2023-014479

特願２０２１－５７６８２９「ハイブリッドパワーモジュール」拒絶査定不服審判事件〔令和 ２年１２月３０日国際公開、ＷＯ２０２０／２６３３８６、令和 ４年 ９月１２日国内公表、特表２０２２－５３９５２４〕について、次のとおり審決する。

結 論 本件審判の請求は、成り立たない。

理 由 第１ 手続の経緯 本願は、２０２０年（令和２年）４月２０日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２０１９年６月２５日（以下、「優先日」という。）、２０１９年７月８日，共に米国）を国際出願日とする出願であって、令和４年１２月１２日付けで拒絶の理由が通知され、令和５年３月８日に意見書とともに手続補正書が提出され、同年４月２０日付けで拒絶査定（謄本送達日同年４月２８日）がなされ、これに対して同年８月２８日に拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに手続補正がなされ、同年１０月１１日付けで審査官により特許法１６４条３項の規定に基づく報告がなされ、令和６年１月１７日に上申書の提出がなされたものである。 第２ 本願発明について １ 本願発明 本願請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、令和５年８月２８日付けの手続補正書によって補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された、次のとおりのものと認める。なお、「１Ａ」～「１Ｅ」の記号は、それぞれの構成要件を特定するために当審で付加したものであり、それぞれを、「構成要件１Ａ」～「構成要件１Ｅ」という。 「１Ａ 第１のパワースイッチング端子および第２のパワースイッチング端子と、 １Ｂ 複数のパワー半導体デバイスとを備え、前記複数のパワー半導体デバイスは、 １Ｂ－１ 少なくとも１つの絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）と、 １Ｂ－２ 少なくとも１つの金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）とを備え、 １Ｃ 前記少なくとも１つのＩＧＢＴおよび前記少なくとも１つのＭＯＳＦＥＴは、前記第１のパワースイッチング端子と前記第２のパワースイッチング端子との間に並列に結合され、 １Ｄ 前記少なくとも１つのＩＧＢＴおよび前記少なくとも１つのＭＯＳＦＥＴは、シリコンカーバイド半導体デバイスであり、 １Ｅ 前記少なくとも１つのＩＧＢＴ、および前記少なくとも１つのＭＯＳＦＥＴは、スイッチング損失を低減するために制御信号に応答して個別に制御される、パワーモジュール。」 ２ 引用例 （１）引用例に記載された事項 原査定の拒絶の理由において引用した、本願の優先日前に既に公知である、特開２０１２－２５３２０２号公報（平成２４年１２月２０日公開。以下、これを「引用例」という。）には、関連する図面と共に、次の事項が記載されている。（下線は当審で付加。以下同様。） ア 「【００１１】 図１は、本実施形態によるパワーモジュールの構成の一例を示す図である。図１に示すように、本実施形態によるパワーモジュール２２には、ＭＯＳＦＥＴチップ１１とＩＧＢＴチップ１２とが同一パッケージ内に並列接続して搭載されている。また、パワーモジュール２２は、コレクタ端子１５、エミッタ端子１６、ＩＧＢＴゲート端子１７、ＭＯＳＦＥＴゲート端子１８、制御エミッタ端子１９、電流センス端子２０、および温度センス端子２１を備えており、ＭＯＳＦＥＴゲート端子１８、制御エミッタ端子１９、電流センス端子２０、および温度センス端子２１はゲートドライバ１３に接続されている。また、ＭＯＳＦＥＴチップ１１は、電流センサおよび温度センサを備えている。なお、フライホイールダイオード１４については、当該フライホイールダイオード１４に代えて、ＭＯＳＦＥＴチップ１１の寄生ダイオード部あるいは他のダイオードチップを搭載する場合もある。」 イ 「【００１３】 ゲートドライバ１３では、伝達された電流検知信号および温度検知信号に基づいて、ＭＯＳＦＥＴチップ１１およびＩＧＢＴチップ１２の動作を制御する。ゲートドライバ１３は、温度検知信号により損失を推定し、電流検知信号による電流値と合わせてパワーモジュール２２のスイッチング周波数を概略推定する。そして、これらの推定結果に基づいて、ＭＯＳＦＥＴチップ１１のみを動作させるのか、あるいは、ＭＯＳＦＥＴチップ１１とＩＧＢＴチップ１２との両方を動作させるのか、いずれの方がパワーモジュール２２の損失を小さく抑えられるのかを判断し、最適な（損失が小さい）方を選択して制御を行う。」 ウ 「【００１９】 なお、図３では静特性を示しているが、スイッチング損失については、一般的にユニポーラタイプであるＭＯＳＦＥＴの方が、バイポーラタイプであるＩＧＢＴよりも損失が小さい。また、高周波数の場合は、ＭＯＳＦＥＴのみを動作させた方が損失が小さくなると考えられる。 【００２０】 以上のことから、ゲートドライバは、電流センサが検知した電流値と温度センサが検知した接合温度とに基づいて、ＭＯＳＦＥＴチップ１１のみを動作させる、あるいは、ＭＯＳＦＥＴチップ１１およびＩＧＢＴチップ１２の両方を動作させることができる。」 エ 「【００３０】 また、チップにＳｉＣ（ＳｉＣ素子）を用いた場合は、チップにＳｉを用いた場合と比べてＩＧＢＴ部の立ち上がり電圧（閾値電圧、Ｖｔｈ）が高くなるため、ＭＯＳＦＥＴ部を設けることによってオン電圧を下げて損失を低減することができる（図３参照）。また、チップ全体の面積に対してＭＯＳＦＥＴ部の面積を最適にすることで、チップ全体としての特性をより向上させることができる。なお、ＳｉＣは、ＩＧＢＴ部のみに用いてもよく、ＭＯＳＦＥＴ部およびＩＧＢＴ部の両方に用いてもよい。」 オ 「図１ ［図：0001412136000001.jpg］ 」 （２）引用発明 ア（ア）上記（１）記載事項アの「図１は、本実施形態によるパワーモジュールの構成の一例を示す図である…中略…パワーモジュール２２には、ＭＯＳＦＥＴチップ１１とＩＧＢＴチップ１２とが同一パッケージ内に並列接続して搭載され」との記載及び上記記載事項（１）オ（図１）から、引用例には、“ＭＯＳＦＥＴチップ１１とＩＧＢＴチップ１２とが同一パッケージ内に並列接続して搭載され”た“パワーモジュール２２”が記載されているといえる。 （イ）上記（１）記載事項アの「パワーモジュール２２は、コレクタ端子１５、エミッタ端子１６、ＩＧＢＴゲート端子１７、ＭＯＳＦＥＴゲート端子１８…中略…を備えており、ＭＯＳＦＥＴゲート端子１８…中略…はゲートドライバ１３に接続されている」との記載、及び（１）記載事項オ（図１）を参照すると、「ゲートドライバ１３」には、「ＩＧＢＴ１２」のゲート端子に接続される「ＩＧＢＴゲート端子１７」を読み取ることができるから、引用例には、“コレクタ端子１５、エミッタ端子１６、ＩＧＢＴゲート端子１７、ＭＯＳＦＥＴゲート端子１８を備え、ＭＯＳＦＥＴゲート端子１８及びＩＧＢＴゲート端子１７はゲートドライバ１３に接続され”ることが記載されているといえる。 （ウ）上記（１）記載事項アの「ＭＯＳＦＥＴチップ１１は、電流センサおよび温度センサを備えている」との記載から、引用例には、“ＭＯＳＦＥＴチップ１１は、電流センサおよび温度センサを備え”ることが記載されているといえる。 （エ）上記（ア）～（ウ）を総合すると、引用例には、“ＭＯＳＦＥＴチップ１１とＩＧＢＴチップ１２とが同一パッケージ内に並列接続して搭載され、コレクタ端子１５、エミッタ端子１６、ＩＧＢＴゲート端子１７、ＭＯＳＦＥＴゲート端子１８を備え、ＭＯＳＦＥＴチップ１１は、電流センサおよび温度センサを備え、ＭＯＳＦＥＴゲート端子１８及びＩＧＢＴゲート端子１７はゲートドライバ１３に接続されたパワーモジュール２２”が記載されているといえる。 イ 上記（１）記載事項イの「ゲートドライバ１３では、…中略…ＭＯＳＦＥＴチップ１１およびＩＧＢＴチップ１２の動作を制御する。ゲートドライバ１３は、温度検知信号により損失を推定し、電流検知信号による電流値と合わせてパワーモジュール２２のスイッチング周波数を概略推定する。そして、これらの推定結果に基づいて、ＭＯＳＦＥＴチップ１１のみを動作させるのか、あるいは、ＭＯＳＦＥＴチップ１１とＩＧＢＴチップ１２との両方を動作させるのか、いずれの方がパワーモジュール２２の損失を小さく抑えられるのかを判断し、最適な（損失が小さい）方を選択して制御を行う」との記載から、引用例には、“ゲートドライバ１３は、温度検知信号により損失を推定し、電流検知信号による電流値と合わせてパワーモジュール２２のスイッチング周波数を概略推定し、これらの推定結果に基づいて、ＭＯＳＦＥＴチップ１１およびＩＧＢＴチップ１２の動作を制御し、ＭＯＳＦＥＴチップ１１のみを動作させるのか、あるいは、ＭＯＳＦＥＴチップ１１とＩＧＢＴチップ１２との両方を動作させるのか、いずれの方がパワーモジュール２２の損失を小さく抑えられるのかを判断し、損失が小さい方を選択して制御を行”うことが記載されているといえる。 ウ 上記（１）記載事項ウの「スイッチング損失については、一般的に…中略…ＭＯＳＦＥＴの方が、…中略…ＩＧＢＴよりも損失が小さい。また、高周波数の場合は、ＭＯＳＦＥＴのみを動作させた方が損失が小さくなる」（【００１９】）との記載から、引用例には、“スイッチング損失については、一般的に、ＭＯＳＦＥＴの方がＩＧＢＴよりもスイッチング損失が小さく、高周波数の場合は、ＭＯＳＦＥＴのみを動作させた方が損失が小さくな”ることが記載されているといえる。 エ 上記（１）記載事項ウの「ゲートドライバは、電流センサが検知した電流値と温度センサが検知した接合温度とに基づいて、ＭＯＳＦＥＴチップ１１のみを動作させる、あるいは、ＭＯＳＦＥＴチップ１１およびＩＧＢＴチップ１２の両方を動作させることができる」（【００２０】）との記載から、引用例には、“ゲートドライバは、電流センサが検知した電流値と温度センサが検知した接合温度とに基づいて、ＭＯＳＦＥＴチップ１１のみを動作させる、あるいは、ＭＯＳＦＥＴチップ１１およびＩＧＢＴチップ１２の両方を動作させることができ”ることが記載されているといえる。 オ 上記（１）記載事項エの「チップにＳｉＣ（ＳｉＣ素子）を用いた場合…中略…ＳｉＣは、ＩＧＢＴ部のみに用いてもよく、ＭＯＳＦＥＴ部およびＩＧＢＴ部の両方に用いてもよい」との記載から、引用例には、“ＭＯＳＦＥＴ部およびＩＧＢＴ部は、シリコンカーバイド素子を用いても良い”ことが記載されているといえる。 カ 以上、上記ア～オより、引用例には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているといえる。 「ＭＯＳＦＥＴチップ１１とＩＧＢＴチップ１２とが同一パッケージ内に並列接続して搭載され、コレクタ端子１５、エミッタ端子１６、ＩＧＢＴゲート端子１７、ＭＯＳＦＥＴゲート端子１８を備え、ＭＯＳＦＥＴチップ１１は、電流センサおよび温度センサを備え、ＭＯＳＦＥＴゲート端子１８及びＩＧＢＴゲート端子１７はゲートドライバ１３に接続されたパワーモジュール２２であって、 ゲートドライバ１３は、温度検知信号により損失を推定し、電流検知信号による電流値と合わせてパワーモジュール２２のスイッチング周波数を概略推定し、これらの推定結果に基づいて、ＭＯＳＦＥＴチップ１１およびＩＧＢＴチップ１２の動作を制御し、ＭＯＳＦＥＴチップ１１のみを動作させるのか、あるいは、ＭＯＳＦＥＴチップ１１とＩＧＢＴチップ１２との両方を動作させるのか、いずれの方がパワーモジュール２２の損失を小さく抑えられるのかを判断し、損失が小さい方を選択して制御を行い、 スイッチング損失については、一般的に、ＭＯＳＦＥＴの方がＩＧＢＴよりも損失が小さく、高周波数の場合は、ＭＯＳＦＥＴのみを動作させた方が損失が小さくなることから、ゲートドライバは、電流センサが検知した電流値と温度センサが検知した接合温度とに基づいて、ＭＯＳＦＥＴチップ１１のみを動作させる、あるいは、ＭＯＳＦＥＴチップ１１およびＩＧＢＴチップ１２の両方を動作させることができ、 ＭＯＳＦＥＴ部およびＩＧＢＴ部は、シリコンカーバイド素子を用いても良い パワーモジュール２２。」 ３ 対比及び判断 本願発明と引用発明とを対比する。 （１）構成要件１Ａについて 引用発明の、「コレクタ端子１５」及び「エミッタ端子１６」は、それぞれ異なる端子であり、また、引用発明の「ＭＯＳＦＥＴチップ１１とＩＧＢＴチップ１２」は、いずれも“パワースイッチング素子”といい得るところ、これら「ＭＯＳＦＥＴチップ１１とＩＧＢＴチップ１２」に接続される「コレクタ端子１５」及び「エミッタ端子１６」は、それぞれ構成要件１Ａの「第１のパワースイッチング端子」および「第２のパワースイッチング端子」に相当するといえるから、引用発明は構成要件１Ａの「第１のパワースイッチング端子および第２のパワースイッチング端子」に相当する構成を有する。 （２）構成要件１Ｂについて 引用発明の「パワーモジュール２２」は、「ＭＯＳＦＥＴチップ１１とＩＧＢＴチップ１２とが同一パッケージ内に並列接続して搭載され」たものであるところ、「ＭＯＳＦＥＴチップ１１とＩＧＢＴチップ１２」が、“半導体デバイス”であることは、当該技術分野における当業者にとって明らかである。 そうすると、引用発明は、「ＭＯＳＦＥＴチップ１１とＩＧＢＴチップ１２」という、複数のパワー半導体デバイスを備えたものといえるから、上記（１）の認定も踏まえ、引用発明は、構成要件１Ｂのうち、「複数のパワー半導体デバイスとを備え」との構成を有するといえる。 （３）構成要件１Ｂ－１について 引用発明の「ＩＧＢＴチップ１２」は、構成要件１Ｂ－１の「絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）」に相当するものである。 そして、構成要件１Ｂ－１のうち、「少なくとも１つの」との構成は、「絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）」が１つの場合を含むことから、引用発明は、構成要件１Ｂのうち「前記複数のパワー半導体デバイスは、」の部分と構成要件１Ｂ－１の「少なくとも１つの絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）」を備えるとの構成を有するといえる。 （４）構成要件１Ｂ－２について 引用発明の「ＭＯＳＦＥＴチップ１１」は、構成要件１Ｂ－２の「金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）」に相当するものである。 そして、上記（３）でも検討したとおり、構成要件１Ｂ－２の「少なくとも１つの」との構成は、「金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）」が１つの場合を含むことから、引用発明は、構成要件１Ｂのうち「前記複数のパワー半導体デバイスは、」の部分と構成要件１Ｂ－２の「少なくとも１つの金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）とを備え」るとの構成を有するといえる。 （５）構成要件１Ｃについて 引用発明の「ＭＯＳＦＥＴチップ１１とＩＧＢＴチップ１２とが同一パッケージ内に並列接続して搭載され」ているところ、引用発明の「ＭＯＳＦＥＴチップ１１とＩＧＢＴチップ１２」とは、「コレクタ端子１５」及び「エミッタ端子１６」の間に並列に結合されているといえるから、上記（１）～（４）の対比を踏まえると、引用発明は、構成要件１Ｃの「前記少なくとも１つのＩＧＢＴおよび前記少なくとも１つのＭＯＳＦＥＴは、前記第１のパワースイッチング端子と前記第２のパワースイッチング端子との間に並列に結合され」るとの構成を有するといえる。 （６）構成要件１Ｄについて 引用発明の「ＭＯＳＦＥＴ部およびＩＧＢＴ部」は、「シリコンカーバイド素子を用いても良い」ものであるところ、当該「ＭＯＳＦＥＴ部およびＩＧＢＴ部」は、「ＭＯＳＦＥＴチップ１１とＩＧＢＴチップ１２」のことを意味するものであるから、上記（３）及び（４）の対比を踏まえて、引用発明は、構成要件１Ｄの「前記少なくとも１つのＩＧＢＴおよび前記少なくとも１つのＭＯＳＦＥＴは、シリコンカーバイド半導体デバイスであ」るとの構成を有するといえる。 （７）構成要件１Ｅについて 引用発明の「ゲートドライバ１３」は、「ＭＯＳＦＥＴチップ１１およびＩＧＢＴチップ１２の動作を制御」するものであるところ、引用発明の当該「ゲートドライバ１３に接続され」る「ＭＯＳＦＥＴゲート端子１８」及び「ＩＧＢＴゲート端子１７」は、それぞれ、「ＭＯＳＦＥＴチップ１１」及び「ＩＧＢＴチップ１２」を、「ゲートドライバ１３」からの制御信号に応じて、個別に制御するための端子であることは、当業者にとって自明である。 そして、引用発明の「ゲートドライバ１３」は、「ＭＯＳＦＥＴチップ１１のみを動作させるのか、あるいは、ＭＯＳＦＥＴチップ１１とＩＧＢＴチップ１２との両方を動作させるのか、いずれの方がパワーモジュール２２の損失を小さく抑えられるのかを判断し、損失が小さい方を選択して制御を行」うことから、引用発明の「パワーモジュール２２」は、「ＭＯＳＦＥＴチップ１１」及び「ＩＧＢＴチップ１２」の側からみれば、「パワーモジュール２２」の損失（以下、この損失を、「引用発明における損失」という。）を低減するために「ゲートドライバ１３」からの制御信号に応答して個別に制御されるといえる。 一方、構成要件１Ｅのうち、「スイッチング損失を低減するために」との特定事項に関し、特許請求の範囲には、特に「スイッチング損失」に関する特段の限定事項が記載されていない。そして、構成要件１Ｅは、本願発明の「パワーモジュール」が備える「少なくとも１つのＩＧＢＴ」及び「少なくとも１つのＭＯＳＦＥＴ」に関し、「制御信号に応答して個別に制御される」ものであることを特定するとともに、当該「制御」にあたっては、その制御が、「スイッチング損失を低減するため」であることを特定するものである。 そこで、構成要件１Ｅにおける、「スイッチング損失」に関し、特許請求の範囲に特定されている事項のみからは、必ずしもその意味内容が明らかとはいえないところ、本願明細書の記載を参酌すると、段落【００１１】、【００３８】～【００４０】には、次の記載が認められる。 「【００１１】 [0009]１つの実施形態では、並列に結合されたシリコンカーバイドＩＧＢＴおよびシリコンカーバイドＭＯＳＦＥＴを含むパワーモジュールを動作させる方法は、ＭＯＳＦＥＴを遮断モードにする前に、ＩＧＢＴを遮断モードにすることによって、パワーモジュールを順方向導通モードから遮断モードにスイッチすることと、少なくとも１つのＩＧＢＴを順方向導通モードにする前に、少なくとも１つのＭＯＳＦＥＴを逆方向導通モードにすることによって、パワーモジュールを遮断モードから順方向導通モードにスイッチすることとを含む。このようにパワーモジュールを動作させることにより、パワーモジュールのスイッチング損失が、大幅に低減され得る。 … 【００３８】 [0045]図４に示すように、スイッチ位置ＳＷは、第１の制御端子３２および第２の制御端子３８を有する。ＩＧＢＴ２８およびＭＯＳＦＥＴ３０に別個の制御端子を提供することは、パワーモジュール１０によって実現されるいくつかの性能上の利点を可能にし得る。特に、ＩＧＢＴ２８およびＭＯＳＦＥＴ３０は、パワーモジュール１０におけるスイッチング損失を最小化するスイッチング制御スキームが使用され得るように（たとえば、図示されていないスイッチング制御回路構成からのスイッチング制御信号によって）個別に制御され得る。 【００３９】 [0046]図７は、本開示の１つの実施形態による、スイッチング損失を最小化するためにパワーモジュール１０内のＩＧＢＴ２８およびＭＯＳＦＥＴ３０を制御するための方法を例示するフロー図である。第１に、パワーモジュール１０は、ＭＯＳＦＥＴ３０を遮断モードにする前に、ＩＧＢＴ２８を遮断モードにすることによって、第１のパワースイッチング端子３４と第２のパワースイッチング端子３６との間で電流が導通される順方向導通モードから、第１のパワースイッチング端子３４と第２のパワースイッチング端子３６との間で電流が導通されない遮断モードへ切り替えられ得る（ステップ１００）。ＭＯＳＦＥＴ３０の前にＩＧＢＴ２８を遮断モードにすると、パワーモジュール１０におけるスイッチング損失が減少する。なぜなら、ＩＧＢＴ２８は一般に、デバイス内の少数キャリアの再結合時間のために、順方向導通モードから遮断モードに移行するのに、はるかに長い時間がかかるからである。 【００４０】 [0047]第２に、パワーモジュール１０は、ＩＧＢＴ２８を順方向導通モードにする前に、ＭＯＳＦＥＴ３０を逆方向導通モードにすることによって、遮断モードから順方向導通モードへ切り替えることができる（ステップ１０２）。ＩＧＢＴ２８を順方向導通モードにする前にＭＯＳＦＥＴ３０を逆方向導通モードにすることによって、逆回復プロセスによってドリフト領域から掃引されるのではなく、電荷が再結合することを可能にすることによって逆回復損失を軽減し、それによって、パワーモジュール１０におけるスイッチング損失が減少する。」 以上の記載からは、構成要件１Ｅにおける「スイッチング損失を低減する」との特定事項は、“ＭＯＳＦＥＴを遮断する前にＩＧＢＴを遮断することによって、パワーモジュールのスイッチング損失を低減する”こと（以下、「限定解釈」という。）を意味するものと解される余地はある。 しかしながら、特許請求の範囲の請求項１には、上記第２の１に記載したとおりの事項のみが特定されるにとどまり、構成要件１Ｅにおける「スイッチング損失を低減する」との特定事項を、上記の限定解釈の意味で限定的に解釈すべき事情は存在しない。（なお付言するならば、特許請求の範囲には、請求項１を引用する請求項にも、上記限定解釈に関する特定事項を含む請求項は存在しない。） そして、引用発明の「ゲートドライバ１３」は、「推定」された「スイッチング周波数」に基づいて、「ＭＯＳＦＥＴチップ１１およびＩＧＢＴチップ１２の動作を制御し」て上記引用発明における損失を低減するものであることに加え、引用発明は、「スイッチング損失については、一般的に、ＭＯＳＦＥＴの方がＩＧＢＴよりも損失が小さく、高周波数の場合は、ＭＯＳＦＥＴのみを動作させた方が損失が小さくなる」との前提にたち、「ゲートドライバ」が、「電流センサが検知した電流値と温度センサが検知した接合温度とに基づいて、ＭＯＳＦＥＴチップ１１のみを動作させる、あるいは、ＭＯＳＦＥＴチップ１１およびＩＧＢＴチップ１２の両方を動作させることができ」るものでもあることからして、引用発明の「ゲートドライバ１３」は、上記「推定」された「スイッチング周波数」によって「ＭＯＳＦＥＴチップ１１」及び「ＩＧＢＴチップ１２」をオンオフする時に生じる損失、すなわち「スイッチング損失」を考慮して、「ＭＯＳＦＥＴチップ１１」及び「ＩＧＢＴチップ１２」を個別に制御しているともいえる。 したがって、上記（３）及び（４）の対比を踏まえ総合的に判断すると、引用発明は、本願発明の構成要件１Ｅの「前記少なくとも１つのＩＧＢＴ、および前記少なくとも１つのＭＯＳＦＥＴは、スイッチング損失を低減するために制御信号に応答して個別に制御される、パワーモジュール」に相当する構成を有するといえる。 （８）小括 以上、（１）～（７）の検討から、引用発明と本願発明との間に構成上の差異を見いだすことはできない。 したがって、本願発明は、引用発明であり、特許法２９条１項３号の規定により、特許を受けることができないものである。 第３ 審判請求書及び上申書における主張について 審判請求人は、審判請求書及び上申書において、本願発明について概ね次のような主張を行っている。 「引用文献１は、同一パッケージ内に並列接続されたＭＯＳＦＥＴチップ１１とＩＧＢＴチップ１２を有するパワーモジュール２２に関し、ＭＯＳＦＥＴチップ１１とＩＧＢＴチップ１２の動作を制御するゲートドライバ１３を備えるパワーモジュールに関する（引用文献１、段落〔００１１〕、〔００１３〕等）。ＭＯＳＦＥＴチップ１１には、ＭＯＳＦＥＴチップ１１を流れる電流を検出する電流センサが設けられている（引用文献１、段落〔００１２〕等）。ゲートドライバ１３は、電流センサが検出した電流値に基づいて、パワーモジュール２２の負荷が短絡していると判断すると、先にＩＧＢＴチップ１２、次いでＭＯＳＦＥＴチップ１１をオフにする」（引用文献１、要約）。 したがって、上述したように引用文献１は、請求項１に係る本願発明の上記構成を開示も示唆もしない。むしろ、引用文献１は、「ゲートドライバ１３は、電流センサが検出した電流値に基づいて、パワーモジュール２２の負荷が短絡していると判断すると、先にＩＧＢＴチップ１２、次いでＭＯＳＦＥＴチップ１１をオフにする」ことを教示している（引用文献１、要約）。 よって、請求項１に係る本願発明は特許法第２９条第１項第３号、特許法第２９条第２項に該当しないものである。請求項１に従属するその他請求項に係る発明も同様である。」 上記主張は、概ね引用文献１（引用例）には、本願発明の構成要件１Ｅが記載されていないことを主張するものであるが、その点は、上記第２の３（７）において説示したとおりであるから、上記主張は採用できない。 第４ むすび 以上のとおり、本願発明は、本願優先日前に頒布された引用例に記載された発明であり、特許法２９条１項３号の規定により特許を受けることができない。 したがって、その余の請求項に係る発明について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。 よって、結論のとおり審決する。