2022-002591

特願２０２０－ ７２６０９「プローブカード装置」拒絶査定不服審判事件〔令和 ３年 ５月 ６日出願公開、特開２０２１－ ７１４７２〕について、次のとおり審決する。

結 論 本件審判の請求は、成り立たない。

理 由 第１ 手続の経緯 本願は、令和２年４月１５日の特許出願（パリ条約による優先権主張、２０１９年１０月３０日、台湾）であって、その手続の経緯の概略は、次のとおりである。 令和３年 ５月２１日付け ：拒絶理由通知書 同年 ８月２７日 ：意見書及び手続補正書の提出 同年１１月３０日付け ：拒絶査定（以下「原査定」という。） （同年１２月 ７日 ：原査定の謄本の送達日） 令和４年 ２月２２日 ：拒絶査定不服審判の請求 第２ 本願発明 本願の請求項１～１１に係る発明は、令和３年８月２７日に提出された手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１～１１に記載された事項により特定されるとおりのものであると認められるところ、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次に特定されるとおりのものである。 「 【請求項１】 プローブカード装置であって、 互いに対向する第１の表面と第２の表面を有する薄膜基板、 互いに対向する第３の表面と第４の表面を有し、前記第３の表面は前記薄膜基板の前記第２の表面上に設けられ、前記薄膜基板に電気的に連結された第１の回路板、及び 前記薄膜基板の前記第１の表面上に設けられた複数のプローブであって、前記プローブと前記薄膜基板とは一体成形されている、複数のプローブ を含むプローブカード装置」 第３ 原査定の概要 原査定の本願発明に係る拒絶の理由２の概略は、次のとおりである。 本願発明は、下記の引用文献１に記載された発明及び下記の引用文献３～４に例示された周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。 記 引用文献１．国際公開第２０１７／１５０２３２号 引用文献３．特開平０７－３２１１６９号公報（周知技術を示す文献） 引用文献４．特開２００３－０５７３１０号公報（周知技術を示す文献） 第４ 当審の判断 １ 引用文献の記載事項並びに引用発明及び周知技術の認定等 (１) 引用文献１の記載事項及び引用発明の認定 ア 引用文献１の記載事項 原査定の拒絶の理由において引用する国際公開第２０１７／１５０２３２号（前記引用文献１）には、次の事項が記載されている。なお、下線は当審が付した。 「[0001] 本発明は、セラミック層を有する積層配線基板およびこの積層配線基板を用いたプローブカードに関する。」 「[0014] また、前記コア基板は、前記セラミック積層部における前記樹脂部側の面と対向する面に積層された樹脂積層部をさらに備え、前記樹脂積層部において、前記樹脂部側の面と対向する面が、前記コア基板の前記一方主面をなしていてもよい。この場合、例えば、樹脂積層部を微細な配線が可能なポリイミドなどの樹脂で形成することで、配線の細線化が容易になる。また、プローブカードは検査対象の半導体素子に何度も接触させるので、セラミック積層部に樹脂積層部を積層することで、その応力や衝撃を緩和させることができるため、積層配線基板の変形を防止することができる。」 「[0018] ＜第１実施形態＞ 本発明の一実施形態にかかるプローブカード１ａについて、図１、図２を参照して説明する。なお、図１はプローブカード１ａの断面図、図２は図１のプローブカード１ａに搭載される積層配線基板３ａの断面図である。 [0019] この実施形態にかかるプローブカード１ａは、図１に示すように、マザー基板２と、該マザー基板２の一方主面に実装された積層配線基板３ａと、一端が積層配線基板３ａに接続される複数のプローブピン５と、各プローブピン５を支持するプローブヘッド４と、プローブヘッド４および積層配線基板３ａを固定する固定具２４とを備え、例えば、半導体素子などの被検査物５０の電気検査に使用される。 [0020] マザー基板２は、一方主面に積層配線基板３ａを実装するための複数の実装電極６が形成される。ここで、各実装電極６は、マザー基板の内部に形成された配線電極（図示省略）や複数のビア導体（図示省略）により所定の外部電極（図示省略）に接続される。マザー基板２は、例えば、ガラスエポキシ樹脂などで形成されている。なお、各プローブピン５を保持するプローブヘッド４および、積層配線基板３ａは、固定具２４によりマザー基板に固定される。この実施形態の固定具２４は、端部がフランジ状に形成され、長さ方向と平行な方向の断面がＴ字状になっている。 [0021] 図２に示すように、積層配線基板３ａは、コア基板７と、コア基板７の側面および下面１２（マザー基板２側の主面、本発明における「コア基板の他方主面」に相当する）を被覆する樹脂部８と、樹脂部８の内部に配設された複数の金属ピン１１（本発明の「柱状導体」に相当する）とを備える。コア基板７は、マザー基板２側に配置されたセラミック積層部９と、該セラミック積層部９の上面１３（マザー基板２側の主面と反対側の主面）に積層された樹脂積層部１０とを有する。このとき、セラミック積層部９は、セラミック層９ａと配線層９ｂが交互に積層されて形成される。なお、各セラミック層９ａは、例えば、ホウケイ酸系ガラスを含有するセラミック（たとえば、アルミナ）を主成分とする低温同時焼成セラミック（ＬＴＣＣ）、高温焼成セラミック（ＨＴＣＣ）など、種々のセラミックで形成することができる。また、この実施形態では、セラミック積層部９が、３つのセラミック層９ａと２つの配線層９ｂとで形成されているが、これらの層数は適宜変更することができる。 [0022] セラミック積層部９の各配線層９ｂには、各種配線電極１４が形成されている。また、各セラミック層９ａには、異なる配線層９ｂに形成された配線電極１４同士を接続する複数のビア導体１５が形成される。各配線電極１４および各ビア導体１５はそれぞれ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ等の金属で形成される。各配線層９ｂに形成される各種配線電極１４は、例えば、上記金属（Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ等）を含有する導電性ペーストを用いたスクリーン印刷などで形成される。 [0023] 樹脂積層部１０は、複数の樹脂層１０ａの積層体からなり、セラミック積層部９の上面１３に積層される。ここで、樹脂積層部１０の上面１７（セラミック積層部９との対向面と反対側の主面）には、各プローブピン５が接続される複数の接続電極１８が形成される。なお、各接続電極１８は、例えば、Ｃｕ等で形成された下地電極と、該下地電極上にＮｉ／Ａｕめっきが施されてなる表面電極とでそれぞれ形成することができる。 [0024] 各樹脂層１０ａには、各種配線電極１９および複数のビア導体２０が形成される。この場合、各配線電極１９は、例えば、樹脂層１０ａの主面に、下地電極としてのＴｉ膜をスパッタ等により成膜し、同じくスパッタ等によりＴｉ膜上にＣｕ膜を成膜する。そして、Ｃｕ膜上に、電解または無電解めっきにより、同じくＣｕ膜を成膜することで形成することができる。なお、セラミック積層部９に形成された各配線電極１４は、スクリーン印刷などで形成されるため厚膜パターンとなるのに対して、樹脂積層部１０に形成された各配線電極１９は、スパッタ等で成膜されるため薄膜パターンとなる。また、樹脂積層部１０に形成された各配線電極１９は、フォトリソグラフィ加工で細線化される。 [0025] 各接続電極１８は、マザー基板２の他方主面に形成された複数の外部電極（図示省略）にそれぞれ電気的に接続される。具体的には、図１および図２に示すように、各接続電極１８は、それぞれ、樹脂積層部１０に形成された各配線電極１９および各ビア導体２０、セラミック積層部９に形成された各配線電極１４および各ビア導体１５、マザー基板２に形成された配線電極（図示省略）およびビア導体（図示省略）等を介して所定の各外部電極（図示省略）に接続される。」 「[0033] さらに、コア基板７に樹脂積層部１０を設けることで、配線の細線化が容易になるため、端子ピッチが狭い半導体素子の電気検査に対応可能な積層配線基板３ａを提供することができる。また、セラミック積層部９の下面１２、上面１３に樹脂部８および樹脂積層部１０を積層することで、樹脂部８および樹脂積層部１０をプローブカード使用時の物理的接触による応力や衝撃を緩和する材料として機能させることができる。したがって、セラミック積層部９の変形や破損を低減し、積層配線基板３ａの耐久性の向上を図ることができるとともに、各配線電極１４の断線を低減することができる」 「［図１］ ［図：0001394830000001.jpg］ 」 「[図２] ［図：0001394830000002.jpg］ 」 イ 段落[0025]の記載及び図２から認識できる事項の認定 段落[0025]の記載及び図２から、セラミック積層部９の各ビア導体１５は樹脂積層部１０の各ビア導体２０に電気的に接続されていること、すなわち、セラミック積層部９は樹脂積層部１０に電気的に接続されていることがわかる。 ウ 引用発明の認定 前記アの引用文献１の記載事項及び前記イの段落[0025]の記載及び図２から認識できる事項を総合すると、引用文献１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。 ［引用発明］ 「 積層配線基板３ａと、一端が積層配線基板３ａに接続される複数のプローブピン５を備えるプローブカード１ａであって、（[0019]） 積層配線基板３ａは、セラミック積層部９と、該セラミック積層部９の上面１３に積層された樹脂積層部１０を有するコア基板７を備え、（[0021]） 樹脂積層部１０の上面１７には、各プローブピン５が接続される複数の接続電極１８が形成され、（[0023]） セラミック積層部９は樹脂積層部１０に電気的に接続されている、（[0025]、図２） プローブカード１ａ（[0019]）。」 (２) 引用文献３、５、６の記載事項と周知技術の認定 ア 引用文献３の記載事項 原査定の拒絶の理由において、周知技術を示す文献として引用された特開平０７－３２１１６９号公報（前記引用文献３）には、次の事項が記載されている。なお、下線は当審が付した。 「【０００１】 【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子が形成されたダイシング前のウエハやダイシング後のベアダイ、あるいは、これらのパッド上に板状、半球状のハンダボールが形成されたもの等の、微細な被検査体に対する電気的諸特性の測定、あるいは高温下で行われるバーンインテスト等に有用なプローブ構造に関し、特に被検査体との接点部がバンプであるものに関する。」 「【０００７】 【実施例】以下、実施例を挙げて、本発明をさらに詳細に説明する。図１は本発明のプローブ構造の一実施例を示す断面図である。同図に示すように、該プローブ構造は、絶縁性基板１の一方の面側１ａに接点部２が形成され、該絶縁性基板１の他方の面側１ｂに導電性回路３が形成され、接点部２と導電性回路３とが、該絶縁性基板１の厚み方向に設けられた貫通孔４の内部に形成された導通路５を介して導通される構造であって、さらに、接点部２が、各硬度・性質を以下に説明するものであるような、深層２ｃ・中層２ｂ・表層２ａを有するものである。（ただし、同図は、接点部２と導通路５とが同じ材料で一体的に形成された場合の例を示す図である。） 【０００８】絶縁性基板の材料としては、絶縁性を有するものであれば特に限定されないが、絶縁性と共に可撓性を有するものが好ましく、ポリエステル系樹脂、エポキシ系樹脂、ウレタン系樹脂、ポリスチレン系樹脂、ポリエチレン系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂、アクリロニトリル－ブタジエン－スチレン（ＡＢＳ）共重合体樹脂、ポリカーボネート系樹脂、シリコーン系樹脂、フッ素系樹脂等の熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂が挙げられる。これらのうち、耐熱性および機械的強度に優れ、また被検査体の線膨張率と合致させられる等の点から、ポリイミド系樹脂が特に好適に使用される。絶縁性基板の厚さは、特に限定されないが、十分な機械的強度や可撓性を有するようにするため、２～５００μｍ、好ましくは５～１５０μｍ、さらに好ましくは８～１５０μｍ、最も好ましくは１０～１５０μｍに設定するのがよい。 【０００９】導電性回路は、導体・半導体によって形成された回路パターンの他に、接点部、コイル、抵抗体、コンデンサ等の回路を構成する要素を包含する。導電性回路の材料としては導体・半導体を問わず導電性を有するものであれば特に限定されないが、公知の良導体金属が好ましい。例えば、金、銀、銅、白金、鉛、錫、ニッケル、コバルト、インジウム、ロジウム、クロム、タングステン、ルテニウム等の単独金属、またはこれらを成分とする各種合金、例えば、半田、ニッケル－錫、金－コバルト等が挙げられる。導電性回路の厚さは特に限定されないが、電路としての抵抗値を小さくする点から１μｍ以上が好ましく、化学エッチング等による加工性の点から２００μｍ以下が好ましい。これらの範囲内では特に５～５０μｍに設定するのが良い。」 「【００１４】接点部は深層、中層、表層の３層を有する。また、深層と導通路とは、同一材料で一体的に形成されるものであってよい。深層は、硬度が３００Ｈｋ以上、７００Ｈｋ以下の導体であることを特徴とする。硬度３００Ｈｋ未満では接点部が接触対象物に当接し圧力がかけられた際に変形しやすく、また、硬度７００Ｈｋを上回るとクラックが発生しやすくなる。深層の硬度のさらに好ましい範囲は、４５０～６００Ｈｋであり、特に好ましくは５５０～６００Ｈｋである。このような材料としては、特に限定はされないが、公知のバンプに用いられる安価な良導体金属が好ましいものであり、ニッケル、ニッケル・スズ合金、ニッケル・パラジウム合金等が例示される。また、深層と導通路とは、同一材料で一体的に形成されて導電性回路と接続される場合が多い。このような場合、深層を形成する材料は、導電性回路を形成する材料に対して、結晶学的に整合性を有し、密着が良く、拡散しにくいものであることが好ましい。例えば、導電性回路の材料が銅である場合、これに対する深層の材料は、ニッケルやニッケル合金が好ましい組み合わせとなる。硬度の調整方法は、絶縁性基板に熱によるダメージを与えない点から、合金化や有機物の添加によって調整することが好ましい。」 「【００１９】本発明のプローブ構造は単独でもプローブとしての機能を有するが、以下に示す様に、多層配線板との接合によって高機能なプローブカードを構成する。図４は、該プローブカードの構造の一例を模式的に示す図である。同図に示すように、該プローブカードは、本発明のプローブ構造Ａと多層配線板Ｂとが機械的、電気的に接合されてなるものであり、該プローブ構造Ａは、多層配線板Ｂに対してストローク動作が可能なように該多層配線板Ｂ上に弾性体６を介して接合され、プローブ構造Ａの導電性回路３と多層配線板Ｂの導電性回路７とが、上記ストローク動作を妨げないように接合されてなるものである。同図では、導電性回路３と導電性回路７との接続は、導電性回路３が延長されて絶縁性基板の端部から突き出し、多層配線板Ｂの表面までなだらかに屈曲し、多層配線板Ｂの表面に設けられた端子８に接合されることで行われている。該端子８は、プローブ構造Ａの導通路と同様の構造によって多層配線板Ｂの下層に設けられた導電性回路７と導通し、外部の接続用機器等に接続される。」 「【図１】 ［図：0001394830000003.jpg］ 」 「【図４】 ［図：0001394830000004.jpg］ 」 イ 引用文献５の記載事項 当審が新たに引用する、本願の優先日より前に発行された特開平７－５５８３９号公報には、次の事項が記載されている。なお、下線は当審が付した。 「【０００２】 【従来の技術】近年、半導体基板などの製造技術の発展がめざましく、それに伴いＩＣ配線の微細パターン化が進み、このような微細パターンのＩＣを搭載する半導体装置も年々増加している。通常、このような半導体装置は導通検査などを行う必要があり、針式のメカニカルプローブやメンブレン型プローブなどが用いられている。 【０００３】メカニカルプローブは、接触用針によって一か所ずつ検査を行うものであるが、パターンの微細化に伴い、メカニカルプローブでは検査時の位置合わせが困難であること、および位置合わせ時にパターンを損傷するおそれがあることから、複数箇所を一括して検査することができるメンブレン型プローブが注目されている（例えば特開平３－２３７３６９号公報、特開平３－２９３５６６号公報など参照）。 【０００４】メンブレン型プローブは、触針用の金属突出物（以下「バンプ」という。）を有するフィルム状回路基板であって、絶縁性フィルムと導電層との積層構造体における絶縁性フィルムに貫通孔を穿設し、この貫通孔に金属物質を充填し、さらに半球状（ドーム状）にバンプを形成した構造のものである。」 「【００２２】図１は、本発明のプローブ構造の第１の実施例を示す断面図である。図１に示されるプローブ構造Ｐ１において、絶縁性基材１内には、回路配線であるリード２が埋設されており、このリード２は図示しない試験機器（テスター）に接続されている。リード２は、導通路４によって被検査体の回路パターンや半導体素子上の電極端子と電気的に接続され、所定の機能を有するか否かを導通検査できるように、所望の線状パターンにて配線される。」 「【００２６】上記絶縁性基材１の形成材料としては、電気絶縁特性を有するものであり、適度な可撓性を有するものであれば特に限定されない。具体的には、ポリエステル系樹脂、エポキシ系樹脂、ウレタン系樹脂、ポリスチレン系樹脂、ポリエチレン系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂、アクリロニトリル－ブタジエン－スチレン（ＡＢＳ）共重合体樹脂、ポリカーボネート系樹脂、シリコーン系樹脂、フッ素系樹脂などの熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂が挙げられる。これらの樹脂うち、導通検査の際の位置合わせの容易性の点から、透光性を有するものが好ましく、さらに、耐熱性および機械的強度の点から、ポリイミド系樹脂が特に好適に使用される。 【００２７】絶縁性基材１の厚さは、特に限定されないが、十分な機械的強度や可撓性を有するようにするため、５～５００μｍ、好ましくは５～１５０μｍに設定する。 【００２８】リード２、バンプ３および導通路４を構成する形成材料としては、導電性を有するものであれば特に限定されず、公知の金属材料が使用できるが、例えば金、銀、銅、白金、鉛、錫、ニッケル、コバルト、インジウム、ロジウム、クロム、タングステン、ルテニウムなどの単独金属、またはこれらを成分とする各種合金、例えば、半田、ニッケル－錫、金－コバルトなどが挙げられる。なお、通常、被検査体の端子である電極上の酸化物層や配線パターン上の絶縁層を破壊することができるように、硬質で酸化しにくく、かつ電気抵抗の低い金属、例えば、ロジウム、ルテニウム、白金などの貴金属が好適に用いられる。」 「【００３０】導通路４を構成する形成材料は、バンプ３を構成する形成材料と同一の物質または別の物質のいずれであってもよいが、通常は同一の物質を使用し、またこの場合、バンプ３と導通路４とを一体的に形成することが製造上好ましい。」 「【００３７】図４は、本発明のプローブ構造の第４の実施例を示す断面図である。図４に示されるプローブ構造Ｐ４において注目すべきは、回路配線であるリードが多層構造を成し、バンプ３が密接して形成されている点である。すなわち、第１層目の第１リード２ａ、第２層目の第２リード２ｂおよび第３層目の第３リード２ｃには、それぞれ第１導通路４ａ、第２導通路４ｂおよび第３導通路４ｃが接続され、各導通路４ａ，４ｂ，４ｃの先端にはバンプ３が形成されている。」 「【図１】 ［図：0001394830000005.jpg］ 」 「【図４】 ［図：0001394830000006.jpg］ 」 ウ 引用文献６の記載事項 当審が新たに引用する、本願の優先日より前に発行された特開平７－６３７８６号公報には、次の事項が記載されている。なお、下線は当審が付した。 「【００２２】図１は、本発明のプローブ構造の第１の実施例を示す断面図である。図１に示されるプローブ構造Ｐ１において、絶縁性基材１内には、回路配線であるリード２が埋設されており、このリード２は図示しない試験機器（テスター）に接続されている。リード２は、導通路４によって被検査体の回路パターンや半導体素子上の電極端子と電気的に接続され、所定の機能を有するか否かを導通検査できるように、所望の線状パターンにて配線される。 【００２３】上記リード２の面方向における領域内、またはその近傍領域には、絶縁性基材１を厚み方向に貫通する円柱状の導通路４が形成されており、この導通路４の先端には、絶縁性基材１の一方面１ａよりも外方向へ突出させたバンプ３が形成されている。このバンプ３は、被検査体である例えば半導体素子の電極に接触する接点部位置に形成されている。上記バンプ３の形状は、特に限定されないが、半導体素子、電気回路、電気回路部品などの被検査体と確実に接触させるためには、図示するようなマッシュルーム形状とすることが好ましい。」 「【００２９】柔軟性を有する絶縁基材１およびカバーコート３の材質としては、バンプ４を安定して支持し、電気絶縁特性を有するものであれば特に限定されない。具体的には、例えばポリイミド、エポキシ樹脂、ポリエーテルイミド、ポリスルフォン、ベンゾサイクロブテン（ＢＣＢＤｏｗ Ｃｈｅｍｉｃａｌ社製）、ポリエステル、フロロカーボン、ポリウレタン、ポリアミド、ポリカーボネート、などの有機高分子材料を用いることができる。これらのうち、耐熱性および機械的強度に優れるポリイミドが特に好適に使用される。 【００３０】絶縁基材１およびカバーコート３の厚さは、特に限定されないが、十分な機械的強度や可撓性を有するようにするため、２～２００μｍ、好ましくは５～１００μｍに設定する。 【００３１】第１導電性配線２の材質としては、銅の他に、Ａｕ，Ａｇ，Ｂｅ，Ｍｏ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｗ，Ｔｉ，Ｉｎ，Ｚｎ，Ａｌ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ｐｔ，Ｐｄなどの金属またはこれらの合金を使用することができる。」 「【００３７】バンプ４は、上記のようにして、貫通孔３ａを穿設した後、貫通孔３ａの底面に露出する第１導電性配線２を電極として、第１導電性配線２より電流を供給して、電解メッキを行うことによって、形成される。電解メッキを施すことによって、貫通孔３ａ内には金属が充填されて、導通路が形成され、さらにメッキを成長させることによって、リベット状の接続端子であるバンプ４が形成される。」 「【図１】 ［図：0001394830000007.jpg］ 」 エ 周知技術の認定 前記ウで摘記した引用文献６における、電解メッキを施すことによって形成された導通路及びさらにメッキを成長させることによって形成されるバンプ（【００３７】）は、一体的に形成されたものといえる。 そうすると、前記ア～ウにおいて引用文献３、５、６の記載を摘記して例示したように、次の技術事項は、周知技術（以下「周知技術」という。）であると認められる。 ［周知技術］ 「薄膜基板の金属層上に一体的に形成された導通路とバンプ接点を有するプローブ構造。」 ２ 対比 (１) 対比分析 本願発明と引用発明を対比する。 ア 次の引用発明の欄に記載した引用発明の各構成は、それぞれ、対応する本願発明の欄に記載した次の本願発明の構成に相当する。 ＜引用発明＞ ＜本願発明＞ プローブカード１ａ プローブカード装置 樹脂積層部１０ 薄膜基板 セラミック積層部９ 第１の回路板 プローブピン５ プローブ イ 引用発明の「樹脂積層部１０」が互いに対向する二つの面を有していることは明らかであり、これは本願発明１の「互いに対向する第１の表面と第２の表面を有する」ことに相当するから、前記アを踏まえると、引用発明と本願発明は「互いに対向する第１の表面と第２の表面を有する薄膜基板」を含む点で一致する。 ウ(ア) 引用発明の「セラミック積層部９」が互いに対向する二つの面を有していることは明らかであり、このことは、本願発明の「互いに対向する第３の表面と第４の表面を有[する]」ことに相当する。 (イ) 引用発明において「樹脂積層部１０」が「セラミック積層部９の上面１３に積層され[ている]」ことは、本願発明において「前記第３の表面は前記薄膜基板の前記第２の表面上に設けられ[ている]」ことに相当する。 (ウ) 引用発明において「セラミック積層部９は樹脂積層部１０に電気的に接続されている」ことは、本願発明において「第１の回路板」が「前記薄膜基板に電気的に連結され[ている]」ことに相当する。 (エ) 前記(ア)から(ウ)の検討結果を前記アを踏まえつつまとめると、引用発明と本願発明は「互いに対向する第３の表面と第４の表面を有し、前記第３の表面は前記薄膜基板の前記第２の表面上に設けられ、前記薄膜基板に電気的に連結された第１の回路板」を含む点で一致する。 エ 引用発明において「樹脂積層部１０の上面１７には、各プローブピン５が接続される複数の接続電極１８が形成され[ている]」ことから、「各プローブピン５」が樹脂積層部１０の上面に形成されている複数の接続電極１８に接続されていることは明らかであり、このことは、本願発明において「複数のプローブ」が「前記薄膜基板の前記第１の表面上に設けられ[ている]」ことに相当する。よって、前記アを踏まえると、引用発明と本願発明は「前記薄膜基板の前記第１の表面上に設けられた複数のプローブ」を含む点で一致する。 (２) 一致点及び相違点の認定 上記(１)の対比分析の検討結果をまとめると、本願発明と引用発明は、以下の一致点において一致し、以下の相違点において相違する。 ア 一致点 「 プローブカード装置であって、 互いに対向する第１の表面と第２の表面を有する薄膜基板、 互いに対向する第３の表面と第４の表面を有し、前記第３の表面は前記薄膜基板の前記第２の表面上に設けられ、前記薄膜基板に電気的に連結された第１の回路板、及び 前記薄膜基板の前記第１の表面上に設けられた複数のプローブ を含むプローブカード装置」である点。 イ 相違点 本願発明においては、「前記プローブと前記薄膜基板とは一体成形されている」とされているのに対し、引用発明では「樹脂積層部１０の上面１７には、各プローブピン５が接続される複数の接続電極１８が形成され［ている］」ものの、当該接続電極１８と各プローブピン５が一体成形されるとはされていない点。 ３ 判断 (１) 相違点について 前記１(２)エにおいて周知技術として認定したとおり、「薄膜基板の金属層上に一体的に形成された導通路とバンプ接点を有するプローブ構造。」は、周知のものであり、例えば針式のメカニカルプローブや当該周知技術など周知のプローブ構造の中からいずれを選択するかは、検査対象の形状や端子密度などに応じて当業者が適宜選択すべき設計事項である。 したがって、引用発明の「各プローブピン５」に代えて、前記周知技術のようなプローブ構造を採用することは、当業者が容易に想到し得たものである。そして、引用発明において、樹脂積層部に導通路とバンプ接点を一体的に形成すれば、樹脂積層部とバンプ接点、すなわちプローブは一体的に形成、すなわち一体成形されることとなる。 そして、本願発明の奏する効果は、引用発明及び周知技術から予測される範囲内のものにすぎず、格別顕著なものということはできない。 したがって、本願発明は、引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易になし得たものである。 (２) 請求人の主張について ア 請求人の主張内容 審判請求書において、請求人は次の(ア)～(ウ)の主張をしている。 (ア) 請求人の主張１～本願発明と引用発明の相違 本願発明に係るプローブカード装置は、複数のプローブと薄膜基板とが一体成形されているという特徴を有している。「一体成形」との語は、広義には「強度や耐久性を高めるために、複数の部品を一体として成形する方法」を指すものであるが、本願発明において「複数のプローブと薄膜基板とが一体成形されている」とは、とりわけ、プローブが、薄膜基板内の金属層上に「直接に」形成されて、薄膜基板内の金属層にしっかりと固定されていることを意味するものである。 引用文献１に記載のプローブカードにおけるプローブピン５は、積層配線基板３ａの最上部にあたる樹脂積層部１０の上面１７に形成された接続電極１８に単に接続されており、本願発明におけるプローブのように、薄膜基板内の金属層上に「直接に」形成されて、薄膜基板内の金属層にしっかりと固定されてはいない。また、上記のように積層配線基板３ａの上面１７に形成された接続電極１８に単に接続する引用文献１の発明におけるプローブの接続態様は、本願発明の「一体成形」と比較して脆弱であるため、引用文献１に記載の発明では、従来装置の固定用ニードルベースに類似する機能を有するプローブヘッド４を用いて、各プローブピン５を積層配線基板３ａに対して支持することが必要となっている。 引用文献１に記載の発明は、少なくとも、「複数のプローブと薄膜基板とが一体成形されている」という特徴を備えていない点で、本願発明とは異なる。また、プローブ５を、積層配線基板３ａの上面１７に形成された接続電極１８への接続と、プローブヘッド４による支持との組合せで保持する引用文献１に記載の構成を、上記特徴を有する本願発明のプローブカード装置の構成に変更することは、引用文献１の記載から、本願出願前に当業者が容易に想到できたことであるとはいえない。 したがって、本願発明は、引用文献１に記載された発明に対して新規性及び進歩性を有する。 (イ) 請求人の主張２～本願発明は引用発明と引用文献３に記載された事項からは容易に想到し得ないこと 引用文献３における「絶縁性基板１」は内部に金属層を含まず、また、「接点部２と導通路５とが同じ材料で一体的に形成された」ものは、「絶縁性基板１」を貫通して、「絶縁性基板１」の下面側に形成された「導電性回路３」に接続されている。したがって、引用文献３に記載された発明における「接点部２と導通路５とが同じ材料で一体的に形成された」ものと「絶縁性基板１」とは、本願発明でいうところの「一体成形」された関係にはなく（すなわち、「接点部２と導通路５とが同じ材料で一体的に形成された」ものが、「絶縁性基板１」内に含まれる金属層上に「直接に」形成されて、「絶縁性基板１」内の金属層にしっかりと固定されているような関係にはなく）、引用文献３に記載された発明は、本願発明の特徴を有していない。 引用文献１に記載されたプローブ構造は、プローブピン５が、積層配線基板３ａの上面１７に形成された接続電極１８に接続される構成を採用しているところ、引用文献３に記載されたプローブ構造は、「接点部２と導通路５とが同じ材料で一体的に形成された」ものが、絶縁性基板１を貫通して、絶縁性基板１の下面側に形成された導電性回路３に接続される構成を採用しており、両者の設計思想は根本的に異なり、当業者は、引用文献３の教示内容を、主引例である引用文献１に記載された発明に適用しようとは考えない。 (ウ) 請求人の主張３～補正案の提示 次の補正案（下線は、補正箇所を示す。）により特許することが可能である場合には、補正の機会を付与することを要請する。 ＜補正案＞ 「プローブカード装置であって、 互いに対向する第１の表面と第２の表面を有する薄膜基板であって、内部金属層を含む薄膜基板、 互いに対向する第３の表面と第４の表面を有し、前記第３の表面は前記薄膜基板の前記第２の表面上に設けられ、前記薄膜基板に電気的に連結された第１の回路板、及び 前記薄膜基板の前記第１の表面側に設けられた複数のプローブであって、前記プローブと前記薄膜基板とは、前記プローブが前記薄膜基板の前記内部金属層上に直接に形成されて一体成形されている、複数のプローブを含むプローブカード装置。」 イ 請求人の主張についての検討 (ア) 請求人の主張１についての検討 本願請求項１の「一体成形」なる表記の示す意味は、請求人も前記ア(ア)の主張１において広義の意味であると認めているように、「強度や耐久性を高めるために、複数の部品を一体として成形する方法」と解されるべきものであって、請求人が主張するように「一体成形」が、「プローブが、薄膜基板内の金属層上に「直接に」形成されて、薄膜基板内の金属層にしっかりと固定されていること」を意味すると解すべき理由はない。 そして、前記１(２)エにおいて周知技術として認定したとおり、「薄膜基板の金属層上に一体的に形成された導通路とバンプ接点を有するプローブ構造。」は、周知のものである。したがって、前記(１)において検討したとおり、引用発明の「各プローブピン５」に代えて、前記周知のプローブ構造を採用し、相違点に係る構成を有するようにすることは、当業者が容易に想到し得たものである。 以上より、請求人の主張１は採用することはできない。 (イ) 請求人の主張２についての検討 請求人が主張２において主張する、引用文献３に記載された発明は本願発明の「一体成形」との特徴を有しない旨の主張は、本願発明の「一体成形」を「プローブが、薄膜基板内の金属層上に直接に成されて、薄膜基板内の金属層にしっかりと固定されていることを意味する」と解した上での主張と考えられるが、そのように解すべき理由はないことは前記(ア)に記載したとおりであるから、請求人の当該主張は採用できない。 また、請求人は主張２において、引用文献１に記載されたプローブ構造と、引用文献３に記載されたプローブ構造は設計思想が根本的に異なるものであるから、当業者はこれらの間での適用を考えない、と主張している。しかしながら、両者（及び前記周知技術のプローブ構造）は、いずれも電気的試験に用いられる、試験対象に接触して導通を実現するための接触端子構造であって、その用途は共通とするものであり、いずれも周知のプローブ構造であるところ、周知のプローブ構造の中からいずれを選択するかは、検査対象の形状や端子密度などに応じて当業者が適宜選択すべき設計事項であることは前記(１)で検討したとおりであるから、プローブ構造自体が相違するからといって、当業者がその適用を想到することに阻害要因があるとは認められない。 してみれば、前記１(２)エにおいて周知技術として認定したとおり、「薄膜基板の金属層上に一体的に形成された導通路とバンプ接点を有するプローブ構造。」は、周知のものであるから、前記(１)において検討したとおり、引用発明の「各プローブピン５」に代えて、当該周知のプローブ構造を採用することは、当業者が容易に想到し得たものである。 以上のとおりであるから、前記請求人の主張２は、採用することができない。 (ウ) 請求人の主張３についての検討 請求人の提示する補正案で特定されているような、薄膜基板の内部金属層上に一体的に形成された導通路とバンプ接点を有するプローブ構造も、引用文献５及び引用文献６に例示されるように周知技術である。したがって、当該補正案に示されたプローブカード装置も、引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に想到し得たものである。 したがって、請求人の提示した補正案により特許することはできないから、補正案は受け入れることができない。 第５ むすび 以上検討のとおり、本願発明は、引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により、特許を受けることができない。 したがって、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。 よって、結論のとおり審決する。