2023-003238

特願２０１８－ ７５３９７「光モジュール」拒絶査定不服審判事件〔令和 １年１０月２４日出願公開、特開２０１９－１８６３７９〕について、次のとおり審決する。

結 論 本件審判の請求は、成り立たない。

理 由 第１ 手続の経緯 本願は、平成３０年４月１０日の出願であって、その手続の経緯の概略は、次のとおりである。 令和４年 １月２８日付け：拒絶理由通知書 同年 ３月２４日 ：意見書、手続補正書の提出 同年 ６月 ７日付け：拒絶理由通知書（最後の拒絶理由） 同年 ８月１０日 ：意見書、手続補正書の提出 同年１１月１５日付け：補正の却下の決定、拒絶査定（以下「原査定」という。） （同年１２月 ６日 ：原査定の謄本の送達） 令和５年 ２月２７日 ：審判請求書、手続補正書の提出 同年 ５月 ２日 ：前置報告書 同年 ６月 ５日 ：上申書の提出 令和６年 １月２６日付け：拒絶理由通知書 同年 ３月２２日 ：意見書、手続補正書の提出 第２ 本願発明 本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、令和６年３月２２日に提出された手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるとおりのものであると認められるところ、その請求項１の記載は、次のとおりである。 「相互に反対の第１面及び第２面を有して前記第１面から前記第２面まで貫通する貫通穴を有する導電性のステムと、 前記ステムに前記第１面の側で固定されて光信号及び電気信号を少なくとも一方から他方に変換するための光電素子と、 前記貫通穴の内側に前記ステムとは非接触で配置されて前記光電素子と電気的に接続される一対のリードピンと、 前記ステムに前記第１面の側で固定され、前記貫通穴の外側で前記一対のリードピンを保持する絶縁基板と、 前記貫通穴の内側を通らずに、前記貫通穴の外側であって前記貫通穴の両側で、前記ステムに固定されて前記ステムに電気的に接続される一対のＧＮＤピンと、 を有し、 前記貫通穴は、内周面を有し、 前記一対のリードピンは、外周面を有し、 前記内周面と外周面は、対向領域では相互に連結されないように、空隙によって分離され、 前記内周面がシールド面であり、前記内周面と前記外周面の間に介在する媒質の誘電率に従った特性インピーダンスで、伝送線路が構成され、 前記内周面は、対向する一対の面領域を有し、 前記一対のリードピンおよび前記一対のＧＮＤピンは、前記第２面から突出し、前記対向する一対の面領域に沿った方向に隣り合い、 前記絶縁基板は、第３面および第４面を有し、 前記絶縁基板は、前記第３面に一対の第１導電パッドを有し、前記第１導電パッドに前記一対のリードピンが接合され、 前記絶縁基板は、前記第３面に第２導電パッドを有し、前記第２導電パッドが前記ステムの前記第１面に接合され、 前記絶縁基板は、前記第４面に電極を有し、前記電極および前記第２導電パッドがコンタクトを介して電気的に接続されていることを特徴とする光モジュール。」 第３ 当審において通知した拒絶の理由の概要 本願発明は、令和６年３月２２日に提出された手続補正書による補正前の請求項１に係る発明を補正したものであるところ、当審において令和６年１月２６日付け拒絶理由通知書で当該補正前の請求項１に係る発明に対して通知した拒絶の理由（以下「当審拒絶理由」という。）の概要は、次のとおりである。 （進歩性）この出願の請求項１に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明である引用文献５に記載された発明及び引用文献６に記載された技術的事項に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。 記 ＜引用文献一覧＞ ５．特開２００４－４７８３０号公報 ６．特開２００７－４２７５７号公報 第４ 当合議体の判断 当合議体は、以下に示すとおり、本願発明は、引用文献５に記載された発明、引用文献６に記載された技術的事項及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない、と判断する。 １ 引用文献に記載された事項及び引用発明等の認定 (１) 引用文献５に記載された事項及び引用発明の認定 ア 引用文献５に記載された事項 当審拒絶理由で引用され、本願の出願前に発行された前記引用文献５（特開２００４－４７８３０号公報）には、以下の事項が記載されている。下線は当合議体が付したものであり、以下同様である。 (ア) 技術分野 「【０００１】 【発明の属する技術分野】 この発明は、半導体レーザなどの光半導体素子が搭載される光半導体用パッケージに関し、さらに詳しくは光ファイバが付属した同軸型モジュールや、光ファイバを接続するためのレセプタクル型アダプタ付きの光半導体素子モジュールに関するものである。」 (イ) 発明が解決しようとする課題 「【００１０】 【発明が解決しようとする課題】 この種の光送受信器の分野では、光通信を、幹線系だけでなく、オフィスや家庭などのアクセス系までの市場に広めるためにも、低コストでかつ１０Ｇｂ／ｓ以上の光伝送を実現することができる光半導体素子モジュールが強く要望されている。 【００１１】 しかし、特開平６－３１４８５７号公報や特開平１１－２３３８７６号公報に記載されるような従来の光半導体素子モジュールに用いられるキャン型のパッケージでは、フィードスルーの前後でインピーダンスが不整合となり易く、高周波伝送特性が劣化するという問題があった。従って、上述のような１０Ｇｂ／ｓ以上のビットレートの信号伝送に耐えることができない。 【００１２】 また、特開２０００－１６４９７０号公報、特開２０００－１９４７３号公報などに記載されるような、セラミックで形成された外部端子の設けられた従来の光半導体素子モジュールに用いられる箱形パッケージでは、１０Ｇｂ／ｓ以上のビットレートで信号伝送することは可能であるものの、セラミック基板自体が単位面積当たり高価であること、フィードスルーを構成しようとすると多層セラミックとなること、多層セラミックとリードとを接合する点で、蝋付けなどの工程が必要になり、手間がかかること、あるいはパッケージが高価となるなどの問題があった。 【００１３】 この発明は上記に鑑みてなされたもので、コストを安く維持できるとともに、高周波伝送特性が良好で、１０Ｇｂ／ｓ以上の高速動作が可能な光半導体用パッケージを得ることを目的とする。」 (ウ) 実施の形態１（【００２７】～【００２９】、【図１】～【図３】） 「【００２７】 実施の形態１． 図１～図１７に従って、この発明の実施の形態１の光半導体素子モジュールに用いる光半導体用パッケージについて説明する。この実施の形態１の光半導体用パッケージは、安価なキャンパッケージ型のモジュール形態を採用しており、パッケージ内には光半導体素子としてレーザダイオード（以下ＬＤという）が内蔵されている。また、本明細書では、光半導体用パッケージとは、密閉用のキャップ（蓋）がないものも含めた総称であるとする。 【００２８】 図１は光半導体用パッケージ（以下キャンパッケージという）１の外観構成を示すもので、図２はキャンパッケージ１およびレセプタクル２から構成される光半導体素子モジュール（以下、この実施の形態では主にＬＤを搭載した例を示すので、ＬＤモジュールと呼ぶ）３の外観構成を示すもので、図３（ａ）（ｂ）はＬＤモジュール３の水平断面（図２のｘ軸に平行な方向），垂直断面図（図２のｙ軸に平行な方向）を示すものである。 【００２９】 図１～図３に示すように、キャンパッケージ１は、バイアス給電ピン、高周波信号ピンなどがマウントされる円板状のステム１０と、複数のセラミック基板が搭載される台形柱状の台座１１（台座ブロック）と、ＬＤ４０から発生されたレーザ光を集光する集光レンズ１２と、台座１１などを外部から密閉するための円筒形のキャップ１３などを備えている。」 「【図１】 ［図：0001413816000001.jpg］ 【図２】 ［図：0001413816000002.jpg］ 【図３】 ［図：0001413816000003.jpg］ 」 (エ) 実施の形態１（【００４６】～【００５９】、【図５】～【図７】） 「【００４６】 つぎに、図５～図１８を用いてキャンパッケージ１の各構成要素について説明する。図５は、キャップ１３を外した状態におけるキャンパッケージ１を示す斜視図であり、図６はその平面図である。また、図７は、ステムとピンと台座の配置関係などを示すための図である。なお、図６は、説明の都合上、バイアス給電ピン４４ａ，４４ｂと、モニタ信号ピン４３などの配置位置が、図３、図５および図７とは若干異なっている。 【００４７】 図５～図７に示すように、キャンパッケージ１は、複数のピンがマウントされた円板状のステム１０と、Ａｇロウ付けなどによってステム１０の内壁面に垂直に固定される台形柱状の台座１１とから構成される。 【００４８】 グランドを構成するステム１０には、ＬＤ駆動回路１００からの差動の変調電気信号（以下差動高周波信号ともいう）が伝送される一対の高周波信号ピン４１ａ，４１ｂと、これら高周波信号ピン４１ａ，４１ｂの両側に配される２本のグランドピン４２ａ，４２ｂと、モニタ用の受光素子（例えばフォトダイオード、以下ＰＤという）５０の信号伝送のための１本のモニタ信号ピン４３と、ＬＤ４０に対して外部の直流バイアス電流源からバイアス電流を供給する一対のバイアス給電ピン４４ａ，４４ｂと、モニタ用のＰＤ５０を搭載するためのＰＤ用チップキャリア４５とがマウントされている。例えば、高周波信号ピン４１ａから図４に示す正相の電流信号Ｉ２が引き抜かれるとともに、周波信号ピン４１ｂに対して図４に示す電流信号Ｉ２と逆相の電流信号Ｉ１が与えられる。 【００４９】 これらの信号ピンのうち、高周波信号ピン４１ａ，４１ｂは、気密を保ったままステム１０を介して電気信号を通過させるフィードスルーを構成している。後で詳述するが、これら各ピンは、ガラスなどの材料で構成される誘電体を介してステム１０に対し気密封止状態で固定されている。グランドピン４２ａ，４２ｂは、グランドを構成するステム１０の外壁面に圧着および溶接によって固着されている。ＰＤ用チップキャリア４５上にマウントされたＰＤ５０は、ＬＤ４０から後方に出射されるモニタ光をモニタするためのものである。 【００５０】 ステム１０に対し台座１１がほぼ垂直に配設されている。台座１１の上面には、マイクロストリップ差動線路基板４６，４７と、ＬＤ用チップキャリア４８と、バイアス回路用基板４９とが搭載されている。台座１１とステム１０とは表面全体に導電性のメッキが施されている。マイクロストリップ差動線路基板４６，４７やＬＤ用チップキャリア４８の裏面に形成され接地導体層となる平面導体板（以下ベタグランドと呼ぶ）が、台座１１の上面に半田接合され電気的に接続されている。また、台座１１は、ＬＤ４０等から発生する熱の放熱経路になっている。 【００５１】 マイクロストリップ差動線路基板４６は、セラミック基板５１と、セラミック基板５１の上面に形成された一対のストリップ差動信号線５２ａ，５２ｂと、セラミック基板５１の裏面に形成されたベタグランド（図示せず）で構成されている。ストリップ差動信号線５２ａ，５２ｂの一端側には、ステム１０から突出された高周波信号ピン４１ａ，４１ｂと接触させるためのパッド５３ａ，５３ｂが形成されている。ストリップ差動信号線５２ａ ，５２ｂの途中には、互いの信号線に接近するように突出された特性インピーダンスが低い、容量として作用するスタブ５４ａ，５４ｂが形成されている。ストリップ差動信号線５２ａ，５２ｂは、高周波信号ピン４１ａ，４１ｂとのインピーダンス整合のために、ステム１０に近い入力側の部分５２ｄ（図６）では、特性インピーダンスが高くなるよう信号線間隔が大きく設定されている。また、ストリップ差動信号線５２ａ，５２ｂは、信号線間隔が徐々に接近する部分と、間隔が接近して平行に配置される出力側部分とを有している。ステム１０にマウントされる高周波信号ピン４１ａ，４１ｂの端部は、図７に示すように、マイクロストリップ差動線路基板４６のパッド５３ａ，５３ｂにロウ付けまたは半田付けによって接続固定されている。 【００５２】 マイクロストリップ差動線路基板４７は、セラミック基板５５と、セラミック基板５５の上面に形成された一対のストリップ差動信号線５６ａ，５６ｂと、セラミック基板５５の裏面に形成されたベタグランド（図示せず）で構成されている。ストリップ差動信号線５６ａ，５６ｂは、信号線方向を略９０度折り曲げるためのコーナーカーブ部を有している。ストリップ差動信号線５６ａ，５６ｂの途中には、インピーダンス整合用の抵抗３１ａ，３１ｂ（図４参照）がそれぞれ形成されている。ストリップ差動信号線５２ａ，５２ｂと、ストリップ差動信号線５６ａ，５６ｂとは、ワイヤボンド５７ａ，５７ｂによってそれぞれ接続されている。 【００５３】 ＬＤ用チップキャリア４８は、セラミック基板５８と、セラミック基板５８の上面に形成された一対のストリップ差動信号線５９ａ，５９ｂと、セラミック基板５８の裏面に形成されたベタグランド（図示せず）で構成されるマイクロストリップ差動線路を有し、一方のストリップ差動信号線５９ｂ上にＬＤ４０の一方の電極であるアノードが直接当接するように、ＬＤ４０が搭載されている。ＬＤ４０の他方の電極としてのカソードは、ワイヤボンド６０によって他方のストリップ差動信号線５９ａに接続されている。ストリップ差動信号線５６ａ，５６ｂと、ストリップ差動信号線５９ａ，５９ｂとは、ワイヤボンド６１ａ，６１ｂによってそれぞれ接続されている。セラミック基板５８は、熱伝導性の良い窒化アルミ（ＡｌＮ）や炭化シリコン（ＳｉＣ）などの材料から構成されている。ＬＤ４０としては、１０Ｇｂ／ｓの変調が可能な、例えば分布帰還型のレーザダイオード素子が用いられている。 …（中略）… 【００５８】 ステム１０は、コバール（Ｆｅ－Ｎｉ合金）、軟鉄、あるいはＣｕＷ（銅タングステン）などの金属で構成され、通常、その上層に半田付けのためにＮｉや金などのメッキが施されている。例えば、コバールや軟鉄からなるステム１０は金属板を金型で打ち抜いて作ることができ、また、ＣｕＷからなるステム１０はメタルインジェクションモールドで作ることができ、製造が簡単なので、コストが安い。ステム１０には、複数の孔７４，７５，７６ａ，７６ｂが分散して形成されており、これらの孔７４，７５，７６ａ，７６ｂに、誘電体７７，７８，７９ａ，７９ｂが挿入される。 【００５９】 誘電体７７には一対のピン挿入孔８０ａ，８０ｂが形成され、これらのピン挿入孔８０ａ，８０ｂに高周波信号ピン４１ａ，４１ｂが挿入固定される。同様に、誘電体７８，７９ａ，７９ｂには、孔（符号は省略）がそれぞれ形成され、これらの各孔にモニタ信号ピン４３およびバイアス給電ピン４４ａ，４４ｂが挿入固定される。一対の高周波信号ピン４１ａ，４１ｂが挿入される誘電体７７の形状は、この場合長円形状を呈している。これに対応して、誘電体７７が挿入される孔７４も長円形状を呈している。その他の誘電体７８，７９ａ，７９ｂは、円形形状としている。なお、グランドピン４２ａ，４２ｂは、ステム１０を貫通されておらず、前述したように、ステム１０の外壁面１０ｚ（図６、図７）に圧着および溶接によって固着されている。」 「【図５】 ［図：0001413816000004.jpg］ 【図６】 ［図：0001413816000005.jpg］ 【図７】 ［図：0001413816000006.jpg］ 」 (オ) 実施の形態１【００７２】～【００９１】、【図９】～【図１０】 「【００７２】 つぎに、差動信号線路において、インピーダンスマッチングをとるための構成について説明する。 【００７３】 単相線路を用いた従来のキャンパッケージはコストが安いが、高周波特性が今ひとつよくないという問題を有している。図９（ａ）は、特開平１１－２３３８７６号公報などに記載された単相線路の信号ピンを用いた従来のキャンパッケージについて、フィードスルー部分の断面を模式的に表した図である。図９（ａ）において、半径ｒａの金属製の信号ピン６０１の外周に、半径ｒｂを有する誘電体（ガラス）６０２を充填し、誘電体６０２の外周を金属製のステム６０３で囲んでフィードスルーを構成している。ステム６０３は接地してある。 【００７４】 このような信号ピン６０１の特性インピーダンスは、下式（１）で表せる。図１０（ａ）は、図９（ａ）に示す単相フィードスルーの信号ピンの場合において、誘電体（ガラス）の比誘電率εｓ＝４．１、比透磁率μｓ＝１とし、信号ピン６０１の半径ｒａを０．１ｍｍ、０．１５ｍｍ、０．２ｍｍ、０．２５ｍｍとした場合のフィードスルーの特性インピーダンスを示したものである。 【００７５】 【数１】 ［図：0001413816000007.jpg］ 【００７６】 図１０（ａ）に示すように、例えば、信号ピンの半径ｒａが０．１５ｍｍの場合に特性インピーダンスを３０オームとするには、半径ｒｂが０．４ｍｍの誘電体（ガラス）を用いてフィードスルーを構成する必要がある。このフィードスルーをステムに２個並列に並べ、さらに、２つのフィードスルーの間に０．５ｍｍの間隔Ｓ１を確保すると、それらが信号ピンの径方向に占める長さは２．１ｍｍとなる。このような構成では、一般的なキャンパッケージの直径が５．４ｍｍ（または３．５ｍｍ）であるのに対して、フィードスルーが半分もの（または半分以上の）比率を占めてしまう。 【００７７】 また、誘電体６０２の半径（誘電体６０２の充填されるステム６０３の穴径）の変化に伴う特性インピーダンスの変化が大きく、加工する際に穴径やピンの取付け位置がずれた時、特性インピーダンスが大きくばらついてしまうという問題があった。また、このフィードスルーの出口から回路基板、またはストリップ線路などに接続する部分は、急激に特性インピーダンスが大きくなり、電気的な反射を起こしやすいため、特性インピーダンスのばらつきは整合回路の設計や製造を難しくしていた。 【００７８】 一方、図９（ｂ）は、この発明の実施の形態１によるキャンパッケージ１に設けた高周波信号ピン４１ａ、４１ｂを有するフィードスルーの断面を、模式的に示したものである。図において、高周波信号ピン４１ａ、４１ｂの半径をＲａ、高周波信号ピン４１ａ、４１ｂの中心間隔をＳ２とし、高周波信号ピン４１ａ、４１ｂの外周に半径Ｒｂの誘電体（ガラス）６１０（図５の誘電体７７に相当する）を設け、その外側にステム１０が配置されている。図では、説明を簡単にするために誘電体６１０を円形にしている。また、ステム１０は接地してある。 【００７９】 この場合の特性インピーダンスは、下式（２）で表せる。なお、式（１）及び式（２）は、小西義弘著のマイクロ波回路の基礎とその応用（第１版）の第１６ページ（総合電子出版社１９９０年８月２０日）の記載に基づくものである。図１０（ｂ）は高周波信号ピン４１ａ、４１ｂの半径Ｒａを０．１５ｍｍ、その中心間隔Ｓ２を０．６ｍｍから０．９ｍｍ（０．６ｍｍ、０．７ｍｍ、０．８ｍｍ、０．９ｍｍ）とし、誘電体（ガラス）の比誘電率εｓ＝４．１、比透磁率μｓ＝１として、差動線路のフィードスルーの特性インピーダンスを示したものである。例えば、高周波信号ピン４１ａ、４１ｂの半径Ｒａが０．１５ｍｍの場合、その中心間隔Ｓ２が０．７ｍｍから０．９ｍｍにばらつき、更に誘電体（ガラス）６１０の半径が０．６５ｍｍから１．１ｍｍの範囲でばらついても、特性インピーダンスは６０～６５オームの範囲であって、その変動が少なくなる。 【００８０】 【数２】 ［図：0001413816000008.jpg］ 単位Ω、但し、Ｒｂ＞ＲａとＳ２＞２Ｒａの条件で簡略化した。 【００８１】 このように、フィードスルーに差動線路を用いることで、高周波信号ピン４１ａ、４１ｂ間の電界結合により特性インピーダンスのバラツキが少なくなる。したがって、高周波信号ピン４１ａ、４１ｂのガラス融着固定工程におけるピンの位置のバラツキや、ステム加工時の穴径のバラツキを適宜に許容することができ、品質が安定し、安価なフィードスルーを得ることができる。また、誘電体６１０の半径を０．８ｍｍとすることができ、さらには誘電体を長円形、楕円形、繭型とする（図１８で誘電体の形状例を示す）ことで、単相のフィードスルーを横に並べた場合と比べてより小型なキャンパッケージを得ることが可能である。 【００８２】 さらに、キャンパッケージ１の内部（マイクロストリップ差動線路基板４６側）に突出するフィードスルーの出力端とマイクロストリップ差動線路基板４６を接続する部分や、キャンパッケージ１の外部（グランデッドコプレナ差動線路７０側）に突出するフィードスルーの出力端とマイクロストリップ差動線路基板４６を接続する部分では、線路間の電界結合が適宜に維持され、特性インピーダンスの変化を抑えることができる。このため、スタブ５４ａ，５４ｂのような整合回路の設計が容易となる。 【００８３】 図１０（ｃ）は高周波信号ピン４１ａ、４１ｂの半径Ｒａを０．０５ｍｍから０．２５ｍｍ（０．０５ｍｍ、０．１ｍｍ、０．１５ｍｍ、０，２０ｍｍ、０．２５ｍｍ）、ピンの中心間隔Ｓ２を０．８ｍｍとした時の特性インピーダンスを示すものであり、ピンの半径Ｒａを変えることで、特性インピーダンスを所望の大きさに合わせることができる。図からわかるように、ピンの半径Ｒａを適宜選択しても、誘電体Ｒｂの半径の変化に伴なう特性インピーダンスの変化が少なく、前述と同様の効果がある。 【００８４】 なお、好ましくは、高周波信号ピン４１ａ、４１ｂの中心間隔Ｓ２を０．７～０．９ｍｍ、誘電体６１０の半径Ｒｂを０．６５～１．１ｍｍとするのが良く、また、高周波信号ピン４１ａ、４１ｂの半径を０．０５ｍｍから０．５ｍｍとするのが好適である。 【００８５】 本実施の形態１においては、ＬＤ駆動回路１００の差動トランジスタ１０３，１０４の出力からＬＤ４０までのインピーダンスマッチングをとるためこれらの間を全て差動線路で構成してＬＤ４０を駆動するようにしており、ステム１０を貫通するピンも、長円形状の誘電体７７に一対の高周波信号ピン４１ａ，４１ｂを貫通させることで、差動線路を構成する差動ピンとしている。このため、両信号ピン間の電気的結合が高くなり、電界を封じ込めることができ、漏洩による損失を低減することができる。したがって、特に寸法バラツキが生じやすい高周波信号ピン４１ａ，４１ｂにおけるステム１０からＬＤ駆動回路１００側に露出されている部分（以下、ドライバ側ピン露出領域という）の電界の不連続を従来に比べ抑えることができる。さらに、このドライバ側ピン露出領域には、グランドピン４２ａ，４２ｂが高周波信号ピン４１ａ，４１ｂに並走するように配されているので、この部分のインピーダンスを低くして反射を抑えることができる。 【００８６】 また、例えば、単相駆動の場合には、ＬＤを駆動した大電流が接地を経由して駆動回路に帰還するので、接地電位が変動するため、近接して設置された微弱電流を検出する光受信系の電子回路に悪影響がでることがあるが、本実施の形態では、差動線路を用いて、ＬＤをプッシュプル動作しているので、大電流は差動線路を流れ、接地電位の変動が少なくなり、周辺回路への影響がでにくいという利点もある。 【００８７】 このように、ドライバ側ピン露出領域を差動線路構成としかつその外側にグランドピン４２ａ，４２ｂを配して、この部分のインピーダンスを従来に比べ低くするようにしたので、この部分とステム内側とのインピーダンス差が従来に比べ小さくなり、また電界の不連続も少なくしたので、通過特性および反射特性を改善することができる。 【００８８】 高周波信号ピン４１ａ，４１ｂの周りに配置される誘電体７７として、ガラスを使用しているので、ステム１０の内側部分（高周波信号ピン４１ａ，４１ｂが誘電体７７で囲まれているフィードスルー部分、以下ピン非露出領域ともいう）では、インピーダンスが下がりすぎる傾向がある。このピン非露出領域のインピーダンスを上げるためには、高周波信号ピンの周りに配置される誘電体７７の断面積（長円の面積）を大きくすればよいが、これでは小型化、省スペース化の要求を満足させることができない。 【００８９】 そこで、２本の高周波信号ピン４１ａ，４１ｂは、誘電体７７の外側にでると、即座にマイクロストリップ差動線路基板４６の差動信号線５２ａ，５２ｂに乗り移れるように、ＬＤ４０側への突出長を短くするとともに、マイクロストリップ差動線路基板４６のストリップ差動信号線５２ａ，５２ｂのうち、高周波信号ピン４１ａ，４１ｂに接続される、ステム１０に近い部分５２ｄ（図６参照）の間隔を、例えば、差動線路基板４７に近い部分の線路間隔よりも大きくしたり、ピン４１ａ、４１ｂの間隔よりも若干広く設定する等、比較的大きく設定することで、この部分の電気的結合を弱くして、この部分５２ｄを高インピーダンスに設定している。例えば、高周波信号ピン４１ａ，４１ｂのフィードスルー部分が６０Ω、ストリップ差動信号線５２ａ，５２ｂにおける間隔の広い５２ｄの部分が１５０Ω、ストリップ差動信号線５２ａ，５２ｂにおける差動線路基板４７に近い間隔の狭い部分が１００Ωとなるようにしている。 【００９０】 このように、ステム１０を出た直後の差動線路部分の線路間隔を大きくして、高インピーダンス部分を故意に作成しており、この高インピーダンス部分とステム内側（ピン非露出領域）の低インピーダンス部分とでインピーダンスを相殺させ、全体的に見てインピーダ ンスを整合させるようにしている。すなわち、ピン非露出領域（フィードスルー部分）は低インピーダンスであるので、その後にハイインピーダンスを少し作って、全体としてのインピーダンスマッチングをとるようにしている。 【００９１】 また、ストリップ差動信号線５２ａ，５２ｂの途中には、インピーダンス整合用の一対のスタブ５４ａ，５４ｂを形成しており、これら一対のスタブ５４ａ，５４ｂによりインピーダンスを下げてストリップ差動信号線５６ａ、５６ｂとのミスマッチングが発生しないようにしている。すなわち、これら一対のスタブ５４ａ，５４ｂにより、ドライバ側ピン露出領域のリアクタンス成分と、ピン非露出領域（フィードスルー部分）のリアクタンス成分を補償して、通過特性および反射特性を改善している。」 「【図９】 ［図：0001413816000009.jpg］ 【図１０】 ［図：0001413816000010.jpg］ 」 (カ) 【０１０６】～【０１０７】、【図１３】 「【０１０６】 また、ＰＤ５０をＬＤ４０の上下のどちらにずらせるかを選択する際には、ＬＤ４０を構成する半導体基板９９と活性層９３との位置関係、並びにモニタ光の遠視野像の強度分布に応じて決定する。図１３は、ＬＤ４０の構造を概略的に示すものである。 【０１０７】 ＬＤ４０は、カソード（ｎ電極）９１と、アノード（ｐ電極）９２と、ｐ型の半導体基板９９と、発光領域をなす活性層９３と、反射防止膜（ＡＲコート）を施した端面１１０からの反射戻り光を低減するための窓構造９４と、活性層９３を挟むクラッド層５０１などを備えている。なお、窓構造９４とは、共振器端面（へき開面）５０２近傍に不純物を注入又は拡散させて無秩序化することにより、端面近傍におけるバンドギャップを増大させて、端面近傍における光吸収などを抑制し、端面破壊を防止するなどの効果を持つ構造である。」 「【図１３】 ［図：0001413816000011.jpg］ 」 イ 引用文献５に記載された事項から当業者が把握できる事項 (ア) 【００７８】～【００８０】の記載から、式（２）で表される差動線路のフィードスルーの特性インピーダンスは誘電体（ガラス）の比誘電率εｓ及び比透磁率μｓの関数となっていることが理解できるから、引用文献５に記載された事項から、「差動線路のフィードスルーは誘電体の比誘電率及び比透磁率の関数である特性インピーダンスを有する」ことを当業者は把握することができる。 (イ) 【００５９】の「一対の高周波信号ピン４１ａ，４１ｂが挿入される誘電体７７の形状は、長円形状を呈しており、これに対応して、誘電体７７が挿入される孔７４も長円形状を呈しており」との記載及び【００８５】の「グランドピン４２ａ，４２ｂが高周波信号ピン４１ａ，４１ｂに並走するように配されている」との記載と、図６及び図７を併せてみると、「グランドピン４２ａ，４２ｂは、高周波信号ピン４１ａ，４１ｂと長円形状の孔７４の長手方向に沿うように、孔７４の長手方向の両側に配されている」ことを当業者は把握することができる。 (ウ) 【０１０７】の記載及び図１３から、「ＬＤ４０は、端面発光型である」ことを当業者は把握することができる。 ウ 引用発明の認定 前記アに摘記した引用文献５の記載事項及び前記イで認定した引用文献５の記載事項から当業者が把握できる事項を総合すると、引用文献５には、図１～図１７に示される実施の形態１に係る光半導体用パッケージ１に関して、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる（引用発明の認定に用いた段落番号等を参考までに括弧内に付してある。以下同じ。）。 ＜引用発明＞ 「光半導体素子モジュール３であって、（【００２８】）、 光半導体素子モジュール３は、光半導体用パッケージ（キャンパッケージ）１およびレセプタクル２から構成され、（【００２７】、【００２８】） パッケージ内には光半導体素子としてレーザダイオード（ＬＤ）が内蔵されており、（【００２７】） キャンパッケージ１は、複数のピンがマウントされた円板状のステム１０と、Ａｇロウ付けなどによってステム１０の内壁面に垂直に固定される台形状の台座１１とから構成され、（【００４７】） グランドを構成するステム１０には、ＬＤ駆動回路１００からの差動の変調電気信号が伝送される一対の高周波信号ピン４１ａ，４１ｂと、これら高周波信号ピン４１ａ，４１ｂの両側に配される２本のグランドピン４２ａ，４２ｂとがマウントされており、（【００４８】） 高周波信号ピン４１ａ，４１ｂは、気密を保ったままステム１０を介して電気信号を通過させるフィードスルーを構成しており、これら各ピンは、ガラスなどの材料で構成される誘電体を介してステム１０に対し気密封止状態で固定されており、グランドピン４２ａ，４２ｂは、グランドを構成するステム１０の外壁面に圧着および溶接によって固着されており、（【００４９】） ステム１０に対し台座１１がほぼ垂直に配設されており、台座１１の上面には、マイクロストリップ差動線路基板４６，４７と、ＬＤ用チップキャリア４８とが搭載されており、（【００５０】） マイクロストリップ差動線路基板４６は、セラミック基板５１と、セラミック基板５１の上面に形成された一対のストリップ差動信号線５２ａ，５２ｂと、セラミック基板５１の裏面に形成されたベタグランドで構成されており、ストリップ差動信号線５２ａ，５２ｂの一端側には、ステム１０から突出された高周波信号ピン４１ａ，４１ｂと接触させるためのパッド５３ａ，５３ｂが形成されており、ステム１０にマウントされる高周波信号ピン４１ａ，４１ｂの端部は、マイクロストリップ差動線路基板４６のパッド５３ａ，５３ｂにロウ付けまたは半田付けによって接続固定されており、（【００５１】） マイクロストリップ差動線路基板４７は、セラミック基板５５と、セラミック基板５５の上面に形成された一対のストリップ差動信号線５６ａ，５６ｂと、セラミック基板５５の裏面に形成されたベタグランドで構成されており、ストリップ差動信号線５２ａ，５２ｂと、ストリップ差動信号線５６ａ，５６ｂとは、ワイヤボンド５７ａ，５７ｂによってそれぞれ接続されており、（【００５２】） ＬＤ用チップキャリア４８は、セラミック基板５８と、セラミック基板５８の上面に形成された一対のストリップ差動信号線５９ａ，５９ｂと、セラミック基板５８の裏面に形成されたベタグランドで構成されるマイクロストリップ差動線路を有し、一方のストリップ差動信号線５９ｂ上にＬＤ４０の一方の電極であるアノードが直接当接するように、ＬＤ４０が搭載されており、ＬＤ４０の他方の電極としてのカソードは、ワイヤボンド６０によって他方のストリップ差動信号線５９ａに接続されており、ストリップ差動信号線５６ａ，５６ｂと、ストリップ差動信号線５９ａ，５９ｂとは、ワイヤボンド６１ａ，６１ｂによってそれぞれ接続されており、（【００５３】） ステム１０は、金属で構成され、ステム１０には、孔７４が形成されており、孔７４に、誘電体７７が挿入され、（【００５８】） 誘電体７７には、一対のピン挿入孔８０ａ，８０ｂが形成され、これらのピン挿入孔８０ａ，８０ｂに高周波信号ピン４１ａ，４１ｂが挿入固定され、一対の高周波信号ピン４１ａ，４１ｂが挿入される誘電体７７の形状は、長円形状を呈しており、これに対応して、誘電体７７が挿入される孔７４も長円形状を呈しており、グランドピン４２ａ，４２ｂは、ステム１０を貫通されておらず、ステム１０の外壁面１０ｚに圧着および溶接によって固着されており、（【００５９】） 差動線路のフィードスルーは誘電体の比誘電率及び比透磁率の関数である特性インピーダンスを有し、（前記イ(ア)） ＬＤ駆動回路１００の差動トランジスタ１０３，１０４の出力からＬＤ４０までのインピーダンスマッチングをとるためこれらの間を全て差動線路で構成してＬＤ４０を駆動するようにしており、ステム１０を貫通するピンも、長円形状の誘電体７７に一対の高周波信号ピン４１ａ，４１ｂを貫通させることで、差動線路を構成する差動ピンとしており、（【００８５】） グランドピン４２ａ，４２ｂが高周波信号ピン４１ａ，４１ｂに並走するように配されており、（【００８５】） グランドピン４２ａ，４２ｂは、高周波信号ピン４１ａ，４１ｂと長円形状の孔７４の長手方向に沿うように、孔７４の長手方向の両側に配されており、（前記イ(イ)） ＬＤ４０は、端面発光型である、（前記イ(ウ)） 光半導体素子モジュール」 (２) 引用文献６に記載された事項及び引用文献６技術事項の認定 ア 引用文献６記載された事項 当審拒絶理由で引用され、本願の出願前に発行された前記引用文献６（特開２００７－４２７５７号公報）には、以下の事項が記載されている。 (ア) 発明が解決しようとする課題 「【発明が解決しようとする課題】 【０００６】 ところで、キャンパッケージの光デバイスでは、発光素子や受光素子と接続される端子が、ステムに設けられている貫通孔を挿通した状態で樹脂やガラス等の封止材で固定される。 【０００７】 ここで、樹脂やガラスは比誘電率が高いことから、貫通孔の位置で封止材により固定された端子部分は、電気的には容量性となりインピーダンスが低下してしまう。このようにインピーダンスが低下してしまうと、キャンパッケージに内蔵されているアセンブリ基板や、キャンパッケージの光デバイスに接続されるフレキシブル基板、およびフレキシブル基板と接続される他の回路基板で、伝送線路のインピーダンスや回路の入力インピーダンスおよび出力インピーダンスを所望のインピーダンスに設定しても、貫通孔の位置でインピーダンスの不整合を生じ、反射が大きくなってしまい伝送特性が悪化してしまう。」 (イ) 課題を解決するための手段及び発明の効果 「【課題を解決するための手段】 【００１０】 この発明に係る光デバイスとその製造方法および光通信装置では、貫通孔が設けられたステムと、貫通孔に挿通される端子と、端子と接続される発光素子および／または受光素子が設けられたアセンブリ基板とを有し、アセンブリ基板はステムに固着し、端子は、ステムと接することなく中空状態の貫通孔を挿通した状態として、一方の端部をアセンブリ基板に固着したものである。 【発明の効果】 【００１１】 この発明によれば、アセンブリ基板がステムに固着されて、端子は、ステムと接することなく中空状態の貫通孔を挿通させて、一方の端部がアセンブリ基板に固着される。このため、ステムの貫通孔に封止材を充填しなくとも端子が固定されるので、封止材を充填することにより固定した端子部分が容量性となってインピーダンスが大きく変動してしまうことを防止することができるので、良好な伝送特性を得られる。」 (ウ) 発明を実施するための最良の形態 「【発明を実施するための最良の形態】 …（中略）… 【００２０】 図３は、送信用光デバイス２２の内部を示す斜視図である。また、図４Ａは送信用光デバイス２２の内部を示す正面図、図４Ｂは図４ＡのＩＩ－ＩＩ'位置の断面概略図である。 【００２１】 円盤状のステム２２２には、端子２３１a～２３１dを挿通するための貫通孔２２３a～２２３dを設ける。ステム２２２の上面には、アセンブリ基板２４１を固着する。このアセンブリ基板２４１には、レーザ光を出射する面発光レーザ素子２４２、レーザ光の出射レベルをモニターするための受光素子２４３を設けておく。更に、円盤状のステム２２２には、面発光レーザ素子２４２や受光素子２４３を端子と接続するための接続パターンを形成しておく。 …（中略）… 【００２６】 ステム２２２のアセンブリ基板２４１が固着された面とは逆側の面から突出した端子に は、フレキシブル基板２９を接続する。更に、フレキシブル基板２９とステム２２２を、固定部材２５０例えば樹脂系の接着剤やモールド部材等で固定する。 【００２７】 このように、貫通孔は中空状態ままとして、アセンブリ基板２４１とフレキシブル基板２９で端子を固定する。この場合、ステム２２２の貫通孔に例えばガラス材質のような比誘電率の高い封止材を充填する従来のキャンパッケージのように、貫通孔の部分の伝送線路が容量性となってしまうことがない。従って、図５に示すように、貫通孔２２３の部分におけるインピーダンスの変化量を少なくできるので、インピーダンスの不整合が小さく良好な伝送特性を得ることができる。なお、図５において、破線は貫通孔２２３に封止材を充填して端子を固定した場合のインピーダンス変化を示している。 【００２８】 また、ステム２２２の貫通孔の内部は中空状態で、貫通孔と端子は同軸構造となっているため、バラツキによるインピーダンスの変動を小さくできる。更に、貫通孔の内部は中空状態で、貫通孔と端子は同軸構造であることから、ガラス材質のような封止材を充填した場合のようにインピーダンスが低下してしまうことがなく、インピーダンスを高く設定でき、かつ高い周波数に対応できる。 …（中略）… 【００３０】 次に、図６を用いて、送信用光デバイス製造方法を説明する。図６Ａに示すように、台座７０には、ステム２２２に設けた貫通孔２２３a～２２３dの中心と対応する位置に保持穴７１a～７１dを設けて、この保持穴７１a～７１dに端子２３１a～２３１dを挿入して保持させる。台座７０の表面にはレジスト８１を設け、レジスト８１上には、端子２３１a～２３１dのそれぞれの周囲に半田８１a～８１dを塗布する。 …（中略）… 【００３２】 次に、図６Ｃに示すように、ステム２２２の貫通孔２２３a～２２３dを端子２３１a～２３１dが挿通するようにして、ステム２２２をフレキシブル基板２９上に載置する。 【００３３】 ステム２２２の上面（フレキシブル基板側の面とは逆側の面）には、図６Ｄに示すように、面発光レーザ素子２４２や受光素子２４３が設けられているアセンブリ基板２４１を、接着剤等を用いて固着する。また、銀ペースト等の導電性接着剤を用いてアセンブリ基板２４１に端子２３１a～２３１dを固着して、端子２３１a～２３１dとアセンブリ基板２４１に形成されている接続パターンを電気的に接続する。 【００３４】 その後、図６Ｅに示すように、固定治具９０でステム２２２を固定して台座７０を取り外し、フレキシブル基板２９側から突出している端子部分を切断する。また、この状態では、フレキシブル基板２９とステム２２２が固定されていないので、フレキシブル基板２９に力が加わると端子２３１a～２３１dが変形してステム２２２と接触してしまうおそれがある。このため、図６Ｆに示すように、樹脂等の固定部材２５０を用いてフレキシブル基板２９とステム２２２を固定する。また、貫通孔２２３a～２２３dを完全に閉塞するように、固定部材２５０を用いてフレキシブル基板２９とステム２２２を固定すれば、その後、ステム２２２にキャップ２２１が封着されたとき、送信用光デバイスの内部を密閉することができる。」 「【図３】 ［図：0001413816000012.jpg］ 【図４】 ［図：0001413816000013.jpg］ 【図５】 ［図：0001413816000014.jpg］ 【図６】 ［図：0001413816000015.jpg］ 」 イ 引用文献６技術事項の認定 前記アに摘記した引用文献６の記載事項を総合すると、引用文献６には、光半導体装置の課題及びその解決手段に関して、次の技術事項（以下「引用文献６技術事項」という。）が記載されていると認められる。 ＜引用文献６技術事項＞ 「キャンパッケージの光デバイスでは、発光素子や受光素子と接続される端子が、ステムに設けられている貫通孔を挿通した状態で樹脂やガラス等の封止材で固定され、（【０００６】） 樹脂やガラスは比誘電率が高いことから、貫通孔の位置で封止材により固定された端子部分は、電気的には容量性となりインピーダンスが低下してしまい、このようにインピーダンスが低下してしまうと、キャンパッケージに内蔵されているアセンブリ基板や、キャンパッケージの光デバイスに接続されるフレキシブル基板、およびフレキシブル基板と接続される他の回路基板で、伝送線路のインピーダンスや回路の入力インピーダンスおよび出力インピーダンスを所望のインピーダンスに設定しても、貫通孔の位置でインピーダンスの不整合を生じ、反射が大きくなってしまい伝送特性が悪化してしまうこと、（【０００７】） これを解決するために、アセンブリ基板がステムに固着されて、端子は、ステムと接することなく中空状態の貫通孔を挿通させて、一方の端部がアセンブリ基板に固着され、ステムの貫通孔に封止材を充填しなくとも端子が固定されるので、封止材を充填することにより固定した端子部分が容量性となってインピーダンスが大きく変動してしまうことを防止することができるので、良好な伝送特性を得られること（【００１１】）」 (３) 引用文献２、６、７に記載された事項及び周知技術の認定 ア 引用文献２に記載された事項 原審の拒絶理由で引用され、本願の出願前に発行された特開２００４－２２１０９５号公報（以下「引用文献２」という。）には、以下の事項が記載されている。 (ア) 【００２６】～【００２８】、【図１】 「【００２６】 【発明の実施の形態】 本発明の光半導体装置について以下に詳細に説明する。図１は本発明の光半導体装置について実施の形態の一例を示す断面図であり、１は基体、２は光半導体素子、４は透光性部材、５は配線基板、１２は光ファイバ、３は金属製の蓋体である。これら基体１および配線基板５で光半導体素子収納用パッケージが基本的に構成される。また、光半導体素子収納用パッケージに光半導体素子２を搭載し、透光性部材４が接合された蓋体３を接合することにより光半導体装置となる。 【００２７】 本発明の光半導体装置は、平板状の金属製の基体１と、上端面３ａの略中央部に貫通孔３ｂが形成されているとともに下端３ｃが開かれた筒状であり、基体１の上側主面の外周部に下端３ｃが接合された金属製の蓋体３と、貫通孔３ｂの開口の周囲に接合された透光性部材４と、基体１の上下主面間を貫通するように形成された貫通穴１ａを覆うようにして基体１の上側主面に接合された配線基板５と、配線基板５の上面に載置された光半導体素子２とを具備しており、配線基板５は、複数の絶縁層が積層されて成る絶縁基板の上面に形成された複数の第１の電極パッド６ａと絶縁基板の下面に２列に配設された複数の第２の電極パッド７ａとを有するとともに、第１の電極パッド６ａとそれに対応する第２の電極パッド７ａとが絶縁基板の内部の内層導体層８ｂを介して貫通導体８ａにより電気的に接続され、複数の第２の電極パッド７ａのそれぞれに外部接続用ピン１０が接合されている構成である。 【００２８】 本発明の基体１は、略円板状、略長方形等の平板状であり、Ｆｅ－Ｎｉ－Ｃｏ合金やＦｅ－Ｎｉ合金、Ｃｕ－Ｗ合金等の金属から成り、そのインゴットに圧延加工や打ち抜き加工等の従来周知の金属加工法を施すことによって所定形状に製作される。この基体１には、外部接続用ピン１０を挿通するために、基体１の上下主面間を貫通する貫通穴１ａが設けられている。この貫通穴１ａには、配線基板５がその下面の外周部に設けられた第２の同一面導体層７ｂを介して、貫通穴１ａを覆うようにして配線基板５が銀（Ａｇ）ろう等のろう材によって気密に接合される。」 「【図１】 ［図：0001413816000016.jpg］ 」 (イ) 【００４１】～【００４２】・【００５２】、【図４】～【図６】 「【００４１】 好ましくは、図４に示すように、第１の電極パッド６ａの周囲に略一定間隔をもって配線基板５の上面の略全面に第１の同一面導体層６ｂを形成し、また第２の電極パッド７ａの周囲に略一定間隔をもって配線基板５の下面の略全面に第２の同一面導体層７ｂを形成するのがよい。この構成により、配線基板５の上下面においてシールド効果（電磁遮蔽効果）が得られ、高周波信号が第１の電極パッド６ａと第２の電極パッド７ａを介して配線基板５を入出力する際、高周波信号がノイズ等の影響により正常に入出力できなくなるのを防止するとともに、配線基板５の上下面での高周波信号の放射による損失を防止する。 【００４２】 さらに好ましくは、図５に示すように、第２の電極パッド７ａを第１の電極パッド６ａと対向する位置に設け、第１の電極パッド６ａと第２の電極パッド７ａとを電気的に接続する貫通導体８ａの周りに、貫通導体８ａを中心とする円周上に略一定間隔で複数の接地貫通導体９ａを設けるのがよい。この場合、図６（ａ）に図５のＡ－Ａ’線断面図を示すように、セラミックグリーンシートの層間には貫通導体８ａの周りに貫通導体８ａの中心Ｃ１を中心とする略円形の内層導体層８ｂを設けるとともに、中心Ｃ１を中心とする直径Ｄの円周上に接地貫通導体９ａの中心Ｃ２が載るようにして、略一定間隔で複数の接地貫通導体９ａを設ける。接地貫通導体９ａの周りには中心Ｃ２を中心とする略円形の内層接地導体層９ｂを設ける。 …（中略）… 【００５２】 本発明の光半導体装置は、光半導体素子２の電極を外部電気回路に電気的に接続し、製品としての光半導体装置となる。この光半導体装置は、例えば外部電気回路から供給される電気信号によって光半導体素子２にレーザ光等の光を励起させ、この光を透光性部材４、光ファイバ１２の順に透過させ、光ファイバ１２を介して外部に伝送することによって、高速光通信等に使用される光半導体装置として機能する。」 「【図４】 ［図：0001413816000017.jpg］ 【図５】 ［図：0001413816000018.jpg］ 【図６】 ［図：0001413816000019.jpg］ 」 イ 引用文献６に記載された事項 前記引用文献６（特開２００７－４２７５７号公報）には、前記(２)アに記載した事項に加えて、以下の事項が記載されている。 「【００２０】 図３は、送信用光デバイス２２の内部を示す斜視図である。また、図４Ａは送信用光デバイス２２の内部を示す正面図、図４Ｂは図４ＡのＩＩ－ＩＩ'位置の断面概略図である。 【００２１】 円盤状のステム２２２には、端子２３１a～２３１dを挿通するための貫通孔２２３a～２２３dを設ける。ステム２２２の上面には、アセンブリ基板２４１を固着する。このアセンブリ基板２４１には、レーザ光を出射する面発光レーザ素子２４２、レーザ光の出射レベルをモニターするための受光素子２４３を設けておく。更に、円盤状のステム２２２には、面発光レーザ素子２４２や受光素子２４３を端子と接続するための接続パターンを形成しておく。」 「【図３】 ［図：0001413816000020.jpg］ 【図４】 ［図：0001413816000021.jpg］ 」 ウ 引用文献７に記載された事項 本審決で新たに引用され、本願の出願前に発行された特開２００８－１３５６９６号公報（以下「引用文献７」という。）には、以下の事項が記載されている。 「【００２４】 図１（ａ）は本発明の電子部品収納用パッケージおよび光半導体装置の実施の形態の一例を示す正面から見た断面図、図１（ｂ）は図１（ａ）の電子部品収納用パッケージの基体部の上面図であり、図２（ａ）は本発明の電子部品収納用パッケージおよび光半導体装置の実施の形態の他の例を示す正面から見た断面図、図２（ｂ）は図２（ａ）の電子部品収納用パッケージの下面図である。図３（ａ），図３（ｂ）はそれぞれ本発明の電子部品収納用パッケージおよび光半導体装置の実施の形態のさらに他の例を示す正面から見た断面図および下面図である。また、図４（ａ），図４（ｂ）はそれぞれ図１（ａ），図２（ａ）の電子部品収納用パッケージおよび光半導体装置の実施の形態の他の例を示す正面から見た断面図である。図５（ａ），図５（ｂ）はそれぞれ本発明の電子部品収納用パッケージの配線基板の他の例を示す下面図である。図５（ｃ）は本発明の電子部品収納用パッケージの配線基板の他の例を示す上面図である。なお、図１（ｂ），図２（ｂ），図３（ｂ），図５（ａ），図５（ｂ），図５（ｃ）において、導体層が形成されている部分をクロスハッチングで示している。従って、これらクロスハッチングは断面を示すものではない。 【００２５】 これらの図において、１は基体、２は電子部品（光半導体素子）、４は透光性部材、５は配線基板、１２は光ファイバ、３は金属製の蓋体を示す。これら基体１および配線基板５で電子部品収納用パッケージが基本的に構成され、電子部品収納用パッケージに光半導体素子で成る電子部品２を搭載し、蓋体３を接合することにより光半導体装置となる。 …（中略）… 【００２９】 なお、図１～図４に示される電子部品収納用パッケージに光半導体素子で成る電子部品２を搭載する本発明の光半導体装置においては、蓋体３の上端面３ａの中央部に貫通孔３ｂが形成されており、貫通孔３ｂの開口の周囲に透光性部材４が接合されている。透光性部材４が設けられることにより、透光性部材４を介して電子部品２に光信号を入出力させることができる。そして、透光性部材４に電子部品２の受光部または発光部を対向させて、配線基板５の上面に電子部品２を載置し、基体１の上側主面の外周部に、筒状の蓋体３の開かれた下端３ｃを接合することにより、図１～図４に示される光半導体装置となる。 …（中略）… 【００３１】 以下、図１～図４に示す電子部品収納用パッケージおよび光半導体装置の実施の形態について説明する。以下の実施の形態の例においては、内部導体８が内層導体層８ｂ同士を層間接続する貫通導体８ａと配線基板５の内層配線として形成された内層導体層８ｂとから成る場合について説明するが、内部導体８は貫通導体８ａのみから成っていてもよい。この場合、配線導体５は単層の配線基板５であってもよい。なお、内層導体層８ｂは、上下のセラミックグリーンシートにおける貫通導体８ａ同士を確実に電気的に接続させるとともに、内層に配線を引きまわすためのものである。 【００３２】 本発明の電子部品収納用パッケージおよび光半導体装置における基体１は、平面視形状が円板状、長方形状、多角形状等の平板状であり、鉄（Ｆｅ）－ニッケル（Ｎｉ）－コバルト（Ｃｏ）合金やＦｅ－Ｎｉ合金、銅（Ｃｕ）－タングステン（Ｗ）合金等の金属から成り、そのインゴットに圧延加工や打ち抜き加工等の従来周知の金属加工法を施すことによって所定形状に製作される。この基体１には、基体１の上下主面間を貫通する円形状、多角形状等の貫通穴１ａが設けられている。そして、この貫通穴１ａには、配線基板５が貫通穴１ａを覆うようにして基体１の貫通穴１ａの周囲に銀（Ａｇ）ろう等のろう材によって気密に接合される。基体１にろう材を介して接合するために、配線基板５の上面外周部または下面外周部の凸部５ｂ上面または下面に接合用導体７ｂが形成されている。 …（中略）… 【００３６】 本発明の電子部品収納用パッケージは、または図２，図３に示すように、配線基板５は、基体１に接合される部位が下側に突出した断面四角形状の凸部５ｂとされ、凸部５ｂの下面に基体１との接合用導体７ｂが形成されている。すなわち、配線基板５の下側の中央部は凸部５ｂによって取り囲まれて成る凹部５ａとされ、この凹部５ａの底面には複数個の第２の電極パッド７ａが配設され、第２の電極パッド７ａと接合用導体７ｂとの間に凸部５ｂによって段差が形成される。その結果、配線基板５が小型集積化して、第２の電極パッド７ａと接合用導体７ｂとの距離が非常に近接したものとなっても、第２の電極パッド７ａに外部接続端子部材１０を接合するためのろう材と接合用導体７ｂを基体１に接合するためのろう材との接触が防止され、第２の電極パッド７ａと接合用導体７ｂとが電気的に短絡してしまうのを防止することができ、第２の電極パッド７ａに電気信号を確実に伝送させることができるようになる。よって、電子部品収納用パッケージの小型集積化が可能となる。 …（中略）… 【００４１】 配線基板５の下面に配設された複数個の第２の電極パッド７ａには、図１～図３に示すように、それぞれ外部接続端子部材１０が、Ａｇろう等のろう材によって接続される。外部接続端子部材１０は、Ｆｅ－Ｎｉ－Ｃｏ合金，Ｆｅ－Ｎｉ合金等から成り、円柱状，角柱状等の線材で成る。好ましくは、外部接続端子部材１０は、第２の電極パッド７ａとの接合部（上端）に、釘の頭部のように上面が平たい円形に成形された鍔部が設けられているのがよく、外部接続端子部材１０を電極パッド７ａに強固に接合できる。また、第２の電極パッド７ａは外部接続端子部材１０の頭部より大きい円形状等に形成される。 …（中略）… 【００５４】 好ましくは、図３に示すように、配線基板５の上面の、第１の電極パッド６ａの周囲に所定間隔をもって第１の同一面導体層６ｂを形成し、また配線基板５の凹部５ａの底面には第２の電極パッド７ａの周囲に所定間隔をもって第２の同一面接地導体層７ｃを形成するのがよい。この構成により、配線基板５の上下面において第１の同一面導体層６ｂおよび第２の同一面接地導体層７ｃによってシールド効果（電磁遮蔽効果）が得られ、高周波信号がノイズ等の影響により正常に入出力できなくなるのを防止するとともに、配線基板５の上下面での高周波信号の放射による損失を防止する。第１の同一面導体層６ｂおよび第２の同一面接地導体層７ｃは、配線基板５の電極等形成部以外の上面および凹部５ａ底面を覆うようにほぼ全面に形成し、基体１と接続するとよい。 …（中略）… 【００５９】 なお、電子装置の一例としての光半導体装置は、電子部品２の電極を配線基板５を介して外部電気回路に電気的に接続し、外部電気回路から供給される電気信号によって光半導体素子２にレーザ光等の光を励起させ、この光を透光性部材４、光ファイバ１２の順に透過させ、光ファイバ１２を介して外部に伝送することによって、高速光通信等に使用される光半導体装置として機能する。または、光ファイバ１２を介して外部から伝えられ、透光性部材４を透過して電子部品２としての受光素子に伝達された光信号を、電気信号として配線基板５を介して外部電気回路に出力する。」 「【図３】 ［図：0001413816000022.jpg］ 」 エ 周知技術の認定 前記ア～ウに摘記した引用文献２、６、７の記載事項を総合すると、次の技術事項は、本願出願時の周知技術であると認められる。 ＜周知技術＞ 「面発光型レーザ（引用文献２の【００５２】、引用文献６の【００２１】、引用文献７の【００２９】・【００５９】、なお、引用文献２、７には「面発光型」との明記はないが、光半導体素子の搭載形態とレーザ光の向きからみて、当業者には面発光型であることが明らかである。）を搭載した基板（引用文献２、７の配線基板５、引用文献６のアセンブリ基板２４１）をステム（引用文献２、７の基体１、引用文献６のステム２２２）に固定する際に、台座を用いずにその下面をステムに固定すること（引用文献２の【００２８】、引用文献６の【００２１】・【図３】・【図４】、引用文献７の【００３２】）、 また、その際に、基板（引用文献２、７の配線基板５）の下面に複数の電極パッド（引用文献２、７の第２の電極パッド７ａ）を設け、複数の電極パッドのそれぞれに外部接続用ピン（引用文献２の外部接続用ピン１０、引用文献７の外部接続端子部材１０）が接合され、基板はその下面に設けられた接合用導体（引用文献２の第２の同一面導体層７ｂ、引用文献７の接合用導体７ｂ）を介してステムに接合され、基板の上面に同一面導体層（引用文献２、７の同一面導体層６ｂ）を設け、同一面導体層を接合用導体と電気的に接続してシールド効果を得ること（引用文献２の【００４１】～【００４２】、引用文献７の【００５８】）」 ２ 対比 (１) 対比分析 本願発明と引用発明を対比する。 ア 引用発明の「光半導体素子モジュール３」は、本願発明の「光モジュール」に相当する。 よって、本願発明と引用発明は、「光モジュール」である点で一致する。 イ(ア) 引用発明の「ステム１０」は、本願発明の「ステム」に相当する。 (イ) 引用発明の「ステム１０」は「円板状」であるところ、その台座１１が固定されている「内壁面」及びそのグランドピンが固着されている「外壁面１０ｚ」が、本願発明の「相互に反対の第１面及び第２面」に相当する。 (ウ) 引用発明の「ステム１０」には「孔７４が形成されて」いるところ、当該「孔７４」は「誘電体７７が挿入される」ものであり、「誘電体７７」には、「一対のピン挿入孔８０ａ，８０ｂが形成され、これらのピン挿入孔８０ａ，８０ｂに高周波信号ピン４１ａ，４１ｂが挿入固定され」ている。そして、引用発明は、「誘電体７７に一対の高周波信号ピン４１ａ，４１ｂを貫通させる」ものであって、「ピン」が「ステム１０を貫通する」ものであるから、ステムに形成された「孔７４」が円板状のステムの両面を貫通するものであることは明らかである。そうすると、引用発明の「孔７４」は、本願発明の「前記第１面から前記第２面までを貫通する貫通穴」に相当する。 (エ) 引用発明の「ステム１０」が「金属で構成され［る］」ことは、本願発明の「ステム」が「導電性」であることに相当する。 (オ) 前記(ア)～(エ)をまとめると、本願発明と引用発明は、「相互に反対の第１面及び第２面を有して前記第１面から前記第２面まで貫通する貫通穴を有する導電性のステム」を有する点で一致する。 ウ(ア) 引用発明の「光半導体素子」としての「レーザダイオード（ＬＤ）」、すなわち、「ＬＤ４０」は、レーザダイオードが電気信号を光信号に変換するためのものであるという技術常識に照らせば、本願発明の「光信号及び電気信号を少なくとも一方から他方に変換するための光電素子」に相当する。 (イ) 引用発明の「ＬＤ４０」は、「ＬＤ用チップキャリア４８」が有する「ストリップ差動信号線５９ｂ上」に「搭載されて」いるところ、「ＬＤ用チップキャリア４８」は、「台座１１の上面に」「搭載されて」おり、さらに、「台座１１」は、「ステム１０の内壁面に垂直に固定され」るものである。このとき、「ステム１０」の「台座１１」が固定される「内壁面」が、前記イ(イ)の「相互に反対の第１面及び第２面」のうち「第１面」に相当する。 そうすると、引用発明の「ＬＤ４０」が、ステム１０の内壁面に垂直に固定される台座１１の上面に搭載されたＬＤ用チップキャリア４８が有するストリップ差動信号線５９ｂ上に搭載されることは、本願発明の「光電素子」が、「前記ステムの前記第１面の側で固定され［る］」ことに相当する。 (ウ) 前記(ア)～(イ)をまとめると、本願発明と引用発明は、「前記ステムに前記第１面の側で固定されて光信号及び電気信号を少なくとも一方から他方に変換するための光電素子」を有する点で一致する。 エ(ア) 引用発明の「高周波信号ピン４１ａ，４１ｂ」は、本願発明の「一対のリードピン」に相当する。 (イ) 引用発明の「高周波信号ピン４１ａ，４１ｂ」が、「誘電体７７」に形成された「一対のピン挿入孔８０ａ，８０ｂ」に「挿入固定され」ており、「誘電体７７」が、「ステム１０」に形成された「孔７４」に「挿入され」ていることは、本願発明の「一対のリードピン」が、「前記貫通穴の内側に」「配置されて」いることに相当する。 (ウ) 引用発明の「高周波信号ピン４１ａ，４１ｂ」が、「ガラスなどの材料で構成される誘電体を介してステム１０に対し気密封止状態で固定されて」いることは、本願発明の「一対のリードピン」が、「ステムとは非接触で配置されて」いることに相当する。 (エ) 引用発明の「高周波信号ピン４１ａ，４１ｂ」は、「ストリップ差動信号線５２ａ，５２ｂの一端側」に形成された「パッド５３ａ，５３ｂ」に「接続固定されており」、「ストリップ差動信号線５２ａ，５２ｂと、ストリップ差動信号線５６ａ，５６ｂとは、ワイヤボンド５７ａ，５７ｂによってそれぞれ接続されており」、「ストリップ差動信号線５６ａ，５６ｂと、ストリップ差動信号線５９ａ，５９ｂとは、ワイヤボンド６１ａ，６１ｂによってそれぞれ接続されており」、「一方のストリップ差動信号線５９ｂ上にＬＤ４０の一方の電極であるアノードが直接当接するように、ＬＤ４０が搭載されており、ＬＤ４０の他方の電極としてのカソードは、ワイヤボンド６０によって他方のストリップ差動信号線５９ａに接続されて」いるから、「高周波信号ピン４１，４１ｂ」は、「ＬＤ４０」に接続されていることになる。このことは、本願発明の「一対のリードピン」が、「前記光電素子と電気的に接続される」ことに相当する。 (オ) 前記(ア)～(エ)をまとめると、本願発明と引用発明は、「前記貫通穴の内側に前記ステムとは非接触で配置されて前記光電素子と電気的に接続される一対のリードピン」を有する点で一致する。 オ(ア) 引用発明の「マイクロストリップ差動線路基板４６」を構成する「セラミック基板５１」は、その上面に一対のストリップ差動信号線５２ａ，５２ｂが形成されることからみて絶縁性であることは明らかであるから、本願発明の「絶縁基板」に相当する。 (イ) 引用発明の「セラミック基板５１」が構成する「マイクロストリップ差動線路基板４６」が、「台座１１の上面に」「搭載されて」おり、さらに、「台座１１」が、「ステム１０の内壁面に垂直に固定され」ることは、前記ウ(イ)も踏まえると、本願発明の「絶縁基板」が、「前記ステムに前記第１面の側で固定され［る］」ことに相当する。 (ウ) 前記(ア)～(イ)をまとめると、本願発明と引用発明は、「前記ステムに前記第１面の側で固定され［る］」「絶縁基板」を有する点で共通する。 (エ) 一方で、「絶縁基板」について、本願発明は、「前記貫通穴の外側で前記一対のリードピンを保持する」のに対して、引用発明は、「セラミック基板５１」とともに「マイクロストリップ差動線路基板４６」を構成する「一対のストリップ差動信号線５２ａ，５２ｂ」の「一端側には、ステム１０から突出された高周波信号ピン４１ａ，４１ｂと接触させるためのパッド５３ａ，５３ｂが形成されており」、「ステム１０にマウントされる高周波信号ピン４１ａ，４１ｂの端部は、マイクロストリップ差動線路基板４６のパッド５３ａ，５３ｂにロウ付けまたは半田付けによって接続固定されて」いるものの、ステム１０から突出された高周波信号ピン４１ａ，４１ｂを保持するものといえるかどうかは不明である。 カ(ア) 引用発明の「２本のグランドピン４２ａ，４２ｂ」は、本願発明の「一対のＧＮＤピン」に相当する。 (イ) 引用発明の「グランドピン４２ａ，４２ｂ」が、「グランドを構成するステム１０の外壁面に圧着および溶接によって固着されて」いることは、本願発明の「一対のＧＮＤピン」が、「前記貫通穴の内側を通らずに、前記貫通穴の外側で」「前記ステムに固定」されていることに相当する。 (ウ) 引用発明の「グランドピン４２ａ，４２ｂ」が、「孔７４の長手方向の両側に配されて」いることは、本願発明の「一対のＧＮＤピン」が、「前記貫通孔の両側で、」「固定」されていることに相当する。 (エ) 引用発明の「グランドピン４２ａ，４２ｂ」は、「グランドを構成するステム１０の外壁面に圧着および溶接によって固着されて」いることからみて、ステム１０と電気的に接続されていることは当業者には自明のことであるから、このことは、本願発明の「一対のＧＮＤピン」が、「前記ステムに電気的に接続される」ことに相当する。 (オ) 前記(ア)～(エ)をまとめると、本願発明と引用発明は、「前記貫通穴の内側を通らずに、前記貫通穴の外側であって前記貫通穴の両側で、前記ステムに固定されて前記ステムに電気的に接続される一対のＧＮＤピン」を有する点で一致する。 キ(ア) 引用発明の「孔７４」が内周面を有すること、及び、引用発明の「一対の高周波信号ピン４１ａ，４１ｂ」が外周面を有することは、いずれも自明である。よって、本願発明と引用発明は、「前記貫通穴は、内周面を有し、前記一対のリードピンは、外周面を有［する］」点で一致する。 (イ) 一方で、本願発明は、「前記内周面と外周面は、対向領域では相互に連結されないように、空隙によって分離され［る］」のに対して、引用発明は、「孔７４に、誘電体７７が挿入され、誘電体７７には、一対のピン挿入孔８０ａ，８０ｂが形成され、これらのピン挿入孔８０ａ，８０ｂに高周波信号ピン４１ａ，４１ｂが挿入固定され［る］」点で相違する。 ク(ア) 引用発明の「孔７４」は「ステム１０」に形成されたものであり、「ステム１０」は「グランドを構成する」ものであるから、グランドはシールドとして機能するという技術常識を勘案すれば、「孔７４」の内周面は、「シールド面」であるといえる。 よって、本願発明と引用発明は、「前記内周面がシールド面であ［る］」点で一致する。 (イ) 引用発明は、「高周波信号ピン４１ａ，４１ｂは、気密を保ったままステム１０を介して電気信号を通過させるフィードスルーを構成」するものであるところ、「差動線路のフィードスルー」が有する「誘電体の比誘電率及び比透磁率の関数である特性インピーダンス」は、前記キも踏まえれば、本願発明の「前記内周面と前記外周面の間に介在する媒質の誘電率に従った特性インピーダンス」に相当する。 (ウ) 引用発明において、「ステム１０を貫通するピンも、長円形状の誘電体７７に一対の高周波信号ピン４１ａ，４１ｂを貫通させることで、差動線路を構成する差動ピンとして［いる］」ことは、差動線路が伝送線路の一形態であることと、前記(イ)も踏まえると、本願発明において、前記(イ)の「特性インピーダンス」で「伝送線路が構成される」ことに相当する。 (エ) 前記(ア)～(ウ)をまとめると、本願発明と引用発明は、「前記内周面がシールド面であり、前記内周面と前記外周面の間に介在する媒質の誘電率に従った特性インピーダンスで、伝送線路が構成され［る］」点で一致する。 ケ(ア) 引用発明の「孔７４」は「長円形状」であるところ、「孔７４」の内周面のうち、長円の長手方向に対応する一対の面が、本願発明の「対向する一対の面領域」に相当する。 (イ) 前記イ(イ)及び前記ウ(イ)を踏まえると、引用発明の「ステム１０」の「グランドピン４２ａ，４２ｂ」が固着されている「外壁面１０ｚ」が、前記イ(イ)の「相互に反対の第１面及び第２面」のうち「第２面」に相当する。 (ウ) 引用発明は、「誘電体７７に一対の高周波信号ピン４１ａ，４１ｂを貫通させる」ものであって、「ピン」が「ステム１０を貫通する」ものであるから、「高周波信号ピン４１ａ，４１ｂ」が、「ステム１０」の「外壁面１０ｚ」から突出することは明らかであり、このことは、本願発明において、「前記一対のリードピン」は、「前記第２面から突出する」ことに相当する。 (エ) 引用発明の、「グランドピン４２ａ，４２ｂ」は、「ステム１０の外壁面１０ｚに圧着および溶接によって固着されて」いるから、「ステム１０」の「外壁面１０ｚ」から突出することは明らかであり、このことは、本願発明において、「前記一対のＧＮＤピンは、前記第２面から突出する」ことに相当する。 (オ) 引用発明において、「グランドピン４２ａ，４２ｂは、高周波信号ピン４１ａ，４１ｂと長円形状の孔７４の長手方向に沿うように」「配されて」いることは、前記(ア)も踏まえると、本願発明において、「前記一対のリードピンおよび前記一対のＧＮＤピンは、」「前記対向する一対の面領域に沿った方向に隣り合［う］」ことに相当する。 (カ) 前記(ア)～(オ)をまとめると、本願発明と引用発明は、「前記内周面は、対向する一対の面領域を有し、前記一対のリードピンおよび前記一対のＧＮＤピンは、前記第２面から突出し、前記対向する一対の面領域に沿った方向に隣り合［う］」点で一致する。 コ(ア) 引用発明の「セラミック基板５１」の一対のストリップ差動信号線５９ａ，５９ｂが形成される「上面」及びベタグランドが形成される「裏面」はそれぞれ、本願発明の「第３面」及び「第４面」に相当する。 よって、本願発明と引用発明は、「前記絶縁基板は、第３面および第４面を有［する］」点で一致する。 (イ) 引用発明の「セラミック基板５１」の「上面」に形成される「一対のストリップ差動信号線５９ａ，５９ｂ」の一端側に形成される「パッド５３ａ，５３ｂ」は、本願発明の「一対の第１導電パッド」に相当する。 また、引用発明において、「ステム１０にマウントされる高周波信号ピン４１ａ，４１ｂの端部は、マイクロストリップ差動線路基板４６のパッド５３ａ，５３ｂにロウ付けまたは半田付けによって接続固定されて」いることは、本願発明において、「前記第１導電パッドに前記一対のリードピンが接合され」ることに相当する。 よって、本願発明と引用発明は、「前記絶縁基板は、前記第３面に一対の第１導電パッドを有し、前記第１導電パッドに前記一対のリードピンが接合され［る］」点で一致する。 (ウ) 引用発明の「セラミック基板５１」の「裏面」に形成される「ベタグランド」は、本願発明の「電極」に相当する。 よって、本願発明と引用発明は、「前記絶縁基板は、前記第４面に電極を有［する］」点で一致する。 (エ) 前記(ア)～(ウ)をまとめると、本願発明と引用発明は、「前記絶縁基板は、第３面および第４面を有し、前記絶縁基板は、前記第３面に一対の第１導電パッドを有し、前記第１導電パッドに前記一対のリードピンが接合され、前記絶縁基板は、前記第４面に電極を有［する］」点で共通する。 (オ) 一方で、「絶縁基板」について、本願発明は、「前記第３面に第２導電パッドを有し、前記第２導電パッドが前記ステムの前記第１面に接合され」、「前記電極および前記第２導電パッドがコンタクトを介して電気的に接続されている」のに対して、引用発明は、ステム１０の内壁面に接合され、電極とコンタクトを介して電気的に接続される第２導電パッドを有していない点で相違する。 (２) 一致点及び相違点の認定 前記(１)の対比分析の結果をまとめると、本願発明と引用発明の一致点及び相違点は、次のとおりである。 ア 一致点 「相互に反対の第１面及び第２面を有して前記第１面から前記第２面まで貫通する貫通穴を有する導電性のステムと、 前記ステムに前記第１面の側で固定されて光信号及び電気信号を少なくとも一方から他方に変換するための光電素子と、 前記貫通穴の内側に前記ステムとは非接触で配置されて前記光電素子と電気的に接続される一対のリードピンと、 前記ステムに前記第１面の側で固定される絶縁基板と、 前記貫通穴の内側を通らずに、前記貫通穴の外側であって前記貫通穴の両側で、前記ステムに固定されて前記ステムに電気的に接続される一対のＧＮＤピンと、 を有し、 前記貫通穴は、内周面を有し、 前記一対のリードピンは、外周面を有し、 前記内周面がシールド面であり、前記内周面と前記外周面の間に介在する媒質の誘電率に従った特性インピーダンスで、伝送線路が構成され、 前記内周面は、対向する一対の面領域を有し、 前記一対のリードピンおよび前記一対のＧＮＤピンは、前記第２面から突出し、前記対向する一対の面領域に沿った方向に隣り合い、 前記絶縁基板は、第３面および第４面を有し、 前記絶縁基板は、前記第３面に一対の第１導電パッドを有し、前記第１導電パッドに前記一対のリードピンが接合され、 前記絶縁基板は、前記第４面に電極を有する 光モジュール」である点。 イ 相違点 (ア) 相違点１ 「絶縁基板」について、本願発明は、「前記貫通穴の外側で前記一対のリードピンを保持する」のに対して、引用発明は、「セラミック基板５１」とともに「マイクロストリップ差動線路基板４６」を構成する「一対のストリップ差動信号線５２ａ，５２ｂ」の「一端側には、ステム１０から突出された高周波信号ピン４１ａ，４１ｂと接触させるためのパッド５３ａ，５３ｂが形成されており」、「ステム１０にマウントされる高周波信号ピン４１ａ，４１ｂの端部は、マイクロストリップ差動線路基板４６のパッド５３ａ，５３ｂにロウ付けまたは半田付けによって接続固定されて」いるものの、ステム１０から突出された高周波信号ピン４１ａ，４１ｂを保持するものといえるかどうかは不明である点。 (イ) 相違点２ 本願発明は、「前記内周面と外周面は、対向領域では相互に連結されないように、空隙によって分離され［る］」のに対して、引用発明は、「孔７４に、誘電体７７が挿入され、誘電体７７には、一対のピン挿入孔８０ａ，８０ｂが形成され、これらのピン挿入孔８０ａ，８０ｂに高周波信号ピン４１ａ，４１ｂが挿入固定され［る］」点。 (ウ) 相違点３ 絶縁基板について、本願発明は、「前記第３面に第２導電パッドを有し、前記第２導電パッドが前記ステムの前記第１面に接合され」、「前記電極および前記第２導電パッドがコンタクトを介して電気的に接続されている」のに対して、引用発明は、ステム１０の内壁面に接合され、電極とコンタクトを介して電気的に接続される第２導電パッドを有していない点。 ３ 判断 (１) 相違点についての検討 前記相違点について検討する。 ア 相違点１、２について 相違点１、２について併せて検討する。 引用発明は、ステム１０には、孔７４が形成されており、孔７４に、誘電体７７が挿入され、その誘電体７７に高周波信号ピン４１ａ，４１ｂが挿入されているところ、引用発明を開示する引用文献５の【００８８】には、ステム１０の内側部分（高周波信号ピン４１ａ，４１ｂが誘電体７７で囲まれているフィードスルー部分）ではインピーダンスが下がりすぎる傾向があることが明記されている。そうすると、引用発明に接した当業者であれば、ステム１０の孔７４において高周波信号ピン４１ａ，４１ｂの周囲に誘電体７７が存在することによりインピーダンスが低下してしまい、孔の位置でインピーダンスの不整合を生じるおそれがあることは直ちに理解できることであるといえるのであり、このことは、ステムの孔に高周波信号ピンを備えた光半導体のキャンパッケージに関する技術として共通する引用文献６技術事項を踏まえれば、さらに明らかである。 したがって、引用発明において、ステム１０の内側部分（高周波信号ピン４１ａ，４１ｂが誘電体７７で囲まれているフィードスルー部分）でインピーダンスが下がりすぎることを解決するために、引用文献６技術事項を適用して、高周波信号ピン４１ａ，４１ｂがステム１０と接することなく中空状態の孔７４を挿通させて、ステム１０から突出された高周波信号ピン４１ａ，４１ｂの端部が接続固定されるマイクロストリップ差動線路基板４６のパッド５３ａ，５３ｂにおいて、ステム１０の貫通孔に誘電体７７がなくとも高周波信号ピン４１ａ，４１ｂが固定されるようにすることは、当業者が容易になし得たことである。 このとき、ステム１０から突出された高周波信号ピン４１ａ，４１ｂの端部が接続固定されるマイクロストリップ差動線路基板４６のパッド５３ａ，５３ｂにおいて、ステム１０の貫通孔に誘電体７７がなくとも高周波信号ピン４１ａ，４１ｂが固定されることは、相違点１に係る本願発明の絶縁基板が、「前記一対のリードピンを保持する」ことに相当する。また、パッド５３ａ，５３ｂに接触するのはステム１０から突出された高周波信号ピン４１ａ，４１ｂであるから、当該接続固定はステム１０に形成された孔７４の外側で行われるものであり、このことは、相違点１に係る本願発明の一対のリードピンの保持が、「前記貫通穴の外側で」行われることに相当する。 さらに、高周波信号ピン４１ａ，４１ｂがステム１０と接することなく中空状態の孔７４を挿通させることは、相違点２に係る本願発明の「前記内周面と外周面は、対向領域では相互に連結されないように、空隙によって分離され［る］」ことに相当する。 このように、引用発明において引用文献６技術事項を適用することによって、当業者は、相違点１、２に係る本願発明の構成に至ることとなる。 イ 相違点３について 引用発明は、ステム１０に対しほぼ垂直に配設された台座１１の上面にマイクロストリップ差動線路基板４６，４７と、ＬＤ用チップキャリア４８とが搭載されているものであるが、ステム１０に対しほぼ垂直に配設された台台座１１を用いる技術上の意義は、ＬＤ４０が端面発光型であるためＬＤ４０の端面を光出射方向であるステム１０の内壁面及び外壁面１０ｚに直交する方向に向けるためであると解される。 一方、レーザダイオードとしては、端面発光型のものとともに面発光型のものもよく知られており、引用発明において、ＬＤ４０として端面発光型に代えて面発光型を採用することは、単なる設計事項にすぎない。 その際に、前記１(３)で認定した周知技術のように「面発光型レーザを搭載した基板をステムに固定する際に、台座を用いずにその下面をステムに固定する」ように変更することは、面発光型を採用することに伴う必然的な設計事項にすぎないし、また、その際に、シールド効果を得るために、「基板の下面に複数の電極パッドを設け、複数の電極パッドのそれぞれに外部接続用ピンが接合され、基板の下面に設けられた接合用導体を介してステムに接合され、基板の上面に同一面導体層を設け、同一面導体層を接合用導体と電気的に接続してシールド効果を得ること」との前記１(３)で認定した周知技術を採用することも、当業者が容易に想到し得たことである。 このとき、セラミック基板５１の下面に設けられ、高周波信号ピン４１ａ，４１ｂが接合される「複数の電極パッド」が、本願発明の「一対の第１導電パッド」に相当し、セラミック基板の下面に設けられステム１０に接合される「接合用導体」が、本願発明の「第２導電パッド」に相当し、セラミック基板の上面に形成され、接合用導体と接続される「同一面導体層」が、本願発明の「電極」に相当することとなるから、引用発明において上記のように周知技術を適用することによって、当業者は、相違点３に係る本願発明の構成に至ることとなる。 ウ 総合検討 前記相違点１～３を総合的に勘案しても、本願発明の奏する効果は、本願発明の構成が奏するものとして、引用発明、引用文献６技術事項及び周知技術からは予測困難な効果であり、かつ、格別顕著な効果であるとはいえない。 (２) 請求人の主張について 請求人は、引用発明は、ステムの第１面に台座１１があり、基板４６が台座１１に取り付けられているため、基板４６とステム１０の第１面は直接的には接合されない旨を主張している。 しかしながら、引用発明においてＬＤ４０として端面発光型に代えて面発光型を採用することは単なる設計事項にすぎないこと、面発光型レーザを搭載した基板をステムに固定する際に、台座を用いずにその下面をステムに固定するように変更することは、面発光型を採用することに伴う必然的な設計事項にすぎないことは、前記(１)イで説示したとおりである。 よって、請求人の主張は採用できない。 ４ 小括 以上検討のとおり、本願発明は、引用発明、引用文献６技術事項及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 第５ むすび 以上のとおり、本願発明は、特許法２９条２項の規定により、特許を受けることができない。 したがって、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。 よって、結論のとおり審決する。