2017-009207

特願２０１６－５６３７１０「高周波電源」拒絶査定不服審判事件〔平成２８年　６月１６日国際公開、ＷＯ２０１６／０９３２６９〕について、次のとおり審決する。

【結　論】 本件審判の請求は、成り立たない。

【理　由】 第１　手続の経緯 本願は、平成２７年１２月９日（優先権主張　平成２６年１２月１２日）に国際出願されたものであって、平成２８年１２月５日付け拒絶理由通知に対して平成２９年２月７日付けで手続補正がなされたが、同年３月２３日付けで拒絶査定がなされた。これに対し、同年６月２３日付けで拒絶査定不服審判の請求が請求されるとともに手続補正がなされたものである。 第２　平成２９年６月２３日付けの手続補正についての補正却下の決定 ［補正却下の決定の結論］ 平成２９年６月２３日付けの手続補正を却下する。 ［理由］ １．本件補正 平成２９年６月２３日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は、特許請求の範囲及び明細書についてするもので、 本件補正前の特許請求の範囲（平成２９年２月７日付け手続補正により補正された特許請求の範囲）が、 「【請求項１】 相互の位相差が変更可能な複数の高周波を生成する高周波生成手段と、 前記高周波生成手段に、直流電圧を供給する電圧供給手段と、 前記高周波生成手段から出力される複数の高周波を、前記位相差に基づく所定の割合で合成して負荷に出力する高周波合成手段と、 前記高周波生成手段に対して、前記位相差を変化させることで、前記高周波合成手段より出力される高周波電力を制御する出力制御手段と、 を備えた高周波電源であって、 前記出力制御手段は、 前記電圧供給手段から前記高周波生成手段に供給される直流電圧が一定値のときに、前記高周波合成手段より出力される高周波電力を所望の波形にするように、前記位相差を変化させる、 ことを特徴とする高周波電源。 【請求項２】 前記出力制御手段は、前記位相差を第１の所定値または第２の所定値のいずれかに切り替える、 請求項１に記載の高周波電源。 【請求項３】 前記位相差を前記第１の所定値とした場合の方が、前記位相差を前記第２の所定値とした場合より、前記所定の割合が大きくなる、 請求項２に記載の高周波電源。 【請求項４】 前記第１の所定値は０［deg］以上９０［deg］未満であり、 前記第２の所定値は９０［deg］以上１８０［deg］以下ある、 請求項３に記載の高周波電源。 【請求項５】 前記第１の所定値は０［deg］である、 請求項４に記載の高周波電源。 【請求項６】 前記第２の所定値は１８０［deg］である、 請求項４または５に記載の高周波電源。 【請求項７】 前記出力制御手段は、前記第１の所定値または前記第２の所定値を変化させることで、前記高周波電力のフィードバック制御を行う、 請求項２ないし４のいずれかに記載の高周波電源。 【請求項８】 前記高周波生成手段は、第１の高周波と第２の高周波とを生成し、 前記出力制御手段は、前記第１の高周波に対する前記第２の高周波の位相差を第１の所定値と第２の所定値との間で切り替える、 請求項２ないし７のいずれかに記載の高周波電源。 【請求項９】 前記出力制御手段は、前記位相差を第１の所定値、第２の所定値および第３の所定値の間で切り替える、 請求項１に記載の高周波電源。 【請求項１０】 前記出力制御手段は、前記位相差を一次関数に応じて変化させる、 請求項１に記載の高周波電源。 【請求項１１】 前記出力制御手段は、前記位相差を下記式に応じて変化させる、 請求項１に記載の高周波電源。 θ＝２・ｃｏｓ-1（√ｘ（ｔ）） ただし、θが前記位相差であり、ｘ（ｔ）は所望の波形を示す関数である。 【請求項１２】 前記出力制御手段は、前記位相差を第１の所定値と、所定の関数の値との間で切り替える、請求項１に記載の高周波電源。 【請求項１３】 前記出力制御手段は、前記負荷への出力開始時に、前記位相差を、前記第１の所定値および第２の所定値とした場合の出力よりも大きい出力となる位相差とする、 請求項２に記載の高周波電源。 【請求項１４】 前記出力制御手段は、前記所定の割合をゼロにしない、 請求項１～５、９～１３のいずれかに記載の高周波電源。 【請求項１５】 前記高周波合成手段は、 伝送トランスと電力消費用の抵抗を含むハイブリッド回路で構成され、前記複数の高周波に位相差がある場合、当該位相差に応じた電力を前記抵抗で熱消費し、残りの電力を出力する、 請求項１ないし１４のいずれかに記載の高周波電源。」 であったところ、 本件補正により、 「【請求項１】 相互の位相差が変更可能な複数の高周波を生成する高周波信号生成手段と、 前記高周波信号生成手段が生成した前記複数の高周波をそれぞれ増幅する増幅手段と、 前記増幅手段に、直流電圧を供給する電圧供給手段と、 前記増幅手段から出力される増幅後の複数の高周波を、前記位相差に基づく所定の割合で合成して負荷に出力する高周波合成手段と、 前記高周波信号生成手段に対して、前記位相差を変化させることで、前記高周波合成手段より出力される高周波電力を制御する出力制御手段と、 を備えた高周波電源であって、 前記出力制御手段は、 前記電圧供給手段から前記増幅手段に供給される直流電圧が一定値のときに、前記高周波信号生成手段に前記複数の高周波を生成させたままで、前記高周波合成手段より出力される高周波電力を所望の波形にするように、前記位相差を変化させる、 ことを特徴とする高周波電源。 【請求項２】 前記高周波電源の出力電力を検出する電力検出手段をさらに備え、 前記出力制御手段は、前記位相差を変化させることで、前記電力検出手段によって検出された出力電力が目標電力になるように、フィードバック制御を行う、 請求項１に記載の高周波電源。 【請求項３】 前記出力制御手段は、前記位相差を第１の所定値または第２の所定値のいずれかに切り替える、 請求項１または２に記載の高周波電源。 【請求項４】 前記位相差を前記第１の所定値とした場合の方が、前記位相差を前記第２の所定値とした場合より、前記所定の割合が大きくなる、 請求項３に記載の高周波電源。 【請求項５】 前記第１の所定値は０［deg］以上９０［deg］未満であり、 前記第２の所定値は９０［deg］以上１８０［deg］以下ある、 請求項４に記載の高周波電源。 【請求項６】 前記第１の所定値は０［deg］である、 請求項５に記載の高周波電源。 【請求項７】 前記第２の所定値は１８０［deg］である、 請求項５または６に記載の高周波電源。 【請求項８】 前記高周波生成手段は、第１の高周波と第２の高周波とを生成し、 前記出力制御手段は、前記第１の高周波に対する前記第２の高周波の位相差を第１の所定値と第２の所定値との間で切り替える、 請求項３ないし７のいずれかに記載の高周波電源。 【請求項９】 前記出力制御手段は、前記位相差を第１の所定値、第２の所定値および第３の所定値のいずれかに切り替える、 請求項１または２に記載の高周波電源。 【請求項１０】 前記出力制御手段は、前記位相差を一次関数に応じて変化させる、 請求項１または２に記載の高周波電源。 【請求項１１】 前記出力制御手段は、前記位相差を下記式に応じて変化させる、 請求項１または２に記載の高周波電源。 θ＝２・ｃｏｓ-1（√ｘ（ｔ）） ただし、θが前記位相差であり、ｘ（ｔ）は所望の波形を示す関数である。 【請求項１２】 前記出力制御手段は、前記位相差を第１の所定値と、所定の関数の値との間で切り替える、請求項１または２に記載の高周波電源。 【請求項１３】 前記出力制御手段は、前記負荷への出力開始時に、前記位相差を、前記第１の所定値および第２の所定値とした場合の出力よりも大きい出力となる位相差とする、 請求項３に記載の高周波電源。 【請求項１４】 前記出力制御手段は、前記所定の割合をゼロにしない、 請求項１～６、９～１３のいずれかに記載の高周波電源。 【請求項１５】 前記高周波合成手段は、 伝送トランスと電力消費用の抵抗を含むハイブリッド回路で構成され、前記複数の高周波に位相差がある場合、当該位相差に応じた電力を前記抵抗で熱消費し、残りの電力を出力する、 請求項１ないし１４のいずれかに記載の高周波電源。」 と補正された。 なお、下線は補正箇所を示すものである。 ２．補正の目的要件について （１）本件補正の請求項１について 本件補正における請求項１の補正の目的は、以下のとおりのものと認められる。 ａ．本件補正前の請求項１に記載された「高周波生成手段」を、「高周波信号生成手段」と「増幅手段」とに分けて具体的に記載することで、限定するものである。よって、当該補正は、限定的限縮を目的としたものである。 ｂ．本件補正前の請求項１に記載された「前記高周波合成手段より出力される高周波電力を所望の波形にするように、前記位相差を変化させる」ことについて、「前記高周波信号生成手段に前記複数の高周波を生成させたままで、」実行されるものであるという限定を付加するものである。よって、当該補正は、限定的限縮を目的としたものである。 （２）本件補正の請求項２について 本件補正における請求項２の補正は、審判請求人も審判請求書で「新請求項２は、新しく作成した請求項である」と認めているとおり、新たな請求項を生成するものであるから、特許法第１７条の２第５項第１号に掲げる請求項の削除、同項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮、同項第３号に掲げる誤記の訂正、及び同項第４号に掲げる拒絶の理由に示す事項についてする明りょうでない記載の釈明のいずれを目的とするものにも該当しないことは明らかである。 なお、審判請求人は、平成２９年８月２２日付け上申書において、「本件補正の請求項２（以下では、『新請求項２』とする）は、当該補正前（平成２９年２月７日付けの手続補正）の請求項７（以下では、『旧請求項７』とする）において、『前記第１の所定値または前記第２の所定値を変化させる』としていたところ、『前記位相差を変化させる』に限定的に減縮して繰り上げたものである。また、『前記高周波電力のフィードバック制御を行う、』を明瞭な記載にするために、『前記電力検出手段によって検出された出力電力が目標電力になるように、フィードバック制御を行う、』に記載を変更した。したがって、新請求項２は、実質上一対一の対応関係に立つ旧請求項７の記載を限定的に減縮したものであるから、当該補正は、特許法第１７条の２第５項第２号で定められた目的に該当する。よって、当該補正は、同法第１７条の２第５項の規定に違反しない。」旨を主張している。 しかし、本件補正前の請求項７に記載された「前記第１の所定値」、「前記第２の所定値」は、本件補正前の請求項７に係る発明が引用する本件補正前の請求項２の「前記位相差を第１の所定値または第２の所定値のいずれかに切り替える」という記載における「第１の所定値」、「第２の所定値」を指すものであるから、「位相差」の下位概念にあたるものである。したがって、本件補正前の請求項７に記載された「前記第１の所定値または前記第２の所定値を変化させる」を、「前記位相差を変化させる」に変更する補正は、下位概念の「前記第１の所定値または前記第２の所定値」を上位概念の「位相差」に変更することになるため、限定的に減縮するものとは認められない。また、当該補正は、特許法第１７条の２第５項第１号に掲げる請求項の削除、同項第３号に掲げる誤記の訂正、及び同項第４号に掲げる拒絶の理由に示す事項についてする明りょうでない記載の釈明のいずれを目的とするものにも該当しない。 また、本件補正前の請求項７に記載された「前記高周波電力のフィードバック制御を行う」ことについて、拒絶の理由で明りょうでないことが示されているわけではないため、本件補正前の請求項７に記載された「前記高周波電力のフィードバック制御を行う、」を、「前記電力検出手段によって検出された出力電力が目標電力になるように、フィードバック制御を行う、」に変更する補正が、特許法第１７条の２第５項第４号に掲げる拒絶の理由に示す事項についてする明りょうでない記載の釈明を目的とするものとは認められない。また、当該補正は、特許法第１７条の２第５項第１号に掲げる請求項の削除、同項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮、及び同項第３号に掲げる誤記の訂正のいずれを目的とするものにも該当しない。 さらに、本件補正前の請求項７に係る発明は本件補正前の請求項２ないし４に係る発明のいずれかを引用するものであり、本件補正前の請求項３に係る発明は本件補正前の請求項２に係る発明を引用するものであり、本件補正前の請求項４に係る発明は本件補正前の請求項３に係る発明を引用するものであるため、本件補正前の請求項７に係る発明は本件補正前の請求項２に記載された「前記位相差を第１の所定値または第２の所定値のいずれかに切り替える」事項を有するものであったところ、本件補正の請求項２に係る発明は、本件補正の請求項１に係る発明を引用するものであり、「前記位相差を第１の所定値または第２の所定値のいずれかに切り替える」事項が削除されている。そして、上記事項を削除する補正は、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当せず、また、同項第１号に掲げる請求項の削除、同項第３号に掲げる誤記の訂正、及び同項第４号に掲げる拒絶の理由に示す事項についてする明りょうでない記載の釈明のいずれを目的とするものにも該当しないことは明らかである。 よって、審判請求人の上申書の上記主張を採用することはできない。 （３）本件補正の請求項３ないし１５について 本件補正における請求項３ないし１５に係る発明は、本件補正の請求項２に係る発明を直接又は間接的に引用するものを含むものであり、本件補正の請求項３ないし１５に係る発明のうち、本件補正の請求項２に係る発明を直接又は間接的に引用するものについては、実質的に、本件補正の請求項２についての補正と同様の補正が行われていることになる。 したがって、本件補正の請求項３ないし１５に係る発明のうち、本件補正の請求項２に係る発明を直接又は間接的に引用するものについての本件補正は、上記（２）で述べたのと同様に、特許法第１７条の２第５項に掲げるいずれの事項を目的とするものにも該当しない。 （４）小括 上記（２）及び上記（３）の検討より、本件補正における請求項２及び請求項３ないし１５の補正は、特許法第１７条の２第５項に掲げるいずれの事項を目的とするものにも該当しないから、本件補正は同法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 ３．予備的見解（独立特許要件） 以上のとおり、本件補正は却下すべきものであるが、上記「２．（１）」で検討したとおり、本件補正における請求項１の補正は、特許請求の範囲の限定的減縮を目的とする補正事項を含むものであるから、本件補正の請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明」という。）が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項に規定する要件を満たすか）否かについて、予備的に検討する。 （１）本願補正発明 本願補正発明は、次のとおりのものである。 「【請求項１】 相互の位相差が変更可能な複数の高周波を生成する高周波信号生成手段と、 前記高周波信号生成手段が生成した前記複数の高周波をそれぞれ増幅する増幅手段と、 前記増幅手段に、直流電圧を供給する電圧供給手段と、 前記増幅手段から出力される増幅後の複数の高周波を、前記位相差に基づく所定の割合で合成して負荷に出力する高周波合成手段と、 前記高周波信号生成手段に対して、前記位相差を変化させることで、前記高周波合成手段より出力される高周波電力を制御する出力制御手段と、 を備えた高周波電源であって、 前記出力制御手段は、 前記電圧供給手段から前記増幅手段に供給される直流電圧が一定値のときに、前記高周波信号生成手段に前記複数の高周波を生成させたままで、前記高周波合成手段より出力される高周波電力を所望の波形にするように、前記位相差を変化させる、 ことを特徴とする高周波電源。」 （２）引用例 原査定の拒絶の理由に引用された特開２０１４－２０４５０１号公報には、「高周波電源」について、図面とともに以下の事項が記載されている。なお、下線は当審で付与した。 ア．「【００４１】 本発明に係る高周波電源１は、高周波信号を生成し、その高周波信号をＤ級アンプからなるパワーアンプで増幅して出力する構成である。パワーアンプの電源電圧を変化させてパワーアンプの出力電圧のレベルを変化させる方法ではパルス出力開始時から数μｓの間に出力電圧のレベルを漸増させる制御は困難であるから、本発明に係る高周波電源１では、２個のパワーアンプと両パワーアンプの出力電力を合成する電力合成回路を設け、その電力合成回路における合成動作を制御することによって負荷に出力される出力電圧ｖoutのレベルを制御するようにしている。 【００４２】 高周波電源１は、ＡＣ－ＤＣ変換部２、ＤＣ－ＤＣ変換部３、ＤＣ－ＲＦ変換部４、ＲＦ合成部５、フィルタ回路６、ＰＷＭ信号生成部７、高周波信号生成部８及び制御部９を含む構成である。ＤＣ－ＲＦ変換部４とＲＦ合成部５を含む部分は負荷に高周波電力を出力する高周波生成部Ｕを構成している。ＤＣ－ＲＦ変換部４には同一構成の２つのＤＣ－ＲＦ変換部４Ａ，４Ｂが設けられ、第１のＤＣ－ＲＦ変換部４Ａから出力される電力Ｐ1と第２のＤＣ－ＲＦ変換部４Ｂから出力される電力Ｐ2がＲＦ合成部５で合成されて高周波電源１の出力端に接続される負荷（プラズマ処理装置。図示省略）に出力される。」 イ．「【００４４】 ＤＣ－ＤＣ変換部３は、ＡＣ－ＤＣ変換部２から入力される直流電圧Ｖccを任意の電圧値の直流電圧Ｖdcに変換してＤＣ－ＲＦ変換部４に入力する回路ブロックである。ＤＣ－ＤＣ変換部３は、出力電圧Ｖdcを変化させることによりＤＣ－ＲＦ変換部４内の第１，第２のＤＣ－ＲＦ変換部４Ａ，４Ｂからそれぞれ出力される電圧ｖP1，ｖP2（電力Ｐ1，Ｐ2）を制御する機能を果たす。」 ウ．「【００５０】 第１，第２のＤＣ－ＲＦ変換部４Ａ，４Ｂの各トランスＴ２の一次巻線に入力される高周波電圧ｖ1，ｖ2は、高周波信号生成部８で生成される。高周波信号生成部８は、ｖ1＝Ａ・sin(２πｆ・ｔ＋φ1)、ｖ2＝Ａ・sin(２πｆ・ｔ＋φ2)で表わされる高周波電圧ｖ1，ｖ2を生成する。高周波電圧ｖ1の初期位相φ1はゼロに固定されており、高周波電圧ｖ2の初期位相φ2は可変である。高周波信号生成部８は、制御部９から入力される位相差θ=φ2－φ1の情報に基づいて高周波電圧ｖ2の初期位相φ2（＝θ）を変化させる。位相差θの変化のさせ方については後述する。 【００５１】 第１のＤＣ－ＲＦ変換部４Ａでは、高周波電圧ｖ1＝Ａ・sin(ω・ｔ)がトランスＴ２の一次巻線に入力されると、トランスＴ２の一方の二次巻線から同相の高周波電圧ｖ1’＝Ａ’・sin(ω・ｔ)が出力され、トランスＴ２の他方の二次巻線から逆相の高周波電圧－ｖ1’＝－Ａ’・sin(ω・ｔ)が出力される。同相の高周波電圧ｖ1’は、一方の半導体スイッチ素子ＱB（図５では上側の半導体スイッチ素子ＱB）に入力され、逆相の他方の高周波電圧－ｖ1’は、他方の半導体スイッチ素子ＱB（図５では下側の半導体スイッチ素子ＱB）に入力される。２つの半導体スイッチ素子ＱBは、Ｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴであるから、一方の半導体スイッチ素子ＱBは、高周波電圧ｖ1’のハイレベル期間にオン動作をし、他方の半導体スイッチ素子ＱBは、高周波電圧－ｖ1’のハイレベル期間にオン動作をする。すなわち、２つの半導体スイッチ素子ＱBは、高周波電圧ｖ1’の半周期毎に交互にオン・オフ動作を繰り返す。 【００５２】 ２つの半導体スイッチ素子ＱBが交互にオン・オフ動作を繰り返すことによって接続点ｎの電圧ｖnはｖ1’＞０の期間に「Ｖdc」となり、ｖ1’≦０の期間に接地レベルとなるように矩形波状に変化し、その矩形波がフィルタ回路４０１で直流分とスイッチングノイズが除去されて出力端子ｃ，ｃ’から正弦波信号ｖ1を増幅した電圧ｖP1＝Ｖ・sin(ω・ｔ)が出力される。 【００５３】 第２のＤＣ－ＲＦ変換部４Ｂでは、入力される高周波電圧ｖ2が高周波電圧ｖ1に対して位相差θを有する「ｖP2＝Ａ・sin(ω・ｔ＋θ)」となる点が異なるだけで、上述した第１のＤＣ－ＲＦ変換部４Ａと同様の動作を行う。」 エ．「【００５５】 ＲＦ合成部５は、ＤＣ－ＲＦ変換部４から出力される２つの電力Ｐ1，Ｐ2を合成する回路ブロックである。ＲＦ合成部５は、例えば、図６に示す伝送トランスＴ３と抵抗Ｚとからなるハイブリッド回路によって構成される。ハイブリッド回路は、１つのサム・ポートＮSと２つの入力ポートＮA，ＮBを有し、ハイブリッド回路内の抵抗Ｚは、入力ポートＮA，ＮB間のアイソレーションをとる機能がある。入力ポートＮAに入力する第１のＤＣ－ＲＦ変換部４Ａから出力される高周波電圧ｖP1と、入力ポートＮBに入力する第２のＤＣ－ＲＦ変換部４Ｂから出力される高周波電圧ｖP2に位相差θ（＝φ2－φ1≠０）があると、入力電力（Ｐ1＋Ｐ2）のうち位相差θに応じた一部の電力ＰZを内部の抵抗Ｚで熱消費し、残りの電力ＰPC（＝Ｐ1＋Ｐ2－ＰZ）を出力する機能を有する。」 オ．「【００５９】 従って、伝送トランスＴ３の一次巻線と二次巻線に流れる電流ｉL1，ｉL2は、 ｉL1＝ｉ1－ｉZ＝Ｖ・[sin(ω・ｔ)＋sin(ω・ｔ＋θ)]／（２・Ｒo）…（５） ｉL2＝ｉ2＋ｉZ＝Ｖ・[sin(ω・ｔ)＋sin(ω・ｔ＋θ)]／（２・Ｒo）…（６） で表わされ、サム・ポートＮSから出力される電流ｉPCと電圧ｖPCは、 ｉPC＝ｉL1＋ｉL2＝Ｖ・[sin(ω・ｔ)＋sin(ω・ｔ＋θ)]／Ｒo…（７） ｖPC＝ｉPC・（Ｒo／２） ＝Ｖ・[sin(ω・ｔ)＋sin(ω・ｔ＋θ)]／２ ＝Ｖ・cos(θ／２)・sin(ω・ｔ+θ／２)]…（８） となる。 【００６０】 （８）式で示されるように、ＲＦ合成部５の出力電圧ｖPCのレベルは、位相差θによって変化する。その変化はcos(θ／２)の関数で表わされるから、位相差θをπ（１８０［ｄｅｇ］）からゼロまで単調に減少させると、出力電圧ｖPCのレベルが単調増加することが分かる。なお、θ＝０では、ｖPC＝Ｖ・sin(ω・ｔ)＝ｖP1＝ｖP2となる。」 （なお、「＝Ｖ・cos(θ／２)・sin(ω・ｔ+θ／２)]」の終わり大括弧「]」は、対応する始め大括弧「[」が存在せず、直前の「Ｖ・[sin(ω・ｔ)＋sin(ω・ｔ＋θ)]／２」との等号の関係を考慮しても、不要なものであることは明らかであるから、「＝Ｖ・cos(θ／２)・sin(ω・ｔ+θ／２)]」は、「＝Ｖ・cos(θ／２)・sin(ω・ｔ+θ／２)」の誤記であると認められる。） カ．「【００６７】 高周波信号生成部８には、図７に示すように、正弦波の高周波電圧ｖ1を発生する第１の高周波発生回路８ａと、制御部９から入力される位相差θを用いて高周波電圧ｖ1に対して位相差θを有する正弦波の高周波電圧ｖ2を発生する第２の高周波発生回路８ｂとが含まれる。第１の高周波発生回路８ａ及び第２の高周波発生回路８ｂもダイレクト・ディジタル・シンセサイザーで構成される。」 キ．「【００７４】 制御部９は、高周波信号生成部８に出力する出力制御信号Ｓcがハイレベルに反転するタイミング（高周波電圧ｖ1，ｖ2のパルス出力における各出力開始タイミング）に同期して、高周波信号生成部８に出力する位相差θを図８の特性で変化させる。出力制御信号Ｓcの立ち上りタイミングは、周期的に生じるから、図８に示す位相差θの変化はその出力制御信号Ｓcの立ち上りタイミングに同期して周期的に繰り返される。 【００７５】 例えば、出力制御信号Ｓcが周波数１０ｋＨｚ、デューティ比５０%のパルス信号に設定される場合、高周波信号生成部８は、１００μ秒の周期で５０μ秒だけ高周波電圧ｖ1，ｖ2を生成してＤＣ-ＲＦ変換部４に出力する。高周波電圧ｖ1，ｖ2はｖ1＝Ａ・sin(２π・ｆ・ｔ)、ｖ2＝Ａ・sin(２π・ｆ・ｔ＋θ)の波形を有するが、高周波電圧ｖ2の位相差θは、生成開始時ｔ＝０から凡そ４μ秒の経過時ｔwまでに図８の特性で１８０［ｄｅｇ］から０［ｄｅｇ］まで単調減少し、その後はゼロに固定される。 【００７６】 従って、図８に示す特性を関数θ(t)で表わすと、高周波電圧ｖ2はｖ2＝Ａ・sin(２π・ｆ・ｔ＋θ(t))で表わされ、０≦ｔ≦４μ秒の期間では、その期間に含まれる高周波電圧ｖ2の各波の位相は（２π・ｆ・ｔ＋θ(t)）の関数で変化する。そして、ｔ≒４μ秒で高周波電圧ｖ2は高周波電圧ｖ1と同相となり、４μ秒から５０μ秒までの期間はｖ1＝ｖ2の状態が継続される。 【００７７】 ０から４μ秒の期間では、ＤＣ-ＲＦ変換部４内の第１のＤＣ-ＲＦ変換部４Ａと第２のＤＣ-ＲＦ変換部４Ｂからそれぞれ出力される２つの高周波電圧ｖP1，ｖP2は、ｖP1＝Ｖ・sin(ω・ｔ)（ω＝２π・ｆ）、ｖP2＝Ｖ・sin(ω・ｔ＋θ(t))（θ≠０）となり、ＲＦ合成部５からフィルタ回路６を介して負荷に出力される出力電圧ｖoutのレベルは、図１で示したように、ゼロから所定のレベルまで増加する。」 上記アないしキから、引用例の「高周波電源」には以下の事項が記載されている。 ・上記アによれば、高周波電源１は、ＤＣ－ＤＣ変換部３、ＤＣ－ＲＦ変換部４、ＲＦ合成部５、高周波信号生成部８及び制御部９を含む構成である。 ・上記カによれば、高周波信号生成部８には、正弦波の高周波電圧ｖ1を発生する第１の高周波発生回路８ａと、制御部９から入力される位相差θを用いて高周波電圧ｖ1に対して位相差θを有する正弦波の高周波電圧ｖ2を発生する第２の高周波発生回路８ｂとが含まれるものである。 ・上記ア、ウによれば、ＤＣ－ＲＦ変換部４には同一構成の２つのＤＣ－ＲＦ変換部４Ａ，４Ｂが設けられるものであり、高周波電圧ｖ1，ｖ2が第１，第２のＤＣ－ＲＦ変換部４Ａ，４Ｂの各トランスＴ２の一次巻線に入力され、第１のＤＣ－ＲＦ変換部４Ａでは、正弦波信号ｖ1を増幅した電圧ｖP1が出力され、第２のＤＣ－ＲＦ変換部４Ｂでは、正弦波信号ｖ2を増幅した電圧ｖP2が出力される。 ・上記イによれば、ＤＣ－ＤＣ変換部３は、直流電圧Ｖccを任意の電圧値の直流電圧Ｖdcに変換してＤＣ－ＲＦ変換部４に入力する回路ブロックである。 ・上記アによれば、第１のＤＣ－ＲＦ変換部４Ａから出力される電力Ｐ1と第２のＤＣ－ＲＦ変換部４Ｂから出力される電力Ｐ2がＲＦ合成部５で合成されて高周波電源１の出力端に接続される負荷に出力されるものである。 ・上記オによれば、ＲＦ合成部５の出力電圧ｖPCのレベルは、位相差θによって変化し、その変化はcos(θ／２)の関数で表わされるものであり、ｖPC＝Ｖ・cos(θ／２)・sin(ω・ｔ+θ／２)である。 ・上記キによれば、制御部９は、高周波信号生成部８に出力する出力制御信号Ｓcがハイレベルに反転するタイミング（高周波電圧ｖ1，ｖ2のパルス出力における各出力開始タイミング）に同期して、高周波信号生成部８に出力する位相差θを変化させるものである。 ・上記エによれば、ＲＦ合成部５は、ハイブリッド回路によって構成されるものであり、ハイブリッド回路は、１つのサム・ポートＮSと２つの入力ポートＮA，ＮBを有し、入力ポートＮAに入力する第１のＤＣ－ＲＦ変換部４Ａから出力される高周波電圧ｖP1と、入力ポートＮBに入力する第２のＤＣ－ＲＦ変換部４Ｂから出力される高周波電圧ｖP2に位相差θがあると、入力電力のうち位相差θに応じた一部の電力ＰZを内部の抵抗Ｚで熱消費し、残りの電力ＰPCを出力する機能を有するものである。 ・上記キによれば、高周波電圧ｖ1，ｖ2はｖ1＝Ａ・sin(２π・ｆ・ｔ)、ｖ2＝Ａ・sin(２π・ｆ・ｔ＋θ)の波形を有するが、高周波電圧ｖ2の位相差θは、生成開始時ｔ＝０から凡そ４μ秒の経過時ｔwまでに１８０［ｄｅｇ］から０［ｄｅｇ］まで単調減少し、０から４μ秒の期間では、ＲＦ合成部５から負荷に出力される出力電圧ｖoutのレベルは、ゼロから所定のレベルまで増加するものである。 ・上記アによれば、パワーアンプの電源電圧を変化させてパワーアンプの出力電圧のレベルを変化させる方法ではパルス出力開始時から数μｓの間に出力電圧のレベルを漸増させる制御は困難であるから、高周波電源１では、２個のパワーアンプと両パワーアンプの出力電力を合成する電力合成回路を設け、その電力合成回路における合成動作を制御することによって負荷に出力される出力電圧ｖoutのレベルを制御するようにしているものである。 そうすると、上記摘示事項及び図面の記載を総合勘案すると、引用例には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。 「直流電圧Ｖccを任意の電圧値の直流電圧Ｖdcに変換してＤＣ－ＲＦ変換部４に入力する回路ブロックであるＤＣ－ＤＣ変換部３、 同一構成の２つのＤＣ－ＲＦ変換部４Ａ，４Ｂが設けられ、高周波電圧ｖ1，ｖ2が第１，第２のＤＣ－ＲＦ変換部４Ａ，４Ｂの各トランスＴ２の一次巻線に入力され、第１のＤＣ－ＲＦ変換部４Ａでは、正弦波信号ｖ1を増幅した電圧ｖP1が出力され、第２のＤＣ－ＲＦ変換部４Ｂでは、正弦波信号ｖ2を増幅した電圧ｖP2が出力されるＤＣ－ＲＦ変換部４、 第１のＤＣ－ＲＦ変換部４Ａから出力される電力Ｐ1と第２のＤＣ－ＲＦ変換部４Ｂから出力される電力Ｐ2を合成して高周波電源１の出力端に接続される負荷に出力し、出力電圧ｖPCのレベルは、位相差θによって変化し、その変化はcos(θ／２)の関数で表わされるものであり、ｖPC＝Ｖ・cos(θ／２)・sin(ω・ｔ+θ／２)であるＲＦ合成部５、 正弦波の高周波電圧ｖ1を発生する第１の高周波発生回路８ａと、制御部９から入力される位相差θを用いて高周波電圧ｖ1に対して位相差θを有する正弦波の高周波電圧ｖ2を発生する第２の高周波発生回路８ｂとが含まれる高周波信号生成部８、及び、 高周波信号生成部８に出力する出力制御信号Ｓcがハイレベルに反転するタイミング（高周波電圧ｖ1，ｖ2のパルス出力における各出力開始タイミング）に同期して、高周波信号生成部８に出力する位相差θを変化させるものである制御部９ を含む構成の高周波電源１であって、 ＲＦ合成部５は、ハイブリッド回路によって構成されるものであり、ハイブリッド回路は、１つのサム・ポートＮSと２つの入力ポートＮA，ＮBを有し、入力ポートＮAに入力する第１のＤＣ－ＲＦ変換部４Ａから出力される高周波電圧ｖP1と、入力ポートＮBに入力する第２のＤＣ－ＲＦ変換部４Ｂから出力される高周波電圧ｖP2に位相差θがあると、入力電力のうち位相差θに応じた一部の電力ＰZを内部の抵抗Ｚで熱消費し、残りの電力ＰPCを出力する機能を有するものであり、 高周波電圧ｖ1，ｖ2はｖ1＝Ａ・sin(２π・ｆ・ｔ)、ｖ2＝Ａ・sin(２π・ｆ・ｔ＋θ)の波形を有するが、高周波電圧ｖ2の位相差θは、生成開始時ｔ＝０から凡そ４μ秒の経過時ｔwまでに１８０［ｄｅｇ］から０［ｄｅｇ］まで単調減少し、０から４μ秒の期間では、ＲＦ合成部５から負荷に出力される出力電圧ｖoutのレベルは、ゼロから所定のレベルまで増加するものであり、 パワーアンプの電源電圧を変化させてパワーアンプの出力電圧のレベルを変化させる方法ではパルス出力開始時から数μｓの間に出力電圧のレベルを漸増させる制御は困難であるから、高周波電源１では、２個のパワーアンプと両パワーアンプの出力電力を合成する電力合成回路を設け、その電力合成回路における合成動作を制御することによって負荷に出力される出力電圧ｖoutのレベルを制御するようにしているものである、 高周波電源１。」 （３）対比・判断 本願補正発明と引用発明とを対比する。 ａ．引用発明の「位相差θ」は、本願補正発明の「相互の位相差」に相当する。また、引用発明の「正弦波の高周波電圧ｖ1」及び「正弦波の高周波電圧ｖ2」は、本願補正発明の「複数の高周波」に相当する。 したがって、引用発明の「正弦波の高周波電圧ｖ1を発生する第１の高周波発生回路８ａと、制御部９から入力される位相差θを用いて高周波電圧ｖ1に対して位相差θを有する正弦波の高周波電圧ｖ2を発生する第２の高周波発生回路８ｂとが含まれる高周波信号生成部８」は、制御部９から入力される位相差θに従って正弦波の高周波電圧ｖ1と正弦波の高周波電圧ｖ2の位相差θを変更するものであるといえるから、本願補正発明の「相互の位相差が変更可能な複数の高周波を生成する高周波信号生成手段」に相当する。 ｂ．引用発明の「正弦波信号ｖ1」及び「正弦波信号ｖ2」は、「正弦波の高周波電圧ｖ1」及び「正弦波の高周波電圧ｖ2」と同一の符号「ｖ1」、「ｖ2」で表されるものであるから、「正弦波の高周波電圧ｖ1」及び「正弦波の高周波電圧ｖ2」と同一の信号であると解するのが自然である。したがって、引用発明の「第１のＤＣ－ＲＦ変換部４Ａでは、正弦波信号ｖ1を増幅した電圧ｖP1が出力され、第２のＤＣ－ＲＦ変換部４Ｂでは、正弦波信号ｖ2を増幅した電圧ｖP2が出力される」ことは、本願補正発明の「前記高周波信号生成手段が生成した前記複数の高周波をそれぞれ増幅する」ことに相当する。 よって、引用発明の「同一構成の２つのＤＣ－ＲＦ変換部４Ａ，４Ｂが設けられ、高周波電圧ｖ1，ｖ2が第１，第２のＤＣ－ＲＦ変換部４Ａ，４Ｂの各トランスＴ２の一次巻線に入力され、第１のＤＣ－ＲＦ変換部４Ａでは、正弦波信号ｖ1を増幅した電圧ｖP1が出力され、第２のＤＣ－ＲＦ変換部４Ｂでは、正弦波信号ｖ2を増幅した電圧ｖP2が出力されるＤＣ－ＲＦ変換部４」は、増幅処理を行うものであるから、本願補正発明の「前記高周波信号生成手段が生成した前記複数の高周波をそれぞれ増幅する増幅手段」に相当する。 ｃ．引用発明の「直流電圧Ｖccを任意の電圧値の直流電圧Ｖdcに変換してＤＣ－ＲＦ変換部４に入力する回路ブロックであるＤＣ－ＤＣ変換部３」は、ＤＣ－ＲＦ変換部４（上記ｂのとおり、本願補正発明の「増幅手段」に相当。）に直流電圧Ｖdcを供給するものであるから、本願補正発明の「前記増幅手段に、直流電圧を供給する電圧供給手段」に相当する。 ｄ．引用発明の「第１のＤＣ－ＲＦ変換部４Ａから出力される電力Ｐ1と第２のＤＣ－ＲＦ変換部４Ｂから出力される電力Ｐ2」は、本願補正発明の「前記増幅手段から出力される増幅後の複数の高周波」に相当する。また、引用発明の「高周波電源１の出力端に接続される負荷」は、本願補正発明の「負荷」に相当する。 さらに、引用発明の「出力電圧ｖPCのレベルは、位相差θによって変化し、その変化はcos(θ／２)の関数で表わされるものであり、ｖPC＝Ｖ・cos(θ／２)・sin(ω・ｔ+θ／２)である」ことは、cos(θ／２)の割合で合成して出力電圧ｖPCを生成するものといえるから、引用発明の「cos(θ／２)」は、本願補正発明の「前記位相差に基づく所定の割合」に相当する。 したがって、引用発明の「第１のＤＣ－ＲＦ変換部４Ａから出力される電力Ｐ1と第２のＤＣ－ＲＦ変換部４Ｂから出力される電力Ｐ2を合成して高周波電源１の出力端に接続される負荷に出力し、出力電圧ｖPCのレベルは、位相差θによって変化し、その変化はcos(θ／２)の関数で表わされるものであり、ｖPC＝Ｖ・cos(θ／２)・sin(ω・ｔ+θ／２)であるＲＦ合成部５」は、本願補正発明の「前記増幅手段から出力される増幅後の複数の高周波を、前記位相差に基づく所定の割合で合成して負荷に出力する高周波合成手段」に相当する。 ｅ．引用発明の「高周波信号生成部８に出力する位相差θを変化させる」ことは、本願補正発明の「前記高周波信号生成手段に対して、前記位相差を変化させること」に相当する。 また、引用発明の「ＲＦ合成部５は、ハイブリッド回路によって構成されるものであり、ハイブリッド回路は、１つのサム・ポートＮSと２つの入力ポートＮA，ＮBを有し、入力ポートＮAに入力する第１のＤＣ－ＲＦ変換部４Ａから出力される高周波電圧ｖP1と、入力ポートＮBに入力する第２のＤＣ－ＲＦ変換部４Ｂから出力される高周波電圧ｖP2に位相差θがあると、入力電力のうち位相差θに応じた一部の電力ＰZを内部の抵抗Ｚで熱消費し、残りの電力ＰPCを出力する機能を有するもの」は、位相差θに応じてＲＦ合成部５の出力する電力ＰPCが変化するものといえる。 したがって、引用発明の「高周波信号生成部８に出力する出力制御信号Ｓcがハイレベルに反転するタイミング（高周波電圧ｖ1，ｖ2のパルス出力における各出力開始タイミング）に同期して、高周波信号生成部８に出力する位相差θを変化させるものである制御部９」は、位相差θを変化させることで、ＲＦ合成部５（上記ｄのとおり、本願補正発明の「高周波合成手段」に相当。）の出力する電力ＰPCを変化させるものであるから、本願補正発明の「前記高周波信号生成手段に対して、前記位相差を変化させることで、前記高周波合成手段より出力される高周波電力を制御する出力制御手段」に相当する。 ｆ．引用発明の「・・・ＤＣ－ＤＣ変換部３、・・・ＤＣ－ＲＦ変換部４、・・・ＲＦ合成部５、・・・高周波信号生成部８、及び、・・・制御部９を含む構成の高周波電源１」は、本願補正発明の「・・・高周波信号生成手段と、・・・増幅手段と、・・・電圧供給手段と、・・・高周波合成手段と、・・・出力制御手段と、を備えた高周波電源」に相当する。 ｇ．引用発明の「高周波電圧ｖ1，ｖ2はｖ1＝Ａ・sin(２π・ｆ・ｔ)、ｖ2＝Ａ・sin(２π・ｆ・ｔ＋θ)の波形を有するが、高周波電圧ｖ2の位相差θは、生成開始時ｔ＝０から凡そ４μ秒の経過時ｔwまでに１８０［ｄｅｇ］から０［ｄｅｇ］まで単調減少し、０から４μ秒の期間では、ＲＦ合成部５から負荷に出力される出力電圧ｖoutのレベルは、ゼロから所定のレベルまで増加するもの」は、生成開始時ｔ＝０から凡そ４μ秒の経過時ｔwまでの期間に、位相差θを１８０［ｄｅｇ］から０［ｄｅｇ］まで単調減少させることで、出力電圧ｖoutを、ゼロから所定のレベルまで増加する波形で変化させるものであるといえる。 また、上記ｅのとおり、引用発明において、位相差θを変化させる処理は制御部９が実行するものであり、位相差θに応じてＲＦ合成部５の出力する電力ＰPCが変化するものであるから、制御部９（本願補正発明の「出力制御手段」に相当。）が位相差θを１８０［ｄｅｇ］から０［ｄｅｇ］まで単調減少させることで、ＲＦ合成部５（上記ｄのとおり、本願補正発明の「高周波合成手段」に相当。）の出力する電力ＰPCも所望の波形で変化するものであるといえる。 そして、引用発明の高周波電圧ｖ2の位相差θは、高周波電圧ｖ1，ｖ2が生成されていなければ存在しないものであるから、位相差θを１８０［ｄｅｇ］から０［ｄｅｇ］まで単調減少させる期間において、高周波電圧ｖ1，ｖ2は生成させたままであると解するのが自然である。また、上記ａのとおり、引用発明の高周波電圧ｖ1，ｖ2は、高周波信号生成部８（本願補正発明の「高周波信号生成手段」に相当。）により生成されるものである。 してみると、引用発明の「高周波電圧ｖ1，ｖ2はｖ1＝Ａ・sin(２π・ｆ・ｔ)、ｖ2＝Ａ・sin(２π・ｆ・ｔ＋θ)の波形を有するが、高周波電圧ｖ2の位相差θは、生成開始時ｔ＝０から凡そ４μ秒の経過時ｔwまでに１８０［ｄｅｇ］から０［ｄｅｇ］まで単調減少し、０から４μ秒の期間では、ＲＦ合成部５から負荷に出力される出力電圧ｖoutのレベルは、ゼロから所定のレベルまで増加するもの」であることは、本願補正発明の「前記出力制御手段は、前記高周波信号生成手段に前記複数の高周波を生成させたままで、前記高周波合成手段より出力される高周波電力を所望の波形にするように、前記位相差を変化させる」ことを満たすものである。 ただし、本願補正発明の出力制御手段について、「前記高周波信号生成手段に前記複数の高周波を生成させたままで、前記高周波合成手段より出力される高周波電力を所望の波形にするように、前記位相差を変化させる」ことは、「前記電圧供給手段から前記増幅手段に供給される直流電圧が一定値のときに、」実行されるものであるが、引用発明にはその旨の特定がされていない。 そうすると、本願補正発明と引用発明とは、次の点で一致し、以下の点で一応相違している。 ＜一致点＞ 「相互の位相差が変更可能な複数の高周波を生成する高周波信号生成手段と、 前記高周波信号生成手段が生成した前記複数の高周波をそれぞれ増幅する増幅手段と、 前記増幅手段に、直流電圧を供給する電圧供給手段と、 前記増幅手段から出力される増幅後の複数の高周波を、前記位相差に基づく所定の割合で合成して負荷に出力する高周波合成手段と、 前記高周波信号生成手段に対して、前記位相差を変化させることで、前記高周波合成手段より出力される高周波電力を制御する出力制御手段と、 を備えた高周波電源であって、 前記出力制御手段は、 前記高周波信号生成手段に前記複数の高周波を生成させたままで、前記高周波合成手段より出力される高周波電力を所望の波形にするように、前記位相差を変化させる、 ことを特徴とする高周波電源。」 ＜相違点＞ 「前記高周波信号生成手段に前記複数の高周波を生成させたままで、前記高周波合成手段より出力される高周波電力を所望の波形にするように、前記位相差を変化させる」ことを、本願補正発明では、「前記電圧供給手段から前記増幅手段に供給される直流電圧が一定値のときに」実行されるのに対し、引用発明にはその旨の特定がされていない。 そこで、上記相違点について検討する。 引用発明は、「パワーアンプの電源電圧を変化させてパワーアンプの出力電圧のレベルを変化させる方法ではパルス出力開始時から数μｓの間に出力電圧のレベルを漸増させる制御は困難であるから、高周波電源１では、２個のパワーアンプと両パワーアンプの出力電力を合成する電力合成回路を設け、その電力合成回路における合成動作を制御することによって負荷に出力される出力電圧ｖoutのレベルを制御するようにしているもの」であるから、パルス出力開始時から数μｓの間に出力電圧のレベルを漸増させる制御は、パワーアンプの電源電圧を変化させることにより行われるのではなく、電力合成回路における合成動作を制御することにより行われるものである。 してみると、パルス出力開始時から数μｓの間に出力電圧のレベルを漸増させる期間では、電力合成回路における合成動作を制御し、パワーアンプの電源電圧を変化させないと解するのが自然である。 仮に、パルス出力開始時から数μｓの間に出力電圧のレベルを漸増させる期間で、電力合成回路における合成動作を制御するとともに、パワーアンプの電源電圧も変化させるのであるとすると、出力電圧には、電力合成回路における合成動作を制御することにより出力電圧のレベルを漸増させる変化だけでなく、パワーアンプの電源電圧も変化させることによる変化も加わることとなり、出力電圧の変化の波形は、出力電圧のレベルを漸増させる変化の波形からずれてしまうことになり、そのような制御を行うものと解するのは合理的でない。 そして、引用発明の「２個のパワーアンプ」が、「ＤＣ－ＲＦ変換部４」（上記ｂのとおり、本願補正発明の「増幅手段」に相当。）を構成する「２つのＤＣ－ＲＦ変換部４Ａ，４Ｂ」に対応するものであり、「パワーアンプの電源電圧」が、「ＤＣ－ＤＣ変換部３」（上記ｃのとおり、本願補正発明の「電圧供給手段」に相当。）が出力する「直流電圧Ｖdc」に対応するものであり、「電力合成回路における合成動作を制御すること」が、「位相差θ」を変化させることに対応するものであることは、明らかである。 したがって、引用発明は、パルス出力開始時から数μｓの間に出力電圧のレベルを漸増させる期間では、電力合成回路における合成動作を制御し、パワーアンプの電源電圧を変化させないものであるから、本願補正発明の「前記電圧供給手段から前記増幅手段に供給される直流電圧が一定値のときに、」位相差を変化させるものであるといえる。 よって、上記相違点は、実質的な相違点ではない。 なお、審判請求人は、審判請求書において、「引用文献１に記載の発明（以下では、「引用発明１」とする）が位相差θを変化させるのは、出力制御信号Ｓｃがハイレベルに反転するタイミングのときだけである。・・・引用発明１は、出力制御信号Ｓｃがローレベルからハイレベルに切り替えられるときに、位相差を０°として高周波電圧ｖ1，ｖ2を発生させるとオーバーシュートが発生するので、位相差を１８０°として高周波電圧ｖ1，ｖ2を発生させてから、位相差を０°まで単調減少させるだけである。」旨を主張している。 しかし、本願補正発明は、高周波電力を所望の波形にするように位相差を変化させるときに、直流電圧が一定値であり、複数の高周波を生成させたままであることは規定しているものの、全ての期間で位相差を変化させることを規定しているものではないため、特定の期間でのみ位相差を変化させるものを除外するものではなく、出力制御信号Ｓｃがローレベルからハイレベルに切り替えられるときにのみ、高周波電力を所望の波形にするように位相差を変化させるものも含まれるものと認められる。 よって、審判請求人の上記主張を採用することはできない。 （４）独立特許要件のむすび 以上のとおり、本願補正発明は、引用例に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 ４．補正却下のむすび 上記「２．（４）」で述べたとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項に掲げるいずれの事項を目的とするものにも該当しないから、同法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 また、上記「３．（４）」で述べたとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 よって、補正却下の決定の結論のとおり決定する。 第３　本願発明について １．本願発明 平成２９年６月２３日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成２９年２月７日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された、次のとおりのものである。 「【請求項１】 相互の位相差が変更可能な複数の高周波を生成する高周波生成手段と、 前記高周波生成手段に、直流電圧を供給する電圧供給手段と、 前記高周波生成手段から出力される複数の高周波を、前記位相差に基づく所定の割合で合成して負荷に出力する高周波合成手段と、 前記高周波生成手段に対して、前記位相差を変化させることで、前記高周波合成手段より出力される高周波電力を制御する出力制御手段と、 を備えた高周波電源であって、 前記出力制御手段は、 前記電圧供給手段から前記高周波生成手段に供給される直流電圧が一定値のときに、前記高周波合成手段より出力される高周波電力を所望の波形にするように、前記位相差を変化させる、 ことを特徴とする高周波電源。」 ２．引用例 原査定の拒絶の理由で引用された引用例（特開２０１４－２０４５０１号公報）及びその記載事項は、上記「第２　３．（２）」に記載したとおりである。 ３．対比・判断 本願発明は、本願補正発明から上記「第２　２．（１）」の「ａ．」及び「ｂ．」で述べた限定された構成を省いたものに相当する。 そうすると、本願発明の構成要件を全て含み、更に他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明が、上記「第２　３．」に記載したとおり、引用例に記載された発明から新規性がないのであるから、本願補正発明から上記構成を省いた本願発明も、同様の理由により、引用例に記載された発明から新規性がないものである。 ４．むすび 以上のとおり、本願発明は、引用例に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し特許を受けることができない。 したがって、本願は、その余の請求項について論及するまでもなく拒絶すべきものである。 よって、結論のとおり審決する。