2021-006732

第２　原査定の概要

原査定（令和　３年　１月２２日付け拒絶査定）の概要は次のとおりである。

理由１　本願請求項１，２，５，８，９に係る発明は，以下の引用文献１に記載された発明であるから，特許法第２９条第１項第３号に該当し，特許を受けることができない。

理由２　本願請求項１，２，５，８，９，１１－１３，１５に係る発明は，以下の引用文献１に基いて，本願請求項３，４に係る発明は，以下の引用文献１，２に基いて，本願請求項６，７，１０，１４に係る発明は，以下の引用文献１，３に基いて，その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下，「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。

引用文献１　特開２０１５－０１８９２４号公報

引用文献２　国際公開第２０１４／０１７６５０号

引用文献３　特開２０１３－１８３０７５号公報

第３　審判請求時の補正について

審判請求時の補正は，特許法第１７条の２第３項から第６項までの要件に違反しているものとはいえない。

審判請求時の補正は，補正前の請求項１，９の「加熱要素」について，「複数の回転方向ゾーンのうち対応する回転方向ゾーンに配置される」と限定を加える補正するものを含むから，特許請求の範囲の削除及び限縮を目的とするものである。

また，審判請求時の補正は，本願の願書に最初に添付された明細書，特許請求の範囲及び図面に記載された事項であり，新規事項を追加するものではないといえ，当該補正によっても，補正前の請求項に記載された発明とその補正後の請求項に記載される発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題は同一であることは明らかである。

そして，「第４　本願発明」から「第６　対比・判断」までに示すように，補正後の請求項１－１５に係る発明は，独立特許要件を満たすものである。

第４　本願発明

本願請求項１－１５に係る発明（以下，それぞれ「本願発明１」－「本願発明３」という。）は，令和　３年　５月２５日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１－１５記載された事項により特定される発明であり，本願発明１，９は，以下のとおりの発明である。

「　　【請求項１】

頂面，底面，及び外縁を有し，黒鉛を含む本体と，

前記本体内に配置された材料の連続した部分を備え，複数の回転方向ゾーンのうち対応する回転方向ゾーンに配置される少なくとも１つの加熱要素と

を備える装置であって，

各回転方向ゾーンは前記装置の中心の周囲に種々の角度で配置される，装置。」

「　　【請求項９】

前面を有するガス分配アセンブリと，

前記ガス分配アセンブリの前記前面に面する頂面，及び底面を有するサセプタアセンブリであって，前記頂面は内部に複数の凹部を有し，各凹部は処理中に基板を支持するようにサイズ決めされているサセプタアセンブリと，

黒鉛を含み且つ頂面が前記サセプタアセンブリの前記底面に面している本体を有し，前記本体内に少なくとも１つの加熱要素を含む加熱装置であって，前記少なくとも１つの加熱要素は，複数の回転方向ゾーンのうち対応する回転方向ゾーンに配置され，各回転方向ゾーンは前記加熱装置の中心の周囲に種々の角度で配置される，加熱装置と

を含む，処理チャンバ。」

なお，本願発明２－８は本願発明１の，本願発明１０－１５は本願発明９の，すべての構成要素を備えた発明である。

第５　引用文献，引用発明等

１　引用文献１について

（１）　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献１には，図面とともに次の事項が記載されている。（下線は，参考のために当審で付与したものである。以下同様である。）

「【００１２】

以下，本発明の実施形態について，図面を用いて説明する。なお，すべての図面において，同様の構成要素には同一の符号を付し，適宜に説明を省略する。

【００１３】

図１は実施形態に係る気相成長装置１００の正面断面図である。図２はサセプタ３０の平面図である。図３はヒータ１０及びヒータケース８０を示す平面図である。図４（ａ）および（ｂ）はヒータケース８０を示す図であり，このうち図４（ａ）は平面図，図４（ｂ）は正面図である。図５（ａ）および（ｂ）は支持部１２０によりヒータケース８０を支持している箇所を示す断面図であり，このうち図５（ａ）はヒータケース８０の半径方向に対して直交する方向において切断した構造を示し，図５（ｂ）はヒータケース８０の半径方向において切断した構造を示す。図６は棒状電極４１がヒータケース８０を貫通している箇所を示す断面図であり，ヒータケース８０の半径方向において切断した構造を示す。

【００１４】

本実施形態に係る気相成長装置１００は，基板５０の少なくとも一方の面に気相成長により堆積物を形成可能なように基板５０を支持する盤状のサセプタ３０と，サセプタ３０の一方の面に対して対向する位置に配置され，サセプタ３０を加熱するヒータ１０と，ヒータ１０を覆うヒータケース８０と，ヒータケース８０を支持する複数の支持部１２０と，を備える。ヒータケース８０は，ヒータ１０と対向して配置された面状の対向部（例えば底板部８１）を有し，対向部には，複数の支持部１２０の各々と対応する貫通穴８４が形成されている。複数の支持部１２０は，それぞれ対応する貫通穴８４を貫通しているとともに，対向部における貫通穴８４の周囲縁部を支持している。貫通穴８４の各々は，対向部の面直方向にヒータケース８０を見たときのヒータケース８０の外形線上の一点（例えば図４（ａ）に示す点Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３）から，この外形線に囲まれる形状の重心Ｇ（図４（ａ））へ向かう方向へと，支持部１２０が相対的に移動することを許容する形状に形成されている。以下，詳細に説明する。

【００１５】

図１に示すように，本実施形態に係る気相成長装置１００は，チャンバ１１０と，チャンバ１１０内において基板５０（図２）を保持するサセプタ３０と，サセプタ３０を支持する回転軸部６０と，を有する。

【００１６】

図２に示すように，サセプタ３０は，例えば円盤状に形成され，チャンバ１１０内において水平に配置されている。サセプタ３０の上面には，基板５０を位置決め状態で保持する基板載置用ポケット３１が形成されている。基板載置用ポケット３１には，サセプタ３０に対して平行に，基板５０を載置できるようになっている。」

「【００１８】

気相成長装置１００は，更に，チャンバ１１０内に原料ガスを供給する原料ガス供給配管１１１，１１２と，チャンバ１１０内に設けられたガス分散部材１１３と，チャンバ１１０からの排気を行う排気管１１４と，を有している。ガス分散部材１１３には，多数のガス導出口１１３ａが形成されている。ガス分散部材１１３は，サセプタ３０の上方に配置され，サセプタ３０の上面と対向している。

【００１９】

ヒータ１０は，サセプタ３０の下方に配置され，サセプタ３０の下面と対向（例えばサセプタ３０に対して平行に対向）している。ヒータ１０は，例えば，二次元的に屈曲する線状のパターンからなるプレート形状に形成された，平板ヒータである（図３参照）。この線状のパターンは，所定の幅を有している。ヒータ１０のパターンの形状は特に限定されない。図３には，ヒータ１０が，第１部分１１，第２部分１２及び第３部分１３の３つのパターンからなる例を示している。これら第１部分１１，第２部分１２及び第３部分１３に対し，それぞれ個別に電流が印加されるようになっている。平面視におけるヒータ１０の外形形状は，サセプタ３０と同様に円形となっている（図３，図２参照）。

【００２０】

第１部分１１，第２部分１２及び第３部分１３の各々の両端部には，第１部分１１，第２部分１２及び第３部分１３の両端部をそれぞれ後述する棒状電極４１に固定するための止着部材１５を挿通させる固定穴１９がそれぞれ形成されている。

【００２１】

ヒータ１０の下方には，ヒータ１０から放射される熱をサセプタ３０側に反射する反射板２０が配置されている。平面視における反射板２０の外形形状は，ヒータ１０と同様に円形となっている。

【００２２】

図４（ａ）および（ｂ）に示すように，ヒータケース８０は，ヒータ１０と対向して配置された板状の底板部８１と，外周壁部８２と，内周壁部８３と，を有している。底板部８１は，例えば，ドーナツ状の平面形状に形成されている。外周壁部８２は，円筒状に形成され，底板部８１の外周端より上方に起立している。内周壁部８３は，外周壁部８２と同心の円筒状に形成され，底板部８１の内周端より上方に起立している。底板部８１，外周壁部８２および内周壁部８３によって，ドーナツ状の平面形状で，且つ，上向きに開口した受け皿形状のヒータケース８０が構成されている。ヒータケース８０は，サセプタ３０の下方に配置されている。ヒータケース８０は，ヒータ１０および反射板２０を収容しており，加熱効率を向上する機能を担う。ヒータケース８０は，例えば，金属により構成されている。」

「【００５０】

次に，気相成長装置１００の各構成要素の材料の例を説明する。ヒータ１０は，電力の供給（例えば電流の印加）によってジュール熱を発生するものであれば，材質は問わない。ただし，より高温での気相成長を実現する上で，ヒータ１０は，タングステン（Ｗ）などの高融点金属や，輻射率が高いグラファイト又は炭化ケイ素などにより構成することが好ましい。ヒータケース８０は，例えば，モリブデン（Ｍｏ）により構成されている。棒状電極４１は，例えば，タングステンにより構成されている。絶縁部材１２２，絶縁部材１２５および絶縁部材８６は，例えば，窒化ホウ素（ＢＮ），窒化アルミニウム（ＡｌＮ），窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）またはアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）などにより構成されている。

【００５１】

以上において、ヒータ１０、反射板２０、ヒータケース８０、電力供給部７０、棒状電極４１、連結部材８９及び金属棒９０等により、本実施形態に係る気相成長用加熱装置１５０が構成されている。

すなわち、気相成長用加熱装置１５０は、ヒータ１０と、ヒータ１０を覆うヒータケース８０と、ヒータケース８０を支持する複数の支持部１２０と、を備えている。ヒータケース８０は、ヒータ１０と対向して配置された面状の対向部（例えば底板部８１）を有し、対向部には、複数の支持部１２０の各々と対応する貫通穴８４が形成されている。複数の支持部１２０は、それぞれ対応する貫通穴８４を貫通しているとともに、対向部における貫通穴８４の周囲縁部を支持している。貫通穴８４の各々は、対向部の面直方向にヒータケース８０を見たときのヒータケース８０の外形線上の一点から、この外形線に囲まれる形状の重心Ｇへ向かう方向へと、支持部１２０が相対的に移動することを許容する形状に形成されている。」

「【００５３】

気相成長装置１００を用いて気相成長を行うには，サセプタ３０の基板載置用ポケット３１に基板５０をセットし，サセプタ３０を水平面内で回転させるとともに，ヒータ１０によりサセプタ３０及び基板５０を加熱しながら，原料ガス供給配管１１１，１１２からそれぞれ原料ガスをチャンバ１１０内に導入する。チャンバ１１０内に導入された原料ガスは，ガス分散部材１１３により均一に分散されて，サセプタ３０上の基板５０の上面に供給される。その結果，基板５０上にエピタキシャル層等の堆積物が成長する（成膜される）。具体的には，例えば，窒化ガリウム（ＧａＮ）等のIIIＶ族化合物薄膜を基板５０上に形成することができる。」

「

」

「

」

（２）　以上から，上記引用文献１には次の発明（以下，「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。

「　二次元的に屈曲する線状のパターンからなるプレート形状に形成された，平板ヒータであり，

第１部分１１，第２部分１２及び第３部分１３の３つのパターンからなり，これら第１部分１１，第２部分１２及び第３部分１３に対し，それぞれ個別に電流が印加されるようになっている，ヒータ１０を備えた気相成長用加熱装置１５０。」

（３）　また，以上から，上記引用文献１には次の発明（以下，「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。

「　チャンバ１１０と，

チャンバ１１０内において基板５０を保持するサセプタ３０と，

サセプタ３０の一方の面に対して対向する位置に配置され，サセプタ３０を加熱するヒータ１０を備えた気相成長用加熱装置１５０と，

を有し，

続きを表示（全12行）

サセプタ３０は，例えば円盤状に形成され，チャンバ１１０内において水平に配置され，

サセプタ３０の上面には，基板５０を位置決め状態で保持する基板載置用ポケット３１が形成され，

更に，チャンバ１１０内に設けられたガス分散部材１１３と，を有し，

ガス分散部材１１３は，サセプタ３０の上方に配置され，サセプタ３０の上面と対向し，

ヒータ１０は，サセプタ３０の下方に配置され，サセプタ３０の下面と対向しており，

ヒータ１０は，二次元的に屈曲する線状のパターンからなるプレート形状に形成された，平板ヒータであり，

第１部分１１，第２部分１２及び第３部分１３の３つのパターンからなり，これら第１部分１１，第２部分１２及び第３部分１３に対し，それぞれ個別に電流が印加されるようになっている，

気相成長装置１００。」

２　引用文献２について

（１）　原査定の拒絶の理由において引用された引用文献２には，図面とともに次の事項が記載されている。

「[0017] 　下部プレート１１の表面（基板５０が載置される側の面）は，基板５０の裏面との間における隙間が少なくなる形状であることが好ましく，例えば平坦であることが好ましい。また，この表面は，使用する基板５０よりも充分に大きく，この表面に略円板状の基板（ウェハ）５０を載置することができる構成とされる。下部プレート１１は，基板５０をこの上に載置させて所望の温度に保持するために用いられ，従来の結晶成長装置において用いられる従来のサセプタに対応する。このため，下部プレート１１を構成する材料は，従来のサセプタと同様であり，例えば熱伝導率の高い黒鉛が用いられる。また，図１（ａ）では下部プレート１１は矩形体形状としているが，上記の表面を具備する形状であれば，表面よりも下側の形状は任意である。また，下部プレート１１は単一の材料で構成されている必要はなく，表面の耐衝撃性や化学安定性を高めるために，表面保護層として，例えば黒鉛にパイロリティックボロンナイトライド（ｐＢＮ）またはシリコンカーバイド（ＳｉＣ）をコーティングした構成を用いることもできる。」

「[0022] 　例えば，下部プレート１１が黒鉛で構成された場合，１０００℃以上の温度域におけるその熱伝導率を４０～１００Ｗ／ｍ／Ｋ程度とすることができる。また，基板としてサファイアが用いられた場合，１０００℃以上の温度域における厚さ方向（ｃ軸方向）の熱伝導率は８Ｗ／ｍ／Ｋ程度である。この場合には，例えば上部プレート１２を，パイロリテックグラファイト（ＰＧ：熱分解炭素）で構成することができる。ＰＧの構成元素は通常の黒鉛と同様に炭素であるが，黒鉛からなる基材の上にＣＶＤにて数ｍｍ程度の厚さの厚膜を成形した後に基材を剥がして作られているため，異方性が高く，その面内方向と厚さ方向では熱伝導率は大きく異なる。このため，ＰＧで薄板状の上部プレート１２を形成すれば，その厚さ方向の熱伝導率を，１０００℃以上の温度域において，例えば１．５Ｗ／ｍ／Ｋ程度とすることができる。こうした材料構成の場合には，上記の熱伝導率の関係は満たされる。なお，一般的には，黒鉛は高温下でアンモニアガスと反応して消耗するものの，緻密に形成されたＰＧはアンモニアガスとの間の反応性が低く，長期間の使用にも耐えうる。こうしたアンモニア耐性のあるＰＧを用いることが特に好ましい。」

３　引用文献３について

（１）　原査定の拒絶の理由において引用された引用文献３には，図面とともに次の事項が記載されている。

「【００１５】

［装置構成］

図１は，ホリゾンタル方式の結晶成長装置（ＭＯＣＶＤ装置）１０の上面図（上段）及び断面図（下段）を示し，上面図は断面図における線Ｖ?Ｖに沿って基板側を見た場合の図である。図１に示すように，ＭＯＣＶＤ装置１０は，反応容器１１，フローチャネル本体１２，フローチャネル床板１３，材料ガス供給ガイド１５，フローチャネル排気管１７，基板２０を載置・保持する円柱形状のサセプタ（基板保持部）２２，サセプタ２２の裏面側に設けられ，サセプタ２２を加熱する（すなわち基板２０を加熱する）ヒーター２４，回転シャフト２９（基板回転機構）によってサセプタ２２を回転させる（すなわち，基板２０を回転させる）モーター２５を有している。また，サセプタ２２の裏面側には，成長温度の制御のため，サセプタ２２の温度を測定する熱電対が設けられている。」

「【００３４】

［成長時の基板表面温度］

成長基板２０の上方に設置した放射温度計によって成長中の基板表面温度を測定した。実施例１のＭＯＣＶＤ装置及び比較例のＭＯＣＶＤ装置を用いた場合の温度測定結果の経時変化を併せて図４及び図５に示す。すなわち，横軸は成長回数を示し，縦軸は装置の使用開始時（成長回数が１回目）の温度を基準としたときの温度変化（℃）を示している。また，図４はｎ型ＧａＮ層４２の成長時の表面温度の測定結果であり，図５は発光層４３（ＩｎＧａＮ）の成長時の表面温度の測定結果である。なお，ウエハ面内での表面温度の平均値を示している。」

「【００３９】

ところで，サセプタの温度制御は，一般的にサセプタ内部に設置した熱電対によって行われる。成長温度の再現性という点ではできる限り成長基板に近い位置が望ましいが，実際には成長基板の回転や搬送を実現するために成長基板に接する位置に熱電対を設置するのは難しい。従って，熱電対は成長基板から距離を置いて設置され，その位置の温度を制御することになる。なお，成長基板上の温度を放射温度計によって測定して制御することも考えられるが，反応室内には材料ガスの反応生成物が堆積するため，汚れ方はヒーター周りの比ではなく，透明な石英部品を通して基板温度を観測しようとしても，石英部品が直ぐに汚れてしまい，正確な測定は難しい。こまめにメンテナンスを行うことにしても，メンテナンス頻度が高くなると結晶成長ウエハの製造スループットが低下し，コストの上昇要因となる。」

第６　対比・判断

１　本願発明１について

（１）対比

本願発明１と引用発明１とを対比すると，次のことがいえる。

ア　引用発明１において「ヒータ１０」は，本願発明１の「加熱要素」に対応する。

そして，引用発明１の「ヒータ１０」は，「二次元的に屈曲する線状のパターンからなるプレート形状に形成され」，「第１部分１１，第２部分１２及び第３部分１３の３つのパターンからなり，これら第１部分１１，第２部分１２及び第３部分１３に対し，それぞれ個別に電流が印加されるようになっている」ているから，「材料の連続した部分を備え，複数の」「ゾーンのうち対応する」「ゾーンに配置され」ていることは明らかである。

すると，引用発明１の「ヒータ１０」は，本願発明１の「加熱要素」と，「材料の連続した部分を備え，複数の」「ゾーンのうち対応する」「ゾーンに配置される少なくとも１つの加熱要素」である点で一致する。

イ　引用発明１の「気相成長用加熱装置１５０」は，「ヒータ１０」を備えるから，本願発明１の「装置」と，「加熱要素」「を備える装置」である点で一致する。

ウ　したがって，本願発明１と引用発明１との間には，次の一致点，相違点があるといえる。

（一致点）

「材料の連続した部分を備え，複数のゾーンのうち対応するゾーンに配置される少なくとも１つの加熱要素

を備える装置。」

（相違点）

（相違点１）「装置」に関して，本願発明１は，「頂面，底面，及び外縁を有し，黒鉛を含む本体」を備え，「加熱要素」が「前記本体内に配置された」と特定されているのに対し，引用発明１は，そのように特定されていない点。

（相違点２）「加熱要素」に関して，本願発明１は，「複数の回転方向ゾーンのうち対応する回転方向ゾーンに配置され」ると特定され，かつ，「回転方向ゾーン」が「各回転方向ゾーンは前記装置の中心の周囲に種々の角度で配置される」と特定さているのに対し，引用発明１は，そのように特定されていない点。

（２）相違点についての判断

ア　相違点２について

事案に鑑み，相違点２について検討する。

引用文献１の図３を参照すると，引用発明１における，「ヒータ１０」の「第１部分１１」，「第２部分１２」及び「第３部分１３」は，それぞれ，最内周，その間の周，最外周と，周方向に複数のゾーンを有するものであるが，「前記装置の中心の周囲に種々の角度で配置される」「複数の回転方向ゾーンのうち対応する回転方向ゾーンに配置される」ものではない。

そして，引用文献２－３においても，「加熱要素」が「複数の回転方向ゾーンのうち対応する回転方向ゾーンに配置」と特定され，かつ，「回転方向ゾーン」が「各回転方向ゾーンは前記装置の中心の周囲に種々の角度で配置される」点について何ら記載されておらず，また，この点が本願の優先日前に周知技術であったともいえない。

イ　したがって，他の相違点について判断するまでもなく，本願発明１は，当業者であっても引用発明１及び引用文献２－３に基いて，容易に発明できたものであるとはいえない。

また，上記のとおり本願発明１は，相違点２に係る本願発明１の構成を含む発明であるから，引用発明１であるとはいえない。

２　本願発明２－８について

本願発明２－８は，本願発明１のすべての構成要素を備えた発明であるから，本願発明１と同じ理由により，当業者であっても，引用発明１及び引用文献２－３に基いて容易に発明できたものであるとはいえない。

また，上記のとおり本願発明２，５，８は，相違点２に係る本願発明１の構成を含む発明であるから，引用発明１であるとはいえない。

３　本願発明９について

（１）対比

本願発明９と引用発明２とを対比すると，次のことがいえる。

ア　引用発明２の「ガス分散部材１１３」は，本願発明９の「ガス分配アセンブリ」に相当することは明らかである。

ここで，「ガス分散部材１１３」は「サセプタ３０の上方に配置され，サセプタ３０の上面と対向」するものであるから，引用発明２の「ガス分散部材１１３」において「サセプタ３０の上面と対向」する面が，「前面」に相当する。

イ　引用発明２の「サセプタ３０」は，本願発明９の「サセプタアセンブリ」に対応する。

そして，引用発明２の「サセプタ３０」の「上面」は，「基板５０を位置決め状態で保持する基板載置用ポケット３１が形成され」，また，「ガス分散部材１１３」と対向するから，本願発明９の「サセプタアセンブリ」の「頂面」と，「前記頂面は内部に複数の凹部を有し，各凹部は処理中に基板を支持するようにサイズ決めされている」とともに，「前記ガス分配アセンブリの前記前面に面する」点で一致することは明らかである。

また，引用発明２の「サセプタ３０」の「下面」が，本願発明９の「サセプタアセンブリ」の「底面」に相当する。

以上から，引用発明２の「サセプタ３０」は，本願発明９の「サセプタアセンブリ」と，「前記ガス分配アセンブリの前記前面に面する頂面，及び底面を有するサセプタアセンブリであって，前記頂面は内部に複数の凹部を有し，各凹部は処理中に基板を支持するようにサイズ決めされているサセプタアセンブリ」である点で一致する。

ウ　引用発明２において「ヒータ１０」は，本願発明９の「加熱要素」に対応する。

そして，引用発明２の「ヒータ１０」は，「二次元的に屈曲する線状のパターンからなるプレート形状に形成され」，「第１部分１１，第２部分１２及び第３部分１３の３つのパターンからなり，これら第１部分１１，第２部分１２及び第３部分１３に対し，それぞれ個別に電流が印加されるようになっている」から，「材料の連続した部分を備え，複数の」「ゾーンのうち対応する」「ゾーンに配置され」ていることは明らかである。

すると，引用発明２の「ヒータ１０」は，本願発明９の「加熱要素」と，「材料の連続した部分を備え，複数の」「ゾーンのうち対応する」「ゾーンに配置される少なくとも１つの加熱要素」である点で一致する。

エ　引用発明２の「気相成長用加熱装置１５０」は，「ヒータ１０」を備えるから，本願発明９の「加熱装置」と，「加熱要素を含む加熱装置」である点で一致する。

オ　引用発明２の「チャンバ１１０」は，本願発明９の「処理チャンバ」に対応する。

カ　したがって，本願発明９と引用発明２との間には，次の一致点，相違点があるといえる。

（一致点）

「前面を有するガス分配アセンブリと，

前記ガス分配アセンブリの前記前面に面する頂面，及び底面を有するサセプタアセンブリであって，前記頂面は内部に複数の凹部を有し，各凹部は処理中に基板を支持するようにサイズ決めされているサセプタアセンブリと，

少なくとも１つの加熱要素を含む加熱装置であって，前記少なくとも１つの加熱要素は，複数のゾーンのうち対応するゾーンに配置される，加熱装置と

を含む，処理チャンバ。」

（相違点）

（相違点３）「加熱装置」に関して，本願発明９は，「黒鉛を含み且つ頂面が前記サセプタアセンブリの前記底面に面している本体」を有しており，「加熱要素」が「前記本体内に」「含む」と特定されているのに対し，引用発明２は，そのように特定されていない点。

（相違点４）「加熱要素」に関して，本願発明９は，「複数の回転方向ゾーンのうち対応する回転方向ゾーンに配置され」ると特定され，かつ，「回転方向ゾーン」が「各回転方向ゾーンは前記加熱装置の中心の周囲に種々の角度で配置される」と特定されているのに対し，引用発明２は，そのように特定されていない点。

（２）相違点についての判断

ア　相違点４について

事案に鑑み，相違点４について検討する。

相違点４は，上記相違点２と同様の相違点である。

すると，上記相違点２についての検討と同様に，相違点４に対応する構成を備える本願発明９も，本願発明１と同じ理由により，当業者であっても引用発明２及び引用文献２－３に基いて，容易に発明できたものであるとはいえない。

また，上記のとおり本願発明９は相違点４を含む発明であるから，引用発明２であるとはいえない。

４　本願発明１０－１５について

本願発明１０－１５は，本願発明９のすべての構成要素を備えた発明であるから，本願発明９と同じ理由により，当業者であっても，引用発明２及び引用文献２－３に基いて容易に発明できたものであるとはいえない。

第７　原査定について

本願発明１－８は，上記「第６　対比・判断」の「１　本願発明１について」の「（１）対比」における相違点２に係る構成を，本願発明９－１５は，上記「第６　対比・判断」の「３　本願発明９について」の「（１）対比」における相違点４に係る構成を，それぞれ有するものとなっている。

すると，本願発明１，２，５，８，９は，拒絶査定において引用された引用文献１に記載された発明であるとはいえない。

そして，本願発明１－１５は，拒絶査定において引用された引用文献１及び引用文献２－３に基いて，容易に発明できたものとはいえない。

したがって，原査定の理由を維持することはできない。

第８　むすび

以上のとおり，原査定の理由によっては，本願を拒絶することはできない。

また，他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。

よって，結論のとおり審決する。