2016-006666

特願２０１４－　５１９５１「底部シールド安定化磁気シード層を有する装置、データリーダ、およびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２６年　９月２９日出願公開、特開２０１４－１８２８６８、請求項の数（８）〕について、次のとおり審決する。

【結　論】 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。

【理　由】 第１ 手続の経緯 本願は、平成２６年３月１４日（パリ条約による優先権主張２０１３年３月１６日　米国（ＵＳ））の出願であって、平成２６年５月１３日付けで手続補正がされ、平成２７年２月２７日付けで拒絶理由が通知され、同年９月２日付けで手続補正がされたが、同年１２月１７日付けで拒絶査定がされ、これに対して、平成２８年５月６日に拒絶査定不服審判が請求され、同時に手続補正がされたものである。 第２ 平成２８年５月６日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）の適否 １．本件補正の内容 本件補正は、特許請求の範囲を補正するものであって、本件補正の前（平成２７年９月２日付けの手続補正）に、 「　　【請求項１】 磁気シード層の上に自由磁化構造と、固定磁化構造とを備える磁気スタックと、 上部シールドと反対側で前記磁気シード層に接触して隣接する底部シールドとを備え、前記底部シールドは、既定の磁気配向に対して設定された固定ピン磁化を備える、 装置。 【請求項２】 前記磁気スタックの前記固定磁化構造が、合成反強磁性体（ＳＡＦ）を備える、請求項１に記載の装置。 【請求項３】 反強磁性体（ＡＦＭ）が、前記磁気スタックの前記磁気シードと前記固定磁化構造との間に配置される、請求項２に記載の装置。 【請求項４】 空気軸受面上の前記底部シールドの幅が、前記空気軸受面上の前記磁気スタックの幅よりも大きい、請求項１～請求項３のいずれか１項に記載の装置。 【請求項５】 磁気シード層の上に自由磁化構造と、固定磁化構造とを備える磁気スタックと、 上部シールドと反対側で前記磁気シード層に接触して隣接し、結合された底部シールドとを備え、 前記底部シールドは、既定の磁気配向に対して設定された固定ピン磁化を備える、データリーダー。 【請求項６】 空気軸受面上の前記底部シールドの幅が、前記空気軸受面上の前記磁気スタックの幅よりも大きい、請求項５に記載のデータリーダー。 【請求項７】 磁気シード層の上に自由磁化構造と、固定磁化構造とを備える磁気スタックを成形することと、 前記磁気シード層を上部シールドの反対側の底部シールドに接触させることとを含み、 前記底部シールドが、既定の磁気配向に対して設定された固定ピン磁化を備える、 方法。 【請求項８】 空気軸受面上の前記底部シールドの幅が、前記空気軸受面上の前記磁気スタックの幅よりも大きい、請求項７に記載の方法。」 とあったところを、 「　　【請求項１】 磁気シード層の上に自由磁化構造と、固定磁化構造とを備える磁気スタックと、 上部シールドと反対側で前記磁気シード層に接触して隣接する底部シールドとを備え、前記底部シールドは、前記磁気シード層の安定化を可能とするために既定の磁気配向に対して設定された固定ピン磁化を備える、 装置。 【請求項２】 前記磁気スタックの前記固定磁化構造が、合成反強磁性体（ＳＡＦ）を備える、請求項１に記載の装置。 【請求項３】 反強磁性体（ＡＦＭ）が、前記磁気スタックの前記磁気シードと前記固定磁化構造との間に配置される、請求項２に記載の装置。 【請求項４】 空気軸受面上の前記底部シールドの幅が、前記空気軸受面上の前記磁気スタックの幅よりも大きい、請求項１～請求項３のいずれか１項に記載の装置。 【請求項５】 磁気シード層の上に自由磁化構造と、固定磁化構造とを備える磁気スタックと、 上部シールドと反対側で前記磁気シード層に接触して隣接し、結合された底部シールドとを備え、 前記底部シールドは、前記磁気シード層の安定化を可能とするために既定の磁気配向に対して設定された固定ピン磁化を備える、データリーダー。 【請求項６】 空気軸受面上の前記底部シールドの幅が、前記空気軸受面上の前記磁気スタックの幅よりも大きい、請求項５に記載のデータリーダー。 【請求項７】 磁気シード層の上に自由磁化構造と、固定磁化構造とを備える磁気スタックを成形することと、 前記磁気シード層を上部シールドの反対側の底部シールドに接触させることとを含み、 前記底部シールドが、前記磁気シード層の安定化を可能とするために既定の磁気配向に対して設定された固定ピン磁化を備える、 方法。 【請求項８】 空気軸受面上の前記底部シールドの幅が、前記空気軸受面上の前記磁気スタックの幅よりも大きい、請求項７に記載の方法。」 とするものである。下線は請求人が補正箇所を明示するために付したものである。 （１）請求項１について 本件補正は、特許請求の範囲の請求項１において、 「前記底部シールドは、既定の磁気配向に対して設定された固定ピン磁化を備える」とあったところを、 「前記底部シールドは、前記磁気シード層の安定化を可能とするために既定の磁気配向に対して設定された固定ピン磁化を備える」 とする補正（以下、「補正事項１」という。）を含んでいる。 （２）請求項２について 請求項２自体の記載は補正されていないが、請求項２は、請求項１を引用する従属請求項であることから、実質的に「補正事項１」と同じ補正（以下、「補正事項２」という。）を含んでいる。 （３）請求項３について 請求項３自体の記載は補正されていないが、請求項３は、請求項１を間接的に引用する従属請求項であることから、実質的に「補正事項１」と同じ補正（以下、「補正事項３」という。）を含んでいる。 （４）請求項４について 請求項４自体の記載は補正されていないが、請求項４は、請求項１を直接又は間接的に引用する従属請求項であることから、実質的に「補正事項１」と同じ補正（以下、「補正事項４」という。）を含んでいる。 （５）請求項５について 本件補正は、特許請求の範囲の請求項５において、 「前記底部シールドは、既定の磁気配向に対して設定された固定ピン磁化を備える」とあったところを、 「前記底部シールドは、前記磁気シード層の安定化を可能とするために既定の磁気配向に対して設定された固定ピン磁化を備える」 とする補正（以下、「補正事項５」という。）を含んでいる。 （６）請求項６について 請求項６自体の記載は補正されていないが、請求項６は、請求項５を引用する従属請求項であることから、実質的に「補正事項５」と同じ補正（以下、「補正事項６」という。）を含んでいる。 （７）請求項７について 本件補正は、特許請求の範囲の請求項７において、 「前記底部シールドは、既定の磁気配向に対して設定された固定ピン磁化を備える」とあったところを、 「前記底部シールドは、前記磁気シード層の安定化を可能とするために既定の磁気配向に対して設定された固定ピン磁化を備える」 とする補正（以下、「補正事項７」という。）を含んでいる。 （６）請求項８について 請求項８自体の記載は補正されていないが、請求項８は、請求項７を引用する従属請求項であることから、実質的に「補正事項７」と同じ補正（以下、「補正事項８」という。）を含んでいる。 ２．補正の適否 （１）補正事項１について 本件補正の補正事項１は、請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「底部シールド」について、「前記磁気シード層の安定化を可能とするために既定の磁気配向に対して設定された固定ピン磁化を備える」との限定を付加するものであって、補正前の請求項１に記載された発明と補正後の請求項１に記載された発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるから、特許法第１７条の２第５項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。 また、特許法第１７条の２第３項、第４項に違反するところはない。 そこで、本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明１」という。）が特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか（特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか）について以下に検討する。 ア．刊行物の記載事項 ａ．引用例１ 原査定の拒絶の理由に引用された本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２０１３－８４３９号公報（以下、「引用例１」という。）には、「センサ積層体、シールド、および第１のシールド安定化構造を備える装置、センサ積層体、シールド、および磁性層を備える装置、データ記憶媒体、記録ヘッド、およびアームを備える装置」について、図面とともに以下の記載がある。なお、下線は当審で付与した。 （ア）「【００１６】 図３はトンネリング磁気抵抗センサアセンブリ６０の概略図である。リーダセンサ６２は第１のまたは底部シールド６４と第２のまたは頂部シールド６６との間に位置決めされる。非磁性キャップ層６８がセンサを頂部シールドから分離した。磁性層または永久磁石７０および７２はリーダセンサの対向する側に位置決めされる。リーダセンサは、シード層７４と、反強磁性層７６と、合成反強磁性構造７８と、バリア層８０と、自由層８２と、キャッピング層８４とを含む層状の積層体を含む。 【００１７】 公知の記録ヘッドについては、リーダシールドは、約０．２μｍから約２μｍの範囲にわたる厚みを有する。非磁性リーダ積層体のシード層およびキャップ層はシールドをリーダ積層体から分離して磁気結合効果を最小限にする。通常、シールドの磁性方向は、外部磁界が全くなければ、記録ヘッドの空気軸受表面（ＡＢＳ）に平行に設定される。（漂遊磁界などの）外部磁界が導入されると、シールドの磁性方向は外部磁界に応答し、リーダセンサを擾乱から保護するように回転する。外部磁界が除去された際にリーダ積層体区域近くのシールドが元の磁性状態に戻ることができない場合、リーダの応答に不確実性が加わり、リーダ信号にノイズが加わる。さらに、記録ヘッド構築プロセスにおける異なるアニール温度および方向も、外部磁界に応答する際にシールドの磁性に対して不確実性を加えることがある。したがって、何らかの外部磁気擾乱の後は、リーダセンサ近くのシールドまたはシールドの少なくとも一部が同じ磁性状態に戻ることが望ましい。」 （イ）「【００３２】 図１０は、開示の別の局面に従って構成されるセンサアセンブリ２００を図示する概略図である。センサアセンブリは、第１のまたは底部シールド２０４と第２のまたは頂部シールド２０６との間に位置決めされるリーダセンサ２０２を含む。リーダセンサは図３のリーダセンサに示される層と同じ配置を含むことができる。しかしながら、この開示は任意の特定のリーダセンサ積層体構成に限定されるものではない。第１および第２の磁性層または永久磁石２０８および２１０はリーダセンサの対向する側に位置決めされる。 【００３３】 ＡＦＭシールド安定化構造２１２はセンサ積層体と頂部シールドとの間に位置決めされる。図４のＡＦＭバイアス構造と同様に、非磁性層２１４は、シールドおよびリーダセンサ（およびＰＭ）をシールド安定化構造から磁気的に分離するように含まれる。非磁性層２１６は、シールド２０６とシールド安定化構造２１２とを磁気的に分離するように含まれる。層２１８および２２０は（たとえばＮｉＦｅＸまたはＣｏＦｅＸ合金などの）磁性材料であり、（たとえばＲｕなどの）非磁性スペーサ層２２２によって分離されてＳＡＦ結合を導入する。（ＣｏＦｅなどの）薄い磁性層２２４および２２６をスペーサ層２２２の両側に挿入して層２１８および２２０中の（ＮｉＦｅなどの）いくつかの材料についてＳＡＦ結合を増大させることができる。ＡＦＭ層２２８は層２１８に隣接して位置決めされる。（ＣｏＦｅなどの）薄い磁性層２３０は、層２１８がＮｉＦｅ系合金である場合は、十分なＡＦＭバイアスを得るのに必要となることがある。両方の層２１８および２２０の厚みは、層２１８と２２０との間でバランスのとれた磁気モーメントを得るために最適化することができる。バランスのとれたＳＡＦ構造の結果、層２１８と２２０との間で磁束が閉じ、リーダセンサの他の層に対して不所望のトルクを全く与えない。シールド２０６とＡＦＭシールド安定化構造２１２と非磁性層２１６との組合せが複合シールド２３２を形成する。 【００３４】 別のＡＦＭシールド安定化構造２３４をセンサ積層体と底部シールドとの間に位置決めする。シールド２０４とシールド安定化構造２３４とを磁気的に分離するように非磁性層２３６を含む。層２３８および２４０は（たとえばＮｉＦｅＸまたはＣｏＦｅＸ合金などの）磁性材料であり、（たとえばＲｕなどの）非磁性スペーサ層２４２によって分離されてＳＡＦ結合を導入する。（ＣｏＦｅなどの）薄い磁性層２４４および２４６をスペーサ層２４２の両側に挿入して層２３８および２４０中の（ＮｉＦｅなどの）いくつかの材料についてＳＡＦ結合を増大させることができる。ＡＦＭ層２４８は層２４０に隣接して位置決めされる。（ＣｏＦｅなどの）薄い磁性層２５０は、層２４０がＮｉＦｅ系合金である場合に、十分なＡＦＭバイアスを得るのに必要となることがある。両方の層２３８および２４０の厚みは、層２３８および２４０中の矢印で図示されるように、層２３８と２４０との間でバランスのとれた逆平行磁気モーメントを得るように最適化することができる。バランスのとれたＳＡＦ構造の結果、層２３８と２４０との間で磁束が閉じ、リーダセンサの他の層に対して不所望のトルクを全く与えない。シールド２０４とＡＦＭシールド安定化構造２３４と非磁性層２３６との組合せが複合シールド２５２を形成する。 【００３５】 構造２１２の磁化のアニール方向は、ＳＡＦ構造中で所望の磁性方向を得るように調節可能である。図１０に示されるように、ＡＦＭ層に対する磁化の方向は右から左に設定され、層２１８に右から左への磁性方向を与える。層２１８と２２０との間のＳＡＦ結合により、層２２０の磁化の方向は左から右に整列され、これは、ＰＭバイアス方向と同じ磁性の向きを確実にする。ＡＦＭ層２２８からのバイアス磁界と結合される、層２１８と２２０との間の強いＳＡＦ結合は、外部磁界が除去された際に全体構造２１２が図１０に示されるような元の状態に戻ることを確実にする。このことは、新しいビットがリーダの近傍に来るときは常に、リーダセンサ近くのシールドが常に同じ磁性状態を有することを確実にし、シールドの不安定性から生じ得る不確実性を低減する。」 ・上記（ア）及び図３によれば、リーダセンサは、シード層７４と、反強磁性層７６と、合成反強磁性構造７８と、バリア層８０と、自由層８２と、キャッピング層８４とを含む層状の積層体を含むものである。 ・上記（イ）によれば、センサアセンブリは、底部シールド２０４と頂部シールド２０６との間に位置決めされるリーダセンサ２０２を含むものであり、リーダセンサは図３のリーダセンサに示される層と同じ配置のものである。また、ＡＦＭシールド安定化構造２３４がセンサ積層体と底部シールドとの間に位置決めされ、シールド２０４とＡＦＭシールド安定化構造２３４と非磁性層２３６との組合せが複合シールド２５２を形成するものである。 以上の点を踏まえて、上記記載事項および図面を総合的に勘案すると、引用例１には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。 「リーダセンサはシード層７４と、反強磁性層７６と、合成反強磁性構造７８と、バリア層８０と、自由層８２と、キャッピング層８４とを含む層状の積層体を含み、 底部シールド２０４と頂部シールド２０６との間に位置決めされるリーダセンサ２０２を含み、 ＡＦＭシールド安定化構造２３４がセンサ積層体と底部シールド２０４との間に位置決めされ、 底部シールド２０４とＡＦＭシールド安定化構造２３４と非磁性層２３６との組合せが複合シールド２５２を形成するセンサアセンブリ。」 ｂ．引用例２ 原査定の拒絶の理由に引用された本願の優先日前に頒布された刊行物である米国特許出願公開第２００９／０１７４９６８号明細書（以下、「引用例２」という。）には、「ＭＡＧＮＥＴＩＣ　ＳＥＮＳＩＮＧ　ＤＥＶＩＣＥ　ＷＩＴＨ　ＲＥＤＵＣＥＤ　ＳＨＩＥＬＤ－ＴＯ－ＳＨＩＥＬＤ　ＳＰＡＣＩＮＧ」について、図面とともに以下の記載がある。なお、当審で作成した日本語仮訳を併記した。また、下線は当審で付与した。 （カ）「［0003］ An MR sensor may include shields consisting of high permeability materials that function to protect the sensor from stray magnetic fields originating from adjacent magnetic bits on the medium. With decreasing sensor size, the shield-to-shield spacing of the MR sensor should be made smaller to adequately screen the flux from adjacent bits. However, the seed and cap layers of the magnetic sensor occupy a large proportion of the total stack thickness and provide a limit to the reduction of the shield-to-shield spacing for magnetic sensors.」 （当審訳：「［0003］ ＭＲセンサは、媒体上の隣接する磁気ビットに由来する浮遊磁界からセンサを保護するために機能する高透磁率材料からなるシールドを含むことができる。センササイズが減少して、ＭＲセンサのシールド間の間隔は、隣接ビットからの磁束をスクリーニングする十分に小さくする必要がある。しかしながら、磁気検出素子のシード層及びキャップ層は、全スタック厚さの大きな割合を占め、磁気センサの磁気シールド層の間隔の低減に限界を与える。」） （キ）「［0004］ The present invention relates to a magnetic sensor including first and second shields each comprised of a magnetic material. The first and second shields define a physical shield-to-shield spacing. A sensor stack is disposed between the first and second shields and includes a seed layer adjacent the first shield, a cap layer adjacent the second shield, and a magnetically sensitive portion between the seed layer and the cap layer. At least a portion of the seed layer and/or the cap layer comprises a magnetic material to provide an effective shield-to-shield spacing of the magnetic sensor assembly that is less than the physical shield-to-shield spacing.」 （当審訳：「［0004］ 本発明は、磁性材料からなる第１及び第２のシールドを備えた磁気センサに関するものである。第１及び第２のシールドは、物理シールド間の間隔を定義する。センサスタックは、第１及び第２のシールドの間に配置され、第１のシールドに隣接するシード層、第２のシールドに隣接するキャップ層、そして、シード層とキャップ層との間に磁気的に感度が良い部分を含んでいる。シード層及び/又はキャップ層の少なくとも一部分は、物理シールド間隔よりは小さい磁気センサアセンブリの有効なシールド間間隔を提供する磁性材料を含む。」） （ク）「［0010］ FIG. 1 is a layer diagram of magnetic sensor assembly 10 including first shield layer 12 , seed layer 14 , pinning layer 16 , pinned layer 18 , coupling layer 20 , reference layer 22 , barrier layer 24 , first free layer 26 , second free layer 28 , cap layer 30 , and second shield layer 32 . First shield layer 12 and second shield layer 32 are made of a magnetic material, such as NiFe, NiFeCu, or NiCoFe. Sensor stack 36 includes seed layer 14 , cap layer 30 , and magnetic sensor 38 . Magnetic sensor 38 includes pinning layer 16 , pinned layer 18 , coupling layer 20 , reference layer 22 , barrier layer 24 , first free layer 26 , and second free layer 28 . Sensor stack 36 may be formed by depositing successive layers on first shield layer 12 or may be formed in a separate process and later incorporated between first shield layer 12 and second shield layer 32 .」 （当審訳：「［0010］ 図1は、第１のシールド層12、シード層14、ピニング層16、ピンド層18、結合層20と、基準層22、バリア層24、第１の自由層26、第2のフリー層28、キャップ層30及び第２のシールド層32を含む磁気センサアセンブリ10の階層図である。第１のシールド層12と第２のシールド層32は、磁性材料、例えばNiFe、NiFeCu、NiCoFeなどで形成されている。センサ積層体36は、シード層14、キャップ層30、磁気センサ38を備えている。磁気センサ38は、ピン層16、ピンド層18、連結層20、基準層22、バリア層24、第１の磁化自由層26と、第２のフリー層28とを備えている。センサスタック36は、第１のシールド層12の上に連続的な層を積層させることによって形成してもよいし、別工程で形成された後に第１のシールド層12および第２のシールド層32との間に組み込むこともできる。」） （ケ）「［0014］ Magnetic sensor assembly 10 has a physical shield-to-shield spacing ssp. The linear density of magnetic sensor assembly 10 is strongly correlated to the shield-to-shield spacing of magnetic sensor assembly. Consequently, in order to increase the linear density (i.e., the number of magnetic transitions per unit length) of magnetic sensor assembly 10 , the shield-to-shield spacing may be reduced from physical shield-to-shield spacing ssp. One approach to accomplishing this is to form seed layer 14 , which has a thickness tseed, of a magnetic material. The material selected for seed layer 14 may have some or all of the following properties: magnetically soft, crystalline structure that matches the crystalline structure of first shield layer 12 , adequate pinning field for pinned layer 18 of magnetic sensor 38 , low electrical resistance, high corrosion resistance, and high bulk oxidation resistance. Alternatively, seed layer 14 may be made of an amorphous material. In some embodiments, seed layer 14 has a coercivity of less than about 2.0 Oe. In other embodiments, seed layer 14 has a coercivity of less than about 10 Oe. In further embodiments, seed layer 14 has a coercivity of more than about 10 Oe. In addition, the magnetostriction and/or magnetic anisotropy of the material may be considered in selecting the material for seed layer 14 . In some embodiments, seed layer 14 is comprised of NiFe, NiFeNb, NiFeTa, NiFeRh, CoZrTa, CoZrNb, CoZrNd, CoFeB, CoFeTa, CoFeZr, CoFeRh, CoFe, CoCr, or Ni>70%Cr<30%. In the case of CoZrTa, the atomic percentage of each of Ta and Zr may be in the range of about 2% to about 10%. When seed layer 14 is made of a material having these properties, the shield-to-shield spacing of magnetic sensor assembly 10 is reduced from physical shield-to-shield spacing ssp by the thickness tseed of seed layer 14 to an effective shield-to-shield spacing sseff. In other words, effective shield-to-shield spacing sseff is defined by the distance between magnetic layers most proximate to sensor stack 38 in magnetic sensor assembly 10 . In some embodiments, seed layer 14 has a thickness tseed between about 10 Å and about 1,000 Å. In an alternative embodiment, the physical shield-to-shield spacing ssp may be reduced by eliminating seed layer 14 entirely.」 （当審訳：「［0014］ 磁気センサアセンブリ10は、物理シールド間隔ｓｓｐを有している。磁気センサアセンブリ10の線密度が磁気センサアセンブリのシールド間隔と強く相関する。したがって、磁気センサアセンブリ10の線密度(すなわち、単位長さ当たりの磁気遷移数)を増加させるために、シールド間間隔は、物理シールド間隔ｓｓｐから減少させられる。これを達成する１つの方法は、磁性材料のシード層14を形成することであり、シード層の厚さはｔｓｅｅｄである。シード層14用の材料は、次に挙げる幾つか又は全ての特性を有していてもよい。第１のシールド層12の結晶構造に一致する軟磁性結晶構造、磁気センサ38の固着層18に十分なピン止め磁場、低電気抵抗、高耐食性、高バルク耐酸化性。あるいは、シード層14は、非晶質材料を用いることができる。いくつかの実施形態では、シード層14は約２．０ Ｏｅ未満の保磁力を有する。他の実施形態では、シード層14は約１０　Ｏｅ未満の保磁力を有する。さらなる実施形態では、シード層14は、約１０　Ｏｅ以上の保磁力を有する。さらに、材料の磁気歪みおよび/または磁気異方性は、シード層14の材料を選択することが考えられる。いくつかの実施形態では、シード層14は、NiFe、NiFeNb、NiFeTa、NiFeRh、CoZrTa、CoZrNb、CoZrNb、CoFeB、CoFeTa、CoFeZr、coferh、CoFe、CoCr、Ni>70%Cr<30%から構成されている。CoZrTaの場合、Ta及びZrの原子百分率は、約２％から約１０％の範囲であってもよい。シード層14が、これらの特性を有する材料で形成されている場合には、磁気センサアセンブリ10のシールド間の間隔はシード層14の膜厚ｔｓｅｅｄによって物理シールド間隔ｓｓｐから有効なシールド間間隔ｓｓｅｆｆに減少する。換言すると、有効なシールド間間隔ｓｓｅｆｆが磁気センサアセンブリ10内のセンサスタック38に最も近い磁性層との間の距離によって定義される。いくつかの実施形態では、シード層14は約１０Åから約１，０００Åの間の厚さｔｓｅｅｄを有している。代替実施形態では、物理的なシールド間間隔ｓｓｐは、シード層14を除去することにより、完全に低減することができる。」） （コ）「［0025］ In summary, the present invention relates to a magnetic sensor including first and second shields each comprised of a magnetic material. The first and second shields define a physical shield-to-shield spacing. A sensor stack is disposed between the first and second shields and includes a seed layer adjacent the first shield, a cap layer adjacent the second shield, and a magnetic sensor between the seed layer and the cap layer. At least a portion of the seed layer and/or the cap layer comprises a magnetic material to provide an effective shield-to-shield spacing of the magnetic sensor assembly that is less than the physical shield-to-shield spacing. By reducing the shield-to-shield spacing of the magnetic sensor, the linear density of the magnetic sensor is increased. This allows for reading of higher density media and improves shielding of the magnetic sensor from flux from adjacent bits. In addition, a magnetic seed layer of sufficient thickness results in a large pinning field, thereby improving the magnetic stability of the device.」 （当審訳：「［0025］ 要約すれば、本発明は、磁性材料からなる第１及び第２のシールドを備えた磁気センサに関するものである。第１及び第２のシールドは、物理シールド間の間隔を定義する。センサスタックは、第１及び第２のシールドの間に配置され、第１のシールドに隣接するシード層、第２のシールドに隣接するキャップ層、シード層とキャップ層との間の磁気センサを備えている。シード層及び/又はキャップ層の少なくとも一部分は、物理シールド間隔よりは小さい磁気センサ組立体の有効なシールド間間隔を提供する磁性材料を含む。磁気センサのシールド間の間隔を低減することにより、磁気センサの線密度が増加する。より高密度媒体の読取りを可能にし、隣接ビットからの磁束から磁気センサの遮蔽を向上させることができる。充分な膜厚の磁性シード層によって、大きなピン固着磁界が発生し、その結果、装置の磁気的な安定性を向上させることができる。」） ・上記（カ）によれば、磁気検出素子のシード層及びキャップ層は、全スタックの厚さの大きな割合を占め、磁気センサの磁気シールド層の間隔の低減に限界を与えるものである。 ・上記（キ）によれば、シード層が磁性材料を含むものである。 ・上記（ク）及び図１によれば、磁気センサアセンブリは、第１のシールド層12、シード層14、ピニング層16、ピンド層18、結合層20と、基準層22、バリア層24、第1の自由層26、第2のフリー層28、キャップ層30及び第2のシールド層32を含むものである。 ・上記（ケ）によれば、シード層14がある特性を有する材料で形成される場合には、磁気センサアセンブリ10のシールド間の間隔はシード層14の膜厚tseedによって物理シールド間隔sspから有効なシールド間間隔sseffに減少するものである。 ・上記（コ）によれば、センサスタックは、第１及び第２のシールドの間に配置され、第１のシールドに隣接するシード層、第２のシールドに隣接するキャップ層、シード層とキャップ層との間の磁気センサを備え、シード層及び/又はキャップ層の少なくとも一部分は、磁性材料を含むものである。また、充分な膜厚の磁性シード層によって、大きなピン固着磁界が発生し、その結果、装置の磁気的な安定性を向上させることができるものである。 以上の点を踏まえて、上記記載事項および図面を総合的に勘案すると、引用例２には、次の技術事項が記載されている。 「センサスタックは、第１及び第２のシールドの間に配置され、第１のシールドに隣接するシード層、第２のシールドに隣接するキャップ層、シード層とキャップ層との間の磁気センサを備え、シード層が磁性材料を含むものである」こと。 イ．対比 本願補正発明１と引用発明とを比較する。 ａ．引用発明の「自由層８２」、「反強磁性層７６と、合成反強磁性構造７８」、「積層体」は、本願補正発明１の「自由磁化構造」、「固定磁化構造」、「磁気スタック」にそれぞれ相当する。また、引用例１の図３及び図１０のセンサアセンブリの概略図を勘案すると、引用発明の「リーダセンサはシード層７４と、反強磁性層７６と、合成反強磁性構造７８と、バリア層８０と、自由層８２と、キャッピング層８４とを含む層状の積層体を含」むことは、本願補正発明１と「シード層の上に自由磁化構造と、固定磁化構造とを備える磁気スタック」を有する点で共通するといえる。 ただし、「シード層」について、本願補正発明１では、「磁気」シード層である旨特定しているのに対して、引用発明ではそのような特定がされていない点で相違する。 ｂ．引用発明の「頂部シールド２０４」は、本願補正発明１の「上部シールド」に相当する。また、引用例１の図３及び図１０のセンサアセンブリの概略図を勘案すると、引用発明の「シード層７４」は、底部シールド２０４とＡＦＭシールド安定化構造２３４と非磁性層２３６との組合せからなる「複合シード２５２」に接触して隣接していることから、引用発明の「複合シード２５２」は本願補正発明１の「底部シールド」に相当する。そして、引用発明の「複合シード２５２」は、底部シールド２０４とＡＦＭシールド安定化構造２３４と非磁性層２３６との組合せからなり、「ＡＦＭシールド安定化構造２３４」は、層２３８と２４０との間でバランスのとれた逆平行磁気モーメントを得ることから、引用発明の「ＡＦＭシールド安定化構造２３４」は本願補正発明１の「固定ピン磁化」に相当する。 したがって、引用発明の「底部シールド２０４と頂部シールド２０６との間に位置決めされるリーダセンサ２０２を含み、ＡＦＭシールド安定化構造２３４がセンサ積層体と底部シールド２０４との間に位置決めされ、底部シールド２０４とＡＦＭシールド安定化構造２３４と非磁性層２３６との組合せが複合シールド２５２を形成する」ことは、本願補正発明１の「上部シールドと反対側で前記磁気シード層に接触して隣接する底部シールドとを備え、前記底部シールドは、既定の磁気配向に対して設定された固定ピン磁化を備える」ことに相当する。 ただし、「底部シールド」について、本願補正発明１は、「磁気シード層の安定化を可能とするために」既定の磁気配向に対して設定された固定ピン磁化を備えるのに対して、引用発明において、そのような特定がなされていない点で相違する。 ｃ．引用発明の「センサアセンブリ」は、上記ａ．ないしｂ．を鑑みれば、本願補正発明１の「装置」に相当する。 そうすると、本願補正発明１と引用発明とは、以下の点で一致ないし相違する。 ＜一致点＞ 「シード層の上に自由磁化構造と、固定磁化構造とを備える磁気スタックと、 上部シールドと反対側で前記シード層に接触して隣接する底部シールドとを備え、前記底部シールドは、既定の磁気配向に対して設定された固定ピン磁化を備える、 装置。」 ＜相違点１＞ 「シード層」について、本願補正発明１は、「磁気」シード層であるのに対して、引用発明は、「シード層」を有することは記載されているが、「磁気」シード層であるとの特定がなされていない点。 ＜相違点２＞ 「底部シールド」について、本願補正発明１は、「磁気シード層の安定化を可能とするために」既定の磁気配向に対して設定された固定ピン磁化を備えるのに対して、引用発明は、そのような特定がなされていない点。 ウ．判断 上記相違点１および２について検討する。 引用例２の段落［００２５］には、充分な膜厚の磁性シード層によって、大きなピン固着磁界が発生させることが記載されているものの、引用例１の段落【００１７】には、非磁性リーダ積層体のシード層はシールドをリーダ積層体から分離して磁気結合効果を最小限にすることが記載されていることを鑑みれば、引用発明の「シード層」に対して、引用例２に記載の技術事項を組み合わせる動機付けがない。 仮に、引用例１の段落【０００３】に記録密度が増大するとより高い線密度要件を満たすためおよび外部磁束を遮るために、リーダのシールド同士の間の間隔が狭くなることが記載されていることを鑑みて、引用発明の「シード層」に対して、引用例２に記載の技術事項を適用することで、引用発明の「シード層」を「磁気シード層」とする相違点１の構成とすることを当業者がなし得たとしても、引用例１の段落【００３４】の「層２３８および２４０中の矢印で図示されるように、層２３８と２４０との間でバランスのとれた逆平行磁気モーメントを得るように最適化することができる。バランスのとれたＳＡＦ構造の結果、層２３８と２４０との間で磁束が閉じ、リーダセンサの他の層に対して不所望のトルクを全く与えない。」との記載および引用発明のシード層はリーダセンサを構成する層であること、また、引用例２には第１のシールド層が磁気シード層の安定化を可能とするために既定の磁気配向に対して設定されるとの記載がないことを鑑みると、引用発明に、引用例２の技術事項を適用した際に、「磁気シード層の安定化を可能とするために」既定の磁気配向に対して設定された固定ピン磁化を備える構成を導き出すことは困難であり、「底部シールド」を本願補正発明１の「磁気シード層の安定化を可能とするために既定の磁気配向に対して設定された固定ピン磁化を備える」ものとする相違点２の構成とすることまで容易であるとはいえない。 したがって、本願補正発明１は、引用発明及び引用例２に記載された技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。 よって、本件補正の補正事項１は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合する。 （２）補正事項２について 本件補正の補正事項２は、実質的に補正事項１と同じであり、請求項１を引用する請求項２についても、特許法第１７条の２第５項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する補正がなされたことになること、そして、補正前の請求項２に記載された発明と補正後の請求項２に記載された発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるから、特許法第１７条の２第５項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。 また、特許法第１７条の２第３項、第４項に違反するところはない。 本願補正発明２は、本願補正発明１に係る発明をさらに限定した発明であるから、上記「（１）ウ．」と同じ理由により、特許出願の際に独立して特許を受けることができるものである。 よって、本件補正の補正事項２は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合する。 （３）補正事項３について 本件補正の補正事項３は、実質的に補正事項１と同じであり、請求項１を間接的に引用する請求項３についても、特許法第１７条の２第５項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する補正がなされたことになること、そして、補正前の請求項３に記載された発明と補正後の請求項３に記載された発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるから、特許法第１７条の２第５項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。 また、特許法第１７条の２第３項、第４項に違反するところはない。 本願補正発明３は、本願補正発明１に係る発明をさらに限定した発明であるから、上記「（１）ウ．」と同じ理由により、特許出願の際に独立して特許を受けることができるものである。 よって、本件補正の補正事項３は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合する。 （４）補正事項４について 本件補正の補正事項４は、実質的に補正事項１と同じであり、請求項１を直接又は間接的に引用する請求項４についても、特許法第１７条の２第５項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する補正がなされたことになること、そして、補正前の請求項４に記載された発明と補正後の請求項４に記載された発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるから、特許法第１７条の２第５項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。 また、特許法第１７条の２第３項、第４項に違反するところはない。 本願補正発明４は、本願補正発明１に係る発明をさらに限定した発明であるから、上記「（１）ウ．」と同じ理由により、特許出願の際に独立して特許を受けることができるものである。 よって、本件補正の補正事項４は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合する。 （５）補正事項５について 本件補正の補正事項５は、実質的に補正事項１と同じであり、請求項５についても、特許法第１７条の２第５項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する補正がなされたことになること、そして、補正前の請求項５に記載された発明と補正後の請求項５に記載された発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるから、特許法第１７条の２第５項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。 また、特許法第１７条の２第３項、第４項に違反するところはない。 本願補正発明５は、本願補正発明１に係る発明の「装置」を「データリーダー」としたものであり、本願補正発明１の発明特定事項を含むから、上記「（１）ウ．」と同じ理由により、特許出願の際に独立して特許を受けることができるものである。 よって、本件補正の補正事項５は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合する。 （６）補正事項６について 本件補正の補正事項６は、実質的に補正事項１と同じであり、請求項５を引用する請求項６についても、特許法第１７条の２第５項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する補正がなされたことになること、そして、補正前の請求項６に記載された発明と補正後の請求項６に記載された発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるから、特許法第１７条の２第５項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。 また、特許法第１７条の２第３項、第４項に違反するところはない。 本願補正発明６は、本願補正発明５に係る発明をさらに限定した発明であるから、上記「（１）ウ．」と同じ理由により、特許出願の際に独立して特許を受けることができるものである。 よって、本件補正の補正事項６は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合する。 （７）補正事項７について 本件補正の補正事項７は、実質的に補正事項１と同じであり、請求項７についても、特許法第１７条の２第５項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する補正がなされたことになること、そして、補正前の請求項７に記載された発明と補正後の請求項７に記載された発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるから、特許法第１７条の２第５項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。 また、特許法第１７条の２第３項、第４項に違反するところはない。 本願補正発明７は、本願補正発明１に係る発明の「装置」を「方法」としたものであり、本願補正発明１の発明特定事項を含むから、上記「（１）ウ．」と同じ理由により、特許出願の際に独立して特許を受けることができるものである。 よって、本件補正の補正事項７は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合する。 （８）補正事項８について 本件補正の補正事項８は、実質的に補正事項１と同じであり、請求項７を引用する請求項８についても、特許法第１７条の２第５項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する補正がなされたことになること、そして、補正前の請求項８に記載された発明と補正後の請求項８に記載された発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるから、特許法第１７条の２第５項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。 また、特許法第１７条の２第３項、第４項に違反するところはない。 本願補正発明８は、本願補正発明７に係る発明をさらに限定した発明であるから、上記「（１）ウ．」と同じ理由により、特許出願の際に独立して特許を受けることができるものである。 よって、本件補正の補正事項８は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合する。 ３．本件補正についてのむすび 本件補正は、特許法第１７条の２第３項ないし第６項の規定に適合する。 第３　本願発明 本件補正は上記のとおり、特許法第１７条の２第３項ないし第６項の規定に適合するから、本願の請求項１ないし８に係る発明は、本件補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし８に記載された事項により特定されるとおりのものである。 そして、本願補正発明１ないし８は、上記「第２　２．」のとおり、当業者が引用発明に基づいて容易に発明をすることができたものではない。 したがって、本願については、原査定の拒絶理由を検討してもその理由によって拒絶すべきものとすることはできない。 また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり審決する。