2019-017237

特願２０１８－１６１３４９「半導体装置」拒絶査定不服審判事件〔平成３１年　１月１０日出願公開、特開２０１９－　　４１７２、請求項の数（４）〕について、次のとおり審決する。

【結　論】 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。

【理　由】 第１　手続の経緯 本願は，平成２３年１１月３日（優先権主張：平成２２年１１月５日）に出願した特願２０１１－２４１７６１号の一部を平成２７年１１月５日に新たな特許出願とした特願２０１５－２１７４２３号の一部を平成２９年２月６日に新たな特許出願とした特願２０１７－１９２７３号の一部を平成３０年８月３０日に新たな特許出願としたものであって，その手続の経緯は以下のとおりである。 平成３０年９月２７日　：手続補正書の提出 令和元年６月２１日付け：拒絶理由通知書 令和元年８月２０日　　：意見書，補正書の提出 令和元年９月２６日付け：拒絶査定 令和元年１２月２０日　：審判請求書，手続補正書の提出 令和２年８月５日付け　：拒絶理由通知書（当審） 令和２年１０月８日　　：意見書，手続補正書の提出 第２　原査定の概要 原査定（令和元年９月２６日付け拒絶査定）の概要は，本願の請求項１，２，５，６に係る発明は，本願の優先権主張の日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった以下の引用文献１に記載された発明及び引用文献２～３，５に記載された技術的事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない，というものである。 引用文献１．特開２０１０－２３２６５１号公報 引用文献２．特開２００８－１２８７２５号公報 引用文献３．国際公開第２００９／０７２３６５号 引用文献４．特開２００６－１４８０４０号公報 引用文献５．特開２０１０－０２１１７０号公報 （なお，引用文献４は，令和元年８月２０日付け手続補正により引用文献でなくなったが，参考のため記載したものである。） 第３　当審拒絶理由通知の概要 当審拒絶理由通知（令和２年８月５日付け拒絶理由通知）の概要は，本願の請求項１～５に係る発明は，本願の優先権主張の日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった以下の引用例１に記載された発明及び引用例２～７に記載された技術的事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない，というものである。 引用例１．特開２０１０－２３２６５１号公報（原査定の引用文献１） 引用例２．特開２００８－１２８７２５号公報（原査定の引用文献２） 引用例３．国際公開第２００９／０７２３６５号（原査定の引用文献３） 引用例４．特開２００５－３８９９４号公報 引用例５．米国特許出願公開第２００７／０２８１４５７号明細書 引用例６．特開２０１０－２１１７０号公報（原査定の引用文献５） 引用例７．特開２０１０－８０９４７号公報 第４　本願発明 本願の請求項１～４に係る発明（以下，それぞれ「本願発明１」～「本願発明１４」という。）は，令和２年１０月８日提出の手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１～４に記載された事項により特定される発明であり，そのうちの本願発明１は次のとおりである。 「【請求項１】 酸化物半導体層と， 前記酸化物半導体層と重なるソース電極層またはドレイン電極層と， 前記酸化物半導体層上のゲート絶縁層と， 前記ゲート絶縁層上のゲート電極層と，を有し， 前記ゲート電極層は積層構造を有し， 前記積層構造のうち，前記ゲート絶縁層と接する側の層は，金属酸化物を有し， 前記積層構造のうち，前記ゲート絶縁層と接しない側の層に，金属からなる層を有し， 前記積層構造は，前記ゲート絶縁層を介して前記酸化物半導体層と重なり， 前記金属酸化物は，５電子ボルト以上の仕事関数を有し， 前記積層構造において，前記金属酸化物に接して窒化金属膜を有し， 前記窒化金属膜は，窒化チタン，窒化タンタル，窒化タングステン，窒化モリブデンまたは窒化クロムのいずれかであり， 前記ソース電極層または前記ドレイン電極層は，バッファ層を介して前記酸化物半導体層と接し， 前記バッファ層は，前記ソース電極層または前記ドレイン電極層の側面よりも前記酸化物半導体層のチャネル領域の側に突出し， 前記バッファ層の光透過率は，前記酸化物半導体層の光透過率よりも低い半導体装置。」 本願発明２～４は，本願発明１を減縮した発明である。 第５　引用例の記載と引用発明 １．引用例１について （１）引用例１の記載事項 当審拒絶理由通知で引用された引用例１には，次の記載がある。（下線は当審による。以下同じ。） 「【０１０４】 （実施の形態１） 本実施の形態では，半導体装置及びその作製工程について，図１乃至図１５を用いて説明する。 【０１０５】 図１に，本実施の形態の半導体装置を示す。図１（Ａ）は平面図であり，図１（Ｂ）は図１（Ａ）におけるＡ－Ｂで切断した断面図である。 【０１０６】 図１（Ａ）に示す半導体装置は，１の方向に配置された複数の配線（例えば，ゲート配線及び容量配線）と，２の方向に配置された複数の配線（例えば，ソース配線）と，それらの配線の交差部付近の複数のトランジスタと，を有する画素部を含んでいる。なお，１の方向に配置された配線と２の方向に配置された配線とは直交していることが望ましい。なお，本明細書において，画素部とは，複数のゲート配線及び複数のソース配線に囲まれた領域のことを指す。 【０１０７】 図１に示すトランジスタ１５０は，絶縁面を有する基板１００上に，半導体層１０３ａと，半導体層１０３ａ上に設けられたソース電極又はドレイン電極として機能する導電層１０６ａ，１０６ｂと，ソース電極又はドレイン電極として機能する導電層１０６ａ，１０６ｂ上に設けられたゲート絶縁膜１１０と，ゲート絶縁膜１１０上に設けられ，かつ，導電層１０６ａ，１０６ｂの間に設けられたゲート電極として機能する導電層１１３ａとで構成されている。よって，トランジスタ１５０は，いわゆるトップゲート型のトランジスタである。ただし，チャネル（半導体層１０３ａ）の下側に，ゲート電極が配置されてもよい。半導体層１０３ａは，酸化物を有することが好ましい。ただし，これに限定されず，半導体層が酸化物を有していなくてもよい。例えば，半導体層１０３ａとして，シリコン，ガリウムヒ素，化合物半導体，有機半導体，カーボンナノチューブなどを用いて形成することが可能である。」 「【０１１０】 通常，素子と素子，例えば，トランジスタとトランジスタとを接続する配線は，ゲート電極，ソース電極又はドレイン電極を構成する導電層をそのまま引き延ばし，同じ島（アイランド）で形成される場合が多い。したがって，トランジスタのゲートと，別のトランジスタのゲートと，を接続する配線（ゲート配線と呼ぶ）は，トランジスタのゲート電極と同じ層構造や同じ材料で形成されていることが多く，トランジスタのソースと別のトランジスタのソースとを接続する配線（ソース配線と呼ぶ）は，トランジスタのソース電極と同じ層構造や同じ材料で形成されていることが多い。したがって，ゲート電極並びにソース電極もしくはドレイン電極として，透光性を有する材料を用いて形成した場合，ゲート配線およびソース配線はゲート電極並びにソース電極もしくはドレイン電極と同様，透光性を有する材料を用いて形成されることとなる。 【０１１１】 透光性を有する材料，例えば，インジウムスズ酸化物，インジウム亜鉛酸化物，インジウムスズ亜鉛酸化物などは，遮光性及び反射性を有する材料，例えば，アルミニウム，モリブデン，チタン，タングステン，ネオジム，銅，銀，クロムなどと比較して，導電率が低い傾向がある。したがって，透光性を有する材料を用いて配線を形成すると，配線抵抗が高くなってしまう。例えば，大型の表示装置を製造する場合，配線が長くなるため，配線抵抗が非常に高くなる。配線抵抗が高くなると，その配線を伝搬していく信号の波形なまりが生じ，配線抵抗による電圧降下によって，供給される電圧が小さくなる。そのため，正確な電圧や電流を供給することが困難となってしまい，正常な表示や動作を行うことが困難となるおそれがある。 【０１１２】 そこで，トランジスタ１５０のゲート電極と電気的に接続されるゲート配線は，透光性を有する導電層１１３ａと，遮光性を有する導電層１１６ａとで積層する。そして，トランジスタ１５０のソース電極又はドレイン電極と電気的に接続されるソース配線は，透光性を有する導電層１０６ａと，遮光性を有する導電層１０９ａとで積層する。つまり，トランジスタ１５０のゲート電極は，透光性を有する導電層１１３ａの一部で形成されている。そして，トランジスタ１５０のソース電極又はドレイン電極は，透光性を有する導電層１０６ａの一部で形成されている。」 「【０１１５】 ゲート配線又はソース配線を，透光性を有する導電層と遮光性を有する導電層とで積層することにより，配線抵抗を低減させることができる。また，配線抵抗を低減させることによって，信号の波形なまりを低減し，配線抵抗による電圧降下を低減させることができる。また，配線抵抗による電圧降下を低減させることにより，正確な電圧や電流を供給することができる。これにより，大型の表示装置を製造することが可能となる。また，ゲート配線又はソース配線は，遮光性を有する導電層を用いて構成されているため，画素間を遮光することができる。つまり，行方向に配置されたゲート配線と，列方向に配置されたソース配線とによって，ブラックマトリクスを用いることなく画素間の隙間を遮光することができる。ただし，ブラックマトリクスを用いることは可能である。」 「【０１４１】 次に，酸化物半導体膜１０１上にレジストマスク１０２を形成し，当該レジストマスク１０２を用いて酸化物半導体膜１０１を選択的にエッチングして，島状の半導体層１０３ａを形成する（図２（Ｃ），（Ｄ）参照）。レジストマスクの形成にスピンコート法を用いる場合，レジスト膜の均一性の向上のため，大量のレジスト材料や，大量の現像液が使用され，余分な材料の消費量が多い。特に基板が大型化すると，スピンコート法を用いる成膜方法では，大型の基板を回転させる機構が大規模となる点，材料液のロス及び廃液量が多い点で，大量生産上不利である。また，矩形の基板をスピンコートさせると回転軸を中心とする円形のムラが塗布膜に生じやすい。そこで，インクジェット法などの液滴吐出法やスクリーン印刷法などを用いて選択的にレジスト材料膜を形成し，露光を行ってレジストマスクを形成することが好ましい。選択的にレジスト材料膜を形成することによって，レジスト材料の使用量の削減が図れるため大幅なコストダウンが実現でき，１０００ｍｍ×１２００ｍｍ，１１００ｍｍ×１２５０ｍｍ，１１５０ｍｍ×１３００ｍｍのような大面積基板にも対応できる。ただし，これに限定されない。」 「【０１４５】 次に，島状の半導体層１０３ａ上に，導電膜１０４を形成する（図２（Ｅ），（Ｆ）参照）。 【０１４６】 導電膜１０４は，インジウム錫酸化物（ＩＴＯ），酸化シリコンを含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ），有機インジウム，有機スズ，酸化亜鉛（ＺｎＯ），窒化チタン等を用いることができる。また，酸化亜鉛を含むインジウム亜鉛酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ：ＩＺＯ），ガリウム（Ｇａ）を含む酸化亜鉛，酸化スズ（ＳｎＯ２），酸化タングステンを含むインジウム酸化物，酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物，酸化チタンを含むインジウム酸化物，酸化チタンを含むインジウム錫酸化物なども用いてもよい。導電膜１０４は，上述の材料をスパッタリング法により，単層構造又は２層以上の積層構造で形成することができる。ただし，積層構造とする場合には，複数の膜の全ての光透過率が十分に高いことが望ましい。」 「【０１６０】 導電膜１１１は，導電膜１０４を形成した材料と概ね同じ材料で形成されることが望ましい。ただし，これに限定されない。概ね同じ材料とは，主成分の元素が同じ材料のことであり，不純物レベルでは，含まれる元素の種類や濃度などが異なっている場合がある。このように，概ね同じ材料を用いることにより，スパッタや蒸着などで導電膜１１１を形成する場合，導電膜１０４と材料を共有できるというメリットがある。導電膜１１１と導電膜１０４の材料を共有することにより，同じ製造装置を用いることができ，製造工程をスムーズに流すことができ，スループットを向上させることが可能となり，低コスト化を実現することが可能となる。 【０１６１】 次に，導電膜１１１上にレジストマスク１１２ａ，１１２ｂを形成し，当該レジストマスク１１２ａ，１１２ｂを用いて導電膜１１１を選択的にエッチングして，導電層１１３ａ，１１３ｂを形成する（図４（Ａ），（Ｂ）参照）。なお，上記エッチングの後にはレジストマスク１１２ａ，１１２ｂは除去する。 【０１６２】 次に，導電層１１３ａ，１１３ｂ，ゲート絶縁膜１１０上に導電膜１１４を形成する（図４（Ｃ），（Ｄ）参照）。 【０１６３】 導電膜１１４は，アルミニウム（Ａｌ），タングステン（Ｗ），チタン（Ｔｉ），タンタル（Ｔａ），モリブデン（Ｍｏ），ニッケル（Ｎｉ），白金（Ｐｔ），銅（Ｃｕ），金（Ａｕ），銀（Ａｇ），マンガン（Ｍｎ），ネオジム（Ｎｄ），クロム（Ｃｒ），アンチモン（Ｓｂ），ニオブ（Ｎｂ），セリウム（Ｃｅ）などの金属材料，またはこれらの金属材料を主成分とする合金材料，またはこれらの金属材料を成分とする窒化物を用いて，単層又は積層で形成することができる。アルミニウムなどの低抵抗導電性材料で形成することが望ましい。 【０１６４】 また，導電膜１１４は，導電膜１０７を形成した材料とは異なる材料で形成することが望ましい。または，導電膜１１４は，導電膜１０７とは異なる積層構造で形成されることが望ましい。なぜなら，半導体装置の作製工程において，加えられる温度が導電膜１１４と導電膜１０７とでは異なる場合が多いからである。通常，導電膜１０７の方が，高温な状態になることが多い。したがって，導電膜１０７の方が融点の高い材料または積層構造を用いることが望ましい。または，導電膜１０７の方が，ヒロックがおきにくい材料または積層構造を用いることが望ましい。または，導電膜１１４は，映像信号が供給される信号線を構成する場合があるため，導電膜１０７よりも配線抵抗が小さい材料又は積層構造を用いることが望ましい。なお，遮光性を有する導電層よりも透光性を有する導電層の方が，膜厚が薄いことが望ましい。 【０１６５】 導電層１０６ａ，１０６ｂ（又は導電膜１０４）の上に導電膜１０７を形成する場合と同様に，導電層１１３ａ，１１３ｂ（又は導電膜１１１）の上に導電膜１１４を形成する場合，両者の膜が反応を起こしてしまう場合がある。したがって，導電層１１３ａ，１１３ｂ上に導電膜１１４を形成する場合においても，導電層１１３ａ，１１３ｂと導電膜１１４との間に，高融点材料を用いることが望ましい。例えば，高融点材料の例としては，モリブデン，チタン，タングステン，タンタル，クロムなどがあげられる。そして，高融点材料を用いた膜の上に，導電率が高い材料を用いて，導電膜１１４を多層膜で形成することは，好適である。導電率が高い材料としては，アルミニウム，銅，銀などがあげられる。 【０１６６】 次に，導電膜１１４上にレジストマスク１１５を形成し，当該レジストマスク１１５を用いて導電膜１１４をエッチングして，導電層１１６ａを形成する（図４（Ｅ），（Ｆ）参照）。上記エッチングの後にはレジストマスク１１５は除去する。その結果，導電膜１１４は，レジストマスク１１５が形成されている部分を残して除去され，導電層１１３ａが露出する。これにより，導電層１１６ａと導電層１１３ａとは，それぞれの層が有する表面積が異なる。つまり，導電層１１３ａが有する表面積は，導電層１１６ａが有する表面積よりも大きい。または，導電層１１６ａと１１３ａとは，導電層１１３ａと導電層１１６ａとが重なった領域と，導電層１１６ａと導電層１１３ａとが重なっていない領域とを有する。 【０１６７】 導電層１１３ａと導電層１１６ａとが重なる領域では，導電層１１３ａと導電層１１６ａはゲート配線として機能し，導電層１１３ａと導電層１１６ａとが重ならない領域では，導電層１１３ａはゲート電極として機能する。ゲート電極として機能する導電層１１３ａを，透光性を有する材料で形成することにより，ゲート電極が形成された部分においても光を透過させることができるため，画素の開口率を向上させることができる。また，ゲート配線として機能する導電層１１６ａを，導電層１１３ａよりも導電率が高い材料で形成することにより，配線抵抗を低減し，消費電力を低減することができる。また，ソース配線は，遮光性を有する導電層１１６ａを用いて構成されているため，画素間を遮光することができる。つまり，行方向に配置されたゲート配線と，列方向に配置されたソース配線とによって，ブラックマトリクスを用いることなく画素間の隙間を遮光することができる。」 引用例１の図１として，以下の図面が示されている。 引用例１の図４として，以下の図面が示されている。 （２）摘記の整理 以上の摘記を整理すると，引用例１には以下の事項が記載されているものと理解できる。 ア　複数のゲート配線と複数のトランジスタを含む半導体装置。（段落［０１０６］） イ　上記半導体装置のトランジスタ１５０が，半導体層１０３ａと，半導体層１０３ａ上に設けられたソース電極又はドレイン電極として機能する導電層１０６ａ，１０６ｂと，ソース電極又はドレイン電極として機能する導電層１０６ａ，１０６ｂ上に設けられたゲート絶縁膜１１０と，ゲート絶縁膜１１０上に設けられ，かつ，導電層１０６ａ，１０６ｂの間に設けられたゲート電極として機能する導電層１１３ａとで構成されていること。（段落［０１０７］） ウ　半導体層１０３ａは，酸化物半導体膜１０１を選択的にエッチングして形成した島状の半導体層であること。（段落［０１４１］） ・導電層１１３ａは，ゲート絶縁膜１１０に接していること。（図１（Ｂ）） ・導電層１１３ａをインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）又はインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）で形成すること。（段落［０１４６］，［０１６０］） ・導電膜１１３ａと導電層１１６ａが反応するのを防止するために，両者の間に高融点材料を用い，その上にアルミニウム，銅，銀などの導電率が高い材料を用いて導電層１１６ａを形成すること。（段落［０１６５］，［０１６６］） ・導電層１１３ａが，ゲート絶縁膜１１０を介して半導体層１０３ａと重なる部分を有すること。（図１（Ｂ），図４（Ｅ），（Ｆ）） ・導電層１１３ａと導電層１１６ａとが重なる領域では，導電層１１３ａと導電層１１６ａはゲート配線として機能し，導電層１１３ａと導電層１１６ａとが重ならない領域では，導電層１１３ａはゲート電極として機能すること。（段落［０１６７］） （３）引用発明１ 以上の記載から，引用例１には次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されているものと認められる。 「酸化物半導体膜からなる半導体層１０３ａと， 半導体層１０３ａ上に設けられたソース電極又はドレイン電極として機能する導電層１０６ａ，１０６ｂと， ソース電極又はドレイン電極として機能する導電層１０６ａ，１０６ｂ上に設けられたゲート絶縁膜１１０と， 前記ゲート絶縁膜１１０上に接して設けられた導電層１１３ａと，前記導電層１１３ａ上に高融点材料を介して形成された導電層１１６ａと， 前記導電層１１３ａは，前記ゲート絶縁膜１１０を介して前記半導体層１０３ａと重なる部分を有し， 前記導電層１１３ａと前記導電層１１６ａとが重なる領域では，前記導電層１１３ａと前記導電層１１６ａはゲート配線として機能し，前記導電層１１３ａと前記導電層１１６ａとが重ならない領域では，前記導電層１１３ａはゲート電極として機能し， 前記導電層１１３ａは，インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）又はインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）で形成され， 前記高融点材料は，前記導電層１１３ａと前記導電層１１６ａとが反応するのを防止する材料であり， 前記導電層１１６ａは，アルミニウム，銅，銀等の導電率の高い材料で形成されている， 半導体装置。」 ２．引用例２～３について （１）引用例２の記載事項 当審拒絶理由通知で引用された引用例２には，次の記載がある。 「【００３９】 また，上記実施形態の放射線画像検出器においては，電圧印加手段２５により電荷対発生電極５に電圧を印加することによって電荷対発生電極と電荷対非発生電極との間に電位勾配を形成するようにしたが，これに限らず，たとえば，電荷対発生電極５と電荷対非発生電極６とを互いに異なる材料から形成することによって電位勾配を形成するようにしてもよい。具体的には，電荷対発生電極をＩＺＯで形成し，電荷非発生電極の透明線状電極６ａをＩＴＯで形成するようにすればよい。ＩＺＯの仕事関数は５．２ｅＶであり，ＩＴＯの仕事関数は５．１ｅＶであるので，０．１Ｖの電位勾配が電荷対発生電極と電荷対非発生電極との間に形成される。なお，これに限らず，電位勾配を形成するようなその他の材料を選択するようにしてもよい。」 （２）引用例３の記載事項 当審拒絶理由通知で引用された引用例３には，次の記載がある。 「[0009] 　例えば，特許文献２が開示する透明導電膜は，ＩＴＯ又はＩＺＯであり，これらの屈折率は，ＩｎＧａＮが発する４６０ｎｍの波長において，それぞれ，１．９２及び２．０７であり，ＩｎＧａＮが有する屈折率約２．５より小さく，光取出し効率が小さかった。また，ＧａＮ（Ｉｎ）が発する波長３８０ｎｍにおいては，ＩＴＯ，ＩＺＯのバンドギャップがそれぞれ，３．２ｅＶ及び２．９ｅＶであるため，３８０ｎｍの光を吸収してしまい，光取出し効率が非常に小さなものであった。また，ＩＴＯ，ＩＺＯの仕事関数は，それぞれ約５．０ｅＶ及び５．２ｅＶであり，ｐＧａＮのＨＯＭＯレベルの準位と大きく離れており，正孔を注入するための障壁が大きく，駆動電圧も大きいままであった。」 （３）引用例２～３の示す技術常識 上記引用例２及び引用例３の記載によれば，インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）又はインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）の仕事関数が５電子ボルト以上であることは，当業者の技術常識であると理解できる。 ３．引用例４～５について （１）引用例４の記載事項 当審拒絶理由通知で引用された引用例４には，次の記載がある。 「【０００７】 また，ＵＬＳＩに代表される半導体の分野における配線や電極等の金属材料としては，集積度の向上による微細化の進展や，動作スピードの向上等により，従来から用いられているアルミニウム（Ａｌ）よりも，配線抵抗が低く，且つエレクトロマイグレーションやストレスマイグレーション等の耐性が高い，銅（Ｃｕ）を用いた配線に関する検討が進められている。」 「【００３５】 銅拡散防止下地層としては，前述のＴｉＮのみならず銅の拡散防止能のあるＴａＮ，ＴａＳｉＮ，ＴｉＳｉＮ，ＷＳｉＮ，Ｔｉ，Ｔａ等であってもよく，また，前述の材料の積層であってもよい。銅拡散防止層カバー層は，銅の表面に無電解めっき法により選択時に形成できる金属で形成することが好ましい。このような銅拡散防止層カバー層としては，例えばコバルト（Ｃｏ）－タングステン（Ｗ）－ホウ素（Ｂ）合金，コバルト（Ｃｏ）－ホウ素（Ｂ）合金，コバルト（Ｃｏ）－リン（Ｐ）合金，ニッケル（Ｎｉ）－タングステン（Ｗ）－リン（Ｐ）合金等がある。ここで，コバルト系合金やニッケル系合金は，高融点金属であるとともに，不純物の活性化に用いられるエキシマーレーザー光の波長領域では，不純物が注入されたシリコン領域によりも低反射率であり，加えて銅の配線側面も含めた表面を覆っているために光吸収効果も高く，ゲート電極端部に発生しがちな接合欠陥を抑制する効果も有している。」 （２）引用例５の記載事項 当審拒絶理由通知で引用された引用例５には，次の記載がある。（和訳は当審による。） “[0004]　Copper and copper alloys have excellent electrical conductivity, thermal conductivity and physical properties at room temperature are useful in the fabrication of devices with dissimilar elements. [0005]　In addition to excellent electrical conductivity, copper also has excellent structural stability to prevent charged ions from migrating so an element such as a semiconductor element including a copper wire has long endurance and high stability. Thus, copper replaces aluminum (Al) and is deposited on a semiconductor element such as a silicon substrate (i.e. a silicon wafer) to form a copper film that is electrically conductive. Consequently, copper is useful in the semiconductor industry. However, the copper film still has some shortcomings inherent in methods used to form the copper film and in the chemical properties of copper.” （和訳）“［0004］銅及び銅合金は室温で優れた電気伝導性，熱伝導性及び物理的特性を有し，異なる要素を有するデバイスの製造に有用である。 ［0005］優れた導電性に加えて，銅はまた，荷電されたイオンのマイグレーションを防止し，銅配線を含む半導体要素のような要素が耐久性と高い安定性を持つような，優れた構造安定性を有している。そのため，銅はアルミニウムを置き換え，シリコン基板(シリコンウエハ)等の半導体素子上に堆積される導電性の銅膜を形成する。このように，銅は半導体産業において有用である。しかしながら，銅膜は，銅膜を形成するために使用される方法及び銅の化学的性質に固有の，いくつかの欠点を有している。　” “[0024]　With reference to FIG. 1, the copper layer in accordance with the present invention is deposited on a substrate (40) that may be silicon such as a silicon wafer and comprises a copper seed layer (22), a thin copper film (21), and an interface (23). [0025]　The copper seed layer (22) has properties such as a fine microstructure, high thermal stability and excellent low electrical resistivity and contains copper and insoluble substances. The insoluble substances supersaturated with copper to form Cu(X), are selected from the group consisting of high-temperature metals (W, Mo, Nb, Ta, V, Cr), high-temperature metal nitrides (WNX, MoNX, NbNX, TaNX, VNX, CrNX or the like) and a mixture thereof and are in a range of 0.5 to 3.5 atom % The high temperature metal nitrides are less than 2.0 atom %. Tungsten of the insoluble substances may react with oxygen to form copper tungsten oxides. [0026]　The thin copper film (21) is deposited on a top of the copper seed layer (22), so the copper seed layer (22) with the thin copper film (21) further has high thermal stability, a low electrical resistivity and high conductivity and is suitable for use in many industries such as the semiconductor industry and in any copper manufacturing process without a conventional barrier.” （和訳）“[0024] 図1を参照すると，本発明による銅層は，シリコンウェーハなどのシリコン基板(40)上に堆積され，銅シード層(22)，薄い銅膜(21)及びインターフェイス(23)を備えている。 [0025] 銅シード層(22)は，優れた微細構造，高い熱安定性及び卓越した低電気抵抗率といった性質を有し，銅との不溶性物質を含有する。Cu(X)を形成する銅で過飽和される不溶性物質は，高温金属(W, Mo, Nb, Ta, V, Cr)，高温金属窒化物(WNX，MoNX，NbNX，TaNX VNX,CrNX等)およびそれらの混合物からなる群から選択され，0.5～3.5原子%の範囲である。高温度金属窒化物は2.0原子%未満である。不溶性物質のタングステンは酸素と反応して，銅-タングステン酸化物を形成してもよい。 [0026] 銅薄膜(21)は，銅シード層(22)上に付着されるので，銅薄膜(21)と銅シード層(22)は，さらに，高い熱安定性，低い電気抵抗及び高い導電性を有し，半導体産業などの多くの産業で使用するための従来のバリアのない銅製造プロセスに適している。“ （３）引用例４～５の示す周知技術 上記引用例４及び引用例５の記載によれば，銅がアルミニウムよりも導電率が高く優れた配線材料であること，及び，銅を配線材料として適用する際，銅とその下の層との反応を防止するために銅の拡散防止能の有る材料を下地層とする技術は，当業者の周知技術であったといえる。 ４．引用例６～７について （１）引用例６の記載事項 当審拒絶理由通知で引用された引用例６には，次の記載がある。 「【００２４】 本実施の形態１における半導体装置では，図１に示すように，基板ＳＵＢ上にゲート電極ＧＴが形成されている。そして，このゲート電極ＧＴを覆う基板ＳＵＢの上面にゲート絶縁膜ＧＩが形成されている。また，ゲート絶縁膜ＧＩ上に少なくとも平面的にゲート電極ＧＴを跨るようにしてソース電極ＳＴおよびドレイン電極ＤＴが形成されている。すなわち，ソース電極ＳＴおよびドレイン電極ＤＴは，一定距離離間した領域である離間領域を隔てて配置されている。 【００２５】 ソース電極ＳＴの上にはソース側のコンタクト層（第１導電層）ＣＴＳが金属酸化物よりなる半導体層によって形成されており，ドレイン電極ＤＴの上にはドレイン側のコンタクト層（第２導電層）ＣＴＤが金属酸化物よりなる半導体層によって形成されている。そして，少なくともゲート電極ＧＴおよび両コンタクト層ＣＴＳ，ＣＴＤを跨るようにしてチャネル層ＣＨＮが形成されている。このように本実施の形態１の特徴は，チャネル層ＣＨＮとソース電極ＳＴあるいはドレイン電極ＤＴと直接接続するのではなく，チャネル層ＣＨＮとソース電極ＳＴの間にコンタクト層ＣＴＳを形成し，チャネル層ＣＨＮとドレイン領域ＤＴとの間にコンタクト層ＣＴＤを形成している点にある。これにより，チャネル層ＣＨＮを薄く形成しても，チャネル層とソース電極あるいはドレイン電極との境界に充分な接合界面層を形成することができる。つまり，ソース電極ＳＴは充分な厚さのコンタクト層ＣＴＳを介してチャネル層ＣＨＮと接続されるので，チャネル層ＣＨＮが充分に薄くなっても，コンタクト層ＣＴＳとソース電極ＳＴとの境界で充分な厚さの接合界面層を形成することができるのである。同様に，ドレイン電極ＤＴは充分な厚さのコンタクト層ＣＴＤを介してチャネル層ＣＨＮと接続されるので，チャネル層ＣＨＮが充分に薄くなっても，コンタクト層ＣＴＤとドレイン電極ＤＴとの境界で充分な厚さの接合界面層を形成することができる。したがって，ソース電極ＳＴとチャネル層ＣＨＮとの間のコンタクト抵抗や，ドレイン電極ＤＴとチャネル層ＣＨＮとの間のコンタクト抵抗を小さくすることができる。このため，ＴＦＴのオン抵抗を低減することができ，オン電流の向上を図ることができる。」 「【００２８】 また，チャネル層ＣＨＮを成膜する際の被覆性を良好にするため，ソース電極ＳＴ，ドレイン電極ＤＴ，および両コンタクト層ＣＴＳ，ＣＴＤはテーパ状に形成されている。つまり，ソース電極ＳＴの離間領域側の端部およびドレイン電極ＤＴの離間領域側の端部は，先端部に行くにつれて高さが低くなるテーパ形状をしている。同様に，コンタクト層ＣＴＳの離間領域側の端部およびコンタクト層ＣＴＤの離間領域側の端部は，先端部にいくにつれて高さが低くなるテーパ形状をしている。このように構成することにより，コンタクト層ＣＴＳ，ＣＴＤ上に形成されるチャネル層ＣＨＮの被覆性を向上することができる。」 「【００６９】 なお，図１６ではボトムゲート／トップコンタクト型の酸化物ＴＦＴを例に挙げて説明したが，図２２に示すようなトップゲート／トップコンタクト型の酸化物ＴＦＴとしても同様の効果を得ることができる。ここでいうトップゲートとは，チャネル層ＣＨＮの上層にゲート電極ＧＴが形成されている構造を意味し，トップコンタクトとは，チャネル層ＣＨＮの上層にコンタクト層ＣＴＳ，ＣＴＤが形成されている構造を意味する。」 引用例６の図２２として，以下の図面が示されている。 （２）引用例７の記載事項 当審拒絶理由通知で引用された引用例７には次の記載がある。 「【００７１】 本実施の形態のボトムゲート構造の薄膜トランジスタ１７０ａ，１７０ｂ，１７０ｃを図５及び図６に示す。図５（Ａ１）は平面図であり，図５（Ａ２）は図５（Ａ１）における線Ａ１－Ａ２の断面図である。図５（Ｂ１）は平面図であり，図５（Ｂ２）は図５（Ｂ１）における線Ｂ１－Ｂ２の断面図である。図６（Ａ１）は平面図であり，図６（Ａ２）は図６（Ａ１）における線Ｃ１－Ｃ２の断面図である。 【００７２】 図５において，基板１００上に，ゲート電極層１０１，ゲート絶縁層１０２，半導体層１０３，ソース領域又はドレイン領域１０４ａ，１０４ｂ，ソース電極層又はドレイン電極層１０５ａ，１０５ｂを薄膜トランジスタ１７０ａが設けられている。 【００７３】 ゲート絶縁層１０２表面に酸素ラジカル処理を行う。よってゲート絶縁層１０２と半導体層１０３との界面に酸素濃度のピークを有し，かつゲート絶縁層１０２の酸素濃度は濃度勾配を有し，その酸素濃度はゲート絶縁層１０２と半導体層１０３との界面に近づくにつれて増加する。 【００７４】 また，半導体層１０３としてＩｎ，Ｇａ，及びＺｎを含む酸素過剰酸化物半導体膜を用い，ソース電極層又はドレイン電極層１０５ａ，１０５ｂとＩＧＺＯ半導体層である半導体層１０３との間に，酸素欠乏酸化物半導体層からなるソース領域又はドレイン領域１０４ａ，１０４ｂを意図的に設けることによってオーミック性のコンタクトを形成する。また，半導体層１０３，ソース領域又はドレイン領域１０４ａ，１０４ｂとして，Ｉｎ，Ｇａ，及びＺｎのいずれか一をタングステン，モリブデン，チタン，ニッケル，アルミニウムと置換してもよい。 【００７５】 ソース領域又はドレイン領域１０４ａ，１０４ｂとしては，Ｉｎ，Ｇａ，及びＺｎを含む結晶粒を有する酸素欠乏酸化物半導体膜を用いる。」 「【００８０】 また，図５（Ａ１）（Ａ２）（Ｂ１）（Ｂ２）の薄膜トランジスタ１７０ａ，１７０ｂは，半導体層１０３上において，ソース電極層又はドレイン電極層１０５ａ，１０５ｂの端部とソース領域又はドレイン領域１０４ａ，１０４ｂの端部が一致せず，ソース領域又はドレイン領域１０４ａ，１０４ｂが一部露出している例である。」 引用例７の図５として，以下の図面が示されている。 （３）引用例６～７の示す周知技術 以上によれば，ソース電極層及びドレイン電極層とチャネル層となる半導体層との間に，ソース電極層及びドレイン電極層の側面よりもチャネル領域側に突出したバッファ層を設ける構成は，当業者に周知の構成であったといえる。 第６　対比・判断 １．本願発明１と引用発明１との一致点及び相違点 本願発明１と引用発明１を比較する。 ア　本願発明１と引用発明１は，ともに「半導体装置」の発明である点で一致する。 イ　引用発明１における「酸化物半導体膜からなる半導体層１０３ａ」，「導電層１０６ａ，１０６ｂ」及び「ゲート絶縁膜１１０」が，本願発明１における「酸化物半導体層」，「ソース電極又はドレイン電極」及び「ゲート絶縁膜」に相当する。 ウ　引用発明１の「導電層１１３ａ」及び「導電層１１６ａ」の積層体は，「導電層１１３ａ」が「前記ゲート絶縁膜１１０を介して半導体層１０３ａと重なる部分を有し」，「前記導電層１１３ａと前記導電層１１６ａとが重ならない領域では，前記導電層１１３ａはゲート電極として機能」するものである。そうすると，引用発明１における，「導電層１１３ａ」及び「導電層１１６ａ」の積層体は，本願発明１における「ゲート電極層」に相当し，両者はともに「積層構造」を有する点で一致する。 エ　引用発明１の「導電層１１３ａ」は，「ゲート絶縁膜１１０」に接して設けられた層であり，インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）又はインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）で形成された層であるから，本願発明１の「前記積層構造のうち，前記ゲート絶縁層と接する側の層」に相当し，両者はともに「金属酸化物」である点で一致する。 オ　引用発明１の「導電層１１６ａ」は，「導電層１１３ａ」上に，高融点材料を介して「アルミニウム，銅，銀等の導電率の高い材料で形成されて」いる層であるから，本願発明１における「前記積層構造のうち，前記ゲート絶縁層と接しない側の層」に相当し，両者はともに「金属からなる層」である点で一致する。 カ　引用発明１の「導電層１１３ａ」は「ゲート絶縁膜１１０を介して半導体層１０３ａと重なる部分を有し」ている。そうすると，本願発明１における「積層構造」と引用発明１における「導電層１１３ａ」と「導電層１１６ａ」の積層体は，ともに「前記ゲート絶縁層を介して前記酸化物半導体層と重なり」を有する点で一致する。 キ　本願発明１の「金属酸化物」と引用発明１の「導電層１１３ａ」は，「仕事関数を有し」ている点で共通する。 ク　引用発明１の「導電層１１３ａ」と「導電層１１６ａ」の積層体において，「導電層１１６ａ」は「前記導電層１１３ａ上に高融点材料を介して形成された」ものであるから，引用発明１の「導電層１１３ａ」は「高融点金属」に接しているといえる。そうすると，本願発明の「積層構造」と引用発明１の「導電層１１３ａ」と「導電層１１６ａ」の積層体は，ともに「前記金属酸化物」（導電層１１３ａ）に接して「膜」を有する点で共通する。 ケ　本願発明１の「ソース電極層及びドレイン電極層」と引用発明１の「導電層１０６ａ，１０６ｂ」は，ともに「前記酸化物半導体層」（酸化物半導体膜からなる半導体層１０３ａ）と電気的に接続されている点で共通する。 上記ア～ケによれば，本願発明１と引用発明１の一致点，相違点は以下のとおりである。 ＜一致点＞ 「酸化物半導体層と， 前記酸化物半導体層と重なるソース電極層またはドレイン電極層と， 前記酸化物半導体層上のゲート絶縁層と， 前記ゲート絶縁層上のゲート電極層と，を有し， 前記ゲート電極層は積層構造を有し， 前記積層構造のうち，前記ゲート絶縁層と接する側の層は，金属酸化物を有し， 前記積層構造のうち，前記ゲート絶縁層と接しない側の層に，金属からなる層を有し， 前記積層構造は，前記ゲート絶縁層を介して前記酸化物半導体層と重なり， 前記金属酸化物は，仕事関数を有し， 前記積層構造において，前記金属酸化物に接して膜を有し， 前記ソース電極層または前記ドレイン電極層は，前記酸化物半導体層と電気的に接続されている， 半導体装置。」である点。 ＜相違点１＞ 本願発明１は「前記金属酸化物は，５電子ボルト以上の仕事関数を有し」ているのに対し，引用発明１は「インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）又はインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）」の仕事関数が特定されていない点。 ＜相違点２＞ 本願発明１は「前記積層構造において，前記金属酸化物に接して窒化金属膜を有し」「前記窒化金属膜は，窒化チタン，窒化タンタル，窒化タングステン，窒化モリブデンまたは窒化クロムのいずれかである」のに対し，引用例１では，「導電層１１３ａ」に接しているのが「高融点材料」である点。 ＜相違点３＞ 本願発明１では，「前記ソース電極層または前記ドレイン電極層は，バッファ層を介して前記酸化物半導体層と接し」「前記バッファ層は，前記ソース電極層または前記ドレイン電極層の側面よりも前記酸化物半導体層のチャネル領域の側に突出し」「前記バッファ層の光透過率は，前記酸化物半導体層の光透過率よりも低い」のに対し，引用発明１では，「導電層１０６ａ，１０６ｂ」が「バッファ層」を介さずに「酸化物半導体膜からなる半導体層１０３ａ」と接している点。 ２．相違点に対する判断 事案に鑑み，まず相違点３について検討する。 ソース電極層及びドレイン電極層とチャネル層となる半導体層との間に，ソース電極層及びドレイン電極層の側面よりもチャネル領域側に突出したバッファ層を設ける構成は，引用例６及び引用例７（上記第５の４．（３））に示されるとおり，当業者に周知の構成であるから，引用発明１において当該周知の構成を採用することは，当業者が格別の困難無くなし得たことであるといえる。 しかしながら，上記周知のバッファ層において「前記バッファ層の光透過率は，前記酸化物半導体層の光透過率よりも低い」ものとすることは，上記引用例６及び引用例７には記載も示唆もされておらず，上記引用例２～５にも記載されていない事項である。 したがって，相違点１及び２について検討するまでもなく，本願発明１は引用発明１及び引用例２～７に記載された技術的事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 ３．本願発明２～４について 本願発明２～４も，「前記ソース電極層または前記ドレイン電極層は，バッファ層を介して前記酸化物半導体層と接し」「前記バッファ層は，前記ソース電極層または前記ドレイン電極層の側面よりも前記酸化物半導体層のチャネル領域の側に突出し」「前記バッファ層の光透過率は，前記酸化物半導体層の光透過率よりも低い」という事項を有するものであるから，本願発明１と同様の理由により，引用発明１及び引用例２～７に記載された技術的事項に基づいて当業者が容易に発明することができたものとはいえない。 第７　原査定についての判断 当審拒絶理由通知後の補正により，本願発明１～４は「前記ソース電極層または前記ドレイン電極層は，バッファ層を介して前記酸化物半導体層と接し」「前記バッファ層は，前記ソース電極層または前記ドレイン電極層の側面よりも前記酸化物半導体層のチャネル領域の側に突出し」「前記バッファ層の光透過率は，前記酸化物半導体層の光透過率よりも低い」という事項を有するものとなっており，拒絶査定において引用された引用文献１（すなわち引用例１）に記載された発明ではなく，また，当業者であっても，拒絶査定において引用された引用文献１～５に基づいて，容易に発明できたものとはいえない。したがって，原査定の理由を維持することはできない。 第８　結言 以上のとおり，原査定の理由によっては，本願を拒絶することはできない。 また，他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。 よって，結論のとおり審決する