2021-007963

第２ 原査定の概要

原査定（令和３年３月１６日付け拒絶査定）の概要は次のとおりである。

１．本願請求項１－６に係る発明は，以下の引用文献１，２に基づいて，その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下，「当業者」という。）が容易に発明できたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。

引用文献等一覧

１．特開２００８－２０６３４５号公報

２．国際公開第２０１６／０２１３１４号

第３ 審判請求時の補正について

審判請求時の補正は，特許法第１７条の２第３項から第６項までの要件に違反しているものとはいえない。

審判請求時の補正によって請求項１に「半導体素子（１１）とダイオード（１２）の並列接続の組を２組直列接続して内蔵する半導体モジュール（１０）と，上記半導体モジュールの複数によって構成された」という事項を追加する補正は，補正前の請求項１の発明特定事項である「電力変換回路」が有する「三相交流モータ（５２）のための３つの相（６ａ，６ｂ，６ｃ）」を限定的に減縮するものであるから，特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。

また，「半導体素子（１１）とダイオード（１２）の並列接続の組を２組直列接続して内蔵する半導体モジュール（１０）と，上記半導体モジュールの複数によって構成された，三相交流モータ（５２）のための３つの相（６ａ，６ｂ，６ｃ）」という事項は，当初明細書の段落００１７，００２６，００２８及び図２－図４に記載されているから，当初明細書等に記載された事項であり，新規事項を追加するものではないといえる。

そして，「第４ 本願発明」から「第６ 対比・判断」までに示すように，補正後の請求項１－６に係る発明は，独立特許要件を満たすものである。

第４ 本願発明

本願請求項１－６に係る発明（以下，それぞれ「本願発明１」－「本願発明６」という。）は，令和３年６月１７日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１－６に記載された事項により特定される発明であり，本願発明１は以下のとおりの発明である。

「 【請求項１】

電源（３）から供給される電力を変換して出力する電力変換回路（２）と，上記電力変換回路を制御する制御部（８）と，を備えた電力変換装置（１）であって，

上記電力変換回路は，半導体素子（１１）とダイオード（１２）の並列接続の組を２組直列接続して内蔵する半導体モジュール（１０）と，上記半導体モジュールの複数によって構成された，三相交流モータ（５２）のための３つの相（６ａ，６ｂ，６ｃ）と，を有し，

上記３つの相はいずれも，上記電源の高電位側端子（３ａ）に接続された上アーム（２ａ）と上記電源の低電位側端子（３ｂ）に接続された下アーム（２ｂ）とのそれぞれにおいて複数の半導体素子（１１）が互いに並列接続された並列接続相として構成されており，

上記制御部は，上記３つの相の中で使用時の素子温度が最も高いと予測される半導体素子（１１ａ）を備える相の上記上アーム及び上記下アームのいずれか一方を対象アームとして，上記対象アームの互いに並列接続された複数の半導体素子（１１）の間に異なる大きさの電流が流れる電流アンバランス状態を考慮して上記複数の半導体素子の全ての素子温度についての温度情報を検出し，検出した上記温度情報と設定した閾値（Ｔｒ）とに基づいて上記電力変換回路の過熱保護制御を行う，電力変換装置（１）。」

また，本願発明２－６は，本願発明１を減縮した発明である。

第５ 引用文献，引用発明等

１．引用文献１について

（１）原査定の拒絶の理由に引用された引用文献１（特開２００８－２０６３４５号公報）には，図面とともに次の事項が記載されている。（下線は当審で付加。以下同様。）

ア 「【００３３】

（実施例３）

本例も，図３に示すごとく，複数の電力変換装置１が一体化された状態にある例であるが，各電力変換装置１における被検モジュール２０の位置を具体的に検討した例である。

本例の電力変換装置１は，電気自動車又はハイブリッド自動車に搭載され，その駆動源となる３相交流電力を生成するものである。

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【００３４】

そして，上記第１の電力変換装置１１は，主に回転機で発生したに交流電力を回生するインバータである。また，上記第２の電力変換装置１２は，直流電源から供給される直流電力を昇圧し，一方回転機で発生した交流電力を直流電源へ回生する双方向昇降圧コンバータである。また，第３の電力変換装置１３は，主駆動用の回転機に供給する交流電力を生成するインバータである。また，第４の電力変換装置１４は，補助駆動用の回転機に供給する交流電力を生成するインバータである。

【００３５】

昇降圧コンバータである第２の電力変換装置１２と，主に回転機で発生した交流電力を回生するインバータである第１の電力変換装置１１とを組合わせた電力変換回路の回路図を図４に示す。

第１の電力変換装置１１及び第２の電力変換装置１２には，ＩＧＢＴ素子等の半導体素子２１３とダイオード２１４と温度検出素子２１５を内蔵した半導体モジュール２がそれぞれ複数配設されている。

【００３６】

第１の電力変換装置１１及び第２の電力変換装置１２において，電源５２の正極端子側（図面の上側）の半導体モジュール２を上アームの半導体モジュールといい，電源５２の負極端子側（図面の下側）の半導体モジュール２を下アームの半導体モジュールという。即ち，図４において破線ｕにて囲んだものが上アームの半導体モジュール２であり，破線ｄにて囲んだものが下アームの半導体モジュール２である。上アームの半導体モジュール２と下アームの半導体モジュール２とは互いに直列接続されて一対をなしている。そして，第１の電力変換装置１１においては，上アームの半導体モジュール２と下アームの半導体モジュール２との間に，三相の交流モータである回転機５１のＵ相，Ｖ相，Ｗ相の各電極へ接続されるパワー配線４１が接続されている。

【００３７】

第２の電力変換装置１２には，入力電圧を昇圧するためのリアクトル４３が配設されている。

また，第２の電力変換装置１２の電源５２側には，コンデンサ４２１が接続されている。該コンデンサ４２１は，直流の電源５２から昇降圧コンバータである第２の電力変換装置１２に入力される電源電流に含まれるリプル電流を吸収して，電源電圧を安定化する。

【００３８】

また，第１の電力変換装置１１と第２の電力変換装置１２との間には，コンデンサ４２２が接続されている。コンデンサ４２２は，断続電流となる第２の電力変換装置１２の出力電圧を平滑化して，安定した直流電圧を第１の電力変換装置１１に入力させる。

【００３９】

なお，第３の電力変換装置１３及び第４の電力変換装置１４も，上記第１の電力変換装置１１と略同様の回路構成を有している。

また，直列接続された一対の上下アームの半導体モジュール２は，互いに共通の冷却管３１の間に配設されており，上アームの半導体モジュール２が冷却管３１の上流側，下アームの半導体モジュール２が冷却管３１の下流側の位置に配されている。

【００４０】

そして，本例においては，各電力変換装置１（１１?１４）における被検モジュール２０を，図３に示すように配置している。即ち，第１の電力変換装置１１については，中央の下アーム（冷媒流路の下流側）の半導体モジュール２を被検モジュール２０とした。

また，第２の電力変換装置１２については，右端の上下アームの２つの半導体モジュール２を被検モジュール２０とした。第３の電力変換装置１３については，右端から３列目の下アームの半導体モジュール２を被検モジュール２０とした。第４の電力変換装置１４については，左端の下アームの半導体モジュール２を被検モジュール２０とした。なお，ここで，「右」，「左」は，図３における左右方向を基準にしたものである。

【００４１】

次に，上記のごとく各電力変換装置１において，いずれの半導体モジュール２を被検モジュール２０とするかについての決定方法を説明する。

まず，第１の電力変換装置１１について検討する。

第１の電力変換装置１の６個の半導体モジュール２に対しては，基本的には均等に被制御電流が流れる。なお，ここで，均等とは，熱的平衡状態が実現される程度の時間で見たときに均等であることを意味し，瞬間的な通電量の均等を意味するものではない。以下においても同様である。

【００４２】

そして第１の電力変換装置１１には，第２の電力変換装置１２が隣接配置しているが，この第２の電力変換装置１２は，第１の電力変換装置１１よりも発熱量が小さい。よって，第１の電力変換装置１１における中央の上下アームの２つの半導体モジュール２が被検モジュール２０の候補となる。

この２つの半導体モジュール２のうち，下アームの半導体モジュール２は冷却管３１の下流側に位置している。そのため，この下アームの半導体モジュール２を被検モジュール２０とする。即ち，第１の電力変換装置１１については，中央の下アームの半導体モジュール２が被検モジュール２０となる。

【００４３】

次に，第２の電力変換装置１２について検討する。

第２の電力変換装置１２は，３つの互いに並列接続された半導体モジュール２が，上アーム側と下アーム側との双方に配されている。それ故，並列接続された３つの半導体モジュール２には均等に電流が流れる。

【００４４】

そして，第２の電力変換装置１２は，左側に第１の電力変換装置１１が隣接しており，右側に第３の電力変換装置１３が隣接している。第１の電力変換装置１１は，第２の電力変換装置１２よりも発熱量は小さいが，第３の電力変換装置１３は，第２の電力変換装置１２よりも発熱量が大きい。そのため，右端，即ち第３の電力変換装置１３に最も近い上下アームの半導体モジュール２が被検モジュール２０の候補となる。

【００４５】

次に，上アームよりも下アームの半導体モジュール２のほうが，冷却管３１の下流側になるため，下アームの半導体モジュール２のみを被検モジュール２０とすることも考えられる。

しかしながら，第２の電力変換装置１２は，昇降圧コンバータであって，上アームの半導体モジュール２と下アームの半導体モジュール２とには，必ずしも均等に電流が流れない。即ち，回生時には，上アームの半導体モジュール２に電流が流れ，昇圧時には下アームの半導体モジュール２に電流が流れる。それ故，電力変換装置１２の運転方法によって，上下アームの半導体モジュール２のうちの何れのほうが通電量が大きくなるかは変動する。

【００４６】

それ故，上アームの半導体モジュール２の温度上昇が下アームの半導体モジュール２の温度上昇よりも大きくなることもあれば，その逆の現象もあり得る。

従って，上アームと下アームの一方のみを被検モジュール２０とすることはできず，両者を被検モジュール２０とする必要がある。

即ち，第２の電力変換装置１２においては，その右端の上下アームの２個の半導体モジュール２を被検モジュール２０とする。

【００４７】

次に，第３の電力変換装置１３について検討する。

第３の電力変換装置１３は，左端から１列目と２列目の半導体モジュール２，３列目と４列目の半導体モジュール２，５列目と６列目の半導体モジュール２が，それぞれ互いに並列接続されている。そして，基本的に全ての半導体モジュール２に均等に電流が流れる。

【００４８】

また，第３の電力変換装置１３には，第２の電力変換装置１２と第４の電力変換装置１４とが隣接しているが，何れも第３の電力変換装置１３よりも発熱量が小さい。それ故，６列の半導体モジュール２の中では，中央の２列，即ち，左から３列目，４列目の半導体モジュール２が温度上昇しやすい。この２列の半導体モジュール２のうち，冷却器３の冷媒入口３３１から遠い方である第４列目の半導体モジュール２の方が冷却効率が低いため，より温度上昇しやすい。

更に，上アームよりも下アームの半導体モジュール２の方が冷却効率が低いため，温度上昇がしやすい。従って，左から４列目の下アームの半導体モジュール２が，被検モジュール２０となる。

【００４９】

次に，第４の電力変換装置１４につき検討する。

第４の電力変換装置１４は，６個の半導体モジュール２に基本的に均等に電流が流れる。

ただし，第４の電力変換装置１４には，左側にのみ，より発熱量の大きい第３の電力変換装置１３が隣接している。それ故，左端の２つの半導体モジュール２が被検モジュール２０の候補となる。

そして，上アームよりも下アームの半導体モジュール２の方が冷却効率が低いため，温度上昇がしやすい。従って，左端の下アームの半導体モジュール２が，被検モジュール２０となる。

【００５０】

以上のようにして，発熱のしやすさ，冷却のされやすさ等，種々の観点から，各電力変換装置１における最も温度上昇しやすい半導体モジュール２を選んで，被検モジュール２０とする。

これにより，一層確実に各電力変換装置１の熱保護を行うことができる。」

イ 「【００５９】

（実施例６）

本例は，図７に示すごとく，並列接続された３個の半導体モジュール２における半導体素子の温度情報の全てを電力変換装置１の制御部１９へ送信し，制御部１９は，３個の温度情報のうち最も高い温度情報を有する半導体モジュール２を被検モジュール２０として認定するよう構成した例である。

即ち，上記３個の半導体モジュール２の温度検出素子２１５は，全て制御部１９に接続されている。

【００６０】

そして，制御部１９は，被検モジュール２０として認定した半導体モジュール２の温度を基に，全ての半導体モジュール２への通電の遮断を行ったり，被制御電力を低下させたりする。

その他は，実施例１と同様である。

【００６１】

本例の場合には，並列接続された３個の半導体モジュール２のうち，実際に最も温度上昇したものを被検モジュール２０とするため，確実に電力変換装置１の熱保護を行うことができる。」

ウ 「【００６２】

【図１】実施例１における，電力変換装置の平面図。

【図２】実施例２における，複数の電力変換装置の複合体の平面図。

【図３】実施例３における，複数の電力変換装置の複合体の平面図。

【図４】実施例３における，電力変換回路の回路図。

【図５】実施例４における，複数の電力変換装置の複合体の平面図。

【図６】実施例５における，電力変換回路の一部の回路図。

【図７】実施例６における，電力変換回路の一部の回路図。」

エ 「図３

［図：0001382299000001.jpg］

」

オ 「図４

［図：0001382299000002.jpg］

」

カ 「図７

［図：0001382299000003.jpg］

」

（２）引用発明

引用文献１の上記記載について検討する。

ア 上記（１）アの段落【００３３】の「図３に示すごとく，複数の電力変換装置１が一体化された状態にある」との記載，上記（１）ウの「複数の電力変換装置の複合体の平面図」との記載，及び上記（１）エに摘記した図３の記載から，引用文献１には，「複数の電力変換装置１が一体化された状態にある複数の電力変換装置の複合体」が記載されていると認められる。

イ 上記（１）アの段落【００３３】の「電力変換装置１は，電気自動車又はハイブリッド自動車に搭載され，その駆動源となる３相交流電力を生成するものである」との記載から，引用文献１には，「電力変換装置１は，電気自動車又はハイブリッド自動車に搭載され，その駆動源となる３相交流電力を生成するものであ」ることが記載されていると認められる。

ウ 上記（１）アの段落【００３４】の「上記第１の電力変換装置１１は，主に回転機で発生したに交流電力を回生するインバータである。また，上記第２の電力変換装置１２は，直流電源から供給される直流電力を昇圧し，一方回転機で発生した交流電力を直流電源へ回生する双方向昇降圧コンバータである。また，第３の電力変換装置１３は，主駆動用の回転機に供給する交流電力を生成するインバータである。また，第４の電力変換装置１４は，補助駆動用の回転機に供給する交流電力を生成するインバータである。」との記載，及び上記（１）エに摘記した図３の記載から，引用文献１には，「第１の電力変換装置１１は，主に回転機で発生した交流電力を回生するインバータであり，第２の電力変換装置１２は，直流電源から供給される直流電力を昇圧し，一方回転機で発生した交流電力を直流電源へ回生する双方向昇降圧コンバータであり，第３の電力変換装置１３は，主駆動用の回転機に供給する交流電力を生成するインバータであり，第４の電力変換装置１４は，補助駆動用の回転機に供給する交流電力を生成するインバータであ」ることが記載されていると認められる。

エ 上記（１）アの段落【００３５】の「第１の電力変換装置１１及び第２の電力変換装置１２には，ＩＧＢＴ素子等の半導体素子２１３とダイオード２１４と温度検出素子２１５を内蔵した半導体モジュール２がそれぞれ複数配設されている」との記載，及び上記（１）オに摘記した図４の記載から，引用文献１には，「第１の電力変換装置１１及び第２の電力変換装置１２には，ＩＧＢＴ素子等の半導体素子２１３とダイオード２１４と温度検出素子２１５を内蔵した半導体モジュール２がそれぞれ複数配設されて」いることが記載されていると認められる。

オ 上記（１）アの段落【００３６】の「第１の電力変換装置１１及び第２の電力変換装置１２において，電源５２の正極端子側（図面の上側）の半導体モジュール２を上アームの半導体モジュールといい，電源５２の負極端子側（図面の下側）の半導体モジュール２を下アームの半導体モジュールという。即ち，図４において破線ｕにて囲んだものが上アームの半導体モジュール２であり，破線ｄにて囲んだものが下アームの半導体モジュール２である。上アームの半導体モジュール２と下アームの半導体モジュール２とは互いに直列接続されて一対をなしている。そして，第１の電力変換装置１１においては，上アームの半導体モジュール２と下アームの半導体モジュール２との間に，三相の交流モータである回転機５１のＵ相，Ｖ相，Ｗ相の各電極へ接続されるパワー配線４１が接続されている。」との記載，及び上記（１）オに摘記した図４の記載から，引用文献１には，「第１の電力変換装置１１及び第２の電力変換装置１２において，電源５２の正極端子側の半導体モジュール２を上アームの半導体モジュールといい，電源５２の負極端子側の半導体モジュール２を下アームの半導体モジュールといい，上アームの半導体モジュール２と下アームの半導体モジュール２とは互いに直列接続されて一対をなしており，第１の電力変換装置１１においては，上アームの半導体モジュール２と下アームの半導体モジュール２との間に，三相の交流モータである回転機５１のＵ相，Ｖ相，Ｗ相の各電極へ接続されるパワー配線４１が接続されて」いることが記載されていると認められる。

カ 上記（１）アの段落【００３９】の「第３の電力変換装置１３及び第４の電力変換装置１４も，上記第１の電力変換装置１１と略同様の回路構成を有している。」，「また，直列接続された一対の上下アームの半導体モジュール２は，互いに共通の冷却管３１の間に配設されており，上アームの半導体モジュール２が冷却管３１の上流側，下アームの半導体モジュール２が冷却管３１の下流側の位置に配されている。」との記載，及び上記（１）エに摘記した図３の記載から，引用文献１には，「第３の電力変換装置１３も，上記第１の電力変換装置１１と略同様の回路構成を有しており，直列接続された一対の上下アームの半導体モジュール２は，互いに共通の冷却管３１の間に配設されており，上アームの半導体モジュール２が冷却管３１の上流側，下アームの半導体モジュール２が冷却管３１の下流側の位置に配されて」いることが記載されていると認められる。

キ 上記（１）アの段落【００４１】の「各電力変換装置１において，いずれの半導体モジュール２を被検モジュール２０とするかについての決定方法」との記載から，引用文献１には，「各電力変換装置１において，いずれの半導体モジュール２を被検モジュール２０とするかについての決定方法」が記載されていると認められる。

ク 上記（１）アの段落【００４１】の「第１の電力変換装置１の６個の半導体モジュール２に対しては，基本的には均等に被制御電流が流れる。なお，ここで，均等とは，熱的平衡状態が実現される程度の時間で見たときに均等であることを意味し，瞬間的な通電量の均等を意味するものではない。」との記載，及び段落【００４２】の「そして第１の電力変換装置１１には，第２の電力変換装置１２が隣接配置しているが，この第２の電力変換装置１２は，第１の電力変換装置１１よりも発熱量が小さい。よって，第１の電力変換装置１１における中央の上下アームの２つの半導体モジュール２が被検モジュール２０の候補となる。」，「この２つの半導体モジュール２のうち，下アームの半導体モジュール２は冷却管３１の下流側に位置している。そのため，この下アームの半導体モジュール２を被検モジュール２０とする。」との記載から，引用文献１には，「第１の電力変換装置１の６個の半導体モジュール２に対しては，基本的には均等に被制御電流が流れ，ここで，均等とは，熱的平衡状態が実現される程度の時間で見たときに均等であることを意味し，瞬間的な通電量の均等を意味するものではなく，第１の電力変換装置１１には，第２の電力変換装置１２が隣接配置しているが，この第２の電力変換装置１２は，第１の電力変換装置１１よりも発熱量が小さいので，第１の電力変換装置１１における中央の上下アームの２つの半導体モジュール２が被検モジュール２０の候補となり，この２つの半導体モジュール２のうち，下アームの半導体モジュール２は冷却管３１の下流側に位置しているため，この下アームの半導体モジュール２を被検モジュール２０と」することが記載されていると認められる。

ケ 上記（１）アの段落【００４３】の「第２の電力変換装置１２は，３つの互いに並列接続された半導体モジュール２が，上アーム側と下アーム側との双方に配されている。それ故，並列接続された３つの半導体モジュール２には均等に電流が流れる。」との記載，段落【００４４】の「そして，第２の電力変換装置１２は，左側に第１の電力変換装置１１が隣接しており，右側に第３の電力変換装置１３が隣接している。第１の電力変換装置１１は，第２の電力変換装置１２よりも発熱量は小さいが，第３の電力変換装置１３は，第２の電力変換装置１２よりも発熱量が大きい。そのため，右端，即ち第３の電力変換装置１３に最も近い上下アームの半導体モジュール２が被検モジュール２０の候補となる。」との記載，段落【００４５】の「次に，上アームよりも下アームの半導体モジュール２のほうが，冷却管３１の下流側になるため，下アームの半導体モジュール２のみを被検モジュール２０とすることも考えられる。」，「しかしながら，第２の電力変換装置１２は，昇降圧コンバータであって，上アームの半導体モジュール２と下アームの半導体モジュール２とには，必ずしも均等に電流が流れない。」，「それ故，電力変換装置１２の運転方法によって，上下アームの半導体モジュール２のうちの何れのほうが通電量が大きくなるかは変動する。」との記載，及び段落【００４６】の「従って，上アームと下アームの一方のみを被検モジュール２０とすることはできず，両者を被検モジュール２０とする必要がある。」との記載から，引用文献１には，「第２の電力変換装置１２は，３つの互いに並列接続された半導体モジュール２が，上アーム側と下アーム側との双方に配されているので，並列接続された３つの半導体モジュール２には均等に電流が流れ，第２の電力変換装置１２は，左側に第１の電力変換装置１１が隣接しており，右側に第３の電力変換装置１３が隣接していて，第１の電力変換装置１１は，第２の電力変換装置１２よりも発熱量は小さいが，第３の電力変換装置１３は，第２の電力変換装置１２よりも発熱量が大きいため，右端，即ち第３の電力変換装置１３に最も近い上下アームの半導体モジュール２が被検モジュール２０の候補となり，次に，上アームよりも下アームの半導体モジュール２のほうが，冷却管３１の下流側になるため，下アームの半導体モジュール２のみを被検モジュール２０とすることも考えられるが，第２の電力変換装置１２は，昇降圧コンバータであって，上アームの半導体モジュール２と下アームの半導体モジュール２とには，必ずしも均等に電流が流れない，即ち，電力変換装置１２の運転方法によって，上下アームの半導体モジュール２のうちの何れのほうが通電量が大きくなるかは変動するので，上アームと下アームの一方のみを被検モジュール２０とすることはできず，両者を被検モジュール２０とする必要があ」ることが記載されていると認められる。

コ 上記（１）アの段落【００４７】の「第３の電力変換装置１３は，左端から１列目と２列目の半導体モジュール２，３列目と４列目の半導体モジュール２，５列目と６列目の半導体モジュール２が，それぞれ互いに並列接続されている。そして，基本的に全ての半導体モジュール２に均等に電流が流れる。」との記載，及び段落【００４８】の「また，第３の電力変換装置１３には，第２の電力変換装置１２と第４の電力変換装置１４とが隣接しているが，何れも第３の電力変換装置１３よりも発熱量が小さい。それ故，６列の半導体モジュール２の中では，中央の２列，即ち，左から３列目，４列目の半導体モジュール２が温度上昇しやすい。この２列の半導体モジュール２のうち，冷却器３の冷媒入口３３１から遠い方である第４列目の半導体モジュール２の方が冷却効率が低いため，より温度上昇しやすい。」，「更に，上アームよりも下アームの半導体モジュール２の方が冷却効率が低いため，温度上昇がしやすい。従って，左から４列目の下アームの半導体モジュール２が，被検モジュール２０となる。」との記載から，引用文献１には，「第３の電力変換装置１３は，左端から１列目と２列目の半導体モジュール２，３列目と４列目の半導体モジュール２，５列目と６列目の半導体モジュール２が，それぞれ互いに並列接続されており，基本的に全ての半導体モジュール２に均等に電流が流れ，第３の電力変換装置１３には，第２の電力変換装置１２と第４の電力変換装置１４とが隣接しているが，何れも第３の電力変換装置１３よりも発熱量が小さいので，６列の半導体モジュール２の中では，中央の２列，即ち，左から３列目，４列目の半導体モジュール２が温度上昇しやすく，この２列の半導体モジュール２のうち，冷却器３の冷媒入口３３１から遠い方である第４列目の半導体モジュール２の方が冷却効率が低いため，より温度上昇しやすく，更に，上アームよりも下アームの半導体モジュール２の方が冷却効率が低いため，温度上昇がしやすいので，左から４列目の下アームの半導体モジュール２が，被検モジュール２０とな」ることが記載されていると認められる。

サ 上記（１）アの段落【００４９】の「第４の電力変換装置１４は，６個の半導体モジュール２に基本的に均等に電流が流れる。」，「ただし，第４の電力変換装置１４には，左側にのみ，より発熱量の大きい第３の電力変換装置１３が隣接している。それ故，左端の２つの半導体モジュール２が被検モジュール２０の候補となる。」，「そして，上アームよりも下アームの半導体モジュール２の方が冷却効率が低いため，温度上昇がしやすい。従って，左端の下アームの半導体モジュール２が，被検モジュール２０となる。」との記載から，引用文献１には，「第４の電力変換装置１４は，６個の半導体モジュール２に基本的に均等に電流が流れ，第４の電力変換装置１４には，左側にのみ，より発熱量の大きい第３の電力変換装置１３が隣接しているので，左端の２つの半導体モジュール２が被検モジュール２０の候補となり，上アームよりも下アームの半導体モジュール２の方が冷却効率が低いため，温度上昇がしやすいので，左端の下アームの半導体モジュール２が，被検モジュール２０とな」ることが記載されていると認められる。

シ 上記（１）アの段落【００５０】の「発熱のしやすさ，冷却のされやすさ等，種々の観点から，各電力変換装置１における最も温度上昇しやすい半導体モジュール２を選んで，被検モジュール２０とする。」，「これにより，一層確実に各電力変換装置１の熱保護を行うことができる。」との記載から，引用文献１には，「発熱のしやすさ，冷却のされやすさ等，種々の観点から，各電力変換装置１における最も温度上昇しやすい半導体モジュール２を選んで，被検モジュール２０とすることにより，一層確実に各電力変換装置１の熱保護を行うことができる」ことが記載されていると認められる。

ス 上記ア～シより，上記引用文献１には次の発明（以下，「引用発明」という。）が記載されていると認められる。

「複数の電力変換装置１が一体化された状態にある複数の電力変換装置の複合体であって，

電力変換装置１は，電気自動車又はハイブリッド自動車に搭載され，その駆動源となる３相交流電力を生成するものであり，

第１の電力変換装置１１は，主に回転機で発生した交流電力を回生するインバータであり，第２の電力変換装置１２は，直流電源から供給される直流電力を昇圧し，一方回転機で発生した交流電力を直流電源へ回生する双方向昇降圧コンバータであり，第３の電力変換装置１３は，主駆動用の回転機に供給する交流電力を生成するインバータであり，第４の電力変換装置１４は，補助駆動用の回転機に供給する交流電力を生成するインバータであり，

第１の電力変換装置１１及び第２の電力変換装置１２には，ＩＧＢＴ素子等の半導体素子２１３とダイオード２１４と温度検出素子２１５を内蔵した半導体モジュール２がそれぞれ複数配設されており，

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第１の電力変換装置１１及び第２の電力変換装置１２において，電源５２の正極端子側の半導体モジュール２を上アームの半導体モジュールといい，電源５２の負極端子側の半導体モジュール２を下アームの半導体モジュールといい，上アームの半導体モジュール２と下アームの半導体モジュール２とは互いに直列接続されて一対をなしており，第１の電力変換装置１１においては，上アームの半導体モジュール２と下アームの半導体モジュール２との間に，三相の交流モータである回転機５１のＵ相，Ｖ相，Ｗ相の各電極へ接続されるパワー配線４１が接続されており，

第３の電力変換装置１３も，上記第１の電力変換装置１１と略同様の回路構成を有しており，直列接続された一対の上下アームの半導体モジュール２は，互いに共通の冷却管３１の間に配設されており，上アームの半導体モジュール２が冷却管３１の上流側，下アームの半導体モジュール２が冷却管３１の下流側の位置に配されており，

各電力変換装置１において，いずれの半導体モジュール２を被検モジュール２０とするかについての決定方法において，

第１の電力変換装置１の６個の半導体モジュール２に対しては，基本的には均等に被制御電流が流れ，ここで，均等とは，熱的平衡状態が実現される程度の時間で見たときに均等であることを意味し，瞬間的な通電量の均等を意味するものではなく，第１の電力変換装置１１には，第２の電力変換装置１２が隣接配置しているが，この第２の電力変換装置１２は，第１の電力変換装置１１よりも発熱量が小さいので，第１の電力変換装置１１における中央の上下アームの２つの半導体モジュール２が被検モジュール２０の候補となり，この２つの半導体モジュール２のうち，下アームの半導体モジュール２は冷却管３１の下流側に位置しているため，この下アームの半導体モジュール２を被検モジュール２０とし，

第２の電力変換装置１２は，３つの互いに並列接続された半導体モジュール２が，上アーム側と下アーム側との双方に配されているので，並列接続された３つの半導体モジュール２には均等に電流が流れ，第２の電力変換装置１２は，左側に第１の電力変換装置１１が隣接しており，右側に第３の電力変換装置１３が隣接していて，第１の電力変換装置１１は，第２の電力変換装置１２よりも発熱量は小さいが，第３の電力変換装置１３は，第２の電力変換装置１２よりも発熱量が大きいため，右端，即ち第３の電力変換装置１３に最も近い上下アームの半導体モジュール２が被検モジュール２０の候補となり，次に，上アームよりも下アームの半導体モジュール２のほうが，冷却管３１の下流側になるため，下アームの半導体モジュール２のみを被検モジュール２０とすることも考えられるが，第２の電力変換装置１２は，昇降圧コンバータであって，上アームの半導体モジュール２と下アームの半導体モジュール２とには，必ずしも均等に電流が流れない，即ち，電力変換装置１２の運転方法によって，上下アームの半導体モジュール２のうちの何れのほうが通電量が大きくなるかは変動するので，上アームと下アームの一方のみを被検モジュール２０とすることはできず，両者を被検モジュール２０とする必要があり，

第３の電力変換装置１３は，左端から１列目と２列目の半導体モジュール２，３列目と４列目の半導体モジュール２，５列目と６列目の半導体モジュール２が，それぞれ互いに並列接続されており，基本的に全ての半導体モジュール２に均等に電流が流れ，第３の電力変換装置１３には，第２の電力変換装置１２と第４の電力変換装置１４とが隣接しているが，何れも第３の電力変換装置１３よりも発熱量が小さいので，６列の半導体モジュール２の中では，中央の２列，即ち，左から３列目，４列目の半導体モジュール２が温度上昇しやすく，この２列の半導体モジュール２のうち，冷却器３の冷媒入口３３１から遠い方である第４列目の半導体モジュール２の方が冷却効率が低いため，より温度上昇しやすく，更に，上アームよりも下アームの半導体モジュール２の方が冷却効率が低いため，温度上昇がしやすいので，左から４列目の下アームの半導体モジュール２が，被検モジュール２０となり，

第４の電力変換装置１４は，６個の半導体モジュール２に基本的に均等に電流が流れ，第４の電力変換装置１４には，左側にのみ，より発熱量の大きい第３の電力変換装置１３が隣接しているので，左端の２つの半導体モジュール２が被検モジュール２０の候補となり，上アームよりも下アームの半導体モジュール２の方が冷却効率が低いため，温度上昇がしやすいので，左端の下アームの半導体モジュール２が，被検モジュール２０となり，

発熱のしやすさ，冷却のされやすさ等，種々の観点から，各電力変換装置１における最も温度上昇しやすい半導体モジュール２を選んで，被検モジュール２０とすることにより，一層確実に各電力変換装置１の熱保護を行うことができる，

複数の電力変換装置の複合体。」

２．引用文献２について

（１）原査定の拒絶の理由に引用された引用文献２（国際公開第２０１６／０２１３１４号）には，次の事項が記載されている。

ア 「[0026] 図４は，インバータ４の各相の特性等を示す表図である。

[0027] 配線インダクタンスは，上述のように，配線の長さが長いほど大きいので，Ｕ相に係る配線インダクタンスＬｕと，Ｖ相に係る配線インダクタンスＬｖと，Ｗ相に係る配線インダクタンスＬｗとの関係は，Ｌｕ＞Ｌｖ＞Ｌｗである。

[0028] スイッチング速度とは，スイッチング素子Ｑ１乃至Ｑ６のようなスイッチング素子がオフ状態からオン状態（又はオン状態からオフ状態）へと切り替わる際の速度を意味する。スイッチング速度は，駆動ライン７１乃至７６の抵抗Ｒ１乃至Ｒ６が小さいほど速くなる。上述のように，Ｒ５，Ｒ６＜Ｒ３，Ｒ４＜Ｒ１，Ｒ２であるので，Ｕ相に係るスイッチング速度Ｖｕと，Ｖ相に係るスイッチング速度Ｖｖと，Ｗ相に係るスイッチング速度Ｖｗとの関係は，Ｖｗ＞Ｖｖ＞Ｖｕである。

[0029] サージ電圧は，配線インダクタンスと電流変化率（ｄＩ／ｄｔ）の積に比例し，電流変化率は，スイッチング速度が速くなるほど大きくなる。Ｕ相は，配線インダクタンスＬｕが他の相よりも大きいが，スイッチング速度Ｖｕが他の相よりも小さい。逆に，Ｗ相は，配線インダクタンスＬｗが他の相よりも小さいが，スイッチング速度Ｖｗが他の相よりも大きい。Ｖ相は，配線インダクタンスＬｖ及びスイッチング速度Ｖｖは共に中間である。従って，サージ電圧は，各相において略同一となる。換言すると，各相のスイッチング速度は，好ましくは，各相の配線インダクタンスの相違を吸収してサージ電圧が同一となるように調整される。例えば，各相のスイッチング速度は，サージ電圧がスイッチング素子Ｑ１乃至Ｑ６の耐圧（共通）に対して同一のマージンを有するように設定される。

[0030] 発熱量は，スイッチング損失に比例し，スイッチング損失は，スイッチング速度が小さいほど大きくなる。従って，Ｕ相に係る発熱量Ｑｕと，Ｖ相に係る発熱量Ｑｖと，Ｗ相に係る発熱量Ｑｗとの関係は，Ｑｕ＞Ｑｖ＞Ｑｗである。

[0031] 冷媒の温度（ＬＬＣ水温）は，冷媒流路６０の上流側の方が低いので（第１上下アーム４１等から熱を奪いながら流れるため），Ｕ相を冷却する際のＬＬＣ水温Ｔｗｕと，Ｖ相を冷却する際のＬＬＣ水温Ｔｗｖと，Ｗ相を冷却する際のＬＬＣ水温Ｔｗｗとの関係は，Ｔｗｗ＞Ｔｗｖ＞Ｔｗｕである。

[0032] チップ温度は，発熱量と冷媒の温度との関係する。Ｕ相は，発熱量Ｑｕが他の相よりも大きいが，冷却に供されるＬＬＣ水温Ｔｗｕが他の相よりも低い。逆に，Ｗ相は，発熱量Ｑｕが他の相よりも小さいが，冷却に供されるＬＬＣ水温Ｔｗｗが他の相よりも高い。Ｖ相は，発熱量Ｑｖ及びＬＬＣ水温Ｔｗｖは共に中間である。従って，チップ温度は，各相において略同一となる。換言すると，冷媒の流れ方向は，各相の発熱量の相違を吸収してチップ温度が同一となるように決定される（図３Ａ及び図３Ｂ参照）。

[0033] このように本実施例によれば，Ｕ相に係るスイッチング速度Ｖｕと，Ｖ相に係るスイッチング速度Ｖｖと，Ｗ相に係るスイッチング速度Ｖｗとの関係が，Ｖｗ＞Ｖｖ＞Ｖｕであるので，Ｖｕ＝Ｖｖ＝Ｖｕとする構成に比べて，Ｖ相に係るスイッチング速度Ｖｖ及びＷ相に係るスイッチング速度Ｖｗが速くなる。これにより，Ｖ相に係る発熱量Ｑｖ及びＷ相に係る発熱量Ｑｗを低減できる。よって，インバータ４全体としてのスイッチング損失（発熱量）を効率的に低減できる。」

イ 「図２

［図：0001382299000004.jpg］

」

ウ 「図４

［図：0001382299000005.jpg］

」

３．引用文献Ａについて

（１）前置報告書において引用文献２として新たに引用された特開２０１１－１３５７２５号公報（以下，「引用文献Ａ」という。）には，次の事項が記載されている。

ア 「【００２７】

次に，本例の電力変換装置１の回路の説明をする。図３に示すごとく，電力変換装置１は，インバータ部１０ａと，コンバータ部１０ｂとから構成されている。コンバータ部１０ｂによって直流電源１１の電圧を昇圧し，インバータ部１０ａによって交流に変換する。インバータ部１０ａによって得られた交流電力を使って，三相交流モータ１２を駆動し，車両を走行させる。インバータ部１０ａは，図３に示すごとく，複数個の半導体モジュール２から構成されている。個々の半導体モジュール２は，２個のスイッチング素子２３（ＩＧＢＴ素子）と２個のフリーホイールダイオード２４を有する。三相交流モータ１２に接続される３本の交流端子２１Ｕ，２１Ｖ，２１Ｗのうち，２本の交流端子２１Ｕ，２１Ｖに電流センサ５が取り付けられている。」

イ 「図１

［図：0001382299000006.jpg］

」

ウ 「図３

［図：0001382299000007.jpg］

」

第６ 対比・判断

１．本願発明１について

（１）対比

本願発明１と引用発明とを対比すると，次のことがいえる。

ア 引用発明の「電力変換装置の複合体」は，当該「電力変換装置の複合体」を構成する「電力変換装置１」が「電気自動車又はハイブリッド自動車に搭載され」て，「その駆動源となる３相交流電力を生成する」ものである。そして，前記「電力変換装置の複合体」を構成する複数の「電力変換装置１」のうちの「第３の電力変換装置１３」は，「直流電源から供給される直流電力」から「主駆動用の回転機に供給する交流電力を生成するインバータ」であるから，引用発明の「直流電源から供給される直流電力」を変換して交流電力を生成する「第３の電力変換装置１３」は，本願発明１の「電源（３）から供給される電力を変換して出力する電力変換回路（２）」に相当する。

また，引用発明には，電力変換回路を制御する制御部は明示されていないものの，引用発明の電力変換装置がそのような制御部を備えていることは自明のことであるから，引用発明の「直流電源から供給される直流電力」を変換して交流電力を生成する「第３の電力変換装置１３」を含む「電力変換装置の複合体」は，本願発明１の「電源（３）から供給される電力を変換して出力する電力変換回路（２）と，上記電力変換回路を制御する制御部（８）と，を備えた電力変換装置（１）」に相当するといえる。

イ 引用発明において，「第１の電力変換装置１１及び第２の電力変換装置１２には，ＩＧＢＴ素子等の半導体素子２１３とダイオード２１４と温度検出素子２１５を内蔵した半導体モジュール２がそれぞれ複数配設されており」，「第３の電力変換装置１３も，上記第１の電力変換装置１１と略同様の回路構成を有して」いるものであるから，引用発明の「第３の電力変換装置１３」と本願発明１の「電力変換回路」とは，後記する点で相違するものの，“半導体モジュールを有”する点で共通している。

ウ 引用発明の「第１の電力変換装置１１」においては，「上アームの半導体モジュール２と下アームの半導体モジュール２との間に，三相の交流モータである回転機５１のＵ相，Ｖ相，Ｗ相の各電極へ接続されるパワー配線４１が接続されており」，これと「略同様の回路構成を有して」いるとされる「第３の電力変換装置１３」は，「直列接続された一対の上下アームの半導体モジュール２は，互いに共通の冷却管３１の間に配設されており，上アームの半導体モジュール２が冷却管３１の上流側，下アームの半導体モジュール２が冷却管３１の下流側の位置に配されており」，「左端から１列目と２列目の半導体モジュール２，３列目と４列目の半導体モジュール２，５列目と６列目の半導体モジュール２が，それぞれ互いに並列接続されて」いるものであるから，「第３の電力変換装置１３」は，左端から１列目と２列目の半導体モジュール２が互いに並列接続されて，三相の交流モータのＵ相，Ｖ相，Ｗ相のうちの第１の相を構成し，同様に，左端から３列目と４列目の半導体モジュール２が互いに並列接続されて，三相の交流モータのＵ相，Ｖ相，Ｗ相のうちの第２の相を構成し，左端から５列目と６列目の半導体モジュール２が互いに並列接続されて，三相の交流モータのＵ相，Ｖ相，Ｗ相のうちの第３の相を構成しているものと認められる。

そうすると，引用発明の「第３の電力変換装置１３」と本願発明１の「電力変換回路」とは，“半導体モジュールの複数によって構成された，三相交流モータ（５２）のための３つの相（６ａ，６ｂ，６ｃ）を有し”ている点で共通する。

エ 上記ウで検討したとおり，「第３の電力変換装置１３」は，左端から１列目と２列目の半導体モジュール２が互いに並列接続されて，三相の交流モータのＵ相，Ｖ相，Ｗ相のうちの第１の相を構成し，同様に，左端から３列目と４列目の半導体モジュール２が互いに並列接続されて，三相の交流モータのＵ相，Ｖ相，Ｗ相のうちの第２の相を構成し，左端から５列目と６列目の半導体モジュール２が互いに並列接続されて，三相の交流モータのＵ相，Ｖ相，Ｗ相のうちの第３の相を構成していることから，例えば第１の相においては，左端から１列目の「直列接続された一対の上下アームの半導体モジュール２」のうちの「上アームの半導体モジュール２」と，左端から２列目の「直列接続された一対の上下アームの半導体モジュール２」のうちの「上アームの半導体モジュール２」とが並列接続され，また，左端から１列目の「直列接続された一対の上下アームの半導体モジュール２」のうちの「下アームの半導体モジュール２」と，左端から２列目の「直列接続された一対の上下アームの半導体モジュール２」のうちの「下アームの半導体モジュール２」とが並列接続されているものと認められ，第２の相，第３の相においても，同様に並列接続されているものと認められる。

そうすると，引用発明と本願発明１とは，「上記３つの相はいずれも，上記電源の高電位側端子（３ａ）に接続された上アーム（２ａ）と上記電源の低電位側端子（３ｂ）に接続された下アーム（２ｂ）とのそれぞれにおいて複数の半導体素子（１１）が互いに並列接続された並列接続相として構成されて」いる点で共通する。

オ 引用発明では，「発熱のしやすさ，冷却のされやすさ等，種々の観点から，各電力変換装置１における最も温度上昇しやすい半導体モジュール２を選んで，被検モジュール２０とすることにより，一層確実に各電力変換装置１の熱保護を行うことができる」ものであるから，引用発明の「電力変換装置の複合体」と本願発明１の「電力変換装置（１）」とは，後記する点で相違するものの，「上記電力変換回路の過熱保護制御を行う」点で共通しているといえる。

カ 上記ア～オの検討から，本願発明１と引用発明との間には，次の一致点，相違点があるといえる。

（一致点）

電源（３）から供給される電力を変換して出力する電力変換回路（２）と，上記電力変換回路を制御する制御部（８）と，を備えた電力変換装置（１）であって，

上記電力変換回路は，半導体モジュール（１０）と，上記半導体モジュールの複数によって構成された，三相交流モータ（５２）のための３つの相（６ａ，６ｂ，６ｃ）と，を有し，

上記３つの相はいずれも，上記電源の高電位側端子（３ａ）に接続された上アーム（２ａ）と上記電源の低電位側端子（３ｂ）に接続された下アーム（２ｂ）とのそれぞれにおいて複数の半導体素子（１１）が互いに並列接続された並列接続相として構成されており，

上記電力変換回路の過熱保護制御を行う，電力変換装置（１）。

（相違点）

（相違点１）本願発明１の半導体モジュールは，「半導体素子（１１）とダイオード（１２）の並列接続の組を２組直列接続して内蔵する半導体モジュール（１０）」であるのに対して，引用発明の半導体モジュールは，「ＩＧＢＴ素子等の半導体素子２１３とダイオード２１４と温度検出素子２１５を内蔵した半導体モジュール２」であって，「ＩＧＢＴ素子等の半導体素子２１３とダイオード２１４と温度検出素子２１５」を「２組直列接続して内蔵する」というものではない点。

（相違点２）加熱保護制御を行う際に，本願発明１は，「上記制御部は，上記３つの相の中で使用時の素子温度が最も高いと予測される半導体素子（１１ａ）を備える相の上記上アーム及び上記下アームのいずれか一方を対象アームとして，上記対象アームの互いに並列接続された複数の半導体素子（１１）の間に異なる大きさの電流が流れる電流アンバランス状態を考慮して上記複数の半導体素子の全ての素子温度についての温度情報を検出し，検出した上記温度情報と設定した閾値（Ｔｒ）とに基づいて上記電力変換回路の過熱保護制御を行う」ものであるのに対し，引用発明は，そのような態様で加熱保護制御を行うものではない点。

（２）相違点についての判断

事案に鑑み，上記相違点２について先に検討する。

引用発明には，いずれの半導体モジュール２を被検モジュール２０とするかを決定する手法として，例えば，第１の電力変換装置１では，６個の半導体モジュール２に対して基本的には均等に被制御電流が流れると仮定し，まず，隣接配置されている電力変換装置の発熱量が大きいか否かを判断し，隣接する電力変換装置の発熱量が小さい場合には，自身の電力変換装置を構成する複数の半導体モジュール２のうちの中央に位置する上下アームの２つの半導体モジュール２を被検モジュールの候補とし，さらに，上下アームの２つの半導体モジュール２のうち下アームの半導体モジュール２は冷却管３１の下流側に位置しているためこれを被検モジュールと決定することが記載され，

また，第２の電力変換装置２では，３つの互いに並列接続された半導体モジュール２には均等に電流が流れると仮定し，右側に隣接している第３の電力変換装置１３の発熱量が大きいため，第３の電力変換装置１３に最も近い上下アームの半導体モジュール２のうちの下アームの半導体モジュール２を被検モジュール２０とすることが考えられるところ，第２の電力変換装置１２は，昇降圧コンバータであって，上アームの半導体モジュール２と下アームの半導体モジュール２とに必ずしも均等に電流が流れないことから，上アームと下アームの両方を被検モジュール２０と決定することが記載され，

第３の電力変換装置１３では，それぞれ互いに並列接続されている，左端から１列目と２列目の半導体モジュール２，３列目と４列目の半導体モジュール２，５列目と６列目の半導体モジュール２には均等に電流が流れると仮定し，第３の電力変換装置１３に隣接する第２の電力変換装置１２と第４の電力変換装置１４は何れも第３の電力変換装置１３よりも発熱量が小さいので，６列の半導体モジュール２の中では，中央の２列，即ち，左から３列目，４列目の半導体モジュール２が温度上昇しやすく，この２列の半導体モジュール２のうち，冷却器３の冷媒入口３３１から遠い方である第４列目の下アームの半導体モジュール２を被検モジュール２０と決定することが記載され，

さらに，第４の電力変換装置１４では，６個の半導体モジュール２には基本的に均等に電流が流れると仮定し，左側に発熱量の大きい第３の電力変換装置１３が隣接しているので，左端の２つの半導体モジュール２のうち下アームの半導体モジュール２を被検モジュール２０と決定することが記載されている。

これらの記載によれば，引用発明は，例えば，発熱のしやすさ，冷却のされやすさ等，種々の観点から，各電力変換装置１における最も温度上昇しやすい半導体モジュール２を被検モジュール２０と決定することにより，一層確実に各電力変換装置１の熱保護を行うことができるというものである。

そして，引用発明は上記のように種々の観点を用いて最も温度上昇しやすいと予測される半導体モジュール（半導体素子）を選択しているものの，引用発明には，三相交流モータ（５２）のための「３つの相」の中で「使用時の素子温度が最も高いと予測される半導体素子（１１ａ）を備える相」を特定し，当該「相」の中の上アーム又は下アームを対象アームとして選択した上で，選択された対象アーム内の全ての半導体素子を，素子温度を検出する素子として選択するという手法についての記載はない。

また，そのような手法で温度情報を検出する半導体素子を選択することは，引用文献１，２及び引用文献Ａの何れにも記載も示唆もされておらず，また，そのような手法が，本願出願前に当該技術分野における周知技術であったということもできない。

そうすると，上記のように種々の観点で加熱保護制御を実行している引用発明において，当該観点による加熱保護制御に変えて，三相交流モータ（５２）のための「３つの相」の中で「使用時の素子温度が最も高いと予測される半導体素子（１１ａ）を備える相」を特定し，当該「相」の中の上アーム又は下アームを対象アームとして選択した上で，選択された対象アーム内の全ての半導体素子を，素子温度を検出する素子として選択するという手法を採用する動機付けがあるとはいえず，そのように構成することが，当業者が容易に想到し得たことであるとはいえない。

したがって，上記相違点１について判断するまでもなく，本願発明１は，当業者であっても引用発明及び周知技術に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。

２．本願発明２－６について

本願発明２－６は，本願発明１を減縮した発明であり，本願発明１の上記相違点２に係る構成と同一の構成を備えるものであるから，本願発明１と同じ理由により，当業者であっても，引用発明及び周知技術に基づいて容易に発明できたものとはいえない。

第７ 原査定について

＜理由１（特許法第２９条第２項）について＞

令和３年６月１７日付けの手続補正で補正された請求項１は，「上記制御部は，上記３つの相の中で使用時の素子温度が最も高いと予測される半導体素子（１１ａ）を備える相の上記上アーム及び上記下アームのいずれか一方を対象アームとして，上記対象アームの互いに並列接続された複数の半導体素子（１１）の間に異なる大きさの電流が流れる電流アンバランス状態を考慮して上記複数の半導体素子の全ての素子温度についての温度情報を検出し，検出した上記温度情報と設定した閾値（Ｔｒ）とに基づいて上記電力変換回路の過熱保護制御を行う」という事項を有するものであり，上記のとおり，本願発明１－６は，上記引用文献１に記載された発明及び周知技術に基づいて，当業者が容易に発明できたものではない。したがって，原査定を維持することはできない。

第８ むすび

以上のとおり，原査定の理由によっては，本願を拒絶することはできない。

また，他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。

よって，結論のとおり審決する。