2022-009760

特願２０２０－１８０３５６号「間接的表面清浄化装置および方法」拒絶査定不服審判事件〔令和３年１月２８日出願公開、特開２０２１－９４１８号〕について、次のとおり審決する。

結 論 本件審判の請求は、成り立たない。

理 由 第１ 手続の経緯 本願は、２０１６年（平成２８年）３月３日（パリ条約による優先権主張 外国庁受理 ２０１５年（平成２７年）３月１２日 米国）を国際出願日とする特願２０１７－５４８０９８号の一部を令和２年１０月２８日に新たな特許出願としたものであって、その手続の経緯は以下のとおりである。 令和２年１１月２７日 ：手続補正書の提出 令和３年 ８月２３日付け：拒絶理由通知書 令和４年 １月２８日 ：意見書の提出 令和４年 ２月１７日付け：拒絶査定 令和４年 ６月２４日 ：審判請求書、手続補正書の提出 令和４年 ９月３０日 ：手続補正書（審判請求書）の提出 令和５年 １月１８日 ：上申書の提出 第２ 令和４年６月２４日にされた手続補正についての補正の却下の決定 ［補正の却下の決定の結論］ 令和４年６月２４日にされた手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。 ［理由］ １ 本件補正の内容 本件補正は、本件補正前の請求項８における 「少なくとも１つのフォトマスクの光学特性を向上させる方法を含むウェーハ製造方法であって、 電磁放射線を前記少なくとも１つのフォトマスクの方へ方向付けるステップを含み、前記電磁放射線は、前記少なくとも１つのフォトマスクの高吸収係数と実質的に一致した波長を有し、 前記少なくとも１つのフォトマスク上への前記電磁放射線に応答して、前記少なくとも１つのフォトマスク中の熱エネルギー増加を発生させるステップと、 前記少なくとも１つのフォトマスク上の第２の特徴部に対する前記少なくとも１つのフォトマスク上の第１の特徴部の位置を変更するステップと、 前記少なくとも１つのフォトマスク上の前記第２の特徴部に対する前記少なくとも１つのフォトマスク上の前記第１の特徴部の位置の変更により、前記少なくとも１つのフォトマスクの前記光学特性が改善された後で、前記少なくとも１つのフォトマスクを使用してウェーハ印刷プロセスを実行するステップと、を含む、方法。」の記載を、 本件補正後の請求項８における 「少なくとも１つのフォトマスクの光学特性を向上させる方法を含むウェーハ製造方法であって、 ９μｍよりも長く、１１．５μｍ以下の波長の電磁放射線を前記少なくとも１つのフォトマスクの方へ方向付けるステップを含み、前記電磁放射線は、前記少なくとも１つのフォトマスクの高吸収係数と実質的に一致した波長を有し、 前記少なくとも１つのフォトマスク上への前記電磁放射線に応答して、前記少なくとも１つのフォトマスクをアニールし、前記少なくとも１つのフォトマスク中の材質変化の量を制御するように前記少なくとも１つのフォトマスク中の熱エネルギー増加を発生させるステップと、 前記少なくとも１つのフォトマスク中の制御された前記材質変化の量により、前記少なくとも１つのフォトマスク上の第２の特徴部に対する前記少なくとも１つのフォトマスク上の第１の特徴部の位置を変更するステップと、 前記少なくとも１つのフォトマスク上の前記第２の特徴部に対する前記少なくとも１つのフォトマスク上の前記第１の特徴部の位置の変更により、前記少なくとも１つのフォトマスクの前記光学特性が改善された後で、前記少なくとも１つのフォトマスクを使用してウェーハ印刷プロセスを実行するステップと、を含む、方法。」の記載に補正する事項を含むものである（下線は補正箇所を示すものであって、当審が付した。）。 ２ 本件補正の新規事項の追加の有無 上記１によれば、本件補正は、本件補正前の請求項８における、「前記フォトマスクの方へ方向付け」られるとともに「前記少なくとも１つのフォトマスクの高吸収係数と実質的に一致した波長を有し」ている「前記電磁放射線」の波長について、この波長が「９μｍよりも長く、１１．５μｍ以下の波長」であることを特定するという技術的事項（以下「本件補正事項」という。）を含むところ、以下のとおり、本件補正事項に係る補正は、本願の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面（以下「本願当初明細書等」という。）に記載した事項の範囲内においてしたものとはいえない。 （１）本願当初明細書等に記載された技術的事項 ア 本願当初明細書等には、本件補正事項について以下の記載がある。なお、本願の明細書及び図面の記載は、【０１１５】を除き、本願当初明細書等の記載から変更されていない。 「【請求項１】 フォトマスクの性能特性を向上させる方法であって、前記フォトマスク上には少なくとも１つの特徴部が設けられ、前記少なくとも１つの特徴部は、関連した設計上の存在場所を有し、前記少なくとも１つの特徴部の存在場所と前記関連の設計上の存在場所との間の距離が前記少なくとも１つの特徴部の位置の誤差を生み出し、前記方法は、 電磁放射線を前記フォトマスクの方へ方向付けるステップを含み、前記電磁放射線は、前記フォトマスクの高吸収係数と実質的に一致した波長を有し、 前記フォトマスク上への前記電磁放射線の入射による前記フォトマスク中の熱エネルギー増加を発生させるステップを含み、 前記フォトマスク中の前記熱エネルギーの増加の前記発生の結果として前記位置誤差を減少させるステップを含む、方法。」 「【請求項４】 前記レーザ波長は、８マイクロメートルを超える、請求項１記載の方法。 【請求項５】 前記フォトマスクは、石英フォトマスクであり、前記電磁放射線波長は、約９マイクロメートルである、請求項１記載の方法。」 「【請求項１１】 フォトマスクの光学特性を向上させる方法であって、 電磁放射線を前記フォトマスクの方へ方向付けるステップを含み、前記フォトマスク上には部分吸収性薄膜が設けられ、前記電磁放射線は、前記フォトマスクの高吸収係数と実質的に一致した波長を有し、 前記フォトマスク上に入射した前記電磁放射線に応答して前記フォトマスク中に熱エネルギーの増加を発生させるステップを含み、 前記フォトマスク上の第２の特徴部に対する前記フォトマスク上の第１の特徴部の位置を変更するステップを含む、方法。」 「【請求項１６】 フォトマスクの光学特性を向上させる方法であって、 電磁放射線を前記フォトマスク上に設けられた部分吸収性薄膜の方へ方向付けるステップを含み、前記電磁放射線は、前記薄膜の高吸収係数と実質的に一致した波長を有し、 前記薄膜上に入射した前記電磁放射線に応答して前記薄膜中の熱エネルギー増加を発生させるステップを含み、 前記フォトマスク上の第２の特徴部に対する前記フォトマスク上の第１の特徴部の位置を変更するステップを含む、方法。」 「【００１１】 少なくとも上述の説明を考慮する際、フォトマスク製造プロセス前、フォトマスク製造プロセス中、フォトマスク製造プロセス後の処理によってフォトマスクのオーバーレイを向上させることができるプロセスを開発することが有利である。 【００１２】 加うるに、製造中における使用によって生じる変化を回復させるためにフォトマスクのオーバーレイを向上させることができるプロセスを開発することが有利である。 【００１３】 加うるに、利用性、性能、ライフタイム（寿命）または他の使用の観点を高めるフォトマスクのオーバーレイを変更する新規な方法および／または装置を開発することが有利である。 【００１４】 加うるに、表面損傷の恐れを減少させた状態で利用性、性能、ライフタイムまたは他の使用の観点を高めるフォトマスクのオーバーレイを改良する新規なレーザを利用した方法および／または装置を開発することが有利である。 【００１５】 加うるに、フォトマスクのオーバーレイを改良する方法および／または装置をフォトマスク作製、ウェーハ作製、および／または補修プロセスに組み込むことが有利である。 【００１６】 加うるに、フォトマスク表面上の部分的吸収膜の局所的または全域的熱的改良によってフォトマスクのオーバーレイを改善する方法および／または装置を開発することが有利である。 【００１７】 加うるに、熱を利用した表面汚染の除去を生じさせるとともに、表面損傷の恐れを減少させた状態で利用性、性能、ライフタイム、または他の使用の観点を高めもするオーバーレイを改良するためにフォトマスクの熱的改良を行う新規なレーザを利用した方法および／または装置を開発することが有利である。」 「【００３０】 本発明の諸観点は、フォトマスク上の特徴部の位置を変更する装置および方法を提供する。図１Ａは、部分吸収性材料または物質の外部から生じさせる熱励起の略図である。図１Ａに示されているように、励起装置１００は、エネルギービーム２を部分的または完全に透過させる基板４の表面上に設けられた吸収性薄膜３上に方向付けるよう構成されるとともに配置された外部エネルギー源１を有する。本発明の一観点による励起方法は、外部エネルギー源１によって発生したエネルギービーム２による基板上の吸収性薄膜３の直接的励起を含むのが良い。基板４は、フォトマスクであるのが良くまたはフォトマスク組立体の一部分を構成するのが良く、「基板」という用語と「フォトマスク」という用語は、別段の指定がなければ、本明細書全体を通じて区別なく使用できる。」 「【００３３】 エネルギービーム２と吸収性薄膜３または基板４の相互作用により、吸収性薄膜３、基板４、またはこれらの組み合わせの熱励起を生じさせることができる。本発明の一観点によれば、エネルギービーム２と吸収性薄膜３の相互作用の結果として、吸収性薄膜３の材料の熱エネルギーの増加が生じ、それにより吸収性薄膜３の材料の温度の上昇を引き起こすことができる。・・・（後略）・・・」 「【００３６】 本発明の一観点によれば、材料の１つまたは２つ以上の特性を変更して材料特性を変えるとともに／あるいは標的材料を利用したデバイスの性能またはライフタイム（寿命）に影響を及ぼす方法が提供される。非限定的な実施例では、基板上の特徴部の位置を変更する方法が提供される。フォトマスク４上の吸収性薄膜３の場合、この方法は、製造中の使用、清浄化（クリーニング）プロセス、またはフォトマスクに加えられた外力（例えば、フォトマスク４へのペリクルの取り付け）によってずらされた吸収性薄膜３中の特徴部の位置を動かすことによってフォトマスク４の使用可能なライフタイムを延ばすことができる。・・・（後略）・・・」 「【００３８】 吸収性薄膜３および基板４は、多くの種々の材料から作製できまたは多くの種々の材料を含むことができる。・・・（後略）・・・」 「【００４１】 本発明の諸観点によれば、本方法は、吸収性薄膜３の強い吸収度と実質的に一致したレーザ波長を選択するステップと、吸収性薄膜３の所望の改造を生じさせるようレーザエネルギーおよびパルス幅を設定するステップとを含む。幾つかの場合において、基板４の吸収度の増大により、低いレーザエネルギーをプロセスのために用いることができ、したがって、レーザビーム２が基板４の表面に入射しまたはこれから反射されているときにレーザビーム２と相互作用する場合のある隣接の材料に対する損傷の恐れを減少させることができる。 【００４２】 本発明の他の諸観点によれば、基板４によって高度に吸収されるエネルギービーム２の波長を選択し、このことは、基板の大部分が除去された薄膜吸収体を有する場合に有益であると言える。さらにまた、基板４の強吸収帯の近くのエネルギービーム２の波長を選択することにより、薄膜吸収体３と基板４との熱的差または温度差を減少させることができ、それにより吸収性薄膜３と基板４との熱膨張率の差を減少させることができる。多数のレーザビーム波長および／またはレーザビームエネルギーが多数の薄膜吸収体または２種類以上の材料から成る基板が用いられる場合に使用されるのが良い。例えば多数のレーザ源もしくは単一のチューナブルレーザ源またはこれら両方を利用することによって多数の波長を生じさせることができる。各レーザ源の内部または外部に位置する制御部および／またはデバイスを用いて各レーザ源の出力エネルギーの制御を行うことによって多数のエネルギーを用いることができる。」 「【００５０】 レーザビームパラメータの制御は、フォトマスクのオーバーレイ調節に関連した観点において特に望ましい場合がある。例えば、波長選択が典型的なフォトマスクの物理的構造の故に非常に望ましい。幾つかの場合、フォトマスク組立体１０２は、石英基板４を有し、この基板４の臨界表面上には薄膜吸収体３または部分吸収性膜３が施されている（図１Ａおよび図１Ｂ参照）。吸収性薄膜３が金属膜の場合、代表的には、生じさせることができるレーザ波長の大部分について相当大きな吸収係数が存在するであろう。しかしながら、部分吸収性膜の場合、これらの膜が純粋な金属のフィルムとは異なり、それほど吸収しない波長領域が存在する場合がある。しかしながら、石英基板４の場合、基板が相当大きな吸収率を有するとともにレーザ源が一般的に利用できる制限された波長範囲が存在する場合がある。・・・（後略）・・・」 「【００６４】 加うるに、生じる材料変化が比較的一定である場合、基板表面上の多数の離隔された領域（図９Ａ）を処理することによって平均材質変化を制御することができる。この場合、処理領域１３相互間の間隔および／または未処理領域に対する処理領域の密度を用いると、材質変化プロセスの相対量を制御することができる。 【００６５】 代表的な方法の特定の実施例は、レーザ励起を用いたフォトマスク基板４上の吸収性薄膜３の１つまたは２つ以上の特性の変化をさせて吸収性薄膜３の特徴部をずらすことである。例えば、吸収性薄膜３がモリブデンシリコンオキシニトライド（ＭｏｗＳｉｘＯｙＮｚ）膜であるフォトマスク４では（なお、モリブデンシリコンオキシニトライドでは、ＭｏＳｉと略称される場合がある）、オーバーレイ中のずれは、ＭｏＳｉ膜中の熱的材料特性の変化に起因している場合がある。材質変化としては、薄膜吸収体３材料の酸化、アニーリング、脱水、または高密度化が挙げられるが、これらには限定されない。フォトマスクの熱的損傷レベルを検討すると、最も低い熱的損傷点は、代表的には、ベース石英基板に関する融解／リフロー点、すなわち、約華氏２９１２度（１６００℃）であろう。ＭｏＳｉ膜の正確な材料特性に応じて、材質変化（例えば、アニーリング）は、石英基板４のリフロー点よりもかなり低い温度で生じる場合がある。したがって、材質変化のための温度がフォトマスク基板材料の損傷レベルを下回った状態で起こる場合のある潜在的なプロセスが存在する。 【００６６】 上述したように、基板材料の相対吸収率は、材料吸収特性の潜在的な差のために一般的に考慮される。ＭｏＳｉ膜によって高度に吸収される波長を選択することが望ましい場合がある。図２は、ＭｏＳｉ部分吸収性フォトマスク膜に関する吸収率曲線の略図である。この実施例では、主要な吸収は、０．３μｍ波長未満か９μｍ波長超かのいずれかで起こる。これより短い波長は、特に望ましい波長範囲にはなく、その理由は、これら波長が空気によって通常相当に吸収されるからであり、しかもこれら波長が高い光子エネルギーを有し、したがって多光子プロセスを生じさせる可能性が多分にあるからである。 【００６７】 １μｍから１０００μｍまでの赤外範囲内の波長を選択することは、ＤＵＶについて好ましい場合があり、というのは、長い波長が多光子プロセスおよびエンバイロンメンタル吸収の潜在的可能性を減少させるからである。ＭｏＳｉ膜の場合、９μｍ超、例えば１１．５μｍ吸収ピーク近傍の波長を選択することが本発明の諸観点に従って特に望ましく、それにより、代表的には、高いエンバイロンメンタル吸収なしでＭｏＳｉ膜中に高い吸収率が生じる。本発明の一観点によれば、「１１．５μｍ吸収ピーク近傍」という表現は、１０．５μｍから１２．５μｍまでの範囲にある波長を意味し、ただし、赤外範囲内にある他の波長は、許容可能である場合がある。この範囲内の波長を選択することにより、材質変化を生じさせるのに必要なエネルギーを低くすることによって本発明の使用中、システムへの全熱エネルギーまたは熱入力を最小限に抑えることができる。 【００６８】 また、上述したように、石英基板の吸収率の検討もまた行われるのが良い。フォトマスクに用いられる石英基板は、深赤外（ＤＵＶ）波長範囲において高い透過率を有するよう特別に設計されるのが良い（図３参照）。これは、代表的には、極めて低いレベルの不純物を含む合成融解石英（シリカ）基板を用いることによって達成される。本発明の諸観点によれば、ＭｏＳｉに相当大きな吸収率を有するとともに石英基板中に低い吸収率を有することが有利である場合がある。図３に示されているように、例示の石英基板に関する吸収率は、ＭｏＳｉフィルム吸収率ピークの近傍に１１．５μｍの相当大きな吸収率を備えてはいない。したがって、１１．５μｍ近傍の波長で処理すると、ＭｏＳｉ中の熱エネルギー蓄積が石英よりも優先的に生じ、それにより、薄膜吸収体３なしで基板の諸領域中の熱蓄積を最小限に抑えることによって本発明の使用中、システムへの全熱入力を最小限に抑えることができる。 【００６９】 変形例として、フォトマスク４の石英基板によって高度に吸収される波長を選択してフォトマスク４の表面の全ての領域が所望の処理温度に達するようにすることが有利な場合がある。石英と薄膜吸収体層の熱的性質を比較検討すると、これら物質相互間の熱伝達が石英から吸収体層に優先的に生じることが予測できる。これが起こる場合がある理由は、石英が比較的低い熱拡散率を有するとともに薄膜吸収体膜が代表的には、金属成分を含み、したがって高い熱拡散率を有するからである。この実施形態は、薄膜吸収体とフォトマスク基板との温度差が重要である場合に有利なことがある。例えば、吸収性薄膜３と基板４との熱膨張率の差により、これら材料の一方または両方の損傷が生じる場合のあることが考えられる。また、様々な物質膨張率を有することにより薄膜吸収体３と基板４との結合が弱体化する場合があり、しかも分離または離層が生じる場合がある。薄膜吸収体と基板との熱平衡状態が有益である場合、長いパルス幅の使用もまた、プロセス温度に達しているときの材料相互間の熱伝達（例えば、熱伝導）に十分な時間を達成する上で有利であると言える。 【００７０】 石英がプロセス波長で相当大きな吸収率を有するプロセス波長で動作することが有利である場合がある理由は、熱エネルギーフローまたは熱伝達が吸収性薄膜３に対して優先的であり、しかも暴露領域全体が所望のプロセス温度に達することができるからである。これら基板に関する主要な吸収率は、一般に、０．２μｍ未満の波長か８μｍを超える波長かのいずれかで起こる。短い波長は、特に望ましくない場合があり、というのは、かかる波長は、空気によって相当大きく吸収される場合があるからであり、しかもこれら波長が高い光子エネルギーを有し、したがって多光子プロセスを生じさせる可能性が多分にあるからである。上述したように、約１μｍから約１０００μｍまでの赤外線領域に含まれる波長は、ＤＵＶと比較して好ましい場合があり、その理由は、長い波長が多光子プロセスおよびエンバイロンメンタル吸収の潜在的可能性を減少させるからである。 【００７１】 ８μｍを超える波長、例えば９μｍ石英吸収率近傍の波長を選択することは、本発明の諸観点によれば特に望ましいと言え、これにより、高いエンバイロンメンタル吸収なしで石英基板中に高い吸収率を生じさせることができる。本発明の一観点によれば、「９μｍ吸収率ピーク近傍」という表現は、８μｍから１０μｍまでの範囲にある波長を意味し、ただし、石英領域に含まれる他の波長が許容可能である場合がある。この波長はまた、部分吸収性膜コーティング（すなわち、ＭｏＳｉ）を有するフォトマスクに関して利点を奏することができる。図２に示されているように、例示のＭｏＳｉ材料は、１１．５μｍのところのピークと比較して９μｍ近傍に減少した状態の吸収率を有し、したがって、外部エネルギー源１からのエネルギービーム２によって直接生じる熱エネルギーの減少または温度増加を呈する。・・・（後略）・・・ 【００７２】 フォトマスクの形式もまた、オーバーレイ是正のための波長を選択する際に考慮されるのが良い。例えば、ダークフィールドマスクを用いる場合、薄膜中に高度に吸収される波長を選択することが好ましい場合がある。オーバーレイ改良を薄膜の改造によって最適に得ることができ、というのは、表面の大部分が薄膜で覆われているからである。クリアフィールドマスクを用いる場合、基板によって高度に吸収される波長を選択することが好ましい場合がある。オーバーレイ改良は、基板表面の改造によって最適に得ることができ、その理由は、表面の大部分が薄膜で覆われていないからである。いずれの場合においても、薄膜を有するフォトマスクの領域および薄膜を備えていないフォトマスクの領域中に同様な熱的改造をもたらすことが好ましい場合があり、その結果、この改造は、マスク表面全体にわたって予想できる。」 「【００８５】 ＭｏＳｉを利用した部分吸収性フォトマスクの実施例に加えて、開示したプロセスの諸観点はまた、完全吸収性フォトマスク、薄膜吸収体のない（石英だけ）の光フォトマスク、および例えば極紫外（ＥＵＶ）およびナノインプリントリソグラフィ（ｎａｎｏ－ｉｍｐｒｉｎｔ ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ：ＮＩＬ）のために用いられる次世代フォトマスクについて利点を奏することができる。薄膜吸収体なしの光フォトマスクは、ベース石英基板中に直接エッチングされる特徴部を有する。ナノインプリントリソグラフィマスクは、基板中に作製される特徴部を更に有し、代表的には、かかるマスクは、薄膜を備えない。・・・（後略）・・・」 ・図２ ［図：0001404197000001.jpg］ ・図３ ［図：0001404197000002.jpg］ イ 本件補正事項は、その内容からみて、「フォトマスク」とその方へ方向付けられた「電磁放射線」の「波長」に関するところ、上記アによれば、本願当初明細書等には、そのような本件補正事項に関して次の技術的事項が記載されていると認められる。 （ア）「フォトマスク」、つまり、「基板」の方へ方向付けられた電磁放射線（以下「基板方向電磁放射線」という。）の波長は、「基板」の高吸収係数と実質的に一致した波長（以下「基板高吸収波長」という。）に該当する。 すなわち、フォトマスクの方へ方向付けられた電磁放射線の波長は、フォトマスクの高吸収係数と実質的に一致した波長であるところ（請求項１・請求項１１・【００４２】）、「フォトマスク」という用語は「基板」という用語と別段の指定がなければ区別なく使用できるとされている（【００３０】）ことから、上記のとおり認定できる。 （イ）フォトマスクは、その上に部分吸収性薄膜を設けた部分吸収性フォトマスクのほかに、完全吸収性フォトマスクでもよく、さらに、薄膜吸収体なしの光フォトマスクやナノインプリントグラフィフォトマスクであってもよい。薄膜吸収体なしの光フォトマスクは、ベース石英基板中に直接エッチングされる特徴部を有している。ナノインプリントグラフィフォトマスクは、基板中に作製される特徴部を更に有しており、代表的には、薄膜を備えない。（【００８５】） （ウ）「基板」は、多くの種々の材料から作製できまたは多くの種々の材料を含むことができる（【００３８】）が、「基板」の材料として典型的に想定されているものは「石英」である（【００５０】・【００６５】・【００６８】・【００７０】・【００７１】）。 （エ）「石英」の基板に関する主要な吸収率は、一般に、０．２μｍ未満の波長か８μｍを超える波長かのいずれかで起こる（【００７０】）。そして、８μｍを超える波長、例えば、９μｍを吸収率のピークとする、８μｍから１０μｍまでの範囲である９μｍ吸収率ピーク近傍が、「石英」の基板に対して高い吸収率を生じさせることができる波長範囲である（【００７１】・図３）。 （オ）基板方向電磁放射線の波長は、８マイクロメートルを超えるものであってよく（請求項４）、これにより、多光子プロセスおよびエンバイロンメンタル吸収の潜在的可能性を減少させることができる（【００７０】）。また、当該基板方向電磁放射線の波長は、基板として石英を用いた場合、例えば９μｍ石英吸収率近傍の波長を選択すると、高いエンバイロンメンタル吸収なしで石英基板中に高い吸収率を生じさせることができる（【００７１】）。 （カ）基板方向電磁放射線の波長が基板高吸収波長に該当することの技術的意味は、基板方向電磁放射線と基板の相互作用の結果として、基板の材料の熱エネルギーの増加が生じ、それにより、基板上の特徴部の位置を変更することにある（請求項１・請求項１１・【００３３】・【００３６】・【００６９】）。そして、そのことにより。フォトマスク製造プロセス前、フォトマスク製造プロセス中、フォトマスク製造プロセス後の処理によってフォトマスクのオーバーレイを向上させることができるプロセスを開発するといった課題（【００１１】～【００１７】）を解決することができる。 （キ）電磁放射線を「部分吸収性薄膜」の方へ方向付ける場合、当該電磁放射線（以下「薄膜方向電磁放射線」という。）は、「部分吸収性薄膜」の高吸収係数と実質的に一致した波長を有している（請求項１６・【００３０】・【００４１】）。そして、「部分吸収性薄膜」としてＭｏＳｉ膜を用いる場合、９μｍ超、例えば１１．５μｍ吸収ピーク近傍の波長、つまり、１０．５μｍから１２．５μｍまでの範囲にある波長を選択することが、特に望ましい（【００６６】・【００６７】・図２）。その際、「基板」が「石英」基板であるならば、１１．５μｍ近傍の波長で処理すると、「石英」の吸収率は１１．５μｍの相当大きな吸収率を備えていないことから、ＭｏＳｉ中の熱エネルギー蓄積が石英よりも優先的に生じ、それにより、部分吸収性薄膜なしで基板の諸領域中の熱蓄積を最小限に抑えることによって、システムへの全熱入力を最小限に抑えることができる（【００６８】）。 （２）判断 ア 本件補正事項は、冒頭で説示したとおり、「前記フォトマスクの方へ方向付け」られるとともに「前記少なくとも１つのフォトマスクの高吸収係数と実質的に一致した波長を有し」ている「前記電磁放射線」の波長について、この波長が「９μｍよりも長く、１１．５μｍ以下の波長」であることを特定するものである。そして、上記に含まれる「フォトマスク」の文言は「基板」と同じ意味であると解される（本件補正後の明細書、特許請求の範囲又は図面（以下「本件補正後明細書等」という。）の【００３０】。なお、当該段落は本願当初明細書等の記載から変更されていない。）。 そうすると、本件補正事項は、結局、「基板」の方へ方向付けられる電磁放射線（基板方向電磁放射線）の波長が、「基板」の高吸収係数と実質的に一致した波長（基板高吸収波長）に該当することのみならず、それが、「９μｍよりも長く、１１．５μｍ以下」（以下「本件波長数値範囲」という。）に属する波長であることを明らかにするものであるといえる。 イ そこで、基板方向電磁放射線の波長が、基板高吸収波長に該当し、かつ、本件波長数値範囲に属する波長であることが、本願当初明細書等の全ての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入しないといえるか否かについて検討する。 本件補正事項に係る本件数値波長範囲は「９μｍよりも長く、１１．５μｍ以下」とされているところ、「よりも長く」という文言に照らせば、本件補正事項に係る技術的事項においては、基板方向電磁放射線の波長が、基板高吸収波長に該当する一方で、「９μｍ」をあえて除外したものであることが明らかである。 これに対し、本願当初明細書等には、上記（１）イの認定によれば、「９μｍ超」という波長に係る文言が、薄膜方向電磁放射線の波長として、つまり、電磁放射線を部分吸収性薄膜の方へ方向付ける場合における上記波長として記載されている（同（キ））ものの、基板方向電磁放射線の波長としては、せいぜい、多光子プロセスおよびエンバイロンメンタル吸収の潜在的可能性を減少させるという観点、及び、基板として石英を用いた場合に主要吸収率を示すという観点から、８μｍ超の波長、例えば９μｍを選択することが記載されている（同（オ））にとどまる。のみならず、「基板」として典型的に想定されている「石英」については、基板方向電磁放射線につき、９μｍを吸収率のピークとする８μｍから１０μｍまでの範囲である９μｍ吸収率ピーク近傍の波長のものとすることが、課題解決との関係において望ましいとされている（同（エ）及び（カ））。 このように、本願当初明細書等においては、基板方向電磁放射線の波長について、基板高吸収波長に該当する一方で９μｍをあえて除外することは明記されておらず、むしろ、基板として典型的に想定されている石英では当該９μｍがいわゆるベストモードとされているのであるから、本願当初明細書等における特に望ましい基板方向電磁放射線の波長とされる「８μｍを超える波長、例えば９μｍ石英吸収率近傍の波長」（【００７１】）といった表現に接した当業者が、上記のとおりベストモードの「９μｍ」をあえて除外し、それよりも長い波長を選択することを読み取れる根拠となる技術常識があれば格別、そうであるとはいえない以上、本件補正事項に係る技術的事項が、本願当初明細書等の全ての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入しないとは言い難い。 ウ これに対し、請求人は、本件補正事項に係る技術的事項が本願当初明細書等の【００６４】～【００６７】等に記載されている旨主張するが、上記（１）イ（キ）で認定したとおり、これらの段落には、電磁放射線を部分吸収性薄膜の方へ方向付ける場合の薄膜方向電磁放射線の波長として「９μｍ超」が記載されているにとどまり、基板方向電磁放射線の波長としての記載は存在しない。 エ したがって、本件補正は、本願当初明細書等に記載した事項の範囲内においてしたものでないから、特許法第１７条の２第３項の規定に違反する。 ３ 独立特許要件充足性 上記２において説示したように、本件補正は、特許法第１７条の２第３項の規定に違反するものであるが、仮に、本願当初明細書等における特に望ましい基板方向電磁放射線の波長とされる「８μｍを超える波長、例えば９μｍ石英吸収率近傍の波長」（【００７１】）といった表現に接した当業者が、ベストモードの９μｍをあえて除外し、それよりも長い波長を選択することを読み取れる根拠となる技術常識が存在するならば、本件補正が上記規定を満たすと判断する余地がある。 しかしながら、そのような技術常識が存在する場合であっても、以下のとおり、本件補正は、独立特許要件を充足しない。 （１）本件補正の適否 本件補正は、本件補正前の請求項８に記載された発明を特定するために必要な事項である「電磁放射線」、「熱エネルギー増加を発生させるステップ」及び「前記少なくとも１つのフォトマスク上の第２の特徴部に対する前記少なくとも１つのフォトマスク上の第１の特徴部の位置を変更するステップ」について、上記１において付した下線のとおりの限定を付加する補正を含むものであって、本件補正前の請求項８に記載された発明と本件補正後の請求項８に記載される発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるから、特許法第１７条の２第５項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。 そこで、本件補正後の請求項８に係る発明（以下「本件補正発明」という。）が、特許法第１７条の２第６項で準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか（特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか）について、項を改めて検討する。 （２）引用文献の記載 ア 引用文献１について （ア）原査定の拒絶の理由で引用された本願の優先権主張の日（以下「優先日」という。）前に頒布された刊行物である又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった文献である特開２０１２－２２２３５５号公報（以下「引用文献１」という。）には、図面とともに、次の記載がある。（下線は当審が付した。以下同じ。） 「【請求項１６】 リソグラフィ装置を使用するデバイス製造方法であって、 前記リソグラフィ装置において、マスクの特性を、前記マスク上のスポットに選択的に入射するように第１の放射ビームを誘導することによって、局所的に変更することと、 第２の放射ビームを前記マスク上に誘導することと、 前記マスクによってパターン付けされた前記第２の放射ビームを基板上に投影することと、 を含む、 方法。」 「【発明の詳細な説明】 【技術分野】 【０００１】 ［０００１］ 本発明は、リソグラフィ装置、デバイス製造方法およびマスクを補正する方法に関する。」 「【発明の概要】 【発明が解決しようとする課題】 【０００４】 ［０００４］ 従来のリソグラフィ装置では、マスクまたはレチクルは、マスクブランクと呼ばれるクォーツシートを含み、その上で、結像されるパターンがクロム層内に形成される。クォーツは、露光放射に対して実質的に透明であるのに対して、クロム層は実質的に不透明である。マスクパターンはさらに、それ自体は結像しないがレジスト内に形成されたパターンを様々な方法で改善する光近接効果補正（ＯＰＣ）フィーチャ、すなわちセリフといった非結像フィーチャを含みうる。・・・（後略）・・・」 「【０００９】 ［０００９］ 例えばマスクの製造後にマスクへの補正を行うことができる改良された方法を提供することが望ましい。」 「【００１４】 ［００２０］ 図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示す。リソグラフィ装置は、 ［００２１］－放射ビームＢ（例えばＵＶ放射、ＤＵＶ放射、またはＥＵＶ放射）を調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、 ［００２２］－パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するように構成され、かつ特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第１のポジショナＰＭに接続されたサポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと、 ［００２３］－基板（例えばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、かつ特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第２のポジショナＰＷに接続された基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴと、 ［００２４］－パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付けられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つ以上のダイを含む）上に投影するように構成された投影システム（例えば屈折型投影レンズシステム）ＰＳと、を含む。」 「【００３７】 ［００４７］ 図３は、通常マスクブランクと呼ばれ、典型的にはクロム層ＣＲ内であるが、その上にまたはその中にパターンＣＲ（通例は実質的に不透明）が形成される、実質的に透過的な基板ＢＬを含む透過型マスクＭＡ（パターニングデバイスの一例として）を示す。・・・（後略）・・・」 「【００３８】 ［００４８］ 上述したように、マスクを通る放射の透過率を調節するために、マスクブランクのバルク材料内に容積内シェーディング要素を書き込むために超高速フェムト秒レーザを使用することが提案されている。この手法は、フィールド内のＣＤ均一性誤差を補正するためには使用することができるが、他の問題は補正しない。例えばパターン歪み、具体的にはフィーチャの位置、および／または、マスク歪みを補正することが望ましい。マスク歪みには、マスクのクランピング、ペリクルＰＬの取り付け、および／または投影システムによって引き起こされる歪みが含まれうる。」 「【００３９】 ［００４９］ 本発明の一実施形態では、マスク補正デバイス１００が、マスクレベルにおいて、リソグラフィ装置内に設けられる。・・・（途中省略）・・・マスク補正デバイス１００は、マスクパターンを補正するために、強力放射ビームをマスクブランクＢＬおよび／またはパターンＣＲ（例えばパターンが部分的にまたは実質的に透過的である場所）に誘導し、それによりその特性を局所的に変更する。・・・（後略）・・・」 「【００４０】 ［００５０］ 本発明の一実施形態では、マスク補正デバイスは、パターンの要素または要素の一部の位置を微細に調節するために、マスクブランクおよび／またはパターンの形状を局所的に変更する。マスクブランクおよび／またはパターンの形状は、熱膨張を引き起こすことによって変更できる。ヒステリシスに起因して、マスクブランクおよび／またはパターンは、それが最初に有していた形状と全く同じ形状には戻らない。・・・（後略）・・・」 「【００４１】 ［００５１］ 図４に、本発明の一実施形態による方法が示される。まず、マスクは、マスクテーブル上にロードされ、マスクテーブルにクランプされる（ステップＳ１）。クランプは、微細位置制御のためと、高加速時にマスクを抑えるように使用されうるが、場合によりマスクに歪みをもたらすことがある。クランプは、例えば機械式クランプ、真空式クランプ、または静電式クランプであってよい。次に、マスクパターンが測定されて歪みがあるか否かが判定される（ステップＳ２）。・・・（途中省略）・・・一実施形態では、マスクパターンの歪みは、オーバーレイマーカーを測定すること、および／または、アライメントマーカーの相対位置を測定することによって特徴付けられる。一実施形態では、補正されるべき歪みの判定は、２ステッププロセスである。１つのステップでは、マスク上の例えばアライメントマーカーまたはオーバーレイマーカーといったフィーチャの位置が、マスク上で直接測定される。別のステップでは、投影システムによって投影された例えばアライメントマーカーまたはオーバーレイマーカーといったフィーチャのイメージの位置が、基板レベルにおいて測定される。・・・（後略）・・・」 「【００４２】 ［００５２］ ステップＳ３では、マスク測定の結果を使用して、例えば倍率といったリソグラフィ装置の関連の制御を調節して、フィールド全体およびフィールド間補正を行う。平行して（または連続して）、マスク補正デバイスを使用して、任意の必要なまたは望ましいフィールド内補正を行う（ステップＳ４）。すべての補正が行われた後、生産基板（ｐｒｏｄｕｃｔｉｏｎ ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）が露光される（ステップＳ５）。リソグラフィ装置内でマスク補正を行うことによって、マスククランプによって引き起こされるマスク歪み、および／または、投影システムによって導入される歪みの影響が考慮される。・・・（後略）・・・」 「【００４３】 ［００５３］ 図５に、マスク補正デバイス１００の詳細が説明される。その出力が第１のレンズ１０３によってコリメートされるビームエキスパンダ１０１が、マスク補正デバイス１００とは別個でありうる、例えば高出力フェムト秒パルスレーザである放射源１０１によって照明される。・・・（後略）・・・」 「【００４７】 ［００５７］ 本明細書において、ＩＣ製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的な言及がなされているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造といった、マイクロスケールまたはさらにはナノスケールの特徴を有するコンポーネントの製造における他の用途を有し得ることが理解されるべきである。当業者には当然のことであるがそのような別の用途においては、本明細書で使用される「ウェーハ」または「ダイ」という用語はすべて、それぞれより一般的な「基板」または「ターゲット部分」という用語と同義であるとみなしてよい。・・・（後略）・・・」 「【００４８】 ［００５８］ 本明細書において使用される「放射」および「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）（例えば、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、または１２６ｎｍの波長またはおよそこれらの値の波長を有する）を含むあらゆる種類の電磁放射を包含している。」 ・図３及び４は次のものである。 ［図：0001404197000003.jpg］ ［図：0001404197000004.jpg］ （イ）引用文献１の請求項１６に記載された方法は、マスクの製造後にマスクへの補正を行うことに関するものである（【０００９】）ことから、当業者は、当該方法が「マスク」それ自体の材料に特徴がないものであることを理解できるといえる。そうすると、当業者は、当該方法に用いられる「マスク」として何を用いるかについて、従来のリソグラフィ装置において用いられるとされる「マスクブランクと呼ばれるクォーツシート」を含む「マスク」（【０００４】）が典型的に想定されていることを理解できるといえる。 （ウ）図１の放射ビームＢは、基板Ｗへの投影用のものであって、ＤＵＶ放射であってよい（【００１４】）ことから、引用文献１の請求項１６に記載された方法における「第２の放射ビーム」は、ＤＵＶ放射ビームであってよいと認められる。 （エ）上記（ア）～（ウ）から、引用文献１には、請求項１６に記載されたデバイス製造方法であって、第１の放射ビームを、「前記マスクブランクおよび／またはパターン（パターンが部分的にまたは実質的に透過的である場所）に誘導」する（【００３９】）もののうち、「前記マスクブランク」に誘導するものについて、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。なお、参考までに、引用発明の認定に用いた引用文献の記載等に係る段落番号等を括弧内に付してある（以下同じ）。 「リソグラフィ装置を使用するデバイス製造方法であって、 前記リソグラフィ装置において、マスクの特性を、前記マスク上のスポットに選択的に入射するように第１の放射ビームを誘導することによって、局所的に変更することと、 第２の放射ビームを前記マスク上に誘導することと、 前記マスクによってパターン付けされた前記第２の放射ビームを基板上に投影することと、を含み、（請求項１６） 第２の放射ビームは、ＤＵＶ放射ビームであり、（上記（ウ）） 前記マスクは、マスクブランクと呼ばれる実質的に透明な基板を含む透過型マスクであり、（【００３７】） マスクブランクはクォーツシートからなるものであって、（上記（イ）） マスクブランクは、その上にパターンが形成されるものであり、（【００３７】） パターン歪み、具体的にはフィーチャの位置、および／または、マスク歪みを補正するものであり、マスク歪みには、マスクのクランピング、ペリクルＰＬの取り付け、および／または投影システムによって引き起こされる歪みが含まれうるものであり、（【００３８】） リソグラフィ装置内に設けられたマスク補正デバイスは、マスクパターンを補正するために、第１の放射ビーム（強力放射ビーム）を前記マスクブランクに誘導し、それによりその特性を局所的に変更するものであって、（【００３９】） 前記マスク補正デバイスは、パターンの要素または要素の一部の位置を微細に調節するために、マスクブランクおよび／またはパターンの形状を局所的に変更するものであって、マスクブランクおよび／またはパターンの形状は、熱膨張を引き起こすことによって変更でき、ヒステリシスに起因して、マスクブランクおよび／またはパターンは、それが最初に有していた形状と全く同じ形状には戻らないものであり、（【００４０】） 前記マスク補正デバイスを使用した補正を含むすべての補正が行われた後、生産基板が露光される、（【００４２】） 方法。」 イ 引用文献２について （ア）同じく原査定に引用され、優先日前に頒布された刊行物である又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった文献である特表２０１０－５３６０６４号公報（以下「引用文献２」という。）には、次の記載がある。 「【請求項１】 フォトマスクの有効耐用年数を増加させる方法であって、 位相遅延損失を有する部分吸収薄膜が配置されたフォトマスク基板に、該フォトマスク基板の高吸光係数と実質的に一致する波長を有する電磁放射線を差し向ける段階と、 前記フォトマスク基板に温度上昇を発生させる段階と、 前記位相遅延損失の少なくとも一部分を回復させる段階と、 を含むことを特徴とする方法。」 「【請求項４】 レーザの前記波長は、８マイクロメートルよりも長いことを特徴とする請求項１に記載の方法。 【請求項５】 前記基板は、石英であり、前記電磁放射線波長は、約９マイクロメートルであることを特徴とする請求項１に記載の方法。」 「【００３５】 これも上述のように、石英基板の吸収度も考慮することができる。フォトマスクに使用される石英基板は、特に、深紫外（ＤＵＶ）波長範囲において高い透過度を有するように通常設計される（図３）。これは、極めて低レベルの不純物を有する合成的に形成された基板を用いることによって通常達成される。本発明のある一定の実施形態により、ＭｏＳｉ内に有意な吸収度を有し、かつ石英基板内により低い吸収度を有することが有利とすることができる。図３に示すように、例示的な石英基板は、ＭｏＳｉ膜の吸収ピークで有意な吸収度を持たない。従って、１１．５μｍで処理すれば、ＭｏＳｉ内の熱蓄積が石英に優先して行われることが可能である。部分吸収体を持たない基板の区域における熱蓄積を最小にすることにより、これは、本発明の使用中のシステムへの熱投入量を最小にすることができると考えられる。 ・図３は次のものである。」 「【００３８】 例えば、９μｍ付近の石英吸収である８μｍよりも長い波長を選択することは、本発明のある一定の実施形態に従えば特に好ましい。これは、高い環境吸収なしに石英基板内に高い吸収性を典型的に引き起こす。この波長は、部分吸収膜コーティング（すなわち、ＭｏＳｉ）を有するフォトマスクに対して利点も提供する。図２に示すように、この実施例のＭｏＳｉ材料は、９μｍ付近で減少した吸収度を有し、従って、エネルギ源によって直接生成される温度上昇は小さい。一般的に、一定のフルエンスで到達した膜材料温度は、石英の高い吸収度及び石英と比較した部分吸収体のより高い熱拡散率のために、石英に関するものと類似するはずである。部分吸収膜がこの波長範囲において比較的高い吸光係数を有したとしても、期待される熱拡散率の利点のために、これが真であることも予想される。この範囲の他の波長の選択は、エネルギ源の直接吸収によって生じた材料内の相対熱蓄積を変化させることにより、全体の熱的均一性を改善することが可能である。」 【図３】 ［図：0001404197000005.jpg］ （イ）上記記載から、引用文献２には、次の技術的事項（以下、「引用文献２に記載された技術的事項」という。）が記載されていると認められる。 「フォトマスクに使用される石英基板は、特に、深紫外（ＤＵＶ）波長範囲において高い透過度を有するように通常設計されるところ（【００３５】）、９μｍ付近の石英吸収である８μｍよりも長い波長を選択することは、高い環境吸収なしに石英基板内に高い吸収性を典型的に引き起こすこと（【００３８】）。」 （３）対比・判断 ア 本件補正発明と引用発明との対比 （ア）引用発明の「デバイス製造方法」について 対比を行うに先立ち、引用発明の「デバイス製造方法」について整理すると、その認定によれば、当該「デバイス製造方法」は、マスクの特性を局所的に変更した後に、当該変更後のマスクによってパターン付けされた第２の放射ビームを基板上に投影するものである。しかるに、これを具体的にいえば、（ｉ）第１の放射ビーム（強力放射ビーム）をマスクブランクに誘導すること、（ｉｉ）上記（ｉ）により、マスクブランクおよび／またはパターンの形状は、熱膨張を引き起こすことによって変更でき、ヒステリシスに起因して、マスクブランクおよび／またはパターンは、それが最初に有していた形状と全く同じ形状には戻らないこと、（ｉｉｉ）上記（ｉｉ）の現象が生じた結果、パターンの要素または要素の一部の位置を微細に調節することができ、そのような調節をもってマスク補正デバイスを使用した補正とされていること、（ｉｖ）上記（ｉｉｉ）を含むすべての補正が行われた後、ＤＵＶ放射ビームである第２の放射ビームによって、生産基板が露光されること、であるといえる。 そして、（ｖ）マスクは、クォーツシートからなるマスクブランクとマスクパターン（パターン）からなっており、パターンがマスクブランク上に形成されている。 以上をも踏まえて、本件補正発明と引用発明との対比を行う。 （イ）本件補正発明の「少なくとも１つのフォトマスクの光学特性を向上させる方法を含むウェーハ製造方法であって、」との発明特定事項について ａ 本件補正発明の「フォトマスク」は、「基板」と区別なく使用できるものである（本件補正後の明細書、特許請求の範囲又は図面（以下「本願明細書等」という。）の【００３０】）から、引用発明の「マスクブランク」がこれに相当する。 ｂ 引用発明の「デバイス製造方法」は、「リソグラフィ装置を使用する」ものであって、「生産基板が露光される」ステップを含むところ、当該「生産基板」に係る「基板」は「ウェーハ」と同じ意味である（引用文献１の【００４７】）から、当該「デバイス製造方法」は、本件補正発明の「ウェーハ製造方法」に相当する。 ｃ 引用発明の「デバイス製造方法」は、パターンの要素または要素の一部の位置を微細に調節することができ、そのような調節をもってマスク補正デバイスを使用した補正とされているものである（上記（ア）（ｉｉｉ））から、本件補正発明でいう「少なくとも１つのフォトマスクの光学特性を向上させる」ものといえる。 ｄ よって、引用発明は、本件補正発明の上記特定事項を満たしている。 （ウ）本件補正発明の「９μｍよりも長く、１１．５μｍ以下の波長の電磁放射線を前記少なくとも１つのフォトマスクの方へ方向付けるステップを含み、前記電磁放射線は、前記少なくとも１つのフォトマスクの高吸収係数と実質的に一致した波長を有し」ているとの発明特定事項について ａ 引用発明の「第１の放射ビーム（強力放射ビーム）」は、「放射」及び「ビーム」という用語があらゆる種類の電磁放射を包含している（引用文献１の【００４８】）ことから、本件補正発明の「電磁放射線」に相当する。 ｂ 引用発明は、第１の放射ビーム（強力放射ビーム）をマスクブランクに誘導する（上記（ア）（ｉ））ものであるから、本件補正発明でいう「電磁放射線を前記少なくとも１つのフォトマスクの方へ方向付けるステップ」を含むといえる。 ｃ よって、本件補正発明と引用発明とは、「電磁放射線を前記少なくとも１つのフォトマスクの方へ方向付けるステップを含」んでいる点で一致するが、電磁放射線の波長が、本件補正発明では、「９μｍよりも長く、１１．５μｍ以下」（本件波長数値範囲）の波長、かつ、「前記少なくとも１つのフォトマスクの高吸収係数と実質的に一致した波長」（基板高吸収波長）であるのに対し、引用発明では、それが不明である。 （エ）本件補正発明の「前記少なくとも１つのフォトマスク上への前記電磁放射線に応答して、前記少なくとも１つのフォトマスクをアニールし、前記少なくとも１つのフォトマスク中の材質変化の量を制御するように前記少なくとも１つのフォトマスク中の熱エネルギー増加を発生させるステップ」との発明特定事項について ａ 引用発明は、第１の放射ビーム（強力放射ビーム）をマスクブランクに誘導したことにより、マスクブランクおよび／またはパターンの形状は、熱膨張を引き起こすことによって変更できるものである（上記（ア）（ｉ）及び（ｉｉ））ところ、「熱膨張」を引き起こすためには、当然に、熱エネルギーを要することに照らせば、引用発明は、本件補正発明でいう「前記少なくとも１つのフォトマスク上への前記電磁放射線に応答して」「前記少なくとも１つのフォトマスク中の熱エネルギー増加を発生させるステップ」を備えているといえる。そして、引用発明は、上記のとおり、マスクブランクおよび／またはパターンの形状が熱膨張によって変更できるものであることから、引用発明においては、第１の放射ビーム（強力放射ビーム）が誘導されることになるマスクブランク（本件補正発明の「フォトマスク」に相当。）が、「アニール」されるといえるかはさておき、加熱されるといえる。 そうすると、本件補正発明と引用発明とは、「前記少なくとも１つのフォトマスク上への前記電磁放射線に応答して、前記少なくとも１つのフォトマスクを」加熱し、「前記少なくとも１つのフォトマスク中の熱エネルギー増加を発生させるステップ」を備える点で一致する。 ｂ 引用発明は、第１の放射ビーム（強力放射ビーム）をマスクブランクに誘導することにより、マスクブランクおよび／またはパターンの形状が熱膨張を引き起こすことによって変更されるとともにヒステリシスに起因して最初に有していた形状と全く同じ形状には戻らない（上記（ア）（ｉ）及び（ｉｉ））ことから、引用発明においては、マスクブランクおよび／またはパターンの形状につき、「最初に有していた形状」と、熱膨張を経て元に戻らない形状との間に差が存在していることになるところ、そのような差が存在する以上、マスクブランクの密度等が少なくとも変化しているといえる。しかるに、このようなマスクブランクおよび／またはパターンにおける、「最初に有していた形状」から、熱膨張を経た後ヒステリシスに起因して生じるところの元に戻らない形状への変化は、上記のとおり、マスクブランクの密度等の変化を伴うことから、当該変化は、本件補正発明の「前記少なくとも１つのフォトマスク中の材質変化」に相当し、上記の「最初に有していた形状」と熱膨張を経てそれが元に戻らない形状との間の差が、本件補正発明の「前記少なくとも１つのフォトマスク中の材質変化の差」に相当する。 そして、引用発明では、上記の差を生じさせることをもって、マスク補正デバイスを使用した補正とされている（上記（ア）（ｉｉｉ））のであるから、上記ａのとおり引用発明が備えているといえる「前記少なくとも１つのフォトマスク中の熱エネルギー増加を発生させるステップ」は、本件補正発明でいう「前記少なくとも１つのフォトマスク中の材質変化の量を制御するように」なされているといえる。 ｃ よって、本件補正発明と引用発明とは、「前記少なくとも１つのフォトマスク上への前記電磁放射線に応答して、前記少なくとも１つのフォトマスクを」加熱「し、前記少なくとも１つのフォトマスク中の材質変化の量を制御するように前記少なくとも１つのフォトマスク中の熱エネルギー増加を発生させるステップ」を備える点で一致するが、加熱に係る処理が、本件補正発明は「アニール」であるのに対し、引用発明はそういえるのか不明である。 （オ）本件補正発明の「前記少なくとも１つのフォトマスク中の制御された前記材質変化の量により、前記少なくとも１つのフォトマスク上の第２の特徴部に対する前記少なくとも１つのフォトマスク上の第１の特徴部の位置を変更するステップ」との発明特定事項について ａ 引用発明の「パターンの要素または要素の一部」は、本件補正発明の「特徴部」に相当する。そして、引用発明のパターンはマスクブランク上に形成されている（上記（ア）（ｖ））から、引用発明では、本件補正発明でいう「特徴部」が「少なくとも１つのフォトマスク上」にあることになる。 ｂ 引用発明は、パターンの要素または要素の一部の位置を微細に調節することができる（上記（ア）（ｉｉｉ））ことから、本件補正発明でいう「前記少なくとも１つのフォトマスク上の第２の特徴部に対する前記少なくとも１つのフォトマスク上の第１の特徴部の位置を変更する」ものといえる。 そして、上記（エ）のとおり、引用発明は、本件補正発明でいう「前記少なくとも１つのフォトマスク中の熱エネルギー増加を発生させるステップ」を「前記少なくとも１つのフォトマスク中の材質変化の量を制御するように」行っているのであるから、引用発明では、本件補正発明でいう上記「前記少なくとも１つのフォトマスク上の第２の特徴部に対する前記少なくとも１つのフォトマスク上の第１の特徴部の位置を変更する」ことを、「前記少なくとも１つのフォトマスク中の制御された前記材質変化の量により」行っているといえる。 ｃ よって、引用発明は、本件補正発明の上記特定事項を満たしている。 （カ）本件補正発明の「前記少なくとも１つのフォトマスク上の前記第２の特徴部に対する前記少なくとも１つのフォトマスク上の前記第１の特徴部の位置の変更により、前記少なくとも１つのフォトマスクの前記光学特性が改善された後で、前記少なくとも１つのフォトマスクを使用してウェーハ印刷プロセスを実行するステップ」との特定事項について ａ 引用発明は、パターンの要素または要素の一部の位置を微細に調節することができ、そのような調節をもってマスク補正デバイスを使用した補正とされている（上記（ア）（ｉｉｉ））ことから、上記（オ）ｂにも照らせば、引用発明は、本件補正発明でいう「前記少なくとも１つのフォトマスク上の前記第２の特徴部に対する前記少なくとも１つのフォトマスク上の前記第１の特徴部の位置の変更により、前記少なくとも１つのフォトマスクの前記光学特性が改善され」るものといえる。 ｂ 引用発明は、すべての補正が行われた後、生産基板が露光される（上記（ア）（ｉｖ））ことから、本件補正発明でいう上記の「改善」の後で、「前記少なくとも１つのフォトマスクを使用してウェーハ印刷プロセスを実行する」ものといえる。 ｃ よって、引用発明は、本件補正発明の上記特定事項を満たしている。 イ 一致点及び相違点の認定 上記アによれば、本件補正発明と引用発明との一致点及び相違点は、次のとおりである。 【一致点】 「少なくとも１つのフォトマスクの光学特性を向上させる方法を含むウェーハ製造方法であって、 電磁放射線を前記少なくとも１つのフォトマスクの方へ方向付けるステップを含み、 前記少なくとも１つのフォトマスク上への前記電磁放射線に応答して、前記少なくとも１つのフォトマスクを加熱し、前記少なくとも１つのフォトマスク中の材質変化の量を制御するように前記少なくとも１つのフォトマスク中の熱エネルギー増加を発生させるステップと、 前記少なくとも１つのフォトマスク中の制御された前記材質変化の量により、前記少なくとも１つのフォトマスク上の第２の特徴部に対する前記少なくとも１つのフォトマスク上の第１の特徴部の位置を変更するステップと、 前記少なくとも１つのフォトマスク上の前記第２の特徴部に対する前記少なくとも１つのフォトマスク上の前記第１の特徴部の位置の変更により、前記少なくとも１つのフォトマスクの前記光学特性が改善された後で、前記少なくとも１つのフォトマスクを使用してウェーハ印刷プロセスを実行するステップと、を含む、方法。」 【相違点１】 「電磁放射線」が、本件補正発明では、「９μｍよりも長く、１１．５μｍ以下」（本件波長数値範囲）の波長であって、「少なくとも１つのフォトマスクの高吸収係数と実質的に一致した波長」（基板高吸収波長）であるのに対し、引用発明では、第１の放射ビーム（強力放射ビーム）につき、それをマスクブランクに誘導すると、マスクブランクおよび／またはパターンの形状が、熱膨張を引き起こすことによって変更でき、ヒステリシスに起因して、マスクブランクおよび／またはパターンは、それが最初に有していた形状と全く同じ形状には戻らないものであるが、その波長は不明である点。 【相違点２】 「前記少なくとも１つのフォトマスク中の材質変化の量を制御するように前記少なくとも１つのフォトマスク中の熱エネルギー増加を発生させるステップ」における「前記少なくとも１つのフォトマスク」への加熱に係る処理について、本件補正発明では、「アニール」であるのに対し、引用発明では、第１の放射ビーム（強力放射ビーム）をマスクブランクに誘導すると、マスクブランクおよび／またはパターンの形状が、熱膨張を引き起こすことによって変更でき、ヒステリシスに起因して、マスクブランクおよび／またはパターンは、それが最初に有していた形状と全く同じ形状には戻らないものであるものの、その際になされた加熱に係る処理が、アニールといえるか不明である点。 ウ 判断 （ア）相違点１について ａ 引用発明は、上記ア（ア）のとおり、マスクの特性を局所的に変更した後に、当該変更後のマスクによってパターン付けされた第２の放射ビームを基板上に投影するものであるところ、マスクの特性を局所的に変更するためのビームが「第１の放射ビーム（強力放射ビーム）」であり、当該変更後のマスクによってパターン付けされて基板上に投影されるビームが「第２の放射ビーム」である。そして、「第２の放射ビーム」は、ＤＵＶ放射ビームである一方、「第１の放射ビーム（強力放射ビーム）」の波長は特定されていない。 そのため、当業者であれば、引用発明を実施するに当たり、「第１の放射ビーム（強力放射ビーム）」の波長を設定しようとするところ、当該「第１の放射ビーム（強力放射ビーム）」は、マスクブランクに誘導して、それによりその特性を局所的に変更するものであって、マスクブランクおよび／またはパターンの形状は、熱膨張を経て変更できるものであることから、その波長としては、マスクブランクを構成するクォーツシートによく吸収される波長を選択することが通常である。 ｂ 他方、引用文献２には、上記（２）イ（イ）で認定したとおり、フォトマスクに使用される石英基板は、特に、深紫外（ＤＵＶ）波長範囲において高い透過度を有するように通常設計されるところ、「９μｍ付近の石英吸収である８μｍよりも長い波長」を選択することは、高い環境吸収なしに石英基板内に高い吸収性を典型的に引き起こすという技術的事項が記載されている。 ｃ このように、引用発明１に接した当業者であれば、「第１の放射ビーム（強力放射ビーム）」の波長として、マスクブランクを構成するクォーツシートによく吸収される波長を選択することが通常であるところ、その具体的な波長として、引用文献２に記載されている「９μｍ付近の石英吸収である８μｍよりも長い波長」を選択することは、適宜なし得たことである。 ｄ 次に、上記ｃの「９μｍ付近の石英吸収である８μｍよりも長い波長」としてより具体的にどの波長にするかについてみると、まず、相違点１に係る本件補正発明の構成の「少なくとも１つのフォトマスクの高吸収係数と実質的に一致した波長」（基板高吸収波長）にすることは、上記の説示に照らし、当然のことである。 そして、本項（「３ 独立特許要件充足性」の項）の冒頭で説示したとおり、独立特許要件充足性の判断においては、本願当初明細書等における特に望ましい基板方向電磁放射線の波長とされる「８μｍを超える波長、例えば９μｍ石英吸収率近傍の波長」（【００７１】）といった表現に接した当業者が、ベストモードの９μｍをあえて除外し、それよりも長い波長を選択することを読み取れる根拠となる技術常識が存在すると仮定されている。また、その仮定をさておくとしても、「第１の放射ビーム（強力放射ビーム）」として、石英吸収の最大波長である「９μｍ」に完全に合致したものを用意するのは困難であるという現実も存在するといえる。このように、存在が仮定された技術常識のほか、現実的な問題にも照らせば、引用発明１の「第１の放射ビーム（強力放射ビーム）」の波長として、相違点１に係る本件補正発明の「９μｍよりも長く、１１．５μｍ以下」（本件波長数値範囲）の波長を具体的に選択することも、当業者が適宜なし得たことといえる。 ｅ 以上のとおり、引用発明１から出発した当業者は、引用文献２に記載された技術的事項に基づいて、相違点１に係る本件補正発明の構成に容易に至るといえる。 （イ）相違点２について ａ 引用発明は、第１の放射ビーム（強力放射ビーム）をマスクブランクに誘導すると、マスクブランクおよび／またはパターンの形状が、熱膨張を引き起こすことによって変更でき、ヒステリシスに起因して、マスクブランクおよび／またはパターンは、それが最初に有していた形状と全く同じ形状には戻らないものであることから、上記ア（エ）ａで説示したとおり、本件補正発明でいう「アニール」されるといえるかはさておき、加熱されるといえる。 ｂ そこで、引用発明の「第１の放射ビーム（強力放射ビーム）をマスクブランクに誘導する」ことをもって、フォトマスクが本件補正発明でいう「アニール」されるに至るかについてみるべく、本件補正発明の「アニール」の意味について検討すると、本件補正発明には、「アニール」により「フォトマスク中の材質変化」が生じることが特定されている。そして、本件補正後明細書等には、熱を利用した材質の変化について、「組成の変化（例えば、脱水、酸化）、表面変化（例えば、モルフォロジー、粗さ）、または材料特性の変化（例えば、アニーリング、高密度化）が挙げられるがこれらには限定されない。代替的にまたは追加的に、熱を利用した材質変化は、フォトマスクの光学的性能特性の変化であっても良い。」（【００３６】）と記載されている。本件補正発明は、このような「アニール」をフォトマスクに対して行うことによって、「フォトマスク中の材質変化の量を制御する」ものであり、さらに、このような材質変化の量によって、「前記少なくとも１つのフォトマスク上の第２の特徴部に対する前記少なくとも１つのフォトマスク上の第１の特徴部の位置を変更」している。 他方、上記イの一致点の認定にも照らせば、引用発明においては、「第１の放射ビーム（強力放射ビーム）を前記マスクブランクに誘導する」ことによって、前記少なくとも１つのフォトマスクを加熱し、前記少なくとも１つのフォトマスク中の材質変化の量を制御しており、このような材質変化の量によって、前記少なくとも１つのフォトマスク上の第２の特徴部に対する前記少なくとも１つのフォトマスク上の第１の特徴部の位置を変更しているといえる。 このように、本件補正発明のフォトマスクに対する「アニール」と引用発明の「第１の放射ビーム（強力放射ビーム）を前記マスクブランクに誘導する」こととは、これにより生じる現象に特段の差異を見いだせないことから、引用発明の「第１の放射ビーム（強力放射ビーム）を前記マスクブランクに誘導する」ことは、本件補正発明でいう「アニール」を生じさせるものといってよい。よって、相違点２は、実質的ではない。 ｃ また、仮に、そのようにいうことができないとしても、本件補正発明の「アニール」は、所定の波長の電磁放射線を少なくとも１つのフォトマスクの方へ方向付けることによって行っているものであるところ、当該電磁放射線の照射のさせ方（強度や照射時間等）は、当業者が引用発明を実施するに当たり当然に設定するものである。そして、このような設定行為を通じて、結果として、本件補正発明でいうフォトマスクに対する「アニール」に係る構成に至ることは、当業者が適宜なし得たことといえる。 ｄ 以上のとおり、相違点２は実質的ではないし、仮にそうでないとしても、引用発明から出発した当業者は、相違点２に係る本件補正発明の構成に容易に至るといえる。 エ 本件補正発明の奏する効果について 上記各相違点を勘案しても、本件補正発明の奏する作用効果は、本件補正発明の構成が奏するものとして、引用発明及び引用文献２に記載された技術的事項に基づいて予測される範囲内のものにすぎず、格別顕著なものということはできない。 オ 請求人の主張について 請求人は、以下のとおり主張するが、いずれも失当である。 （ア）請求人は、本件補正発明が引用文献１に記載された発明及び引用文献２に記載された技術的事項に基づいて当業者が容易に想到し得たものではない旨主張し、その根拠として、フォトマスク（基板）中に材質変化を起こさせるための有利な波長について、本件補正発明には、本件波長数値範囲であることが特定されている一方、引用文献１及び２には、いずれも記載も示唆もないことを挙げる。 しかしながら、上記ウ（ア）で説示したとおりである。 （イ）さらに、請求人は、引用文献１及び２には、電磁放射線の照射により、フォトマスク上の実際の特徴部の位置を設計上の特徴部の位置に近づけることは何ら記載されていない旨主張するが、上記ア（ア）（ｉｉｉ）のとおり、引用発明は、パターンの要素または要素の一部の位置を微細に調節することができ、そのような調節をもってマスク補正デバイスを使用した補正とされているのであるから、引用発明においても、フォトマスク上の実際の特徴部の位置を設計上の特徴部の位置に近づけるものであることは、明らかである。 カ 小括 したがって、本件補正発明は、引用発明及び引用文献２に記載された技術的事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 （４）まとめ 以上のとおりであるから、本件補正発明は、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 よって、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反する。 ４ 本件補正についてのむすび 上記２のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第３項の規定に違反しているから、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 また、本件補正が特許法第１７条の２第３項の規定を満たしているとしても、上記３のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反しているから、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 よって、上記補正の却下の決定の結論のとおり決定する。 第３ 本願発明について １ 本願発明 本件補正は、上記第２のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、令和２年１１月２７日に提出された手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし２０に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項８に係る発明（以下「本願発明」という。）は、前記第２［理由］１に、本件補正前の請求項８として記載されたとおりのものである。 ２ 原査定の拒絶の理由 原査定の拒絶の理由は、本願発明は、優先日前に頒布された刊行物である又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった文献である引用文献１に記載された発明及び引用文献２に記載された技術的事項に基づいて、その優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない、というものである。 ３ 引用文献 原査定の拒絶の理由で引用された引用文献１及び２並びにその記載事項は、前記第２の［理由］３（２）に記載したとおりである。 ４ 対比・判断 本願発明は、前記第２の［理由］３で検討した本件補正発明から、「９μｍよりも長く、１１．５μｍ以下の波長の」、「前記フォトマスクをアニールし、前記少なくとも１つのフォトマスク中の材質変化の量を制御するように」、及び、「前記少なくとも１つのフォトマスク中の制御された前記材質変化の量により」に係る限定事項を削除したものである。 そうすると、本願発明の発明特定事項を全て含み、さらに他の事項を付加したものに相当する本件補正発明が、前記第２の［理由］３（３）に記載したとおり、引用発明及び引用文献２に記載された技術的事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、引用発明及び引用文献２に記載された技術的事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 第４ むすび 以上のとおり、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。 よって、結論のとおり審決する。