2022-017354

特願２０２０－５６０７４６「再構成可能な量子ルーティング」拒絶査定不服審判事件〔令和 １年１２月２６日国際公開、ＷＯ２０１９／２４５７４０、令和 ３年 ８月２６日国内公表、特表２０２１－５２１５５０〕について、次のとおり審決する。

結 論 本件審判の請求は、成り立たない。

理 由 第１ 手続の経緯 本願は、２０１９年（平成元年）６月５日（パリ条約による優先権主張 外国庁受理２０１８年６月１９日 米国）を国際出願日とする特願２０２０－５６０７４６号であり、その手続の経緯は、概略、以下のとおりである。 令和２年１０月２９日 ：国内書面、出願審査請求書、手続補正書、 上申書の提出 令和３年１２月２３日付け：拒絶理由通知書 令和４年 ３月２５日 ：意見書、手続補正書の提出 令和４年 ６月２８日付け：拒絶査定 令和４年１０月２８日 ：審判請求書の提出 令和５年 ４月 ６日付け：拒絶理由（当審拒絶理由）通知書 令和５年 ６月２８日 ：意見書、手続補正書の提出 第２ 本願発明 令和５年６月２８日に提出された手続補正書に係る手続補正によって補正された特許請求の範囲の請求項１０に係る発明（以下「本願発明」という。）は、以下のとおりである。 「 再構成可能な量子ルーティングの方法であって、 ＲＦ－ＳＱＵＩＤのそれぞれの可変インダクタンス結合要素間で分割される電流を誘導するために少なくとも１つの共通インダクタを介して少なくとも２つのＲＦ－ＳＱＵＩＤに誘導結合された第１の磁束ライン、または他のインダクタを介して前記少なくとも２つのＲＦ－ＳＱＵＩＤまたは別の２つのＲＦ－ＳＱＵＩＤに誘導結合された第２の磁束ラインのうちの一方に静的制御信号を提供すること、 前記第１の磁束ラインまたは前記第２の磁束ラインのうちの他方に動的制御信号を提供して、誘導された共通磁束電流と誘導された動的磁束電流との差が、前記可変インダクタンス結合要素のうちの少なくとも１つを、高インダクタンス状態または低インダクタンス状態のうちの一方に置き、前記可変インダクタンス結合要素のうちの少なくとも他方を前記高インダクタンス状態または前記低インダクタンス状態のうちの他方に置くようにすること、 少なくとも第１の量子オブジェクトを、前記動的制御信号の方向に基づいて、第２の量子オブジェクトまたは第３の量子オブジェクトのうちの１つだけに結合するように前記動的制御信号の方向を作動させること を含む方法。」 第３ 当審拒絶理由 令和６年４月６日付けで当審が通知した拒絶理由のうちの理由３（進歩性）は、次の理由を含むものである。 本願の請求項１０に係る発明は、本願の出願前に日本国内又は外国において、頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった以下の引用文献１及び２に記載された発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下、「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 引用文献１：特表２０１８－５１４０９４号公報 引用文献２：国際公開第２０１７／１２７２０５号 第４ 引用文献の記載及び引用発明 １ 引用文献１について （１）引用文献１の記載 引用文献１には、図面とともに、次の事項が記載されている。なお、下線は、強調のため当審が付与した。（以降においても同様。） 「【０００８】 一例では、第１および第２の可変インダクタンス結合器は、隣接する高周波（ＲＦ）超伝導量子干渉デバイス（以下、ＲＦ ＳＱＵＩＤまたはＳＱＵＩＤと称する）の各要素である。第１の超伝導量子干渉デバイス（ＳＱＵＩＤ：Ｓｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ Ｄｅｖｉｃｅ）は、第１の可変インダクタンス結合器と、第１の可変インダクタンス結合器の反対側に結合された第２のインダクタを含む。第２のＳＱＵＩＤは、第２のインダクタと、第２の可変インダクタンス結合器の反対側に結合された第３のインダクタとを含む。第２のインダクタは、第１および第２のＳＱＵＩＤの両方を互いに結合して、二重ＳＱＵＩＤ回路構成を形成する共通インダクタとすることができる。可変インダクタンス結合器は、例えば、ジョセフソン接合とすることができ、ジョセフソン接合は、ジョセフソン接合を流れる電流に基づいて変化する誘導を有する。所与のジョセフソン接合を流れる電流は、個々のＳＱＵＩＤに印加される磁束に基づいて誘導することができる。 【０００９】 一例では、第１および第２のジョセフソン接合は、個々のＳＱＵＩＤにおいて電流または低電流が誘導されていないときは第１のインダクタンスを有し、例えば、約０．１Φ０を超え、約０．４５Φ０未満の磁束（Φ０は磁束量子と等しい）を生成または誘導する所定の閾値における電流またはより高電流が個々のＳＱＵＩＤに誘導されるときは第２のインダクタンスを有する。第１のインダクタンス（例えば、h／２ｅ＊１／ＩＣ、hはプランク定数を２πで割ったもの、ｅは電子電荷、ＩＣはジョセフソン接合の臨界電流）は、フィルタネットワークの所望のセクション間の結合を提供して、所望のセクションの対向する端部間で入力信号の所望の帯域幅の部分を通過させることができる。第２のインダクタンス（例えば、大きなインダクタンス値）は、フィルタネットワークのセクション間の分離を提供して、不所望のセクションの対向する端部間で入力信号の所望の帯域幅の部分の通過を遮断することができる。 【００１０】 図１は、一例の超伝導単極双投スイッチシステム１０を示す。超伝導単極双投スイッチシステム１０は、第１の端子（ＴＭＡ）からの信号を第２の端子（ＴＭＢ）または第３の端子（ＴＭＣ）のうちの１つに転送する。代替的に、第２の端子ＴＭＢまたは第３の端子ＴＭＣのうちの１つから第１の端子ＴＭＡに信号を転送することができる。超伝導単極双投スイッチシステム１０は、様々な超伝導回路システムのいずれかに実装して、２つの代替経路間で信号のスイッチ制御を提供することができる。一例として、信号は、キュービット（ｑｕｂｉｔ）に対してゲート動作または読み出し動作を実行するなど、量子回路用の制御方式で実施されるマイクロ波信号であってもよい。別の例として、信号は、信号パルス、通信信号、または制御コマンド信号であってもよい。超伝導スイッチシステム１０は、第１の経路および第２の経路のうちの１つを通過する信号の所望の部分（例えば、特定の周波数帯域幅）に対応する帯域通過フィルタリングされた出力信号を提供することができる。付加的に、信号の所望の部分は、第１の経路および第２の経路の他方を通過することができないように遮断することができる。 【００１１】 一例として、超伝導スイッチシステム１０は、１つまたは複数の入力共振器としてのフィルタネットワーク１２の入力部分と、１つまたは複数の出力共振器をそれぞれ有するフィルタネットワーク１２の一対の出力部分とを構成するための１つまたは複数のインピーダンス構成要素（すなわち、キャパシタ、抵抗器、インダクタ）を含むマイクロ波バンドパスフィルタネットワーク１２を含む。フィルタネットワーク１２は、第１の経路に関連する第１の可変インダクタンス結合器を有する第１のＳＱＵＩＤと、第２の経路に関連する第２の可変インダクタンス結合器を有する第２のＳＱＵＩＤとを含む二重ＳＱＵＩＤ回路１４を含む。第１および第２のＳＱＵＩＤはそれぞれ、個々のＳＱＵＩＤの超伝導ループの構成要素と、１つまたは複数の入力共振器および／または１つまたは複数の出力共振器のインピーダンス構成要素との両方として動作する１つまたは複数の構成要素を含む。付加的に、第１および第２のＳＱＵＩＤは、第１および第２のＳＱＵＩＤ間で共有される１つまたは複数の構成要素を含むこともできる。第１および第２のＳＱＵＩＤは、超伝導スイッチの能動素子として動作して、ＳＱＵＩＤの磁束調整可能なインダクタンスがフィルタ回路のセクションを選択的に結合して、２つの経路のうちの１つの経路間の信号の通過を提供し、２つの経路のうちの他の経路間の信号を遮断する。ＳＱＵＩＤは、５０オームのインピーダンス環境へのマッチングを提供するようにマイクロ波バンドパスフィルタネットワーク１２に組み込まれる。 【００１２】 一組のバイアス要素１６は、第１および第２のＳＱＵＩＤのうちの一方における正味の電流が所定の閾値（例えば、磁束量子の半分の実質的な部分の正味磁束）を超える結果として正味の磁束と、第１および第２のＳＱＵＩＤのうちの他方における正味電流が所定の閾値（例えば、約０の正味磁束）を実質的に下回る結果としての正味の磁束との誘導をもたらす構成で第１および第２のＳＱＵＩＤに誘導的に結合されている。所定の閾値を超えるＳＱＵＩＤのうちの１つにおいて誘導される正味の磁束または電流は、ＳＱＵＩＤに関連する可変インダクタンス結合器に対して高いインダクタンスをもたらし、個々のＳＱＵＩＤを介する信号を遮断する。ＳＱＵＩＤの１つにおいて誘導される正味の磁束または電流が、所定の閾値を実質的に下回ると、ＳＱＵＩＤに関連する可変インダクタンス結合器のインダクタンスが低くなり、その個々のＳＱＵＩＤを介して信号が通過する。バイアス要素１６は、バイアス要素１６へのバイアス電流の量および極性を制御するスイッチコントローラ１８によって制御することができ、スイッチコントローラ１８は、次に、各個々のＳＱＵＩＤにおいて誘導され、かつ各個々のＳＱＵＩＤの可変インダクタンス結合器を流れる電流および磁束の量を制御する。」 「【００１３】 図２は、単極双投スイッチ回路３０の概略図を示す。図２に示すように、ジョセフソン接合Ｊ１は、第１のインダクタＬ１および共通インダクタＬＣＯＭに接続され、外部から印加される磁束Φ１を囲む第１のＲＦ－ＳＱＵＩＤ３２（ＳＱＵＩＤ＃１）を形成する。同様に、ジョセフソン接合Ｊ２は、第２のインダクタＬ２および共通インダクタＬＣＯＭに接続され、外部から印加される磁束Φ２を囲む第２のＲＦ－ＳＱＵＩＤ３４（ＳＱＵＩＤ＃２）を形成する。第１のインダクタＬ１、共通インダクタＬＣＯＭおよび第２のインダクタＬ２の反対側の端部は共通の基準点（接地）に結合されて、第１のＲＦ ＳＱＵＩＤ３２に関連する第１の超伝導ループを形成し、かつ第２のＲＦ ＳＱＵＩＤに関連する第２の超伝導ループを形成する。ジョセフソン接合の臨界電流は、Ｉｃ１，２（Ｌ１，２＋Ｌｃｏｍ）＜Φ０である。Ｊ１およびＪ２の実効インダクタンスは、それぞれ印加磁束Φ１とΦ２の関数である。印加された磁束がほぼゼロのとき、個々の接合のインダクタンスはＬ＝h／２ｅＩｃで与えられる。ここで、Ｉｃは接合臨界電流である。接合インダクタンスは、磁束がΦ０／２の付近の値（正確な値は接合臨界電流とＲＦ－ＳＱＵＩＤループの自己インダクタンスとの積に依存する）に達すると、発散するまで印加磁束とともに増加する。 【００１４】 入力端子（ＴＭＡ）またはポートは、入力結合キャパシタＣＣＡを介して第１および第２のＲＦ ＳＱＵＩＤ３２、３４の共通ノード３６に結合される。第１の出力端子（ＴＭＢ）またはポートは、第１の出力結合キャパシタＣＣＢを介して第１のＲＦ ＳＱＵＩＤ３２に接続され、第２の出力端子（ＴＭＢ）またはポートは、第２の出力結合キャパシタ（ＴＭＣ）を介して第２のＲＦ ＳＱＵＩＤ３４に接続される。スイッチ回路３０が適切に機能するフィルタ回路として動作するためには、図３および図６に示すフィルタ構成と同様にＬ１、Ｌ２およびＬＣＯＭに並列にキャパシタを配置する必要があることを理解されたい。第１のインダクタＬ１に誘導的に結合された第１の差動モードバイアスインダクタ（ＬＢＤ１）と第２のインダクタＬ２に誘導的に結合された第２の差動モードバイアスインダクタ（ＬＢＤ２）とを含む差動モード磁束バイアスライン（ＤＭＬ）が設けられている。付加的に、共通インダクタ（ＬＣＯＭ）に誘導的に結合されるコモンモードバイアスインダクタ（ＬＢＣ）を含むコモンモード磁束バイアスライン（ＣＭＬ）が設けられている。スイッチコントローラ（図示せず）は、差動モード磁束バイアスライン（ＤＭＬ）およびコモンモード磁束バイアスライン（ＣＭＬ）に印加される電流の大きさおよび方向を制御して、各ＳＱＵＩＤに印加される磁束の量および極性、したがって、第１のジョセフソン接合Ｊ１および第２のジョセフソン接合Ｊ２のインダクタンスを制御することができる。 【００１５】 磁束Φ１および磁束Φ２は、磁束Φ１または磁束Φ２の一方が本質的にゼロであることに応答して接合Ｊ１またはＪ２の一方が低インダクタンスを有し、他方の接合がΦ０／２の実質的な部分である他方の磁束Φ１またはΦ２に応答して大きなインダクタンスを有するように印加される。この例では、入力信号ＳＩＧＩＮ（例えば、マイクロ波信号）が、選択された低インダクタンス接合（Ｊ１またはＪ２）を介して入力ポート（ＴＭＡ）から選択された出力ポート（ＴＭＡまたはＴＭＢ）に出力信号（ＳＩＧＯＵＴ１またはＳＩＧＯＵＴ２）として流れ、選択されていない高インダクタンス接合（Ｊ１またはＪ２の他方）に接続された非選択ポート（ＴＭＡまたはＴＭＢの他方）は分離状態に維持される。印加される磁束Φ１およびΦ２を制御することによって、入力信号ＳＩＧＩＮは、入力ポートから一方の出力ポートに転送され、他方の出力ポートは入力信号を通過しないように分離することができる。 【００１６】 図２は、デバイスのコモンモードバイアスライン（ＣＭＬ）と差動モードバイアスラインＤＭＬ）を介して２つのバイアス電流を印加することによって、磁束Φ１およびΦ２を個別に制御する方法を示す。バイアス電流の印加は、第１のインダクタＬ１に誘導的に結合された第１の差動モードバイアスインダクタＬＢＤ１と、第２のインダクタＬ２に誘導的に結合された第２のバイアスインダクタＬＢＤ２と、共通インダクタＬｃに誘導的に結合されたコモンモードバイアスインダクタＬＢＣとから形成される超伝導変圧器を介して第１及び第２のＳＱＵＩＤに電流を誘導する。コントロールラインは、コモンモード磁束バイアスライン（ＣＭＬ）によって誘導された磁束が、一方のＳＱＵＩＤにおける差動モード磁束バイアスライン（ＤＭＬ）によって誘導された磁束に加算され、その磁束が他方のＳＱＵＩＤにおける磁束から減算されるように構成されている。 【００１７】 例えば、第１および第２のＳＱＵＩＤ３２、３４の両方に０．２Φ０の磁束をそれぞれ誘導するためにコモンモード磁束ライン（ＣＭＬ）と表示されたラインを介してＤＣ電流ＩＣＯＭが印加され、これにより、第１のＳＱＵＩＤ３２において電流－ＩＣＩＮＤが誘導され、第２のＳＱＵＩＤ３４において電流＋ＩＣＩＮＤが誘導される。第１のＳＱＵＩＤ３２において０．２Φ０の磁束を誘導し、第２のＳＱＵＩＤ３４において－０．２Φ０の磁束を誘導するために差動モード磁束ライン（ＤＭＬ）と表示けられたラインを介してＤＣ電流＋ＩＤＩＮＤが印加され、これにより、第１のＳＱＵＩＤ３２において＋ＩＤＩＮＤの電流が生じ、第２のＳＱＵＩＤ３４において＋ＩＤＩＮＤの電流が生じる。この結果、第２のＳＱＵＩＤ３４は、０．４Φ０の合計印加磁束を囲み（ジョセフソン接合Ｊ２のインダクタンスが高くなる）、第１のＳＱＵＩＤはゼロの合計印加磁束を囲む（ジョセフソン接合Ｊ１のインダクタンスが低くなる）。差動モード磁束バイアスライン（ＤＭＬ）またはコモンモード磁束バイアスライン（ＣＭＬ）のうちの一方に流れる電流の極性は、第１および第２のＲＦ ＳＱＵＩＤ３２および３４の正味の磁束および正味の電流をそれぞれ変更するように変化させることができ、この結果、１つの出力ポート（例えば、ＴＭＡ）または他の出力ポート（ＴＭＢ）の間の入力信号ＳＩＧＩＮの転送が制御される。」 （［当審注］ ・【００１４】に記載の「第２の出力結合キャパシタ（ＴＭＣ）」は、以下の【図２】の記載を参酌すれば、「第２の出力結合キャパシタ（ＣＣＣ）」の誤記と認められる。 ・【００１７】に記載の「差動モード磁束ライン（ＤＭＬ）と表示けられたラインを介してＤＣ電流＋ＩＤＩＮＤが印加され」は、以下の【図２】の記載を参酌すれば、「差動モード磁束ライン（ＤＭＬ）と表示されたラインを介してＤＣ電流＋ＩＤＩＦＦが印加され」の誤記と認められる。） 「【００２３】 可能な用途の一例では、単極双投スイッチをＲＱＬ磁束ポンプと一体化して、スイッチを２つの出力設定の間で切替える差動モード磁束を提供することができる。磁束ポンプおよびスイッチアセンブリは、さらに、超伝導キュービット回路と一体化することができる。このようなシステムは、例えば第３のキュービットの測定結果に基づいて調整された２つのキュービットのうちの１つに選択的にマイクロ波パルスを供給し、条件付き量子ゲートを実現することができる。別の可能な応用例では、スイッチは、ＲＱＬプロセッサの制御下で、一連のキュービットの異なるグループにマイクロ波読み出しパルスを印加するように構成することができる。さらに別の応用例は、２つの入力経路のうちの１つの出力を選択するためにスイッチを逆に接続することを含む。この構成は、例えば、（フィルタの通過帯域内の）異なる周波数の２つの信号をスイッチ入力に供給し、これらの２つの周波数のうちの１つを選択して出力に伝搬することを可能にする。本明細書で開示される２つの単極双投スイッチは、例えば、異なる時間遅延または狭帯域周波数応答を有する、集積マイクロ波回路内の２つの信号経路のうちの１つを選択するために協働して動作するようにしてもよい。」 「【図１】 ［図：0001405473000001.jpg］ 」 「【図２】 ［図：0001405473000002.jpg］ 」 （２）引用発明 引用文献１の【００１０】の記載より、引用文献１には、「超伝導単極双投スイッチシステム１０」により「第１の端子（ＴＭＡ）からの信号を第２の端子（ＴＭＢ）または第３の端子（ＴＭＣ）のうちの１つに転送する」“方法”が記載されているといえる。 また、引用文献１の【０００８】の記載によれば、【００１２】に記載の「可変インダクタンス結合器」は、「ジョセフソン接合とすることができ」るものである。 また、引用文献１の記載において、「第１のＲＦ－ＳＱＵＩＤ３２」、「第１のＲＦ ＳＱＵＩＤ３２」、「第１のＳＱＵＩＤ」、「ＳＱＵＩＤ＃１」はいずれも同じものであると認められるので、「第１のＲＦ－ＳＱＵＩＤ３２」に統一して記載することとする。同様に、引用文献１の記載において、同じものと認められる「第２のＲＦ－ＳＱＵＩＤ３４」、「第２のＲＦ ＳＱＵＩＤ３４」、「第２のＳＱＵＩＤ」、「ＳＱＵＩＤ＃２」については、「第２のＲＦ－ＳＱＵＩＤ３４」に統一して記載することとする。 よって、前記（１）より、引用文献１には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。 「 超伝導単極双投スイッチシステム１０により、第１の端子（ＴＭＡ）からの信号を第２の端子（ＴＭＢ）または第３の端子（ＴＭＣ）のうちの１つに転送する方法であって、 超伝導単極双投スイッチシステム１０は、様々な超伝導回路システムのいずれかに実装して、２つの代替経路間で信号のスイッチ制御を提供することができ、一例として、信号は、キュービット（ｑｕｂｉｔ）に対してゲート動作または読み出し動作を実行するなど、量子回路用の制御方式で実施されるマイクロ波信号であってもよく、 一組のバイアス要素１６は、第１および第２のＲＦ－ＳＱＵＩＤに誘導的に結合され、バイアス要素１６は、バイアス要素１６へのバイアス電流の量および極性を制御するスイッチコントローラ１８によって制御することができ、スイッチコントローラ１８は、次に、各個々のＲＦ－ＳＱＵＩＤにおいて誘導され、かつ各個々のＲＦ－ＳＱＵＩＤの可変インダクタンス結合器を流れる電流および磁束の量を制御し、 可変インダクタンス結合器は、ジョセフソン接合とすることができ、 単極双投スイッチ回路３０において、 ジョセフソン接合Ｊ１は、第１のインダクタＬ１および共通インダクタＬＣＯＭに接続され、外部から印加される磁束Φ１を囲む第１のＲＦ－ＳＱＵＩＤ３２を形成し、 ジョセフソン接合Ｊ２は、第２のインダクタＬ２および共通インダクタＬＣＯＭに接続され、外部から印加される磁束Φ２を囲む第２のＲＦ－ＳＱＵＩＤ３４を形成し、 第１のインダクタＬ１、共通インダクタＬＣＯＭおよび第２のインダクタＬ２の反対側の端部は共通の基準点（接地）に結合されて、第１のＲＦ－ＳＱＵＩＤ３２に関連する第１の超伝導ループを形成し、かつ第２のＲＦ－ＳＱＵＩＤ３４に関連する第２の超伝導ループを形成し、 Ｊ１およびＪ２の実効インダクタンスは、それぞれ印加磁束Φ１とΦ２の関数であり、 入力端子（ＴＭＡ）またはポートは、入力結合キャパシタＣＣＡを介して第１および第２のＲＦ－ＳＱＵＩＤ３２、３４の共通ノード３６に結合され、第１の出力端子（ＴＭＢ）またはポートは、第１の出力結合キャパシタＣＣＢを介して第１のＲＦ－ＳＱＵＩＤ３２に接続され、第２の出力端子（ＴＭＢ）またはポートは、第２の出力結合キャパシタ（ＣＣＣ）を介して第２のＲＦ－ＳＱＵＩＤ３４に接続され、 第１のインダクタＬ１に誘導的に結合された第１の差動モードバイアスインダクタ（ＬＢＤ１）と第２のインダクタＬ２に誘導的に結合された第２の差動モードバイアスインダクタ（ＬＢＤ２）とを含む差動モード磁束バイアスライン（ＤＭＬ）が設けられ、 共通インダクタ（ＬＣＯＭ）に誘導的に結合されるコモンモードバイアスインダクタ（ＬＢＣ）を含むコモンモード磁束バイアスライン（ＣＭＬ）が設けられ、 スイッチコントローラは、差動モード磁束バイアスライン（ＤＭＬ）およびコモンモード磁束バイアスライン（ＣＭＬ）に印加される電流の大きさおよび方向を制御して、各ＲＦ－ＳＱＵＩＤに印加される磁束の量および極性、したがって、第１のジョセフソン接合Ｊ１および第２のジョセフソン接合Ｊ２のインダクタンスを制御することができ、 磁束Φ１および磁束Φ２は、磁束Φ１または磁束Φ２の一方が本質的にゼロであることに応答して接合Ｊ１またはＪ２の一方が低インダクタンスを有し、他方の接合がΦ０／２の実質的な部分である他方の磁束Φ１またはΦ２に応答して大きなインダクタンスを有するように印加され、印加される磁束Φ１およびΦ２を制御することによって、入力信号ＳＩＧＩＮは、入力ポートから一方の出力ポートに転送され、他方の出力ポートは入力信号を通過しないように分離することができ、 バイアス電流の印加は、第１のインダクタＬ１に誘導的に結合された第１の差動モードバイアスインダクタＬＢＤ１と、第２のインダクタＬ２に誘導的に結合された第２のバイアスインダクタＬＢＤ２と、共通インダクタＬｃに誘導的に結合されたコモンモードバイアスインダクタＬＢＣとから形成される超伝導変圧器を介して第１及び第２のＲＦ－ＳＱＵＩＤに電流を誘導し、コモンモード磁束バイアスライン（ＣＭＬ）によって誘導された磁束が、一方のＲＦ－ＳＱＵＩＤにおける差動モード磁束バイアスライン（ＤＭＬ）によって誘導された磁束に加算され、その磁束が他方のＲＦ－ＳＱＵＩＤにおける磁束から減算され、 例えば、第１および第２のＲＦ－ＳＱＵＩＤ３２、３４の両方に０．２Φ０の磁束をそれぞれ誘導するためにコモンモード磁束ライン（ＣＭＬ）と表示されたラインを介してＤＣ電流ＩＣＯＭが印加され、これにより、第１のＲＦ－ＳＱＵＩＤ３２において電流－ＩＣＩＮＤが誘導され、第２のＲＦ－ＳＱＵＩＤ３４において電流＋ＩＣＩＮＤが誘導され、第１のＲＦ－ＳＱＵＩＤ３２において０．２Φ０の磁束を誘導し、第２のＲＦ－ＳＱＵＩＤ３４において－０．２Φ０の磁束を誘導するために差動モード磁束ライン（ＤＭＬ）と表示されたラインを介してＤＣ電流＋ＩＤＩＦＦが印加され、これにより、第１のＲＦ－ＳＱＵＩＤ３２において＋ＩＤＩＮＤの電流が生じ、第２のＲＦ－ＳＱＵＩＤ３４において＋ＩＤＩＮＤの電流が生じ、この結果、第２のＲＦ－ＳＱＵＩＤ３４は、０．４Φ０の合計印加磁束を囲み（ジョセフソン接合Ｊ２のインダクタンスが高くなる）、第１のＲＦ－ＳＱＵＩＤはゼロの合計印加磁束を囲み（ジョセフソン接合Ｊ１のインダクタンスが低くなる）、差動モード磁束バイアスライン（ＤＭＬ）またはコモンモード磁束バイアスライン（ＣＭＬ）のうちの一方に流れる電流の極性は、第１および第２のＲＦ－ＳＱＵＩＤ３２および３４の正味の磁束および正味の電流をそれぞれ変更するように変化させることができ、この結果、１つの出力ポート（例えば、ＴＭＡ）または他の出力ポート（ＴＭＢ）の間の入力信号ＳＩＧＩＮの転送が制御される、 方法。」 ２ 引用文献２について 引用文献２には、図面とともに、以下の事項が記載されている。（なお、当審訳は、引用文献２の日本語のファミリー文献である特表２０１９－５０６７３４号公報の記載を参酌した。） （第５ページ１２行～第６ページ８行） 「[0004] Each qubit in the first qubit system 12 is coupled to a respective qubit in the second qubit system 16 by a respective tunable coupler of the tunable coupler system 14 having N tunable couplers, labeled tunable coupler 1 through tunable coupler N. Each tunable coupler includes a variable inductance coupling element that can be adjusted to allow for control of the coupling strength between two independent qubits of the opposing qubit systems 12 and 16, respectively. The variable inductance coupling element can be disposed between two resonators to allow for remote coupling of the two independent qubits via a tunable bus-mediated coupler. In one example, the variable inductance coupling element is a Josephson junction that resides in a RF SQUID disposed between two resonators. The superconducting switching system 10 also includes a switch controller 18 and bias elements 16. The variable inductance coupling elements are controlled by magnetic flux via the bias elements 16 and the switch controller 18 to couple, decouple and to control the coupling strength of the coupling between respective independent qubits in opposing qubit systems 12 and 16. [0005] FIG. 2 illustrates a schematic of an example of a tunable bus-mediated coupler 30 that could be employed in FIG. 1. The tunable bus-mediated coupler 30 is composed of a first quarter-wave transmission line resonator TL1 and a second quarter-wave transmission line resonator TL2. A first coupling capacitor C1 couples a first port (Port 1) to a first end of the first quarter-wave transmission line resonator TL1, and a second coupling capacitor C2 couples a second port (Port 2) to a first end of the second quarter-wave transmission line resonator TL2. The first port (Port 1) can be coupled to a first qubit and the second port (Port 2) can be coupled to a second qubit. A second end of the first quarter-wave transmission line resonator TL1 is shorted to ground via a first terminating inductor (L1) and a second end of the second quarter-wave transmission line resonator TL2 is shorted to ground via a second terminating inductor L2. A Josephson junction (J1) is further connected between the termination inductors L1 and L2, so that the Josephson junction J1 together with termination inductors L1 and L2, form an RF-SQUID 32.」 （当審訳） 「[0004] 第１のキュービットシステム１２内の各キュービットは、調整可能なカプラー１から調整可能なカプラーＮとラベル付けされたＮ個の調整可能なカプラーを有する調整可能なカプラーシステム１４の個々の調整可能なカプラーによって第２のキュービットシステム１６内の個々のキュービットに結合されている。各調整可能なカプラーは、対向するキュービットシステム１２および１６の２つの独立したキュービットの間の結合強度の制御を可能にするように調整することができる可変インダクタンス結合要素をそれぞれ含む。可変インダクタンス結合要素は、２つの共振器の間に配置されて、調整可能なバス媒介カプラーを介して２つの独立したキュービットの遠隔結合を可能にする。一例では、可変インダクタンス結合要素は、２つの共振器の間に配置されたＲＦ ＳＱＵＩＤ内に存在するジョセフソン接合である。超電導スイッチングシステム１０はまた、スイッチコントローラ１８およびバイアス要素１６を含む。可変インダクタンス結合要素は、バイアス要素１６およびスイッチコントローラ１８を介して磁束によって結合および非結合するとともに、対向するキュービットシステム１２および１６における個々の独立したキュービット間の結合強度を制御するように制御される。 [0005] 図２は、図１において使用可能な調整可能なバス媒介カプラー３０の一例の概略図である。調整可能なバス媒介カプラー３０は、第１の１／４波長伝送線路共振器ＴＬ１と第２の１／４波長伝送線路共振器ＴＬ２とからなる。第１の結合コンデンサＣ１は第１のポート（ポート１）を第１の１／４波長伝送線路共振器ＴＬ１の第１の端部に結合し、第２の結合コンデンサＣ２は第２のポート（ポート２）を第２の１／４波長伝送線路共振器ＴＬ２の第１の端部に結合する。第１のポート（ポート１）は第１のキュービットに結合され、第２のポート（ポート２）は第２のキュービットに結合される。第１の１／４波長伝送線路共振器ＴＬ１の第２の端部は、第１の終端インダクタＬ１を介してグランドに短絡され、第２の１／４波長伝送線路共振器ＴＬ２の第２の端部は、第２の終端インダクタＬ２を介してグランドに短絡される。終端インダクタＬ１とＬ２との間にさらにジョセフソン接合Ｊ１が接続されており、ジョセフソン接合Ｊ１は終端インダクタＬ１およびＬ２と共にＲＦ－ＳＱＵＩＤ３２を形成する。」 「Fig.1 ［図：0001405473000003.jpg］ 」 （当審訳） 「図１ ［図：0001405473000004.jpg］ 」 「Fig.2 ［図：0001405473000005.jpg］ 」 （当審訳）省略 以上、特に下線部に着目すると、引用文献２には、次の事項（以下、「引用文献２記載事項」という。）が記載されていると認められる。 「 可変インダクタンス結合要素は、２つの共振器の間に配置されて、調整可能なバス媒介カプラーを介して２つの独立したキュービットの遠隔結合を可能にし、 調整可能なバス媒介カプラー３０は、第１の１／４波長伝送線路共振器ＴＬ１と第２の１／４波長伝送線路共振器ＴＬ２とからなり、 第１の結合コンデンサＣ１は第１のポート（ポート１）を第１の１／４波長伝送線路共振器ＴＬ１の第１の端部に結合し、第２の結合コンデンサＣ２は第２のポート（ポート２）を第２の１／４波長伝送線路共振器ＴＬ２の第１の端部に結合し、 第１のポート（ポート１）は第１のキュービットに結合され、第２のポート（ポート２）は第２のキュービットに結合され、 第１の１／４波長伝送線路共振器ＴＬ１の第２の端部は、第１の終端インダクタＬ１を介してグランドに短絡され、第２の１／４波長伝送線路共振器ＴＬ２の第２の端部は、第２の終端インダクタＬ２を介してグランドに短絡され、 終端インダクタＬ１とＬ２との間にさらにジョセフソン接合Ｊ１が接続されており、ジョセフソン接合Ｊ１は終端インダクタＬ１およびＬ２と共にＲＦ－ＳＱＵＩＤ３２を形成すること。」 第５ 対比 本願発明と引用発明とを対比する。 １ 本願発明の「再構成可能な量子ルーティングの方法」において、「量子ルーティング」の何が「再構成可能な」ものであるのか必ずしも明確ではない。 しかしながら、本願明細書の【０００７】の記載「量子情報のルーティングの１つの課題は、量子オブジェクトの「信号パス」（すなわち、接続性）が、リアルタイムで再構成可能でなくてはならないことである。」によれば、「量子ルーティング」によってルーティングされる信号のパス（接続性）が「再構成可能」なものであるとの意味と理解することができる。 そして、引用発明は、「超伝導単極双投スイッチシステム１０により、第１の端子（ＴＭＡ）からの信号を第２の端子（ＴＭＢ）または第３の端子（ＴＭＣ）のうちの１つに転送する方法」であって、「超伝導単極双投スイッチシステム１０は、様々な超伝導回路システムのいずれかに実装して、２つの代替経路間で信号のスイッチ制御を提供することができ」るものであるところ、「信号」を、「第１の端子（ＴＭＡ）」から「第２の端子（ＴＭＢ）」へ転送する経路と、「第１の端子（ＴＭＡ）」から「第３の端子（ＴＭＣ）」へ転送する経路とのいずれか一方を選択して転送（ルーティング）するものであるから、ルーティングされる「信号」のパス（接続性）を「再構成可能」なものとする方法といえる。 また、引用発明の「方法」は、「第１のＲＦ－ＳＱＵＩＤ３２」及び「第２のＲＦ－ＳＱＵＩＤ３４」を含む「単極双投スイッチ回路３０」（「超伝導単極双投スイッチシステム１０」と同一視できる。）により実現され、「ＲＦ－ＳＱＵＩＤ」は、高周波の超伝導量子干渉素子であることは本願優先日前における技術常識であるところ、引用発明は、「量子ルーティング」の方法といい得るものである。（なお、本願明細書の【００２６】の記載「これにより、再構成可能な量子ルーティング（「バー」状態または「クロス」状態のいずれか）が量子オブジェクト間で実現される。」との記載によれば、本願発明の「量子ルーティング」は、「量子オブジェクト」間の「ルーティング」に限定して解釈されない。） したがって、引用発明の「方法」は、後述する相違点を除いて、本願発明の「再構成可能な量子ルーティングの方法」に相当する。 ２ 引用発明における「第１のＲＦ－ＳＱＵＩＤ３２」及び「第２のＲＦＳＱＵＩＤ３４」は、本願発明の「少なくとも２つのＲＦ－ＳＱＵＩＤ」に含まれる。 また、引用発明における「可変インダクタンス結合器」としての「ジョセフソン接合」（「ジョセフソン接合Ｊ１」及び「ジョセフソン接合Ｊ２」）は、本願発明の「可変インダクタンス結合要素」に相当する。 また、引用発明における「共通インダクタＬＣＯＭ」は、本願発明の「少なくとも１つの共通インダクタ」に相当し、引用発明における「第１のインダクタＬ１」及び「第２のインダクタＬ２」は、本願発明の「他のインダクタ」に相当する。 また、引用発明の「共通インダクタ（ＬＣＯＭ）に誘導的に結合されるコモンモードバイアスインダクタ（ＬＢＣ）を含むコモンモード磁束バイアスライン（ＣＭＬ）」は、「共通インダクタ（ＬＣＯＭ）」を介して「第１のＲＦ－ＳＱＵＩＤ３２」及び「第２のＲＦ－ＳＱＵＩＤ３４」と誘導結合され、「共通ノード３６」を介して「第１のＲＦ－ＳＱＵＩＤ３２」の「ジョセフソン接合Ｊ１」と「第２のＲＦ－ＳＱＵＩＤ３４」の「ジョセフソン接合Ｊ２」との間で分割される電流を誘導するものといえるから、本願発明の「ＲＦ－ＳＱＵＩＤのそれぞれの可変インダクタンス結合要素間で分割される電流を誘導するために少なくとも１つの共通インダクタを介して２つのＲＦ－ＳＱＵＩＤに誘導結合された第１の磁束ライン」に相当する。 また、引用発明の「第１のインダクタＬ１に誘導的に結合された第１の差動モードバイアスインダクタ（ＬＢＤ１）と第２のインダクタＬ２に誘導的に結合された第２の差動モードバイアスインダクタ（ＬＢＤ２）とを含む差動モード磁束バイアスライン（ＤＭＬ）」は、「第１のインダクタＬ１」及び「第２のインダクタＬ２」を介して「第１のＲＦ－ＳＱＵＩＤ３２」及び「第２のＲＦ－ＳＱＵＩＤ３４」と誘導結合されているといえるから、本願発明の「他のインダクタを介して前記少なくとも２つのＲＦ－ＳＱＵＩＤまたは別の２つのＲＦ－ＳＱＵＩＤに誘導結合された第２の磁束ライン」とは、「他のインダクタを介して前記少なくとも２つのＲＦ－ＳＱＵＩＤに誘導結合された第２の磁束ライン」の限りにおいて一致する。 そして、引用発明は、「スイッチコントローラは、差動モード磁束バイアスライン（ＤＭＬ）およびコモンモード磁束バイアスライン（ＣＭＬ）に印加される電流の大きさおよび方向を制御して、各ＲＦ－ＳＱＵＩＤに印加される磁束の量および極性、したがって、第１のジョセフソン接合Ｊ１および第２のジョセフソン接合Ｊ２のインダクタンスを制御することができ」るように、かつ、「差動モード磁束バイアスライン（ＤＭＬ）またはコモンモード磁束バイアスライン（ＣＭＬ）のうちの一方に流れる電流の極性は、第１および第２のＲＦ ＳＱＵＩＤ３２および３４の正味の磁束および正味の電流をそれぞれ変更するように変化させることができ」るように構成されているため、「スイッチコントローラ」は、「差動モード磁束バイアスライン（ＤＭＬ）」と「コモンモード磁束バイアスライン（ＣＭＬ）」のうちの一方には、流れる電流の極性を変更しない“静的”な制御信号を提供し、「スイッチコントローラ」は、「差動モード磁束バイアスライン（ＤＭＬ）」と「コモンモード磁束バイアスライン（ＣＭＬ）」のうちの他方には、流れる電流の極性を変更する“動的”な制御信号を提供するものといえる。 以上より、引用発明は、本願発明の「ＲＦ－ＳＱＵＩＤのそれぞれの可変インダクタンス結合要素間で分割される電流を誘導するために少なくとも１つの共通インダクタを介して少なくとも２つのＲＦ－ＳＱＵＩＤに誘導結合された第１の磁束ライン、または他のインダクタを介して前記少なくとも２つのＲＦ－ＳＱＵＩＤまたは別の２つのＲＦ－ＳＱＵＩＤに誘導結合された第２の磁束ラインのうちの一方に静的制御信号を提供すること」に相当する構成を備えているといえる。 ３ 前記２の検討より、引用発明は、本願発明の「前記第１の磁束ラインまたは前記第２の磁束ラインのうちの他方に動的制御信号を提供し」ているといえる。 そして、引用発明において、「コモンモード磁束ライン（ＣＭＬ）」により「共通インダクタ（ＬＣＯＭ）」を介して「第１のＲＦ－ＳＱＵＩＤ３２」及び「第２のＲＦ－ＳＱＵＩＤ３４」に誘導される電流「ＩＣＩＮＤ」（「＋ＩＣＩＮＤ」又は「－ＩＣＩＮＤ」）は、本願発明の「共通磁束電流」に相当し、「差動モード磁束バイアスライン（ＤＭＬ）」により「第１のインダクタＬ１」及び「第２のインダクタＬ２」を介して「第１のＲＦ－ＳＱＵＩＤ３２」及び「第２のＲＦ－ＳＱＵＩＤ３４」に誘導される電流「ＩＤＩＮＤ」（「＋ＩＤＩＮＤ」）は、本願発明の「動的磁束電流」に相当する。 そして、引用発明においては、「第１のＲＦ－ＳＱＵＩＤ３２」及び「第２のＲＦ－ＳＱＵＩＤ３４」のそれぞれに誘導される電流「ＩＣＩＮＤ」と「ＩＤＩＮＤ」との差に基づいて、「第１のＲＦ－ＳＱＵＩＤ３２」の「ジョセフソン接合Ｊ１」と「第２のＲＦ－ＳＱＵＩＤ３４」の「ジョセフソン接合Ｊ２」の一方（例えば、「ジョセフソン接合Ｊ１」）のインダクタンスが低くなり、他方（例えば「ジョセフソン接合Ｊ２」）のインダクタンスが高くなるように制御されている。 ここで、インタクタンスが低い状態は、「低インダクタンス状態」といえ、インダクタンスが高い状態は「高インダクタンス状態」といえ、また、そのような状態に制御することを“置く”と称することは任意である。 よって、引用発明は、本願発明の「前記第１の磁束ラインまたは前記第２の磁束ラインのうちの他方に動的制御信号を提供して、誘導された共通磁束電流と誘導された動的磁束電流との差が、前記可変インダクタンス結合要素のうちの少なくとも１つを、高インダクタンス状態または低インダクタンス状態のうちの一方に置き、前記可変インダクタンス結合要素のうちの少なくとも他方を前記高インダクタンス状態または前記低インダクタンス状態のうちの他方に置くようにすること」に相当する構成を備えているといえる。 ４ 引用発明は、「超伝導単極双投スイッチシステム１０により、第１の端子（ＴＭＡ）からの信号を第２の端子（ＴＭＢ）または第３の端子（ＴＭＣ）のうちの１つに転送する方法」であるところ、「第１の端子（ＴＭＡ）」、「第２の端子（ＴＭＢ）」及び「第３の端子（ＴＭＣ）」には、「信号」を送受信する何らかの「オブジェクト」が接続されていることは明らかであり、「第１の端子（ＴＭＡ）」、「第２の端子（ＴＭＢ）」及び「第３の端子（ＴＭＣ）」の各々に接続されている「オブジェクト」を、「第１オブジェクト」、「第２オブジェクト」及び「第３オブジェクト」と称することは任意である。 そして、前記２で検討したことからすると、引用発明においては、流れる電流の極性を変更する“動的”な制御信号を提供することにより、「第１オブジェクト」からの「信号」を、「第２オブジェクト」又は「第３オブジェクト」の一方に転送して、「第１オブジェクト」を「第２オブジェクト」又は「第３オブジェクト」のうちの１つだけに“結合”しているといえる。 よって、引用発明と本願発明の「少なくとも第１の量子オブジェクトを、前記動的制御信号の方向に基づいて、第２の量子オブジェクトまたは第３の量子オブジェクトのうちの１つだけに結合するように前記動的制御信号の方向を作動させること」とは、「少なくとも第１のオブジェクトを、前記動的制御信号の方向に基づいて、第２のオブジェクトまたは第３のオブジェクトのうちの１つだけに結合するように前記動的制御信号の方向を作動させること」との共通の構成を備えているといえる。 第６ 一致点、相違点 以上から、本願発明と引用発明とは、以下の点において一致ないし相違する。 １ 一致点 「 再構成可能な量子ルーティングの方法であって、 ＲＦ－ＳＱＵＩＤのそれぞれの可変インダクタンス結合要素間で分割される電流を誘導するために少なくとも１つの共通インダクタを介して少なくとも２つのＲＦ－ＳＱＵＩＤに誘導結合された第１の磁束ライン、または他のインダクタを介して前記少なくとも２つのＲＦ－ＳＱＵＩＤまたは別の２つのＲＦ－ＳＱＵＩＤに誘導結合された第２の磁束ラインのうちの一方に静的制御信号を提供すること、 前記第１の磁束ラインまたは前記第２の磁束ラインのうちの他方に動的制御信号を提供して、誘導された共通磁束電流と誘導された動的磁束電流との差が、前記可変インダクタンス結合要素のうちの少なくとも１つを、高インダクタンス状態または低インダクタンス状態のうちの一方に置き、前記可変インダクタンス結合要素のうちの少なくとも他方を前記高インダクタンス状態または前記低インダクタンス状態のうちの他方に置くようにすること、 少なくとも第１のオブジェクトを、前記動的制御信号の方向に基づいて、第２のオブジェクトまたは第３のオブジェクトのうちの１つだけに結合するように前記動的制御信号の方向を作動させること を含む方法。」 ２ 相違点 共通点である「オブジェクト」が、本願発明においては「量子オブジェクト」であるのに対し、引用発明においては、「量子オブジェクト」であるとの具体的な特定がなされていない点。 第７ 判断 １ 相違点についての判断 上記相違点について、判断する。 本願明細書の【０００４】には、「動的制御信号の方向は、少なくとも第１の量子オブジェクト（例えば、キュービット）を、動的制御信号の方向に基づいて、少なくとも２つの他の量子オブジェクトのうちの１つだけに結合するように作動させられる。」と記載されているように、本願発明の「量子オブジェクト」は、「キュービット」である場合を含む。 そして、引用文献１の【００１０】の記載「超伝導単極双投スイッチシステム１０は、様々な超伝導回路システムのいずれかに実装して、２つの代替経路間で信号のスイッチ制御を提供することができる。一例として、信号は、キュービット（ｑｕｂｉｔ）に対してゲート動作または読み出し動作を実行するなど、量子回路用の制御方式で実施されるマイクロ波信号であってもよい。」及び、同【００２３】の記載「可能な用途の一例では、単極双投スイッチをＲＱＬ磁束ポンプと一体化して、スイッチを２つの出力設定の間で切替える差動モード磁束を提供することができる。磁束ポンプおよびスイッチアセンブリは、さらに、超伝導キュービット回路と一体化することができる。このようなシステムは、例えば第３のキュービットの測定結果に基づいて調整された２つのキュービットのうちの１つに選択的にマイクロ波パルスを供給し、条件付き量子ゲートを実現することができる。別の可能な応用例では、スイッチは、ＲＱＬプロセッサの制御下で、一連のキュービットの異なるグループにマイクロ波読み出しパルスを印加するように構成することができる。」と記載されているように、引用文献１には、引用発明に係る「超伝導単極双投スイッチシステム１０」を、「キュービット」を対象として使用する応用例が十分に示唆されているといえる。 加えて、引用文献２記載事項にあるように、ＲＦ－ＳＱＵＩＤを含むカプラ（スイッチ）に、「キュービット」を接続することにより「キュービット」間の結合を制御することは、本願優先日前における公知技術である。 よって、引用発明において、「第１の端子（ＴＭＡ）」、「第２の端子（ＴＭＢ）」及び「第３の端子（ＴＭＣ）」に「キュービット」である「量子オブジェクト」を各端子に接続する構成を採用し、「量子オブジェクト」間の結合を制御するものとすることは、引用文献１に記載の示唆と、引用文献２記載事項を参酌することにより、当業者が容易に想到し得たことである。 ２ 作用効果について 上記相違点を総合的に勘案しても、本願発明の奏する作用効果は、引用発明及び引用文献２記載事項の奏する作用効果から予測される範囲内のものにすぎず、格別顕著なものということはできない。 ３ 請求人の主張について 請求人は、令和５年６月２８日に提出した意見書において、以下の主張をしている。 「 引用文献１の背景技術の欄（段落［０００２］）には、「従来のマイクロ波の機械的、電気機械的および電子的スイッチは、互換性のない製造プロセスおよび高い電力損失のために、超伝導電子回路のオンチップ集積化および超伝導電子回路の低温動作に適合しないことがある」と記載されている。この記載および他の箇所の記載から、引用文献１に記載の発明の課題は、従来のマイクロ波の機械的、電気機械的および電子的スイッチの代わりに、超伝導電子回路のオンチップ集積化および超伝導電子回路の低温動作に適合する超伝導単極双投スイッチを提供することであることが理解できるものと思料する。「従来のマイクロ波の機械的、電気機械的および電子的スイッチ」の代わりとして提供されるスイッチに、量子オブジェクトを接続することは当業者には通常想定されないことであるので、引用文献１に記載の発明から出発して、本願発明の上記相違点に対応する特徴点に到達できる試みをしたであろうという推測は成り立たないものと思料する。 拒絶理由通知書において、引用文献１の段落［００１０］および［００２３］には、「超伝導単極双投スイッチシステム１０」を「キュービット」を対象として使用する応用例が示唆されているから、「２つの独立したキュービットの遠隔結合を可能」にする引用文献２記載事項を参酌することにより、引用発明に係る「超伝導単極双投スイッチシステム１０」の各端子に共振器を介して「量子オブジェクト」を接続するよう構成することは当業者が容易に想到し得たことであるとの指摘を受けている。しかしながら、引用文献１の段落［００１０］および［００２３］の記載は、段落［０００２］の記載も併せて考えれば、単に、引用文献１に記載の超伝導単極双投スイッチの超伝導電子回路とのオンチップ集積化の具体例を挙げているに過ぎないことが理解できるものと思料する。 例えば、引用文献１の段落［００２３］には、「可能な用途の一例では、単極双投スイッチをＲＱＬ磁束ポンプと一体化して、スイッチを２つの出力設定の間で切替える差動モード磁束を提供することができる。磁束ポンプおよびスイッチアセンブリは、さらに、超伝導キュービット回路と一体化することができる」と記載されているが、そのような一体化（集積化）における技術的課題の存在は一切示唆されていない。したがって、当業者は引用文献１に記載の発明に、引用文献２に記載の技術を適用する必要性をそもそも認識しないものと思料する。このように、引用文献１の発明に引用文献２に記載の発明の適用を試みる動機付けは存在しないものと思料する。 本願発明が、当業者にとって容易に想到し得るものであると判断されるためには、本願発明の特徴的な構成に到達できる試みをしたであろうという推測が成り立つのみでは十分ではなく、本願発明の特徴的な構成に到達するためにしたはずであるという示唆等が存在することが必要である（参考：知財高裁平成２０年（行ケ）第１００９６号判決）。上述したように、引用文献１に記載の発明から出発して、本願発明の特徴的な構成に到達できる試みをしたであろうという推測は成り立たず、また、引用文献１には、本願発明の特徴的な構成に到達するための試みをしたはずであるという示唆等は存在しない。したがって、本願の独立請求項１および１０に係る発明は、引用文献１および２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではないと思料する。」 上記主張は、概略、引用発明（引用文献１）において「超伝導単極双投スイッチシステム１０」に結合されるオブジェクトを「量子オブジェクト」とする十分な動機付けがない、との趣旨と認められる。 まず、請求人が主張するように、引用文献１の【０００２】の記載によれば、引用発明は、従来のマイクロ波の機械的、電気機械的および電子的スイッチの代わりに、超伝導電子回路のオンチップ集積化および超伝導電子回路の低温動作に適合する超伝導単極双投スイッチを提供することを目的とするものであるから、一緒に集積化される他の超伝導電子回路と共に使用されることが企図されているといえる。よって、仮に従来技術におけるスイッチが「量子オブジェクト」と結合するものではなかったとしても、引用発明の「超伝導単極双投スイッチングシステム１０」は、従来技術とは使用目的又は使用形態が異なり、かつ、その原理も「超伝導」に基づくものに変更されるため、従来技術におけるスイッチと結合されるオブジェクトが同じである必然性はない。 また、引用文献１の【００２３】には、請求人が摘記した記載の直後に、「このようなシステムは、例えば第３のキュービットの測定結果に基づいて調整された２つのキュービットのうちの１つに選択的にマイクロ波パルスを供給し、条件付き量子ゲートを実現することができる。」と記載されているところ、当該【００２３】には、「単極双投スイッチ」を「ＲＱＬ磁束ポンプ」と一体化（集積）することのみではなく、そのことにより、２つの「キュービット」のうちの１つの信号を選択的に通過させる「量子ゲート」を実現することも記載されている。 また、引用文献１の【００１０】には、「超伝導単極双投スイッチシステム１０は、様々な超伝導回路システムのいずれかに実装して、２つの代替経路間で信号のスイッチ制御を提供することができる。一例として、信号は、キュービット（ｑｕｂｉｔ）に対してゲート動作または読み出し動作を実行するなど、量子回路用の制御方式で実施されるマイクロ波信号であってもよい。」と記載されている。 これらの記載によると、引用文献１には、「超伝導単極双投スイッチシステム１０」が「キュービット」に対して「ゲート動作」を実行することにより「量子ゲート」を実現することが記載されているといえる。 よって、引用文献１には、当業者が、引用文献１に記載の「超伝導単極双投スイッチシステム１０」が「キュービット」すなわち「量子オブジェクト」を制御対象とするための試みをしたはずであるといえるだけの示唆が十分に存在するといえる。 加えて、引用文献２に記載されているように、ＲＦ－ＳＱＵＩＤを含むカプラ（スイッチ）に、「キュービット」を接続することにより「キュービット」間の結合を制御することは、本願優先日前における公知技術である。 よって、引用文献１の示唆及び引用文献２記載事項を参酌すれば、当業者が、引用発明（引用文献１）において「超伝導単極双投スイッチシステム１０」に接続されるオブジェクトを「量子オブジェクト」とする十分な動機付けがあるといえる。 したがって、請求人の主張は採用しない。 第８ むすび 以上のとおり、本願の請求項１０に係る発明（本願発明）は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった引用文献１及び引用文献２に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 したがって、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。 よって、結論のとおり審決する。