2020-015397

特願２０１７－１１５７３４「発光デバイスおよびその作製方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２９年１０月２６日出願公開、特開２０１７－１９５３９６〕について、次のとおり審決する。

結 論 本件審判の請求は、成り立たない。

理 由 第１ 手続の経緯 本願は、２００６年（平成１８年）６月１日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００５年６月１日、米国）を国際出願日とする出願である特願２００８－５１４８１０号の一部を平成２７年２月１０日に新たな特許出願とした特願２０１５－２３９０３号の一部を平成２９年６月１３日に新たな特許出願としたものであって、その手続の経緯は以下のとおりである。 平成３０年 ６月１２日付け：拒絶理由通知書 平成３１年 １月 ８日 ：意見書、手続補正書の提出 令和 元年 ６月２５日付け：拒絶理由通知書（最後） 同年１２月２５日 ：意見書、手続補正書の提出 令和 ２年 ６月２２日付け：補正の却下の決定 同日付け：拒絶査定 同年１１月 ６日 ：審判請求書、手続補正書の提出 第２ 本願発明 本願の請求項１～１７に係る発明は、令和２年１１月６日付けの手続補正により補正された請求項１～１７に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。 「レーザーデバイスとして構成された発光デバイスであって、 発光デバイス構造を含む半極性ＩＩＩ族窒化物薄膜を備え、 前記発光デバイス構造は、窒化ガリウム基板の表面上または上方に成長される半極性ＩＩＩ族窒化物活性領域を含み、該表面は前記窒化ガリウム基板のｃ面から結晶角θで方位づけられる表面であり、該結晶角θは７５°≦θ＜９０°であり、 前記半極性ＩＩＩ族窒化物活性領域はＩｎＧａＮを備え、 前記窒化ガリウム基板は異種基板上の厚さ１０μｍの窒化ガリウムテンプレートを少なくとも含むか、または前記窒化ガリウム基板はバルク窒化ガリウム基板から切り出され、 前記レーザーデバイスは、端面発光レーザダイオードまたは垂直共振器面発光レーザダイオードを備えることを特徴とするデバイス。」 第３ 原査定の拒絶の理由 原査定の拒絶の理由１は、この出願の請求項１に係る発明は、その優先日前に日本国内又は外国において、頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった下記の引用文献に記載された発明に基いて、その優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない、というものである。 １．国際公開第９８／１９３７５号 ２．特開２００３－１５８２９７号公報 第４ 引用文献の記載及び引用発明 原査定の拒絶の理由で引用された、本願の優先日前に日本国内又は外国において、頒布された刊行物である又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった引用文献である、国際公開第９８／１９３７５号（以下、「引用文献１」という。）及び特開２００３－１５８２９７号公報（以下、「引用文献２」という。）には、図面とともに、次の記載がある（下線は当審が付した。以下同じ。）。 １ 引用文献１ （１）引用文献１に記載された事項 ア 「即ち、本発明の第４の目的は、青色系、青－青紫色系、および紫色系の発光を有し且つ閾値電流密度の低い半導体発光装置を提供するものである。」（第７頁第１３行～１４行） イ 「本発明の半導体発光装置の第２の型は、化合物半導体材料を有して構成される半導体発光装置の活性層領域を構成する六方晶系を有する化合物半導体結晶領域の面方位を（０００１）面から傾斜した面としたものである。この傾斜角度は７０度乃至９０度である。 また、この傾斜角度の結晶面は５度以内のずれ、裕度が許される。この傾斜角度のずれ、裕度はこの結晶面の傾斜方向のずれに限定されない。結晶面そのもののずれ、裕度である。」（第８頁第１行～第７行） ウ 「上記第１の型の半導体発光装置の構成又は第２の型の半導体発光装置の構成を単独に実施しても、或いは必要に応じて２種類の半導体発光装置の構成を組み合わせて実施してもよい。これらの本発明のいずれの実施態様によっても、例えば半導体レーザ装置に適用する場合、程度の差こそあれ、レーザ発振に必要なキャリア密度を低減することが出きる。」（第８頁第１６行～第２０行） エ 「第８図より、「無歪み」の場合、傾角７０～９０度のとき、有効質量は頃角が０度、すなわち（０００１）面の場合の２／３となることを確認した。」（第１５頁第２６行～２７行） オ 「そして、この知見と上述のエネルギの等方性の知見に基づき、上述の角度範囲を満たしていれば、いかなる方向の面方位に成長方向を傾斜させても上述の効果、即ちキャリアの有効質量低減によるしきい値キャリア密度の低減が図れることを見出した。」（第１６頁第１９行～２２行） カ 「２－３：第２の型の半導体発光装置 本発明の第２の型半導体発光装置について説明する。以下の説明における発光領域の定義及びこれが量子井戸構造で構成される例もあることは、上述の本発明の第１の半導体発光装置の説明で述べ事実と同様である。 本発明の第２の型の半導体発光装置に係わる第１の形態は、少なくとも化合物半導体材料を有して構成され、第一導電型クラッド層及び第二導電型クラッド層と、前記クラッド層に挟まれ且つ井戸層と該井戸層より禁制帯幅の大きい障壁層を有する量子井戸構造を有する活性層領域を少なくとも有する半導体発光装置であって、上記量子井戸活性領域の面方位が（０００１）面から７０度～９０度傾斜した面あるいはこれと等価な面であることを特徴とする半導体発光装置である。この場合、前述した通り、この傾斜角度は５度以内のずれ、裕度を許される。尚、このずれ、裕度が（０００１）面からの傾斜方向とは別の傾斜の場合も含まれることも前述した通りである。 この構成を実現する一形態として、発光素子を構成する半導体層をオフ基板上（上部）でエピタキシャル成長する場合がある。オフ基板とは、例えば六方晶型の結晶構造を有するサファイア基板において通常（０００１）面を主面（エピタキシャル成長が行われる面）とするのに対し、主面の結晶面を（０００１）面から所定の角度傾けた結晶面とする基板を指す。オフ基板を用いたエピタキシャル成長は、成長した結晶の質（結晶性）や成長時における不純物導入（ドーピング）の点で優れるが、これを本発明に適用する場合は上述の傾斜角度範囲に更に５度の余裕を持たせることができる。この５度の余裕は、活性層のエピタキシャル成長面の角度としきい値キャリア密度の関係を考慮し、求められる動作電流の低減の程度次第ではオフ基板を使用しない場合にも適用できる。」（第１９頁第１行～第２３行） キ 「なお、本発明の第１から第３の型の半導体発光装置に適用される窒化ガリウム系半導体結晶を以下に追加説明する。この半導体材料は、III－Ｖ族化合物半導体であり、構成元素として窒素（Ｎ）を必ず含むものである。」（第２１頁第２３行～第２５行） ク 「量子井戸構造を構成する半導体材料は、ウルツ鉱型の半導体材料を用い得るが、その代表例は窒化ガリウム系半導体である。代表例をより具体的に示せば、一般式ＩｎxＡｌyＧａ1-x-yＮ1-a-bＡｓaＰb、但し、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ａ＜１、０≦ｂ＜１、ｘ＋ｙ≦１、ａ＋ｂ＜１と表わし得る。活性層にたいしては、ＧａＮ，ＩｎＧａＮ，ＩｎＧａＡｌＮ，ＧａＮＰ，ＧａＮＡｓ，ＩｎＧａＮＰ，ＩｎＧａＮＡｓ，ＧａＡｌＮＰ、あるいはＧａＡｌＮＡｓなどがその具体例である。井戸層にはＧａＮあるいはＩｎＧａＮなどが好ましい。」（第２２頁第４行～第１０行） ケ 「こうした半導体積層体形成の為の基板は結晶成長によってその上部にウルツ鉱結晶が得られる基板、例えば、サファイア、ＧａＮ、スピネル、ＳｉＣ、ＺｎＯ、ＭｇＯ、ＭｎＯ、ＳｉＯ2、ＡｌＮなどが挙げられる。わけてもサファイア基板やＧａＮ基板が代表例である。 半導体発光装置を製造するに際して、その他の構成は一般に行われている手段を用いて良い。例えば、結晶成長用の基板と量子井戸構造の半導体積層との間に結晶性改善のためのバッファ層を設けることは通常行われている方法に従ってよい。サファイア基板は絶縁性のため、この基板側の電極を取り出す方策、また、半導体積層構造の上部より取り出すもう一方の電極形成のため、いわゆるコンタクト層を設けること、更に結晶性改善のために任意に挿入される層なども通例に従ってよい。このような種々の付加構成、変形構成の適用も本発明の範囲なることは言うまでもない。」（第２２頁第２１行～第２３頁第３行） コ 「なお、本発明は、上述の各実施例に示した装置構造に限らず、さまざまな半導体レーザ装置、例えば分布帰還型レーザ、ブラッグ反射型レーザ、波長可変レーザ、外部共振器付きレーザ、面発光レーザにも適用できる。」（第３９頁第５行～第７行） サ 「１３．少なくとも化合物半導体で構成され、六方晶構造をもつ第一の結晶上に第一導電型及び第二導電型の二層のクラッド層と、上記クラッド層に挟まれ且つ井戸層と該井戸層より禁制帯幅の大きい障壁層を有する量子井戸活性領域をエピタキシャル成長してなる半導体発光装置であって、上記量子井戸活性領域の面方位が（０００１）面から７０度～９０度傾斜した面から５度以内のずれを有する面、あるいはこれと等価な面であることを特徴とする半導体発光装置。」（請求項１３、第４２頁第１行～６行） シ 第８図は次のとおりのものである。 「第８図 ［図：0001387764000001.jpg］ 」 （２）引用文献１に記載された技術的な事項 ア 上記（１）コより、列記される半導体レーザ装置の一つが「面発光レーザ」であることを踏まえれば、他の半導体レーザ装置は「端面発光レーザ」と理解できるから、引用文献１には、半導体レーザ装置は端面発光レーザ或いは面発光レーザとして構成し得ることが記載されていると認められる。 イ 第８図より、次のことがみてとれる。 無歪み及び歪みにおいて、（０００１）からの傾度（Θ）が「７０度～９０度」の範囲における正孔の有効質量は、（０００１）の場合の有効質量と比較して「小さくなる」こと。 （３）引用発明 上記（１）及び（２）より、引用文献１には、以下の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。なお、参考までに、引用発明の認定に用いた引用文献１の記載等に係る段落番号等を括弧内に付してある。 ＜引用発明＞ 「少なくとも化合物半導体で構成され、六方晶構造をもつ第一の結晶上に第一導電型及び第二導電型の二層のクラッド層と、上記クラッド層に挟まれ且つ井戸層と該井戸層より禁制帯幅の大きい障壁層を有する量子井戸活性領域をエピタキシャル成長してなる半導体発光装置であって、（上記（１）サ） 更に、バッファ層及びコンタクト層を備え、（上記（１）ケ） 半導体発光装置には、窒化ガリウム系半導体結晶が適用され、（上記（１）キ） 上記量子井戸活性領域の面方位が（０００１）面から７０度～９０度傾斜した面から５度以内のずれを有する面、あるいはこれと等価な面であり、（上記（１）カ及びサ） 半導体発光装置は、半導体レーザ装置であり、（上記（１）ウ及びコ） 半導体レーザ装置は、端面発光レーザ或いは面発光レーザとして構成され、（上記（２）ア） 半導体積層体形成の為の基板は、結晶成長によってその上部にウルツ鉱結晶が得られるＧａＮ基板であり、（上記（１）ケ） 発光素子を構成する半導体層は、オフ基板上（上部）でエピタキシャル成長され、（上記（１）カ） 量子井戸構造を構成する半導体材料は、ＩｎＧａＮである（上記（１）ク） 半導体発光装置。」 ２ 引用文献２ （１）引用文献２に記載された事項 引用文献２には、以下の事項が記載されている。 「【０００７】 【発明が解決しようとする課題】 求められているのは、内部の圧電界及び自然発生的電界に関連した課題を克服したIII族窒化物発光デバイスである。」 「【０００９】 １つの実施の形態において、量子井戸層は、ウルツ鉱型結晶構造の｛０００１｝方向から少なくとも１°だけ、好ましくは少なくとも１０°だけ傾けられた、選択されたファセット配向をもつように、ウルツ鉱型結晶構造の形で成長させられる。例えば、選択されたファセット配向は、｛０００１｝に対して、約３０°から約５０°の範囲、約８０°から約１００°の範囲、又は約１３０°から約１５０°の範囲内で傾けることが有利である。」 （２）引用文献２に記載された技術的な事項 上記（１）より、「量子井戸層」を成長させるに際して、ウルツ鉱型結晶構造の｛０００１｝方向から傾ける有利な角度の範囲の一つが、「約８０°から約１００°の範囲」であること。 第５ 対比、判断 １ 本願発明と引用発明とを、以下に対比する。 （１）引用発明の「半導体発光装置」は、「半導体レーザ装置」であるから、本願発明の「レーザーデバイスとして構成された発光デバイス」に相当する。 （２）引用発明の「量子井戸活性領域」の面方位は、「（０００１）面から７０度～９０度傾斜した面から５度以内のずれを有する面、あるいはこれと等価な面」であり、（０００１）面及び（０００１）面から９０度傾斜した面を、それぞれ極性面及び無極性面と呼称し、極性面と無極性面の間の面を半極性面と呼称することから、引用発明の「量子井戸活性領域」は、半極性面を含むものと理解できる。そして、引用発明の「量子井戸構造」を構成する半導体材料は「ＩｎＧａＮ」であるから、３族窒化物半導体である。 したがって、引用発明の「量子井戸活性領域」は、本願発明の「半極性ＩＩＩ族窒化物活性領域」に相当し、「前記半極性ＩＩＩ族窒化物活性領域はＩｎＧａＮを備え」との構成を備えているといえる。 （３）引用発明は、「第一導電型及び第二導電型の二層のクラッド層と、上記クラッド層に挟まれ且つ井戸層と該井戸層より禁制帯幅の大きい障壁層を有する量子井戸活性領域」（以下「発光構造」という。）を備えているところ、半導体発光装置におけるこのような構成は、いわゆる「ダブルへテロ構造」と呼ばれ、キャリアの発光再結合を促進する構造であることは技術常識である。 したがって、当該技術常識を踏まえると、引用発明の「発光構造」は、本願発明の「発光デバイス構造」に相当するといえる。 （４）引用発明の「発光構造」は、「六方晶構造をもつ第一の結晶上に」「エピタキシャル成長してなる」ものであり、引用発明の「半導体積層体形成の為の基板」は、「結晶成長によってその上部にウルツ鉱結晶が得られるＧａＮ基板」であるから、引用発明の「六方晶構造をもつ第一の結晶」は「ＧａＮ基板」であると解される。 したがって、引用発明の「発光構造」は、「ＧａＮ基板」上に成長してなるものといえ、「量子井戸活性領域」を含むものであるから、上記（２）も踏まえると、引用発明は、本願発明の「前記発光デバイス構造は、窒化ガリウム基板の表面上または上方に成長される半極性ＩＩＩ族窒化物活性領域を含み」との構成を満たしているといえる。 （５）引用発明の「量子井戸活性領域の面方位」は、「（０００１）面から７０度～９０度傾斜した面から５度以内のずれを有する面、あるいはこれと等価な面」である。 ここで、成長基板と成長基板上にエピタキシャル成長した半導体層とが同じ半導体材料系の場合は、成長基板の面方位が半導体層に引き継がれることが技術常識であるから、当該技術常識及び上記（４）を踏まえると、引用発明の「ＧａＮ基板」の表面の面方位は、「量子井戸活性領域の面方位」と同じ、「（０００１）面から７０度～９０度傾斜した面から５度以内のずれを有する面、あるいはこれと等価な面」であると解することが自然である。 したがって、引用発明は、本願発明の「該表面は前記窒化ガリウム基板のｃ面から結晶角θで方位づけられる表面であり、該結晶角θは７５°≦θ＜９０°であり」との構成と、「該表面は前記窒化ガリウム基板のｃ面から結晶角θで方位づけられる表面であり、該結晶角θは所定角度であり」との点で一致するといえる。 （６）引用発明の「半導体レーザ装置」は、「端面発光レーザ或いは面発光レーザとして構成され」るものである。 したがって、引用発明は、本願発明の「前記レーザーデバイスは、端面発光レーザダイオードまたは垂直共振器面発光レーザダイオードを備える」との構成を満たしているといえる。 （７）引用発明では、「半導体積層体形成の為の基板は、結晶成長によってその上部にウルツ鉱結晶が得られるＧａＮ基板であり」と特定されているから、引用発明は、「基板」と「半導体積層体」とより構成されるものと理解できる。また、引用発明の「六方晶構造をもつ第一の結晶上に第一導電型及び第二導電型の二層のクラッド層と、上記クラッド層に挟まれ且つ井戸層と該井戸層より禁制帯幅の大きい障壁層を有する量子井戸活性領域をエピタキシャル成長してなる」との構成を踏まえれば、引用発明の「半導体積層体」は「発光構造」を含むものと理解できる。 そして、引用発明の「半導体発光装置」には「窒化ガリウム系半導体結晶」が適用されており、更に、上記（２）及び（５）を踏まえると、引用発明の「発光構造の面方位」も「（０００１）面から７０度～９０度傾斜した面から５度以内のずれを有する面、あるいはこれと等価な面」と解することが自然であって、その「発光構造」は「窒化ガリウム系半導体結晶」である。 以上より、引用発明の「半導体積層体」は、本願発明の「ＩＩＩ族窒化物薄膜」に相当し、引用発明は、本願発明の「発光デバイス構造を含む半極性ＩＩＩ族窒化物薄膜を備え」との構成を備えているといえる。 （８）以上（１）～（７）より、本願発明と引用発明との一致点及び相違点は、以下のとおりである。 ＜一致点＞ 「レーザーデバイスとして構成された発光デバイスであって、 発光デバイス構造を含む半極性ＩＩＩ族窒化物薄膜を備え、 前記発光デバイス構造は、窒化ガリウム基板の表面上または上方に成長される半極性ＩＩＩ族窒化物活性領域を含み、 該表面は前記窒化ガリウム基板のｃ面から結晶角θで方位づけられる表面であり、該結晶角θは所定角度であり、 前記半極性ＩＩＩ族窒化物活性領域はＩｎＧａＮを備え、 前記レーザーデバイスは、端面発光レーザダイオードまたは垂直共振器面発光レーザダイオードを備えることを特徴とするデバイス。」 ＜相違点＞ ・相違点１ 「結晶角θ」について、本願発明は「７５°≦θ＜９０°」であるのに対して、引用発明は「７０±５度～９０±５度」である点。 ・相違点２ 「窒化ガリウム基板」について、本願発明は「前記窒化ガリウム基板は異種基板上の厚さ１０μｍの窒化ガリウムテンプレートを少なくとも含むか、または前記窒化ガリウム基板はバルク窒化ガリウム基板から切り出され」たものであるのに対して、引用発明は、そのようなものであるか否か不明である点。 ２ 判断 （１）相違点１について 引用発明では、「量子井戸活性領域の面方位」が「（０００１）面から７０度～９０度傾斜した面から５度以内のずれを有する面、あるいはこれと等価な面各層」と特定されているところ、上記第４の１（１）アに摘記のとおり、引用発明は「閾値電流密度の低い半導体発光装置」の提供を課題とし、その課題解決手段は、上記の特定事項であると解されるものである。 ここで、引用発明の「７０度～９０度」の範囲について、引用文献１において当該角度範囲を満たす実施例は、実施例１（具体例３）及び実施例５の「９０度」のみであるが、上記第４の１（２）イ及び（１）オを踏まえれば、（０００１）からの傾度（Θ）が「７０度～９０度」の範囲における正孔の有効質量が、（０００１）の場合の有効質量と比較して「小さくなる」ということは、半導体レーザ装置の「閾値電流密度」が低くなることと理解できるから、当業者であれば、引用発明に特定される「７０度～９０度」の全ての数値範囲で、引用発明の課題が解決できることを認識することができる。 したがって、上記相違点１は、実質的な相違ではない。 なお、本願の発明の詳細な説明には、本願発明の「７５°≦θ＜９０°」の範囲に含まれる面として、「｛２０－２１｝面（７５．０°）」（【００２２】）が記載されているものの、その記載は、半極性面の一つが例示されるものと解することが自然である。また、【００４２】に記載された実験的に示された例には、「７５°≦θ＜９０°」の範囲に含まれる面は記載されておらず、他の段落に数値範囲の臨界的意義についての記載も認められないことから、本願発明の「７５°≦θ＜９０°」の範囲について、その上限及び下限値に臨界的意義を認めることはできない。 仮に、相違点１が実質的な相違であるとしても、上記のとおり、引用文献１には、「７０度～９０度」の範囲内において、正孔の有効質量が小さくなることが開示されており、上記第４の２（２）のとおり、引用文献２には、「量子井戸層」を成長させるに際して、ウルツ鉱型結晶構造の｛０００１｝方向から傾ける有利な角度の範囲の一つとして、「約８０°から約１００°の範囲」が開示され、その下限値として「８０度」が示されていることを踏まえると、引用発明において、正孔の有効質量が小さくなる角度として、量子井戸活性領域の面方位が（０００１）面から７０度～９０度傾斜した面の内、例えば８０度傾斜した面を採択して構成することは、当業者であれば容易に想起し得るものといえる。 したがって、上記相違点１が実施的な相違であるとしも、相違点１に係る本願発明の構成は、引用発明及び引用文献２に記載された事項に基づいて、当業者が容易になし得たものである。 （２）相違点２について 「（成長）基板」として、「テンプレート基板」或いは「バルクから切り出した基板」は、例を挙げるまでもなく周知であり、窒化ガリウム系の材料においても、サファイア基板上に成膜された厚さ１０μｍ程度の「テンプレート基板」や「窒化ガリウム基板」を「バルクの窒化ガリウム」から所定の面方位をもって切り出すことは、例えば、テンプレート基板については「特開２００５－１３６４１８号公報（【００３９】参照）」及び「国際公開第２００５／０２４９５２号（第１７頁第６行～第１４行、図７Ａ参照）」、バルクから切り出すことについては「特開２００３－１１２９９９号公報（【００６１】～【００６８】参照）」に開示のとおり、当業者には周知な事項であり、どのような基板を用いて結晶成長を行うかは、当業者が適宜採択し得るものである。 したがって、引用発明の「ＧａＮ基板」を、相違点２に係る本願発明の構成とすることは、当業者が容易になし得たものである。 （３）本願発明の効果について 上記相違点を総合的に勘案しても、本願発明の奏する作用効果は、引用発明、引用文献２に記載された技術的事項及び周知技術の奏する作用効果から予測される範囲内のものにすぎず、格別顕著なものということはできない。 （４）請求人の主張について 審判請求人は、審判請求書にて、以下のことを主張している。 ア 本願発明は、窒化ガリウム基板の表面の結晶角θが７５°≦θ＜９０°であるのに対して、引用文献１に記載された半導体レーザ装置においては、基板の表面が（０００１）面から７０～９０°傾斜したものとなっていること（第７頁第１４行～第１７行）。 イ 引用文献１に記載された半導体レーザ装置は、すべて、０．０５μｍ以下の低温バッファ層及び３μｍ以下の高温バッファ層の上で成長したものであり、二軸歪みは層の厚さ及び構成に依存するから、厚さ１０μｍのテンプレートを形成するようなことは、当業者が容易になし得ないこと（第７頁第２２行～第８頁第４行）。 ウ 引用文献９及び１０には、サファイア基板上に形成された厚さ１０μｍ以上のＧａＮを含むテンプレートが記載されているが、極性のｃ面の方位に関するものであること。 エ 引用文献８には、請求項１に係る発明における結晶角θの角度でスライスするようなことは、何ら記載されていないこと。 しかしながら、下記のとおりであるから、審判請求人の主張は、上記判断を左右するものではない。 上記アに対して、上記２（１）に説示のとおりである。 上記イに対して、引用文献１に、半導体レーザ装置の実施例として、厚さ１０μｍより薄いバッファ層を備えるものが記載されていることは事実であるとしても、引用発明として認定したのは、「ＧａＮ基板」を備える「半導体発光装置」であるから、上記イで主張する内容は、本願が容易か否かの判断とは関係しないものである。 上記ウ及びエに対して、引用文献８～１０（上記（２）に示される「特開２００３－１１２９９９号公報」、「特開２００５－１３６４１８号公報」及び「国際公開第２００５／０２４９５２号」に対応）は、「テンプレート基板」或いは「バルクから切り出した基板」が周知であることを示す文献であり、引用発明において「ＧａＮ基板」の面方位は既に特定されているのであるから、「テンプレート基板」或いは「バルクから切り出した基板」の適用に際して、当該特定された面方位として形成されることが自然といえる。 第６ むすび 以上のとおり、本願発明は、引用発明及び周知技術、或いは引用発明、引用文献２の記載事項及び周知技術に基づいて、その優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。 したがって、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。 よって、結論のとおり審決する。