2020-009334

１．手続の経緯

本願は、平成２８年１月２９日を出願日とするものであって、その手続の経緯は以下のとおりである。

２．本願発明

本願請求項１及び２に係る発明（以下「本願発明１」及び「本願発明２」とそれぞれいう。）は、令和２年７月３日付け手続補正書により補正がされた特許請求の範囲の請求項１及び２に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、本願発明１は次のとおりのものである（Ａ～Ｆは、本願発明１を分説するために当審で付した。）。

「【請求項１】

Ａ　長尺状のコア部と、前記コア部を囲むように配置されるクラッド層とを備え、

Ｂ　前記クラッド層には、前記コア部の短手方向に前記コア部が露出している露出部、又は前記コア部の短手方向に存在する前記クラッド層の内の最も薄い薄厚部を備え、

Ｃ　前記薄厚部の厚みが、０．５μｍ以下である光導波路を２個備え、

Ｄ　一方の前記光導波路の前記露出部又は前記薄厚部と、他方の前記光導波路の前記露出部又は前記薄厚部とを、前記コア部の長手方向に沿った距離で５ｍｍ以上３０ｍｍ以下接触させ、

Ｅ　一方の前記光導波路と他方の前記光導波路との２つのコア部の間の最短距離が、０．２μｍ以上０．５μｍ以下である

Ｆ　ことを特徴とする光導波路結合体。」

３．引用文献及び引用発明

（１）引用文献１及び引用発明１

ア　原査定の拒絶の理由で引用文献１として引用された本願の出願前に頒布された引用文献である、特開２００２－１２２７５０号公報（以下「引用文献１」という。）には、次の記載がある（下線は当審にて付した。以下同じ。）。

（ア）「【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光を導波伝搬する光導波路同士を接続する光導波路接続構造に係り、特に、屈折率の異なる光導波路を互いに接続する場合に適した光導波路接続構造に関するものである。」

（イ）「【００１４】図１（ａ）,（ｂ）,（ｃ）に示すように、第１光導波路ａは、平面基板１と、この平面基板１の一方面に形成される石英系素材よりなるアンダークラッド２と、このアンダークラッド２の一方面の中央に沿って形成される石英系素材よりなる光導波路コア３（第１コア）とを備えている。

【００１５】また、第２光導波路ｂは、平面基板６と、この平面基板６の一方面に形成される石英系素材よりなるアンダークラッド５と、このアンダークラッド５の一方面で中央に沿って形成されるシリコンよりなる光導波路コア４（第２コア）と、この光導波路コア４の端部に、その光導波路コア４の断面高さ（厚さ）を維持した状態で幅寸法を先端に向かうに従って細くなるように連続的に変化して形成されたテーパ部７とを備えている。

【００１６】そして、第２光導波路ｂのテーパ部７は、第１光導波路ａの光導波路コア３と長手方向に接触または平行な状態で光学的に近接するように配置された状態で配置されている。なお、ここでは、第１光導波路ａと、第２光導波路ｂとを光硬化樹脂などの接続部材を介して結合させた状態としている。テーパ部７と光導波路コア３との位置関係は、軸線同士が一致していることが望ましいが、光導波路コア３の幅内で平行にズレる状態や、あるいは光導波路コア３の幅内にテーパ部７が収まる程度の状態であれば良く、厳密な整合性を必要とするものではない。また、平行な状態で光学的に近接するとは、伝搬する光が許容範囲の損失内で適切に一方から他方に伝わることができる状態である。

【００１７】アンダークラッド２および光導波路コア３、アンダークラッド５の屈折率は、添加不純物および使用波長帯域により異なるが近赤外光の領域においては、いずれもおおむね１．４から１．５程度である。一方、光導波路コア４の屈折率は、おおむね３．４程度である。光導波路コア４の厚さは０．２μｍ程度、幅は０．４μｍ程度であり、光導波路コア３の厚さと幅はいずれも２１μｍ～１０μｍ程度である。

【００１８】また、テーパ部７は、その幅が左端（光導波路コア４側）においては光導波路コア４の幅から右端（先端）に向かうにしたがって０．１μｍあるいはそれ以下となるように形成されている。このテーパ部７の長さは数十μｍ程度から１ｍｍ程度に形成されている。このテーパ部７の幅および長さは、接続する側の光導波路コアに対して位置決めなどを行う場合に操作が容易となる寸法に形成されていれば、特に限定されるものではない。なお、前記した各構成の寸法は、ここで挙げた寸法以外であっても構わない。

【００１９】つぎに、光導波路接続構造における光の伝搬状態を説明する。光導波路コア４の左端面から入射した光は、光導波路コア４を伝搬しテーパ部７の左端位置に到達する。光導波路コア３の左端において光導波路コア４のクラッドの役割をする空気と光導波路コア３の屈折率の違いにより、一部の光が反射するが、空気と光導波路コア３との屈折率の違いは、光導波路コア４と空気あるいはテーパ部７と光導波路コア３の屈折率の違いにくらべると相対的に小さいので、この反射光強度は弱い。

【００２０】光がテーパ部７を図１における右方向に伝搬するにつれて、コア幅が徐々に狭まり光の閉じこめが弱くなりモードフィールドが周囲に広がろうとする。ところが、このときアンダークラッド２、５より屈折率の高い光導波路コア３が隣接して存在するため、光パワーの分布は光導波路コア４から光導波路コア３のみへ徐々に移っていく。

【００２１】テーパ部７の右端部（先端）でも一部反射が起きるが、断面が十分小さく、有効屈折率が小さくなっているため、この場所で発生する反射光はわずかである。前記とは逆に光導波路コア３の右端部から入射した場合には、ちょうど逆に、右から左へ光が進行するにつれて光導波路コア３、テーパ部７を介して、光導波路コア４へ光の分布が移動する。このように、テーパ部７を介して光導波路コア３と光導波路コア４を接続することで屈折率のことなる光導波路を接続する場合に適した光導波路接続構造を構成することができる。

【００２２】なお、テーパ部７は、長手方向の断面の高さをほぼ保ったまま幅のみを変化させているので、高さ方向の加工を必要としない。これによって、リソグラフィやエッチング等を用いた加工が容易にできるという利点がある。また、テーパ部７のテーパ部分は、その面状態が、その伝搬される波長に比して十分なめらかである必要があるが、作成上の必要に応じて、十分に微細な凹凸であれば存在しても構わない。また、図１ではテーパは直線で表しているが、なめらかな曲線であっても構わない。

【００２３】さらに、テーパ部７の高さは、ほぼ一定としたが、加工の結果テーパ先端部で幅が細くなる部分において、高さが減少する方向で多少変化しても、これが連続的かつゆるやかであるなら構わない。また、ここでは導波路を構成する素材としてシリコンおよび石英を挙げたが、これは一つの例示に過ぎず、ガリウム砒素やインジウム燐等他の半導体材料やガラス素材、ポリマー素材等であっても構わない。」

（ウ）「【００４２】

【発明の効果】本発明によれば、２つの光導波路の光結合を行う光導波路接続構造は、幅方向にテーパを形成するテーパ部を介して、入力側の光導波路の導波モードから出力側の光導波路の導波モードヘ徐々に変化するため、入力側の光導波路の導波モードが出力側の光導波路の導波モードに断続的に変換される。これによって、入力側及び出力側の光導波路のスポットサイズが整合しない場合においても損失の少ない接続が可能となり、また、光の伝搬方向において反射の要因となる急激な導波路構造の変化がないため、接続部分の結合部における反射戻り光を極めて少なくでき、反射減衰量を従来技術と比べてそれ以下まで小さくすることができる。そして、光導波路接続構造は、厚さ方向の変化を伴う構造を有しないためリソグラフィプロセス技術等による製造に適し、高精度加工や大量生産が容易となる。」

（エ）図１は次のものである。

【図１】

（オ）上記（ア）ないし（ウ）の記載を踏まえて、上記（エ）の図１を見ると、第１光導波路ａの光導波路コア３（第１コア）及び第２光導波路ｂの光導波路コア４（第２コア）は、それぞれ、長尺状であって、前記第１コア及び前記第２コアの短手方向に前記第１コア及び前記第２コアが露出している露出部を備えていること、及び、第１光導波路ａのアンダークラッド２は光導波路コア３（第１コア）を３方向から囲むように配置され、第２光導波路ｂのアンダークラッド５は光導波路コア４（第２コア）を３方向から囲むように配置されていることが見てとれる。

イ　以上アによれば、引用文献１には、次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されているものと認められる（ａ１～ｄ１、ｆ１は、構成Ａ～Ｄ、Ｆに対応させて当審が付した。）。

「ａ１　第１光導波路ａは、平面基板１と、この平面基板１の一方面に形成される石英系素材よりなるアンダークラッド２と、このアンダークラッド２の一方面の中央に沿って形成される石英系素材よりなる光導波路コア３とを備え（【００１４】）、第２光導波路ｂは、平面基板６と、この平面基板６の一方面に形成される石英系素材よりなるアンダークラッド５と、このアンダークラッド５の一方面で中央に沿って形成されるシリコンよりなる光導波路コア４と、この光導波路コア４の端部に、その光導波路コア４の断面高さ（厚さ）を維持した状態で幅寸法を先端に向かうに従って細くなるように連続的に変化して形成されたテーパ部７とを備え（【００１５】）、

ｂ１　前記第１光導波路ａの光導波路コア３及び前記第２光導波路ｂの光導波路コア４は、それぞれ、長尺状であって、前記光導波路コア３及び前記光導波路コア４の短手方向に前記光導波路コア３及び前記光導波路コア４が露出している露出部を備え、前記第１光導波路ａのアンダークラッド２は光導波路コア３を３方向から囲むように配置され、前記第２光導波路ｂのアンダークラッド５は光導波路コア４を３方向から囲むように配置されていること（上記「イ」「（オ）」）、

ｃ１　前記第２光導波路ｂのテーパ部７は、前記第１光導波路ａの光導波路コア３と長手方向に接触または平行な状態で光学的に近接するように配置された状態で配置され、前記第１光導波路ａと、前記第２光導波路ｂとを光硬化樹脂などの接続部材を介して結合させた状態とし（【００１６】）、

ｄ１　前記テーパ部７の長さは数十μｍ程度から１ｍｍ程度に形成されている（【００１８】）、

ｆ１　光導波路同士を接続する光導波路接続構造（【０００１】）。」

（２）引用文献２及び引用発明２

ア　原査定の拒絶の理由で引用文献２として引用された本願の出願前に頒布された引用文献である、特開２０１４－１９１３０１号公報（以下「引用文献２」という。）には、次の記載がある。

（ア）「【技術分野】

【０００１】

本発明は、スポットサイズ変換器、その製造方法及び光集積回路装置に関し、例えば、ボード間、チップ間或いはチップ内などのＳｉ基板上光配線を用いた光インターコネクトに用いるスポットサイズ変換器、その製造方法及び光集積回路装置に関する。」

（イ）「【発明の効果】

【００１６】

開示のスポットサイズ変換器、その製造方法及び光集積回路装置によれば、光ファイバとの結合が容易になるとともに、精度良く製造することが可能になる。・・・

【００１９】

続きを表示（全15行）

図１及び図２（ａ）に示すように、第１の基板１上に光を入出力する第１の端部（第１の基板の左端）から第２の端部（第１の基板１の右端）に向かって延在する第１のコア２を形成する。この第１のコア２を石英クラッド３で覆い、この石英クラッド３の上に第１のアライメントマーク４を形成する。また、第１のコア２の第１の端部側の頂面に部分的に石英クラッド５を設ける。この場合の第１の基板１は、典型的には石英基板であり、また、第１のコア２は、典型的にはＧｅＯ２やＴｉＯ２を添加して屈折率を石英（ＳｉＯ２）より高くした石英コアである。

【００２０】

この第１のコア２と積層方向においてエバネッセント結合する位置に形成されて第１の端部から第２の端部に向かう方向に沿って延在する複数のコアからなる第２のコア１６を設ける。この第２のコア１６は第１のコア２より屈折率の大きなＳｉＮ等の誘電体膜で形成するものであり、第１のコア２との間にはＳｉＯ２膜からなる第１のクラッド１７を介在させる。この第２のコア１６は、典型的には２本であるが、３本以上でも良い。２本で構成する場合には、図２（ｃ）に示すように、両端を幅細部とし、中央を最大幅部となる形状にする。

【００２１】

この第２のコア１６と積層方向においてエバネッセント結合する位置に形成されて第１の端部から第２の端部に向かう方向に沿って延在し、第１の端部から第２の端部に向かう方向において断面積が増加するテーパ部を有する第３のコア１３を設ける。この第３のコア１３は、典型的にはＳＯＩ基板を利用して形成した単結晶Ｓｉコアであり、ＳＯＩ基板のＢＯＸ層が第３のクラッド１２となり、また、第２のコア１６との間には第２のクラッド１５が設けられる。

【００２２】

また、この第３のコア１３は、光の移行をスムーズにするために、第１の端部から第２の端部に向かう方向において、断面積が漸増したテーパ部と、テーパ部に接続する幅が一定の一定幅部とを有するように形成することが望ましい。また、第３のコア１３の幅が細いと伝播中の損失が大きくなるので、一定幅部の後端部に、幅が一定幅部より広い幅広部を設けるようにしても良い。また、第３のコア１３は、第１の端部から第２の端部に向かう方向において、第２のコアの断面積が最大の位置を始点として、第２の端部へ向かう方向に延在することが望ましい。

【００２３】

また、第３のコア１３及び第２のコア１６は典型的には、ＳＯＩ基板等の第２の基板１１の積層面上に形成されるものであり、第２のクラッド１５の上には第２のアライメントマーク１４が形成される。この第２のアライメントマーク１４は、第３のコア１３の形成時に同時に形成しても良いし、第３のコア１３の出力側に光素子を形成する場合には、光素子に形成するコンタクト電極と同じ工程で形成しても良い。

【００２４】

第１の基板１に対して第２の基板２の基板をフリップチップボンディングすることによって図１に示した構造が得られるが、その際には、第１のアライメントマーク４と第２のアライメントマーク１４を利用して位置合わせを行う。また、携帯機器に搭載する場合に、薄層化が必要な場合には、フリップチップボンディング後に、第２の基板１１を研磨或いはエッチングによって薄層化或いは除去しても良い。」

（ウ）「【００３３】

まず、図４に示すように、石英基板２１上に、厚さが１０μｍのＴｉドープのＳｉＯ２膜を堆積した後、エッチングすることによって、幅が１０μｍで長さが１００μｍの石英コア２２を形成する。したがって、石英コア２２の断面は１０μｍ×１０μｍになる。

【００３４】

次いで、全面にＳｉＯ２膜を堆積した後、平坦化することによって石英クラッド２３を形成する。次いで、石英クラッド２３上にＡｌパターンを形成してアライメントマーク２４とする。次いで、石英コア２２の入力端面側を石英クラッド２５で被覆する。

【００３５】

一方、Ｓｉ基板２１上にＢＯＸ層となる厚さが２μｍのＳｉＯ２膜２２を介して厚さが２２０ｎｍの単結晶シリコン層を設けたＳＯＩ基板を用意し、単結晶シリコン層をエッチングすることによって、単結晶Ｓｉコア３３を形成する。この時、アライメントマーク３６も単結晶Ｓｉ層によって同時に形成する。この第３のコアとなる単結晶Ｓｉコア３３は、図５（ｃ）に示すように、テーパ部３４を有する幅ｗ２が４５０ｎｍの一定幅部２５のコア形状であり、テーパ部３４の先端部の幅ｗ１は１５０ｎｍとし、全体の長さを２００μｍとする。

【００３６】

次いで、図６に示すように、単結晶Ｓｉコア３３の上における厚さが１μｍになるようにＳｉＯ２膜３７を形成してクラッド層とする。次いで、厚さが３００ｎｍのＳｉＮ膜を堆積したのち、エッチングすることによって、ＳｉＮコア３８を形成する。

【００３７】

このＳｉＮコア３８は先端部の幅ｗ３が２００ｎｍで、中央部の最大幅部の幅ｗ４が７００ｎｍの両側がテーパ状になった形状にし、２本のＳｉＮコア３８の間隔ｄは１μｍとする。また、ＳｉＮコア３８の最大幅部と単結晶Ｓｉコア３３の先端部の位置が一致するように配置する。次いで、ＳｉＮコア３８の上における厚さが１μｍになるようにＳｉＯ２膜３９を設けてクラッド層とする。」

（エ）図１、２、４及び６は次のものである。

【図１】

【図２】

【図４】

【図６】

（オ）上記（ア）ないし（ウ）の記載を踏まえて、上記（エ）の図６を見ると、単結晶Ｓｉコア３３（第３のコア）の上における厚さが１μｍになるようにＳｉＯ２膜３７を形成してクラッド層とし、その上にＳｉＮコア３８（第２のコア）が形成されていることが見てとれる。

イ　以上アによれば、引用文献２には、次の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されているものと認められる（ａ２いしｆ２は、構成ＡないしＦに対応させて当審が付した。）。

「ａ２　第１の基板上に光を入出力する第１の端部から第２の端部に向かって延在する第１のコアを形成し、前記第１のコアを石英クラッドで覆い、この石英クラッドの上に第１のアライメントマークを形成し、前記第１のコアの第１の端部側の頂面に部分的に石英クラッドを設け（【００１９】）、前記第１のコアと積層方向においてエバネッセント結合する位置に形成されて第１の端部から第２の端部に向かう方向に沿って延在する複数のコアからなる第２のコアを設け、前記第１のコアとの間にはＳｉＯ２膜からなる第１のクラッドを介在させ（【００２０】）、

ｂ２　前記第２のコアと積層方向においてエバネッセント結合する位置に形成されて第１の端部から第２の端部に向かう方向に沿って延在し、第１の端部から第２の端部に向かう方向において断面積が増加するテーパ部を有する第３のコアを設け（【００２１】）、前記第３のコアは、光の移行をスムーズにするために、第１の端部から第２の端部に向かう方向において、断面積が漸増したテーパ部と、テーパ部に接続する幅が一定の一定幅部とを有するように形成し（【００２２】）、

ｃ２　前記第１の基板に対して前記第２の基板の基板をフリップチップボンディングし（【００２４】）

ｄ２　前記第３のコアは、テーパ部を有し、全体の長さは２００μｍであり（【００３５】）、

ｅ２　前記第３のコアの上における厚さが１μｍになるようにＳｉＯ２膜３７を形成してクラッド層とし、その上に前記第２のコアが形成されている（上記「ア」「（オ）」）、

ｆ２　スポットサイズ変換器（【０００１】）。」

４．対比・判断

４－１　引用発明１を主引例とした場合

（１）本願発明１について

ア　本願発明１と引用発明１とを対比する。

（ア）引用発明１の「第１光導波路ａ」が、「平面基板１と、この平面基板１の一方面に形成される石英系素材よりなるアンダークラッド２と、このアンダークラッド２の一方面の中央に沿って形成される石英系素材よりなる光導波路コア３とを備え」（構成ａ）ること、「第２光導波路ｂ」が「平面基板６と、この平面基板６の一方面に形成される石英系素材よりなるアンダークラッド５と、このアンダークラッド５の一方面で中央に沿って形成されるシリコンよりなる光導波路コア４と、この光導波路コア４の端部に、その光導波路コア４の断面高さ（厚さ）を維持した状態で幅寸法を先端に向かうに従って細くなるように連続的に変化して形成されたテーパ部７とを備え」（構成ａ１）ること、及び、「前記第１光導波路ａの光導波路コア３及び前記第２光導波路ｂの光導波路コア４は、それぞれ、長尺状であって、前記光導波路コア３及び前記光導波路コア４の短手方向に前記光導波路コア３及び前記光導波路コア４が露出している露出部を備え、前記第１光導波路ａのアンダークラッド２は光導波路コア３を３方向から囲むように配置され、前記第２光導波路ｂのアンダークラッド５は光導波路コア４を３方向から囲むように配置されていること」（構成ｂ１）からは、「第１光導波路ａ」は長尺状の光導波路コア３と、前記光導波路コア３を囲むように配置されるアンダークラッド２とを備え、前記光導波路コア３の短手方向に前記光導波路コア３が露出している露出部を備え、また、「第２光導波路ｂ」は長尺状の光導波路コア４と、前記光導波路コア４を囲むように配置されるアンダークラッド５とを備え、前記光導波路コア４の短手方向に前記光導波路コア４が露出している露出部を備えるといえる。

したがって、引用発明１の上記構成ａ１およびｂ１は、本願発明１の「長尺状のコア部と、前記コア部を囲むように配置されるクラッド層とを備え」（構成Ａ）ることに相当するとともに、「前記クラッド層には、前記コア部の短手方向に前記コア部が露出している露出部、又は前記コア部の短手方向に存在する前記クラッド層の内の最も薄い薄厚部を備え」（構成Ｂ）ることと、「前記クラッド層には、前記コア部の短手方向に前記コア部が露出している露出部」「を備え」（構成Ｂ′）ることの点で一致する。

（イ）引用発明１の「前記第２光導波路ｂのテーパ部７は、前記第１光導波路ａの光導波路コア３と長手方向に接触または平行な状態で光学的に近接するように配置された状態で配置され、前記第１光導波路ａと、前記第２光導波路ｂとを光硬化樹脂などの接続部材を介して結合させた状態とし」（構成ｃ１）ていることは、「前記光導波路コア３及び前記光導波路コア４の短手方向に前記光導波路コア３及び前記光導波路コア４が露出している露出部を備え」（構成ｂ１）を踏まえると、光導波路コア３及び光導波路コア４の露出部において、前記第１光導波路ａと、前記第２光導波路ｂとを接触、または、平行な状態で光学的に近接するように配置した上で、光硬化樹脂などの接続部材を介して結合させた状態としていることであるから、薄厚部の厚みが０である光導波路を２個（第１光導波路ａ、第２光導波路ｂ）備えることであるといえる。

したがって、引用発明１の上記構成ｂ１およびｃ１は、本願発明１の「前記薄厚部の厚みが、０．５μｍ以下である光導波路を２個備え」（構成Ｃ）ることと、「前記薄厚部の厚みが０μｍである光導波路を２個備え」（構成Ｃ′）ることの点で一致する。

（ウ）引用発明１の「前記テーパ部７の長さは数十μｍ程度から１ｍｍ程度に形成されている」（構成ｄ１）は、上記（ア）及び（イ）での検討を踏まえると、第１光導波路ａの露出部と、第２光導波路ｂの露出部とを、光導波路コア３及び光導波路コア４の長手方向に沿った距離で数十μｍ程度から１ｍｍ程度以下接触させていることであるといえる。

したがって、引用発明１の上記構成ｄ１は、本願発明１の「一方の前記光導波路の前記露出部又は前記薄厚部と、他方の前記光導波路の前記露出部又は前記薄厚部とを、前記コア部の長手方向に沿った距離で５ｍｍ以上３０ｍｍ以下接触させ」（構成Ｄ）ることと、「一方の前記光導波路の前記露出部と、他方の前記光導波路の前記露出部とを、前記コア部の長手方向に沿った距離で接触させ」（構成Ｄ′）ることの点で一致する。

（エ）引用発明１の「光導波路同士を接続する光導波路接続構造」（構成ｆ１）は、本願発明１の「光導波路結合体」（構成Ｆ）に相当する。

（オ）以上（ア）ないし（エ）によれば、引用発明１と本願発明１は、

「Ａ　長尺状のコア部と、前記コア部を囲むように配置されるクラッド層とを備え、

Ｂ′　前記クラッド層には、前記コア部の短手方向に前記コア部が露出している露出部を備え、

Ｃ′　前記薄厚部の厚みが０μｍである光導波路を２個備え、

Ｄ′　一方の前記光導波路の前記露出部と、他方の前記光導波路の前記露出部とを、前記コア部の長手方向に沿った距離で接触させる

Ｆ　光導波路結合体。」

である点で一致し、下記各点で相違する。

（相違点１）

本願発明１は、「一方の前記光導波路の前記露出部又は前記薄厚部と、他方の前記光導波路の前記露出部又は前記薄厚部とを、前記コア部の長手方向に沿った距離で５ｍｍ以上３０ｍｍ以下接触させ」るのに対して、引用発明１は「一方の前記光導波路の前記露出部と、他方の前記光導波路の前記露出部とを、前記コア部の長手方向に沿った距離で接触させる」ものであって、当該接触させる距離は実体的には「数十μｍ程度から１ｍｍ程度以下」である点。

（相違点２）

本願発明１は、「一方の前記光導波路と他方の前記光導波路との２つのコア部の間の最短距離が、０．２μｍ以上０．５μｍ以下である」のに対して、引用発明１は、上記（イ）で検討したとおり、「光導波路コア３及び光導波路コア４の露出部において、前記第１光導波路ａと、前記第２光導波路ｂとを光硬化樹脂などの接続部材を介して結合させた状態としていることであるから」、「一方の前記光導波路と他方の前記光導波路との２つのコア部の間の最短距離が０μｍである」点。

イ　上記相違点について検討する。

事案に鑑みて相違点１及び２をまとめて検討する。

引用発明１は、「光導波路コア４の端部に、その光導波路コア４の断面高さ（厚さ）を維持した状態で幅寸法を先端に向かうに従って細くなるように連続的に変化して形成されたテーパ部７とを備え」（構成ａ１）、「前記第２光導波路ｂのテーパ部７は、前記第１光導波路ａの光導波路コア３と長手方向に接触または平行な状態で光学的に近接するように配置された状態で配置され、前記第１光導波路ａと、前記第２光導波路ｂとを光硬化樹脂などの接続部材を介して結合させた状態とし」（構成ｃ１）、「前記テーパ部７の長さは数十μｍ程度から１ｍｍ程度に形成されている」（構成ｄ１）発明であって、このような「テーパ部７」を備えることで、「本発明によれば、２つの光導波路の光結合を行う光導波路接続構造は、幅方向にテーパを形成するテーパ部を介して、入力側の光導波路の導波モードから出力側の光導波路の導波モードヘ徐々に変化するため、入力側の光導波路の導波モードが出力側の光導波路の導波モードに断続的に変換される。これによって、入力側及び出力側の光導波路のスポットサイズが整合しない場合においても損失の少ない接続が可能となり、また、光の伝搬方向において反射の要因となる急激な導波路構造の変化がないため、接続部分の結合部における反射戻り光を極めて少なくでき、反射減衰量を従来技術と比べてそれ以下まで小さくすることができる。」（上記「３．」「（１）」「ア」「（ウ）」【００４２】）という効果（以下「効果１」という。）を奏するものである。

そうすると、引用発明１は、第２光導波路ｂが「テーパ部７とを備え」、「前記第２光導波路ｂのテーパ部７は、前記第１光導波路ａの光導波路コア３と長手方向に接触または平行な状態で光学的に近接するように配置された状態で配置され、前記第１光導波路ａと、前記第２光導波路ｂとを光硬化樹脂などの接続部材を介して結合させた状態とし」、「前記テーパ部７の長さは数十μｍ程度から１ｍｍ程度に形成」することで、上記効果１の効果を奏するものであるにもかかわらず、あえて、数十μｍ程度から１ｍｍ程度である当該テーパ部７の長さを５ｍｍ以上３０ｍｍ以下の長さとする動機はなくまた想定し得えない。

また、「前記第２光導波路ｂのテーパ部７は、前記第１光導波路ａの光導波路コア３と長手方向に接触または平行な状態で光学的に近接するように配置された状態で配置され、前記第１光導波路ａと、前記第２光導波路ｂとを光硬化樹脂などの接続部材を介して結合させた状態」である第２光導波路ｂのテーパ部７と第１光導波路ａの光導波路コア３の間に、あえて、アンダークラッド２またはアンダークラッド５のいずれか、あるいはその両方に、第２光導波路ｂのテーパ部７と第１光導波路ａの光導波路コア３の間の距離が、「０．２μｍ以上０．５μｍ以下」の厚さとなる「薄厚部」を設ける動機はなくまた想定し得えない。

そして、引用文献２に、「前記第３のコアの上における厚さが１μｍになるようにＳｉＯ２膜３７を形成してクラッド層とし、その上に前記第２のコアが形成されている」ことが記載されていることをもって、引用発明１における第２光導波路ｂのテーパ部７と第１光導波路ａの光導波路コア３の間の距離を１μｍとすべき格別の必要性はなく、また、引用発明１に引用文献２に記載された事項を適用しても、引用発明１における第２光導波路ｂのテーパ部７と第１光導波路ａの光導波路コア３の間の距離を「０．２μｍ以上０．５μｍ以下」の厚さとなる「薄厚部」を設けることが容易に想到し得たとは認められないし、さらに、引用発明１の「数十μｍ程度から１ｍｍ程度に形成されている」「テーパ部７の長さ」を５ｍｍ以上３０ｍｍとすることが容易に想到し得たとも認められない。

よって、本願発明１は、当業者であっても引用発明１及び引用文献２に記載された事項に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。

（２）本願発明２について

本願発明２は本願発明１を減縮した発明であるから、本願発明１と同じ理由により、本願発明２は、当業者であっても引用発明１及び引用文献２記載された事項に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。

４－２　引用発明２を主引例とした場合

（１）本願発明１について

ア　本願発明１と引用発明２とを対比する。

（ア）引用発明２の「第１の基板上に光を入出力する第１の端部から第２の端部に向かって延在する第１のコア」及び「第１の端部から第２の端部に向かう方向に沿って延在する複数のコアからなる第２のコア」（構成ａ２）は、本願発明１の「長尺状のコア部」（構成Ａ）に相当する。

また、引用発明２の「前記第１のコアを石英クラッドで覆い」、「前記第１のコアの第１の端部側の頂面に部分的に石英クラッドを設け」、「前記第１のコアとの間にはＳｉＯ２膜からなる第１のクラッドを介在させ」（構成ａ２）る「クラッド」は、本願発明１の「前記コア部を囲むように配置されるクラッド層」（構成Ａ）に相当する。

したがって、引用発明２の上記構成ａ２は、本願発明１の「長尺状のコア部と、前記コア部を囲むように配置されるクラッド層とを備え」ることに相当する。

（イ）引用発明２の「前記第１のコアと積層方向においてエバネッセント結合する位置に形成されて第１の端部から第２の端部に向かう方向に沿って延在する複数のコアからなる第２のコアを設け、前記第１のコアとの間にはＳｉＯ２膜からなる第１のクラッドを介在させ」（構成ａ２）、「前記第３のコアの上における厚さが１μｍになるようにＳｉＯ２膜３７を形成してクラッド層とし、その上に前記第２のコアが形成されている」（構成ｅ２）ことから、第２のコアと第１のコアの間に介在しているＳｉＯ２膜からなる第１のクラッドはクラッドの薄厚部であるということができ、また、第３のコアの上における厚さが１μｍになるようにＳｉＯ２膜３７を形成してクラッド層とし、その上に前記第２のコアが形成されている当該クラッド層もクラッドの薄厚部であるということができる。

したがって、引用発明２の上記構成ａ２及びｅ２は、本願発明１の「前記クラッド層には、前記コア部の短手方向に前記コア部が露出している露出部、又は前記コア部の短手方向に存在する前記クラッド層の内の最も薄い薄厚部を備え」（構成Ｂ）ることと、「前記クラッド層には、前記コア部の短手方向に存在する前記クラッド層の内の最も薄い薄厚部を備え」（構成Ｂ′）る点で一致する。

（ウ）引用発明２の「前記第３のコアの上における厚さが１μｍになるようにＳｉＯ２膜３７を形成してクラッド層とし、その上に前記第２のコアが形成されている」（構成ｅ２）ものであって、「前記第１の基板に対して前記第２の基板の基板をフリップチップボンディングし」（構成ｃ２）ているものは、上記（イ）での検討を踏まえると、本願発明１の「前記薄厚部の厚みが、０．５μｍ以下である光導波路を２個備え」（構成Ｃ）ること、「前記薄厚部の厚みが、所定値以下である光導波路を２個備え」（構成Ｃ′）ることの点で一致する。

（エ）引用発明２の「前記第３のコアは、テーパ部を有し、全体の長さは２００μｍである」（構成ｄ２）ことは、上記（イ）及び（ウ）での検討を踏まえると、本願発明１の「一方の前記光導波路の前記露出部又は前記薄厚部と、他方の前記光導波路の前記露出部又は前記薄厚部とを、前記コア部の長手方向に沿った距離で５ｍｍ以上３０ｍｍ以下接触させ」（構成Ｄ）ることと、「一方の前記光導波路の前記薄厚部と、他方の前記光導波路のは前記薄厚部とを、前記コア部の長手方向に沿った距離で所定距離で接触させ」（構成Ｄ′）ることの点で一致する。

（オ）引用発明２の「前記第３のコアの上における厚さが１μｍになるようにＳｉＯ２膜３７を形成してクラッド層とし、その上に前記第２のコアが形成されている」（構成ｅ２）ことは、上記（イ）及び（ウ）での検討を踏まえると、本願発明１の「一方の前記光導波路と他方の前記光導波路との２つのコア部の間の最短距離が、０．２μｍ以上０．５μｍ以下である」（構成Ｅ）ことと、「一方の前記光導波路と他方の前記光導波路との２つのコア部の間の最短距離が、所定値以下である」（構成Ｅ′）ことの点で一致する。

（カ）引用発明２の「スポットサイズ変換器」（構成ｆ２）は、本願発明１の「光導波路結合体」（構成Ｆ）に相当する。

（キ）以上（ア）ないし（カ）によれば、引用発明２と本願発明１は、

「Ａ　長尺状のコア部と、前記コア部を囲むように配置されるクラッド層とを備え、

Ｂ′　前記クラッド層には、前記コア部の短手方向に存在する前記クラッド層の内の最も薄い薄厚部を備え、

Ｃ′　前記薄厚部の厚みが、所定値以下である光導波路を２個備え、

Ｄ′　一方の前記光導波路の前記薄厚部と、他方の前記光導波路のは前記薄厚部とを、前記コア部の長手方向に沿った距離で所定距離で接触させ、

Ｅ′　一方の前記光導波路と他方の前記光導波路との２つのコア部の間の最短距離が、所定値以下である

Ｆ　光導波路結合体。」

である点で一致し、下記各点で相違する。

（相違点３）

本願発明１は、「一方の前記光導波路の前記露出部又は前記薄厚部と、他方の前記光導波路の前記露出部又は前記薄厚部とを、前記コア部の長手方向に沿った距離で５ｍｍ以上３０ｍｍ以下接触させ」るのに対して、引用発明２は、「前記第３のコアは、テーパ部を有し、全体の長さは２００μｍであ」って、当該接触させる距離は実体的には「２００μｍ」以下である点。

（相違点４）

本願発明１は、「一方の前記光導波路と他方の前記光導波路との２つのコア部の間の最短距離が、０．２μｍ以上０．５μｍ以下である」のに対して、引用発明２は、「前記第３のコアの上における厚さが１μｍになるようにＳｉＯ２膜３７を形成してクラッド層とし、その上に前記第２のコアが形成されてい」て、当該厚さは「１μｍ」以下である点。

イ　上記相違点について検討する。

事案に鑑みて相違点３及び４をまとめて検討する。

引用発明２は、「前記第２のコアと積層方向においてエバネッセント結合する位置に形成されて第１の端部から第２の端部に向かう方向に沿って延在し、第１の端部から第２の端部に向かう方向において断面積が増加するテーパ部を有する第３のコアを設け」（構成ｂ２）、「前記第３のコアは、光の移行をスムーズにするために、第１の端部から第２の端部に向かう方向において、断面積が漸増したテーパ部と、テーパ部に接続する幅が一定の一定幅部とを有するように形成し」（構成ｂ２）、「前記第３のコアは、テーパ部を有し、全体の長さは２００μｍであ」（構成ｄ２）る発明であって、このような「テーパ部」を備えることで、「開示のスポットサイズ変換器、その製造方法及び光集積回路装置によれば、光ファイバとの結合が容易になるとともに、精度良く製造することが可能になる。」（上記「３．」「（２）」「ア」「（イ）」【００１６】）という効果を奏するものである。

そうすると、引用発明２は、「第３のコア」が、「テーパ部を有し、全体の長さは２００μｍであ」って、「前記第３のコアの上における厚さが１μｍになるようにＳｉＯ２膜３７を形成してクラッド層とし、その上に前記第２のコアが形成されている」ことで、「開示のスポットサイズ変換器、その製造方法及び光集積回路装置によれば、光ファイバとの結合が容易になるとともに、精度良く製造することが可能になる」という効果を奏するものであるにもかかわらず、あえて、２００μｍである当該テーパ部の長さを５ｍｍ以上３０ｍｍ以下の長さとする動機はなくまた想定し得えない。

また、「前記第３のコアの上における厚さが１μｍになるようにＳｉＯ２膜３７を形成してクラッド層とし、その上に前記第２のコアが形成されている」（構成ｅ２）、第３のコアの上に形成されている厚さが１μｍのクラッド層の厚さを「０．２μｍ以上０．５μｍ以下」の厚さとする動機はなくまた想定し得えない。

そして、引用文献１にも、第３のコアの上に形成されているクラッド層の厚さを「０．２μｍ以上０．５μｍ以下」の厚さとすることは記載も示唆もされていない。

よって、本願発明１は、当業者であっても引用発明２及び引用文献１に記載された事項に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。

（２）本願発明２について

本願発明２は本願発明１を減縮した発明であるから、本願発明１と同じ理由により、本願発明２は、当業者であっても引用発明２及び引用文献１に記載された事項に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。

５．原査定の概要及び原査定についての判断

原査定は、（令和元年１１月２９日付けの手続補正により補正された）請求項１及び２に係る発明は、引用発明１ないし引用発明２に基いて、その出願日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないというものである。

これに対して、上記４．で検討した本願発明１及び２は、上記（令和元年１１月２９日付けの手続補正により補正された）請求項１及び２に係る発明に、「前記コア部の長手方向に沿った距離で５ｍｍ以上３０ｍｍ以下接触させ」るとの発明特定事項を付加して限縮したものである。

そうすると、上記発明特定事項を付加する補正をした本願発明１及び２は、上記４．で検討したとおり、当業者であっても引用発明１及び引用文献２記載された事項、あるいは、引用発明２及び引用文献１記載された事項に基づいて容易に発明できたものであるとはいえないものであるから、同様の理由により原査定を維持することはできない。

６．むすび

以上のとおり、本願発明１及び２は、引用発明１及び引用文献２に記載された事項、あるいは、引用発明２及び引用文献１に記載された事項に基づいて容易に発明できたものではない。

したがって、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。

また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。

よって、結論のとおり審決する。