2024-005130

特願２０２０－５６６６７３「プラズマ処理ツールにおける画像に基づくプラズマシースプロファイル検出」拒絶査定不服審判事件〔令和 元年１２月 ５日国際公開、ＷＯ２０１９／２３１８１４、令和 ３年 ９月２７日国内公表、特表２０２１－５２５９４７〕について、次のとおり審決する。

結 論 本件審判の請求は、成り立たない。

理 由 第１ 手続の経緯 本願は、２０１９年（令和元年）５月２３日（パリ条約による優先権主張外国庁受理 ２０１８年５月２９日 米国）を国際出願日とする外国語特許出願であって、その手続の経緯の概略は次のとおりである。 令和 ３年 １月２６日 ：翻訳文の提出 令和 ４年 ６月２７日 ：上申書、手続補正書の提出 令和 ５年 ３月２７日付け：拒絶理由通知書 同年 ９月２９日 ：意見書、手続補正書の提出 同年１１月２０日付け：拒絶査定 （同月２８日 ：原査定の謄本の送達） 令和 ６年 ３月２７日 ：審判請求書、手続補正書の提出 第２ 令和６年３月２７日にされた手続補正についての補正の却下の決定 ［補正の却下の決定の結論］ 令和６年３月２７日にされた手続補正を却下する。 ［補正の却下の決定の理由］ １ 本件補正の内容 令和６年３月２７日にされた手続補正（以下「本件補正」という。）は、特許請求の範囲についてする補正であって、本件補正前（令和５年９月２９日にされた手続補正後）の特許請求の範囲の請求項１及び本件補正後の特許請求の範囲の請求項１の記載は、それぞれ次の(１)及び(２)に示すとおりである。下線は補正箇所を示す。 (１) 本件補正前 「プラズマ処理システムであって、 （ｉ）カメラによって撮像された、基板を処理中の基板処理チャンバ内のプラズマ環境の画像を受信し、（ｉｉ）前記基板を処理中の前記プラズマ環境で形成されたプラズマシースを示す前記画像の１または複数の特徴を抽出する、ように構成された画像プロセッサと、 プロセッサを有するコントローラであって、（ｉ）前記画像から抽出された前記１または複数の特徴に基づいて前記プラズマ環境で形成された前記プラズマシースのプラズマシースプロファイルを決定し、（ｉｉ）前記コントローラによって決定された前記プラズマシースプロファイルと基準プロファイルとの差に基づいてエッジリングの高さを選択的に調整する、ように構成されたコントローラと、 を備え、 前記１または複数の特徴の１つは、バルクプラズマ領域とプラズマシース領域との対比に相当する、 プラズマ処理システム。」 (２) 本件補正後 「プラズマ処理システムであって、 （ｉ）カメラによって撮像された、基板を処理中の基板処理チャンバ内のプラズマ環境の画像を受信し、（ｉｉ）前記基板を処理中の前記プラズマ環境で形成されたプラズマシースを示す前記画像の１または複数の特徴を抽出する、ように構成された画像プロセッサと、 プロセッサを有するコントローラであって、（ｉ）前記画像から抽出された前記１または複数の特徴に基づいて前記プラズマ環境で形成された前記プラズマシースのプラズマシースプロファイルを決定し、（ｉｉ）前記コントローラによって決定された前記プラズマシースプロファイルと基準プロファイルとの差に基づいてエッジリングの高さを選択的に調整する、ように構成されたコントローラと、 を備え、 前記１または複数の特徴の１つは、バルクプラズマ領域とプラズマシース領域との対比に相当し、 前記エッジリングは、前記基板を支持する内側部分と前記エッジリングを支持する外側部分とを有する基板支持体の前記外側部分を貫くピンであって垂直方向に伸縮されるピンによって、昇降される、 プラズマ処理システム。」 ２ 本件補正の適否についての当審の判断 (１) 本件補正の目的について 本件補正で請求項１についてする補正は、本件補正前の請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「エッジリング」を、「前記基板を支持する内側部分と前記エッジリングを支持する外側部分とを有する基板支持体の前記外側部分を貫くピンであって垂直方向に伸縮されるピンによって、昇降される」ものに限定するものである。 そして、本件補正前の請求項１に記載された発明と本件補正後の請求項１に記載される発明は、産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一である。 したがって、本件補正で請求項１についてする補正は、特許法１７条の２第５項２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とする補正に該当する。 (２) 独立特許要件について 前記(１)のとおり、本件補正は、特許法１７条の２第５項２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とする補正である。そこで、本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本件補正発明」という。）が、同法１７条の２第６項において準用する同法１２６条７項の規定に適合するか、すなわち、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかについて、以下検討する。 ア 本件補正発明 本件補正後の請求項１に係る発明（本件補正発明）は、前記１(２)の本件補正後の請求項１に記載された事項により特定されるとおりのものと認める。 イ 引用文献に記載された事項及び引用発明等の認定 (ア) 引用文献１に記載された事項及び引用発明の認定 ａ 引用文献１に記載された事項 原査定で引用され、本願の優先日前に発行された特開２００７－２５８４１７号公報（以下「引用文献１」という。）には、以下の事項が記載されている。下線は当合議体が付したものであり、他の文献についても同様である。 (ａ) 技術分野、背景技術、発明が解決しようとする課題（【０００１】～【０００７】） 「【技術分野】 【０００１】 本発明は、プラズマ処理方法に関し、詳細には、例えば各種半導体装置の製造過程で半導体ウエハ等の被処理体に対してエッチング等のプラズマ処理を行なうプラズマ処理方法に関する。 【背景技術】 【０００２】 半導体装置の製造過程では、例えば半導体ウエハ等の被処理体に微細な回路パターンを形成する目的でプラズマエッチング処理が繰り返し実施される。プラズマエッチング処理では、例えば、内部を減圧排気可能に構成されたプラズマエッチング装置のチャンバー内において、対向配置された電極間に高周波電圧を印加してプラズマを発生させ、載置台上に載置した半導体ウエハに対してプラズマを作用させてエッチングを行なう。このようなプラズマエッチング処理の際には、前記載置台上の半導体ウエハの外周に、プラズマの活性種であるエッチャントを半導体ウエハの表面に集中させる作用を持つフォーカスリングを配備してエッチングが行なわれる。 ・・・（中略）・・・ 【０００４】 ところで、前記フォーカスリングは消耗品であり、プラズマエッチング処理が繰り返される間にプラズマの作用によってその表面から徐々に削られていき、形状が変化していく。そして、フォーカスリングの消耗が進み、その厚みが減少すると、半導体ウエハ周縁部のエッチング形状に悪影響を与えるという問題があった。具体的には、例えばエッチングによってホールを形成する場合、半導体ウエハの周縁部においてホールが斜めに形成されてしまい、エッチング形状の制御が困難になる。そして、ウエハＷの中央部と周縁部でエッチング形状に差異が生じ、半導体ウエハ面内でのエッチング形状の均一性を確保できなくなる。このエッチング形状の不均一を防止するためには、エッチング形状に大きな影響が出る前にフォーカスリングを交換しなければならなかった。このため、フォーカスリングの交換サイクルが早まり、部品寿命を短縮化させる一因になっていた。 ・・・（中略）・・・ 【発明の開示】 【発明が解決しようとする課題】 【０００６】 前記フォーカスリングの消耗によってエッチング形状に変化が生じる原因を調査したところ、フォーカスリングが消耗してその厚みが薄くなると、フォーカスリングの上方でプラズマシースの状態が変化し、これが半導体ウエハへのイオンの入射角度を変化させ、半導体ウエハの周縁部におけるエッチング形状に影響を与えてしまうことが判明した。この対策として、予めエッチング形状に影響を与えない範囲でフォーカスリングの厚みを厚く設定しておくことも可能である。しかし、この方法では、フォーカスリングの消耗に伴ってエッチング形状に少しずつ変化が生じることは避けられないため、根本的な解決策とはなり得ない。 【０００７】 本発明は、フォーカスリングの消耗に起因するエッチング形状などの処理結果への悪影響を極力低減するとともに、フォーカスリングの使用期間を長期化することが可能なプラズマ処理方法を提供することを目的とする。」 (ｂ) 課題を解決するための手段・発明の効果（【０００８】～【００１９】） 「【課題を解決するための手段】 【０００８】 上記課題を解決するため、本発明の第１の観点は、被処理体に対してプラズマ処理を行なう処理容器と、前記処理容器内において被処理体を載置する載置台と、前記載置台の周囲に配備された外周部材と、前記外周部材に電圧を印加する電圧印加装置と、を備えたプラズマ処理装置を用い、 前記外周部材の消耗度に基づき、前記電圧印加装置により所定の電圧を前記外周部材に印加してプラズマ処理を行なう、プラズマ処理方法を提供する。 ・・・（中略）・・・ 【００１１】 本発明の第３の観点は、被処理体に対してプラズマ処理を行なう処理容器と、前記処理容器内において被処理体を載置する載置台と、前記載置台の周囲に配備された外周部材と、前記外周部材に電圧を印加する電圧印加装置と、前記外周部材の上方の電界の状態を観察する監視装置と、を備えたプラズマ処理装置を用い、 前記監視装置により前記外周部材の上方の電界の変化を検知し、該検知結果に基づき、前記電圧印加装置により所定の電圧を前記外周部材に印加してプラズマ処理を行なう、プラズマ処理方法を提供する。 ・・・（中略）・・・ 【００１６】 本発明の第６の観点は、被処理体に対してプラズマ処理を行なう処理容器と、 前記処理容器内において被処理体を載置する載置台と、 前記載置台の周囲に配備された外周部材と、 前記外周部材に電圧を印加する電圧印加装置と、 前記処理容器内で、上記第１の観点または第２の観点のプラズマ処理方法 が行なわれるように制御する制御部と、 を備えた、プラズマ処理装置を提供する。 【００１７】 本発明の第７の観点は、被処理体に対してプラズマ処理を行なう処理容器と、 前記処理容器内において被処理体を載置する載置台と、 前記載置台の周囲に配備された外周部材と、 前記外周部材に電圧を印加する電圧印加装置と、 前記外周部材の上方の電界の状態を監視する監視装置と、 前記処理容器内で、上記第３の観点のプラズマ処理方法が行なわれるように制御する制御部と、 を備えた、プラズマ処理装置を提供する。 【発明の効果】 【００１８】 本発明によれば、外周部材の消耗度、既に実施されたプラズマ処理結果、または外周部材の上方の電界変化の検知結果に基づき、電圧印加装置によって所定の電圧を外周部材に印加してプラズマ処理を行なうことにより、例えばエッチング形状の面内均一性などのプラズマ処理結果を改善できる。よって、本発明のプラズマ処理方法は、半導体装置の歩留りの改善と、信頼性の向上を図る上で有利に利用できるものであり、半導体装置の微細化への対応も可能になる。 【００１９】 また、外周部材の消耗がある程度進んでも、電圧を印加することによってプラズマ処理結果への悪影響を極力低減できるので、事実上外周部材の部品寿命を延ばすことが可能である。従って、部品交換に伴う装置のダウンタイムの削減や部品コストの削減が可能であり、プラズマ処理効率を改善できる。」 (ｃ) 本発明の好ましい形態（【００２０】～【００４５】、【図１】～【図４】） 「【発明を実施するための最良の形態】 【００２０】 以下、図面を参照しながら、本発明の好ましい形態について説明する。図１は、本発明方法の実施に好適に使用可能なプラズマエッチング装置の構成例を模式的に示すものである。このプラズマエッチング装置１は、電極板が上下平行に対向し、双方に高周波電源が接続された容量結合型平行平板エッチング装置として構成されている。 【００２１】 このプラズマエッチング装置１は、例えば表面がアルマイト処理（陽極酸化処理）されたアルミニウムからなる円筒形状に成形されたチャンバー２を有しており、このチャンバー２は接地されている。前記チャンバー２内の底部にはセラミックなどの絶縁板３を介して、被処理体、例えば半導体ウエハ（以下「ウエハ」という）Ｗを載置するための略円柱状のサセプタ支持台４が設けられており、さらにこのサセプタ支持台４の上には、下部電極を構成するサセプタ５が設けられている。このサセプタ５にはハイパスフィルター（ＨＰＦ）６が接続されている。 ・・・（中略）・・・ 【００２３】 サセプタ５は、その上中央部が凸状の円板状に成形され、その上にウエハＷと略同形の静電チャック１１が設けられている。静電チャック１１は、絶縁材の間に電極１２が介在された構成となっており、電極１２に接続された直流電源１３から例えば１．５ｋＶの直流電圧が印加されることにより、クーロン力によってウエハＷを静電吸着する。 ・・・（中略）・・・ 【００２５】 サセプタ５の上端周縁部には、静電チャック１１上に載置されたウエハＷを囲むように、外周部材である環状のフォーカスリング１５が配置されている。このフォーカスリング１５はセラミックスあるいは石英などの絶縁性材料からなり、エッチングの均一性を向上させるように作用する。また、フォーカスリング１５には、直流電源１６が接続されており、例えば１０～５００Ｖの直流電圧をフォーカスリング１５に印加できるように構成されている。 また、直流電源１６を接続するかわりに、フォーカスリング１５を接地することにより、接地電位としてもよい。 【００２６】 サセプタ５の上方には、このサセプタ５と平行に対向して上部電極２１が設けられている。この上部電極２１は、絶縁材２２を介して、チャンバー２の上部に支持されており、サセプタ５との対向面を構成し、多数の吐出孔２３を有する、例えば石英からなる電極板２４と、この電極２４を支持する導電性材料、例えば表面がアルマイト処理されたアルミニウムからなる電極支持体２５とによって構成されている。なお、サセプタ５と上部電極２１との間隔は、調節可能とされておいる。 ・・・（中略）・・・ 【００２９】 上部電極２１には、第１の高周波電源４０が接続されており、その給電線には整合器４１が設けられている。また、上部電極２１にはローパスフィルター（ＬＰＦ）４２が接続されている。この第１の高周波電源４０は、５０～１５０ＭＨｚの範囲の周波数を有しており、このように高い周波数を印加することにより、チャンバー２内に好ましい解離状態で、かつ高密度のプラズマを形成することができ、低圧条件下でのプラズマ処理が可能となる。この第１の高周波電源４０の周波数は、５０～８０ＭＨｚが好ましく、典型的には図１中に示すように６０ＭＨｚまたはその近傍の条件が採用される。 【００３０】 下部電極としてのサセプタ５には、第２の高周波電源４３が接続されており、その給電線には整合器４４が設けられている。この第２の高周波電源４３は、数百ｋＨｚ～十数ＭＨｚの範囲の周波数を有しており、このような範囲の周波数の電力を印加することにより、ウエハＷに対してダメージを与えることなく適切なイオン作用を与えることができる。第２の高周波電源４３の周波数は、例えば図１に示すように２ＭＨｚ等の条件が採用される。 【００３１】 チャンバー２の側壁には、チャンバー２内で形成されたプラズマによってプラズマシースが形成される高さに略対応する位置に透過窓２ａが形成されている。また、透過窓２ａの外側には、シース状態検知手段であるモニター５０が配備されている。このモニター５０は、例えばＣＣＤカメラなどを搭載しており、プラズマエッチング装置１でのエッチング処理中に、透過窓２ａを介してプラズマシースの状態を観測出来るように構成されている。 【００３２】 プラズマエッチング装置１の各構成部は、ＣＰＵを備えたプロセスコントローラ６０に接続されて制御される構成となっている。プロセスコントローラ６０には、工程管理者がプラズマエッチング装置１を管理するためにコマンドの入力操作等を行うキーボードや、プラズマエッチング装置１の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等からなるユーザーインターフェース６１が接続されている。 【００３３】 また、プロセスコントローラ６０には、プラズマエッチング装置１で実行される各種処理をプロセスコントローラ６０の制御にて実現するための制御プログラム（ソフトウエア）や処理条件データ等が記録されたレシピが格納された記憶部６２が接続されている。 【００３４】 そして、必要に応じて、ユーザーインターフェース６１からの指示等にて任意のレシピを記憶部６２から呼び出してプロセスコントローラ６０に実行させることで、プロセスコントローラ６０の制御下で、プラズマエッチング装置１での所望の処理が行われる。例えば、プロセスコントローラ６０は、後述するように、フォーカスリング１５の消耗度、またはモニター５０により検出されたフォーカスリング１５上方におけるプラズマシースの変化に基づき、フォーカスリング１５に印加される直流電圧を決定する。また、前記制御プログラムや処理条件データ等のレシピは、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体、例えばＣＤ－ＲＯＭ、ハードディスク、フレキシブルディスク、フラッシュメモリなどに格納された状態のものを利用したり、あるいは、他の装置から、例えば専用回線を介して随時伝送させてオンラインで利用したりすることも可能である。 【００３５】 次に、このように構成されるプラズマエッチング装置１によって、シリコン単結晶からなるウエハＷをエッチングする工程の概略について説明する。 まず、図示しない所定の膜が形成されたウエハＷを、ゲートバルブ３２を開放して、図示しないロードロック室からチャンバー２内へ搬入し、静電チャック１１上に載置する。そして、直流電源１３から直流電圧を印加することによって、ウエハＷを静電チャック１１上に静電吸着する。 【００３６】 次いで、ゲートバルブ３２を閉じ、排気装置３５によって、チャンバー２内を所定の真空度まで真空引きする。その後、バルブ２８を開放し、処理ガス供給源３０からエッチング目的に応じた所定の処理ガスを、マスフローコントローラ２９によって所定の流量に調整しつつ、処理ガス供給管２７、ガス導入口２６、上部電極２１の中空部へと導入し、電極板２４の吐出孔２３を通じて、図１に矢印で示すように、ウエハＷに対して均一に吐出させる。 【００３７】 このプラズマ処理においては、チャンバー２内を所定の圧力に維持するとともにサセプタ５を所定の温度に調節し、第１の高周波電源４０から上部電極２１に対し、また第２の高周波電源４３から下部電極としてのサセプタ５に対し、それぞれ所定の高周波電力を供給し、処理ガスをプラズマ化してウエハＷのエッチングを行なう。この際、後述するようにフォーカスリング１５の消耗度、フォーカスリング１５上方の電界変化の検知結果、または既に実施されたプラズマ処理結果（例えばエッチング形状）に基づき、フォーカスリング１５に直流電源１６から所定の直流電圧を印加することにより、チャンバー２内に生成したプラズマによるプラズマシースの変位を是正し、ウエハＷへのイオンの入射を均等に制御する。これにより、ウエハＷの面内におけるエッチング形状の均一化を図ることが可能になる。 【００３８】 エッチングが終了した段階で、第１の高周波電源４０および第２の高周波電源４３からの高周波電力の供給、直流電源１６からの電圧の印加および処理ガス供給源３０からの処理ガスの供給をそれぞれ停止し、その後、ゲートバルブ３２を開放して、処理済みのウエハＷをチャンバー２外へ搬出する。このようにして、１枚のウエハＷに対するプラズマエッチング処理が終了する。 【００３９】 次に、本発明のプラズマ処理方法の原理について説明する。 まず、図２～図４は、チャンバー２内でプラズマＰが励起した状態のフォーカスリング１５の近傍の状態を示す要部断面図である。まず、図２は、フォーカスリング１５が消耗していない場合（例えば交換直後の新品）におけるプラズマシースＰｓの状態を示している。この状態では、ウエハＷとフォーカスリング１５の表面とは略面一の状態になっている。 ここで、プラズマシースＰｓの厚さｔ１，ｔ２、すなわちプラズマＰと隣接する固体（ウエハＷ、フォーカスリング１５）の表面との距離は、下式により表される。なお、下式では、ｔ１，ｔ２を総称してｔと記す。 【００４０】 ｔ ∝ （１／Ｎｅ）１／２×Ｖ３／４ ［ここで、Ｎｅはプラズマ密度、Ｖは下式で示されるサセプタ５の電圧を意味する］ Ｖ ∝ （Ｐ）１／２／Ｓ ［ここで、Ｐはサセプタ５へ供給されるＲＦパワー、ＳはウエハＷとフォーカスリング１５の表面積を意味する］ 【００４１】 そして、上記式により求められるウエハＷ上のプラズマシースＰｓの厚さｔ１と、フォーカスリング１５上のプラズマシースＰｓの厚さｔ２とは略等しい。この状態では、図２に示すようにプラズマ中の活性種であるイオンなどのエッチャント（ここでは、プラス記号として示す；図３および図４において同様である）は、ウエハＷの表面やフォーカスリング１５の表面に対して略直角に入射する結果、ウエハＷの面内で略均一にエッチング等の処理が行なわれる。 【００４２】 次に、図３は、一定期間の使用によってフォーカスリング１５が消耗した後の状態を示している。図３に示すように、フォーカスリング１５はエッチングによって削られて薄くなり、その表面位置がウエハＷの表面よりも下降している。これに伴い、フォーカスリング１５の上方においてプラズマＰの端部は破線で示す中央の位置に比べて下降している。つまり、ウエハＷ上方のプラズマシースＰｓの厚さｔ１とフォーカスリング１５上方のプラズマシースＰｓの厚さｔ２は同一であるが、これら二つの領域の間でプラズマシースＰｓが斜めに形成され、歪みが生じている。なお、図３では、参照の目的で消耗前のフォーカスリング１５の表面位置を破線で表している（図４において同様である）。 【００４３】 そして、プラズマシースＰｓに図３に示すような歪みが生じると、歪みが生じた部分でエッチャントの入射角度が変化して、本来ならばフォーカスリング１５へ向かうはずであったエッチャントがウエハＷの周辺部に向けて斜めに入射してしまう。このプラズマシースＰｓの形状変化に伴うエッチャントの入射角度の変化が、ウエハＷの周縁部におけるエッチング形状の変化となって顕在化するものと考えられる。 【００４４】 図４は、図３のように消耗してその厚みが薄くなった状態のフォーカスリング１５に対して、直流電源１６から所定の電圧（例えば１００Ｖ）を印加した状態を示している。このようにフォーカスリング１５に電圧を印加することにより、フォーカスリング１５上の電界を変化させ、プラズマシースＰｓの厚みをｔ２からｔ３に広げることができる。これによって、プラズマシースＰｓの歪みが是正され、プラズマＰの下端をウエハＷ上方およびフォーカスリング１５上方で略面一に形成することができる。そして、図４に示すとおり、プラズマＰ中の活性種であるイオンなどのエッチャントをウエハＷ表面に対して略垂直に入射させることが可能になり、ウエハＷの周縁部におけるエッチング形状の乱れを改善することができる。この場合、直流電源１６からフォーカスリング１５に印加する電圧は、例えば１０～５００Ｖの範囲で制御することが好ましい。なお、フォーカスリング１５上の電界を変化させ、プラズマシースＰｓの歪みを是正するために、フォーカスリング１５を接地して接地電位としてもよい。 【００４５】 このように、フォーカスリング１５に対して、所定の電圧を印加することにより、その上方のプラズマシースＰｓの厚みを調節することが可能になるため、エッチング形状の精度を改善し、ウエハＷの面内におけるエッチング形状の均一性を高めることができる。また、フォーカスリング１５の消耗がある程度進んでも、エッチング形状に影響を与えることなく使用を継続できるので、事実上フォーカスリング１５の部品寿命を長期化させ、部品交換のためのプラズマエッチング装置１のダウンタイムと部品コストを削減できる。」 「【図１】 ［図：0001428674000001.jpg］ 【図２】 ［図：0001428674000002.jpg］ 【図３】 ［図：0001428674000003.jpg］ 【図４】 ［図：0001428674000004.jpg］ 」 (ｄ) 第２実施形態（【００５５】～【００６２】、【図７】～【図８】） 「【００５５】 図７は、本発明の第２実施形態に係るプラズマ処理方法において、フォーカスリング１５へ電圧の印加を行なう際に実施される処理手順の一例を示すフロー図である。第１実施形態では、フォーカスリング１５が消耗することによって、プラズマシースＰｓに変位が生じるという知見に基づき、フォーカスリング１５の消耗度を基準にして印加電圧を決定した。これに対し本実施形態では、より直接的にプラズマＰのプラズマシースＰｓの変位を検出し、その変位量（変位の程度）に応じてフォーカスリング１５に電圧を印加するようにした。この図７の処理手順は、プラズマエッチング装置１において実施される前記一連の工程の間に適宜組み込んで実施することができるものである。 【００５６】 図７に示すように、まずステップＳ２１では、モニター５０によってチャンバー２内で生成したプラズマＰにおけるプラズマシースＰｓの状態を検出する。プラズマ処理の均一性を確保する観点では、フォーカスリング１５の上方のプラズマシースＰｓ（つまり、プラズマシースＰｓの端部）の変動が問題となるため、モニター５０はプラズマＰの端部を観察できるものであればよい。 【００５７】 本実施形態では、モニター５０によってプラズマＰの端部のプラズマシースＰｓを撮影し、その画像データがプロセスコントローラ６０に送出される。プロセスコントローラ６０では、モニター５０からの画像データを元に画像解析を行い、プラズマシースＰｓの端部の位置の変動を例えば数値化してリアルタイムでユーザーインターフェース６１のディスプレイに表示する。そして、ステップＳ２２では、前記画像解析の結果に基づき、プロセスコントローラ６０によってプラズマシースＰｓの端部の変位の有無が判断される。 【００５８】 ステップＳ２２でプラズマシースＰｓの端部に変位あり（Ｙｅｓ）と判断された場合、プロセスコントローラ６０は、例えば予め記憶部６２に保存されている図８に示すようなテーブル２０１を参照する。そして、プラズマシースＰｓの変位量（例えば、ｂ３［ｍｍ］）に基づいて直流電源１６からフォーカスリング１５へ印加する電圧量（この場合はＢ３［Ｖ］）を決定する（ステップＳ２３）。この際に使用するテーブル２０１は、プラズマシースＰｓの端部の変位量と、それを補正するために必要となる印加電圧との対応関係を示しており、予め実験的に決定されたものである。 【００５９】 そして、ステップＳ２３の決定に基づき、続くステップＳ２４では、直流電源１６からフォーカスリング１５へ所定の電圧（例えばＢ３［Ｖ］）を印加する。このように電圧をフォーカスリング１５へ印加することにより、例えば、フォーカスリング１５上のプラズマシースＰｓの厚みｔ２を適切な厚さに調節できる。その結果、プラズマシースＰｓの形状変化に伴うウエハＷの周縁部でイオンの入射角度の乱れを是正し、ウエハ面内におけるエッチング形状の均一性を改善して半導体装置の歩留りを向上させることが可能になる。また、フォーカスリング１５の消耗がある程度進んでも、そこに印加する電圧量を調節することによってエッチング形状に影響を与えることなく使用を継続できるので、フォーカスリング１５の交換頻度を低減することが可能になり、交換に伴うプラズマエッチング装置１のダウンタイムや部品コストの削減が可能になる。 【００６０】 次に、ステップＳ２５では、プロセスコントローラ６０によりプラズマ処理が終了しているか否かが判断される。例えば、第１の高周波電源４０および第２の高周波電源４３が「オン」（入）のときは、プラズマ処理を終了しない（Ｎｏ）と判断し、「オフ」（切）のときは、プラズマ処理終了（Ｙｅｓ）と判断する。そして、ステップＳ２５でプラズマ処理終了（Ｙｅｓ）と判断された場合には、ステップＳ２６で直流電源１６をオフ（切）にする。 【００６１】 一方、ステップＳ２２でプラズマシースＰｓに変位なし（Ｎｏ）と判断された場合には、ステップＳ２１に戻り、再びプラズマシースＰｓの端部の位置検出が行なわれる。 【００６２】 また、ステップＳ２５でプラズマ処理を終了しない（Ｎｏ）と判断された場合にも、ステップＳ２１に戻り、再びプラズマシースＰｓの端部の位置検出が行なわれる。このように、プラズマエッチング装置１においてプラズマ処理が行なわれている間（つまり、プラズマＰが励起している間）は、図７に示す処理手順が繰り返し実行され、その間にプラズマシースＰｓの変位が生じた場合には、直流電源１６から適切な電圧量をフォーカスリング１５へ印加してプラズマシースＰｓの形状を調節し、エッチング形状に悪影響が生じないように制御が行なわれる。」 「【図７】 ［図：0001428674000005.jpg］ 【図８】 ［図：0001428674000006.jpg］ 」 ｂ 引用発明の認定 前記ａの引用文献１に記載された事項を総合すると、引用文献１には、第２実施形態（図１～図４、図７～図８）に係るプラズマエッチング装置に関して、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる（引用発明の認定に用いた箇所の段落番号等を参考までに括弧内に付してある。以下同様。）。 ＜引用発明＞ 「プラズマエッチング装置１であって、（【００２０】） プラズマエッチング装置１は、円筒形状に成形されたチャンバー２を有しており、前記チャンバー２内の底部にはセラミックなどの絶縁板３を介して、半導体ウエハ（以下「ウエハ」という）Ｗを載置するための略円柱状のサセプタ支持台４が設けられており、さらにこのサセプタ支持台４の上には、下部電極を構成するサセプタ５が設けられており、（【００２１】） サセプタ５は、その上中央部が凸状の円板状に成形され、その上にウエハＷと略同形の静電チャック１１が設けられており、（【００２３】） サセプタ５の上端周縁部には、静電チャック１１上に載置されたウエハＷを囲むように、外周部材である環状のフォーカスリング１５が配置されており、このフォーカスリング１５はセラミックスあるいは石英などの絶縁性材料からなり、エッチングの均一性を向上させるように作用し、また、フォーカスリング１５には、直流電源１６が接続されており、例えば１０～５００Ｖの直流電圧をフォーカスリング１５に印加できるように構成されており、（【００２５】） サセプタ５の上方には、このサセプタ５と平行に対向して上部電極２１が設けられており、（【００２６】） 上部電極２１には、第１の高周波電源４０が接続されており、（【００２９】） 下部電極としてのサセプタ５には、第２の高周波電源４３が接続されており、（【００３０】） チャンバー２の側壁には、チャンバー２内で形成されたプラズマによってプラズマシースが形成される高さに略対応する位置に透過窓２ａが形成されており、また、透過窓２ａの外側には、シース状態検知手段であるモニター５０が配備されており、このモニター５０は、例えばＣＣＤカメラなどを搭載しており、プラズマエッチング装置１でのエッチング処理中に、透過窓２ａを介してプラズマシースの状態を観測出来るように構成されており、（【００３１】） プラズマエッチング装置１の各構成部は、ＣＰＵを備えたプロセスコントローラ６０に接続されて制御される構成となっており、プロセスコントローラ６０には、工程管理者がプラズマエッチング装置１を管理するためにコマンドの入力操作等を行うキーボードや、プラズマエッチング装置１の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等からなるユーザーインターフェース６１が接続されており、（【００３２】） プロセスコントローラ６０は、モニター５０により検出されたフォーカスリング１５上方におけるプラズマシースの変化に基づき、フォーカスリング１５に印加される直流電圧を決定し、（【００３４】） プラズマ処理においては、チャンバー２内を所定の圧力に維持するとともにサセプタ５を所定の温度に調節し、第１の高周波電源４０から上部電極２１に対し、また第２の高周波電源４３から下部電極としてのサセプタ５に対し、それぞれ所定の高周波電力を供給し、処理ガスをプラズマ化してウエハＷのエッチングを行ない、この際、フォーカスリング１５上方の電界変化の検知結果に基づき、フォーカスリング１５に直流電源１６から所定の直流電圧を印加することにより、チャンバー２内に生成したプラズマによるプラズマシースの変位を是正し、ウエハＷへのイオンの入射を均等に制御し、これにより、ウエハＷの面内におけるエッチング形状の均一化を図ることが可能になり、（【００３７】） フォーカスリング１５が消耗していない場合（例えば交換直後の新品）におけるプラズマシースＰｓの状態では、ウエハＷとフォーカスリング１５の表面とは略面一の状態になっており、（【００３９】） ウエハＷ上のプラズマシースＰｓの厚さｔ１と、フォーカスリング１５上のプラズマシースＰｓの厚さｔ２とは略等しく、この状態では、プラズマ中の活性種であるイオンなどのエッチャントは、ウエハＷの表面やフォーカスリング１５の表面に対して略直角に入射する結果、ウエハＷの面内で略均一にエッチング等の処理が行なわれ、（【００４１】） 一定期間の使用によってフォーカスリング１５が消耗した後の状態では、フォーカスリング１５はエッチングによって削られて薄くなり、その表面位置がウエハＷの表面よりも下降しており、これに伴い、フォーカスリング１５の上方においてプラズマＰの端部は中央の位置に比べて下降しており、つまり、ウエハＷ上方のプラズマシースＰｓの厚さｔ１とフォーカスリング１５上方のプラズマシースＰｓの厚さｔ２は同一であるが、これら二つの領域の間でプラズマシースＰｓが斜めに形成され、歪みが生じており、（【００４２】） そして、プラズマシースＰｓに歪みが生じると、歪みが生じた部分でエッチャントの入射角度が変化して、本来ならばフォーカスリング１５へ向かうはずであったエッチャントがウエハＷの周辺部に向けて斜めに入射してしまい、このプラズマシースＰｓの形状変化に伴うエッチャントの入射角度の変化が、ウエハＷの周縁部におけるエッチング形状の変化となって顕在化するものと考えられ、（【００４３】） 消耗してその厚みが薄くなった状態のフォーカスリング１５に対して、直流電源１６から所定の電圧（例えば１００Ｖ）を印加し、このようにフォーカスリング１５に電圧を印加することにより、フォーカスリング１５上の電界を変化させ、プラズマシースＰｓの厚みをｔ２からｔ３に広げることができ、これによって、プラズマシースＰｓの歪みが是正され、プラズマＰの下端をウエハＷ上方およびフォーカスリング１５上方で略面一に形成することができ、そして、プラズマＰ中の活性種であるイオンなどのエッチャントをウエハＷ表面に対して略垂直に入射させることが可能になり、ウエハＷの周縁部におけるエッチング形状の乱れを改善することができ、（【００４４】） このように、フォーカスリング１５に対して、所定の電圧を印加することにより、その上方のプラズマシースＰｓの厚みを調節することが可能になるため、エッチング形状の精度を改善し、ウエハＷの面内におけるエッチング形状の均一性を高めることができ、また、フォーカスリング１５の消耗がある程度進んでも、エッチング形状に影響を与えることなく使用を継続できるので、事実上フォーカスリング１５の部品寿命を長期化させ、部品交換のためのプラズマエッチング装置１のダウンタイムと部品コストを削減でき、（【００４５】） プラズマＰのプラズマシースＰｓの変位を検出し、その変位量（変位の程度）に応じてフォーカスリング１５に電圧を印加するようにし、（【００５５】） まずステップＳ２１では、モニター５０によってチャンバー２内で生成したプラズマＰにおけるプラズマシースＰｓの状態を検出し、プラズマ処理の均一性を確保する観点では、フォーカスリング１５の上方のプラズマシースＰｓ（つまり、プラズマシースＰｓの端部）の変動が問題となるため、モニター５０はプラズマＰの端部を観察できるものであればよく、（【００５６】） モニター５０によってプラズマＰの端部のプラズマシースＰｓを撮影し、その画像データがプロセスコントローラ６０に送出され、プロセスコントローラ６０では、モニター５０からの画像データを元に画像解析を行い、プラズマシースＰｓの端部の位置の変動を例えば数値化してリアルタイムでユーザーインターフェース６１のディスプレイに表示し、そして、ステップＳ２２では、前記画像解析の結果に基づき、プロセスコントローラ６０によってプラズマシースＰｓの端部の変位の有無が判断され、（【００５７】） ステップＳ２２でプラズマシースＰｓの端部に変位あり（Ｙｅｓ）と判断された場合、プロセスコントローラ６０は、例えば予め記憶部６２に保存されているテーブル２０１を参照し、そして、プラズマシースＰｓの変位量（例えば、ｂ３［ｍｍ］）に基づいて直流電源１６からフォーカスリング１５へ印加する電圧量（この場合はＢ３［Ｖ］）を決定し（ステップＳ２３）、この際に使用するテーブル２０１は、プラズマシースＰｓの端部の変位量と、それを補正するために必要となる印加電圧との対応関係を示しており、予め実験的に決定されたものであり、（【００５８】） ステップＳ２３の決定に基づき、続くステップＳ２４では、直流電源１６からフォーカスリング１５へ所定の電圧（例えばＢ３［Ｖ］）を印加し、このように電圧をフォーカスリング１５へ印加することにより、例えば、フォーカスリング１５上のプラズマシースＰｓの厚みｔ２を適切な厚さに調節でき、その結果、プラズマシースＰｓの形状変化に伴うウエハＷの周縁部でイオンの入射角度の乱れを是正し、ウエハ面内におけるエッチング形状の均一性を改善して半導体装置の歩留りを向上させることが可能になり、また、フォーカスリング１５の消耗がある程度進んでも、そこに印加する電圧量を調節することによってエッチング形状に影響を与えることなく使用を継続できるので、フォーカスリング１５の交換頻度を低減することが可能になり、交換に伴うプラズマエッチング装置１のダウンタイムや部品コストの削減が可能になる、（【００５９】） プラズマエッチング装置１」 (イ) 引用文献２に記載された事項及び引用文献２技術事項の認定 ａ 引用文献２に記載された事項 原査定で引用され、本願の優先日前に発行された特開２００６－１７３２２３号公報（以下「引用文献２」という。）には、次の事項が記載されている。 (ａ) 技術分野、背景技術（【０００１】～【００１１】） 「【技術分野】 【０００１】 本発明は、プラズマエッチング装置およびプラズマエッチング方法に係り、特にフォーカスリングの消耗量をモニタするのに好適な構造を有するプラズマエッチング装置およびそれを用いたプラズマエッチング方法に関する。 【背景技術】 【０００２】 プラズマエッチング装置において、半導体基板の外周近傍でのプラズマを制御するために、フォーカスリングが用いられている。 【０００３】 フォーカスリングにより、半導体基板外周部でのエッチングレートが制御されるが、半導体基板外周部のエッチングレートはフォーカスリングの高さに依存して変化することが知られている。 【０００４】 プラズマエッチングによりフォーカスリングも徐々に削られて消耗していくので、プラズマの安定性が次第に崩れてエッチングレートが変動し、デバイス特性の劣化をもたらす。 ・・・（後略）」 (ｂ) 実施例３（【００４７】～【００５４】、【図４】） 「【実施例３】 【００４７】 図４は、本発明の実施例３に係るプラズマエッチング装置を示す断面図である。本実施例において、上記実施例１と同一の構成部分には同一符号を付してその説明は省略し、異なる部分についてのみ説明する。 【００４８】 本実施例が実施例１と異なる点は、フォーカスリングの消耗量に応じて、フォーカスリングを移動させるようにしたことにある。 【００４９】 即ち、図４に示すように、本実施例のプラズマエッチング装置４０は、容器１１に収納された半導体基板１２を支持する下部電極４１と、フォーカスリング１４を支持する下部電極４２と、下部電極４１と下部電極４２とを互いに独立に上下動させることが可能な駆動部４３と、第２の窓を透過したレーザ光の透過位置に関する受光部３１の検出結果に応じて駆動部４３を制御する制御部４４とを有している。 【００５０】 半導体基板１２を支持する下部電極４１とフォーカスリング１４を支持する下部電極４２は高周波電源２０に共通接続されている。 【００５１】 半導体基板１２を支持する下部電極４１は上下動シャフト４５を介して駆動部４３のモータＭ１に連結され、フォーカスリング１４を支持する下部電極４２は上下動シャフト４６を介して駆動部４３のモータＭ２に連結されている。 【００５２】 制御部４４は、受光部３１の検出結果であるレーザ光の透過位置情報とフォーカスリング１４の基準位置情報とを比較してフォーカスリング１４の消耗量を求め、フォーカスリング１４を支持する下部電極４２の制御情報を出力する。 【００５３】 駆動部４３は、制御部４４の指令に基づいてモータＭ２を駆動し、シャフト４６を介してフォーカスリング１４の上面の位置が所定の基準位置に略一致するように下部電極４２の位置を制御する。 【００５４】 これにより、フォーカスリング１４が消耗してもフォーカスリング１４の上面の位置を基準位置に略一致させることが可能である。」 「【図４】 ［図：0001428674000007.jpg］ 」 ｂ 引用文献２技術事項の認定 前記ａの引用文献２に記載された事項から、引用文献２には、実施例３に係るプラズマエッチング装置に関して、次の技術事項（以下「引用文献２技術事項」という。）が記載されていると認められる。 ＜引用文献２技術事項＞ 「プラズマエッチング装置において、半導体基板の外周近傍でのプラズマを制御するために、フォーカスリングが用いられており、（【０００２】 ） フォーカスリングにより、半導体基板外周部でのエッチングレートが制御されるが、半導体基板外周部のエッチングレートはフォーカスリングの高さに依存して変化することが知られており、（【０００３】） プラズマエッチングによりフォーカスリングも徐々に削られて消耗していくので、プラズマの安定性が次第に崩れてエッチングレートが変動し、デバイス特性の劣化をもたらし、（【０００４】） フォーカスリングの消耗量に応じて、フォーカスリングを移動させるようにしたプラズマエッチング装置４０は、容器１１に収納された半導体基板１２を支持する下部電極４１と、フォーカスリング１４を支持する下部電極４２と、下部電極４１と下部電極４２とを互いに独立に上下動させることが可能な駆動部４３と、第２の窓を透過したレーザ光の透過位置に関する受光部３１の検出結果に応じて駆動部４３を制御する制御部４４とを有しており、（【００４８】・【００４９】） フォーカスリング１４を支持する下部電極４２は上下動シャフト４６を介して駆動部４３のモータＭ２に連結されており、（【００５１】） 制御部４４は、受光部３１の検出結果であるレーザ光の透過位置情報とフォーカスリング１４の基準位置情報とを比較してフォーカスリング１４の消耗量を求め、フォーカスリング１４を支持する下部電極４２の制御情報を出力し、（【００５２】） 駆動部４３は、制御部４４の指令に基づいてモータＭ２を駆動し、シャフト４６を介してフォーカスリング１４の上面の位置が所定の基準位置に略一致するように下部電極４２の位置を制御し、（【００５３】） これにより、フォーカスリング１４が消耗してもフォーカスリング１４の上面の位置を基準位置に略一致させることが可能であること（【００５４】）」 (ウ) 引用文献４～６に記載された事項及び周知技術の認定 ａ 引用文献４に記載された事項 本審決で新たに引用され、本願の優先日前に発行された特開２０１７－１８３７０１号公報（以下「引用文献４」という。）には、次の事項が記載されている。 「【０００４】 半導体ウエハなどの基板上に膜をエッチングするために、基板処理システムが利用されうる。基板処理システムは、通例、処理チャンバ、ガス分配装置、および、基板支持体を備える。処理中、基板は、基板支持体の上に配置される。異なるガス混合物が処理チャンバに導入され、高周波（ＲＦ）プラズマが化学反応を活性化するために利用されうる。 【０００５】 基板支持体は、基板支持体の外側部分の周りに（例えば、周囲の外側におよび／または周囲に隣接して）配置されたエッジリングを備えうる。エッジリングは、基板上方の空間にプラズマを閉じこめる、プラズマよって引き起こされる腐食から基板支持体を保護する、などのために提供されうる。」 「【００３０】 ここで、図１を参照すると、本開示に従って基板の層（単に例として、タングステンすなわちＷの層）をエッチングするための基板処理チャンバの一例１００を示す。特定の基板処理チャンバが図示および説明されているが、本明細書に記載の方法は、他のタイプの基板処理システムで実施されてもよい。 【００３１】 基板処理チャンバ１００は、下側チャンバ領域１０２および上側チャンバ領域１０４を備える。下側チャンバ領域１０２は、チャンバ側壁面１０８、チャンバ底面１１０、および、ガス分配装置１１４の下面によって規定される。 ・・・（中略）・・・ 【００３５】 基板支持体１２２が、下側チャンバ領域１０４内に配置されている。いくつかの例において、基板支持体１２２は、静電チャック（ＥＳＣ）を備えるが、その他のタイプの基板支持体が用いられてもよい。基板１２６が、エッチング中に基板支持体１２２の上面に配置される。いくつかの例において、基板１２６の温度は、ヒータプレート１３２と、流体流路を備えた任意選択的な冷却プレートと、１または複数のセンサ（図示せず）とによって制御されてよいが、任意のその他の適切な基板支持体温度制御システムが用いられてもよい。 ・・・（中略）・・・ 【００４５】 基板支持体１２２は、エッジリング１９２を備える。本開示の原理に従ったエッジリング１９２が、基板１２６に対して移動可能（例えば、垂直方向に上下に移動可能）である、および／または、基板支持体１２２は、上下に移動可能である。例えば、エッジリング１９２および／または基板支持体１２２は、後に詳述するように、コントローラ１７６に応答して、１または複数のアクチュエータを介して制御されてよい。 【００４６】 基板１２６は、エッジリング１９２と係合するように配置された１または複数の接触フィンガ１９４を備える。例えば、エッジリング１９２および／または基板支持体１２２を上下させて、後に詳述するように、選択的にエッジリング１９２を接触フィンガ１９４と係合させる。ＳＲ装置１９６が、基板１２６の表面にＳＲ信号を方向付けるように配置される。ＳＲ信号は反射され、センサ（例えば、フォトダイオード）１９８によって受信される。エッジリング１９２の寸法（例えば、摩耗の影響を受けた寸法）は、（例えば、反射ＳＲ信号によって示されるように）エッジリング１９２が接触フィンガ１９４と接触した時に、エッジリング１９２（および／または基板支持体１２２）の高さを用いて計算されうる。 【００４７】 ここで、図２Ａ、図２Ｂ、および、図２Ｃを参照すると、本開示の原理に従って配列されたそれぞれのテスト基板またはウエハ２０４を有する基板支持体の例２００が示されている。基板支持体２００は、（例えば、ＥＳＣに対応する）内側部分２０８および外側部分２１２を有するベースまたはペデスタルをそれぞれ備えてよい。例において、内側部分２０８は、外側部分２１２から独立しており、それに対して移動可能であってよい（すなわち、内側部分２０８が、挙上および／または降下されるよう構成された例において）。コントローラ２１６が、１または複数のアクチュエータ２２０と通信して、エッジリング２２４を選択的に上下させる。単に例として、エッジリング２２４は、図２Ａでは完全に下げられた位置に示されており、図２Ｂおよび図２Ｃでは上げられた位置例に示されている。この例に示されるように、アクチュエータ２２０は、垂直方向に選択的にピン２２８を伸び縮みさせるよう構成されたピンアクチュエータに対応する。その他の適切なタイプのアクチュエータが、別の例で用いられてもよい。例えば、アクチュエータ２２０は、それぞれのピン２２８のネジ山に係合して段階的にピン２２８を上下させるよう構成されたモータに対応してよい。単に例として、エッジリング２２４は、セラミックまたは石英のエッジリングに対応する。 ・・・（中略）・・・ 【００５２】 このように、コントローラ２１６は、反射ＳＲ信号の特性を監視して、エッジリング２２４が接触フィンガ２３２と係合した時（またはその逆）を検出し、エッジリング２２４が接触フィンガ２３２と係合したエッジリング２２４（および／または内側部分２０８）の第１高さを決定し、第１高さと、新しい（すなわち、摩耗していない、最適な、など）エッジリングに対応する高さとの間の差を決定し、その差に基づいてエッジリング２２４の寸法を計算するよう構成される。したがって、エッジリング２２４が時間と共に摩耗する時に、エッジリング２２４の上面の変化を計算することができ、摩耗を補償するように、エッジリング２２４（および／または内側部分２０８）を配置できる。例えば、コントローラ２１６は、エッジリング２２４の内径の厚さが０．Ｘミリメートルだけ（例えば、エッジリング２２４の外周周りの平均で）減少したと算出した場合、基板の処理中に、エッジリング２２４を０．Ｘミリメートルだけ持ち上げることができる。さらに、コントローラ２１６は、エッジリング２２４がメンテナンス、交換などを必要とする時を決定（そして、ＬＥＤ、グラフィカルインターフェースなどを介してユーザに提示）してよい。コントローラ２１６は、ユーザによって指示された時など、上記の方法によって定期的にエッジリング２２４の寸法の測定を実行できる。」 「【図１】 ［図：0001428674000008.jpg］ 【図２Ａ】 ［図：0001428674000009.jpg］ 【図２Ｂ】 ［図：0001428674000010.jpg］ 【図２Ｃ】 ［図：0001428674000011.jpg］ 」 ｂ 引用文献４の記載から当業者が把握できる事項 引用文献４の【００４７】及び【図２Ａ】～【図２Ｃ】から、当業者は、ピン２２８が外側部分２１２を貫通していることを把握することができる。 ｃ 引用文献５に記載された事項 本審決で新たに引用され、本願の優先日前に発行された米国特許出願公開第２０１７／０２１３７５８号明細書（以下「引用文献５」という。）には、次の事項が記載されている。翻訳は、対応する公表公報である特表２０１９－５０５０８８号公報を参考に当合議体が作成したものである。 「[0021] 図１は、本開示の一実施例による処理チャンバ１００の概略断面図である。処理チャンバ１００は、チャンバ本体１０１と、その上に配置された蓋１０３とを含み、それらは一緒になって内部容積を画定する。チャンバ本体１０１は、一般的には電気的接地１０７に結合される。基板サポートアセンブリ１１１は、内部容積内に配置され、処理中に基板１０９をその上に支持する。処理チャンバ１００も、処理チャンバ１００内にプラズマを生成するための誘導結合型プラズマ装置１０２と、処理チャンバ１００の実施例を制御するように構成されたコントローラ１５５とを含む。」 [0033] 図２Ａ及び図２Ｂは、本明細書に記載の一実施例による処理チャンバ１００の基板サポートアセンブリ１１１の拡大概略図である。基板サポートアセンブリ１１１は、処理キット２０３と、基板サポート２０５と、静電チャック２２９とを含む。静電チャック２２９は、基板サポート２０５の上面に配置され、処理キット２０３によって取り囲まれている。基板サポート２０５は、絶縁プレート２２７を取り囲む接地プレート２２６と、垂直スタック内に組み立てられたファシリティーズプレート２２８とを含む。基板サポート２０５は、ファシリティーズプレート２２８及び静電チャック２２９を取り囲むスリーブ２３０を更に含み、ＲＦホット静電チャック２２９を接地プレート２２６から絶縁する。スリーブ２３０は、石英から製造することができる。処理キット２０３は、カバーリング２４６と、第１のエッジリング２４２と、第２のエッジリング２４４とを含む。カバーリング２４６は、接地プレート２２６の垂直エッジの上面に配置され、スリーブ２３０と係合するための凹部を含む。カバーリング２４６は、石英又は他のプラズマ耐性材料から製造されてもよい。 [0034] ファシリティーズプレート２２８は、接地プレート２２６の下部の上方、及び絶縁プレート２２７と静電チャック２２９との間に配置される。静電チャック２２９は、絶縁材料２３６内に埋め込まれた複数の電極１５３（４つが示されている）を含むことができる。電極１５３は、チャッキング電源１６０（図１に示す）に結合され、静電チャック２２９の上面に基板１０９をチャッキングすることが容易になる。絶縁材料２３６に１つ以上の加熱又は冷却チャネルを任意に形成し、処理中の基板１０９の温度制御を容易にすることができる。いくつかの態様では、電極１５３はカソードであり、整合ネットワーク１２０を介してバイアス電源１１９（図１に示す）に結合される。 [0035] 第１のエッジリング２４２は静電チャック２２９上に配置される。第１のエッジリング２４２は、基板１０９の半径方向外側のエッジを取り囲み、これに隣接する。第１のエッジリング２４２は、処理中の基板１０９のエッジの保護を容易にし、更に処理中の基板１０９に横方向の支持を提供する。第１のエッジリング２４２は、処理中の基板１０９に対して静止していてもよい。 [0036] 第２のエッジリング２４４は、第１のエッジリング２４２の上で半径方向外側に配置される。第２のエッジリング２４４の半径方向外側のエッジ２０２、及び第２のエッジリング２４４の底面２０４は、カバーリング２４６と接触している。第２のエッジリング２４４は、第１のエッジリング２４２及び基板１０９に対して同心円状に配置される。第２のエッジリング２４４は、第１のエッジリング２４２が基板１０９に横方向の支持を提供する助けとなり、基板１０９の半径方向外側のエッジで材料の望ましくないエッチング又は堆積を低減する助けとなる。 [0037] 基板サポートアセンブリ１１１は、１つ以上のアクチュエータ（とりわけ、ステッピングモータ又は線形アクチュエータなど）２４７（１つが示されている）を含むこともできる。一実施例では、１つ以上のアクチュエータ２４７が接地プレート２２６に配置される。しかし、アクチュエータ２４７は、基板サポートアセンブリ１１１の外部に配置されてもよいと考えられる。各アクチュエータ２４７は、１つ以上のプッシュピン２４８に係合するか、又はそれと連動するように適合される。１つ以上のプッシュピン２４８は、接地プレート２２６から、ファシリティーズプレート２２８及びスリーブ２３０を貫通して延在し、カバーリング２４６と接触する。１つ以上のプッシュピン２４８の作動により、カバーリング２４６及び第２のエッジリング２４４が基板１０９及び／又は第１のエッジリング２４２の上面に対して垂直方向に作動するか、又は変位する。いくつかの態様では、第１のエッジリング２４２を省略できると考えられる。第２のエッジリング２４４の位置は、第２のエッジリング２４４の腐食に対応する高さに調節され、処理中の基板表面に亘ってプラズマの均一性を高めることができる。」 「Fig. 1 ［図：0001428674000012.jpg］ Fig. 2A ［図：0001428674000013.jpg］ Fig. 2B ［図：0001428674000014.jpg］ 」 ｄ 引用文献５の記載から当業者が把握できる事項 引用文献５の[0037]及び図２Ｂのアクチュエータ２４７とプッシュピン２４８の位置関係から見て、当業者は、プッシュピン２４８が上下方向に伸び縮みすることを把握することができる。 ｅ 引用文献６に記載された事項 本審決で新たに引用され、本願の優先日前に発行された韓国公開特許第１０－２００８－００２３５６９号公報（以下「引用文献６」という。）には、次の事項が記載されている。翻訳は、当合議体が作成したものである。 「＜２５＞ 図３ａは本発明の第１実施例によるプラズマエッチング装置のチャンバ構造を図示した図面で、図３ｂはその動作方法を示した図面である。 ＜２６＞ まず、本発明の実施例によるプラズマエッチング装置の構造をよく見ると次のとおりである。 ＜２７＞ 一定体積（Ｖｏｌｕｍｅ）を有するプラズマ処理チャンバ（１００）、プラズマ処理チャンバ（１００）内部に具備されてプラズマエッチングが成り立つウエハ（１０２）が置かれる静電チャック（ＥＳＣ Ｃｈｕｃｋ、１０１）、静電チャック（１０２）の外郭地域に具備されてウエハ（１０２）の外周部を取り囲むフォーカスリング（１０３）、フォーカスリング（１０３）を上昇及び下降させる昇降ピン（Ｌｉｆｔ Ｐｉｎ、１０４）、昇降ピン（１０４）を駆動させてフォーカスリング（１０３）の上面の位置を調整する駆動機構（１０５）を含む。そして、昇降ピン（１０４）とフォーカスリング（１０３）の底面の間には支持板（１０６）が具備される。 ここで、フォーカスリング（１０３）はその材質がシリコン（Ｓｉ）、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２）またはアルミニウム（Ａｌ）である。 ＜２８＞ まず、駆動機構（１０５）はモーター（Ｍｏｔｏｒ）であり、モーター駆動によって昇降ピン（１０４）が上昇（ＵＰ）及び下降（ＤＯＷＮ）することでフォーカスリング（１０３）の表面が動く。そして、昇降ピン（１０４）は静電チャック（１０１）内に具備された貫通穴（１０１Ａ）を貫くが、この貫通穴（１０１Ａ）の内部で昇降ピン（１０４）が自由に上昇及び下降の上下運動が成り立つことができる。そして、フォーカスリング（１０３）とウエハ（１０２）の外周部の間、静電チャック（１０１）とフォーカスリング（１０３）の間は一定間隔離隔されている。図示しなかったが、フォーカスリング（１０３）の外側にはカバーリング（Ｃｏｖｅｒｉｎｇ Ｒｉｎｇ、ＣＲ）が具備されることもできる。 ＜２９＞ 上のようなプラズマエッチング装置において、プラズマエッチングを進行する途中にフォーカスリング（１０３）の摩耗が発生するとフォーカスリング（１０３）の表面とウエハ（１０２）の表面が同一高さになるように駆動機構（１０５）によって昇降ピン（１０４）を上部に移動（１０４Ａ）させて摩耗されたフォーカスリング（１０３Ａ）の表面を上昇させる。この時、摩耗されたフォーカスリング（１０３Ａ）の上昇距離は摩耗が発生した厚さ（Ｄ３）になるはずである。この結果、ウエハ（１０２）の表面と摩耗されたフォーカスリング（１０３Ａ）の表面は高さが等しくなって一定のプラズマシースを維持するようになる。すなわち、ウエハ（１０２）表面のＴ１とフォーカスリング（１０３Ａ）表面のＴ２’は等しくて、Ｔ２’は摩耗が発生する前のＴ２とも等しい。結局、イオン束（Ｉｏｎ ｆｌｕｘ）がウエハ（１０２）のエッジでもウエハ（１０２）に対して垂直方向を維持する。 ＜３０＞ 上のような原理によってフォーカスリング（１０３）とウエハ（１０２）の相対的な高さを一定するように維持してプラズマシース分布（Ｐｌａｓｍａ Ｓｈｅａｔｈ ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ）を一定するように管理する。」 「図３ａ ［図：0001428674000015.jpg］ 図３ｂ ［図：0001428674000016.jpg］ 」 ｆ 引用文献６の記載から当業者が把握できる事項 引用文献６の＜２８＞及び図３ａ～図３ｂから、当業者は、昇降ピン（１０４）が上下方向に伸び縮みすることを把握することができる。 ｇ 周知技術の認定 前記ａ～ｆの引用文献４～６に記載された事項及び引用文献４～６の記載から当業者が把握できる事項によれば、次に示す技術は、本願の優先日前の周知技術（以下「周知技術」という。）であると認められる。 ＜周知技術＞ 「プラズマ処理装置において、フォーカスリングの摩耗を補償するためにフォーカスリングを上下動させる際に、基板支持部の外周部を貫通し、上下方向に伸び縮みするピンによって上下動させること」 ウ 対比 (ア) 対比分析 本件補正発明と引用発明を対比する。 ａ 本件補正発明の「プラズマ処理システムであって、」及び「プラズマ処理システム。」との特定事項について 引用発明の「プラズマエッチング装置１」は、本件補正発明の「プラズマ処理システム」に相当する。 したがって、本件補正発明と引用発明は、「プラズマ処理システム」の発明である点で一致する。 ｂ 本件補正発明の「（ｉ）カメラによって撮像された、基板を処理中の基板処理チャンバ内のプラズマ環境の画像を受信し、（ｉｉ）前記基板を処理中の前記プラズマ環境で形成されたプラズマシースを示す前記画像の１または複数の特徴を抽出する、ように構成された画像プロセッサと、」「を備え、」との特定事項について (ａ) 引用発明の「プロセスコントローラ６０」は、「モニター５０からの画像データを元に画像解析を行［う］」ものであるから、本件補正発明の「画像プロセッサ」に相当する。 (ｂ) 引用発明の「モニター５０」は、「プラズマＰの端部のプラズマシースＰｓを撮影［する］」ものであるから、本件補正発明の「カメラ」に相当する。また、引用発明の「モニター５０」は、「プラズマエッチング装置１でのエッチング処理中に、透過窓２ａを介してプラズマシースの状態を観測出来るように構成されて［いる］」ものであるから、本件補正発明でいう「基板を処理中の基板処理チャンバ内のプラズマ環境の画像」を「撮像」するものであるといえる。そして、引用発明は、「モニター５０によってプラズマＰの端部のプラズマシースＰｓを撮影し、その画像データがプロセスコントローラ６０に送出され［る］」ものであるから、引用発明の「プロセスコントローラ６０」は、本件補正発明でいう「（ｉ）カメラによって撮像された、基板を処理中の基板処理チャンバ内のプラズマ環境の画像を受信［する］」「、ように構成された」ものである。 (ｃ) 引用発明の「プラズマシースＰｓ」は、本件補正発明の「プラズマシース」に相当する。そして、引用発明の「プロセスコントローラ６０」は、「モニター５０からの画像データを元に画像解析を行い、プラズマシースＰｓの端部の位置の変動を例えば数値化［する］」ものであるところ、当該「画像解析」において当該「プラズマシースＰｓの端部の位置」を特定するためには、プラズマＰとプラズマシースＰｓの境界を特定、すなわち、抽出する必要があることは明らかであり、当該境界は、本件補正発明の「プラズマシースを示す前記画像の１または複数の特徴」に相当する。したがって、前記(ｂ)も勘案すれば、引用発明の「プロセスコントローラ６０」は、本件補正発明でいう「（ｉｉ）前記基板を処理中の前記プラズマ環境で形成されたプラズマシースを示す前記画像の１または複数の特徴を抽出する、ように構成された」ものである。 (ｄ) 前記(ａ)～(ｃ)をまとめると、本件補正発明と引用発明は、「（ｉ）カメラによって撮像された、基板を処理中の基板処理チャンバ内のプラズマ環境の画像を受信し、（ｉｉ）前記基板を処理中の前記プラズマ環境で形成されたプラズマシースを示す前記画像の１または複数の特徴を抽出する、ように構成された画像プロセッサと、」「を備え［る］」点で一致する。 ｃ 本件補正発明の「プロセッサを有するコントローラであって、（ｉ）前記画像から抽出された前記１または複数の特徴に基づいて前記プラズマ環境で形成された前記プラズマシースのプラズマシースプロファイルを決定し、（ｉｉ）前記コントローラによって決定された前記プラズマシースプロファイルと基準プロファイルとの差に基づいてエッジリングの高さを選択的に調整する、ように構成されたコントローラと、を備え、」との特定事項について (ａ) 引用発明の「プロセスコントローラ６０」は、前記ｂのとおり本件補正発明の「画像プロセッサ」に相当するが、本件補正発明の「コントローラ」にも相当する。すなわち、引用発明の「プロセスコントローラ６０」は、本件補正発明の「画像プロセッサ」と「コントローラ」の機能を併せ持つものである。また、引用発明の「プロセスコントローラ６０」は、その「モニター５０からの画像データを元に画像解析を行い、プラズマシースＰｓの端部の位置の変動を例えば数値化［する］」等の機能からみて、本件補正発明でいう「プロセッサを有する」ものであることは技術常識からみて自明である。 (ｂ) 引用発明の「プロセスコントローラ６０」は、「モニター５０からの画像データを元に画像解析を行い、プラズマシースＰｓの端部の位置の変動を例えば数値化［する］」ものであるところ、当該「プラズマシースＰｓの端部の位置」は、本件補正発明の「前記プラズマシースのプラズマシースプロファイル」に相当する。そして、前記ｂ(ｃ)も踏まえると、引用発明の「プロセスコントローラ６０」は、本件補正発明でいう「（ｉ）前記画像から抽出された前記１または複数の特徴に基づいて前記プラズマ環境で形成された前記プラズマシースのプラズマシースプロファイルを決定［する］」ものであるといえる。 (ｃ)ｉ 引用発明の「プロセスコントローラ６０」は、「モニター５０からの画像データを元に画像解析を行い、プラズマシースＰｓの端部の位置の変動を例えば数値化［する］」ものであるところ、プラズマシースＰｓの端部の位置の変動は、「フォーカスリング１５が消耗していない場合」のプラズマシースＰｓの端部の位置と、「フォーカスリング１５が消耗した後の状態」のプラズマシースＰｓの端部の位置の差であることが理解できる。そして、当該「フォーカスリング１５が消耗していない場合」のプラズマシースＰｓの端部の位置が、本件補正発明の「基準プロファイル」に相当するとともに、引用発明の「プラズマシースＰｓの端部の位置の変動」は、本件補正発明の「前記コントローラによって決定された前記プラズマシースプロファイルと基準プロファイルとの差」に相当する。 ｉｉ 引用発明の「フォーカスリング１５」は、「静電チャック１１上に載置されたウエハＷを囲むように、外周部材である環状の」ものであるから、本件補正発明の「エッジリング」に相当する。 ｉｉｉ 引用発明は、「プラズマシースＰｓの変位量（例えば、ｂ３［ｍｍ］）に基づいて直流電源１６からフォーカスリング１５へ印加する電圧量（この場合はＢ３［Ｖ］）を決定し（ステップＳ２３）」、「ステップＳ２３の決定に基づき、続くステップＳ２４では、直流電源１６からフォーカスリング１５へ所定の電圧（例えばＢ３［Ｖ］）を印加［する］」ものであるところ、当該「プラズマシースＰｓの変位量」は、前記ｉの「プラズマシースＰｓの端部の位置の変動」を意味する。また、本件補正発明の「エッジリングの高さ」と、引用発明の「フォーカスリング１５へ印加する電圧量」は、いずれも「エッジリングの」パラメータである点で共通するといえる。そうすると、前記ｉも踏まえると、本件補正発明の「コントローラ」と引用発明の「プロセスコントローラ６０」は、「前記コントローラによって決定された前記プラズマシースプロファイルと基準プロファイルとの差に基づいてエッジリング」のパラメータ「を選択的に調整する、ように構成された」ものである点で共通する。 (ｄ) 前記(ａ)～(ｃ)をまとめると、本件補正発明と引用発明は、「プロセッサを有するコントローラであって、（ｉ）前記画像から抽出された前記１または複数の特徴に基づいて前記プラズマ環境で形成された前記プラズマシースのプラズマシースプロファイルを決定し、（ｉｉ）前記コントローラによって決定された前記プラズマシースプロファイルと基準プロファイルとの差に基づいてエッジリングの」パラメータ「を選択的に調整する、ように構成されたコントローラと、を備え［る］」点で共通する。 (ｅ) 一方で、前記プラズマシースプロファイルと基準プロファイルとの差に基づいて選択的に調整されるエッジリングのパラメータについて、本件補正発明は、「エッジリングの高さ」であるのに対して、引用発明は、「フォーカスリング１５へ印加する電圧量」である点で相違する。 ｄ 本件補正発明の「前記１または複数の特徴の１つは、バルクプラズマ領域とプラズマシース領域との対比に相当し、」との特定事項について 引用発明の「プラズマＰ」は、本件補正発明の「バルクプラズマ」に相当する。そして、前記ｂ(ｃ)で検討したように、引用発明の「画像解析」において当該「プラズマシースＰｓの端部の位置」を特定するためには、プラズマＰとプラズマシースＰｓの境界を特定する必要があることは明らかであるところ、当該境界が、本件補正発明の「プラズマシースを示す前記画像の１または複数の特徴」に相当し、当該「プラズマＰとプラズマシースＰｓの境界」は、本件補正発明でいう「バルクプラズマ領域とプラズマシース領域との対比に相当［する］」ものであるといえる。 したがって、本件補正発明と引用発明は、「前記１または複数の特徴の１つは、バルクプラズマ領域とプラズマシース領域との対比に相当［する］」点で一致する。 ｅ 本件補正発明の「前記エッジリングは、前記基板を支持する内側部分と前記エッジリングを支持する外側部分とを有する基板支持体の前記外側部分を貫くピンであって垂直方向に伸縮されるピンによって、昇降される、」との特定事項について 本件補正発明は、「前記エッジリングは、前記基板を支持する内側部分と前記エッジリングを支持する外側部分とを有する基板支持体の前記外側部分を貫くピンであって垂直方向に伸縮されるピンによって、昇降される」のに対して、引用発明は、「直流電源１６からフォーカスリング１５へ所定の電圧（例えばＢ３［Ｖ］）を印加［する］」ものであって、フォーカスリング１５が当該昇降されるものではない点で相違する。 (イ) 一致点及び相違点 前記(ア)の対比分析の結果をまとめると、本件補正発明と引用発明の一致点及び相違点は次のとおりである。 ＜一致点１＞ 「プラズマ処理システムであって、 （ｉ）カメラによって撮像された、基板を処理中の基板処理チャンバ内のプラズマ環境の画像を受信し、（ｉｉ）前記基板を処理中の前記プラズマ環境で形成されたプラズマシースを示す前記画像の１または複数の特徴を抽出する、ように構成された画像プロセッサと、 プロセッサを有するコントローラであって、（ｉ）前記画像から抽出された前記１または複数の特徴に基づいて前記プラズマ環境で形成された前記プラズマシースのプラズマシースプロファイルを決定し、（ｉｉ）前記コントローラによって決定された前記プラズマシースプロファイルと基準プロファイルとの差に基づいてエッジリングのパラメータを選択的に調整する、ように構成されたコントローラと、を備え、 前記１または複数の特徴の１つは、バルクプラズマ領域とプラズマシース領域との対比に相当する、 プラズマ処理システム」である点。 ＜相違点１＞ 前記プラズマシースプロファイルと基準プロファイルとの差に基づいて選択的に調整されるエッジリングのパラメータについて、本件補正発明は、「エッジリングの高さ」であるのに対して、引用発明は、「フォーカスリング１５へ印加する電圧量」であり、本件補正発明は、「前記エッジリングは、前記基板を支持する内側部分と前記エッジリングを支持する外側部分とを有する基板支持体の前記外側部分を貫くピンであって垂直方向に伸縮されるピンによって、昇降される」のに対して、引用発明は、「直流電源１６からフォーカスリング１５へ所定の電圧（例えばＢ３［Ｖ］）を印加［する］」ものであって、フォーカスリング１５が当該昇降されるものではない点。 エ 相違点についての判断 前記相違点１について検討する。 (ア) 引用発明の技術的意義は、フォーカスリングが消耗してその厚みが薄くなると、フォーカスリングの上方でプラズマシースの状態が変化し、これが半導体ウエハへのイオンの入射角度を変化させ、半導体ウエハの周縁部におけるエッチング形状に影響を与えてしまうところ、予めエッチング形状に影響を与えない範囲でフォーカスリングの厚みを厚く設定しておく方法では、フォーカスリングの消耗に伴ってエッチング形状に少しずつ変化が生じることは避けられないため、根本的な解決策とはなっていないという課題（引用文献１の【０００６】）があったことから、これを解決するために、「消耗してその厚みが薄くなった状態のフォーカスリング１５に対して、直流電源１６から所定の電圧（例えば１００Ｖ）を印加」し、これ「により、フォーカスリング１５上の電界を変化させ、プラズマシースＰｓの厚みをｔ２からｔ３に広げることができ、これによって、プラズマシースＰｓの歪みが是正され、プラズマＰの下端をウエハＷ上方およびフォーカスリング１５上方で略面一に形成することができ、そして、プラズマＰ中の活性種であるイオンなどのエッチャントをウエハＷ表面に対して略垂直に入射させることが可能になり、ウエハＷの周縁部におけるエッチング形状の乱れを改善することができ［る］」ことにあると認められる。そして、ある課題を解決する際に他の解決手段を採用することは当業者の通常の創作能力の発揮にすぎないことから、引用発明から出発した当業者は、上記のフォーカスリングの消耗に伴って生じるエッチング形状への影響という課題を、フォーカスリングの厚みを厚く設定することによらずに、解決するために、他の解決手段を採用することを動機付けられるといえる。 しかるに、引用発明と同一の技術分野に属する引用文献２技術事項は、前記イ(イ)ｂのとおりであるところ、要するに、「プラズマエッチングによりフォーカスリングも徐々に削られて消耗していくので、プラズマの安定性が次第に崩れてエッチングレートが変動し、デバイス特性の劣化をもたらし」てしまうという課題を解決するために、「フォーカスリングの消耗量に応じて、フォーカスリングを移動させる」ことにより、「フォーカスリング１４が消耗してもフォーカスリング１４の上面の位置を基準位置に略一致させる」ものであって、フォーカスリング１４を移動させる具体的手段は、フォーカスリング１４を支持する下部電極４２を上下動シャフト４６を介して移動させるというものである。このように、引用文献２技術事項は、フォーカスリングが消耗することによって生じるエッチングレートの変動という課題を解決するために、フォーカスリング１４の上面の位置を（そのフォーカスリング１４を支持する下部電極４２を上下動させることにより）維持するものであって、フォーカスリング１４の厚さを厚く設定するものではないといえるから、引用発明から出発した当業者は、引用文献２技術事項が、上記でいう他の解決手段になることを認識できる。 したがって、引用発明に引用文献２技術事項を適用して、フォーカスリングの消耗に応じて、フォーカスリング１５へ所定の電圧を印加することに代えて、フォーカスリング１５の上面の位置を基準位置に略一致させること、すなわち、フォーカスリング１５の高さを調整することは、当業者が容易になし得たことである。 (イ) ところで、引用文献２技術事項では、前記(ア)で説示したとおり、フォーカスリング１４の上面の位置を維持するための具体的手段として、フォーカスリング１４を支持する下部電極４２の位置を制御しているが、「プラズマ処理装置におけるフォーカスリングが摩耗した際にフォーカスリングを上下動させる際に、基板支持部の外周部を貫通し、上下方向に伸び縮みするピンによって上下動させること」は、前記イ(ウ)ｅで認定したとおり周知技術である。 そうすると、前記(ア)で検討したように、引用発明に引用文献２技術事項を適用して、フォーカスリング１５の上面の位置を基準位置に略一致させるに際して、その具体的な手段として当該周知技術を採用する構成（以下「容易想到構成」という。）とすることは、当業者が適宜なし得る設計事項にすぎない。 (ウ) そして、容易想到構成においては、フォーカスリング１５を、中央部と周縁部を有するサセプタ５の周縁部を貫通し、上下方向に伸び縮みするピンによって上下動させることとなるところ、引用発明は、「サセプタ５は、その上中央部が凸状の円板状に成形され、その上にウエハＷと略同形の静電チャック１１が設けられており、サセプタ５の上端周縁部には、静電チャック１１上に載置されたウエハＷを囲むように、外周部材である環状のフォーカスリング１５が配置されて［いる］」ことも勘案すれば、容易想到構成の「サセプタ５」、「中央部」、「周縁部」及び「ピン」はそれぞれ、相違点１に係る本件補正発明の「基板支持体」、「前記基板を支持する内側部分」、「前記エッジリングを支持する外側部分」及び「前記外側部分を貫くピンであって垂直方向に伸縮されるピン」に相当することになるから、当業者は、相違点１に係る本件補正発明の構成に至ることとなる。 オ 効果について 本件補正発明の奏する効果は、本件補正発明の構成が奏するものとして、引用発明、引用文献２技術事項及び周知技術に基づいて当業者にとって予測可能なものであり、格別顕著な効果であるともいえない。 カ 請求人の主張について (ア) 請求人は、引用文献１にはエッジリングの高さを選択的に調整することは開示されておらず、引用文献１が開示する引用発明では電圧の調節によりフォーカスリングの使用期間を長期化するという目的を既に達成しているため、当業者は、フォーカスリングの高さを調節する機構を有する引用文献２技術事項を適用する動機付けはない旨を主張している。 しかしながら、前記エ(ア)で説示したとおりである。 (イ) 請求人はまた、相違点１に係る本件補正発明の構成に係るところの、エッジリングの高さが基板支持体の外側部分を貫くピンが垂直方向に伸縮されることで調整されることは、いずれの引用文献にも記載されていない旨を主張しているが、この点については前記エ(イ)で検討したとおり、引用発明に引用文献２技術事項を適用するに際し、周知技術を採用することは設計事項にすぎない。 (ウ) 以上のとおり、請求人の主張はいずれも採用できない。 キ 独立特許要件についての当審の判断のまとめ 以上のとおり、本件補正発明は、引用発明、引用文献２技術事項及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件補正発明は、同法２９条２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。 (３) 本件補正の適否についての当審の判断のまとめ 前記(２)で検討したとおり、本件補正発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、本件補正で特許請求の範囲についてする補正は、特許法１７条の２第６項で準用する同法１２６条７項の規定に違反するものである。 したがって、本件補正は、同法１５９条１項で読み替えて準用する同法５３条１項の規定により却下されるべきものである。 よって、前記補正の却下の決定の結論のとおり決定する。 第３ 本願発明について １ 本願発明 本件補正は、前記第２のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、本件補正前の特許請求の範囲の請求項１（前記第２の１(１)参照）に記載された事項により特定されるとおりのものである。 ２ 原査定における拒絶の理由の概要 原査定の拒絶の理由のうち、本願発明についての理由１（進歩性）の概要は、次のとおりである。 理由１（進歩性） 本願発明は、その優先日前に日本国内又は外国において、頒布された刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明である引用文献１に記載された発明、引用文献２に記載された技術事項に基いて、その優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。 記 １．特開２００７－２５８４１７号公報 ２．特開２００６－１７３２２３号公報 ３ 引用文献に記載された事項及び引用発明等の認定 各引用文献に記載された事項並びに引用発明及び引用文献２技術事項の認定は、前記第２の２(２)イ(ア)及び(イ)において示したとおりである。 ４ 対比 前記第２の２(２)ウの本件補正発明と引用発明の対比と同様にして本願発明と引用発明を対比すると、本願発明と引用発明の一致点及び相違点は次のとおりである。 ＜一致点２＞ 「プラズマ処理システムであって、 （ｉ）カメラによって撮像された、基板を処理中の基板処理チャンバ内のプラズマ環境の画像を受信し、（ｉｉ）前記基板を処理中の前記プラズマ環境で形成されたプラズマシースを示す前記画像の１または複数の特徴を抽出する、ように構成された画像プロセッサと、 プロセッサを有するコントローラであって、（ｉ）前記画像から抽出された前記１または複数の特徴に基づいて前記プラズマ環境で形成された前記プラズマシースのプラズマシースプロファイルを決定し、（ｉｉ）前記コントローラによって決定された前記プラズマシースプロファイルと基準プロファイルとの差に基づいてエッジリングのパラメータを選択的に調整する、ように構成されたコントローラと、を備え、 前記１または複数の特徴の１つは、バルクプラズマ領域とプラズマシース領域との対比に相当する、 プラズマ処理システム」である点。 ＜相違点２＞ 前記プラズマシースプロファイルと基準プロファイルとの差に基づいて選択的に調整されるエッジリングのパラメータについて、本願発明は、「エッジリングの高さ」であるのに対して、引用発明は、「フォーカスリング１５へ印加する電圧量」である点。 ５ 判断 前記相違点２について検討すると、前記第２の２(２)エ(ア)で検討したとおり、引用発明に引用文献２技術事項を適用して、フォーカスリングの消耗に応じて、フォーカスリング１５へ所定の電圧を印加することに代えて、フォーカスリング１５の上面の位置を基準位置に略一致させること、すなわち、フォーカスリング１５の高さを調整することにより、相違点２に係る本願発明の構成とすることは、当業者が容易になし得たことである。 第４ むすび 以上のとおり、本願発明は、特許法２９条２項の規定により、特許を受けることができない。したがって、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。 よって、結論のとおり審決する。