2016-018341

特願２０１５－１９７０９４「基板処理システム、フォーカスリングの温度制御方法及び基板のエッチング方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２８年　２月１２日出願公開、特開２０１６－　２６４０１、請求項の数（１０）〕について、次のとおり審決する。

【結　論】 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。

【理　由】 第１　手続の経緯 本願は，平成２３年３月２８日に出願した特願２０１１－７０９４７号の一部を平成２７年１０月２日に新たな特許出願としたものであって，その手続の経緯は以下のとおりである。 平成２７年１０月　２日　　審査請求及び上申書の提出 平成２８年　５月１２日　　拒絶理由通知（起案日） 平成２８年　６月２８日　　意見書及び手続補正書の提出 平成２８年　９月　１日　　拒絶査定（起案日） 平成２８年１２月　６日　　審判請求 第２　本願発明 本願の請求項１～１０に係る発明（以下，それぞれ「本願発明１」～「本願発明１０」という。）は，平成２８年６月２８日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１～１０に記載された事項により特定される以下のとおりの発明である。 「　【請求項１】 処理容器と， 該処理容器内で基板上をエッチングするためのプラズマを生成するプラズマ生成手段と， 前記基板を載置する載置台と， 前記基板の周辺に配置するフォーカスリングと， 前記載置台に配置し，前記基板及びフォーカスリングを静電吸着する静電チャックと， 前記フォーカスリングを加熱するヒータと， 前記フォーカスリングを冷却するために熱伝導性ガスを供給する温調ガス供給部と， 前記処理容器内に処理ガスを供給するガス供給部と， 前記処理容器内を所定の真空度に減圧する排気手段と， 前記基板をエッチングした際の面内均一性を高めるように，前記フォーカスリングを前記ヒータによる加熱と前記温調ガス供給部からの冷媒の供給による冷却とを制御することにより，前記フォーカスリングの温度を制御して，前記基板をエッチングする制御部と， エッチングによるパターンの形状又は寸法を測定する測定手段と を備え， 測定した前記パターンの形状又は寸法に基づいて，前記フォーカスリングの温度を制御する ことを特徴とする基板処理システム。 【請求項２】 前記熱伝導性ガスは，前記フォーカスリングと前記静電チャックの接触境界に供給される構成からなる ことを特徴とする請求項１に記載の基板処理システム。 【請求項３】 処理容器と， 該処理容器内で基板上をエッチングするためのプラズマを生成するプラズマ生成手段と， 前記基板を載置する載置台と， 前記基板の周辺に配置するフォーカスリングと， 前記載置台に配置し，前記基板及びフォーカスリングを静電吸着する静電チャックと， 前記フォーカスリングを加熱するヒータと， 前記フォーカスリングを冷却するために熱伝導性ガスを供給する温調ガス供給部と， 前記処理容器内に処理ガスを供給するガス供給部と， 前記処理容器内を所定の真空度に減圧する排気手段と， 前記基板をエッチングした際の面内均一性を高めるように，前記載置台に前記フォーカスリングを静電吸着する工程と，前記フォーカスリングの温度を設定する工程と，前記フォーカスリングをヒータにより加熱する工程と，前記フォーカスリングの下面にＨｅガスを供給して冷却する工程とを行い前記フォーカスリングの温度を制御する制御部と， エッチングによるパターンの形状又は寸法を測定する測定手段と を備え， 測定した前記パターンの形状又は寸法に基づいて，前記フォーカスリングの温度を制御する ことを特徴とする基板処理システム。 【請求項４】 前記熱伝導性ガスは，前記フォーカスリングと前記静電チャックの接触境界に供給される構成からなる ことを特徴とする請求項３に記載の基板処理システム。 【請求項５】 載置台上に静電吸着された基板上の膜をエッチングした際に，面内均一性を高めるために該基板の周囲に配置されるフォーカスリングの温度制御方法において， 前記載置台に前記フォーカスリングを静電吸着する工程と， 前記フォーカスリングの温度を設定する工程と， 前記フォーカスリングをヒータにより加熱する工程と， 前記フォーカスリングの下面にＨｅガスを供給して冷却する工程と を有し， 前記基板をエッチングした際の面内均一性を高めるように，前記ヒータによる加熱とＨｅガスの供給による冷却とを制御することにより，前記フォーカスリングの温度を制御することとし， エッチングによるパターンの形状又は寸法を測定する工程を更に有し， 測定した前記パターンの形状又は寸法に基づいて，前記フォーカスリングの温度を制御する ことを特徴とするフォーカスリングの温度制御方法。 【請求項６】 前記基板は，前記基板上に膜が形成され，前記エッチングによりパターンを形成される　ことを特徴とする請求項５に記載のフォーカスリングの温度制御方法。 【請求項７】 前記パターンの形状又は寸法を測定する工程は，複数の位置における前記パターンの形状又は寸法を測定し， 前記複数の位置におけるパターンの形状又は寸法のデータのばらつきが所定の閾値より大きい場合，前記フォーカスリングの温度へフィードバックして前記フォーカスリングの温度を制御する ことを特徴とする請求項５または６に記載のフォーカスリングの温度制御方法。 【請求項８】 載置台上に静電吸着された基板のエッチング方法において， 前記載置台に前記基板を静電吸着する工程と， 前記基板の周囲に配置されるフォーカスリングを前記載置台に静電吸着する工程と， 前記フォーカスリングの温度を設定する工程と， 前記フォーカスリングをヒータにより加熱する工程と， 前記フォーカスリングの下面にＨｅガスを供給して冷却する工程と， 前記基板上にプラズマを生成する工程と， 前記基板を前記プラズマによりエッチングする工程と を有し， 前記基板をエッチングした際の面内均一性を高めるように，前記ヒータによる加熱とＨｅガスの供給による冷却とを制御することにより，前記フォーカスリングの温度を制御して，前記基板をエッチングすることとし， エッチングによるパターンの形状又は寸法を測定する工程を更に有し， 測定した前記パターンの形状又は寸法に基づいて，前記フォーカスリングの温度を制御する ことを特徴とする基板のエッチング方法。 【請求項９】 前記基板は，前記基板上に膜が形成され，前記エッチングによりパターンが形成される　ことを特徴とする請求項８に記載の基板のエッチング方法。 【請求項１０】 前記パターンの形状又は寸法を測定する工程は，複数の位置における前記パターンの形状又は寸法を測定し， 前記複数の位置におけるパターンの形状又は寸法のデータのばらつきが所定の閾値より大きい場合，前記フォーカスリングの温度へフィードバックして前記フォーカスリングの温度を制御する ことを特徴とする請求項８または９に記載の基板のエッチング方法。」 第３　原査定の概要 １　原査定 原査定（平成２８年９月１日付け拒絶査定）の概要は次のとおりである。 「この出願については，平成２８年５月１２日付け拒絶理由通知書に記載した理由２によって，拒絶をすべきものです。 なお，意見書及び手続補正書の内容を検討しましたが，拒絶理由を覆すに足りる根拠が見いだせません。 備考 ●理由２（特許法第２９条第２項）について ・請求項　１－１０ ・引用文献等　１－２ 請求項１－７に係る発明は，補正前の請求項７に記載された発明特定事項を，補正前の請求項１－６，８に付加したものであって，請求項８－１０に係る発明は，補正前の請求項１１に記載された発明特定事項を，補正前の請求項９－１０，１２に付加したものである。 請求項１－１０に係る発明の進歩性についての判断は，平成２８年５月１２日付け拒絶理由通知書の理由２に記載した通りである。 次に，出願人は，意見書において以下の主張を行っている。 「・・・エッチングにより形成されるパターンの形状又は寸法を測定し，測定したパターンの形状又は寸法に基づいて，フォーカスリングの温度を制御することは，引用文献１に開示も示唆もなされていない。 ・・・本願の請求項１では，「ヒータ」の温度を制御するのではなく，「フォーカスリング」の温度を制御している。よって，本願の請求項１と引用文献２とでは，温度制御の対象が明らかに異なっている。 したがって，エッチングにより形成されるパターンの形状又は寸法を測定し，測定したパターンの形状又は寸法に基づいて，フォーカスリングの温度を制御することは，引用文献２に開示も示唆もなされていない。 本願の請求項１に係る発明では，測定したパターンの形状又は寸法に基づいてフォーカスリングの温度を制御するようにしたので，パターンの面内均一性を高めることができ，フォーカスリングの寿命を伸ばすことができるという効果を奏する。 以上のように，引用文献１及び２は何れも本願の請求項１の上述したような発明特定事項を開示も示唆もしておらず，また本願の請求項１に係る発明はこの発明特定事項により顕著な効果を奏することから，本願の請求項１に係る発明が引用文献１及び２に基づきその進歩性を否定される理由はない。」 上記の出願人の主張について検討する。 上記拒絶理由通知書に記載した通り，引用文献１には，エッチング特性の面内均一性の向上を目的としてフォーカスリングの温度制御を行うことが記載されている（段落００８２－００８５）。 また，引用文献２には，エッチング深さのばらつきのばらつきの低減を目的として，干渉計による測定で得られるエッチング深さの情報を基に，ウェーハを保持するチャック内に配置される発熱体の温度を制御することが記載されている（第５欄第４４行－第６行第２４行）。 そして，引用文献１に記載されたフォーカスリングと引用文献２に記載された発熱体は，共にエッチング特性の面内均一性の向上という課題を解決するために設けられるものであり，温度が制御可能であるという点で共通の機能を有している。 したがって，出願人が主張する事項が引用文献１又は引用文献２に記載されていないとしても，引用文献１に記載された発明のフォーカスリングに，引用文献２に記載された発熱体の温度制御方法を適用して，請求項１－１０に係る発明とすることは，当業者が容易に想到し得たことである。また，同じ構成を有していれば，それによって奏される効果も同様であると言える。 したがって，出願人の主張は，採用できない。 よって，請求項１－１０に係る発明は，引用文献１－２に記載された発明に基づいて，当業者であれば容易になし得たものであるから，依然として，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 ＜引用文献等一覧＞ １.特開２０１０－２５１７２３号公報 ２.米国特許第６７７０８５２号明細書」 ２　拒絶理由通知 原査定の根拠となった平成２８年５月１２日付けの拒絶理由通知の概要は次のとおりである。 「２．（進歩性）この出願の下記の請求項に係る発明は，その出願前に日本国内又は外国において，頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 記　　　（引用文献等については引用文献等一覧参照） ……（中略）…… ●理由２（進歩性）について ・請求項　１－６，９，１０ ・引用文献等　１ ・備考 請求項１－６，９，１０に係る発明は，引用文献１に記載された発明に基づいて，当業者が容易になし得たものである。 ・請求項　７，８，１１，１２ ・引用文献等　１，２ ・備考 請求項７，８，１１，１２に係る発明と引用文献１に記載された発明とを対比すると，請求項７，８，１１，１２に係る発明では，測定されたパターンの形状又は寸法に基づいてフォーカスリングの温度を制御するのに対し，引用文献１に記載された発明では，測定されたパターンの形状又は寸法に基づいてフォーカスリングの温度が制御されていない点で相違する。 上記相違点について検討する。 引用文献２の第５欄第４４行－第６欄２４行及び図３，４には，エッチング・システム４００において，干渉計４１６によってウェーハ４０４上の複数の位置におけるエッチングの深さ（「パターンの形状又は寸法」に相当）を測定し，その情報をウェーハの温度プロファイルへフィードバックし，発熱体４１０の温度を調整することで，ウェーハ４０４の溝のエッチング深さのばらつきを低減することが記載されている。 そして，引用文献１，２に記載された発明は，ともに，エッチング特性の均一性の向上を課題として，その解決手段として温度制御を行うものである。 したがって，引用文献１に記載されたプラズマ処理装置に，引用文献２に記載されたエッチング・システム４００と同様の構成を採用して，干渉計によって測定されたパターンの形状又は寸法に基づき，フォーカスリングの温度のフィードバック制御を行うことは，当業者が容易に想到し得たことである。 なお，取得したデータが所定の閾値よりも大きい場合にフィードバックを行うことは，フィードバックに関する技術分野における慣用技術である。 よって，請求項７，８，１１，１２に係る発明は，引用文献１，２に記載された発明に基づいて，当業者が容易になし得たものである。 ＜引用文献等一覧＞ １.特開２０１０－２５１７２３号公報 ２.米国特許第６７７０８５２号明細書」 第４　当審の判断 １　引用刊行物の記載 （１）引用例１の記載事項 原査定の拒絶の理由に引用された刊行物である特開２０１０－２５１７２３号公報（以下「引用例１」という。）には，「プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法」（発明の名称）について，図１～図２０とともに次の事項が記載されている（下線は，参考のため，当審において付したもの。以下，同様である。）。 ア　「【技術分野】 【０００１】 本発明は，被処理基板にプラズマ処理を施す技術に係り，特に基板を保持する電極にフォーカスリングを取り付けるプラズマ処理装置およびそれを用いるプラズマ処理方法に関する。」 イ　「【発明が解決しようとする課題】 【０００６】 従来のプラズマ処理装置においては，上記のように基板の温度を制御してはいるが，フォーカスリングについては特に個別の温度制御を行ってはいない。このため，ＲＦパワーが弱いプロセスではイオンフラックスが弱く，フォーカスリングの温度は共通のサセプタ上に載置されている基板の温度に近い値になる。 【０００７】 しかしながら，フォーカスリングの温度が基板温度並みに低いと，プラズマプロセスの特性が却って悪化する場合もある。たとえば，今日のリソグラフィ工程では，レジストパターンの微細化・解像度向上のために多層レジスト法が多用されている。多層レジストプロセスにおいて，ＢＡＲＣ（反射防止膜）や中間マスク層のエッチング（マスク処理）を行うときは，選択性や垂直形状加工性よりも上層レジストパターンの転写精度つまり形状維持（損傷・変形の防止）の方がより重視されるため，プラズマ生成に用いられる高周波のパワーは低めに設定される。また，プラズマから基板へのイオンの引き込みを制御するために比較的低い周波数の高周波を用いる装置では，マスク処理を行う間はそのようなイオン引き込み用高周波のパワーが更に低め（極端には０ワット）に設定される。このため，プラズマから基板への入熱は少なく，基板の温度はそれほど高くはならず，フォーカスリングの温度も基板温度並みに低い。しかしながら，このような条件下のエッチングプロセスでは，エッチングレートが基板中心部よりも基板エッジ部で相対的に高くなるプロファイルで，基板上のエッチング特性が不均一になりやすい。 【０００８】 上記の問題に対しては，フォーカスリングの温度を基板温度よりも一段高くすると，基板エッジ部のエッチングレートが相対的に抑制され，エッチング特性の均一性が改善されることが実験的に実証されている。 【０００９】 しかしながら，量産装置において，サセプタにフォーカスリング専用のヒータを組み込むことは機構的にもコスト的にも非常に困難である。また，フォーカスリングを常時加熱すれば済むものでもなく，プロセスによっては冷却して温度を下げる方が好ましい場合もある。たとえば，上記のような多層レジストプロセスでは，マスク処理の後に続けて多層レジストの下地膜つまり本来の被加工膜のエッチングを行うときは，高選択性および良好な垂直形状加工性を得るためにフォーカスリングの温度を下げるのがよい。 【００１０】 このように，量産型のプラズマ処理装置においては，フォーカスリングの温度を任意かつ簡便に制御（特に昇温）できる温度制御機構が望まれている。 【００１１】 本発明は，上記のような従来技術の事情および問題点に鑑みてなされたものであって，被処理基板の周囲を覆うようにサセプタ（通常は下部電極）に取り付けられるフォーカスリングをサセプタ温度から独立して任意・簡便かつ効率的に加熱することが可能であり，さらにはフォーカスリングの温度を自在に制御できるようにしたプラズマ処理装置を提供する。 【００１２】 さらに，本発明は，多層レジストプロセスにおいてフォーカスリングの温度を自在に制御して各工程段階でエッチング特性の均一性を図れるプラズマ処理方法を提供する。」 ウ　「【発明を実施するための形態】 【００３８】 以下，添付図を参照して本発明の好適な実施の形態を説明する。 【００３９】 図１に，本発明の一実施形態におけるプラズマ処理装置の構成を示す。図２にこのプラズマ処理装置の要部の構成を示す。 【００４０】 このプラズマ処理装置は，下部ＲＦ２周波印加方式の容量結合型プラズマエッチング装置として構成されており，たとえばアルミニウムまたはステンレス鋼等の金属製の円筒型チャンバ（処理容器）１０を有している。チャンバ１０は保安接地されている。 【００４１】 チャンバ１０内には，被処理基板としてたとえば半導体ウエハＷを載置する円板状のサセプタ１２が下部電極として水平に配置されている。このサセプタ１２は，たとえばアルミニウムからなり，チャンバ１０の底から垂直上方に延びる絶縁体たとえばセラミックスの筒状支持部１４に支持されている。この筒状支持部１４の外周に沿ってチャンバ１０の底から垂直上方に延びる導体つまりアルミニウムの筒状支持部１６とチャンバ１０の内壁との間に環状の排気路１８が形成され，この排気路１８の底に排気口２０が設けられている。 【００４２】 排気口２０には排気管２２を介して排気装置２４が接続されている。排気装置２４は，ターボ分子ポンプなどの真空ポンプを有しており，チャンバ１０内の処理空間を所望の真空度まで減圧することができる。チャンバ１０の側壁には，半導体ウエハＷの搬入出口を開閉するゲートバルブ２６が取り付けられている。 【００４３】 サセプタ１２には，第１および第２の高周波電源２８，３０がマッチングユニット３２および給電棒３４を介して電気的に接続されている。ここで，第１の高周波電源２８は，主としてプラズマの生成に寄与する所定周波数（通常２７ＭＨｚ以上）の第１高周波ＨＦを出力する。一方，第２の高周波電源３０は，主としてサセプタ１２上の半導体ウエハＷに対するイオンの引き込みに寄与する所定周波数（通常１３．５６ＭＨｚ以下）の第２高周波ＬＦを出力する。マッチングユニット３２には，第１の高周波電源２８側のインピーダンスとプラズマ生成用負荷（主に下部電極，プラズマ，上部電極，チャンバ）側のインピーダンスとの間で整合をとるための第１整合器３２Ａと，第２の高周波電源３０側のインピーダンスとイオン引き込み用負荷（主に下部電極，プラズマ，上部電極，チャンバ）側のインピーダンスとの間で整合をとるための第２整合器３２Ｂとが収容されている。 【００４４】 サセプタ１２は半導体ウエハＷよりも一回り大きな直径または口径を有している。サセプタ１２の上面は，ウエハＷと略同形状（円形）かつ略同サイズの中心領域つまりウエハ載置部と，このウエハ載置部の外側に延在する環状の周辺部とに区画されている。ウエハ載置部の上に，処理対象の半導体ウエハＷが載置される。環状周辺部の上には，半導体ウエハＷの口径よりも大きな内径を有するリング状の板材いわゆるフォーカスリング３６が取り付けられる。 【００４５】 フォーカスリング３６の材質は，サセプタ１２とプラズマとの間で高周波ＨＦ，ＬＦを良く通し，イオンの入射でスパッタされても基板上のプロセスに実質的な影響を与えず，かつ高周波加熱によって発熱する適度な抵抗分を有する材質が好ましく，たとえばＳi，ＳiＣ，Ｃ等を好適に使用できる。また，ＳiＯ２，Ａｌ２Ｏ３等の誘電体に導電性物質を混ぜたものも使用可能である。 【００４６】 サセプタ１２の上記ウエハ載置部には，ウエハ吸着用の主静電チャック３８が設けられている。この主静電チャック３８は，円形の膜状または板状誘電体３８ａの中にシート状またはメッシュ状のＤＣ電極３８ｂを封入したものであり，サセプタ１２に一体形成または一体固着されている。ＤＣ電極３８ｂは，チャンバ１０の外に配置される直流電源４０に高圧配線およびスイッチ４２を介して電気的に接続されている。直流電源４０からの高圧の直流電圧がＤＣ電極３８ｂに印加されることにより，半導体ウエハＷを静電チャック３８上に静電吸着力で保持できるようになっている。 【００４７】 サセプタ１２の半径方向外側の周囲には，フォーカスリング３６の下面の外寄り部分（半径方向の中心部から外側エッジに至る部分）および外周面と両筒状支持部１４，１６の上面との間に介在するリング状の周辺誘電体４４が設けられている。この周辺誘電体４４の材質はたとえば石英である。 【００４８】 一実施例として，図２に示すように，フォーカスリング３６の温度を検出するための温度センサ４３を周辺誘電体４４の中または近傍に設けてもよい。この温度センサ４３には，たとえば蛍光温度計（商品名：ラクストロン）あるいは焦電型赤外線センサ等を使用できる。焦電型赤外線センサを使用するときは，フォーカスリング３６下面の被検出点付近を黒等で着色してよい。温度センサ４３の出力信号は，フォーカスリング３６の温度を制御する際のフィードバック信号として，信号線４５を介して制御部６６に送られる。 【００４９】 フォーカスリング３６の下面の内寄り部分（内側エッジから半径方向の中心部に至る部分）は，サセプタ１２上面の環状周辺部に設けられた周辺静電チャック４６の上に載っている。この周辺静電チャック４６は，リング形状の膜状または板状誘電体４６ａの中にＤＣ電極４６ｂを封入している。ＤＣ電極４６ｂもスイッチ４２を介して直流電源４０に電気的に接続されており，直流電源４０からの直流電圧がＤＣ電極４６ｂに印加されることにより，フォーカスリング３６を周辺静電チャック４６上に静電吸着力で保持できるようになっている。 ……（中略）…… 【００５１】 サセプタ１２の内部には，たとえば円周方向に延びる環状の冷媒室４８が設けられている。この冷媒室４８には，チラーユニット（図示せず）より冷媒供給管５０，５２を介して所定温度の冷媒たとえば冷却水が循環供給される。冷媒の温度によってサセプタ１２の温度を下げる方向に制御できる。そして，サセプタ１２に半導体ウエハＷおよびフォーカスリング３６をそれぞれ熱的に結合させるために，伝熱ガス供給部５３からの伝熱ガスたとえばＨｅガスが，別々のガス供給管５４，５６およびサセプタ１２内部のガス通路５８，６０を介して主静電チャック３８と半導体ウエハＷとの接触界面および周辺静電チャック４６とフォーカスリング３６との接触界面に供給されるようになっている。」 エ　「【００５４】 この実施形態では，フォーカスリング３６の温度を制御するために，マッチングユニット３２内において，図２に示すように，第１整合器３２Ａまたは第２整合器３２Ｂのいずれかにスイッチ８２を介して直列または並列に接続可能なインピーダンス付加回路８４がマッチングポイント調節用の付加回路として設けられる。 【００５５】 一例として，プラズマ生成用の第１整合器３２Ａにスイッチ８２を介してインピーダンス付加回路８４を接続できるものとする。この場合，制御部６６は，フォーカスリング３６を加熱する時にスイッチ８２をオンにしてインピーダンス付加回路８４を第１整合器３２Ａに接続し，それ以外の時は，特にサセプタ１２上の半導体ウエハＷに対してドライエッチング加工を行う時は，スイッチ８２をオフにしてインピーダンス付加回路８４を電気的に切り離しておく。インピーダンス付加回路８４の作用は，後に説明する。 【００５６】 制御部６６は，このプラズマエッチング装置内の各部たとえば排気装置２４，第１および第２高周波電源２８，３０，第１および第２整合器３２Ａ，３２Ｂ，静電チャック用のスイッチ４２，チラーユニット（図示せず），伝熱ガス供給用の開閉弁６２，６４，処理ガス供給部７８，マッチングポイント調節用のスイッチ８２等を制御するもので，マイクロコンピュータを含んでおり，ホストコンピュータ（図示せず）等の外部装置とも制御信号やデータをやりとりする。特に，この実施形態における制御部６６は，サセプタ１２の温度から独立してフォーカスリング３６の温度を高周波加熱よって上げるフォーカスリング発熱動作，さらにはフォーカスリング３６の発熱とサセプタ１２側からの冷却とをバランスさせてフォーカスリング３６の温度を最適制御するためのソフトウェアを装備している。 【００５７】 このプラズマエッチング装置における枚葉ドライエッチングの基本動作は次のようにして行われる。先ず，ゲートバルブ２６を開けて加工対象の半導体ウエハＷをチャンバ１０内に搬入し，中心静電チャック３８の上に載置する。そして，チャンバ１０を密閉状態にして処理ガス供給部７８よりエッチングガス（一般に混合ガス）を所定の流量および流量比でチャンバ１０内に導入し，排気装置２４によりチャンバ１０内の圧力を設定値にする。さらに，第１および第２の高周波電源２８，３０をオンにして第１高周波ＨＦおよび第２高周波ＬＦをそれぞれ所定のパワーで出力させ，これらの高周波ＨＦ，ＬＦをマッチングユニット３２および給電棒３４を介してサセプタ１２に印加する。また，伝熱ガス供給系の開閉弁６２をオンにして，主静電チャック３８と半導体ウエハＷとの間の接触界面に伝熱ガス（Ｈｅガス）を供給すると同時に，静電チャック用のスイッチ４２をオンにして，静電吸着力により伝熱ガスを上記接触界面に閉じ込める。シャワーヘッド６８より吐出されたエッチングガスは両電極１２，６８間で高周波の放電によってプラズマ化し，このプラズマで生成されるラジカルやイオンによって半導体ウエハＷ表面の被加工膜が所望のパターンにエッチングされる。 ……（中略）…… 【００５９】 また，このプラズマエッチング装置では，サセプタ１２の上面に，半導体ウエハＷおよびフォーカスリング３６をそれぞれ吸着するための主静電チャック３８および周辺静電チャック４６を設けている。そして，主静電チャック３８と半導体ウエハＷとの接触界面には開閉弁６２を介して，周辺静電チャック４６とフォーカスリング３６との接触界面には開閉弁６４を介して，伝熱ガス供給部５３からの伝熱ガスをそれぞれ個別に供給している。ここで，主静電チャック３８側の開閉弁６２は如何なるプロセスでもエッチング中は半導体ウエハＷの温度制御（冷却）のためにオン状態に切り換えられるが，周辺静電チャック４６側の開閉弁６４はプロセスの種類によってはエッチング中もオフ状態に保持されることがある。」 オ　「【００６８】 このプラズマエッチング装置において，第１高周波電源２８をオンにして第１整合器３２Ａを作動させても，チャンバ１０内の処理空間にエッチングガスを供給しない限りは高周波放電が起こらず，つまりプラズマは生成されず，したがってイオンシースは形成されず，プラズマ生成用負荷９０は実質的に存在しない。この場合，プラズマ生成用負荷９０に置き換わってフォーカスリング加熱用負荷９２が第１高周波電源２８に対して実質上の負荷となり，第１整合器３２Ａは第１高周波電源２８に対してフォーカスリング加熱用負荷９２をインピーダンス整合させるように動作する。こうして，図４に示すように，第１高周波電源２８からの高周波電流ｉＨＦの全部または大部分が第１整合器３２Ａを通ってフォーカスリング加熱用負荷９２に流れる。この時，フォーカスリング３６は抵抗Ｒ１で発生するジュール熱によって発熱する。この発熱量は，第１高周波電源２８の出力パワーを可変することによって増減できる。こうして，第１高周波電源２８からの第１高周波ＨＦを利用した高周波加熱によってフォーカスリング３６の温度をサセプタ温度から独立して任意に上げることができる。」 カ　「【００７８】 次に，図８および図９につき，この実施形態のプラズマエッチング装置を用いるアプリケーションの一実施例を説明する。 【００７９】 図８に，ＨＡＲＣ（High Aspect Ratio Contact）プロセスに含まれる多層レジストプロセスの工程手順を示す。図中，上から第１層の膜１００は通常のレジストであり，フォトリソグラフィによってパターニングされる。第２層の膜１０２はＢＡＲＣ（反射防止膜），第３層の膜１０４は中間マスクに用いられるＳiＮ膜，第４層の膜１０６は本来（最終）の被加工膜である絶縁膜のＳiＯ２層である。１０８は下地基板である。 【００８０】 多層レジストプロセスにおいては，最初にマスク処理として，レジストパターン１００をエッチングマスクにしてＢＡＲＣ１０２およびＳiＮ膜１０４を順次エッチングする（図８の（ａ）→（ｂ））。このマスク処理のＢＡＲＣエッチングおよびＳiＮエッチングでは，上層レジストパターン１００の転写精度つまり形状維持（損傷・変形の防止）が重視されるため，プラズマ生成用の第１高周波ＨＦのパワーは低め（たとえば１０００Ｗ以下）に設定され，イオン引き込み制御用の第２高周波ＬＦのパワーは更に低め（たとえば１００Ｗ以下）に設定される。 【００８１】 上記のようなマスク処理の後に，アッシングによりレジストパターン１００およびＢＡＲＣ１０２の残膜を除去する（図８の（ｃ））。次いで，ＳiＮ膜１０４をエッチングマスクとしてＳiＯ２層を異方性エッチングして，コンタクトホール１０９を形成する（図８の（ｄ））。 【００８２】 この実施例によれば，上記のような多層レジストプロセスにおいて，フォーカスリング３６の温度をたとえば図９に示すような特性で個別に制御することができる。 【００８３】 より詳細には，マスク処理の開始時点をｔ１とすると，その直前の所定時間（ｔ０～ｔ１）の間にフォーカスリング３６を上記のような第１高周波ＨＦを用いた高周波加熱によって発熱させ，フォーカスリング３６の温度を所定温度Ｔａまで上昇させる。このフォーカスリング加熱期間中は，上記のように処理ガス供給部７８を停止させておくだけでなく，静電チャック用のスイッチ４２および伝熱ガス供給系の開閉弁６２，６４をオフにしてフォーカスリング３６に対する冷却機構を停止させておく。フォーカスリング３６の温度制御を正確に行うために，温度センサ４３よりフォーカスリング３６の温度を制御部６６にフィードバックすることができる。なお，フォーカスリング加熱期間中に，半導体ウエハＷは任意の場所に在ってよく，たとえばチャンバ１０に搬入される途上に在ってもよい。 【００８４】 時点ｔ１でマスク処理が開始された後は，フォーカスリング３６の加熱を止めて，第１高周波電源２８からの第１高周波ＨＦをドライエッチングのために，つまりプラズマ生成のために用いてよい。そして，マスク処理のＢＡＲＣエッチングおよびＳiＮエッチングを行う間は，静電チャック用のスイッチ４２および伝熱ガス供給系の片方の開閉弁６２をオンにして主静電チャック３８上の半導体ウエハＷに対してはサセプタ１２との熱的結合による冷却機構を作動させる一方で，伝熱ガス供給系のもう片方の開閉弁６４をオフ状態に保持してフォーカスリング３６への伝熱ガス供給を止めておく。これによって，フォーカスリング３６は，サセプタ１２と熱的結合を持たないため，減圧下でマスク処理直前の初期温度Ｔａからの温度低下を最小限に食い止めることができる。 【００８５】 一方，マスク処理中にサセプタ１２上の半導体ウエハＷの温度は，プラズマからの入熱とサセプタ１２側からの冷却とのバランスの中で制御される。この実施例では，マスク処理時間（ｔ１～ｔ２）を通じて，フォーカスリング３６の温度（Ｔａ～Ｔｂ）が半導体ウエハＷの温度よりも一段または適度に高い温度に維持されるような温度制御を行うことができる。これにより，半導体ウエハＷ上で，エッジ部のエッチングレートを相対的に抑制して，エッチング特性の面内均一性を向上させることができる。 【００８６】 マスク処理の後は，アッシングおよびＳiＯ２エッチング（主エッチング）の処理時間（ｔ２～ｔ３）を通じて，静電チャック用のスイッチ４２および伝熱ガス供給系の両開閉弁６２，６４をオン状態に保持し，フォーカスリング３６に対してもサセプタ１２との熱的結合による冷却機構を働かせてよい。これにより，ＳiＯ２エッチングでは，フォーカスリング３６の温度を十分低くすることで，選択性，垂直形状加工性，コンタクトホール底の均一性を向上させることができる。 【００８７】 次に，図１０～図１４につき，この実施形態のプラズマエッチング装置においてフォーカスリング３６を加熱するための専用の加熱機構を備える実施例を説明する。 【００８８】 図１０に示す実施例は，フォーカスリング３６を加熱するために専用の第３高周波電源１１０および第３整合器１１２を用いる。第３整合器１１２の出力端子は，下部給電棒３４を介してサセプタ１２に接続されてよい。 【００８９】 第３高周波電源１１０より出力される高周波ＲＦは，フォーカスリング加熱用負荷９２のインピーダンスが最小または極小になるような周波数に設定されてよい。たとえば，フォーカスリング加熱用負荷９２が図３および図４に示すようにコンデンサＣ１～Ｃ４と抵抗Ｒ１とで構成される場合は，コンデンサＣ１～Ｃ４のリアクタンスを可及的に低くするような高い周波数（たとえば２００ＭＨｚ以上）に設定されてよい。あるいは，フォーカスリング加熱用負荷９２がインダクタンス成分を有する場合は，その直列共振周波数またはそれに近い値の周波数に設定されてよい。」 （２）引用例１に記載された発明 ア　第４の１（１）ア～カから，上記引用例１には次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。 「金属製の円筒型チャンバ（処理容器）１０と， 前記チャンバ１０内に搬入した半導体ウエハＷ表面の被加工膜を所望のパターンにエッチングするためのプラズマの生成に主として寄与する第１高周波ＨＦを出力する第１の高周波電源２８と， その上面が，前記半導体ウエハＷが載置されるウエハ載置部と，前記ウエハ載置部の外側に延在する環状周辺部とに区画されているサセプタ１２と， 前記環状周辺部の上に取り付けられ，前記半導体ウエハＷの口径よりも大きな内径を有するリング状のフォーカスリング３６と， 前記サセプタ１２の上面に設けている，前記半導体ウエハＷ及び前記フォーカスリング３６をそれぞれ吸着するための主静電チャック３８及び周辺静電チャック４６と， 前記第１高周波電源２８からの第１高周波ＨＦを利用した高周波加熱によって発熱することで，前記フォーカスリング３６の温度をサセプタ温度から独立して任意に上げることができるフォーカスリング加熱用負荷９２と， 伝熱ガス供給部５３からの伝熱ガスたとえばＨｅガスを，周辺静電チャック４６とフォーカスリング３６との接触界面に供給してフォーカスリング３６を冷却する冷却機構と， 前記チャンバ１０を密閉状態にしてエッチングガスを所定の流量および流量比で前記チャンバ１０内に導入する処理ガス供給部７８と， 前記チャンバ１０内の処理空間を所望の真空度まで減圧することができる排気装置２４と， 前記サセプタ１２の温度から独立して前記フォーカスリング３６の温度を高周波加熱よって上げるフォーカスリング発熱動作，及び，前記フォーカスリング３６の発熱と前記サセプタ１２側からの冷却とをバランスさせて前記フォーカスリング３６の温度を最適制御するためのソフトウェアを装備している制御部６６と， を備え， 前記制御部６６は，レジストパターン１００をエッチングマスクにしてＢＡＲＣ１０２およびＳiＮ膜１０４を順次エッチングするマスク処理時間を通じて，前記フォーカスリング３６の温度が前記半導体ウエハＷの温度よりも一段または適度に高い温度に維持されるような温度制御を行うことにより，前記半導体ウエハＷ上で，エッジ部のエッチングレートを相対的に抑制して，エッチング特性の面内均一性を向上させることができるプラズマ処理装置。」 イ　同様に，第４の１（１）ア～カから，上記引用例１には次の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。 「チャンバ１０内に搬入し，サセプタ１２の上面のウエハ載置部に載置され半導体ウエハＷを，主静電チャック３８により静電吸着する工程と， 前記サセプタ１２のウエハ載置部の外側に延在する環状周辺部上に取り付けられたフォーカスリング３６を，周辺静電チャック４６上に静電吸着力で保持する工程と， フォーカスリング加熱用負荷９２を高周波加熱によって発熱することで，前記フォーカスリング３６の温度をサセプタ温度から独立して任意に上げる工程と， 伝熱ガス供給部５３からの伝熱ガスたとえばＨｅガスを，周辺静電チャック４６とフォーカスリング３６との接触界面に供給してフォーカスリング３６を冷却する工程と， 主として第１の高周波電源２８が出力する第１高周波ＨＦによって，前記半導体ウエハＷ表面の被加工膜を所望のパターンにエッチングするためのプラズマを生成する工程と， を含み， 前記サセプタ１２の温度から独立して前記フォーカスリング３６の温度を高周波加熱よって上げるフォーカスリング発熱動作，及び，前記フォーカスリング３６の発熱と前記サセプタ１２側からの冷却とをバランスさせて，前記フォーカスリング３６の温度を最適制御して，レジストパターン１００をエッチングマスクにしてＢＡＲＣ１０２およびＳiＮ膜１０４を順次エッチングするマスク処理時間を通じて，前記フォーカスリング３６の温度が前記半導体ウエハＷの温度よりも一段または適度に高い温度に維持されるような温度制御を行うことにより，前記半導体ウエハＷ上で，エッジ部のエッチングレートを相対的に抑制して，エッチング特性の面内均一性を向上させることができるプラズマ処理方法。」 （３）引用例２の記載事項 原査定の拒絶の理由に引用された刊行物である米国特許第６７７０８５２号明細書（以下「引用例２」という。）には，“CRITICAL DIMENSION VARIATION COMPENSATION ACROSS A WAFER BY MEANS OF LOCAL WAFER TEMPERATURE CONTROL”（発明の名称，訳「局所的なウェーハ温度の制御によるウェーハ全体における臨界寸法のばらつき補正」）について，Fig.１～Fig.５とともに次の事項が記載されている。 ア　“FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to a method and apparatus for varying a temperature profile for a wafer of material undergoing plasma processing in order to compensate for other non-temperature effects that cause dimensional variation of etched features across the substrate during plasma processing.”（第１欄第２０～２７行，当審訳：本発明は，プラズマ処理中の基板全体におけるエッチング形状の寸法のばらつきを引き起こす非温度要因を補償するために，プラズマ処理を受けるウェーハ材料の温度プロファイルを変化させる方法および装置に関する。） イ　“It is common practice to define test images in multiple locations over the wafer surface, and these test images are often referred to as“critical dimension features”or“CD’s”for short. A measurement of these CD’s after the photo imaging process can be used to determine the“CD shift”from the lithography operation. Likewise a measurement of the CD’s in the photoresist can be compared to the etched features that they define after the etching process, and a CD shift can be calculated and attributed to the etch process. It is desirable that these CD shifts be stable from wafer to wafer and uniform over a wafer surface, so that a simple correction bias to the original mask image can be used to compensate out the systematic CD shift.”（第１欄第６６行～第２欄第１１行，当審訳：ウェーハ表面上の複数の場所においてテスト画像を定めるのは一般的な慣行であり，これらの検査画像は，しばしば「臨界寸法形状」または略して「ＣＤ」と呼ばれる。写真撮影処理の後のこれらのＣＤの測定は，リソグラフィ工程からの「ＣＤシフト」を決定するために用いられる。同様に，フォトレジストにおけるＣＤの測定値は，エッチング処理後に定められるエッチングされた形状と比較することができるので，エッチング処理に起因するＣＤシフトを算出できる。これらＣＤシフトは，どのウェーハにおいても安定し，かつ，ウェーハ表面にわたり均一であることが望ましく，したがって，元のマスク画像に対する単純な補正バイアスは体系的にＣＤシフトを補正するために用いられる。 ウ　“BRIEF DESCRIPTION OF THE INVENTION An etching system for etching a wafer of a material has a measuring device, an etching chamber, and a controller. The measuring device measures the critical dimension test feature (CD) along the profile of the wafer at a plurality of preset locations. The etching chamber receives the wafer from the measuring device. The etching chamber includes a chuck supporting the wafer and a plurality of heating elements disposed within the chuck. Each heating element is positioned adjacent to each preset location on the wafer. The etching system controller is coupled to the measuring device to receive the actual measured CD’s for a particular wafer. The etching system controller is also connected to the plurality of heating elements. The controller adjusts the temperature of each heating element during a process to reduce the variation of critical dimensions among the plurality of preset locations by using temperature dependent etching characteristics of the etch process to compensate for CD variation introduced by the lithography process preceding the etch process.”（第２欄第３５～５５行，当審訳：発明の簡単な説明 ウェーハ材料をエッチングするエッチング・システムは，測定装置，エッチングチャンバ，および制御装置を有する。測定装置は，複数の予め設定された位置におけるウェーハのプロファイルに沿ってテストフィーチャの臨界寸法（ＣＤ）を測定する。エッチングチャンバは測定装置からウェーハを受け取る。エッチングチャンバは，ウェーハを保持するチャックと，該チャックの内部に配置される複数の加熱要素とを有する。各加熱要素は，ウェーハ上の予め設定された位置に隣接して配置される。エッチング・システムの制御装置は，特定のウェーハの実測されたＣＤを受け取るために測定装置に接続される。また，エッチング・システムの制御装置は，複数の加熱要素にも接続される。制御装置は，エッチング処理に先行するリソグラフィ処理で導入されたＣＤばらつきを補正するために，エッチング処理において温度に依存するエッチング特性を用いて複数の予め設定された位置における臨界寸法のばらつきを減らす処理の間，各加熱要素の温度を調整する。） エ　“By altering the wafer temperature in accordance with FIG.2 (or its equivalent for the photoresist and etching chemistries in use)this temperature dependant CD shift in the etching process can be used to compensate the photolithographic induced CD shifts in each wafer or lot of wafers to generally improve the final CD’s fidelity to the intended dimensions. In the near future it is expected that a single global correction, even if performed on each wafer individually, will be inadequate to correct CD shifts which result from the photolithography process. As such, the wafer can be divided into several segments and multiple local CD shifts can be calculated. Using this data and the curve in FIG.2, a multizone-heated pedestal can be used to perform CD shift corrections locally on a wafer.”（第３欄第５１～６５行，当審訳：図２に基づいてウェーハ温度を変えること（または，使用中のフォトレジストおよびエッチング化学物質の均等物）によって，エッチング処理における温度依存のＣＤシフトは，目標寸法に対する最終的なＣＤの忠実性を一様に向上させるために，各ウェーハまたは複数のウェーハにおけるフォトリソグラフィに起因するＣＤシフトを補正するために用いられる。 近い将来，たとえ個々のウェーハごとに実行される場合でも，単一的なグローバル補正では，フォトリソグラフィ処理から生じるＣＤシフトを修正するには不十分であることが想定される。このような場合は，ウェーハをいくつかの部分に分け，複数の局所的なＣＤシフトを算出することできる。この図２のデータおよびデータ曲線を用いることにより，ウェーハ上で局所的にＣＤシフトの補正を実行するためにマルチゾーン加熱ペデスタルが用いられる。） オ　“For illustration purposes, the etching system 100 may function as follows: The measuring device 114 measures feature dimensions on the wafer 104 at preset locations. Each preset location may define a region on the wafer 104. The controller 112 receives data from the measuring device 114 about the wafer 104 containing feature dimensions at preset locations. The controller 112 translates the data into a temperature profile based on known relationship between the feature dimension differences and the temperature of the wafer during processing. The temperature profile includes a specific temperature for each measured preset location on the wafer 104 and thus for each corresponding region on the chuck 110. The controller 112 thus adjusts the temperature of each region by adjusting its corresponding heating element 110. In accordance with another embodiment of the present invention, FIG.4 illustrates an etching system 400 for controlling the temperature and etch rate of a wafer 404. The etching system 400 comprises a chamber 402 through which reactive gas or gases flow (not shown). Within the chamber 402, the gases are ionized into a plasma 406, by radio frequency energy generated by an RF antenna (not shown) disposed above and adjacent to a top window (not shown) of the chamber 402. The highly reactive ions of the plasma 406 are able to react with the surface of a semiconductor wafer 404 being processed. Prior to etching, the wafer 404 is placed in the chamber 402 and held in proper position by a chuck 408 that exposes a top surface of the wafer 404 to the plasma 406. Several heating elements 410 are arranged at preset locations in the chuck 408. For illustration purposes, the heating elements 410 may include film heaters, or any other type of heaters small enough to fit in the chuck 408. The heating elements 410 are coupled to a controller 412 that adjusts the temperature of each heating element 410. The interferometer 416 samples the etch depth at several preset locations periodically by means of switch 420 which sequentially directs light from one of the several fiber optics 418 to an interferometer 416. Since the time to acquire a spectrum is less than 0.1 seconds, the wafer can be sampled over e.g. seven sites in less than a second. The controller 412 receives data from the interferometer 416 during processing. The interferometer 416 measures etch depth of the wafer 404 during an etching process. A number of optical fibers 418 aimed at the wafer 404 are positioned on top of the chamber 402. The number of optical fibers 418 corresponds to the number of heating elements 410 in the chuck 408 or to the number of thermal regions in the chuck 408 as illustrated above in FIG.3. An optical switch 420 relays the information from the fiber optics 418 to the interferometer 416. The optical switch time multiplexes the signals from the wafer 404, region by region, by taking a scan every few milliseconds, for example, 0.1 second. Thus, the etching system 400 includes an in-situ feedback system in which it dynamically alters in real-time the temperature profile for each wafer based on the information from the interferometer 416. The controller 412 adjusts the temperature of each heating element 410 before and/or during the process to locally modify the etch rates and thereby to reduce the variation of trench etch depth on the wafer 404 among the preset locations on the wafer 404.”（第５欄第２９行～第６欄第２５行，当審訳：説明のために，エッチング・システム１００は以下のように機能することができる。測定装置１１４は，予め設定された位置でウェーハ１０４上の特徴の寸法を測定する。各予め設定された位置は，ウェーハ１０４上の領域を画定することができる。制御装置１１２は，ウェーハ１０４に関する，予め設定された位置における特徴の寸法を含むデータを測定装置１１４から受け取る。制御装置１１２は，処理中に特徴の寸法差およびウェーハの温度の周知の関係に基づき，データを温度プロファイルに変換する。温度プロファイルは，ウェーハ１０４上の各測定された設定された位置，即ち，チャック１０８上の対応する各領域に関する特定の温度を含む。したがって，制御装置１１２は，その対応する加熱要素１１０を調整することによって，各領域の温度を調整する。 本発明の他の実施例によれば，図４は，ウェーハ４０４の温度およびエッチング速度を制御するエッチング・システム４００を例示する。エッチング・システム４００は，単一または複数の反応性ガス（図示なし）が通って流れるチャンバ４０２を含む。チャンバ４０２の中で，チャンバ４０２の一番上のウインドウ（図示なし）に隣接して配置されるＲＦアンテナ（図示なし）によって，発生する無線周波数エネルギによって，チャンバ４０２でガスはプラズマ４０６にイオン化される。プラズマ４０６の反応性の高いイオンは，処理される半導体ウェーハ４０４の表面と反応することができる。エッチングの前に，ウェーハ４０４は，チャンバ４０２内に置かれ，ウェーハ４０４の上面をプラズマ４０６に曝させるチャック４０８によって，適切な位置に保持される。 いくつかの加熱要素４１０は，チャック４０８の設定された位置に配置される。例として，加熱要素４１０は，フィルム・ヒーターまたはチャック４０８に嵌合するのに十分に小さいヒーターを含めてもよい。加熱要素４１０は，各加熱要素４１０の温度を調整する制御装置４１２に連結される。 干渉計４１６は，いくつかの光ファイバ４１８のうちの１つから干渉計４１６まで連続して光を導くスイッチ４２０によって，周期的にいくつかの設定位置でエッチングの深さをサンプリングする。スペクトルを取得する時間が０．１秒未満であるため，例えば，１秒未満で７箇所において，ウェーハのサンプリングが可能である。 制御装置４１２は処理中，干渉計４１６からデータを受け取る。干渉計４１６は，エッチング処理の間，ウェーハ４０４のエッチングの深さを測定する。ウェーハ４０４に向けられた多数の光ファイバ４１８は，チャンバ４０２上部に配置される。光ファイバ４１８の数は，チャック４０８の加熱要素４１０の数，または，図３で示すようなチャック４０８の温度領域の数に対応する。光スイッチ４２０は，光ファイバ４１８から干渉計４１６に情報を中継する。１回の走査で数ミリ秒，例えば０．１秒かけて光スイッチは，領域ごとにウェーハ４０４からの信号を時分割する。 したがって，エッチング・システム４００は，干渉計４１６からの情報に基づいて，各ウェーハの温度プロファイルにリアルタイムで動的に変換する，in-situフィードバックシステムを含む。制御装置４１２は，局所的にエッチング速度を修正し，これにより，ウェーハ４０４上の設定された位置に沿って当該ウェーハ４０４上のトレンチのエッチング深さのばらつきを減らす処理の，前および／または間に，各加熱要素４１０の温度を調整する。） カ　“FIG.5 is a schematic diagram illustrating a system for controlling the temperature and etch rate of the wafer in accordance with another embodiment of the present invention. An etching system 500 controls the temperature and etch rate of a wafer 504. The etching system 500 comprises a chamber 502 through which reactive gas or gases flow (not shown). Within the chamber 502, gases are ionized into a plasma 506, by radio frequency energy generated by an RF antenna (not shown) disposed above and adjacent to a top window (not shown) of the chamber 502. The highly reactive ions of the plasma 506 are able to react with the surface of a semiconductor wafer 504 being processed. Prior to etching, the wafer 504 is placed in the chamber 502 and held in proper position by a chuck 508 that exposes a top surface of the wafer 504 to the plasma 506. The chuck 508 may include several distinct regions through which fluid may flow. The temperature of each region may be adjusted independently by controlling the temperature of the fluid passing through each region with a temperature controller 510. Each region may be arranged to correspond with each preset location on the chuck 508. Each temperature controller 510 is coupled to a controller 512 that adjusts each temperature controller 510. A measuring device 514 coupled to the controller 512 measures critical dimension test feature dimensions (CDs) on each wafer prior to processing. The measuring device 514 sends data containing the measurements at several preset locations on the wafer 504 to the controller 512. The preset locations on the wafer 504 correspond to the different regions on the chuck 508. The controller 512 includes an algorithm containing the relationship between a feature dimension measurement and the temperature of a wafer under process, similar to the relation shown in FIG.2. Once the controller 512 receives the data from the measuring device 514, the controller 512 applies the above algorithm to translate the measured data into temperature data. Therefore, the data containing measurements at several locations on the wafer 504 may be used to produce a custom temperature profile for the measured wafer 504. Thus, for a particular measurement at a particular location on the wafer 504, the controller 512 adjusts the temperature of the heating element 510 corresponding to that particular location on the wafer in accordance with the above-defined relationship. Thus, the etching system 500 includes a feedforward system in which it dynamically alters in real-time the temperature profile for each wafer after accepting information about the particular feature dimensions on the wafer. The controller 512 adjusts the temperature of each heating element 510 before and/or during the process to reduce the variation of Critical Dimensions on the wafer 504 among the preset locations on the wafer 504.”（第６欄第２５行～第７欄第１０行，当審訳：図５は，本発明の別の実施形態に係るウェーハの温度およびエッチング速度を制御するシステムを例示している構成図である。エッチング・システム５００は，ウェーハ５０４の温度およびエッチング速度を制御する。エッチング・システム５００は，単一または複数の反応性ガス（図示なし）が通って流れるチャンバ５０２を含む。チャンバ５０２の中では，チャンバ５０２の頂部の窓（図示なし）の上に隣接して配置されたＲＦアンテナ（図示なし）によって励起される無線周波数エネルギから，ガスはプラズマ５０６にイオン化される。プラズマ５０６の反応性の高いイオンは，処理される半導体ウェーハ５０４の表面で反応する。エッチングの前に，ウェーハ５０４は，チャンバ５０２内に置かれ，チャック５０８によってウェーハ５０４の上面がプラズマ５０６に曝されるような適切な位置で保持される。 チャック５０８は，流体が流れることができるいくつかの異なった領域を含むことができる。各領域の温度は，温度調節器５１０によって各領域を流れる流体の温度を制御して，独立的に調整される。各領域は，チャック５０８上の各予め設定された位置に対応するように構成できる。各温度調節器５１０は，各温度調節器５１０を調整する制御装置５１２に連結される。 制御装置５１２に連結される測定装置５１４は，処理の前に，各ウェーハ上のテストする特徴の寸法の臨界寸法（ＣＤ）を測定する。測定装置５１４は，ウェーハ５０４上のいくつかの設定位置における測定値を含むデータを制御装置５１２に送る。ウェーハ５０４上の設定位置は，チャック５０８上の異なる領域に対応する。 制御装置５１２は，図２に示す関係と同様に，特徴の寸法の測定値と処理下のウェーハの温度との関係を含むアルゴリズムを含む。制御装置５１２が測定装置５１４からデータを受け取ると，制御装置５１２は，上記のアルゴリズムを適用して，測定データを温度データに変換する。したがって，ウェーハ５０４にいくつかの位置での測定値を含むデータを用いて，測定されたウェーハ５０４のカスタム温度プロファイルを作成することができる。したがって，ウェーハ５０４上の個々の位置における測定のために，制御装置５１２は，上記の定義された関係に従い，ウェーハ上のその位置に対応する加熱要素５１０の温度を調整する。 したがって，エッチング・システム５００は，ウェーハ上の個々の寸法に関する情報を受信した後，各ウェーハの温度プロファイルをリアルタイムで動的に変換する，フィードフォワード・システムを含む。制御装置５１２は，ウェーハ５０４上の設定された位置におけるウェーハ５０４上の臨界寸法のばらつきを低減するための処理の前および／または処理中に，各加熱要素５１０の温度を調整する。） （４）引用例２に記載された技術 ア　第４の１（３）アから，引用例２には，プラズマ処理中の基板全体におけるエッチング形状の寸法のばらつきを引き起こす非温度要因を補償するために，プラズマ処理を受けるウェーハ材料の温度プロファイルを変化させる方法が記載されている。 イ　第４の１（３）ウ，エから，引用例２には，エッチング処理におけるＣＤシフト量はウェーハ温度に依存して変化するという特徴があること，この特徴を用いて，各ウェーハの複数の予め設定された位置におけるＣＤシフトのばらつきを補正すること，が記載されている。 ウ　第４の１（３）オ～カから，エッチング処理の間，ウェーハ４０４のエッチングの深さ等の臨界寸法（ＣＤ）を測定し，この測定した情報に基づいてウェーハの温度プロファイルにリアルタイムで変換し，局所的にエッチング速度を修正してウェーハ４０４上の設定された位置に沿って臨界寸法（ＣＤ）のばらつきを減らす処理の前および／または間に各加熱要素４１０の温度を調整することが記載されている。 ２　対比・判断 （１）本願発明１について ア　本願発明１と引用発明１との対比 本願発明１と引用発明１とを対比する。 引用発明１の「金属製の円筒型チャンバ（処理容器）１０」は，本願発明１の「処理容器」に相当する。 引用発明１の「前記チャンバ１０内に搬入した半導体ウエハＷ表面の被加工膜を所望のパターンにエッチングするためのプラズマの生成に主として寄与する第１高周波ＨＦを出力する第１の高周波電源２８」は，本願発明１の「該処理容器内で基板上をエッチングするためのプラズマを生成するプラズマ生成手段」に相当する。 引用発明１の「その上面が，前記半導体ウエハＷが載置されるウエハ載置部と，前記ウエハ載置部の外側に延在する環状周辺部とに区画されているサセプタ１２」は，本願発明１の「前記基板を載置する載置台」に相当する。 引用発明１の「環状周辺部」は，「前記半導体ウエハＷが載置されるウエハ載置部」の「外側に延在」している。したがって，引用発明１の「前記環状周辺部の上に取り付けられ，前記半導体ウエハＷの口径よりも大きな内径を有するリング状のフォーカスリング３６」は，本願発明１の「前記基板の周辺に配置するフォーカスリング」に相当する。 引用発明１の「前記サセプタ１２の上面に設けている，前記半導体ウエハＷ及び前記フォーカスリング３６をそれぞれ吸着するための主静電チャック３８及び周辺静電チャック４６」を併せたものは，本願発明１の「前記載置台に配置し，前記基板及びフォーカスリングを静電吸着する静電チャック」に相当する。 引用発明１の「前記第１高周波電源２８からの第１高周波ＨＦを利用した高周波加熱によって発熱することで，前記フォーカスリング３６の温度をサセプタ温度から独立して任意に上げることができるフォーカスリング加熱用負荷９２」は，本願発明１の「前記フォーカスリングを加熱するヒータ」に相当する。 引用発明１の「伝熱ガス供給部５３からの伝熱ガスたとえばＨｅガスを，周辺静電チャック４６とフォーカスリング３６との接触界面に供給してフォーカスリング３６を冷却する冷却機構」は，本願発明１の「前記フォーカスリングを冷却するために熱伝導性ガスを供給する温調ガス供給部」に相当する。 引用発明１の「前記チャンバ１０を密閉状態にしてエッチングガスを所定の流量および流量比で前記チャンバ１０内に導入する処理ガス供給部７８」は，本願発明１の「前記処理容器内に処理ガスを供給するガス供給部」に相当する。 引用発明１の「前記チャンバ１０内の処理空間を所望の真空度まで減圧することができる排気装置２４」は，本願発明１の「前記処理容器内を所定の真空度に減圧する排気手段」に相当する。 引用発明１の「制御部６６」は，「前記サセプタ１２の温度から独立して前記フォーカスリング３６の温度を高周波加熱よって上げるフォーカスリング発熱動作，及び，前記フォーカスリング３６の発熱と前記サセプタ１２側からの冷却とをバランスさせて前記フォーカスリング３６の温度を最適制御するためのソフトウェアを装備して」おり，これにより「レジストパターン１００をエッチングマスクにしてＢＡＲＣ１０２およびＳiＮ膜１０４を順次エッチングするマスク処理時間を通じて，前記フォーカスリング３６の温度が前記半導体ウエハＷの温度よりも一段または適度に高い温度に維持されるような温度制御を行うことにより，前記半導体ウエハＷ上で，エッジ部のエッチングレートを相対的に抑制して，エッチング特性の面内均一性を向上」させると認められる。 したがって，「前記サセプタ１２の温度から独立して前記フォーカスリング３６の温度を高周波加熱よって上げるフォーカスリング発熱動作，及び，前記フォーカスリング３６の発熱と前記サセプタ１２側からの冷却とをバランスさせて前記フォーカスリング３６の温度を最適制御する」ことにより，「前記フォーカスリング３６の温度が前記半導体ウエハＷの温度よりも一段または適度に高い温度に維持されるような温度制御」を行い「前記半導体ウエハＷ上」で「エッチング特性の面内均一性を向上」させている引用発明１の「制御部６６」は，本願発明１の「前記基板をエッチングした際の面内均一性を高めるように，前記フォーカスリングを前記ヒータによる加熱と前記温調ガス供給部からの冷媒の供給による冷却とを制御することにより，前記フォーカスリングの温度を制御して，前記基板をエッチングする制御部」に相当する。 そして，引用発明１の「プラズマ処理装置」は，以下の相違点を除き，本願発明１の「基板処理システム」に相当する。 以上から，本願発明１と引用発明１とは，以下の点で一致するとともに，以下の点で相違する。 ＜一致点＞ 「処理容器と， 該処理容器内で基板上をエッチングするためのプラズマを生成するプラズマ生成手段と， 前記基板を載置する載置台と， 前記基板の周辺に配置するフォーカスリングと， 前記載置台に配置し，前記基板及びフォーカスリングを静電吸着する静電チャックと， 前記フォーカスリングを加熱するヒータと， 前記フォーカスリングを冷却するために熱伝導性ガスを供給する温調ガス供給部と， 前記処理容器内に処理ガスを供給するガス供給部と， 前記処理容器内を所定の真空度に減圧する排気手段と， 前記基板をエッチングした際の面内均一性を高めるように，前記フォーカスリングを前記ヒータによる加熱と前記温調ガス供給部からの冷媒の供給による冷却とを制御することにより，前記フォーカスリングの温度を制御して，前記基板をエッチングする制御部と， を備えることを特徴とする基板処理システム。」 ＜相違点＞ 本願発明１は「エッチングによるパターンの形状又は寸法を測定する測定手段」を備え，「測定した前記パターンの形状又は寸法に基づいて，前記フォーカスリングの温度を制御する」のに対して，引用発明１は，そのような構成を備えていない点。 イ　本願発明１についての判断 （ア）第４の１（１）ア～ウで指摘したように，引用例２には，エッチング処理の間，ウェーハ４０４のエッチングの深さ等の臨界寸法（ＣＤ）を測定し，この測定した情報に基づいてウェーハの温度プロファイルにリアルタイムで変換することは記載されているものの，測定した臨界寸法（ＣＤ）に基づいてフォーカスリングの温度を制御することは，記載も示唆もされていない。 （イ）これに対して，引用発明１は「前記フォーカスリング３６の温度が前記半導体ウエハＷの温度よりも一段または適度に高い温度に維持されるような温度制御を行う」ことにより「エッチング特性の面内均一性を向上させる」ものであり，引用発明１には，前記（ア）の，エッチング処理の間に測定したウェーハ４０４のエッチングの深さ等の臨界寸法（ＣＤ）に基づいてウェーハの温度プロファイルにリアルタイムで変換するという，引用例２に記載の技術事項を適用する動機付けがあるとは認められない。 そして，仮に，引用発明１に引用例２に記載の技術事項を組み合わせることを想起したとしても，測定した臨界寸法（ＣＤ）に基づいてフォーカスリングの温度を制御することが，引用例２には記載も示唆もされていないのであるから，このとき，当業者といえども，相違点に係る「エッチングによるパターンの形状又は寸法を測定する測定手段」を「備え」て，「測定した前記パターンの形状又は寸法に基づいて，前記フォーカスリングの温度を制御する」という構成を想到できるとは認められない。 （ウ）一方，本願明細書の段落【００９６】に記載されるように，「測定結果」から「フォーカスリング２４の温度がパターンの面内均一性に関係する」という知見を見出し，これに基づいて，本願発明１は，前記相違点に係る「エッチングによるパターンの形状又は寸法を測定する測定手段」を「備え」て，「測定した前記パターンの形状又は寸法に基づいて，前記フォーカスリングの温度を制御する」という構成を採用したものである。 そして，上記の構成を備えることで，本願発明１は，「パターンの面内均一性を高めることができ，フォーカスリング２４の寿命を更に伸ばすことができる。」という，本願明細書の段落【０１００】に記載された作用効果を奏するものである。 （エ）したがって，本願発明１は，当業者であっても，引用発明１及び引用文献２に記載された技術的事項に基づいて容易に発明できたものとはいえない。 （２）本願発明２について 本願発明２は，本願発明１を引用する発明であり，本願発明１をさらに限定した発明である。 したがって，本願発明２は，本願発明１と同じ理由により，当業者であっても，引用発明１及び引用文献２に記載された技術的事項に基づいて容易に発明できたものとはいえない。 （３）本願発明３について ア　本願発明３と引用発明１との対比 本願発明３と引用発明１とを対比すると，以下の点で一致するとともに，以下の点で相違する。 ＜一致点＞ 「処理容器と， 該処理容器内で基板上をエッチングするためのプラズマを生成するプラズマ生成手段と， 前記基板を載置する載置台と， 前記基板の周辺に配置するフォーカスリングと， 前記載置台に配置し，前記基板及びフォーカスリングを静電吸着する静電チャックと， 前記フォーカスリングを加熱するヒータと， 前記フォーカスリングを冷却するために熱伝導性ガスを供給する温調ガス供給部と， 前記処理容器内に処理ガスを供給するガス供給部と， 前記処理容器内を所定の真空度に減圧する排気手段と， 前記基板をエッチングした際の面内均一性を高めるように，前記フォーカスリングの温度を設定する工程と，前記フォーカスリングをヒータにより加熱する工程と，前記フォーカスリングの下面にＨｅガスを供給して冷却する工程とを行い前記フォーカスリングの温度を制御する制御部と， を備えることを特徴とする基板処理システム。」 ＜相違点＞ <<相違点１>> 本願発明３の「制御部」は「前記基板をエッチングした際の面内均一性を高めるように」，前記フォーカスリングをヒータにより加熱する工程と，前記フォーカスリングの下面にＨｅガスを供給して冷却する工程に加えて，「前記載置台に前記フォーカスリングを静電吸着する工程」と「前記フォーカスリングの温度を設定する工程」とを行うのに対して，引用発明１の「制御部６６」は「前記サセプタ１２の温度から独立して前記フォーカスリング３６の温度を高周波加熱よって上げるフォーカスリング発熱動作，及び，前記フォーカスリング３６の発熱と前記サセプタ１２側からの冷却とをバランスさせて前記フォーカスリング３６の温度を最適制御する」ことに基づいて「エッチング特性の面内均一性を向上させる」点。 <<相違点２>> 本願発明３は「エッチングによるパターンの形状又は寸法を測定する測定手段」を備え，「測定した前記パターンの形状又は寸法に基づいて，前記フォーカスリングの温度を制御する」のに対して，引用発明１は，そのような構成を備えていない点。 イ　本願発明３についての判断 （ア）相違点２について検討する。 （イ）第４の１（１）ア～ウで指摘したように，引用例２には，エッチング処理の間，ウェーハ４０４のエッチングの深さ等の臨界寸法（ＣＤ）を測定し，この測定した情報に基づいてウェーハの温度プロファイルにリアルタイムで変換することは記載されているものの，測定した臨界寸法（ＣＤ）に基づいてフォーカスリングの温度を制御することは，記載も示唆もされていない。 （ウ）これに対して，引用発明１は「前記フォーカスリング３６の温度が前記半導体ウエハＷの温度よりも一段または適度に高い温度に維持されるような温度制御を行う」ことにより「エッチング特性の面内均一性を向上させる」ものであり，引用発明１には，前記（ア）の，エッチング処理の間に測定したウェーハ４０４のエッチングの深さ等の臨界寸法（ＣＤ）に基づいてウェーハの温度プロファイルにリアルタイムで変換するという，引用例２に記載の技術事項を適用する動機付けがあるとは認められない。 そして，仮に，引用発明１に引用例２に記載の技術事項を組み合わせることを想起したとしても，測定した臨界寸法（ＣＤ）に基づいてフォーカスリングの温度を制御することが，引用例２には記載も示唆もされていないのであるから，このとき，当業者といえども，相違点２に係る「エッチングによるパターンの形状又は寸法を測定する測定手段」を「備え」て，「測定した前記パターンの形状又は寸法に基づいて，前記フォーカスリングの温度を制御する」という構成を想到できるとは認められない。 （エ）一方，本願明細書の段落【００９６】に記載されるように，「測定結果」から「フォーカスリング２４の温度がパターンの面内均一性に関係する」という知見を見出し，これに基づいて，本願発明３は，前記相違点２に係る「エッチングによるパターンの形状又は寸法を測定する測定手段」を「備え」て，「測定した前記パターンの形状又は寸法に基づいて，前記フォーカスリングの温度を制御する」という構成を採用したものである。 そして，上記の構成を備えることで，本願発明３は，「パターンの面内均一性を高めることができ，フォーカスリング２４の寿命を更に伸ばすことができる。」という，本願明細書の段落【０１００】に記載された作用効果を奏するものである。 （オ）したがって，相違点１について検討するまでもなく，本願発明３は，当業者であっても，引用発明１及び引用文献２に記載された技術的事項に基づいて容易に発明できたものとはいえない。 （４）本願発明４について 本願発明４は，本願発明３を引用する発明であり，本願発明３をさらに限定した発明である。 したがって，本願発明４は，本願発明３と同じ理由により，当業者であっても，引用発明１及び引用文献２に記載された技術的事項に基づいて容易に発明できたものとはいえない。 （５）本願発明５について ア　本願発明５と引用発明２との対比 本願発明５と引用発明２とを対比する。 引用発明２の「前記サセプタ１２のウエハ載置部の外側に延在する環状周辺部上に取り付けられたフォーカスリング３６を，周辺静電チャック４６上に静電吸着力で保持する工程」は，本願発明５の「前記載置台に前記フォーカスリングを静電吸着する工程」に相当する。 引用発明２の「フォーカスリング加熱用負荷９２を高周波加熱によって発熱することで，前記フォーカスリング３６の温度をサセプタ温度から独立して任意に上げる工程」は，本願発明５の「前記フォーカスリングをヒータにより加熱する工程」に相当する。 引用発明２の「伝熱ガス供給部５３からの伝熱ガスたとえばＨｅガスを，周辺静電チャック４６とフォーカスリング３６との接触界面に供給してフォーカスリング３６を冷却する工程」は，本願発明５の「前記フォーカスリングの下面にＨｅガスを供給して冷却する工程」に相当する。 引用発明２の「前記サセプタ１２の温度から独立して前記フォーカスリング３６の温度を高周波加熱よって上げるフォーカスリング発熱動作，及び，前記フォーカスリング３６の発熱と前記サセプタ１２側からの冷却とをバランスさせて，前記フォーカスリング３６の温度を最適制御して，レジストパターン１００をエッチングマスクにしてＢＡＲＣ１０２およびＳiＮ膜１０４を順次エッチングするマスク処理時間を通じて，前記フォーカスリング３６の温度が前記半導体ウエハＷの温度よりも一段または適度に高い温度に維持されるような温度制御を行うことにより，前記半導体ウエハＷ上で，エッジ部のエッチングレートを相対的に抑制して，エッチング特性の面内均一性を向上させること」は，本願発明５の「前記基板をエッチングした際の面内均一性を高めるように，前記ヒータによる加熱とＨｅガスの供給による冷却とを制御することにより，前記フォーカスリングの温度を制御すること」に相当する。 そして，引用発明２は，「チャンバ１０内に搬入し，サセプタ１２の上面のウエハ載置部に載置され」て「主静電チャック３８により静電吸着」された「半導体ウエハＷ」上の「ＳiＮ膜１０４を順次エッチングする」際に，「前記フォーカスリング３６の温度が前記半導体ウエハＷの温度よりも一段または適度に高い温度に維持されるような温度制御を行う」ことにより「前記半導体ウエハＷ上」で「エッチング特性の面内均一性を向上させる」方法である。したがって，引用発明２の「プラズマ処理方法」は，以下の相違点を除き，本願発明５の「載置台上に静電吸着された基板上の膜をエッチングした際に，面内均一性を高めるために該基板の周囲に配置されるフォーカスリングの温度制御方法」に相当する。 以上から，本願発明５と引用発明２とは，以下の点で一致するとともに，以下の点で相違する。 ＜一致点＞ 「載置台上に静電吸着された基板上の膜をエッチングした際に，面内均一性を高めるために該基板の周囲に配置されるフォーカスリングの温度制御方法において， 前記載置台に前記フォーカスリングを静電吸着する工程と， 前記フォーカスリングをヒータにより加熱する工程と， 前記フォーカスリングの下面にＨｅガスを供給して冷却する工程と を有し， 前記基板をエッチングした際の面内均一性を高めるように，前記ヒータによる加熱とＨｅガスの供給による冷却とを制御することにより，前記フォーカスリングの温度を制御する ことを特徴とするフォーカスリングの温度制御方法。」 ＜相違点＞ <<相違点１>> 本願発明５は「前記フォーカスリングの温度を設定する工程」を有するのに対して，引用発明２は，そのような工程を有していない点。 <<相違点２>> 本願発明５は「エッチングによるパターンの形状又は寸法を測定する工程を更に有し」，「測定した前記パターンの形状又は寸法に基づいて，前記フォーカスリングの温度を制御する」のに対して，引用発明２は，そのような構成を備えていない点。 イ　本願発明５についての判断 （ア）相違点２について検討する。 （イ）第４の１（１）ア～ウで指摘したように，引用例２には，エッチング処理の間，ウェーハ４０４のエッチングの深さ等の臨界寸法（ＣＤ）を測定し，この測定した情報に基づいてウェーハの温度プロファイルにリアルタイムで変換することは記載されているものの，測定した臨界寸法（ＣＤ）に基づいてフォーカスリングの温度を制御することは，記載も示唆もされていない。 （ウ）これに対して，引用発明２は「前記フォーカスリング３６の温度が前記半導体ウエハＷの温度よりも一段または適度に高い温度に維持されるような温度制御を行う」ことにより「エッチング特性の面内均一性を向上させる」ものであり，引用発明２には，前記（ア）の，エッチング処理の間に測定したウェーハ４０４のエッチングの深さ等の臨界寸法（ＣＤ）に基づいてウェーハの温度プロファイルにリアルタイムで変換するという，引用例２に記載の技術事項を適用する動機付けがあるとは認められない。 そして，仮に，引用発明２に引用例２に記載の技術事項を組み合わせることを想起したとしても，測定した臨界寸法（ＣＤ）に基づいてフォーカスリングの温度を制御することが，引用例２には記載も示唆もされていないのであるから，このとき，当業者といえども，相違点２に係る「エッチングによるパターンの形状又は寸法を測定する工程を更に有し」，「測定した前記パターンの形状又は寸法に基づいて，前記フォーカスリングの温度を制御する」という構成を想到できるとは認められない。 （エ）一方，本願明細書の段落【００９６】に記載されるように，「測定結果」から「フォーカスリング２４の温度がパターンの面内均一性に関係する」という知見を見出し，これに基づいて，本願発明５は，前記相違点２に係る「エッチングによるパターンの形状又は寸法を測定する工程を更に有し」，「測定した前記パターンの形状又は寸法に基づいて，前記フォーカスリングの温度を制御する」という構成を採用したものである。 そして，上記の構成を備えることで，本願発明５は，「パターンの面内均一性を高めることができ，フォーカスリング２４の寿命を更に伸ばすことができる。」という，本願明細書の段落【０１００】に記載された作用効果を奏するものである。 （オ）したがって，相違点１について検討するまでもなく，本願発明５は，当業者であっても，引用発明２及び引用文献２に記載された技術的事項に基づいて容易に発明できたものとはいえない。 （６）本願発明６及び７について 本願発明６及び７は，本願発明５を引用する発明であり，本願発明５をさらに限定した発明である。 したがって，本願発明６及び７は，本願発明５と同じ理由により，当業者であっても，引用発明２及び引用文献２に記載された技術的事項に基づいて容易に発明できたものとはいえない。 （７）本願発明８について ア　本願発明８と引用発明２との対比 本願発明８と引用発明２とを対比すると，以下の点で一致するとともに，以下の点で相違する。 ＜一致点＞ 「載置台上に静電吸着された基板のエッチング方法において， 前記載置台に前記基板を静電吸着する工程と， 前記基板の周囲に配置されるフォーカスリングを前記載置台に静電吸着する工程と， 前記フォーカスリングをヒータにより加熱する工程と， 前記フォーカスリングの下面にＨｅガスを供給して冷却する工程と， 前記基板上にプラズマを生成する工程と， 前記基板を前記プラズマによりエッチングする工程と を有し， 前記基板をエッチングした際の面内均一性を高めるように，前記ヒータによる加熱とＨｅガスの供給による冷却とを制御することにより，前記フォーカスリングの温度を制御して，前記基板をエッチングすることとする ことを特徴とする基板のエッチング方法。」 ＜相違点＞ <<相違点１>> 本願発明８は「前記フォーカスリングの温度を設定する工程」を有するのに対して，引用発明２は，そのような工程を有していない点。 <<相違点２>> 本願発明８は「エッチングによるパターンの形状又は寸法を測定する工程を更に有し」，「測定した前記パターンの形状又は寸法に基づいて，前記フォーカスリングの温度を制御する」のに対して，引用発明２は，そのような構成を備えていない点。 イ　本願発明８についての判断 （ア）相違点２について検討する。 （イ）第４の１（１）ア～ウで指摘したように，引用例２には，エッチング処理の間，ウェーハ４０４のエッチングの深さ等の臨界寸法（ＣＤ）を測定し，この測定した情報に基づいてウェーハの温度プロファイルにリアルタイムで変換することは記載されているものの，測定した臨界寸法（ＣＤ）に基づいてフォーカスリングの温度を制御することは，記載も示唆もされていない。 （ウ）これに対して，引用発明２は「前記フォーカスリング３６の温度が前記半導体ウエハＷの温度よりも一段または適度に高い温度に維持されるような温度制御を行う」ことにより「エッチング特性の面内均一性を向上させる」ものであり，引用発明２には，前記（ア）の，エッチング処理の間に測定したウェーハ４０４のエッチングの深さ等の臨界寸法（ＣＤ）に基づいてウェーハの温度プロファイルにリアルタイムで変換するという，引用例２に記載の技術事項を適用する動機付けがあるとは認められない。 そして，仮に，引用発明２に引用例２に記載の技術事項を組み合わせることを想起したとしても，測定した臨界寸法（ＣＤ）に基づいてフォーカスリングの温度を制御することが，引用例２には記載も示唆もされていないのであるから，このとき，当業者といえども，相違点２に係る「エッチングによるパターンの形状又は寸法を測定する工程を更に有し」，「測定した前記パターンの形状又は寸法に基づいて，前記フォーカスリングの温度を制御する」という構成を想到できるとは認められない。 （エ）一方，本願明細書の段落【００９６】に記載されるように，「測定結果」から「フォーカスリング２４の温度がパターンの面内均一性に関係する」という知見を見出し，これに基づいて，本願発明８は，前記相違点２に係る「エッチングによるパターンの形状又は寸法を測定する工程を更に有し」，「測定した前記パターンの形状又は寸法に基づいて，前記フォーカスリングの温度を制御する」という構成を採用したものである。 そして，上記の構成を備えることで，本願発明８は，「パターンの面内均一性を高めることができ，フォーカスリング２４の寿命を更に伸ばすことができる。」という，本願明細書の段落【０１００】に記載された作用効果を奏するものである。 （オ）したがって，相違点１について検討するまでもなく，本願発明８は，当業者であっても，引用発明２及び引用文献２に記載された技術的事項に基づいて容易に発明できたものとはいえない。 （６）本願発明９及び１０について 本願発明９及び１０は，本願発明８を引用する発明であり，本願発明８をさらに限定した発明である。 したがって，本願発明９及び１０は，本願発明８と同じ理由により，当業者であっても，引用発明２及び引用文献２に記載された技術的事項に基づいて容易に発明できたものとはいえない。 第５　むすび 以上のとおり，本願発明１～１０は，当業者が引用発明１ないし引用発明２，及び，引用例２に記載された技術的事項に基づいて容易に発明をすることができたものではない。　したがって，原査定の理由によっては，本願を拒絶することはできない。 また，他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。 よって，結論のとおり審決する。