2016-015178

特願２０１４－１３０４７３「半導体装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２６年１１月　６日出願公開、特開２０１４－２０９６５３、請求項の数（１２）〕について、次のとおり審決する。

【結　論】 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。

【理　由】 第１　手続の経緯 本願は、平成１９年１２月２５日に出願した特願２００７－３３２６８２号（以下「原出願」という。）の一部を平成２６年６月２５日に新たな特許出願としたものであって、その手続の経緯は以下のとおりである。 平成２６年　７月　４日　審査請求 平成２６年　７月１４日　上申書・手続補正書 平成２７年　９月２８日　拒絶理由通知 平成２７年１２月　７日　意見書・手続補正書 平成２８年　６月２９日　拒絶査定 平成２８年１０月　７日　審判請求 平成２９年　４月１３日　拒絶理由通知（当審） 平成２９年　６月１６日　意見書・手続補正書 第２　本願発明 本願の請求項１ないし１２に係る発明（以下、それぞれ「本願発明１」ないし「本願発明１２」という。）は、平成２９年６月１６日付け手続補正書による補正後の特許請求の範囲の請求項１ないし１２に記載される事項により特定される、次のとおりのものと認める。 「【請求項１】 表面、前記表面の反対側に位置する裏面、ならびに、前記表面および前記裏面を接続する側面を有する半導体チップと、 前記半導体チップの前記表面から掘り下がった素子分離用トレンチに誘電体を埋設することにより形成され、一定幅を有し、半導体素子が形成される素子形成領域を取り囲む環状をなし、当該素子形成領域をその周囲から絶縁分離するための分離部と、 前記半導体チップの前記表面から掘り下がったパターン用トレンチに誘電体を埋設することにより形成され、前記分離部と異なる幅を有するパターンと、 前記半導体チップの前記表面から掘り下がった環状パターン用トレンチに誘電体を埋設することにより形成され、前記分離部と同じ幅を有し、前記パターンを取り囲む環状をなす環状パターンとを含み、 前記パターンは、角部を有しており、 前記環状パターンに含まれる曲部の曲率半径は、１１μｍ以上である、半導体装置。 【請求項２】 表面、前記表面の反対側に位置する裏面、ならびに、前記表面および前記裏面を接続する側面を有する半導体チップと、 前記半導体チップの前記表面から掘り下がった素子分離用トレンチに誘電体を埋設することにより形成され、半導体素子が形成される素子形成領域を取り囲む環状をなし、当該素子形成領域をその周囲から絶縁分離するための分離部と、 前記半導体チップの前記表面から掘り下がったパターン用トレンチに誘電体を埋設することにより形成されたパターンと、 前記半導体チップの前記表面から掘り下がった環状パターン用トレンチに誘電体を埋設することにより形成され、前記パターンを取り囲む環状をなす環状パターンとを含み、 前記パターンは、角部を有しており、 前記環状パターンは、角部を有していない、半導体装置。 【請求項３】 前記半導体チップの前記側面は、切断面からなる、請求項１または２に記載の半導体装置。 【請求項４】 前記半導体チップは、前記表面の法線方向から見た平面視において四角形状に形成されている、請求項１～３のいずれか一項に記載の半導体装置。 【請求項５】 前記パターンは、前記平面視において前記半導体チップの前記表面の隅部に形成されている、請求項４に記載の半導体装置。 【請求項６】 前記角部を有する前記パターンは、番号表示パターンを含む、請求項１～５のいずれか一項に記載の半導体装置。 【請求項７】 前記分離部、前記パターンおよび前記環状パターンは、ディープトレンチアイソレーション構造を有している、請求項１～６のいずれか一項に記載の半導体装置。 【請求項８】 複数の前記パターンを、一つの前記環状パターンで取り囲んでいる、請求項１～７のいずれか一項に記載の半導体装置。 【請求項９】 半導体チップに対応するチップ領域、および、前記チップ領域を区画するダイシング領域が設定された表面を有する半導体層と、 前記チップ領域において、前記半導体層の前記表面から掘り下がった素子分離用トレンチに誘電体を埋設することにより形成され、半導体素子が形成される素子形成領域を取り囲む環状をなし、当該素子形成領域をその周囲から絶縁分離するための分離部と、 前記チップ領域において、前記半導体層の前記表面から掘り下がったチップ側パターン用トレンチに誘電体を埋設することにより形成されたチップ側パターンと、 前記チップ領域において、前記半導体層の前記表面から掘り下がったチップ側環状パターン用トレンチに誘電体を埋設することにより形成され、前記チップ側パターンを取り囲む環状をなすチップ側環状パターンとを含み、 前記チップ側パターンは、角部を有しており、 前記チップ側環状パターンは、角部を有していない、半導体装置。 【請求項１０】 前記チップ側パターンは、番号表示パターンを含む、請求項９に記載の半導体装置。 【請求項１１】 前記ダイシング領域において、前記半導体層の前記表面から掘り下がったダイシング側パターン用トレンチに誘電体を埋設することにより形成されたダイシング側パターンと、 前記ダイシング領域において、前記半導体層の前記表面から掘り下がったダイシング側環状パターン用トレンチに誘電体を埋設することにより形成され、前記ダイシング側パターンを取り囲む環状をなすダイシング側環状パターンとをさらに含み、 前記ダイシング側パターンは、角部を有しており、 前記ダイシング側環状パターンは、角部を有していない、請求項９または１０に記載の半導体装置。 【請求項１２】 前記ダイシング側パターンは、アライメントパターンを含む、請求項１１に記載の半導体装置。」 第３　原査定の理由について １　原査定の理由の概要 原査定の理由の概要は、次のとおりである。 「この出願については、平成２７年　９月２８日付け拒絶理由通知書に記載した理由１．２によって、拒絶をすべきものです。 なお、意見書並びに手続補正書の内容を検討しましたが、拒絶理由を覆すに足りる根拠が見いだせません。 備考 出願人は、平成27年12月7日付けの手続補正書において特許請求の範囲を 『【請求項１】 半導体層と、 前記半導体層の表面から掘り下がった素子分離用トレンチに誘電体を埋設することにより形成され、一定幅を有し、半導体素子が形成される素子形成領域を取り囲む環状をなし、当該素子形成領域をその周囲から絶縁分離するための分離部と、 前記半導体層の表面から掘り下がったパターン用トレンチに誘電体を埋設することにより形成され、前記分離部と異なる幅を有するパターンと、 前記半導体層の表面から掘り下がった環状パターン用トレンチに誘電体を埋設することにより形成され、前記分離部と同じ幅を有し、前記パターンを取り囲む環状をなす環状パターンとを含み、 前記パターンは、角部を有しており、 前記環状パターンに含まれる曲部の曲率半径は、１１μｍ以上である、半導体装置。 【請求項２】 前記角部を有する前記パターンは、アライメントパターンを含む、請求項１に記載の半導体装置。 【請求項３】 前記角部を有する前記パターンは、番号表示パターンを含む、請求項１または２に記載の半導体装置。 【請求項４】 前記分離部、前記パターンおよび前記環状パターンは、ディープトレンチアイソレーション構造を有している、請求項１～３のいずれか一項に記載の半導体装置。 【請求項５】 複数の前記パターンを、一つの前記環状パターンで取り囲んでいる、請求項１～４のいずれか一項に記載の半導体装置。』 と補正し 同日付けの意見書において 『『前記環状パターンに含まれる曲部の曲率半径は、１１μｍ以上である』という発明特定事項を具備していますので、出願の分割の実体的要件を満たしているものと思料致します。そうすると、本願は、第１引用例として挙げられた原出願（特開２００９－１５８５８８号公報）の時にしたものと見なされますので、原出願に係る発明とは相異なる発明特定事項を具備する発明についての本願は、当該原出願によっては拒絶されません。』 旨主張しているが、出願当初の明細書の段落[0007]-[0009]には 『【０００７】 前記の目的を達成するための請求項１記載の発明は、半導体層と、前記半導体層の表面から掘り下がった素子分離用トレンチに誘電体を埋設することにより形成され、一定幅を有し、半導体素子が形成される素子形成領域を取り囲む環状をなし、当該素子形成領域をその周囲から絶縁分離するための分離部と、前記半導体層の表面から前記素子分離用トレンチと同じ深さに掘り下がったパターン用トレンチに誘電体を埋設することにより形成され、前記分離部と異なる幅を有するパターンと、前記半導体層の表面から前記素子分離用トレンチと同じ深さに掘り下がった環状パターン用トレンチに誘電体を埋設することにより形成され、前記分離部と同じ幅を有し、前記パターンを取り囲む環状をなす環状パターンとを含み、前記環状パターンに含まれる曲部の曲率半径は、１１μｍ以上である、半導体装置である。 【０００８】 この構成によれば、環状パターン用トレンチに誘電体が埋設されることにより環状パターンが形成される。この環状パターンは、分離部と同じ幅を有している。すなわち、環状パターンの幅は、環状パターン用トレンチの周囲に過剰な応力を生じさせないような大きさに設定されている。また、環状パターンが無端状であり、しかも環状パターンに含まれる曲部の曲率半径が１１μｍ以上にされているので、環状パターン用トレンチには、角部が存在しない。そのため、熱酸化処理などの熱処理が施されても、環状パターン用トレンチの周囲に過剰な応力が生じるのを防止することができる。その結果、環状パターン用トレンチの周囲に結晶欠陥が生じることを防止することができる。 【０００９】 そして、環状パターンは、パターンの周囲を取り囲むように形成されている。 したがって、パターン用トレンチの周囲に結晶欠陥が生じても、その結晶欠陥を、環状パターン内に止めることができる。 これにより、パターン用トレンチの周囲に結晶欠陥が生じても、その結晶欠陥が広範囲に広がるのを防止することができる。』 としか記載されておらず、 深さの異なるトレンチを対象として含む発明は、先願明細書には記載されていない。 しかして、依然として補正された特許請求の範囲は原出願の出願当初の明細書、特許請求の範囲又は図面に記載された事項の範囲内であることは認められないので、本願出願は、分割出願の実体的要件を満たしているものとは認められない。 よって、本願出願の出願日は、平成２６年６月２５日である。 しかして、引用文献１に基づく平成27年９月28日付けの拒絶理由は、依然として解消されておらず、本願出願は、平成２７年　９月２８日付け拒絶理由通知書に記載した理由１．２によって、拒絶をすべきものとする。」 また、平成２７年９月２８日付け拒絶理由通知の概要は、次のとおりである。 「１．（新規性）この出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。 ２．（進歩性）この出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 記　　　（引用文献等については引用文献等一覧参照） ●理由１、２について ・請求項　　　　　　１－７ ・引用文献等　　　　　１ ・備考 請求項１－７に記載された発明は、原出願の明細書に記載された発明ではない。 出願人は上申書において、 『・・・原出願の分割直前の明細書の『【０００５】・・・パターン用トレンチは、各パターンの目的に応じた所望の形状に形成されているために、角部を有していることが多い。パターン用トレンチの角部では、とくに応力集中が生じ易く、熱酸化処理によって、この角部から結晶欠陥が生じる可能性が高い。』、『【０００６】このような結晶欠陥が素子形成領域にまで広がると、素子形成領域に形成されている半導体素子の性能に悪影響を与える。そこで、本発明の目的は、パターン用トレンチの周囲に結晶欠陥が生じても、その結晶欠陥が広範囲に広がるのを防止することができる半導体装置を提供することである。』 および『【０００９】そして、環状パターンは、パターンの周囲を取り囲むように形成されている。したがって、パターン用トレンチの周囲に結晶欠陥が生じても、その結晶欠陥を、環状パターン内に止めることができる。これにより、パターン用トレンチの周囲に結晶欠陥が生じても、その結晶欠陥が広範囲に広がるのを防止することができる。』から明らかなように、原出願の分割直前の明細書は、（ア）環状パターンに曲部が含まれることおよびその曲率半径の大きさ、ならびに（イ）パターン用トレンチおよび環状パターン用トレンチの深さが分離用トレンチと同じであるという構成がなくても、角部を有するパターンから生じる結晶欠陥をその周囲の環状パターンで抑制するという効果を実現できる本願請求項１の構成を開示するものであります。したがって、本願請求項１の内容は、原出願の分割直前の明細書等に記載された事項の範囲内であります。 請求項２および３は、いずれも原出願の分割直前の請求項１の事項に基づくものです。 請求項４～７は、それぞれ、原出願の分割直前の請求項３～６の事項を繰り下げて記載したものです。・・・』 旨の主張を述べているが、 分割の実体的要件（審査基準　第Ｖ部 第1 章 第1 節 出願の分割の要件）は、 (2) 出願の分割が、特許査定の謄本の送達後３０日以内、又は拒絶査定の謄本の送達後３月以内であって補正をすることができる時又は期間(審判請求と同時、あるいは拒絶理由通知において第５０条の規定により指定された期間)を除く期間内になされた場合(第44 条第1 項第2 号、第3 号) (ｉ) 原出願の分割直前の明細書、特許請求の範囲又は図面に記載された発明の全部を分割出願に係る発明としたものでないこと (ｉｉ) 分割出願の明細書、特許請求の範囲又は図面に記載された事項が、原出願の出願当初の明細書、特許請求の範囲又は図面に記載された事項の範囲内であること (ｉｉｉ) 分割出願の明細書、特許請求の範囲又は図面に記載された事項が、原出願の分割直前の明細書、特許請求の範囲又は図面に記載された事項の範囲内であること であり、本願請求項１-７の発明が、原出願の出願当初の明細書、特許請求の範囲又は図面に記載された事項の範囲内であることもその要件とされるところのものである。 してみるに、原出願の出願当初の明細書の段落【０００９】の記載は段落【０００７】の記載（原出願の出願当初の特許請求の範囲と同様の構成）を前提とした、（【０００８】の『・・・この構成によれば』に続く）記載であり、環状パターンであることのみによって、課題が解決されていいることを示しているものではない。 よって、本願出願は、分割出願の実体的要件を満たしているものとは認められないので、分割出願が原出願の時にしたものとみなされず、本願出願の出願日は、平成２６年６月２５日とする。 よって、本願発明は、第１引用例に記載された発明と同一の構成を含むものである。 ……（中略）…… ＜引用文献等一覧＞ １．特開２００９－１５８５８８号公報」 ２　原査定の理由についての当審の判断 （１）本願の出願日について 本願が、特許法第４４条第１項の規定に適合した適法な分割出願であるかについて、検討する。 原出願の願書に最初に添付した明細書（以下「原出願当初明細書」という。）の段落【０００６】及び【０００９】の記載より、原出願当初明細書には、パターン用トレンチの周囲に生じた結晶欠陥が広範囲に広がるのを防止するという課題を解決するために、パターン用トレンチの周囲を取り囲むように環状パターンを形成することが記載されているものと認められる。 そして、本願発明１ないし８は「パターンを取り囲む環状をなす環状パターン」を含み、本願発明９ないし１２は「チップ側パターンを取り囲む環状をなすチップ側環状パターン」を含むから、本願発明１ないし１２は、原出願当初明細書に記載された課題を解決するために必要な発明特定事項を含むものであると認められる。 また、本願の明細書、特許請求の範囲及び図面のその他の記載についても、原出願の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内のものと認められる。 したがって、本願は、特許法第４４条第１項の規定に適合した適法な分割出願であるから、同条第２項の規定により、原出願のとき（平成１９年１２月２５日）にしたものとみなされる。 （２）原査定の理由において引用された文献について 原査定の理由において引用された特開２００９－１５８５８８号公報（以下「引用文献１」という。）は、平成２１年７月１６日に公開されたものと認められる。 したがって、引用文献１は、本願の出願よりも後に公開されたものと認められるから、引用文献１に記載された発明は、特許法第２９条第１項各号に掲げる発明には該当しない。 （３）原査定の理由１及び２について 上記（２）のとおり、引用文献１に記載された発明は、特許法第２９条第１項各号に掲げる発明には該当しない。 したがって、本願の請求項１ないし７に係る発明は引用文献１に記載された発明であるから特許法第２９条第１項第３号に該当し特許を受けることができないとした原査定の理由１、及び、本願の請求項１ないし７に係る発明は引用文献１に記載された発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないとした原査定の理由２によっては、本願を拒絶することはできない。 ３　原査定の理由についてのまとめ 上記２（３）のとおり、原査定の理由１及び２によっては、本願を拒絶することはできない。 したがって、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。 第４　当審拒絶理由について １　当審拒絶理由の概要 平成２９年４月１３日付けで当審より通知した拒絶理由（以下「当審拒絶理由」という。）の概要は、次のとおりである。 「１．（進歩性）この出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった下記の発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 記　　　（引用文献等については引用文献等一覧参照） １．理由１（進歩性）について （１）分割の適法性について この出願は、特許法第４４条第１項の規定に適合した適法な分割出願であるから、同条第２項の規定により、もとの特許出願のとき（平成１９年１２月２５日）にしたものとみなされる。 （２）請求項１について ア　引用文献の記載事項及び引用発明 （ア）引用文献１の記載事項及び引用発明 ａ　本願の出願前に日本国内又は外国において頒布され又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった文献である特開２００７－１２３３３９号公報（以下『引用文献１』という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。 『【００１８】 １．半導体装置 まず、本実施の形態にかかる半導体装置について図１を参照しつつ説明する。図１は、本実施の形態にかかる半導体装置を模式的に示す断面図である。 【００１９】 本実施の形態にかかる半導体装置は、図１に示すように、半導体層１０を有する。半導体層１０は、チップ領域１０Ｃとスクライブ領域１０Ｓとを有する。チップ領域１０Ｃは、ＩＣチップを構成する各種半導体デバイスが形成される領域である。スクライブ領域１０Ｓは、一つの半導体チップの周囲に設けられ、半導体チップをダイシングする際のダイシングエリアを含む。また、チップ領域１０Ｃおよびスクライブ領域１０Ｓは、それぞれ、素子分離絶縁層２２により囲まれている。 【００２０】 チップ領域１０Ｃには、図１に示すように、トランジスタ１００が形成されている。トランジスタ１００は、高駆動電圧動作用のトランジスタである。トランジスタ１００は、ゲート絶縁層１１０と、ゲート電極１１２と、サイドウォール絶縁層１１４と、高濃度不純物層であるソース領域１１６およびドレイン領域１１６（以下、ソース領域およびドレイン領域を『ソース領域／ドレイン領域』という。）と、オフセット絶縁層２４と、低濃度不純物層１１８と、ウェル２０と、を含む。 ・・・ 【００２５】 次に、スクライブ領域１０Ｓについて説明する。スクライブ領域１０Ｓには、認識マーク２００が形成されている。認識マーク２００は、たとえば、トランジスタ１００などの形成工程で、半導体層１０とマスク層の位置あわせを行うために用いられる。認識マーク２００は、露光装置ベンダーによる推奨マークや、アライメント方式によって種々の平面パターン（十字パターン、Ｌ字パターン、ラインパターンなど）を有することができる。 【００２６】 本実施の形態にかかる半導体装置が有する認識マーク２００は、半導体層１０に設けられた凹部２１０と、凹部２１０の内面に沿って形成された絶縁層２１４（『第１絶縁層』に相当する。）と、凹部２１０を埋め込む絶縁層２１６（『第２絶縁層』に相当する。）と、を含む。なお、本実施の形態では、絶縁層２１４と凹部２１０の内面との間に、絶縁層２１２が設けられている（後述の製造方法の説明を参照）。絶縁層２１４としては窒化膜、たとえば窒化シリコン膜を形成することができ、絶縁層２１６としては酸化膜、たとえば酸化シリコン膜を形成することができる。絶縁層２１４および絶縁層２１６は、それぞれ光の屈折率の異なる材質の絶縁層を用いることが好ましい。たとえば、酸化シリコン膜と窒化シリコン膜とでは、窒化シリコン膜は、酸化シリコン膜と比して屈折率が異なっている為、光学的に色が異なる。通常、装置のアライメントは光学的方法(色の違いや、コントラストの違い)にて行われることが多く、本実施の形態にかかる半導体装置では、凹部２１０の内面に窒化シリコン膜（絶縁層２１４）が設けられているため、凹部２１０内が絶縁材質によって埋め込まれている場合でも、凹部を検知しやすくすることができる。その結果、複数の工程を経た後でも認識性の高い認識マーク２００を有する半導体装置を提供することができる。 ・・・ 【００３１】 ２．半導体装置の製造方法 次に、図３ないし図９を参照しつつ、本実施の形態にかかる半導体装置の製造方法について説明する。図３ないし図９は、本実施の形態にかかる半導体装置の製造工程を模式的に示す断面図である。 【００３２】 （１）まず、図３に示すように、チップ領域１０Ｃとスクライブ領域１０Ｓとを有する半導体層１０を準備する。半導体層１０としては、単結晶シリコン基板などの公知の材質を用いることができる。ついで、スクライブ領域１０Ｓに、後の工程で形成されるウェルを形成するための第１認識マークとなる凹部２１０を形成する。凹部２１０の形成では、半導体層１０の上に、凹部２１０が形成される領域に開口を有するマスク層（図示せず）を形成する。ついで、マスク層を用いて半導体層１０をエッチングすることにより、凹部２１０を形成することができる。 【００３３】 （２）次に、図４に示すように、凹部（第１認識マーク）２１０を用いて、チップ領域１０Ｃにウェル２０を形成する。まず、所定の領域に開口を有するマスク層（図示せず）を形成した後、所定の導電型の不純物を半導体層１０に導入する。このマスク層を形成する工程で、たとえば、半導体層１０とレチクルとの位置合わせのために凹部２１０が用いられることとなる。ついで、不純物を拡散するための熱処理を施すことで、ウェル２０が形成される。この熱処理は、たとえば、９００℃以上の温度で行われることができる。 【００３４】 （３）次に、半導体層１０に、素子分離絶縁層２２およびオフセット絶縁層２４（図１参照）を形成する。素子分離絶縁層２２およびオフセット絶縁層２４の形成の一例として、ＳＴＩ法により形成した場合を以下に説明する。まず、図５に示すように、半導体層１０の全面に酸化膜１２および窒化膜１４を形成する。半導体層１０がシリコン基板の場合には、酸化膜１２として酸化シリコン膜を、窒化膜１４として窒化シリコン膜を形成することができる。 【００３５】 ついで、図５に示すように、素子分離絶縁層２２およびオフセット絶縁層２４を形成する領域に開口４０を有するマスク層Ｍ１を形成する。このとき、開口４０は、凹部２１０が形成されている領域の上方および凹部２１０の端から所定の距離Ｘを有する範囲の領域の上方には開口を有していない。ここで、凹部２１０の端からの距離Ｘとは、アライメントエラーを起こす可能性のある範囲には、他の溝（段差）を発生させないために確保する必要のある距離である。距離Ｘは、アライメント装置の精度などにより異なるものである。また、本実施の形態に示す断面では、認識マークである凹部２１０の端から、所定の距離Ｘ以上に離れた位置に素子分離絶縁層２２のためのトレンチ１６を形成する場合を図示している。 【００３６】 （４）次に、マスク層Ｍ１（図５参照）を用いて酸化膜１２、窒化膜１４および半導体層１０をエッチングする。この工程により、図６に示すようにトレンチ１６が形成される。一方、凹部２１０の上方は、マスク層Ｍ１に覆われているため、凹部２１０の内面は、酸化膜１２および窒化膜１４に覆われたままである。この窒化膜１４は、後の工程で、凹部２１０の内面を覆う絶縁層２１４になる。 【００３７】 （５）次に、トレンチ１６および凹部２１０を埋め込むように、半導体層１０の上方に絶縁層（図示せず）を形成する。ついで、図７に示すように、その後、絶縁層を窒化膜１４が露出するまで、たとえば、ＣＭＰ法によりエッチングする。これにより、絶縁層２２ａ、２４ａ、２０６ａ２１６ａが形成される。このとき、絶縁層としては、複数の絶縁層が積層された膜であってもよい。たとえば、絶縁層として窒化シリコン膜と酸化シリコン膜の積層膜（反射率の異なる材質の積層膜）を用いる場合、凹部２１０の内面に窒化シリコン膜が形成されることとなり、第２認識マーク２００の認識性を向上することができる。 【００３８】 （６）次に、図８に示すように、ストッパの役割を果たしていた窒化膜１４を選択的に除去する。窒化膜１４の除去は、たとえば、熱リン酸を用いたウェットエッチングにより行うことができる。ついで、必要に応じて窒化膜１４の膜厚の分だけ突出することとなる絶縁層を公知のエッチング方法により除去し、半導体層１０の面内の高さを均一にすることができる。以上の工程により、図８に示すように、素子分離絶縁層２２およびオフセット絶縁層２４と、凹部２１０に埋め込まれた絶縁層２１４と絶縁層２１６とが形成される。つまり、この工程により、凹部２１０と、その中に埋め込まれた絶縁層２１４とからなる第２認識マーク２００が形成される。 【００３９】 （７）次に、チップ領域１０Ｃにトランジスタ１００（図１参照）の形成を行う。このトランジスタ１００の形成では、少なくとも一のマスク層を形成する工程で第２認識マーク２００を用いることができる。このように、先の工程で用いられた第１認識マーク（凹部２１０）を、後の工程でも適用することができる。そのため、本実施の形態にかかる半導体装置の製造方法によれば、特に認識マークを形成する工程を増やす必要がない。その結果、工程数を削減でき、製造コストの削減をも図ることができる。以下に、トランジスタ１００の形成方法の一例を説明する。 ・・・ 【００４６】 また、本実施の形態にかかる半導体装置の製造方法では、ＳＴＩ法により素子分離絶縁層２２を形成した場合を説明したが、これに限定されることなく。ＬＯＣＯＳ法またはセミリセスＬＯＣＯＳ法により形成してもよい。 【符号の説明】 【００４９】 １０Ｃ…チップ領域、　１０Ｓ…スクライブ領域、　１０…半導体層、　１２…酸化膜、　１４…窒化膜、　１６…トレンチ、　２０…ウェル、　２２…素子分離絶縁層、　２４…オフセット絶縁層、　４０…開口、　１００…トランジスタ、　１１０…ゲート絶縁層、　１１２…ゲート電極、　１１４…サイドウォール絶縁層、　１１６…ソース領域／ドレイン領域、　１１８…低濃度不純物層、　２００…認識マーク（第２認識マーク）、　２１０…凹部（第１認識マーク）、　２１２、２１４、２１６…絶縁層、　２１５…露出面、　２１７…上面』 ｂ　上記ａの引用文献１の記載（段落【００１９】）より、引用文献１には、『チップ領域１０Ｃ』と『スクライブ領域１０Ｓ』が、それぞれ『素子分離絶縁層２２』で囲まれることが記載されているといえる。（以下では、『チップ領域１０Ｃ』を囲む『素子分離絶縁層２２』を『素子分離絶縁層２２Ａ』といい、『スクライブ領域１０Ｓ』を囲む『素子分離絶縁層２２』を『素子分離絶縁層２２Ｂ』という。） ｃ　上記ａの引用文献１の記載（段落【００２５】）及び引用文献１の図１の記載より、引用文献１には、『スクライブ領域１０Ｓ』に『認識マーク２００』が形成されることが記載されているといえる。そして、上記ｂのとおり、引用文献１には、『スクライブ領域１０Ｓ』が『素子分離絶縁層２２Ｂ』で囲まれることが記載されているといえる。そうすると、引用文献１には、『認識マーク２００』が『素子分離絶縁層２２Ｂ』で囲まれることが記載されているといえる。 ｄ　上記ａの引用文献１の記載（段落【００３４】ないし【００３８】）及び引用文献１の図５ないし図８の記載より、引用文献１には、半導体層１０の表面から掘り下がった『トレンチ１６』に絶縁層を埋設することにより、『素子分離絶縁層２２Ａ』及び『素子分離絶縁層２２Ｂ』を形成することが記載されているといえる。（以下では、『素子分離絶縁層２２Ａ』を形成するための『トレンチ１６』を『トレンチ１６Ａ』といい、『素子分離絶縁層２２Ｂ』を形成するための『トレンチ１６』を『トレンチ１６Ｂ』という。） ｅ　上記ａの引用文献１の記載（段落【００３４】ないし【００３８】及び【００４９】）及び引用文献１の図５ないし図８の記載より、引用文献１には、半導体層１０の表面から掘り下がった『凹部２１０』に絶縁層を埋設することにより『認識マーク（第２認識マーク）２００』を形成することが記載されているといえる。 ｆ　上記ａの引用文献１の記載、上記ｂないしｅ、及び当該技術分野における技術常識より、引用文献１には下記の発明（以下『引用発明』という。）が記載されていると認められる。 『半導体層１０と、 前記半導体層１０の表面から掘り下がったトレンチ１６Ａに絶縁層を埋設することにより形成され、トランジスタ１００が形成されるチップ領域１０Ｃを囲む素子分離絶縁層２２Ａと、 前記半導体層１０の表面から掘り下がった凹部２１０に絶縁層を埋設することにより形成される認識マーク２００と、 前記半導体層１０の表面から掘り下がったトレンチ１６Ｂに絶縁層を埋設することにより形成され、前記認識マーク２００を囲む素子分離絶縁層２２Ｂと を含む半導体装置。』 （イ）引用文献２の記載事項 ａ　本願の出願前に日本国内又は外国において頒布され又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった文献である特開２００７－８８３１２号公報（以下『引用文献２』という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。 『【００３２】 図１２に本実施例の半導体装置を示す。図１２（ａ）は本実施例の半導体装置の断面の説明図であり、図１２（ｂ）は実施例の半導体装置の平面の説明図である。本実施例の半導体装置は、実施例１で作製した誘電体分離基板上に形成した。図１２（ｂ）に示す様に、本実施例の半導体装置では、４辺形のトレンチパターンで直線部分から続くコーナー部１７の平面形状が、図１（ｂ）とは異なり、全て直角でなく円弧状になっている。コーナー部１７が直角に交差する場合、トレンチ１０内部が酸化された際に、コーナー部１７に応カがかかり、結晶欠陥等の原因となることもあるが、円弧状とすることにより応力緩和の効果が得られ信頼性がより高い半導体装置を製造することができる。トレンチパターンのコーナー部１７の半径は、図１２（ｂ）に示す第２の多結晶シリコン５１の幅の２倍以上あれば良く、好ましくは２倍から２０倍あればよい。コーナー部の半径が２倍未満では応力の緩和が不十分になり、２０倍以上では概略矩形の単結晶島８の基板平面の形状が保持できず、基板面に形成する単結晶島８の密度を上げにくくなる。』 ｂ　上記ａの引用文献２の記載及び当該技術分野における技術常識より、引用文献２には下記の事項（以下『引用文献２記載事項』という。）が記載されていると認められる。 『結晶欠陥を防ぎ信頼性が高い半導体装置を製造するために、トレンチのコーナー部を直角ではなく円弧状とし、トレンチのコーナー部にかかる応力を緩和すること。』 イ　本願発明１と引用発明との対比 （ア）本願の請求項１に係る発明（以下『本願発明１』という。）と引用発明とを対比する。 ａ　引用発明における『半導体層１０』は、本願発明１における『半導体層』に相当するといえる。 そうすると、本願発明１と引用発明とは、『半導体層』を含む点において共通するといえる。 ｂ　引用発明における『トレンチ１６Ａ』は、本願発明１における『素子分離用トレンチ』に相当するといえる。 また、引用発明における『絶縁層』は『誘電体』であるといえ、引用発明における『トランジスタ１００』は『半導体素子』であるといえ、引用発明における『チップ領域１０Ｃ』は『半導体素子が形成される素子形成領域』であるといえる。 さらに、引用発明における『素子分離絶縁層２２Ａ』が『素子形成領域をその周囲から絶縁分離するため』のものであることは明らかであるといえ、下記相違点１を除き、本願発明１の『分離部』に相当するといえる。 そして、引用発明における『素子分離絶縁層２２Ａ』は、『チップ領域１０Ｃを囲む』のであるから、環状をなすことは明らかであるといえる。 そうすると、本願発明１と引用発明とは、『前記半導体層の表面から掘り下がった素子分離用トレンチに誘電体を埋設することにより形成され、半導体素子が形成される素子形成領域を取り囲む環状をなし、当該素子形成領域をその周囲から絶縁分離するための分離部』を含む点において共通し、下記相違点１において相違するといえる。 ｃ　引用発明における『凹部２１０』は、本願発明１における『パターン用トレンチ』に相当するといえる。 また、引用発明における『絶縁層』は『誘電体』であるといえ、引用発明における『認識マーク２００』は『パターン』であるといえる。 そうすると、本願発明１と引用発明とは、『前記半導体層の表面から掘り下がったパターン用トレンチに誘電体を埋設することにより形成されるパターン』を含む点において共通し、下記相違点２において相違するといえる。 ｄ　引用発明における『トレンチ１６Ｂ』は、本願発明１における『環状パターン用トレンチ』に相当するといえる。 また、引用発明における『絶縁層』は『誘電体』であるといえ、引用発明における『認識マーク２００』は『パターン』であるといえる。 さらに、引用発明における『素子分離絶縁層２２Ｂ』は、『認識マーク２００を囲む』のであるから、環状をなすことは明らかであるといえる。 そうすると、本願発明１と引用発明とは、『前記半導体層の表面から掘り下がった環状パターン用トレンチに誘電体を埋設することにより形成され、前記パターンを取り囲む環状をなす環状パターン』を含む点において共通し、下記相違点３において相違するといえる。 ｅ　本願発明１と引用発明とは、『半導体装置』である点において共通するといえる。 ｆ　以上から、本願発明１と引用発明とは、下記（ａ）の点で一致し、下記（ｂ）の点で相違すると認める。 （ａ）一致点 『半導体層と、 前記半導体層の表面から掘り下がった素子分離用トレンチに誘電体を埋設することにより形成され、半導体素子が形成される素子形成領域を取り囲む環状をなし、当該素子形成領域をその周囲から絶縁分離するための分離部と、 前記半導体層の表面から掘り下がったパターン用トレンチに誘電体を埋設することにより形成されるパターンと、 前記半導体層の表面から掘り下がった環状パターン用トレンチに誘電体を埋設することにより形成され、前記パターンを取り囲む環状をなす環状パターンとを含む、 半導体装置。』 （ｂ）相違点 ・相違点１　本願発明１では『分離部』が一定幅を有するのに対し、引用発明は『素子分離絶縁層２２Ａ』が一定幅を有するとは特定しない点。 ・相違点２　本願発明１では『パターン』が『分離部』と異なる幅を有し、角部を有するのに対し、引用発明は『認識マーク２００』が『素子分離絶縁層２２Ａ』と異なる幅を有し、角部を有するとは特定しない点。 ・相違点３　本願発明１では『環状パターン』が『分離部』と同じ幅を有し、『環状パターン』に含まれる曲部の曲率半径が１１μｍ以上であるのに対し、引用発明は『素子分離絶縁層２２Ｂ』が『素子分離絶縁層２２Ａ』と同じ幅を有し、『素子分離絶縁層２２Ｂ』に含まれる曲部の曲率半径が１１μｍ以上であるとは特定しない点。 ウ　相違点についての検討 （ア）相違点１について ＳＴＩ等の素子分離のための分離部を強度や絶縁性能を考慮した設計値である一定幅で形成することは当然であるから、引用発明における『素子分離絶縁層２２Ａ』を一定幅で形成することによって相違点１に係る構成とすることは、当業者であれば適宜なし得たことである。 （イ）相違点２について 引用発明における『認識マーク２００』と『素子分離絶縁層２２Ａ』とは機能が異なるものであるから、それぞれの機能に適した異なる幅のものとすること（例えば、『認識マーク２００』の認識性を高めるために『素子分離絶縁層２２Ａ』よりも幅の広いものとすること）は、当業者であれば適宜なし得たことである。 また、上記ア（ア）ａのとおり、引用文献１の段落【００２５】には、認識マーク２００を十字パターン、Ｌ字パターン、ラインパターンなどとすることが記載されており、これらのパターンが角部を有することは明らかであるといえるし、仮に明らかであるとはいえないとしても、認識マーク２００を角部を有するものとすることは、当業者であれば適宜なし得たことである。 したがって、引用発明における『認識マーク２００』を、『素子分離絶縁層２２Ａ』と異なる幅を有し、かつ、角部を有するものとすることによって、相違点２に係る構成とすることは、当業者であれば適宜なし得たことである。 （ウ）相違点３について 引用発明における『素子分離絶縁層２２Ａ』と『素子分離絶縁層２２Ｂ』とは、いずれも素子分離のために設けられるものであり、機能において共通するものであるから、両者を素子分離機能に適した同一の幅のものとすることは、当業者であれば適宜なし得たことである。 また、半導体装置の結晶欠陥を抑止し信頼性を高めることは当該技術分野における一般的な技術課題であるところ、引用発明において、半導体装置の結晶欠陥を抑止し信頼性を高めるために、『素子分離絶縁層２２Ｂ』（トレンチ１６Ｂ）の一部に応力が集中することを避けるべきであることは、当業者には明らかな事項である。そうすると、引用発明において、『素子分離絶縁層２２Ｂ』（トレンチ１６Ｂ）の一部に応力が集中することを避けるために、引用文献２記載事項を適用し、『素子分離絶縁層２２Ｂ』（トレンチ１６Ｂ）のコーナー部を直角ではなく円弧状とすることによって、コーナー部にかかる応力を緩和することは、当業者であれば容易に想到し得たことであるといえる。 また、引用発明に対して引用文献２記載事項を適用する際に、コーナー部の曲率半径を１１μｍよりもわずかに小さくした場合と、１１μｍ以上とした場合との間に、作用効果における格別の差異があるとは認められず、曲率半径を１１μｍ以上とした本願発明１の数値限定に臨界的意義があるものとは認められない。したがって、引用発明に対して引用文献２記載事項を適用する際に、コーナー部の曲率半径を１１μｍ以上とすることは、当業者であれば適宜なし得たことであるといえる。 以上より、引用発明において、『素子分離絶縁層２２Ｂ』が『素子分離絶縁層２２Ａ』と同じ幅を有するものとし、かつ、引用発明に対して引用文献２記載事項を適用して『素子分離絶縁層２２Ｂ』のコーナー部を円弧状とし、その曲率半径を１１μｍ以上とすることによって相違点３に係る構成とすることは、当業者であれば容易になし得たことである。 エ　本願発明１の作用効果について 相違点１ないし３を総合的に勘案しても、本願発明１の奏する作用効果は、引用発明及び引用文献２記載事項の奏する作用効果から予測される範囲内のものにすぎず、格別顕著なものということはできない。 オ　本願発明１についてのまとめ 以上のとおり、本願の請求項１に係る発明（本願発明１）は、引用文献１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。 （３）請求項２について 上記（２）ア（ア）ａの引用文献１の記載（段落【００２５】）より、引用発明における『認識マーク２００』は『アライメントパターン』であるといえる。 その他の点に付いては、上記（２）と同様である。 以上のとおり、本願の請求項２に係る発明は、引用文献１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。 （４）請求項３について 上記（２）ア（ア）ａのとおり、引用文献１の段落【００２５】には、引用発明における『認識マーク２００』を、露光装置ベンダーによる推奨マークや、十字パターン、Ｌ字パターン、ラインパターンなどとすることが記載されており、番号を含むものとすることも、当業者であれば適宜なし得たことである。 その他の点については、上記（２）及び（３）と同様である。 以上のとおり、本願の請求項３に係る発明は、引用文献１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。 （５）請求項４について 引用発明における『トレンチ１６Ａ』、『トレンチ１６Ｂ』及び『凹部２１０』の形成に際し、周知のディープトレンチアイソレーション法を採用し、『素子分離絶縁層２２Ａ』、『認識マーク２００』及び『素子分離絶縁層２２Ｂ』をディープトレンチ構造を有するものとすることは、当業者であれば適宜なし得たことである。 その他の点については、上記（２）ないし（４）と同様である。 以上のとおり、本願の請求項４に係る発明は、引用文献１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。 （６）請求項５について 位置合わせのためのアライメントマークを複数形成することは引例を挙げるまでもなく周知であるから、引用発明において『認識マーク２００』を複数形成し、それらを囲むように『素子分離絶縁層２２Ｂ』を形成することは、当業者であれば適宜なし得たことである。 その他の点については、上記（２）ないし（５）と同様である。 以上のとおり、本願の請求項５に係る発明は、引用文献１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。 引　用　文　献　等　一　覧 １．特開２００７－１２３３３９号公報 ２．特開２００７－８８３１２号公報」 ２　当審引用文献の記載事項及び当審引用発明 （１）当審引用文献１の記載事項及び当審引用発明 ア　当審引用文献１の記載事項 当審拒絶理由に引用され、本願の出願前に日本国内又は外国において頒布され又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった文献である特開２００７－１２３３３９号公報（以下「当審引用文献１」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。 「【０００１】 本発明は、半導体装置および半導体装置の製造方法に関する。 【背景技術】 【０００２】 素子分離領域を有する半導体装置、特に高耐圧トランジスタの製造方法では、たとえば、特許文献１のように、半導体基板に素子分離領域を形成した後、素子分離領域以外の素子形成領域に不純物を導入し、高温で長時間の熱処理することにより不純物を半導体基板内の所望の領域に均一に拡散してウェルを形成している。 【特許文献１】特開２００４－２６００７３号公報 【発明の開示】 【発明が解決しようとする課題】 【０００３】 しかしながら、上記の製造方法では、素子分離領域を形成した半導体基板にウェルを形成する際の熱処理により、素子分離領域にも熱が加わってしまう。その結果、例えば、半導体基板と素子分離領域を形成する材質の熱膨張係数が異なる為、そのストレスにより、結晶欠陥が形成され、この欠陥に起因する電流のリークが発生するという問題が生じるおそれがある。 【０００４】 本発明の目的は、素子分離領域から発生する結晶欠陥等の発生を低減するための半導体装置の製造方法および半導体装置を提供することにある。 ・・・ 【００１８】 １．半導体装置 まず、本実施の形態にかかる半導体装置について図１を参照しつつ説明する。図１は、本実施の形態にかかる半導体装置を模式的に示す断面図である。 【００１９】 本実施の形態にかかる半導体装置は、図１に示すように、半導体層１０を有する。半導体層１０は、チップ領域１０Ｃとスクライブ領域１０Ｓとを有する。チップ領域１０Ｃは、ＩＣチップを構成する各種半導体デバイスが形成される領域である。スクライブ領域１０Ｓは、一つの半導体チップの周囲に設けられ、半導体チップをダイシングする際のダイシングエリアを含む。また、チップ領域１０Ｃおよびスクライブ領域１０Ｓは、それぞれ、素子分離絶縁層２２により囲まれている。 【００２０】 チップ領域１０Ｃには、図１に示すように、トランジスタ１００が形成されている。トランジスタ１００は、高駆動電圧動作用のトランジスタである。トランジスタ１００は、ゲート絶縁層１１０と、ゲート電極１１２と、サイドウォール絶縁層１１４と、高濃度不純物層であるソース領域１１６およびドレイン領域１１６（以下、ソース領域およびドレイン領域を「ソース領域／ドレイン領域」という。）と、オフセット絶縁層２４と、低濃度不純物層１１８と、ウェル２０と、を含む。 ・・・ 【００２５】 次に、スクライブ領域１０Ｓについて説明する。スクライブ領域１０Ｓには、認識マーク２００が形成されている。認識マーク２００は、たとえば、トランジスタ１００などの形成工程で、半導体層１０とマスク層の位置あわせを行うために用いられる。認識マーク２００は、露光装置ベンダーによる推奨マークや、アライメント方式によって種々の平面パターン（十字パターン、Ｌ字パターン、ラインパターンなど）を有することができる。 【００２６】 本実施の形態にかかる半導体装置が有する認識マーク２００は、半導体層１０に設けられた凹部２１０と、凹部２１０の内面に沿って形成された絶縁層２１４（「第１絶縁層」に相当する。）と、凹部２１０を埋め込む絶縁層２１６（「第２絶縁層」に相当する。）と、を含む。なお、本実施の形態では、絶縁層２１４と凹部２１０の内面との間に、絶縁層２１２が設けられている（後述の製造方法の説明を参照）。絶縁層２１４としては窒化膜、たとえば窒化シリコン膜を形成することができ、絶縁層２１６としては酸化膜、たとえば酸化シリコン膜を形成することができる。絶縁層２１４および絶縁層２１６は、それぞれ光の屈折率の異なる材質の絶縁層を用いることが好ましい。たとえば、酸化シリコン膜と窒化シリコン膜とでは、窒化シリコン膜は、酸化シリコン膜と比して屈折率が異なっている為、光学的に色が異なる。通常、装置のアライメントは光学的方法(色の違いや、コントラストの違い)にて行われることが多く、本実施の形態にかかる半導体装置では、凹部２１０の内面に窒化シリコン膜（絶縁層２１４）が設けられているため、凹部２１０内が絶縁材質によって埋め込まれている場合でも、凹部を検知しやすくすることができる。その結果、複数の工程を経た後でも認識性の高い認識マーク２００を有する半導体装置を提供することができる。 ・・・ 【００３１】 ２．半導体装置の製造方法 次に、図３ないし図９を参照しつつ、本実施の形態にかかる半導体装置の製造方法について説明する。図３ないし図９は、本実施の形態にかかる半導体装置の製造工程を模式的に示す断面図である。 【００３２】 （１）まず、図３に示すように、チップ領域１０Ｃとスクライブ領域１０Ｓとを有する半導体層１０を準備する。半導体層１０としては、単結晶シリコン基板などの公知の材質を用いることができる。ついで、スクライブ領域１０Ｓに、後の工程で形成されるウェルを形成するための第１認識マークとなる凹部２１０を形成する。凹部２１０の形成では、半導体層１０の上に、凹部２１０が形成される領域に開口を有するマスク層（図示せず）を形成する。ついで、マスク層を用いて半導体層１０をエッチングすることにより、凹部２１０を形成することができる。 【００３３】 （２）次に、図４に示すように、凹部（第１認識マーク）２１０を用いて、チップ領域１０Ｃにウェル２０を形成する。まず、所定の領域に開口を有するマスク層（図示せず）を形成した後、所定の導電型の不純物を半導体層１０に導入する。このマスク層を形成する工程で、たとえば、半導体層１０とレチクルとの位置合わせのために凹部２１０が用いられることとなる。ついで、不純物を拡散するための熱処理を施すことで、ウェル２０が形成される。この熱処理は、たとえば、９００℃以上の温度で行われることができる。 【００３４】 （３）次に、半導体層１０に、素子分離絶縁層２２およびオフセット絶縁層２４（図１参照）を形成する。素子分離絶縁層２２およびオフセット絶縁層２４の形成の一例として、ＳＴＩ法により形成した場合を以下に説明する。まず、図５に示すように、半導体層１０の全面に酸化膜１２および窒化膜１４を形成する。半導体層１０がシリコン基板の場合には、酸化膜１２として酸化シリコン膜を、窒化膜１４として窒化シリコン膜を形成することができる。 【００３５】 ついで、図５に示すように、素子分離絶縁層２２およびオフセット絶縁層２４を形成する領域に開口４０を有するマスク層Ｍ１を形成する。このとき、開口４０は、凹部２１０が形成されている領域の上方および凹部２１０の端から所定の距離Ｘを有する範囲の領域の上方には開口を有していない。ここで、凹部２１０の端からの距離Ｘとは、アライメントエラーを起こす可能性のある範囲には、他の溝（段差）を発生させないために確保する必要のある距離である。距離Ｘは、アライメント装置の精度などにより異なるものである。また、本実施の形態に示す断面では、認識マークである凹部２１０の端から、所定の距離Ｘ以上に離れた位置に素子分離絶縁層２２のためのトレンチ１６を形成する場合を図示している。 【００３６】 （４）次に、マスク層Ｍ１（図５参照）を用いて酸化膜１２、窒化膜１４および半導体層１０をエッチングする。この工程により、図６に示すようにトレンチ１６が形成される。一方、凹部２１０の上方は、マスク層Ｍ１に覆われているため、凹部２１０の内面は、酸化膜１２および窒化膜１４に覆われたままである。この窒化膜１４は、後の工程で、凹部２１０の内面を覆う絶縁層２１４になる。 【００３７】 （５）次に、トレンチ１６および凹部２１０を埋め込むように、半導体層１０の上方に絶縁層（図示せず）を形成する。ついで、図７に示すように、その後、絶縁層を窒化膜１４が露出するまで、たとえば、ＣＭＰ法によりエッチングする。これにより、絶縁層２２ａ、２４ａ、２０６ａ２１６ａが形成される。このとき、絶縁層としては、複数の絶縁層が積層された膜であってもよい。たとえば、絶縁層として窒化シリコン膜と酸化シリコン膜の積層膜（反射率の異なる材質の積層膜）を用いる場合、凹部２１０の内面に窒化シリコン膜が形成されることとなり、第２認識マーク２００の認識性を向上することができる。 【００３８】 （６）次に、図８に示すように、ストッパの役割を果たしていた窒化膜１４を選択的に除去する。窒化膜１４の除去は、たとえば、熱リン酸を用いたウェットエッチングにより行うことができる。ついで、必要に応じて窒化膜１４の膜厚の分だけ突出することとなる絶縁層を公知のエッチング方法により除去し、半導体層１０の面内の高さを均一にすることができる。以上の工程により、図８に示すように、素子分離絶縁層２２およびオフセット絶縁層２４と、凹部２１０に埋め込まれた絶縁層２１４と絶縁層２１６とが形成される。つまり、この工程により、凹部２１０と、その中に埋め込まれた絶縁層２１４とからなる第２認識マーク２００が形成される。 【００３９】 （７）次に、チップ領域１０Ｃにトランジスタ１００（図１参照）の形成を行う。このトランジスタ１００の形成では、少なくとも一のマスク層を形成する工程で第２認識マーク２００を用いることができる。このように、先の工程で用いられた第１認識マーク（凹部２１０）を、後の工程でも適用することができる。そのため、本実施の形態にかかる半導体装置の製造方法によれば、特に認識マークを形成する工程を増やす必要がない。その結果、工程数を削減でき、製造コストの削減をも図ることができる。以下に、トランジスタ１００の形成方法の一例を説明する。 ・・・ 【００４６】 また、本実施の形態にかかる半導体装置の製造方法では、ＳＴＩ法により素子分離絶縁層２２を形成した場合を説明したが、これに限定されることなく。ＬＯＣＯＳ法またはセミリセスＬＯＣＯＳ法により形成してもよい。 【符号の説明】 【００４９】 １０Ｃ…チップ領域、　１０Ｓ…スクライブ領域、　１０…半導体層、　１２…酸化膜、　１４…窒化膜、　１６…トレンチ、　２０…ウェル、　２２…素子分離絶縁層、　２４…オフセット絶縁層、　４０…開口、　１００…トランジスタ、　１１０…ゲート絶縁層、　１１２…ゲート電極、　１１４…サイドウォール絶縁層、　１１６…ソース領域／ドレイン領域、　１１８…低濃度不純物層、　２００…認識マーク（第２認識マーク）、　２１０…凹部（第１認識マーク）、　２１２、２１４、２１６…絶縁層、　２１５…露出面、　２１７…上面」 イ　当審引用発明 （ア）上記アの当審引用文献１の記載（段落【００１９】）より、当審引用文献１には、「半導体装置」が「半導体層１０」を有することが記載されているといえる。 （イ）上記アの当審引用文献１の記載（段落【００１９】及び【００３２】）より、当審引用文献１には、「半導体層１０」が「ＩＣチップを構成する各種半導体デバイスが形成される領域であるチップ領域１０Ｃ」と「一つの半導体チップの周囲に設けられ、半導体チップをダイシングする際のダイシングエリアを含むスクライブ領域１０Ｓ」とを有することが記載されているといえる。 （ウ）上記アの当審引用文献１の記載（段落【００１９】）より、当審引用文献１には、「チップ領域１０Ｃ」が「素子分離絶縁層２２」で囲まれることが記載されているといえる。 （エ）上記アの当審引用文献１の記載（段落【００３４】ないし【００３８】）及び当審引用文献１の図５ないし図８の記載より、当審引用文献１には、半導体層１０の表面から掘り下がった「トレンチ１６」に絶縁層を埋設することにより、「素子分離絶縁層２２」を形成することが記載されているといえる。 （オ）上記アの当審引用文献１の記載、上記（ア）ないし（エ）、及び当該技術分野における技術常識より、当審引用文献１には下記の発明（以下「当審引用発明」という。）が記載されていると認められる。 「ＩＣチップを構成する各種半導体デバイスが形成される領域であるチップ領域１０Ｃと、一つの半導体チップの周囲に設けられ、半導体チップをダイシングする際のダイシングエリアを含むスクライブ領域１０Ｓとを有する半導体層１０と、 前記チップ領域１０Ｃを囲み、前記半導体層１０の表面から掘り下がったトレンチ１６に絶縁層を埋設することにより形成される素子分離絶縁層２２と、 を含む半導体装置。」 （２）当審引用文献２の記載事項 ア　当審拒絶理由に引用され、本願の出願前に日本国内又は外国において頒布され又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった文献である特開２００７－８８３１２号公報（以下「当審引用文献２」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。 「【００３２】 図１２に本実施例の半導体装置を示す。図１２（ａ）は本実施例の半導体装置の断面の説明図であり、図１２（ｂ）は実施例の半導体装置の平面の説明図である。本実施例の半導体装置は、実施例１で作製した誘電体分離基板上に形成した。図１２（ｂ）に示す様に、本実施例の半導体装置では、４辺形のトレンチパターンで直線部分から続くコーナー部１７の平面形状が、図１（ｂ）とは異なり、全て直角でなく円弧状になっている。コーナー部１７が直角に交差する場合、トレンチ１０内部が酸化された際に、コーナー部１７に応カがかかり、結晶欠陥等の原因となることもあるが、円弧状とすることにより応力緩和の効果が得られ信頼性がより高い半導体装置を製造することができる。トレンチパターンのコーナー部１７の半径は、図１２（ｂ）に示す第２の多結晶シリコン５１の幅の２倍以上あれば良く、好ましくは２倍から２０倍あればよい。コーナー部の半径が２倍未満では応力の緩和が不十分になり、２０倍以上では概略矩形の単結晶島８の基板平面の形状が保持できず、基板面に形成する単結晶島８の密度を上げにくくなる。」 イ　上記アの当審引用文献２の記載及び当該技術分野における技術常識より、当審引用文献２には下記の事項が記載されていると認められる。 「結晶欠陥を防ぎ信頼性が高い半導体装置を製造するために、トレンチのコーナー部を直角ではなく円弧状とし、トレンチのコーナー部にかかる応力を緩和すること。」 ３　本願発明と当審引用発明との対比 （１）本願発明１と当審引用発明との対比 ア　当審引用発明における「ＩＣチップを構成する各種半導体デバイスが形成される領域であるチップ領域１０Ｃ」と、本願発明１における「表面、前記表面の反対側に位置する裏面、ならびに、前記表面および前記裏面を接続する側面を有する半導体チップ」とは、「表面及び前記表面の反対側に位置する裏面を有する半導体チップに係る領域」である点において共通し、後述する相違点１－１において相違するといえる。 イ　当審引用発明における「素子分離絶縁層２２」は「ＩＣチップを構成する各種半導体デバイスが形成される領域であるチップ領域１０Ｃ」を囲むものであるから、「半導体素子が形成される素子形成領域を取り囲む環状をな」すものであるといえる。 また、当審引用発明における「トレンチ１６」は、「チップ領域１０Ｃ」の表面から掘り下がったものであるといえ、当審引用発明における「トレンチ１６」及び「絶縁層」は、それぞれ、本願発明１における「素子分離用トレンチ」及び「誘電体」に相当するといえる。 さらに、当審引用発明における「素子分離絶縁層２２」が「素子形成領域をその周囲から絶縁分離するため」のものであることは明らかであるから、当審引用発明における「素子分離絶縁層２２」は、本願発明１における「素子形成領域をその周囲から絶縁分離するための分離部」に相当するといえる。 そうすると、本願発明１と当審引用発明は、「前記半導体チップに係る領域の前記表面から掘り下がった素子分離用トレンチに誘電体を埋設することにより形成され、半導体素子が形成される素子形成領域を取り囲む環状をなし、当該素子形成領域をその周囲から絶縁分離するための分離部」を有する点において共通し、後述する相違点１－２において相違するといえる。 ウ　本願発明１と当審引用発明は、「半導体装置」である点において共通するといえる。 エ　以上から、本願発明１と当審引用発明は、下記（ア）の点で一致し、下記（イ）の点で相違すると認める。 （ア）一致点 「表面及び前記表面の反対側に位置する裏面を有する半導体チップに係る領域と、 前記半導体チップに係る領域の前記表面から掘り下がった素子分離用トレンチに誘電体を埋設することにより形成され、半導体素子が形成される素子形成領域を取り囲む環状をなし、当該素子形成領域をその周囲から絶縁分離するための分離部とを含む、 半導体装置。」 （イ）相違点 ・相違点１－１ 本願発明１における「半導体チップに係る領域」は「表面、前記表面の反対側に位置する裏面、ならびに、前記表面および前記裏面を接続する側面を有する半導体チップ」であるのに対し、当審引用発明における「半導体チップに係る領域」（ＩＣチップを構成する各種半導体デバイスが形成される領域であるチップ領域１０Ｃ）は、表面および裏面を接続する側面を有する半導体チップではない点。 ・相違点１－２ 本願発明１における「分離部」は「一定幅を有」するのに対し、当審引用発明は「分離部」（素子分離絶縁層２２）が「一定幅を有」するとは特定しない点。 ・相違点１－３ 本願発明１は「前記半導体チップに係る領域（半導体チップ）の前記表面から掘り下がったパターン用トレンチに誘電体を埋設することにより形成され、前記分離部と異なる幅を有するパターン」を含むのに対し、当審引用発明は当該構成を特定しない点。 ・相違点１－４ 本願発明１は「前記半導体チップに係る領域（半導体チップ）の前記表面から掘り下がった環状パターン用トレンチに誘電体を埋設することにより形成され、前記分離部と同じ幅を有し、前記パターンを取り囲む環状をなす環状パターン」を含むのに対し、当審引用発明は当該構成を特定しない点。 ・相違点１－５ 本願発明１では「前記パターンは、角部を有しており、前記環状パターンに含まれる曲部の曲率半径は、１１μｍ以上である」のに対し、当審引用発明は当該構成を特定しない点。 （２）本願発明２と当審引用発明との対比 ア　当審引用発明における「ＩＣチップを構成する各種半導体デバイスが形成される領域であるチップ領域１０Ｃ」と、本願発明２における「表面、前記表面の反対側に位置する裏面、ならびに、前記表面および前記裏面を接続する側面を有する半導体チップ」とは、「表面及び前記表面の反対側に位置する裏面を有する半導体チップに係る領域」である点において共通し、後述する相違点２－１において相違するといえる。 イ　当審引用発明における「素子分離絶縁層２２」は「ＩＣチップを構成する各種半導体デバイスが形成される領域であるチップ領域１０Ｃ」を囲むものであるから、「半導体素子が形成される素子形成領域を取り囲む環状をな」すものであるといえる。 また、当審引用発明における「トレンチ１６」は、「チップ領域１０Ｃ」の表面から掘り下がったものであるといえ、当審引用発明における「トレンチ１６」及び「絶縁層」は、それぞれ、本願発明２における「素子分離用トレンチ」及び「誘電体」に相当するといえる。 さらに、当審引用発明における「素子分離絶縁層２２」が「素子形成領域をその周囲から絶縁分離するため」のものであることは明らかであるから、当審引用発明における「素子分離絶縁層２２」は、本願発明２における「素子形成領域をその周囲から絶縁分離するための分離部」に相当するといえる。 そうすると、本願発明２と当審引用発明は、「前記半導体チップに係る領域の前記表面から掘り下がった素子分離用トレンチに誘電体を埋設することにより形成され、半導体素子が形成される素子形成領域を取り囲む環状をなし、当該素子形成領域をその周囲から絶縁分離するための分離部」を有する点において共通するといえる。 ウ　本願発明２と当審引用発明は、「半導体装置」である点において共通するといえる。 エ　以上から、本願発明２と当審引用発明は、下記（ア）の点で一致し、下記（イ）の点で相違すると認める。 （ア）一致点 「表面及び前記表面の反対側に位置する裏面を有する半導体チップに係る領域と、 前記半導体チップに係る領域の前記表面から掘り下がった素子分離用トレンチに誘電体を埋設することにより形成され、半導体素子が形成される素子形成領域を取り囲む環状をなし、当該素子形成領域をその周囲から絶縁分離するための分離部とを含む、 半導体装置。」 （イ）相違点 ・相違点２－１ 本願発明２における「半導体チップに係る領域」は「表面、前記表面の反対側に位置する裏面、ならびに、前記表面および前記裏面を接続する側面を有する半導体チップ」であるのに対し、当審引用発明における「半導体チップに係る領域」（ＩＣチップを構成する各種半導体デバイスが形成される領域であるチップ領域１０Ｃ）は、表面および裏面を接続する側面を有する半導体チップではない点。 ・相違点２－２ 本願発明２は「前記半導体チップに係る領域（半導体チップ）の前記表面から掘り下がったパターン用トレンチに誘電体を埋設することにより形成されたパターン」を含むのに対し、当審引用発明は当該構成を特定しない点。 ・相違点２－３ 本願発明２は「前記半導体チップに係る領域（半導体チップ）の前記表面から掘り下がった環状パターン用トレンチに誘電体を埋設することにより形成され、前記パターンを取り囲む環状をなす環状パターン」を含むのに対し、当審引用発明は当該構成を特定しない点。 ・相違点２－４ 本願発明２では「前記パターンは、角部を有しており、前記環状パターンは、角部を有していない」のに対し、当審引用発明は当該構成を特定しない点。 （３）本願発明９と当審引用発明との対比 ア　当審引用発明における「ＩＣチップを構成する各種半導体デバイスが形成される領域であるチップ領域１０Ｃ」は、本願発明９における「半導体チップに対応するチップ領域」に相当するといえる。 また、当審引用発明における「一つの半導体チップの周囲に設けられ、半導体チップをダイシングする際のダイシングエリアを含むスクライブ領域１０Ｓ」は、本願発明９における「チップ領域を区画するダイシング領域」に相当するといえる。 さらに、当審引用発明における「半導体層１０」は、本願発明９における「半導体層」に相当するといえる。 そして、当審引用発明における「ＩＣチップを構成する各種半導体デバイスが形成される領域であるチップ領域１０Ｃ」及び「一つの半導体チップの周囲に設けられ、半導体チップをダイシングする際のダイシングエリアを含むスクライブ領域１０Ｓ」は、「半導体層１０」の表面に設定されたものであるといえる。 そうすると、本願発明９と当審引用発明は、「半導体チップに対応するチップ領域、および、前記チップ領域を区画するダイシング領域が設定された表面を有する半導体層」を有する点において共通するといえる。 イ　当審引用発明における「素子分離絶縁層２２」は「ＩＣチップを構成する各種半導体デバイスが形成される領域であるチップ領域１０Ｃ」を囲むものであるから、「半導体素子が形成される素子形成領域を取り囲む環状をな」すものであるといえる。 また、当審引用発明における「トレンチ１６」及び「絶縁層」は、それぞれ、本願発明９における「素子分離用トレンチ」及び「誘電体」に相当するといえる。 さらに、当審引用発明における「素子分離絶縁層２２」が「素子形成領域をその周囲から絶縁分離するため」のものであることは明らかであるから、当審引用発明における「素子分離絶縁層２２」は、本願発明９における「素子形成領域をその周囲から絶縁分離するための分離部」に相当するといえる。 そうすると、本願発明９と当審引用発明は、「前記チップ領域において、前記半導体層の前記表面から掘り下がった素子分離用トレンチに誘電体を埋設することにより形成され、半導体素子が形成される素子形成領域を取り囲む環状をなし、当該素子形成領域をその周囲から絶縁分離するための分離部」を有する点において共通するといえる。 ウ　本願発明９と当審引用発明は、「半導体装置」である点において共通するといえる。 エ　以上から、本願発明９と当審引用発明は、下記（ア）の点で一致し、下記（イ）の点で相違すると認める。 （ア）一致点 「半導体チップに対応するチップ領域、および、前記チップ領域を区画するダイシング領域が設定された表面を有する半導体層と、 前記チップ領域において、前記半導体層の前記表面から掘り下がった素子分離用トレンチに誘電体を埋設することにより形成され、半導体素子が形成される素子形成領域を取り囲む環状をなし、当該素子形成領域をその周囲から絶縁分離するための分離部と、 を含む、半導体装置。」 （イ）相違点 ・相違点９－１　本願発明９は「前記チップ領域において、前記半導体層の前記表面から掘り下がったチップ側パターン用トレンチに誘電体を埋設することにより形成されたチップ側パターン」を含むのに対し、当審引用発明は当該構成を特定しない点。 ・相違点９－２　本願発明９は「前記チップ領域において、前記半導体層の前記表面から掘り下がったチップ側環状パターン用トレンチに誘電体を埋設することにより形成され、前記チップ側パターンを取り囲む環状をなすチップ側環状パターン」を含むのに対し、当審引用発明は当該構成を特定しない点。 ・相違点９－３　本願発明では「前記チップ側パターンは、角部を有しており、前記チップ側環状パターンは、角部を有していない」のに対し、当審引用発明は当該構成を特定しない点。 ４　判断 （１）本願発明１について 相違点１－３ないし１－５についてまとめて検討する。 当審引用文献１及び２には、相違点１－３ないし１－５に係る構成について記載も示唆もされておらず、相違点１－３ないし１－５に係る構成は、当審引用文献１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に想到し得たものであるとはいえない。 したがって、本願発明１は、当審引用文献１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 （２）本願発明２について 相違点２－２ないし２－４についてまとめて検討する。 当審引用文献１及び２には、相違点２－２ないし２－４に係る構成について記載も示唆もされておらず、相違点２－２ないし２－４に係る構成は、当審引用文献１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に想到し得たものであるとはいえない。 したがって、本願発明２は、当審引用文献１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 （３）本願発明３ないし８について 本願発明３ないし８は、本願発明１又は２の発明特定事項を全て有するものである。 そうすると、本願発明１の相違点１－３ないし１－５に係る構成、及び、本願発明２の相違点２－２ないし２－４に係る構成が、当審引用文献１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に想到し得たものであるとはいえない以上、本願発明３ないし８は、当審引用文献１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 （４）本願発明９について 相違点９－１ないし９－３についてまとめて検討する。 当審引用文献１及び２には、相違点９－１ないし９－３に係る構成について記載も示唆もされておらず、相違点９－１ないし９－３に係る構成は、当審引用文献１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に想到し得たものであるとはいえない。 したがって、本願発明９は、当審引用文献１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 （５）本願発明１０ないし１２について 本願発明１０ないし１２は、本願発明９の発明特定事項を全て有するものである。 そうすると、本願発明９の相違点９－１ないし９－３に係る構成が、当審引用文献１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に想到し得たものであるとはいえない以上、本願発明１０ないし１２は、当審引用文献１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 ５　当審拒絶理由についてのまとめ 以上のとおり、本願発明１ないし１２は、当審引用文献１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものということはできないから、当審拒絶理由によっては、本願を拒絶することはできない。 第５　結言 以上のとおり、原査定の理由及び当審拒絶理由によっては、本願を拒絶することはできない。 また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり審決する。