2021-009674

特願２０１９－１０６４６１「フレキシブル電子デバイス基板用ポリイミドフィルム」拒絶査定不服審判事件〔令和 １年１０月３１日出願公開、特開２０１９－１８９８７２〕について、次のとおり審決する。

結 論 本件審判の請求は、成り立たない。

理 由 第１ 手続の経緯 この出願（以下「本願」という。）は、平成３０年４月２０日を出願日とする出願（特願２０１８－８１７６５号）の一部を令和１年６月６日に新たな出願としたもの（特願２０１９－１０６４６１号）であって、その手続の経緯は以下のとおりである。 令和 １年１１月１１日 ：上申書、手続補正書の提出 同年１２月２５日付け：拒絶理由通知書 令和 ２年 ３月 ５日 ：意見書、手続補正書の提出 同年 ６月１１日付け：拒絶理由通知書 同年 ８月１７日 ：意見書、手続補正書の提出 同年１０月１５日付け：拒絶理由通知書（最後） 令和 ３年 ２月 ２日 ：電話応対（同年２月４日応対記録作成） 同年 ４月１３日付け：拒絶査定 同年 ７月２０日 ：審判請求書の提出 令和 ５年 ２月２１日付け：拒絶理由通知書 同年 ３月 ２日 ：電話応対（同日に応対記録作成） 同年 ４月２７日 ：意見書、手続補正書の提出 第２ 本願発明について 本願の請求項１～６に係る発明は、令和５年４月２７日提出の手続補正書の特許請求の範囲の請求項１～６に記載された事項により特定されるとおりのものであり、そのうち請求項１に係る発明は、以下のとおりである。（以下、請求項１に係る発明を「本願発明」という。また、本願の明細書を「本願明細書」という。） 「抵抗値が４Ωｃｍのシリコンウェハ上に、ポリイミドフィルムを０．７５μｍの膜厚で形成した積層体の容量－電圧測定を行ったとき、０．００５／Ｖ以上の最大勾配を示すポリイミドで形成されたフレキシブル電子デバイス基板用ポリイミドフィルム（但し、前記最大勾配は、前記シリコンウェハに対して前記ポリイミドフィルムに印加する直流電圧を最低電圧Ｖ１と最高電圧Ｖ２の間で、最低電圧Ｖ１から最高電圧Ｖ２までの正方向走査と、最高電圧Ｖ２から最低電圧Ｖ１までの負方向走査を走査速度０．２５Ｖ／ｓｅｃの条件で行いながら、２．５ｋＨｚの測定周波数で容量測定を行い、第３回目の正方向走査時の規格化容量－電圧曲線における勾配の絶対値の最大値を意味し、ここで前記最低電圧Ｖ１は、前記ポリイミドフィルムのみの容量が観察される電圧であり、前記規格化容量－電圧曲線は、最低電圧Ｖ１における容量を１として規格化されている。 さらに前記フレキシブル電子デバイス基板用ポリイミドフィルムは、仕込み比から計算されるポリイミド全体におけるアミン末端基濃度が３０μｍｏｌ／ｇ以下であり、且つ以下の条件（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）および（Ｅ）を満たす。 （Ａ） 前記フレキシブル電子デバイス基板用ポリイミドフィルムは、（ｉ）（α）５％熱分解温度が３５０℃以上のポリイミド、（β）下記一般式（１）で表される化学構造及び／又は下記一般式（２）で表される化学構造を有する化合物、および（γ）下記一般式（３）で表される化学構造、水酸基、カルボキシル基及びスルホ基からなる群のうち１種以上を有する化合物を含有するフィルム、並びに（ｉｉ）（α）５％熱分解温度が３５０℃以上のポリイミド、および（δ）アミド基、アミノ基、カルバメート基、カルボキシル基、アリール基、酸無水物基及び重合性環状エーテル基からなる群から選ばれる少なくとも１種の官能基を有する下記一般式（４）で表される化学構造を有する化合物を含有するフィルム、のいずれとも異なる。 【化１】 ［図：0001403934000001.jpg］ （Ｂ） 前記フレキシブル電子デバイス基板用ポリイミドフィルムは、プラズマ処理されたものではない。 （Ｃ） 前記フレキシブル電子デバイス基板用ポリイミドフィルムは、１，１，３，３－テトラメチル－１，３－ビス（３－アミノプロピル）ジシロキサンを含むジアミン成分を用いて得られるポリイミドを含有しない。 （Ｄ） 前記フレキシブル電子デバイス基板用ポリイミドフィルムは、１００モル部の線状芳香族ジアミン、９７～９９．５モル部の芳香族テトラカルボン酸二無水物、およびその残留アミンサイトと反応する十分な量の芳香族酸無水物を使用して得られたポリアミック酸組成物から製造されるポリイミドフィルムではない。 （Ｅ） 前記フレキシブル電子デバイス基板用ポリイミドフィルムは、１，４－シクロヘキサンジアミン４１．４ｇと、ビフェニルテトラカルボン酸二無水物１０３．６ｇおよび９，９－ビス（３，４－ジカルボキシフェニル）フルオレン二無水物５．０ｇとから得られたポリアミック酸組成物から製造されるポリイミドフィルムと同一ではない。）。」 （当審注：下線部は、当審が付した。） 上記本願発明の発明特定事項のうち、「（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）および（Ｅ）」については、下記において「条件（Ａ）～（Ｅ）」と表記する。 第３ 当審が通知した令和５年２月２１日付け拒絶理由通知書における拒絶理由の概要 令和５年２月２１日付け拒絶理由通知書における拒絶の理由の概要は、以下のとおりである。 理由Ａ：（実施可能要件）この出願は、発明の詳細な説明の記載について下記の点で、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない。 記 本願発明１の「ポリイミド」は、本願明細書の段落【００２１】～【００２３】に記載の「一般式ＩＩ」において「テトラカルボン酸成分」を構成する「Ｘ１」について「４価の脂肪族基または芳香族基」との特定のみであり、「ジアミン成分」を構成する「Ｙ１」についても「２価の脂肪族基または芳香族基」との特定のみであり、実質的に何ら特定されていないし、「Ｘ１」及び「Ｙ１」についてカルボン酸基、アミノ基等の多様な置換基を有する態様も排除していないし、また、「ポリイミド」の「イミド基重量分率（ｗｔ％）」、「（イミド基）＋（繰り返し単位中の官能基）重量分率（ｗｔ％）」、「末端アミン基量（μｍｏｌ／ｇ）」、「末端二水物基量（μｍｏｌ／ｇ）」、「末端官能基量」等も影響を与えると解すると、本願発明１の（Ａ）～（Ｄ）の条件を考慮しても、膨大な態様を包含しているといえる（令和５年２月２１日付け拒絶理由通知書の１３頁１２～２３行）。 次に、本願発明１の「最大勾配」の値は「ポリイミドの表面状態（例えば組成、官能基（特に表面官能基）、不純物または添加物の存在等）が影響する」値であることは読み取ることはできる。 しかしながら、「ポリイミド中の官能基（イミド基、繰り返し単位中の官能基、末端官能基）」、「シランカップリング剤」の有無等が「Ｃ－Ｖ特性」に影響することは記載されているものの、具体的に、「ポリイミド中の官能基（イミド基、繰り返し単位中の官能基、末端官能基）」、「シランカップリング剤」の有無等が、本願発明１の「最大勾配」の値に、どの程度、どのように影響を与えるかまでは記載されていないし、これらが本願発明１の「最大勾配」に影響を与えることが本願の原出願の出願時において技術常識であったとも認められない（同１３頁２４行～１４頁４行）。 さらに、本願発明１の「最大勾配」に「ポリイミド」の何が影響を与えるのか、本願明細書をみても、明確に把握することはできない（同１４頁５～８行）。 そうすると、本願発明１の「抵抗値が４Ωｃｍのシリコンウェハ上に、ポリイミドフィルムを０．７５μｍの膜厚で形成した積層体の容量－電圧測定を行ったとき」の最大勾配の値は、実際に測定してみる他には知ることができないと解され、「抵抗値が４Ωｃｍのシリコンウェハ上に、ポリイミドフィルムを０．７５μｍの膜厚で形成した積層体の容量－電圧測定を行ったとき、０．００５／Ｖ以上の最大勾配を示すポリイミド」を選択するためには、本願明細書の実施例１～７以外の「ポリイミド」以外の、膨大な態様を包含する「ポリイミド」１つ１つについて、段落【０１２９】～【０１３０】に記載の「Ｃ－Ｖ特性の測定方法」及び「勾配の求め方」に従って、ひたすら「最大勾配」の値を測定し、「０．００５／Ｖ以上の最大勾配を示す」か否かを確認していく必要があり、これは、当業者に過度な試行錯誤を課すことになるといえる（同１４頁９～１９行）。 したがって、本願明細書は、本願発明１の「フレキシブル電子デバイス基板用ポリイミドフィルム」の製造、調製について、当業者が実施できるように明確かつ十分に記載されているとはいえない。 第４ 本願明細書及び各拒絶理由で引用された引用文献に記載された事項等 １ 本願明細書に記載された事項 本願明細書には、以下の事項が記載されている。 （本ａ）「【技術分野】 【０００１】 本発明は、例えばフレキシブルデバイスの基板等の電子デバイス用途に好適に使用されるポリイミドに関し、さらにはポリイミドフィルム、ポリイミドフィルムを含む積層体および前記ポリイミドまたは積層体を含む電子デバイスに関する。 【背景技術】 【０００２】 液晶ディスプレイや有機ＥＬディスプレイなどのディスプレイ用基板として、従来からガラスが用いられてきたが、ガラスは軽量化のために薄膜化すると強度が不足して壊れやすいという問題がある。そこで、ガラス基板の代替として、軽量でフレキシブル性に優れたプラスチック基板が提案されてきた。液晶ディスプレイや有機ＥＬディスプレイなどのディスプレイでは、各ピクセルを駆動するために、基板上にＴＦＴ等の半導体素子を形成する。このため、基板には耐熱性や寸法安定性が要求される。ポリイミドフィルムは、耐熱性、耐薬品性、機械的強度、電気特性、寸法安定性などに優れていることから、ディスプレイ用の基板として期待される。 【０００３】 ポリイミド基板上に形成したＴＦＴ素子について、非特許文献１および２は、ポリイミド基板界面に存在する負電荷により正のキャリアが誘起されて、これがＴＦＴ特性に影響を及ぼすことを報告している。 ・・・ 【発明が解決しようとする課題】 【０００５】 前述のとおり、非特許文献１および２では、ＴＦＴ特性に対するポリイミド界面の影響を報告しているが、具体的に負電荷が存在し得る界面準位密度の評価は実施されていない。またポリイミドの詳細についての記載は無く、加えてポリイミド基板を変更してＴＦＴ特性を評価したデータもないため、基板として適したポリイミドの情報も不明である。 【０００６】 ポリイミドのような絶縁膜の表面の準位密度を評価する手法として、容量－電圧特性（以下、Ｃ－Ｖ特性と記載する）を測定する方法が挙げられる。一般に、半導体－絶縁膜―金属（電極）キャパシタの容量の電圧依存性を評価して得られるＣ－Ｖカーブは、半導体－絶縁膜界面に存在する準位密度の存在により形状が変化する事が知られている。従ってＴＦＴ特性等のデバイス特性に影響を与えるＣ－Ｖ特性を評価し、ディスプレイを含む半導体デバイスおよび電子デバイス用基板として最適なポリイミドフィルムを開発する上で、またポリイミドのさらなる用途拡大を図る上で、優れたＣ－Ｖ特性を有するポリイミドを提供することが必要である。 【０００７】 本発明は優れたＣ－Ｖ特性を示すポリイミド、特にフィルム形態のポリイミド、そのポリイミドを用いた積層基板、およびそれらを含むフレキシブルディスプレイ等の電子デバイスを提供することを目的とする。 ・・・ 【発明の効果】 【０００９】 本発明によれば、優れたＣ－Ｖ特性を示すポリイミド、特にフィルム形態のポリイミド、そのポリイミドを用いた積層基板、およびそれらを含むフレキシブルディスプレイ等の電子デバイスを提供することができる。 本発明のポリイミドフィルムは優れたＣ－Ｖ特性を有するため、例えばＴＦＴ等の半導体素子の基板として使用しても、半導体素子の性能に対して影響を与える懸念が少なく、また特に長期間の使用によるスイッチング特性のシフトなどの素子特性の変化や劣化の心配が小さい。」 （本ｂ）「【００１１】 ＜＜Ｃ－Ｖ特性＞＞ まず、ポリイミドに関わるＣ－Ｖ特性の測定方法と定義を説明する。図１にＣ－Ｖ測定システムの模式図を示す。シリコンウェハ１の表面にポリイミドフィルム２を形成し測定サンプルとする。ポリイミドフィルム２の表面の所定面積に水銀を接触させて水銀電極３を形成する。シリコンウェハ１（接地電位）と水銀電極３の間に、直流電源４により直流電圧を印加し、その直流電圧における容量（キャパシタンス）を交流電源５により所定の周波数および振幅の交流電圧を印加して測定する。本願では、直流電圧を最低電圧Ｖ１から最高電圧Ｖ２の間で、正方向走査（直流電圧を上昇させる）と負方向走査（直流電圧を下降させる）を行い、その間に容量を測定し、第３回目の正方向走査時のＣ－Ｖ測定のデータに基づいて後述する「最大勾配」を求める。 【００１２】 直流電圧範囲の最低電圧Ｖ１として、シリコンウェハがｐ型の場合、ポリイミドフィルムのみの容量が発現するように十分な負のバイアス電圧を加えるようにする。本発明の実施例では－４０Ｖとしたが、ポリイミドフィルムの性質によっては、さらに低い電圧（負の絶対値が大きい電圧）を必要とする場合もある。直流電圧範囲の最高電圧Ｖ２は、後述する最大勾配が観察される電圧より十分高く、また負方向の走査においても、最大勾配が観察される程度に十分に高い電圧である。また、最低電圧Ｖ１の絶対値および最高電圧Ｖ２は共に、ポリイミドフィルムの絶縁破壊電圧以下で且つ装置の能力が許す範囲で広く設定される。本発明の実施例では－４０Ｖ～４０Ｖの走査範囲とした。 【００１３】 直流電圧の走査速度は、例えば、１０ｍＶ／ｓｅｃ～１００Ｖ／ｓｅｃの範囲であり、この範囲より測定の目的を考慮して選択することができる。本発明の実施例では、０．２５Ｖ／ｓｅｃを採用した。 【００１４】 容量（キャパシタンス）測定のための交流電圧（正弦波）は、ポリイミドフィルムの用途により（即ち興味周波数領域に合わせて）変更することができるが、ディスプレイ用途では例えば１００Ｈｚ～１ＭＨｚ、特に５００Ｈｚ～１０ｋＨｚの範囲の周波数で測定すればよい。本発明の実施例では２．５ｋＨｚを使用した。また、振幅は直流電圧よりも十分に小さな電圧であればよく、適宜選ぶことができるが、本発明の実施例では０．１Ｖとした。 【００１５】 本発明において、Ｃ－Ｖ測定結果を評価するにあたり、最低電圧Ｖ１における容量値を１として、測定Ｃ－Ｖ曲線を規格化した規格化容量－電圧曲線（規格化Ｃ－Ｖ曲線）により、ポリイミドの性質を評価する。これは、ポリイミドフィルムの膜厚の誤差や誘電率等の違いによる容量値の違いを除き、界面準位などの半導体に影響を与える因子を評価するためである。測定されるポリイミドフィルムの膜厚については、評価の誤差をなるべく小さくするために、本願の評価においては０．６５μｍ～０．８５μｍ厚、特に０．７５μｍ厚を目標とするのが好ましい。 【００１６】 このような測定システムおいて、直流電圧を最低電圧Ｖ１から最高電圧Ｖ２まで正方向走査すると（但し、第３回目の正方向走査である）、図２に示すように、典型的には、最初の平坦領域を過ぎると、比較的大きく容量が減少する第１減少領域が現れ、次いで比較的平坦な領域が観察される。次に、最高電圧Ｖ２から最低電圧Ｖ１まで負方向に電圧を走査すると、典型的には、前記領域が正方向の走査のときと逆の順番で観察される。但し、正方向走査の曲線とは一致せず、ヒステリシスが観察される場合が多い。 【００１７】 上述の「第１減少領域」は、シリコンウェハ中の界面近傍が、多数キャリアの蓄積層から空乏層へ変化して空乏層が拡大していく過程と理解される。本発明において、第１減少領域における最大勾配（負で絶対値が最大）を、「最大勾配」と定義する。従って、「最大勾配」は、規格化Ｃ－Ｖ曲線の微分曲線において現れる負のピークの頂点の絶対値として得ることができる。 【００１８】 本発明のポリイミドは、抵抗率が４Ωｃｍのシリコンウェハ上に形成した０．７５μｍの膜厚のフィルムついて、上述のＣ－Ｖ測定により得られた「最大勾配」が、０．００５／Ｖ以上であり、好ましくは０．００７／Ｖ超である。最大勾配は、界面準位密度が小さい程、大きい（絶対値が大きい）値を示す。界面準位密度には、ポリイミドの表面状態（例えば組成、官能基（特に表面官能基）、不純物または添加物の存在等）が影響すると考えられるが、本発明では半導体との界面においてポリイミドの表面状態が極めて好ましい状態にあるため、大きな「最大勾配」を有するものと推定できる。このような大きな「最大勾配」を有することによって、本発明のポリイミドをディスプレイ等の電子デバイスにおいて使用しても、電子デバイスの動作や耐久性に与える悪影響が小さい。 【００１９】 このようなＣ－Ｖ特性に着目したポリイミドの開発は報告されておらず、実際に行われてもいない。当然ながら、既存のポリイミドは上述のＣ－Ｖ特性を満足するものではない。また、Ｃ－Ｖ特性はポリイミドの表面状態に影響すると考えられることから、Ｃ－Ｖ特性を満足すれば、そのポリイミドの化学構造は何でもよいということになる。」 （本ｃ）「【００２０】 ＜＜ポリイミド、ポリイミド前駆体＞＞ 本発明のポリイミドもしくはその前駆体（ポリイミド前駆体）は、Ｃ－Ｖ特性を満足すれば、その化学構造は特に制限されず、付与したい機能に応じて適宜化学構造を選択すればよい。ポリイミド前駆体は、下記一般式Ｉ： 【００２１】 【化１】 ［図：0001403934000002.jpg］ （一般式Ｉ中、Ｘ１は４価の脂肪族基または芳香族基であり、Ｙ１は２価の脂肪族基または芳香族基であり、Ｒ１およびＲ２は互いに独立して、水素原子、炭素数１～６のアルキル基または炭素数３～９のアルキルシリル基である。） で表される繰り返し単位を有する。特に好ましくは、Ｒ１およびＲ２が水素原子であるポリアミック酸である。また、部分的にイミド化が進行したもの、即ち式Ｉ中の２つのアミド構造の少なくとも１つがイミド化した繰り返し単位を含有するポリマーも、「ポリイミド前駆体」および、「ポリアミック酸」（残存するＲ１およびＲ２が水素原子の場合）に包含される。 また、ポリイミドは下記一般式ＩＩ： 【００２２】 【化２】 ［図：0001403934000003.jpg］ （式中、Ｘ１は４価の脂肪族基または芳香族基であり、Ｙ１は２価の脂肪族基または芳香族基である。） で表される繰り返し単位を有する。 【００２３】 以下に、このようなポリイミドの化学構造を、上記繰り返し単位（一般式（ＩＩ））中のＸ１およびＹ２の構造および製造に使用されるモノマー（テトラカルボン酸成分、ジアミン成分、その他成分）により説明し、続いて製造方法を説明する。 【００２４】 本明細書において、テトラカルボン酸成分は、ポリイミドを製造する原料として使用されるテトラカルボン酸、テトラカルボン酸二無水物、その他テトラカルボン酸シリルエステル、テトラカルボン酸エステル、テトラカルボン酸クロライド等のテトラカルボン酸誘導体を含む。特に限定されるわけではないが、製造上、テトラカルボン酸二無水物を使用することが簡便であり、以下の説明ではテトラカルボン酸成分としてテトラカルボン酸二無水物を用いた例を説明する。また、ジアミン成分は、ポリイミドを製造する原料として使用される、アミノ基（－ＮＨ２）を２個有するジアミン化合物である。 【００２５】 また、本明細書において、ポリイミドフィルムは、基板上に形成されて積層状態にあるもの、およびフィルムを支持する基板を有さないもの（自立フィルムを含む）の両方を意味する。本発明のポリイミドは、基板として使用される場合は、フィルムの形態であることが好ましい。また、本発明のポリイミドは、支持基板や異なる材料で形成された層の上に離散的に存在する層の形態であってもよい。 【００２６】 ＜＜繰り返し単位中の構造およびモノマー＞＞ ＜Ｘ１およびテトラカルボン酸成分＞ 【００２７】 Ｘ１の芳香族環を有する４価の基としては、炭素数が６～４０の芳香族環を有する４価の基が好ましい。 【００２８】 芳香族環を有する４価の基としては、例えば、下記のものが挙げられる。 【００２９】 【化３】 ［図：0001403934000004.jpg］ （式中、Ｚ１は直接結合、または、下記の２価の基： 【００３０】 【化４】 ［図：0001403934000005.jpg］ のいずれかである。ただし、式中のＺ２は、２価の有機基、Ｚ３、Ｚ４はでそれぞれ独立にアミド結合、エステル結合、カルボニル結合であり、Ｚ５は芳香環を含む有機基である。） 【００３１】 Ｚ２としては、具体的には、炭素数２～２４の脂肪族炭化水素基、炭素数６～２４の芳香族炭化水素基が挙げられる。 【００３２】 Ｚ５としては、具体的には、炭素数６～２４の芳香族炭化水素基が挙げられる。 【００３３】 芳香族環を有する４価の基としては、得られるポリイミド材料の高耐熱性と高透明性を両立できるので、下記のものが特に好ましい。 【００３４】 【化５】 ［図：0001403934000006.jpg］ （式中、Ｚ１は直接結合、または、へキサフルオロイソプロピリデン結合である。） 【００３５】 ここで、得られるポリイミド材料の高耐熱性、高透明性、低線熱膨張係数を両立できるので、Ｚ１は直接結合であることがより好ましい。 【００３６】 加えて好ましい基として、上記式（９）において、Ｚ１が下式（３Ａ）： 【００３７】 【化６】 ［図：0001403934000007.jpg］ で表されるフルオレニル含有基である化合物が挙げられる。Ｚ１１およびＺ１２はそれぞれ独立に、好ましくは同一で、単結合または２価の有機基である。Ｚ１１およびＺ１２としては、芳香環を含む有機基が好ましく、例えば式（３Ａ１）： 【００３８】 【化７】 ［図：0001403934000008.jpg］ （Ｚ１３およびＺ１４は、互いに独立に単結合、－ＣＯＯ－、－ＯＣＯ－または－Ｏ－であり、ここでＺ１４がフルオレニル基に結合した場合、Ｚ１３が－ＣＯＯ－、－ＯＣＯ－または－Ｏ－でＺ１４が単結合の構造が好ましく；Ｒ９１は炭素数１～４のアルキル基またはフェニル基であり、好ましくはメチルであり、ｎは０～４の整数であり、好ましくは１である。） で表され構造が好ましい。 【００３９】 Ｘ１が芳香族環を有する４価の基である一般式（ＩＩ）の繰り返し単位を与えるテトラカルボン酸成分としては、例えば、２，２－ビス（３，４－ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン、４－（２，５－ジオキソテトラヒドロフラン－３－イル）－１，２，３，４－テトラヒドロナフタレン－１，２－ジカルボン酸、ピロメリット酸、３，３’，４，４’－ベンゾフェノンテトラカルボン酸、３，３’，４，４’－ビフェニルテトラカルボン酸、２，３，３’，４’－ビフェニルテトラカルボン酸、４，４’－オキシジフタル酸、ビス（３，４－ジカルボキシフェニル）スルホン、ｍ－ターフェニル－３，４，３’，４’－テトラカルボン酸、ｐ－ターフェニル－３，４，３’，４’－テトラカルボン酸、ビスカルボキシフェニルジメチルシラン、ビスジカルボキシフェノキシジフェニルスルフィド、およびスルホニルジフタル酸が挙げられ、モノマーとしてこれらの二無水物が好ましく使用される。Ｘ１がフッ素原子を含有する芳香族環を有する４価の基である一般式（ＩＩ）の繰り返し単位を与えるテトラカルボン酸成分としては、例えば、２，２－ビス（３，４－ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物が挙げられる。さらに、好ましい化合物として、（９Ｈ－フルオレン－９，９－ジイル）ビス（２－メチル－４，１－フェニレン）ビス（１，３－ジオキソ－１，３－ジヒドロイソベンゾフラン－５－カルボキシレート）が挙げられる。テトラカルボン酸成分は、単独で使用してもよく、また複数種を組み合わせて使用することもできる。 【００４０】 Ｘ１の脂環構造を有する４価の基としては、炭素数が４～４０の脂環構造を有する４価の基が好ましく、少なくとも一つの脂肪族４～１２員環、より好ましくは脂肪族４員環または脂肪族６員環を有することがより好ましい。好ましい脂肪族４員環または脂肪族６員環を有する４価の基としては、下記のものが挙げられる。 【００４１】 【化８】 ［図：0001403934000009.jpg］ （式中、Ｒ３１～Ｒ３８は、それぞれ独立に直接結合、または、２価の有機基である。Ｒ４１～Ｒ４７は、それぞれ独立に 式：－ＣＨ２－、－ＣＨ＝ＣＨ－、－ＣＨ２ＣＨ２－、－Ｏ－、－Ｓ－で表される基よりなる群から選択される１種を示す。Ｒ４８は芳香環もしくは脂環構造を含む有機基である。） 【００４２】 Ｒ３１、Ｒ３２、Ｒ３３、Ｒ３４、Ｒ３５、Ｒ３６、Ｒ３７、Ｒ３８としては、具体的には、直接結合、または、炭素数１～６の脂肪族炭化水素基、または、酸素原子（－Ｏ－）、硫黄原子（－Ｓ－）、カルボニル結合、エステル結合、アミド結合が挙げられる。 【００４３】 Ｒ４８として芳香環を含む有機基としては、例えば、下記のものが挙げられる。 【００４４】 【化９】 ［図：0001403934000010.jpg］ （式中、Ｗ１は直接結合、または、２価の有機基であり、ｎ１１～ｎ１３は、それぞれ独立に０～４の整数を表し、Ｒ５１、Ｒ５２、Ｒ５３は、それぞれ独立に炭素数１～６のアルキル基、ハロゲン基、水酸基、カルボキシル基、またはトリフルオロメチル基である。） 【００４５】 Ｗ１としては、具体的には、直接結合、下記の式（５）で表される２価の基、下記の式（６）で表される２価の基が挙げられる。 【００４６】 【化１０】 ［図：0001403934000011.jpg］ （式（６）中のＲ６１～Ｒ６８は、それぞれ独立に直接結合または前記式（５）で表される２価の基のいずれかを表す。） 【００４７】 脂環構造を有する４価の基としては、得られるポリイミドの高耐熱性、高透明性、低線熱膨張係数を両立できるので、下記のものが特に好ましい。 【００４８】 【化１１】 ［図：0001403934000012.jpg］ 【００４９】 Ｘ１が脂環構造を有する４価の基である式（ＩＩ）の繰り返し単位を与えるテトラカルボン酸成分としては、例えば、１，２，３，４－シクロブタンテトラカルボン酸、イソプロピリデンジフェノキシビスフタル酸、シクロヘキサン－１，２，４，５－テトラカルボン酸、［１，１’－ビ（シクロヘキサン）］－３，３’，４，４’－テトラカルボン酸、［１，１’－ビ（シクロヘキサン）］－２，３，３’，４’－テトラカルボン酸、［１，１’－ビ（シクロヘキサン）］－２，２’，３，３’－テトラカルボン酸、４，４’－メチレンビス（シクロヘキサン－１，２－ジカルボン酸）、４，４’－（プロパン－２，２－ジイル）ビス（シクロヘキサン－１，２－ジカルボン酸）、４，４’－オキシビス（シクロヘキサン－１，２－ジカルボン酸）、４，４’－チオビス（シクロヘキサン－１，２－ジカルボン酸）、４，４’－スルホニルビス（シクロヘキサン－１，２－ジカルボン酸）、４，４’－（ジメチルシランジイル）ビス（シクロヘキサン－１，２－ジカルボン酸）、４，４’－（テトラフルオロプロパン－２，２－ジイル）ビス（シクロヘキサン－１，２－ジカルボン酸）、オクタヒドロペンタレン－１，３，４，６－テトラカルボン酸、ビシクロ［２．２．１］ヘプタン－２，３，５，６－テトラカルボン酸、６－（カルボキシメチル）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン－２，３，５－トリカルボン酸、ビシクロ［２．２．２］オクタン－２，３，５，６－テトラカルボン酸、ビシクロ［２．２．２］オクタ－５－エン－２，３，７，８－テトラカルボン酸、トリシクロ［４．２．２．０２，５］デカン－３，４，７，８－テトラカルボン酸、トリシクロ［４．２．２．０２，５］デカ－７－エン－３，４，９，１０－テトラカルボン酸、９－オキサトリシクロ［４．２．１．０２，５］ノナン－３，４，７，８－テトラカルボン酸、ノルボルナン－２－スピロ－α－シクロペンタノン－α’－スピロ－２’’－ノルボルナン５，５’’，６，６’’－テトラカルボン酸、（４ａｒＨ，８ａｃＨ）－デカヒドロ－１ｔ，４ｔ：５ｃ，８ｃ－ジメタノナフタレン－２ｃ，３ｃ，６ｃ，７ｃ－テトラカルボン酸、（４ａｒＨ，８ａｃＨ）－デカヒドロ－１ｔ，４ｔ：５ｃ，８ｃ－ジメタノナフタレン－２ｔ，３ｔ，６ｃ，７ｃ－テトラカルボン酸や、これらのテトラカルボン酸二無水物、テトラカルボン酸シリルエステル、テトラカルボン酸エステル、テトラカルボン酸クロライド等の誘導体が挙げられる。テトラカルボン酸成分は、単独で使用してもよく、また複数種を組み合わせて使用することもできる。 【００５０】 ＜Ｙ１およびジアミン成分＞ Ｙ１の芳香族環を有する２価の基としては、炭素数が６～４０、更に好ましくは炭素数が６～２０の芳香族環を有する２価の基が好ましい。 【００５１】 芳香族環を有する２価の基としては、例えば、下記のものが挙げられる。 【００５２】 【化１２】 ［図：0001403934000013.jpg］ （式中、Ｗ１は直接結合、または、２価の有機基であり、ｎ１１～ｎ１３は、それぞれ独立に０～４の整数を表し、Ｒ５１、Ｒ５２、Ｒ５３は、それぞれ独立に炭素数１～６のアルキル基、ハロゲン基、水酸基、カルボキシル基、またはトリフルオロメチル基である。） 【００５３】 Ｗ１としては、具体的には、直接結合、下記の式（５）で表される２価の基、下記の式（６）で表される２価の基が挙げられる。 【００５４】 【化１３】 ［図：0001403934000014.jpg］ 【００５５】 【化１４】 ［図：0001403934000015.jpg］ （式（６）中のＲ６１～Ｒ６８は、それぞれ独立に直接結合または前記式（５）で表される２価の基のいずれかを表す。） 【００５６】 ここで、得られるポリイミドの高耐熱性、高透明性、低線熱膨張係数を両立できるので、Ｗ１は、直接結合、または式：－ＮＨＣＯ－、－ＣＯＮＨ－、－ＣＯＯ－、－ＯＣＯ－で表される基よりなる群から選択される１種であることが特に好ましい。また、Ｗ１が、Ｒ６１～Ｒ６８が直接結合、または式：－ＮＨＣＯ－、－ＣＯＮＨ－、－ＣＯＯ－、－ＯＣＯ－で表される基よりなる群から選択される１種である前記式（６）で表される２価の基のいずれかであることも特に好ましい。 【００５７】 加えて好ましい基として、上記式（４）において、Ｗ１が下式（３Ｂ）： 【００５８】 【化１５】 ［図：0001403934000016.jpg］ で表されるフルオレニル含有基である化合物が挙げられる。Ｚ１１およびＺ１２はそれぞれ独立に、好ましくは同一で、単結合または２価の有機基である。Ｚ１１およびＺ１２としては、芳香環を含む有機基が好ましく、例えば式（３Ｂ１）： 【００５９】 【化１６】 ［図：0001403934000017.jpg］ （Ｚ１３およびＺ１４は、互いに独立に単結合、－ＣＯＯ－、－ＯＣＯ－または－Ｏ－であり、ここでＺ１４がフルオレニル基に結合した場合、Ｚ１３が－ＣＯＯ－、－ＯＣＯ－または－Ｏ－でＺ１４が単結合の構造が好ましく；Ｒ９１は炭素数１～４のアルキル基またはフェニル基であり、好ましくはフェニルであり、ｎは０～４の整数であり、好ましくは１である。） で表され構造が好ましい。 【００６０】 別の好ましい基として、上記式（４）において、Ｗ１がフェニレン基である化合物、即ちターフェニルジアミン化合物が挙げられ、特にすべてパラ結合である化合物が好ましい。 【００６１】 別の好ましい基として、上記式（４）において、Ｗ１が式（６）の最初のフェニル環１個の構造において、Ｒ６１およびＲ６２が２，２－プロピリデン基である化合物が挙げられる。 【００６２】 さらに別の好ましい基として、上記式（４）において、Ｗ１が次の式（３Ｂ２）： 【００６３】 【化１７】 ［図：0001403934000018.jpg］ で表される化合物が挙げられる。 【００６４】 Ｙ１が芳香族環を有する２価の基である一般式（ＩＩ）の繰り返し単位を与えるジアミン成分としては、例えば、ｐ－フェニレンジアミン、ｍ－フェニレンジアミン、ベンジジン、３，３’－ジアミノ－ビフェニル、２，２’－ビス（トリフルオロメチル）ベンジジン、３，３’－ビス（トリフルオロメチル）ベンジジン、ｍ－トリジン、４，４’－ジアミノベンズアニリド、３，４’－ジアミノベンズアニリド、Ｎ，Ｎ’－ビス（４－アミノフェニル）テレフタルアミド、Ｎ，Ｎ’－ｐ－フェニレンビス（ｐ－アミノベンズアミド）、４－アミノフェノキシ－４－ジアミノベンゾエート、ビス（４－アミノフェニル）テレフタレート、ビフェニル－４，４’－ジカルボン酸ビス（４－アミノフェニル）エステル、ｐ－フェニレンビス（ｐ－アミノベンゾエート）、ビス（４－アミノフェニル）－［１，１’－ビフェニル］－４，４’－ジカルボキシレート、［１，１’－ビフェニル］－４，４’－ジイルビス（４－アミノベンゾエート）、４，４’－オキシジアニリン、３，４’－オキシジアニリン、３，３’－オキシジアニリン、ｐ－メチレンビス（フェニレンジアミン）、１，３－ビス（４－アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３－ビス（３－アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４－ビス（４－アミノフェノキシ）ベンゼン、４，４’－ビス（４－アミノフェノキシ）ビフェニル、４，４’－ビス（３－アミノフェノキシ）ビフェニル、２，２－ビス（４－（４－アミノフェノキシ）フェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２－ビス（４－アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、ビス（４－アミノフェニル）スルホン、３，３’－ビス（トリフルオロメチル）ベンジジン、３，３’－ビス（（アミノフェノキシ）フェニル）プロパン、２，２’－ビス（３－アミノ－４－ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン、ビス（４－（４－アミノフェノキシ）ジフェニル）スルホン、ビス（４－（３－アミノフェノキシ）ジフェニル）スルホン、オクタフルオロベンジジン、３，３’－ジメトキシ－４，４’－ジアミノビフェニル、３，３’－ジクロロ－４，４’－ジアミノビフェニル、３，３’－ジフルオロ－４，４’－ジアミノビフェニル、２，４－ビス（４－アミノアニリノ）－６－アミノ－１，３，５－トリアジン、２，４－ビス（４－アミノアニリノ）－６－メチルアミノ－１，３，５－トリアジン、２，４－ビス（４－アミノアニリノ）－６－エチルアミノ－１，３，５－トリアジン、２，４－ビス（４－アミノアニリノ）－６－アニリノ－１，３，５－トリアジンが挙げられる。Ｙ１がフッ素原子を含有する芳香族環を有する２価の基である一般式（ＩＩ）の繰り返し単位を与えるジアミン成分としては、例えば、２，２’－ビス（トリフルオロメチル）ベンジジン、３，３’－ビス（トリフルオロメチル）ベンジジン、２，２－ビス［４－（４－アミノフェノキシ）フェニル］ヘキサフルオロプロパン、２，２－ビス（４－アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２’－ビス（３－アミノ－４－ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパンが挙げられる。加えて好ましいジアミン化合物として、４，４’－（（（９Ｈ－フルオレン－９，９－ジイル）ビス（［１，１’－ビフェニル］－５，２－ジイル））ビス（オキシ））ジアミン、［１，１’：４’，１”－ターフェニル］－４，４”－ジアミン、４，４’－（［１，１’－ビナフタレン］－２，２’－ジイルビス（オキシ））ジアミンが挙げられる。ジアミン成分は、単独で使用してもよく、また複数種を組み合わせて使用することもできる。 【００６５】 Ｙ１の脂環構造を有する２価の基としては、炭素数が４～４０の脂環構造を有する２価の基が好ましく、少なくとも一つの脂肪族４～１２員環、より好ましくは脂肪族６員環を有することが更に好ましい。 【００６６】 脂環構造を有する２価の基としては、例えば、下記のものが挙げられる。 【００６７】 【化１８】 ［図：0001403934000019.jpg］ （式中、Ｖ１、Ｖ２は、それぞれ独立に直接結合、または、２価の有機基であり、ｎ２１～ｎ２６は、それぞれ独立に０～４の整数を表し、Ｒ８１～Ｒ８６は、それぞれ独立に炭素数１～６のアルキル基、ハロゲン基、水酸基、カルボキシル基、またはトリフルオロメチル基であり、Ｒ９１、Ｒ９２、Ｒ９３は、それぞれ独立に 式：－ＣＨ２－、－ＣＨ＝ＣＨ－、－ＣＨ２ＣＨ２－、－Ｏ－、－Ｓ－で表される基よりなる群から選択される１種である。） 【００６８】 Ｖ１、Ｖ２としては、具体的には、直接結合および前記の式（５）で表される２価の基が挙げられる。 【００６９】 脂環構造を有する２価の基としては、得られるポリイミドの高耐熱性、低線熱膨張係数を両立できるので、下記のものが特に好ましい。 【００７０】 【化１９】 ［図：0001403934000020.jpg］ 脂環構造を有する２価の基としては、中でも、下記のものが好ましい。 【００７１】 【化２０】 ［図：0001403934000021.jpg］ 【００７２】 Ｙ１が脂環構造を有する２価の基である一般式（ＩＩ）の繰り返し単位を与えるジアミン成分としては、例えば、１，４－ジアミノシクロへキサン、１，４－ジアミノ－２－メチルシクロヘキサン、１，４－ジアミノ－２－エチルシクロヘキサン、１，４－ジアミノ－２－ｎ－プロピルシクロヘキサン、１，４－ジアミノ－２－イソプロピルシクロヘキサン、１，４－ジアミノ－２－ｎ－ブチルシクロヘキサン、１，４－ジアミノ－２－イソブチルシクロヘキサン、１，４－ジアミノ－２－ｓｅｃ－ブチルシクロヘキサン、１，４－ジアミノ－２－ｔｅｒｔ－ブチルシクロヘキサン、１，２－ジアミノシクロへキサン、１，３－ジアミノシクロブタン、１，４－ビス（アミノメチル）シクロヘキサン、１，３－ビス（アミノメチル）シクロヘキサン、ジアミノビシクロヘプタン、ジアミノメチルビシクロヘプタン、ジアミノオキシビシクロヘプタン、ジアミノメチルオキシビシクロヘプタン、イソホロンジアミン、ジアミノトリシクロデカン、ジアミノメチルトリシクロデカン、ビス（アミノシクロへキシル）メタン、ビス（アミノシクロヘキシル）イソプロピリデン、６，６’－ビス（３－アミノフェノキシ）－３，３，３’，３’－テトラメチル－１，１’－スピロビインダン、６，６’－ビス（４－アミノフェノキシ）－３，３，３’，３’－テトラメチル－１，１’－スピロビインダンが挙げられる。ジアミン成分は、単独で使用してもよく、また複数種を組み合わせて使用することもできる。」 （本ｄ）「【００７３】 上記のテトラカルボン酸成分およびジアミン成分に加えて、カルボン酸モノ無水物を添加して反応させることも好ましい。カルボン酸モノ無水物は、特にジカルボン酸モノ無水物が好ましく、芳香族カルボン酸モノ無水物であっても脂肪族カルボン酸モノ無水物であってもよい。特に芳香族カルボン酸モノ無水物が好ましい。芳香族カルボン酸モノ無水物は、炭素数６～３０の芳香環を有するものが好ましく、炭素数６～１５の芳香環を有するものがより好ましく、炭素数６～１０の芳香環を有するものがさらに好ましい。 【００７４】 カルボン酸モノ無水物としては、例えば、無水フタル酸、２，３－ベンゾフェノンジカルボン酸無水物、３，４－ベンゾフェノンジカルボン酸無水物、１，２－ナフタレンジカルボン酸無水物、２，３－ナフタレンジカルボン酸無水物、１，８－ナフタレンジカルボン酸無水物、１，２－アントラセンジカルボン酸無水物、２，３－アントラセンジカルボン酸無水物、１，９－アントラセンジカルボン酸無水物などの芳香族カルボン酸モノ無水物、および無水マレイン酸、無水コハク酸、無水テトラヒドロフタル酸、無水ヘキサヒドロフタル酸、無水イタコン酸、無水トリメリット酸などの脂環式カルボン酸モノ無水物が挙げられる。これらの中でも、無水フタル酸が好ましい。 【００７５】 カルボン酸モノ無水物を添加する場合、次の式（１）および（２）を満たすことがより好ましい。 【００７６】 式（１） ０．９７≦Ｘ／Ｙ＜１．００ 式（２） ０．５≦（Ｚ／２）／（Ｙ－Ｘ）≦１．０５ （式中、Ｘはテトラカルボン酸成分のモル数、Ｙはジアミン成分のモル数、Ｚはカルボン酸モノ無水物のモル数を表す。） 【００７７】 Ｘ／Ｙが、０．９７以上であることにより、ポリイミド前駆体（特にポリアミック酸）の分子量を増やし、得られるポリイミドフィルムの強度や耐熱性が向上する。Ｘ／Ｙは、好ましくは０．９８以上である。Ｘ／Ｙは１．００未満である場合、テトラカルボン酸成分に対してジアミン成分が過剰となる。こうすることにより、カルボン酸モノ無水物で末端封止可能なアミノ基を形成できる。Ｘ／Ｙは、好ましくは０．９９以下である。 【００７８】 また、（Ｚ／２）／（Ｙ－Ｘ）は、カルボン酸モノ無水物と、末端封止可能なアミノ基とのモル比を表す。Ｘ／Ｙが１．００未満であり、（Ｚ／２）／（Ｙ－Ｘ）が０．５以上であることにより、ポリイミド前駆体の末端封止率を上げることができ、Ｃ－Ｖ特性を向上できる。（Ｚ／２）／（Ｙ－Ｘ）は、１に近いほど好ましい。（Ｚ／２）／（Ｙ－Ｘ）は、好ましくは０．６以上、より好ましくは０．７以上である。（Ｚ／２）／（Ｙ－Ｘ）が１．０５以下であることにより、遊離のカルボン酸モノ無水物の量を低減し、得られるポリイミドフィルムの強度およびＣ－Ｖ特性を向上できる。（Ｚ／２）／（Ｙ－Ｘ）は、好ましくは１．０３以下、より好ましくは１．０１以下である。 【００７９】 本発明の１態様において、ポリイミド繰り返し単位（即ち前記一般式ＩＩ）中のイミド基（－Ｃ（Ｏ）ＮＣ（Ｏ）－）の重量分率が、３８．３重量％未満であることが好ましい。特定の態様においては、３０重量％以下であることがより好ましい。 【００８０】 ここで、ポリイミドは共重合体であってよく、即ちポリイミドを与えるテトラカルボン酸成分およびジアミン成分のうち少なくとも一方が２種類以上の化合物を含有してもよい。この場合、イミド基の重量分率は、モノマーの仕込み割合に基づいて、加重平均で計算される。イミド基以外の基の重量分率についても同様に計算される。以下の説明で、特定の基の重量分率に言及する場合、ポリイミドは単独重合体である場合と共重合体である場合の両方を含む。 【００８１】 本発明の１態様において、ポリイミド繰り返し単位中の官能基の重量分率は小さい方が好ましい。ここで定義される「繰り返し単位中の官能基」は、ポリイミド繰り返し単位中の芳香環および飽和アルキル鎖以外の部分であり、－Ｏ－（エーテル結合）、－ＣＯ－（カルボニル基）、－ＣＯＯ－（エステル）、－ＳＯ２－などである。芳香環および飽和アルキル鎖の水素を置換しているＦおよびＣｌは、「繰り返し単位中の官能基」に含まれない。 【００８２】 イミド基と「繰り返し単位中の官能基」を合わせて、ポリイミド繰り返し単位中の３８．３重量％未満であることも好ましく、より好ましくは３０重量％以下、さらに好ましくは２５重量％以下である。 【００８３】 本発明の好ましい１形態において、繰り返し単位を形成するテトラカルボン酸成分は、フルオレン構造を分子内に有するテトラカルボン酸二無水物、および２つの酸無水物基以外の官能基（上記「繰り返し単位中の官能基」に対応する基）１個に対してベンゼン環を３個以上有するテトラカルボン酸二無水物から選ばれる化合物を含むことが好ましい。尚、２つの酸無水物基以外に、「繰り返し単位中の官能基」に相当する官能基を有さない化合物も好ましい化合物に含まれ、この場合、ベンゼン環の個数は好ましくは２個以上であり、より好ましくは３個以上である。 【００８４】 本発明の好ましい１形態において、繰り返し単位を形成するジアミン成分は、フルオレン構造を分子内に有するジアミン、および２つのアミン基以外の官能基（上記「繰り返し単位中の官能基」に対応する基）１個に対してベンゼン環を３個以上有するジアミンから選ばれる化合物を含むことが好ましい。尚、２つのアミン基以外に、「繰り返し単位中の官能基」に相当する官能基を有さない化合物も好ましい化合物に含まれ、この場合、ベンゼン環の個数は好ましくは２個以上であり、より好ましくは３個以上である。 【００８５】 本発明の好ましい１形態において、繰り返し単位を形成するテトラカルボン酸成分およびジアミン成分のそれぞれが、上記の条件、即ちフルオレン構造を分子内に有する化合物、および「繰り返し単位中の官能基」１個に対してベンゼン環を３個以上有する化合物（官能基０個の場合を含む）から選ばれる化合物を含むことが好ましい。 【００８６】 本発明の１態様において、「末端官能基量」が小さいことも好ましい。「末端官能基量」は、ポリイミドを製造する際（ポリアミック酸を製造する際）のテトラカルボン酸成分とジアミン成分の仕込み比、各成分の純度、末端封止剤の添加量、反応性添加剤の添加量に基づいて計算される。テトラカルボン酸成分とジアミン成分の仕込み比からの末端官能基量の計算は次のように行う。 テトラカルボン酸二無水物／ジアミン比＝１で得られるポリイミドの重合度は理論的に∞なので、末端基は１／∞＝０とする。テトラカルボン酸二無水物とジアミンの仕込みが等モルでない場合、ジアミンが過剰である場合を例に取ると、理論的に、式（ＩＩ－Ｂ）の構造の重合度ｎのポリイミドができるものとする。ｎは、 （式） テトラカルボン酸二無水物／ジアミン比＝ｎ／（ｎ＋１） を満たすｎを求めることで得られる。繰り返し単位の式量をａとし、末端ジアミン１個分の分子量をａｂとすると、重合度ｎのポリイミドの式量は、（ａ＊ｎ＋ａｂ）となるから、末端アミン量は、 ２／（ａ＊ｎ＋ａｂ） ［単位 ｍｏｌ／ｇ］ で求められる。本願の実施例ではμｍｏｌ／ｇで表記した。 【００８７】 【化２１】 ［図：0001403934000022.jpg］ 【００８８】 本発明の１態様において、末端アミン基量が好ましくは３０μｍｏｌ／ｇ以下、より好ましくは２０μｍｏｌ／ｇ以下、さらに好ましくは１０．５μｍｏｌ／ｇ以下である。また、本発明の異なる態様において、末端の全官能基量が好ましくは３０μｍｏｌ／ｇ以下、より好ましくは２０μｍｏｌ／ｇ以下、さらに好ましくは１０．５μｍｏｌ／ｇ以下である。 【００８９】 本発明の好ましい１態様においては、イミド基と「繰り返し単位中の官能基」を合わせた重量分率が３０重量％以下且つ「末端官能基量」が２０μｍｏｌ／ｇ以下が好ましく、また異なる好ましい１態様においては、イミド基と「繰り返し単位中の官能基」を合わせた重量分率が４０重量％以下且つ「末端官能基量」が１０．５μｍｏｌ／ｇ以下が好ましい。またイミド基と「繰り返し単位中の官能基」を合わせた重量分率が３０重量％以下且つ「末端官能基量」が１０．５μｍｏｌ／ｇ以下も非常に好ましい。 【００９０】 以上のようなポリイミド中の官能基（イミド基、繰り返し単位中の官能基、末端官能基）のコントロールは、本発明のＣ－Ｖ特性を有するポリイミドを得るために考慮すべき要素である。」 （本ｅ）「【００９１】 ＜＜新規ポリイミド前駆体およびポリイミド＞＞ 本出願は、新規な構造を含有するポリイミド前駆体およびポリイミドも開示する。新規ポリイミド前駆体およびポリイミドは、 少なくとも３，３’，４，４’－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（ｓ－ＢＰＤＡ）を含有するテトラカルボン酸成分（Ａ）と、 （Ｂ－１）１，４―ジアミノベンゼン、［１，１’：４’，１”－ターフェニル］－４，４”－ジアミン、および１，４－ビス［２－（４－アミノフェニル）－２－プロピル］ベンゼンから選ばれる少なくとも一つのジアミン、および （Ｂ－２）９，９－ビス（４－アミノフェニル）フルオレン、４，４’－（（（９Ｈ－フルオレン－９，９－ジイル）ビス（［１，１’－ビフェニル］－５，２－ジイル））ビス（オキシ））ジアミン、および４，４’－（［１，１’－ビナフタレン］－２，２’－ジイルビス（オキシ））ジアミンから選ばれる少なくとも一つのジアミン を含有するジアミン成分（Ｂ）を反応して得られる繰り返し単位を含む。即ち、前記一般式Ｉおよび一般式ＩＩにおいて、Ｘ１が上記テトラカルボン酸成分（Ａ）に由来し、Ｙ１が上記ジアミン成分（Ｂ）に由来する繰り返し単位を含む。 【００９２】 テトラカルボン酸成分（Ａ）は、好ましくは３，３’，４，４’－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（ｓ－ＢＰＤＡ）を４０モル％以上の割合で含む。また、テトラカルボン酸成分（Ａ）として、ｓ－ＢＰＤＡ以外に、（９Ｈ－フルオレン－９，９－ジイル）ビス（２－メチル－４，１－フェニレン）ビス（１，３－ジオキソ－１，３－ジヒドロイソベンゾフラン－５－カルボキシレート）を含むことも好ましい。これら以外に、前述の列挙したテトラカルボン酸二無水物を含有することができる。例えば、フルオレン構造を分子内に有するテトラカルボン酸二無水物、および２つの酸無水物基以外の官能基（「繰り返し単位中の官能基」に対応する基）１個に対してベンゼン環を３個以上有するテトラカルボン酸二無水物から選ばれる化合物を含むことができる。ｓ－ＢＰＤＡおよび（９Ｈ－フルオレン－９，９－ジイル）ビス（２－メチル－４，１－フェニレン）ビス（１，３－ジオキソ－１，３－ジヒドロイソベンゾフラン－５－カルボキシレート）以外のテトラカルボン酸二無水物の量は、好ましくは３０モル％以下、より好ましくは２０モル％以下であり、０モル％であってもよい。 【００９３】 ジアミン成分（Ｂ）は、上記（Ｂ－１）のジアミンおよび（Ｂ－２）のジアミンを合わせて、好ましくは４０モル％以上の割合で含む。また、ジアミン成分（Ｂ）として（Ｂ－１）のジアミンおよび（Ｂ－２）のジアミン以外に前述の列挙したジアミン化合物を含有することができる。例えば、フルオレン構造を分子内に有するジアミン、および２つのアミン基以外の官能基（「繰り返し単位中の官能基」に対応する基）１個に対してベンゼン環を３個以上有するジアミンから選ばれる化合物を含むことができ、好ましい化合物としては、１，１’：４’，１”：４”，１”’－クォーターフェニル－４，４”’－ジアミン等を挙げることができる。（Ｂ－１）のジアミンおよび（Ｂ－２）のジアミン以外のジアミン化合物の量は、好ましくは３０モル％以下、より好ましくは２０モル％以下であり、０モル％であってもよい。 【００９４】 また、ポリイミド前駆体またはポリイミドの繰り返し単位中、ｓ－ＢＰＤＡと（Ｂ－１）のジアミンに由来する繰り返し単位およびｓ－ＢＰＤＡと（Ｂ－２）のジアミンに由来する繰り返し単位の割合の合計が、４０モル％以上であることが好ましい。 【００９５】 この新規ポリイミドはＣ－Ｖ特性に優れており、ポリイミド繰り返し単位中のイミド基重量分率、イミド基と「繰り返し単位中の官能基」を合わせた重量分率、および「末端官能基量」の少なくとも１つ、好ましくは２つ、より好ましくは３つが、前述の範囲（特には好ましい範囲）となるように、併用化合物、仕込みテトラカルボン酸二無水物／ジアミン比等を選択することが好ましい。」 （本ｆ）「【００９６】 ＜＜ポリイミドフィルムの製造方法＞＞ ポリイミドの製造、特にキャリア基板上にポリイミドフィルムを形成した積層体を経由するポリイミドフィルムの製造方法を以下に説明する。 【００９７】 ポリイミドフィルムの製造方法の例を概略的に示すと、 （１）ポリイミド前駆体（特にポリアミック酸）溶液、またはポリイミド前駆体溶液に必要に応じてイミド化触媒、脱水剤、無機微粒子などを選択して加えたポリイミド前駆体溶液組成物をキャリア基板上にキャストし、加熱により脱水環化、脱溶媒することによりポリイミドフィルムを形成する方法（熱イミド化）； （２）ポリイミド前駆体（特にポリアミック酸）溶液に環化触媒および脱水剤を加え、さらに必要に応じて無機微粒子などを選択して加えたポリイミド前駆体溶液組成物をキャリア基板上にキャストし、化学的に脱水環化させて、これを加熱により脱溶媒、イミド化することによりポリイミドフィルムを形成する方法（化学イミド化）； （３）ポリイミドが有機溶媒に可溶の場合、必要により無機微粒子などの添加剤を選択して加えたポリイミド溶液組成物をキャリア基板上にキャストし、加熱により溶媒を除去しながら、所定温度まで加熱することによりポリイミドフィルムを形成する方法 などが挙げられる。 【００９８】 ＜ポリイミド前駆体溶液、ポリイミド溶液＞ まず、ポリイミド前駆体溶液およびポリイミド溶液の製造について説明する。ポリイミド前駆体溶液またはポリイミド溶液は、略等モルのテトラカルボン酸成分とジアミン成分を、有機溶媒中で重合することにより得られる。また、予めどちらかの成分が過剰である２種類以上のポリイミド前駆体を合成しておき、各ポリイミド前駆体溶液を一緒にした後、反応条件下で混合してもよい。 ・・・ 【０１０２】 ポリイミド前駆体溶液の製造例の一例として、前記のテトラカルボン酸成分とジアミン成分との重合反応を、例えば、それぞれを実質的に等モル或いはどちらかの成分（酸成分、或いはジアミン成分）を少し過剰にして混合し、反応温度１００℃以下、好ましくは８０℃以下にて約０．２～６０時間反応させることにより実施して、ポリイミド前駆体溶液を得ることができる。 【０１０３】 ポリイミド溶液の製造例の一例として、前記のテトラカルボン酸成分とジアミン成分との重合反応を、例えば、それぞれを実質的に等モル或いはどちらかの成分（酸成分、或いはジアミン成分）を少し過剰にして混合し、公知の方法でポリイミド溶液を得ることができ、例えば反応温度１４０℃以上、好ましくは１６０℃以上（好ましくは２５０℃以下、さらに２３０℃以下）にて約１～６０時間反応させることにより実施して、ポリイミド溶液を得ることができる。 【０１０４】 また、前述のようにカルボン酸モノ無水物（特にジカルボン酸モノ無水物）を加える場合、一般的にはテトラカルボン酸成分とジアミン成分とを、好ましくは前述の式（１）を満たすモル比で溶媒中で反応させて、末端にアミノ基を有するポリイミド前駆体（特にポリアミック酸）を得る第１の工程、および、次いでカルボン酸モノ無水物を、好ましくは前述の式（２）を満たすモル比で添加して反応させて、ポリイミド前駆体（特にポリアミック酸）の末端を封止する第２の工程を含む方法が好ましい。 【０１０５】 第１の工程では、イミド化反応を抑制するために、例えば１００℃以下、好ましくは８０℃以下の比較的低温で行なわれる。限定するものではないが、通常、反応温度は２５℃～１００℃、好ましくは４０℃～８０℃、より好ましくは５０℃～８０℃であり、反応時間は、通常、０．１～２４時間程度、好ましくは２～１２時間程度である。反応温度及び反応時間を前記範囲内とすることによって、効率よく高分子量のポリイミド前駆体の溶液組成物を得ることができる。なお、反応は、空気雰囲気下でも行うことができるが、通常は不活性ガス雰囲気下、好ましくは窒素ガス雰囲気下で行われる。 【０１０６】 第２の工程では、反応温度を適宜設定してよいが、ポリイミド前駆体の末端を確実に封止する観点から、好ましくは２５℃～７０℃、より好ましくは２５℃～６０℃、さらに好ましくは２５℃～５０℃である。反応時間は、通常、０．１～２４時間程度である。 【０１０７】 このようにして得られたポリイミド前駆体溶液またはポリイミド溶液はそのまま、あるいは必要であれば有機溶媒を除去し、または、新たに有機溶媒を加えて、ポリイミドフィルムの製造に使用することができる。 【０１０８】 ポリイミド前駆体溶液には、熱イミド化であれば必要に応じて、イミド化触媒、有機リン含有化合物、無機微粒子などを加えてもよい。ポリイミド前駆体溶液には、化学イミド化であれば必要に応じて、環化触媒および脱水剤、無機微粒子などを加えてもよい。ポリイミド溶液には、必要に応じて、無機微粒子などを加えてもよい。 【０１０９】 イミド化触媒としては、置換もしくは非置換の含窒素複素環化合物、該含窒素複素環化合物のＮ－オキシド化合物、置換もしくは非置換のアミノ酸化合物、ヒドロキシル基を有する芳香族炭化水素化合物または芳香族複素環状化合物が挙げられ、特に１，２－ジメチルイミダゾール、Ｎ－メチルイミダゾール、Ｎ－ベンジル－２－メチルイミダゾール、２－メチルイミダゾール、２－エチル－４－メチルイミダゾール、５－メチルベンズイミダゾールなどの低級アルキルイミダゾール、Ｎ－ベンジル－２－メチルイミダゾールなどのベンズイミダゾール、イソキノリン、３，５－ジメチルピリジン、３，４－ジメチルピリジン、２，５－ジメチルピリジン、２，４－ジメチルピリジン、４－ｎ－プロピルピリジンなどの置換ピリジンなどを好適に使用することができる。イミド化触媒の使用量は、ポリアミド酸のアミド酸単位に対して０．０１～２倍当量、特に０．０２～１倍当量程度であることが好ましい。イミド化触媒を使用することによって、得られるポリイミドフィルムの物性、特に伸びや端裂抵抗が向上することがある。 【０１１０】 有機リン含有化合物としては、例えば、モノカプロイルリン酸エステル、モノオクチルリン酸エステル、モノラウリルリン酸エステル、モノミリスチルリン酸エステル、モノセチルリン酸エステル、モノステアリルリン酸エステル、トリエチレングリコールモノトリデシルエーテルのモノリン酸エステル、テトラエチレングリコールモノラウリルエーテルのモノリン酸エステル、ジエチレングリコールモノステアリルエーテルのモノリン酸エステル、ジカプロイルリン酸エステル、ジオクチルリン酸エステル、ジカプリルリン酸エステル、ジラウリルリン酸エステル、ジミリスチルリン酸エステル、ジセチルリン酸エステル、ジステアリルリン酸エステル、テトラエチレングリコールモノネオペンチルエーテルのジリン酸エステル、トリエチレングリコールモノトリデシルエーテルのジリン酸エステル、テトラエチレングリコールモノラウリルエーテルのジリン酸エステル、ジエチレングリコールモノステアリルエーテルのジリン酸エステル等のリン酸エステルや、これらリン酸エステルのアミン塩が挙げられる。アミンとしてはアンモニア、モノメチルアミン、モノエチルアミン、モノプロピルアミン、モノブチルアミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジプロピルアミン、ジブチルアミン、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン等が挙げられる。 【０１１１】 環化触媒としては、トリメチルアミン、トリエチレンジアミンなどの脂肪族第３級アミン、ジメチルアニリンなどの芳香族第３級アミン、およびイソキノリン、ピリジン、α－ピコリン、β－ピコリンなどの複素環第３級アミンなどが挙げられる。 【０１１２】 脱水剤としては、無水酢酸、無水プロピオン酸、無水酪酸などの脂肪族カルボン酸無水物、および無水安息香酸などの芳香族カルボン酸無水物などが挙げられる。 【０１１３】 無機微粒子としては、微粒子状の二酸化チタン粉末、二酸化ケイ素（シリカ）粉末、酸化マグネシウム粉末、酸化アルミニウム（アルミナ）粉末、酸化亜鉛粉末などの無機酸化物粉末、微粒子状の窒化ケイ素粉末、窒化チタン粉末などの無機窒化物粉末、炭化ケイ素粉末などの無機炭化物粉末、および微粒子状の炭酸カルシウム粉末、硫酸カルシウム粉末、硫酸バリウム粉末などの無機塩粉末を挙げることができる。これらの無機微粒子は二種以上を組合せて使用してもよい。これらの無機微粒子を均一に分散させるために、それ自体公知の手段を適用することができる。 【０１１４】 一実施形態において、ポリイミド前駆体溶液またはポリイミド溶液は、アルコキシシランなどのシランカップリング剤を含まないことが好ましい。シランカップリング剤を使用したポリイミドフィルムでは、シランカップリング剤がブリードアウトする場合がある。これにより、ポリイミドフィルムのＣ－Ｖ特性の低下、さらには接着力低下、積層体の膨れなどの問題が生じる。更には、ポリイミド前駆体溶液にシランカップリング剤を添加または反応させると、ポリイミド前駆体溶液の粘度安定性が低下するという問題もある。このような問題を避けるためには、シランカップリング剤を使用しないことが好ましい。 【０１１５】 ＜積層体および電子デバイスの製造＞ 電子デバイスの製造では、まず、ポリイミド前駆体溶液またはポリイミド溶液（これらに、必要により添加剤を含有する組成物溶液も含む）をキャリア基板上に流延し、加熱処理によりイミド化および脱溶媒（ポリイミド溶液のときは主として脱溶媒）することによってポリイミドフィルムを形成し、キャリア基板とポリイミドフィルムとの積層体を得る。キャリア基板に制限はないが、一般に、ソーダライムガラス、ホウ珪酸ガラス、無アルカリガラス等のガラス基板や鉄、ステンレス等の金属基板が使用される。ポリイミド前駆体溶液およびポリイミド溶液のキャリア基板上への流延方法は特に限定されないが、例えばスピンコート法、スクリーン印刷法、バーコーター法、電着法などの従来公知の方法が挙げられる。ポリイミド前駆体溶液を用いた場合の加熱処理条件は、特に限定されないが、例えば５０℃～１５０℃の温度範囲で乾燥した後、最高加熱温度として例えば１５０℃～６００℃であり、好ましくは２００℃～５５０℃、より好ましくは２５０℃～５００℃で処理することが好ましい。ポリイミド溶液を用いた場合の加熱処理条件は、特に限定されないが、最高加熱温度として例えば１００℃～６００℃であり、好ましくは１５０℃以上、より好ましくは２００℃以上であり、また好ましくは５００℃以下、より好ましくは４５０℃以下である。」 （本ｇ）「【実施例】 【０１２７】 以下、実施例を用いて本発明をさらに詳細に説明する。なお、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。 【０１２８】 以下の例で用いた特性の測定方法を次に示す。 【０１２９】 ＜Ｃ－Ｖ特性の測定方法＞ Ｃ－Ｖ特性は、図１の模式図に示すシステムにより、以下の条件で実施した。 測定装置：堀場ジョバンイボン社製水銀プローブ式ＣＶ測定装置（水銀プローブＭｏｄｅｌ ８０２－１５０（Ｍａｔｅｒｉａｌｓ Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ） 水銀電極面積：０．００４７５ ｃｍ２ 直流電圧走査条件：＋４０Ｖで３０ｓ間保持した後、＋４０Ｖから－４０Ｖまで負方向走査を行い、－４０Ｖで３０ｓ間保持し、その後、＋４０Ｖまで正方向走査を行う。これを３サイクル繰り返した。 交流電圧条件：周波数約２．５ｋＨｚ、振幅０．１Ｖの交流正弦波 測定温度：室温 【０１３０】 ＜勾配の求め方＞ 規格化Ｃ－Ｖ曲線の微分関数の近似値として、ある電圧Ｖｎ１の時の規格化容量Ｃｎ１と、Ｖｎ１＋１．５[V]であるＶｎ２の時の規格化容量Ｃｎ２から、絶対値「｜（Ｃｎ２－Ｃｎ１）／（Ｖｎ２－Ｖｎ１）｜」を、規格化Ｃ－Ｖ曲線全体についてこの値を計算し、｜（Ｃｎ２－Ｃｎ１）／（Ｖｎ２－Ｖｎ１）｜の最大値をその組成の勾配として採用した。 【０１３１】 実施例、比較例に使用したモノマーおよび添加剤を示す。 モノマーＡ：３，３’，４，４’－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（式量２９４．２２）、純度（％）９９．９ モノマーＡ２：３，３’，４，４’－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（式量２９４．２２）、純度（％）９９．０（低純度） モノマーＢ：（９Ｈ－フルオレン－９，９－ジイル）ビス（２－メチル－４，１－フェニレン）ビス（１，３－ジオキソ－１，３－ジヒドロイソベンゾフラン－５－カルボキシレート）（式量７２６．６６）、純度（％）９８．２ モノマーＣ：１，４－ジアミノベンゼン（式量１０８．１４）、純度（％）１００．０ モノマーＤ：４，４’－（（（９Ｈ－フルオレン－９，９－ジイル）ビス（［１，１’－ビフェニル］－５，２－ジイル））ビス（オキシ））ジアミン（式量６８４．７８）、純度（％）９９．０ モノマーＥ：［１，１’：４’，１”－ターフェニル］－４，４”－ジアミン（式量２６０．３１）、純度（％）９９．１ モノマーＦ：４，４’－（［１，１’－ビナフタレン］－２，２’－ジイルビス（オキシ））ジアミン（式量４６８．５１）、純度（％）９９．１ モノマーＧ：１，４－ビス［２－（４－アミノフェニル）－２－プロピル］ベンゼン（式量３４４．４８）、純度（％）９９．７ モノマーＨ：９，９－ビス（４－アミノフェニル）フルオレン（式量３４８．４３）、純度（％）９９．２ モノマーＩ：フタル酸無水物（式量１４８．１１）、純度（％）１００．０ 添加剤：３－アミノプロピルトリエトキシシラン（式量２１８．３２）、純度（％）９９．７ 【０１３２】 モノマーの化学構造を以下に示す。 【０１３３】 【化２２】 ［図：0001403934000023.jpg］ 【０１３４】 【化２３】 ［図：0001403934000024.jpg］ 【０１３５】 【化２４】 ［図：0001403934000025.jpg］ 【０１３６】 ［参考例１］（実施例１の組成） （モノマーＡ ５０／モノマーＢ ５０／／モノマーＣ ５０／モノマーＤ ５０） 窒素ガスで置換した反応容器中に、１，４－ジアミノベンゼン（５０モル％）および４，４’－（（（９Ｈ－フルオレン－９，９－ジイル）ビス（［１，１’－ビフェニル］－５，２－ジイル））ビス(オキシ））ジアミン（５０モル％）、ＮＭＰを仕込み、１５分間４０℃で加熱撹拌し、モノマーを溶解させた。その後、３，３’，４，４’－テトラカルボン酸ビフェニル二無水物（５０モル％）および（９Ｈ－フルオレン－９，９－ジイル）ビス（２－メチル－４，１－フェニレン）ビス（１，３－ジオキソ－１，３－ジヒドロイソベンゾフラン－５－カルボキシレート）（５０モル％）を加え、さらに３０分間撹拌し、粘度１．８２Ｐａ・ｓ（２５℃）の液状ポリイミド前駆体樹脂組成物（ポリアミック酸溶液）を得た。 【０１３７】 ［参考例２］（実施例２の組成） （モノマーＡ ５０／モノマーＢ ５０／／モノマーＤ ５０／モノマーＥ ５０） 窒素ガスで置換した反応容器中に、［１，１’：４’，１”－ターフェニル］－４，４”－ジアミン（５０モル％）（５０モル％）および４，４’－（（（９Ｈ－フルオレン－９，９－ジイル）ビス（［１，１’－ビフェニル］－５，２－ジイル））ビス(オキシ))ジアミン（５０モル％）、ＮＭＰを仕込み、１５分間４０℃で加熱撹拌し、モノマーを溶解させた。その後、３，３’，４，４’－テトラカルボン酸ビフェニル二無水物（５０モル％）および（９Ｈ－フルオレン－９，９－ジイル）ビス（２－メチル－４，１－フェニレン）ビス（１，３－ジオキソ－１，３－ジヒドロイソベンゾフラン－５－カルボキシレート）（５０モル％）を加え、さらに３０分間撹拌し、粘度０．７４２Ｐａ・ｓ（２５℃）の液状ポリイミド前駆体樹脂組成物（ポリアミック酸溶液）を得た。 【０１３８】 ［参考例３］（実施例３の組成） （モノマーＡ ５０／モノマーＢ ５０／／モノマーＥ ５０／モノマーＦ ５０） 窒素ガスで置換した反応容器中に、［１，１’：４’，１”－ターフェニル］－４，４”－ジアミン（５０モル％）および４，４’－（［１，１’－ビナフタレン］－２，２’－ジイルビス（オキシ））ジアミン（５０モル％）、ＮＭＰを仕込み、１５分間４０℃で加熱撹拌し、モノマーを溶解させた。その後、３，３’，４，４’－テトラカルボン酸ビフェニル二無水物（５０モル％）および（９Ｈ－フルオレン－９，９－ジイル）ビス（２－メチル－４，１－フェニレン）ビス（１，３－ジオキソ－１，３－ジヒドロイソベンゾフラン－５－カルボキシレート）（５０モル％）を加え、さらに３０分間撹拌し、粘度０．８８６Ｐａ・ｓ（２５℃）の液状ポリイミド前駆体樹脂組成物（ポリアミック酸溶液）を得た。 【０１３９】 ［参考例４］（実施例４の組成） （モノマーＡ １００／／モノマーＧ ５０／モノマーＨ ５０） 窒素ガスで置換した反応容器中に、１，４－ビス［２－（４－アミノフェニル）－２－プロピル］ベンゼン（５０モル％）および９，９－ビス（４－アミノフェニル）フルオレン（５０モル％）、ＮＭＰを仕込み、１５分間４０℃で加熱撹拌し、モノマーを溶解させた。その後、３，３’，４，４’－テトラカルボン酸ビフェニル二無水物（１００モル％）を加え、さらに３０分間撹拌し、粘度３．２４９Ｐａ・ｓ（２５℃）の液状ポリイミド前駆体樹脂組成物（ポリアミック酸溶液）を得た。 【０１４０】 ［参考例５］（実施例５の組成） （モノマーＡ １００／／モノマーＧ ５０／モノマーＨ ５０） 窒素ガスで置換した反応容器中に、１，４－ビス［２－（４－アミノフェニル）－２－プロピル］ベンゼン（５０モル％）および９，９－ビス（４－アミノフェニル）フルオレン（５０モル％）、ＮＭＰを仕込み、１５分間４０℃で加熱撹拌し、モノマーを溶解させた。その後、３，３’，４，４’－テトラカルボン酸ビフェニル二無水物（１００モル％）を加え、さらに３０分間撹拌し、ポリアミック酸溶液を得た。その後１９０℃まで昇温した後、３時間保持してイミド化を行い、粘度４．０３Ｐａ・ｓ（２５℃）の液状ポリイミド樹脂組成物（ポリイミド溶液）を得た。 【０１４１】 ［参考例６］（実施例６の組成） （モノマーＡ １００／／モノマーＣ １００） 窒素ガスで置換した反応容器中に、１，４－ジアミノベンゼン（１００モル％）、ＮＭＰを仕込み、１５分間４０℃で加熱撹拌し、モノマーを溶解させた。その後、３，３’，４，４’－テトラカルボン酸ビフェニル二無水物（１００モル％）を加え、さらに３０分間撹拌し、粘度６．６Ｐａ・ｓ（２５℃）の液状ポリイミド前駆体樹脂組成物（ポリアミック酸溶液）を得た。 【０１４２】 ［参考例７］（実施例７の組成） （モノマーＡ ９８／／モノマーＣ １００／／モノマーＩ ４） 窒素ガスで置換した反応容器中に、１，４－ジアミノベンゼン（１００モル％）、ＮＭＰを仕込み、１５分間４０℃で加熱撹拌し、モノマーを溶解させた。その後、３，３’，４，４’－テトラカルボン酸ビフェニル二無水物（９８モル％）およびを加え、さらに３０分間撹拌した。その後フタル酸無水物（４モル％）を加え、更に３０分間攪拌し、粘度３．１１Ｐａ・ｓ（２５℃）の液状ポリイミド前駆体樹脂組成物（ポリアミック酸溶液）を得た。 【０１４３】 ［参考例８］（比較例１の組成） （モノマーＡ ９９．５／／モノマーＣ １００／／添加剤） 窒素ガスで置換した反応容器中に、１，４－ジアミノベンゼン（１００モル％）、ＮＭＰを仕込み、１５分間４０℃で加熱撹拌し、モノマーを溶解させた。その後、３，３’，４，４’－テトラカルボン酸ビフェニル二無水物（９９．５モル％）および３－アミノプロピルトリエトキシシラン（モノマー総量に対して０．０５部）を加え、さらに３０分間撹拌し、粘度２８．７５Ｐａ・ｓ（２５℃）の液状ポリイミド前駆体樹脂組成物（ポリアミック酸溶液）を得た。 【０１４４】 ［参考例９］（比較例２の組成） （モノマーＡ ９８／／モノマーＣ １００） 窒素ガスで置換した反応容器中に、１，４－ジアミノベンゼン（１００モル％）、ＮＭＰを仕込み、１５分間４０℃で加熱撹拌し、モノマーを溶解させた。その後、３，３’，４，４’－テトラカルボン酸ビフェニル二無水物（９８モル％）を加え、さらに３０分間撹拌し、粘度３．１１Ｐａ・ｓ（２５℃）の液状ポリイミド前駆体樹脂組成物（ポリアミック酸溶液）を得た。 【０１４５】 ［参考例１０］（比較例３の組成） （モノマーＡ２ １００／／モノマーＣ １００） 窒素ガスで置換した反応容器中に、１，４－ジアミノベンゼン（１００モル％）、ＮＭＰを仕込み、１５分間４０℃で加熱撹拌し、モノマーを溶解させた。その後、３，３’，４，４’－テトラカルボン酸ビフェニル二無水物（モノマーＡ２；低純度）（１００モル％）を加え、さらに３０分間撹拌し、粘度４８０Ｐａ・ｓ（２５℃）の液状ポリイミド前駆体樹脂組成物（ポリアミック酸溶液）を得た。 【０１４６】 ＜実施例１～３＞ ６インチシリコンウェハ（６２５μｍ厚、抵抗率４Ωｃｍ、ｐ型（不純物ボロン））上に、参考例１～３で製造したポリアミック酸溶液をさらに希釈した溶液をスピンコートし、１２０℃、１５０℃、２００℃、２５０℃にて各１０分、３３０℃にて５分間加熱処理し、厚さ０．７５μｍのポリイミドフィルムを形成した。得られたポリイミドフィルムを用いて、Ｃ－Ｖ測定を行った結果および使用した参考例の組成を表１に示す。 【０１４７】 ＜実施例４＞ 実施例１と同様に、６インチシリコンウェハ上に参考例４で製造したポリアミック酸溶液をさらに希釈した溶液をスピンコートし、１２０℃、１５０℃、２００℃、２５０℃にて各１０分、３６０℃にて５分間加熱処理し、厚さ０．７５μｍのポリイミドフィルムを形成した。結果を表１に示す。 【０１４８】 ＜実施例５＞ 実施例１と同様に、６インチシリコンウェハ上に、参考例５で製造したポリイミド溶液をさらに希釈した溶液をスピンコートし、１２０℃、１５０℃、２００℃、２５０℃にて各１０分、３００℃にて５分間加熱処理し、厚さ０．７５μｍのポリイミドフィルムを形成した。結果を表１に示す。 【０１４９】 ＜実施例６、７、比較例１、２、３＞ 実施例１と同様に、６インチシリコンウェハ上に、参考例６、７、８、９、１０で製造したポリアミック酸溶液をさらに希釈した溶液をスピンコートし、１２０℃、１５０℃、２００℃、２５０℃にて各１０分、４５０℃にて５分間加熱処理し、厚さ０．７５μｍのポリイミドフィルムを形成した。結果を表１に示す。 【０１５０】 【表１】 ［図：0001403934000026.jpg］ 」 ２ 各拒絶理由で引用された引用文献に記載された事項 本願発明の条件（Ａ）～（Ｅ）に関する各拒絶理由通知書で引用された引用文献に記載された事項は、以下のとおりである。 （１）特開２０１６－２２５６３８号公報に記載された事項 令和１年１２月２５日付け拒絶理由通知書及び令和２年６月１１付け拒絶理由通知書の引用文献２であり、令和５年２月２１日付け拒絶理由通知書の引用文献２である特開２０１６－２２５６３８号公報（以下「引用文献２」という。）には、以下の事項が記載されている。 （引２ａ）「【請求項１】 （α）５％熱分解温度が３５０℃以上のポリイミド、（β）下記一般式（１）で表される化学構造及び／又は下記一般式（２）で表される化学構造を有する化合物、（γ）下記一般式（３）で表される化学構造、水酸基、カルボキシル基及びスルホ基からなる群のうち１種以上を有する化合物、（δ）アミド基、アミノ基、カルバメート基、カルボキシル基、アリール基、酸無水物基及び重合性環状エーテル基からなる群から選ばれる少なくとも１種の官能基を有する下記一般式（４）で表される化学構造を有する化合物を含有することを特徴とするフレキシブルデバイス用基板。 【化１】 ［図：0001403934000027.jpg］ 【化２】 ［図：0001403934000028.jpg］ 【化３】 ［図：0001403934000029.jpg］ 【化４】 ［図：0001403934000030.jpg］ 」 （引２ｂ）「【実施例】 【０２２２】 以下、実施例に従って本実施の形態を詳細に説明する。但し、本実施の形態は以下の実施例により何ら限定されるものではない。 【０２２３】 ［合成例１］ （ポリアミック酸ワニスＰ－１の合成） ５００ｍｌ三口セパラブルフラスコに窒素導入管を取り付けた。窒素下、オイルバス３０℃で、Ｎ－メチル－２－ピロリドン（ＮＭＰ）２７０．０ｇ、３，３’，４，４’－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（ＢＰＤＡ）２１．９４ｇを入れ、均一に分散するまで攪拌した。さらに、ｐ－フェニレンジアミン（ＰＰＤ）８．０６ｇを少しずつ添加した後、オイルバス８０℃で４時間加熱して、ポリアミック酸ワニスＰ－１を得た。重量平均分子量は２７万であった。 ・・・ 【０２２９】 ［実施例１～２６及び比較例１～４］ （ポリアミック酸及びポリイミド組成物の調製） 表１及び表２に示すように各種成分を調製、混合した。これを孔径２．５ミクロンのＰＴＦＥ製フィルターで加圧ろ過して、実施例１～２６及び比較例１～４のワニス状組成物を得た。 【０２３０】 【表１】 ［図：0001403934000031.jpg］ 【０２３１】 【表２】 ［図：0001403934000032.jpg］ 【０２３２】 ここで、使用した（Ｂ）シリコーン化合物又はフッ素化合物及び（Ｃ）アルコキシシラン化合物は、以下の通りである。なお比較例４に含まれるアルコキシシラン化合物は、メチルトリメトキシシランであり、アミド基、アミノ基、カルバメート基、カルボキシル基、アリール基、酸無水物基及び重合性環状エーテル基からなる群から選ばれる少なくとも１種の官能基を有するアルコキシシラン化合物に該当しない。 【０２３３】 （Ｂ）シリコーン化合物又はフッ素化合物 Ａ－１ ＤＢＥ－７１２（アヅマックス社製） Ａ－２ ＤＢＥ－８２１（アヅマックス社製） Ａ－３ ポリフローＫＬ－１００（共栄社化学社製） Ａ－４ ポリフローＫＬ－４０１（共栄社化学社製） Ａ－５ ポリフローＫＬ－４０２（共栄社化学社製） Ａ－６ ポリフローＫＬ７００（共栄社化学社製） Ａ－７ ＬＥ－６０４（共栄社化学社製） Ａ－８ ＬＥ－６０５（共栄社化学社製） Ａ－９ ＬＩＮＣ－１５１－ＥＰＡ（共栄社化学社製） 【０２３４】 （Ｃ）アルコキシシラン化合物 Ｓ－１ ３－（トリエトキシシリルプロピル）無水コハク酸（ＧＥＬＥＳＴ社製） Ｓ－２ ３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（ＧＥＬＥＳＴ社製） Ｓ－３ ３－アミノプロピルトリエトキシシラン（ＧＥＬＥＳＴ社製） Ｓ－４ ３－アミノプロピルトリエトキシシランと無水フタル酸との１：１反応物 Ｓ－５ ３－アミノプロピルトリメトキシシランと無水フタル酸との１：１反応物 Ｓ－６ （３－トリエトキシシリルプロピル）－ｔ－ブチルカルバメート（ＧＥＬＥＳＴ社製） Ｓ－７ ３－アミノプロピルトリエトキシシランとフェニルイソシアネートとの１：１反応物 Ｓ－８ ３，３’，４，４’－ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物と３－アミノプロピルトリエトキシシランの１：２反応物 Ｓ－９ メチルトリメトキシシラン（ＧＥＬＥＳＴ社製） ・・・ 【０２５２】 ［比較例５］ （Ａ）ポリアミック酸として合成例１で示したＰ－１、（Ｂ）シリコーン化合物としてＤＢＥ－７１２（アヅマックス社製）、（Ｄ）溶媒としてＮ－メチル－２－ピロリドン（ＮＭＰ）を、１０．０：０．０５：８９．９５の質量比で調合、混合した。これを孔径２．５ミクロンのＰＴＦＥ製フィルターで加圧ろ過して、ワニス状組成物を得た。 【０２５３】 表面をアルカリ洗浄法及びプラズマ洗浄法により洗浄した無アルカリガラス基板上にバーコーターを用いてキュア後の膜厚が２０μｍとなるように、ワニス状組成物を塗工した。そして得られた塗膜を、１４０℃×１ｈｒ＋２５０℃×１ｈｒ＋３５０℃×１ｈｒの条件でキュアした。 【０２５４】 ［比較例６］ （Ａ）ポリアミック酸として合成例１で示したＰ－１、（Ｂ）フッ素化合物としてＬＥ－６０５（共栄社化学社製）、（Ｄ）溶媒としてＮ－メチル－２－ピロリドン（ＮＭＰ）を、１０．０：０．０９：８９．９１の比で調合、混合した。これを孔径２．５ミクロンのＰＴＦＥ製フィルターで加圧ろ過して、ワニス状組成物を得た。 【０２５５】 表面をアルカリ洗浄法及びプラズマ洗浄法により洗浄した無アルカリガラス基板上にバーコーターを用いてキュア後の膜厚が２０μｍとなるように、ワニス状組成物を塗工した。そして得られた塗膜を、１４０℃×１ｈｒ＋２５０℃×１ｈｒ＋３５０℃×１ｈｒの条件でキュアした。 【０２５６】 ［比較例７］ （Ａ）ポリアミック酸として合成例１で示したＰ－１、（Ｃ）アルコキシシラン化合物として３－アミノプロピルトリエトキシシランと無水フタル酸との１：１反応物、（Ｄ）溶媒としてＮ－メチル－２－ピロリドン（ＮＭＰ）を、１０．０：０．０５：８９．９５の質量比で調合、混合した。これを孔径２．５ミクロンのＰＴＦＥ製フィルターで加圧ろ過して、ワニス状組成物を得た。 【０２５７】 表面をアルカリ洗浄法及びプラズマ洗浄法により洗浄した無アルカリガラス基板上にバーコーターを用いてキュア後の膜厚が２０μｍとなるように、ワニス状組成物を塗工した。そして得られた塗膜を、１４０℃×１ｈｒ＋２５０℃×１ｈｒ＋３５０℃×１ｈｒの条件でキュアした。 【０２５８】 ［組成物（フレキシブルデバイス用基板）の構造解析］ 実施例２７、２８及び比較例５～７にて、無アルカリガラス基板上に塗工・キュアされた組成物からなるフレキシブルデバイス用基板の構造解析をＴＯＦ－ＳＩＭＳを用いて実施した。ＴＯＦ－ＳＩＭＳの測定条件を下記に示す。」 （２）特開２０１５－２１４１２２号公報に記載された事項 令和１年１２月２５日付け拒絶理由通知書の引用文献３である特開２０１５－２１４１２２号公報（以下「引用文献３」という。）には、以下の事項が記載されている。 （引３ａ）「【請求項１】 少なくとも支持体とポリイミドフィルムとから構成されてなる積層体を作製するために好適な芳香族テトラカルボン酸と芳香族ジアミン類との反応によって得られるポリアミック酸溶液から得られることを特徴とするポリイミドフィルムであって、下記の３条件ともに満たしている事を特徴とするポリイミドフィルム。 （１）表面粗さが１．５ｎｍ以下。 （２）Ｏ／Ｃが０．３から０．４５の間。 （３）Ｎ／Ｏが０．４０から０．５０の間。 【請求項２】 前記ポリアミック酸溶液が芳香族テトラカルボン酸類とベンゾオキサゾール構造（骨格）を有する芳香族ジアミン類との反応によって得られるポリアミック酸溶液から得られることを特徴とする、請求項１に記載のポリイミドフィルム。 【請求項３】 前記ポリアミック酸溶液が３，３'，４，４'－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物と芳香族ジアミン類との反応によって得られるポリアミック酸溶液から得られることを特徴とする、請求項１に記載のポリイミドフィルム。」 （引３ｂ）「【発明の詳細な説明】 【技術分野】 【０００１】 本発明は、ポリイミドフィルムと支持体から構成されてなる積層体の製造に適したポリイミドフィルムであり、更に詳しくは、半導体素子、ＭＥＭＳ素子、ディスプレイ素子など薄膜からなり、微細な加工が必要となるデバイスを、ポリイミドフィルム表面に形成するにあたり、一時的ないし半永久的に、ポリイミドフィルムを支持体となる支持体に貼り合わせた積層体を得るための積層体を利用したフィルムデバイスの作製に適した、耐熱性を有する積層体作製可能なポリイミドフィルムに関する発明である。 ・・・ 【課題を解決するための手段】 【０００７】 本発明者らは鋭意検討した結果、耐熱性、フレキシブル性をより高いレベルで具備したポリイミドのフィルムが、このフィルムとほぼ同程度の線膨張係数を有するガラス板、セラミック板、シリコンウエハ、金属から選ばれた一種の支持体とが積層された耐熱性と絶縁性に優れた積層体が、電子デバイス作製などに使用される際に極めて有意であるが、この積層体の耐熱性が高くなることで、更にデバイス作製の幅が広がり、有用性が高まるとの認識から、ポリイミドフィルムの表面処理を見直し、分析と併せて、積層体の耐熱性をあげる処理を見出し、それに使用できる支持体と接着剤を使用しないでも接着しうる、接着性に優れ、支持体から剥がす際にも支障のない、線膨張係数が低めの特定範囲にあり、かつ精緻な回路形成が平滑面に形成しうるポリイミドフィルムを見出した。 ・・・ 【発明を実施するための形態】 【００１１】 本発明のポリイミドフィルムは、少なくとも支持体とポリイミドフィルムから構成されてなる積層体を形成するための積層体形成用ポリイミドフィルムで、該ポリイミドフィルムは芳香族テトラカルボン酸と芳香族ジアミンとの反応によって得られるポリアミック酸溶液から得られるポリイミドフィルムであって、少なくともフィルム片面において （１）表面粗さＲａが１．５ｎｍ以下。 （２）ポリイミドフィルム表面のＯ／Ｃが０．３から０．４５の間。 （３）ポリイミドフィルム表面のＮ／Ｏが０．４０から０．５０の間。 なる条件を満たすことが必須である。 【００１２】 前記(1)表面粗さRa1.5nm以下 を実現するためには、プラズマ処理前のポリイミドフィルムとして、表面粗さＲａが 0.1～2.0nmのフィルムを使用する。 なお、ここに表面粗さＲａは走査型プローブ顕微鏡により得られる数値である。 【００１３】 前記(2)ポリイミドフィルム表面のＯ／Ｃが０．３から０．４５の間。 前記(3)ポリイミドフィルム表面のＮ／Ｏが０．４０から０．５０の間。 を有するポリイミドフィルムは、ポリイミドフィルムの樹脂組成において、Ｎ元素の含有率が６原子％以上のポリイミド樹脂ないし、Ｏ元素の含有率が１２原子％以下のポリイミド樹脂からなるポリイミドフィルムを用い、かつ、プラズマ処理時に於ける処理ガスとして後述のガスを使用することによって得ることができる。 なお、ここにＯ／Ｃ、Ｎ／Ｏは ＥＳＣＡによる表面分析から得られるポリイミドフィルム表面の構成元素の原子比である。 なお、ポリイミドフィルム表面のＯ／Ｃは０．２５～０.４２がより好ましく、Ｎ／Ｏは０．４０～０．４５がより好ましい。 【００１４】 本発明で特に有用に用いられるポリイミドフィルムは後述の組成のポリイミドからなり、ガラス転移温度が２５０℃以上、好ましくは３００℃以上更に好ましくは３５０℃以上あるいは、５００℃以下の領域において、ガラス転移点が観測されないことが好ましい。本発明におけるガラス転移点温度は示差熱分析（ＤＳＣ）により求めるものである。 【００１５】 本発明のポリイミドフィルムは、芳香族ジアミン類と芳香族テトラカルボン酸類との反応によって得られるポリアミック酸溶液をイミド化して得られるポリイミドのフィルムであって、線膨張係数（フィルムの長さ方向と幅方向でいずれも）が－５ｐｐｍ／℃～＋２０ｐｐｍ／℃であることが好ましく、芳香族ジアミン類と芳香族テトラカルボン酸類とが下記の組み合わせであるポリイミドフィルムが好ましい。 Ａ．ピロメリット酸残基を有する芳香族テトラカルボン酸類、ベンゾオキサゾール構造（骨格）を有する芳香族ジアミン類との組み合わせ。 Ｂ．フェニレンジアミン骨格を有する芳香族ジアミン類とビフェニルテトラカルボン酸骨格を有する芳香族テトラカルボン酸類との組み合わせ。 一般にポリイミドフィルムは、溶媒中でジアミン類とテトラカルボン酸無水物を反応して得られるポリアミック酸（ポリイミド前駆体）溶液を、支持体に塗布・乾燥してグリーンフィルム（前駆体フィルム、またはポリアミック酸フィルムともいう）と成し、さらに支持体上で、あるいは支持体から剥がした状態でグリーンフィルムを高温熱処理することにより脱水閉環反応を行うことによって得られる。 その製造方法としては例えば、芳香族ジアミン類と芳香族テトラカルボン酸類との反応によって得られるポリイミドの前駆体溶液の一つに平均粒子径０．０５～２．５μｍの滑材（粒子）を０．０５質量％～２０質量％を含有させ、他の一つに平均粒子径０．０５～２．５μｍの滑材（粒子）を含有しないか又はその含有率が０．０１質量％以下で含有するそれぞれ別の溶液を用いて製造した、滑材含有ポリイミド層と滑材を含有しないポリイミド層とが積層されたポリイミドフィルムを使用して、少なくとも滑材含有しないポリイミド層面にプラズマ処理により、易接着化を果たしている。 本発明に好ましく使用されるベンゾオキサゾール構造を有する芳香族ジアミン類としては、具体的には以下のものが挙げられ、該ジアミンは、単独であっても二種以上を用いることも可能である。」 （引３ｃ）「【実施例】 【００８０】 以下、実施例及び比較例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明は以下の実施例によって限定されるものではない。なお、以下の実施例における物性の評価方法は下の通りである。 ・・・ 【００８４】 〔製造例３～４〕 （ポリアミド酸溶液B１～B２の作製） 窒素導入管，温度計，攪拌棒を備えた反応容器内を窒素置換した後、テトラカルボン酸二無水物として３，３'，４，４'－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物３９８質量部、パラフェニレンジアミン１４７質量部を４６００質量部のＮ、Ｎ－ジメチルアセトアミドに溶解し、コロイダルシリカをジメチルアセトアミドに分散してなるスノーテックス（ＤＭＡＣ－ＳＴ３０、日産化学工業製）をシリカが表２記載量になるよう加え、２５℃の反応温度で２４時間攪拌すると、褐色で粘調なポリアミド酸溶液B１～B２が得られた。 【００８５】 【表２】 ［図：0001403934000033.jpg］ 【００８６】 《フィルム作製例１》 ポリアミド酸溶液Ａ１を、ポリエチレンテレフタレート製フィルムＡ－４１００（東洋紡績株式会社製）の無滑材面上に、コンマコーターを用いてコーティングし、１１０℃にて５分間乾燥後、支持体から剥がさずにポリアミド酸フィルムを巻き取った。 得られたポリアミド酸フィルムを製膜機の巻きだし部に取り付け、上記のポリアミド酸溶液Ａ２をポリアミド酸溶液Ａ１の塗布量を表３に示す厚さ比となるように、コンマコーターを用いてポリアミド酸フィルム面にコーティングし、１１０℃にて２０分間乾燥することで、２層構成のポリアミド酸フィルムを得た。２層全体の厚さが熱処理後に表３に示す厚さとなるように、塗布厚さは調整した。 この多層ポリアミド酸フィルムを３つの熱処理ゾーンを有するピンテンターに通し、一段目１５０℃×２分、２段目２２０℃×２分、３段目４７５℃×４分間の熱処理を行い、５００ｍｍ幅にスリットして、多層ポリイミドフィルムを得た。このとき、熱処理後巻き取る前に剥離可能な非ポリイミド保護フィルムとして、ＰＥＴフィルムに微粘着層の付いたフィルム（フィルムＡ）をポリアミド酸溶液Ａ１側にラミネートしてから、巻き取った。得られたポリイミドフィルムをフィルム1とした。このポリイミドフィルムの特性を表３に示す。 【００８７】 《フィルム作製例２》 ポリアミド酸溶液Ａ１、Ａ２のコーティング厚さを表３に示した値とした以外は全く作製例1と同様にして、フィルム２を得た。その内容を作製例１と同様に表３に示す。 【００８８】 《フィルム作製例３》 ポリアミド酸溶液Ａ１とＡ２の塗布順番を変え、コーティング厚さを表３に示した値とした以外は全く作製例1と同様にして、フィルム３を得た。その内容を作製例１と同様に表３に示した。 【００８９】 《フィルム作製例４》 ポリアミド酸溶液Ｂ１、Ｂ２のコーティング厚さを表３に示した値とした以外は全く作製例1と同様にして、フィルム４を得た。その内容を作製例１と同様に表３に示した。 【００９０】 《フィルム作製例５》 ポリアミド酸溶液Ｂ１、Ｂ２のコーティング厚さを表３に示した値とした以外は全く作製例1と同様にして、フィルム４を得た。その内容を作製例１と同様に表３に示した。 【００９１】 【表３】 ［図：0001403934000034.jpg］ 」 （３）特開２００８－２３００９６号公報に記載された事項 令和２年６月１１付け拒絶理由通知書の引用文献３である特開２００８－２３００９６号公報（上記拒絶理由通知書では「引用文献３」であったが、本審決においては、便宜的に「引用文献４」と表記することとする。）には、以下の事項が記載されている。 （引４ａ）「【特許請求の範囲】 【請求項１】 主金属層および厚さ１０ｎｍ以上の酸化防止金属層を有する金属箔上に耐熱性樹脂層を有する金属層付き積層フィルムであって、主金属層／酸化防止金属層界面の断面において、主金属の界面結晶密度が１０００個／ｍｍ以下であることを特徴とする金属層付き積層フィルム。 ・・・ 【請求項８】 金属箔に耐熱性樹脂前駆体組成物を塗布し、熱処理することにより、金属箔上に耐熱性樹脂層を形成して得られることを特徴とする請求項１～６いずれか記載の金属層付き積層フィルム。」 （引４ｂ）「【技術分野】 【０００１】 本発明は、金属層付き積層フィルムに関する。さらに詳しくは、金属箔上に耐熱性樹脂層を有する、フレキシブル回路基板用材料に好適に用いられる金属層付き積層フィルムに関する。 【背景技術】 【０００２】 近年、携帯電話、ディスプレイおよびデジタルカメラ等の電子機器の小型化、軽量化および薄型化が急速に進んでいる。これに伴い、耐折れ性に優れ、軽量で耐熱性を有するフレキシブル回路基板の需要が高まっている。フレキシブル回路基板の中でも、ディスプレイ用の液晶ドライバー実装用途においては、耐折れ性、軽量化、耐熱性に加えて、ディスプレイの高精細化に伴い、微細な回路パターンを形成できることが求められている。このため、フレキシブル回路基板の半導体実装方式は、従来用いられていたＴＡＢ（テープ オートメーテッド ボンディング／Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）方式から微細配線形成に適したＣＯＦ（チップ オン フィルム／Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｆｉｌｍ）方式へと移行してきている。ＣＯＦ方式の場合は、フレキシブル回路基板に形成される回路配線が細くなることに加え、フレキシブル回路基板上の配線に直接加熱した半導体を実装するため、高温の熱履歴を経ても高い接着力を保持できる、耐熱接着性の高いフレキシブル回路基板が求められている。 ・・・ 【００４９】 本発明の金属層付き積層フィルムを用いて、金属層に配線パターンを形成することによりフレキシブルプリント回路基板（ＦＰＣ）を製造することができる。配線パターンのピッチは特に限定されないが、好ましくは１０～１５０μｍ、より好ましくは１５～１００μｍ、さらに好ましくは２０～８０μｍの範囲である。」 （引４ｃ）「【実施例】 【００５３】 以下に実施例を挙げて本発明を説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。接着力、主金属層構成元素濃度の最大値、主金属層の界面結晶密度、ボンディング性、絶縁信頼性、工程内最高温度の測定方法について述べる。 ・・・ 【００６１】 以下の製造例に示してある酸二無水物、ジアミンの略記号の名称は下記の通りである。 ＢＰＤＡ：３，３’，４，４’－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物 ＯＰＤＡ：３,３’,４,４’－ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物 ＳｉＤＡ：１，１，３，３－テトラメチル－１，３－ビス（３－アミノプロピル）ジシロキサン ＤＡＥ ：４，４’－ジアミノジフェニルエーテル ＰＤＡ ：ｐ－フェニレンジアミン ＤＢＡＢ：４，４’－ジアミノベンズアニリド ＮＭＰ ：Ｎ－メチル－２－ピロリドン。 【００６２】 （実施例１） 温度計、乾燥窒素導入口、温水・冷却水による加熱・冷却装置、および、攪拌装置を付した反応釜に、ＳｉＤＡ ６２．１５ｇ（０．２５ｍｏｌ）、ＤＡＥ １１０．１１ｇ（０．５５ｍｏｌ）、ＰＤＡ ２１．６２ｇ（０．２ｍｏｌ）、をＮＭＰ ２７６５ｇと共に仕込み、溶解させた後、ＢＰＤＡ ２９４．２ｇ（１ｍｏｌ）を添加し、７０℃で６時間反応させたことにより、１５重量％ポリアミド酸樹脂溶液（ＰＡ１）を得た。 【００６３】 また、同様の反応釜にＤＡＥ ４０．０４ｇ（０．２０ｍｏｌ）、ＰＤＡ ８６．４８ｇ（０．８ｍｏｌ）をＮＭＰ ２３８４ｇと共に仕込み、溶解させた後、ＢＰＤＡ ２９４．２ｇ（１ｍｏｌ）を添加し、７０℃で６時間反応させ、１５重量％ポリアミド酸樹脂溶液（ＰＡ２）を得た。 【００６４】 ポリアミド酸樹脂溶液ＰＡ１を、あらかじめアルゴン雰囲気中で低温プラズマ処理しておいた厚さ２５μｍのポリイミドフィルム（“カプトン”（登録商標）１００ＥＮ 東レ・デュポン（株）製）に乾燥後の膜厚が１．５μｍになるようにリバースコーターで塗工し、８０℃で１０分、さらに１７０℃で１０分乾燥し、ポリイミドフィルム／耐熱性樹脂層の積層体を得た。 【００６５】 ＳＵＳ３０４の板に電解銅めっきを施し、めっき後にＳＵＳ板から剥がすことにより厚さ８μｍの銅箔（ＣＵ１）を得た。銅めっき液は、銅濃度７０ｇ／Ｌ、硫酸濃度２００ｇ／Ｌ、ａｔｏｔｅｃ社製添加剤：カパラシドＧＳ添加剤２０ｍＬ／Ｌ、カパラシドＧＳ補正剤０ｍＬ／Ｌとした。めっき時の電流密度は１Ａ／ｄｍ２で、４０分めっきを行った。この銅箔（ＣＵ１）のＳＵＳ板側をＳ面とし、電解液側をＤ面とした。このときＤ面の表面結晶密度は５００個／ｍｍであった。 【００６６】 この銅箔のＤ面を真空中にてＡｒプラズマによってクリーニングし、Ｎｉ／Ｃｒを元素比９５：５にて１５ｎｍスパッタ製膜した。製膜面をシランカップリング剤にて処理した後、ポリアミド酸樹脂溶液ＰＡ２を乾燥後の膜厚が６μｍになるようにスリットコーターで塗工し、１００℃で１分、さらに１７０℃で４分乾燥し、金属箔／耐熱性樹脂層の積層体を得た。 【００６７】 上記ポリイミドフィルム／耐熱性樹脂層の積層体の耐熱性樹脂層に、上記金属箔／耐熱性樹脂層の耐熱性樹脂層側を張り合わせ、ロールの表面温度を１８０℃に加熱したロールラミネーターで、保護フィルムとして厚さ２５μｍのポリイミドフィルム（“カプトン”（登録商標）１００Ｈ 東レ・デュポン（株）製）を両ロールとポリイミドフィルム／耐熱性樹脂層の積層体、金属箔／耐熱性樹脂層の積層体の間にそれぞれ介在させ、線圧７０Ｎ／ｍｍ、速度１ｍ／分で加熱圧着した。ここで得られた金属層付き積層フィルムを窒素中にて８０℃で１時間、さらに１５０℃で１時間、さらに昇温に２時間、さらに２２０℃で１時間、さらに昇温に２時間、さらに３５０℃で１時間、さらに４０℃までの降温に３時間かけて熱処理して金属層付き積層フィルムを得た。諸特性の評価結果を表１に示す。」 （４）特開平４－２２４８２４号公報に記載された事項 令和２年６月１１付け拒絶理由通知書の引用文献５である特開平４－２２４８２４号公報（上以下「引用文献５」という）には、以下の事項が記載されている。 （引５ａ）「【特許請求の範囲】 【請求項１】 化学量論で１００モル部の線状芳香族ジアミンと約９７～９９．５モル部の芳香族ジ酸無水物および十分な量の芳香族酸無水物を用いて、その残留アミンサイトと反応させ、そして組成物を安定化させた粘度の安定した本質的にゲルのない反応生成物を含むことを特徴とする改良ポリアミック酸組成物。 【請求項２】 芳香族ジアミンがｐ－フェニレンジアミン、４，４′ジアミノビフェニル、２，２′ジトリフルオロメチル－４，４′ジアミノビフェニル、４，４″ジアミノターフェニル、ジトリフルオロメチル－４，４″－ジアミノターフェニル、３，３′－ジメチル－４，４′－ジアミノビフェニルおよび３，３′，５，５′－テトラメチル－４，４′－ジアミノビフェニルから選ばれる請求項１記載のポリアミック酸組成物。 【請求項３】 芳香族ジ酸無水物がジ無水ピロメリト酸および３，３′，４，４′－ビフェニルテトラカルボン酸ジ無水物から選ばれる請求項１記載のポリアミック酸組成物。 【請求項４】 芳香族酸無水物が無水フタル酸または置換無水フタル酸である請求項１記載のポリアミック酸組成物。 【請求項５】 重量平均分子量が２０，０００～５０，０００の範囲内にある請求項１記載のポリアミック酸組成物。」 （引５ｂ）「【０００１】 【産業上の利用分野】本発明は化学量論オフセット（ｏｆｆｓｅｔ）法によって生成された粘度が安定した、本質的にゲルのないポリアミック酸組成物に関する。本発明はまた低い熱膨張率並びに改善された熱的、機械的および不動態化特性を有するポリアミック酸組成物から作られたポリイミドに関する。 【０００２】さらに、本発明は多層ポリイミド並びに絶縁体および不動態化層としてポリイミドを使用するメタライズされた構造物を生成する方法に関する。 【０００３】 【従来の技術および発明が解決すべき課題】ポリイミドは、有機重合体系絶縁体が普通に使用される無機材料に比べて低い誘電率を有するために、集積回路（ＩＣ）デバイスの性能特性を改善するのに大きな利益を与えるものと長く認められ、マイクロエレクトロニクスにおける不動態化および中間層誘電体として潜在的な利益を与えてきた物質であった。高密度集積回路において、迅速な信号伝達および低いクロストークレベルはいくつかの重要な考慮すべきものの中に入るもので、かくして典型的に誘電率３．５を有し、多くの優れた熱的および機械的性質を示すポリイミド絶縁体は無機誘電体以上に好ましいものである。 【０００４】しかしながら、非線状芳香族ジアミンおよび／またはジ酸無水物前駆体から誘導された従来のポリイミドは、デバイス、基体またはパッケージに使用される無機物質（非金属性物質）であるケイ素、セラミックス、酸化ケイ素および窒化ケイ素の場合の２～３ｐｐｍ度－１、および普通に使用される治金材料の場合の６～２５ｐｐｍ度－１に比べて、典型的に３０～６０ｐｐｍ度－１の比較的高い熱膨張率（ＴＣＥ）を有する。 【０００５】デバイスおよびパッケージの多層構造における有機材料と無機材料との間のこのＴＣＥの不適当な組合せ（すなわち、従来のポリイミド）は、組立てサイクルでの高温工程の間に熱応力の発達を生じさせ、それはしばしばフィルムクラッキング／層間剥離に至らしめ、最終製品の性能の信頼性に関して心配を引き起こす。標準的なポリイミドの使用における前記の制限のために、これらの材料の応用に当りとり分けマイクロエレクトロニクスにおいて応力のない多層構造物を形成する目的のために低ＴＣＥポリイミドの開発に最近大きな関心が持たれてきた。 ・・・ 【００１２】具体的には、溶媒Ｎ－メチル－２－ピロリドン（ＮＭＰ）中の３，３’４，４’－ビフェニルテトラカルボン酸ジ酸無水物（ｓＢＰＤＡ）とｐ－フェニレンジアミン（ｐＰＤＡ）の場合において、高純度の出発物質の１：１化学量論を使用する室温での縮合重合は、比較的低い固形物含量（＜１０％）でさえもゲルとしてポリアミック酸を生成することが観察された。」 （引５ｃ）「【００３９】実施例 １ ＢＰＤＡ－ＰＤＡポリアミック酸の合成 高純度ｐ－フェニレンジアミン（帯域精製した）１０．８ｇ（０．１モル）を機械式撹拌機、温度計およびアルゴンあるいはＮ２パージのための三方弁を備え付けた三ツ首フラスコ中の３００ｇＮＭＰ（最低純度９９．８％）に溶解した。溶液を静かに撹拌しながら、２８．９５ｇ（０．０９８５モル）ｓＢＰＤＡ（再結晶した）固体を反応混合物の温度が２５～３１℃の間に維持されるような割合で少しずつ添加した。添加が終了したあと撹拌を４～５時間持続しその間に温度は２５℃まで低下し透明な粘性の溶液を得た。 【００４０】過剰の試薬としてのｐ－フェニレンジアミンを使用して化学量論オフセットのために残っているアミン末端基を不活性化するために、新たに昇華した無水フタル酸０．３７ｇ（２．５ミリモル）を添加し、撹拌をさらに４～５時間持続した。こうして得た２７５０センチストークスの粘度を持つ重合体溶液を湿気から保護しながら０．２～２μｍフィルターを通して濾過し、こはく色のガラス製びん（あるいはプラスチック製びん）に移し、４～５℃以下の冷蔵庫に保管した。再結晶および再昇華したｐ－フェニレンジアミンを使用して同様の結果を得た。 ・・・ 【００４３】ポリイミドフィルムの性質 －フィルムの厚さ：２～２．５μｍの完全硬化したフィルムは３０００回転／３０秒でシリコンウェファー上にスピン塗し、４００℃まで加熱／硬化して形成した。 －機械的性質は標準応力－ひずみ引張り試験法を使用して、６～８μｍの厚さの完全硬化したフィルム（塗膜間において８５°／３０分および１３０～１４０℃／４５分で穏やかに加熱しながら２０００回転／分の回転速度で２塗り層により形成した）について測定した。」 （５）国際公開第２０１６／１３６５９７号に記載された事項 令和５年２月２１日付け拒絶理由通知書の引用文献６である国際公開第２０１６／１３６５９７号（以下「引用文献６」という。）には、以下の事項が記載されている。 （引６ａ）「請求の範囲 ［請求項１］ ポリイミド層と基板とを備えたポリイミド積層体の製造方法であって、 テトラカルボン酸二無水物とジアミンとにより合成されるポリアミド酸、および、溶媒を含むポリアミド酸溶液を、基板上に塗布し、その基板上にポリイミド層を形成させる工程を含み、 上記ポリアミド酸溶液に含まれる溶媒が、４－メチル－２－ペンタノン、シクロヘキサノン、テトラヒドロフラン、およびキシレンからなる溶媒群Ａより選ばれる少なくとも１つと、Ｎ－メチル－２－ピロリドンとを含み、 かつ、上記ポリアミド酸溶液の粘度が、１．０Ｐａ・ｓ以上２０．０Ｐａ・ｓ以下である、ポリイミド積層体の製造方法。 ・・・ ［請求項１０］ 上記ポリイミド積層体のポリイミド層の線膨張係数が、－１０ｐｐｍ／Ｋ以上２０ｐｐｍ／Ｋ以下である請求項１～９のいずれか１項に記載のポリイミド積層体の製造方法。 ［請求項１１］ 請求項１～１０のいずれか１項に記載のポリイミド積層体の製造方法で得られたポリイミド積層体におけるポリイミド層に電子素子を形成する工程と、 上記電子素子を形成された上記ポリイミド層を上記基板から剥離する工程と、 を含むフレキシブルディスプレイ基板の製造方法。 ［請求項１２］ 請求項１１に記載の製造方法で得られたフレキシブルディスプレイ基板を含むフレキシブルデバイス。」 （引６ｂ）「［0024］ ≪テトラカルボン酸二無水物成分≫ ・・・３，３’，４，４’－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（以下、ＢＰＤＡと略記することもある。）が挙げられる。」 （引６ｃ）「実施例 ［0091］ 以下、本発明を実施例に基づいて具体的に説明する。ただし、本発明は、これらの実施例によって限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で実施形態の変更が可能である。 ・・・ ［0112］ ［合成例２］ ＜ポリアミド酸溶液の製造＞ ポリテトラフルオロエチレン製シール栓付き攪拌器、攪拌翼、および、窒素導入管を備えた容積２Ｌのガラス製セパラブルフラスコにＮＭＰを８５０．０ｇ入れ、１，４－シクロヘキサンジアミン４１．４ｇを加え、溶液を窒素雰囲気下で３０分間攪拌した。 ［0113］ 原料が均一に溶解したことを確認した後、ＢＰＤＡ１０３．６ｇを加え、さらに９，９－ビス（３，４－ジカルボキシフェニル）フルオレン二無水物５．０ｇを加え、反応初期に生成する塩が溶解し始め、重合反応が開始するまで窒素雰囲気下で、溶液の温度を約８０℃に調整し、３０分間撹拌した。その後室温まで冷却し、さらに５時間撹拌し、２３℃で粘度が２２６．０Ｐａ・ｓを示す粘調なポリアミド酸溶液を得た。 ［0114］ なお、このポリアミド酸溶液におけるジアミン化合物およびテトラカルボン酸二無水物の仕込み濃度は、全反応液に対して１５重量％であり、テトラカルボン酸二無水物の総モル数を、ジアミンの総モル数で除したモル比は、１．０００である。ポリアミド酸の分子量を測定したところＭｗ＝６４０００であった。 ［0115］ ［実施例６］ 合成例２で得られたポリアミド酸溶液を、固形分濃度が９．５重量％となり、かつ溶液中の溶媒の比率がＮＭＰ/ＭＩＢＫ＝９０／１０となるように、ＮＭＰおよびＭＩＢＫを添加して希釈し、２３℃で粘度が７．０Ｐａ・ｓで、水分が１３００ｐｐｍを示すポリアミド酸溶液を得た。 ［0116］ ＜ポリイミド積層体の製造＞ 得られたポリアミド酸溶液を、両辺１５０ｍｍ、厚さ０．７ｍｍの正方形の無アルカリガラス板（コーニング社製 イーグルＸＧ）上にバーコーターで乾燥後の厚みが１０μｍになるように流延し、熱風オーブン内で１２０℃にて２０分乾燥した。その後、かかる無アルカリガラス板を、窒素雰囲気下で２０℃から３５０℃まで５℃／分で昇温し、３５０℃で１時間加熱し、ポリイミド層の厚みが１０μｍのポリイミド積層体を得た。」 第５ 当審の判断 本願は、令和５年４月２７日提出の意見書及び手続補正書によっても、また、それ以前の意見書、手続補正書での対応を勘案しても、以下に述べるとおり、令和５年２月２１日付け拒絶理由通知の理由Ａ（実施可能要件）によって拒絶すべきものである。 １ 拒絶理由Ａ（実施可能要件、特許法第３６条第４項第１号）の判断手法について 特許法第３６条第４項は、「前項第三号の発明の詳細な説明の記載は、次の各号に適合するものでなければならない。」と規定され、その第１号において、「経済産業省令で定めるところにより、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易にその実施をすることができる程度に、明確かつ十分に記載したものであること。」と規定している。 特許法第３６条第４項第１号は、発明の詳細な説明のいわゆる実施可能要件を規定したものであって、物の発明では、その物を作り、かつ、その物を使用する具体的な記載が発明の詳細な説明にあるか、そのような記載が無い場合には、明細書及び図面の記載及び出願時の技術常識に基づき、当業者が過度の試行錯誤や複雑高度な実験等を行う必要なく、その物を作り、その物を使用することができる程度にその発明が記載されていなければならないと解される。 以下、この観点から検討する。 ２ 本願発明について （１）本願発明の発明特定事項について 本願発明は、上記「第２ 本願発明について」において記載したとおりの発明特定事項を有するものである。 すなわち、「抵抗値が４Ωｃｍのシリコンウェハ上に、ポリイミドフィルムを０．７５μｍの膜厚で形成した積層体の容量－電圧測定を行ったとき、０．００５／Ｖ以上の最大勾配を示すポリイミドで形成されたフレキシブル電子デバイス基板用ポリイミドフィルム」に係る発明であり、 「抵抗値が４Ωｃｍのシリコンウェハ上に、ポリイミドフィルムを０．７５μｍの膜厚で形成した積層体の容量－電圧測定を行ったとき、０．００５／Ｖ以上の最大勾配を示す」との発明特定事項により特定されるのは、本願の出願時の特許請求の範囲の請求項１の「抵抗値が４Ωｃｍのシリコンウェハ上に、ポリイミドフィルムを０．７５μｍの厚膜で形成した積層体の容量－電圧測定を行ったとき、０．００５／Ｖ以上の最大勾配を示すことを特徴とするポリイミド」との記載及び段落【００１８】の「本発明のポリイミドは、抵抗率が４Ωｃｍのシリコンウェハ上に形成した０．７５μｍの膜厚のフィルムついて、上述のＣ－Ｖ測定により得られた「最大勾配」が、０．００５／Ｖ以上であり」との記載からみて、「フレキシブル電子デバイス基板用ポリイミドフィルム」の材料である上記「ポリイミド」が「０．００５／Ｖ以上の最大勾配を示す」ということであると解され、 その「最大勾配」（以下「最大勾配」という。）の測定条件として、「前記最大勾配は、前記シリコンウェハに対して前記ポリイミドフィルムに印加する直流電圧を最低電圧Ｖ１と最高電圧Ｖ２の間で、最低電圧Ｖ１から最高電圧Ｖ２までの正方向走査と、最高電圧Ｖ２から最低電圧Ｖ１までの負方向走査を走査速度０．２５Ｖ／ｓｅｃの条件で行いながら、２．５ｋＨｚの測定周波数で容量測定を行い、第３回目の正方向走査時の規格化容量－電圧曲線における勾配の絶対値の最大値を意味し、ここで前記最低電圧Ｖ１は、前記ポリイミドフィルムのみの容量が観察される電圧であり、前記規格化容量－電圧曲線は、最低電圧Ｖ１における容量を１として規格化されている」（以下「最大勾配の測定条件」という。）と特定したものであり、 さらに、「フレキシブル電子デバイス基板用ポリイミドフィルム」について、「仕込み比から計算されるポリイミド全体におけるアミン末端基濃度が３０μｍｏｌ／ｇ以下」であること、「条件（Ａ）～（Ｅ）」を満たすことを特定したものであるといえる。 本願発明の「ポリイミドフィルムを０．７５μｍの膜厚で形成した積層体の容量－電圧測定を行ったとき、０．００５／Ｖ以上の最大勾配を示すポリイミド」について、一般に「ポリイミド」とは高分子化合物そのものを指すと解されるが、一方で、例えば、本願明細書の（本ｂ）の段落【００１８】には「本発明のポリイミドは、・・・上述のＣ－Ｖ測定により得られた「最大勾配」が、０．００５／Ｖ以上であり、・・・界面準位密度には、ポリイミドの表面状態（例えば組成、官能基（特に表面官能基）、不純物または添加物の存在等）が影響すると考えられるが、本発明では半導体との界面においてポリイミドの表面状態が極めて好ましい状態にあるため、大きな「最大勾配」を有するものと推定できる」（下線は当審で付与した）と記載されているように、本願発明の「ポリイミド」の意義として、高分子化合物である「ポリイミド」に加えて「不純物」や「添加物」等を含む「組成物」であることを示唆する記載もある。 したがって、以下の検討において、「ポリイミド」については、高分子化合物である「ポリイミド」であると解釈するが、本願明細書の記載ぶりによっては、予備的に「不純物」や「添加物」等を含む「組成物」とも解釈することとする。 （２）本願発明の「最大勾配」について 上記「（１）本願発明について」で述べた本願発明の発明特定事項のうち、「抵抗値が４Ωｃｍのシリコンウェハ上に、ポリイミドフィルムを０．７５μｍの膜厚で形成した積層体の容量－電圧測定を行ったとき、０．００５／Ｖ以上の最大勾配を示す」の「最大勾配」について、本願明細書の記載事項を確認する。 ア 「最大勾配」の定義について まず、「Ｃ－Ｖ特性」について、本願明細書の（本ａ）の段落【０００６】には「ポリイミドのような絶縁膜の表面の準位密度を評価する手法として、容量－電圧特性（以下、Ｃ－Ｖ特性と記載する）を測定する方法が挙げられる」と記載され、「容量－電圧特性」（Ｃ－Ｖ特性）の測定は、「絶縁膜の表面の準位密度を評価する手法」の１つであると解される。 本願明細書の（本ｂ）の段落【００１１】～【００１９】には「Ｃ－Ｖ特性」について記載されており、具体的には、段落【００１１】～【００１５】及び図１～２には「Ｃ－Ｖ特性」の測定の原理、測定条件について記載され、段落【００１６】及び図２には、「Ｃ－Ｖ特性」の測定について「このような測定システムおいて、直流電圧を最低電圧Ｖ１から最高電圧Ｖ２まで正方向走査すると（但し、第３回目の正方向走査である）、図２に示すように、典型的には、最初の平坦領域を過ぎると、比較的大きく容量が減少する第１減少領域が現れ、次いで比較的平坦な領域が観察される」と記載され、段落【００１７】には、「上述の「第１減少領域」は、シリコンウェハ中の界面近傍が、多数キャリアの蓄積層から空乏層へ変化して空乏層が拡大していく過程と理解される。本発明において、第１減少領域における最大勾配（負で絶対値が最大）を、「最大勾配」と定義する」と記載されている。 すなわち、本願発明の「最大勾配」は、「Ｃ－Ｖ特性」の測定の際に観察される「比較的大きく容量が減少する第１減少領域」、すなわち、「シリコンウェハ中の界面近傍が、多数キャリアの蓄積層から空乏層へ変化して空乏層が拡大していく過程」における「最大勾配（負で絶対値が最大）」であることを、本願において独自に定義した指標であることが読み取れる。 イ 「最大勾配」の測定について 本願発明の「最大勾配」の測定について、本願発明には、「前記最大勾配は、前記シリコンウェハに対して前記ポリイミドフィルムに印加する直流電圧を最低電圧Ｖ１と最高電圧Ｖ２の間で、最低電圧Ｖ１から最高電圧Ｖ２までの正方向走査と、最高電圧Ｖ２から最低電圧Ｖ１までの負方向走査を走査速度０．２５Ｖ／ｓｅｃの条件で行いながら、２．５ｋＨｚの測定周波数で容量測定を行い、第３回目の正方向走査時の規格化容量－電圧曲線における勾配の絶対値の最大値を意味し、ここで前記最低電圧Ｖ１は、前記ポリイミドフィルムのみの容量が観察される電圧であり、前記規格化容量－電圧曲線は、最低電圧Ｖ１における容量を１として規格化されている。」と特定されている。 この点について、本願明細書の記載を確認すると、上記摘記（本ｂ）の段落【００１１】には「ポリイミドフィルム２の表面の所定面積に水銀を接触させて水銀電極３を形成する。シリコンウェハ１（接地電位）と水銀電極３の間に、直流電源４により直流電圧を印加し、その直流電圧における容量（キャパシタンス）を交流電源５により所定の周波数および振幅の交流電圧を印加して測定する」こと、「本願では、直流電圧を最低電圧Ｖ１から最高電圧Ｖ２の間で、正方向走査（直流電圧を上昇させる）と負方向走査（直流電圧を下降させる）を行い、その間に容量を測定し、第３回目の正方向走査時のＣ－Ｖ測定のデータに基づいて後述する「最大勾配」を求める」ことが記載され、段落【００１２】～【００１９】には、「最大勾配」の測定条件として、直流電圧の走査範囲、走査速度（本願発明では「０．２５ｍＶ／ｓｅｃ」）、容量測定のための交流電圧（正弦波）の周波数の範囲（同「２．５ｋＨｚ」）、その振幅、ポリイミドフィルムの膜厚（同「０．７５μｍ」）の検討について記載されている。 本願明細書には、「抵抗値が４Ωｃｍのシリコンウェハ上に、ポリイミドフィルムを０．７５μｍの膜厚で形成した積層体の容量－電圧測定を行」ったときの「最大勾配」を求め、ポリイミドが０．００５／Ｖ以上のような大きな「最大勾配」を有することによって、これをディスプレイ等の電子デバイスに使用してもその動作や耐久性に与える悪影響が小さいことが記載され（段落【００１８】）、上記「最大勾配」の測定条件は、本願発明の上記「最大勾配の測定条件」であると解される。そして、この測定条件によるポリイミドの「最大勾配」が本願出願時に周知の物性値であるとの事情は見当たらない。 したがって、本願発明における「抵抗値が４Ωｃｍのシリコンウェハ上に、ポリイミドフィルムを０．７５μｍの膜厚で形成した積層体の容量－電圧測定を行ったとき、０．００５／Ｖ以上の最大勾配を示す」との発明特定事項は、請求人が測定条件について検討した上で独自に定めたポリイミドの物性値であり、本願の出願時における汎用の物性値ではないと解される。 本願明細書の（本ｇ）の実施例においては、段落【０１２９】に記載の具体的な条件で「Ｃ－Ｖ特性」を測定するものであるが、「直流電圧走査条件」として「３サイクル」を行うことが記載されている。 そして、本願発明の「最大勾配」を求めるには、段落【０１３０】に記載のとおり、段落【０１２９】に記載の測定方法からデータを取得し、「規格化Ｃ－Ｖ曲線」を作成し、さらに、その微分関数の近似値を求め、その最大値を「最大勾配」とすると解される。 したがって、ある「ポリイミド」の本願発明の「最大勾配」の値を測定するには、段落【０１２９】に記載の具体的な条件で「Ｃ－Ｖ特性」を測定するものであるが、「直流電圧走査条件」として「３サイクル」を行ってデータを取得し、「規格化Ｃ－Ｖ曲線」を作成し、さらに、その微分関数の近似値を求め、その最大値を取得するという作業が必要になると解される。 （３）本願発明の「最大勾配」の値を有する「ポリイミド」について 本願発明の「ポリイミド」については、下記「３ 本願明細書の発明の詳細な説明の記載について」「（１）本願明細書の一般的記載について」「ア 本願発明の「ポリイミド」について」で検討するが、「ポリイミド」について、本願明細書の（本ｂ）の段落【００１９】には、「このようなＣ－Ｖ特性に着目したポリイミドの開発は報告されておらず、実際に行われてもいない。当然ながら、既存のポリイミドは上述のＣ－Ｖ特性を満足するものではない」（下線は当審で付与した。）と記載されている。 当該記載によれば、本願発明の「最大勾配」の値を有する「ポリイミド」は、「既存のポリイミド」ではなく、新規の「ポリイミド」であるから、本願発明の「ポリイミド」の製造方法・製造条件には、従来の既存の「ポリイミド」の製造方法・製造条件と異なる点もあると解され、当業者が本願発明の「フィルム」を製造できるためには、上記異なる点も含めて、本願明細書には、本願発明の「最大勾配」の値を有する「ポリイミド」の製造方法・製造条件が明確かつ十分に記載されるべきものであると解される。 （４）本願発明の条件（Ａ）～（Ｅ）について 本願発明の条件（Ａ）～（Ｅ）については、下記「６ 本願発明１についての実施可能要件に関する他の事項」「（１）本願発明の条件（Ａ）～（Ｅ）について」において、詳述する。 ３ 本願明細書の発明の詳細な説明の記載について （１）本願明細書の一般的記載について 以下、本願発明の「最大勾配」の値を有する「ポリイミド」の製造方法・条件について、まずは、本願明細書の発明の詳細な説明の一般的記載（段落【０００１】～【０１２６】。以下、単に「本願明細書の記載」ということがある。）を確認する。 ア 本願発明の「ポリイミド」の化学構造について （ア）本願発明の「ポリイミド」の化学構造について 本願発明は、「フレキシブル電子デバイス基板用ポリイミドフィルム」の原料となる「ポリイミド」について、上記条件（Ｃ）、（Ｄ）、（Ｅ）で特定される化学構造を有する「ポリイミド」ないしは「ポリアミック酸組成物から製造されるポリイミド」ではないことを条件としている他は、化学構造等について特定されていない（アミン末端基濃度については後記イで検討する。）。 以下、本願発明の「ポリイミド」、特に、その化学構造に着目して、本願明細書の記載を確認する。 本願発明の「ポリイミド」の化学構造について、本願明細書の記載を確認すると、段落【００２１】～【００２３】に「一般式ＩＩ： ［図：0001403934000035.jpg］ 」の化学構造を示すことが記載され、「一般式ＩＩ」について「（式中、Ｘ１は４価の脂肪族基または芳香族基であり、Ｙ１は２価の脂肪族基または芳香族基である。）」とされ、「テトラカルボン酸成分」を構成する「Ｘ１」について「４価の脂肪族基または芳香族基」との特定のみであり、「ジアミン成分」を構成する「Ｙ１」について「２価の脂肪族基または芳香族基」との特定のみであり、実質的に何ら特定されていないし、「Ｘ１」及び「Ｙ１」について、水酸基、カルボン酸基、アミノ基等の多様な置換基を有する態様も排除していない。 「テトラカルボン酸成分」の好ましい例について段落【００２６】～【００４９】に記載されている。段落【００２７】～【００３９】には「芳香族環」を有する「テトラカルボン酸成分」の例が記載され、段落【００４０】～【００４９】には「脂環構造」を有する「テトラカルボン酸成分」の例が記載されており、このうち、段落【００４３】～【００４４】には「脂環構造」に加えて「芳香族環」を有する例も記載され、「芳香族環」への置換基である「Ｒ５１、Ｒ５２、Ｒ５３は、それぞれ独立に炭素数１～６のアルキル基、ハロゲン基、水酸基、カルボキシル基、またはトリフルオロメチル基である」と、置換基を有する例も示されている。段落【００２６】～【００４９】の記載は、あくまで「テトラカルボン酸成分」の好ましい例とされており、本願発明において「テトラカルボン酸成分」は上記条件（Ｃ）、（Ｄ）、（Ｅ）以外は何ら特定されていないため、膨大な態様を包含しているといえる。 また、「ジアミン成分」の好ましい例についても、段落【００５０】～【００７２】に記載されている。段落【００５０】～【００６４】には「芳香族環」を有する「ジアミン成分」の例が記載され、段落【００６５】～【００７２】には「脂環構造」を有する「ジアミン成分」の例が記載されており、段落【００６７】には「脂環構造」への置換基である「Ｒ８１～Ｒ８６は、それぞれ独立に炭素数１～６のアルキル基、ハロゲン基、水酸基、カルボキシル基、またはトリフルオロメチル基であり」と、置換基を有する例も示されている。段落【００５０】～【００７２】の記載は、あくまで「ジアミン成分」の好ましい例とされており、本願発明において「ジアミン成分」は上記条件（Ｃ）、（Ｄ）、（Ｅ）以外は何ら特定されていないため、膨大な態様を包含しているといえる。 さらに、段落【００７３】～【００７４】には「カルボン酸モノ無水物を添加することが好ましい」とされ、「テトラカルボン酸成分」、「ジアミン成分」に加えて「カルボン酸モノ無水物」を用いる態様も包含することが記載されている。さらに、段落【００７４】には、「カルボン酸モノ無水物」について、具体的な化合物について多様なものが記載されている。 さらに、段落【００８０】には、「ここで、ポリイミドは共重合体であってよく、即ちポリイミドを与えるテトラカルボン酸成分およびジアミン成分のうち少なくとも一方が２種類以上の化合物を含有してもよい」と記載され、例えば、「テトラカルボン酸成分」及び「ジアミン成分」のうちどちらかを「２種以上」選択した場合は、膨大な態様をする「テトラカルボン酸成分」の組合せ、膨大な態様をする「ジアミン成分」の組合せ、そして、これらのさらなる組合せが存在することとなり、より膨大な組合せを包含することになる。 段落【００７９】～【００８５】には、「ポリイミド」、「テトラカルボン酸成分」、「ジアミン成分」等の好ましい態様が記載されているが、あくまで「好ましい」例のみである。 以上を踏まえると、本願発明の「ポリイミド」は、それぞれ多様な「テトラカルボン酸成分」、「ジアミン成分」、場合によっては「カルボン酸モノ無水物」の組合せから構成されるものであり、上記条件（Ａ）～（Ｅ）特に、条件（Ｃ）～（Ｅ）を考慮しても、膨大な態様を包含しているといえる。 ここで、「ポリイミド」、すなわち、それを構成する「テトラカルボン酸成分」、「ジアミン成分」の化学構造、及び置換基は「ポリイミド」の物性値にも影響するため、本願発明の「最大勾配」の値にも影響を及ぼすことが想定されるが、「ポリイミド」の化学構造に関する本願明細書の段落【００２０】～【００８５】、【００９１】～【００９４】には、本願発明の「最大勾配」の値とするための「ポリイミド」の化学構造の指針となるような記載はない。 （イ）令和５年４月２７日提出の意見書における請求人の主張について 本願明細書には具体的には記載されていないが、上述のとおり、「ポリイミド」、すなわち、それを構成する「テトラカルボン酸成分」、「ジアミン成分」の化学構造、及び置換基は本願発明の「最大勾配」値に影響を及ぼすことが想定される。 この点について、令和５年４月２７日提出の意見書において、請求人は、「最大勾配」が大きい場合、界面準位密度が小さいことになり、すなわち表面の電荷トラップが少ないことを示しています。電荷トラップは組成、官能基、不純物、添加剤、構造的な欠陥によって影響されるので、Ｘ１およびＹ１の骨格構造は「最大勾配」に影響を与えると考えられます」（当該意見書の「〔２〕理由Ａ」「〔２－１〕 審尋への回答」（１）（ア）を参照。下線は当審で付与した。）、「上記同様の理由により置換基は「最大勾配」に影響すると考えられます。置換基は電荷をトラップするサイトになる場合や、また置換基はポリイミドを形成するプロセスにおいて分解し電荷をトラップする欠陥にもなり得るため、主に「最大勾配」の値を小さくする影響が考えられます」（当該意見書の「〔２〕理由Ａ」「〔２－１〕 審尋への回答」（１）（イ）を参照。下線は当審で付与した。）と述べており、「ポリイミド」を構成する「テトラカルボン酸成分」、「ジアミン成分」の化学構造、及び置換基は、本願発明の「最大勾配」値に影響を及ぼすであろうことを自認している。 そして、「ポリイミド」を構成する「テトラカルボン酸成分」、「ジアミン成分」の化学構造、及び置換基について、「ポリイミドフィルム」の「Ｃ－Ｖ特性」や本願発明の「最大勾配」値に対して、具体的にどのような場合に、どの程度の影響を及ぼすかまでは、本願明細書に記載されておらず、当該意見書においても説明されることはなかった。 なお、当該意見書において、請求人は、「ポリイミド」を構成する「テトラカルボン酸成分」、「ジアミン成分」の化学構造について「構造欠陥に関して考察すれば、ポリイミドを形成するプロセスにおいて熱分解による欠陥生成を生じにくい芳香族系ポリイミドは「最大勾配」の値を大きくする影響を与えると考えられます」と主張している。 しかしながら、本願発明は、「ポリイミド」について「芳香族ポリイミド」であることは何ら特定されていないし、上述したとおり、段落【００２１】～【００２３】に記載の「一般式ＩＩ」の化学構造では、「テトラカルボン酸成分」を構成する「Ｘ１」について「４価の脂肪族基または芳香族基」との特定のみであり、「ジアミン成分」を構成する「Ｙ１」について「２価の脂肪族基または芳香族基」と特定され、「Ｘ１」及び「Ｙ１」を「脂肪族基」とすることも記載されているし、段落【００４０】～【００４９】、【００６５】～【００７２】には、好ましい例として「脂環構造」を有する「テトラカルボン酸成分」ないしは「ジアミン成分」の例を記載している。 そうすると、請求人の当該主張は、本願発明の発明特定事項の記載、及び、本願明細書の記載に基づくものではなく、採用することはできない。 また、当該意見書において、請求人は、「ポリイミド」の置換基について「アミン基やカルボン酸基、水酸基、ニトロ基等の置換基」については、そのような置換基を有するポリイミドを（少なくとも主成分とする）フィルムは耐熱性に劣ることが技術常識であるので、耐熱性が求められるフレキシブルディスプレイ等の電子デバイス用基板として使用されません」と主張している。 しかしながら、本願発明は、「ポリイミド」について「置換基」を有さないものであることは何ら特定されていないし、上述したとおり、段落【００４３】～【００４４】、【００６７】には、好ましい例として置換基としての「水酸基、カルボキシル基」も示されている。 そうすると、請求人の当該主張は、本願発明の発明特定事項の記載、及び、本願明細書の記載に基づくものではなく、採用することはできない。 イ 本願発明の「仕込み比から計算されるポリイミド全体におけるアミン末端基濃度が３０μｍｏｌ／ｇ以下」であることについて 本願発明には、「フレキシブル電子デバイス基板用ポリイミドフィルム」について、「仕込み比から計算されるポリイミド全体におけるアミン末端基濃度が３０μｍｏｌ／ｇ以下」であることを発明特定事項としている。 この「アミン末端濃度」について、本願明細書の（本ｄ）の段落【００８６】～【００８８】に記載されている。具体的には、段落【００８６】に「本発明の１態様において、「末端官能基量」が小さいことも好ましい。」とした上で、「末端アミン量」の計算式を示している。そして、段落【００８８】には、「末端アミン基量」が「３０μｍｏｌ／ｇ以下」が好ましいとされているが、「末端アミン基量」が本願発明の「最大勾配」の値にどの程度寄与するか等については、一切記載されていない。 ウ 本願発明の「最大勾配」の値を有する「ポリイミド」で形成された「ポリイミドフィルム」の製造方法、製造条件について （ア）本願明細書における「ポリイミドフィルム」の製造方法、製造条件について 本願明細書の（本ｆ）の段落【００９６】～【０１２２】には、「ポリイミドフィルムの製造方法」について記載されている。 具体的には、段落【００９７】には「ポリイミドフィルムの製造方法の例」の概略が記載されており、段落【００９８】～【０１１４】には「ポリイミドフィルム」を調整するための「ポリイミド前駆体溶液、ポリイミド溶液」について、用いる有機溶媒（段落【００９９】）、有機溶媒中のモノマーの濃度、粘度（段落【０１００】～【０１０１】）、「ポリイミド前駆体溶液」の製造例、その反応温度条件、反応操作方法等（段落【０１０３】～【０１０７】）、触媒、その他の添加剤（段落【０１０８】～【０１１４】について記載されている。また、段落【０１１５】～【０１２２】には「積層体および電子デバイスの製造」について、「ポリイミド前駆体溶液またはポリイミド溶液」の「キャリア基板」上への流延、加熱処理条件等（段落【０１１５】）、「ポリイミドフィルム」の厚さ（段落【０１１６】）、剥離強度（段落【０１１７】）、他の層との積層構造（段落【０１１８】～【０１２２】）について記載されている。 これらの「ポリイミド」製造方法、製造条件についての記載は、一般的なポリイミドフィルムの製造方法であり、特異的な製造方法、製造条件を示すものではないと解される。 （イ）本願発明の「最大勾配」の値を有する「ポリイミド」の製造方法、製造条件について 本願明細書には、「ポリイミド」の「最大勾配」の値を「０．００５／Ｖ以上」とするための直接的かつ具体的な製造方法、製造条件についての記載はない。 一方で、「最大勾配」の値や「Ｃ－Ｖ特性」に関する事項として、以下の記載はある。（下線は、当審で付与した。） （ａ）「界面準位密度には、ポリイミドの表面状態（例えば組成、官能基（特に表面官能基）、不純物または添加物の存在等）が影響すると考えられるが、本発明では半導体との界面においてポリイミドの表面状態が極めて好ましい状態にあるため、大きな「最大勾配」を有するものと推定できる。」（段落【００１８】） （ｂ）「カルボン酸モノ無水物を添加する場合、次の式（１）および（２）を満たすことがより好ましい。 式（１） ０．９７≦Ｘ／Ｙ＜１．００ 式（２） ０．５≦（Ｚ／２）／（Ｙ－Ｘ）≦１．０５ （式中、Ｘはテトラカルボン酸成分のモル数、Ｙはジアミン成分のモル数、Ｚはカルボン酸モノ無水物のモル数を表す。） ・・・ また、（Ｚ／２）／（Ｙ－Ｘ）は、カルボン酸モノ無水物と、末端封止可能なアミノ基とのモル比を表す。Ｘ／Ｙが１．００未満であり、（Ｚ／２）／（Ｙ－Ｘ）が０．５以上であることにより、ポリイミド前駆体の末端封止率を上げることができ、Ｃ－Ｖ特性を向上できる。（Ｚ／２）／（Ｙ－Ｘ）は、１に近いほど好ましい。（Ｚ／２）／（Ｙ－Ｘ）は、好ましくは０．６以上、より好ましくは０．７以上である。（Ｚ／２）／（Ｙ－Ｘ）が１．０５以下であることにより、遊離のカルボン酸モノ無水物の量を低減し、得られるポリイミドフィルムの強度およびＣ－Ｖ特性を向上できる。」（段落【００７５】～【００７８】） （ｃ）「ポリイミド繰り返し単位中の官能基の重量分率は小さい方が好ましい。ここで定義される「繰り返し単位中の官能基」は、ポリイミド繰り返し単位中の芳香環および飽和アルキル鎖以外の部分であり、－Ｏ－（エーテル結合）、－ＣＯ－（カルボニル基）、－ＣＯＯ－（エステル）、－ＳＯ２－などである。芳香環および飽和アルキル鎖の水素を置換しているＦおよびＣｌは、「繰り返し単位中の官能基」に含まれない。イミド基と「繰り返し単位中の官能基」を合わせて、ポリイミド繰り返し単位中の３８．３重量％未満であることも好ましく、より好ましくは３０重量％以下、さらに好ましくは２５重量％以下である」こと（段落【００８１】） （ｄ）「本発明の１態様において、末端アミン基量が好ましくは３０μｍｏｌ／ｇ以下である」こと。「また、本発明の異なる態様において、末端の全官能基量が好ましくは３０μｍｏｌ／ｇ以下である」こと（段落【００８８】） （ｅ）「イミド基と「繰り返し単位中の官能基」を合わせた重量分率が３０重量％以下且つ「末端官能基量」が２０μｍｏｌ／ｇ以下が好ましく、また異なる好ましい１態様においては、イミド基と「繰り返し単位中の官能基」を合わせた重量分率が４０重量％以下且つ「末端官能基量」が１０．５μｍｏｌ／ｇ以下が好ましい」こと（段落【００８９】） （ｆ）「ポリイミド中の官能基（イミド基、繰り返し単位中の官能基、末端官能基）のコントロールは、本発明のＣ－Ｖ特性を有するポリイミドを得るために考慮すべき要素である」こと（段落【００９０】） （ｇ）「ポリイミド前駆体溶液またはポリイミド溶液は、アルコキシシランなどのシランカップリング剤を含まないことが好ましい。シランカップリング剤を使用したポリイミドフィルムでは、シランカップリング剤がブリードアウトする場合がある。これにより、ポリイミドフィルムのＣ－Ｖ特性の低下、さらには接着力低下、積層体の膨れなどの問題が生じる。」こと（段落【０１１４】） 上記（ａ）～（ｇ）について検討すると、上記（ａ）は「界面準位密度には、ポリイミドの表面状態（例えば組成、官能基（特に表面官能基）、不純物または添加物の存在等）が影響すると考えられる」とされている。 そのうち、「組成、官能基（特に表面官能基）」について上記（ｆ）に「ポリイミド中の官能基（イミド基、繰り返し単位中の官能基、末端官能基）のコントロールは、本発明のＣ－Ｖ特性を有するポリイミドを得るために考慮すべき要素である」と記載され、当該（ｆ）の内容として、上記（ｂ）～（ｅ）の「カルボン酸モノ無水物を添加する場合」の「テトラカルボン酸成分のモル数」、「ジアミン成分のモル数」、「カルボン酸モノ無水物のモル数」の関係、「ポリイミド繰り返し単位中の官能基の重量分率」、「末端アミン基量」、「末端の全官能基量」、「イミド基と「繰り返し単位中の官能基」を合わせた重量分率」が示されていると解されるが、本願明細書の一般的記載には、それぞれの値をどの程度変化させれば、「Ｃ－Ｖ特定」、さらには、本願発明の「最大勾配」のどの程度変化させることができるのかについては、何ら説明されていない。 また、上記（ａ）の「組成」、「添加物存在」について、上記（ｇ）には「シランカップリング剤を含まないことが好ましい」、「ポリイミドフィルムのＣ－Ｖ特性の低下・・・などの問題が生じる」と記載され、「シランカップリング剤」の添加が「Ｃ－Ｖ特性の低下」が生じるとされているが、あくまで、「シランカップリング剤」を添加しないことが好ましいとされているのみであり、「シランカップリング剤」を添加した「ポリイミド」であっても、本願発明の「最大勾配」の値を有しさえすれば、本願発明の「ポリイミド」に相当することになる。さらに、本願明細書には、「シランカップリング剤」をどの程度添加した場合に、本願発明の「最大勾配」のどの程度変化させることができるのかについては、何ら説明されていない。 さらに、上記（ａ）の記載のうち、「不純物」の影響については本願明細書に具体的に記載されていないし、上記（ａ）は、「界面準位密度には、ポリイミドの表面状態・・・が影響すると考えられる」と推認の記載にとどまっている。仮に、「ポリイミドの表面状態」が「界面準位密度」に影響するとしても、「ポリイミドの表面状態」がどのような場合に、本願発明の「最大勾配」の値にどのように影響するかは、本願明細書には具体的に記載されていない。 また、上記（ｆ）についても、「ポリイミド中の官能基・・・のコントロールは、本発明のＣ－Ｖ特性を有するポリイミドを得るために考慮すべき要素である」と、「考慮すべき」一要素の記載にとどまっている。仮に、「ポリイミド中の官能基」の「コントロール」と「Ｃ－Ｖ特性」との間に関係があるとしても、「ポリイミド中の官能基」をどのように「コントール」すると、「Ｃ－Ｖ特性」にどのような影響があるのか、本願明細書には具体的に記載されていない。 以上を踏まえると、結局のところ、本願明細書には、本願発明の「最大勾配」の値を「０．００５／Ｖ以上」とするための具体的な製造方法、製造条件について、明確かつ十分に記載されているとはいえない。 （ウ）本願発明の「最大勾配」の値を有する「ポリイミド」で形成された「ポリイミドフィルム」の製造方法、製造条件に関する技術常識について（令和５年４月２７日提出の意見書における請求人の説明） 本願発明の「最大勾配」の値を「０．００５／Ｖ以上」とするための具体的な製造方法、製造条件については、本願明細書の段落【００１９】に「このようなＣ－Ｖ特性に着目したポリイミドの開発は報告されておらず、実際に行われてもいない。当然ながら、既存のポリイミドは上述のＣ－Ｖ特性を満足するものではない」と記載されているし、本願の原出願の出願時の技術常識であったことを確認できない。 この点について、令和５年４月２７日提出の意見書において、請求人も、「ポリイミドについての測定例は過去にないので、ポリイミドについて最大勾配の値の技術常識はありません」（当該意見書の「〔２〕理由Ａ」「〔２－１〕 審尋への回答」（１）（エ）を参照）、「Ｃ－Ｖ特性をポリイミドフィルムについて検討したのは本願が初めてであるので、本願発明者が知る限りにおいて、例えば官能基の影響の大きさ示す文献等は存在しません。過度な試行錯誤を要することなく製造できることの直接的な根拠となる文献は、残念ながらないものと本願発明者は考えています」（当該意見書の「〔２〕理由Ａ」「〔２－１〕 審尋への回答」（６）を参照）、「確かに、「影響を与える要素」のそれぞれがどの程度影響を与えるかについて、明細書中に定量的な記載がない点はご指摘のとおりです。しかしながら、最大勾配に「影響を与える要素」のそれぞれの影響の程度を定量的に具体的に（例えば数値で）示すことは、実際上不可能であり、将来の研究を待たなくては解決できない問題です」（当該意見書の「〔２〕理由Ａ」「〔２－２〕 理由Ａについて」と述べており、本願の原出願の出願時において、本願発明の「最大勾配」の値を「０．００５／Ｖ以上」とするための具体的な製造方法、製造条件に関する指針についての技術常識が存在しないことを自認していると解される。 そうすると、結局のところ、本願の出願時において、本願発明の「最大勾配」の値を「０．００５／Ｖ以上」 とするための具体的な製造方法、製造条件に関する指針についての技術常識は存在しなかったものと認められる。 （２）本願明細書の具体的記載（実施例）について 本願明細書の具体的記載（実施例）をみると、実施例１～７は本願発明の「最大勾配」の値を満たす「ポリイミド」が記載されており、実施例１～７の「ポリイミド」は本願明細書に記載のそれらの具体的な製造方法・製造条件に従えば、当業者が製造できると解される。 しかしながら、以下に検討するとおり、実施例１～７及び比較例１～３のデータ及び製造方法・製造条件をみても、ポリイミドの化学構造、物性値、製造条件等について、何に着目すれば、本願発明の「最大勾配」の値にどの程度影響するかの指針を十分に把握できないため、本願発明の「最大勾配」の値を満たす「ポリイミド」であって、実施例１～７以外のものについては、当業者が製造できるように明確かつ十分に記載しているとは認められない。 ア 本願明細書の実施例の概略 本願明細書の段落【０１２７】～【０１５０】には、実施例が記載されており、段落【０１５０】の【表１】には、実施例１～７及び比較例１～３のデータが示されている。 その概略について、以下のことが確認できる。 （ａ）実施例１～７には、「テトラカルボン酸成分」として、段落【０１３１】～【０１３５】に記載の「モノマーＡ」のみ（実施例４～７）又は「モノマーＡ」と「モノマーＢ」との１：１の組み合わせ（実施例１～３）、「ジアミン成分」として段落【０１３１】～【０１３５】に記載の「モノマーＣ」のみ（実施例６～７）、「モノマーＣ」～「モノマーＨ」のうち２つのモノマーの組み合わせ（実施例１～５）を用いた「ポリイミド」についてのデータが示されている。 また、比較例１～３には、「テトラカルボン酸成分」として、段落【０１３１】～【０１３５】に記載の「モノマーＡ」のみ、「ジアミン成分」として段落【０１３１】～【０１３５】に記載の「モノマーＣ」のみを用いた「ポリイミド」についてのデータが示されている。 （ｂ）実施例１～７には、「イミド基重量分率（ｗｔ％）」が「１４．８」～「３８．２」、「（イミド基）＋（繰り返し単位中の官能基）重量分率（ｗｔ％）」が「２１．１」～「３８．２」、「末端アミン基量（μｍｏｌ／ｇ）」が「０」～「１０．４」、「末端二水物基量（μｍｏｌ／ｇ）」が「０」～「１４．９」、「末端官能基量」が「０」～「１４．９」であり、「Ｃ－Ｖ特性 最大勾配」が「０．００５２」～「０．０１１６」の「ポリイミド」が記載されている。 一方、比較例１～３には、「イミド基重量分率（ｗｔ％）」が「３８．２」、「（イミド基）＋（繰り返し単位中の官能基）重量分率（ｗｔ％）」が「３８．２」、「末端アミン基量（μｍｏｌ／ｇ）」が「３５．４」～「１１６．６」、「末端二水物基量（μｍｏｌ／ｇ）」が「０」、「末端官能基量」が「３５．４」～「１１６．６」であり、「Ｃ－Ｖ特性 最大勾配（Ｖ－１）」が「０．００４０」～「０．００４９」の「ポリイミド」が記載されている。 上記（ａ）について、実施例１～７、比較例１～３で用いられた「テトラカルボン酸成分」は「モノマーＡ」と「モノマーＢ」のみであり、「ジアミン成分」は「モノマーＣ」～「モノマーＨ」（比較例１～３では「モノマーＣ」の例のみ）のみであって、いずれも「芳香族基」を有するもの、かつ、非常に限られた芳香族化合物を用いた例のみである。 上記「（１）本願明細書の一般的記載について」「ア 本願発明の「ポリイミド」の化学構造について」「（ア）本願発明の「ポリイミド」の化学構造について」及び「（イ）本願発明の「ポリイミド」の化学構造の本願発明の「最大勾配」値に対する影響について」において検討したとおり、本願発明の発明特定事項、及び、本願明細書の一般的記載では、「テトラカルボン酸成分」及び「ジアミン成分」については何ら特定されておらず実施例１～７以外の「芳香族基」を有する化合物のほか、「脂肪族基」を有するもの、さらには「置換基」を有するものも包含されているといえるが、実施例において具体的にデータを示しているのは、「テトラカルボン酸成分」、「ジアミン成分」、「カルボン酸モノ無水物」として、実施例１～７で用いた非常に限られた、水酸基、カルボン酸基のような置換基を含まない「芳香族基」を有するもののみである。また、段落【００４０】～【００４９】、【００６５】～【００７２】において、好ましい例として示されている「脂環構造」を有する「テトラカルボン酸成分」ないしは「ジアミン成分」を用いた例すら示されていない。 上記（ｂ）について、本願発明の発明特定事項である「Ｃ－Ｖ特性 最大勾配（Ｖ－１）」について着目すると、実施例１～７は「０．００５２」～「０．０１１６」の範囲の値であり、一方、比較例１～３は「０．００４０」～「０．００４９」の値であり、実施例１～７の最小値である「０．００５２」と、比較例１～３の最大値である「０．００４９」とは、わずか「０．０００３」の違いのみである。また、比較例１～３の「０．００４０」～「０．００４９」は、本願発明の「最大勾配」の値の下限である「０．００５／Ｖ」に非常に近接した値であるといえる。 イ 各実施例及び比較例のデータの評価 （ア）各実施例及び比較例のデータの評価について 各実施例及び比較例のデータについて確認すると、本願発明の発明特定事項である「Ｃ－Ｖ特性 最大勾配（Ｖ－１）」への影響について、以下の点について、不明確であると解される。 まず、実施例１～６の比較について、 （ｃ）実施例１～６をみても、「イミド基重量分率（ｗｔ％）」、「（イミド基）＋（繰り返し単位中の官能基）重量分率（ｗｔ％）」、「末端アミン基量（μｍｏｌ／ｇ）」、「末端二水物基量（μｍｏｌ／ｇ）」、「末端官能基量」のうち、どの値が「Ｃ－Ｖ特性 最大勾配（Ｖ－１）」に対してどの程度影響を与えているのかは把握することができない。また、特に、実施例１～６の間で「Ｃ－Ｖ特性 最大勾配（Ｖ－１）」の値が異なるのは「ジアミン成分」の「繰り返し単位中の官能基」の化学構造、種類が異なることに起因するとも解されるが、「ジアミン成分」の「繰り返し単位中の官能基」の化学構造、種類が「Ｃ－Ｖ特性 最大勾配（Ｖ－１）」の値に対してどの程度の影響を与えているかも理解できない。 （ｄ）実施例４及び実施例５は、同じ「テトラカルボン酸成分」及び「ジアミン成分」を用い、「イミド基重量分率（ｗｔ％）」、「（イミド基）＋（繰り返し単位中の官能基）重量分率（ｗｔ％）」、「末端アミン基量（μｍｏｌ／ｇ）」、「末端二水物基量（μｍｏｌ／ｇ）」、「末端官能基量」も同じであり、段落【０１３９】、【０１４７】及び【０１４０】、【０１４８】の製造方法の違いにより「Ｃ－Ｖ特性 最大勾配（Ｖ－１）」の値に影響したと推察されるが、その製造方法の違いにより何故「Ｃ－Ｖ特性 最大勾配（Ｖ－１）」の値が変化したのか、その理由は明らかでない。 比較例１～３について、「テトラカルボン酸成分」及び「ジアミン成分」が同じ実施例６～７とも対比しながらみていくと、 （ｅ）比較例１は、「３－アミノプロピルトリエトキシシラン」を添加したものであるが、実施例６と比べて「Ｃ－Ｖ特性 最大勾配（Ｖ－１）」が低下したものである理由について、「３－アミノプロピルトリエトキシシラン」を添加したことが理由なのか、あるいは、「末端アミン基量」が多すぎることが理由なのか直ちに把握することができない。（なお、実施例６と比較例１は、同じ「テトラカルボン酸成分」及び「ジアミン成分」を用いているにもかかわらず、「末端アミン基量」が異なる理由も明らかでない。） （ｆ）比較例２について、実施例６と比較すると、比較例２は「テトラカルボン酸成分」の使用量が「９８」と少ないため、実施例６と比べて「末端アミン基量」が多くなっている。また、実施例７と比較すると、実施例７では「モノマーＩ：フタル酸無水物」を用いて「末端アミン基」を封止しているが、比較例２は封止していないため「末端アミン基量」が多くなっている。比較例１との比較では、比較例２の方が倍以上の「末端アミン基量」となっているにもかかわらず、「Ｃ－Ｖ特性 最大勾配（Ｖ－１）」の値は比較例１も比較例２も「０．００４０」と同じである。 （ｇ）比較例３について、実施例６と比較すると、実施例６は「純度（％）９９．９」の「モノマーＡ」を用いているのに対し、比較例３は「純度（％）９９．０（低純度）」の「モノマーＡ２」を用いており、比較例３は、その影響で「末端アミン基量」が多くなり、「Ｃ－Ｖ特性 最大勾配（Ｖ－１）」の値が小さくなっていると解される。しかしながら、比較例３が実施例６に比べて「Ｃ－Ｖ特性 最大勾配（Ｖ－１）」の値が小さくなっている理由は、「末端アミン基量」が多くなったためか、「不純物」の存在のためか明らかではない。また、比較例３は、比較例１に比べて「末端アミン基量」が多くなっているにもかかわらず「Ｃ－Ｖ特性 最大勾配（Ｖ－１）」の値が大きくなっているが、その理由も明らかではない。 以上を踏まえると、実施例１～７及び比較例１～３のデータをみても、本願発明の「最大勾配」に「ポリイミド」の何が、どの程度の影響を与えるのか、直ちに把握することはできない。 （イ）令和５年４月２７日提出の意見書における請求人の主張について 上記「（ア）各実施例及び比較例のデータの評価について」で記載した（ｃ）～（ｇ）の事項について、令和５年２月２１日付け拒絶理由通知書において特許法第３６条第４項第１号の要件を満たさないとする理由を通知するとともに、当該拒絶理由通知書に記載した審尋事項として詳細に説明を求めたところ、令和５年４月２７日提出の意見書において、審尋事項に対する回答を得た。 以下、請求人の審尋事項に対する回答を記載するとともに、当該回答の内容について検討する。 ａ 上記（ｄ）に関連して、実施例４～５について、「テトラカルボン酸成分」及び「ジアミン成分」は同じであるにもかかわらず、「Ｃ－Ｖ特性 最大勾配」の値が異なっている理由についての説明を求めたところ、請求人は、「実施例４と５では最高熱処理温度が異なります。実施例５では最高熱処理温度が３００℃と、３６０℃の実施例４よりも低く、一部イミド化未反応によりカルボン酸が残留している可能性が考えられます。前述の通り官能基は「最大勾配」を小さくする影響があるため、実施例５の「最大勾配」が実施例４よりも小さくなっていると考えられます」と回答をした。 当該請求人の回答について検討すると、本願明細書の（本ｇ）の段落【０１４７】～【０１４８】の記載をみると、請求人の主張のとおり、実施例４は「３６０℃」、実施例５は「３００℃」と「熱処理温度」が違うことが確認でき、この「熱処理温度」の違いが「Ｃ－Ｖ特性 最大勾配」の値に影響したとも解される。 しかしながら、請求人の「実施例５では最高熱処理温度が３００℃と、３６０℃の実施例４よりも低く、一部イミド化未反応によりカルボン酸が残留している可能性が考えられます。前述の通り官能基は「最大勾配」を小さくする影響があるため、実施例５の「最大勾配」が実施例４よりも小さくなっていると考えられます」との主張は、あくまで可能性の主張にとどまり、十分に確認できたものとはいえないし、本願明細書には、「ポリイミド」の「最高熱処理温度」が「Ｃ－Ｖ特性 最大勾配」の値に影響を及ぼすことは記載されていないため、当該主張は、本願明細書の記載に基づくものとはいえない。 また、「実施例５では・・・一部イミド化未反応によりカルボン酸が残留している」との説明について、実施例４も実施例５も、（本ｇ）の段落【０１５０】の【表１】のデータをみると、「末端アミン基量」、「末端酸二無水物基量」、「末端官能基量」のいずれも同じものとなっている。本願明細書の段落【００８６】～【００８９】において、「末端アミン基量」及び「末端官能基量」は「テトラカルボン酸成分とジアミン成分の仕込み比、各成分の純度、末端封止剤の添加量、反応性添加剤の添加量に基づいて計算される」とあり、段落【０１５０】の【表１】のデータは、あくまで「テトラカルボン酸成分」と「ジアミン成分」等の添加量に基づく計算値であると解され、実際は、反応温度等の条件によっても、「Ｃ－Ｖ特性 最大勾配」への影響があることを示していると解される。 この点について、請求人の主張によれば、「最高熱処理温度」の高い実施例４の方が実施例５に比べて「Ｃ－Ｖ特性 最大勾配」の値が高くなることになるが、段落【０１５０】の【表１】のデータを確認すると、実施例４では「０．００５４」、実施例５では「０．０１０４」と、実施例５の方が「Ｃ－Ｖ特性 最大勾配」の値が高くなっており、上記請求人の主張と実施例の測定値とは一致していない。 仮に、請求人の主張どおり、「ポリイミド」の「最高熱処理温度」の違いにより「一部イミド化未反応によりカルボン酸」の「残留」の程度が異なることが技術常識であったとしても、「最高熱処理温度」がどの程度の場合に「カルボン酸」の「残留」の程度がどの程度のものとなるかは明らかでない。本願明細書の（本ｆ）の段落【０１１５】には「ポリイミド前駆体溶液を用いた場合の加熱処理条件」における「最高加熱温度」について、「例えば１５０℃～６００℃であり、好ましくは２００℃～５５０℃、より好ましくは２５０℃～５００℃で処理することが好ましい」と記載されており、例えば、実施例５の「最高加熱処理温度」よりも低い「１５０℃」、さらに好ましいとされる「２００℃」、「２５０℃」の場合であっても、実施例４及び実施例５と同様に、本願発明の「最高勾配」の値が「０．００５／Ｖ以上」となるかどうかも予測することができない。 そうすると、結局のところ、本願明細書の実施例４～５と同じ「テトラカルボン酸成分」、「ジアミン成分」を用いた「ポリイミド」であり、かつ、本願明細書の段落【０１１５】に記載した範囲内の「最高加熱処理温度」で処理したものであっても、本願発明の「最大勾配」の値を満たすかどうか、１つ１つ確認する必要があると解される。 ｂ 上記（ｃ）に関連して、実施例１～６について、実施例１～３の「Ｃ－Ｖ特性 最大勾配」の値が異なっている理由、実施例６の方が実施例７よりも「Ｃ－Ｖ特性 最大勾配（Ｖ－１）」の値の値が大きくなっている理由等についての説明を求めたところ、請求人は、「実施例１～３について考察すると、末端アミン基量は実施例１に対して実施例２，３は少なく「最大勾配」は大きくなる方向へ影響を示すはずですが、実際は小さくなっています。従って、不純物またはジアミン成分により「最大勾配」が小さくなる影響を受けたと考えられます」、「実施例７では実際は反応可能なアミン末端全てに無水フタル酸が反応していない（実際の末端アミン基は実施例６よりも多い）と思われますので、実施例６よりも「最大勾配」は小さくなったと考えられます」と回答した。 当該請求人の回答について検討すると、請求人の上記の回答は、「・・・考えられます」とのあくまで可能性の主張にとどまり、実験等により十分に確認されたものとはいえないし、また、技術的根拠を基に説明されたものではない。 仮に、「不純物」及び「ジアミン成分」の種類が本願発明の「最大勾配」の値に影響するとしても、「ジアミン成分」の化学構造の違いにより本願発明の「最大勾配」の値にどの程度影響を与えるのか、「不純物」についてどの程度の量の場合に本願発明の「最大勾配」の値にどの程度影響を与えるのか、「ジアミン成分」の種類によって「不純物」の種類も異なることが想定されるところ「不純物」の種類によって本願発明の「最大勾配」の値への影響は異なるのか、さらに、「不純物」と「ジアミン成分」はどちらが本願発明の「最大勾配」に影響を与えるのかは明らかではない。 また、上記回答によれば、本願明細書の（本ｄ）の段落【００７３】～【００７８】に記載された「カルボン酸モノ無水物」である「無水フタル酸」について、「実施例７では実際は反応可能なアミン末端全てに無水フタル酸が反応していない（実際の末端アミン基は実施例６よりも多い）」と回答されており、段落【００７６】～【００７８】に記載された「式（１）」及び「式（２）」を満たす「カルボン酸モノ無水物」を添加したとしても、理論どおりには、末端アミン基を封止できないことを示唆しているといえる。 そうすると、結局のところ、本願明細書の実施例１～３、６～７のデータから当業者といえども本願発明の「最大勾配」の値を有する具体的な指針は理解できず、本願明細書の実施例１～３、６～７と類似の「テトラカルボン酸成分」、「ジアミン成分」、「カルボン酸モノ無水物」を用いたとしても、「ジアミン成分」の種類、「不純物」の量や種類、「カルボン酸モノ無水物」の「末端アミン基」の封止の程度、そして、これらのそれぞれの事項の本願発明の「最大勾配」の値への影響がどの程度のものとなるかについては十分に予測できるとはいえず、実施例１～３、６～７と類似の「テトラカルボン酸成分」、「ジアミン成分」、「カルボン酸モノ無水物」を用いて調整した「ポリイミド」について、本願発明の「最大勾配」の値を満たすかどうか、１つ１つ確認する必要があると解される。 ｃ 上記（ｅ）に関連して、比較例１について、実施例６と比べて「Ｃ－Ｖ特性 最大勾配（Ｖ－１）」が低下する理由についての説明を求めたところ、請求人は、「比較例１の組成に関する［０１４３］に誤記がありましたので、「（モノマーＡ １００／／モノマーＣ １００／／添加剤）」を「（モノマーＡ ９９．５／／モノマーＣ １００／／添加剤）」と補正しました」とし、「実施例６は仕込み量が「テトラカルボン酸成分」／［ジアミン成分］＝１００／１００に対して、比較例１は９９．５／１００であり比較例１の方が末端アミン基量が多くなります。さらに３－アミノプロピルトリエトキシシランはアミン基を持ちます。このアミン基によって末端アミン基量が増えており、結果として「最大勾配」が低下しています」と回答した。 当該請求人の回答について検討する。 実施例６と比較例１との異なる点を確認すると、 両者は、「ジアミン成分」量に対する「ジカルボン酸成分」の量について実施例６は両者が同モル量であるのに対し、比較例１は、「ジアミン酸成分」の量が多くなっているのに対し、 シランカップリング剤の添加について、比較例１は添加されているのに対し、実施例６は添加されていない点で異なり、回答書では、さらに、シランカップリング剤である「３－アミノプロピルトリエトキシシラン」の「アミン基」についても言及している。 そうすると、実施例６と比較例１との「Ｃ－Ｖ特性 最大勾配（Ｖ－１）」の差は、「ジアミン成分」量が多いことによるのか、（本ｆ）の段落【０１１４】において「使用しないことが好ましい」とされる「シランカップリング剤」を添加したことによるのか、「シランカップリング剤」が「アミノ基」を有することによるのか、さらに、これらの事項のそれぞれが本願発明の「最大勾配」の値にどの程度影響するのかは明らかでない。さらに、付言すると、本願発明の「フレキシブル電子デバイス基板用ポリイミドフィルム」は「シランカップリング剤」を含む態様を包含するものであり、「シランカップリング剤」を添加する場合に、どの程度の量であれば、本願発明の「最大勾配」の値を満たすようにできるのか、仮に、「シランカップリング剤」が「アミン基」を有さないものの場合はどの程度の量を添加できるのか等も明らかではなく、本願明細書の実施例６、比較例１と同じ「テトラカルボン酸成分」、「ジアミン成分」を用いた「ポリイミド」であって「シランカップリング剤」を添加した場合には、「シランカップリング剤」の種類や量を代えて、本願発明の「最大勾配」の値を満たすかどうか、１つ１つ確認する必要があると解される。 ｄ 上記（ｇ）に関連して、比較例３について、比較例１～２のデータを比べて、「Ｃ－Ｖ特性 最大勾配（Ｖ－１）」は「０．００４９」であり、比較例１～２の「０．００４０」の値に比べて、大きなものとなっている理由についての説明を求めたところ、請求人は、「比較例１では３－アミノプロピルトリエトキシシランを添加しており、その「最大勾配」を低下させる影響が比較例３の純度による末端アミン基量増加や不純物による「最大勾配」低下よりも大きいと言えます」、「比較例２は「テトラカルボン酸成分」の純度は高いですが、添加量が９８ｍｏｌ％と「ジアミン成分」１００ｍｏｌ％に対して少なく、末端アミン基量が比較例３よりも多くなっています。このため「最大勾配」が比較例２で低くなっていると考えられます」と回答している。 当該請求人の回答について検討する。 まず、比較例３と比較例２との対比については「・・・考えられます」とのあくまで可能性の主張にとどまり、十分に確認されたものとはいえない。さらに、比較例３と比較例２の違いは、「末端アミン基量」の他、「不純物」の量も異なると解されるところ、比較例３と比較例２の「Ｃ－Ｖ特性 最大勾配（Ｖ－１）」の差は、「末端アミン基量」に基づくものか、「不純物」の種類及び量に基づくものであるのかは明らかでない。 次に、比較例３と比較例１との対比について、比較例１は「（モノマーＡ ９９．５／／モノマーＣ １００／／添加剤）」であるから、比較例３と比較例１とは、「テトラカルボン酸成分」の「純度による末端アミン基量」、「不純物」に加えて、比較例１の「テトラカルボン酸成分」自体の量が少ないことによる「末端アミン基」の違い、比較例１には「アミン基」含有の「シランカップリング剤」を添加したことの違いもあり、これらの事項のそれぞれが本願発明の「最大勾配」の値にどの程度影響するのかは明らかでない。 ｅ 以上に検討したとおり、令和５年４月２７日提出の意見書において、請求人は、実施例１～７と比較例１～３の間の「Ｃ－Ｖ特性 最大勾配」の値の差について、「ポリイミド」の「末端アミン基量」、「不純物」及び「ジアミン成分」の種類、「カルボン酸モノ無水物」による「末端アミン基」の封止の程度、「ポリイミド」の「最高熱処理温度」による「カルボン酸」の「残留」の程度、「シランカップリング剤」の使用の有無、「シランカップリング剤」の「アミン基」の有無等が影響していると考えられると述べるものの、これらの事項のそれぞれが、本願発明の「最大勾配」の値にどのように、どの程度影響するのかは、依然として明らかにされていない。 そうすると、実施例１～７の場合に、本願発明の「最大勾配」の値を満たす「ポリイミドで形成されたフレキシブル電子デバイス基板用ポリイミドフィルム」を製造できることは理解できるものの、例えば、比較例１と同じ「シランカップリング剤」の量を少量とした場合、「シランカップリング剤」の種類を変更した場合や、「テトラカルボン酸成分」及び「ジアミン成分」のいずれかについてその添加量について若干少なくした場合や、あるいは、純度が若干低いものを用いた場合や、さらには、実施例１～７と同じ「テトラカルボン酸成分」、「ジアミン成分」、「カルボン酸モノ無水物」を同じ量で用いた場合であっても、「最高熱処理温度」等の製造条件を本願明細書に記載の範囲内で変更した場合に、本願発明の「最大勾配」の値を満たすポリイミドフィルムを得ることができるのか否かは依然として明らかではない。 ４ 実施可能要件に関する当審の判断 以上の検討を踏まえて、本願明細書は、本願発明について、当業者が実施できるように明確かつ十分に記載されているといえるかについて、検討する。 上記「２ 本願発明について」「（２）本願発明の「最大勾配」について」「イ 「最大勾配」の測定について」及び「（３）本願発明の「最大勾配」の値を有する「ポリイミド」について」で検討したとおり、本願発明の「抵抗値が４Ωｃｍのシリコンウェハ上に、ポリイミドフィルムを０．７５μｍの膜厚で形成した積層体の容量－電圧測定を行ったとき、０．００５／Ｖ以上の最大勾配を示す」の「最大勾配」は、請求人が独自に定めた物性値であり、本願の出願時における汎用の物性値ではない。 また、本願明細書の（本ｂ）の段落【００１９】によれば、本願発明の「最大勾配」の値を有する「ポリイミド」は「既存のポリイミド」ではなく、新規の「ポリイミド」であるから、従来の既存の「ポリイミド」の製造方法・製造条件と異なる点も含めて、本願明細書においては、本願発明の「最大勾配」の値を有する「ポリイミド」の製造方法・製造条件について、当業者が過度の試行錯誤や複雑高度な実験等を行う必要なく、明確かつ十分に記載されるべきものであると解される。 上記「３ 本願明細書の発明の詳細な説明の記載について」「（１）本願明細書の一般的記載について」「ア 本願発明の「ポリイミド」の化学構造について」「（ア）本願発明の「ポリイミド」の化学構造について」で検討したとおり、本願発明の「ポリイミド」の化学構造について、それぞれ多様な「テトラカルボン酸成分」、「ジアミン成分」、場合によっては「カルボン酸モノ無水物」の組合せから構成されるものであって、膨大な態様を包含するものであり、本願発明の発明特定事項の記載及び本願明細書の記載からみて、「芳香環」を有するもの、「置換基」を有しないものに限定されることなく、膨大な態様を包含するものであるといえる。 そして、本願発明の「ポリイミド」の化学構造の本願発明の「最大勾配」値に対する影響については、「３ 本願明細書の発明の詳細な説明の記載について」「（１）本願明細書の一般的記載について」「ア 本願発明の「ポリイミド」の化学構造について」「（イ）本願発明の「ポリイミド」の化学構造の本願発明の「最大勾配」値に対する影響について（令和５年４月２７日提出の意見書における請求人の説明）」で述べたとおり、「ポリイミド」を構成する「テトラカルボン酸成分」、「ジアミン成分」の化学構造、及び置換基は、本願発明の「最大勾配」値に影響を及ぼすことが想定され、この点については請求人も自認している。 本願発明の「最大勾配」の値を有する「ポリイミド」で形成された「ポリイミドフィルム」の製造方法、製造条件については、上記「３ 本願明細書の発明の詳細な説明の記載について」「（１）本願明細書の一般的記載について」「ウ 本願発明の「最大勾配」の値を有する「ポリイミド」で形成された「ポリイミドフィルム」の製造方法、製造条件について」「（イ）本願発明の「最大勾配」の値を有する「ポリイミド」の製造方法、製造条件について」で検討したとおり、本願明細書の一般的記載において、「ポリイミド」の「最大勾配」の値を「０．００５／Ｖ以上」とするための直接的かつ具体的な製造方法、製造条件についての記載はない。 本願明細書の一般的記載には、「最大勾配」の値や「Ｃ－Ｖ特性」に関する事項として、「ポリイミドの表面状態（例えば組成、官能基（特に表面官能基）、不純物または添加物の存在等）が影響すると考えられる」（段落【００１８】）、「ポリイミド中の官能基（イミド基、繰り返し単位中の官能基、末端官能基）のコントロールは、本発明のＣ－Ｖ特性を有するポリイミドを得るために考慮すべき要素である」（段落【００９０】）、「アルコキシシランなどのシランカップリング剤を含まないことが好ましい」（段落【０１１４】）等の記載はあるものの、「考慮すべき」一要素の記載にとどまっており、結局のところ、本願明細書の一般的記載には、本願発明の「最大勾配」の値を「０．００５／Ｖ以上」とするための具体的な製造方法、製造条件について、明確かつ十分に記載されているとはいえない。 さらに、上記「３ 本願明細書の発明の詳細な説明の記載について」「（１）本願明細書の一般的記載について」「ウ 本願発明の「最大勾配」の値を有する「ポリイミド」で形成された「ポリイミドフィルム」の製造方法、製造条件について」「（ウ）本願発明の「最大勾配」の値を有する「ポリイミド」で形成された「ポリイミドフィルム」の製造方法、製造条件に関する技術常識について（令和５年４月２７日提出の意見書における請求人の説明）」で述べたとおり、本願の原出願の出願時において、本願発明の「最大勾配」の値を「０．００５／Ｖ以上」とするための具体的な製造方法、製造条件に関する技術常識の存在は確認できず、請求人も当該技術常識が存在しないことを自認していると解される。 次に、本願明細書の具体的記載（実施例）を確認すると、上述したとおり、本願発明の「ポリイミド」は「芳香環」を有するもの、「置換基」を有しないものに限定されることなく、「芳香環」を有しない「脂肪族基」や「脂環構造」を有し、さらに「置換基」を有するものも包含しているところ、上記「３ 本願明細書の発明の詳細な説明の記載について」「（２）本願明細書の具体的記載（実施例）について」「ア 本願明細書の実施例の概略」で述べたとおり、実施例１～７及び比較例１～３で用いられた「テトラカルボン酸成分」、「ジアミン成分」及び「カルボン酸モノ無水物」とも置換基を有しない「芳香環」を有する特定の化合物を用いた「ポリイミド」例のみである。さらに、「Ｃ－Ｖ特性 最大勾配（Ｖ－１）」のデータを確認すると、実施例１～７は「０．００５２」～「０．０１１６」の範囲の値であり、一方、比較例１～３は「０．００４０」～「０．００４９」の値であり、実施例１～７の最小値である「０．００５２」と、比較例１～３の最大値である「０．００４９」とは、わずか「０．０００３」の違いのみである。また、比較例１～３の「０．００４０」～「０．００４９」は、本願発明の「最大勾配」の値の下限である「０．００５／Ｖ」に非常に近接した値であるといえる。 実施例１～７及び比較例１～３のデータを比較・評価しても、上記「３ 本願明細書の発明の詳細な説明の記載について」「（２）本願明細書の具体的記載（実施例）について」「イ 各実施例及び比較例のデータの評価」で検討したとおり、令和５年４月２７日提出の意見書における請求人の主張及び説明を参酌しても、実施例１～７及び比較例１～３において用いられた「テトラカルボン酸成分」、「ジアミン成分」、「カルボン酸モノ無水物」、「シランカップリング剤」及び製造条件等の何が、本願発明の「最大勾配」値にどの程度影響したのかを把握することができない。 以上を踏まえると、実施例１～７と同じ「テトラカルボン酸成分」、「ジアミン成分」、「カルボン酸モノ無水物」を同じ量で用いた場合は本願発明の「最大勾配」の値を満たす「ポリイミドで形成されたフレキシブル電子デバイス基板用ポリイミドフィルム」を製造できることは理解できるものの、実施例１～７以外の「ポリイミド」については、結局のところ、本願発明の「抵抗値が４Ωｃｍのシリコンウェハ上に、ポリイミドフィルムを０．７５μｍの膜厚で形成した積層体の容量－電圧測定を行ったとき」の最大勾配の値が０．００５／Ｖ以上を示すか否かは、「テトラカルボン酸成分」、「ジアミン成分」、「モノカルボン酸無水物」等の各種「ポリイミド」の原料や「シランカップリング剤」等の添加剤について本願明細書に記載された膨大な選択肢の中から一つひとつ選択してポリイミドを製造し、ポリイミドフィルムを形成して、実際に測定してみる他には知ることができないと解される。 そうすると、「抵抗値が４Ωｃｍのシリコンウェハ上に、ポリイミドフィルムを０．７５μｍの膜厚で形成した積層体の容量－電圧測定を行ったとき、０．００５／Ｖ以上の最大勾配を示すポリイミド」を選択するためには、本願明細書の実施例１～７以外の「ポリイミド」以外の、膨大な態様を包含する「ポリイミド」１つ１つについて、段落【０１２９】～【０１３０】に記載の「Ｃ－Ｖ特性の測定方法」及び「勾配の求め方」に従って、ひたすら「最大勾配」の値を測定し、「０．００５／Ｖ以上の最大勾配を示す」か否かを確認していく必要があり、これは、当業者に過度な試行錯誤を課すことになるといえる。 したがって、本願明細書の発明の詳細な説明の記載は、本願発明について、当業者が実施できるように、明確かつ十分なものとはいえない。 特に、上述のとおり、本願発明は、「ポリイミド」について「芳香環」を有するもの、「置換基」を有しないものに限定されるものに何ら限定されるものではないところ、本願明細書の発明の詳細な説明には、「芳香環」を有しない「脂肪族基」や「脂環構造」を有する「ポリイミド」や「置換基」を有する「ポリイミド」についてのデータは一切示されていないから、少なくとも、本願明細書の発明の詳細な説明の記載は、本願発明において何ら特定されないあらゆる「ポリイミド」について、「抵抗値が４Ωｃｍのシリコンウェハ上に、ポリイミドフィルムを０．７５μｍの膜厚で形成した積層体の容量－電圧測定を行ったとき、０．００５／Ｖ以上の最大勾配を示すポリイミド」を得るための製造方法・製造条件が明確かつ十分に記載しているとはいえない。 ５ 令和５年４月２７日提出の意見書における請求人の主張について 令和５年４月２７日提出の意見書における請求人の主張については、上記「３ 本願明細書の発明の詳細な説明の記載について」「（１）本願明細書の一般的記載について」「ア 本願発明の「ポリイミド」の化学構造について」「（イ）本願発明の「ポリイミド」の化学構造の本願発明の「最大勾配」値に対する影響について（令和５年４月２７日提出の意見書における請求人の説明）」及び「「ウ 本願発明の「最大勾配」の値を有する「ポリイミド」で形成された「ポリイミドフィルム」の製造方法、製造条件について」「（ウ）本願発明の「最大勾配」の値を有する「ポリイミド」で形成された「ポリイミドフィルム」の製造方法、製造条件に関する技術常識について（令和５年４月２７日提出の意見書における請求人の説明）」、「（２）本願明細書の具体的記載（実施例）について」「イ 各実施例及び比較例のデータの評価」「（イ）令和５年４月２７日提出の意見書における請求人の主張及び説明」において検討を行ったが、上記で検討を行わなかった事項について、以下に検討する。 （ａ）令和５年２月２１日付け拒絶理由通知書において、審尋事項として「「ポリイミド」の化学構造と、「抵抗値が４Ωｃｍのシリコンウェハ上に、ポリイミドフィルムを０．７５μｍの膜厚で形成した積層体の容量－電圧測定を行ったとき」の「最大勾配」の値について、技術常識があれば、それを示す文献を添付して、意見書において説明して下さい」と審尋したところ、請求人は、（ａ－１）「ＣＶ法の説明（書籍）６頁」を添付した上で、「最大勾配の技術常識の一つである一般的な算出法としてはｐ２４０の図６．１２， 式（６．４６）， （６．４７）あたりをご参照ください。図６．１２に、理想Ｃ－Ｖ曲線に比べて実際のＣ－Ｖ曲線の方が勾配（絶対値）が小さく、理想曲線とのずれから界面電荷密度Ｑｓｓが得られることが記載されています（２３９頁最終文）」、（ａ－２）「一般的なポリイミドの最大勾配の値は、本願で比較例として開示している値と考えています」（（当該意見書の「〔２〕理由Ａ」「〔２－１〕 審尋への回答」（１）エを参照）と回答した。 当該請求人の説明について検討する。 まず、前者の回答（ａ－１）について、添付された文献である「河東田隆編、「集積回路プロセスシリーズ 半導体評価技術」、産業図書株式会社発行、１９９４年５月３０日（第４版）、２２２～２４１頁」の記載をみると、「最大勾配の技術常識の一つである一般的な算出法」等の一般的な説明はあるものの、「ポリイミド」の化学構造や「ポリイミド」に含まれる不純物や添加される添加剤と、「抵抗値が４Ωｃｍのシリコンウェハ上に、ポリイミドフィルムを０．７５μｍの膜厚で形成した積層体の容量－電圧測定を行ったとき」の「最大勾配」の値との関係を具体的に説明している記載は存在しない。 したがって、当該文献を参照しても、本願発明の「最大勾配」の値を有する「ポリイミド」を得るための具体的な製造方法・製造条件を理解することはできない。 次に、後者（ａ－２）の「一般的なポリイミドの最大勾配の値は、本願で比較例として開示している値と考えています」との回答について、本願明細書の（本ｇ）の比較例１～３を確認すると、比較例１は、「テトラカルボン酸成分」と「ジアミン成分」を「９９．５：１００」と「１：１」で用いたものでなく、さらに、「シランカップリング剤」を配合したものであり、比較例２は、「テトラカルボン酸成分」と「ジアミン成分」とを「９８：１００」と「１：１」で用いたものでなく、さらに、比較例３は、「テトラカルボン酸成分」について「モノマーＡ２：３，３’，４，４’－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（式量２９４．２２）、純度（％）９９．０（低純度）」と低純度のものを用いた例である。 一方、「２ 本願発明について」「（４）本願発明の条件（Ａ）～（Ｅ）について」で検討したとおり、引用文献２～４、６の「ポリイミド」は、いずれも「テトラカルボン酸成分」と「ジアミン成分」を１：１で用いて製造され、引用文献５の「ポリイミド」は「テトラカルボン酸成分」と「ジアミン成分」に加えて、「残留アミンサイト」（アミン末端基）を「芳香族酸無水物」で封止したものであり、いずれも「シランカップリング剤」は添加されていないものである。また、「フレキシブル電子デバイス基板用」に用いる材料については純度が高いものを用いることが一般的であると解される。 そうすると、本願明細書の比較例は、その製造条件からみて、本願の原出願の出願時における「一般的なポリイミド」とはいえず、「比較例として開示している値」は「一般的なポリイミドの最大勾配の値」であるとは解されない。 なお、請求人は、手続補正書による補正によって引用文献２～６の「ポリイミド」ないし「ポリイミドフィルム」の態様について、単に所謂「除くクレーム」としたのみであり、本願発明の条件（Ａ）～（Ｅ）と、本願発明の「最大勾配」の値との関係を何ら明らかにすることはなかった。 （ｂ）請求人は、当該意見書の「〔２－２〕 理由Ａについて」において、「本願明細書には、「影響を与える要素」を説明しており、また、実施例、比較例からその「影響を与える要素」の影響の程度を定性的には把握可能です。そのため、本願発明の実施においては、「ノーアイデア」で膨大な種類のポリイミドやその製造条件とトライする必要はありません。本願明細書を参照すれば、ポリイミドの構造や製造条件についての絞り込みが可能であり、絞り込まれた候補組成、候補製造条件について、「Ｃ－Ｖ特性の測定方法」に従って測定し、最大勾配を求めれば済むので、限られた範囲ついて測定、解析を行うだけです。従って、本願発明の実施において、当業者に過度な試行錯誤を求めるものではなく、本願は実施可能要件を十分に満たしているものと思料します。」と主張している。 しかしながら、上記「４ 検討・判断」でも述べたとおり、本願発明は、本願発明の発明特定事項の記載及び本願明細書の記載からみて、「ポリイミドの構造」について「芳香環」を有するもの、「置換基」を有しないものに限定されるものに何ら限定されるものではないため、「ポリイミドの構造」に関して絞り込みを行うことはできない。さらに、「製造条件」についても、本願発明の「最大勾配」の値に対して、「ポリイミド」の何がどの程度影響を与えるのか明らかではないため、十分な絞り込みを行うことはできないと解される。 したがって、請求人の当該主張を採用することはできない。 ６ 本願発明についての実施可能要件に関する他の事項 （１）本願発明の条件（Ａ）～（Ｅ）について 本願発明の条件（Ａ）～（Ｅ）は、令和１年１２月２５日付け拒絶理由通知書の新規性、進歩性の拒絶理由に対応する令和２年３月５日提出の手続補正（条件（Ａ）、（Ｂ））、同年６月１１日付け拒絶理由通知書の新規性、進歩性の拒絶理由に対応する同年８月１７日提出の手続補正（条件（Ｃ）、（Ｄ））、及び、令和５年２月２１日付け拒絶理由通知書の新規性、進歩性の拒絶理由に対応する同年４月２７日提出の手続補正（条件（Ａ）の補正、条件（Ｅ））によるものであり、条件（Ａ）～（Ｅ）それぞれの具体的な内容について念のため確認する。 本願発明の条件（Ａ）～（Ｅ）は、いずれも、下記で確認するように、引用文献２～６の具体的な実施例ないしは比較例として記載された「ポリイミド」であって、その原料となるテトラカルボン酸成分及びジアミン成分が本願明細書の実施例と同じか、あるいは本願明細書の一般的記載において好ましいされるテトラカルボン酸成分及びジアミン成分を用いて製造された「ポリイミド」として記載されたものである。そして、これらの「ポリイミド」は本願発明の「最大勾配」の値の特定を満たす蓋然性が高いとして、新規性及び進歩性の拒絶理由が通知されたところ、本願発明の「最大勾配」の値との関係について何ら説明されることなく、単に「除くクレーム」として、それぞれの態様が除外されたものである。 そして、本願発明の条件（Ａ）～（Ｅ）によっても、本願発明の「最大勾配」値を満たす「ポリイミド」を当業者が製造することができる程度に、その化学構造や製造方法・製造条件等の指針を示すものではないので、本願発明の条件（Ａ）～（Ｅ）を特定したことによって、本願発明についての実施可能要件を満たすことにはならない。 ア 条件（Ａ）について 本願発明の条件（Ａ）は、 「前記フレキシブル電子デバイス基板用ポリイミドフィルムは、（ｉ）（α）５％熱分解温度が３５０℃以上のポリイミド、（β）下記一般式（１）で表される化学構造及び／又は下記一般式（２）で表される化学構造を有する化合物、および（γ）下記一般式（３）で表される化学構造、水酸基、カルボキシル基及びスルホ基からなる群のうち１種以上を有する化合物を含有するフィルム、並びに（ｉｉ）（α）５％熱分解温度が３５０℃以上のポリイミド、および（δ）アミド基、アミノ基、カルバメート基、カルボキシル基、アリール基、酸無水物基及び重合性環状エーテル基からなる群から選ばれる少なくとも１種の官能基を有する下記一般式（４）で表される化学構造を有する化合物を含有するフィルム、のいずれとも異なる。 【化１】 ［図：0001403934000036.jpg］ 」とするものである。 これは、上記「第４ 本願明細書及び各拒絶理由で引用された引用文献に記載された事項等」「２ 各拒絶理由で引用された引用文献に記載された事項」「（１）特表２０１６－２２５６３８号公報に記載された事項」において摘記された引用文献２の（引２ａ）の請求項１の 「（α）５％熱分解温度が３５０℃以上のポリイミド、（β）下記一般式（１）で表される化学構造及び／又は下記一般式（２）で表される化学構造を有する化合物、（γ）下記一般式（３）で表される化学構造、水酸基、カルボキシル基及びスルホ基からなる群のうち１種以上を有する化合物、（δ）アミド基、アミノ基、カルバメート基、カルボキシル基、アリール基、酸無水物基及び重合性環状エーテル基からなる群から選ばれる少なくとも１種の官能基を有する下記一般式（４）で表される化学構造を有する化合物を含有することを特徴とするフレキシブルデバイス用基板。 【化１】 ［図：0001403934000037.jpg］ 【化２】 ［図：0001403934000038.jpg］ 【化３】 ［図：0001403934000039.jpg］ 【化４】 ［図：0001403934000040.jpg］ 」 の「ポリイミド」の態様とは異なるとするとともに、（引２ｂ）の段落【０２５２】～【０２５５】の、「（δ）アミド基、アミノ基、カルバメート基、カルボキシル基、アリール基、酸無水物基及び重合性環状エーテル基からなる群から選ばれる少なくとも１種の官能基を有する下記一般式（４）で表される化学構造を有する化合物」に相当する化合物を含まない比較例５及び比較例６の「塗膜」（段落【０２５３】、【０２５５】の「１４０℃×１ｈｒ＋２５０℃×１ｈｒ＋３５０℃×１ｈｒの条件でキュア」により「ポリイミド膜」となる。）、及び、段落【０２５６】～【０２５７】の「（β）下記一般式（１）で表される化学構造及び／又は下記一般式（２）で表される化学構造を有する化合物」に相当する化合物を含まない比較例７の「塗膜」（段落【０２５３】、【０２５５】の「１４０℃×１ｈｒ＋２５０℃×１ｈｒ＋３５０℃×１ｈｒの条件でキュア」により「ポリイミド膜」となる。）の態様を、いわゆる「除く」とするものであるといえる。 引用文献２の（引２ｂ）の実施例１～２１、比較例１～７は、いずれも段落【０２２３】の「ポリアミック酸ワニスＰ－１」を用いるものであり、「ポリアミック酸ワニスＰ－１」は「・・・３，３’，４，４’－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（ＢＰＤＡ）２１．９４ｇを入れ、均一に分散するまで攪拌した。さらに、ｐ－フェニレンジアミン（ＰＰＤ）８．０６ｇを少しずつ添加した後、オイルバス８０℃で４時間加熱して、ポリアミック酸ワニスＰ－１を得た。重量平均分子量は２７万であった」と記載されているとおり、テトラカルボン酸成分として「３，３’，４，４’－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（ＢＰＤＡ）」を０．０７５ｍｏｌ（ＢＰＤＡの分子量は２９４．２であるから、２１．９４（ｇ）／２９４．２（ｇ／ｍｏｌ）＝約０．０７５ｍｏｌ）、ジアミン成分として「ｐ－フェニレンジアミン（ＰＰＤ）」を０．０７５ｍｏｌ（ＰＰＤの分子量は１０８．１４であるから、８．０６（ｇ）／１０８．１４（ｇ／ｍｏｌ）＝約０．０７５ｍｏｌ）、すなわち、同モルで反応させたものであり、本願明細書の（本ｇ）の実施例６のテトラカルボン酸成分とジアミン成分と同じものである。 引用文献２には、「（α）５％熱分解温度が３５０℃以上のポリイミド」を有する「フレキシブルデバイス用基板」（（引２ａ）の請求項１を参照）が記載されているが、本願発明の「最大勾配」の値については何ら記載されていない。 また、令和１年１２月２５日付け拒絶理由通知書では、引用文献２の（引２ｂ）の段落【０２２３】の「ポリアミック酸ワニスＰ－１」について言及し、令和５年２月２１日付け拒絶理由通知書では、引用文献２の（引２ｂ）の比較例５及び比較例６を引用発明として、新規性及び進歩性に関する拒絶理由を通知したが、それぞれ令和２年３月５日提出の意見書、令和５年４月２７日提出の意見書では、引用文献２の「ポリアミック酸ワニスＰ－１」を含む「塗膜」の「最大勾配」の値については何ら確認されず、本願発明についてこれらとは異なるとした手続補正がなされる対応となり、引用文献２の請求項１の「（β）下記一般式（１）で表される化学構造及び／又は下記一般式（２）で表される化学構造を有する化合物」、「（γ）下記一般式（３）で表される化学構造、水酸基、カルボキシル基及びスルホ基からなる群のうち１種以上を有する化合物」、「（δ）アミド基、アミノ基、カルバメート基、カルボキシル基、アリール基、酸無水物基及び重合性環状エーテル基からなる群から選ばれる少なくとも１種の官能基を有する下記一般式（４）で表される化学構造を有する化合物」の「ポリイミド」の「最大勾配」の値への影響、すなわち、条件（Ａ）を満たす「ポリイミド」の「最大勾配」の値への影響等については何ら明らかにされなかった。 イ 条件（Ｂ）について 本願発明の条件（Ｂ）は、 「前記フレキシブル電子デバイス基板用ポリイミドフィルムは、プラズマ処理されたものではない」 とするものである。 これは、上記「第４ 本願明細書及び各拒絶理由で引用された引用文献に記載された事項等」「２ 各拒絶理由で引用された引用文献に記載された事項」「（２）特開２０１５－２１４１２２号公報に記載された事項」において摘記された引用文献３の（引３ａ）の請求項１の 「少なくとも支持体とポリイミドフィルムとから構成されてなる積層体を作製するために好適な芳香族テトラカルボン酸と芳香族ジアミン類との反応によって得られるポリアミック酸溶液から得られることを特徴とするポリイミドフィルムであって、下記の３条件ともに満たしている事を特徴とするポリイミドフィルム。 （１）表面粗さが１．５ｎｍ以下。 （２）Ｏ／Ｃが０．３から０．４５の間。 （３）Ｎ／Ｏが０．４０から０．５０の間」との記載、さらに、（引３ｂ）の 「【００１２】 前記(1)表面粗さRa1.5nm以下 を実現するためには、プラズマ処理前のポリイミドフィルムとして、表面粗さＲａが 0.1～2.0nmのフィルムを使用する。 なお、ここに表面粗さＲａは走査型プローブ顕微鏡により得られる数値である。 【００１３】 前記(2)ポリイミドフィルム表面のＯ／Ｃが０．３から０．４５の間。 前記(3)ポリイミドフィルム表面のＮ／Ｏが０．４０から０．５０の間。 を有するポリイミドフィルムは、ポリイミドフィルムの樹脂組成において、Ｎ元素の含有率が６原子％以上のポリイミド樹脂ないし、Ｏ元素の含有率が１２原子％以下のポリイミド樹脂からなるポリイミドフィルムを用い、かつ、プラズマ処理時に於ける処理ガスとして後述のガスを使用することによって得ることができる。」 との記載からみて、引用文献３の請求項１の「ポリイミドフィルム」は、「プラズマ処理」を行って得られるものとの前提で、当該態様を「除く」趣旨で、本願発明の「フレキシブル電子デバイス基板用ポリイミドフィルム」について、「プラズマ処理されたものではない」との補正を行ったものと解される。 引用文献３の（引３ｃ）の段落【００８４】には、「ポリアミド酸溶液Ｂ１～Ｂ２の作製」として、「・・・３，３'，４，４'－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物３９８質量部、パラフェニレンジアミン１４７質量部を・・・に溶解し、・・・２５℃の反応温度で２４時間攪拌すると、褐色で粘調なポリアミド酸溶液Ｂ１～Ｂ２が得られた」こと、段落【００８６】、【００８９】、【００９０】には、「多層ポリアミド酸フィルムを３つの熱処理ゾーンを有するピンテンターに通し、一段目１５０℃×２分、２段目２２０℃×２分、３段目４７５℃×４分間の熱処理を行い、５００ｍｍ幅にスリットして、多層ポリイミドフィルムを得た」と記載され、「ポリアミド酸溶液Ｂ１～Ｂ２」は、テトラカルボン酸成分として「３，３’，４，４’－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物」を１．３５ｍｏｌ（＝３９８（ｇ）／２９４．２（ｇ／ｍｏｌ））、ジアミン成分として「パラフェニレンジアミン（ＰＰＤ）」を１．３５ｍｏｌ（１４７（ｇ）／１０８．１４（ｇ／ｍｏｌ））、すなわち、ほぼ同モルで反応させたものであり、本願明細書の（本ｇ）の実施例６のテトラカルボン酸成分とジアミン成分と同じ化学構造を有するものをほぼ同モルで反応させて得た「ポリイミド」であるといえる。 また、令和１年１２月２５日付け拒絶理由通知書では、引用文献３の（引３ｂ）の段落【００８４】の「ポリアミド酸溶液Ｂ１～Ｂ２」について言及し、新規性及び進歩性に関する拒絶理由を通知したが、それぞれ令和２年３月５日提出の意見書では、引用文献３の「ポリアミド酸溶液Ｂ１～Ｂ２」を用いた「ポリイミドフィルム」の「最大勾配」の値については何ら確認されず、本願発明について、「ポリイミドフィルム」作製後の「プラズマ処理」をしたものではないとする手続補正がなされる対応となり、「プラズマ処理」が、「ポリイミド」の「最大勾配」の値にどのような影響を与えるのか、すなわち、条件（Ｂ）を満たす「ポリイミド」の「最大勾配」の値への影響については何ら明らかにされなかった。 ウ 条件（Ｃ）について 本願発明の条件（Ｃ）は、 「前記フレキシブル電子デバイス基板用ポリイミドフィルムは、１，１，３，３－テトラメチル－１，３－ビス（３－アミノプロピル）ジシロキサンを含むジアミン成分を用いて得られるポリイミドを含有しない」 とするものであるが、これは、上記「第４ 本願明細書及び各拒絶理由で引用された引用文献に記載された事項等」「２ 各拒絶理由で引用された引用文献に記載された事項」「（３）特開２００８－２３００９６号公報に記載された事項」において摘記された引用文献４の（引４ｃ）の段落【００６２】～【００６７】の実施例１の「・・・ＳｉＤＡ ６２．１５ｇ（０．２５ｍｏｌ）、ＤＡＥ １１０．１１ｇ（０．５５ｍｏｌ）、ＰＤＡ ２１．６２ｇ（０．２ｍｏｌ）、をＮＭＰ ２７６５ｇと共に仕込み、溶解させた後、ＢＰＤＡ ２９４．２ｇ（１ｍｏｌ）を添加し、７０℃で６時間反応させたことにより、１５重量％ポリアミド酸樹脂溶液（ＰＡ１）を得た」こと（段落【００６２】）が記載され、「１５重量％ポリアミド酸樹脂溶液（ＰＡ１）」中に、ジアミン成分として、「ＳｉＤＡ」（１，１，３，３－テトラメチル－１，３－ビス（３－アミノプロピル）ジシロキサン）を含んでいることから、当該態様を「除く」趣旨で、本願発明の「フレキシブル電子デバイス基板用ポリイミドフィルム」について、「１，１，３，３－テトラメチル－１，３－ビス（３－アミノプロピル）ジシロキサンを含むジアミン成分を用いて得られるポリイミドを含有しない」との補正を行ったものと解される。 引用文献４の（引４ｂ）の段落【０００１】には「フレキシブル回路基板用材料に好適に用いられる金属層付き積層フィルムに関する」ことが記載され、（引４ｃ）には「ポリイミドフィルム」について記載されているが、引用文献４には、本願発明の「最大勾配」の値については何ら記載されていない。 また、令和２年６月１１日付け拒絶理由通知書では、引用文献４（当該拒絶理由通知書では、引用文献３）の実施例１について言及し、新規性及び進歩性に関する拒絶理由を通知したが、令和２年８月１７日提出の意見書においては、本願発明の「最大勾配」の値に対する、ジアミン成分として「１，１，３，３－テトラメチル－１，３－ビス（３－アミノプロピル）ジシロキサン」を含むものを用いたことによる影響、すなわち、条件（Ｃ）を満たす「ポリイミド」の「最大勾配」の値への影響については何ら確認されることはなかった。 エ 条件（Ｄ）について 本願発明の条件（Ｄ）は、 「前記フレキシブル電子デバイス基板用ポリイミドフィルムは、１００モル部の線状芳香族ジアミン、９７～９９．５モル部の芳香族テトラカルボン酸二無水物、およびその残留アミンサイトと反応する十分な量の芳香族酸無水物を使用して得られたポリアミック酸組成物から製造されるポリイミドフィルムではない」 とするものである。 これは、上記「第４ 本願明細書及び各拒絶理由で引用された引用文献に記載された事項等」「２ 各拒絶理由で引用された引用文献に記載された事項」「（４）特開平４－２２４８２４号公報に記載された事項」において摘記された引用文献５の（引５ａ）の 「・・・線状芳香族ジアミンと約９７～９９．５モル部の芳香族ジ酸無水物および十分な量の芳香族酸無水物を用いて、その残留アミンサイトと反応させ、・・・改良ポリアミック酸組成物」を用いて「フレキシブル電子デバイス基板用ポリイミドフィルム」とする態様を、いわゆる「除く」とするものであると解される。 引用文献５の（引５ｃ）の段落【００３９】～【００４０】の実施例１では、「高純度ｐ－フェニレンジアミン（帯域精製した）１０．８ｇ（０．１モル）を・・・に溶解した。溶液を静かに撹拌しながら、２８．９５ｇ（０．０９８５モル）ｓＢＰＤＡ（再結晶した）固体を反応混合物の温度が２５～３１℃の間に維持されるような割合で少しずつ添加した。・・・過剰の試薬としてのｐ－フェニレンジアミンを使用して化学量論オフセットのために残っているアミン末端基を不活性化するために、新たに昇華した無水フタル酸０．３７ｇ（２．５ミリモル）を添加し、撹拌をさらに４～５時間持続した」ことが記載されており、テトラカルボン酸成分として「ｓＢＰＤＡ」（（引５ｂ）の段落【００１２】によれば、「３，３’４，４’－ビフェニルテトラカルボン酸ジ酸無水物」である。）を「０．０９８５モル」、ジアミン成分として「ｐ－フェニレンジアミン」を「０．１モル」、本願明細書の（本ｇ）の段落【０１３３】、【０１５０】の【表１】の「モノマーＩ」である「無水フタル酸」を「２．５ミリモル」を用いるものであり、これらのモノマーは本願明細書の（本ｇ）の実施例７のテトラカルボン酸成分とジアミン成分、モノマーＩと同じものである。 さらに、引用文献５の（引５ｃ）の段落【００４３】には、段落【００３９】～【００４０】の実施例１の「ＢＰＤＡ－ＰＤＡポリアミック酸」について、「２～２．５μｍの完全硬化したフィルムは３０００回転／３０秒でシリコンウェファー上にスピン塗布し、４００℃まで加熱／硬化して形成した」ことが記載されており、また、（引５ｂ）には、一般論であるが「ポリイミドは、有機重合体系絶縁体が普通に使用される無機材料に比べて低い誘電率を有するために、集積回路（ＩＣ）デバイスの性能特性を改善するのに大きな利益を与えるものと長く認められ、マイクロエレクトロニクスにおける不動態化および中間層誘電体として潜在的な利益を与えてきた物質であった」ことが記載され、「集積回路（ＩＣ）デバイス」の基板に用いることが示唆されているといえるが、引用文献５には、本願発明の「最大勾配」の値については何ら記載されていない。 また、令和２年６月１１日付け拒絶理由通知書では、引用文献５の実施例１について言及し、新規性及び進歩性に関する拒絶理由を通知したが、令和２年８月１７日提出の意見書においては、引用文献５の「線状芳香族ジアミンと約９７～９９．５モル部の芳香族ジ酸無水物および十分な量の芳香族酸無水物を用いて、その残留アミンサイトと反応させ、・・・改良ポリアミック酸組成物」を用いたことによる本願発明の「最大勾配」の値への影響、すなわち、条件（Ｄ）を満たす「ポリイミド」の「最大勾配」の値への影響については、何ら確認されなかった。 オ 条件（Ｅ）について 本願発明の条件（Ｅ）は、 「前記フレキシブル電子デバイス基板用ポリイミドフィルムは、１，４－シクロヘキサンジアミン４１．４ｇと、ビフェニルテトラカルボン酸二無水物１０３．６ｇおよび９，９－ビス（３，４－ジカルボキシフェニル）フルオレン二無水物５．０ｇとから得られたポリアミック酸組成物から製造されるポリイミドフィルムと同一ではない。」 とするものであるが、これは、上記「第４ 本願明細書及び各拒絶理由で引用された引用文献に記載された事項等」「２ 各拒絶理由で引用された引用文献に記載された事項」「（５）国際公開第２０１６／１３６５９７号に記載された事項」において摘記された引用文献６の（引６ｃ）の段落［0112］～［0116］の［合成例２］、［実施例６］の「・・・ＮＭＰを８５０．０ｇ入れ、１，４－シクロヘキサンジアミン４１．４ｇを加え、溶液を窒素雰囲気下で３０分間攪拌した。原料が均一に溶解したことを確認した後、ＢＰＤＡ１０３．６ｇを加え、さらに９，９－ビス（３，４－ジカルボキシフェニル）フルオレン二無水物５．０ｇを加え、・・・粘調なポリアミド酸溶液を得た」の「ポリアミド酸溶液」から製造される「フレキシブル電子デバイス基板用ポリイミドフィルム」の態様について、いわゆる「除く」とするものであるといえる。 引用文献６の［合成例２］、［実施例６］のテトラカルボン酸成分の１つである「ＢＰＤＡ」（（引６ｂ）の段落［0024］によれば、３，３’，４，４’－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物）は、本願明細書の（本ｇ）の段落【０１３３】の「モノマーＡ」と同じ化合物であり、もう１つのテトラカルボン酸成分である「９，９－ビス（３，４－ジカルボキシフェニル）フルオレン二無水物」は本願明細書の（本ｃ）の【００３６】～【００３７】において好ましいとされる化合物である。また、ジアミン成分である「１，４－シクロヘキサンジアミン」は、（本ｃ）の段落【００７２】に例示されている化合物である。 引用文献６の（引６ａ）の請求項１１には「フレキシブルディスプレイ基板」が記載され、（引６ａ）及び（引６ｃ）の［0116］には「ポリイミド層」とすることが記載されているが、引用文献６には、本願発明の「最大勾配」の値については何ら記載されていない。 また、令和５年２月２１日付け拒絶理由通知書では、引用文献６の実施例６を引用発明として、新規性及び進歩性に関する拒絶理由を通知したが、令和５年４月２７日提出の意見書においては、引用文献６の［合成例２］、［実施例６］の「ポリアミド酸溶液」を用いたことによる、本願発明の「最大勾配」の値に対する影響、すなわち、条件（Ｅ）を満たす「ポリイミド」の「最大勾配」の値への影響については何ら確認されることはなかった。 カ 条件Ａ～Ｅについてのまとめ 上記「ア 条件（Ａ）について」～「オ 条件（Ｅ）について」で述べたとおり、引用文献２～６には、本願発明の「最大勾配」の値に関する記載はないものの、引用文献２～６の具体的な実施例ないしは比較例の「ポリイミド」を用いたフィルムの材料となるテトラカルボン酸成分及びジアミン成分が本願明細書の実施例と同じか、あるいは本願明細書の一般的記載において好ましいとされるテトラカルボン酸成分及びジアミン成分を用いて製造された「ポリイミド」が記載され、それらの「ポリイミド」は本願発明の「最大勾配」の値の特定を満たす蓋然性が高いとして、新規性及び進歩性の拒絶理由が通知された。 そして、その新規性及び進歩性の拒絶理由に対応するために、手続補正により、引用文献２～６の請求項１の記載、拒絶理由で通知された具体的な実施例ないしは比較例の特徴となる成分を用いた態様について所謂「除く」ために、本願発明の条件（Ａ）～（Ｅ）の発明特定事項としたものであると解される。その際には、引用文献２～６の具体的な実施例ないしは比較例の「ポリイミド」を用いたフィルム、ないしは引用文献２～６の具体的な実施例ないしは比較例の「ポリイミド」に類似する化学構造、組成を有するフィルムが、本願発明の「最大勾配」の値を満たすかどうかの確認は行われることはなかったため、本願発明の条件（Ａ）～（Ｅ）と本願発明の「最大勾配」の値との関係は明らかとならなかった。 上記「２ 本願発明について」「（３）本願発明の「最大勾配」の値を有する「ポリイミドフィルム」について」でも述べたとおり、本願明細書の（本ｂ）の段落【００１９】には、「このようなＣ－Ｖ特性に着目したポリイミドの開発は報告されておらず、実際に行われてもいない。当然ながら、既存のポリイミドは上述のＣ－Ｖ特性を満足するものではない」と記載されているが、「既存のポリイミド」である引用文献２～６の「ポリイミド」の原料となるテトラカルボン酸成分とジアミン成分は、本願明細書の（本ｇ）の具体的な実施例と同じであるか、あるいは、本願明細書の一般的記載において好ましいとされているものであるから、本願発明の「ポリイミドフィルム」の原料となる「ポリイミド」の化学構造と、「既存のポリイミド」である引用文献２～６の「ポリイミド」の化学構造には違いがない場合も存在することになると解される。 そうすると、段落【００１９】の「当然ながら、既存のポリイミドは上述のＣ－Ｖ特性を満足するものではない」ことを前提とした場合には、「ポリイミド」の化学構造に加えて、「ポリイミド」の化学構造以外の製造方法や製造条件も重要になると解され、本願明細書には、本願発明の「最大勾配」の値を満たすための製造方法・製造条件について、当業者が実施できるように明確かつ十分に記載されている必要があるといえるが、上記で検討したとおり、引用文献２～６の実施例に記載された「ポリイミド」との関係でも、本願発明の「最大勾配」の値を有する「ポリイミド」の製造方法・製造要件は結局明らかにされなかった。 （２）本願発明の「不純物」や「添加物」等を含む「組成物」としての「ポリイミド」について 上記「２ 本願発明について」「（１）本願発明の発明特定事項解釈について」で述べたとおり、本願発明の「ポリイミド」は、高分子化合物である「ポリイミド」であることに加えて、本願明細書の記載ぶりによっては「不純物」や「添加物」等を含む「組成物」でもあると解される。 具体的には、本願明細書の段落【００１８】、【０１０８】～【０１１４】の記載、本願発明の条件（Ａ）及び（Ｂ）の特定、及び、令和５年４月２７日提出の意見書における請求人の「シランカップリング剤以外の添加剤もポリイミド形成プロセスにおいて欠陥の発生源となるため、「最大勾配」が小さくなる影響を与えると考えられます。一方でポリイミドの分解を抑制する効果を持つ添加剤であれば「最大勾配」を大きくする影響を与える可能性はあります」（当該意見書の「〔２〕理由Ａ」「〔２－１〕 審尋への回答」（２）を参照）との主張等を参酌すると、本願発明の「ポリイミド」は、「不純物」等でなく他の「添加剤」を含む態様も包含するか、あるいは、少なくとも、他の「添加剤」と併用する態様、さらには、条件（Ｂ）の「プラズマ処理」以外の後処理をする態様も包含していると解される。 この場合は、上述の「ポリイミド」の化学構造の膨大な態様に加えて、「添加剤」や後処理の種類等の組合せも考慮することとなり、さらに、膨大な態様を包含することになる。 しかしながら、本願明細書には、「シランカップリング剤」以外の「添加剤」の、本願発明の「最大勾配」の値への影響の言及は一切なく、当該意見書において「シランカップリング剤以外の添加剤もポリイミド形成プロセスにおいて欠陥の発生源となるため、「最大勾配」が小さくなる影響を与えると考えられます。一方でポリイミドの分解を抑制する効果を持つ添加剤であれば「最大勾配」を大きくする影響を与える可能性はあります」と述べるのみで、「ポリイミド形成プロセスにおいて欠陥の発生源」となる「シランカップリング剤」以外の「添加剤」や、「ポリイミドの分解を抑制する効果を持つ添加剤」とは何かの説明もされていないし、多様な「添加剤」の本願発明の「最大勾配」の値への影響についての技術常識の存在も確認できない。 そうすると、本願発明の「ポリイミド」について、「添加剤」や後処理の種類等の組合せも考慮する場合には、さらに膨大な態様を包含することとなるため、当業者にさらなる試行錯誤を課すことになるといえる。 ７ まとめ 以上のとおり、本願明細書の発明の詳細な説明の記載は、本願発明の「抵抗値が４Ωｃｍのシリコンウェハ上に、ポリイミドフィルムを０．７５μｍの膜厚で形成した積層体の容量－電圧測定を行ったとき、０．００５／Ｖ以上の最大勾配を示すポリイミドで形成されたフレキシブル電子デバイス基板用ポリイミドフィルム」について、当業者が実施できるように明確かつ十分に記載したものであるとはいえない。 また、令和５年４月２７日提出の手続補正書で補正された特許請求の範囲の請求項２～６に記載された発明についても、同様の理由で、本願明細書の発明の詳細な説明の記載は、当業者が実施できるように明確かつ十分に記載したものであるとはいえない。 第６ むすび 以上のとおり、本願は、発明の詳細な説明の記載が、本願発明１～６について特許法第３６条第４項第１号の規定（実施可能要件）に適合するものではなく、特許を受けることができないものである。 したがって、本願は拒絶すべきものである。 よって、結論のとおり審決する。