱処理を行うことで不純物の活性化を行っているＳｉＣ半導体装置の製造方法に関するものである。 【背景技術】 【０００２】 ＳｉＣパワーデバイスでは，不純物層形成時に必要とされる活性化熱処理によってＳｉＣ表面からＳｉ抜けが生じ，表面荒れが発生することが確認されている。このＳｉ抜けが生じると，ＳｉＣ基板表面にカーボンリッチな層が形成される。このカーボンリッチな層を除去しなければリーク電流が増大するなど，デバイス特性に不具合が発生する。このため，カーボンリッチ層を除去するために，犠牲酸化および犠牲酸化膜除去工程が追加されている。」 「【００３５】 次に，図１に示す縦型パワーＭＯＳＦＥＴの製造工程を，図２～図５を用いて説明する。 【００３６】 〔図２（ａ）に示す工程〕 まず，ｎ型４Ｈまたは６Ｈまたは３Ｃ－ＳｉＣからなる半導体基板，すなわちｎ+型基板１を用意する。例えば，ｎ+型基板１として，厚さが４００μｍ程度のものを用意する。そして，このｎ+型基板１の主表面１ａに厚さ５μｍのｎ-型エピ層２をエピタキシャル成長させる。この場合，ｎ-型エピ層２は下地の基板１と同様の結晶で得られ，ｎ型４Ｈまたは６Ｈまたは３Ｃ－ＳｉＣ層となる。 【００３７】 〔図２（ｂ），（ｃ）に示す工程〕 ｎ-型エピ層２の上にＬＴＯ膜２０を配置したのち，ＬＴＯ膜２０をパターニングすることで，ｐ-型ベース領域３の形成予定位置を露出させる。これをマスクとして，ｐ型不純物であるＢ，Ａｌ，若しくはＧｅをイオン注入する。このときのイオン注入条件は，例えば，温度を７００℃，ドーズ量を１×１０16ｃｍ-2とする。これにより，ｐ-型ベース領域３が形成される。その後，ＬＴＯ膜２０を除去する。 【００３８】 〔図３（ａ）に示す工程〕 ＬＴＯ膜２０をＨＦ処理にて除去した後，ｐ-型ベース領域３の表面にレジスト２１を形成する。このとき，スピンコートまたは噴霧方式塗布により，レジスト２１を形成すると，レジスト２１の膜厚が均一となるため好ましい。 【００３９】 レジスト２１としては，有機物を蒸発させたときに残りの材料が炭化される有機系溶剤を用いることができ，ポジ系の有機系溶剤，例えば，ｉ線フォトリソグラフィ用レジスト，Ｄｅｅｐ－ＵＶリソグラフィ用レジスト，ＡｒＦリソグラフィ用レジストまたは電子線リソグラフィ用レジストを用いることができる。 【００４０】 そして，図６に示す熱処理プロファイルに基づいて，レジスト２１に含まれる有機物を蒸発させ，レジスト２１を炭化させてカーボン層を形成すると共に，ｐ-型ベース領域３内に含まれた不純物を活性化させる。 【００４１】 具体的には，まず，熱処理を行う装置内の雰囲気圧力を減圧雰囲気，例えば１×１０-4Ｐａ以下の真空状態としたのち，装置内にＡｒ（アルゴン）を導入することでＡｒ雰囲気とする。続いて，８０℃／ｍｉｎ以下の昇温速度で２００℃以上かつ８５０℃以下の温度まで加熱する。例えば８０℃／ｍｉｎの昇温速度で１０分間昇温させることで８００℃まで昇温する。そして，この温度を例えば１０分間保持する。 【００４２】 この昇温プロファイルは，レジスト２１を炭化させるためのプロファイルであり，不純物を活性化させるための加熱と比べて，熱処理温度が低く，かつ，昇温速度が遅くなっている。熱処理温度を２００℃以上かつ８５０℃以下としているのは，不純物の活性化前に確実にレジスト２１を炭化させるためであり，昇温速度を８０℃／ｍｉｎ以下としたのは，あまり速く昇温するとレジスト２１に含まれる有機物が急激に沸騰してしまい，その沸騰により発生する気泡によってレジスト２１が破れてしまう可能性があるためである。 【００４３】 また，熱処理温度を８５０℃以下で一定時間保持しているため，レジスト２１内の有機物をより確実に蒸発させることができ，レジスト２１を炭化させたカーボン層を確実に形成することができる。そして，装置内をＡｒ雰囲気としているため，装置内の残留酸素を少なくすることが可能となり，残留酸素によってカーボン層を形成している途中にレジスト２１が燃えてしまうことを防止できる。 【００４４】 さらに，レジスト２１を炭化させることでカーボン層を形成しているため，ｐ-型ベース領域３の表面全域が覆われるようにカーボン層を形成することができる。 【００４５】 そして，カーボン層が形成されてからは昇温速度を速くしても差し支えないため，１６０℃／ｍｉｎ以上の昇温速度となるように昇温速度を速くし，不純物を活性化させるための熱処理温度まで早く加熱する。例えば，８００℃から１６０℃／ｍｉｎで５分間昇温させることで１６００℃まで加熱する。これにより，ｐ-型ベース領域３内に含まれた不純物を活性化させられる。 【００４６】 このとき，カーボン層によってｐ-型ベース領域３を覆った状態としているため，これらの表面からのＳｉ抜けを防止することが可能となり，カーボンリッチ層が形成されることを防止することができる。 【００４７】 なお，カーボン層は，下地（ｐ-型ベース領域３）となるＳｉＣと密着性も良好であるため，下地から剥がれてしまうことはなく，確実に下地を覆った状態で不純物活性化のための熱処理工程を行うことが可能となる。」 （２）引用発明 前記（１）より，引用文献１には次の発明（以下，「引用発明」という。）が記載されていると認められる。 「ＳｉＣ半導体装置の製造方法であって，ＳｉＣからなる半導体基板を用意し，この半導体基板の主表面にエピタキシャル成長させＳｉＣ層とし，ＳｉＣ層に不純物をイオン注入し，これによりベース領域が形成され，ベース領域の表面にスピンコートによりレジストを形成し，熱処理してベース領域内に含まれた不純物を活性化させる。」 ２　引用文献２の記載 （１）引用文献２ 当審拒絶理由で引用された引用文献２には，図面とともに次の記載がある。 「レジスト塗膜中の金属不純物は，レジスト塗膜剥離後の異物の形成などを引き起こし，デバイスの不良原因となる。」（３３頁左欄６－８行） 「異なる３種類のレジストＡ，Ｂ，Ｃおよびそれらを３００ｍｍ　Ｓｉウェハ上に成膜したレジスト塗膜中の金属不純物分析結果を図３及び表１に示した。Ｎａ，Ｋ，Ｆｅについては，レジスト中濃度に比べて塗膜中濃度が１桁以上高くなっている資料もあり，成膜時に混入したことが推測される結果となった。」（３３頁右欄１０－１５行） （２）引用技術２ 引用文献２の表１には資料ＡレジストのＮａ濃度が１．２ｎｇ／ｇ，資料ＢレジストのＮａ濃度が１．０ｎｇ／ｇ，資料ＣレジストのＮａ濃度が１．４ｎｇ／ｇであることが記載されていると認められるから，前記（１）と総合して，引用文献２には次の発明（以下，「引用技術２」という。）が記載されていると認められる。 「ナトリウムの濃度が１．２ｎｇ／ｇ，１．０ｎｇ／ｇ又は１．４ｎｇ／ｇであるレジスト。」 第５　対比及び判断 （１）本願発明と引用発明との対比 ア　引用発明の「ＳｉＣからなる半導体基板を用意し，この半導体基板の主表面にエピタキシャル成長させＳｉＣ層とし」は，「半導体基板の主表面」の「ＳｉＣ層」が「半導体基板」と一体となって「炭化珪素基板」ということができ，これが「第１の主面と前記第１の主面の反対側に位置する第２の主面とを有する」ことは自明であるから，本願発明の「第１の主面と前記第１の主面の反対側に位置する第２の主面とを有する炭化珪素基板を準備する工程」に相当する。 イ　引用発明の「ＳｉＣ層に不純物をイオン注入し，これによりベース領域が形成され」は，その「ベース領域」が不純物のイオン注入により形成されるから「ドーピング領域」ということができ，前記アを考慮すると，本願発明の「前記第１の主面へ不純物をドーピングすることにより，前記炭化珪素基板内にドーピング領域を形成する工程」に相当する。 ウ　引用発明の「ベース領域の表面にスピンコートによりレジストを形成し」は，その「レジスト」がカーボン層となって表面からのＳｉ抜けを防止する（前記第４の１（１）【００４０】及び【００４６】）から「保護膜」ということができ，かつその「レジスト」は「有機物を蒸発させたときに残りの材料が炭化される有機系溶剤」で「フォトリソグラフィ用レジスト」である（前記第４の１（１）【００３９】）から，本願発明の「前記第１の主面における前記ドーピング領域上に第１の保護膜を形成する工程」「前記第１の保護膜を形成する工程は」「前記第１の保護膜となるべき樹脂材料を前記第１の主面上に塗布する工程」を含み「前記樹脂材料は，フォトレジストである」に相当する。 エ　引用発明の「熱処理してベース領域内に含まれた不純物を活性化させる」は，本願発明の「前記第１の保護膜が形成された状態でアニールを行なうことにより，前記ドーピング領域に含まれる前記不純物を活性化する工程」に相当する。 オ　引用発明の「ＳｉＣ半導体装置の製造方法」は，本願発明の「炭化珪素半導体装置の製造方法」に相当する。 カ　すると，本願発明と引用発明とは，下記キの点で一致し，下記クの点で相違する。 キ　一致点 「第１の主面と前記第１の主面の反対側に位置する第２の主面とを有する炭化珪素基板を準備する工程と， 前記第１の主面へ不純物をドーピングすることにより，前記炭化珪素基板内にドーピング領域を形成する工程と， 前記第１の主面における前記ドーピング領域上に第１の保護膜を形成する工程と， 前記第１の保護膜が形成された状態でアニールを行なうことにより，前記ドーピング領域に含まれる前記不純物を活性化する工程と，を備え， 前記第１の保護膜を形成する工程は，前記第１の保護膜となるべき樹脂材料を前記第１の主面上に塗布する工程を含み， 前記樹脂材料は，フォトレジストである，炭化珪素半導体装置の製造方法。」 ク　相違点 本願発明では「金属元素の濃度が５μｇ／ｋｇ以下である前記第１の保護膜となるべき樹脂材料」「前記金属元素は，ナトリウムであ」るのに対し，引用発明では「レジスト」のナトリウム濃度が不明である点。 （２）相違点についての判断 引用技術２にはナトリウムの濃度が５ｎｇ／ｇ以下であるレジストが開示されており，「レジスト塗膜中の金属不純物は，デバイスの不良原因となる」（引用文献２の３３頁左欄６－８行）のであるから，わざわざナトリウム濃度が高いレジストを選択する理由は無く，引用発明の「レジスト」として，引用技術２のレジストを採用することは，当業者が容易になしうることである。 なお，本願発明の効果は，「閾値電圧が安定した炭化珪素半導体装置を提供することができる」（本願明細書段落０００９）というもので，それ以上に閾値電圧の安定性が数量的に開示されているわけではないから，上記効果は定性的なものにすぎず，一般的に「レジスト塗膜中の金属不純物は，デバイスの不良原因となる」ことが知られているから，引用発明の「半導体装置」においてそのレジスト中の金属不純物であるナトリウムが少なければ，デバイスの性能である閾値電圧の安定性も多かれ少なかれ改善することは，当業者が予測できることである。 （３）まとめ 以上のとおりであるから，本願発明は，引用文献１及び２に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明することができたものである。 第６　結言 以上のとおり，本願の請求項１に係る発明については，特許法第２９条第２項の規定により，特許を受けることができないから，他の請求項について検討するまでもなく，本願は拒絶されるべきものである。 よって，結論のとおり審決する。