2024-008697

特願２０２１－５５３０３２「表示パネル」拒絶査定不服審判事件〔令和 ５年 ２月２３日国際公開、ＷＯ２０２３／０１９６３４、令和 ５年１０月 ４日国内公表、特表２０２３－５４１７２６〕について、次のとおり審決する。

結 論 本件審判の請求は、成り立たない。

理 由 第１ 事案の概要 特願２０２１－５５３０３２号（以下「本件出願」という。）は、２０２１年（令和３年） ８月３０日（パリ条約に基づく優先権主張 ２０２１年（令和３年） ８月１８日 （ＣＮ）中国）に出願された国際出願であって、その手続等の経緯の概要は、以下のとおりである。 令和 ５年１０月 ６日付け：拒絶理由通知書 令和 ５年１２月２８日提出：意見書 令和 ５年１２月２８日提出：手続補正書 令和 ６年 １月２９日付け：拒絶査定（以下「原査定」という。） 令和 ６年 ５月２４日提出：審判請求書 令和 ６年 ５月２４日提出：手続補正書 第２ 補正の却下の決定 ［補正の却下の決定の結論］ 令和 ６年 ５月２４日にした手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。 ［理由］ １ 本件補正の内容 （１） 本件補正前の特許請求の範囲 本件補正前である、令和 ５年１２月２８日にした手続補正後の特許請求の範囲の請求項１の記載は、次のとおりである。 「 アレイ基板と、 前記アレイ基板に設けられ、複数のピクセル電極を含むピクセル電極層と、 前記ピクセル電極層と絶縁して前記アレイ基板に設けられ、少なくとも前記ピクセル電極の一部を囲んで設けられる少なくとも１つの電界電極を含む電界電極層と、を備え、 前記電界電極と前記ピクセル電極との間には、隙間が形成され、 前記ピクセル電極を囲んで設けられた前記電界電極の一部と前記ピクセル電極との間の隙間の距離は、等しい、 表示パネル。」 （２） 本件補正後の特許請求の範囲 本件補正後の特許請求の範囲の請求項１の記載は、次のとおりである。なお、下線は補正箇所を示す。 「 アレイ基板と、 前記アレイ基板に設けられ、複数のピクセル電極を含むピクセル電極層と、 前記ピクセル電極層と絶縁して前記アレイ基板に設けられ、少なくとも前記ピクセル電極の一部を囲んで設けられる少なくとも１つの電界電極を含む電界電極層と、を備え、 前記電界電極と前記ピクセル電極との間には、隙間が形成され、 前記ピクセル電極を囲んで設けられた前記電界電極の一部と前記ピクセル電極との間の隙間の距離は、等しく、 前記アレイ基板は、薄膜トランジスタをさらに含み、 表示パネルは、平坦化層をさらに含み、 前記ピクセル電極層は、前記薄膜トランジスタに直接に接続されるように前記平坦化層に設けられる、表示パネル。」 （３） 本件補正について ア 本件補正は、補正前の請求項１において、「前記アレイ基板」を、「薄膜トランジスタをさらに含」むものに限定し、「表示パネル」を、「平坦化層をさらに含」むものに限定し、「前記ピクセル電極層」を、「前記薄膜トランジスタに直接に接続されるように前記平坦化層に設けられる」ものに限定する補正を含むものであり、これは、本件出願の明細書の【００１２】及び【図１】等の記載に基づくものである。 ここで、本件補正前の請求項１に係る発明と、本件補正後の請求項１に係る発明の、産業上の利用分野及び解決しようとする課題は、同一である（本件出願の明細書の【０００１】及び【０００３】）。 イ してみると、本件補正は、特許法１７条の２第３項の規定に適合するものであり、また、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる事項（特許請求の範囲の減縮）を目的とするものに該当する。 ウ そこで、本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本件補正後発明」という。）が同条第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか（特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか）について、以下検討する。 ２ 独立特許要件（進歩性）についての判断 （１） 引用文献１の記載 原査定の拒絶の理由１（特許法第２９条第１項第３号）及び理由２（特許法第２９条第２項）において引用された、特開２００２－３１８５５６号公報（以下「引用文献１」という。）は、本件出願の優先権主張の日前に日本国内又は外国において頒布された刊行物であるところ、そこには以下の記載がある（下線は当合議体が付したものであり、引用発明の認定や判断等に活用した箇所を示す。以下、同様とする。）。 ア 「【発明の詳細な説明】 【０００１】 【発明の属する技術分野】本発明は、有機エレクトロルミネセンス（ＥＬ）表示装置等の平面表示装置およびその製造方法に係り、特に各表示素子にスイッチング素子が設けられたアクティブマトリクス型平面表示装置およびその製造方法に関する。 【０００２】 【従来の技術】 ・・・略・・・ 【０００４】有機ＥＬ表示装置は、有機ＥＬパネルと有機ＥＬパネルを駆動する外部駆動回路から構成される。有機ＥＬパネルはガラス等の支持基板上に、第１電極と、第１電極と対向して配置される第２電極と、これら電極間に有機発光層を備えた表示素子をマトリクス状に配置して構成される表示領域と、外部駆動回路からの信号に基づいて各表示素子を駆動する駆動回路領域とから構成される。 【０００５】この有機ＥＬ表示装置のＥＬ発光を外部に取り出す方式には、・・・略・・・支持基板と対向する側に取り出す上面発光方式とがある。 ・・・略・・ 【０００７】これに対して、上面発光方式の有機ＥＬ表示装置は、支持基板と対向する側にＥＬ発光を取り出すため、支持基板側に配置される回路に制約されずに開口率を決定されるため、高い光利用効率の確保が可能となる。 【０００８】 【発明が解決しようとする課題】ところで平面表示装置においては、光取出し側にある電極に光透過性の導電膜を用いることが必須であり、上面発光方式でアクティブマトリクス型を採用する場合には、光取出し側に配置される共通電極を光透過性の導電膜で作成する必要がある。ところが一般に、光透過性を有する透明導電材料は、通常の金属材料と比較して抵抗率が２－３桁程度高いことが知られている。 【０００９】このため、光取出側の電極の画面面内で電極電圧が不均一となることがあり、表示品位を低下させる原因となっていた。 【００１０】このことは、特に画面サイズが大きくなるほど顕著であり、このため画面サイズに制約が生じる等の問題もあった。 【００１１】本発明は、上記技術課題に対してなされたもので、表示面内で表示ムラの少ないアクティブマトリクス型平面表示装置およびその製造方法を提供することを目的としている。 【００１２】また本発明は、表示品位が画面サイズの制約を受けないアクティブマトリクス型平面表示装置を提供することを目的とし、またその生産性を損なうことのない製造方法を提供することを目的としている。 【００１３】 【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、基板上に配置される複数の走査信号線と、前記走査信号線に略直交して配置される複数の映像信号線と、これら交点付近に配置されるスイッチング素子と、前記スイッチング素子に接続され、第１電極および第２電極間に独立島状に形成される光変調層を備えた表示素子がマトリクス状に配置されるアクティブマトリクス型平面表示装置において、前記第１電極と同層に形成され、かつ前記第１電極とは電気的に絶縁され、前記第２電極と電気的に接続された補助配線とを備えたことを特徴とする。 【００１４】 【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態に係るアクティブマトリクス型平面表示装置として自己発光型のディスプレイ、有機ＥＬ表示装置を例にとり、図面を用いて詳細に説明する。図１は、この実施形態に係るアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置１の概略平面図で、図２は、図１の表示領域の一部を拡大した一部概略平面図、図３は、図２のＡ－Ａ線に沿って切断した時の断面図である。 【００１５】有機ＥＬパネル２の表示領域について詳しく説明すると、この実施形態では１０．４型サイズの表示領域が構成され、ガラス等の絶縁基板１０１上に映像信号線１０９と走査信号線１０７とがマトリクス状に配置され、その交差部にスイッチング素子ＳＷ１としてｎ型ＴＦＴ、映像信号電圧保持用コンデンサ１１０、駆動用制御素子ＳＷ２としてｐ型ＴＦＴ、有機ＥＬ表示素子Ｐが形成される。 【００１６】有機ＥＬ表示素子Ｐは、駆動用制御素子ＳＷ２に接続された光反射性導電膜からなる第１電極１１７と、第１電極１１７上に配置される有機発光層１２１と、有機発光層１２１を介して第１電極１１７に対向配置された第２電極１２２と、を備えている。・・・略・・・この有機発光層１２１は、各表示素子Ｐを分離する黒色レジスト材料からなる厚さ３μｍの隔壁１２０の開口部１２０ｂから露出される第１電極１１７上に配置される。 【００１７】この有機ＥＬ表示装置１は第２電極１２２側を表示面とした上面発光方式であり、有機ＥＬ表示素子Ｐの第２電極１２２は、光透過性を有する導電膜で構成される。・・・略・・・ここでは、Ｂａを光透過する程度に薄く、例えば膜厚１０ｎｍに成膜し、透明導電膜として全表示素子にわたって共通に形成した。この光透過性導電膜のシート抵抗はおよそ１０５Ω／□であった。 【００１８】また、図３に示すように第１電極１１７と同層に設けられた補助配線１１８と第２電極１２２とは、隔壁１２０に補助配線１１８を露出するように設けられたコンタクト部１２０ａを介して電気的に接続される。この補助配線１１８は、第１電極１１７とは隔壁１２０にて電気的に絶縁され、各表示素子Ｐの第１電極１１７を囲むよう格子状に設けられており、それぞれ表示領域にわたり互いに連結されている。 【００１９】このように第２電極１２２と電気的に接続される補助配線１１８を表示領域全体に均等に備えるので、光取出し側電極の画面面内での電位のバラツキを抑制することが可能となる。 【００２０】ここで、補助配線１１８としては、第２電極を形成する透明導電膜と比し抵抗が十分小さいこと、より具体的には１１×１０－６Ωｃｍ以下の抵抗率の導電材料で形成されることが望ましい。このように補助配線に低抵抗な導電材料を用いることで、光取出し側電極の画面面内での電位バラツキをより一層低減することができる。 【００２１】表１に補助配線として選択され得る代表的な金属材料の抵抗率と、透明導電材料の抵抗率を示す。 [表１] ［図：0001426540000001.jpg］ 【００２２】特に、補助配線１１８には１×１０－６Ωｃｍ～６×１０－６Ωｃｍ程度の抵抗率の導電材料を使用することが望ましく、単一材料であっても複数の材料を積層したものであってもよい。 【００２３】本実施例においては、補助配線１１８は、第１電極と同一材料で形成され、Ａｌ、Ｍｏ、ＩＴＯの３層が積層され抵抗率４×１０－６Ωｃｍの導電材料を用いて、シート抵抗１０－１Ω／□となるよう形成されている。 ・・・略・・・ 【００２４】このようにして構成される有機ＥＬ表示装置では、光取出し側電極、ここでは陰極電位の面内ばらつきを従来に比べて十分に低減でき、本実施形態においては１０型サイズ超の画面サイズにも関わらず面内での輝度分布を±３ｃｄ／ｍ２以内に抑えることができた。 【００２５】図４（ａ）～（ｅ）は、第２電極電源線と補助配線の配置の例を示しており、図５（ａ）～（ｃ）は、図４の（ａ）～（ｃ）の表示領域の一部を拡大したものである。上述の実施例においては、図４（ａ）に示すように、各表示素子Ｐの第１電極１１７周囲を包囲し、互いに連結されたパターン（図５（ａ））で表示領域に均等に配置された補助配線１１８を設けたが、これに限定されず種々のパターンで形成することができ、少なくとも補助配線１１８と第１電極１１７が電気的に分離され、且つ補助配線１１８と第２電極１２２とが電気的に接続されていればよい。・・・略・・・また、画素のサイズを色毎に変え、隣接第1電極間の距離に対応して大きさが決定される補助配線を設けてもよく、画面サイズ、画素数等の条件により、適宜最適なパターンを採用することができる。 【００２６】このように、第１電極が独立島状に設けられ、第２電極が表示素子にわたって共通に配置されるアクティブマトリクス型を採用するので、第１電極と同層に、隣接画素間で連結した補助配線を設けることができる。 【００２７】また、本発明によれば、隣接する表示素子間に一定電位を持つ補助配線が配設されていることにより、画素間の容量カップリングを軽減できクロストーク等の表示品悪化の原因を取除きより高品位の表面表示装置を達成することができる。 【００２８】また、ＴＦＴ上に絶縁層１１６を介して第１電極１１７が形成されるので、絶縁層１１６下のＴＦＴや配線上に表示素子Ｐを重ねて形成することが可能となり、上面発光方式による開口率をＴＦＴ等の回路に制約されずに決定することができ、高い光利用効率を得ることができる。 【００２９】また、上述の実施例においては、表示素子の上部電極（第２電極）となる透明電極材料に膜厚の薄いＢａを用いる場合について説明したが、その他種々の透明導電材料を選択することができ、有機発光層の材料に適した材料を採用することが望ましい。第２電極は複数の積層膜から構成することもでき、Ｂａ，Ｃａ等を薄く形成した上からＩＴＯやＳｎＯを積層させてもよい。 ・・・略・・・ 【００３０】以上説明したように、本実施形態によれば第２電極に補助配線を接続するので、光取出し側電極全体の抵抗を下げることができ、表示面内で表示ムラを十分に抑制することができる。 【００３１】次に、本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法について説明する。まず、常圧ＣＶＤあるいはプラズマＣＶＤにより、ガラス等の絶縁基板１０１上にアンダーコート層１０２としてＳｉＮ膜、ＳｉＯ２膜を堆積し、その上にアモルファスシリコン膜を堆積する。ここで、ＴＦＴのしきい値制御のため基板全面にボロン（Ｂ）等のｐ型不純物をドープしてもよい。 【００３２】次に、アモルファスシリコン膜をエキシマレーザでアニール処理し、アモルファスシリコン膜を多結晶シリコン膜に結晶化させる。 【００３３】さらに、その多結晶シリコン膜にレジストを塗布し、露光・パターニング・エッチング処理を施し、多結晶シリコン膜を島状に形成する。 【００３４】続いて、多結晶シリコン膜を覆って全面に、ＣＶＤによりＳｉＯｘを成膜し、ゲート絶縁膜１０３を形成する。このゲート絶縁膜１０３上にゲート金属膜としてＭｏＷを堆積し、フォトリソグラフィー技術を用いてｐ型ＴＦＴ部分のゲート電極１０４を形成し、ボロン（Ｂ）をドーピングし、ｐ型ＴＦＴの多結晶シリコン膜に導電領域であるソース領域１０５、ドレイン領域１０６を形成する。 【００３５】次に、ゲート金属膜をパターニングし、ゲート配線１０７およびｎ型ＴＦＴのゲート電極１０８、映像信号線１０９の一部１０９ａ、映像信号電圧保持用コンデンサ１１０の下部電極パターン１１０ａを形成する。 【００３６】その後、ゲート電極１０８またはゲート電極形成時のレジストをマスクとして上部より燐イオン（Ｐ）をドーピングし、ｎ型ＴＦＴ部分の多結晶シリコン膜にソース領域１１１、ドレイン領域１１２を形成する。 【００３７】さらにＣＶＤ法などによりこれらの上面全部を覆うように、層間絶縁層１１３となるＳｉＯｘを成膜し、層間絶縁層１１３およびゲート絶縁膜１０３を貫通しソース領域１０５，１１１、ドレイン領域１０６，１１２等に達するコンタクトホールを設けた後、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏからなる金属膜を成膜・パターニング処理し、ソース電極１１３（当合議体注：「１１３」は、「層間絶縁膜１１３」（【００３７】及び【図３】等）を示すことから、「ソース電極１１３」は、「ソース電極」の誤記と認められる。）、ドレイン電極１１４、有機ＥＬ電流供給線１１５および映像信号線１０９（１０９ｂ）、を形成する。こうして、スイッチング素子ＳＷ１となるｎ型ＴＦＴと駆動用制御素子ＳＷ２となるｐ型ＴＦＴ、これらを組合せてなる駆動回路領域の映像信号線駆動回路Ｘｄｒ、走査信号線駆動回路Ｙｄｒが形成される。また、有機ＥＬ電流供給線１１５を上側電極として映像信号電圧保持用コンデンサ１１０も形成される。 【００３８】さらに基板全面にＳｉＮｘの絶縁層１１６を形成し、駆動制御素子ＳＷ２のソース電極１１３（当合議体注：「ソース電極」の誤記と認められる。）と接続するコンタクトホールを設けた後、Ａｌ／Ｍｏ／ＩＴＯからなる金属膜を成膜・パターニング処理し、表示素子を構成する光反射性の第１電極１１７、補助配線１１８、表示領域を囲む矩形枠状に補助配線１１８と一体的に形成される第２電極電源線１１９を形成する。 【００３９】このように、補助配線１１８と第１電極１１７とを同一材料を用いて同一工程で形成するため、補助配線１１８を形成するための工程を特別に設けることなく補助配線１１８を作成することが可能となる。 【００４０】また、表示素子の第１電極１１７は絶縁層１１６上に配置され、絶縁層１１６を介して駆動制御素子ＳＷ２のソース電極１１３（当合議体注：「ソース電極」の誤記と認められる。）と接続するので、第１電極１１７と駆動制御素子ＳＷ２、スイッチング素子ＳＷ１等と重ねて形成することが可能となり、第１電極の面積を増大させることができる。 【００４１】次に、基板全面に黒色有機レジスト材料を乾燥後の膜厚として３μｍに塗布した後、パターニングし、表示素子の第１電極１１７に対応する位置に第１電極１１７を露出する開口部１２０ｂを有し、さらに補助配線１１８上に補助配線１１８を露出するコンタクト部１２０ａを備えた素子分離用の隔壁１２０を形成する。 ・・・略・・・ 【００４２】本実施例においては、補助配線のコンタクト部１２０ａを、補助配線に沿って連続したパターンで形成した・・・略・・・。 【００４３】さらに、インクジェット法によりＲ，Ｇ，Ｂに対応する高分子系の有機発光材料を順次吐出し、第１電極上の隔壁１２０の開口１２０ｂに対応する位置に有機発光層１２１を選択的に形成する。 ・・・略・・・ 【００４４】次に、有機発光層１２１上の基板全面に第２電極１２２として光透過性導電膜、ここではＢａを膜厚１０ｎｍとなるよう成膜する。この第２電極は、絶縁層１１６上に第１電極１１７と同層に形成される補助配線１１８とコンタクト部１２０ａを介して接続される。 【００４５】この後、ガラス等の透明絶縁基板を封止基板として支持基板と対向配置させ、基板周囲を密閉封止し有機ＥＬ表示装置を完成する。 ・・・略・・・ 【００４７】このように、第２電極と接続する補助配線を備えることにより、表示面内での光取出し側電極全体の抵抗を下げることができる。 【００４８】また、上面発光方式を採用することにより、下面発光方式と比し、高開口率の有機ＥＬ表示装置を実現することが可能となり、正面輝度を向上させることができる。また、所定の正面輝度を達成するための電力消費を下面発光方式と比し減少させることができ、有機ＥＬ素子の寿命をより長くすることが可能となる。 【００４９】また特に、絶縁層を介して支持基板に形成された回路上に表示素子を重ねて配置するため、開口率を更に向上させることができる。 【００５０】また、補助配線を形成するにあたって、第１電極と同一材料で同一工程で作成するため、補助配線を形成するための工程を新たに設けることなく工程増大を防止することができる。 ・・・略・・・ 【００５２】 【発明の効果】本発明によれば、表示ムラの発生を抑制し、表示品位の高い平面表示装置を実現することができる。また、製造工程を増大させることなく上記平面表示装置を達成することができる。 【図面の簡単な説明】 【図１】図１は、本発明の一実施形態を示す有機ＥＬ表示装置の一概略平面図である。 【図２】図２は、本発明の一実施形態を示す有機ＥＬ表示装置の表示領域を示す一部概略平面図である。 【図３】図３は、本発明の一実施形態を示す有機ＥＬ表示装置の表示領域を示す一部概略断面図である。 【図４】図４は、本発明の一実施形態を示す補助配線、第２電極電源線を示す平面図である。 【図５】図５は、本発明の一実施形態を示す第１電極、補助配線を示す平面図である。 【符号の説明】 １１７…第１電極 １１８…補助配線 １２０…隔壁 １２１…光変調層 １２２…第２電極」 イ 「【図１】 ［図：0001426540000002.jpg］ 【図２】 ［図：0001426540000003.jpg］ 【図３】 ［図：0001426540000004.jpg］ 【図４】 ［図：0001426540000005.jpg］ ・・・略・・・ 【図５】 ［図：0001426540000006.jpg］ （以下略）」 （２） 引用発明 ア 引用文献１でいう「本発明は、有機エレクトロルミネセンス（ＥＬ）表示装置等の平面表示装置およびその製造方法に係り、特に各表示素子にスイッチング素子が設けられたアクティブマトリクス型平面表示装置およびその製造方法に関する」（【０００１】）ものであり、「表示面内で表示ムラの少ないアクティブマトリクス型平面表示装置およびその製造方法を提供する」こと（【００１１】）を目的とするものであるところ、 引用文献１には、【発明の実施の形態】の【００１４】～【００３０】に、「本発明の一実施形態に係るアクティブマトリクス型平面表示装置として自己発光型のディスプレイ、有機ＥＬ表示装置」について、【図１】（この実施形態に係るアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置１の概略平面図）、【図２】（図１の表示領域の一部を拡大した一部概略平面図）及び【図３】（図２のＡ－Ａ線に沿って切断した時の断面図）を用いて詳細に説明され、【００３１】～【００５０】には、「本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法」について説明されている。 イ 引用文献１の【０００４】には、従来の技術として、「有機ＥＬ表示装置は、有機ＥＬパネルと有機ＥＬパネルを駆動する外部駆動回路から構成される」（【図１】に示された「アクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置１」の「外部駆動回路」及び「有機ＥＬパネル２」を参照。）こと、及び、「有機ＥＬパネルはガラス等の支持基板上に、第１電極と、第１電極と対向して配置される第２電極と、これら電極間に有機発光層を備えた表示素子をマトリクス状に配置して構成される表示領域と、外部駆動回路からの信号に基づいて各表示素子を駆動する駆動回路領域とから構成される」ことが記載されている。 ウ そうすると、上記（１）の【００１４】～【００２５】、【００２８】、【００３７】～【００３９】、【００４０】～【００４４】、【図４】及び【図５】における「有機ＥＬ表示装置」及び「有機ＥＬパネル２」に係る記載、「有機ＥＬ表示装置の製造方法」に係る記載、上記ア及びイからみて、引用文献１には、「外部駆動回路」とは別構成である、「アクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置１」を構成する「有機ＥＬパネル２」の発明として、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる（合議体注：引用発明の認定の根拠となった記載の段落番号、図面を参考のため括弧内に記載している。）。 「有機ＥＬパネル２と有機ＥＬパネル２を駆動する外部駆動回路から構成されるアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置１を構成する有機ＥＬパネル２であって、（【０００４】、【図１】） 有機ＥＬパネル２は、１０．４型サイズの表示領域が構成され、絶縁基板１０１上に映像信号線１０９と走査信号線１０７とがマトリクス状に配置され、その交差部にスイッチング素子ＳＷ１としてｎ型ＴＦＴ、映像信号電圧保持用コンデンサ１１０、駆動用制御素子ＳＷ２としてｐ型ＴＦＴ、有機ＥＬ表示素子Ｐが形成され、 有機ＥＬ表示素子Ｐは、駆動用制御素子ＳＷ２に接続された光反射性導電膜からなる第１電極１１７と、第１電極１１７上に配置される有機発光層１２１と、有機発光層１２１を介して第１電極１１７に対向配置された第２電極１２２と、を備え、この有機発光層１２１は、各有機ＥＬ表示素子Ｐを分離する黒色レジスト材料からなる隔壁１２０の開口部１２０ｂから露出される第１電極１１７上に配置され、（【００１６】、【図２】）、 アクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置１は第２電極１２２側を表示面とした上面発光方式であり、有機ＥＬ表示素子Ｐの第２電極１２２は、光透過性を有する導電膜で構成され、（【００１７】、【図２】） 第１電極１１７と同層に設けられた補助配線１１８と第２電極１２２とは、隔壁１２０に補助配線１１８を露出するように設けられたコンタクト部１２０ａを介して電気的に接続され、 補助配線１１８は、第１電極１１７とは隔壁１２０にて電気的に絶縁され、各有機ＥＬ表示素子Ｐの第１電極１１７を囲むよう格子状に設けられており、それぞれ表示領域にわたり互いに連結され、このように第２電極１２２と電気的に接続される補助配線１１８を表示領域全体に均等に備えるので、光取出し側電極の画面面内での電位のバラツキを抑制することが可能となり、 補助配線１１８としては、第２電極１２２を形成する透明導電膜と比し抵抗が十分小さく、このように補助配線１１８に低抵抗な導電材料を用いることで、光取出し側電極の画面面内での電位バラツキをより一層低減することができ、（【００１７】～【００２０】、【図２】～【図３】） 補助配線１１８は、第１電極１１７と同一材料で形成され、（【００２３】） 光取出し側電極、ここでは陰極電位の面内ばらつきを従来に比べて十分に低減でき、（【００２４】） 下記図４（ａ）に示すように、各有機ＥＬ表示素子Ｐの第１電極１１７周囲を包囲し、互いに連結されたパターン（図５（ａ））で表示領域に均等に配置された補助配線１１８を設け、（【００２５】、【図４】（ａ）、【図５】（ａ）） ＴＦＴ上に絶縁層１１６を介して第１電極１１７が形成されたものであり、（【００２８】） ここで、有機ＥＬパネル２は、 絶縁基板１０１上にアンダーコート層１０２を堆積し、その上にアモルファスシリコン膜を堆積し、（【００３１】） 次に、アモルファスシリコン膜をアニール処理し、多結晶シリコン膜に結晶化させ、（【００３２】） さらに、その多結晶シリコン膜にレジストを塗布し、露光・パターニング・エッチング処理を施し、島状に形成し、（【００３３】） 続いて、多結晶シリコン膜を覆って全面にＳｉＯｘを成膜し、ゲート絶縁膜１０３を形成し、このゲート絶縁膜１０３上にゲート金属膜を堆積し、フォトリソグラフィー技術を用いてｐ型ＴＦＴ部分のゲート電極１０４を形成し、ボロン（Ｂ）をドーピングし、ｐ型ＴＦＴの多結晶シリコン膜に導電領域であるソース領域１０５、ドレイン領域１０６を形成し、（【００３４】） 次に、ゲート金属膜をパターニングし、ゲート配線１０７およびｎ型ＴＦＴのゲート電極１０８、映像信号線１０９の一部１０９ａ、映像信号電圧保持用コンデンサ１１０の下部電極パターン１１０ａを形成し、（【００３５】） その後、ゲート電極１０８またはゲート電極形成時のレジストをマスクとして上部より燐イオン（Ｐ）をドーピングし、ｎ型ＴＦＴ部分の多結晶シリコン膜にソース領域１１１、ドレイン領域１１２を形成し、（【００３６】） さらに、これらの上面全部を覆うように、層間絶縁層１１３となるＳｉＯｘを成膜し、層間絶縁層１１３およびゲート絶縁膜１０３を貫通しソース領域１０５，１１１、ドレイン領域１０６，１１２等に達するコンタクトホールを設けた後、金属膜を成膜・パターニング処理し、ソース電極、ドレイン電極１１４、有機ＥＬ電流供給線１１５および映像信号線１０９（１０９ｂ）を形成し、スイッチング素子ＳＷ１となるｎ型ＴＦＴと駆動用制御素子ＳＷ２となるｐ型ＴＦＴ、これらを組合せてなる駆動回路領域の映像信号線駆動回路Ｘｄｒ、走査信号線駆動回路Ｙｄｒを形成し、 また、有機ＥＬ電流供給線１１５を上側電極として映像信号電圧保持用コンデンサ１１０も形成し、（【００３７】） さらに基板全面にＳｉＮｘの絶縁層１１６を形成し、駆動制御素子ＳＷ２のソース電極と接続するコンタクトホールを設けた後、金属膜を成膜・パターニング処理し、有機ＥＬ表示素子Ｐを構成する光反射性の第１電極１１７、補助配線１１８、表示領域を囲む矩形枠状に補助配線１１８と一体的に形成される第２電極電源線１１９を形成し、（【００３８】） 有機ＥＬ表示素子Ｐの第１電極１１７は絶縁層１１６上に配置され、絶縁層１１６を介して駆動制御素子ＳＷ２のソース電極と接続され、（【００４０】） 基板全面に黒色有機レジスト材料を塗布し、パターニングし、有機ＥＬ表示素子Ｐの第１電極１１７に対応する位置に第１電極１１７を露出する開口部１２０ｂを有し、さらに補助配線１１８上に補助配線１１８を露出するコンタクト部１２０ａを備えた素子分離用の隔壁１２０を形成し、（【００４１】） 補助配線１１８のコンタクト部１２０ａを、補助配線１１８に沿って連続したパターンで形成し、（【００４２】） さらに、インクジェット法によりＲ，Ｇ，Ｂに対応する高分子系の有機発光材料を順次吐出し、第１電極上の隔壁１２０の開口１２０ｂに対応する位置に有機発光層１２１を選択的に形成し、（【００４３】） 次に、有機発光層１２１上の基板全面に第２電極１２２として光透過性導電膜を成膜し、この第２電極１２２を、絶縁層１１６上に第１電極１１７と同層に形成される補助配線１１８とコンタクト部１２０ａを介して接続することにより、製造された、（【００４４】） 有機ＥＬパネル２。 【図４】 ［図：0001426540000007.jpg］ 【図５】 ［図：0001426540000008.jpg］ 」 （当合議体注：「有機ＥＬ表示素子Ｐ」及び「表示素子」については、「有機ＥＬ表示素子Ｐ」に表記を統一している。また、「第２電極１２２」及び「第２電極」については、「第２電極１２２」に表記を統一している。また、「補助配線１１８」及び「補助配線」については、「補助配線１１８」に表記を統一している。） （３） 対比、一致点及び相違点 ア 対比 本件補正後発明と、引用発明を対比する。 （ア） 薄膜トランジスタ、アレイ基板 ａ 引用発明の「有機ＥＬパネル２」は、「絶縁基板１０１上に映像信号線１０９と走査信号線１０７とがマトリクス状に配置され、その交差部にスイッチング素子ＳＷ１としてｎ型ＴＦＴ、映像信号電圧保持用コンデンサ１１０、駆動用制御素子ＳＷ２としてｐ型ＴＦＴ、有機ＥＬ表示素子Ｐが形成され」るものである。 ｂ アクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置において、信号線と走査線が「マトリクス状に配置され」るとは、碁盤の縦横に描かれた直線のように、所定間隔の複数の平行な信号線と所定間隔の複数の平行な走査線が直角に交わるような配置を意味することは、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下「当業者」という。）の技術常識である（引用文献１の【００１３】の「基板上に配置される複数の走査信号線と、前記走査信号線に略直交して配置される複数の映像信号線」との記載や【図１】からも理解できることである。）。 そうすると、上記ａより、引用発明において、「マトリクス状に配置され」た「映像信号線１０９」と「走査信号線１０７」との「交差部」に配置される「ｎ型ＴＦＴ」（「スイッチング素子ＳＷ１」）、「映像信号電圧保持用コンデンサ１１０」、「ｐ型ＴＦＴ」（「駆動用制御素子ＳＷ２）」）及び「有機ＥＬ表示素子Ｐ」は、「絶縁基板１０１」上に、「映像信号線１０９」及び「走査信号線１０７」が延びる方向にアレイ状に配置されている、ということができる。 ｃ 引用発明においては、「スイッチング素子ＳＷ１となるｎ型ＴＦＴと駆動用制御素子ＳＷ２となるｐ型ＴＦＴ、これらを組合せてなる駆動回路領域の映像信号線駆動回路Ｘｄｒ、走査信号線駆動回路Ｙｄｒを形成し」、「有機ＥＬ電流供給線１１５を上側電極として映像信号電圧保持用コンデンサ１１０も形成し」、さらに「基板全面にＳｉＮｘの絶縁層１１６を形成し、駆動制御素子ＳＷ２のソース電極と接続するコンタクトホールを設けた」後に「金属膜を成膜・パターニング処理し、有機ＥＬ表示素子Ｐを構成する光反射性の第１電極１１７、補助配線１１８、表示領域を囲む矩形枠状に補助配線１１８と一体的に形成される第２電極電源線１１９を形成」して、「ＴＦＴ上に絶縁層１１６を介して第１電極１１７を形成したものであ」る。 ｄ してみると、引用発明の「有機ＥＬパネル２」における「絶縁基板１０１」と、「アンダーコート層１０２」と、「ゲート絶縁膜１０３」と、「層間絶縁層１１３」と、「有機ＥＬ電流供給線１１５」と、「マトリクス状に配置され」た「映像信号線１０９と走査信号線１０７」と、その交差部に対応してアレイ状に配置された「ｎ型ＴＦＴ」、「映像信号電圧保持用コンデンサ１１０」及び「ｐ型ＴＦＴ」を含み、「基板全面にＳｉＮｘの絶縁層１１６」が形成された構造であって、「絶縁層１１６を介して第１電極１１７」が形成される構造は、本件補正後発明の「アレイ基板」に相当するといえる。 また、引用発明の「ｎ型ＴＦＴ」及び「ｐ型ＴＦＴ」は、本件補正後発明の「薄膜トランジスタ」に相当し、引用発明は、本件補正後発明の、「前記アレイ基板は、薄膜トランジスタをさらに含み」との構成を具備する。 （イ） ピクセル電極、ピクセル電極層、接続 ａ 引用発明の「ＴＦＴ上に絶縁層１１６を介して」「形成された」「第１電極１１７」は、「絶縁層１１６上に配置され、絶縁層１１６を介して駆動制御素子ＳＷ２のソース電極と接続され」るものであり、「基板全面にＳｉＮｘの絶縁層１１６を形成し、駆動制御素子ＳＷ２のソース電極と接続するコンタクトホールを設けた後、金属膜を成膜・パターニング処理し」、「補助配線１１８」及び「表示領域を囲む矩形枠状に補助配線１１８と一体的に形成される第２電極電源線１１９」と同時に形成されるものである。 また、引用発明の「有機ＥＬ表示素子Ｐ」が画素（ピクセル）を構成することは明らかであるところ、上記（ア）ｂより、引用発明の「有機ＥＬ表示素子Ｐ」の「第１電極１１７」は、「絶縁基板１０１」上にアレイ状に配置されている。 そうすると、引用発明の「有機ＥＬ表示素子Ｐ」の「第１電極１１７」は、本件補正後発明の「ピクセル電極」に相当し、引用発明のアレイ状に配置された「第１電極１１７」は、本件補正後発明の「ピクセル電極層」に相当する（引用文献１の【図２】や【図３】からも理解できることである。）。 また、本件補正後発明の「ピクセル電極層」と、引用発明のアレイ状に配置された「第１電極１１７」は、「前記アレイ基板に設けられ、複数のピクセル電極を含む」点で共通する。 ｂ 上記ａより、引用発明においては、「有機ＥＬパネル２」が、「絶縁層１１６」を含み、「有機ＥＬ表示素子Ｐ」の「第１電極１１７」は、「金属膜を成膜・パターニング処理」することにより形成されるとともに、「絶縁層１１６上に配置され」、「絶縁層１１６」に形成された「コンタクトホール」を介して「ｐ型ＴＦＴ」（「駆動制御素子ＳＷ２」）「のソース電極」と直接接続されていると理解できる。 そうすると、上記（ア）ｄより、本件補正後発明と、引用発明は、「前記ピクセル電極層は、前記薄膜トランジスタに直接に接続されるように」「設けられる」点で共通する。 （ウ） 表示パネル 上記（ア）と（イ）より、引用発明の「有機ＥＬパネル２」は、本件補正後発明の「表示パネル」に相当する。 また、本件補正後発明の「表示パネル」と、引用発明の「有機ＥＬパネル２」は、「アレイ基板と」、「ピクセル電極層と」、「を備え」ている点で共通する。 イ 一致点及び相違点 上記アより、本件補正後発明と、引用発明は、 「 アレイ基板と、 前記アレイ基板に設けられ、複数のピクセル電極を含むピクセル電極層と、を備え、 前記アレイ基板は、薄膜トランジスタをさらに含み、 前記ピクセル電極層は、前記薄膜トランジスタに直接に接続されるように設けられる、表示パネル。」の構成で一致し、以下の点で一応相違する。 （相違点１－１） 本件補正後発明においては、「前記ピクセル電極層と絶縁して前記アレイ基板に設けられ、少なくとも前記ピクセル電極の一部を囲んで設けられる少なくとも１つの電界電極を含む電界電極層と、を備え」、「前記電界電極と前記ピクセル電極との間には、隙間が形成され」、「前記ピクセル電極を囲んで設けられた前記電界電極の一部と前記ピクセル電極との間の隙間の距離は、等し」いのに対して、引用発明においては、「有機ＥＬパネル２」がこのような「電界電極層」を備えているか明らかでない点。 （相違点１－２） 本件補正後発明においては、「表示パネルは、平坦化層をさらに含み」、前記ピクセル電極層は、前記薄膜トランジスタに直接に接続されるように「前記平坦化層」に設けられているのに対して、引用発明においては、「有機ＥＬパネル２」及び「第１電極１１７」がこのようなものであるか明らかでない点。 （４） 判断 ア 相違点１－１について 相違点１－１について検討する。 （ア）ａ 引用発明の「絶縁層１１６上に第１電極１１７と同層に形成される補助配線１１８」は、「基板全面にＳｉＮｘの絶縁層１１６を形成し、駆動制御素子ＳＷ２のソース電極と接続するコンタクトホールを設けた後、金属膜を成膜・パターニング処理」することにより、「有機ＥＬ表示素子Ｐを構成する光反射性の第１電極１１７」、「表示領域を囲む矩形枠状に補助配線１１８と一体的に形成される第２電極電源線１１９」と同時に形成され、 「コンタクト部１２０ａを介して」「第２電極１２２」と「接続」され、 「第１電極１１７とは隔壁１２０にて電気的に絶縁され、各有機ＥＬ表示素子Ｐの第１電極１１７を囲むよう格子状に設けられており、それぞれ表示領域にわたり互いに連結され」、「第２電極１２２と電気的に接続される補助配線１１８を表示領域全体に均等に備えるので、光取出し側電極の画面面内での電位のバラツキを抑制することが可能とな」り、「第２電極１２２を形成する透明導電膜と比し抵抗が十分小さく」、「低抵抗な導電材料を用いることで、光取出し側電極の画面面内での電位バラツキをより一層低減することができ」るものである。 また、引用発明の「補助配線１１８」は、下記図４（ａ）に示すように、「各有機ＥＬ表示素子Ｐの第１電極１１７周囲を包囲し」、「互いに連結されたパターン（図５（ａ））で表示領域に均等に配置された補助配線１１８を設け」たものであるところ、図４（ａ）及び図５（ａ）は下記のものである。 【図４】 ［図：0001426540000009.jpg］ 【図５】 ［図：0001426540000010.jpg］ ｂ 引用発明の「有機ＥＬパネル２」において、マトリクス状に配置される（上記（３）ア（ア）ｂ）映像信号線１０９と走査信号線１０７の各交差部に対応してアレイ状に配置される各「第１電極１１７」（「ピクセル電極」）は、特段の事情がなければ、複数の平行な映像信号線１０９及び複数の平行な走査信号線１０７に平行な外形とされることは技術常識である（引用文献１の【図２】からも理解できることである。各「第１電極１１７」の面積（発光面積、開口率）を大きくできる点からも自然な構成である。）ところ、「第１電極１１７とは隔壁１２０にて電気的に絶縁され」、「第１電極１１７を囲むよう格子状に設けられ」、「それぞれ表示領域にわたり互いに連結され」た「補助配線１１８」の外形（「第１電極１１７を囲む」「格子」の形状）は、「第１電極１１７」の外形と平行に形成されていると考えるのが自然である（引用発明の図５（ａ）からも理解できることである。）。 ｃ してみると、上記ａ及びｂより、引用発明の「補助配線１１８」は、アレイ状の「第１電極１１７」（「ピクセル電極層」）と（「隔壁１２０」にて電気的に）絶縁して、（「第１電極１１７」と同様に）「基板全面に」形成された「絶縁層１１６」上に形成されていると理解できる（引用文献１の【図３】からも理解できることである。）。 また、引用発明の「第１電極１１７を囲むよう格子状に設けられ」、「それぞれ表示領域にわたり互いに連結され」た「補助配線１１８」は、少なくとも「第１電極１１７」の一部を囲んで設けられていること、また、「第１電極１１７」との間には、隙間が形成されていることが理解できる。 さらに、引用発明においては、「補助配線１１８」の一部と、「第１電極１１７」との間の隙間の距離は等しくなっているということができる（引用発明の図５（ａ）からも理解できることである。）。 （イ）ａ また、本件出願明細書（以下「本願明細書」という。）の発明の詳細な説明の【００２６】、【００３２】及び【００４５】には、「電界電極層３」について、「表示パネルは、ピクセル電極層と電界電極層との間の電圧差を制御するか、又はピクセル電極層の内部に発生する電圧差を制御することにより、ピクセル電極に電界を発生させることができる。」、「ピクセル電極層２に発光機能層を作製する場合、発光機能層の膜層の均一性を高めるために、ピクセル電極層２と電界電極層３との間に電界が形成されるように、ピクセル電極層２と電界電極層３とに異なる電圧を印加して電圧差を形成してもよい。ピクセル電極層２と電界電極層３との間に形成される電界は、水平成分と垂直成分とを有する。」及び「電界電極層３は、補助電極層であり、電界電極層３とピクセル電極層２とは、同層に設けられる。補助電極層は、補助陰極層として平面陰極に接続され、平面陰極の電圧降下を低減するためのものである。補助陰極配線２１により補助陰極層、即ち電界電極層３の電位を制御し、電界電極層３とピクセル電極層２との間に電圧差が形成されることで、ピクセル電極層２と電界電極層３との間に電界が形成される。」と記載されている。 ｂ 一方、引用発明においては、「アクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置１は第２電極１２２側を表示面とした上面発光方式であり」、「光取出し側電極、ここでは陰極電位の面内ばらつきを従来に比べて十分に低減でき」るとのことであるから、引用発明においては、「光取出し側電極」である各「第２電極１２２」は「陰極」であり、「有機発光層１２１」を介して対向配置される各「第１電極１１７」は、陽極であることが理解できる。 また、上記（ア）ａより、引用発明においては、「第２電極１２２」は、「第２電極電源線１１９」及び「補助配線１１８」を介して「陰極」電位とされ、各「第１電極１１７」は陽極電位が印加されて、各「有機ＥＬ表示素子Ｐ」が発光するところ、引用発明の「補助配線１１８」は、「第２電極１２２」と同様に「陰極」電位となるから、陽極電位の各「第１電極１１７」との間に電位差が発生し、その結果、「第１電極１１７」と「第２電極１２２」との間に電界が形成される、といえる。 してみると、引用発明の、「補助配線１１８」は、本件補正後発明の「電界電極」に相当し、「各有機ＥＬ表示素子Ｐの第１電極１１７を囲むよう格子状に設けられており、それぞれ表示領域にわたり互いに連結され」た「補助配線１１８」は、本件補正後発明の「補助電極層」に相当する。 そうすると、上記（ア）ｃより、引用発明は、本件補正後発明の、「前記ピクセル電極層と絶縁して前記アレイ基板に設けられ、少なくとも前記ピクセル電極の一部を囲んで設けられる少なくとも１つの電界電極を含む電界電極層と、を備え」、「前記電界電極と前記ピクセル電極との間には、隙間が形成され」、「前記ピクセル電極を囲んで設けられた前記電界電極の一部と前記ピクセル電極との間の隙間の距離は、等し」いとの構成を具備しているということができる。 （ウ） 以上のとおりであるから、相違点１－１は、実質的な相違点を構成しない。 イ 相違点１－２について 相違点１－２について検討する。 （ア） 新規性について ａ 引用発明は、「表示パネル２」を製造するにあたり、「ソース電極、ドレイン電極１１４、有機ＥＬ電流供給線１１５および映像信号線１０９（１０９ｂ）を形成し、スイッチング素子ＳＷ１となるｎ型ＴＦＴと駆動用制御素子ＳＷ２となるｐ型ＴＦＴ、これらを組合せてなる駆動回路領域の映像信号線駆動回路Ｘｄｒ、走査信号線駆動回路Ｙｄｒを形成し」、「有機ＥＬ電流供給線１１５を上側電極として映像信号電圧保持用コンデンサ１１０も形成した後に、「基板全面にＳｉＮｘの絶縁層１１６を形成し、駆動制御素子ＳＷ２のソース電極と接続するコンタクトホールを設けた後、金属膜を成膜・パターニング処理し、有機ＥＬ表示素子Ｐを構成する光反射性の第１電極１１７、補助配線１１８、表示領域を囲む矩形枠状に補助配線１１８と一体的に形成される第２電極電源線１１９を形成し」、「基板全面に黒色有機レジスト材料を塗布し、パターニングし、有機ＥＬ表示素子Ｐの第１電極１１７に対応する位置に第１電極１１７を露出する開口部１２０ｂを有し、さらに補助配線１１８上に補助配線１１８を露出するコンタクト部１２０ａを備えた素子分離用の隔壁１２０を形成」するものである。 ここで、引用発明の「基板全面に」形成された「ＳｉＮｘの絶縁層１１６」は、その上に「有機ＥＬ表示素子Ｐを構成する光反射性の第１電極１１７」、「第１電極１１７を囲むよう格子状に設けられ」、「それぞれ表示領域にわたり互いに連結され」た「補助配線１１８」、及び、「表示領域を囲む矩形枠状に補助配線１１８と一体的に形成される第２電極電源線１１９を形成」するものであるから、「絶縁層１１６」の形成面を平坦面とするのが技術常識である（引用文献１の【図３】からも理解できることである。）。 ｂ そうすると、引用発明の「基板全面に」形成された「ＳｉＮｘの絶縁層１１６」は、本件補正後発明の「平坦化層」に相当するということができる。 また、上記（３）ア（イ）ｂより、引用発明は、本件補正後発明の、「表示パネルは、平坦化層をさらに含み」、前記ピクセル電極層は、前記薄膜トランジスタに直接に接続されるように「前記平坦化層」に設けられているとの構成を具備しているということができる。 あるいは、アクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置において、ＴＦＴ上に絶縁層（パッシベーション層、保護層）を介して画素電極を形成する際に、ＴＦＴ上の絶縁層を平坦な膜とすることは、技術常識である。 例えば、特開平１０－１８９２５２号公報の【請求項１】（「ＴＦＴと有機ＥＬ素子の下部電極との間に、平坦化された層間絶縁膜が配設され、かつＴＦＴの端子と有機ＥＬ素子の下部電極とが、層間絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介して電気的に接続されてなる」との記載）、【００１２】（「ＴＦＴと有機ＥＬ素子の下部電極との間に、平坦化された層間絶縁膜が配設され」との記載）、【００３８】及び【図１】（「層間絶縁膜４」、「下部電極３１」等）、特開２００３－２２３１１９号公報の【００１１】、【００１２】（「駆動用制御素子１５０に接続された光反射性導電膜からなる第１電極１１１」等）、【００４０】（「平坦化膜１０６」）及び【図３】（「平坦化膜１０６」、「第１電極１１１」等）等を参照。 してみると、相違点１－２は、実質的な相違点を構成しない。 （イ） 進歩性について 仮に上記（ア）のとおりでなく、相違点１－２が実質的な相違点を構成するとしても、上記技術常識に基づいて、引用発明において、相違点１－２に係る本件補正後発明の構成とすることは、当業者が容易に想到し得たことである。 ウ 審判請求書における請求人の主張 （ア） 審判請求書３～６頁において請求人は、 主張ａ 「出願人は、本願発明は、少なくとも以下の点において引用文献１に記載の発明とは相違するものと考えます。」、 「（相違点１） 本願発明は、「前記ピクセル電極層と絶縁して・・・設けられる少なくとも１つの電界電極を含む電界電極層」を備えるのに対し、引用文献１にはそのような特定がない点。」、 「（相違点２） 本願発明では、「前記表示パネルは、平坦化層をさらに含」のに対し、引用文献１にはそのような特定がない点。」、 「（相違点３） 本願発明では、「前記ピクセル電極層は、前記薄膜トランジスタに直接に接続されるように前記平坦化層に設けられる」のに対し、引用文献１にはそのような特定がない点。」、 「（相違点４） 本願発明では、前記電界電極と前記ピクセル電極との間には、隙間が形成され、前記ピクセル電極を囲んで設けられた前記電界電極の一部と前記ピクセル電極との間の隙間の距離は、等し」いのに対し、引用文献１にはそのような特定がない点。」、 主張ｂ 「本願明細書の図１を参照すると、ピクセル電極層２は平坦化層２３上に設置され、薄膜トランジスタに直接に接続されています。これに対して、引用文献１記載の発明のピクセル電極層１１７（下記図３参照。なお、部分Ａについては、審判請求人が追加しました）は、下記図３における部分Ａに直接接続されています。 【図１】 ［図：0001426540000011.jpg］ 」、 「出願人は、引用文献１の記載から、部分Ａが、電界電極層１０９ｂの一部であると考えています。拒絶査定が、「少なくとも前記ピクセル電極の一部を囲んで設けられる少なくとも１つの電界電極を含む電界電極層（１１８、１０７、１０９）」と指摘していることからも、１０７、１０９は電界電極層の一部であることが判ります。また、引用文献１の図１から１０７と１０９（電界電極層）がＳＷ１（ｎ型ＴＦＴ薄膜トランジスタ）と直接接続していることが明らかです。そのため、引用文献１の発明では、ピクセル電極層１１７がまず電界電極層１０９ｂと直接接続され、それから１０５と１０６を含む薄膜トランジスタとして機能する部分と直接接続されることが公開されています。」、 「したがって、相違点１は引用文献１に開示されていません。また、上記の分析の通り、ピクセル電極層１１７は電界電極層１０９ｂを介してから１０５と１０６を含む薄膜トランジスタに接続されるため、相違点３も開示されていません。」、 主張ｃ 「本発明で特定されているのは平坦化層であり、絶縁層ではありませんので、相違点２も開示されていません。」、 主張ｄ 「拒絶査定は、「引用文献１には、第１電極と補助配線等との距離を異ならせることの格別の記載はないし、［００１９］等の記載から、補助配線は表示領域全体に均等に備えられることから、上記点は、格別相違しないか、上記点にすることに格別の困難性は認めない。」と指摘しています。」、 「表示面内の表示不均を抑制する問題を解決するために引用文献１が開示する内容は、相違点４に全く関係がありません。したがって、相違点４も開示されていないと考えます。」、 主張ｅ 「上記相違点１～４に関し、引用文献１に記載された発明では、電界電極層とピクセル電極間との電界干渉を減らす方法が全く考慮されておらず、他の部品を経ずにピクセル電極層と薄膜トランジスタを直接接続して電界干渉を減らす方法も考慮されておりません。したがって、新請求項１は、引用文献１に記載の発明に対して進歩性を有しているものと思料します。また、新請求項１３も、同様の理由により引用文献１に比べて進歩性を有しているものと思料します。」、 と主張している。 （イ） 主張ｂ及び主張ｃについて ａ 請求人は、「引用文献１の記載から、部分Ａが、電界電極層１０９ｂの一部であると考えています。」、「引用文献１の発明では、ピクセル電極層１１７がまず電界電極層１０９ｂと直接接続され、それから１０５と１０６を含む薄膜トランジスタとして機能する部分と直接接続されることが公開されています。」と主張しているが、「ピクセル電極１１７」と「映像信号線１０９（１０９ｂ）」を直接接続してしまうと、「スイッチング素子ＳＷ１」（「ｎ型ＴＦＴ」）が「ゲート配線１０７」（走査線）を介して選択されたときに対応する「映像信号線１０９」（信号線）の映像信号を「映像信号電圧保持用コンデンサ１１０」に書き込み、「駆動用制御素子ＳＷ２」（「ｐ型ＴＦＴ」）の駆動（ゲート電圧）を制御して、「有機ＥＬ電流供給線１１５」から「有機ＥＬ表示素子Ｐ」（「ピクセル電極１１７」）に所望の駆動電流を供給するという、アクティブマトリクス型の動作（例えば、特開２００３－２２９３２８３号公報の【００１３】～【００１５】、【図１】、【図２】等）ができなくなることから、請求人が主張するような接続構成をとることはない。 引用文献１の【００３７】には、「さらにＣＶＤ法などによりこれらの上面全部を覆うように、層間絶縁層１１３となるＳｉＯｘを成膜し、層間絶縁層１１３およびゲート絶縁膜１０３を貫通しソース領域１０５，１１１、ドレイン領域１０６，１１２等に達するコンタクトホールを設けた後、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏからなる金属膜を成膜・パターニング処理し、ソース電極１１３、ドレイン電極１１４、有機ＥＬ電流供給線１１５および映像信号線１０９（１０９ｂ）、を形成する。こうして、スイッチング素子ＳＷ１となるｎ型ＴＦＴと駆動用制御素子ＳＷ２となるｐ型ＴＦＴ、これらを組合せてなる駆動回路領域の映像信号線駆動回路Ｘｄｒ、走査信号線駆動回路Ｙｄｒが形成される。」（当合議体注：「ソース電極１１３」は「ソース電極」の誤記である。）と記載されるだけであり、「ピクセル電極層１１７がまず電界電極層１０９ｂと直接接続され」ることは記載されていない。 むしろ、請求人が指摘する【図３】の「部分Ａ」からは、【００３８】～【００４０】に記載されるとおり、「第１電極１１７」が、絶縁層１１６形成されたコンタクトホールを介して「駆動制御素子ＳＷ２のソース電極と接続され」ていることが理解できる。また、【図３】に示される「映像信号線１０９（１０９ｂ）」は、コンタクトホールを介して、異なる層（高さ）に形成された「映像信号線１０９の一部１０９ａ」と接続することにより１本の「映像信号線１０９」を構成するものであり、「映像信号線１０９（１０９ｂ）」が「第１電極１１７」と直接接続されるものではない。このことは、引用文献１の【図１】からも理解できる。具体的には、（「Ｐ」で示される）「有機ＥＬ表示素子Ｐ」（の「第１電極１１７」）は、「駆動用制御素子ＳＷ２」（「ｐ型ＴＦＴ」）と接続されていて、「映像信号線１０９（１０９ｂ）」とは接続されていない。 ｂ 請求人は、「拒絶査定が、「少なくとも前記ピクセル電極の一部を囲んで設けられる少なくとも１つの電界電極を含む電界電極層（１１８、１０７、１０９）」と指摘していることからも、１０７、１０９は電界電極層の一部であることが判ります。」とも主張しているが、引用発明のアクティブマトリクス動作を考えれば、機能及び接続先が異なる「補助配線１１８」、「ゲート配線１０７」及び「映像信号線１０９」を接続することはない。令和５年１２月２８日提出の意見書２頁において「しかしながら、出願人は、新請求項１と引用文献１記載の発明とは、「前記ピクセル電極を囲んで設けられた前記電界電極の一部と前記ピクセル電極との間の隙間の距離は、等しい」点において相違していると考えます。上記相違点に関し、審査官殿は、引用文献１（図２、５等）に記載されていると述べられておりましたが、引用文献１の図面のみから、「第１電極１１７を囲んで設けられた補助配線１１８の一部と第１電極１１７との間の隙間の距離は、等しい」ことが明らかであると結論付けることはできないと考えます。」と述べていることからも、引用文献１に記載された「補助配線１１８」は、本件補正後発明の「電界電極層」に相当すると理解されている。 ｃ また、上記イにおいて一応の相違点１－２について述べたとおり、引用発明の「絶縁層１１６」は、「平坦化膜」に相当する。あるいは、技術常識に基づき、引用発明の「絶縁層１１６」を「平坦化膜」とすることは、当業者が容易になし得たことである。 さらに、上記（３）ア（イ）において述べたとおり、引用発明では、「有機ＥＬ表示素子Ｐ」の「第１電極１１７」は、「絶縁層１１６」（「平坦化層」）を介して「駆動制御素子ＳＷ２」（「ｐ型ＴＦＴ」）「のソース電極」と直接接続されていると理解できる。 してみると、請求人の主張ｂ及び主張ｃを採用することはできない。 （ウ） 主張ｄについて 上記アにおいて一応の相違点１－１について述べたとおりであり、引用発明においても、「各有機ＥＬ表示素子Ｐの第１電極１１７周囲を包囲し」、「互いに連結されたパターンで表示領域に均等に配置された補助配線１１８」と「第１電極１１７」との間には隙間が形成されている、当該「補助配線１１８」と「第１電極１１７」との間の隙間の距離は等しくなっている、ということができる。 してみると、請求人の主張ｄを採用することはできない。 （エ） 主張ａ及び主張ｅについて、 一致点及び一応の相違点１－１及び相違点１－２については、上記（３）及び上記アとイで述べたとおりであるから、「表示パネル」として、本件補正後発明と、引用発明とは相違しない。 してみると、請求人の上記主張ａ及び主張ｅを採用することはできない。 エ 小括 以上のとおり、本件補正後発明は、引用文献１に記載された発明と同一であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許出願の際に独立して特許を受けることができないものである。あるいは、本件補正後発明は、引用文献１に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際に独立して特許を受けることができないものである。 ３ 補正の却下の決定のむすび 本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 よって、上記［補正の却下の決定の結論］に記載のとおり、決定する。 第３ 本願発明について １ 本願発明 以上のとおり、本件補正は却下されたので、本件出願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、上記「第２」［理由］１（１）に記載のとおりのものである。 ２ 原査定の拒絶の理由 原査定の拒絶の理由は、概略、 （理由１） 本願発明は、本件出願の優先権主張の日前に日本国内又は外国において頒布された刊行物である下記の引用文献１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない、あるいは、 （理由２） 本願発明は、本件出願の優先権主張の日前に日本国内又は外国において頒布された刊行物である下記の引用文献１に記載された発明に基づいて、本件出願の優先権主張の日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない、という理由を含む。 （引用文献一覧） 引用文献１：特開２００２－３１８５５６号公報 ３ 理由１（特許法第２９条第１項第３号）及び理由２（特許法第２９条第２項）について （１） 引用文献１及び引用発明 引用文献１の記載及び引用発明は、上記「第２」［理由］２（１）及び（２)に記載したとおりである。 （２） 対比及び判断 本願発明は、上記「第２」［理由］２で検討した本件補正後発明から、同１（３）で述べた限定事項を除いたものである。また、本願発明の構成を全て具備し、これにさらに限定を付したものに相当する本件補正後発明は、上記「第２」［理由］２（４）で述べたとおり、引用文献１に記載された発明と同一であるか、あるいは、引用文献１に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 してみると、本願発明は、上記「第２」［理由］２（４）で述べた理由と同様の理由により、引用文献１に記載された発明と同一であるか、あるいは、引用文献１に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 第４ むすび 本願発明は、引用文献１に記載された発明であるから、特許法２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない、あるいは、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 してみると、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本件出願は拒絶されるべきものである。 よって、結論のとおり審決する。