2025-009310

特願２０２３－１３４５５４「カレントミラー回路及び増幅回路」拒絶査定不服審判事件〔令和７年３月７日出願公開、特開２０２５－２９７５４〕について、次のとおり審決する。

結 論 本件審判の請求は、成り立たない。

理 由 第１ 手続の経緯 本願は、令和５年８月２２日の出願であって、その手続の経緯の概要は以下のとおりである。 令和 ６年 １月１６日付け 拒絶理由通知書 ３月２５日 意見書・手続補正書 ６月 ６日付け 拒絶理由通知書 ８月１３日 意見書 １０月２９日付け 拒絶理由通知書 令和 ７年 １月２７日 意見書 ４月 ８日付け 拒絶査定 ６月１６日 審判請求書 以下では、令和７年４月８日付け拒絶査定を「原査定」という。 第２ 本願発明 本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、令和６年３月２５日の手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１の記載により特定されるとおりのものと認定する。 後の参照の便宜のため、請求項１の記載に記号Ａ～Ｆを付して以下のように分説し、「発明特定事項Ａ」のようにして参照する。 【請求項１】 Ａ 第１入力端に第１インピーダンスを有する第１回路が接続されるとともに第１出力端に基準電流源が接続され、第１制御端に前記第１出力端が接続された第１トランジスタと、 Ｂ 第２制御端が前記第１制御端に接続されるとともに第２入力端に第２インピーダンスを有する第２回路が接続され、第２出力端から前記基準電流源の基準電流に応じた出力電流を出力する第２トランジスタとを備え、 Ｃ 前記第１回路及び前記第２回路のいずれか一方又は両方は、前記出力電流が周囲温度に対して所定の変化傾向を持つように前記第１インピーダンス及び前記第２インピーダンスのいずれか一方又は両方の温度特性が設定され、 Ｄ 前記第１インピーダンスは、前記出力電流が前記周囲温度の上昇に対し増加傾向を持つように温度上昇に対して増加するように設定され、 Ｅ 前記第２インピーダンスは、前記温度上昇に対して低下するように設定される Ｆ ことを特徴とするカレントミラー回路。 第３ 原査定の概要 原査定の概要は、以下のとおりである。 １．（進歩性）この出願の請求項１～４に係る発明は、以下の文献１に記載された発明並びに文献２及び４に示される周知技術に基づいて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。 この出願の請求項５に係る発明は、以下の文献１に記載された発明並びに文献２～４に示される周知技術に基づいて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。 文献１．特開２０１０－１６５１７７号公報 文献２．特開２００５－１２４０２２号公報 文献３．特開２００７－３３６２２４号公報 文献４．特開昭５９－２１２０２６号公報 第４ 引用文献１の記載内容 原査定の拒絶の理由で引用された特開２０１０－１６５１７７号公報（以下「引用文献１」という。）の記載及び該記載から認定される発明（以下「引用発明」という。）は、以下のとおりである。 １ 引用文献１の記載 引用文献１には、以下の記載がある。なお、下線は強調のために当審で付した。 （１）「【００１９】 以上のような半導体装置によれば、抵抗素子の温度係数がそれぞれ異なるようにすることで、入力電流の温度特性と出力電流の温度特性に違いにより、正か負のいずれか一方しか持たない半導体プロセスにおいても正負任意の傾きを持つ温度特性の出力電流設定が可能となる。」 （２）「【００２２】 電流源１１は、一方の端子を電源１０と接続し、他方の端子をＮｃｈＭＯＳトランジスタＭ１のゲートとドレインとに接続する。第一の温度係数を持つ抵抗素子ＲＡ１は、ＮｃｈＭＯＳトランジスタＭ１のソースとＧＮＤ間に接続される。ＮｃｈＭＯＳトランジスタＭ２は、ゲートをＮｃｈＭＯＳトランジスタＭ１のゲートと共通に接続し、ソースとＧＮＤ間に第一の温度係数を持つ抵抗素子ＲＡ２および第二の温度係数を持つ抵抗素子ＲＢ２とを直列接続し、ドレインからドレイン電流を出力端子１２へ出力する。 【００２３】 ＮｃｈＭＯＳトランジスタＭ１、Ｍ２は、カレントミラーを構成する。抵抗素子ＲＡ１の温度係数と、抵抗素子ＲＡ２および抵抗素子ＲＢ２を合成した抵抗の温度係数とが異なるため、ＮｃｈＭＯＳトランジスタＭ１のソース電位とＮｃｈＭＯＳトランジスタＭ２のソース電位との差が温度によって異なる。このため、ＮｃｈＭＯＳトランジスタＭ１のゲート・ソース間電圧Ｖｇｓ１とＮｃｈＭＯＳトランジスタＭ２のゲート・ソース間電圧Ｖｇｓ２の差も温度によって異なってくる。したがって、電流源１１からＮｃｈＭＯＳトランジスタＭ１に流れ込む電流の温度特性と、ＮｃｈＭＯＳトランジスタＭ２のドレインから出力される電流の温度特性とは、異なる特性を示す。この場合、出力電流の温度特性の傾きは、ＲＡ２の抵抗値とＲＢ２の抵抗値の割合によって正負任意に設定可能である。」 （３）「【００２６】 従って、ＮｃｈＭＯＳトランジスタＭ１、Ｍ２のディメンジョンを同じにすると共に、下記の（１）式で示すように抵抗値を設定した場合、ＮｃｈＭＯＳトランジスタＭ１、Ｍ２に流れる電流は、ほぼ同じとなる。 ＲＡ１抵抗値≒ＲＡ２抵抗値＋ＲＢ２抵抗値 ・・・・（１）」 （４）「【００２９】 上記の（２）、（３）、（４）式より、次式が得られる。 出力電流≒（電流源１１の電流＊（Ｒ１ａ＊（１＋ｄｔａ＊（Ｔ－２５））））／（Ｒ２ａ＊（１＋ｄｔａ＊（Ｔ－２５））＋Ｒ２ｂ＊（１＋ｄｔｂ＊（Ｔ－２５））） ・・・・（５） 但し、Ｒ１ａ：ＲＡ１の２５℃での抵抗値 Ｒ２ａ：ＲＡ２の２５℃での抵抗値 Ｒ２ｂ：ＲＢ２の２５℃での抵抗値 ｄｔａ：ＲＡ１、ＲＡ２の持つ抵抗の温度係数 ｄｔｂ：ＲＢ２の持つ抵抗の温度係数」 （５）「【００３１】 逆に、（５）式において、出力電流の温度特性の違いが一番大きくなるのは、ＲＡ２＝０Ω、ＲＢ２＝ＲＡ１の時である。この場合、下記の（７）式のようになる。 出力電流≒（電流源１１の電流＊（Ｒ１ａ＊（１＋ｄｔａ＊（Ｔ－２５））））／（Ｒ２ｂ＊（１＋ｄｔｂ＊（Ｔ－２５）））≒電流源１１の電流＊（（１＋ｄｔａ＊（Ｔ－２５））／（１＋ｄｔｂ＊（Ｔ－２５））） ・・・・（７） 【００３２】 （７）式より、ＲＡ１およびＲＡ２の抵抗の温度係数ｄｔａとＲＢ２の抵抗の温度係数ｄｔｂとの間に差がある場合、ｄｔａ＞ｄｔｂでは、温度が高くなるほど出力電流が大きくなり正の傾きをもった温度特性となる。逆に、ｄｔａ＜ｄｔｂでは、温度が高くなるほど出力電流が小さくなり負の傾きをもった温度特性となる。 【００３３】 図２は、定電流回路の各抵抗素子の値を下記のように設定した場合の出力電流の温度特性を示す図である。 条件１：ＲＡ１＝１００ＫΩ（０．１［％／Ｋ］）、ＲＢ２＝１００ＫΩ（０．４［％／Ｋ］） 条件２：ＲＡ１＝１００ＫΩ（０．１［％／Ｋ］）、ＲＡ２＝５０ＫΩ（０．１［％／Ｋ］）、ＲＢ２＝５０ＫΩ（０．４［％／Ｋ］） 条件３：ＲＡ１＝１００ＫΩ（０．４［％／Ｋ］）、ＲＢ２＝１００ＫΩ（０．１［％／Ｋ］） 条件４：ＲＡ１＝１００ＫΩ（０．４［％／Ｋ］）、ＲＡ２＝５０ＫΩ（０．４［％／Ｋ］）、ＲＢ２＝５０ＫΩ（０．１［％／Ｋ］）」 （６）図１ ［図：0001434007000001.jpg］ （７）図２ ［図：0001434007000002.jpg］ 図２によれば、条件３における出力電流（◆でプロットされたグラフ）は、温度の上昇に対して増加していると解される。 ２ 引用発明の認定 前記１の記載によれば、引用文献１には、以下に示す引用発明が記載されていると認められる。なお、後の参照の便宜のため、引用発明を記号ａ～ｉで分説し、「構成ａ」のようにして参照する。 〈引用発明〉 ａ１ 電流源１１は、一方の端子を電源１０と接続し、他方の端子をＮｃｈＭＯＳトランジスタＭ１のゲートとドレインとに接続し、（【００２２】） ａ２ 第一の温度係数を持つ抵抗素子ＲＡ１は、ＮｃｈＭＯＳトランジスタＭ１のソースとＧＮＤ間に接続され、（【００２２】） ａ３ ＮｃｈＭＯＳトランジスタＭ２は、ゲートをＮｃｈＭＯＳトランジスタＭ１のゲートと共通に接続し、（【００２２】） ａ４ ＮｃｈＭＯＳトランジスタＭ２のソースとＧＮＤ間に第一の温度係数を持つ抵抗素子ＲＡ２および第二の温度係数を持つ抵抗素子ＲＢ２とを直列接続し、（【００２２】） ａ５ ＮｃｈＭＯＳトランジスタＭ２のドレインからドレイン電流を出力端子１２へ出力し、（【００２２】） ｂ ＮｃｈＭＯＳトランジスタＭ１、Ｍ２は、カレントミラーを構成し、（【００２３】） ｃ ＲＡ１抵抗値≒ＲＡ２抵抗値＋ＲＢ２抵抗値となるように抵抗値を設定した場合、ＮｃｈＭＯＳトランジスタＭ１、Ｍ２に流れる電流は、ほぼ同じとなり、（【００２６】） ｄ１ Ｒ１ａはＲＡ１の２５℃での抵抗値であり、（【００２９】） ｄ２ Ｒ２ａはＲＡ２の２５℃での抵抗値であり、（【００２９】） ｄ３ Ｒ２ｂはＲＢ２の２５℃での抵抗値であり、（【００２９】） ｄ４ ｄｔａはＲＡ１、ＲＡ２の持つ抵抗の温度係数であり、（【００２９】） ｄ５ ｄｔｂはＲＢ２の持つ抵抗の温度係数であり、（【００２９】） ｅ ＲＡ２＝０Ω、ＲＢ２＝ＲＡ１の場合、出力電流≒電流源１１の電流＊（（１＋ｄｔａ＊（Ｔ－２５））／（１＋ｄｔｂ＊（Ｔ－２５）））のようになり、（【００３１】） ｆ ｄｔａ＞ｄｔｂでは、温度が高くなるほど出力電流が大きくなり正の傾きをもった温度特性となり、逆に、ｄｔａ＜ｄｔｂでは、温度が高くなるほど出力電流が小さくなり負の傾きをもった温度特性となり、（【００３２】） ｇ 定電流回路の各抵抗素子の値を、条件３：ＲＡ１＝１００ＫΩ（０．４［％／Ｋ］）、ＲＢ２＝１００ＫΩ（０．１［％／Ｋ］）のように設定し、（【００３３】） ｈ 条件３における出力電流は、温度の上昇に対して増加している、（図２） ｉ カレントミラー。（【００２３】） 第５ 本願発明と引用発明との対比 本願発明と引用発明とを対比する。 １ 発明特定事項Ａについて 発明特定事項Ａは「第１入力端に第１インピーダンスを有する第１回路が接続されるとともに第１出力端に基準電流源が接続され、第１制御端に前記第１出力端が接続された第１トランジスタと、」というものである。 （１）引用発明の「ＮｃｈＭＯＳトランジスタＭ１」（構成ａ１）は、本願発明の「第１トランジスタ」に相当し、引用発明のＮｃｈＭＯＳトランジスタＭ１の「ゲート」及び「ドレイン」（構成ａ１）は、それぞれ、本願発明の「第１制御端」及び「第１出力端」に相当する。 引用発明の「電流源１１」は、「他方の端子をＮｃｈＭＯＳトランジスタＭ１のゲートとドレインとに接続」する（構成ａ１）から、ゲートとドレインとは短絡接続されていると解される。よって、引用発明の「ＮｃｈＭＯＳトランジスタＭ１」は、「ゲート」と「ドレイン」が接続されているから、本願発明の「第１制御端に前記第１出力端が接続された第１トランジスタ」に相当する。 （２）引用発明では「ＮｃｈＭＯＳトランジスタＭ１、Ｍ２は、カレントミラーを構成」する（構成ｂ）から、「ＮｃｈＭＯＳトランジスタＭ１のゲートとドレインとに接続」された「電流源１１」（構成ａ１）は、カレントミラーにおける基準電流源であると解される。よって、引用発明の「電流源１１」は、本願発明の「基準電流源」に相当する。 引用発明の「電流源１１」は、「他方の端子をＮｃｈＭＯＳトランジスタＭ１のゲートとドレインとに接続」する（構成ａ１）から、引用発明の「ＮｃｈＭＯＳトランジスタＭ１」は、本願発明の「第１出力端に基準電流源が接続され」た「第１トランジスタ」に相当する。 （３）引用発明の「第一の温度係数を持つ抵抗素子ＲＡ１」（構成ａ２）は、単一の抵抗素子ＲＡ１からなる回路であり、その２５℃での抵抗値Ｒ１ａ（構成ｄ１）及び抵抗の温度係数ｄｔａ（構成ｄ４）から得られる任意の温度での抵抗値は、当該回路のインピーダンスに他ならない。 よって、引用発明の「抵抗素子ＲＡ１」は、本願発明の「第１回路」に相当し、引用発明の「抵抗値Ｒ１ａ」及び「温度係数ｄｔａ」から得られる任意の温度での抵抗値は、本願発明の「第１インピーダンス」に相当する。 （４）引用発明の「ＮｃｈＭＯＳトランジスタＭ１のソース」（構成ａ２）は、本願発明の「第１入力端」に相当する。 引用発明の「抵抗素子ＲＡ１」は、「ＮｃｈＭＯＳトランジスタＭ１のソースとＧＮＤ間に接続され」る（構成ａ２）から、「ＮｃｈＭＯＳトランジスタＭ１のソース」に「抵抗素子ＲＡ１」が接続されていると解される。 よって、引用発明の「ＮｃｈＭＯＳトランジスタＭ１」は、本願発明の「第１入力端に第１インピーダンスを有する第１回路が接続される」「第１トランジスタ」に相当する。 （５）前記（１）～（４）によれば、本願発明と引用発明とは、「第１入力端に第１インピーダンスを有する第１回路が接続されるとともに第１出力端に基準電流源が接続され、第１制御端に前記第１出力端が接続された第１トランジスタ」を備える点で一致する。 ２ 発明特定事項Ｂについて 発明特定事項Ｂは「第２制御端が前記第１制御端に接続されるとともに第２入力端に第２インピーダンスを有する第２回路が接続され、第２出力端から前記基準電流源の基準電流に応じた出力電流を出力する第２トランジスタとを備え、」というものである。 （１）引用発明の「ＮｃｈＭＯＳトランジスタＭ２」（構成ａ３）は、本願発明の「第２トランジスタ」に相当し、引用発明の「ＮｃｈＭＯＳトランジスタＭ２のドレイン」（構成ａ５）は、本願発明の「第２出力端」に相当する。 （２）引用発明では「ＮｃｈＭＯＳトランジスタＭ２のドレインからドレイン電流を出力端子１２へ出力」する（構成ａ５）から、「ドレイン電流」は、出力電流であり、本願発明の「出力電流」に相当する。 引用発明では「ＲＡ１抵抗値≒ＲＡ２抵抗値＋ＲＢ２抵抗値となるように抵抗値を設定した場合、ＮｃｈＭＯＳトランジスタＭ１、Ｍ２に流れる電流は、ほぼ同じとなり」（構成ｃ）、「ＮｃｈＭＯＳトランジスタＭ１のゲートとドレイン」には「電流源１１」が接続される（構成ａ１）から、ＮｃｈＭＯＳトランジスタＭ１及びＭ２のドレイン電流は、どちらも電流源Ｍ１が流す電流となると解される。 そうすると、引用発明の「ＮｃｈＭＯＳトランジスタＭ２のドレインから」出力される「ドレイン電流」（構成ａ５）は、「電流源１１」が流す電流に応じたものとなる。よって、引用発明の「ＮｃｈＭＯＳトランジスタＭ２」は、本願発明の「第２出力端から前記基準電流源の基準電流に応じた出力電流を出力する第２トランジスタ」に相当する。 （３）引用発明の「第一の温度係数を持つ抵抗素子ＲＡ２および第二の温度係数を持つ抵抗素子ＲＢ２とを直列接続」したもの（構成ａ４）は、回路に他ならず、本願発明の「第２回路」に相当する。 「ＲＡ２＝０Ω、ＲＢ２＝ＲＡ１の場合」（構成ｅ）、前記回路は、２５℃における抵抗値Ｒ２ｂ（構成ｄ３）及び温度係数ｄｔｂ（構成ｄ５）から得られる任意の温度での抵抗値（インピーダンス）を有すると解され、引用発明の「抵抗値Ｒ２ｂ」及び「温度係数ｄｔｂ」から得られる任意の温度での抵抗値は、本願発明の「第２インピーダンス」に相当する。 よって、引用発明の「抵抗素子ＲＡ２」と「抵抗素子ＲＢ２とを直列接続」した回路は、本願発明の「第２インピーダンスを有する第２回路」に相当する。 （４）引用発明の「ＮｃｈＭＯＳトランジスタＭ２のソース」（構成ａ４）は、本願発明の「第２入力端」に相当する。 引用発明では、「ＮｃｈＭＯＳトランジスタＭ２のソースとＧＮＤ間に第一の温度係数を持つ抵抗素子ＲＡ２および第二の温度係数を持つ抵抗素子ＲＢ２とを直列接続」する（構成ａ４）から、「ＮｃｈＭＯＳトランジスタＭ２のソース」に「抵抗素子ＲＡ２」と「抵抗素子ＲＢ２とを直列接続」した回路が接続されていると解される。 よって、引用発明の「ＮｃｈＭＯＳトランジスタＭ２」は、本願発明の「第２入力端に第２インピーダンスを有する第２回路が接続され」た「第２トランジスタ」に相当する。 （５）引用発明のＮｃｈＭＯＳトランジスタＭ２の「ゲート」（構成ａ３）は、本願発明の「第２制御端」に相当する。 引用発明では「ＮｃｈＭＯＳトランジスタＭ２は、ゲートをＮｃｈＭＯＳトランジスタＭ１のゲートと共通に接続」する（構成ａ３）から、ＮｃｈＭＯＳトランジスタＭ２の「ゲート」が「ＮｃｈＭＯＳトランジスタＭ１のゲート」に接続していると解され、引用発明の「ＮｃｈＭＯＳトランジスタＭ２」は、本願発明の「第２制御端が前記第１制御端に接続される」「第２トランジスタ」に相当する。 （６）前記（１）～（５）によれば、本願発明と引用発明とは、「第２制御端が前記第１制御端に接続されるとともに第２入力端に第２インピーダンスを有する第２回路が接続され、第２出力端から前記基準電流源の基準電流に応じた出力電流を出力する第２トランジスタとを備え」る点で一致する。 ３ 発明特定事項Ｃについて 発明特定事項Ｃは「前記第１回路及び前記第２回路のいずれか一方又は両方は、前記出力電流が周囲温度に対して所定の変化傾向を持つように前記第１インピーダンス及び前記第２インピーダンスのいずれか一方又は両方の温度特性が設定され、」というものである。 （１）前記１（３）によれば、引用発明の「抵抗値Ｒ１ａ」及び「温度係数ｄｔａ」から得られる任意の温度での抵抗値は、本願発明の「第１回路」の「第１インピーダンス」に相当し、前記２（３）によれば、引用発明の「抵抗値Ｒ２ｂ」及び「温度係数ｄｔｂ」から得られる任意の温度での抵抗値は、本願発明の「第２回路」の「第２インピーダンス」に相当する。 （２）引用発明では、「ＲＡ１＝１００ＫΩ（０．４［％／Ｋ］）」である（構成ｇ）から、「温度係数ｄｔａ」は０．４であると解され、抵抗素子ＲＡ１の温度特性は、周囲温度の上昇に対して増加するように設定されていると解される。 （３）引用発明では「ＲＢ２＝１００ＫΩ（０．１［％／Ｋ］）」である（構成ｇ）から、「温度係数ｄｔｂ」は０．１であると解され、抵抗素子ＲＡ２と抵抗素子ＲＢ２とを直接接続した回路の温度特性は、周囲温度の上昇に対して増加するように設定されていると解される。 （４）前記（１）～（３）によれば、本願発明と引用発明とは、「前記第１回路及び前記第２回路のいずれか一方又は両方は、前記出力電流が周囲温度に対して所定の変化傾向を持つように前記第１インピーダンス及び前記第２インピーダンスのいずれか一方又は両方の温度特性が設定され」る点で一致する。 ４ 発明特定事項Ｄについて 発明特定事項Ｄは「前記第１インピーダンスは、前記出力電流が前記周囲温度の上昇に対し増加傾向を持つように温度上昇に対して増加するように設定され、」というものである。 前記１（３）によれば、引用発明の「抵抗値Ｒ１ａ」及び「温度係数ｄｔａ」から得られる任意の温度での抵抗値は、本願発明の「第１インピーダンス」に相当する。 前記３（２）によれば、抵抗素子ＲＡ１のインピーダンスの温度係数ｄｔａは０．４であり、出力電流が周囲温度の上昇に対し増加傾向を持つように設定されていると解される。 そうすると、本願発明と引用発明とは、「前記第１インピーダンスは、前記出力電流が前記周囲温度の上昇に対し増加傾向を持つように温度上昇に対して増加するように設定され」る点で一致する。 ５ 発明特定事項Ｅについて 発明特定事項Ｅは「前記第２インピーダンスは、前記温度上昇に対して低下するように設定される」というものである。 前記２（３）によれば、引用発明の「抵抗値Ｒ２ｂ」及び「温度係数ｄｔｂ」から得られる任意の温度での抵抗値は、本願発明の「第２インピーダンス」に相当する。 前記３（３）によれば、抵抗素子ＲＡ２と抵抗素子ＲＢ２とを直列接続した回路のインピーダンスの温度係数ｄｔｂは０．１であり、出力電流が周囲温度の上昇に対し増加傾向を持つように設定されていると解される。 そうすると、本願発明では、「前記第２インピーダンスは、前記温度上昇に対して低下するように設定される」のに対し、引用発明では、温度係数ｄｔｂは０．１に設定され、温度上昇に対して増加するように設定されている点で相違する。 ６ 発明特定事項Ｆについて 発明特定事項Ｆは「ことを特徴とするカレントミラー回路。」というものである。 引用発明では「ＮｃｈＭＯＳトランジスタＭ１、Ｍ２は、カレントミラーを構成し」（構成ｂ）、当該カレントミラーは回路であると解されるから、本願発明と引用発明とは、「カレントミラー回路」である点で一致する。 ７ 一致点及び相違点 前記１～６によれば、本願発明と引用発明との一致点及び相違点は、以下のとおりである。 〈一致点〉 「第１入力端に第１インピーダンスを有する第１回路が接続されるとともに第１出力端に基準電流源が接続され、第１制御端に前記第１出力端が接続された第１トランジスタと、 第２制御端が前記第１制御端に接続されるとともに第２入力端に第２インピーダンスを有する第２回路が接続され、第２出力端から前記基準電流源の基準電流に応じた出力電流を出力する第２トランジスタとを備え、 前記第１回路及び前記第２回路のいずれか一方又は両方は、前記出力電流が周囲温度に対して所定の変化傾向を持つように前記第１インピーダンス及び前記第２インピーダンスのいずれか一方又は両方の温度特性が設定され、 前記第１インピーダンスは、前記出力電流が前記周囲温度の上昇に対し増加傾向を持つように温度上昇に対して増加するように設定されることを特徴とするカレントミラー回路。」である点。 〈相違点〉 本願発明では、「前記第２インピーダンスは、前記温度上昇に対して低下するように設定される」のに対し、引用発明では、温度係数ｄｔｂは０．１に設定され、温度上昇に対して増加するように設定されている点。（発明特定事項Ｅ） 第６ 進歩性の有無の判断 以下では、本願発明の引用発明に対する進歩性の有無を判断する。 １ 相違点についての判断 相違点に係る構成の容易想到性を判断するにあたり、原査定の拒絶の理由で引用された特開２００５－１２４０２２号公報（以下「引用文献２」という。）の記載を参照する。 （１） 引用文献２の記載 引用文献２には、以下の記載がある。 ア 「【００３８】 図４は本実施形態における温度センサの構成を示す回路図であり、図２の回路から常温用温度センサ１１２に関係する部分（結合回路１４０を除く）を抜き出して示したものである。なお、低温用温度センサ１１１及び高温用温度センサ１１３に関しても、構成、動作、及びノイズ抑制効果は常温用温度センサ１１２と同じであり、ここでは代表して常温用温度センサ１１２によって説明を行う。 【００３９】 この図４に示す構成の温度センサ１１２では、カレントミラーを用いた電流減算回路によって、周囲温度に対して線形に変化する電流が生成され、その電流生成過程において、定電流源ＩＳ１で生じたノイズが相殺されて抑圧される効果を有する。また、温度係数の異なる２つの電圧－電流変換用抵抗Ｒ２、Ｒ５により、周囲温度に対して線形に変化する２つの電流を生成するだけでなく、同様に電源（Ｖｃｃ）側にも温度係数の異なる２つの抵抗Ｒ３、Ｒ４を設け、周囲温度に対応して線形に変化する２つの電流間の差を拡大することで、検出感度が向上する効果を有する。 【００４０】 なお、図２及び図４において、抵抗の表記として２種類の表記（すなわち、白抜きの長方形の表記と、斜線が施された長方形の表記）を行い、異なる種類の抵抗（温度係数が異なる抵抗）であることを明確に示している。 【００４１】 図５は本実施形態の温度センサにおいて用いる抵抗の温度特性を示す図である。図４において、白抜きの長方形の表記の抵抗Ｒ１、Ｒ２、Ｒ４は、図５（ａ）に示すような、抵抗値Ｒが、周囲温度Ｔａに対して単調減少または比較的緩やかに単調増加する抵抗（負または小さな正の温度係数を持つ抵抗）である。 【００４２】 一方、図４において、斜線が施された長方形の表記の抵抗Ｒ３、Ｒ５は、図５（ｂ）に示すような、抵抗値Ｒが、周囲温度Ｔａに対して急激に単調増加する抵抗（大きな正の温度係数を持つ抵抗）である。このような温度特性の差は、例えば、拡散抵抗のシート抵抗値を変化させることで実現することができる。」 イ 図４ ［図：0001434007000003.jpg］ （２）相違点に係る構成の容易想到性 引用文献１及び２に触れた当業者が、相違点に係る構成を容易に想到し得たかについて、以下、検討する。 ア 引用文献２に記載された技術（以下「文献２技術」という。）は、「カレントミラーを用いた電流減算回路によって、周囲温度に対して線形に変化する電流が生成され」るもの（【００３９】）であり、引用発明も「カレントミラー」（構成ｉ）を用いて「温度の上昇に対して増加」する「出力電流」を生成する（構成ｈ）ものである。加えて、引用発明は、温度係数が０．４の抵抗素子ＲＡ１と、温度係数が０．１の抵抗素子ＲＢ２との２種類の抵抗を用いるものであり（構成ｇ）、文献２技術も「白抜きの長方形の表記と、斜線が施された長方形の表記」（【００４０】）の２種類の抵抗を用いるものである。そうすると、両者は技術分野、作用及び機能において共通している。 イ そして、文献２技術は、周囲温度に対して線形に変化する電流を生成するために、「白抜きの長方形の表記の抵抗」として「負または小さな正の温度係数を持つ抵抗」（【００４１】）を使用しており、「斜線が施された長方形の表記の抵抗」として「大きな正の温度係数を持つ抵抗」（【００４２】）を使用している。すなわち、文献２技術では、「負または小さな正の温度係数を持つ抵抗」を同一の種類の抵抗として扱い、それとは別種の抵抗として「大きな正の温度係数を持つ抵抗」を想定している。 ウ 抵抗の種類に関して、引用発明は、「ｄｔａ＞ｄｔｂでは、温度が高くなるほど出力電流が大きくなり正の傾きをもった温度特性となり、逆に、ｄｔａ＜ｄｔｂでは、温度が高くなるほど出力電流が小さくなり負の傾きをもった温度特性とな」る（構成ｆ）とされている。これは、２つの温度特性であるｄｔａとｄｔｂとを、大きな値のものと、小さな値のものに種類を分けることに他ならない。 この観点からは、引用発明における「ＲＡ１＝１００ＫΩ（０．４［％／Ｋ］）、ＲＢ２＝１００ＫΩ（０．１［％／Ｋ］）」（構成ｇ）は、大きな値の例示としてｄｔａが０．４のものを挙げ、小さな値の例示として、ｄｔｂが０．１のものを挙げていると解される。 エ 前記イ及びウによれば、引用発明と文献２技術とは、抵抗を、大きな値の温度特性を持つものと、小さな値の温度特性を持つものに分けて用いる点でも一致している。そうすると、引用文献１及び２に触れた当業者は、引用発明における小さな値の温度係数であるｄｔｂとして、正の値のみではない、文献２技術に記載されたような「負または小さな正の温度係数」を採用することに動機付けられる。 そして、引用発明のｄｔａ＞ｄｔｂという関係は、ｄｔｂが負の値であることを排除していない。加えて、ｄｔｂが負の値でも出力電流が正の傾きを持った温度特定となることは、「出力電流≒電流源１１の電流＊（（１＋ｄｔａ＊（Ｔ－２５））／（１＋ｄｔｂ＊（Ｔ－２５）））」（構成ｅ）の関係式から明らかである。（なお、「１＋ｄｔｂ＊（Ｔ－２５）」の値が０以下になると、抵抗素子ＲＢ２の抵抗値（＝Ｒ２ｂ＊（１＋ｄｔｂ＊（Ｔ－２５）））が０以下の値になるため、あり得ない。よって、ｄｔｂの値は、「１＋ｄｔｂ＊（Ｔ－２５）」の値が正となる範囲、すなわち、ｄｔｂ＊（Ｔ－２５）＞－１の範囲であることは明らかである。） よって、引用発明のｄｔｂを、文献２技術の「負または小さな正の温度係数」の種類の入る「負」「の温度係数」（【００４１】）とすることにより、相違点に係る構成とすることは、引用文献１及び引用文献２に触れた当業者が容易に想到し得たことであると認められる。 ２ 効果について 本願の明細書には、次の記載がある。 「【発明の効果】 【００１４】 本発明によれば、出力電流が温度変化に応じて変動するカレントミラー回路及び当該カレントミラー回路を用いた増幅回路を提供することが可能である。」 上記記載によれば、本願発明の効果は、出力電流が温度変化に応じて変動するカレントミラー回路を提供することにあると認められる。 そして、引用発明も、出力電流が温度変化に応じて変動するカレントミラー回路であるから、本願発明と同等の効果を奏するものであり、本願発明の効果は、格別のものとは認められない。 ３ 請求人の主張について 請求人は、審判請求書にて、引用文献１及び２に係る主張として、以下の主張１～３を主張する。また、令和７年１月２７日の意見書においても、主張２と同旨の主張をする。 〈主張１〉 本願発明は、出力電流が温度変化に応じて変動するカレントミラー回路及び当該カレントミラー回路を用いた増幅回路の提供を目的とする。 これに対して、引用発明は、出力する定電流の温度特性の傾きを広範囲に設定することを目的とする。 また、文献２技術は、広い温度範囲の全てに渡って低ノイズ性を確保することが可能な関数発生回路の提供を目的とする。 すなわち、本願発明は、発明の目的が引用発明及び文献２技術とは明確に異なる。 したがって、本願発明の進歩性を否定するに際して、引用発明及び文献２技術の組み合わせの容易性は是認されるべきではない。 発明の目的の観点において、引用発明及び文献２技術は本願発明を動機付けるものではない。 （審判請求書【本願発明が特許されるべき理由】「３．本願発明と引用発明との対比」「（１）発明の目的」） 〈主張２〉 本願発明は、周囲温度に対して逆の変化傾向（正及び負の変化傾向）を有する第１インピーダンス及び第２インピーダンスを用いるが、引用発明は周囲温度に対して同一の変化傾向を有する抵抗ＲＡ１、ＲＡ２（温度係数ｄｔａ）と抵抗ＲＢ２（温度係数ｄｔｂ）とを用いる。引用発明は、異なる温度係数ｄｔａと温度係数ｄｔｂと組み合わせる点で本願発明に類似するが、温度係数ｄｔａ及び温度係数ｄｔｂは周囲温度に対して同一変化傾向（正の変化傾向）を有するものであり、周囲温度に対して逆の変化傾向（正及び負の変化傾向）を有する第１インピーダンス及び第２インピーダンスを用いる本願発明とは明確に異なる。 また、文献２技術は、周囲温度に対して同一の変化傾向を有する温度係数（正の温度特性）を有する５つの抵抗Ｒ１～Ｒ５を用いる。文献２技術は、温度係数が異なる複数の抵抗を組み合わせる点で本願発明に類似するが、引用発明と同様に各抵抗の温度係数が周囲温度に対して同一の変化傾向を有するものであり、周囲温度に対して逆の変化傾向（正及び負の変化傾向）を有する第１インピーダンス及び第２インピーダンスを用いる本願発明とは明確に異なる。 したがって、引用発明及び文献２技術の構成は、本願発明の構成とは明確に異なっており、すなわち、引用発明及び文献２技術は、周囲温度に対して逆の変化傾向（正及び負の変化傾向）を有する第１インピーダンス及び第２インピーダンスを用いるという本願発明の技術思想とは明確に異なるものであり、本願発明を動機付けるものではない。 （審判請求書【本願発明が特許されるべき理由】「３．本願発明と引用発明との対比」「（２）発明の構成」） 〈主張３〉 本願発明は、出力電流が温度変化に応じて変動するカレントミラー回路を提供することができる。 これに対して、引用発明は、入力電流の温度特性と出力電流の温度特性に違いにより、正か負のいずれか一方しか持たない半導体プロセスにおいても正負任意の傾きを持つ温度特性の出力電流設定が可能である。 また、文献２技術は、各温度領域毎に温度センサのノイズを最も効果的に抑制でき、以って関数発生回路の出力電圧に関し、広い温度範囲の全てに渡って低ノイズ性を確保することが可能である。 本願発明と引用発明及び文献２技術とは、発明の効果が明確に異なる。 したがって、本願発明の効果は、引用発明及び文献２技術の組み合わせによって得られるものではない。 （審判請求書【本願発明が特許されるべき理由】「３．本願発明と引用発明との対比」「（３）発明の効果」） （１）主張１についての判断 引用発明と文献２技術との組み合わせの可否は、引用発明及び文献２技術の目的（課題）が本願発明の目的（課題）と異なるか否かに左右されない。 また、引用発明と文献２技術との組み合わせの可否は、両者の課題の共通性だけではなく、技術分野の関連性、作用・機能の共通性、引用発明の内容中の示唆等を総合的に勘案して判断されるものであり、両者の課題が共通しないことのみをもって引用発明と文献２技術とを組み合わせることができないと判断されるものでもない。 そうすると、前記１（２）に記載したとおりであり、請求人の主張１は採用できない。 （２）主張２についての判断 請求人の主張２は、文献２技術が負の温度特性を有する抵抗を用いていないことを前提としているが、前記１（２）イで触れたように、文献２技術は「白抜きの長方形の表記の抵抗」として「負」「の温度係数を持つ抵抗」（【００４１】）が想定されているため、請求人の主張２は、前提において失当であり、採用できない。 （３）主張３についての判断 引用文献１には、「以上のような半導体装置によれば、抵抗素子の温度係数がそれぞれ異なるようにすることで、…（略）…正か負のいずれか一方しか持たない半導体プロセスにおいても正負任意の傾きを持つ温度特性の出力電流設定が可能となる。」（【００１９】）との記載があるが、「正か負のいずれか一方しか持たない半導体プロセス」について言及しているのは【００１９】のみであり、【００１９】の記載は、「正か負のいずれか一方しか持たない半導体プロセスにおいても」（下線は強調のために当審で付した。）とあるように、正か負のいずれか一方しか持たない半導体プロセス以外をも想定したものである。そして、引用文献１の他の記載を参酌しても、引用文献１の全体の記載が、正か負のいずれか一方しか持たない半導体プロセスのみを前提としたものとは認められない。 また、引用文献２には、「本発明によれば、広い温度範囲の全てに渡って低ノイズ性を確保することが可能な関数発生回路を提供できる効果が得られる。」（【００２１】）との記載があるが、引用発明と組み合わせる対象は、引用文献２に記載された関数発生回路ではなく、該関数発生回路の一部分を構成する「常温用温度センサ１１２」（【００３８】）の「カレントミラー」（【００３９】）であるべきことは、引用発明と文献２技術とで共通する技術分野がカレントミラーであることに鑑みて当然であって、文献２技術の効果として前記関数発生回路の効果を認定するのは不適切である。 以上によれば、請求人の主張３における引用発明及び文献２技術の効果は、適切に認定されたものとはいえず、これを前提とする主張３は採用できない。 ４ 進歩性についての小括 以上のとおりであるから、本願発明は、当業者が引用発明及び文献２技術に基づいて容易に発明をすることができたものと認められる。 第７ むすび 前記第６のとおり、本願発明は、当業者が引用発明及び文献２技術に基づいて容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。 したがって、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。 よって、結論のとおり審決する。