2020-014829

第１　手続の経緯

本願は、平成２７年１０月１３日の出願であって、その後の手続の概要は、以下のとおりである。

第２　本願発明

本願の請求項１～４に係る発明は、令和２年３月２３日に提出された手続補正により補正された請求項１～４に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。

「基板と、

前記基板上に設けられた半導体細線導波路と

前記基板上に設けられて、前記半導体細線導波路を伝播する光を吸収する受光部とを有し、

前記受光部は、ｐ型の第１半導体層と、前記ｐ型の第１半導体層上に設けられて、ｉ型の第２半導体層の上部にｎ型の第２半導体層を設けた単一の受光部を形成する複数の第２半導体メサ構造と、前記複数の第２半導体メサ構造の間において前記ｐ型の第１半導体層と接続するｐ側電極と、前記ｎ型の第２半導体層と接続するｎ側電極とを有し、

前記第２半導体層の屈折率及び光吸収係数が前記第１半導体層の屈折率及び光吸収係数よりも大きく、

前記ｎ側電極に正バイアス電源を接続し、

前記ｐ側電極に信号線を接続し、

前記半導体細線導波路と前記受光部との間に、前記半導体細線導波路を伝播する光或いは光の強度ピーク位置のいずれかを前記第２半導体メサ構造の数に分岐する光分岐部を有することを特徴とする半導体受光装置。」

第３　原査定の拒絶の理由

原査定の拒絶の理由は、この出願の請求項１に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された刊行物である又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった下記の引用文献１に記載された発明及び周知技術（引用文献２）に基いて、その出願日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない、というものを含むものである。

記

１．国際公開第２０１４／１４７８２１号

２．特開昭６０－１３４６１１号公報（周知技術を示す文献）

第４　引用文献の記載及び引用発明

１　引用文献

（１）引用文献に記載された事項

原査定の拒絶の理由で引用された、本願の出願日前に日本国内又は外国において、頒布された刊行物である又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった引用文献である、国際公開第２０１４／１４７８２１号（以下「引用文献１」という。）には、図面とともに、次の記載がある。

「［００２７］

次に、図３及び図４を参照して、本発明の実施例１の波長多重光受信器を説明する。図３は、本発明の実施例１の波長多重光受信器の概念的平面図である。シリコン細線導波路からなる入力導波路２１に、入力導波路２１から入力した波長多重光を偏波面に応じてＴＥ信号光とＴＭ信号光に分離する偏波スプリッタ２２が接続される。この偏波スプリッタ２２の出力端にＴＥ信号光とＴＭ信号光が互いに反対回りで伝播するシリコン細線導波路からなるループ状導波路２３が接続され、このループ状導波路２３に偏波ローテータ２４が接続される。なお、偏波スプリッタ２２は、シリコン細線導波路からなる方向性結合器型の偏波スプリッタであり、また、偏波ローテータ２４は、シリコン細線導波路よりなる偏芯二重コア型の偏波ローテータである。

［００２８］

また、ループ状導波路２３とアド・ドロップ型リング共振器アレイを構成する互いに異なった光路長のシリコン細線導波路からなる複数のリング導波路２５１～２５４が光学的に結合される。また、この各リング導波路２５１～２５４のドロップポート側に２つの出力ポートを有するシリコン細線導波路からなる出力導波路２６１～２６４を光学的に結合させる。このアド・ドロップ型リング共振器アレイが分波器（ＤｅＭＵＸ）となる。」

「［００３０］

この２つの出力ポートから伸びる各出力導波路２６１～２６４に対して、偏波スプリッタ２２から第１の受光面及び第２の受光面への光学的距離が等しくなるよう遅延線２７１～２７４を挿入してフォトダイオード２８１～２８４を接続する。

［００３１］

図４は、本発明の実施例１の波長多重光受信器に用いるフォトダイオードの概念的構成図であり、図４（ａ）は平面図であり、図４（ｂ）は、図４（ａ）のＡ－Ａ′を結ぶ一点鎖線に沿った断面図である。図４に示すように、Ｓｉ基板３１上に下部クラッド層を兼ねるＳｉＯ２からなるＢＯＸ層３２を介して厚さが２５０ｎｍの単結晶Ｓｉ層を設けたＳＯＩ基板を用いる。

［００３２］

単結晶Ｓｉ層を通常のリソグラフィーとエッチングにより光露光プロセスによって図３に示したシリコン細線導波路パターンを形成する。この場合のリソグラフィーは光露光でも電子ビーム露光のいずれでも良く、エッチング法としては、例えば反応性イオンエッチングなどの方法でドライエッチングを用いる。この時、図４（ｂ）に示すようにスラブ部３４の高さが５０ｎｍになるようにエッチングを行って幅が４８０ｎｍで高さが２００ｎｍの単結晶Ｓｉコア層３３を形成する。

［００３３］

また、フォトダイオード形成領域においては、ｉ型Ｇｅ光吸収層３５となるノンドープＧｅ層を選択的にエピタキシャル成長させたのち、ｎ型不純物のＰを表面にイオン注入してｎ＋型Ｇｅコンタクト層３６を形成する。一方の単結晶Ｓｉコア層３３の両脇のスラブ部３４にｐ型不純物であるＢをイオン注入してｐ＋型Ｓｉコンタクト層３７を形成する。

［００３４］

次いで、ＳｉＯ２膜を全面に堆積させて上部クラッド層３８を形成したのち、ｎ＋型Ｇｅコンタクト層３６に達するＡｌからなるｎ側電極３９とｐ＋型Ｓｉコンタクト層３７に達するＡｌからなるｐ側電極４０を形成することによりフォトダイオードが完成する。」

「［００３６］

次に、図５及び図６を参照して、本発明の実施例２の波長多重光受信器を説明するが、フォトダイオードの構造が異なるだけで、他の構造は上記の実施例１と全く同様であるので、異なった部分のみを説明する。図５は、本発明の実施例２の波長多重光受信器の概念的平面図であり、ここでは、フォトダイオードとして、２つの受光領域が並列に配置されたフォトダイオード２９１～２９４を用いている。

［００３７］

図６は、本発明の実施例２の波長多重光受信器に用いるフォトダイオードの概念的構成図であり、図６（ａ）は平面図であり、図６（ｂ）は、図６（ａ）のＡ－Ａ′を結ぶ一点鎖線に沿った断面図である。図６に示すように、図４（ｂ）に示したＰＩＮ型のフォトダイオードを２つ並列に設けて、その間のスラブ部３４にＢをイオン注入してｐ＋型Ｓｉコンタクト層３７を形成したものである。

［００３８］

この実施例２の波長多重光受信器においては、同一構造のフォトダイオードを二つ並列し、両方のフォトダイオードから流れる電流の和をとるので、各偏光成分に対するフォトダイオードの特性を独立に最適化できる。また、各フォトダイオードの終端からの洩れ出した光は、出力導波路２６１～２６４を逆回りして、リング共振器を介してループ状導波路２３に侵入することがないので、ノイズの発生を抑制することができる。」

「図５

」

「図６（ａ）

」

「図６（ｂ）

」

（２）引用文献１に記載された技術的な事項

引用文献１には、実施例２に係る図５の「フォトダイオード２９１」を用いた波長多重光受信器について、次の技術的事項が記載されていると認められる。その際、［００３６］には、「本発明の実施例２の波長多重光受信器を説明するが、フォトダイオードの構造が異なるだけで、他の構造は上記の実施例１と全く同様であるので、異なった部分のみを説明する。」と記載されていることから、実施例１に係る説明も参照する。

ア　図５は、「実施例２の波長多重光受信器の概念的平面図」（［００３６］）であるところ、この図５より、フォトダイオード２９１を用いた波長多重光受信器は、入力導波路２１、偏波スプリッタ２２、ループ状導波路２３、リング導波路２５１、出力導波路２６１及びフォトダイオード２９１がこの順に接続されてなるものであって、入力導波路２１から入力した光（λ１）を、フォトダイオード２９１で受信するものであることが理解できる。

イ　フォトダイオード２９１を用いた波長多重光受信器は、シリコン細線導波路パターンが形成されたものであるところ、シリコン細線導波路パターンは、ＳＯＩ基板に設けられた単結晶Ｓｉ層に対して、光露光プロセスによって形成されたものである（［００３２］）から、ＳＯＩ基板上に設けられているといえる。

そして、ＳＯＩ基板は、Ｓｉ基板３１上にＳｉＯ２からなるＢＯＸ層３２を介して単結晶Ｓｉ層を設けたものである（［００３１］）。

ウ　上記アで認定した入力導波路２１、偏光スプリッタ２２、ループ状導波路２３、リング導波路２５１、出力導波路２６１は、シリコン細線導波路パターンからなるものである（［００２７］及び［００２８］）。

エ　図６は、「実施例２の波長多重光受信器に用いられるフォトダイオードの概念的構成図」（［００３７］）であるから、「フォトダイオード２９１」の具体的構成は、図６より次のとおり理解できる。

フォトダイオード２９１は、ＳＯＩ基板に設けられた単結晶Ｓｉ層より形成されたスラブ部３４及び平行な２本の単結晶Ｓｉコア層３３、２本の単結晶Ｓｉコア層３３のそれぞれの上に形成されたｉ型Ｇｅ光吸収層３５、ｉ型Ｇｅ光吸収層３５の上面に形成されたｎ＋型Ｇｅコンタクト層３６、ｉ型Ｇｅ光吸収層３５が形成された単結晶Ｓｉコア層３３間のスラブ部３４に形成されたｐ＋型Ｓｉコンタクト層３７（当審注：図６の表記は「２７」であるが、［００３３］の「一方の単結晶Ｓｉコア層３３の両脇のスラブ部３４にｐ型不純物であるＢをイオン注入してｐ＋型Ｓｉコンタクト層３７を形成する」の記載を踏まえると、図６に表記された「２７」は、「３７」の誤記と認められる。）、ｎ＋型Ｇｅコンタクト層３６に接続したｎ側電極３９、ｐ＋型Ｓｉコンタクト層３７に接続したｐ側電極４０より構成されるものである（図６（ｂ）、［００３２］～［００３４］）。

（３）引用発明

上記（１）及び（２）より、引用文献１には、図５のフォトダイオード２９１を用いた波長多重光受信器について、以下の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。

なお、参考までに、引用発明の認定に用いた引用文献１の記載等に係る段落番号等を括弧内に付してある。

＜引用発明＞

「入力導波路２１、偏波スプリッタ２２、ループ状導波路２３、リング導波路２５１、出力導波路２６１及びフォトダイオード２９１がこの順に接続されてなるフォトダイオード２９１を用いた波長多重光受信器であって、（上記（２）ア）

入力導波路２１から入力した光（λ１）を、フォトダイオード２９１で受信するものであり、（上記（２）ア）

シリコン細線導波路パターンは、ＳＯＩ基板上に設けられており、（上記（２）イ）

ＳＯＩ基板は、Ｓｉ基板３１上にＳｉＯ２からなるＢＯＸ層３２を介して単結晶Ｓｉ層を設けたものであり、（上記（２）イ）

続きを表示（全17行）

入力導波路２１、偏波スプリッタ２２、ループ状導波路２３、リング導波路２５１、出力導波路２６１は、シリコン細線導波路パターンからなるものであって、（上記（２）ウ）

シリコン細線導波路パターンは、ＳＯＩ基板に設けられた単結晶Ｓｉ層に対して、光露光プロセスによって形成されたものであって、（上記（２）イ）

偏波スプリッタ２２は、光を偏波面に応じてＴＥ信号光とＴＭ信号光に分離し、（［００２７］）

フォトダイオード２９１は、

ＳＯＩ基板に設けられた単結晶Ｓｉ層より形成されたスラブ部３４及び平行な２本の単結晶Ｓｉコア層３３、

２本の単結晶Ｓｉコア層３３のそれぞれの上に形成されたｉ型Ｇｅ光吸収層３５、

ｉ型Ｇｅ光吸収層３５の上面に形成されたｎ＋型Ｇｅコンタクト層３６、

ｉ型Ｇｅ光吸収層３５が形成された単結晶Ｓｉコア層３３間のスラブ部３４に形成されたｐ＋型Ｓｉコンタクト層３７、

ｎ＋型Ｇｅコンタクト層３６に接続したｎ側電極３９、

ｐ＋型Ｓｉコンタクト層３７に接続したｐ側電極４０より構成され、（上記（２）エ）

ｉ型Ｇｅ光吸収層３５は、選択的にエピタキシャル成長させたものであり、（［００３３］）

同一構造のＰＩＮ型のフォトダイオードを二つ並列し、両方のフォトダイオードから流れる電流の和をとる、（［００３７］及び［００３８］）

波長多重光受信器。」

第５　対比、判断

１　本願発明と引用発明とを、以下に対比する。

（１）引用発明の「Ｓｉ基板３１」は、本願発明の「基板」に相当する。

（２）引用発明の「入力導波路２１」は、「シリコン細線導波路パターン」からなり、当該「シリコン細線導波路パターン」は、「Ｓｉ基板３１上にＳｉＯ２からなるＢＯＸ層３２を介して」設けられた「単結晶Ｓｉ層」を、「光露光プロセスによって」、「シリコン細線導波路パターン」としたものである。

したがって、引用発明の「入力導波路２１」は、本願発明の「前記基板上に設けられた半導体細線導波路」に相当するといえる。

（３）引用発明の「フォトダイオード２９１」は、「入力導波路２１から入力した光（λ１）」を「受信する」ものである。

また、引用発明の「フォトダイオード２９１」は、「スラブ部３４」及び「単結晶Ｓｉコア層３３」を含み、「単結晶Ｓｉコア層３３」上に「ｉ型Ｇｅ光吸収層３５」を形成したものであるところ、「単結晶Ｓｉコア層３３」は「Ｓｉ基板３１上に」「設けたものであ」るから、「Ｓｉ基板３１」上に設けられたものといえる。

したがって、引用発明の「フォトダイオード２９１」は、本願発明の「受光部」に相当し、「前記基板上に設けられて、前記半導体細線導波路を伝播する光を吸収する」との特定事項を備えるといえる。

（４）引用発明の「フォトダイオード２９１」は、「単結晶Ｓｉ層より形成されたスラブ部３４及び平行な２本の単結晶Ｓｉコア層３３」、「２本の単結晶Ｓｉコア層３３のそれぞれの上に形成されたｉ型Ｇｅ光吸収層３５」及び「ｉ型Ｇｅ光吸収層３５の上面に形成されたｎ＋型Ｇｅコンタクト層３６」を備えている。また、当該「フォトダイオード２９１」は、「同一構造のＰＩＮ型のフォトダイオードを二つ並列し、両方のフォトダイオードから流れる電流の和をとる」ものである。

一方、本願発明の「受光器」は、「ｐ型の第１半導体層と、前記ｐ型の第１半導体層上に設けられて、ｉ型の第２半導体層の上部にｎ型の第２半導体層を設けた単一の受光部を形成する複数の第２半導体メサ構造」を有している。

ここで、本願発明の「受光部」と引用発明の「フォトダイオード２９１」とを対比すると、次のとおりである。

ア　引用発明の「ｉ型Ｇｅ光吸収層３５」及び「ｎ＋型Ｇｅコンタクト層３６」は、それぞれ本願発明の「ｉ型の第２半導体層」及び「ｎ型の第２半導体層」に相当するといえる。

イ　引用発明の「単結晶Ｓｉより形成されたスラブ部３４及び平行な２本の単結晶Ｓｉコア層３３」は、本願発明の「ｐ型の第１半導体層」と、「第１半導体層」である点で、一致するといえる。

ウ　引用発明の「ｉ型Ｇｅ光吸収層３５」は、「２本の単結晶Ｓｉコア層３３のそれぞれの上に形成された」層であり、「単結晶Ｓｉコア層３３」の上に「選択的にエピタキシャル成長させたもの」であるから、その形状は「メサ形状」といえる。

エ　上記ア～ウより、引用発明の「フォトダイオード２９１」は、本願発明の「複数の第２半導体メサ構造」を備えるといえ、「同一構造のＰＩＮ型のフォトダイオードを二つ並列し、両方のフォトダイオードから流れる電流の和をとる」ものであるから、本願発明の「単一の受光部」といえる。

オ　したがって、引用発明の「フォトダイオード２９１」は、本願発明の「受光部」と、「第１半導体層と、前記第１半導体層上に設けられて、ｉ型の第２半導体層の上部にｎ型の第２半導体層を設けた単一の受光部を形成する複数の第２半導体メサ構造」を備える点で、一致するといえる。

（５）引用発明は、「ｉ型Ｇｅ光吸収層３５の上面に形成されたｎ＋型Ｇｅコンタクト層３６」、「ｉ型Ｇｅ光吸収層３５が形成された単結晶Ｓｉコア層３３間のスラブ部３４に形成されたｐ＋型Ｓｉコンタクト層３７」及び「ｎ＋型Ｇｅコンタクト層３６に接続したｎ側電極３９とｐ＋型Ｓｉコンタクト層３７に接続したｐ側電極４０」を備えている。

したがって、上記（４）を踏まえると、引用発明は、本願発明の「前記複数の第２半導体メサ構造の間において」「前記第１半導体層と接続するｐ側電極と、前記ｎ型の第２半導体層と接続するｎ側電極とを有し」との特定を満たす点で、本願発明と一致するといえる。

（６）引用発明の「ｉ型Ｇｅ光吸収層３５」及び「単結晶Ｓｉコア層３３」において、その屈折率及び光吸収係数を比較すると、引用発明の「ｉ型Ｇｅ光吸収層３５」及び「単結晶Ｓｉコア層３３」は、本願発明の「前記第２半導体層の屈折率及び光吸収係数が前記第１半導体層の屈折率及び光吸収係数よりも大きく」との特定を満たすといえる。

（７）引用発明の「偏波スプリッタ２２」は、「入力導波路２１から入力した光を偏波面に応じてＴＥ信号光とＴＭ信号光に分離する」ものであるから、入力光を「二つの光」に分離するものといえる。

そして、分離された「ＴＥ信号光」及び「ＴＭ信号光」は、「ループ状導波路２３」、「リング導波路２５１」及び「出力導波路２６１」を介して、「フォトダイオード２９１」が備える「二つ」の「同一構造」の「フォトダイオード」のそれぞれに入力され、「両方のフォトダイオードから流れる電流の和をとる」ことにより、受信されるものである。

したがって、引用発明の「偏波スプリッタ２２」は、本願発明の「前記半導体細線導波路と前記受光部との間に」有する「前記半導体細線導波路を伝播する光或いは光の強度ピーク位置のいずれかを前記第２半導体メサ構造の数に分岐する光分岐部」に相当するといえる。

（８）引用発明の「光受信器」は、「シリコン細線導波路パターンからなる」、「入力導波路２１、偏波スプリッタ２２、ループ状導波路２３、リング導波路２５１、出力導波路２６１」を有し、「単結晶Ｓｉコア層」、「ｉ型Ｇｅ光吸収層３５」及び「ｎ＋型Ｇｅコンタクト層」を含む「ＰＩＮ型のフォトダイオード」を備えているところ、その材料は、半導体であるＳｉ及びＧｅより構成されている。

したがって、引用発明の「光受信器」は、本願発明の「半導体受光装置」に相当するといえる。

（９）以上より、本願発明と引用発明との一致点及び相違点は、以下のとおりである。

＜一致点＞

「基板と、

前記基板上に設けられた半導体細線導波路と

前記基板上に設けられて、前記半導体細線導波路を伝播する光を吸収する受光部とを有し、

前記受光部は、ｐ型の第１半導体層と、前記ｐ型の第１半導体層上に設けられて、ｉ型の第２半導体層の上部にｎ型の第２半導体層を設けた単一の受光部を形成する複数の第２半導体メサ構造と、前記複数の第２半導体メサ構造の間において前記第１半導体層と接続するｐ側電極と、前記ｎ型の第２半導体層と接続するｎ側電極とを有し、

前記第２半導体層の屈折率及び光吸収係数が前記第１半導体層の屈折率及び光吸収係数よりも大きく、

前記半導体細線導波路と前記受光部との間に、前記半導体細線導波路を伝播する光或いは光の強度ピーク位置のいずれかを前記第２半導体メサ構造の数に分岐する光分岐部を有することを特徴とする半導体受光装置。」

＜相違点＞

・相違点１

「第１半導体層」について、本願発明では、「ｐ型」であるのに対し、引用発明では、そうであるか明記がない点。

・相違点２

「バイアス電源」及び「信号線」の接続について、本願発明では、「ｎ側電極に正バイアス電源を接続し」、「ｐ側電極に信号線を接続し」ているのに対して、引用発明では、不明である点。

２　判断

（１）相違点１について

引用発明において本願発明の「第１半導体層」に相当する構成は、「単結晶Ｓｉより形成されたスラブ部３４及び平行な２本の単結晶Ｓｉコア層３３」であり、これが「ｐ型」といえるか否かが問題である。

そこで、この点を検討すると、引用発明の「波長多重光受信器」は、「同一構造のＰＩＮ型のフォトダイオードを二つ並列」した構成を備えるものであるところ、技術常識に照らせば、「ＰＩＮ型フォトダイオード」は、「ｐ型半導体領域」、「ｉ型半導体領域（光吸収領域）」及び「ｎ型半導体領域」より構成されるものである。そして、引用発明における「ＰＩＮ型フォトダイオード」は「フォトダイオード２９１」であるから、「ｎ＋型Ｇｅコンタクト層３６」を「ＰＩＮ型フォトダイオード」の「ｎ型半導体領域」とみるほかなく、また、光吸収領域として記載があるのは「ｉ型Ｇｅ光吸収層３５」だけであるから、「単結晶Ｓｉコア層３３」を「ＰＩＮ型フォトダイオード」の「ｐ型半導体領域」とみることが自然であり、加えて、引用発明の「ｐ型電極４０」が配置された位置からみて、「単結晶Ｓｉコア層３３」と「ｐ＋型Ｓｉコンタクト層３７」の間の「スラブ部３４」も「ｐ型半導体領域」とみることが自然といえる。

これに対し、仮に、「単結晶Ｓｉコア層３３」が「ｉ型」であるとすれば、当該「単結晶Ｓｉコア層３３」は、「ＰＩＮ型フォトダイオード」における「光吸収領域」になると解される。しかしながら、その理解は、「Ｓｉ」が光吸収をする物質として位置付けられたことをも意味するところ、そのような帰結は、引用発明の「波長多重光受信器」において、「Ｓｉ」から構成された「シリコン細線導波路パターン」が、光を導波する光導波路とされていることと整合するとは言い難い。

そうすると、引用発明の「単結晶Ｓｉコア層３３」及び「『単結晶Ｓｉコア層３３』と『ｐ＋型Ｓｉコンタクト層３７』の間の『スラブ部３４』」は、「ｐ型」であり、「ｐ型単結晶Ｓｉコア層３３」及び「『ｐ型単結晶Ｓｉコア層３３』と『ｐ＋型Ｓｉコンタクト層３７』の間のｐ型の『スラブ部３４』」、「ｉ型Ｇｅ光吸収層３５」並びに「ｎ＋型Ｇｅコンタクト層３６」により、「ＰＩＮ型のフォトダイオード」が構成されるものと解することが自然といえる。

したがって、上記相違点１は、実質的な相違点ではない。

仮に、上記相違点１が、実質的な相違点であるとしても、「ＰＩＮ型フォトダイオード」である「フォトダイオード２９１」における「ｐ型半導体層」として、光吸収層として明記された「ｉ型Ｇｅ光吸収層３５」と「ｐ側電極４０」との間の領域を選択することは、ｉ型のＳｉ層に不純物を注入してｎ型或いはｐ型領域とすることが例示するまでもなく周知技術であることも踏まえると、当業者であれば容易になし得る事項である。

したがって、上記相違点１が、実質的な相違点であるとしても、当業者が容易になし得たものといえる。

（２）相違点２について

一般に、フォトダイオードは、逆バイアス電圧を印加し、受光した光の強度を信号線より検出する光デバイスである（必要であれば、下記（３）の周知技術文献１を参照のこと）から、引用発明も「バイアス電源」及び「信号線」を備えているもの、と解される。

また、通常、電子デバイスの駆動には「正の電源」が用いられるとの技術常識に照らせば、引用発明の「フォトダイオード２９１」にも、「正バイアス電源」を接続して、逆バイアス電圧を印加する構成が、自然である。

そして、「正バイアス電源」が接続されるのは、フォトダイオードのｎ側電極であるから、フォトダイオードのｐ側電極より信号を検出するよう構成することもまた、自然な態様といえる。

したがって、引用発明の「ｎ側電極３９」に正バイアス電源を接続し、「ｐ側電極４０」に信号線を接続して、光を受信することは、当業者が容易になし得た事項といえる。

（３）周知技術を示す文献

「第１図の光電変換回路は、ホトダイオード１０のアノードに負荷抵抗Ｒ１を接続した直列回路を、電源の正端子と負端子との間に逆バイアスに接続して構成され、ホトダイオード１０と負荷抵抗Ｒ１との接続点から信号を取り出すようになされている。」（第２頁左上欄第７行～第１２行）

「図１

」

３　本願発明の効果について

上記相違点を総合的に勘案しても、本願発明の奏する作用効果は、引用発明及び周知技術の奏する作用効果から予測される範囲内のものにすぎず、格別顕著なものということはできない。

４　審判請求人の主張について

審判請求人は、審判請求書にて、以下のことを主張している。

（１）単結晶Ｓｉコア層３３がｐ型層であることはあり得ないこと。

（２）引用文献１には、「前記半導体細線導波路と前記受光部との間に、前記半導体細線導波路を伝播する光或いは光の強度ピーク位置のいずれかを前記第２半導体メサ構造の数に分岐する光分岐部」に相当する構成は具体的には全く開示されていないこと。

しかしながら、下記のとおりであるから、審判請求人の主張は、上記判断を左右するものではない。

上記（１）に対して、上記２（１）に説示のとおりであって、引用発明は、「ＰＩＮ型のフォトダイオード」を備えており、「単結晶Ｓｉコア層３３」上に、「ｉ型Ｇｅ光吸収層３５」及び「ｎ＋型Ｇｅコンタクト層３６」を形成しているのであるから、当該「単結晶Ｓｉコア層３３」は、ｐ型であると解することが自然であると共に、単結晶Ｓｉ層の全域ではなく、フォトダイオード２９１を形成する領域（「単結晶Ｓｉコア層３３」及び「『単結晶Ｓｉコア層３３』と『ｐ＋型Ｓｉコンタクト層３７』の間の『スラブ部３４』」）にアクセプタを注入してｐ型としているものと解され、そうではないとしてもそのようにすることは、当業者が容易になし得たものである。

上記（２）に対して、上記１（７）のとおり、引用発明の「偏波スプリッタ２２」は、本願発明の「光分岐部」に相当するといえる。

５　以上より、本願発明は、引用発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。

第６　むすび

以上のとおり、本願発明は、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができないから、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。

よって、結論のとおり審決する。