2022-000524

本願は、２０１６年（平成２８年）８月２日（パリ条約による優先権主張外国受理 ２０１５年（平成２７年）８月２５日（以下「優先日」という。） 欧州）の出願であって、その手続の経緯は以下のとおりである。

の手続補正書による手続補正を「本件補正

」という。）

（１）原査定の拒絶の理由で引用された本願の優先日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった引用文献である、国際公開第２０１４／１１４４０５号（平成２６年７月３１日公開。以下「引用文献１」という。）には、図面とともに、次の記載がある。（なお、下線及び括弧内の日本語訳は当審が付したものである。）

ア

「 [0006] EUV radiation may be produced using a plasma. A radiation system for producing EUV radiation may include a laser for exciting a fuel to provide the plasma, and a source collector apparatus for containing the plasma. The plasma may be created, for example, by directing a laser beam at a fuel, such as particles of a suitable material (e.g. tin), or a stream of a suitable gas or vapor, such as Xe gas or Li vapor. The resulting plasma emits output radiation, e.g., EUV radiation, which is collected using a radiation collector. The radiation collector may be a mirrored normal incidence radiation collector, which receives the radiation and focuses the radiation into a beam. The source collector apparatus may include an enclosing structure or chamber arranged to provide a vacuum environment to support the plasma. Such a radiation system is typically termed a laser produced plasma (LPP) source.」

（日本語訳：[0006] ＥＵＶ放射は、プラズマを用いて生成することができる。ＥＵＶ放射を生成するための放射システムは、プラズマを提供するために燃料を励起するレーザと、プラズマを収容するソースコレクタ装置とを含んでよい。プラズマは、例えば、適切な材料（例えば、スズ）の粒子あるいはＸｅガスまたはＬｉ蒸気などの適切なガスまたは蒸気の流れなどといった燃料にレーザビームを向けることによって生成することができる。結果として生じるプラズマは、出力放射、例えばＥＵＶ放射を放出し、これは、放射コレクタを用いて集光される。放射コレクタは、放射を受けて放射をビームに合焦させるミラー法線入射放射コレクタであってよい。ソースコレクタ装置は、プラズマを支持するために真空環境を提供するように配置された閉鎖構造またはチャンバを含んでよい。そのような放射システムを、通常、レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）源と呼ぶ。）

「[0056] LPP EUV sources can have a high infrared (IR) content in its output, largely from the IR radiation emitted by the laser used to excite the fuel, which is reflected back off the fuel droplet and towards the collector. This IR content should be removed as much as possible from the source output to prevent wafer heating and optics (over)heating, leading to overlay errors.

[0057] This issue is illustrated schematically in Figure 10. This shows an IR laser beam 300 incident on a fuel droplet 310. Some IR radiation 320 is reflected back towards collector 50. IR filtering may be realized by provision of a grating 330 integrated into the collector 50 surface (sometimes referred to as a 'spectral purity filter (SPF) collector'). This grating 330 is tuned to cancel zeroth order reflected radiation 340 (shown dotted as this is essentially suppressed by the filter 330) for the driving IR wavelength of 10.6μm. First order reflected radiation 350 (and other orders) can then be blocked by a cap 360 at or near the intermediate focus (IF).

[0058] This zeroth order cancellation is specific to a single specific wavelength, and is not effective against secondary lines. This means that secondary IR lines are not suppressed effectively, and so need to be removed in the IR laser or delivery system. This limitation limits net IR output from the laser system by effectively preventing the use of multiple C02 output lines.

[0059] Some current C02 IR-lasers output a strong secondary line of wavelength 9.6μm, in addition to the main 10.6μm line. The use of this line could increase overall output by over 10%. The use of multiple output lines would also mean that no/less wavelength filtering needed and that there would be less level transition bottlenecking.

[0060] The suppression grating on the collector uses the basic principle of destructive interference whereby each contribution from the top areas of the grating is canceled by an out-of-phase equal contribution from the bottom areas. This equates to equal areas for top and bottom (Duty Cycle DC=50%), and a grating depth of λ/4 (or more generally λ/4+ｎ*λ/2).

[0061] Figure 11 shows the simplest profile 200 which satisfies these conditions, p representing the grating pitch (which may be, by way of example, 1000μm), and λ1 is the wavelength to be suppressed by the grating (for example 10.6μm). As can be seen profile 200 represents a binary (square wave) structure having a grating depth of

λ1/4 (e.g. 2.65μm).」

（日本語訳：[0056] ＬＰＰ ＥＵＶ源は、その出力に高赤外（ＩＲ）成分を有してよく、燃料を励起するために使用されるレーザによって放出されて燃料小滴からコレクタに向かって反射するＩＲ放射からが主である。このＩＲ成分は、オーバーレイエラーに繋がるウェーハ加熱および光学（過）熱を防止するために放射源出力からできる限り取り除かれるべきである。

[0057] この問題は図１０に概略的に示されている。図１０は燃料小滴３１０に入射するＩＲレーザビーム３００を示している。一部のＩＲ放射３２０はコレクタ５０に戻るように反射する。ＩＲフィルタリングは、コレクタ５０表面（「スペクトル純度フィルタ（ＳＰＦ）コレクタ」と呼ばれることがある）に組み込まれる格子３３０を設けることによって実現することができる。この格子３３０を調整して１０．６μｍの駆動ＩＲ波長のためのゼロ次反射放射３４０（これはフィルタ３３０によって基本的に抑制されるので点線として示される）を打ち消す。次いで一次反射放射３５０（および他の次数）は、中間焦点（ＩＦ）でまたはその近くのキャップ３６０によって遮断することができる。

[0058] このゼロ次相殺は、単一の特定波長に特有であり、二次ラインに対して効果的ではない。これは二次ＩＲラインが効果的に抑制されていないことを意味し、ＩＲレーザまたはデリバリシステムで除去される必要がある。この制限は、多数のＣＯ２出力ラインの使用を効果的に防止することによってレーザシステムからの正味のＩＲ出力を制限する。

[0059] 一部の現在のＣＯ２ＩＲレーザは、主要な１０．６μｍラインに加えて波長９．６μｍの強力な二次ラインを出力する。このラインの使用は、全体的な出力を１０％増加させることができる。多数の出力ラインの使用は、波長フィルタリングが必要ないかまたは少ない波長フィルタリングが必要であることを意味し、さらに、より少ないレベル遷移障害の存在を意味する。

[0060] コレクタ上の抑制格子は破壊的干渉の基本原理を使用し、格子の上部領域からの各寄与は、下部領域からの位相外れの同等の寄与によって打ち消される。これは上部と下部の等面積（デューティサイクルＤＣ＝５０％）および格子深さλ／４（より一般的にはλ／４＋ｎ*λ／２）と同じである。

[0061] 図１１は、これらの条件を満たす最も単純なプロファイル２００を示している。ｐは格子ピッチ（一例として、１０００μｍであってよい）を表し、λ１は格子によって抑制される波長（例えば、１０．６μｍ）である。図に示すように、プロファイル２００は、格子深さλ１／４（例えば、２．６５μｍ）を有する二元（方形波）構造を表す。）

「[0069] For the particular example where a dual-line IR main pulse (having closely spaced wavelengths) and a separate pre-pulse wavelength (having a wavelength approximately 10 times shorter), the concepts described herein can be combined with more conventional depth optimization where grating depth is chosen to suppress both long and short wavelengths. As already mentioned, there will be destructive interference when the depth satisfies the equation λ/4+ｎ*λ/2, and therefore the same depth can satisfy two different wavelengths by varying n. In this specific example, a depth of 2.65μm should suppress 1μm wavelength radiation to a reasonable degree, in addition to 10.6μm radiation. In one embodiment, both grating depths (that is the depth of the main grating, and that of the grating superimposed on the main grating) are chosen to suppress both main pulse and pre-pulse contributions.」

（日本語訳：[0069] （密接配置された波長を有する）デュアルラインＩＲメインパルスおよび（約１０倍短い波長を有する）別のプレパルス波長の特定の例に対して、本明細書中に記載された概念を、長いおよび短い波長の両方を抑制するように格子深さが選択される従来型の深さの最適化と組み合わせることができる。既に述べたように、深さがλ／４＋ｎ*λ／２の式を満たす場合、破壊的干渉が発生し、したがって、ｎを変化させることにより同じ深さが２つの異なる波長を満たすことができる。この具体例では、１０．６μｍ放射に加えて、深さ２．６５μｍは、１μｍ波長放射を妥当な程度にまで抑制する。一実施形態では、両方の格子深さ（すなわち、メイン格子の深さおよびメイン格子に重ね合わされた格子の深さ）は、メインパルスおよびプレパルスの両方の寄与を抑制するように選択される。）

イ Figure 10及び11は、次のとおりである。

「Figure 10

［図：0001397673000002.jpg］

Figure 11

［図：0001397673000003.jpg］

」

ウ 上記ア及びイから、引用文献１には、次の技術的事項（以下「引用文献１に記載された技術的事項」という。）が記載されていると認められる。

「格子において、波長λが破壊的干渉を生じる深さはλ／４＋ｎ*λ／２の式で表され、単一の深さにおいて、前記式のｎを変化させることにより２つの異なる波長で前記式を満たすことができ、具体例では、１０．６μｍ放射に加えて、深さ２．６５μｍは、１μｍ波長放射を妥当な程度にまで抑制すること。」（［００６９］）

エ 上記ア及びイから、引用文献１には、図１１に関して、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。

「ＩＲフィルタリングの実現のため、コレクタ５０表面に組み込まれる格子３３０であって、（［００５７］）

コレクタ５０は、レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）源で用いられ、ＥＵＶ放射を集光するためのものであり、（［０００６］）

前記格子３３０は、調整して１０．６μｍの駆動ＩＲ波長のためのゼロ次反射放射３４０を打ち消すものであり、（［００５７］）

コレクタ上の抑制格子は破壊的干渉の基本原理を使用し、格子の上部領域からの各寄与は、下部領域からの位相外れの同等の寄与によって打ち消され、これは上部と下部の等面積（デューティサイクルＤＣ＝５０％）および格子深さλ／４（より一般的にはλ／４＋ｎ*λ／２）と同じであり、（［００６０］）

前記格子３３０のプロファイル２００は、λ１を格子によって抑制される波長（例えば、１０．６μｍ）とすると、格子深さλ１／４（例えば、２．６５μｍ）を有する二元（方形波）構造である（［００６１］）

格子３３０。」

（２）原査定の拒絶の理由で引用された本願の優先日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった引用文献である、特開２０１３－１７５７２４号公報（平成２５年９月５日公開。以下「引用文献２」という。）には、図面とともに、次の記載がある。

ア

「【請求項３０】

極紫外線(EUV)放射を行うEUV放射源を形成するのに使用する赤外線(IR)レーザー放射を反射し、前記EUV放射源ともに使用する斜入射集光器であって、

複数の共通焦点を有する回転楕円面の断面で規定された回折格子要素を含む回折格子を有する反射表面を備える少なくとも１つのミラーシェルを備えており、

前記回折格子要素は、焦点を避けるように前記IR放射を実質的に回折させる一方で、前記EUV放射を焦点に向けて実質的に鏡面反射させる斜入射集光器である。

【請求項３１】

前記回折格子要素は、前記IR放射のゼロ回折次数の相殺的干渉の原因となる請求項３０に記載の斜入射集光器。」

「【０１６３】

図９Ｂは、一例のEUV放射光線２６に沿った表面Ｓ１上における回折格子１０６の一部を示している。EUV放射の波長が回折格子の周期ｐに比べて非常に短いのに対してEUVコヒーレンス長は回折格子の周期に比べてわずかに長いだけなのでEUV放射の回折効果は無視できる程度であることから、EUV放射２６は回折格子１０６で鏡面反射する。一方、IR波長は回折格子の周期の次数であるとともに反射したIRのコヒーレンス長は回折格子の周期ｐに比べて非常に長いことから、IR放射３２の回折次数はＸ－Ｚ平面で回折する。

【０１６４】

回折格子１０６はブレーズ化されていないので、ゼロ次数のIR放射を除去するのに上述したものとは異なる構成を用いる必要がある。さもないと、ゼロ次数のIR放射は鏡面反射方向を進み開口絞りＡＳの開口ＡＡに向かってしまう。回折格子の縦方向における上端および下端の等価光線の間をEUV放射源２４ｆからGIC５０を介して開口絞りＡＳの開口ＡＡに至るのとは異なる光路がIR波長の半分（例えば、λ＝10.6ミクロンであれば、λ／２＝5.3ミクロン）の奇数倍となるように、回折格子１０６が構成されている。このことは、開口絞りＡＳの開口ＡＡにおけるIR放射３２の相殺的干渉を確実にする。

【０１６５】

縦方向の回折格子１０６に対して角度θ（回折格子への法線との間の角度）で入射する光線について、回折格子の深さはλ／（４・cos(θ)）の奇数倍である必要がある。ここで、λはIR波長（例えば、CO2レーザーであればλ＝10.6ミクロン）である。このような状況下において、実質的に開口ＡＡを通過するIR放射３２は存在しない一方で、EUV放射２６は開口絞りＡＳの開口ＡＡに集光される。これは、IR放射３２のゼロ次数回折が相殺的干渉を受けるとともに、高次数のものは、開口絞りＡＳの開口ＡＡを中心とする円形領域に回折入射するからである。高次数回折角度は上記回折格子の式を満足する。」

「【０１６７】

図１０は、GICミラーＭ１の表面Ｓ１上に形成された回折格子１０６の構成についての別の実施例を示している。回折格子構造１０６は、実施例のように、１つの楕円面GICミラーＭ１上にパターン付けられている。例として、多数の異なる楕円面Ｅ１からＥ４（点線）が示されている。楕円面Ｅ１からＥ４は、EUV放射源２４ｆおよび中間集光点ＩＦが位置する２つの共通の焦点を有している。換言すると、これらは共通の焦点を有する楕円面群であることを示している。回折格子要素１０５は、楕円面Ｅ１からＥ４の一部となるように形成されている。回折格子の周期ｐは、各回折格子要素１０５の長さで規定されるとともにIR放射３６の波長とほぼ同じであり、当該周期はEUV波長と比べて非常に大きく、かつ、EUVコヒーレンス長よりも大きい。このため、回折格子要素１０５は、段階的な方位角的回折格子を規定する。」

イ

図９Ｂ，図１０Ａ及び図１０Ｂの記載は、次のとおりである。

「図９Ｂ

［図：0001397673000004.jpg］

図１０Ａ

［図：0001397673000005.jpg］

図１０Ｂ

［図：0001397673000006.jpg］

」

ウ

上記ア及びイから、引用文献２には、次の技術的事項（以下「引用文献２に記載された技術的事項」という。）が記載されているものと認められる。

（ア）「極紫外線(EUV)放射を行うEUV放射源を形成するのに使用する赤外線(IR)レーザー放射を反射し、前記EUV放射源ともに使用する斜入射集光器おいて、（【請求項３０】）

焦点を避けるように前記IR放射を実質的に回折させる一方で、前記EUV放射を焦点に向けて実質的に鏡面反射させ、（【請求項３０】

前記IR放射のゼロ回折次数の相殺的干渉の原因となる、（【請求項３１】）

回折格子要素を含む回折格子を有すること。」

（イ）「回折格子要素は、段階的な方位角的回折格子を規定すること。」（【０１６７】、図１０Ａ、図１０Ｂ）

（ウ）「回折格子において、角度θ（回折格子への法線との間の角度）で入射する波長λの光線について、回折格子の深さはλ／（４・cos(θ)）の奇数倍であること。」（【０１６５】）

（３）原査定の拒絶の理由で引用された本願の優先日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった引用文献である、国際公開第２０１４／１７００９３号（平成２６年１０月２３日公開。以下「引用文献３」という。）には、図面とともに、次の記載がある。

ア

「 [00104] Figure 3 schematically depicts an embodiment of a radiation source SO which may for example be a laser produced plasma (LPP) source. The radiation source SO comprises a radiation collector 14 and a contaminant trap 35, although the presence of the contamination trap 35 may be optional. EUV radiation is emitted from a plasma formation region 12. The radiation collector 14 comprises reflective surfaces which reflect EUV radiation emitted from the plasma formation region 12 towards an intermediate focus 16, such that radiation directed by the radiation collector 14 substantially converges at the intermediate focus 16. The reflective surfaces are disposed around an optical axis O of the radiation collector. A schematic depiction of the radiation collector 14, as viewed from the intermediate focus 16 is shown in Figure 4.」

（日本語訳：［００１０４］図３は、例えばレーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）源である放射源ＳＯの実施形態を模式的に示す。放射源ＳＯは、放射コレクタ１４および汚染物質トラップ３５を備えるが、汚染物質トラップの存在は任意であってよい。ＥＵＶ放射はプラズマ形成領域１２から放出される。放射コレクタ１４は、放射コレクタ１４により向けられた放射が中間焦点１６に実質的に集束するように、プラズマ形成領域１２から中間焦点１６に向かって放出されたＥＵＶ放射を反射する反射面を備える。反射面は、放射コレクタの光軸Ｏの周りに配置される。中間焦点１６から見た放射コレクタ１４の模式図が図４に示されている。）

「[00108] The inner and outer reflective surfaces 400 and 405 are joined by an intermediate surface 410. The intermediate surface 410 is arranged substantially parallel to a direction from the plasma formation location 12 to the intermediate surface 410, for example formed by a plane that intersects the plasma formation location 12 and an end of a reflective surface (as shown in the cross-section of Figure 3) . The intermediate surface 410 is therefore substantially parallel to the direction of propagation of EUV radiation from the plasma formation region 12. The intermediate surface 410 therefore has substantially no EUV radiation incident upon it. The intermediate surfaces 410 may comprise one or more holes (as depicted in Figure 3), through which a gas may be introduced to the radiation source SO. The gas may be introduced from a gas source. For example, the gas source may be configured to deliver a gas through the one or more holes. The gas source may deliver the gas from the intermediate surface 410 towards the EUV reflecting surface of the radiation collector 14. The gas may for example be hydrogen gas, a gas containing radicals, a halogen gas or an inert gas. The gas may form a gas buffer between the radiation collector and the plasma formation location 12 which may act to protect the radiation collector from contaminants originating from the fuel and the plasma formation region 12. For example contaminants may collide with molecules of the gas which may prevent the contaminants from reaching the radiation collector 14. The gas may additionally or alternatively act to clean any contaminants from the surfaces of the radiation collector 14.」

（日本語訳：［００１０８］内側反射面４００および外側反射面４０５は、中間面４１０により結合される。中間面４１０は、プラズマ形成位置１２から中間面４１０の方向に対して実質的に平行に配置される、（図３の断面に示すように）例えばプラズマ形成位置１２および反射面の端部と交差する面により形成される。中間面４１０は、従って、プラズマ形成領域１２からのＥＵＶ放射の伝搬方向と実質的に平行である。従って、中間面４１０に入射するＥＵＶ放射は実質的にない。中間面４１０は、放射源ＳＯに導入されるガスが通る一つ以上の孔（図３に示す）を備えてよい。ガスは、ガス源から導入されてよい。例えば、ガス源は、一つ以上の孔を通ってガスを供給するよう構成されてよい。ガス源は、中間面４１０から放射コレクタ１４のＥＵＶ反射面に向かってガスを供給してよい。ガスは、例えば水素ガス、ラジカルを含むガス、ハロゲンガスまたは不活性ガスであってよい。ガスは、放射コレクタとプラズマ形成位置１２との間にガスバッファを形成してよい。このガスバッファは、燃料およびプラズマ形成領域１２から生じる汚染物質から放射コレクタを保護する役割を果たしてよい。例えば、汚染物質は、汚染物質が放射コレクタ１４に到達するのを防ぐガスの微粒子と衝突する可能性がある。ガスは、これに加えてまたは代えて、放射コレクタ１４の面からの汚染物質を除去する役割を果たしてよい。）

「[0117] The arrangement of the reflective surfaces 803 and the intermediate surfaces 802 result in the radiation collector 341 having a periodic structure which may be characterised by a pitch 803 and a depth D as indicated in Figure 10a. The pitch 803 is equivalent to the length of each reflective surface 801 and the depth D is equivalent to the length of the intermediate surfaces 802. The pitch 803 and the depth D of a radiation collector 341 may be approximately the same over substantially the whole extent of a radiation collector 341. This may in particular be the case when the pitch 803 and the depth D are configured such that the radiation collector acts as a diffraction grating to infrared radiation. This advantageously reduces the amount of infrared radiation which is reflected to the intermediate focus 16 and thus reduces the amount of infrared radiation which is incident on the optical components of a lithographic apparatus LA.

[0118] In order to configure a radiation collector 341 such that it acts as a diffraction grating to infrared radiation having a wavelength λIR, the depth D of the periodic structure of the radiation collector 341 may be set according to equation (2).

D = cos θ (n + 1／4)λIR (2)

Where n is an integer number and θ is the angle of incidence of radiation (having a wavelength λπ on the reflective surfaces 801 of a radiation collector 341. This may cause infrared radiation beams which are reflected from adjacent reflective surfaces 801 to have a difference in path length of approximately (n + 1／2) λIR. Infrared radiation beams which are reflected from adjacent reflective surfaces 801 will therefore be out of phase with each other and will destructively interfere with each other, thereby reducing the amount of infrared radiation which is reflected to an intermediate focus 16. Instead infrared radiation is diffracted to form higher order interference fringes which do not propagate towards the intermediate focus 16.」

（日本語訳：[０１１７]反射面８０１および中間面８０２の配置は、ピッチ８０３と深さＤにより特徴付けられる周期的構造を有する放射コレクタ３４１をもたらす。ピッチ８０３は、各反射面８０１の長さと等しく、深さＤは中間面８０２の長さと等しい。放射コレクタ３４１のピッチ８０３および深さＤは、放射コレクタ３４１の全放射範囲にわたっておおよそ同じであってよい。これは、特に、放射コレクタが赤外線放射に対して回折格子として機能するようピッチ８０３および深さＤが構成されるときの場合である。これは有利に、中間焦点１６に反射する赤外線放射の量を減らし、従って、リソグラフィ装置ＬＡの光学部品に入射する赤外線放射の量を減少させる。

［０１１８］波長λＩＲを有する赤外線放射に対して回折格子として機能するよう放射コレクタ３４１を構成するために、放射コレクタ３４１の周期的構造の深さＤは式（２）に従って設定されてよい。

D = cos θ (n + 1／4) λＩＲ (2)

ここで、ｎは整数であり、θは放射コレクタ３４１の反射面８０１への放射（波長λＩＲを有する）の入射角である。これにより、隣接する反射面８０１から反射する赤外線放射ビームは、およそ（ｎ＋１／２）λＩＲの経路長の差を有する。隣接する反射面８０１から反射する赤外線放射は、従って、互いに位相がずれ、互いに破壊的に干渉し合い、それにより中間焦点１６に反射される赤外線放射の量が減少する。その代わりとして、赤外線放射が回折されて、中間焦点１６に向かって伝搬しない高次の干渉縞を形成する。）

イ

Figure 3は、次のとおりである。

「Figure 3

［図：0001397673000007.jpg］

」

上記Figure 3から、内側反射面４００と外側反射面４０５及び中間層４１０からなる形状が階段状であることが見て取れる。

ウ

上記ア及びイから、引用文献３には、次の技術的事項（以下「引用文献３に記載された技術的事項」という。）が記載されているものと認められる。

（ア）「レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）源である放射源ＳＯで用いられる放射コレクタ３４１において、（［００１０４］）

反射面８０１および中間面８０２からなり、赤外線放射の量を減少させる、回折格子を有すること。」（［０１１７］）

（イ）「内側反射面４００と外側反射面４０５及び中間層４１０からなる形状が階段状であること。」（上記イ）

（ウ）「波長λＩＲを有する赤外線放射に対して回折格子として機能するよう放射コレクタ３４１を構成するために、放射コレクタ３４１の周期的構造の深さＤは、Ｄ= cos θ (n + 1／4) λＩＲ であって、ｎは整数であり、θは放射コレクタ３４１の反射面８０１への放射（波長λＩＲを有する）の入射角であること。」（［０１１８］）

審判請求書において、請求人は、引用文献１～３には、第１及び第２の波長の両方の波長を抑制するための単一の分離距離を設定するコンセプト、並びに、波長、近似整数及び係数Ｋに基づいて分離距離が設定される３以上の反射面を備えること、は記載も示唆もないことから、本願発明は、当業者が容易に発明しうるものではない旨を主張している。

しかし、上記５（１）及び（２）で相違点１及び２として検討したとおり、上記主張された事項は、進歩性の判断を覆すに足るものではない。

よって、上記主張は、採用できない。