2022-001337

特願２０１９－５３７１５９「画素駆動回路、その駆動方法及びアレイ基板並びに表示装置」拒絶査定不服審判事件〔平成３０年 ８月３０日国際公開、ＷＯ２０１８／１５３３３６、令和 ２年 ３月１２日国内公表、特表２０２０－５０７７９９、請求項の数（７）〕について、次のとおり審決する。

結 論 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。

理 由 第１ 手続の経緯 本願は、２０１８年（平成３０年）２月１４日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２０１７年２月２２日、中国、及び、パリ条約による優先権主張外国庁受理２０１７年２月２３日、中国）を国際出願日とする外国語特許出願（特願２０１９－５３７１５９号）であって、その手続の経緯の概略は、次のとおりである。 令和元年 ７月 ８日 ：翻訳文の提出 令和２年 ７月３１日付け：拒絶理由通知書 同年１０月１３日 ：意見書、手続補正書の提出 同年１１月３０日付け：拒絶理由通知書 令和３年 ２月２６日 ：意見書、手続補正書の提出 同年 ６月２２日付け：拒絶理由通知書（最後） 同年 ８月２５日 ：意見書、手続補正書の提出 同年１０月２７日付け：補正の却下の決定 同日付け：拒絶査定（以下「原査定」という。） （同年１１月 ２日 ：原査定の謄本の送達） 令和４年 １月２８日 ：審判請求書、手続補正書の提出 第２ 令和４年１月２８日にされた手続補正についての補正の却下の決定 ［補正の却下の決定の結論］ 令和４年１月２８日にされた手続補正を却下する。 ［補正の却下の決定の理由］ １ 本件補正の内容 令和４年１月２８日にされた手続補正（以下「本件補正」という。）は、特許請求の範囲について補正をするものであって、本件補正前（令和３年２月２６日にされた手続補正後をいう。以下同じ。なお、同年８月２５日にされた手続補正は、同年１０月２７日付けで補正の却下の決定がなされている。）の特許請求の範囲の請求項１及び本件補正後の特許請求の範囲の請求項１の記載は、それぞれ次の(１)及び(２)に示すとおりである（下線は補正箇所を示す。）。 (１) 本件補正前 「 【請求項１】 第１電圧源に接続された第１端と、第２端とを有する蓄積コンデンサと、 蓄積コンデンサの第２端に接続された第１端と、基準電圧を受信するための第２端と、第１制御信号を受信するための制御端とを有する第１スイッチングトランジスタと、 データ信号を受信するための第１端と、第２端と、第２制御信号を受信するための制御端とを有する第２スイッチングトランジスタと、 第１端と、第１スイッチングトランジスタの第１端に接続された第２端と、第２制御信号を受信するための制御端とを有する第３スイッチングトランジスタと、 第２スイッチングトランジスタの第２端に接続された第１端と、第２端と、蓄積コンデンサの第２端に接続された制御端とを有する第４スイッチングトランジスタと、 有機発光ダイオードのアノード端に接続された第１端と、基準電圧を受信するための第２端と、第３制御信号を受信するための制御端とを有する第５スイッチングトランジスタと、 第１電圧源に接続された第１端と、第２端と、駆動信号を受信するための制御端とを有する第６スイッチングトランジスタと、 第６スイッチングトランジスタの第２端に接続された第１端と、第４スイッチングトランジスタの第２端に接続された第２端と、蓄積コンデンサの第２端に接続された制御端とを有する第１駆動トランジスタと、 第４スイッチングトランジスタの第２端に接続された第１端と、第３スイッチングトランジスタの第１端に接続された第２端と、蓄積コンデンサの第２端に接続された制御端とを有し、第２駆動トランジスタと、 第２駆動トランジスタの第２端に接続された第１端と、有機発光ダイオードのアノード端に接続された第２端と、駆動信号を受信するための制御端とを有する第７スイッチングトランジスタと、 アノード端と、第２電圧源に接続されたカソード端とを有する有機発光ダイオードと、を含み、 前記第１駆動トランジスタの第２端と前記第２駆動トランジスタの第１端とが接続されることにより、前記第１駆動トランジスタ及び前記第２駆動トランジスタが直列接続され、 前記第４スイッチングトランジスタの第２端と前記第２駆動トランジスタの第１端とが接続されることにより、前記第４スイッチングトランジスタ及び前記第２駆動トランジスタが直列接続され、 前記第１駆動トランジスタの幅と長さの比Ｗ１／Ｌ１、前記第２駆動トランジスタの幅と長さの比Ｗ２／Ｌ２、及び前記第４スイッチングトランジスタの幅と長さの比Ｗ３／Ｌ３は、以下の関係を満たすことを特徴とする画素駆動回路。 Ｗ１＝Ｗ２＝Ｗ３、Ｌ１／Ｌ２＝１、Ｌ３＜Ｌ２、或いは、 Ｗ１＝Ｗ２＝Ｗ３、Ｌ１／Ｌ２＞１、Ｌ３＜Ｌ２、或いは、 Ｗ１＝Ｗ２＝Ｗ３、Ｌ１／Ｌ２＜１、Ｌ３＜Ｌ２、或いは、 Ｗ１＝Ｗ２＜Ｗ３、Ｌ１／Ｌ２＝１又はＬ１／Ｌ２＞１又はＬ１／Ｌ２＜１、Ｌ３＜Ｌ２、或いは、 Ｗ１＝Ｗ２＞Ｗ３、Ｌ１／Ｌ２＝１又はＬ１／Ｌ２＞１又はＬ１／Ｌ２＜１、Ｌ３＜Ｌ２ ここで、Ｗ１は前記第１駆動トランジスタの幅を指し、Ｌ１は前記第１駆動トランジスタの長さを指し、Ｗ２は前記第２駆動トランジスタの幅を指し、Ｌ２は前記第２駆動トランジスタの長さを指し、Ｗ３は前記第４スイッチングトランジスタの幅を指し、Ｌ３は前記第４スイッチングトランジスタの長さを指す。」 (２) 本件補正後 「 【請求項１】 第１電圧源に接続された第１端と、第２端とを有する蓄積コンデンサと、 アノード端と、第２電圧源に接続されたカソード端とを有する有機発光ダイオードと、 蓄積コンデンサの第２端に接続された第１端と、基準電圧を受信するための第２端と、第１制御信号を受信するための制御端とを有する第１スイッチングトランジスタと、 データ信号を受信するための第１端と、第２端と、第２制御信号を受信するための制御端とを有する第２スイッチングトランジスタと、 第１端と、第１スイッチングトランジスタの第１端に接続された第２端と、第２制御信号を受信するための制御端とを有する第３スイッチングトランジスタと、 第２スイッチングトランジスタの第２端に接続された第１端と、第２端と、蓄積コンデンサの第２端に接続された制御端とを有する第４スイッチングトランジスタと、 有機発光ダイオードのアノード端に接続された第１端と、基準電圧を受信するための第２端と、第３制御信号を受信するための制御端とを有する第５スイッチングトランジスタと、 第１電圧源に接続された第１端と、第２端と、駆動信号を受信するための制御端とを有する第６スイッチングトランジスタと、 第６スイッチングトランジスタの第２端に接続された第１端と、第４スイッチングトランジスタの第２端に接続された第２端と、蓄積コンデンサの第２端に接続された制御端とを有する第１駆動トランジスタと、 第４スイッチングトランジスタの第２端に接続された第１端と、第３スイッチングトランジスタの第１端に接続された第２端と、蓄積コンデンサの第２端に接続された制御端とを有する第２駆動トランジスタと、 第２駆動トランジスタの第２端に接続された第１端と、有機発光ダイオードのアノード端に接続された第２端と、駆動信号を受信するための制御端とを有する第７スイッチングトランジスタと、を含み、 前記第１駆動トランジスタの幅と長さの比Ｗ１／Ｌ１、前記第２駆動トランジスタの幅と長さの比Ｗ２／Ｌ２、及び前記第４スイッチングトランジスタの幅と長さの比Ｗ３／Ｌ３は、以下の関係を満たし、 Ｗ１＝Ｗ２＝Ｗ３、Ｌ１／Ｌ２＝１、Ｌ３＜Ｌ２、或いは、 Ｗ１＝Ｗ２＝Ｗ３、Ｌ１／Ｌ２＞１、Ｌ３＜Ｌ２、或いは、 Ｗ１＝Ｗ２＝Ｗ３、Ｌ１／Ｌ２＜１、Ｌ３＜Ｌ２、或いは、 Ｗ１＝Ｗ２＜Ｗ３、Ｌ１／Ｌ２＝１又はＬ１／Ｌ２＞１又はＬ１／Ｌ２＜１、Ｌ３＜Ｌ２、或いは、 Ｗ１＝Ｗ２＞Ｗ３、Ｌ１／Ｌ２＝１又はＬ１／Ｌ２＞１又はＬ１／Ｌ２＜１、Ｌ３＜Ｌ２ ここで、Ｗ１は前記第１駆動トランジスタの幅を指し、Ｌ１は前記第１駆動トランジスタの長さを指し、Ｗ２は前記第２駆動トランジスタの幅を指し、Ｌ２は前記第２駆動トランジスタの長さを指し、Ｗ３は前記第４スイッチングトランジスタの幅を指し、Ｌ３は前記第４スイッチングトランジスタの長さを指し、 直列接続された前記第１駆動トランジスタ及び前記第２駆動トランジスタによって前記有機発光ダイオードの各画素を駆動し、各画素の充電時に、直列接続された第２駆動トランジスタ及び第４スイッチングトランジスタからなるトランジスタの閾値電圧が補償され、 前記直列接続に関し、前記第１駆動トランジスタと前記第２駆動トランジスタと前記第４スイッチングトランジスタとが構成するレイアウト構造は、 回路ノードと、 前記回路ノードに接続され、第１の活性層と、第２の活性層と、第３の活性層とを有する活性層と、 前記第１の活性層に接続された第１のソースと、 前記第２の活性層に接続されたドレインと、 前記第３の活性層に接続された第２のソースと、 前記第１の活性層、前記第２の活性層及び前記第３の活性層にそれぞれ対応する第１のゲートと、第２のゲートと、第３のゲートと、 を含み、 前記第１のゲートと、前記第２のゲートと、前記第３のゲートからなるゲートパターンは、前記回路ノード及び前記活性層の上方に位置し、 前記第１の活性層と前記第３の活性層は逆Ｕ型構造を構成し、前記第２の活性層は逆Ｌ型構造を構成し、或いは、 前記第１の活性層と前記第２の活性層は ［図：0001391796000001.jpg］ 型構造を構成し、前記第３の活性層は逆Ｌ型構造を構成し、或いは、 前記第１の活性層と前記第２の活性層はｎ型構造を構成し、前記第３の活性層は逆Ｌ型構造を構成し、或いは、 前記第１のゲート、前記第２のゲート及び前記第３のゲートからなるゲートパターンは、方形又は多角形であることを特徴とする画素駆動回路。」 ２ 本件補正の適否についての当審の判断 (１) 本件補正の目的について ア 本件補正は、本件補正前の請求項１に対して、第１駆動トランジスタと第２駆動トランジスタと第４スイッチングトランジスタとが構成するレイアウト構造に関する以下の限定を行うことを含むものである。 「 前記直列接続に関し、前記第１駆動トランジスタと前記第２駆動トランジスタと前記第４スイッチングトランジスタとが構成するレイアウト構造は、 回路ノードと、 前記回路ノードに接続され、第１の活性層と、第２の活性層と、第３の活性層とを有する活性層と、 前記第１の活性層に接続された第１のソースと、 前記第２の活性層に接続されたドレインと、 前記第３の活性層に接続された第２のソースと、 前記第１の活性層、前記第２の活性層及び前記第３の活性層にそれぞれ対応する第１のゲートと、第２のゲートと、第３のゲートと、 を含み、 前記第１のゲートと、前記第２のゲートと、前記第３のゲートからなるゲートパターンは、前記回路ノード及び前記活性層の上方に位置し、 前記第１の活性層と前記第３の活性層は逆Ｕ型構造を構成し、前記第２の活性層は逆Ｌ型構造を構成し、或いは、 前記第１の活性層と前記第２の活性層は ［図：0001391796000002.jpg］ 型構造を構成し、前記第３の活性層は逆Ｌ型構造を構成し、或いは、 前記第１の活性層と前記第２の活性層はｎ型構造を構成し、前記第３の活性層は逆Ｌ型構造を構成し、或いは、 前記第１のゲート、前記第２のゲート及び前記第３のゲートからなるゲートパターンは、方形又は多角形である」 イ 当該限定は、本件補正前の請求項１に記載された発明特定事項である、第１駆動トランジスタと第２駆動トランジスタと第４スイッチングトランジスタ、又はこれらの直列接続を限定するものであり、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。 ウ しかしながら、本件補正前の請求項１に記載された発明の解決しようとする課題は、明細書の【０００６】（後記(ア)参照）に記載されているとおり、 「有機発光ダイオードの電流の減少と、画素駆動用薄膜トランジスタのゲートの充電率の増加の２つの要求を両立することが困難であるという問題を解決する」 ことであるのに対して、本件補正後の請求項１に記載される発明の解決しようとする課題は、前記限定を行うことにより、明細書の【０００７】（後記(イ)参照）に記載されているとおり、 「画素駆動回路内の駆動用薄膜トランジスタの数が多く、レイアウト設計において占有面積又は占有スペースが大きく、高画素密度の製品設計に影響を及ぼすという問題を解決する」 ことが追加されたものである。 (ア) 【０００６】の記載 「 【０００６】 本発明の１つの目的は、従来の画素駆動用薄膜トランジスタのチャネルの幅と長さの比により有機発光ダイオードの電流の減少と、画素駆動用薄膜トランジスタのゲートの充電率の増加の２つの要求を両立することが困難であるという問題を解決するための画素駆動回路及びその駆動方法を提供することにある。」 (イ) 【０００７】の記載 「 【０００７】 本発明の他の目的は、従来の画素駆動回路内の駆動用薄膜トランジスタの数が多く、レイアウト設計において占有面積又は占有スペースが大きく、高画素密度の製品設計に影響を及ぼすという問題を解決するためのトランジスタのレイアウト構造を提供することにある。」 ウ 以上のとおり、本件補正前の請求項１に記載された発明と本件補正後の請求項１に記載される発明の解決しようとする課題は同一ではない。 エ したがって、本件補正のうち特許請求の範囲の請求項１についてする補正は、特許法１７条の２第５項２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものには該当しない。 オ また、本件補正のうち特許請求の範囲の請求項１についてする補正は、請求項の削除、誤記の訂正、又は明瞭でない記載の釈明のいずれを目的とするものにも該当しない、すなわち、特許法１７条の２第５項各号に掲げるいずれの事項を目的とするものにも該当しない。 (２) 本件補正の適否についての当審の判断のまとめ 前記(１)に示したとおり、本件補正のうち特許請求の範囲の請求項１についてする補正は、特許法第１７条の２第５項各号に掲げるいずれの事項を目的とするものにも該当しないから、本件補正は、同法１５９条１項において読み替えて準用する同法５３条１項の規定により却下すべきものである。 よって、補正の却下の決定の結論のとおり決定する。 第３ 本件発明について 本件補正は、前記第２のとおり却下されたので、本願の請求項１－７に係る発明は、令和３年２月２６日に提出された手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１－７に記載された事項により特定されるとおりのものであると認める。 そして、本願については、原査定の拒絶理由を検討してもその理由によって拒絶すべきものとすることはできない。 また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり審決する。