2021-002883

第１ 事案の概要

１ 手続等の経緯

特願２０１６－５４３０６４号（以下「本件出願」という。）は、２０１４年（平成２６年）１２月３１日（パリ条約による優先権主張外国庁受理 ２０１４年１月１４日（ＥＰ）欧州特許庁）を国際出願日とする出願であって、その手続等の経緯の概要は、以下のとおりである。

２ 本願発明

本件出願の請求項１に係る発明は、令和３年１１月１８日にした手続補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項によって特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明は、次のものである（以下「本願発明」という。）。

「有機発光ダイオードを製造するための製造方法であって、

基板層を設けるステップと、

前記基板層上に第１電極層を配置するステップと、

誘電体層を設けるステップと、

続きを表示（全12行）

活性層を設けるステップと、

第２電極層を設けるステップと

を有し、

前記活性層が前記第１電極層と前記第２電極層の中間に配置され、

前記誘電体層が前記第１電極層と前記第２電極層の間に電気分離をもたらし、前記誘電体層は前記第１電極層上にパターンとして堆積され、前記第１電極層と前記第２電極層の少なくとも一方の少なくとも一つのエッジをカバーし、前記誘電体層の少なくとも一つの側面は前記第２電極層によってカバーされ、

前記誘電体層は硬化プロセス中に製造される副産物の量が著しく少ない又は副産物を製造しないように構成され、

前記誘電体層に含まれる誘電体が疎水性であり、

前記誘電体層は、溶媒としてのガンマブチロラクトン中に分散された半重合ポリイミドを蒸発させることによって、製造されることを特徴とする、製造方法。」

３ 当合議体の拒絶の理由の概要

令和３年８月１９日付け拒絶理由通知書において通知した、当合議体の拒絶の理由の概要は、次のとおりである。

理由１（進歩性）本件出願の請求項１～請求項９に係る発明は、その優先権主張の日（以下「本件優先日」という。）前に日本国内又は外国において、頒布された刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基づいて、本件優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。

（当合議体注：引用文献１～２、４、６～７が主引用例であり、引用文献３は周知技術を示す文献である。また、引用文献１～２、６～７は副引用例又は周知技術を示すための文献でもある。）

第２ 当合議体の判断

１ 引用文献の記載

（１）引用文献１の記載

当審拒絶理由で引用された、引用文献１（特開２０１３－１６４６９号公報）は、本件優先日前に日本国内又は外国において頒布された刊行物であるところ、そこには以下の記載がある。

なお、下線は当合議体が付したものであり、引用発明の認定や判断等に活用した箇所を示す（以下、同様である。）。

ア 「【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【０００１】

本発明は、有機ＥＬ素子が適用された照明装置、及びその作製方法に関する。

続きを表示（全13行）

【背景技術】

【０００２】

近年、一対の電極間に有機化合物を含む発光層を有する発光素子（有機エレクトロルミネッセンス素子：有機ＥＬ素子とも言う）の開発が盛んに行われている。その用途として注目されている分野のひとつが照明分野である。この理由として、有機ＥＬ素子は薄型軽量に作製できること、面での発光が可能であること等、他の照明器具にはない特徴があることが挙げられる。

【０００３】

有機ＥＬ素子は膜状に形成することが可能であるため大面積の素子を容易に形成することができ、有機ＥＬ素子を用いた照明器具に関して、様々な研究がされている（例えば、特許文献１参照）。

【０００４】

しかし、有機ＥＬ素子は、外気等に存在する水分、酸素等によって、劣化しやすいといった問題がある。例えば、水分、酸素等の影響により非発光領域（所謂ダークスポット）が発光領域に発生し、最終的には有機ＥＬ素子全体が非発光となってしまう。このように、有機ＥＬ素子は、外気からの水分、酸素等の浸入を封止するために様々な提案がなされている（例えば、特許文献２、及び特許文献３参照）。

【０００５】

また、他の問題として、現状、有機ＥＬ素子からなる照明を作製するためのコストが非常に高いことが挙げられる。作製コストが高いということは、その分価格に反映されてしまうことになり、前述のような他の照明装置にない特徴を有する有機ＥＬ素子からなる照明装置であっても、競争力が落ちてしまう。そのため、有機ＥＬ素子からなる照明装置の普及の為には材料的、プロセス的両面において低コスト化することが要求される。」

イ 「【発明が解決しようとする課題】

【０００７】

特許文献２においては、有機ＥＬ素子が形成された素子基板と、封止基板とを固定する紫外線硬化樹脂からなる周辺シール層を設け、周辺シール層に囲まれた内部に熱硬化樹脂からなる接着剤層を設け、周辺シール層の下部には、有機ＥＬ層を被覆する有機緩衝層、及び該有機緩衝層を被覆するガスバリア層を設ける。このような封止構造とすることで、有機緩衝層によりガスバリア層の損傷を防ぎ、当該ガスバリア層により、外気からの水分などの浸入を防止するといった構造が提案されている。

【０００８】

続きを表示（全16行）

しかし、上記方法においては、有機緩衝層、及びガスバリア層を所望の領域に形成するために、パターニング工程、及びエッチング工程等の多数の工程が必要となり、工程数が非常に多く、作製コストが高いといった課題がある。

【０００９】

また、特許文献３においては、有機ＥＬ素子を封止するために、該有機ＥＬ素子を備えた素子基板と、接着面に凹凸が設けられた封止基板を、当該凹凸上で接着剤（シール材）を介して接着し、密着性を向上させる構造が提案されている。しかし、これらの構造を用いても、外部からの水分や酸素の浸入を低減するには、十分ではない。

【００１０】

上記問題に鑑み、本発明の一態様は、より簡素化された方法で、発光素子（有機ＥＬ素子）を用いて照明装置を形成する。また、発光素子の封止領域の密着性を向上させて、信頼性の高い照明装置、及びその作製方法を提供することを課題の一つとする。

【課題を解決するための手段】

【００１１】

上記課題を解決するために、本発明の一態様は、発光素子が形成された基板の外周に凹凸領域を設け、当該凹凸領域上に導電性ペーストからなる接続電極を形成し、凹凸領域、及び導電性ペーストを介してシール材を用いて封止を行うことを特徴とする照明装置である。より、詳細には以下の通りである。

【００１２】

本発明の一態様は、第１の電極と第２の電極に挟持された発光層を含む発光素子と、発光素子が形成され、発光素子の外周に凹凸領域が形成された基板と、基板と対向して設けられた封止基板と、第１の電極、及び第２の電極に接続され、凹凸領域に形成された接続電極と、基板と封止基板を接着するシール材と、を有し、接続電極は、導電性ペーストにより形成され、シール材は、発光素子の外周に形成された凹凸領域と、接続電極と、接することを特徴とする照明装置である。

【００１３】

上記構成とすることで、シール材は、発光素子の外周に形成された凹凸領域、及び当該凹凸領域上に形成された導電性ペーストと接することで、接着面積が向上し、密着性を高めることができる。なお、導電性ペーストは、含有している導電性粒子により表面が粗面化されているため、接着面積を向上させるには非常に好適である。」

ウ 「【発明を実施するための形態】

【００２２】

実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。」

エ 「【００２４】

（実施の形態１）

本発明の一態様について、図１を用いて説明を行う。また、図１（Ａ）は、照明装置１００の上面図を示しており、図１（Ｂ）は、図１（Ａ）に示した破線Ａ１－Ａ２に相当する断面図を示しており、図１（Ｃ）は、図１（Ａ）に示した破線Ａ２－Ａ３に相当する断面図を示している。なお、図１（Ａ）においては、構成要素の一部（例えば、封止基板１１８など）を図面が煩雑になることを避け、省略している。

【００２５】

続きを表示（全72行）

図１（Ａ）乃至図１（Ｃ）に示す照明装置１００は、基板１０２と、基板１０２上に形成された凹凸領域１２０と、基板１０２上に形成された第１の電極１０４と、基板１０２、凹凸領域１２０、及び第１の電極１０４上に形成された接続電極１０６と、第１の電極１０４及び接続電極１０６を覆う隔壁１０８と、第１の電極１０４、及び隔壁１０８上に形成された発光層１１０と、隔壁１０８、発光層１１０、及び接続電極１０６上に形成された第２の電極１１２と、基板１０２と対向して設けられた封止基板１１８と、基板１０２と封止基板１１８を封止するシール材１１６と、を有している。

【００２６】

なお、照明装置１００は、基板１０２側に発光が取り出される下面射出型（所謂ボトムエミッション型）の照明装置である。そのため、基板１０２、及び第１の電極１０４は、透光性の材料を用いる。ただし、本発明はこれに限定されない。例えば、封止基板１１８側に発光が取り出される上面射出型（所謂トップエミッション型）の照明装置、または、基板１０２、及び封止基板１１８両方から発光が取り出される両面射出型（所謂デュアルエミッション型）の照明装置としても良い。なお、発光が取り出される側には、透光性の材料を用いる。

・・・中略・・・

【００３２】

ここで、図２、及び図３を用いて、図１に示す照明装置１００の作製方法について説明を行う。

【００３３】

なお、図２（Ａ）、図２（Ｂ）、及び図２（Ｃ）においては、照明装置１００の上面図を示しており、図２（Ｄ）、図２（Ｅ）、及び図２（Ｆ）は、図２（Ａ）、図２（Ｂ）、及び図２（Ｃ）に示す破線Ａ１－Ａ２に相当する断面図を各々示している。また、図３（Ａ）、及び図３（Ｂ）においては、照明装置１００の上面図を示しており、図３（Ｃ）、及び図３（Ｅ）は、図３（Ａ）、及び図３（Ｂ）に示す破線Ａ１－Ａ２に相当する断面図を各々示しており、図３（Ｄ）、及び図３（Ｆ）は、図３（Ａ）、及び図３（Ｂ）に示す破線Ａ２－Ａ３に相当する断面図を各々示している。なお、図２においては、破線Ａ２－Ａ３の断面図は省略している。

【００３４】

まず、基板１０２上に凹凸領域１２０を形成する。凹凸領域１２０は、所望の領域にショットブラスト、サンドブラスト、化学エッチングなどを行うことにより凹部（または溝）として形成することができ、凹部に凹凸な表面を有している。なお、本実施の形態においては、発光素子１１４（のちに形成される）の外周領域を囲んで凹凸領域１２０を形成する。次に、基板１０２の凹凸領域１２０の内側に第１の電極１０４を形成する。（図２（Ａ）、及び図２（Ｄ）参照）。

【００３５】

基板１０２としては、ガラス基板、石英基板、有機樹脂、プラスティック基板などの透光性を有する材料を用いることができる。基板１０２として有機樹脂を用いる場合、有機樹脂としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂、ポリアクリルニトリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）樹脂、ポリアミド樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、またはポリ塩化ビニル樹脂などを用いることができる。また、ガラス繊維に有機樹脂を含浸した基板や、無機フィラーを有機樹脂に混ぜた基板を使用することもできる。

【００３６】

また、基板１０２と第１の電極１０４の間に下地絶縁膜を形成してもよい。下地絶縁膜は、基板１０２からの水分や酸素などの不純物の拡散を防止するパッシベーション膜としての機能を有する膜を形成することができる。下地絶縁膜は、その材料に応じて、スパッタリング法やＣＶＤ法などの堆積法、ディップ法、スピンコート法、インクジェット法などの塗布法、スクリーン印刷法などの印刷法などを適宜用いればよい。

【００３７】

第１の電極１０４としては、スパッタリング法などの成膜方法を用いて、透光性の導電膜を形成する。なお、スパッタリング時にメタルマスク（シャドーマスクともいう）を用いて、所望の領域に透光性の導電膜を形成することができる。例えば、第１の電極１０４に用いることのできる材料としては、酸化インジウム、酸化インジウム酸化スズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム酸化亜鉛、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛、グラフェンなどを用いることができる。

【００３８】

また、第１の電極１０４として、金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、又はチタン等の金属材料や、これらの合金を用いることができる。または、それら金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）等を用いてもよい。なお、金属材料（又はその窒化物）を用いる場合、透光性を有する程度に薄くすればよい。

【００３９】

また、上記材料の積層膜を第１の電極１０４として用いることができる。例えば、銀とマグネシウムの合金とＩＴＯとの積層膜などを用いると、導電性を高めることができるため好ましい。

【００４０】

なお、透光性の導電膜を基板１０２の全面に形成し、その後、フォトリソグラフィ法などの公知のパターニング技術を用いて、当該透光性の導電膜の不要な部分を除去し、第１の電極１０４とすることもできる。ただし、上述した通り、好ましくはスパッタリング時にメタルマスクを用いて、所望の領域に透光性の導電膜を形成する。このように、フォトリソグラフィによるパターニングプロセスを行わずに、メタルマスクによる蒸着法、スクリーン印刷法などによってパターンを形成することにより、より簡素化された方法で照明装置を作製することができる。

【００４１】

次に、基板１０２、第１の電極１０４、及び凹凸領域１２０上に接続電極１０６を形成する（図２（Ｂ）、及び図２（Ｅ）参照）。

【００４２】

接続電極１０６としては、スクリーン印刷法、インクジェット法等により形成可能な導電性ペーストを用いる。導電性ペーストは、特に銀粒子をフィラーとして含有した銀ペースト、または銅粒子をフィラーとして含有した銅ペーストを用いると好適である。銀ペースト、または銅ペーストは、第１の電極１０４よりも比抵抗率を低くすることができるため、電圧降下を抑制することができる。

【００４３】

次に、第１の電極１０４、及び接続電極１０６上に隔壁１０８を形成する（図２（Ｃ）、及び図２（Ｆ）参照）。

【００４４】

隔壁１０８は、第１の電極１０４、及び接続電極１０６の端部を覆っている。すなわち、隔壁１０８は、当該端部の段差によって、発光層１１０（のちに形成される）が分断され、当該端部の段差で第１の電極１０４と、第２の電極１１２と、が短絡することを抑制するために設けられる。なお、隔壁１０８は、不要であれば設けない構成としても良い。

【００４５】

隔壁１０８としては、印刷法、インクジェット法を用い、感光性樹脂を形成する。例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリアミド樹脂、エポキシ樹脂等の有機樹脂、または無機絶縁材料を用いることができる。特に感光性の樹脂材料を用いて開口部を形成し、その開口部の側壁が連続した曲率を持って形成される傾斜面となるように形成することが好ましい。具体的には、隔壁１０８の断面が描いている曲線の曲率半径が、０．２～２μｍ程度であることが望ましい。隔壁１０８の形成方法は、特に限定されないが、スパッタリング法、蒸着法、スクリーン印刷法やオフセット印刷法などの印刷法、インクジェット法やディスペンス法などの液滴吐出法、スリットコート法やスピンコート法などの塗布法などを用いればよい。

【００４６】

次に、第１の電極１０４、及び隔壁１０８上に発光層１１０を形成し、その後、隔壁１０８、発光層１１０、及び接続電極１０６上に第２の電極１１２を形成する。なお、第１の電極１０４、発光層１１０、及び第２の電極１１２によって、発光素子１１４が形成される（図３（Ａ）、図３（Ｃ）、及び図３（Ｄ）参照）。

【００４７】

本実施の形態においては、発光層１１０を蒸着法により形成した後、隔壁１０８、発光層１１０、及び接続電極１０６と重なる領域上に第２の電極１１２を蒸着法により形成する。なお、発光層１１０、及び第２の電極１１２は、各々所望の領域に形成するために、メタルマスクを用いて形成する。

【００４８】

発光層１１０としては、少なくとも発光性の有機化合物を含む層を有する。そのほか、電子輸送性の高い物質を含む層、正孔輸送性の高い物質を含む層、電子注入性の高い物質を含む層、正孔注入性の高い物質を含む層、バイポーラ性の物質（電子輸送性及び正孔輸送性が高い物質）を含む層等を適宜組み合わせた積層構造を構成することができる。

【００４９】

第２の電極１１２としては、反射性を有する材料を用いて形成する。反射性を有する材料としては、アルミニウム、金、白金、銀、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、ランタン、又はパラジウム等の金属材料を含む金属又は合金を用いることができる。そのほか、アルミニウムとチタンの合金、アルミニウムとニッケルの合金、アルミニウムとネオジムの合金などのアルミニウムを含む合金（アルミニウム合金）や銀と銅の合金、銀とマグネシウムの合金などの銀を含む合金を用いることもできる。銀と銅の合金は、耐熱性が高いため好ましい。さらに、アルミニウム合金膜に接する金属膜、又は金属酸化物膜を積層することでアルミニウム合金膜の酸化を抑制することができる。該金属膜、金属酸化物膜の材料としては、チタン、酸化チタンなどが挙げられる。

【００５０】

また、第２の電極１１２を形成したあと、発光素子１１４を覆う保護膜、及びシート状のシール材による固体封止などを行ってもよい。固体封止により、発光素子１１４への水分、酸素などの不純物の浸入を抑制し、信頼性の高い照明装置とすることができる。

【００５１】

以上の工程で基板１０２上に形成された発光素子１１４を形成することができる。

【００５２】

次に、シール材１１６を用いて、発光素子１１４が形成された基板１０２と、対向して封止基板１１８を貼り合わせる（図３（Ｂ）、図３（Ｅ）、及び図３（Ｆ）参照）。

【００５３】

また、発光素子１１４と封止基板１１８との間の空間内に乾燥剤や吸着剤を備えると好ましい。当該乾燥剤や吸着剤によって、封止領域内部の水分、酸素などの不純物が低減されるため、発光素子１１４の劣化が抑制され、信頼性の高い照明装置とすることができる。

【００５４】

シール材１１６は、発光素子１１４の外周を囲むように設けられ、基板１０２に形成された凹凸領域１２０、及び当該凹凸領域１２０上に形成された接続電極１０６と接する。

【００５５】

シール材１１６は、例えばスクリーン印刷などの印刷法や、ディスペンス法などの塗布法を用いて形成することができる。また、シール材１１６に用いることのできる材料としては、公知の材料を用いることができる。例えば、熱硬化型の樹脂材料、紫外線硬化型の樹脂材料、または、低融点ガラス材料（フリットガラス）を用いても良い。また二液混合型のエポキシ樹脂などを用いることができる。また、シール材に用いる材料はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。またシール材には乾燥剤が含まれていても良い。例えば、アルカリ土類金属の酸化物（酸化カルシウムや酸化バリウム等）のように、化学吸着によって水分を吸収する物質を用いることができる。その他の乾燥剤として、ゼオライトやシリカゲル等のように、物理吸着によって水分を吸着する物質を用いてもよい。

【００５６】

なお、本実施の形態において、シール材１１６は、封止基板１１８側に塗布し、基板１０２と貼り合わせる。ただし、本発明はこれに限定されず、基板１０２側にシール材１１６を形成しても良い。

【００５７】

貼り合わせ方法としては、まず、封止基板１１８上にシール材１１６を塗布する。次に、封止基板１１８と、基板１０２のアライメントを行い、基板１０２上に形成された凹凸領域１２０、及び凹凸領域１２０上に形成された接続電極１０６と、シール材１１６を接着させる。その後、圧力をかけながら基板１０２と封止基板１１８を貼り合わせ、熱や紫外線の照射によりシール材１１６を硬化する。

【００５８】

貼り合わせ工程は、減圧雰囲気、または不活性雰囲気下で行い、水や酸素などの不純物ができるだけ低減された雰囲気下で行うことが好ましい。このような雰囲気下で貼り合わせを行うことにより、基板１０２と封止基板１１８との間の空間内に含まれる水や酸素などの不純物を低減することができ、信頼性の高い照明装置１００を作製することができる。当該貼り合わせ工程によりシール材１１６が硬化し、基板１０２と封止基板１１８とが当該シール材１１６によって接着される。

【００５９】

封止基板１１８としては、基板１０２と同様な材料を用いることができる。ただし、封止基板１１８は、透光性を有する必要が無いため、金属基板などの熱伝導性の高い基板を用いることが好ましい。発光素子１１４を用いた大型の照明装置の場合、発光素子１１４からの発熱が問題となる場合があるため、このような熱伝導性の高い基板を用いると放熱性が高まる。例えば、ステンレス基板、アルミニウム酸化物、ジュラルミンなどを用いると、軽量且つ放熱性を高めることができる。

【００６０】

また、封止基板１１８のシール材１１６が形成される領域は、基板１０２のシール材１１６が形成される領域と同様な構成としても良い。すなわち、封止基板１１８側にも凹凸領域、及び導電性ペーストを形成しても良い。

【００６１】

以上の工程で図１に示す照明装置１００を形成することできる。このように、フォトリソグラフィによるパターニングプロセスを行わずに、メタルマスクによる蒸着法、スクリーン印刷法などによってパターンを形成することにより、より簡素化された方法で照明装置を作製することができる。

【００６２】

また、封止領域において、シール材１１６は、基板１０２に形成された凹凸領域１２０、及び凹凸領域１２０上に形成された接続電極１０６と接する。このように、シール材１１６は、発光素子１１４の外周に形成された凹凸領域１２０、及び凹凸領域１２０上に形成された接続電極１０６と接することで、接着面積が向上し、密着性を高めることができる。なお、接続電極１０６は、導電性ペーストにより形成されており、導電性ペーストが含有している導電性粒子により表面が粗面化されているため、接着面積を向上させ、優れた封止構造とすることができる。

【００６３】

本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。」

オ 「【図１】

［図：0001388735000001.jpg］

」

（２）引用文献２の記載

当審拒絶理由で引用された、引用文献２（特開２００９－１４６８４８号公報）は、本件優先日前に日本国内又は外国において頒布された刊行物であるところ、そこには以下の記載がある。

ア 「【技術分野】

【０００１】

本発明は、エレクトロルミネセンスにより発光する発光装置及び電子機器に関する。

【背景技術】

【０００２】

薄型で軽量な発光源として、ＯＬＥＤ（organic light emitting diode）、即ち有機ＥＬ（electro luminescent）素子が提供されている。有機ＥＬ素子は、有機材料で形成された少なくとも一層の有機薄膜をピクセル電極と対向電極とで挟んだ構造を有する。両電極間に電流が流されると同時に、前記有機薄膜にも電流が流れ、これにより、当該有機薄膜、ないしは有機ＥＬ素子は発光する。

このような有機ＥＬ素子を多数並べ、かつ、その各々につき発光及び非発光を適当に制御すれば、所望の意味内容をもつ画像等の表示が可能となる。

かかる有機ＥＬ素子、ないしはこれを備えた画像表示装置としては、例えば特許文献１に開示されているようなものが知られている。」

イ 「【発明の開示】

【発明が解決しようとする課題】

【０００３】

ところで、上述のような画像表示装置においては、全有機ＥＬ素子のそれぞれが保有する有機薄膜の量が、均一であること、より現実的には一定の範囲内に収まることが好ましい。そうでなければ、発光に寄与する有機ＥＬ物質の量に相違が生じ、結果的に、輝度ムラを発生させるおそれが高まるからである。この要請は、当該有機薄膜が、液滴塗布法(インクジェット法)を用いて製造される場合、その原材料たる液滴、ないしはインクの吐出量が各有機ＥＬ素子について同じであるべきである等の各個別の要請となって表れる。

しかし、上述の課題を解決することは一般に困難である。というのも、液滴塗布法（インクジェット法）では１回１回の吐出についてその量にムラが生じ得ること、また、液滴ないしインク塗布後の乾燥工程において各有機ＥＬ素子について乾燥ムラが生じ得ること等、完璧に統制することが困難な各種の要因が存在するからである。

とはいえ、これらの要因は、製造工程の管理を極めて厳格に行えば、一定程度解消することは可能ではある。しかし、そこには当然コスト上の限界が存在することは言うを待たない。結局、輝度ムラの発生を未然に防止すべく全有機ＥＬ素子の有機薄膜保有量を同じにするという要請とともに、可能な限り、製造工程の簡易化、容易化が達成されることが望ましいのである。」

ウ 「【課題を解決するための手段】

【０００９】

本発明の発光装置は、上述した課題を解決するため、基板と、前記基板上に、その各々がマトリクス状の配列に従って並べられる複数のピクセル電極と、該ピクセル電極の各々に対応し、かつ、その各々が、該ピクセル電極及び対向電極、並びに、これらに挟まれる発光機能層を含む複数の発光素子と、前記発光機能層を前記マトリクス状の配列の列方向に沿って複数個の部分に区切る区切り部と、を備え、前記マトリクス状の配列における、ある列の前記区切り部の配列パターンは、他の列の前記区切り部の配列パターンとは異なる。

【００１０】

続きを表示（全13行）

本発明によれば、発光機能層が、区切り部によって複数個の部分に区切られる。この場合、マトリクス状の配列におけるある列において、この「区切り部」によって区切られる発光機能層の数（即ち、「複数個の部分」の、その数）と、当該の列に並ぶピクセル電極の数とは異なっていてよい。したがって、前者の数が後者の数よりも少なければ、「区切り部」間の発光機能層を１個形成すれば、同じ区間に存在する複数のピクセル電極についての発光機能層の形成が一挙に完了する、ということになる。本発明では、このような観点からまず、その製造容易性が確保される。

また、本発明では、例えば前述のように、基板の全長に亘る「ストライプ状」の溝等が設けられるわけではなく、発光機能層が、「区切り部」によって適当な数に分離されているので、当該発光機能層中のある１箇所の不具合（例えば、前述の「混入」等）が、“全”画素に影響を及ぼす、といったことも生じない。本発明では、このような観点からも、その製造容易性が確保される。

【００１１】

また、前述のような「区切り部」の存在によると、発光機能層が、液滴塗布法（インクジェット法）を用いて作られる場合、その原料液滴ないしインク滴の乾燥開始点は、当該区切り部が存在する位置、あるいはその近傍に設定され得ることになる（液滴ないしインク滴の乾燥は、その端部から始まるからである。）。

そして、本発明では、この「区切り部」の、ある列における配列パターンが、他の列におけるそれとは異なっている。つまり、これによると、これらある列及び他の列では、前記の乾燥開始点が一般に異なるということになり、したがってまた、乾燥終了点も一般に異なるということになる。例えば、ある列における乾燥開始点（即ち、区切り部及びその近傍）のすぐ隣の列の上の点は、乾燥終了点である、といった如くである。

これによれば、基板全面に関する、一様の乾燥ムラが生じることがない。例えば、前述した、基板の全長に亘るような「ストライプ状」の溝を形成する場合では、乾燥開始点はその溝の端部であり、乾燥終了点はその溝の長手方向の中央部分である、ということになり得るため、当該の溝を当該基板上に一様に並べてしまうと、乾燥終了点が当該基板を横切るような直線の上に並ぶ、ということが生じてしまう。すると、その結果、有機ＥＬ物質等の有効成分の凝集等が、ある特定の領域に集中する、といった事象を発生させてしまうおそれが高まるのである。こうなると、複数の発光素子全体による画像表示等において、輝度ムラがより目立つことになる。

本発明において、このような不具合は発生しないのである。

結局、本発明によれば、製造容易性の向上が図られながら、輝度ムラの発生を未然に防止することができる。

なお、本発明にいう「発光素子」は、ピクセル電極及び対向電極間に電流が流されることで、発光機能層に電流が流れ、それにより、当該発光機能層が発光する素子であることを前提とする。」

エ 「【発明を実施するための最良の形態】

【００２０】

＜第１実施形態＞

以下では、本発明に係る第１の実施の形態について図１乃至図６を参照しながら説明する。なお、これらの図面及び後に参照する図７以降の各図面においては、各部の寸法の比率は実際のものとは適宜に異ならせてある場合がある。

続きを表示（全80行）

【００２１】

図１は、第１実施形態の有機ＥＬ装置の一例を示す平面図である。

この図１において、有機ＥＬ装置は、素子基板７と、この素子基板７上に形成される各種の要素を備えている。ここで各種の要素とは、有機ＥＬ素子８、走査線３及びデータ線６、走査線駆動回路１０３Ａ及び１０３Ｂ、データ線駆動回路１０６、プリチャージ回路１０６Ａ、並びに対向電極用電源線２０１である。

【００２２】

有機ＥＬ素子（発光素子）８は、図１に示すように、素子基板７上に複数備えられており、それら複数の有機ＥＬ素子８はマトリクス状に配列されている。有機ＥＬ素子８の各々は、ピクセル電極、発光機能層及び対向電極から構成されている。これら各要素に関しては後に改めて触れる。

画像表示領域７ａは、素子基板７上、これら複数の有機ＥＬ素子８が配列されている領域である。画像表示領域７ａでは、各有機ＥＬ素子８の個別の発光及び非発光に基づき、所望の画像が表示され得る。なお、以下では、素子基板７の面のうち、この画像表示領域７ａを除く領域を、「周辺領域」と呼ぶ。

【００２３】

走査線３及びデータ線６は、それぞれ、マトリクス状に配列された有機ＥＬ素子８の各行及び各列に対応するように配列されている。より詳しくは、走査線３は、図１に示すように、図中左右方向に沿って延び、かつ、周辺領域上に形成されている走査線駆動回路１０３Ａ及び１０３Ｂに接続されている。一方、データ線６は、図中上下方向に沿って延び、かつ、周辺領域上に形成されているデータ線駆動回路１０６に接続されている。これら各走査線３及び各データ線６の各交点の近傍には、前述の有機ＥＬ素子８等を含む単位回路（ピクセル回路）Ｐが設けられている。

【００２４】

この単位回路Ｐは、図２に示すように、前述の有機ＥＬ素子８を含むほか、ｎチャネル型の第１トランジスタ６８、ｐチャネル型の第２トランジスタ９、及び容量素子６９を含む。

単位回路Ｐは、電流供給線１１３から給電を受ける。複数の電流供給線１１３は、図示しない電源に接続されている。

また、ｐチャネル型の第２トランジスタ９のソース電極は電流供給線１１３に接続される一方、そのドレイン電極は有機ＥＬ素子８のピクセル電極に接続される。この第２トランジスタ９のソース電極とゲート電極との間には、容量素子６９が設けられている。一方、ｎチャネル型の第１トランジスタ６８のゲート電極は走査線３に接続され、そのソース電極はデータ線６に接続され、そのドレイン電極は第２トランジスタ９のゲート電極と接続される。

単位回路Ｐは、その単位回路Ｐに対応する走査線３を走査線駆動回路１０３Ａ及び１０３Ｂが選択すると、第１トランジスタ６８がオンされて、データ線６を介して供給されるデータ信号を内部の容量素子６９に保持する。そして、第２トランジスタ９が、データ信号のレベルに応じた電流を有機ＥＬ素子８に供給する。これにより、有機ＥＬ素子８は、データ信号のレベルに応じた輝度で発光する。

【００２５】

素子基板７上の周辺領域上には、プリチャージ回路１０６Ａが備えられている。このプリチャージ回路１０６Ａは、有機ＥＬ素子８へのデータ信号の書込み動作に先立って、データ線６を所定の電位に設定するための回路である。

また、対向電極用電源線２０１（以下、単に「電源線２０１」という。）は、素子基板７の外形輪郭線にほぼ沿うように、平面視してΠ字状の形状をもつ。この電源線２０１は、有機ＥＬ素子８の対向電極に例えばグランドレベル等の電源電圧を供給する。

なお、前述では、走査線駆動回路１０３Ａ及び１０３Ｂ、データ線駆動回路１０６、並びにプリチャージ回路１０６Ａのすべてが素子基板７上に形成される例について説明しているが、場合によっては、そのうちの全部又は一部を、フレキシブル基板に形成するのであってもよい。この場合、当該のフレキシブル基板と素子基板７との両当接部分に適当な端子を設けておくことにより、両者間の電気的な接続を可能とする。

【００２６】

以上述べたような基本的構成を備える有機ＥＬ装置は、より詳細には、図３乃至図５に示すような構造をもつ。

なお、図３と図４とは、いずれも有機ＥＬ装置の画像表示領域７ａの一部を拡大視する平面図であるという点について趣旨を同じくするが、前者は、発光機能層１８形成前の状態を表し、後者は、発光機能層１８形成後の状態を表している点で異なっている。また、図３では、ピクセル電極１３（図中破線参照）を図示しているが、図４では、煩雑さを避けるため、その図示が省略されている。

【００２７】

有機ＥＬ装置は、図３又は図４に示すように、隔壁層３４０と、これによって形作られる、略長円形状の開口部３４１及び開口部３４２それぞれの複数と、を備えている。

このうち隔壁層３４０は、図５に示すように、積層構造物２５０の一部を構成しており、ピクセル電極１３の図中上層として、かつ、コンタクトホール３６０を埋めるように形成されている。この隔壁層３４０は、例えば絶縁性の透明樹脂材料、その中でも特に撥液性をもつ材料で作られて好適である。より具体的には例えば、フッ素系樹脂、あるいは更に、アクリル樹脂の他、エポキシ樹脂、あるいはポリイミドなどを挙げることができる。

なお、隔壁層３４０がこのような各種の樹脂材料から作られている場合には、その基層を、例えばＳｉＯ２等の無機材料で作るようにするとよい（即ち、この場合、隔壁層３４０は下層側に無機物質、上層側に有機物質という積層構造を持つことになる。）。これによれば、ピクセル電極１３が後述するようにＩＴＯ等から作られている場合においても、当該ピクセル電極１３と隔壁層３４０との密着性を高めることができる。

【００２８】

一方、開口部３４１及び開口部３４２は、図３乃至図５に示すように、隔壁層３４０（より正確に言えば、その側壁）によって囲われた空間とも言い換えられ得る。この開口部３４１、あるいは開口部３４２の底面は、ピクセル電極１３の表面に一致する。また、この開口部３４１、あるいは開口部３４２の内部には、発光機能層１８、対向電極５及びバリア層４０等が含まれている（図５参照）。

【００２９】

まず、開口部３４１は、図３、あるいは図４に示すように、図中上下方向に沿った長さが相対的に小さい長円形状をもつ。一方、開口部３４２は、同長さが相対的に大きい長円形状をもつ。なお、ここでいう“長円形状”とは、図に示すように、楕円ではなく、長方形と２つの半円形とを接合したかの如き形状（より詳しくは、前記２つの半円形の径部分それぞれが、前記長方形のそれぞれの短辺部分に接合したかの如き形状）を指す用語として用いている。

このような形状の相違に対応するように、開口部３４１は、図３によく示されているように、その内部に、図中上下方向に沿って並ぶ２つのピクセル電極１３を収めるのに対して、開口部３４２は、その内部に同方向に沿って並ぶ３つのピクセル電極１３を収める。なお、１つ１つのピクセル電極１３を平面視した形状は、概ね長方形状である。

【００３０】

なお、前述のピクセル電極１３の１個１個の間は物理的に分断されていて、電気的に短絡していない（図５も参照）。また、すべての開口部３４１、あるいはすべての開口部３４２の内部におけるピクセル電極１３間には、図３乃至図５に示すように、例えばＳｉＯ２、あるいはＳｉＮ等からなる電極分離層３４５が形成されている。このようなことから、ピクセル電極１３の一単位とは、前述した“長方形状をもつ電極の１個”が、それとして捉えられることになる。また、これに応じて、前述した有機ＥＬ素子８（あるいは、単位回路Ｐ）の一単位も、このピクセル電極１３の一単位に即して定められることになる（図３中、最左列かつ最上段のピクセル電極１３を囲む、符号“８”，“Ｐ”を付された一点差線による囲み線、参照）。

また、図３において、ピクセル電極１３それ自体の配列態様に着目すれば、当該ピクセル電極１３は、マトリクス状に配列されているということができる。

【００３１】

このようなピクセル電極１３は、図５に示すように、コンタクトホール３６０を介して、積層構造物２５０の一部を構成する回路素子薄膜１１と電気的に接続されている。回路素子薄膜１１は、前述の単位回路Ｐに含まれる第１トランジスタ６８や第２トランジスタ９、等を含む。図では極めて簡略化されて描かれているが、この回路素子薄膜１１は、これら各種のトランジスタを構成する半導体層、ゲート絶縁膜、ゲートメタル等や容量素子６９を構成する電極用薄膜（いずれも不図示）、その他の金属薄膜から構成される。なお、前記コンタクトホール３６０は、積層構造物２５０の一部を構成する第１及び第２層間絶縁膜３０１及び３０２を貫通するようにして形成されている。

以上の構成により、ピクセル電極１３は、第２トランジスタ９を介して電流供給線１１３から供給される電流を、発光機能層１８に印加可能である。

このようなピクセル電極１３は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透光性かつ導電性の材料から作られている。

【００３２】

さて、“開口部”の説明に戻る。

開口部３４１及び開口部３４２は、図３、あるいは図４に示されているように、一定の規則に従って並べられている。

まず、開口部３４１は、図３中左から２，４，６，…列目の各列において、その図中最上方に配置される。以下、そこから図中下方に順次繋がるようにして、開口部３４２，３４２，３４２，…が並ぶ。他方、図３中左から１，３，５，…列目の各列においては、図中最上方に開口部３４２が配置され、以下、そこから開口部３４２，３４２，３４２，…が並ぶ（要するに、この場合、その全部が開口部３４２である。）。

このような配列態様により、図中上下方向に沿った開口部３４１及び３４２間、あるいは開口部３４２及び３４２間に現れる隔壁層３４０の位置は、例えば図４の太い破線で示すが如く、列の並んでいく方向（図中左右方向）に従って、ジグザグに変動する。つまり、第１実施形態では、ある列に沿った隔壁層３４０の配列パターンは、他の列に沿ったそれとは異なるのである。この点については、後に図６を参照して改めて説明することにする。

なお、ここで言及した隔壁層３４０は、本発明にいう「区切り部」への該当性を有する。

【００３３】

このような配列態様をもつ開口部３４１、あるいは開口部３４２は、図４に示すように、図中左から１，４，６，…番目に位置する各列から構成される第１列群、同じく２，５，７，…番目に位置する各列から構成される第２列群、及び、３，６，９，…番目に位置する各列から構成される第３列群、のいずれかのグループに属する。

ここで、第１列群とは、そこに属する開口部３４１、あるいは３４２が、赤色光を発する有機ＥＬ物質を含む発光機能層１８Ｒを備えるグループである。以下、同様にして、第２列群及び第３列群とは、それぞれ、緑色光を発する有機ＥＬ物質を含む発光機能層１８Ｇを備えるグループであり、及び、青色光を発する有機ＥＬ物質を含む発光機能層１８Ｒを備えるグループである。なお、本明細書においては、ここで述べた符号“１８Ｒ”，“１８Ｇ”及び“１８Ｂ”を、一まとめに代表する記号として符号“１８”を用いている。

【００３４】

より詳細には、次のようである。すなわち、第１実施形態において、発光機能層１８は、図４あるいは図５に示すように、開口部３４１、あるいは開口部３４２ごとに１個ずつ割り当てられるように形成されている。第１実施形態では特に、発光機能層１８は、隔壁層３４０の側壁によって囲われた空間に閉じ込められるように形成されているのである。

この発光機能層１８の１個１個は、少なくとも有機発光層を含み、この有機発光層は正孔と電子が結合して発光する有機ＥＬ物質から構成されている。第１実施形態において、この有機ＥＬ物質としては、例えば、赤色発光に対応してシアノポリフェニレンビニレン、緑色発光に対応してポリフェニレンビニレン、並びに、青色発光に対応してポリフェニレンビニレン及びポリアルキルフェニレン、のそれぞれが該当し得る（この材料提示は、単なる一例である。）。そして、このうちの最前者の材料を含む発光機能層１８Ｒを含む開口部３４１及び３４２が前記第１列群に含まれ、その次の材料を含む発光機能層１８Ｇを含む開口部３４１及び３４２が前記第２列群に含まれ、最後者の材料を含む発光機能層１８Ｂを含む開口部３４１及び３４２が前記第３列群に含まれることになるのである。

【００３５】

このような第１、第２及び第３列群の区分けと、前述した開口部３４１及び３４２の配列態様との間には次の関係がある。

すなわち、まず、図３によく示されているように、例えば第３列群を構成する、図中左から３，６，９，…列目の各列に着目する（図中ハッチングされた部分参照）。

このうち第３列目においては、図中上から順に、開口部３４２，３４２，３４２，…が並ぶ。したがって、ピクセル電極１３の数を基準としてみると、図中上から順に３つのピクセル電極１３を数えると、隔壁層３４０Ａが現れ（図中二重黒丸参照）、更にまた３つのピクセル電極１３を数えると、再び隔壁層３４０Ａが現れ、ということが繰り返される。

一方、第６列目においては、図中上から順に、開口部３４１、そして開口部３４２，３４２，３４２，…が並ぶ。したがって、ピクセル電極１３の数を基準としてみると、図中上から順に２つのピクセル電極１３を数えると、隔壁層３４０Ａが現れ、更にまた３つのピクセル電極１３を数えると、再び隔壁層３４０Ａが現れ、以下、３つのピクセル電極１３ごとに隔壁層３４０Ａが現れる、ということが繰り返される。

更に、第９列目においては、図から明らかなように、前記の第３列目と同じである。以後、第１５，２１，２７，…列目も同様となる。また、第１２列目においては、前記の第６列目と同じになる。以後、第１２，１８，２４，…列目も同様となる。

【００３６】

これを要するに、第１実施形態では、第３列群のうち、隣接し合う各列（例えば、第３列目と第６列目、あるいは第６列目と第９列目、等々）上に位置する隔壁層３４０Ａの、当該各列に沿った配列パターンは互いに異なる、ということになる。このことは、残る第１列群及び第２列群についても同様に当てはまることが、図３、あるいは図４から明らかである。なお、ここで言及した隔壁層３４０Ａは、本発明にいう「区切り部」への該当性を有する（隔壁層３４０Ａは、隔壁層３４０そのものであるので、既述のように、隔壁層３４０が「区切り部」への該当性を有する以上、これは当然のことである。）。

【００３７】

第１実施形態に係る有機ＥＬ装置は以上述べた各種の要素を備えるが、以下では、上では触れられなかった各種の要素、あるいは、上で触れた要素ではあるが補足する事項について説明する。

まず、既述の第１及び第２層間絶縁膜３０１及び３０２（以下、単に「絶縁膜３０１及び３０２」ということがある。）は、積層構造物２５０中の導電性要素間の短絡が生じないように、あるいは、これら導電性要素の積層構造物２５０中における好適な配置を実現するため等に貢献する。

絶縁膜３０１及び３０２は、様々な厚さでもって様々な絶縁性材料から作られうるが、好適には、各絶縁膜の積層構造物２５０中の配置位置や役割等に応じて、適宜適当な厚さ及び材料が選択されるとよい。より具体的には例えば、絶縁膜３０１及び３０２は、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ等々で作られて好ましい。

あるいは、第２層間絶縁膜３０２に関しては、これを下地層として形成される複数のピクセル電極１３（図４参照）それぞれが同一面内に形成されるように、その上面が平坦面になり易いアクリル樹脂等から作られてもよい。

【００３８】

次に、図５に示すバリア層４０は、素子基板７の全面を覆うかのように、後述する対向電極５の上に形成されている。このバリア層４０は、水及び酸素の有機ＥＬ素子８への進入を食い止める機能をもつ。このような機能を十全に発揮するべく、当該バリア層４０は、具体的には例えば、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、ＳｉＯ２、等々で作られて好適である。

【００３９】

さらに、図５に示す対向電極５は、素子基板７の全面を覆うかのように、発光機能層１８の上に形成されている。この対向電極５は、平面視して矩形状（その内部に特別な開口、間隙等をもたない、いわゆるベタ）に形成されており、その周囲は、図１に示した電源線２０１に電気的に接続される（その接続態様は不図示）。

このような対向電極５は、例えばアルミニウム、銀、等の比較的光反射性能の高い材料から作られる。

【００４０】

前述の有機ＥＬ素子８の各々は、いま述べた対向電極５、及び、上で詳述したピクセル電極１３及び発光機能層１８から構成される。

このような構造に基づき、例えば、ピクセル電極１３が陽極、対向電極５が陰極、等と設定されて、両者間に電流が流されると、それと同時に発光機能層１８にも電流が流れ、これにより、当該発光機能層１８は発光する。この場合、前述の有機ＥＬ物質の違いに応じた、赤、緑及び青の各色の発光が行われる。そして、この発光機能層１８から発した光のうち一部は、素子基板７に向かってそのまま有機ＥＬ装置外部へと進行し、あるいは他の一部は、対向電極５の側に向かって進行した後、該対向電極５で反射した上で有機ＥＬ装置外部へと進行する（図５中の符号“Ｌ”参照）。このように、第１実施形態に係る有機ＥＬ装置は、光Ｌが、素子基板７の側に向かって進行するので、いわゆるボトムエミッション型である。

【００４１】

以下では、以上述べたような有機ＥＬ装置によって奏される作用効果について説明する。

（１） まず、第１実施形態の有機ＥＬ装置によれば、その製造容易性の向上が図られる。というのも、第１実施形態においては、発光機能層１８が１個の開口部３４１又は３４２に形成されれば、その開口部３４１又は３４２に収められている２つ又は３つのピクセル電極１３についての発光機能層１８の形成が一挙に完了するからである。

また、第１実施形態では、発光機能層１８が、隔壁層３４０（特に、図３の隔壁層３４０Ａ参照）によって適当な数に分離されているので、当該発光機能層１８中のある１箇所の不具合が、"全"ピクセルに影響を及ぼす、といったことも生じない。ここで"不具合"とは、具体的には例えば、発光機能層１８Ｒが供給されるべき列のある一点に、発光機能層"１８Ｇ"が混入したりする不具合とか、あるいは、ある列に侵入した微少塵にインクが凝集してしまったりする不具合等が考えられる。第１実施形態では、このような観点からも、その製造容易性が確保される。

【００４２】

（２） また、第１実施形態では、このような製造容易性の向上が図られながら、輝度ムラの発生を未然に防止することができる。これは、以下の事情による。

すなわち、第１実施形態では、上述のように、図３又は図４中上下方向、あるいは、ある列に沿った隔壁層３４０の配列パターンが、他の列におけるそれとは異なっている。例えば、図６に模式的に示すように、図３の符号"Ｐ１"を付した列の隔壁層３４０の配列パターンは、左から順に、隔壁層３４０、２つの電極分離層３４５を挟んで再び隔壁層３４０、続いて２つの電極分離層３４５を挟んで再び隔壁層３４０、以後同様ということが繰り返される。一方、図３の符号"Ｐ２"を付した列の隔壁層３４０の配列パターンは、左から順に、隔壁層３４０、１つの電極分離層３４５を挟んで再び隔壁層３４０、続いて２つの電極分離層３４５を挟んで再び隔壁層３４０、以後同様ということが繰り返される」

オ 「【図面の簡単な説明】

【００７６】

【図１】本発明の第１実施形態に係る有機ＥＬ装置の概略構成を示す平面図である。

【図２】図１の単位回路Ｐの詳細を示す回路図である。

続きを表示（全19行）

【図３】図１の有機ＥＬ装置の画像表示領域の一部を拡大視した平面図（ただし、発光機能層形成前の状態を示す平面図）である。

【図４】図１の有機ＥＬ装置の画像表示領域の一部を拡大視した平面図（ただし、発光機能層形成後の状態を示す平面図）である。

【図５】図４のＸ１-Ｘ１断面図である。

【図６】図３中符号"Ｐ１"を付した列と符号"Ｐ２"を付した列に関する、隔壁層の配列パターン等を模式的に示す説明図である。

【図７】本発明の第２実施形態に係り、図３と同趣旨の平面図である。

【図８】本発明の第２実施形態に係り、図４と同趣旨の平面図である。

【図９】図８の開口部"３４３"のみを拡大視して示す平面図である。

【図１０】図８のＸ２-Ｘ２断面図である。

【図１１】図７中符号"Ｐ３"を付した列と符号"Ｐ４"を付した列に関する、隔壁層及び電極分離帯の配列パターン等を模式的に示す説明図である。

【図１２】本発明に係る有機ＥＬ装置を適用した電子機器を示す斜視図である。

【図１３】本発明に係る有機ＥＬ装置を適用した他の電子機器を示す斜視図である。

【図１４】本発明に係る有機ＥＬ装置を適用したさらに他の電子機器を示す斜視図である。

【符号の説明】

【００７７】

７……素子基板、７ａ……画像表示領域、Ｐ……単位回路、８……有機ＥＬ素子、１３……ピクセル電極、１８……発光機能層、１８ａ……有機発光層、１８ｂ……正孔注入層、１８Ｒ……（赤色光を発する有機ＥＬ物質を含む）発光機能層、１８Ｇ……（緑色光を発する有機ＥＬ物質を含む）発光機能層、１８Ｂ……（青色光を発する有機ＥＬ物質を含む）発光機能層、５……対向電極、３４０，３４０Ａ……隔壁層、３４１，３４２，３４３……開口部、３４５……電極分離層、３４６……親液層、３４７……電極分離帯、１１……回路素子薄膜、３０１……第１層間絶縁膜、３０２……第２層間絶縁膜、４０……バリア層」

カ 「【図４】

［図：0001388735000002.jpg］

【図５】

［図：0001388735000003.jpg］

」

（３）引用文献４の記載

当審拒絶理由で引用された、引用文献４（特開２０１１－１９１７３０号公報）は、本件優先日前に日本国内又は外国において頒布された刊行物であるところ、そこには以下の記載がある。

ア 「【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【０００１】

本発明は、トップエミッション型有機ＥＬ素子を用いた表示技術に関する。」

イ 「【発明を実施するための形態】

【００３５】

〈第一の実施の形態〉

本発明の第一の実施の形態の表示装置の一例を図１、図２に示す。図１は表示装置１の一例を示す断面図であり、図２は有機発光層１４、対向電極１５を省略した表示装置１の一例を示す平面図である。なお、図１の断面図は、図２でのＡ－Ａ'での断面を示している。

続きを表示（全79行）

【００３６】

図１を参照すると、本実施の形態の表示装置１は、基板２上に薄膜トランジスタ(以後、ＴＦＴと称す)８がマトリックス状に配置されている表示装置である。ＴＦＴ８は、ゲート電極３、ゲート絶縁膜４、活性層５、ソース電極６およびドレイン電極７からなる。ＴＦＴ８は層間絶縁膜９によって被覆され、当該層間絶縁膜９上にＹ方向に伸びたライン状の第１の隔壁１０が設けられる。

【００３７】

また、図１、図２を参照すると、ＴＦＴ８は層間絶縁膜９によって被覆され、当該層間絶縁膜９上にはＹ方向に伸びたライン状の第１の隔壁１０および、第１の隔壁１０と略直交するように配置されＸ方向に伸びるライン状の第２の隔壁１１によって形成される開口１２がマトリックス状に配置されている。

【００３８】

また、図１を参照すると、開口１２内には、Ｘ方向に伸びる第２の隔壁１１によってＹ方向で分離された画素電極１３がマトリックス状に配置される。画素電極１３上には、第１の隔壁１０、第２の隔壁１１によって分離された有機発光層１４がマトリックス状に配置される。さらに、有機発光層１４上には、透光性を有する対向電極１５が共通電極として配置される。画素電極１３、有機発光層１４および対向電極１５によって有機ＥＬ素子１６は構成される。

【００３９】

また、有機ＥＬ素子１６の画素電極１３は、層間絶縁膜９を貫通するように形成されたコンタクトホール１７ｘによってＴＦＴ８のドレイン電極７と接続される。ＴＦＴ８のゲート電極３にかかる電位によってＴＦＴ８がＯＮした場合に、コンタクトホール１７ｘを介して有機ＥＬ素子１６に電流が流れ、有機ＥＬ素子１６は光を放射する。

【００４０】

なお、図１、図２を参照すると、コンタクトホール１７ｘはＹ方向に伸びる第１の隔壁１０の一部によって被覆されている。

【００４１】

図２に示すように、本実施の形態における画素電極１３は、Ｙ方向ではＸ方向に伸び第の２の隔壁１１で分離されている。そのためＹ方向において画素電極１３の端部が第２の隔壁１１の端部と接する構造、あるいは、画素電極１３の端部が第２の隔壁１１の端部に乗り上げる構造となっている。一方、図１に示すように、Ｘ方向の画素電極１３は、ライン状である第１の隔壁１０の底部に潜り込む構造となっている。

【００４２】

本実施の形態の構造を採用すると、コンタクトホール１７ｘは、Ｙ方向に伸びる第１の隔壁１０によって被覆され発光に寄与する開口１２から分離されるため、発光に寄与する陰極上には凹みが発生せず、平坦性の良い陰極を形成することができる。そのため、有機発光層１４の膜厚が均一となり、素子内、面内で均一な発光を有する有機ＥＬ素子および表示装置を実現できる。

【００４３】

また、Ｙ方向はＸ方向に伸びる第２の隔壁１１によって画素電極１３が分離されるため、画素電極１３の解像度については、画素電極１３間のスペースは画素電極１３の印刷に用いるインクジェット装置の最小分解スペースに律速されず、第２の隔壁１１の解像度によって決定される。

【００４４】

つまり、隔壁は感光性ポリイミド材料、感光性アクリル材料等の感光性樹脂を用いて形成され、それらの最小線幅は５ｕｍ以下である。

【００４５】

一方、隔壁を用いない場合のインクジェット法での最小分解スペースは３０～５０ｕｍであり、本実施の形態の構造を採用することで従来よりもＹ方向では数倍の高精細化が実現でき、画素電極１３間のスペースを小さくできるため開口率が改善される。

【００４６】

なお、Ｘ方向ではコンタクトホール１７ｘと接続した画素電極１３Ｂを隣接の画素電極１３Ｃ、画素電極１３Ｄと分離する必要があるが（図２参照）、これは画素電極１３間のスペースを画素電極１３の印刷に用いるインクジェット装置の最小分解スペース（３０～５０ｕｍ）に合わせておけば良い。【００４７】

なお、図１では図面を簡略化するため、選択線、信号線、電源線、容量を省略しているが、有機ＥＬ素子１６ではスイッチング素子、ドライブ素子、容量からなる２トランジスタ１キャパシタ構造は必須であり、更に閾値電圧のシフトに対する保証回路を設けるため、より多くのＴＦＴ８や容量を用いる構造が更に望ましい。

【００４８】

次に本実施の形態の表示装置の製造方法を図３、図４に従って説明する。図３の(ａ)、(ｅ)は断面図、(ｂ)、(ｃ)、(ｄ)は正面図を示している。図４は当該製造方法のフローチャートである。

【００４９】

図３(ａ)に示すように、例えばガラス基板である基板２上にアモルファスシリコン(ａ-Ｓｉ)を活性層５とするＴＦＴ８をマトリックス状に形成する。始めにガラス基板上にスパッタ法によってＣｒを成膜し、フォトリソグラフィー法によってゲート電極３を形成した。その後プラズマＣＶＤ法によってＳｉＯ２を成膜してゲート絶縁膜４とした。その後ＣＶＤ法によってａ-Ｓｉを成膜し、フォトリソグラフィー法によって個別化して活性層５とし、その後スパッタ法によってＡｌ-Ｓｉを成膜し、フォトリソグラフィー法によってソース電極６、ドレイン電極７を形成し、１４０ｐｐｉの密度を有するマトリックス状に配置されたＴＦＴ８を完成させた。また必要に応じてトランジスタ形成後にアニール処理を行い、トランジスタ特性の改善を行っても良い。

【００５０】

ＴＦＴ８を形成後、プラズマＣＶＤ法によってＳｉＯＮからなる層間絶縁膜９を成膜しＴＦＴ８を被覆した。層間絶縁膜９の厚さは０.５～２ｕｍとした。その後フォトリソグラフィー法によってドレイン電極７上に直径１０ｕｍのコンタクトホール１７ｘを形成した（図４のＳ３０１）。

【００５１】

次に、図３(ｂ)に示すように、コンタクトホール１７ｘ形成後、撥水性感光性樹脂を塗布し、第２の隔壁１１のパターンを有するフォトマスクを用いて露光し、テトラメチルアンモニウム水溶液を用いて現像し、焼成を行って第２の隔壁１１を形成した（図４のＳ３０２）。なお、第２の隔壁１１はＸ方向に伸びるライン状をしており、コンタクトホール１７ｘが第２の隔壁１１間に入るように、第２の隔壁１１のパターンを有するフォトマスクのアライメントを行った。第２の隔壁１１は幅が１０～３０ｕｍで、膜厚は１～３ｕｍとした。

【００５２】

その後、サンプルをＵＶオゾン処理して、層間絶縁膜９表面を親水化、第２の隔壁１１表面を撥液化した。

【００５３】

次工程でのインクジェット法による画素電極１３の印刷を考えると、層間絶縁膜９の親水性は純水に対しての接触角が３０度以下、望ましくは２０度以下が良く、第２の隔壁１１の撥液性は純水に対しての接触角が５０～１３０度以上、望ましくは６０～１１０度にするのが良い。

【００５４】

撥水性感光性樹脂としては、感光性アクリル樹脂、感光性ポリイミド樹脂、感光性エポキシ樹脂等の末端にフッ素基を導入するか、ポリシロキサン、ポリシラン、ポリシロキサン骨格等を導入した感光性樹脂を用いることができる。

【００５５】

また、感光性アクリル樹脂、感光性ポリイミド樹脂、感光性エポキシ樹脂等を用いて第２の隔壁１１を形成した後、Ｏ２プラズマ処理によって層間絶縁膜９、第２の隔壁１１表面を全て親水化し、その後ＣＦ４プラズマ処理によって第２の隔壁１１のみを選択的に撥液化しても良い。なお、Ｏ２プラズマ処理、ＣＦ４プラズマ処理は低圧、常圧のどちらの方式も採用できる。

【００５６】

その後、図３(ｃ)に示すように、インクジェット装置を用いて第２の隔壁１１間に極性溶媒にナノＡｇ粒子を分散したインクを印刷し、焼成して画素電極１３を形成した（図４のＳ３０３）。画素電極１３はコンタクトホール１７ｘ内にも充填されており、コンタクトホール１７ｘを介してＴＦＴ８のドレイン電極７と接続されるようにした。画素電極１３の膜厚は５０～２００ｎｍとした。

【００５７】

Ｙ方向では第２の隔壁１１表面が撥水性であるためナノＡｇインクの端面は第２の隔壁１１で留まり、自己整合的に分離される。本実施の形態では第２の隔壁１１の幅は１０～３０ｕｍである。一方、Ｘ方向では隔壁がないので、画素電極１３間のスペースがインクジェット装置の最小分解スペースよりも大きくしなければならない。本実施の形態ではＸ方向の画素電極１３間スペースを３０～５０ｕｍとした。

【００５８】

本実施の形態のインクに用いられる極性溶媒としてはアルコール、エチレングリコール、エチレングリコールエーテル等がある。また本実施の形態では極性溶媒にナノＡｇを分散させたインクを用いたが、極性溶媒に分散させる導電微粒子としてはナノＡｇの他にナノＡｕ、ナノＰｄ、ナノＣｕ等の公知の導電微粒子が使用できる。

【００５９】

画素電極１３を形成後、図３(ｄ)に示すように、撥水性感光性樹脂を再度塗布し、第１の隔壁１０のパターンを有するフォトマスクを用いて露光し、テトラメチルアンモニウム水溶液を用いて現像し、焼成を行って第１の隔壁１０を形成した（図４のＳ３０４）。第１の隔壁１０はＹ方向に伸びるライン状をしており、コンタクトホール１７ｘを被覆するように第１の隔壁１０のパターンを有するフォトマスクのアライメントを行った。第１の隔壁１０は幅が４０～６０ｕｍで、膜厚は１～３ｕｍとした。

【００６０】

その後、サンプルを再度ＵＶオゾン処理して、画素電極１３の表面を親水化し、第１の隔壁１０、第２の隔壁１１の表面を撥液化した。次工程でのインクジェット法による有機発光層１４の印刷を考えると、画素電極１３の親水性は純水に対しての接触角が３０度以下、望ましくは２０度以下が良く、第１の隔壁１０、２の隔壁の撥液性は純水に対しての接触角が５０～１３０度以上、望ましくは６０～１１０度にするのが良い。

【００６１】

撥水性感光性樹脂としては第２の隔壁１１と同様に、感光性アクリル樹脂、感光性ポリイミド樹脂、感光性エポキシ樹脂等の末端にフッ素基を導入するか、ポリシロキサン、ポリシラン、ポリシロキサン骨格等を導入した感光性樹脂を用いることができる。

【００６２】

また、感光性アクリル樹脂、感光性ポリイミド樹脂、感光性エポキシ樹脂等を用いて第１の隔壁１０を形成した後、Ｏ２プラズマ処理によって画素電極１３、第１の隔壁１０、第２の隔壁１１の表面を全て親水化し、その後ＣＦ４プラズマ処理によって第１の隔壁１０、第２の隔壁１１のみを選択的に撥液化しても構わない。なお、Ｏ２プラズマ処理、ＣＦ４プラズマ処理は低圧、常圧のどちらの方式も採用できる。

【００６３】

図３(ｅ)に示すように、第１の隔壁１０を形成した後、第１の隔壁１０、第２の隔壁１１で囲まれた開口１２内にインクジェット装置を用いて有機発光層１４を形成した（図４のＳ３０５）。有機発光層１４は各々Ｒ、Ｇ、Ｂに発光する３種をＸ方向に各１列づつ塗り分ける形で形成した。有機発光層１４としては一般的な高分子発光材料が使用でき、例えば、ポリチオフェン系、ポリパラフェニレン系、ポリパラフェニレンビニレン系、ポリフルオレン系、イリジウム錯体系等を極性溶媒に溶解してインク化し、インクジェット装置で印刷、乾燥、焼成することによって形成できる。本実施の形態では上記の図３(ｄ)に示すＵＶオゾン処理によって第１の隔壁１０、第２の隔壁１１の表面が撥液性、画素電極１３表面が親水性となっているため、極性溶媒で溶解した高分子型有機発光材料の端面は隔壁端で止まるため、インクジェット装置にヘッド曲がり、ヘッド蛇行、吐出バラツキがあっても高分子型有機発光材料は開口１２内に印刷できる。なお、有機発光層１４の膜厚はＲ、Ｇ、Ｂの発光効率を考慮して５０～１５０ｎｍで可変とした。

【００６４】

その後、スパッタ法を用いてＩｎ２Ｏ３・ＳｎＯ２からなる透明導電膜を対向電極１５として、有機発光層１４および隔壁上の全面に成膜した（図４のＳ３０６）。対向電極１５は共通電極なのでスパッタ時にシャドウマスクを用いてパターン化した。対向電極１５の膜厚は５０～２００ｎｍとした。

【００６５】

なお、キャリアの注入効率を高めるため、画素電極１３と有機発光層１４の間には電子注入層を、有機発光層１４と対向電極１５の間には正孔注入層を形成することがより望ましい。

【００６６】

電子注入層としてはシクロペンタジエン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ビススチリルベンゼン誘導体等の公知材料が、正孔注入層としてはＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ等が使用できる。電子注入層、正孔注入層も極性溶媒に溶解してインク化した溶液をインクジェット装置で印刷し、その後乾燥することで形成できる。

【００６７】

最後にサンプル外周部に光硬化型エポキシ樹脂を塗布してキャップガラスを接着して封止し、ＴＦＴ８上に有機ＥＬ素子１６が積層された表示装置１を完成させた（図示せず）。

【００６８】

本方法で製造した表示装置は１度の露光、現像で開口１２を有する隔壁を形成する従来の表示装置と比較して、Ｙ方向の画素電極１３幅が大きいため高い開口率による発光領域の拡大が実現できた。

【００６９】

また、本方法で製造した表示装置に駆動用ＩＣが実装されたフレキシブルテープを異方性導電膜で実装し、画像評価テストを行った結果、コンタクトホール１７ｘに起因する発光ムラは全く観察されず、Ｒ、Ｇ、Ｂとも面内で均一な発光が確認された。

【００７０】

なお、本実施の形態では基板２としてガラス基板を用いたが、本発明の表示装置はトップエミッション型であるため透明性が必須ではなく、その他の種々の基板が採用できる。例えば、石英基板、セラミック基板、ＰＥＳ(ポリエーテルサルフォン)、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＩ（ポリイミド）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）等のプラスチック基板、Ｓｉ、ＧａＡｓ等の半導体基板が使用でき、プロセス面を有機樹脂で被覆して絶縁化したＳＵＳやＡｌ等の薄膜金属も使用可能である。

【００７１】

また、本実施の形態ではＴＦＴ８の活性層５としてとしてａ-Ｓｉを用いたが、本発明の表示装置はこれに限定される必要はなく、ポリシリコン、有機半導体、ＩＧＺＯ等の酸化物半導体、半導体基板を用いた場合は基板自身を活性層５としても良い。

【００７２】

また、本実施の形態ではボトムゲート型、トップコンタクト型の電界効果型トランジスタによるＴＦＴ８を採用したが、本発明は上記構造に限定される必要はなく、活性層５の種類によってはトップゲート型、トップコンタクト型等の公知の電界効果型トランジスタや接合型トランジスタ、静電誘導型トランジスタ等が採用できる。

【００７３】

また、本実施の形態では有機発光層１４の印刷に離散吐出が可能なインクジェット法を用いたが、開口１２が撥液性のある第１の隔壁１０、第２の隔壁１１で囲まれているため、連続吐出となるディスペンサー法、ノズルプリンティング法を用いても第１の隔壁１０、第２の隔壁１１の上に吐出された高分子型有機発光材料は自己整合的に開口１２内に入り込むため、上記装置も使用できる。なお、ノズルプリンティング法とは大日本スクリーン製造株式会社が実用化した微小ノズルを用いた有機ＥＬ材料塗布方式である。」

ウ 「【図１】

［図：0001388735000004.jpg］

【図２】

［図：0001388735000005.jpg］

」

（４）引用文献６の記載

当審拒絶理由で引用された、引用文献６（国際公開第２０１０／０８７２３８号）は、本件優先日前に日本国内又は外国において電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明が記載された文献であるところ、そこには以下の記載がある。

ア 「発明の詳細な説明

技術分野

［０００１］ 本発明は、樹脂組成物に関する。さらに詳しくは、半導体素子の表面保護膜や層間絶縁膜、有機エレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ：以下ＥＬと記す）素子の絶縁層、有機ＥＬ素子を用いた表示装置の駆動用薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：以下ＴＦＴと記す）基板の平坦化膜、回路基板の配線保護絶縁膜、固体撮像素子のオンチップマイクロレンズや各種ディスプレイ・固体撮像素子用平坦化膜、回路基板用ソルダーレジストなどの用途に適した樹脂組成物に関する。

背景技術

続きを表示（全14行）

［０００２］ ポリイミドやポリベンゾオキサゾールを含む組成物を硬化させて得られる硬化膜は、半導体素子や表示装置の絶縁膜や保護膜、平坦化膜などに広く使用されている。特に表示装置では、例えば有機ＥＬディスプレイの絶縁層や液晶ディスプレイのブラックマトリクスなどの用途において、コントラストを向上させるために硬化膜の透過率を低くすることが求められる。また、表示装置の駆動用ＴＦＴへの光の進入による誤作動や、リーク電流などを防ぐために、有機ＥＬディスプレイの絶縁層や有機ＥＬディスプレイのＴＦＴ基板上に設けられる平坦化膜にも、透過率を低くすることが求められる。硬化膜において波長４００ｎｍより大きい可視光領域の透過率を低減させる技術としては、例えば、液晶ディスプレイ用ブラックマトリクス材料やＲＧＢペースト材料などにみられるように、樹脂組成物にカーボンブラックや有機・無機顔料、染料などの着色剤を添加する方法が挙げられる。これら着色剤を含有する樹脂組成物は４００～４５０ｎｍの露光波長域に吸収があるため、光を膜底部にまで到達させて感光化するポジ型感光性樹脂組成物として用いることは困難であり、膜を表面から光硬化させるネガ型感光性樹脂組成物としての使用が一般的である。

［０００３］ ポジ型感光性樹脂組成物において硬化膜の透過率を低減させる技術としては、例えば、アルカリ可溶性樹脂、キノンジアジド化合物、およびロイコ色素と顕色剤などの発色組成物を含有するポジ型放射線性樹脂組成物（例えば、特許文献１参照）、熱を加えると黒色になる感熱性材料が予め添加されている感光性樹脂（例えば、特許文献２参照）、アルカリ可溶性樹脂、キノンジアジド化合物、加熱により発色し３５０ｎｍ以上７００ｎｍ以下に吸収極大を示す熱発色性化合物および３５０ｎｍ以上５００ｎｍ未満に吸収極大をもたず５００ｎｍ以上７５０ｎｍ以下に吸収極大を持つ化合物を含むポジ型感光性樹脂組成物（例えば、特許文献３参照）などがある。これらは、熱などのエネルギーにより発色する発色性化合物を用いることにより、硬化前の樹脂膜の露光波長域における透過率を高く保ちながら、硬化膜の透過率を低減させる技術である。そのため樹脂組成物にポジ型、ネガ型両方の感光性を付与することができ、汎用性が高い。

・・・中略・・・

発明の概要

発明が解決しようとする課題

［０００５］ 発色性化合物は、それ自体が熱により分子内構造変化を起こして、特定波長領域に吸収を発現するものである。最近では、さらに汎用性を高めるため、発色性化合物だけでなく、他の手段によって露光波長域に吸収を発現できる樹脂組成物が望まれている。そこで本発明は、特定の化合物の組み合わせにより、硬化前の樹脂膜の透過率を維持しながら、硬化膜の可視光領域における透過率を低減することができる樹脂組成物を提供することを目的とする。

・・・中略・・・

［００２６］ 本発明に用いられる（ａ）成分のうち、ポリイミド前駆体、ポリベンゾオキサゾール前駆体は、主鎖にアミド結合を有する樹脂であり、加熱処理や化学処理で脱水閉環することにより、前述のポリイミド、ポリベンゾオキサゾールとなる。繰り返し単位の繰り返し数は１０～１０００００が好ましい。ポリイミド前駆体としては、ポリアミド酸、ポリアミド酸エステル、ポリアミド酸アミド、ポリイソイミドなどを挙げることができ、ポリアミド酸、ポリアミド酸エステルが好ましい。ポリベンゾオキサゾール前駆体としては、ポリヒドロキシアミド、ポリアミノアミド、ポリアミド、ポリアミドイミドなどを挙げることができ、ポリヒドロキシアミドが好ましい。ポリイミド前駆体およびポリベンゾオキサゾール前駆体は、アルカリ水溶液に対する溶解性の観点から、酸残基またはアミン残基にＯＲ７、ＳＯ３Ｒ７、ＣＯＮＲ７Ｒ８、ＣＯＯＲ７、ＳＯ２ＮＲ７Ｒ８などの酸性基または酸性基誘導体を有することが好ましく、水酸基を有することがより好ましい。Ｒ７およびＲ８は水素原子または炭素数１～２０の１価の有機基を示す。なお、酸性基とはＲ７またはＲ８が全て水素原子となる場合を指し、酸性基誘導体とはＲ７またはＲ８に炭素数１～２０の１価の有機基が含まれる場合を指す。

・・・中略・・・

［００７５］ 本発明の樹脂組成物は、さらに（ｇ）熱酸発生剤を含有してもよい。（ｇ）熱酸発生剤は、後述する現像後加熱により酸を発生し、（ａ）成分の樹脂と（ｃ）成分の熱架橋剤との架橋反応を促進するほか、（ａ）成分の樹脂のイミド環、オキサゾール環の環化を促進する。このため、硬化膜の耐薬品性が向上し、膜減りを低減することができる。（ｇ）熱酸発生剤から発生する酸は強酸が好ましく、例えば、ｐ－トルエンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸などのアリールスルホン酸、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、ブタンスルホン酸などのアルキルスルホン酸などが好ましい。本発明において、熱酸発生剤は一般式（４）または（５）で表される脂肪族スルホン酸化合物が好ましく、これらを２種以上含有してもよい。」

イ 「［０１０４］ また、本発明の樹脂組成物を硬化させて得られる硬化膜は、ＴＦＴが形成された基板、平坦化膜、絶縁層および表示素子をこの順に有する表示装置の平坦化膜や絶縁層として、好適に用いられる。かかる構成の表示装置としては、液晶表示装置や有機ＥＬ表示装置などが挙げられる。アクティブマトリックス型の表示装置は、ガラスなどの基板上にＴＦＴとＴＦＴの側方部に位置しＴＦＴと接続された配線とを有し、その上に凹凸を覆うようにして平坦化膜を有し、さらに平坦化膜上に表示素子が設けられている。表示素子と配線とは、平坦化膜に形成されたコンタクトホールを介して接続される。図１に平坦化膜と絶縁層を形成したＴＦＴ基板の断面図を示す。基板６上に、ボトムゲート型またはトップゲート型のＴＦＴ１が行列状に設けられており、このＴＦＴ１を覆う状態で絶縁膜３が形成されている。また、この絶縁膜３の下にＴＦＴ１に接続された配線２が設けられている。さらに絶縁膜３上には、配線２を開口するコンタクトホール７とこれらを埋め込む状態で平坦化膜４が設けられている。平坦化膜４には、配線２のコンタクトホール７に達するように開口部が設けられている。そして、このコンタクトホール７を介して、配線２に接続された状態で、平坦化膜４上にＩＴＯ（透明電極）５が形成されている。ここで、ＩＴＯ５は、表示素子（例えば有機ＥＬ素子）の電極となる。そしてＩＴＯ５の周縁を覆うように絶縁層８が形成される。この有機ＥＬ素子は、基板６の反対側から発光光を放出するトップエミッション型でもよいし、基板６側から光を取り出すボトムエミッション型でもよい。このようにして、各有機ＥＬ素子にこれを駆動するためのＴＦＴ１を接続したアクティブマトリックス型の有機ＥＬ表示装置が得られる。

［０１０５］ また、本発明の樹脂組成物を硬化させて得られる硬化膜は、ＴＦＴが形成された基板、絶縁層および表示素子をこの順に有する表示装置の絶縁層として、好適に用いられる。かかる構成の表示装置としては、有機ＥＬ表示装置などが挙げられる。アクティブマトリックス型の表示装置は、ガラスなどの基板上にＴＦＴとＴＦＴの側方部に位置しＴＦＴと接続された配線とを有する。表示素子と配線とは、絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して接続される。図２に絶縁層を形成したＴＦＴ基板の断面図を示す。基板６上に、ボトムゲート型またはトップゲート型のＴＦＴ１が行列状に設けられており、このＴＦＴ１を覆う状態で絶縁膜３が形成されている。また、この絶縁膜３の下にＴＦＴ１に接続された配線２が設けられている。さらに絶縁膜３上には、配線２を開口するようにコンタクトホール７が設けられている。そして、このコンタクトホール７を介して、配線２に接続された状態で、ＩＴＯ（透明電極）５が形成されている。ここで、ＩＴＯ５は、表示素子（例えば有機ＥＬ素子）の電極となる。そしてＩＴＯ５の周縁とＴＦＴおよび配線の段差を覆うように絶縁層８が形成される。この有機ＥＬ素子は、基板６の反対側から発光光を放出するトップエミッション型でもよいし、基板６側から光を取り出すボトムエミッション型でもよい。このようにして、各有機ＥＬ素子にこれを駆動するためのＴＦＴ１を接続したアクティブマトリックス型の有機ＥＬ表示装置が得られる。」

ウ 「実施例

［０１０８］ 以下実施例等をあげて本発明を説明するが、本発明はこれらの例によって限定されるものではない。なお、実施例中の樹脂組成物の評価は以下の方法により行った。

［０１０９］ （１）透過率の評価

５センチ角ガラス基板上に樹脂組成物（以下ワニスという）をスピンコートし、１２０℃で２分間熱処理（プリベーク）して、膜厚３．０μｍのプリベーク膜を作製した。また、ワニスを硬化後膜厚が３．０μｍとなるようにスピンコートし、光洋サーモシステム（株）製イナートオーブンＩＮＨ－２１ＣＤを用いて、窒素気流下（酸素濃度２０ｐｐｍ以下）２３０℃で３０分間熱処理して硬化膜を作製した。なお、プリベーク膜および硬化膜の膜厚は、サーフコム１４００Ｄ（東京精密（株）製）を用いて測定した。このようにして得られたプリベーク膜と硬化膜について、紫外可視分光光度計ＭｕｌｔｉＳｐｅｃ－１５００（島津製作所（株）製）を用いて、波長３００ｎｍ～７００ｎｍの透過スペクトルを測定し、波長４５０ｎｍの透過率を測定した。硬化前（＝プリベーク膜）および硬化後（＝硬化膜）の透過率から、下記の式により透過率変化量を求めた。

続きを表示（全31行）

透過率変化量（％）＝硬化前透過率（％）－硬化後透過率（％）

透過率変化量が２０％以上であれば良好、３０％以上であれば極めて良好と判断できる。

［０１１０］ （２）感度の評価

実施例４～１１および比較例５～６で作製したワニスを６インチシリコンウエハ上に回転塗布し、次いで、ホットプレート（Ｍａｒｋ－７）で３分間熱処理し、厚さ４．０μｍのプリベーク膜を作製した。プリベーク温度は、実施例４～９および比較例５～６は１２０℃、実施例１０～１１は１００℃とした。得られたプリベーク膜を、ｉ線ステッパー（ＧＣＡ製ＤＳＷ－８０００）を用いて０～５００ｍＪ／ｃｍ２の露光量にて２５ｍＪ／ｃｍ２ステップで露光した。露光に用いたライン＆スペースパターンは１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、２０、３０、５０、１００μｍである。実施例１０～１１は露光後、１００℃で１分加熱した。実施例４～９は露光後、実施例１０～１１は露光後加熱の後、２．３８重量％のテトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）水溶液（三菱ガス化学（株）製、ＥＬＭ－Ｄ）で６０秒間現像し、ついで純水でリンスし、現像後の膜を得た。ポジ型のワニスの場合は、露光部分が現像で完全に溶出してなくなった露光量を感度とした。ネガ型のワニスの場合は、現像後の膜の膜厚を測定し、プリベーク膜の膜厚の９０％が現像後に残る露光量を感度とした。なお、プリベーク後および現像後の膜厚は、大日本スクリーン製造（株）製ラムダエースＳＴＭ－６０２を使用し、屈折率１．６３で測定した。

［０１１１］ （３）耐薬品性の評価

（ｉ）実施例１～３および比較例１～４で作製したワニスを６インチシリコンウエハ上に回転塗布し、ホットプレートで３分間熱処理して厚さ４．０μｍのプリベーク膜を作製した。また、実施例４～１１および比較例５～６で作製したワニスは上記（２）記載の方法で現像後の膜を作製した。得られたプリベーク膜および現像後の膜を、光洋サーモシステム（株）製イナートオーブンＩＮＨ－２１ＣＤを用いて、窒素気流下（酸素濃度２０ｐｐｍ以下）２３０℃で３０分間熱処理して硬化膜を作製した。

［０１１２］ 得られた硬化膜を、東京応化工業（株）製剥離液１０６に７０℃で１０分間浸漬した。

剥離液処理前後の硬化膜の膜厚を、大日本スクリーン製造（株）製ラムダエースＳＴＭ－６０２を使用し、屈折率１．６４で測定し、膜減り量を求めた。膜減り量は０．２５μｍ以下が好ましく、より好ましくは、０．１５μｍ以下、さらに好ましくは０．１０μｍ以下である。

［０１１３］ （ｉｉ）実施例４～１１および比較例５～６で作製したワニスを用いて、上記（ｉ）記載の方法で硬化膜を作製した。得られた硬化膜を、東京応化工業（株）製剥離液１０６に７０℃で１０分間浸漬した。剥離液処理後の硬化膜を２０倍の光学顕微鏡で観察し、パターン剥がれの有無を評価した。パターン剥がれのない最小パターンを残存パターンとした。より微細なパターンほど剥がれやすいため、残存パターンが２０μｍ以下であれば良好、５μｍ以下であれば極めて良好と判断できる。

［０１１４］ 合成例１ ヒドロキシル基含有ジアミン化合物の合成

２，２－ビス（３－アミノ－４－ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン（セントラル硝子（株）製、ＢＡＨＦ）１８．３ｇ（０．０５モル）をアセトン１００ｍＬ、プロピレンオキシド（東京化成（株）製）１７．４ｇ（０．３モル）に溶解させ、－１５℃に冷却した。ここに３－ニトロベンゾイルクロリド（東京化成（株）製）２０．４ｇ（０．１１モル）をアセトン１００ｍＬに溶解させた溶液を滴下した。滴下終了後、－１５℃で４時間撹拌し、その後室温に戻した。析出した白色固体をろ別し、５０℃で真空乾燥した。

［０１１５］ 得られた白色固体３０ｇを３００ｍＬのステンレスオートクレーブに入れ、メチルセルソルブ２５０ｍＬに分散させ、５％パラジウム－炭素（和光純薬工業（株）製）を２ｇ加えた。ここに水素を風船で導入して、還元反応を室温で行った。約２時間後、風船がこれ以上しぼまないことを確認して反応を終了させた。反応終了後、濾過して触媒であるパラジウム化合物を除き、ロータリーエバポレーターで濃縮し、下記式で表されるヒドロキシル基含有ジアミン化合物を得た。

［０１１６］

［図：0001388735000006.jpg］

・・・中略・・・

［０１３１］ 実施例１

乾燥窒素気流下、ＢＡＨＦ３２．９ｇ（０．０９モル）をＮ－メチルピロリドン（ＮＭＰ）５００ｇに溶解させた。ここに３，３’，４，４’－ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物（マナック（株）製、ＯＤＰＡ）３１．０ｇ（０．１モル）をＮＭＰ５０ｇとともに加えて、３０℃で２時間撹拌した。その後、３－アミノフェノール（東京化成（株）製）２．１８ｇ（０．０２モル）を加え、４０℃で２時間撹拌を続けた。さらにピリジン（東京化成（株）製）５ｇをトルエン（東京化成（株）製３０ｇ）に希釈して、溶液に加え、冷却管を付け系外に水をトルエンとともに共沸で除去しながら溶液の温度を１２０℃にして２時間、さらに１８０℃で２時間反応させた。この溶液の温度を室温まで低下させ、水３Ｌに溶液を投入し、白色の粉体を得た。この粉体をろ過で集め、さらに水で３回洗浄を行った。洗浄後、白色粉体を５０℃の真空乾燥機で７２時間乾燥させ、ポリイミドを得た。

［０１３２］ このポリイミド１０ｇに１，５－ジヒドロキシナフタレン（東京化成（株）製）４ｇ、合成例３で得られたアルコキシメチル基含有化合物（Ａ－１）５ｇとガンマブチロラクトン（三菱化学（株）製、ＧＢＬ）４０ｇを加えてポリイミド樹脂組成物のワニスを得た。このワニスを用いて得られた硬化前後の膜の４５０ｎｍにおける透過率は、硬化前は９５％、硬化後は６１％であった。これより透過率変化量は３４％であった。また、硬化膜の耐薬品性を評価したところ、膜減り量は０．１０μｍ以下と非常に良好であった。

・・・中略・・・

［０１３８］ 実施例３

ポリアミド酸の代わりに実施例１で得られたポリイミド粉体１０ｇを加えた以外は実施例２と同様にしてポリイミド樹脂組成物のワニスを作製し、評価を行ったところ、硬化前後の膜の４５０ｎｍにおける透過率は、硬化前は９５％、硬化後は４５％であった。これより透過率変化量は５０％であった。また、硬化膜の耐薬品性を評価したところ、膜減り量は０．１μｍ以下と非常に良好であった。

・・・中略・・・

［０１４１］ 実施例４

実施例１のワニスにさらに合成例２で得られたキノンジアジド化合物４ｇを溶解させてポジ型感光性ポリイミド樹脂組成物のワニスを得た。得られたワニスを用いて前記のように、硬化前後の膜の透過率評価、耐薬品性評価および感度評価を行った。４５０ｎｍにおける透過率は、硬化前は９５％、硬化後は６０％であった。これより透過率変化量は３５％であった。感度は１５０ｍＪ／ｃｍ２であった。膜減り量は０．１０μｍ以下であった。また１０μｍ以上のパターンが残存していた。

・・・中略・・・

［０１５１］ 実施例１１

実施例１で得たポリイミド１０ｇに、１，７－ジヒドロキシナフタレン５ｇ、合成例５で得られたアルコキシメチル基含有化合物（Ａ－３）４ｇ、エチレンオキサイド変性ビスフェノールＡジメタクリレート（新中村化学工業（株）製、ＮＫエステルＢＰＥ－１００）２ｇ、トリメチロールプロパントリアクリレート０．５ｇ、１，２－オクタンジオン－１－［４－（フェニルチオ）－２－（Ｏ－ベンゾイルオキシム）］（チバ・スペシャルティ・ケミカルズ（株）製）０．１ｇ、ＥＬ２０ｇとＧＢＬ２０ｇを加えてネガ型感光性ポリイミド樹脂組成物のワニスを得た。得られたワニスを用いて前記のように、硬化前後の膜の透過率評価、耐薬品性評価および感度評価を行った。４５０ｎｍにおける透過率は、硬化前は９４％、硬化後は６６％であった。これより透過率変化量は２８％であった。膜減り量は０．１μｍ、感度は２００ｍＪ／ｃｍ２であった。また１０μｍ以上のパターンが残存していた。」

エ 「［０１５６］ 実施例１２

ガラス基板上にボトムゲート型のＴＦＴを形成し、ＴＦＴに接続される配線（高さ１．０μｍ）を形成した。このＴＦＴと配線を覆う状態でＳｉ３Ｎ４からなる絶縁膜を形成した。次に、この絶縁膜にコンタクトホールを形成した。

［０１５７］ さらに、ＴＦＴおよび配線の凹凸を平坦化するために、絶縁膜上へ平坦化膜を形成した。絶縁膜上への平坦化膜の形成は、実施例５で得られた感光性ポリイミド前駆体組成物のワニスを基板上にスピン塗布し、ホットプレート上で１２０℃で３分間プリベークした後、露光、現像し、空気フロー下において２５０℃で６０分間加熱焼成処理することにより行った。ワニスを塗布する際の塗布性は良好で、露光、現像、焼成の後に得られた硬化膜にはしわやクラックの発生は認められなかった。また、配線の平均段差は５００ｎｍ、作製した平坦化膜の膜厚は２０００ｎｍであった。

［０１５８］ 次に、得られた平坦化膜上に、トップエミッション型の有機ＥＬ素子を形成した。まず、平坦化膜上に、ＩＴＯからなる下部電極を、コンタクトホールを介して配線に接続させてスパッタリングにより形成した。その後、レジストを塗布、プリベークし、所望のパターンのマスクを介して露光し、現像した。このレジストパターンをマスクとして、ＩＴＯエッチャントを用いたウエットエッチングによりパターン加工を行った。その後、レジスト剥離液（モノエタノールアミンとＤＭＳＯの混合液）を用いて該レジストパターンを剥離した。こうして得られた下部電極は、有機ＥＬ素子の陽極に相当する。

［０１５９］ 次に、下部電極の周縁を覆う形状の絶縁層を形成した。絶縁層には、同じく実施例５で得られた感光性ポリイミド前駆体組成物のワニスを用いた。この絶縁層を設けることによって、下部電極とこの後の工程で形成する上部電極との間のショートを防止することができる。絶縁層をパターニングし、２５０℃で６０分間の加熱処理を行い、波長４５０ｎｍ付近に適度な吸収を有する絶縁層を形成した。

［０１６０］ さらに、真空蒸着装置内で所望のパターンマスクを介して、正孔輸送層、赤色、緑色、青色の有機発光層、電子輸送層を順次蒸着して設けた。次いで、基板上方の全面にＡｌから成る上部電極を形成した。これは有機ＥＬ素子の陰極に相当する。得られた上記基板を蒸着機から取り出し、封止用ガラス基板と紫外線硬化型エポキシ樹脂を用いて貼り合わせることで封止した。

［０１６１］ 以上の様にして、各有機ＥＬ素子にこれを駆動するためのＴＦＴが接続してなるアクティブマトリックス型の有機ＥＬ表示装置が得られた。駆動回路を介して電圧を引加したところ、良好な発光を示した。」

オ 「［請求項５］薄膜トランジスタが形成された基板、請求項１～４のいずれか記載の樹脂組成物を硬化させて得られる平坦化膜および／または絶縁層、および表示素子をこの順に有する表示装置。

［請求項６］前記表示素子が有機エレクトロルミネッセンス素子である請求項５記載の表示装置。」

（５）引用文献７の記載

当審拒絶理由で引用された、引用文献７（特開２００７－１６２１４号公報）は、本件優先日前に日本国内又は外国において頒布された刊行物であるところ、そこには以下の記載がある。

ア 「【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【０００１】

本発明は、樹脂組成物に関する。さらに詳しくは、半導体素子の表面保護膜、層間絶縁膜、有機エレクトロルミネッセンス素子の絶縁層や薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor：以下ＴＦＴと記す）基板の平坦化膜、回路基板の配線保護絶縁膜、固体撮像素子のオンチップマイクロレンズや各種ディスプレイ・固体撮像素子用平坦化膜、回路基板用のソルダーレジストなどの用途に適した樹脂組成物に関する。

・・・中略・・・

【発明が解決しようとする課題】

【０００５】

本発明は、低温硬化を行っても優れた耐薬品性を示す樹脂組成物を提供することを目的とする。」

イ 「【００２１】

本発明に用いられる（ａ）成分のうち、一般式（１）で表される構造単位を有する樹脂は、主鎖にアミド結合を有したものであり、ポリイミド前駆体であるポリアミド酸、ポリアミド酸エステル、ポリベンゾオキサゾール前駆体となり得るポリヒドロキシアミド、ポリアミノアミド、ポリアミド、ポリアミドイミドなどを挙げることができるが、これら以外でも一般式（１）の構造単位を有するものであれば良い。これらの中でも、アルカリ現像性の観点から、ポリアミド酸、ポリアミド酸エステル、ポリヒドロキシアミドなどが好ましく用いられる。より好ましく用いられるものはポリアミド酸およびポリアミド酸エステルである。これらの樹脂は２５０℃以下での低温焼成においてもイミド環が十分に形成されるため、低温焼成における耐薬品性がより向上する。

・・・中略・・・

【０１１７】

基板６上に、ボトムゲート型またはトップゲート型のＴＦＴ１が行列状に設けられており、このＴＦＴ１を覆うように絶縁膜３が形成されている。また、この絶縁膜３上に、ＴＦＴ１に接続された配線２が設けられている。さらに絶縁膜３上には、配線２を埋め込むように平坦化膜４が設けられている。平坦化膜４には、配線２に達するコンタクトホール７が設けられている。そして、このコンタクトホール７を介して配線２に接続された状態で、平坦化膜４上に表示素子（例えば有機ＥＬ素子）が設けられている。有機ＥＬ表示素子は、配線２に接続させるように第一電極５を形成し、さらに絶縁層８をコンタクトホール７および第一電極端面を覆うように形成し、次に第一電極開口部上に正孔輸送層、発光層および第二電極を順次形成して作製する。この有機ＥＬ素子は、基板６と反対側から発光を放出するトップエミッション型でも良いし、基板６側から光を取り出すボトムエミッション型であっても良い。このようにして、各有機ＥＬ素子にこれを駆動するためのＴＦＴ１を接続したアクティブマトリックス型の有機ＥＬ表示装置が得られる。」

ウ 「【実施例】

【０１１９】

以下実施例等をあげて本発明を説明するが、本発明はこれらの例によって限定されるものではない。なお、実施例中のキュア膜の作製および評価は以下の方法により行った。

【０１２０】

続きを表示（全13行）

樹脂膜の作製 ６インチシリコンウエハ上に、樹脂組成物（以下ワニスと呼ぶ）をプリベーク後の膜厚が５μｍとなるように塗布し、ついでホットプレート（東京エレクトロン（株）製の塗布現像装置Ｍａｒｋ－７）を用いて、１２０℃で２分プリベークすることにより、樹脂膜を得た。

・・・中略・・・

【０１２９】

合成例１ ヒドロキシル基含有ジアミン化合物の合成 ２，２－ビス（３－アミノ－４－ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン（セントラル硝子（株）製、ＢＡＨＦ）１８．３ｇ（０．０５モル）をアセトン１００ｍＬ、プロピレンオキシド（東京化成（株））１７．４ｇ（０．３モル）に溶解させ、－１５℃に冷却した。ここに３－ニトロベンゾイルクロリド（東京化成（株）製）２０．４ｇ（０．１１モル）をアセトン１００ｍＬに溶解させた溶液を滴下した。滴下終了後、－１５℃で４時間攪拌し、その後室温に戻した。析出した白色固体をろ別し、５０℃で真空乾燥した。

【０１３０】

得られた白色固体３０ｇを３００ｍＬのステンレスオートクレーブに入れ、メチルセルソルブ２５０ｍＬに分散させ、５％パラジウム－炭素（和光純薬（株）製）を２ｇ加えた。ここに水素を風船で導入して、還元反応を室温で行った。約２時間後、風船がこれ以上しぼまないことを確認して反応を終了させた。反応終了後、濾過して触媒であるパラジウム化合物を除き、ロータリーエバポレーターで濃縮し、下記式で表されるヒドロキシル基含有ジアミン化合物を得た。

【０１３１】

［図：0001388735000007.jpg］

」

エ 「【０１４７】

実施例１

乾燥窒素気流下、ＢＡＨＦ３２．９ｇ（０．０９モル）をＮＭＰ５００ｇに溶解させた。ここに３，３’，４，４’－ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物３１．０ｇ（０．１モル、マナック（株）製、ＯＤＰＡ）をＮＭＰ５０ｇとともに加えて、３０℃で２時間攪拌した。その後、３－アミノフェノール２．１８ｇ（０．０２モル、東京化成（株）製）を加え、４０℃で２時間攪拌を続けた。さらにピリジン５ｇ（東京化成（株）製）をトルエン３０ｇ（東京化成（株）製）に希釈して、溶液に加え、冷却管を付け系外に水をトルエンとともに共沸で除去しながら溶液の温度を１２０℃にして２時間、さらに１８０℃で２時間反応させた。この溶液の温度が室温にまで低下したら、水３Ｌに溶液を投入し、白色の粉体を得た。この粉体をろ過で集め、さらに水で３回洗浄を行った。洗浄後、白色粉体を５０℃の真空乾燥機で７２時間乾燥させた。こうしてポリイミドポリマー粉体を得た。

【０１４８】

続きを表示（全20行）

この粉体１０ｇに熱架橋剤ＨＭＯＭ－ＴＰＨＡＰ４０ｇ（２０％の乳酸エチル溶液として、本州化学工業（株）製、架橋剤量８ｇ）、乳酸エチル２０ｇ（武蔵野化学研究所（株）製、ＥＬ）とガンマブチロラクトン２０ｇ（三菱化学（株）製、ＧＢＬ）を加えて均一な溶液を得た。この溶液を用いたキュア膜の耐薬品性を評価したところ、膜減り量は０．１μｍ以下と非常に良好であった。

・・・中略・・・

【０１６５】

実施例８

実施例１で得たポリマー１０ｇに、熱架橋剤ＨＭＯＭ－ＴＰＨＡＰ２０ｇ（２０％の乳酸エチル溶液として、本州化学工業（株）製、架橋剤量４ｇ）、エトキシ化ビスフェノールＡジメタクリレート２ｇ（新中村化学工業（株）製、ＮＫエステルＢＰＥ－１００）、トリメチロールプロパントリアクリレート０．５ｇ、１，２－オクタンジオン－１－［４－（フェニルチオ）フェニル］－２－（ｏ－ベンゾイルオキシム）０．１ｇをＥＬ２０ｇとＧＢＬ２０ｇに溶解させた。

【０１６６】

このキュア膜の耐薬品性を評価したところ、膜減り量は０．３μｍであった。シワの発生の有無を観察したが、シワ発生は見られなかった。感度は１５０ｍＪ／ｃｍ２であった。

【０１６７】

実施例９

実施例１で得られたポリマー１０ｇに、熱架橋剤ＨＭＯＭ－ＴＰＨＡＰ２０ｇ（２０％の乳酸エチル溶液として、本州化学工業（株）製、架橋剤量４ｇ）、エトキシ化ビスフェノールＡジメタクリレート２ｇ（新中村化学工業（株）製、ＮＫエステルＢＰＥ－１００）、トリメチロールプロパントリアクリレート０．５ｇ、ビス（ジエチルアミノフェニル）ケトン０．１ｇ（保土谷化学（株）製）、酸化ケイ素－酸化チタン複合粒子であるＴＲ－５１３（商品名、γ－ブチロラクトン分散液、数平均粒子径１５ｎｍ、粒子含有量３０重量％、触媒化成工業（株）製）３０ｇと乳酸エチル２０ｇを加えて均一な溶液を得た。この溶液を用いたキュア膜の耐薬品性を評価したところ、膜減り量は０．１μｍであった。シワの発生の有無を観察したが、シワ発生は見られなかった。感度は２００ｍＪ／ｃｍ２であった。屈折率は１．７２であり、透過率は９６％であった。

【０１６８】

実施例１０

実施例１で得たポリマー１０ｇに、熱架橋剤ＨＭＯＭ－ＴＰＨＡＰ１０ｇ（２０％の乳酸エチル溶液として、本州化学工業（株）製、架橋剤量２ｇ）、合成例２のキノンジアジド化合物２．５ｇを乳酸エチル２０ｇとガンマブチロラクトン２０ｇを加えて均一な溶液を得た。この溶液を用いたキュア膜の耐薬品性を評価したところ、膜減り量は０．３５μｍであった。シワの発生の有無を観察したが、シワ発生は見られなかった。感度は３００ｍＪ／ｃｍ２であった。

【０１６９】

実施例１１

実施例１で得たポリマー１０ｇに、熱架橋剤ＨＭＯＭ－ＴＰＨＡＰ１０ｇ（２０％の乳酸エチル溶液として、本州化学工業（株）製、架橋剤量２ｇ）、合成例２のキノンジアジド化合物２．５ｇ、酸化ケイ素－酸化チタン複合粒子であるＴＲ－５２０（商品名、γ－ブチロラクトン分散液、数平均粒子径１５ｎｍ、粒子含有量３０重量％、触媒化成工業（株）製）３０ｇと乳酸エチル２０ｇを加えて均一な溶液を得た。この溶液を用いたキュア膜の耐薬品性を評価したところ、膜減り量は０．１μｍであった。シワの発生の有無を観察したが、シワ発生は見られなかった。感度は３５０ｍＪ／ｃｍ２であった。屈折率は１．７６であり、透過率は９４％であった。」

２ 引用文献１を主引用例とした場合

（１）引用発明１

引用文献１の【００２４】～【００６３】及び【図１】（Ａ）～（Ｃ）には、「照明装置１００」が記載されており、当該「照明装置１００」の「発光層１１０」は、「第１の電極１０４」と「第２の電極１１２」の中間に配置されている。また、同文献【００４４】には、「隔壁１０８」が、「第１の電極１０４」、及び「接続電極１０６」の端部を覆っており、当該端部の段差によって、発光層１１０を分断し、「第１の電極１０４と、第２の電極１１２と、が短絡することを抑制するために設けられる」ことが記載されている。

そして、同文献には、実質的に上記「照明装置１００」の製造方法が記載されており、当該「照明装置１００」の製造において、「基板１０２」を設けるステップと、「基板１０２」上に「第１の電極１０４」を配置するステップと、「隔壁１０８」を設けるステップと、「発光層１１０」を設けるステップと、「第２の電極１１２」を設けるステップとを有することは自明である。

さらに、同文献【図１】（Ｂ）～（Ｃ）の記載より、「隔壁１０８」が、第１の電極１０４の端部にのみ位置しており、且つ、同図（Ａ）より、全周に位置していることが把握でき、さらに、同文献【００４５】の記載から「隔壁１０８」が堆積されることが把握できるから、「隔壁１０８」は、「第１の電極１０４」上にパターンとして堆積され、「第１の電極１０４」のエッジをカバーし、「隔壁１０８」の側面は「第２の電極１１２」によってカバーされているものといえる。

引用文献１の上記記載より把握される照明装置の製造方法の発明を引用発明１とする。

「基板１０２と、基板１０２上に形成された凹凸領域１２０と、基板１０２上に形成された第１の電極１０４と、基板１０２、凹凸領域１２０、及び第１の電極１０４上に形成された接続電極１０６と、第１の電極１０４及び接続電極１０６を覆う隔壁１０８と、第１の電極１０４、及び隔壁１０８上に形成された発光層１１０と、隔壁１０８、発光層１１０、及び接続電極１０６上に形成された第２の電極１１２と、基板１０２と対向して設けられた封止基板１１８と、基板１０２と封止基板１１８を封止するシール材１１６と、を有する照明装置１００の製造方法であって、

発光層１１０が第１の電極１０４と第２の電極１１２の中間に配置され、発光層１１０としては、少なくとも発光性の有機化合物を含む層を有しており、

隔壁１０８は、第１の電極１０４と、第２の電極１１２と、が短絡することを抑制するために設けられるものであり、

隔壁１０８は、第１の電極１０４上にパターンとして堆積され、第１の電極１０４のエッジをカバーし、隔壁１０８の側面は第２の電極１１２によってカバーされており、

基板１０２を設けるステップ、基板１０２上に第１の電極１０４を配置するステップと、隔壁１０８を設けるステップと、発光層１１０を設けるステップと、第２の電極１１２を設けるステップとを有する、

照明装置１００の製造方法。」

（２）対比

ア 基板層、第１電極層、活性層、第２電極層

引用発明１の「基板１０２」、「第１の電極１０４」、「発光層１１０」及び「第２の電極１１２」は、その構成からみて、それぞれ、本願発明の「基板層」、「第１電極層」、「活性層」及び「第２電極層」に相当する。

イ 誘電体層

引用発明１の「隔壁１０８」は、「第１の電極１０４と、第２の電極１１２と、が短絡することを抑制するために設けられるものであ」るから、誘電体層であるといえる（当合議体注：このことは、引用文献１の【００４５】の記載からも理解できる。）。

よって、引用発明１の「隔壁１０８」は、本願発明の「誘電体層」に相当する。

ウ 基板層を設けるステップ、前記基板層上に第１電極層を配置するステップ、誘電体層を設けるステップ、活性層を設けるステップ、第２電極層を設けるステップ

上記ア～イに記載される構成より、引用発明１の「基板１０２を設けるステップ」、「基板１０２上に第１の電極１０４を配置するステップ」、「隔壁１０８を設けるステップ」、「発光層１１０を設けるステップ」及び「第２の電極１１２を設けるステップ」は、それぞれ、本願発明の「基板層を設けるステップ」、「前記基板層上に第１電極層を配置するステップ」、「誘電体層を設けるステップ」、「活性層を設けるステップ」及び「第２電極層を設けるステップ」に相当する。

エ 有機発光ダイオード、有機発光ダイオードを製造するための製造方法

引用発明１の「照明装置１００」は、その「発光層１１０」が「少なくとも発光性の有機化合物を含む層を有」していること及び上記ア～イの構成からみて、引用発明１の「照明装置１００」は、本願発明の「有機発光ダイオード」に相当する。

また、引用発明１の「照明装置１００」は、本願発明の「前記活性層が前記第１電極層と前記第２電極層の中間に配置され、前記誘電体層が前記第１電極層と前記第２電極層の間に電気分離をもたらし、前記誘電体層は前記第１電極層上にパターンとして堆積され、前記第１電極層と前記第２電極層の少なくとも一方の少なくとも一つのエッジをカバーし、前記誘電体層の少なくとも一つの側面は前記第２電極層によってカバーされ」るという要件を満たす。

さらに、上記ウより、引用発明１の「照明装置１００の製造方法」は、本願発明の「有機発光ダイオードを製造するための製造方法」に相当し、本願発明の「基板層を設けるステップと、前記基板層上に第１電極層を配置するステップと、誘電体層を設けるステップと、活性層を設けるステップと、第２電極層を設けるステップとを有」するという要件を満たす。

（３）一致点及び相違点

ア 一致点

上記（２）によれば、本願発明と引用発明１は、次の点で一致する。

「有機発光ダイオードを製造するための製造方法であって、

基板層を設けるステップと、

前記基板層上に第１電極層を配置するステップと、

誘電体層を設けるステップと、

活性層を設けるステップと、

第２電極層を設けるステップと

を有し、

前記活性層が前記第１電極層と前記第２電極層の中間に配置され、

前記誘電体層が前記第１電極層と前記第２電極層の間に電気分離をもたらし、前記誘電体層は前記第１電極層上にパターンとして堆積され、前記第１電極層と前記第２電極層の少なくとも一方の少なくとも一つのエッジをカバーし、前記誘電体層の少なくとも一つの側面は前記第２電極層によってカバーされる、製造方法。」

イ 相違点

上記（２）によれば、本願発明と引用発明１は、次の点で相違する。

（相違点１）

「誘電体層」が、本願発明では、「硬化プロセス中に製造される副産物の量が著しく少ない又は副産物を製造しないように構成され」、「誘電体層に含まれる誘電体が疎水性であり」、「溶媒としてのガンマブチロラクトン中に分散された半重合ポリイミドを蒸発させることによって、製造され」るのに対して、引用発明１では、そのように特定されていない点。

（４）判断

本願発明における「半重合」という用語の意味について検討する。本件出願の明細書の記載を参照すると、本願発明は「ポリイミド」及び「ガンマブチロラクトン」を用いて製造されるものであることから、同明細書【００３９】に記載される２つの材料クラスの内、「材料クラス２：溶媒に分散した重合材料を有する誘電体１５０（例えばガンマブチロラクトン中のポリイミド）」に対応するものと認められる。当該「材料クラス２」は、「機能的誘電体１５０は既に重合しているので、これはポストサーマルベーキング（溶媒を蒸発させるため）中に揮発性副産物を生じないか、又は著しく少ない揮発性副産物を生じる。」という特性を有するものであり、本願発明は、「既に重合」した状態の「ポリイミド」を用いることで「揮発性副産物を生じないか、又は著しく少ない揮発性副産物を生じる」ものであると理解できる。よって、本願発明における「半重合」は、「既に重合」したポリイミドを含んでいるという意味で解釈する（以下「解釈１」という。）。

引用文献６（実施例１、３、４、１１）には、有機エレクトロルミネッセンス素子の絶縁層に用いられる樹脂組成物として、粉体状のポリイミド及び溶媒としてのガンマブチロラクトンから得られるポリイミド樹脂組成物のワニスが開示されており（当合議体注：粉体状のポリイミドが「既に重合」した状態のポリイミドであることは明らかである。）、耐薬品性を向上させ、膜減りを低減できるものとなっている（［００７５］）。

また、引用文献７においても同様に、有機エレクトロルミネッセンス素子の絶縁層に用いられる樹脂組成物として、粉体状のポリイミドとガンマブチロラクトンから得られたポリイミド樹脂組成物のワニスが開示されており（実施例１、８～１１）、低温硬化を行っても優れた耐薬品性を示すものとなっている（【０００５】）。

そして、引用発明１において、コントラストや耐薬品性の向上という当業者の自明の課題の下、引用文献６又は引用文献７に記載の事項を採用して、「誘電体層」を、粉体状のポリイミドに溶媒としてガンマブチロラクトンを加えたポリイミド樹脂組成物を用いて形成することは、当業者であれば容易に想到し得たことである（当合議体注：引用文献６又は引用文献７に記載される技術が、溶媒を「蒸発させること」により誘電体層を製造するものである点は当業者であれば自明である。）。

また、「誘電体層」は、「既に重合」したポリイミドを用いて形成されていることから、「硬化プロセス中に製造される副産物の量が著しく少ない又は副産物を製造しないように構成され」たものといえる。なお、ポリイミドは通常疎水性であると認められ、仮にそうでないとしても疎水性のポリイミドから誘電体層を形成することは当業者が適宜なし得たことである。

したがって、本願発明は、引用文献１に記載された発明及び引用文献６又は引用文献７に記載の事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。

また、本願発明における「半重合」という用語がポリイミドのプレポリマー（prepolymerized）を用いて層を形成することを意味すると解釈した場合について検討する（このような解釈を、以下「解釈２」という。）。

ポリイミドのプレポリマーから樹脂層を形成することは、引用文献６の［００２６］、引用文献７の【００２１】（当合議体注：引用文献６～７に記載されるポリイミド前駆体である「ポリアミド酸」がポリイミドのプレポリマーであることは技術常識である。）の他、例えば、特許第５２２４２０５号公報の【００２９】、【０１４５】、特開２００４－２３１７９１号公報の【００５８】、【００６７】等に記載されているように本件優先日前に周知の技術である。

そして、引用発明１において、上記周知技術を採用し、プレポリマーからからポリイミドからなる層を形成することは、当業者であれば容易に想到し得たことである。また、溶媒としてガンマブチロラクトンを用いることも特許第５２２４２０５号及び特開２００４－２３１７９１号公報の上記摘記箇所に記載されているし、また、プレポリマーを用いた場合に、「硬化プロセス中に製造される副産物の量が著しく少ない又は副産物を製造しない」ものとなることもの公知の効果である（特許第５２２４２０５号公報の【００２９】参照。）。

したがって、本願発明における「半重合」という用語を「プレポリマー」を用いることを意味すると解釈した場合においても、本願発明は、引用文献１に記載された発明及び引用文献６又は引用文献７に記載の事項等に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。

３ 引用文献２を主引用例とした場合

（１）引用発明２

引用文献２の【００２０】～【００４０】、【００７６】～【００７７】、【図４】及び図４のＸ１-Ｘ１断面図である【図５】の記載から、「有機ＥＬ装置」が、「素子基板７」側から順に、「第１層間絶縁膜３０１」、「第２層間絶縁膜３０２」、「ピクセル電極１３」、「隔壁層３４０」、「発光機能層１８」、「対向電極５」が配置された構成であることが見て取れる。

また、同文献【００２７】には、「隔壁層３４０」が「絶縁性の透明樹脂材料」からなるものであることが記載されている。

さらに、同文献【００４２】、【図４】～【図５】の記載から、「隔壁層３４０」が、「配列パターン」として堆積されており、「ピクセル電極１３」のエッジをカバーし、「隔壁層３４０」の側面は「対向電極５」によってカバーされていることが把握できる。

そして、同文献には、実質的に上記「有機ＥＬ装置」の製造方法が記載されているといえ、当該「有機ＥＬ装置」の製造方法が、「素子基板７」を設けるステップ、「素子基板７」上に「ピクセル電極１３」を配置するステップと、「隔壁層３４０」を設けるステップと、「発光層１１０」を設けるステップと、「対向電極５」を設けるステップとを有することは自明である。

引用文献２の上記記載より把握される「有機ＥＬ装置」の製造方法の発明を引用発明２とする。

「素子基板７側から順に、第１層間絶縁膜３０１、第２層間絶縁膜３０２、ピクセル電極１３、隔壁層３４０、発光機能層１８、対向電極５が配置された有機ＥＬ装置の製造方法であって、

素子基板７を設けるステップ、ピクセル電極１３を配置するステップと、隔壁層３４０を設けるステップと、発光機能層１８を設けるステップと、対向電極５を設けるステップとを有し、

発光機能層１８がピクセル電極１３と対向電極５の間に中間に配置され、

隔壁層３４０は、絶縁性の透明樹脂材料からなり、

発光機能層１８は、配列パターンとして堆積されており、ピクセル電極１３のエッジをカバーし、隔壁層３４０の側面は対向電極５によってカバーされている、

有機ＥＬ装置の製造方法。」

（２）対比

ア 基板層、第１電極層、活性層、第２電極層

引用発明２の「素子基板７」、「ピクセル電極１３」、「発光機能層１８」及び「対向電極５」は、その構成からみて、それぞれ、本願発明の「基板層」、「第１電極層」、「活性層」及び「第２電極層」に相当する。

イ 誘電体層

引用発明２の「隔壁層３４０」は、「絶縁性の透明樹脂材料からな」るものであり、技術常識に鑑みると、「ピクセル電極１３」と「対向電極５」の間に電気分離をもたらす誘電体の層であることが理解できる。

以上より、引用発明２の「隔壁層３４０」は、本願発明の「誘電体層」に相当する。

ウ 基板層を設けるステップ、第１電極層を配置するステップ、誘電体層を設けるステップ、活性層を設けるステップ、第２電極層を設けるステップ

上記ア～イに記載される構成より、引用発明２の「素子基板７を設けるステップ」、「ピクセル電極１３を配置するステップ」、「隔壁層３４０を設けるステップ」と、「発光機能層１８を設けるステップ」と、「対向電極５を設けるステップ」は、それぞれ、本願発明の「基板層を設けるステップ」、「第１電極層を配置するステップ」、「誘電体層を設けるステップ」、「活性層を設けるステップ」及び「第２電極層を設けるステップ」に相当する。

エ 有機発光ダイオード、有機発光ダイオードを製造するための製造方法

上記ア～イの構成からみて、引用発明２の「有機ＥＬ装置」は、本願発明の「有機発光ダイオード」に相当する。

また、引用発明２の「有機ＥＬ装置は」、本願発明の「前記活性層が前記第１電極層と前記第２電極層の中間に配置され、前記誘電体層が前記第１電極層と前記第２電極層の間に電気分離をもたらし、前記誘電体層は前記第１電極層上にパターンとして堆積され、前記第１電極層と前記第２電極層の少なくとも一方の少なくとも一つのエッジをカバーし、前記誘電体層の少なくとも一つの側面は前記第２電極層によってカバーされ」るという要件を満たす。

さらに、上記ウより、引用発明２の「有機ＥＬ装置の製造方法」は、本願発明の「有機発光ダイオードを製造するための製造方法」に相当し、本願発明の「基板層を設けるステップと、第１電極層を配置するステップと、誘電体層を設けるステップと、活性層を設けるステップと、第２電極層を設けるステップとを有」するという要件を満たす。

（３）一致点及び相違点

ア 一致点

上記（２）によれば、本願発明と引用発明２は、次の点で一致する。

「有機発光ダイオードを製造するための製造方法であって、

基板層を設けるステップと、

第１電極層を配置するステップと、

誘電体層を設けるステップと、

活性層を設けるステップと、

第２電極層を設けるステップと

を有し、

前記活性層が前記第１電極層と前記第２電極層の中間に配置され、

前記誘電体層が前記第１電極層と前記第２電極層の間に電気分離をもたらし、前記誘電体層は前記第１電極層上にパターンとして堆積され、前記第１電極層と前記第２電極層の少なくとも一方の少なくとも一つのエッジをカバーし、前記誘電体層の少なくとも一つの側面は前記第２電極層によってカバーされる、製造方法。」

イ 相違点

上記（２）によれば、本願発明と引用発明２は、次の点で相違又は一応相違する。

（相違点２－１）

「第１電極層を配置するステップ」が、本願発明では、「前記基板層上に第１電極層を配置するステップ」であるのに対して、引用発明２では、そのように特定されていない点。

（相違点２－２）

「誘電体層」が、本願発明では、「硬化プロセス中に製造される副産物の量が著しく少ない又は副産物を製造しないように構成され」、「誘電体層に含まれる誘電体が疎水性であり」、「溶媒としてのガンマブチロラクトン中に分散された半重合ポリイミドを蒸発させることによって、製造され」るのに対して、引用発明２では、そのように特定されていない点。

（４）判断

（相違点２－１について）

本願発明における「前記基板層上に第１電極層を配置する」という特定事項に関し、本件明細書において「～層上に」について特段定義されておらず、「基板層」に直接又は他の層を介して配置される場合を含むものと解される。

そうすると、引用発明２は、「素子基板７側から順に、第１層間絶縁膜３０１、第２層間絶縁膜３０２、ピクセル電極１３、・・・が配置された」ものであるから、「ピクセル電極１３」は「素子基板７」上に他の層を介して配置されたものといえる。

よって、引用発明２の「第１電極層を配置するステップ」は、「前記基板層上に第１電極層を配置するステップ」であるといえる。

（相違点２－２について）

相違点２－２は、相違点１と実質的に同じであり、上記２（４）と同様の判断から、当業者が容易に想到し得たものである。

４ 引用文献４を主引用例とした場合

（１）引用発明４

引用文献４の【００３５】～【００７３】及び【図１】～【図２】には、基板２上にゲート絶縁膜４、層間絶縁膜９を介して画素電極１３が配置された構成の「表示装置１」が記載されている。また、同文献【００４４】には、「隔壁１０」が「感光性ポリイミド材料、感光性アクリル材料等の感光性樹脂を用いて形成され」ることが記載されている。

そして、同文献には、実質的に上記「表示装置１」の製造方法が記載されているといえ、当該「表示装置１」の製造方法において、「基板２」を設けるステップ、「画素電極１３」を配置するステップと、「隔壁１０」を設けるステップと、「有機発光層１４」を設けるステップと、「対向電極１５」を設けるステップとを有することは自明である。

さらに、同文献【図１】～【図２】より、有機発光層１４が画素電極１３と対向電極１５の中間に配置されていること及び隔壁１０は、配列パターンとして堆積されており、画素電極１３のエッジをカバーし、第１の隔壁１０の側面は対向電極１５によってカバーされていることが見て取れる。

引用文献４の上記記載より把握される「表示装置１」の製造方法の発明を引用発明４とする。

「基板２上にゲート絶縁膜４、層間絶縁膜９を介して画素電極１３が配置され、

画素電極１３上に、第１の隔壁１０、第２の隔壁１１によって分離された有機発光層１４がマトリックス状に配置され、

さらに、有機発光層１４上には、透光性を有する対向電極１５が共通電極として配置された、

表示装置１の製造方法であって、

基板２を設けるステップ、画素電極１３を配置するステップと、第１の隔壁１０を設けるステップと、有機発光層１４を設けるステップと、対向電極１５を設けるステップとを有し、

有機発光層１４が画素電極１３と対向電極１５の中間に配置され、

第１の隔壁１０は、感光性ポリイミド材料、感光性アクリル材料等の感光性樹脂を用いて形成され、

第１の隔壁１０は、配列パターンとして堆積されており、画素電極１３のエッジをカバーし、第１の隔壁１０の側面は対向電極１５によってカバーされている、

表示装置１の製造方法。」

（２）対比

ア 基板層、第１電極層、活性層、第２電極層

引用発明４の「基板２」、「画素電極１３」、「有機発光層１４」及び「対向電極１５」は、その構成からみて、それぞれ、本願発明の「基板層」、「第１電極層」、「活性層」及び「第２電極層」に相当する。

イ 誘電体層

引用発明４の「第１の隔壁１０」は、「感光性ポリイミド材料、感光性アクリル材料等の感光性樹脂を用いて形成され」、技術常識に鑑みると、「画素電極１３」と「対向電極１５」の間に電気分離をもたらす誘電体の層である。

以上より、引用発明４の「第１の隔壁１０」は、本願発明の「誘電体層」に相当する。

ウ 基板層を設けるステップ、第１電極層を配置するステップ、誘電体層を設けるステップ、活性層を設けるステップ、第２電極層を設けるステップ

上記ア～イに記載される構成より、引用発明４の「基板２を設けるステップ」、「画素電極１３を配置するステップ」、「第１の隔壁１０を設けるステップ」、「有機発光層１４を設けるステップ」及び「対向電極１５を設けるステップ」は、それぞれ、本願発明の「基板層を設けるステップ」、「第１電極層を配置するステップ」、「誘電体層を設けるステップ」、「活性層を設けるステップ」及び「第２電極層を設けるステップ」に相当する。

エ 有機発光ダイオード、有機発光ダイオードを製造するための製造方法

上記ア～イの構成からみて、引用発明４の「表示装置１」は、本願発明の「有機発光ダイオード」に相当し、本願発明の「前記活性層が前記第１電極層と前記第２電極層の中間に配置され、前記誘電体層が前記第１電極層と前記第２電極層の間に電気分離をもたらし、前記誘電体層は前記第１電極層上にパターンとして堆積され、前記第１電極層と前記第２電極層の少なくとも一方の少なくとも一つのエッジをカバーし、前記誘電体層の少なくとも一つの側面は前記第２電極層によってカバーされ」るという要件を満たす。

また、上記ウの構成より、引用発明４の「表示装置１の製造方法」は、本願発明の「有機発光ダイオードを製造するための製造方法」に相当し、本願発明の「基板層を設けるステップと、第１電極層を配置するステップと、誘電体層を設けるステップと、活性層を設けるステップと、第２電極層を設けるステップとを有」するという要件を満たす。

（３）一致点及び相違点

ア 一致点

上記（２）によれば、本願発明と引用発明４は、次の点で一致する。

「有機発光ダイオードを製造するための製造方法であって、

基板層を設けるステップと、

第１電極層を配置するステップと、

誘電体層を設けるステップと、

活性層を設けるステップと、

第２電極層を設けるステップと

を有し、

前記活性層が前記第１電極層と前記第２電極層の中間に配置され、

前記誘電体層が前記第１電極層と前記第２電極層の間に電気分離をもたらし、前記誘電体層は前記第１電極層上にパターンとして堆積され、前記第１電極層と前記第２電極層の少なくとも一方の少なくとも一つのエッジをカバーし、前記誘電体層の少なくとも一つの側面は前記第２電極層によってカバーされる、製造方法。」

イ 相違点

上記（２）によれば、本願発明と引用発明４は、次の点で相違又は一応相違する。

（相違点３－１）

「第１電極層を配置するステップ」が、本願発明では、「前記基板層上に第１電極層を配置するステップ」であるのに対して、引用発明３では、そのように特定されていない点。

（相違点３－２）

「誘電体層」が、本願発明では、「硬化プロセス中に製造される副産物の量が著しく少ない又は副産物を製造しないように構成され」、「誘電体層に含まれる誘電体が疎水性であり」、「溶媒としてのガンマブチロラクトン中に分散された半重合ポリイミドを蒸発させることによって、製造され」るのに対して、引用発明４では、そのように特定されていない点。

（４）判断

（相違点３－１について）

相違点３－１は、相違点２－１と実質的に同じであり、上記３（４）（相違点２－１について）と同様の判断から、当業者が容易に想到し得たものである。

（相違点３－２について）

相違点３－２は、相違点１、相違点２－２と実質的に同じであり、上記２（４）と同様の判断から、当業者が容易に想到し得たものである。

５ 引用文献６を主引用例とした場合

（１）引用発明６

引用文献６の［請求項５］、［請求項６］、［０００１］及び［０１０８］～［０１６６］（特に実施例１）には、ポリイミド、ガンマブチロラクトン等の材料を用いて絶縁層を形成した「有機エレクトロルミネッセンス素子である」「表示装置」が記載されている。また、同文献には、実質的に当該「表示装置」の製造方法が記載されている。

引用文献６の上記記載より把握される有機エレクトロルミネッセンス素子である「表示装置」の製造方法の発明を引用発明６とする。

「 乾燥窒素気流下、ＢＡＨＦ３２．９ｇ（０．０９モル）をＮ－メチルピロリドン（ＮＭＰ）５００ｇに溶解させ、

ここに３，３’，４，４’－ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物（マナック（株）製、ＯＤＰＡ）３１．０ｇ（０．１モル）をＮＭＰ５０ｇとともに加えて、３０℃で２時間撹拌し、

その後、３－アミノフェノール（東京化成（株）製）２．１８ｇ（０．０２モル）を加え、４０℃で２時間撹拌を続けて、さらにピリジン（東京化成（株）製）５ｇをトルエン（東京化成（株）製３０ｇ）に希釈して、溶液に加え、冷却管を付け系外に水をトルエンとともに共沸で除去しながら溶液の温度を１２０℃にして２時間、さらに１８０℃で２時間反応させ、

この溶液の温度を室温まで低下させ、水３Ｌに溶液を投入し、白色の粉体を得て、この粉体をろ過で集め、さらに水で３回洗浄を行い、洗浄後、白色粉体を５０℃の真空乾燥機で７２時間乾燥させて、ポリイミドを得て、 このポリイミド１０ｇに１，５－ジヒドロキシナフタレン（東京化成（株）製）４ｇ、合成例３で得られたアルコキシメチル基含有化合物（Ａ－１）５ｇとガンマブチロラクトン（三菱化学（株）製、ＧＢＬ）４０ｇを加えてポリイミド樹脂組成物のワニスを得て、このワニスを用いて硬化膜を形成し、

表示装置の絶縁層として用いた、

有機エレクトロルミネッセンス素子である表示装置の製造方法。」

（２）対比

ア ガンマブチロラクトン

引用発明６の「ガンマブチロラクトン（三菱化学（株）製、ＧＢＬ）」は、技術的にみて溶媒として用いられるものであり、その用語の意味するとおり、本願発明の「ガンマブチロラクトン」に相当する。

イ 半重合ポリイミド

引用発明６の「ポリイミド」は、その製造方法からみて、本願発明の「半重合ポリイミド」に相当する（当合議体注：上記２（４）に記載した「解釈１」の意味での「半重合ポリイミド」に相当する。）。

ウ 誘電体層

上記ア～イの「ガンマブチロラクトン」及び「半重合ポリイミド」の構成及び技術常識より、引用発明６の「絶縁層」は、本願発明の「誘電体層」に相当する。

エ 有機発光ダイオード、有機発光ダイオードを製造するための製造方法

引用発明６の「表示装置」は、「有機エレクトロルミネッセンス素子であ」り、その文言の意味するとおり、本願発明の「有機発光ダイオード」に相当する。

上記ア～ウの構成より、引用発明６の「表示装置の製造方法」は、本願発明の「有機発光ダイオードを製造するための製造方法」に相当し、本願発明の「誘電体層を設けるステップを有し、」という要件及び「前記誘電体層は硬化プロセス中に製造される副産物の量が著しく少ない又は副産物を製造しないように構成され、前記誘電体層に含まれる誘電体が疎水性であり、前記誘電体層は、溶媒としてのガンマブチロラクトン中に分散された半重合ポリイミドを蒸発させることによって、製造される」という要件を満たす（当合議体注：「硬化プロセス中に製造される副産物の量が著しく少ない又は副産物を製造しないように構成され」ること、ポリイミドが通常疎水性であること及び「蒸発させることによって、製造される」ことについては上記２（４）に記載したとおり。）。

（３）一致点及び相違点

ア 一致点

上記（２）によれば、本願発明と引用発明６は、次の点で一致する。

「有機発光ダイオードを製造するための製造方法であって、

誘電体層を設けるステップを有し、

前記誘電体層は硬化プロセス中に製造される副産物の量が著しく少ない又は副産物を製造しないように構成され、

前記誘電体層に含まれる誘電体が疎水性であり、

前記誘電体層は、溶媒としてのガンマブチロラクトン中に分散された半重合ポリイミドを蒸発させることによって、製造される、製造方法。」

イ 相違点

上記（２）によれば、本願発明と引用発明６は、次の点で相違する。

（相違点４）

本願発明は、「基板層を設けるステップと、前記基板層上に第１電極層を配置するステップ」と、「活性層を設けるステップと、第２電極層を設けるステップとを有し」、「前記活性層が前記第１電極層と前記第２電極層の中間に配置され、前記誘電体層が前記第１電極層と前記第２電極層の間に電気分離をもたらし、前記誘電体層は前記第１電極層上にパターンとして堆積され、前記第１電極層と前記第２電極層の少なくとも一方の少なくとも一つのエッジをカバーし、前記誘電体層の少なくとも一つの側面は前記第２電極層によってカバーされ」るのに対して、引用発明６はそのように特定されていない点。

（４）判断

引用文献６には、「基板層を設けるステップと、前記基板層上に第１電極層を配置するステップと」、「活性層を設けるステップと、第２電極層を設けるステップとを有」する点について記載されていないものの、有機発光ダイオードの製造方法において、「基板層を設けるステップと、前記基板層上に第１電極層を配置するステップと、誘電体層を設けるステップと、活性層を設けるステップと、第２電極層を設けるステップとを有」するものであることは自明である。

また、有機発光ダイオードにおいて、「前記活性層が前記第１電極層と前記第２電極層の中間に配置され、前記誘電体層が前記第１電極層と前記第２電極層の間に電気分離をもたらし、前記誘電体層は前記第１電極層上にパターンとして堆積され、前記第１電極層と前記第２電極層の少なくとも一方の少なくとも一つのエッジをカバーし、前記誘電体層の少なくとも一つの側面は前記第２電極層によってカバーされ」た構成は、引用文献１の図１、引用文献２の図５、引用文献４の図１等に記載されているように周知の構成である。

そして、引用発明６の「有機エレクトロルミネッセンス素子である」「表示装置の製造方法」において、製造される表示装置の具体的な構成は定かではないものの、当業者であれば、周知の有機発光ダイオードの中から任意の構成のものを適宜採用できることを理解する。

そうすると、引用発明６の「製造方法」により、上記周知の構成の表示装置を製造すること、すなわち、引用発明６及び周知技術に基づいて、相違点４に係る発明特定事項を導くことは、当業者であれば適宜なし得たことである。

６ 引用文献７を主引用例とした場合

（１）引用発明７

引用文献７の【０００１】、【０１１７】及び【０１１９】～【０１８０】（特に実施例１）には、ポリイミド、ガンマブチロラクトン等の材料を用いて絶縁層を形成した「有機エレクトロルミネッセンス素子である」「表示装置」が記載されている。また、同文献には、実質的に当該「表示装置」の製造方法が記載されている。

引用文献７の上記記載より把握される「表示装置」の製造方法の発明を引用発明７とする。

「 乾燥窒素気流下、ＢＡＨＦ３２．９ｇ（０．０９モル）をＮＭＰ５００ｇに溶解させ、ここに３，３’，４，４’－ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物３１．０ｇ（０．１モル、マナック（株）製、ＯＤＰＡ）をＮＭＰ５０ｇとともに加えて、３０℃で２時間攪拌し、

その後、３－アミノフェノール２．１８ｇ（０．０２モル、東京化成（株）製）を加え、４０℃で２時間攪拌し、さらにピリジン５ｇ（東京化成（株）製）をトルエン３０ｇ（東京化成（株）製）に希釈して、溶液に加え、冷却管を付け系外に水をトルエンとともに共沸で除去しながら溶液の温度を１２０℃にして２時間、さらに１８０℃で２時間反応させ、

この溶液の温度が室温にまで低下したら、水３Ｌに溶液を投入し、白色の粉体を得て、この粉体をろ過で集め、さらに水で３回洗浄を行い、洗浄後、白色粉体を５０℃の真空乾燥機で７２時間乾燥させ、こうしてポリイミドポリマー粉体を得て、 この粉体１０ｇに熱架橋剤ＨＭＯＭ－ＴＰＨＡＰ４０ｇ（２０％の乳酸エチル溶液として、本州化学工業（株）製、架橋剤量８ｇ）、乳酸エチル２０ｇ（武蔵野化学研究所（株）製、ＥＬ）とガンマブチロラクトン２０ｇ（三菱化学（株）製、ＧＢＬ）を加えて均一な溶液を得て、この溶液を用いたキュア膜を、

表示装置の絶縁層として用いた、

有機エレクトロルミネッセンス素子である表示装置の製造方法。」

（２）対比

ア ガンマブチロラクトン

引用発明７の「ガンマブチロラクトン（三菱化学（株）製、ＧＢＬ）」は、技術的にみて溶媒として用いられるものであり、その用語の意味するとおり、本願発明の「ガンマブチロラクトン」に相当する。

イ 半重合ポリイミド

引用発明７の「ポリイミド」は、その製造方法からみて、本願発明の「半重合ポリイミド」に相当する（当合議体注：上記２（４）に記載した「解釈１」の意味での「半重合ポリイミド」に相当する。）。

ウ 誘電体層

上記ア～イの「ガンマブチロラクトン」及び「半重合ポリイミド」の構成及び技術常識より、引用発明７の「絶縁層」は、本願発明の「誘電体層」に相当する。

エ 有機発光ダイオード、有機発光ダイオードを製造するための製造方法

引用発明７の「表示装置」は、「有機エレクトロルミネッセンス素子であ」り、その文言の意味するとおり、本願発明の「有機発光ダイオード」に相当する。

上記ア～ウの構成より、引用発明７の「表示装置の製造方法」は、本願発明の「誘電体層を設けるステップを有し、」という要件及び「有機発光ダイオードを製造するための製造方法」に相当し、本願発明の「前記誘電体層に含まれる誘電体が疎水性であり、前記誘電体層は硬化プロセス中に製造される副産物の量が著しく少ない又は副産物を製造しないように構成され、前記誘電体層に含まれる誘電体が疎水性であり、前記誘電体層は、溶媒としてのガンマブチロラクトン中に分散された半重合ポリイミドを蒸発させることによって、製造される」という要件を満たす。

（３）一致点及び相違点

ア 一致点

上記（２）によれば、本願発明と引用発明７は、次の点で一致する。

「有機発光ダイオードを製造するための製造方法であって、

誘電体層を設けるステップを有し、

前記誘電体層は硬化プロセス中に製造される副産物の量が著しく少ない又は副産物を製造しないように構成され、

前記誘電体層に含まれる誘電体が疎水性であり、

前記誘電体層は、溶媒としてのガンマブチロラクトン中に分散された半重合ポリイミドを蒸発させることによって、製造される、製造方法。」

イ 相違点

上記（２）によれば、本願発明と引用発明７は、次の点で相違する。

（相違点５）

本願発明は、「基板層を設けるステップと、前記基板層上に第１電極層を配置するステップと」、「活性層を設けるステップと、第２電極層を設けるステップとを有し、前記活性層が前記第１電極層と前記第２電極層の中間に配置され、前記誘電体層が前記第１電極層と前記第２電極層の間に電気分離をもたらし、前記誘電体層は前記第１電極層上にパターンとして堆積され、前記第１電極層と前記第２電極層の少なくとも一方の少なくとも一つのエッジをカバーし、前記誘電体層の少なくとも一つの側面は前記第２電極層によってカバーされ」るのに対して、引用発明７はそのように特定されていない点。

（４）判断

相違点５は、相違点４と実質的に同じであり、上記５（４）と同様の判断から、当該相違点５に係る構成は、引用発明７及び周知技術等に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。

７ 発明の効果について

本願発明の効果に関して、発明の効果に関する明示的な記載は存在しない。ただし、本件出願の明細書には、「ピクセル収縮、すなわち経時的な照明エリアの削減を軽減若しくは除去することが本発明の目的である。」（【０００４】）、「かかる誘電体層は硬化プロセス中に製造される副産物の量が削減されるか又は副産物を製造しないように構成される。提案される誘電体のクラスはピクセル収縮効果を抑制し、費用効果的なアプリケーションプロセスを提供する。」（【０００７】）と記載されていることから、発明の効果は、ピクセル収縮効果を抑制し、経時的な照明エリアの削減を軽減若しくは除去することであると一応理解される。

しかしながら、当該効果は、引用発明１～２、４、６又は７及び周知技術等から容易に推考される発明が具備する効果であって当業者が予測可能なものにすぎない。

８ 審判請求人の令和３年１１月１８日提出の意見書の主張について

審判請求人は、令和３年１１月１８日提出の意見書の「４．本願が特許されるべき理由」「（１）進歩性に関して」において、「・・・このように、本願発明の有機発光ダイオードの製造方法では、誘電体層の作製に、ガンマブチロラクトン中に分散された半重合ポリイミドを用いることによって、ベーキング中に揮発性副産物の形成を抑制又は削減でき、ピクセル収縮、すなわち経時的な照明エリアの削減を軽減若しくは除去することができます（本願当初明細書段落０００４、０００７、０００８、００１０、００４８等の記載に基づく）。

一方、上述した引用文献６及び７には、審判長殿がご指摘されるように、ポリイミドとガンマブチロラクトンとを併用した例は記載されているものの、上記半重合ポリイミドを用いることは一切記載も示唆もされていません。また、他の引用文献１～５についても、本願発明の製造方法、すなわち、半重合ポリイミドを用いる特定の製造方法により、ベーキング中に揮発性副産物の形成を抑制又は削減でき、ピクセルの収縮を低減できることに関しては一切記載も示唆もされていません。

このように、引用文献１～７には、有機発光ダイオードの製造において、半重合ポリイミドを溶媒（分散媒）ガンマブチロラクトン中で蒸発させて、誘電体層（膜）を形成するという構成に関しては一切記載も示唆もされていません。

よって、補正後の請求項１に記載の本願発明は、当業者であっても、これらの引用文献１～７に記載の発明に基いて、容易に想到できるものではありません。」と主張している。

上記主張について検討する。

上記２（４）で述べたように、解釈１により判断すると、半重合ポリイミドを用いることは引用文献６～７の記載に記載されている。また、仮に解釈２により判断した場合においても、プレポリマーからポリイミドを形成することは周知技術にすぎず、誘電体層を形成するために当該技術を採用することは、当業者であれば容易に想到し得たことである。そして、審判請求人が主張する効果についても上記７に記載したとおり、当業者の予測の範囲内のものである。

さらに、上記解釈１、解釈２と異なる意味で「半重合」という用語が用いられているとした場合、本件出願の明細書で具体的な説明がないことから発明の内容が理解できず、そのような発明について顕著な効果があるとは認められない。

したがって、審判請求人の上記主張は、採用することができない。

第３ むすび

本願発明は、引用文献１～２、４、６又は７に記載された発明、引用文献１～２、４、６～７の記載及び周知技術等に基づいて、本件優先日前に当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。

したがって、本件出願は、拒絶されるべきものである。

よって、結論のとおり審決する。