2021-009080

第１ 手続の経緯

本願は、平成２８年７月１２日の出願であって、その手続の経緯は次のとおりである。

第２ 原査定の概要

原査定（令和３年４月８日付け拒絶査定）の概要は次のとおりである。

本願請求項１ないし１４に係る発明は、以下の引用文献１及び２に記載された発明に基いて、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下、「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。

引用文献１ 特開２０１３－１２９１８３号公報

引用文献２ 特開２０１５－１１４６９０号公報

第３ 本願発明

本願請求項１ないし１１に係る発明（以下、それぞれ「本願発明１」ないし「本願発明１１」という。）は、令和３年７月７日に提出された手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１１に記載された事項により特定される発明であり、このうち、本願発明１、本願発明４、本願発明７及び本願発明１０は、以下のとおりの発明である。

［本願発明１］

「 透明基材と、

前記透明基材の少なくとも一方の面側に形成された積層体とを備え、

前記積層体は、

Ｃｕ、Ｎｉ－Ｃｕ合金、Ｃｒを７質量％以下含むＮｉ－Ｃｒ合金のいずれかからなる下地金属層と、

前記下地金属層上に配置され、酸素と、銅と、ニッケルとを含有する第１黒化層と、

銅層と、を備え、

前記下地金属層の厚さが、１．５ｎｍ以上、５ｎｍ以下であり、

前記第１黒化層に含まれる金属成分のうち、ニッケルの割合が２０質量％以上７０質量％以下である積層体基板。」

［本願発明４］

「 透明基材と、

前記透明基材の少なくとも一方の面側に形成された金属細線とを備え、

前記金属細線が、

Ｃｕ、Ｎｉ－Ｃｕ合金、Ｃｒを７質量％以下含むＮｉ－Ｃｒ合金のいずれかからなる下地金属配線層と、

前記下地金属配線層上に配置され、酸素と、銅と、ニッケルとを含有する第１黒化配線層と、

銅配線層とを備えた積層体であり、

前記下地金属配線層の厚さが、１．５ｎｍ以上、５ｎｍ以下であり、

前記第１黒化配線層に含まれる金属成分のうち、ニッケルの割合が２０質量％以上７０質量％以下である導電性基板。」

［本願発明７］

「 透明基材を準備する透明基材準備工程と、

前記透明基材の少なくとも一方の面側に積層体を形成する積層体形成工程とを有し、

前記積層体形成工程は、

Ｃｕ、Ｎｉ－Ｃｕ合金、Ｃｒを７質量％以下含むＮｉ－Ｃｒ合金のいずれかからなる下地金属層を堆積する下地金属層成膜手段により下地金属層を形成する下地金属層形成ステップと、

前記下地金属層上に、酸素と、銅と、ニッケルと含有する第１黒化層を堆積する第１黒化層成膜手段により第１黒化層を形成する第１黒化層形成ステップと、

銅層を堆積する銅層成膜手段により銅層を形成する銅層形成ステップと、を含み、

前記下地金属層形成ステップ、及び前記第１黒化層形成ステップは減圧雰囲気下において実施し、

前記下地金属層の厚さが、１．５ｎｍ以上、５ｎｍ以下であり、

前記第１黒化層に含まれる金属成分のうち、ニッケルの割合が２０質量％以上７０質量％以下である積層体基板の製造方法。」

［本願発明１０］

「 請求項７から請求項９のいずれか一項に記載の積層体基板の製造方法により得られた積層体基板の前記下地金属層と、前記第１黒化層と、前記銅層とをエッチングし、下地金属配線層と、第１黒化配線層と、銅配線層とを備えた積層体である金属細線を有する配線パターンを形成するエッチング工程を有し、

前記エッチング工程により、前記下地金属層、前記第１黒化層、及び前記銅層に開口部を形成する導電性基板の製造方法。」

なお、本願発明２及び３、本願発明５及び６、本願発明８及び９、本願発明１１はそれぞれ、本願発明１、本願発明４、本願発明７、本願発明１０を減縮する発明である。

第４ 引用文献、引用発明等

１ 引用文献１について

（２）引用発明

前記（１）（特に、イないしエ、カ、ク、コ、サ、セ及びソ）より引用文献１には次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。

「 黒化層、金属層、及び密着層を部分的に除去して、パターン状の黒化層、金属層、及び密着層とすることで、タッチセンサーの電極として好適に用いることができる積層体であって、

基材は、透明性を有し、

黒化層は、窒化銅、酸化銅、窒化ニッケル、及び酸化ニッケルからなる群より選ばれる少なくとも１つを含み、層の全体１００原子％において、銅およびニッケルの合計含有量（原子数基準）が５０原子％以上９５原子％以下の層であり、

金属層は、金、銀、銅、及びアルミニウムからなる群より選ばれる少なくとも１つの金属から構成されることがより好適であり、

密着層は、黒化層と別の層（基材など）との間に存在して、これらの層間の密着性を向上する機能を有する層であり、チタン、ニッケル、及びクロムからなる群より選ばれる少なくとも１つの元素を含み、層の全体１００原子％において、チタン、ニッケル、及びクロム元素の合計含有量（原子数基準）が、５０原子％以上１００原子％の層であることが好ましく、

密着層の厚さは、１ｎｍ以上５０ｎｍ以下が好適であり、

積層体は、黒化層Ｂ１、金属層Ｂ１、黒化層Ｂ２、密着層Ｂ１、基材を、この順に有する、

積層体。」

（３）引用方法発明

前記（１）、特に、オ、キ、ケ及びシに着目すると、引用文献１には、「積層体の製造方法」の発明が記載されているといえる。

よって、前記（２）の引用発明（積層体）を参酌すれば、引用文献１には、次の発明（以下、「引用方法発明」という。）が記載されていると認められる。

「 黒化層、金属層、及び密着層を部分的に除去して、パターン状の黒化層、金属層、及び密着層とすることで、タッチセンサーの電極として好適に用いることができる積層体の製造方法であって、

基材は、透明性を有し、

黒化層は、窒化銅、酸化銅、窒化ニッケル、及び酸化ニッケルからなる群より選ばれる少なくとも１つを含み、層の全体１００原子％において、銅およびニッケルの合計含有量（原子数基準）が５０原子％以上９５原子％以下の層であり、

黒化層は、例えば、スパッタリング法やメッキ法によって形成することができ、

続きを表示（全17行）

金属層は、金、銀、銅、及びアルミニウムからなる群より選ばれる少なくとも１つの金属から構成されることがより好適であり、

金属層が銅の場合には、金属層は真空蒸着法やスパッタリング法によって形成することができ、

密着層は、黒化層と別の層（基材など）との間に存在して、これらの層間の密着性を向上する機能を有する層であり、チタン、ニッケル、又はクロムを有する化合物を含む層であってもよく、層の全体１００原子％において、チタン、ニッケル、及びクロム元素の合計含有量（原子数基準）が、５０原子％以上１００原子％の層であることが好ましく、

密着層の厚さは、１ｎｍ以上５０ｎｍ以下が好適であり、

密着層は、スパッタリング法、蒸着法、又はイオンプレーティング法は、チタン、ニッケル、クロムのいずれを含む層の形成にも適用することができ、

積層体は、黒化層Ｂ１、金属層Ｂ１、黒化層Ｂ２、密着層Ｂ１、基材を、この順に有し、

実施例において、

密着層を、スパッタリング法で成膜し、この際、スパッタリングガスとしては圧力が０．１Ｐａとなるように流量を調整し、

金属層を、ＥＢ蒸着法で成膜し、

黒化層を、ＤＣマグネトロンスパッタリング法で成膜し、この際、スパッタリングガスとしては、圧力が０．１Ｐａとなるように流量を調整し、

積層体の両面に旭化成イーマテリアルズ製のドライフィルムレジスト（を貼合し、両面をフォトマスク越しに露光、現像し、

塩化第二鉄水溶液で両面の黒化層と金属層と密着層を部分的に除去する、

積層体の製造方法。」

２ 引用文献２について

引用文献２には図面とともに次の事項が記載されている。

「【０００５】

特許文献１に記載の配線構造の製造工程においては、銅ニッケル合金よりも銅の方がメタルエッチングのエッチング速度が速い（エッチングレートが高い）ため、メタルエッチング工程において、金属層と保護層に対して導電層が細くなってしまいやすい。さらに、ＩＴＯエッチング工程においは、エッチング液中での各層間の電池作用（電池効果）により各層が細くなりやすく、特に導電層の細りが進むため、保護層が導電層に対して「ひさし」状に外側に突出した形状になりやすい。このように製造された配線は、後の工程やエッチング中に保護層のひさし部分が剥離してしまうおそれがあり、剥離したひさし部分が配線間のショートの原因となるという問題があった。

【０００６】

そこで本発明は、導電層の密着性を維持しつつ、各層、特に導電層の細りを抑え、保護層が導電層に対してひさし状に突出しない構造の配線パターンを備えた静電センサを提供することを目的とする。」

「【００２８】

次に、図２を参照しつつ、静電センサの配線パターン１６の構造及び製造工程について説明する。図２は、実施形態に係る静電センサの配線パターン１６の製造工程を示す断面図である。図２は、図１のＡ－Ａ線に沿って切断し、矢印方向から見た部分拡大断面図である。図２（Ａ）は、基材２０上に透明電極層３１、接続層３２、導電層３３、保護層３４、及び、レジスト４０を積層した状態を示す断面図、（Ｂ）は、（Ａ）の状態からメタルエッチングを行った後の状態を示す断面図、（Ｃ）は（Ｂ）の状態からＩＴＯエッチングを行った後の状態を示す断面図、（Ｄ）は（Ｃ）の状態からレジスト４０を剥離した状態を示す断面図である。

【００２９】

図２（Ｄ）に示すように、配線パターン１６は、基材２０上に形成された透明電極層３１と、透明電極層３１上に形成された接続層３２と、接続層３２上に形成された導電層３３と、導電層３３上に形成された保護層３４とからなる。

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【００３０】

透明電極層３１はＩＴＯ等の透明導電材料からなり、Ｘ電極パターン１３またはＹ電極パターン１４と連続して形成されている。

【００３１】

接続層３２、導電層３３、及び保護層３４は導電性材料で形成され、少なくとも導電層３３は、透明電極層３１よりも電気抵抗の低い導電性材料で構成する。

【００３２】

接続層３２と保護層３４は、それぞれ、銅とニッケルを含む導電性の合金材料からなる。導電層３３は、接続層３２及び保護層３４よりも銅の含有率の高い金属材料からなり、例えば銅のみで構成する。透明電極層３１、接続層３２、導電層３３、及び、保護層３４は、スパッタリングや蒸着その他のＰＶＤ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法やＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法で成膜する。

【００３３】

接続層３２の膜厚は、保護層３４よりも厚く、保護層３４の膜厚の２倍以上であることが好ましい。また、導電層３３の膜厚は、接続層３２ならびに保護層３４の膜厚よりも大きくなるように形成されている。ＩＴＯエッチングにおける電池効果で、接続層３２と導電層３３ならびに保護層３４が細るように浸食される。そのため、厚さを加味した保護層３４のエッチングレートを、厚さを加味した導電層３３のエッチングレートの１００％以上となるように、導電層３３と保護層３４の膜厚が決められることが好ましい。

【００３４】

接続層３２は、保護層３４よりも膜厚が大きいため、膜厚を加味した接続層３２のエッチングレートは、厚さを加味した導電層３３のエッチングレートの９０％未満となるように、接続層３２の膜厚が設定されることが好ましい。

【００３５】

接続層３２を構成する合金全体に含まれるニッケルの含有率は、保護層３４を構成する合金全体に含まれるニッケル含有率よりも大きい（含有量が多い）ことが好ましい。例えば、接続層３２に含まれるニッケルの含有率は１５ｗｔ以上５０ｗｔ％以下であり、保護層３４に含まれるニッケルの含有率は０．１ｗｔ以上１５ｗｔ％未満であることが好ましい。

【００３６】

ここで、ＩＴＯのエッチング時の電池効果によるエッチングレートは、銅とニッケルの合金ではニッケルの濃度が高いほど遅い。すなわち、ニッケルの濃度が低いほどエッチングが速く進み、浸食量が大きくなる。また、銅単体と、銅とニッケルの合金とでは、銅単体の方がエッチングレートが低く、エッチングが速く進む。

【００３７】

レジスト４０は、スクリーン印刷、フォトリソグラフィ等によって保護層３４上に、配線パターンに対応したパターンで形成する。レジスト４０は、メタルエッチング工程及びＩＴＯエッチング工程で使用するエッチング液に合わせて選択する。

【００３８】

上述した、接続層３２の膜厚を保護層３４の膜厚よりも大きくする対策と、接続層３２においてニッケルの量を保護層３４よりも多くする対策は、一方のみを設定してもよいが、接続層３２、導電層３３、及び保護層３４のエッチングレート等を考慮して両者を互いに関連させて設定することが好ましい。」

「【００５０】

以下、実施例及び比較例について説明する。

＜実施例１＞

実施例１においては、以下の条件で配線パターン１６を形成した。実施例１は、保護層３４より接続層３２の方がニッケルの含有率が高く、接続層３２の膜厚は保護層３４の膜厚の４倍になっている。

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【００５１】

基材２０：ポリエチレンテレプタレート、厚さ１００μｍ

透明電極層３１：ＩＴＯ、膜厚２５ｎｍ

接続層３２：ＣｕＮｉ、膜厚４０ｎｍ、Ｎｉの含有率２５％

導電層３３：Ｃｕ、膜厚１２０ｎｍ

保護層３４：ＣｕＮｉ、膜厚１０ｎｍ、Ｎｉの含有率１５％

レジスト４０：ノボラック樹脂を使用」

「【図４】

［図：0001383138000003.jpg］

」

よって、引用文献２には、次の技術事項（以下、「引用文献２技術事項」という。）が記載されているといえる。

「 静電センサの配線パターン１６は、基材２０上に形成された透明電極層３１と、透明電極層３１上に形成された接続層３２と、接続層３２上に形成された導電層３３と、導電層３３上に形成された保護層３４とからなり、

透明電極層３１はＩＴＯ等の透明導電材料からなり、

接続層３２と保護層３４は、それぞれ、銅とニッケルを含む導電性の合金材料からなり、導電層３３は、接続層３２及び保護層３４よりも銅の含有率の高い金属材料からなり、例えば銅のみで構成し、

接続層３２の膜厚は、保護層３４よりも厚く、保護層３４の膜厚の２倍以上であることが好ましく、また、導電層３３の膜厚は、接続層３２ならびに保護層３４の膜厚よりも大きくなるように形成され、ＩＴＯエッチングにおける電池効果で、接続層３２と導電層３３ならびに保護層３４が細るように浸食されるため、厚さを加味した保護層３４のエッチングレートを、厚さを加味した導電層３３のエッチングレートの１００％以上となるように、導電層３３と保護層３４の膜厚が決められ、

接続層３２は、保護層３４よりも膜厚が大きいため、膜厚を加味した接続層３２のエッチングレートは、厚さを加味した導電層３３のエッチングレートの９０％未満となるように、接続層３２の膜厚が設定されることが好ましく、

接続層３２を構成する合金全体に含まれるニッケルの含有率は、保護層３４を構成する合金全体に含まれるニッケル含有率よりも大きいことが好ましく、例えば、接続層３２に含まれるニッケルの含有率は１５ｗｔ以上５０ｗｔ％以下であり、保護層３４に含まれるニッケルの含有率は０．１ｗｔ以上１５ｗｔ％未満であることが好ましく、

ＩＴＯのエッチング時の電池効果によるエッチングレートは、銅とニッケルの合金ではニッケルの濃度が高いほど遅く、

接続層３２の膜厚を保護層３４の膜厚よりも大きくする対策と、接続層３２においてニッケルの量を保護層３４よりも多くする対策は、一方のみを設定してもよいが、接続層３２、導電層３３、及び保護層３４のエッチングレート等を考慮して両者を互いに関連させて設定することが好ましいこと。」

第５ 対比・判断

１ 本願発明１について

（１）対比

本願発明１と引用発明とを対比する。

ア 引用発明の「基材」は、「透明性を有」するものであるから、本願発明１の「透明基材」に相当する。

イ 引用発明の「積層体は、黒化層Ｂ１、金属層Ｂ１、黒化層Ｂ２、密着層Ｂ１、基材を、この順に有する」との構成によれば、引用発明の「積層体」は、「基材」の一方の面上に、順に「密着層」、「黒化層」、「金属層」、「黒化層」が積層されたものといえる。

ここで、「基材」の上に「密着層」、「黒化層」、「金属層」及び「黒化層」の順に積層される４つの層は、全体として「積層体」といい得るものである。

よって、引用発明において、「基材」の上に積層された「密着層」、「黒化層」、「金属層」及び「黒化層」は、本願発明１の「前記透明基材の少なくとも一方の面側に形成された積層体」に相当する。

ウ 前記ア及びイを参酌すれば、引用発明の「積層体」は、本願発明１の「透明基材と、」「積層体とを備え」る「積層体基板」に相当する。

エ 引用発明の「密着層」は、金属（「チタン、ニッケル、及びクロムからなる群より選ばれる少なくとも１つの元素」）で構成されているから、本願発明１の「下地金属層」とは、「金属層」である点において共通する。

また、引用発明の「密着層」は、「チタン、ニッケル、及びクロムからなる群より選ばれる少なくとも１つの元素を含」むものであるから、「チタン」と「クロム」とからなる場合、すなわち「Ｎｉ－Ｃｒ合金」である場合を含む。

よって、引用発明の「密着層」と、本願発明１の「Ｃｕ、Ｎｉ－Ｃｕ合金、Ｃｒを７質量％以下含むＮｉ－Ｃｒ合金のいずれかからなる下地金属層」とは、「Ｎｉ－Ｃｒ合金からなる金属層」である点において共通する。

オ 引用発明の「黒化層Ｂ２」を「第１黒化層」と称することは任意である。

また、引用発明の「黒化層」は、「窒化銅、酸化銅、窒化ニッケル、及び酸化ニッケルからなる群より選ばれる少なくとも１つ」を含むから、「酸化銅」と「酸化ニッケル」とからなる場合を含む。

また、引用発明の「黒化層Ｂ２」は、「密着層」の上に配置された層である。

以上より、前記エを参酌すれば、引用発明の「黒化層Ｂ２」と、本願発明１の「前記下地金属層上に配置され、酸素と、銅と、ニッケルとを含有する第１黒化層」とは、「前記金属層上に配置され、酸素と、銅と、ニッケルとを含有する第１黒化層」である点において共通する。

カ 引用発明の「金属層」は、「金、銀、銅、及びアルミニウムからなる群より選ばれる少なくとも１つの金属」で構成されたものであるから、「銅層」である場合を含む。

よって、引用発明の「金属層」は、本願発明１の「銅層」に相当する。

キ 前記エないしカより、引用発明において、「基材」の上に積層された「密着層」、「黒化層」、「金属層」及び「黒化層」（積層体）が、「密着層」と「黒化層」と、「金属層」とを備えることと、本願発明１の「前記積層体は、」「下地金属層と、」「第１黒化層と、」「銅層と、を備え」ることとは、後述する相違点を除いて、「前記積層体は、」「金属層と、」「第１黒化層と、」「銅層と、を備え」る点において共通する。

ク 引用発明において、「密着層の厚さ」は、「１ｎｍ以上５０ｎｍ以下」が好適とされているが、ここで、「１ｎｍ以上５０ｎｍ以下」は、本願発明１の「１．５ｎｍ以上、５ｎｍ以下」を含む範囲である。

よって、前記エを参酌すれば、引用発明の「密着層の厚さ」が「１ｎｍ以上５０ｎｍ以下」が好適とされていることと、本願発明１の「前記下地金属層の厚さが、１．５ｎｍ以上、５ｎｍ以下」であることとは、「前記金属層の厚さが、１．５ｎｍ以上、５ｎｍ以下」である点において共通する。

（２）一致点、相違点

前記（１）より、本願発明１と引用発明は、次の点において一致ないし相違する。

［一致点］

「 透明基材と、

前記透明基材の少なくとも一方の面側に形成された積層体とを備え、

前記積層体は、

Ｎｉ－Ｃｒ合金からなる金属層と、

前記金属層上に配置され、酸素と、銅と、ニッケルとを含有する第１黒化層と、

銅層と、を備え、

前記金属層の厚さが、１．５ｎｍ以上、５ｎｍ以下である、

積層体基板。」

［相違点］

＜相違点１＞

「金属層」が、本願発明１においては、「下地金属層」であるのに対し、引用発明の「密着層」は、「下地金属層」として具体的に特定されていない点。

＜相違点２＞

「金属層」が、本願発明１においては、「Ｃｕ、Ｎｉ－Ｃｕ合金、Ｃｒを７質量％以下含むＮｉ－Ｃｒ合金のいずれかからなる」ものであるのに対し、引用発明においては、「密着層」の要件として、「層の全体１００原子％において、チタン、ニッケル、及びクロム元素の合計含有量（原子数基準）が、５０原子％以上１００原子％」と規定しているものの、「密着層」として、「ニッケル」と「クロム」とを選択した場合に、「クロム」単独の質量の割合を具体的に特定していない点。

＜相違点３＞

本願発明１は、「前記第１黒化層に含まれる金属成分のうち、ニッケルの割合が２０質量％以上７０質量％以下である」との構成を備えるのに対し、引用発明においては、「黒化層」の要件として、「層の全体１００原子％において、銅およびニッケルの合計含有量（原子数基準）が５０原子％以上９５原子％以下の層」と規定しているものの、「黒化層」として「酸化銅」と「酸化ニッケル」とを選択した場合における「ニッケル」単独の質量の割合を具体的に特定していない点。

（３）相違点についての判断

事案に鑑みて、先に相違点３について検討する。

引用文献２技術事項にあるように、透明電極層を構成するＩＴＯのエッチング時における電池効果により、透明電極層の上に形成される接続層、導電層及び保護層が浸食され、ＩＴＯのエッチング時の電池効果によるエッチングレートは、銅とニッケルの合金ではニッケルの濃度が高いほど遅いことを考慮して、接続層におけるニッケルの量を保護層よりも多くする（例えば、接続層に含まれるニッケルの含有率は１５ｗｔ以上５０ｗｔ％以下、保護層に含まれるニッケルの含有率は０．１ｗｔ以上１５ｗｔ％未満とする。）ことは、本願出願時の周知技術といえる。

しかしながら、「黒化層、金属層、及び密着層を部分的に除去して、パターン状の黒化層、金属層、及び密着層とする」引用発明において、パターン状となる「黒化層」、「金属層」及び「密着層」のいずれにおいても「ＩＴＯ」を用いることを想定していないから、仮に引用発明がエッチングによりパターンを形成するものであるとしても、「ＩＴＯ」のエッチング時における電池効果を前提とする周知技術を、「ＩＴＯ」を用いることを想定していない引用発明に適用することを想起することは当業者といえども困難である。

加えて、引用発明の「黒化層」は、「窒化銅、酸化銅、窒化ニッケル、及び酸化ニッケルからなる群より選ばれる少なくとも１つを含み、層の全体１００原子％において、銅およびニッケルの合計含有量（原子数基準）が５０原子％以上９５原子％以下の層」であり、「黒化層」を構成し得る複数の金属及びその組み合わせの中から、実施例（上記第４の（１）シの【００６６】及びスの【００７８】参照）において採用されている「窒化銅」とは異なる、「酸化銅」と「酸化ニッケル」とをあえて選択し、その上で、周知技術を参酌して、「黒化層」における「ニッケル」の割合を、周知技術の「接続層」（「黒化層」には対応しない。）における「ニッケル」の割合（１５ｗｔ以上５０ｗｔ％以下）と一部重複するものの完全には一致しない「２０質量％以上７０質量％以下」と規定することは、当業者といえども困難である。

また、相違点３に係る本願発明１の構成は、本願出願時の技術常識であるとは認められない。

よって、他の相違点について検討するまでもなく、本願発明１は、当業者であっても、引用文献１及び２に記載された発明に基いて容易に発明をすることができたものとはいえない。

２ 本願発明２及び３について

本願発明２及び３は、本願発明１と同一の構成を備えるものであるから、本願発明１と同じ理由により、当業者であっても、引用文献１及び２に記載された発明に基いて容易に発明をすることができたものとはいえない。

３ 本願発明４について

（１）対比

本願発明４は、本願発明１の「積層体」、「下地金属層」、「第１黒化層」、「銅層」及び「積層基板」のそれぞれを、「金属細線」、「下地金属配線層」、「第１黒化配線層」、「銅配線層」及び「導電性基板」として特定したものであり、本願発明１に対応する構成を備えた発明である。

そして、引用発明は、「黒化層、金属層、及び密着層を部分的に除去して、パターン状の黒化層、金属層、及び密着層とする」との構成を備えているから、「黒化層」、「金属層」及び「密着層」が、「金属細線」の配線パターンとして形成され、「積層体」が「導電性基板」として機能する態様を含む。

よって、本願発明４と引用発明とを対比した場合、その余の点は、前記１（１）のとおりである。

（２）一致点、相違点

前記（１）より、本願発明４と引用発明とは、以下の点において一致ないし相違するといえる。

［一致点］

「 透明基材と、

前記透明基材の少なくとも一方の面側に形成された金属細線とを備え、

前記金属細線は、

Ｎｉ－Ｃｒ合金からなる金属配線層と、

前記金属配線層上に配置され、酸素と、銅と、ニッケルとを含有する第１黒化配線層と、

銅配線層とを備えた積層体であり、

前記金属配線層の厚さが、１．５ｎｍ以上、５ｎｍ以下である、

導電性基板。」

［相違点］

＜相違点１’＞

「金属配線層」が、本願発明１においては、「下地金属配線層」であるのに対し、引用発明の「密着層」は、「下地金属配線層」として具体的に特定されていない点。

＜相違点２’＞

「金属配線層」が、本願発明１においては、「Ｃｕ、Ｎｉ－Ｃｕ合金、Ｃｒを７質量％以下含むＮｉ－Ｃｒ合金のいずれかからなる」ものであるのに対し、引用発明においては、「密着層」の要件として、「層の全体１００原子％において、チタン、ニッケル、及びクロム元素の合計含有量（原子数基準）が、５０原子％以上１００原子％」と規定しているものの、「密着層」として、「ニッケル」と「クロム」とを選択した場合に、「クロム」単独の質量の割合を具体的に特定していない点。

＜相違点３’＞

本願発明１は、「前記第１黒化配線層に含まれる金属成分のうち、ニッケルの割合が２０質量％以上７０質量％以下である」との構成を備えるのに対し、引用発明においては、「黒化層」の要件として、「層の全体１００原子％において、銅およびニッケルの合計含有量（原子数基準）が５０原子％以上９５原子％以下の層」と規定しているものの、「黒化層」として「酸化銅」と「酸化ニッケル」とを選択した場合における「ニッケル」単独の質量の割合を具体的に特定していない点。

（３）相違点についての判断

事案に鑑みて、先に相違点３’について検討するに、相違点３’は、前記１（２）の相違点３に対応したものであり、前記１（３）で述べた理由と同様の理由により、相違点３’に係る本願発明４の構成も、当業者が、引用発明に基づいて、引用文献２に記載された周知技術、本願出願時の技術常識を参酌することにより、容易に想到することができたものではない。

よって、他の相違点について検討するまでもなく、本願発明４は、当業者であっても、引用文献１及び２に記載された発明に基いて容易に発明をすることができたものとはいえない。

４ 本願発明５及び６について

本願発明５及び６は、本願発明４と同一の構成を備えるものであるから、本願発明４と同じ理由により、当業者であっても、引用文献１及び２に記載された発明に基いて容易に発明をすることができたものとはいえない。

５ 本願発明７について

（１）対比

本願発明７と引用方法発明とを対比する。

ア 前記１（１）アを参酌すれば、引用方法発明の「基材」は、本願発明７の「透明基材」に相当する。

引用方法発明の「基材の一方の面側（上面側）に、密着層を、スパッタリング法で成膜」するに当たり、「基材」を準備する工程の存在を前提とすることは自明である。

よって、引用方法発明は、本願発明７の「透明基材を準備する透明基材準備工程」を備える。

イ 前記１（１）イを参酌すれば、引用方法発明において、「基材」の上に「密着層」、「黒化層」、「金属層」及び「黒化層」の順に積層される４つの層は、本願発明７の「積層体」に相当する。

よって、引用方法発明において、「基材」の上に前記４つの層を積層する工程は、本願発明７の「前記透明基材の少なくとも一方の面側に積層体を形成する積層体形成工程」に相当する。

ウ 前記１（１）エを参酌すれば、引用方法発明の「密着層」と、本願発明７の「Ｃｕ、Ｎｉ－Ｃｕ合金、Ｃｒを７質量％以下含むＮｉ－Ｃｒ合金のいずれかからなる下地金属層」とは、「Ｎｉ－Ｃｒ合金からなる金属層」である点において共通する。

また、引用方法発明の「密着層は、スパッタリング法、蒸着法、又はイオンプレーティング法は、チタン、ニッケル、クロムのいずれを含む層の形成にも適用する」ステップ（実施例においては、「密着層を、スパッタリング法で成膜」するステップ）において、成膜方法に対応し、「密着層」を堆積する成膜手段により「密着層」が形成されることは自明である。

よって、引用方法発明の「密着層は、スパッタリング法、蒸着法、又はイオンプレーティング法は、チタン、ニッケル、クロムのいずれを含む層の形成にも適用する」ステップ（実施例においては、「密着層を、スパッタリング法で成膜」するステップ）と、本願発明７の「Ｃｕ、Ｎｉ－Ｃｕ合金、Ｃｒを７質量％以下含むＮｉ－Ｃｒ合金のいずれかからなる下地金属層を堆積する下地金属層成膜手段により下地金属層を形成する下地金属層形成ステップ」とは、「Ｎｉ－Ｃｒ合金からなる金属層を堆積する金属層成膜手段により金属層を形成する金属層形成ステップ」である点において共通する。

エ 前記１（１）オを参酌すれば、引用方法発明の「黒化層Ｂ２」は、本願発明７の「酸素と、銅と、ニッケルとを含有する第１黒化層」に相当する。

また、引用方法発明の「黒化層は、例えば、スパッタリング法やメッキ法によって形成」するステップ（実施例においては、「黒化層を、ＤＣマグネトロンスパッタリング法で成膜」するステップ）において、成膜方法に対応し、「黒化層」を堆積する成膜手段により「黒化層」が形成されることは自明である。

よって、前記ウを参酌すれば、引用方法発明の「黒化層は、例えば、スパッタリング法やメッキ法によって形成する」ステップ（実施例においては、「黒化層を、ＤＣマグネトロンスパッタリング法で成膜」ステップ）と、本願発明７の「前記下地金属層上に、酸素と、銅と、ニッケルと含有する第１黒化層を堆積する第１黒化層成膜手段により第１黒化層を形成する第１黒化層形成ステップ」とは、「前記金属層上に、酸素と、銅と、ニッケルと含有する第１黒化層を堆積する第１黒化層成膜手段により第１黒化層を形成する第１黒化層形成ステップ」である点において共通する。

オ 前記１（１）カを参酌すれば、引用発明の「金属層」は、本願発明７の「銅層」に相当する。

また、引用方法発明において、「金属層が銅の場合には、金属層は真空蒸着法やスパッタリング法によって形成する」ステップ（実施例においては、「金属層を、ＥＢ蒸着法で成膜」ステップ）において、成膜方法に対応し、「金属層」を堆積する成膜手段により「金属層」が形成されることは自明である。

よって、引用方法発明の「金属層が銅の場合には、金属層は真空蒸着法やスパッタリング法によって形成する」ステップ（実施例においては、「金属層を、ＥＢ蒸着法で成膜」ステップ）は、本願発明７の「銅層を堆積する銅層成膜手段により銅層を形成する銅層形成ステップ」に相当する。

カ 前記イないしオより、後述する相違点を除いて、引用方法発明と、本願発明７の「前記積層体形成工程は、」「下地金属層形成ステップと、」「第１黒化層形成ステップと、」「銅層形成ステップと、を含」むこととは、「前記積層体形成工程は、」「金属層形成ステップと、」「第１黒化層形成ステップと、」「銅層形成ステップと、を含」むとの共通の構成を備えるといえる。

キ 引用方法発明の「密着層」及び「黒化層」の形成方法には、「スパッタリング方」を含み、当該「スパッタリング法」による成膜が、真空に近い雰囲気下、すなわち、減圧雰囲気下において実施されることは、本願出願時における技術常識であり、実際、引用方法発明の実施例においても、スパッタリグガスの圧力が「０．１Ｐａ」という減圧雰囲気下となるように流量が調整されている。

よって、前記ウを参酌すれば、引用方法発明と、本願発明７の「前記下地金属層形成ステップ、及び前記第１黒化層形成ステップは減圧雰囲気下において実施」することとは、「前記金属層形成ステップ、及び前記第１黒化層形成ステップは減圧雰囲気下において実施」することとの共通の構成を備えるといえる。

ク 前記１（１）クを参酌すれば、引用方法発明の「密着層の厚さ」が「１ｎｍ以上５０ｎｍ以下」が好適とされていることと、本願発明７の「前記下地金属層の厚さが、１．５ｎｍ以上、５ｎｍ以下」であることとは、「前記金属層の厚さが、１．５ｎｍ以上、５ｎｍ以下」である点において共通する。

ケ 引用方法発明の「積層体の製造方法」は、後述する相違点を除いて、本願発明７の「積層体基板の製造方法」に相当する。

（２）一致点、相違点

前記（１）より、本願発明７と引用方法発明とは、以下の点において一致ないし相違するといえる。

［一致点］

「 透明基材を準備する透明基材準備工程と、

前記透明基材の少なくとも一方の面側に積層体を形成する積層体形成工程とを有し、

前記積層体形成工程は、

Ｎｉ－Ｃｒ合金からなる金属層を堆積する金属層成膜手段により金属層を形成する金属層形成ステップと、

前記金属層上に、酸素と、銅と、ニッケルと含有する第１黒化層を堆積する第１黒化層成膜手段により第１黒化層を形成する第１黒化層形成ステップと、

銅層を堆積する銅層成膜手段により銅層を形成する銅層形成ステップと、を含み、

前記金属層形成ステップ、及び前記第１黒化層形成ステップは減圧雰囲気下において実施し、

前記金属層の厚さが、１．５ｎｍ以上、５ｎｍ以下である、

積層体基板の製造方法。」

［相違点］

＜相違点１”＞

「金属層」が、本願発明７においては、「下地金属層」であるのに対し、引用方法発明の「密着層」は、「下地金属層」として具体的に特定されていない点。

＜相違点２”＞

「金属層」が、本願発明７においては、「Ｃｕ、Ｎｉ－Ｃｕ合金、Ｃｒを７質量％以下含むＮｉ－Ｃｒ合金のいずれかからなる」ものであるのに対し、引用方法発明においては、「密着層」の要件として、「層の全体１００原子％において、チタン、ニッケル、及びクロム元素の合計含有量（原子数基準）が、５０原子％以上１００原子％」と規定しているものの、「密着層」として、「ニッケル」と「クロム」とを選択した場合に、「クロム」単独の質量の割合を具体的に特定していない点。

＜相違点３”＞

本願発明７は、「前記第１黒化層に含まれる金属成分のうち、ニッケルの割合が２０質量％以上７０質量％以下である」との構成を備えるのに対し、引用方法発明においては、「黒化層」の要件として、「層の全体１００原子％において、銅およびニッケルの合計含有量（原子数基準）が５０原子％以上９５原子％以下の層」と規定しているものの、「黒化層」として「酸化銅」と「酸化ニッケル」とを選択した場合における「ニッケル」単独の質量の割合を具体的に特定していない点。

（３）相違点についての判断

事案に鑑みて、先に相違点３”について検討するに、相違点３”は、前記１（２）の相違点３に対応したものであり、前記１（３）で述べた理由と同様の理由により、相違点３”に係る本願発明７の構成も、当業者が、引用発明に基づいて、引用文献２に記載された周知技術、本願出願時の技術常識を参酌することにより、容易に想到することができたものではない。

よって、他の相違点について検討するまでもなく、本願発明７は、当業者であっても、引用文献１及び２に記載された発明に基いて容易に発明をすることができたものとはいえない。

６ 本願発明８及び９について

本願発明８及び９は、本願発明７と同一の構成を備えるものであるから、本願発明７と同じ理由により、当業者であっても、引用文献１及び２に記載された発明に基いて容易に発明をすることができたものとはいえない。

７ 本願発明１０について

本願発明１０は、本願発明７ないし９に係る「積層体基板の製造方法」により得られた「積層体基板」に対する「エッチング工程」を行う「導電性基板の製造方法」の発明である。

よって、本願発明１０は、本願発明７ないし９の構成（相違点３”に係る本願発明７の構成を含む。）を前提とするものであるから、本願発明７ないし９と同様に、当業者であっても、引用文献１及び２に記載された発明に基いて容易に発明をすることができたものとはいえない。

８ 本願発明１１について

本願発明１１は、本願発明１０と同一の構成を備えるものであるから、本願発明１０と同じ理由により、当業者であっても、引用文献１及び２に記載された発明に基いて容易に発明をすることができたものとはいえない。

第６ 原査定について

前記第５で述べたとおり、本願発明１ないし１１は、当業者が、引用文献１及び２に記載された発明に基いて容易に発明をすることができたものとはいえないから、原査定の理由を維持することはできない。

第７ むすび

以上のとおり、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。

また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。

よって、結論のとおり審決する。