2016-017602

特願２０１２－　２７４９５「研磨用組成物、及び半導体基板の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年　８月２２日出願公開、特開２０１３－１６５１７３、請求項の数（５）〕について、次のとおり審決する。

【結　論】 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。

【理　由】 第１　手続の経緯 本願は、平成２４年２月１０日の出願であって、その手続の経緯は以下のとおりである。 平成２８年　３月　４日付け：拒絶理由通知書 平成２８年　４月１８日　　：意見書、手続補正書の提出 平成２８年　９月　１日付け：拒絶査定 平成２８年１１月２５日　　：審判請求書、手続補正書の提出 平成２９年　３月２４日　　：上申書の提出 第２　原査定の概要 原査定（平成２８年９月１日付け拒絶査定）の概要は次のとおりである。 本願請求項１－５に係る発明は、以下の引用文献１に基づいて、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下、「当業者」という。）が容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 引用文献一覧 １．特開２００８－５３４１５号公報 第３　審判請求時の補正について（下線は、当審において付与した。以下同じ。） 審判請求時の補正は、特許法第１７条の２第３項から第６項までの要件に違反しているものとはいえない。 審判請求時の補正によって請求項１を「Ｂ／Ａの値が１以上かつ４４７以下であるとともに、Ｃ／Ａの値が５０００以上かつ１０９０００以下であること」とする補正は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるか、また、「Ｂ／Ａの値が１以上かつ４４７以下であるとともに、Ｃ／Ａの値が５０００以上かつ１０９０００以下であること」という事項は、当初明細書【表１】に記載されているから、当該補正は新規事項を追加するものではないかについて検討すると、当該補正は補正前の請求項１の「Ｂ／Ａの値が１以上かつ７０００未満であるとともに、Ｃ／Ａの値が５０００以上かつ１５０００００未満であること」を、より範囲の狭い「Ｂ／Ａの値が１以上かつ４４７以下であるとともに、Ｃ／Ａの値が５０００以上かつ１０９０００以下であること」とする補正であるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。また、当初明細書【表１】の「実施例Ａ３」の欄に「Ｂ／Ａ」および「Ｃ／Ａ」として「４４７」および「１０９０００」が記載されているから、「Ｂ／Ａの値が１以上かつ４４７以下であるとともに、Ｃ／Ａの値が５０００以上かつ１０９０００以下であること」という事項は、当初明細書に記載された事項であり、新規事項を追加するものではないといえる。 そして、「第４　本願発明」から「第６　対比・判断」までに示すように、補正後の請求項１－５に係る発明は、独立特許要件を満たすものである。 第４　本願発明 本願請求項１－５に係る発明（以下、それぞれ「本願発明１」－「本願発明５」という。）は、平成２８年１１月２５日付けの手続補正書で補正された特許請求の範囲の請求項１－５に記載された事項により特定される発明であり、以下のとおりの発明である。 「【請求項１】 半導体基板の両面を研磨する用途に用いられる研磨用組成物であって、 二酸化ケイ素、含窒素水溶性高分子、及び塩基性化合物を含有し、 前記二酸化ケイ素は、ＢＥＴ法で測定される比表面積から求められる平均一次粒子径が４０ｎｍ以上であり、 研磨用組成物１リットル中の二酸化ケイ素の個数をＡとし、 含窒素水溶性高分子の単量体単位数をＢとし、 塩基性化合物の分子数をＣとしたとき、 Ｂ／Ａの値が１以上かつ４４７以下であるとともに、Ｃ／Ａの値が５０００以上かつ１０９０００以下であることを特徴とする研磨用組成物。 【請求項２】 前記含窒素水溶性高分子の重量平均分子量が１５０００００未満である請求項１に記載の研磨用組成物。 【請求項３】 前記二酸化ケイ素の真比重が１．７以上である請求項１又は請求項２に記載の研磨用組成物。 【請求項４】 前記塩基性化合物としてカリウム化合物及び第四級アンモニウム化合物を含む請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の研磨用組成物。 【請求項５】 請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の研磨用組成物を用いて研磨対象物としての半導体基板を研磨する研磨工程を含むことを特徴とする半導体基板の製造方法。」 第５　引用文献、引用発明等 １　引用文献１について 原査定の拒絶の理由に引用された上記引用文献１には図面とともに次の事項が記載されている。 「【０００１】 本発明は、半導体ウエハを研磨する用途で主に使用される研磨用組成物及びその研磨用組成物を用いた研磨方法に関する。 【背景技術】 【０００２】 従来、シリコンウエハ等の半導体ウエハの研磨は予備研磨と仕上げ研磨の少なくとも二段階に分けて行われる。そのうち予備研磨は、更なる高品位化及び効率化を目的としてさらに二段階以上に分けて行われることがある。仕上げ研磨で使用可能な研磨用組成物として、例えば特許文献１に記載の研磨用組成物が知られている。特許文献１の研磨用組成物は、水、コロイダルシリカ、ポリアクリルアミドやシゾフィランのような水溶性高分子、及び塩化カリウムのような水溶性塩類を含有している。 【０００３】 ところで近年、半導体デバイスのデザインルールが細線化するに従って、研磨用組成物を用いて研磨した後のウエハ表面で観察される欠陥の一種であるＬＰＤ（light point defects）について、半導体デバイスの性能に影響するとして、これまで問題とされていなかった小さいサイズのものまで低減が要求されている。具体的には、これまで問題とされていたＬＰＤは０．１２μｍ以上の大きさのものであり、これはウエハ表面に付着したパーティクルが主な原因であるため、洗浄技術の向上によってかなりの低減がなされている。ところが、それよりもサイズの小さいＬＰＤ（＞０．０６５μｍ）は主に予備研磨時にウエハ表面に生じる傷によるもの、つまり研磨加工に起因するものであり、これは仕上げ研磨や洗浄によっては除去できない虞がある。この点、特許文献１の研磨用組成物を用いて仕上げ研磨を行った場合であっても、研磨加工に起因するＬＰＤの数が従来に比べて低減されることはない。 【特許文献１】特開平０２－１５８６８４号公報 【発明の開示】 【発明が解決しようとする課題】 【０００４】 本発明の目的は、研磨用組成物を用いて研磨した後の研磨対象物表面における研磨加工に起因するＬＰＤの数を低減することが可能な研磨用組成物及びその研磨用組成物を用いた研磨方法を提供することにある。」 「【０００９】 以下、本発明の一実施形態を説明する。 本実施形態の研磨用組成物は、所定量の水溶性高分子とアルカリと砥粒を水と混合することにより製造される。従って、本実施形態の研磨用組成物は、水溶性高分子、アルカリ、砥粒及び水からなる。この研磨用組成物は、シリコンウエハ等の半導体ウエハを研磨する用途で使用されるものであり、特にウエハの予備研磨、予備研磨が二段階以上に分けて行われる場合には最終段階の予備研磨で使用されるものである。 【００１０】 本実施形態の研磨用組成物に含まれる水溶性高分子は、ポリビニルピロリドン及びポリＮ－ビニルホルムアミドから選ばれる少なくとも一種類である。これらの水溶性高分子は、ウエハ表面に親水膜を形成する作用を有している。この親水膜は、砥粒をはじめとする粗大粒子からウエハに与えられるウエハ表面に対して垂直方向の力を水平方向に分散する働きをし、その結果、研磨時のウエハ表面における欠陥の発生が抑制され、研磨加工に起因するＬＰＤの数が低減するものと推測される。 【００１１】 研磨用組成物に含まれる水溶性高分子がポリビニルピロリドンである場合には、ポリＮ－ビニルホルムアミドである場合に比べて、研磨加工に起因するＬＰＤの数を低減することができる。従って、研磨用組成物に含まれる水溶性高分子はポリビニルピロリドンであることが好ましい。 【００１２】 研磨用組成物中の水溶性高分子の含有量は、０．０００３ｇ／Ｌ以上であることが好ましく、より好ましくは０．００１ｇ／Ｌ以上、さらに好ましくは０．００３ｇ／Ｌ以上、最も好ましくは０．００５ｇ／Ｌ以上である。水溶性高分子の含有量が多くなるにつれて、欠陥の発生を抑制するのに十分な親水膜がウエハ表面に形成されやすくなるために、研磨加工に起因するＬＰＤの数はより大きく低減する。この点において、研磨用組成物中の水溶性高分子の含有量が０．０００３ｇ／Ｌ以上、さらに言えば０．００１ｇ／Ｌ以上、もっと言えば０．００３ｇ／Ｌ以上、さらにもっと言えば０．００５ｇ／Ｌ以上であれば、研磨加工に起因するＬＰＤの数を大きく低減することができる。 【００１３】 研磨用組成物中の水溶性高分子の含有量はまた、０．１ｇ／Ｌ以下であることが好ましく、より好ましくは０．０２ｇ／Ｌ以下、さらに好ましくは０．０１５ｇ／Ｌ以下、最も好ましくは０．０１ｇ／Ｌ以下である。水溶性高分子による親水膜は研磨用組成物によるウエハの研磨速度（除去速度）の低下を招く。そのため、研磨用組成物中の水溶性高分子の含有量が少なくなるにつれて、親水膜による研磨速度の低下はより強く抑制される。この点において、研磨用組成物中の水溶性高分子の含有量が０．１ｇ／Ｌ以下、さらに言えば０．０２ｇ／Ｌ以下、もっと言えば０．０１５ｇ／Ｌ以下、さらにもっと言えば０．０１ｇ／Ｌ以下であれば、親水膜による研磨速度の低下を強く抑制することができる。 【００１４】 研磨用組成物に含まれる水溶性高分子の重量平均分子量は６，０００以上であることが好ましい。水溶性高分子の重量平均分子量が大きくなるにつれて、欠陥の発生を抑制するのに十分な親水膜がウエハ表面に形成されやすくなるために、研磨加工に起因するＬＰＤの数はより大きく低減する。この点において、研磨用組成物中の水溶性高分子の重量平均分子量が６，０００以上であれば、研磨加工に起因するＬＰＤの数を大きく低減することができる。 【００１５】 研磨用組成物に含まれる水溶性高分子の重量平均分子量はまた、４，０００，０００以下であることが好ましく、より好ましくは３，０００，０００以下である。水溶性高分子の重量平均分子量が小さくなるにつれて、親水膜によるウエハの研磨速度の低下はより強く抑制される。この点において、研磨用組成物中の水溶性高分子の重量平均分子量が４，０００，０００以下、さらに言えば３，０００，０００以下であれば、親水膜による研磨速度の低下を強く抑制することができる。 【００１６】 本実施形態の研磨用組成物に含まれるアルカリは、例えば、アルカリ金属水酸化物、アンモニア、アミン、第４級アンモニウム塩のいずれであってもよい。これらのアルカリは、ウエハを化学的に研磨する作用を有し、研磨用組成物によるウエハの研磨速度を向上させる働きをする。 【００１７】 研磨用組成物に含まれるアルカリがアルカリ金属水酸化物又は第４級アンモニウム塩である場合には、その他のアルカリを用いた場合に比べて、研磨用組成物によるウエハの研磨速度が大きく向上するとともに、研磨後のウエハの表面粗さの増大が抑制される。従って、研磨用組成物に含まれるアルカリは、アルカリ金属水酸化物又は第４級アンモニウム塩であることが好ましい。 【００１８】 研磨用組成物中のアルカリの含有量は、０．１ｇ／Ｌ以上であることが好ましく、より好ましくは０．２５ｇ／Ｌ以上、さらに好ましくは０．５ｇ／Ｌ以上である。アルカリの含有量が多くなるにつれて、研磨用組成物によるウエハの研磨速度はより大きく向上する。この点において、研磨用組成物中のアルカリの含有量が０．１ｇ／Ｌ以上、さらに言えば０．２５ｇ／Ｌ以上、もっと言えば０．５ｇ／Ｌ以上であれば、研磨用組成物によるウエハの研磨速度を大きく向上させることができる。 【００１９】 研磨用組成物中のアルカリの含有量はまた、５ｇ／Ｌ以下であることが好ましく、より好ましくは４ｇ／Ｌ以下、さらに好ましくは３ｇ／Ｌ以下である。アルカリは、研磨後のウエハの表面粗さの増大を招く虞がある。そのため、研磨用組成物中のアルカリの含有量が少なくなるにつれて、研磨後のウエハの表面粗さの増大はより強く抑制される。この点において、研磨用組成物中のアルカリの含有量が５ｇ／Ｌ以下、さらに言えば４ｇ／Ｌ以下、もっと言えば３ｇ／Ｌ以下であれば、研磨後のウエハの表面粗さの増大を強く抑制することができる。 【００２０】 本実施形態の研磨用組成物に含まれる砥粒は、例えば、コロイダルシリカ及びフュームドシリカのいずれであってもよい。これらの砥粒は、ウエハを機械的に研磨する作用を有し、研磨用組成物によるウエハの研磨速度を向上させる働きをする。 【００２１】 研磨用組成物に含まれる砥粒がコロイダルシリカである場合には、その他の砥粒を用いた場合に比べて、研磨用組成物の安定性が向上し、その結果、研磨後のウエハの表面のスクラッチが低減する。従って、研磨用組成物に含まれる砥粒はコロイダルシリカであることが好ましい。 【００２２】 研磨用組成物中の砥粒の含有量は、１ｇ／Ｌ以上であることが好ましく、より好ましくは３ｇ／Ｌ以上、さらに好ましくは５ｇ／Ｌ以上である。砥粒の含有量が多くなるにつれて、研磨用組成物によるウエハの研磨速度はより大きく向上する。この点において、研磨用組成物中の砥粒の含有量が１ｇ／Ｌ以上、さらに言えば３ｇ／Ｌ以上、もっと言えば５ｇ／Ｌ以上であれば、研磨速度を大きく向上させることができる。 【００２３】 研磨用組成物中の砥粒の含有量はまた、４５ｇ／Ｌ以下であることが好ましく、より好ましくは３５ｇ／Ｌ以下、さらに好ましくは２５ｇ／Ｌ以下である。砥粒の含有量が少なくなるにつれて、研磨用組成物のコロイド安定性はより大きく向上する。この点において、研磨用組成物中の砥粒の含有量が４５ｇ／Ｌ以下、さらに言えば３５ｇ／Ｌ以下、もっと言えば２５ｇ／Ｌ以下であれば、研磨用組成物のコロイド安定性を大きく向上させることができる。 【００２４】 研磨用組成物に含まれる砥粒の平均一次粒子径は、５ｎｍ以上であることが好ましく、より好ましくは１０ｎｍ以上、さらに好ましくは１５ｎｍ以上である。砥粒の平均一次粒子径が大きくなるにつれて、ウエハを機械的に研磨する砥粒の作用がより強まるため、研磨用組成物によるウエハの研磨速度はより大きく向上する。この点において、砥粒の平均一次粒子径が５ｎｍ以上、さらに言えば１０ｎｍ以上、もっと言えば１５ｎｍ以上であれば、研磨用組成物によるウエハの研磨速度を大きく向上させることができる。 【００２５】 研磨用組成物に含まれる砥粒の平均一次粒子径はまた、２００ｎｍ以下であることが好ましく、より好ましくは１５０ｎｍ以下、さらに好ましくは１００ｎｍ以下である。平均一次粒子径の大きい砥粒は、研磨後のウエハ表面のスクラッチの増加を招く虞がある。そのため、砥粒の平均一次粒子径が小さくなるにつれて、研磨後のウエハ表面のスクラッチの増加はより強く抑制される。この点において、砥粒の平均一次粒子径が２００ｎｍ以下、さらに言えば１５０ｎｍ以下、もっと言えば１００ｎｍ以下であれば、研磨後のウエハ表面のスクラッチの増加をより強く抑制することができる。 【００２６】 本実施形態によれば以下の利点が得られる。 ・　本実施形態の研磨用組成物は、ポリビニルピロリドン及びポリＮ－ビニルホルムアミドから選ばれる少なくとも一種類の水溶性高分子を含有しており、この水溶性高分子によりウエハ表面に形成される親水膜は、研磨加工に起因するＬＰＤの数を低減する働きをする。そのため、本実施形態の研磨用組成物によれば、研磨用組成物を用いて研磨した後のウエハ表面における研磨加工に起因するＬＰＤの数を低減することができる。」 したがって、上記引用文献１には次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。 「半導体ウエハを研磨する用途で使用されるＬＰＤの数を低減する研磨用組成物であって、 水溶性高分子、アルカリ、砥粒及び水からなり、 水溶性高分子は、ポリビニルピロリドン及びポリＮ－ビニルホルムアミドから選ばれる少なくとも一種類であり、 研磨用組成物中の水溶性高分子の含有量は、０．０００３ｇ／Ｌ以上、０．１ｇ／Ｌ以下、重量平均分子量は６，０００以上、４，０００，０００以下であることが好ましく、 アルカリは、アルカリ金属水酸化物、アンモニア、アミン、第４級アンモニウム塩のいずれであり、 研磨用組成物中のアルカリの含有量は、０．１ｇ／Ｌ以上、５ｇ／Ｌ以下であることが好ましく、 砥粒は、コロイダルシリカ及びフュームドシリカのいずれであり、 研磨用組成物中の砥粒の含有量は、１ｇ／Ｌ以上、４５ｇ／Ｌ以下、砥粒の平均一次粒子径は、５ｎｍ以上、２００ｎｍ以下であることが好ましい、 ことを特徴とする研磨用組成物。」 ２　引用文献２について 本願出願前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった国際公開第２０１１／１３５９４９号（以下、「引用文献２」という。）には図面とともに次の事項が記載されている。 「[0009]　また、近年、シリコンウェーハの表面側だけでなく裏面側も鏡面研磨したシリコンウェーハの提供が求められ、粗研磨工程において、遊離砥粒を含む研磨液を用いて、ウェーハ表裏面を同時に研磨する両面研磨が実施されるようになってきた。 両面研磨装置としては、近年、キャリアプレート内にシリコンウェーハを収容した状態で、研磨布を貼張した上定盤および下定盤によりキャリアプレートを挟み込み、この状態でシリコンウェーハの表裏面を同時に研磨する両面研磨が採用されつつある。 このようなキャリアプレートを用いた両面研磨装置を使用した場合、シリコンウェーハの厚みをキャリアプレートの厚みと同等あるいはそれ以下の厚みとなるまでシリコンウェーハの表裏面を研磨すれば、キャリアプレートによって、研磨布によるウェーハ外周部の研磨そのものが抑制されるため、ロールオフの低減を図ることができる。 しかしながら、キャリアプレートそのものも研磨してしまうため、キャリアプレートの交換頻度が増加し、生産コストの上昇を招く問題が懸念される。」 ３　引用文献３について 本願出願前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった国際公開第２０１２／００５２８９号（以下、「引用文献３」という。）には図面とともに次の事項が記載されている。 「[0048]　以下、この発明の実施例を具体的に説明する。ここでは、表面と裏面とが研磨された両面研磨シリコンウェーハの製造方法およびその研磨液について説明する。 実施例１ [0049]　この発明の実施例１に係るシリコンウェーハの研磨方法およびその研磨液を説明する。この実施例１では、粗研磨工程である１次研磨後に仕上げ研磨を行う構成とし、１次研磨工程では、１次研磨布と、遊離砥粒および水溶性高分子を含有した研磨液とを用いて粗研磨を行い、仕上げ研磨工程では、シリコンウェーハの平坦化を達成するために、仕上げ研磨布と、仕上げ研磨用の遊離砥粒を含有した研磨液とを用いて仕上げ研磨を行った。　表面および裏面が鏡面研磨された両面研磨シリコンウェーハは、以下の各工程を経て作製される。 すなわち、坩堝内でボロンが所定量ドープされたシリコンの溶融液から、チョクラルスキー法により直径３０６ｍｍ、直胴部の長さが２５００ｍｍ、比抵抗が０．０１Ω・ｃｍ、初期酸素濃度１．０×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の単結晶シリコンインゴットが引き上げられる。 [0050]　次に、１本の単結晶シリコンインゴットが、複数の結晶ブロックに切断された後、各結晶ブロックの外周研削が行われる。次いで、三角配置された３本のグルーブローラにワイヤによりシリコン単結晶から、直径３００ｍｍ、厚さ７７５μｍの多数枚のシリコンウェーハがスライスされる。 その後、回転中の面取り用砥石をシリコンウェーハの外周部に押し付けて面取りし、次に両面ラッピング装置によりシリコンウェーハの両面を同時にラッピングする。次いで、エッチング槽内の酸性エッチング液に、ラッピング後のシリコンウェーハを浸漬してエッチングし、面取りおよびラッピングによるダメージを除去する。その後、シリコンウェーハの表裏面に対して、上述した１次研磨および仕上げ研磨が順次施される。 [0051]　１次研磨工程では、無サンギヤ方式の両面研磨装置を用い、１次研磨液を使用してシリコンウェーハの表裏面を同時に１次研磨する。１次研磨液には、コロイダルシリカ中の平均粒径７０ｎｍのシリカ粒子（遊離砥粒）を５重量％と、ヒドロキシエチルセルロース（ＨＥＣ；水溶性高分子）を１０ｐｐｍとが添加されたピペリジン水溶液（ピペリジン；０．０８重量％）を使用した。」 第６　対比・判断 １　本願発明１について （１）対比 本願発明１と引用発明とを対比すると、次のことがいえる。 ア　引用発明の「半導体ウエハを研磨する用途で使用されるＬＰＤの数を低減する研磨用組成物」と、本願発明１の「半導体基板の両面を研磨する用途に用いられる研磨用組成物」は、半導体基板を研磨する用途に用いられる研磨用組成物である点で共通する。 イ　引用発明の「砥粒は、コロイダルシリカ及びフュームドシリカのいずれか」であり、「水溶性高分子は、ポリビニルピロリドン及びポリＮ－ビニルホルムアミドから選ばれる少なくとも一種類」であり、「アルカリは、アルカリ金属水酸化物、アンモニア、アミン、第４級アンモニウム塩のいずれかで」あるから、引用発明の「砥粒」，「水溶性高分子」および「アルカリ」は、それぞれ本願発明１の「二酸化ケイ素」，「含窒素水溶性高分子」および「塩基性化合物」に相当する。 ［一致点］ 「半導体基板を研磨する用途に用いられる研磨用組成物であって、 二酸化ケイ素、含窒素水溶性高分子、及び塩基性化合物を含有する、 ことを特徴とする研磨用組成物。」 ［相違点］ ［相違点１］ 本願発明１は、「半導体基板の両面を研磨する用途に用いられる研磨用組成物」であるのに対して、引用発明の「研磨用組成物」は、半導体基板の両面を研磨する用途に用いられるか不明である点。 ［相違点２］ 本願発明１の「二酸化ケイ素」は、「ＢＥＴ法で測定される比表面積から求められる平均一次粒子径が４０ｎｍ以上」であるのに対して、引用発明は「砥粒の平均一次粒子径は、５ｎｍ以上、２００ｎｍ以下であることが好ましい」とあるものの、その平均一次粒子径がどのようにして求まったものであるのか不明である点。 ［相違点３］ 本願発明１は、「研磨用組成物１リットル中の二酸化ケイ素の個数をＡとし、含窒素水溶性高分子の単量体単位数をＢとし、塩基性化合物の分子数をＣとしたとき、Ｂ／Ａの値が１以上かつ４４７以下であるとともに、Ｃ／Ａの値が５０００以上かつ１０９０００以下である」のに対して、引用発明はそうでない点。 （２）相違点についての判断 上記［相違点３］について検討すると、［相違点３］に係る本願発明１の「研磨用組成物１リットル中の二酸化ケイ素の個数をＡとし、含窒素水溶性高分子の単量体単位数をＢとし、塩基性化合物の分子数をＣとしたとき、Ｂ／Ａの値が１以上かつ４４７以下であるとともに、Ｃ／Ａの値が５０００以上かつ１０９０００以下である」ことは、引用文献１に記載されておらず、また、「本発明の目的は、研磨対象物の端部の形状を維持するとともに、表面粗さ又は段差を低減することが容易であり、かつ高い研磨速度を得ることが容易な研磨用組成物、及び半導体基板の製造方法を提供することにある。」（本願明細書段落【０００６】）点を考慮することも記載されていないので、引用発明において、［相違点３］に係る構成とすることが容易であったとは言えない。 さらに、引用文献２および３には、「研磨用組成物１リットル中の二酸化ケイ素の個数をＡとし、含窒素水溶性高分子の単量体単位数をＢとし、塩基性化合物の分子数をＣとしたとき、Ｂ／Ａの値が１以上かつ４４７以下であるとともに、Ｃ／Ａの値が５０００以上かつ１０９０００以下である」ことは記載されていないから、引用発明に、引用文献２および３の記載を適用し、［相違点３］に係る構成を想起することはできない。 そして、本願発明１は［相違点３］に係る構成を有することにより、「この構成により、半導体基板の端部の形状を維持するとともに、表面粗さ又は段差を低減することが容易であり、かつ高い研磨速度を得ることが容易となる。すなわち、本実施形態の研磨用組成物は、研磨速度が優先される両面研磨であっても、半導体基板の端部の形状を維持することが容易となり、さらに半導体基板の表面粗さ又は段差を低減することが容易となるという優れた効果を発揮する。」（本願明細書段落【００６１】）という格別の効果を有するものである。 そうすると、［相違点３］に係る構成は、引用文献１ないし３に記載された発明に基づいて当業者が容易に想到したものであるとは言えない。 したがって、［相違点１］および［相違点２］について判断するまでもなく、本願発明１は、当業者であっても、引用文献１ないし３に記載された発明に基づいて当業者が容易に想到したものであるとは言えない。 ２　本願発明２ないし５について 本願発明２ないし４は、本願発明１の発明特定事項を全て有する「研磨用組成物」の発明であり、本願発明５は、本願発明１ないし４の「研磨用組成物」を用いて研磨対象物としての半導体基板を研磨する研磨工程を含むことを特徴とする「半導体基板の製造方法」の発明である。 してみれば、本願発明１が引用文献１ないし３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない以上、本願発明２ないし５も、引用文献１ないし３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものとはいえない。 第７　原査定について 上記「第６」で示したように本願発明１ないし４は、「研磨用組成物１リットル中の二酸化ケイ素の個数をＡとし、含窒素水溶性高分子の単量体単位数をＢとし、塩基性化合物の分子数をＣとしたとき、Ｂ／Ａの値が１以上かつ４４７以下であるとともに、Ｃ／Ａの値が５０００以上かつ１０９０００以下である」ことを特徴とする「研磨用組成物」の発明であり、本願発明５は、本願発明１ないし４の「研磨用組成物」を用いて研磨対象物としての半導体基板を研磨する研磨工程を含むことを特徴とする「半導体基板の製造方法」の発明であるから、当業者であっても、引用文献１に記載された発明に基づいて容易に発明できたものとはいえない。 したがって、原査定の理由を維持することはできない。 第８　むすび 以上のとおり、拒絶査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。 また、他に本願を拒絶するべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり審決する。