2021-017471

特願２０１８－５６２５３９「イオン注入チャネリング技術により形成される超接合パワーシリコンカーバイド半導体デバイス及び関連方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２９年１２月 ７日国際公開、ＷＯ２０１７／２０９８２５、令和 １年 ７月１８日国内公表、特表２０１９－５２０７０３、請求項の数（７）〕について、次のとおり審決する。

結 論 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。

理 由 本願は、２０１７年（平成２９年） ３月１４日（パリ条約による優先権主張外国庁受理 ２０１６年 ５月３１日 （ＵＳ）アメリカ合衆国）を国際出願日とする出願であって、その請求項１ないし７に係る発明は、令和３年１２月１７日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし７に記載された事項により特定されるとおりのものであると認める。 そして、本願については、原査定の拒絶理由を検討してもその理由によって拒絶すべきものとすることはできない。 また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり審決する。