2024-016748

特願２０２０－１８８２０２「寿命診断装置、半導体装置、寿命診断方法、」拒絶査定不服審判事件〔令和 ４年 ５月２３日出願公開、特開２０２２－ ７７３７３〕について、次のとおり審決する。

結 論 本件審判の請求は、成り立たない。

理 由 第１ 手続の経緯 本願は、令和２年１１月１１日の特許出願であって、その手続の経緯の概略は、次のとおりである。 令和６年 ６月１３日付け：拒絶理由通知書 同年 ８月１４日 ：意見書、手続補正書の提出 同月２２日付け：拒絶査定（以下「原査定」という。） （同月２７日 ：原査定の謄本の送達） 同年 １０月２１日 ：審判請求書、手続補正書の提出 第２ 令和６年１０月２１日にされた手続補正についての補正の却下の決定 ［補正の却下の決定の結論］ 令和６年１０月２１日にされた手続補正を却下する。 ［補正の却下の決定の理由］ １ 補正の内容 令和６年１０月２１日にされた手続補正（以下「本件補正」という。）は、特許請求の範囲の補正を含むものであり、本件補正により、次の(１)に示す本件補正前（令和６年８月１４日にされた手続補正後のものをいう。以下同じ。）の特許請求の範囲の請求項９の記載は、後記(２)に示す本件補正後の特許請求の範囲の請求項９の記載に補正された。下線は補正箇所を示す。 (１) 本件補正前 「 【請求項９】 寿命診断装置により実行される寿命診断方法であって、 半導体装置に搭載されるパワー半導体素子の内部の温度を取得する温度取得ステップと、 前記温度取得ステップで取得される温度の変化に基づき、前記パワー半導体素子の動作に伴う前記温度の上昇及び下降で構成される温度サイクルを検出する温度サイクル検出ステップと、 前記温度サイクルで生じる前記温度の上昇及び下降の変化幅に相当する温度差と前記パワー半導体素子の寿命との対応関係を示す特性データ、及び前記温度サイクル検出ステップで検出される前記温度サイクルごとの前記温度差に基づき、前記パワー半導体素子の寿命に関する診断を行う寿命診断ステップと、を含み、 前記特性データは、所定の曲線に相当する、前記温度差と前記寿命との対応関係を表す数式を規定するデータを含む、 寿命診断方法。」 (２) 本件補正後 「 【請求項９】 寿命診断装置により実行される寿命診断方法であって、 半導体装置に搭載されるパワー半導体素子の内部の温度を取得する温度取得ステップと、 前記温度取得ステップで取得される温度の変化に基づき、前記パワー半導体素子の動作に伴う前記温度の上昇及び下降で構成される温度サイクルを検出する温度サイクル検出ステップと、 前記温度サイクルで生じる前記温度の上昇及び下降の変化幅に相当する温度差と前記パワー半導体素子の寿命との対応関係を示す特性データ、及び前記温度サイクル検出ステップで検出される前記温度サイクルごとの前記温度差に基づき、前記パワー半導体素子の寿命に関する診断を行う寿命診断ステップと、を含み、 前記特性データは、所定の曲線に相当する、前記温度差から前記寿命を表す指標値を算出する数式を規定するデータを含む、 寿命診断方法。」 ２ 補正の目的 本件補正のうち請求項９についてする補正は、本件補正前の請求項９に記載された「特性データ」について、「所定の曲線に相当する、前記温度差と前記寿命との対応関係を表す数式を規定するデータを含む」ものから「所定の曲線に相当する、前記温度差から前記寿命を表す指標値を算出する数式を規定するデータを含む」ものへと限定するものである。 そして、本件補正前の請求項９に記載された発明と本件補正後の請求項９に記載される発明は、産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一である。 したがって、本件補正により請求項９についてする補正は、特許法１７条の２第５項２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正に該当する。 ３ 独立特許要件の判断 本件補正は、前記２のとおり、特許法１７条の２第５項２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正に該当するから、本件補正後の請求項１９に記載されている事項により特定される発明（以下「本件補正発明」という。）が、同法１７条の２第６項において準用する同法１２６条７項の規定に適合するか、すなわち、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかについて、以下検討する。 (１) 本件補正発明 ア 本件補正発明の認定と分説 本件補正発明は、前記１(２)に摘記した本件補正後の請求項９に記載された事項により特定されるとおりのものと認める。 ここで、検討の便宜上、本件補正発明の構成を次のとおり構成Ｘと構成Ａから構成Ｃまでに分説する。また、参考図として、本願の【図３】を掲載する。 ＜本件補正発明の分説＞ Ｘ 寿命診断装置により実行される寿命診断方法であって、 Ａ 半導体装置に搭載されるパワー半導体素子の内部の温度を取得する温度取得ステップと、 Ｂ 前記温度取得ステップで取得される温度の変化に基づき、前記パワー半導体素子の動作に伴う前記温度の上昇及び下降で構成される温度サイクルを検出する温度サイクル検出ステップと、 Ｃ 前記温度サイクルで生じる前記温度の上昇及び下降の変化幅に相当する温度差と前記パワー半導体素子の寿命との対応関係を示す特性データ、及び前記温度サイクル検出ステップで検出される前記温度サイクルごとの前記温度差に基づき、前記パワー半導体素子の寿命に関する診断を行う寿命診断ステップと、を含み、 Ｄ 前記特性データは、所定の曲線に相当する、前記温度差から前記寿命を表す指標値を算出する数式を規定するデータを含む、 Ｘ 寿命診断方法。 ＜参考図＞ 【図３】 ［図：0001435738000001.jpg］ （審決注：「波形計数部８０４」は「温度サイクル検出部」の一例（段落【００５７】）であり、「寿命積算部８０７」は「寿命診断部」の一例（段落【００６３】）である。） イ 課題・作用効果等に関連する明細書の発明の詳細な説明の記載 本願明細書の発明の詳細な説明の記載のうち、発明が解決しようとする課題及び作用効果等に関連する記載を抜粋すると、次の記載がある。 「【技術分野】 【０００１】 本開示は、寿命診断装置等に関する。 【背景技術】 【０００２】 従来、パワー半導体素子の温度の上昇及び下降のサイクル（以下、「温度サイクル」）を計数（検出）し、温度サイクルごとの温度差と、パワー半導体素子の寿命特性データとに基づき、パワー半導体素子の寿命に関する診断を行う技術が知られている。 【０００３】 例えば、特許文献１では、複数の直線で近似されるパワーサイクル寿命カーブ（寿命特性データ）に基づき、パワー半導体素子の寿命に関する診断を行う技術が開示されている。これにより、複数の領域ごとに直線の傾き及び切片のデータだけを保持すればよく、パワーサイクル試験によって得られる実特性のデータを用いる場合等よりも、寿命特性データのデータ量を相対的に小さくすることができる。 【先行技術文献】 【特許文献】 【０００４】 【特許文献２】２０１１－１９６７０３号公報 【発明の概要】 【発明が解決しようとする課題】 【０００５】 しかしながら、半導体装置には、複数の種類のパワー半導体素子が搭載される場合がある。また、同装置内の同じ種類のパワー半導体素子であっても、使用条件が異なる場合がある。そのため、半導体装置には、パワー半導体素子の種類や使用条件等に応じた複数の寿命特性データが格納される場合がある。よって、対象のパワー半導体素子の寿命を予測するための寿命特性データのデータ量が増大し、予め準備される記憶領域に収容できない可能性がある。 【０００６】 そこで、上記課題に鑑み、パワー半導体素子の寿命に関する診断のために必要なデータのデータ量をより削減することが可能な技術を提供することを目的とする。」 【発明の効果】 【００１０】 上述の実施形態によれば、パワー半導体素子の寿命に関する診断のために必要なデータのデータ量をより削減することができる。」 「 【０１１９】 これに対して、本実施形態では、制御回路８０は、所定の曲線に相当する数式によって表されるパワーサイクル特性データを使用する。そのため、制御回路８０は、例えば、プログラムに数式の形式が規定されることで、パワーサイクル特性データとして、その数式の係数の値を表すデータを保持するだけでよく、パワーサイクル特性データのデータ量を相対的に小さく抑制することができる。」 (２) 引用文献１の記載事項及び引用発明の認定 ア 引用文献１に記載された事項 原査定の拒絶の理由において引用された、本願の出願前に発行された文献である特開平１０－０３８９６０号公報（以下「引用文献１」という。）には、次の記載がある（なお、当合議体により、後記イの引用発明の認定に直接用いる記載に下線を付した。）。 (ア) 特許請求の範囲 「【請求項１】 電流制御を行うパワー半導体素子おいて（「において」の誤記と認める。）、前記電流制御による電流変化に基づくパワー半導体素子の温度変化を一サイクルとし、パワー半導体素子の温度情報を求める工程と、前記温度変化の温度差を一定とする動作における温度差に対する動作可能サイクル数の関係に基づいて、前記求めた温度情報に対応した温度差からパワー半導体素子の動作可能サイクル数を求める工程とを備え、前記求めた動作可能サイクル数によってパワー半導体素子の故障を推定することを特徴とするパワー半導体素子の熱的ストレスによる故障予測方法。」 (イ) 【０００１】～【００１０】 「【０００１】 【発明の属する技術分野】本発明は、モータ駆動装置等に使用するパワー半導体素子に関し、特にパワー半導体素子の電気的接続部分の熱的ストレスによる故障を予測する方法に関する。 …（中略）… 【０００８】 そこで、本発明は前記した従来のパワー半導体素子の持つ問題点を解決して、熱的ストレスによるパワー半導体素子の故障を予測することを目的とする。 【０００９】 【課題を解決するための手段】本発明のパワー半導体素子の熱的ストレスによる故障の予測方法は、パワー半導体素子により電流制御による電流変化に基づく温度変化において、該温度変化の温度差とパワー半導体素子の動作可能サイクル数との間にある所定の関係を利用するものである。該所定の関係は、電流制御による電流変化に基づくパワー半導体素子の温度変化を一サイクルとしたとき、パワー半導体素子の温度差の対数表示とパワー半導体素子の動作可能サイクル数の対数表示との間の比例関係である。この比例関係に基づいて、温度差から動作可能サイクル数を求めることができ、動作中のパワー半導体素子において、動作したサイクル数の積算数を求めることによって、該パワー半導体素子の寿命を推定し、故障時期を予測することができる。 【００１０】本発明の方法は、電流制御を行うパワー半導体素子おいて（「において」の誤記と認める。）、電流制御による電流変化に基づくパワー半導体素子の温度変化を一サイクルとし、パワー半導体素子の温度情報を求め、温度変化の温度差を一定とする動作における温度差に対する動作可能サイクル数の関係に基づいて、求めた温度情報に対応した温度差からパワー半導体素子の動作可能サイクル数を求める、求めた動作可能サイクル数によってパワー半導体素子の故障を推定する（請求項１対応）。」 (ウ) 【００１９】～【００３０】、図１～４ 「【００１９】 【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図を参照しながら詳細に説明する。図1は本発明の方法を実施するための一構成例を説明するための概略ブロック図である。なお、図1に示すブロック図は、本発明の方法を数値制御装置に適用する場合について示し、数値制御装置によってパワー半導体素子を制御してサーボモータの制御を行う場合において、該パワー半導体素子の熱的ストレスによる故障予測を行う。 【００２０】図１に示す構成は、通常の数値制御装置とほぼ同様の構成であり、バス７を介してＣＰＵ１と接続される軸制御回路５によって、サーボアンプ６を制御してサーボモータの駆動を行う。」 「【図１】 ［図：0001435738000002.jpg］ 」 「【００２１】ＣＰＵ１は数値制御装置を全体的に制御するプロセッサであり、バス７を介して、ＲＯＭ２に格納されたシステムプログラムを読み出し、このシステムプログラムに従って数値制御装置を全体的に制御する。共有ＲＡＭ３には一時的な計算データや表示データ，および図示しないＣＲＴ／ＭＤＩユニットを介してオペレータが入力した各種データ等が格納される。ＣＭＯＳメモリ等の不揮発性メモリ４は図示しないバッテリでバックアップされ、数値制御装置の電源がオフの状態であっても記憶状態を保存する記憶手段であり、図示しないインターフェイスやＣＲＴ／ＭＤＩユニットを介して読み込まれたＮＣ加工プログラムや、工作機械の駆動制御に必要とされるパラメータの値等を記憶する。また、ＲＯＭ２には、ＮＣ加工プログラムの作成および編集等のために必要とされるデータ入力モードの処理や自動運転のための再生モードの処理等を実施するための各種のシステムプログラムが予め書き込まれている。また、このＲＯＭ２には、本発明のパワー半導体素子の故障予測を行うためのプログラムが書き込まれている。 【００２２】なお、前記図示しないインターフェイスは、数値制御装置に接続可能な外部機器のためのインターフェイスであって、データ入力手段や外部記憶装置等の外部機器が接続される。外部機器からは、ＮＣ加工プログラム等が読み込まれ、また、数値制御装置内で編集されたＮＣ加工プログラムを外部機器に出力することができる。 【００２３】軸制御回路５はサーボアンプ６を制御してサーボモータを駆動するための回路であり、軸制御ＣＰＵ５－１によって制御を行う。サーボアンプ６は、前記図１５に示したようなパワー半導体素子によって構成したインバータ回路を備え、該パワー半導体素子は軸制御ＣＰＵ５－１からの制御信号によって、オンオフ制御される。また、サーボアンプ６側には温度センサ６－１が設けられ、パワー半導体素子の温度情報を得ることができ、該温度情報は軸制御回路５中のインターフェース５－２を介してバス７に送られる。 【００２４】パワー半導体素子の温度情報を得る温度センサは、パワー半導体素子の近傍やパワー半導体素子を取り付けたケースに設置した温度センサとすることができ、パワー半導体素子をケース側に設置した場合には、パワー半導体素子とケースとの間の熱抵抗を用いてパワー半導体素子における温度を得ることができる。また、パワー半導体素子の一サイクルの温度変化における電流変化から温度を得ることもできる。軸制御回路５のインターフェース５－２は、温度センサ６－１からの温度情報をバス７を介してＣＰＵ１に送る。 【００２５】軸制御回路５はＣＰＵ１から各軸の移動指令を受け、各軸の指令をサーボアンプ６に出力する。サーボアンプ６はこの指令を受けて、各軸のサーボモータを駆動する。各軸のサーボモータには位置検出用のパルスコーダが内蔵さており、このパルスコーダからの位置信号がパルス列としてフィードバックされる。場合によっては、位置検出器としてリニアスケールが使用される。 【００２６】不揮発性メモリ４は、温度変化の温度差とパワー半導体素子の動作可能サイクル数との間にある関係を記憶しておき、本発明の故障予測の処理において、温度差をパラメータとしてパワー半導体素子の動作可能サイクル数を読みだすことができる。 【００２７】なお、ここでは、数値制御装置による通常の軸制御は周知であるため、説明を省略する。 【００２８】次に、本発明の故障予測方法に使用する、パワー半導体素子による電流制御を行った場合において、パワー半導体素子の温度差と動作可能サイクル数との間の関係について、図２および図３を用いて説明する。図２はパワー半導体素子の温度差と動作可能サイクル数とを両対数表示した図であり、図３はパワー半導体素子の温度差と動作可能サイクル数との関係を示す図である。電流制御における電流変化によって、パワー半導体素子に生じる温度変化を一サイクルとしたとき、そのパワー半導体素子の最高温度と最低温度との温度差を一定として電流制御を繰り返すと、パワー半導体素子の配線を接合している接合部において熱的ストレスが生じる。この熱的ストレスは、該接合を不十分なものとして接触不良を起こし、最終的には断線することになる。本発明の出願人は、このような状態に至るサイクル数と、各サイクルにおける温度差との間に、図２のグラフに示すような関係があることを見いだした。該関係は、一定の温度差ΔＴｊとなるような動作モードで動作させたときのパワー半導体素子の動作可能サイクル数Ｎｊと該温度差ΔＴｊとの間には、両者を対数表示したとき比例関係で表されるものであり、以下の式（１）で表される。なお、ａ、Ｎａは比例定数であり、グラフから求めることができる。なお、図２は比例関係があることを示すものであって、対数表示の目盛りは省略しており、また、傾きａは正確に表示するものではない。 ｌｏｇＮｊ＝－ａ×ｌｏｇΔＴｊ＋ｌｏｇＮａ …（１） この関係は、図３において、例えば温度差がΔＴ１となるような動作モードでパワー半導体素子を駆動すると、この温度差ΔＴ１によって熱的ストレスが生じ、パワー半導体素子の温度変化を一サイクルとしたときサイクル数Ｎ１の後に故障が発生することを表し、また、温度差がΔＴ１より大きなΔＴ２となるような動作モードでパワー半導体素子を駆動すると、サイクル数Ｎ１より少ないサイクル数Ｎ２の後に故障が発生することを表しており、該サイクル数Ｎ１，Ｎ２は温度差ΔＴ１，ΔＴ２で駆動したときの、パワー半導体素子の動作可能サイクル数であって、パワー半導体素子の寿命を表す指標として用いることができるものである。 「【図２】 ［図：0001435738000003.jpg］ 」 「【図３】 ［図：0001435738000004.jpg］ 」 「【００２９】本発明の熱的ストレスによるパワー半導体素子の故障予測方法は、上記した温度差とパワー半導体素子の動作可能サイクル数との関係を用いて、使用中のパワー半導体素子の残りの動作可能サイクル数を求めて、故障を予測する方法である。以下、図４を用いて故障を予測する方法の概略について説明する。図４（ｂ）において、パワー半導体素子を温度差ΔＴとするような動作モードで使用し、現時点ｔ0における積算したサイクル数をｎとする。温度差ΔＴとする動作モードにおける動作可能サイクル数Ｎは、図４（ａ）の対数関係から、以下の式（２）で表れる。 Ｎ＝Ｎａ×（ΔＴ）-a ・・・（２） 従って、この動作可能サイクル数Ｎから現時点での積算サイクル数ｎを減じた値（Ｎ－ｎ）は、パワー半導体素子が以後において動作可能なサイクル数となり、故障が発生する可能性のある時点を表している。」 「【図４】 ［図：0001435738000005.jpg］ 」 「【００３０】動作モード等が異なることによって、温度差ΔＴが異なる場合には、該温度差ΔＴに対応した動作可能サイクル数Ｎに基づいて故障の予測を行うことになる。」 (エ) 【００３２】～【００３８】、図５～６ 「【００３２】はじめに、本発明の方法の第１の実施の形態例について説明する。図５は第１の実施の形態例の機能ブロック図であり、図６は該機能を実施するフローチャートである。なお、この機能ブロック図中の各機能ブ ロックは、説明を容易にするためのものであって、本発明の方法を実施する際に該ブロックに対応する素子や回路構成を要するものではなく、ソフトウェアによって実施することができる。」 「【図５】 ［図：0001435738000006.jpg］ 」 「【図６】 ［図：0001435738000007.jpg］ 」 「【００３３】温度検出ブロック１１は、パワー半導体素子１０から温度情報を受け取り、この温度情報からパワー半導体素子の温度を検出する（ステップＳ１）。この温度情報は、例えば、パワー半導体素子が出力する信号中の温度信号を用いることができ、この温度信号に所定の演算を施すことによってパワー半導体素子の温度を求めることができ、その最高温度と最低温度の差から温度差を求めることができる。また、温度情報をパワー半導体素子の一サイクルの温度変化における電流変化とし、この電流変化から温度上昇を求め、休止時間から温度下降を求めることによってパワー半導体素子の温度を求めることができ、その最高温度と最低温度の差から温度差を求めることができる。 【００３４】パワー半導体素子の近傍あるいはパワー半導体素子を設置するケースに温度センサを取付け、該温度センサからの検出温度を温度情報とすることができ、ケースに温度センサを取り付けた場合は、パワー半導体素子を設置するケースの温度と、パワー半導体素子とケース間の熱抵抗に基づいてパワー半導体素子の温度および温度差を推定することができる。 【００３５】ブロック１２で、検出したパワー半導体素子の温度から、パワー半導体素子の電流変化に基づく一温度変化サイクル中の最高温度Ｔmaxと最低温度Ｔminを求める（ステップＳ２）。最高，最低温度検出のブロック１３で、その最高温度Ｔmax と最低温度Ｔminの差から温度差ΔＴ（＝Ｔmax－Ｔmin）を求める（ステップＳ３）。 【００３６】温度差ΔＴに対する動作可能サイクル数Ｎが既に知られているか否かを判定し（ステップＳ４）、知られていない場合には、温度差－寿命特性のブロック１４は、ステップＳ３で求めた温度差ΔＴに対して、温度差と動作可能サイクル数との関係を表す特性（図２，図４）に基づいて、動作可能サイクル数Ｎを読み出す。この動作可能サイクル数Ｎの読み出しは、例えば、不揮発性メモリ中に格納したデータを温度差をパラメータとして読み出すことにより行うことができる（ステップＳ５）。 【００３７】また、計数ブロック１３は、最高温度Ｔmax あるいは最低温度Ｔmin の発生回数を計数して、積算サイクル数ｎを求める。この積算サイクル数ｎは不揮発性メモリ中に格納し、計数毎に更新することができる（ステップＳ６）。 【００３８】比較ブロック１５は、ステップＳ５で読み出した動作可能サイクル数Ｎ、あるいはステップＳ４の判定で温度差ΔＴに対する動作可能サイクル数Ｎが既に知られている場合には、該動作可能サイクル数Ｎと、ステップＳ６で求めた積算サイクル数ｎと比較し、その差が許容範囲を越えている場合には、パワー半導体素子の故障が近いと判定し（ステップＳ７）、警告等の表示を行う（ステップＳ８）。」 イ 引用発明の認定 前記アに摘記した引用文献１の記載事項を総合すると、引用文献１には、第１の実施の形態例（【図５】、【図６】）に係る次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。なお、認定の根拠となる記載箇所を括弧内に示した。 また、段落【００２９】に記載された「温度差ΔＴｊ」及び「動作可能サイクル数Ｎｊ」における「ｊ」の添え字は、温度差ΔＴが複数ある場合を想定したもの（ｊ＝１、２、・・・）であるところ、技術的な概念としては、「温度差ΔＴｊ」及び「動作可能サイクル数Ｎｊ」はそれぞれ段落【００３６】における「温度差ΔＴ」及び「動作可能サイクル数Ｎ」と同じものを表すものであることは明らかである。そこで便宜のため、引用発明の認定にあたっては、「温度差ΔＴｊ」及び「動作可能サイクル数Ｎｊ」はそれぞれ「温度差ΔＴ」及び「動作可能サイクル数Ｎ」と認定した。 ＜引用発明＞ 「パワー半導体素子を制御してサーボモータの制御を行う数値制御装置において、該パワー半導体素子の熱的ストレスによる故障予測を行う（【００１９】）故障予測方法であって、（【０００１】、【請求項１】） 電流制御における電流変化によって、パワー半導体素子に生じる温度変化を一サイクルとしたとき、そのパワー半導体素子の最高温度と最低温度との温度差を一定として電流制御を繰り返すことによって、パワー半導体素子の配線を接合している接合部において生じる熱的ストレスが、断線状態を起こすことに起因して、このような状態に至るサイクル数と、各サイクルにおける温度差との間に、図２のグラフに示す関係があることを見いだしたものであって、一定の温度差ΔＴとなるような動作モードで動作させたときのパワー半導体素子の動作可能サイクル数Ｎと該温度差ΔＴとの間には、両者を対数表示したとき比例関係で表されるものであり、グラフから求めることができるａ、Ｎａを比例定数として、以下の式（１）で表され、 ｌｏｇＮ＝－ａ×ｌｏｇΔＴ＋ｌｏｇＮａ・・・（１） サイクル数Ｎは、温度差ΔＴで駆動したときの、パワー半導体素子の動作可能サイクル数であって、パワー半導体素子の寿命を表す指標として用いることができるものであり、（【００２８】） 温度検出ブロック１１は、パワー半導体素子１０から温度情報を受け取り、この温度情報からパワー半導体素子の温度を検出し（ステップＳ１）、（【００３３】） ブロック１２で、検出したパワー半導体素子の温度から、パワー半導体素子の電流変化に基づく一温度変化サイクル中の最高温度Ｔmaxと最低温度Ｔminを求め（ステップＳ２）、最高，最低温度検出のブロック１３で、その最高温度Ｔmaxと最低温度Ｔminの差から温度差ΔＴ（＝Ｔmax－Ｔmin）を求め（ステップＳ３）、（【００３５】） 温度差ΔＴに対する動作可能サイクル数Ｎが既に知られているか否かを判定し（ステップＳ４）、知られていない場合には、温度差－寿命特性のブロック１４は、ステップＳ３で求めた温度差ΔＴに対して、温度差と動作可能サイクル数との関係を表す特性（図２，図４）に基づいて、動作可能サイクル数Ｎを読み出し（ステップＳ５）、（【００３６】） 図４を用いて故障を予測する方法の概略は、パワー半導体素子を温度差ΔＴとするような動作モードで使用し、現時点ｔ0 における積算したサイクル数をｎとした場合に、温度差ΔＴとする動作モードにおける動作可能サイクル数Ｎが、以下の式（２）で表され、 Ｎ＝Ｎａ×（ΔＴ）-a ・・・（２） この動作可能サイクル数Ｎから現時点での積算サイクル数ｎを減じた値（Ｎ－ｎ）を、パワー半導体素子が以後において動作可能なサイクル数とするものであり、（【００２９】） 計数ブロック１３は、最高温度Ｔmax あるいは最低温度Ｔmin の発生回数を計数して、積算サイクル数ｎを求め（ステップＳ６）、（【００３７】） 比較ブロック１５は、動作可能サイクル数Ｎと積算サイクル数ｎと比較し、その差が許容範囲を超えている場合には、パワー半導体素子の故障が近いと判定し（ステップＳ７）、警告等の表示を行う（ステップＳ８）、（【００３８】） 故障予測方法。」 (３) 引用文献４に記載された事項及び技術常識の認定 ア 引用文献４に記載された事項 当審において新たに引用する、本願の出願前に発行された文献である特開２００７－２１４９４７号公報（以下「引用文献４」という。）には、次の記載がある。なお、下線は当合議体が付したものであり、以下同様である。 「【技術分野】 【０００１】 本発明は増幅器（以下パワーアンプという。）の歪を補償する、デジタル前置歪補償回路に関するものである。 【背景技術】 【０００２】 従来、デジタル前置歪補償回路では、一般的にルックアップテーブル（LUT）方式もしくは多項式近似方式が用いられている。多項式近似方式は、非線形素子であるパワーアンプの入力レベル－Gain特性、入力レベル－ 位相特性を一つの多項式で近似し、その係数をメモリに書き込んでおき、入力レベルに応じて、多項式から近似解を導き、その逆特性を出力することでパワーアンプの歪を補償するものである。また、LUT方式は、非線形素子であるパワーアンプの入力レベル－Gain特性、入力レベル－位相特性を各入力レベルごとに対応した離散的値として、テーブルを作成し、メモリにこれを書き込んでおき、入力レベルに応じて、テーブルを読み出し、その逆特性を出力し、前置歪を作成することでパワーアンプの歪を補償するものである（特許文献１参照）。 【０００３】 図３は、従来の多項式近似方式のデジタル歪補償の構成を示しており、メモリ１と、D/Aコンバータ２と、パワーアンプ３と、分配器４と、A/Dコンバータ５と、多項式近似部6とから構成されている。パワーアンプ３で歪んだ信号が、分配器４で分配後、A/Dコンバータ５でデジタル信号に変換され、多項式近似部６に入力される。多項式近似部６には無歪の送信変調信号も入力され、多項式近似部６では、この２つの入力信号の差分が最小になるように、非線形素子であるパワーアンプの入力レベル－Gain特性、入力レベル－位相特性を一つの多項式で近似し、その係数をメモリ１に書き込んでおき、入力レベルに応じて、多項式から近似解を導き、その逆特性を出力することでパワーアンプ３の歪を補償する。」 「【図３】 ［図：0001435738000008.jpg］ 」 「図５は従来の多項式近似方式での動作特性とメモリ使用について示す。 ここでは、パワーアンプ出力の入力レベル対Gain特性を例に示した。多項式に近似する方法は、適当な想定式とパワーアンプ出力の入力レベル－Gain特性、入力レベル－位相特性を比較し、その差分をもっとも小さくなるように係数を追い込んでいくという、最小２乗法が一般的である。これによって、パワーアンプ出力の入力レベル－Gain特性、入力レベル－位相特性が多項式近似出来る。期待する補償後の特性は図５に示す単なる直線であるので、前述のパワーアンプ出力の入力レベル－Gain特性、入力レベル－位相特性さえ多項式近似できれば、図５に示すアンプ逆特性は多項式により容易に算出できる。ここでは7次の多項式Y=aX7+bX5+cX3+dX（当審注：「Y=aX7+bX5+cX3+dX」の誤記と認める。）を用いた例を示した。この場合、メモリ量はa,b,c,dの４ポイントで済む。次数を増やすほど正確なアンプ特性の表現が可能になり、歪補償量も改善していくが、大きすぎると計算時間が増えてしまうので、通常は実験などにより、何次までの次数が必要かを検証して、次数を決定している。パワーアンプがこのような非線形性を示すのは、デバイスの入力容量が入力レベルで変化してしまうというのが、一般的に知られた理由である。また、デバイスの飽和出力に近づくにつれ、入力レベル－Gain特性、入力レベル－位相特性の変化も大きくなる（非線形性＝歪が増加する）が、同時に、効率は良くなっていく。パワーアンプでは、効率が重要視されるため、出来る限り飽和出力付近で使用することが望まれる。すなわち、非線形性の大きいところで使用されるために、なんらかの歪補償が必須となるのである。」 「【図５】 ［図：0001435738000009.jpg］ 」 「図４は、従来のLUT式のデジタル歪補償の構成を示しており、メモリ１と、D/Aコンバータ２と、パワーアンプ３と、分配器４とA/Dコンバータ５とLUT作成部７とから構成されている。パワーアンプ３で歪んだ信号が、分配器４で分配した後、A/Dコンバータ５でデジタル信号に変換され、LUT作成部７に入力される。LUT作成部７には無歪の送信変調信号も入力され、LUT作成部７では、上記２つの入力信号の差分が最小になるように、非線形素子であるパワーアンプの入力レベル－Gain特性、入力レベル－位相特性を各入力レベルごとに対応した離散的値として、テーブルを作成し、メモリにこれを書き込んでおき、入力レベルに応じてテーブルを読み出し、その逆特性を出力し、前置歪を作成することでパワーアンプの歪を補償する。」 「【図４】 ［図：0001435738000010.jpg］ 」 「図６に従来のLUT方式での動作特性とメモリ使用について示す。 パワーアンプ出力の入力レベル対Gain特性を例に示した。多段アンプでは、各アンプを飽和付近で使用したいということから、図５のような特性を、直列に何段も重ねていく。これによって、図６のように非線形の強い(歪の大きい)アンプになってしまう。各入力レベル（Pin１～Pin128）に対する補償値をa1～a128とする。多項式近似方式に比べ、逆特性の算出は容易であり、例えば、ある入力レベルPin1のときのアンプのGainが、補償後の期待値より2dB低いとしたら、その入力レベルに対応したテーブルに、+2dBと書き込むだけである。 次に、Pin1の入力信号が来た際には、+2dBという値をテーブルから読み出し、その分だけ入力信号を変化させることで、補償後の期待する特性（歪無し）＝補償値－アンプという式で得られる歪（ずれ）が+2dB-2dB＝0dB（期待値）となり、歪を除去した信号が得られる。ここでは、一般的な128ポイントで説明したが、ポイント数が多いほど、より正確な歪補償が可能である。」 「【図６】 ［図：0001435738000011.jpg］ 」 イ 技術常識１の認定 前記アに摘記した引用文献４の記載事項に例示されるように、次の技術事項は、当業者にとって技術常識であったと認められる。（以下「技術常識１」という。） ＜技術常識１＞ 「入力ｘに対する出力ｙが、ｙ＝ｆ（ｘ；ａ，ｂ）（出力ｙ、入力ｘ、パラメータａ、ｂ）のような関数で表現される場合に、コンピュータを用いて実際の入力ｘに対する出力ｙを導くにあたり、ｙとｘの関係とをルックアップテーブルとして保存するのでなく、関数のパラメータａ、ｂのみを保存することとすれば、正確な表現が可能となり、計算時間が増えるものの、メモリを節約できること。」 (４) 本件補正発明と引用発明の対比 ア 対比分析 本件補正発明と引用発明を対比する。 (ア) 構成Ｘの観点（寿命診断方法） 引用発明の「故障予測方法」は、「パワー半導体素子の故障が近い」こと、すなわち「寿命」を予測するものであるから、本件補正発明の「寿命診断方法」に相当する。また、引用発明における「数値制御装置」にて「故障予測」が行われるものであるところ、引用発明の「数値制御装置」は本件補正発明における「寿命診断装置」に相当するものといえる。 したがって、本件補正発明と引用発明とは、「寿命診断装置により実行される寿命診断方法」である点で一致する。 (イ) 構成Ａの観点（温度取得ステップ） ａ 構成Ａは「半導体装置に搭載されるパワー半導体素子の内部の温度を取得する温度取得ステップ」を含むことである。 ｂ 引用発明における「サーボモータ」及び「パワー半導体素子１０」は、本件補正発明における「半導体装置」及び「パワー半導体素子」に相当する。そして、本件補正発明における「パワー半導体素子」と引用発明における「パワー半導体素子１０」は、いずれも「半導体装置に搭載される」点で一致する。 ｃ 引用発明においては、「温度検出ブロック１１は、パワー半導体素子１０から温度情報を受け取り、この温度情報からパワー半導体素子の温度を検出［する］」（ステップＳ１）のであるから、前記ｂもふまえると、本件補正発明と引用発明とは「半導体装置に搭載されるパワー半導体素子の内部の温度を取得する温度取得ステップ」を含む点で一致する。 ｄ したがって、本件補正発明と引用発明は、次の点において一致する。 「半導体装置に搭載されるパワー半導体素子の内部の温度を取得する温度取得ステップ」を含む点。 (ウ) 構成Ｂの観点（温度サイクル検出ステップ） ａ 構成Ｂは「前記温度取得ステップで取得される温度の変化に基づき、前記パワー半導体素子の動作に伴う前記温度の上昇及び下降で構成される温度サイクルを検出する温度サイクル検出ステップ」を含むことである。 ｂ 引用発明における、パワー半導体素子に対する「電流制御における電流変化」は、本件補正発明における「パワー半導体素子の動作」に相当し、当該電流変化に伴って、一サイクル中で「最高温度」となること及び「最低温度」になることは、それぞれ本件補正発明における「温度の上昇」及び「温度」の「下降」に相当する。また、引用発明における「温度変化サイクル」は、本件補正発明における「温度サイクル」に相当する。 ｃ 引用発明においては、パワー半導体素子の温度を検出するステップ１の後に、検出したパワー半導体素子の温度から、パワー半導体素子の電流変化に基づく一温度変化サイクル中の最高温度Ｔmaxと最低温度Ｔminを求め（ステップＳ２）、最高，最低温度検出のブロック１３で、その最高温度Ｔmaxと最低温度Ｔminの差から温度差ΔＴ（＝Ｔmax－Ｔmin）を求め（ステップＳ３）ていることから、取得される温度の変化に基づいて「温度変化サイクル」中での「最高温度」及び「最低温度」を求め、かつ、「ブロック１３」で「最高温度」と「最低温度」の差である「温度差ΔＴ」を求めている（ステップＳ３）。このことは、温度変化サイクルの特性を「温度差ΔＴ」として特定するものといえることから、当該ステップＳ３は、本件補正発明における「温度サイクルを検出する温度サイクル検出ステップ」に相当する。 ｄ 前記ｂ、ｃの検討をふまえると、本件補正発明と引用発明とは、次の点で一致する。 「前記温度取得ステップで取得される温度の変化に基づき、前記パワー半導体素子の動作に伴う前記温度の上昇及び下降で構成される温度サイクルを検出する温度サイクル検出ステップ」を含む点。 (エ) 構成Ｃ、Ｄの観点（寿命診断ステップ） ａ 構成Ｃは「前記温度サイクルで生じる前記温度の上昇及び下降の変化幅に相当する温度差と前記パワー半導体素子の寿命との対応関係を示す特性データ、及び前記温度サイクル検出ステップで検出される前記温度サイクルごとの前記温度差に基づき、前記パワー半導体素子の寿命に関する診断を行う寿命診断ステップ」を含むことであり、構成Ｄは「前記特性データは、所定の曲線に相当する、前記温度差から前記寿命を表す指標値を算出する数式を規定するデータを含む」ことである。 ｂ 引用発明における「一温度変化サイクル」での「最高温度」と「最低温度」との「温度差」は、本件補正発明における、「前記温度サイクルで生じる温度の上昇及び下降の変化幅に相当する温度差」に相当し、引用発明における「動作可能サイクル数」は本件補正発明における「寿命を表す指標値」に相当する。また、引用発明における、「このような状態に至るサイクル数」（動作可能サイクル数Ｎ）と、「各サイクルにおける温度差」（温度差ΔＴ）との間にある、「図２のグラフに示す関係」は、本件補正発明における「前記温度サイクルで生じる前記温度の上昇及び下降の変化幅に相当する温度差と前記パワー半導体素子の寿命との対応関係」に相当し、引用発明における、グラフから求めることができる比例定数「ａ」及び「Ｎａ」は、本件補正発明における「前記温度サイクルで生じる前記温度の上昇及び下降の変化幅に相当する温度差と前記パワー半導体素子の寿命との対応関係を示す特性データ」に相当する。 ｃ 引用発明における、「ｌｏｇＮ＝－ａ×ｌｏｇΔＴ＋ｌｏｇＮａ」との式及び「Ｎ＝Ｎａ×（ΔＴ）-a」との式は、いずれも本件補正発明における「所定の曲線に相当する、前記温度差から前記寿命を表す指標値を算出する数式」に相当し、引用発明における比例定数「ａ」及び「Ｎａ」は、本件補正発明における「数式を規定するデータ」にも相当する。 ｄ 引用発明における、「比較ブロック１５」で行われる「パワー半導体素子の故障が近いと判定し（ステップＳ７）、警告等の表示を行［う］」（ステップＳ８）ことは、本件補正発明における「前記パワー半導体素子の寿命に関する診断を行う寿命診断ステップ」に相当する。 ｅ 引用発明においては、「温度差ΔＴに対する動作可能サイクル数Ｎが既に知られているか否かを判定し（ステップＳ４）、知られていない場合には、温度差－寿命特性のブロック１４は、ステップＳ３で求めた温度差ΔＴに対して、温度差と動作可能サイクル数との関係を表す特性（図２，図４）に基づいて、動作可能サイクル数Ｎを読み出し（ステップＳ５）、計数ブロック１３は、最高温度Ｔmaxあるいは最低温度Ｔminの発生回数を計数して、積算サイクル数ｎを求め（ステップＳ６）、比較ブロック１５は、動作可能サイクル数Ｎと積算サイクル数ｎと比較し、その差が許容範囲を超えている場合には、パワー半導体素子の故障が近いと判定し（ステップＳ７）、警告等の表示を行［う］」（ステップＳ８）ものである。すなわち、温度差と動作可能サイクル数との関係を表す特性（図２，図４）及び「温度差ΔＴ」に基づいて「動作可能サイクル数Ｎ」を読み出し、この「動作可能サイクル数Ｎ」を利用して故障に関する判定（ステップＳ７）や警告等の表示（ステップＳ８）を行うのであるから、引用発明は、温度差と動作可能サイクル数との関係を表す特性（図２，図４）及び「温度差ΔＴ」に基づいて故障に関する判定（ステップＳ７）や警告等の表示（ステップＳ８）を行っているものと認められる。そして、温度差と動作可能サイクル数との関係を表す特性（図２，図４）は、「このような状態に至るサイクル数」（動作可能サイクル数Ｎ）と、「各サイクルにおける温度差」（温度差ΔＴ）との間にある、「図２のグラフに示す関係」にほかならない。 そうすると、前記ｂ及びｄの検討もふまえると、本件補正発明と引用発明とは「前記温度サイクルで生じる前記温度の上昇及び下降の変化幅に相当する温度差と前記パワー半導体素子の寿命との対応関係、及び前記温度サイクル検出ステップで検出される前記温度サイクルごとの前記温度差に基づき、前記パワー半導体素子の寿命に関する診断を行う寿命診断ステップ」を含む点で一致するものといえる。 ｆ 以上の検討結果をふまえると、本件補正発明と引用発明の構成Ｃ及びＤの観点における一致点及び一応の相違点は、次の(ａ)及び(ｂ)に示すとおりである。 (ａ) 一致点 「前記温度サイクルで生じる前記温度の上昇及び下降の変化幅に相当する温度差と前記パワー半導体素子の寿命との対応関係、及び前記温度サイクル検出ステップで検出される前記温度サイクルごとの前記温度差に基づき、前記パワー半導体素子の寿命に関する診断を行う寿命診断ステップ」を含む点 (ｂ) 一応の相違点 対応関係に関し、 本件補正発明では、 「対応関係を示す特性データ」であって、「特性データは、所定の曲線に相当する、前記温度差から前記寿命を表す指標値を算出する数式を規定するデータを含む」のに対し、 引用発明では、 温度差と動作可能サイクル数との関係を表す特性（図２，図４）に基づいて、動作可能サイクル数Ｎを読み出すものの、動作可能サイクル数Ｎを読み出す際に用いられるデータの具体的態様が不明である点。 イ 一致点及び一応の相違点 前記アの対比分析の結果をまとめると、本件補正発明と引用発明の一致点及び一応の相違点は、それぞれ次の(ア)及び(イ)に示すとおりである。 (ア) 一致点 「寿命診断装置により実行される寿命診断方法であって、 半導体装置に搭載されるパワー半導体素子の内部の温度を取得する温度取得ステップと、 前記温度取得ステップで取得される温度の変化に基づき、前記パワー半導体素子の動作に伴う前記温度の上昇及び下降で構成される温度サイクルを検出する温度サイクル検出ステップと、 前記温度サイクルで生じる前記温度の上昇及び下降の変化幅に相当する温度差と前記パワー半導体素子の寿命との対応関係、及び前記温度サイクル検出ステップで検出される前記温度サイクルごとの前記温度差に基づき、前記パワー半導体素子の寿命に関する診断を行う寿命診断ステップと、を含む、 寿命診断方法」である点。 (イ) 一応の相違点 対応関係に関し、 本件補正発明では、 「対応関係を示す特性データ」であって、「特性データは、所定の曲線に相当する、前記温度差から前記寿命を表す指標値を算出する数式を規定するデータを含む」のに対し、 引用発明では、 温度差と動作可能サイクル数との関係を表す特性（図２，図４）に基づいて、動作可能サイクル数Ｎを読み出すものの、動作可能サイクル数Ｎを読み出す際に用いられるデータの具体的態様が不明である点。 (５) 判断 ア 一応の相違点について (ア) 引用文献１の図６には、寿命（サイクル数Ｎ）が既知であるか否かに応じたフローにおける、未知の場合のフローとして、Ｓ５「温度差－寿命特性（サイクル数Ｎ）を求める」と記載されている。 (イ) 引用文献１の段落【００２９】には、「上記した温度差とパワー半導体素子の動作可能サイクル数との関係を用いて、使用中のパワー半導体素子の残りの動作可能サイクル数を求めて、故障を予測する」と記載されているところ、「上記した温度差とパワー半導体素子の動作可能サイクル数との関係」は、段落【００２８】に記載された動作可能サイクル数Ｎｊと温度差ΔＴｊの間の図２のグラフに示すような関係（式（１）で表される関係）であり、そして、その概略として、ΔＴを導入してＮを導出する式（２）が記載されている。 (ウ) 前記(ア)及び(イ)を併せて検討するに、動作可能サイクル数Ｎが未知であった場合に、式（１）で表される関係を用いて未知のサイクル数Ｎｊを求める（導出する）こと、又は式（２）にΔＴを導入してＮを導出する処理により行うことは、引用文献１に記載されているに等しい事項である。そして、かかる導出を行うためには、式（１）又は式（２）で使用されるデータである比例定数ａ、Ｎａを含めて記憶されているものといえる。 (エ)ａ 仮に、この点が記載されているに等しい事項でなかったとしても、離散的なデータしか導出できないルックアップテーブル（ＬＵＴ）に代えて、より連続的なデータの導出が行える関数、すなわち式（１）又は式（２）により動作可能サイクル数の導出を行うことは、当業者が適宜なし得た設計変更にすぎない。このことは、前記(３)イで認定したように、「入力ｘに対する出力ｙがｙ＝ｆ（ｘ；ａ，ｂ）（出力ｙ、入力ｘ、パラメータａ、ｂ）のような関数となっている場合に、実際の入力ｘに対する出力ｙを導くにあたり、ｙとｘの関係とをルックアップテーブルとして保存するのでなく、パラメータａ、ｂのみを保存することとすれば、正確な表現が可能となり、計算時間が増えるものの、メモリを節約できること。」（技術常識１）が当業者にとって技術常識であることからみても首肯できる。 ｂ なお、この技術常識１が本件補正発明のようなパワー半導体素子の寿命に関する診断においても用いることができることは、本願明細書における段落【０００３】の記載からも明らかである。以下、段落【０００３】の記載を再掲する。 「【０００３】 例えば、特許文献１では、複数の直線で近似されるパワーサイクル寿命カーブ（寿命特性データ）に基づき、パワー半導体素子の寿命に関する診断を行う技術が開示されている。これにより、複数の領域ごとに直線の傾き及び切片のデータだけを保持すればよく、パワーサイクル試験によって得られる実特性のデータを用いる場合等よりも、寿命特性データのデータ量を相対的に小さくすることができる。」 イ 総合評価（本件補正発明が奏する効果の検討） 本件補正発明は引用発明と構成が同一であるから、本件補正発明の構成が奏する効果は、引用発明の構成もまた奏するものと認められる。 また仮に本件補正発明と引用発明が同一でないとしても、本件補正発明が奏する効果としては、当該構成のものとして当業者が予測・発見困難であり、かつ、格別顕著な効果を認めることはできない。 したがって、本件補正発明は、引用発明と同一であるか、または引用発明及び技術常識１に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。 ウ 請求人の主張について (ア) 請求人の主張内容 本件補正発明は、「寿命診断装置」について、「半導体装置に搭載されるパワー半導体素子の内部の温度を取得する温度取得部」と、「前記温度取得部により取得される温度の変化に基づき、前記パワー半導体素子の動作に伴う前記温度の上昇及び下降で構成される温度サイクルを検出する温度サイクル検出部」と、「前記温度サイクルで生じる前記温度の上昇及び下降の変化幅に相当する温度差と前記パワー半導体素子の寿命との対応関係を示す特性データ、及び前記温度サイクル検出部により検出される前記温度サイクルごとの前記温度差に基づき、前記パワー半導体素子の寿命に関する診断を行う寿命診断部」と、を前提として、「前記特性データは、所定の曲線に相当する、前記温度差から前記寿命を表す指標値を算出する数式を規定するデータを含む」点と、を特徴としている。 しかし、前記特徴は、引用文献１～３に全く開示されておらず、示唆もされていない。 (イ) 請求人の主張についての検討 前記(５)アで検討したように、本件補正発明は引用発明と同一であると認められる。すなわち、請求人が本件補正発明の特徴点であると主張する「前記特性データは、所定の曲線に相当する、前記温度差から前記寿命を表す指標値を算出する数式を規定するデータを含む」との点は、引用文献１に記載されているか、又は記載されているに等しいものと認められる。また仮に、引用文献１には前記特徴点が記載されたものとは認められず、この点が実質的にみて相違点であるとしても、当該相違点に係る本件補正発明の構成に至ることが当業者によって想到容易であることは、前記(５)ア(エ)において検討したとおりである。 したがって、前記請求人の主張は採用できない。 エ 独立特許要件の判断のまとめ 以上検討のとおり、本願補正発明は、引用文献１に記載された発明であるか、又は、引用発明及び技術常識１に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条１項３号に該当するため、又は、同条２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 したがって、本件補正により請求項９についてする補正は、特許法１７条の２第６項において準用する同法１２６条７項の規定に適合しない。 ４ 本件補正の却下の決定の理由のむすび 前記３(５)エのとおり、本件補正は、同法１７条の２第６項において準用する同法１２６条７項の規定に違反するから、同法１５９条１項において読み替えて準用する同法５３条１項の規定により却下すべきものである。 よって、前記補正の却下の決定の結論のとおり決定する。 第３ 本願発明について １ 本願発明について 本件補正は、前記第２のとおり却下したので、本願の請求項９に係る発明（以下「本願発明」という。）は、本件補正前の特許請求の範囲の請求項９（前記第２の１(１)参照）に記載された事項により特定されるとおりのものである。 ２ 原査定における拒絶の理由の概要 原査定の本願発明に対する拒絶の理由である理由１（新規性の欠如）及び理由２（進歩性の欠如）の概要は、次のとおりである。 理由１（新規性の欠如） 本願発明は、その出願前に発行された下記の引用文献１に記載された発明であるから、特許法２９条１項３号に該当し、特許を受けることができない。 理由２（進歩性の欠如） 本願発明は、その出願前に発行された下記の引用文献１に記載された発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。 記 ＜主たる引用文献＞ 引用文献１．特開平１０－０３８９６０号公報 ３ 引用文献に記載された事項及び引用発明の認定等 引用文献１に記載された事項及び引用発明は、前記第２の３(２)ア及びイにおいて示したとおりである。 ４ 対比・判断 本願発明は、本件補正発明から、前記第２の２に示した限定を省いたものである。 そうすると、本願発明の発明特定事項を全て含み、その発明特定事項の一部を限定したものに相当する本件補正発明が、前記第２の３(５)において説示したとおり、引用発明に対して新規性が無い又は引用発明及び技術常識に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により引用発明に対して新規性が無い又は引用発明及び技術常識１に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。 第４ むすび 以上検討のとおり、本願発明は、特許法２９条１項３号に該当するため、又は、同条２項の規定により、特許を受けることができない。 したがって、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。 よって、結論のとおり審決する。